KR102641900B1 - 은 증발 재료의 세척방법 - Google Patents

은 증발 재료의 세척방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102641900B1
KR102641900B1 KR1020217025323A KR20217025323A KR102641900B1 KR 102641900 B1 KR102641900 B1 KR 102641900B1 KR 1020217025323 A KR1020217025323 A KR 1020217025323A KR 20217025323 A KR20217025323 A KR 20217025323A KR 102641900 B1 KR102641900 B1 KR 102641900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation material
cleaning
silver evaporation
silver
washing
Prior art date
Application number
KR1020217025323A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210117290A (ko
Inventor
리준 야오
지에 판
이준 비안
슈에제 왕
얼롱 무
Original Assignee
콘풍 매테리얼스 인터네셔널 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 콘풍 매테리얼스 인터네셔널 컴퍼니 리미티드 filed Critical 콘풍 매테리얼스 인터네셔널 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20210117290A publication Critical patent/KR20210117290A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102641900B1 publication Critical patent/KR102641900B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • C23G5/032—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing oxygen-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28568—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising transition metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

본 출원에서는 은 증발 재료의 세척방법을 개시하였다. 본 출원의 은 증발 재료의 세척방법은 아래의 단계를 포함한다: 1) 과산화수소-암모니아수가 함유된 혼합액을 사용하여 세척될 은 증발 재료를 세척하는 단계; 2) IPA액을 사용하여 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 세척하는 단계; 3) 순수를 사용하여 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 세척하는 단계; 를 포함한다. 본 출원의 은 증발 재료의 세척방법은 은 증발 재료의 표면 품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 현재 은 증발 재료의 세척 방식으로 인한 은의 손실을 감소시킬 수 있다.

Description

은 증발 재료의 세척방법
본 출원은 세척 공정 기술분야에 관한 것이며, 특히 은 증발 재료의 세척방법에 관한 것이다.
물리적 기상증착기술(Physical Vapour Deposition, PVD로 약칭)은 진공 조건에서, 물리적 방법을 사용하여 재료 소스-고체 또는 액체 표면을 기체원자, 분자로 기화시키거나 일부분을 이온으로 이온화시키고, 저압 기체(또는 플라즈마) 과정을 거쳐 매트릭스 표면에 특정된 특수 기능을 구비하는 박막을 침적시키는 기술을 의미한다. 물리적 기상증착의 주요 방법은 진공증착, 스퍼터링, 아크 플라즈마 증착, 이온 플레이팅 및 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy) 등이 있다. 여기서, 진공 증착은 막 결합력이 강하고, 침적 속도가 빠르며, 막 두께가 균일하여 반도체 웨이퍼 배면 금속화 공정에 광범위하게 응용되고 있다.
인공지능, 5G 기술의 빠른 발전에 따라, 반도체 칩의 수요는 날로 증가하고 있다. 현재, 진공증착기술은 웨이퍼 배면 금속화 공정에 광범위하게 응용된다. 반도체 칩은 증발 재료의 순도, 표면 품질에 대한 요구가 아주 높은바, 그렇지 않을 경우, 한편, 진공증착과정에서 Peeling, 비산(Splashing) 등 결함이 발생할 수 있으며, 심지어 머신 테이블(machine table) 파손을 발생시킬 수 있으며; 다른 한편, 막의 성능이 불균일하게 되어, 나아가 칩의 폐기를 초래할 수 있다. 웨이퍼 배면 금속화는 일반적으로 Ti, Ni, Ag 3층의 금속막 증착을 필요로 하는바, 여기서, Ag는 최외층 금속막으로서, Ni층을 연결하는 기능을 구비할 뿐만 아니라, 우수한 도전 성능을 구비하는 것을 필요로 한다. 은 증발 재료는 제조 과정에서 표면에 불순물, 오물 등이 잔류하는 문제를 피할 수 없다. 따라서 웨이퍼 배면 금속화 공정에서 막의 품질을 확보할 필요가 있다.
