KR102881202B1 - 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법 - Google Patents

웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법

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KR102881202B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치에 관한 것이며, 상기 장치는: 가열 판, 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판, 및 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판을 포함하며, 가열 판은 위 아래로 이동하며, 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다.

Description

웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR WAFER OXIDE REMOVAL AND REFLOW TREATMENT}
본 발명은 웨이퍼 처리에 관한 것이며, 특히 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리에 관한 것이다.
웨이퍼 범핑은 내부 리드 접합을 위해 칩 접합 패드들 상에 두꺼운 금속 범프들을 만들기 위해 사용되는 프로세스이다. 범프들은 일반적으로 패드들 상에 솔더를 증착시키고 그 후 합금을 행하기 위해서 및 솔더 범프의 형태를 버섯-형에서 반구-형으로 변경하기 위해 리플로잉(본원에서 제1 리플로우로 지칭함)함으로써 만들어진다. 제1-리플로잉된 범프들을 가진 칩은 기판 상에서 솔더 습윤 가능 단자들의 풋프린트에 대응하기 위해 "플리핑(flip)"되며 그 후 솔더 이음부들을 형성하기 위해 제2 리플로우를 겪는다.
리플로우 및 솔더링은 솔더 이음부들을 만들기 위해 전자 구성요소들의 조립 시 중요한 프로세싱 단계들이다. 용어 "리플로우"는 예를 들어, 열 에너지와 같은 에너지 소스의 인가 시 기판 상에서 이전 도포된 솔더가 녹아 흐르게 하기 위한 프로세스를 나타낸다.
이음 표면들 상에서 용융된 솔더의 양호한 습윤을 보장하도록, 솔더 및 비금속(base metal) 상에 초기 표면 산화물들을 제거하기 위해 및 응고 전에 표면들을 깨끗한 상태에서 유지하기 위해 유기 플럭스들이 통상적으로 솔더 페이스트들에 함유된다.
전자(electron) 부착이 이 기술분야에 알려져 있다.
본 개시는 웨이퍼 범핑/리플로우를 위해, 특히 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위해 배치 무플럭스(batch fluxless) 프로세스를 제공하는 것을 목표로 한다. 본 개시는 또한 샘플 판의 고속 가열 및 냉각을 제공하는 것을 목표로 한다.
본 개시는 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치를 제공하며, 상기 장치는, 가열 판, 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판, 및 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판을 포함하며, 상기 가열 판은 위 아래로 이동하며, 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다.
본 개시는 또한 본 개시의 장치를 갖고 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 방법을 제공하며, 상기 방법은, 샘플 판 상에서 웨이퍼 샘플의 표면이 전자 부착에 의해 처리될 전자 부착 핀 판에 충분히 가까울 때까지 샘플 판을 접촉하고 들어올리기 위해 가열 판을 위로 이동시키는 것, 가열 판이 샘플 판과 접촉할 때 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플을 가열하는 것, 전자 부착에 의해 웨이퍼 샘플의 표면상에서 산화물을 제거하는 것, 및 샘플 판이 선반 위에 있고 가열 판으로부터 분리될 때까지 가열 판을 아래로 이동시키는 것을 포함한다.
장치 및 방법을 이용하여, 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리가 이를테면, 길이 및/또는 폭 및/또는 직경 12"까지의 웨이퍼에 대해, 단계별 프로세싱에 의해 수행될 수 있다. 리플로잉 후 가열 판으로부터 웨이퍼 샘플을 지지하는 샘플 판의 분리가 빠르고 제어된 샘플 냉각을 위해 이행된다.
도 1은 본 개시의 장치의 구조를 보여주는 도면이다; 및
도 2는 본 개시의 장치의 구조를 보여주는 또 다른 도면이다.
일 양상에서, 본 개시는 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치에 관한 것이며, 상기 장치는 가열 판, 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판, 및 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판을 포함하며, 가열 판은 위 아래로 이동하며, 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다.
일 양상에서, 가열 판은 또한 회전할 수 있도록 구성된다. 샘플 판을 지지하는 가열 판의 회전은 샘플 표면의 균일한 산화물 제거를 제공할 수 있다.
일 양상에서, 가열 판은 위 아래 이동 및/또는 회전을 위해 에어 실린더들 또는 나사 막대들에 의해 제어된다.
일 양상에서, 가열 판은 최대 50℃/분의 가열 속도로 500℃까지의 온도로 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있다.
