KR19980020615A - Planarization method of thin film magnetic head - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상부 자성막의 단차 구배를 포토리소그래피법으로 보다 평탄하게 제조하는 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 평탄화 방법은, 하지막 상에 제1절연층, 코일, 제2절연층 및 자성막이 순차로 적층된 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 있어서, 상기 자성막 상에 감광성 수지를 도포하는 단계; 및 영역에 따라 통과하는 광량이 조절되는 그레이 톤 포토 마스크를 이용하여 상기 감광성 수지의 돌출부를 선택적으로 식각하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따르면, 컴퓨터 하드 디스크 드라이브용 헤드의 구조에 있어서 상부 자성막 제조시에 존재하는 약 10│Lm 이상의 하지막을 평탄화 공정을 거쳐 단차가 없도록 함으로써, 포토리소그래피 공정시 장애요인으로 나타나는 회절 효과, 근접 효과 등의 영향이 제거되어 기록용 트랙 폭을 결정하는 상부 자성막 선단부의 미세 패턴 폭을 1~5│Lm 정도로 형성할 수 있고, 평탄화 처리 2단계 전에 이미 하지막의 형상과 동일한 두께로 평탄화 처리를 할 수 있으므로, 감광성 수지의 두께를 최대한 줄일 수 있어 벌크 효과 등의 영향이 제거되어 패턴 형성시 유리한 점이 많으며, 두께가 얇은 영상 포토레지스트로 평탄화 2단계 처리를 할 수 있으므로 포토레지스트 패턴의 선명도(resolution)를 높일 수 있다.The present invention relates to a planarization method of a thin film magnetic head which makes the step gradient of the upper magnetic film more flat by the photolithography method. The planarization method of a thin film magnetic head according to the present invention is a planarization method of a thin film magnetic head in which a first insulating layer, a coil, a second insulating layer, and a magnetic film are sequentially stacked on a base film, wherein the photosensitive resin is formed on the magnetic film. Applying a; And selectively etching the protrusion of the photosensitive resin using a gray tone photo mask in which the amount of light passing through the region is controlled. According to the present invention, in the structure of a head for a computer hard disk drive, a diffraction effect exhibited as a obstacle in the photolithography process is achieved by eliminating a step between the underlying films present at the time of manufacturing the upper magnetic film or more by going through the planarization process, The fine pattern width of the upper magnetic film tip portion, which determines the recording track width, is eliminated by the effect of the proximity effect, so that the width of the fine pattern can be formed to about 1 to 5│Lm. Since the thickness of the photosensitive resin can be reduced as much as possible, the effects of the bulk effect are eliminated, and there are many advantages in forming the pattern, and since the thin film photoresist can be planarized in two steps, the sharpness of the photoresist pattern ( increase the resolution.
Description
본 발명은 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 관한 것으로, 상세하게는 상부 자성막의 단차 구배를 포토리소그래피법으로 보다 평탄하게 제조하는 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a planarization method of a thin film magnetic head, and more particularly, to a planarization method of a thin film magnetic head in which a step gradient of an upper magnetic film is more flatly manufactured by photolithography.
최근 컴퓨터용 하드 디스크 헤드 분야에서는 소자의 소형화, 비약적인 기록 밀도의 증가에 따라 TPI(tracks per inch)가 비약적으로 증가하며 협소한 트랙폭, 고 투자율/고 포화 자속 밀도의 상부 자성막 재질이 필요하게 되었다. 협 트랙폭을 실현시키기 위해서는 쓰기 헤드의 상부 자성막 팁 부분의 형상 제어가 포토리소그래피 관점에서 가장 심각한 문제로 대두된다.Recently, in the field of computer hard disk heads, tracks per inch (TPI) increase dramatically with the miniaturization of devices and the increase of the recording density, and the need for the upper magnetic film material of narrow track width, high permeability and high saturation magnetic flux density is required. It became. In order to realize the narrow track width, the shape control of the upper magnetic film tip portion of the writing head is the most serious problem in terms of photolithography.
