KR19990039034A - 반도체 제조장비의 에슁장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼에 형성된 포토레지스트를 제거하기 위한 에슁장비에 관한 것으로, 웨이퍼에 열이 전달되도록 하는 스테이지와, 스테이지를 일정간격으로 감싸도록 설치되어 상하구동 및 회전되는 웨이퍼안착부와, 웨이퍼안착부 상에 설치되어 일부위를 개구시킨 홈이 있고, 표면에 다 수개의 진공홀이 형성되어 웨이퍼를 고정시키는 진공라인과, 웨이퍼를 홈 내로 인입/인출시키기 위한 이송기구와, 웨이퍼안착부에 상하구동 및 회전력을 주기위한 구동원을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 열이 웨이퍼 전표면에 균일하게 전달되기 때문에 포토레지스트의 에슁비율이 일정하고, 또한, 스테이지와 웨이퍼 간의 간격 조절이 가능함에 따라 포토레지스트의 에슁량을 조절할 수 있는 잇점이 있다.
Description
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼에 균일한 열전도도 및 에슁비율을 갖도록 한 반도체 제조장비의 에슁장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중에는 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트를 제거시키기 위한 에슁과정이 필요한 데, 이는 에슁장비 내에서 웨이퍼에 자외선과 열을 적절하게 공급시키어 포토레지스트를 연소시키어 제거시키는 공정이다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조장비의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 종래기술에 따른 에슁장치 중 스테이지 및 이송기구를 도시한 도면이다.
종래의 반도체 제조장비의 에슁장치는 내부에 다 수개의 공정챔버(100)와 이들 챔버 사이에 웨이퍼(106)를 이송시키기 위한 이송기구(102)가 설치된다. 이 공정챔버(100) 내에는 웨이퍼(106)가 안착되는 스테이지(104)가 설치되는 데, 이 스테이지(104) 표면에는 다 수개의 진공홀(H1)이 형성되어 웨이퍼(106)를 고정시키고, 일측에는 이송기구가 인입되는 홈(S1)이 형성되어 있다.
종래의 반도체 제조장비의 에슁장치를 이용하여 웨이퍼(106) 표면에 도포된 프토레지스트가 제거되는 애슁공정을 알아본다.
표면에 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(106)는 트랜스암(102) 등의 이송기구에 의해 에슁공정을 진행하기 위한 공정챔버(100) 내로 인입되며, 이 공정챔버(100)는 스테이지(104) 하부에 설치된 히터 등의 가열수단(도면에 도시되지 않음)에 의해 약 300 ℃ 정도의 온도가 유지된다. 그리고 트랜스암(102)은 바(bar)형태로 스테이지(104)에 형성된 홈(S1)과 동일 형상을 하고 있다.
트랜스암(102)이 홈(S1)에 인입되어 스테이지(104)에 웨이퍼(106)가 안착되면, 스테이지(104) 표면에 형성된 진공홀(H1)을 통해 웨이퍼(106)를 흡착시키어 고정시킨다.
이어서, 스테이지(104)에 웨이퍼(106) 안착이 완료되면, 트랜스암(102)은 공정챔버 밖으로 인출된다. 이 후에, 스테이지(104)는 회전되고 이 과정에서 웨이퍼(106) 표면에 도포된 포토레지스트는 공정챔버의 일측으로 부터 공급되어지는 일정 파장을 갖는 자외선과 스테이지로 부터 방출되는 열에 의해서 제거된다.
그러나, 종래의 웨이퍼 스테이지에 형성된 홈부위에서 다른 부위에 비해 열전도율이 낮음에 따라, 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트의 에슁비율이 균일하지 못한 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 공급되어 지는 열이 균일하게 웨이퍼에 전달되는 웨이퍼 스테이지를 제공하려는 것이다.
상기 목적을 달성하고자, 본 발명은 웨이퍼에 열이 전달되도록 하는 스테이지와, 스테이지를 일정간격으로 감싸도록 설치되어 상하구동 및 회전되는 웨이퍼안착부와, 웨이퍼안착부 상에 일부위가 개구되도록 설치되고 표면에 다 수개의 진공홀이 형성되어 웨이퍼를 고정시키는 진공라인과, 웨이퍼를 상기 홈 내로 인입/인출시키기 위한 이송기구와, 웨이퍼안착부에 상하구동 및 회전력을 주기위한 구동원을 구비한 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조장비의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 종래기술에 따른 에슁장치 중 스테이지 및 이송기구를 도시한 도면이다.
그리고 도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 에슁장치 및 이송기구의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 반도체 제조장비의 에슁장치의 평먼도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
100. 공정챔버 102, 202. 트랜스암
104, 204. 스테이지 106, 206. 웨이퍼
210. 웨이퍼안착부 212. 진공라인
H1, H2. 진공홀 S1, S2. 홈
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 에슁장치 및 이송기구의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 반도체 제조장비의 에슁장치의 평먼도이다.
