KR102699542B1 - 반도체 제조 장비 - Google Patents

Abstract

외측에서 내측으로 감기는 코일 형태의 가열선; 상기 가열선 상에 위치하는 열 전달 판; 및 상기 열 전달 판을 덮는 하우징; 을 포함하되, 상기 가열선의 최외곽선은 상기 가열선의 다른 부분보다 밑에 위치하며, 상기 하우징은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판을 포함하는 반도체 제조 장비가 제공된다.

Description

반도체 제조 장비{Apparatus for semiconductor manufacturing}

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가열 효율을 최적화하고 수명을 증가시킬 수 있는 반도체 제조 장비에 관한 것이다.

반도체 제조는 다양한 공정을 통해 수행될 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조는 반도체 웨이퍼에 대한 증착 공정 등을 포함할 수 있다. 반도체 웨이퍼에 대한 증착 공정에서, 반도체 웨이퍼는 특정 온도로 유지될 필요가 있을 수 있다. 반도체 웨이퍼를 특정 온도로 유지하기 위하여, 반도체 웨이퍼를 가열할 수 있다. 반도체 웨이퍼를 가열하기 위해, 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판은 코일 형태의 가열선에 의해 가열될 수 있다. 가열선은 전류의 공급에 의해 온도가 높아질 수 있다. 가열선의 각 구간은 서로 다른 온도로 가열될 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 웨이퍼의 산포를 개선할 수 있는 반도체 제조 장비를 제공하는데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수명을 증가시킬 수 있는 반도체 제조 장비를 제공하는데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비는 외측에서 내측으로 감기는 코일 형태의 가열선; 상기 가열선 상에 위치하는 열 전달 판; 및 상기 열 전달 판을 덮는 하우징; 을 포함하되, 상기 가열선의 최외곽선은 상기 가열선의 다른 부분보다 밑에 위치하며, 상기 하우징은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판을 포함할 수 있다.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비는 외측에서 내측으로 감기는 코일 형태의 가열선; 상기 가열선 상에 위치하는 열 전달 판; 및 상기 열 전달 판을 덮는 하우징; 을 포함하되, 상기 하우징은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판을 포함하며, 상기 열 전달 판은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비는 외측에서 내측으로 감기는 코일 형태의 가열선; 상기 가열선 상에 위치하는 열 전달 판; 상기 열 전달 판을 덮는 하우징; 및 상기 열 전달 판 및 상기 가열선을 받치는 받침부; 를 포함하되, 상기 하우징은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판 및 상기 하우징에서 밑으로 연장되며 상기 받침부의 측면을 덮는 연장부를 포함할 수 있다.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 반도체 제조 장비에 따르면, 반도체 웨이퍼의 산포를 개선할 수 있다.

본 발명의 반도체 제조 장비에 따르면, 반도체 웨이퍼의 온도 조절이 용이할 수 있다.

본 발명의 반도체 제조 장비에 따르면, 가열 효율을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 반도체 제조 장비에 따르면, 반도체 제조 장비의 수명을 증가시킬 수 있다.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 A 영역을 확대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 B 영역을 확대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 B 영역을 확대한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 C 영역을 확대한 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비에 대한 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 사용 상태를 나타낸 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비를 나타낸 단면도이다.

이하에서, 도 1의 아래 방향을 제1 방향(D1), 오른쪽 방향을 제2 방향(D2), 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 실질적으로 수직하고 전방을 향하는 방향을 제3 방향(D3)이라 칭할 수 있다.