일 양상에서, 장치는 샘플 판을 지지하기 위한 선반을 추가로 포함하며, 선반은 샘플 판과 가열 판 사이에 위치되고 가열 판이 샘플 판을 들어올리는 것을 허용하도록 구성된다.
일 양상에서, 선반은 전자 부착 핀 판으로부터 분리되어, 샘플 판이 선반 위에 있을 때, 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 전자 부착 핀 판의 핀 팁들 간의 갭이 10mm보다 크도록 한다.
일 양상에서, 샘플 판, 및 전자 부착 핀 판은 챔버에 포함된다.
일 양상에서, 전자 부착 핀 판은 산화물들을 금속으로 환원하고 수증기를 생성하도록 수소 음이온들을 생성하기 위해 수소 분자들과 충돌하는 전자들을 방출할 수 있다.
일 양상에서, 장치는 전자 부착 핀 판, 고 전압 전원 공급장치, 및 펄스 발생기를 포함한 전자 부착 키트를 포함한다.
일 양상에서, 장치는 가열 판 및 가열 제어 수단을 포함한 가열 서브시스템을 포함한다.
일 양상에서, 가열 판은 실리콘 질화물로 만들어진다.
일 양상에서, 장치는 N2, H2, 또는 그 혼합물의 가스 전달 수단을 포함한다.
일 양상에서, 장치는 H2 또는 O2 함량, 가스 유량, 챔버 압력, 온도, 또는 냉각 수 흐름을 모니터링하기 위한 모니터링 시스템을 포함한다.
일 양상에서, 장치는 챔버의 안쪽을 모니터링하기 위해 카메라 또는 비디오를 포함한다.
일 양상에서, 본 개시는 본 개시에 따른 장치를 갖고 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 샘플 판 상에서 웨이퍼 샘플의 표면이 전자 부착에 의해 처리될 전자 부착 핀 판에 충분히 가까울 때까지 샘플 판을 접촉하고 이를 들어올리기 위해 가열 판을 위로 이동시키는 것, 가열 판이 샘플 판과 접촉할 때 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플을 가열하는 것, 전자 부착에 의해 웨이퍼 샘플의 표면상에서의 산화물을 제거하는 것, 및 샘플 판이 선반 위에 있으며 가열 판으로부터 분리될 때까지 가열 판을 아래로 이동시키는 것을 포함한다.
가열 판이 아래로 이동함에 따라 샘플 판이 선반 위에 있을 때, 샘플 판은 가열 판으로부터 분리된다. 리플로잉 후 가열 판으로부터 웨이퍼 샘플을 지지하는 샘플 판의 분리는 빠르고 제어된 샘플 냉각을 위해 이행된다.
일 양상에서, 웨이퍼 샘플은 최대 50℃/분의 가열 속도로 500℃까지의 온도로 가열된다.
일 양상에서, 가열 판은 균일한 산화물 제거를 얻기 위해 회전된다. 가열 판이 샘플 판을 지지할 때, 샘플 판을 지지하는 가열 판의 회전은 샘플 표면의 균일한 산화물 제거를 제공할 수 있다.
일 양상에서, 샘플 판은 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 전자 부착 핀 판의 핀 팁들 간의 갭이 10mm 이하일 때까지 가열 판에 의해 들어올려진다.
일 양상에서, 가열 판, 샘플 판, 및 전자 부착 핀 판이 챔버에 포함되며, 챔버는 10ppm 이하의 산소 함량을 달성하기 위해 진공 하에 있거나 또는 N2를 포함하며, 그 후 N2/H2 혼합 가스로 스위칭된다.
일 양상에서, 장치는 전자 부착을 위해 양의 및 음의 전력 공급장치 및 펄스 발생기를 포함하고, 가열 판, 샘플 판, 및 전자 부차 핀 판이 챔버에 포함되며, 상기 방법은 다음의 단계들: 챔버를 정화하기 위해 N2 퍼징을 턴 온하는 단계, O2를 미리 결정된 값(예컨대, 20ppm) 아래로 유지하면서, 가열 판 및 샘플 판을 위로 이동시키는 단계, H2/N2 가스 혼합물을 가열하고 전달하는 것을 시작하는 단계, 가열 판의 회전을 턴 온하는 단계, 양의 및 음의 전력 공급장치를 가능화하는 단계, 펄스 발생기를 스위칭 온하는 단계, H2/N2 가스 혼합물을 스위칭 오프하는 단계 및 다시 N2 퍼징으로 스위칭하는 단계, 펄스 발생기를 스위칭 오프하는 단계, 회전을 턴 오프하는 단계, 리플로우 처리를 위해 미리 결정된 리플로우 온도(예컨대, 260℃)로 계속해서 가열하는 단계, 및 리플로우 처리의 완료 후, 가열 판을 샘플 판으로부터 멀리 아래로 이동시키는 단계를 포함한다.
