KR102731089B1 - Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same - Google Patents
Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102731089B1 KR102731089B1 KR1020200011608A KR20200011608A KR102731089B1 KR 102731089 B1 KR102731089 B1 KR 102731089B1 KR 1020200011608 A KR1020200011608 A KR 1020200011608A KR 20200011608 A KR20200011608 A KR 20200011608A KR 102731089 B1 KR102731089 B1 KR 102731089B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- crucible
- thickness
- single crystal
- silicon single
- crystal ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 87
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 63
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
실시예는 내부의 투명층과 외부의 불투명층을 포함하고, 석영을 포함하는 제1 도가니; 및 상기 제1 도가니의 외부에 구비되고, 흑연을 포함하는 제2 도가니를 포함하는 도가니를 제공한다.The embodiment provides a crucible including a first crucible including an inner transparent layer and an outer opaque layer, the first crucible including quartz; and a second crucible provided on the outside of the first crucible and including graphite.
Description
실시예는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 용융액을 수용하는 도가니 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for growing a silicon single crystal ingot, and more specifically, to a crucible for containing a silicon melt and a device for growing a silicon single crystal ingot including the crucible.
통상적인 실리콘 웨이퍼는, 단결정(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장 공정과, 단결정을 절삭(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 절삭공정과, 상기 절삭으로 인하여 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하는 연삭(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼를 경면화하고 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함하여 이루어진다.A typical silicon wafer is made by a process including a single crystal growth process to create a single crystal (ingot), a cutting process to cut the single crystal (slicing) to obtain a thin, disc-shaped wafer, a grinding process to remove any mechanical damage remaining on the wafer due to the cutting process, a polishing process to harden the wafer, and a cleaning process to harden the polished wafer and remove any abrasive or foreign substances attached to the wafer.
상술한 공정 중 실리콘 단결정을 성장시키는 공정은, 고순도 실리콘 용융액을 장입한 성장로를 고온에서 가열하여 원료를 용용한 후, 초크랄스키법(Czochralski Method, 이하 'CZ'법이라 함) 등으로 성장시킬 수 있으며, 본 특허에서 다루고자 하는 방법은 종자결정이 실리콘 용융액 상부에 위치하여 단결정을 성장시키는 CZ법에 적용할 수 있다.Among the processes described above, the process of growing a silicon single crystal can be performed by heating a growth furnace charged with a high-purity silicon melt at a high temperature to melt the raw material, and then growing it using the Czochralski Method (hereinafter referred to as the 'CZ' method), etc. The method covered in this patent can be applied to the CZ method in which a seed crystal is positioned on top of the silicon melt to grow a single crystal.
CZ법은 고순도의 실리콘 단결정 잉곳을 좋은 수율로 제조하는 것이 필요하고, 실리콘 단결정 잉곳의 대구경화에 수반하여 단결정 인상작업이 장시간화하기 때문에, 석영으로 이루어진 고순도의 도가니를 사용하고 있다.The CZ method requires the production of high-purity silicon single crystal ingots with good yield, and because the single crystal pulling process takes a long time due to the large diameter of the silicon single crystal ingot, a high-purity crucible made of quartz is used.
그러나, 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 아래와 같은 문제점이 있다.However, conventional silicon single crystal ingot growth devices have the following problems.
도 1 및 도 2는 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이다.Figures 1 and 2 are drawings showing a conventional silicon single crystal ingot growth device.
석영으로 이루어진 도가니에 담겨진 실리콘 용융액(Si melt)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)이 성장될 때, 석영 도가니의 표면으로부터 산소가 용해(dissolution)되어 실리콘 용융액으로 공급될 수 있다.When a silicon single crystal ingot is grown from a silicon melt contained in a quartz crucible, oxygen can be dissolved from the surface of the quartz crucible and supplied to the silicon melt.
그리고, 실리콘 용융액은 도가니 내에서 대류(convection)를 하는데, 실리콘 용융액 내에 용해된 산소 중 대부분은 대기 중으로 증발(evaporation)되나 소량은 성장되는 실리콘 단결정 잉곳 내로 포함되어 Oi 등의 결함을 이룰 수 있다.Additionally, the silicon melt undergoes convection within the crucible, and most of the oxygen dissolved in the silicon melt evaporates into the atmosphere, but a small amount is incorporated into the growing silicon single crystal ingot, which can create defects such as Oi.
도 2에 도시된 바와 같이 도가니의 단면은 수직부와 바닥부 및 굴곡부로 나뉘며, 굴곡부가 수직부 및 바닥부에 비하여 두꺼우나 그 차이가 현저하지는 않다.As shown in Fig. 2, the cross-section of the crucible is divided into a vertical portion, a bottom portion, and a curved portion, and although the curved portion is thicker than the vertical portion and the bottom portion, the difference is not significant.
도 2에서 A 영역에서 산소의 실리콘 용융액으로의 용해가 발생하고, B 영역에서 산소의 챔버 내의 공기로의 증발이 발생하고, C 영역에서 산소의 실리콘 단결정 잉곳으로의 공급이 발생할 수 있다.In Fig. 2, dissolution of oxygen into the silicon melt can occur in area A, evaporation of oxygen into the air within the chamber can occur in area B, and supply of oxygen to the silicon single crystal ingot can occur in area C.