도 1을 참고하면, 반도체 제조 장비는 공정 챔버(H)의 내부에 위치할 수 있다. 반도체 제조 장비는 반도체 웨이퍼(W, 도 9 참고)를 가공할 수 있다. 실시 예들에서, 공정 챔버(H) 내부에서 반도체 웨이퍼에 대한 증착 공정, 식각 공정 및 열처리 공정 등이 진행될 수 있다. 공정 챔버(H)는 진공 펌프와 연결될 수 있다. 공정이 진행되는 동안, 공정 챔버(H)는 진공 상태로 유지될 수 있다. 증착 공정, 식각 공정 및 열처리 공정 등은 반도체 웨이퍼를 반도체 제조 장비 상에 배치한 상태에서 수행될 수 있다. 반도체 제조 장비는 가열선, 열 전달 판(1), 하우징(5), 연결전선, 받침부(7) 및 하단부(9)를 포함할 수 있다.

가열선은 외부에서 내부로 감기는 코일 형태를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 외부라는 표현은, 반도체 제조 장비 열전달판 부품 중심의 끝부분(외각) 쪽을 의미할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 내부라는 표현은, 반도체 제조 장비의 중심 열전달판 부품의 중심 측을 의미할 수 있다. 가열선은 도체를 포함할 수 있다. 가열선의 온도는 상승될 수 있다. 보다 구체적으로, 가열선은 전류가 흘러 발생하는 줄열(Joule heat)에 의해 온도가 올라갈 수 있다. 가열선은 열 전달 판(1) 및/또는 웨이퍼(W, 도 9 참고)를 가열할 수 있다. 가열선의 가열에 의해, 열 전달 판(1) 및/또는 웨이퍼의 온도는 상승될 수 있다. 가열선은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 가열선은 외측선(31) 및 내측선(33)을 포함할 수 있다. 외측선(31)은 내측선(33)보다 외측에 위치할 수 있다. 외측선(31)은 내측선(33)을 가운데 두고 외측에서 내측으로 감기는 코일 형태를 포함할 수 있다. 내측선(33)은 외측선(31)의 안쪽에서 내측으로 더 감기는 코일 형태를 포함할 수 있다. 외측선(31)과 내측선(33)은 서로 다른 온도로 가열될 수 있다. 외측선(31)과 내측선(33)은 평면적 관점에서 중첩되지 아니할 수 있다. 즉, 제2 방향(D2)과 제3 방향(D3)으로 정의되는 평면 상에서 외측선(31)과 내측선(33)은 중첩되지 아니할 수 있다.

열 전달 판(1)은 가열선 상에 위치할 수 있다. 열 전달 판(1)은 가열선에 의해 가열될 수 있다. 열 전달 판(1)의 온도가 상승하면, 열 전달 판(1)에서 웨이퍼(W, 도 9 참고)로 열이 전달될 수 있다. 열 전달 판(1)에 의해 가열선에서 공급되는 열은 고르게 분산되어 웨이퍼(W)로 전달될 수 있다. 열 전달 판(1)은 금속을 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 열 전달 판(1)은 구리(Cu), 탄소(Carbon) 및/또는 산화마그네슘(MaO)을 포함할 수 있다. 열 전달 판(1)은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 열 전달 판(1)은 외측판(11) 및 내측판(13)을 포함할 수 있다. 외측판(11)은 외측선(31) 상에 위치할 수 있다. 실시 예들에서, 외측판(11)은 가운데 내측판(13)이 위치하도록 구멍이 뚫린 원형 판일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 외측판(11)의 형태는 다양하게 변형될 수도 있다. 외측판(11)은 외측선(31)에 의해 가열될 수 있다. 외측판(11)의 온도는 상승될 수 있다. 내측판(13)은 내측선(33) 상에 위치할 수 있다. 내측판(13)은 외측판(11)으로 둘러 쌓인 원판일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 내측판(13)의 형태는 다양하게 변형될 수도 있다. 내측판(13)은 내측선(33)에 의해 가열될 수 있다. 내측판(13)의 온도는 상승될 수 있다. 실시 예들에서, 외측판(11)과 내측판(13)은 서로 다른 온도로 가열될 수 있다.