전체 프로세스는 예열, 전자 부착 탈산(온도 소킹(soaking) 및 전자 부착 안정화를 포함함), 리플로우 및 냉각을 포함하여 1시간 내에 완료될 수 있으며, 저-비용 프로세스이다.
장치 또는 방법은 환경 친화적이며, 소-규모 배치 프로세스에 적용 가능하다. 장치 또는 방법은 R&D 센터들, 대학들, 연구소들 및 IC 패키징 회사들에서와 같은, R&D 목적들에 적합하다.
참조가 도 1에 대해 이루어진다. 도 1은 본 개시의 장치의 구조를 보여주는 도면이다. 장치는 가열 판(1), 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판(2), 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판(3), 및 샘플 판을 지지하기 위한 선반(4)을 포함한다. 가열 판(1)은 위 아래로 이동하며, 샘플 판(2)을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다. 가열 판(1)은 또한 회전할 수 있다. 가열 판(1)은 위 아래 이동 및/또는 회전을 위해 에어 실린더들 또는 나사 막대들에 의해 제어된다. 선반(4)은 샘플 판(2)과 가열 판(1) 사이에 위치되며 가열 판(1)이 샘플 판(2)을 들어올리는 것을 허용하도록 구성된다. 선반(4)은 전자 부착 핀 판(3)으로부터 분리되어, 샘플 판(2)이 선반 위에 있을 때, 샘플 판(2) 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 전자 부착 핀 판(3)의 핀 팁들 간의 갭이 10mm보다 크도록 한다. 전자 부착 핀 판(3)은 산화물들을 금속으로 환원하고 수증기를 생성하도록 수소 음이온들을 생성하기 위해 수소 분자들과 충돌하는 전자들을 방출할 수 있다.
도 2는 본 개시의 장치의 구조를 보여주는 또 다른 도면이다. 가열 판, 샘플 판, 및 전자 부착 핀 판이 챔버(5)에 포함된다.
장치는 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 방법에서 사용될 수 있다. 방법은 다음의 단계들: 샘플 판(2) 상에서의 웨이퍼 샘플의 표면이 전자 부착에 의해 처리될 전자 부착 핀 판(3)에 충분히 가까울 때까지 샘플 판(2)을 접촉하고 들어올리도록 가열 판(1)을 위로 이동시키는 단계 - 예를 들어, 샘플 판(2)은 샘플 판(2) 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 전자 부착 핀 판(3)의 핀 팁들 간의 갭이 10mm 이하일 때까지 가열 판(1)에 의해 들러올려진다 -; 가열 판(1)이 샘플 판(2)과 접촉할 때 샘플 판(2) 상에서의 웨이퍼 샘플을 가열하는 단계; 전자 부착에 의해 웨이퍼 샘플의 표면상에 있는 산화물을 제거하는 단계; 및 샘플 판(2)이 선반 위에 있으며 가열 판(1)으로부터 분리될 때까지 가열 판(1)을 아래로 이동시키는 단계를 포함한다. 가열 판(1)은 균일한 산화물 제거를 얻기 위해 회전될 수 있다.
방법은 구체적으로 다음의 단계들을 포함할 수 있다: 챔버를 정화하기 위해 N2 퍼징을 턴 온하는 단계; O2를 미리 결정된 값(예컨대, 20ppm) 아래로 유지하는 동안, 가열 판 및 샘플 판을 위로 이동시키는 단계; H2/N2 가스 혼합물을 가열하고 전달하는 것을 시작하는 단계; 가열 판의 회전을 턴 온하는 단계; 양의 및 음의 전력 공급장치를 가능화하는 단계; 펄스 발생기를 스위칭 온하는 단계; H2/N2 가스 혼합물을 스위칭 오프하며 다시 N2 퍼징으로 스위칭하는 단계; 펄스 발생기를 스위칭 오프하는 단계; 회전을 턴 오프하는 단계; 리플로우 처리를 위해 미리 결정된 리플로우 온도(예컨대, 260℃)로 계속해서 가열하는 단계; 리플로우 처리의 완료 후, 샘플 판으로부터 멀리 가열 판을 아래로 이동시키는 단계.