여기서, 성장되는 실리콘 단결정 잉곳에 포함되는 산소의 농도는 실리콘 단결정 잉곳의 품질에 크게 좌우되며, 특히 잉곳의 온도를 균일하게 조절할 필요가 있다.Here, the concentration of oxygen contained in the grown silicon single crystal ingot greatly affects the quality of the silicon single crystal ingot, and in particular, it is necessary to uniformly control the temperature of the ingot.
상술한 바와 같이 굴곡부의 두께가 상대적으로 두꺼우므로 단열 성능이 향상될 수는 있으나, 이로 인하여 도가니의 내표면의 온도가 상승하면 도가니의 특히 굴곡부로부터 용해되는 산소 용출양이 증가하고, 온도가 상승함에 따라 실리콘 용융액의 대류가 활성화되어 실리콘 단결정 잉곳의 길이별 면방향 산소 농도 편차가 커질 수 있다.As described above, since the thickness of the bend is relatively thick, the insulation performance may be improved, but as the temperature of the inner surface of the crucible increases, the amount of oxygen dissolved from the crucible, especially from the bend, increases, and as the temperature increases, convection of the silicon melt is activated, which may increase the deviation in the oxygen concentration in the plane direction by length of the silicon single crystal ingot.
실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실리콘 단결정 잉곳의 성장시에 공급되는 산소 농도의 균일도를 향상시키고자 한다.The present invention is intended to solve the above-described problem and to improve the uniformity of the oxygen concentration supplied during the growth of a silicon single crystal ingot.
실시예는 내부의 투명층과 외부의 불투명층을 포함하고, 석영을 포함하는 제1 도가니; 및 상기 제1 도가니의 외부에 구비되고, 흑연을 포함하는 제2 도가니를 포함하는 도가니를 제공한다.The embodiment provides a crucible including a first crucible including an inner transparent layer and an outer opaque layer, the first crucible including quartz; and a second crucible provided on the outside of the first crucible and including graphite.
불투명층은 에어 버블(air bubble)을 포함할 수 있다.The opaque layer may contain air bubbles.
제1 도가니의 종단면은, 바닥부와 수직부 및 상기 바닥부와 수직부 사이의 굴곡부를 포함할 수 있다.The cross-section of the first crucible may include a bottom portion, a vertical portion, and a curved portion between the bottom portion and the vertical portion.
바닥부와 굴곡부 및 수직부에서 상기 투명층의 두께는 상기 불투명층의 두께의 11 내지 12%일 수 있다.The thickness of the transparent layer at the bottom, the curved portion and the vertical portion may be 11 to 12% of the thickness of the opaque layer.
굴곡부의 두께는 상기 바닥부의 두께 및 상기 수직부의 두께보다 두꺼울 수 있다.The thickness of the bent portion may be thicker than the thickness of the bottom portion and the thickness of the vertical portion.
수직부의 두께는 상기 바닥부의 두께보다 두꺼울 수 있다.The thickness of the vertical portion may be thicker than the thickness of the bottom portion.
제1 도가니의 전영역에서 상기 투명층의 두께와 상기 불투명층의 두께의 비율은 일정할 수 있다.The ratio of the thickness of the transparent layer to the thickness of the opaque layer can be constant throughout the entire area of the first crucible.
제1 도가니의 두께는, 상기 수직부의 상단으로부터 상기 굴곡부 방향으로 증가할 수 있다.The thickness of the first crucible can increase from the top of the vertical portion toward the curved portion.
제1 도가니의 두께는, 상기 바닥부의 최저점으로부터 상기 굴곡부 방향으로 증가할 수 있다.The thickness of the first crucible can increase from the lowest point of the bottom portion toward the bending portion.
제1 도가니의 두께는 14.5 내지 17 밀리미터일 수 있다.The thickness of the first crucible can be 14.5 to 17 millimeters.
다른 실시예는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘 용융액이 수용되는 상술한 도가니; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 도가니의 둘레에 배치되는 가열부; 상기 챔버 내부의 상부에 고정되어 구비되고, 상기 도가니로부터 성장되어 인상되는 잉곳의 둘레에 배치되는 수냉관; 및 상기 도가니의 상부에 구비되는 열차폐체를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공한다.Another embodiment provides a silicon single crystal ingot growth device including a chamber; the above-described crucible provided inside the chamber and containing a silicon melt; a heating unit provided inside the chamber and arranged around the crucible; a water cooling tube fixedly provided at an upper portion inside the chamber and arranged around an ingot grown and raised from the crucible; and a heat shield provided at an upper portion of the crucible.