하우징(5)은 열 전달 판(1)을 덮을 수 있다. 하우징(5)은 스테인리스 강(Stainless Steel)을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 하우징(5)은 SUS316L을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다. 하우징(5)은 전체적으로 'ㄷ'자 형상을 포함할 수 있다. 'ㄷ'자 형상의 하우징(5)은 열 전달 판(1) 및 받침부(7)를 덮을 수 있다.

연결전선은 가열선에 연결될 수 있다. 연결전선은 도체를 포함할 수 있다. 연결전선을 통해 가열선에 전류가 공급될 수 있다. 연결전선은 단열재를 포함할 수 있다. 연결전선에 전류가 공급되어도, 외부로 열 전달이 일어나지 아니할 수 있다. 연결전선은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 연결전선은 외측 연결전선(21) 및 내측 연결전선(23)을 포함할 수 있다. 외측 연결전선(21)은 외측선(31)에 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 외측 연결전선(21)은 외측선(31)의 내측 단부에 연결될 수 있다. 외측 연결전선(21)은 외측선(31)에 전류를 공급할 수 있다. 외측 연결전선(21)의 일부는 받침부(7)의 내부를 통과할 수 있다. 외측 연결전선(21)의 연장 방향은, 중간공(G)을 중심으로 감기다가, 중간공(G)을 통해 밑으로 내려갈 수 있다. 내측 연결전선(23)은 내측선(33)에 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 내측 연결전선(23)은 내측선(33)의 내측 단부에 연결될 수 있다. 내측 연결전선(23)은 내측선(33)에 전류를 공급할 수 있다. 내측 연결전선(23)의 연장 방향은 중간공(G)을 통해 밑으로 내려갈 수 있다.

받침부(7)는 열 전달 판(1) 밑에 위치할 수 있다. 받침부(7)는 중간이 뚫린 형태일 수 있다. 받침부(7)는 중간에 중간공(G)을 제공할 수 있다. 받침부(7)는 스테인리스 강(Stainless Steel)을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 받침부(7)는 SUS316L을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다. 받침부(7)는 연결전선이 지나는 통로를 제공할 수 있다.

하단부(9)는 받침부(7)의 밑에 위치할 수 있다. 하단부(9)는 하우징(5)의 밑부분과 접촉할 수 있다.

이하에서, 도 1을 참고하여 설명한 것을 바탕으로, 도 2 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 실시 예들에 따른 반도제 제조 장비를 보다 상세히 서술하도록 한다.

도 2는 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 A 영역을 확대한 단면도이다.

도 2를 참고하면, 하우징(5)은 안착판(51) 및 연장부(53)를 포함할 수 있다. 안착판(51)은 열 전달 판(11, 13) 상에 위치할 수 있다. 안착판(51)에는 웨이퍼(W, 도 9 참고) 등이 안착될 수 있다. 안착판(51) 상에는 안착공간(5h)이 제공될 수 있다. 웨이퍼 등은 안착공간(5h)에 위치할 수 있다. 연장부(53)는 안착판(51)의 외곽에서 밑으로 연장될 수 있다. 연장부(53)에 대한 보다 상세한 내용은 도 6을 참고하여 후술하도록 한다.

외측선(31)은 각 부분마다 높이가 다를 수 있다. 외측선(31)은 외측으로 갈수록 밑으로 내려갈 수 있다. 실시 예들에서, 외측선(31)은 외측 일반선(311) 및 최외곽선(313)을 포함할 수 있다. 최외곽선(313)은 가장 바깥에 있는 부분을 의미할 수 있다. 최외곽선(313)은 외측 일반선(311)보다 밑에 위치할 수 있다 최외곽선(313)은 외측판(11)과 이격될 수 있다. 최외곽선(313)은 외측판(11)와 제3 거리(z)만큼 이격될 수 있다. 외측 일반선(311)은 외측판(11)에 접촉할 수 있다. 외측 일반선(311)은 외측판(11)과 면 접촉을 할 수 있다. 외측 일반선(311)은 외측판(11)과 곡면 접촉을 할 수 있다.