현재 까지는 상부 자성막을 습식 공정인 전기 도금에 의해 주로 제작하고 있으나 상부 자성막으로 사용되던 NiFe 재질이 고 모멘트 물질인 FeN계 자성막으로 대치되고 있는 추세이다. 대부분의 고 모멘트 물질들은 전기 도금이 불가능하므로 현재 까지 주류를 이루어오던 습식 방법에 의한 상부 자성막 제조 공정이 건식 공정으로 대치되고 있다. 건식 공정인 이온 빔 에칭(IBE; ion beam etching)에 의해 상부 자성막을 제조할 때 헤드 구조상 하지막의 형상(topology; 약 10│Lm 이상) 때문에 1Gb/in2이상의 기록 밀도에 대응되는 1-2│Lm의 상부 자성막을 갖는 팁 형상을 종래의 포토리소그래피 기술로 정확히 제어하기는 어렵다.Up to now, the upper magnetic film is mainly manufactured by electroplating, which is a wet process, but the NiFe material used as the upper magnetic film is being replaced by a high moment FeN-based magnetic film. Since most high moment materials cannot be electroplated, the upper magnetic film manufacturing process, which has been mainstream until now, has been replaced by a dry process. When manufacturing the upper magnetic film by ion beam etching (IBE), which is a dry process, 1-2│ corresponding to a recording density of 1 Gb / in 2 or more due to the topology of the underlying film (about 10│Lm or more) due to the head structure. It is difficult to accurately control the tip shape with the upper magnetic film of Lm by conventional photolithography techniques.
하드 디스크 드라이브용 박막 헤드 제조 공정에 있어서, 상부 자성막 제조시에는 헤드 구조상 약 10│Lm 이상의 하지막 요철이 있으며, 따라서 포토리소그래피 공정을 진행하기 전에 평탄화를 이루이 못하면 미세 패턴 폭(1~5 │Lm)을 제어하기가 매우 어렵다. 구체적으로 예를 들면 접촉형 마스크 어라이너(contact type mask aligner)를 사용할 경우에는 마스크와 웨이퍼의 접촉으로 발생되는 회절 효과(diffraction effect), 근접 효과(proximity effect) 혹은 벌크 효과(bulk effect) 등으로 고 종횡비(high aspect ratio)의 패턴 제조가 거의 불가능하다.In the manufacturing process of a thin film head for a hard disk drive, when the upper magnetic film is manufactured, there are about 10│Lm or less underlayer unevenness due to the structure of the head. Therefore, if the planarization is not performed before the photolithography process, the fine pattern width (1 to 5 | Lm) is very difficult to control. Specifically, for example, in the case of using a contact type mask aligner, a diffraction effect, a proximity effect, or a bulk effect caused by the contact between the mask and the wafer is caused. High aspect ratio pattern manufacturing is nearly impossible.
종래의 박막 자기 헤드 평탄화 방법의 일 예에 따른 제조 공정 단계별 박막 자기 헤드의 단면도가 도 1 내지 도 3에 도시되어 있다. 여기에 도시된 바와 같은 평탄화 방법은 산화막 혹은 금속막 등으로 형성된 하지막(4) 상에 폴리머 계열의 절연층(3)을 형성하고, 그 위에 구리 코일(2)을 형성한 다음 다시 폴리머 계열의 절연층(1)을 코일(2)이 완전히 덮히도록 도포한다. 이 폴리머 절연층(1) 상에 상부 자성막(5) 또는 종자층(5)를 형성한다. 다음에 도 2에 도시된 바와 같이 포토레지스트 혹은 PMGI(poly methyl glutar imide) 등의 감광성 수지(6)로 1단계 평탄화 처리를 행한 다음, 도 3에 도시된 바와 같이 다시 감광성 수지(7)로 2단계 평탄화 처리를 행한다. 이와 같은 방식으로 박막 자기 헤드를 평탄화할 경우 감광성 수지(6,7)의 코팅 횟수에 따라서 t3의 단차는 줄어든다. 그러나 실제의 단차는 t1인데 코팅 후의 전체적인 박막 자기 헤드의 단차는 t4로 되므로 포토리소그래피 공정시 패턴을 제작하는 두께가 더 두꺼워진다. 따라서, 고선명도의 패턴을 형성할 수 없다.1 to 3 are cross-sectional views of a thin film magnetic head according to a manufacturing process according to an example of a conventional thin film magnetic head planarization method. In the planarization method as shown here, a polymer-based insulating layer 3 is formed on an underlayer 4 formed of an oxide film or a metal film, a copper coil 2 is formed thereon, and then a polymer-based insulating layer 3 is formed. The insulating layer 1 is applied so that the coil 2 is completely covered. The upper magnetic film 5 or the seed layer 5 is formed on this polymer insulating layer 1. Next, as shown in FIG. 2, one-step planarization treatment is performed with a photosensitive resin 6 such as a photoresist or poly methyl glutar imide (PMGI), and then back to the photosensitive resin 7 as shown in FIG. 3. A step planarization process is performed. When the thin film magnetic head is planarized in this manner, the step of t3 is reduced according to the number of coating of the photosensitive resins 6 and 7. However, the actual step is t1, and the overall step of the thin film magnetic head after coating is t4, so that the thickness for manufacturing the pattern in the photolithography process becomes thicker. Therefore, a pattern of high sharpness cannot be formed.