본 발명에 따른 도가니 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는, 제1 도가니의 굴곡부의 두께가 수직부 및 바닥부와 비교하여 크게 차이가 나지 않으므로, 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면이 굴곡부에 대응하는 높이일 때 석영으로 이루어진 제1 도가니로부터 실리콘 용융액으로 용해되어 공급되는 산소의 양도 고르게 분포하여, 이때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 영역에서의 산소 농도도 고르다.In the crucible according to the present invention and the device for growing a silicon single crystal ingot including the same, since the thickness of the curved portion of the first crucible does not differ significantly compared to the vertical portion and the bottom portion, when the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is at a height corresponding to the curved portion, the amount of oxygen dissolved and supplied from the first crucible made of quartz into the silicon melt is evenly distributed, so that the oxygen concentration in the region of the silicon single crystal ingot being grown at this time is also even.
도 1 및 도 2는 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 제1 도가니의 단면을 나타낸 도면이고,
도 5는 비교예에 따른 제1 도가니의 단면을 나타낸 도면이고,
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에서 실리콘 단결정 잉곳의 성장을 나타낸 도면이고,
도 7a는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 산소 농도 분포를 나타내고,
도 7b는 실리콘 단결정 잉곳의 길이별 면방향 산소 농도 분포를 나타낸다.Figures 1 and 2 are drawings showing a conventional silicon single crystal ingot growth device.
FIG. 3 is a drawing showing a silicon single crystal ingot growth device according to one embodiment of the present invention.
Figure 4 is a drawing showing a cross-section of the first crucible of Figure 3,
Figure 5 is a drawing showing a cross-section of the first crucible according to a comparative example.
FIGS. 6A to 6C are drawings showing the growth of a silicon single crystal ingot in a silicon single crystal ingot growth device according to one embodiment of the present invention.
Figure 7a shows the oxygen concentration distribution along the length of a silicon single crystal ingot.
Figure 7b shows the length-wise surface-oriented oxygen concentration distribution of a silicon single crystal ingot.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples to specifically explain the invention, and in order to help understanding the invention, the invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, the embodiments according to the present invention can be modified in various different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to a person having average knowledge in the art.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Additionally, relational terms such as “first,” “second,” “upper,” and “lower,” as used hereinafter, may be used only to distinguish one entity or element from another, without necessarily requiring or implying any physical or logical relationship or order between such entities or elements.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이다. 이하에서 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 설명한다.FIG. 3 is a drawing showing a growth device for a silicon single crystal ingot according to one embodiment of the present invention. Hereinafter, a growth device for a silicon single crystal ingot according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치(1000)는 내부에 실리콘 용융액(Si melt)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)이 성장하기 위한 공간이 형성되는 챔버(100)와, 상기 실리콘 용융액(Si melt)이 수용되기 위한 도가니(200, 250)와, 상기 도가니(200, 250)를 가열하기 위한 가열부(400)와, 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 향한 가열부(400)의 열을 차단하기 위하여 도가니(200)의 상부에 위치되는 열차폐체(600)와, 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)의 성장을 위한 시드(미도시)를 고정하기 위한 시드척(10)과, 도가니(250)를 회전시키고 상승시키는 지지대(300)을 포함하여 이루어진다.A silicon single crystal ingot growth device (1000) according to an embodiment comprises a chamber (100) in which a space for growing a silicon single crystal ingot from a silicon melt (Si melt) is formed inside, a crucible (200, 250) for containing the silicon melt (Si melt), a heating unit (400) for heating the crucible (200, 250), a heat shield (600) positioned on the upper portion of the crucible (200) for blocking the heat of the heating unit (400) toward the silicon single crystal ingot, a seed chuck (10) for fixing a seed (not shown) for growing the silicon single crystal ingot, and a support (300) for rotating and raising the crucible (250).
성장되는 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)은 시드척(10)에 의하여 인상될 수 있는데, 상승되는 고온의 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 냉각시키기 위하여 수냉관(500)이 배치될 수 있다.A growing silicon single crystal ingot can be raised by a seed chuck (10), and a water cooling tube (500) can be placed to cool the rising high temperature silicon single crystal ingot.
챔버(100)는 실리콘 용융액(Si melt)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 형성시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.The chamber (100) provides a space where certain processes for forming a silicon single crystal ingot from a silicon melt (Si melt) are performed.
도가니(200, 250)는 실리콘 용융액(Si melt)을 담을 수 있도록 챔버(100)의 내부에 구비될 수 있다. 도가니(200, 250)는, 상기 실리콘 용융액과 직접 접촉되는 제1 도가니(200)와, 제1 도가니(200)의 외면을 둘러싸면서 지지하는 제2 도가니(250)로 이루어질 수 있다. 제1 도가니(250)는 석영으로 이루어질 수 있고, 제2 도가니(250)는 흑연으로 이루어질 수 있다.A crucible (200, 250) may be provided inside the chamber (100) to contain a silicon melt (Si melt). The crucible (200, 250) may be composed of a first crucible (200) that is in direct contact with the silicon melt, and a second crucible (250) that surrounds and supports the outer surface of the first crucible (200). The first crucible (250) may be made of quartz, and the second crucible (250) may be made of graphite.