현재 은 증발 재료의 세척 방식은 주로 빠른 회전 속도에서 증발 재료 사이의 상호 충돌 및 세제의 플러싱을 통해 표면 불순물 및 오물을 제거하는 원심 연마이다.
CN109420638A에서는 반도체 설비 부품을 세척하는 장치 및 세척방법을 개시하였는바, 해당 장치는 내부에 세척액이 배치되는 세척홈을 포함하며, 세척될 부품은 세척 홈 내의 세척액에 침지된다. 상기 세척액은 암모니아수, 또는 암모니아수와 과산화수소의 혼합용액이다. 해당 발명은 질소가 풍부한 환경인 청록색 에피택셜 공정 환경에 기반하여 대량의 암모니아 가스가 사용되는데, 약염기성인 암모니아수를 이용하여 스테인리스강 재질의 부품을 세척함으로써, 에피택셜 공정의 회복에 영향을 미치지 않는 동시에 부품에 대한 손상을 초래하지 않는다. 해당 발명은 암모니아수 및 과산화수소의 혼합 용액을 세제로 사용하지만, 구체적인 배합 비율을 언급하지 않았다. 또한, 상기 혼합 용액만 사용하여 세척하는 것을 은 증발 재료의 세척에 응용할 경우 세척은 철저하지 못하다.
CN108987273A에서는 은 증발 재료의 표면 처리방법을 개시하였으며, 해당 처리방법은 다음 단계를 포함한다: 은 증발 재료를 제공하고; 상기 은 증발 재료에 대해 원심 연마 작업을 진행하며; 상기 원심 연마 작업 후 상기 은 증발 재료에 대해 세척 작업을 진행하고; 상기 세척 작업 후, 상기 은 증발 재료에 대한 건조 처리를 진행한다. 해당 발명은 상기 은 증발 재료 표면의 산화층을 제거하도록 은 증발 재료에 대해 원심 연마 작업을 진행함으로써 표면 폴리싱의 효과에 도달시키는바, 산세척 작업을 이용하여 산화층을 제거하는 방안에 비해 해당 발명은 산세척 용액이 상기 은 증발 재료를 소모하는 문제를 방지할 수 있어, 상기 은 증발 재료의 표면 휘도 및 평활도를 향상시키고, 상기 은 증발 재료의 순도를 향상시키는 동시에, 상기 은 증발 재료의 소모량을 줄임으로써, 더 나아가 상기 은 증발 재료의 제조 단가를 줄인다. 하지만, 이러한 물리적 세척 방식은 대량의 은 증발 재료의 손실을 초래하기 때문에 증발 재료의 산업화 생산에 불리하게 된다.
본 발명의 목적은 은 증발 재료의 표면 품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 현재 은 증발 재료의 세척 방식으로 인한 은의 손실을 감소시킬 수 있는 은 증발 재료의 세척방법을 제공하는 것이다.
한편, 본 출원은 은 증발 재료의 세척방법을 제공하며, 상기 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 과산화수소-암모니아수가 함유된 혼합액을 사용하여 세척될 은 증발 재료를 세척하는 단계;
2) IPA액을 사용하여 단계 1)의 세척을 거친 은 증발 재료를 세척하는 단계; 및
3) 순수(pure water)를 사용하여 단계 2)의 세척을 거친 은 증발 재료를 세척하는 단계; 를 포함한다.
본 출원에서 IPA액은 액체인 이소프로필알코올을 의미한다.
본 출원의 은 증발 재료의 세척방법은, 먼저 과산화수소의 강한 산화 작용 및 암모니아수의 용해 작용을 이용하여 은 증발 재료 표면에 잔류된 불순물(예를 들면, Cr, Cu, Zn, Ni, Co, Ca, Fe, Mg) 또는 기름때를 수용성 화합물로 전환시키고, 다시 IPA(이소프로필알코올)액 및 순수로 수용성 화합물을 제거하는 것인바, 화학적 세척으로 은 증발 재료 표면에 잔류할 수 있는 불순물 또는 기름때를 신속하고 고효과적으로 제거하여, 은 증발 재료의 표면 품질을 개선함으로써, 최종적으로 은 증발 재료를 증착시 안정성 및 막의 성능을 향상시키며, 현재 은 증발 재료 세척 방식이 은을 손실시킬 수 있는 것을 감소시킬 수 있다.