또한, 종래의 또 다른 박막 자기 헤드 평탄화 방법의 또 다른 예가 도 4 내지 도 7에 도시되어 있다(제2예). 여기서, 도 4는 앞서의 예에서와 같이, 하지막(4) 상에 폴리머 절연층(3)을 형성하고, 그 위에 구리 코일(2)를 형성한 다음, 폴리머 절연층(1)으로 구리 코일(2)이 완전히 덮히도록 코팅되고, 그 위에 상부 자성막(5) 또는 종자층(5)을 형성한 것을 도시한다. 도 5는 감광성 수지(6)로 1단계 평탄화 처리를 행한 경우를 나타낸다. 그런데 제2예에서는 앞서의 예와는 달리 1단계 평탄화 처리된 폴리머 절연층(6)의 돌출부를 도 6에 도시된 바와 같이 식각한 다음, 도 7에 도시된 바와 같이 폴리머 절연층(7)을 도포하여 2단계 평탄화 처리를 행함으로써 단차 t3 및 전체적인 단차 t4의 두께를 훨씬 더 줄일 수 있다.Further, another example of another conventional thin film magnetic head planarization method is shown in Figs. 4 to 7 (second example). Here, FIG. 4 forms a polymer insulating layer 3 on the underlayer 4, a copper coil 2 thereon, and then a copper coil with the polymer insulating layer 1, as in the above example. (2) is coated so as to be completely covered, and the upper magnetic film 5 or seed layer 5 is formed thereon. 5 shows a case where the one-step planarization treatment is performed with the photosensitive resin 6. However, in the second example, unlike the previous example, the protruding portion of the polymer insulating layer 6 which has been flattened in one step is etched as shown in FIG. 6, and then the polymer insulating layer 7 is removed as shown in FIG. 7. By applying a two-stage planarization treatment, the thickness of the step t3 and the overall step t4 can be further reduced.
이와 같이 제2예의 평탄화 방법으로 평탄화할 경우, 도 1 내지 3에 도시된 방법 보다 단차 t3 및 전체적인 단차 t4는 줄일 수 있으나 패턴 상의 요철 부분(t3)은 완전히 제거할 수 없다.As described above, when the planarization method of the second example is flattened, the step t3 and the overall step t4 can be reduced, but the uneven part t3 on the pattern cannot be completely removed than the method shown in FIGS. 1 to 3.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 포토리소그래피 공정시 상부 자성막 패턴 상의 요철부분을 제거할 수 있는 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 관한 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and relates to a planarization method of a thin film magnetic head capable of removing uneven portions on an upper magnetic film pattern during a photolithography process.