최외곽선(313)이 다른 부분보다 밑에 위치하므로, 안착판(51)에서 외측의 온도는 다른 부분보다 덜 가열될 수 있다.

도 3은 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 B 영역을 확대한 단면도이다.

도 3을 참고하면, 내측판(13)의 두께는 제2 거리(y)일 수 있다. 외측판(11)의 두께는 내측판(13)의 두께와 유사할 수 있다. 내측판(13) 및/또는 외측판(11)의 상면에서부터 측정한 안착판(51)의 두께는 제1 거리(x)일 수 있다. 제1 거리(x)는 제2 거리(y)보다 작을 수 있다. 제1 거리(x)와 제2 거리(y)의 비율은 열전도도 및 열저항을 계산하여 정해질 수 있다. 제1 거리(x)와 제2 거리(y)의 비율은 적절한 열전달 효율을 확보하도록 정해질 수 있다. 제1 거리(x)와 제2 거리(y)의 비율을 약 1:1 내지 약 4:1일 수 있다. 실시 예들에서, 제1 거리(x)와 제2 거리(y)의 비율은 3:1일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 거리(x)는 약 4.5mm일 수 있다. 제2 거리(y)는 약 1.5mm일 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 제조 장비에 의하면, 구리(Cu)를 포함하는 열 전달 판(1)과, 스테인리스 강을 포함하는 안착판(51)의 두께를 3:1로 조절하여, 열 전달 판(1)으로부터 안착판(51)을 통해 웨이퍼(W, 도 9 참고)로 전달되는 열의 전달 효율을 최적화할 수 있다.

도 4는 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 B 영역을 확대한 단면도이다.

도 4를 참고하면, 받침부(7)로부터 열 전달 판(11, 13)이 이격된 상태를 확인할 수 있다. 열 전달 판(11, 13)은 밑에서부터 위로 함입된 함입공간을 제공할 수 있다. 실시 예들에서, 함입공간은 복수 개가 제공될 수 있다. 내측판(13)은 제1 내측 함입공간(331h) 및 제2 내측 함입공간(333h)을 제공할 수 있다. 외측판(11)은 제1 외측 함입공간(315h')을 제공할 수 있다. 각 함입공간의 단면은 가열선의 단면의 일부와 실질적으로 동일 또는 유사한 형상을 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 각 함입공간은 실질적인 반원의 단면을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 함입공간의 형상은 다양하게 변할 수 있다. 각 함입공간에는 가열선이 들어갈 수 있다. 가열선은 열 전달 판(11, 13)과 면 접촉을 할 수 있다. 가열선과 열 전달 판(11, 13)의 접촉 면적은 증가할 수 있다.

받침부(7)는 연결전선 수용공(21h)을 더 제공할 수 있다. 연결전선 수용공(21h)에는 연결전선이 삽입될 수 있다. 받침부(7)는 상측에서 밑으로 함입된 함입공간을 제공할 수 있다. 받침부(7)의 함입공간은 열 전달 판(11, 13)의 함입공간과 연결될 수 있다. 받침부(7)의 함입공간과 열 전달 판(11, 13)의 함입공간 사이에 가열선이 들어갈 수 있다.

본 발명의 실시 예들에 따른 반도체 제조 장비에 따르면, 가열선과 열 전달 판(11, 13)의 접촉은 면 접촉일 수 있다. 가열선과 열 전달 판(11, 13)의 접촉 면적은 증가될 수 있다. 열 전달 판(11, 13)에서 가열선으로의 열 전달의 효율은 향상될 수 있다. 따라서 적은 에너지만으로 가열이 가능할 수 있고, 가열에 필요한 에너지는 절약될 수 있다.

도 5는 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비를 나타낸 평면도이다. 도 5에서 설명의 편의를 위하여 내측선 및 내측 연결전선의 도시는 생략되었다.