암모니아수는 염기성이 약하기 때문에, 세척 효과를 증강시키기 위해 산화성이 비교적 강하고, 오염을 일으키지 않는 과산화수소를 첨가하되, 은 증발 재료 표면의 불순물, 기름때를 고효과적으로 철저히 제거하는 동시에 은 증발 재료가 손실되지 않도록 과산화수소-암모니아수 혼합액 중의 과산화수소 및 암모니아수의 부피비를 합리하게 제어해야 한다. 과산화수소-암모니아수 혼합액에 의한 세척을 거치면, 은 증발 재료 표면에 잔류된 불순물(예를 들면, Cr, Cu, Zn, Ni, Co, Ca, Fe, Mg) 또는 기름때가 수용성 화합물로 전환된다.
단계 1)에서, 상기 과산화수소-암모니아수 혼합액에서 과산화수소와 암모니아수의 부피비는 (1~3):(5~7)이며, 예를 들어 과산화수소와 암모니아수의 부피비는 1:5, 1:6, 1:7, 2:5, 2:6, 2:7, 3:5, 3:6, 3:7 등이다. 만약 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 너무 작을 경우, 즉 1:7보다 작으면, 은 증발 재료 표면에 잔류된 불순물은 철저히 제거될 수 없으며, 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 너무 클 경우, 즉 3:5보다 크게 되면, 은 증발 재료의 원 재료에 대해 일정한 손실을 가져오게 된다.
단계 1)에서, 상기 세척은 자동 회전 세척홈에서 진행된다.
일부 실시방안에서, 상기 은 증발 재료의 은의 순도는 ≥99.9%이다.
단계 1)에서, 상기 세척시간은 1~3min이며, 예를 들어 세척시간은 1min, 1.5min, 2min, 2.5min, 3min이다.
단계 2)에서, IPA액 세척을 후속 순수 세척과 배합하여, 단계 1)에서 세척한 후 전환된 수용성 화합물을 제거할 수 있음으로써 세척 효과를 추가로 향상시킬 수 있다.
단계 2)에서, 상기 IPA액 세척은 초음파 세척이며, 바람직하게는, 상기 초음파 세척시간은 10~15min이며, 예를 들어 초음파 세척시간은 10min, 11min, 12min, 13min, 14min이다. 초음파 세척에 IPA액을 배합하면 세척 효과를 효과적으로 향상시킬 수 있다.
단계 3)에서, 상기 순수(pure water) 세척시간은 5~10min이며, 예를 들어 순수 세척시간은 5min, 6min, 7min, 8min, 9min, 10min이다.
상기 세척시간은 엄격하게 제어되어야 하며, 세척 시간을 합리하게 제어함으로써 은 증발 재료 표면의 품질 문제를 빠르고 효과적으로 해결할 수 있으며, 고효과적인 불순물 제거를 보장하는 전제 하에 은 증발 재료의 손실을 줄일 수 있다.
상기 단계 3) 후, 단계 3)의 세척을 거친 은 증발 재료를 건조하는 단계 4)를 더 포함한다. 단계 4)에서, 상기 건조는 진공 건조이다.
단계 4)에서, 상기 진공 건조 온도는 60~80℃이며, 예를 들어 진공 건조 온도는 60℃, 65℃, 70℃, 75℃, 80℃이며; 상기 진공 건조 시간은 60~80min이며, 예를 들어 상기 진공 건조 시간은 60min, 65min, 70min, 75min, 80min이며; 상기 진공 건조의 진공도는 0.01MPa이하이다.
상기 단계 4)의 진공 건조 후, 은 증발 재료를 진공 포장하는 단계를 더 포함한다.