본 발명의 에슁장비는, 도 3 및 도 4와 같이, 애슁공정이 진행되기에 적정한 열이 웨이퍼에 전달되어지도록 하는 스테이지(204)와, 스테이지(204)와 일정간격으로 설치되고 상하구동 및 회전되는 웨이퍼안착부(210)와, 웨이퍼안착부(210)에 상하구동 및 회전력을 주기위한 구동원과, 웨이퍼안착부(210) 상에 설치되어 표면에 형성된 다 수개 형성된 진공홀(H2)에 의해 웨이퍼(206)를 고정시키며, 일부위를 개구시키는 홈(S2)이 형성된 진공라인(212)과, 웨이퍼를 홈(S2)를 통해 진공라인에 안착시키기 위한 이송기구(202)로 구성된다.
상술한 구성을 갖는 본 발명의 에슁장비 내에서 웨이퍼에 열공급 및 에슁되는 과정을 알아본다.
표면에 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(206)는 트랜스암(202) 등의 이송수구에 의해 에슁공정을 진행하기 위한 공정챔버 내로 인입되며, 공정챔버는 스테이지(204) 하부에 설치된 히터 등의 가열수단에 의해 약 300 ℃ 정도의 온도범위를 유지된 상태이다. 그리고 트랜스암(202)은 바형태로 형성되어 있다.
웨이퍼안착부(210)가 모터 등의 구동원에 의해 다운구동되면, 트랜스암(202)을 이용하여 진공라인(212)에 웨이퍼(206)가 놓여지고 진공홀(H2)을 통하여 웨이퍼(206)가 흡착되어 고정된다. 이 웨이퍼안착부(210)의 재질로는 석영이 사용된다.
이 때, 진공라인(212)은 3 mm 이하의 두께를 가지며, 일부위를 개구시키는 홈(H2)이 형성된다. 이 홈(H2)을 통해 트랜스암(202)이 인입된다. 웨이퍼(206) 안착이 완료되면, 트랜스암(202)은 개구된 부위를 통해 외부로 인출된다.
이어서, 웨이퍼안착부(210)는 상하구동되면서 스테이지(204)와는 1mm 이상의 간격이 유지된다.
이 때, 웨이퍼(206)와 스테이지(204)가 접촉된다면, 웨이퍼(206)와 스테이지(204)가 동시에 회전되므로 적어도 웨이퍼(206)와 스테이지(204)는 1 mm 이상의 간격을 유지하여야 한다. 그리고 이 간격에 의해 웨이퍼(206)에 전달되는 온도가 달라지므로 에슁비율이 다르게 나타난다.
그리고 웨이퍼안착부(210)는 모터 등의 구동원에 의해 회전되고, 웨이퍼(206) 표면에 도포된 포토레지스트는 공정챔버로 부터 공급되어지는 일정 파장을 갖는 자외선 및 스테이지(204)로 부터 방출되는 열에 의해 제거된다. 여기에서, 스테이지(204)는 고정된 채로 웨이퍼(206)가 회전되므로 웨이퍼 전 표면에 균일하게 열이 전달된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 에슁장비에서는 열이 웨이퍼 전표면에 균일하게 전달되기 때문에 포토레지스트가 제거되는 에슁비율이 일정한 잇점이 있다.
또한, 스테이지와 웨이퍼 간의 간격 조절이 가능함에 따라 포토레지스트의 에슁량을 조절할 수 있다.
Claims (4)
- 웨이퍼에 형성된 포토레지스트를 제거하기 위한 에슁장비에 있어서,웨이퍼에 열이 전달되도록 하는 스테이지와, 상기 스테이지를 일정간격으로 감싸도록 설치되어 상하구동 및 회전되는 웨이퍼안착부와, 상기 웨이퍼안착부 상에 설치되어 일부위를 개구시킨 홈이 있고, 표면에 다 수개의 진공홀이 형성되어 웨이퍼를 고정시키는 진공라인과, 상기 웨이퍼를 상기 홈 내로 인입/인출시키기 위한 이송기구와, 상기 웨이퍼안착부에 상하구동 및 회전력을 주기위한 구동원을 구비한 반도체 제조장비의 에슁장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 웨이퍼안착부는 석영재질인 것이 특징인 반도체 제조장비의 에슁장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 진공라인의 두께는 3 mm 이하인 것이 특징인 반도체 제조장비의 에슁장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 스테이지와 상기 진공라인 사이의 간격은 1 mm 이상인 것이 특징인 반도체 제조장비의 에슁장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970058976A KR19990039034A (ko) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 반도체 제조장비의 에슁장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970058976A KR19990039034A (ko) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 반도체 제조장비의 에슁장치 |
Publications (1)
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| KR19990039034A true KR19990039034A (ko) | 1999-06-05 |
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ID=66087364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019970058976A KR19990039034A (ko) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 반도체 제조장비의 에슁장치 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR19990039034A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689697B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 평탄화 장치용 이송 로봇의 위치교정지그와 교정방법 |
-
1997
- 1997-11-10 KR KR1019970058976A patent/KR19990039034A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689697B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 평탄화 장치용 이송 로봇의 위치교정지그와 교정방법 |
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