도 1 내지 도 3은 종래의 박막 자기 헤드 평탄화 방법에 따른 제조 공정 단계별 박막 자기 헤드의 단면도,1 to 3 are cross-sectional views of a thin film magnetic head according to a manufacturing process according to a conventional thin film magnetic head planarization method;
도 4 내지 도 7은 종래의 또 다른 박막 자기 헤드 평탄화 방법에 따른 제조 공정 단계별 박막 자기 헤드의 단면도,4 to 7 are cross-sectional views of a thin film magnetic head according to a manufacturing process according to another conventional thin film magnetic head planarization method;
도 8 내지 도 11은 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 평탄화 방법에 따른 제조 공정 단계별 박막 자기 헤드의 단면도,8 to 11 are cross-sectional views of a thin film magnetic head according to a manufacturing process according to a method of planarizing a thin film magnetic head according to the present invention;
도 12a 내지 도 12c는 도 1 내지 도 7에 도시된 종래의 박막 자기 헤드 평탄화 방법에 사용되는 포토 마스크의 특성을 설명하기 위한 단면도,12A to 12C are cross-sectional views illustrating characteristics of a photo mask used in the conventional thin film magnetic head planarization method shown in FIGS. 1 to 7;
그리고 도 13a 내지 도 13c는 도 8 내지 도 11에 도시된 본 발명의 박막 자기 헤드 평탄화 방법에 사용되는 포토 마스크의 특성을 설명하기 위한 단면도이다.13A to 13C are cross-sectional views illustrating characteristics of a photomask used in the thin film magnetic head planarization method of the present invention shown in FIGS. 8 to 11.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
1. 폴리머 절연층2. 구리 코일Polymer insulating layer 2. Copper coil
3. 폴리머 절연층4. 하지막Polymer insulating layer 4. Lower curtain
5. 상부 자성막 또는 종자층6.포토레지스트5. Upper magnetic film or seed layer 6. Photoresist
7. 포토레지스트8. 포토 마스크7. Photoresist 8. Photo mask
9. 그레이 톤 마스크10. 비노광부Gray tone mask 10. Non-exposure
11. 노광부11. Exposure section
t1: 박막 자기 헤드의 단차t2: 1단계 코팅후의 단차t1: step difference of thin film magnetic head t2: step level after one-step coating
t3: 2단계 코팅후의 단차t4: 평탄화 후 총 단차t3: step after two-stage coating t4: total step after planarization
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 평탄화 방법은, 하지막 상에 제1절연층, 코일, 제2절연층 및 자성막이 순차로 적층된 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 있어서, 상기 자성막 상에 감광성 수지를 도포하는 단계; 및 영역에 따라 통과하는 광량이 조절되는 그레이 톤 포토 마스크를 이용하여 상기 감광성 수지의 돌출부를 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the planarization method of a thin film magnetic head according to the present invention is a planarization method of a thin film magnetic head in which a first insulating layer, a coil, a second insulating layer and a magnetic film are sequentially stacked on a base film. Applying a photosensitive resin on the magnetic film; And selectively etching the protruding portion of the photosensitive resin by using a gray tone photo mask in which the amount of light passing through the region is adjusted.
본 발명에 있어서, 상기 감광성 수지의 돌출부를 선택적으로 식각하는 단계 다음에 감광성 수지를 도포하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the present invention, the step of selectively etching the protrusion of the photosensitive resin and then applying a photosensitive resin; preferably further comprises a.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 평탄화 방법을 설명한다.Hereinafter, a planarization method of a thin film magnetic head according to the present invention will be described with reference to the drawings.
본 발명에 따른 박막 자기 헤드에서는, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 자성막(5) 또는 종자층(5) 상부에 도포되는 감광성 수지(6)의 코팅 두께를 t1의 두께와 동일하게 코팅하고 1단계 코팅후 볼록부를 제거할 때, 도 13a 내지 13c에 도시된 바와 같이, 감광성 수지(6)의 식각에 의한 모양 변화가 3차원적으로 될 수 있는 그레이 톤(gray tone) 마스크(9)를 사용한 포토리소그래피 공정을 적용한 것이 특징이다.In the thin film magnetic head according to the present invention, as shown in FIGS. 8 to 11, the coating thickness of the photosensitive resin 6 applied on the magnetic film 5 or the seed layer 5 is equal to the thickness of t1. When coating and removing the convex portion after the one-stage coating, as shown in Figs. 13A to 13C, a gray tone mask 9 in which the shape change due to the etching of the photosensitive resin 6 can be three-dimensional. The photolithography process using) is applied.