본 출원의 바람직한 방안으로서, 상기 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 (1~3):(5~7)인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 1~3min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 10~15min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 5~10min 동안 세척하는 단계; 및
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.01MPa 이하, 60~80℃에서 60~80min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
종래 기술에 비해 본 출원의 유익한 효과는 다음과 같다:
본 출원의 은 증발 재료의 세척방법은 은 증발 재료 표면에 잔류된 불순물 또는 기름때를 빠르고 고효과적으로 제거할 수 있음으로써, 은 증발 재료의 표면 품질을 향상시켰으며, 최종적으로, 증착시 은 증발 재료의 안정성 및 막의 성능을 향상시키고, 현재 은 증발 재료 세척 방식이 은에 대한 손실을 감소시켰다
도 1은 실시예 1의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 2는 실시예 2의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 3은 실시예 3의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 4는 실시예 4의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 5는 실시예 5의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 6은 실시예 6의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 7은 실시예 7의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 8은 비교예 1의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 9는 비교예 2의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 10은 비교예 3의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이며;
도 11은 비교예 4의 세척방법을 거쳐 세척된 은 증발 재료의 표면 품질 외관도이다.
아래에서, 구체적인 실시방안을 통해 본 출원의 기술발안에 대하여 구체적으로 설명한다.
구체적인 설명이 없을 경우, 본 출원의 각종 원료는 모두 시판에서 구입할 수 있거나, 본 분야의 상용적인 방법으로 제조하여 얻을 수 있다.
실시예 1
본 실시예의 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 1:7인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 2min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 12min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 6min 동안 세척하는 단계;
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.005MPa, 70℃에서 60min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
실시예 2
본 실시예의 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 1:5인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 2min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 12min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 6min 동안 세척하는 단계;
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.005MPa, 70℃에서 60min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
실시예 3
본 실시예의 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 2:7인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 2min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 12min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 6min 동안 세척하는 단계;
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.005MPa, 70℃에서 60min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
실시예 4
본 실시예의 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 3:5인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 2min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 12min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 6min 동안 세척하는 단계;
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.005MPa, 70℃에서 60min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
실시예 5
본 실시예의 은 증발 재료의 세척방법은 아래와 같은 단계를 포함한다:
1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 3:5인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 2min 동안 세척하는 단계;
2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 15min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 8min 동안 세척하는 단계;
4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.008MPa, 65℃에서 80min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함한다.
실시예 6
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 1:10인 것이고, 나머지는 모두 실시예 1과 동일하다.
실시예 7
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 1:1 인 것이고, 나머지는 모두 실시예 1과 동일하다.
비교예 1
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 IPA 세척, 순수 세척 및 진공 건조만 사용하였고 단계 1)의 과산화수소-암모니아수 혼합액 세척을 거치지 않은 것이며, 나머지는 실시예1과 동일하다.
비교예 2
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 단계 1)에서 과산화수소가 함유되지 않은 암모니아수로만 세척하는 것이고, 나머지는 모두 실시예 1과 동일하다.
비교예 3
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 단계 2)의 IPA액 세척이 없는 것이며, 나머지는 모두 실시예 1과 동일하다.
비교예 4
본 실시예와 실시예 1의 구별점은 단계 4)의 진공 건조가 없는 것이며, 나머지는 모두 실시예 1과 동일하다.
실시예 1-7의 세척방법으로 은 증발 재료를 세척하고, 세척한 후의 은 증발 재료의 표면 품질은 각각 도 1-7에 도시된 바와 같다.
비교예 1-4의 세척방법으로 은 증발 재료를 세척하고, 세척한 후의 은 증발 재료의 표면 품질은 각각 도 8-11에 도시된 바와 같다.
도 1-5로부터 볼 수 있다시피, 본 출원의 세척방법을 사용하여 세척한 은 증발 재료의 표면은 깨끗하고 불순물 또는 기름때가 없으며; 도 6, 7로부터 볼 수 있다시피, 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 너무 크거나 너무 작으면 은 증발 재료 표면의 기름때는 모두 깨끗이 제거될 수 없다.
도 8-11로부터 볼 수 있다시피, 비교예 1-4에는 본 출원의 세척방법 중의 임의의 한 단계가 결핍하기 때문에 모두 은 증발 재료 표면의 기름때 불순물을 효과적으로 철저히 제거할 수 없다.