제2 도가니(250)는 제1 도가니(200)가 열에 의하여 팽창될 경우를 대비하여, 2개 또는 4개로 분할되어 구비될 수 있다. 예를 들어 제2 도가니(250)가 2개로 분할될 경우, 2개의 부분 사이에는 틈이 형성되어, 내부의 제1 도가니(200)가 팽창되어도 제2 도가니(250)가 손상되지 않을 수 있다.The second crucible (250) may be provided divided into two or four parts in case the first crucible (200) expands due to heat. For example, if the second crucible (250) is divided into two parts, a gap is formed between the two parts, so that even if the first crucible (200) inside expands, the second crucible (250) may not be damaged.
챔버(100) 내에는 가열부(400)의 열이 방출되지 못하도록 단열재를 구비할 수 있다. 본 실시예에서는 도가니(200, 250) 상부의 열차폐체(600)만이 도시되고 있으나, 도가니(200, 250)의 측면과 하부에 각각 단열재가 배치될 수도 있다.In the chamber (100), an insulating material may be provided to prevent heat from the heating unit (400) from being released. In this embodiment, only the heat shield (600) on the upper side of the crucible (200, 250) is shown, but an insulating material may be placed on the side and bottom of the crucible (200, 250).
가열부(400)는 도가니(200, 250) 내에 공급된 다결정의 실리콘을 녹여서 실리콘 용융액(Si melt)으로 만들 수 있는데, 가열부(400) 상부에 배치되는 전류 공급 로드(미도시)로부터 전류를 공급받을 수 있다.The heating unit (400) can melt polycrystalline silicon supplied into the crucible (200, 250) to create silicon melt (Si melt), and can receive current from a current supply load (not shown) placed on the upper portion of the heating unit (400).
도가니(200, 250)의 바닥면의 중앙에는 지지대(300)가 배치되어 도가니(200, 250)를 지지할 수 있다. 도가니(200, 250) 상부의 시드(미도시)로부터 실리콘 용융액(Si melt)이 일부 응고되어 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)이 성장된다.A support (300) is placed at the center of the bottom surface of the crucible (200, 250) to support the crucible (200, 250). Part of the silicon melt (Si melt) solidifies from a seed (not shown) on the top of the crucible (200, 250) to grow a silicon single crystal ingot.
도 4는 도 3의 제1 도가니의 단면을 나타낸 도면이다. 이하에서 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 도가니 중 제1 도가니의 구조를 설명한다.FIG. 4 is a drawing showing a cross-section of the first crucible of FIG. 3. Hereinafter, the structure of the first crucible among the crucibles according to the present invention will be described with reference to FIG. 4.
실시예에 따른 제1 도가니(200)는 내부의 투명층(210)과 외부의 불투명층(220)을 포함할 수 있다. 투명층(210)은 석영으로 이루어져서 투명하고, 불투명층(220)은 석영에 에어 버블(air bubble)이 포함되어 불투명할 수 있으며, 에어 버블은 단열 작용을 할 수 있다.The first crucible (200) according to the embodiment may include an inner transparent layer (210) and an outer opaque layer (220). The transparent layer (210) may be made of quartz and thus transparent, and the opaque layer (220) may be opaque as the quartz contains air bubbles, and the air bubbles may have an insulating effect.
도 4에 도시된 제1 도가니(200)의 종단면은 단면은, 바닥부와 수직부 및 상기 바닥부와 수직부 사이의 굴곡부를 포함할 수 있는데, 바닥부와 굴곡부 및 수직부는 일체로 형성되어 물리적으로 뚜렷하게 구분되지는 않는다.The cross-section of the first crucible (200) illustrated in Fig. 4 may include a bottom portion, a vertical portion, and a curved portion between the bottom portion and the vertical portion, but the bottom portion, the curved portion, and the vertical portion are formed integrally and are not physically distinct.
도 4에서 제1 두께(t1)와 제2 두께(t2)는 수직부에서의 제1 도가니(200)의 두께를 나타내고, 제3 두께(t3)는 굴곡부에서의 두께를 나타내고, 제4 두께(t4)와 제5 두께(t5)는 바닥부에서의 제1 도가니(200)의 두께를 나타낸다. 이때, 수직부와 굴곡부 및 바닥부 각각에서의 제1 도가니(200)의 두께는 일정하지 않고 점차 변할 수 있다.In Fig. 4, the first thickness (t1) and the second thickness (t2) represent the thickness of the first crucible (200) in the vertical portion, the third thickness (t3) represents the thickness in the curved portion, and the fourth thickness (t4) and the fifth thickness (t5) represent the thickness of the first crucible (200) in the bottom portion. At this time, the thickness of the first crucible (200) in each of the vertical portion, the curved portion, and the bottom portion is not constant and may gradually change.
예를 들면, 상기의 제1 두께 내지 제5 두께(t1~t5)의 비율은 각각 15 대 15.9 대 17.0 대 15.3 대 14.8일 수 있으며, 굴곡부의 제3 두께(t3)가 수직부의 제1,2 두께(t1, t2) 및 바닥부의 제4,5 두께(t4, t5)보다 두꺼울 수 있다.For example, the ratios of the first to fifth thicknesses (t1 to t5) above may be 15 to 15.9 to 17.0 to 15.3 to 14.8, respectively, and the third thickness (t3) of the bent portion may be thicker than the first and second thicknesses (t1, t2) of the vertical portion and the fourth and fifth thicknesses (t4, t5) of the bottom portion.