도 5를 참고하면, 외측선(31)은 최외곽선(313) 및 외측 일반선(311, 315)을 포함할 수 있다. 최외곽선(313)은 가장 외측을 감싸는 부분을 의미할 수 있다. 외측 일반선(311, 315)은 최외곽선(313)의 내측에 위치하는 부분을 의미할 수 있다. 외측 연결전선(21)은 외측 일반선(315)의 내측 단부에 연결될 수 있다. 외측 연결전선(21)은 외측 일반선(315)의 내측 단부에서부터 내측으로 감길 수 있다. 도 1을 참고하면, 외측 연결전선(21)은 중간공(G)을 향해 연장될 수 있다. 중간공(F)에서 외측 연결전선(21)은 밑으로 연장될 수 있다.

외측 연결전선(21)은 단열재를 포함할 수 있다. 외측 연결전선(21)은 주변의 다른 구성으로 열을 전달하지 아니할 수 있다. 따라서 외측 연결전선(21)과 내측선(33, 도 1 참고)이 평면적 관점에서 겹치는 경우에도, 외측 연결전선(21)에 의해 내측선(33)의 온도가 영향 받는 것을 방지할 수 있다. 내측선(33)의 온도는 정밀하게 제어될 수 있고, 내측선(33)의 온도 제어는 용이해질 수 있다. 웨이퍼(W, 도 9 참고)의 가열은 정확하게 수행될 수 있다. 웨이퍼(W)의 가공은 정밀하게 수행될 수 있다.

도 6은 본 발명의 도 1의 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 C 영역을 확대한 단면도이다.

도 6을 참고하면, 하우징의 연장부(53)는 받침부(7)의 측면을 덮을 수 있다. 연장부(53)는 플랜지부(533)를 더 포함할 수 있다. 플랜지부(533)는 하단부(9)의 측면을 덮을 수 있다. 플랜지부(533)와 하단부(9)의 접촉면은 위아래로 연장될 수 있다. 플랜지부(533)와 하단부(9)가 접촉하는 부분 중, 외부에 노출되는 부분(X)은 밑에 위치할 수 있다.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 하우징이 받침부(7) 및/또는 하단부(9)의 측면을 덮을 수 있다. 하우징과 받침부(7) 및/또는 하단부(9)의 접촉면은 밑에서 노출될 수 있다. 증착 공정, 식각 공정 및 열처리 공정 등을 수행할 때 각종 오염이 발생할 수 있다. 오염은 반도체 제조 장비의 수명을 단축시킬 수 있다. 따라서 오염을 제거하기 위해 화학약품처리가 필요할 수 있다. 화학약품은 반도체 제조 장치의 위쪽에서부터 접촉할 수 있다. 하우징과 받침부(7) 및/또는 하단부(9)의 접촉면이 밑에 위치하는 경우, 화학약품 등에 의해 접촉면의 접합이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 제조 장치의 수명은 늘어날 수 있다.

도 7 및 도 8은 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비에 대한 실험 결과를 나타낸 도면이다.

도 7은 반도체 제조 장비를 처음 사용하여 웨이퍼를 가열할 때의 웨이퍼 온도 분포를 나타낸 분포도이고, 도 8은 같은 반도체 제조 장비를 5회째 사용하여 웨이퍼를 가열할 때의 웨이퍼 온도 분포를 나타낸 분포도이다. 도 7과 도 8을 비교하면, 하나의 반도체 제조 장비를 5번 사용하여도, 처음 사용할 때와 비교적 동일한 결과가 나온 것을 확인할 수 있다. 따라서 반도체 제조 장비의 수명은 늘어날 수 있다. 하나의 반도체 제조 장비를 여러 번 사용하여도, 웨이퍼에 형성되는 박막의 두께는 비교적 정밀하게 제어될 수 있다.

도 9는 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 반도체 제조 장비의 사용 상태를 나타낸 단면도이다.