본 출원은 상기 실시예를 통해 본 출원의 상세한 공정 설비 및 공정 순서를 설명하였지만, 본 출원은 상기 상세한 설비 및 공정 순서에 한정되는 것은 아닌바, 즉 본 출원은 반드시 상기 상세한 공정 설비 및 공정 순서에 의존하여만 실시될 수 있음을 의미하지 않는다. 본 분야의 통상의 기술자들이 반드시 이해하여야 할 것은, 본 출원에 대한 임의의 개선, 본 출원의 제품의 각 원료에 대한 등가 교체 및 보조 성분의 추가, 구체적인 방식에 대한 선택 등은 전부 본 출원의 보호 범위와 개시한 범위에 속하는 것이다.

Claims (12)

  1. 은 증발 재료의 세척방법에 있어서, 상기 세척방법은:
    1) 과산화수소-암모니아수가 함유된 혼합액을 사용하여 세척될 은 증발 재료를 세척하는 단계;
    2) IPA액을 사용하여 단계 1)의 세척을 거친 은 증발 재료를 세척하는 단계; 및
    3) 순수를 사용하여 단계 2)의 세척을 거친 은 증발 재료를 세척하는 단계; 를 포함하고,
    여기서, 단계 1)에서, 상기 과산화수소-암모니아수의 혼합액 중 과산화수소와 암모니아수의 부피비는 (1~3):(5~7)인 은 증발 재료의 세척방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    단계 1)에서, 상기 세척은 자동 회전 세척홈에서 진행되는 은 증발 재료의 세척방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 은 증발 재료의 은의 순도는 ≥99.9%인 은 증발 재료의 세척방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    단계 1)에서, 상기 세척 시간은 1~3min인 은 증발 재료의 세척방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    단계 2)에서, 상기 IPA액 세척은 초음파 세척이며, 상기 초음파 세척의 시간은 10~15min인 은 증발 재료의 세척방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    단계 3)에서, 상기 순수 세척의 시간은 5~10min인 은 증발 재료의 세척방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 단계 3) 후, 단계 3) 세척을 거친 은 증발 재료를 건조하는 단계 4)를 더 포함하는 은 증발 재료의 세척방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    단계 4)에서, 상기 건조는 진공 건조인 은 증발 재료의 세척방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 진공 건조의 온도는 60~80℃이며, 상기 진공 건조의 시간은 60~80min이며, 상기 진공 건조 진공도는 0.01MPa이하인 은 증발 재료의 세척방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 단계 4)의 진공 건조 후, 은 증발 재료를 진공 포장하는 단계를 더 포함하는 은 증발 재료의 세척방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 세척방법은:
    1) 세척될 은 증발 재료를 과산화수소와 암모니아수의 부피비가 (1~3):(5~7)인 과산화수소-암모니아수 혼합액이 함유된 자동 회전 세척홈에 넣고 1~3min 동안 세척하는 단계;
    2) 단계 1) 세척 후의 은 증발 재료를 IPA액 홈으로 전이시켜 10~15min 동안 초음파 세척을 진행시키는 단계;
    3) 단계 2) 세척 후의 은 증발 재료를 순수 홈에 전이시켜 5~10min 동안 세척하는 단계; 및
    4) 단계 3) 세척 후의 은 증발 재료를 진공 건조 오븐에 넣고, 진공도가 0.01MPa이하, 60~80℃에서 60~80min 동안 진공 건조시키고, 진공 포장하는 단계; 를 포함하는 은 증발 재료의 세척방법.