그리고, 수직부의 두께는 바닥부의 두께보다 클 수 있는데, 여기서 수직부의 두께와 바닥부의 두께는 각각 수직부와 바닥부의 평균 두께일 수 있다.And, the thickness of the vertical portion may be greater than the thickness of the bottom portion, wherein the thickness of the vertical portion and the thickness of the bottom portion may be the average thickness of the vertical portion and the bottom portion, respectively.
제1 도가니(200)의 두께는 수직부의 상단으로부터 굴곡부 방향으로 증가할 수 있고, 또한 제1 도가니(200)의 두께는 바닥부의 최저점으로부터 굴곡부 방향으로 증가할 수 있다.The thickness of the first crucible (200) can increase from the top of the vertical portion toward the curved portion, and also the thickness of the first crucible (200) can increase from the lowest point of the bottom portion toward the curved portion.
그리고, 제1 도가니(200)의 두께는 굴곡부의 제3 두께(t3)에서 최대일 수 있고, 바닥부에서 최저일 수 있는데, 바닥부에서 제1 도가니(200)의 두께는 상기 제3 두께(t3)가 17.0 일때 적어도 14.5일 수 있다.And, the thickness of the first crucible (200) can be maximum at the third thickness (t3) of the bent portion and minimum at the bottom portion, and the thickness of the first crucible (200) at the bottom portion can be at least 14.5 when the third thickness (t3) is 17.0.
본 실시예에서, 제1 도가니(200)의 전 영역에서, 즉 바닥부와 굴곡부 및 수직부에서 투명층의 두께와 불투명층의 두께의 비율은 일정할 수 있다. 예를 들면, 투명층의 두께는 불투명층의 두께의 11% 내지 12%일 수 있는데, 예를 들면 11.1%일 수 있다.In this embodiment, the ratio of the thickness of the transparent layer to the thickness of the opaque layer may be constant throughout the entire area of the first crucible (200), i.e., the bottom, the curved portion, and the vertical portion. For example, the thickness of the transparent layer may be 11% to 12% of the thickness of the opaque layer, for example, 11.1%.
도 5는 비교예에 따른 제1 도가니의 단면을 나타낸 도면이다. 비교예에 따른 제1 도가니의 외부에 제2 도가니가 구비될 수 있으나, 표현의 편의를 위하여 제2 도가니를 생략하고 도시하였다.Fig. 5 is a drawing showing a cross-section of a first crucible according to a comparative example. A second crucible may be provided outside the first crucible according to a comparative example, but for convenience of expression, the second crucible is omitted and illustrated.
도 5에서 제1 두께(t1)와 제2 두께(t2)는 수직부에서의 제1 도가니(200)의 두께를 나타내고, 제3 두께(t3)는 굴곡부에서의 두께를 나타내고, 제4 두께(t4)와 제5 두께(t5)는 바닥부에서의 제1 도가니(200)의 두께를 나타낸다. 이때, 수직부와 굴곡부 및 바닥부 각각에서의 제1 도가니(200)의 두께는 일정하지 않고 점차 변할 수 있다.In Fig. 5, the first thickness (t1) and the second thickness (t2) represent the thickness of the first crucible (200) in the vertical portion, the third thickness (t3) represents the thickness in the curved portion, and the fourth thickness (t4) and the fifth thickness (t5) represent the thickness of the first crucible (200) in the bottom portion. At this time, the thickness of the first crucible (200) in each of the vertical portion, the curved portion, and the bottom portion is not constant and may gradually change.
예를 들면, 상기의 제1 두께 내지 제5 두께(t1~t5)의 비율은 각각 15.0 대 19.0 대 25.1 대 16.3 대 14.0일 수 있다. 그리고, 수직부의 두께는 바닥부의 두께보다 클 수 있는데, 여기서 수직부의 두께와 바닥부의 두께는 각각 수직부와 바닥부의 평균 두께일 수 있다.For example, the ratios of the first to fifth thicknesses (t1 to t5) above may be 15.0 to 19.0 to 25.1 to 16.3 to 14.0, respectively. In addition, the thickness of the vertical portion may be greater than the thickness of the bottom portion, wherein the thickness of the vertical portion and the thickness of the bottom portion may be the average thickness of the vertical portion and the bottom portion, respectively.