본 발명은 도면들에 의해 묘사된 바람직한 실시예들을 참조하여 설명되지만, 다양한 수정들이 본 발명의 사상 또는 범위 내에서 가능하다는 것이 이해된다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치로서,
    가열 판,
    상기 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판,
    상기 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판, 및
    상기 샘플 판을 지지하기 위한 선반으로서, 상기 선반은 상기 샘플 판과 상기 가열 판 사이에 위치되고 상기 가열 판이 상기 샘플 판을 들어올리는 것을 허용하도록 구성되는, 선반을 포함하며,
    상기 가열 판은 위 아래로 이동하며, 상기 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성되고,
    상기 샘플 판은, 상기 샘플 판 상에서의 상기 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 상기 전자 부착 핀 판의 핀 팁들 간의 갭이 10mm 이하일 때까지, 상기 가열 판에 의해 들어올려지도록 구성되는 것인, 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열 판은 또한 회전할 수 있도록 구성되는, 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가열 판은 위 아래 이동 및/또는 회전을 위해 에어 실린더들 또는 나사 막대들에 의해 제어되는, 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가열 판은 최대 50℃/분의 가열 속도로 500℃까지의 온도로 상기 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있는, 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 선반은 상기 전자 부착 핀 판으로부터 분리되어, 상기 샘플 판이 상기 선반 위에 있을 때, 상기 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 상기 전자 부착 핀 판의 핀 팁들 간의 갭이 10mm보다 크도록 하는, 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가열 판, 상기 샘플 판, 및 상기 전자 부착 핀 판은 챔버에 포함되는, 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전자 부착 핀 판은 산화물들을 금속으로 환원하고 수증기를 생성하도록 수소 음이온들을 생성하기 위해 수소 분자들과 충돌하는 전자들을 방출할 수 있는, 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 상기 전자 부착 핀 판, 고 전압 전원 공급장치, 및 펄스 발생기를 포함한 전자 부착 키트를 포함하는, 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 상기 가열 판 및 가열 제어 수단을 포함한 가열 서브시스템을 포함하는, 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 가열 판은 실리콘 질화물로 만들어지는, 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 N2, H2, 또는 그 혼합물의 가스 전달 수단을 포함하는, 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 장치는 H2 또는 O2 함량, 가스 유량, 챔버 압력, 온도, 또는 냉각 수 흐름을 모니터링하기 위한 모니터링 시스템을 포함하는, 장치.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 장치는 상기 챔버의 안쪽을 모니터링하기 위해 카메라 또는 비디오를 포함하는, 장치.
  15. 제1항에 따른 장치를 이용한 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 방법으로서,
    샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플의 표면이 전자 부착에 의해 처리될 전자 부착 핀 판에 충분히 가까울 때까지 상기 샘플 판을 접촉하고 들어올리도록 상기 가열 판을 위로 이동시키는 단계;
    상기 가열 판이 상기 샘플 판과 접촉할 때 상기 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플을 가열하는 단계;
    전자 부착에 의해 상기 웨이퍼 샘플의 표면상에서 산화물을 제거하는 단계; 및
    상기 샘플 판이 선반 위에 있으며 상기 가열 판으로부터 분리될 때까지 상기 가열 판을 아래로 이동시키는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 웨이퍼 샘플은 최대 50℃/분의 가열 속도로 500℃까지의 온도로 가열되는, 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 가열 판은 균일한 산화물 제거를 얻기 위해 회전되는, 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 샘플 판은 상기 샘플 판 상에서의 웨이퍼 샘플의 샘플 표면과 상기 전자 부착 핀 판의 핀 팁들 간의 갭이 10mm 이하일 때까지 상기 가열 판에 의해 들어올려지는, 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 가열 판, 상기 샘플 판, 및 상기 전자 부착 핀 판은 챔버에 포함되며, 상기 챔버는 10ppm 이하의 산소 함량을 달성하기 위해 진공 하에 있거나 N2를 포함하며, 그 후 N2/H2 혼합 가스로 스위칭되는, 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 장치는 상기 전자 부착을 위해 양의 및 음의 전력 공급장치 및 펄스 발생기를 포함하고, 상기 가열 판, 상기 샘플 판, 및 상기 전자 부착 핀 판은 챔버에 포함되며, 상기 방법은 다음의 단계들:
    상기 챔버를 정화하기 위해 N2 퍼징을 턴 온하는 단계;
    O2를 미리 결정된 값(예컨대, 20ppm) 아래로 유지하는 동안, 상기 가열 판 및 샘플 판을 위로 이동시키는 단계;
    H2/N2 가스 혼합물을 가열하고 전달하는 것을 시작하는 단계;
    상기 가열 판의 회전을 턴 온하는 단계;
    상기 양의 및 음의 전력 공급장치를 가능화하는 단계;
    상기 펄스 발생기를 스위칭 온하는 단계;
    H2/N2 가스 혼합물을 스위칭 오프하고 다시 N2 퍼징으로 스위칭하는 단계;
    상기 펄스 발생기를 스위칭 오프하는 단계;
    상기 회전을 턴 오프하는 단계;