즉, 도 12a 내지 12c도에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 사용되던 포토 마스크(8)의 톤은 흐림과 투명함의 두 가지로만 구분되며, 이러한 마스크를 사용할 경우 크롬 층으로 구성된 영역(빗금 영역)은 빛이 전혀 투과하지 못하므로 감광성 수지(6; 포토레지스트)가 전혀 감광되지 않는다. 따라서 감광성 수지(6)가 포지티브 포토레지스트(노광된 부분이 현상시 제거되는 포토레지스트)로 코팅되었다면 도 12C와 같은 패턴이 형성된다. 이와 같이, 종래의 포토 마스크(8)로는 식각되는 부위의 두께 조절이 어렵다.That is, as shown in Figs. 12A to 12C, the tones of the photomask 8 used in the prior art are classified into only two types of blur and transparency. ) Is not transmitted at all, so that the photosensitive resin 6 (photoresist) is not exposed at all. Therefore, if the photosensitive resin 6 is coated with a positive photoresist (photoresist in which the exposed portion is removed during development), a pattern as shown in Fig. 12C is formed. As described above, it is difficult to control the thickness of the portion to be etched with the conventional photo mask 8.
그러나, 도 13a 내지 도 13c에 도시된 바와 같이, 그레이 톤 마스크(9)를 사용하는 포토리소그래피 공정에 의하면, 감광성 수지의 식각되는 부위의 두께를 자유롭게 조절할 수 있다. 그레이 톤 마스크(9)는 톤의 밀도를 도 13b에 도시된 바와 같이, 2차원적으로 분포하도록하여, 통과하는 광량이 이 분포에 따라 변화하도록 제작된 것이다. 그레이 톤 마스크(9)는 크롬으로 구성된 매우 작은 크기의 입자의 밀도에 따라서 투과되는 광량이 제어될 수 있다. 따라서, 감광성 수지(6)가 포지티브 포토레지스트로 코팅되고 그레이 톤 마스크(9)의 톤의 밀도 분포가 선형적으로 분포된다면, 도 13C와 같은 패턴이 형성된다.However, as shown in Figs. 13A to 13C, according to the photolithography process using the gray tone mask 9, the thickness of the etched portion of the photosensitive resin can be freely adjusted. The gray tone mask 9 is manufactured so that the density of the tones is distributed two-dimensionally, as shown in Fig. 13B, so that the amount of light passing through changes according to this distribution. The gray tone mask 9 can control the amount of light transmitted according to the density of particles of very small size composed of chromium. Thus, if the photosensitive resin 6 is coated with a positive photoresist and the density distribution of the tones of the gray tone mask 9 is linearly distributed, a pattern as shown in Fig. 13C is formed.
이상과 같은 그레이 톤 마스크(9)를 이용한 식각 공정을, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 박막 자기 헤드의 평탄화 공정에 적용한 것이 본 발명의 기본 원리이다.The basic principle of the present invention is to apply the etching process using the gray tone mask 9 as described above to the planarization process of the thin film magnetic head, as shown in FIGS. 8 to 11.
통상의 2 가지 톤 마스크를 사용하여 평탄화 처리를 할 경우는 도 6에 도시된 바와 같이 요철 현상이 나타나게 된다. 이러한 원인은 도 12a 내지 12c에 잘 도시된 바와 같이, 돌출 정도에 따른 식각 두께의 조절이 불가능하기 때문이다. 그러나 자성막 상에 도포된 감광성 수지(6)의 돌출부를 그 돌출 정도에 따라 노광할 수 있는 그레이 톤 마스크를 사용하여 식각을(평탄화 처리를) 한다면, 도 10에 도시된 바와 같이, 박막 자기 헤드를 아주 평탄하게 만들 수 있다. 이러한 감광성 수지의 돌출 정도에 따른 식각 두께 조절을 통한 평탄화 공정을 도 8 내지 도11을 참조하여 설명하면 다음과 같다.When the planarization treatment is performed using two conventional tone masks, irregularities appear as shown in FIG. 6. This reason is because it is impossible to control the etching thickness according to the degree of protrusion, as shown in Figure 12a to 12c. However, if etching is performed (flattening treatment) using a gray tone mask capable of exposing the protrusions of the photosensitive resin 6 applied on the magnetic film according to the degree of protrusion thereof, as shown in FIG. 10, the thin film magnetic head Can be made very flat. The planarization process by adjusting the etching thickness according to the degree of protrusion of the photosensitive resin will be described with reference to FIGS. 8 to 11.