종래의 제1 도가니(200)는 수직부와 굴곡부 및 바닥부에서의 두께 편차가 도 4의 본 발명의 일 실시예와 비교하여 상대적으로 클 수 있고, 특히 투명층(210)의 수직부와 굴곡부 및 바닥부에서의 두께 편차가 클 수 있다. 또한, 도 4의 본 발명의 일 실시예에서는, 제1 도가니(200)의 전 영역에서, 즉 바닥부와 굴곡부 및 수직부에서 투명층(210)의 두께와 불투명층(220)의 두께의 비율은 일정하였는데, 도 5의 비교예에 따른 제1 도가니(200)에서는 투명층(210)의 두께가 바닥부 및 수직부로부터 굴곡부 방향으로 급격하게 증가한다. 따라서, 도 5의 비교예에 따른 제1 도가니(200)의 경우, 도 4의 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 도가니(200)보다, 두께 편차가 크고, 특히 투명층(210)의 두께 편차가 크다.The conventional first crucible (200) may have a relatively large thickness deviation in the vertical portion, the curved portion, and the bottom portion compared to the embodiment of the present invention of FIG. 4, and in particular, the thickness deviation in the vertical portion, the curved portion, and the bottom portion of the transparent layer (210) may be large. In addition, in the embodiment of the present invention of FIG. 4, the ratio of the thickness of the transparent layer (210) to the thickness of the opaque layer (220) was constant throughout the entire area of the first crucible (200), that is, in the bottom portion, the curved portion, and the vertical portion, but in the first crucible (200) according to the comparative example of FIG. 5, the thickness of the transparent layer (210) rapidly increases from the bottom portion and the vertical portion toward the curved portion. Therefore, in the case of the first crucible (200) according to the comparative example of FIG. 5, the thickness deviation is larger than that of the first crucible (200) according to the embodiment of the present invention of FIG. 4, and in particular, the thickness deviation of the transparent layer (210) is larger.
도 5의 비교예에 따른 제1 도가니(200)에서 상술한 두께 편차는, 제1 도가니(200)의 특히 투명층(210)의 굴곡부로부터 실리콘 용융액으로 공급되는 산소의 증가를 유발할 수 있다.The thickness deviation described above in the first crucible (200) according to the comparative example of FIG. 5 may cause an increase in oxygen supplied to the silicon melt, particularly from the curved portion of the transparent layer (210) of the first crucible (200).
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에서 실리콘 단결정 잉곳의 성장을 나타낸 도면이다.FIGS. 6A to 6C are drawings showing the growth of a silicon single crystal ingot in a silicon single crystal ingot growth device according to one embodiment of the present invention.
도 6a에서 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면은 제1 도가니(200)의 수직부에 위치하고, 실리콘 단결정 잉곳의 바디의 길이가 제1 길이(L1)이다.In Fig. 6a, the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is located in the vertical portion of the first crucible (200), and the length of the body of the silicon single crystal ingot is the first length (L1).
도 6b에서 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면은 제1 도가니(200)의 굴곡부에 위치하고, 실리콘 단결정 잉곳의 바디의 길이가 제2 길이(L2)이다.In Fig. 6b, the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is located at the bend of the first crucible (200), and the length of the body of the silicon single crystal ingot is the second length (L2).
도 6c에서 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면은 제1 도가니(200)의 바닥부에 위치하고, 실리콘 단결정 잉곳의 바디의 길이가 제3 길이(L3)이며, 바디의 성장이 종료된 상태이다.In Fig. 6c, the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is located at the bottom of the first crucible (200), the length of the body of the silicon single crystal ingot is the third length (L3), and the growth of the body is complete.
도 6a 내지 도 6c에서, 상술한 바와 같이 수직부와 굴곡부 및 바닥부에서 제1 도가니(200)의 투명층의 두께 편차가 비교예에 비하여 적으므로, 석영으로 이루어진 제1 도가니(200)로부터 실리콘 용융액에 용해되어 공급되는 산소의 양이 비교적 일정할 수 있다.In FIGS. 6A to 6C, as described above, the thickness deviation of the transparent layer of the first crucible (200) in the vertical portion, the curved portion, and the bottom portion is smaller than in the comparative example, so that the amount of oxygen dissolved and supplied to the silicon melt from the first crucible (200) made of quartz can be relatively constant.
따라서, 성장된 실리콘 단결정 잉곳의 바디의 전 영역에서 산소 농도가 고르게 나타날 수 있다.Therefore, the oxygen concentration can be uniformly distributed throughout the entire body of the grown silicon single crystal ingot.
도 7a는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 산소 농도 분포를 나타내고, 도 7b는 실리콘 단결정 잉곳의 길이별 면방향 산소 농도 분포를 나타낸다. 가로축은 잉곳의 길이를 나타내고, 세로축은 산소 농도 Oi(ppma)를 나타낸다.Figure 7a shows the oxygen concentration distribution according to the length of a silicon single crystal ingot, and Figure 7b shows the plane-wise oxygen concentration distribution according to the length of a silicon single crystal ingot. The horizontal axis shows the length of the ingot, and the vertical axis shows the oxygen concentration Oi (ppma).
실시예에 따른 도가니를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에서 성장시킨 실리콘 단결정 잉곳이 Test 1, Test2이고, 비교예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에서 성장시킨 실리콘 단결정 잉곳이 Ref이다.Test 1 and Test 2 are silicon single crystal ingots grown in a silicon single crystal ingot growth device equipped with a crucible according to an embodiment, and Ref is silicon single crystal ingot grown in a silicon single crystal ingot growth device according to a comparative example.