  12. 삭제
KR1020217025323A 2020-03-13 2021-03-12 은 증발 재료의 세척방법 KR102641900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010176551.9 2020-03-13
CN202010176551.9A CN111334809A (zh) 2020-03-13 2020-03-13 一种银蒸发料的清洗方法
PCT/CN2021/080547 WO2021180222A1 (zh) 2020-03-13 2021-03-12 一种银蒸发料的清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210117290A KR20210117290A (ko) 2021-09-28
KR102641900B1 true KR102641900B1 (ko) 2024-02-29

Family

ID=71180003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217025323A KR102641900B1 (ko) 2020-03-13 2021-03-12 은 증발 재료의 세척방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102641900B1 (ko)
CN (1) CN111334809A (ko)
WO (1) WO2021180222A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111334809A (zh) * 2020-03-13 2020-06-26 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种银蒸发料的清洗方法
CN116855957A (zh) * 2023-07-21 2023-10-10 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种银残靶循环再利用的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105021655A (zh) * 2015-07-03 2015-11-04 西安工业大学 ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法
CN107785257A (zh) 2016-08-24 2018-03-09 比亚迪股份有限公司 Igbt器件背面工艺方法及igbt器件
CN108987273A (zh) 2017-06-05 2018-12-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 银蒸发料的表面处理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0521500A1 (de) * 1991-07-05 1993-01-07 Hoechst Schering AgrEvo GmbH Salze von Pyridylsulfonylharnstoffen als Herbizide und Pflanzenwachstumsregulatoren, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
CN101217101A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种洗净陶瓷表面污点的方法
KR20150018213A (ko) * 2013-08-09 2015-02-23 피에스테크놀러지(주) 은 또는 마그네슘용 식각용액 조성물
CN104475390A (zh) * 2014-07-24 2015-04-01 如皋市易达电子有限责任公司 一种二极管芯片酸洗工艺及设备
CN104409324A (zh) * 2014-11-12 2015-03-11 吉林华微电子股份有限公司 能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法
CN106711261B (zh) * 2015-11-16 2018-05-29 上海空间电源研究所 一种空间用可伐/银金属层状复合材料及其制备方法
CN107393813A (zh) * 2017-09-08 2017-11-24 如皋市下原科技创业服务有限公司 一种二极管芯片的酸洗工艺
CN111334809A (zh) * 2020-03-13 2020-06-26 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种银蒸发料的清洗方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105021655A (zh) * 2015-07-03 2015-11-04 西安工业大学 ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法
CN107785257A (zh) 2016-08-24 2018-03-09 比亚迪股份有限公司 Igbt器件背面工艺方法及igbt器件
CN108987273A (zh) 2017-06-05 2018-12-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 银蒸发料的表面处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111334809A (zh) 2020-06-26
WO2021180222A1 (zh) 2021-09-16
KR20210117290A (ko) 2021-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102641900B1 (ko) 은 증발 재료의 세척방법
JP4638262B2 (ja) 化学的機械的平坦化後用のアルカリ性洗浄組成物
TWI605152B (zh) 用於鋁或鋁合金之表面處理的氧化鋁膜移除劑和方法
JP5762475B2 (ja) 基板の洗浄溶液
US20090133782A1 (en) Solution for processing of metal replacement with metal aluminum or aluminum alloy and method for surface processing using such solution
KR100992479B1 (ko) 세정액을 사용한 반도체 웨이퍼 세정 방법
CN113793801B (zh) 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法
KR20020094599A (ko) 반도체 소자의 구리 박막 증착 장비
US20160099158A1 (en) Method for removing metal oxide
CN111876787B (zh) 一种铜磷蒸发料的处理工艺
KR100654501B1 (ko) 웨이퍼의 연마방법, 세정방법 및 보호막
US6790734B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
CN114262940B (zh) 一种氧化镓晶片表面处理方法
JPH05267701A (ja) 酸化錫透明導電膜のパターニング方法
TW201521105A (zh) 矽晶圓之製造方法
CN113290427A (zh) 一种高纯镍蒸发料的处理方法
CN116809519A (zh) 一种高纯钛蒸发料的表面清洁方法
CN111489953A (zh) 一种半导体表面金属化的方法
KR19980051993A (ko) 폐실리콘 웨이퍼의 재사용 방법
CN104952721A (zh) 去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法
KR20010089238A (ko) 개선된 예비-게이트 세척을 포함하는 방법
CN106935486A (zh) 一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法
KR20110042446A (ko) 사파이어 웨이퍼의 표면세정 공정방법
Henry et al. Indium phosphide surface processing—an FTIR analysis
KR20210082861A (ko) 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right