    리플로우 처리를 위해 미리 결정된 리플로우 온도(예컨대, 260℃)로 계속해서 가열하는 단계;
    상기 리플로우 처리의 완료 후, 상기 샘플 판으로부터 멀어지도록 상기 가열 판을 아래로 이동시키는 단계를 포함하는, 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282461A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR100605334B1 (ko) * 2003-04-28 2006-07-31 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 웨이퍼 범핑 용도를 위한 전자 부착에 의한 표면 산화물의제거
JP2006310374A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体及びウェハ保持体を備えた露光装置
JP2007181879A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Air Products & Chemicals Inc 乾式フラックシング方法及び装置
JP2011054973A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Air Products & Chemicals Inc 電子付着によって表面酸化物を除去するための方法
JP2013187320A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Nippon Seisan Gijutsu Kenkyusho:Kk インライン型プラズマｃｖｄ装置及び方法
JP2020530197A (ja) * 2017-08-07 2020-10-15 ボストン プロセス テクノロジーズ，インコーポレイテッド フラックスフリーはんだボール実装機構

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3207506B2 (ja) * 1991-08-28 2001-09-10 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
SG70035A1 (en) 1996-11-13 2000-01-25 Applied Materials Inc Systems and methods for high temperature processing of semiconductor wafers
JP4669600B2 (ja) * 2000-08-18 2011-04-13 東レエンジニアリング株式会社 実装装置
JP2003318217A (ja) * 2001-06-20 2003-11-07 Toray Eng Co Ltd 実装方法および装置
US7079370B2 (en) 2003-04-28 2006-07-18 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation
JP2005026608A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 接合方法および接合装置
US7601271B2 (en) * 2005-11-28 2009-10-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Process and equipment for bonding by molecular adhesion
US9006975B2 (en) 2011-02-09 2015-04-14 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment
JP6011074B2 (ja) * 2012-01-20 2016-10-19 富士通株式会社 電子装置の製造方法及び電子装置の製造装置
KR101312592B1 (ko) 2012-04-10 2013-09-30 주식회사 유진테크 히터 승강형 기판 처리 장치
TWI669744B (zh) * 2013-05-13 2019-08-21 Ｍｒｓｉ系統公司 熱壓焊接系統、次系統及使用方法
KR101541392B1 (ko) 2014-01-06 2015-08-03 에이피티씨 주식회사 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법
US9808891B2 (en) 2014-01-16 2017-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool and method of reflow
JP6700130B2 (ja) * 2016-07-12 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 接合システム
CN110998813B (zh) * 2017-08-07 2023-12-01 柏锐科技有限公司 热壁无助焊剂焊球处理装置
CN111727494B (zh) * 2018-02-14 2023-09-08 库利克和索夫工业公司 包含还原气体的使用的将半导体元件焊接到基板的方法及相关焊接机
US11444053B2 (en) * 2020-02-25 2022-09-13 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and method
US11465225B1 (en) * 2021-08-31 2022-10-11 Yield Engineering Systems, Inc. Method of using processing oven

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282461A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR100605334B1 (ko) * 2003-04-28 2006-07-31 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 웨이퍼 범핑 용도를 위한 전자 부착에 의한 표면 산화물의제거
JP2006310374A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体及びウェハ保持体を備えた露光装置
JP2007181879A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Air Products & Chemicals Inc 乾式フラックシング方法及び装置
JP2011054973A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Air Products & Chemicals Inc 電子付着によって表面酸化物を除去するための方法
JP2013187320A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Nippon Seisan Gijutsu Kenkyusho:Kk インライン型プラズマｃｖｄ装置及び方法
JP2020530197A (ja) * 2017-08-07 2020-10-15 ボストン プロセス テクノロジーズ，インコーポレイテッド フラックスフリーはんだボール実装機構

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