도 7a에서 잉곳의 길이가 증가함에 따라 산소 농도의 편차가 크지 않으나, 화살표로 표시된 영역에서는 Ref의 산소 농도가 주변보다 비교적 급격히 증가하나, Test 1 및 Test 2에서는 그러하지 아니한 것을 알 수 있다.In Fig. 7a, it can be seen that the deviation in oxygen concentration is not large as the length of the ingot increases, but in the area indicated by the arrow, the oxygen concentration of Ref increases relatively rapidly compared to the surroundings, but this is not the case in Test 1 and Test 2.
그리고, 도 7b에서 잉곳의 길이가 증가함에 따라 면방향 산소농도의 편차가, 화살표로 표시된 영역에서는 Ref의 면방향 산소농도의 편차가 급격히 증가하나, Test 1 및 Test 2에서는 그러하지 아니한 것을 알 수 있다.And, as the length of the ingot increases in Fig. 7b, it can be seen that the deviation of the plane-wise oxygen concentration increases rapidly in the area indicated by the arrow in Ref, but this does not occur in Test 1 and Test 2.
도 7a와 도 7b에서 화살표로 표시된 영역은 실리콘 단결정 잉곳의 동일한 길이를 나타내며, 상술한 제1 도가니의 굴곡부에 해당하는 영역일 수 있다.The area indicated by the arrows in FIGS. 7a and 7b represents the same length of the silicon single crystal ingot and may be the area corresponding to the bend of the first crucible described above.
즉, 비교예(Ref)에서는 제1 도가니의 굴곡부의 두께가 수직부 및 바닥부와 비교하여 현저하게 두꺼워서, 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면이 굴곡부에 대응하는 높이일 때 석영으로 이루어진 제1 도가니로부터 실리콘 용융액으로 용해되어 공급되는 산소의 양이 증가하여, 이때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 영역, 즉 도 7a 및 도 7b의 화살표 영역에서의 산소 농도가 급격히 증가할 수 있다.That is, in the comparative example (Ref), the thickness of the curved portion of the first crucible is significantly thicker than that of the vertical portion and the bottom portion, so that when the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is at a height corresponding to the curved portion, the amount of oxygen dissolved and supplied from the first crucible made of quartz to the silicon melt increases, so that the oxygen concentration in the region of the silicon single crystal ingot being grown at this time, i.e., the region indicated by the arrows in FIGS. 7a and 7b, can rapidly increase.
그러나, 실시예(Test 1, Test 2)에서는 제1 도가니의 굴곡부의 두께가 수직부 및 바닥부와 비교하여 크게 차이가 나지 않으므로, 실리콘 용융액과 실리콘 단결정 잉곳의 계면이 굴곡부에 대응하는 높이일 때 석영으로 이루어진 제1 도가니로부터 실리콘 용융액으로 용해되어 공급되는 산소의 양도 고르게 분포하여, 이때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 영역, 즉 도 7a 및 도 7b의 화살표 영역에서의 산소 농도도 고른 것을 알 수 있다.However, in the examples (Test 1, Test 2), since the thickness of the bent portion of the first crucible is not significantly different from that of the vertical portion and the bottom portion, when the interface between the silicon melt and the silicon single crystal ingot is at a height corresponding to the bent portion, the amount of oxygen dissolved and supplied from the first crucible made of quartz to the silicon melt is evenly distributed, and it can be seen that the oxygen concentration in the area of the silicon single crystal ingot being grown at this time, that is, the area indicated by the arrows in FIGS. 7a and 7b, is also even.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.Although the embodiments have been described above by way of limited examples and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains can make various modifications and variations from this description.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims described below but also by equivalents of the claims.
10: 시드척 100: 챔버
200: 제1 도가니 210: 투명층
220: 불투명층 250: 도가니
300: 지지대 400: 가열부
500: 수냉관 600: 열차폐체
1000: 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치10: Seed Chuck 100: Chamber
200: First Crucible 210: Transparent Layer
220: Opaque layer 250: Crucible
300: Support 400: Heating part
500: Water cooling tube 600: Heat shield
1000: Silicon single crystal ingot growth device
Claims (11)
상기 제1 도가니의 외부에 구비되고, 흑연을 포함하는 제2 도가니를 포함하고,
상기 제1 도가니의 두께는 14.5 내지 17 밀리미터이고,
상기 제1 도가니의 종단면은, 바닥부와 수직부 및 상기 바닥부와 수직부 사이의 굴곡부를 포함하고,
상기 제1 도가니의 두께는 상기 수직부의 상단으로부터 상기 굴곡부 방향으로 증가하고 상기 바닥부의 최저점으로부터 상기 굴곡부 방향으로 증가하며, 상기 바닥부와 굴곡부 및 수직부에서 상기 투명층의 두께는 상기 불투명층의 두께의 11% 내지 12%인 도가니.A first crucible comprising an inner transparent layer and an outer opaque layer, and comprising quartz; and
A second crucible is provided outside the first crucible and includes graphite,
The thickness of the above first crucible is 14.5 to 17 millimeters,
The cross-section of the first crucible includes a bottom portion, a vertical portion, and a curved portion between the bottom portion and the vertical portion,
A crucible in which the thickness of the first crucible increases from the upper end of the vertical portion in the direction of the curved portion and increases from the lowest point of the bottom portion in the direction of the curved portion, and the thickness of the transparent layer in the bottom portion, the curved portion, and the vertical portion is 11% to 12% of the thickness of the opaque layer.