도 9를 참고하면, 안착판(51) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 위치할 수 있다. 외측 연결전선(21)을 통해 공급되는 전류에 의해, 외측선(31)이 제1 온도로 가열될 수 있다. 외측선(31)은 외측판(11)으로 열을 전달할 수 있다. 외측판(11)은 외측선(31)으로부터 공급받은 열을 분산시켜 안착판(51)의 외측으로 열을 전달할 수 있다. 따라서 안착판(51) 상의 웨이퍼(W)의 온도는 상승될 수 있다. 내측 연결전선(23)을 통해 공급되는 전류에 의해, 내측선(33)이 제2 온도로 가열될 수 있다. 제2 온도는 제1 온도와 상이할 수 있다. 내측선(33)은 내측판(13)으로 열을 전달할 수 있다. 내측판(13)은 내측선(33)으로부터 공급받은 열을 분산시켜 안착판(51)의 내측으로 열을 전달할 수 있다. 따라서 안착판(51) 상의 웨이퍼(W)의 온도는 상승될 수 있다.

외측선(31)의 최외곽선은 다른 부분보다 밑에 위치할 수 있다. 안착판(51)의 외곽에 대한 가열은 다른 부분보다 약하게 수행될 수 있다. 외곽 부분의 온도 제어는 용이해질 수 있다. 외측선(31)와 내측선(33)은 평면적 관점에서 중첩되지 아니할 수 있다. 또한 외측 연결전선(21)은 열 전달을 하지 아니할 수 있다. 따라서 내측선(33)에 의한 내측판(13)의 온도 제어는 용이해질 수 있다. 웨이퍼(W)의 전 영역에 대해 박막의 두께는 고르게 제어될 수 있다. 웨이퍼(W)의 가공 수율은 향상될 수 있다.

가열선과 열 전달 판(1)은 면 접촉을 할 수 있다. 가열선과 열 전달 판(1)의 접촉 면적은 증가될 수 있다. 가열선으로부터 열 전달 판(1)으로의 열 전달 효율은 향상될 수 있다. 따라서 가열에 필요한 에너지는 절약될 수 있다.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

H: 공정 챔버
1: 열 전달 판
11: 외측판
13: 내측판
21: 외측 연결전선
23: 내측 연결전선
3: 가열선
31: 외측선
33: 내측선
5: 하우징
51: 안착판
5h: 안착공간
53: 연장부
7: 받침부
9: 하단부

Claims (10)

1. 외측에서 내측으로 감기는 코일 형태의 가열선;
   상기 가열선 상에 위치하는 열 전달 판; 및
   상기 열 전달 판을 덮는 하우징; 을 포함하되,
   상기 가열선은 내측선 및 상기 내측선의 외측에 위치하는 외측선을 포함하고,
   상기 외측선은 외측 일반선 및 상기 외측 일반선의 바깥에 위치하는 최외곽선을 포함하며,
   상기 최외곽선은 상기 외측 일반선보다 밑에 위치하되,
   상기 열 전달 판은:
   상기 외측 일반선 상에 접촉되는 외측판; 및
   상기 내측선 상의 내측판; 을 포함하고,
   상기 하우징은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착판을 포함하되,
   상기 외측판은 상기 내측판으로부터 외측으로 이격 배치되어, 상기 외측판과 상기 내측판은 접촉하지 아니하고,
   상기 최외곽선은 상기 외측판으로부터 밑으로 이격 배치되어, 상기 최외곽선은 상기 외측판과 접촉하지 아니하는 반도체 제조 장비.
   
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 외측선의 내측 단부에서 상기 내측으로 연장되는 외측 연결전선을 더 포함하며,
   상기 외측선은 상기 내측선과 평면적 관점에서 중첩되지 아니하는 반도체 제조 장비.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 내측선의 내측 단부에서 밑으로 연장되는 내측 연결전선을 더 포함하는 반도체 제조 장비.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 열 전달 판은 밑에서 위로 함입되어 형성된 함입공간을 제공하며,
   상기 가열선은 상기 함입공간에 수용되는 반도체 제조 장비.
   
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제

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