먼저, 도 8에 도시된 바와 같이, 하지막(4) 상에 제1폴리머 절연층(4), Cu 코일(2), 제2폴리머 절연층(1) 및 자성막(5)이 순차로 형성된 박막 자기 헤드 상에, 도 9에 도시된 바와 같이, 1차로 감광성 수지(6)를 도포한다.First, as shown in FIG. 8, the first polymer insulating layer 4, the Cu coil 2, the second polymer insulating layer 1, and the magnetic film 5 are sequentially formed on the base film 4. On the thin film magnetic head, as shown in Fig. 9, the photosensitive resin 6 is first applied.
다음에, 앞서 설명한 그레이 톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 수지(6)의 돌출부를 식각하여, 도 10에 도시된 바와 같이, 평탄화된 감광성 수지(6')를 형성한다. 이 때 그레이 톤 마스크의 톤 분포는 상기 감광성 수지(6) 돌출부의 돌출 정도에 따라 노광 정도가 조절될 수 있도록 제작된 것을 사용하는 것이 가장 바람직하다.Next, the protrusion of the photosensitive resin 6 is etched using the gray tone mask described above to form a flattened photosensitive resin 6 ', as shown in FIG. At this time, the tone distribution of the gray tone mask is most preferably used so that the exposure degree can be adjusted according to the degree of protrusion of the protrusion of the photosensitive resin (6).
다음에, 도 11에 도시된 바와 같이, 2차로 감광성 수지(7)를 도포하여, 상기 식각 공정에 의해 약간의 굴곡진 부분이 완전하게 평탄하게 되도록함으로써, 평탄화 공정을 완료한다. 이와 같이 함으로써, 박막 자기 헤드의 전체적인 두께 t4를 최대한 얇게 하는 동시에 가장 평탄화된 박막 자기 헤드를 얻을 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the photosensitive resin 7 is applied secondly, so that some curved portions are completely flattened by the etching process, thereby completing the flattening process. By doing this, the overall thickness t4 of the thin film magnetic head can be made as thin as possible, and at the same time, the most flat thin film magnetic head can be obtained.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 평탄화 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the planarization method of the thin film magnetic head according to the present invention has the following effects.
첫째 컴퓨터 하드 디스크 드라이브용 헤드의 구조에 있어서 상부 자성막 제조시에 존재하는 약 10│Lm 이상의 단차를 지닌 하지막을 평탄화 공정을 거쳐 단차가 없도록 함으로써 포토리소그래피 공정시 장애요인으로 나타나는 회절 효과, 근접 효과 등의 영향을 제거하여 기록용 트랙 폭을 결정하는 상부 자성막 선단부의 미세 패턴 폭을 1~5│Lm 정도로 형성하는 것이 가능하다.First, in the structure of the head for the computer hard disk drive, the diffraction effect and the proximity effect appear as obstacles in the photolithography process by eliminating the step by the planarization process of the underlying film having a step of about 10│Lm or more existing in manufacturing the upper magnetic film. It is possible to form a fine pattern width of about 1 to 5 | Lm in the upper magnetic film tip portion that determines the recording track width by removing the influence of the back and the like.
둘째, 평탄화 처리 2단계 이전에 이미 하지막의 형상과 동일한 두께로 평탄화 처리를 할 수 있으므로, 감광성 수지의 두께를 최대한 줄일 수 있어 벌크 효과 등의 영향을 제거함으로써 패턴 형성시 유리한 점이 많다.Second, since the planarization treatment may be performed to the same thickness as that of the base film before the second stage of the planarization treatment, the thickness of the photosensitive resin may be reduced as much as possible, thereby removing the effects of the bulk effect.
셋째, 두께가 얇은 영상 포토레지스트로 평탄화 2단계 처리를 할 수 있으므로 포토레지스트 패턴의 선명도(resolution)를 높일 수 있다.Third, since the planarization two-stage process may be performed with a thin image photoresist, the resolution of the photoresist pattern may be increased.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| WITB | Written withdrawal of application |