상기 불투명층은 에어 버블(air bubble)을 포함하는 도가니.In the first paragraph,
The above opaque layer is a crucible containing air bubbles.
상기 굴곡부의 두께는 상기 바닥부의 두께 및 상기 수직부의 두께보다 두꺼운 도가니.In the first paragraph,
A crucible in which the thickness of the above-mentioned bent portion is thicker than the thickness of the above-mentioned bottom portion and the thickness of the above-mentioned vertical portion.
상기 수직부의 두께는 상기 바닥부의 두께보다 두꺼운 도가니.In the first paragraph,
A crucible in which the thickness of the vertical portion is thicker than that of the bottom portion.
상기 제1 도가니의 전영역에서 상기 투명층의 두께와 상기 불투명층의 두께의 비율은 일정한 도가니.In the first paragraph,
A crucible in which the ratio of the thickness of the transparent layer to the thickness of the opaque layer is constant throughout the entire area of the first crucible.
상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘 용융액이 수용되는 제1 항 내지 제2항, 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 도가니;
상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 도가니의 둘레에 배치되는 가열부;
상기 챔버 내부의 상부에 고정되어 구비되고, 상기 도가니로부터 성장되어 인상되는 잉곳의 둘레에 배치되는 수냉관; 및
상기 도가니의 상부에 구비되는 열차폐체를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.chamber;
A crucible according to any one of claims 1 to 2 and claims 5 to 7, which is provided inside the chamber and contains a silicon melt;
A heating unit provided inside the chamber and arranged around the crucible;
A water cooling tube fixed to the upper part of the chamber and arranged around the ingot grown and raised from the crucible; and
A silicon single crystal ingot growth device including a heat shield provided on the upper part of the crucible.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200011608A KR102731089B1 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200011608A KR102731089B1 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210097966A KR20210097966A (en) | 2021-08-10 |
| KR102731089B1 true KR102731089B1 (en) | 2024-11-15 |
Family
ID=77316156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200011608A Active KR102731089B1 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102731089B1 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01148783A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Quartz crucible for pulling up single crystal |
| JP2933404B2 (en) * | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | Quartz glass crucible for pulling silicon single crystal and its manufacturing method |
| EP2484814A1 (en) * | 2003-05-01 | 2012-08-08 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same |
| KR101330418B1 (en) * | 2010-02-22 | 2013-11-15 | 주식회사 엘지실트론 | Method for Manufacturing Single Crystal Ingot, and Wafer manufactured by the same |
-
2020
- 2020-01-31 KR KR1020200011608A patent/KR102731089B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210097966A (en) | 2021-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101330408B1 (en) | Ingot Growth Apparatus and Ingot Manufacturing Method | |
| US10577718B2 (en) | Method for manufacturing silicon single crystal ingot, and silicon single crystal ingot manufactured by the method | |
| KR20160119480A (en) | Method for growing silicon single crystal ingot | |
| JPH11268987A (en) | Silicon single crystal and its production | |
| KR102731089B1 (en) | Crucible and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same | |
| JP2709310B2 (en) | Single crystal pulling device | |
| KR102731090B1 (en) | Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot | |
| US20150044467A1 (en) | Method of growing ingot and ingot | |
| KR19980070037A (en) | Optimization method of pulling rate of seed crystal during semiconductor ingot growth, semiconductor ingot growth method using the same, semiconductor ingot and semiconductor wafer and semiconductor device grown accordingly | |
| KR102160172B1 (en) | Method and apparatus for growing silicon single crytal ingot | |
| US11891718B2 (en) | Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot | |
| KR100606997B1 (en) | Silicon wafer and method for producing silicon single crystal | |
| KR101402840B1 (en) | Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot | |
| KR102355248B1 (en) | Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot | |
| JPH05294783A (en) | Silicon single crystal producing device | |
| JP2024528341A (en) | Device and method for manufacturing single crystal silicon rods | |
| KR100906281B1 (en) | Heat shield structure of silicon single crystal ingot growth device and silicon single crystal ingot growth device using the same | |
| KR20230044205A (en) | Quartz Glass Crucible | |
| KR100841996B1 (en) | Silicon Monocrystalline Ingot Manufacturing Equipment | |
| KR101506876B1 (en) | Apparatus for growing a silicon single crystal | |
| KR20250155903A (en) | Apparatus for growing silicon single crystal | |
| KR20230111038A (en) | External crucible accommodating silicon melt and apparatus for growing silicon single crystal ingot including the same | |
| KR102748192B1 (en) | Silicone single crystal ingot and method for manufacturing the same | |
| KR100784585B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor single crystal using asymmetric magnetic field | |
| KR101818250B1 (en) | Apparatus of ingot growing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200131 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20240208 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20241024 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20241112 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20241113 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |