KR102549181B1 - Apparatus for treating substrate and method of treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판이나 기판 처리 공정에 따라 기판에 안치되는 클램프링의 개수를 제어하여 기판의 굽힘 변형(warpage)을 효과적으로 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는: 기판을 지지하기 위한 지지척; 및 상기 지지척 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역 상에 하나 이상의 클램프링을 올려 상기 기판의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형을 방지하도록 구성되는 굽힘 변형 방지 장치;를 포함한다. 상기 굽힘 변형 방지 장치는 상기 기판의 둘레 영역 상에 놓여지는 클램프링의 개수를 조절하여 상기 기판에 인가되는 하중을 조절하도록 구성된다.Disclosed are a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively preventing warpage of a substrate by controlling the number of clamp rings placed on a substrate according to a substrate or substrate processing process. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support chuck for supporting a substrate; and a bending deformation preventing device configured to prevent bending deformation of the substrate by placing one or more clamp rings on the circumferential area of the substrate supported on the support chuck and applying a load to the circumferential area of the substrate. The bending deformation prevention device is configured to adjust the load applied to the substrate by adjusting the number of clamp rings placed on the circumference of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus for treating substrate and method of treating substrate}Substrate processing apparatus and substrate processing method {Apparatus for treating substrate and method of treating substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 굽힘 변형(warpage)을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing warpage of a substrate.

반도체 집적회로는 일반적으로 매우 작고 얇은 실리콘 칩이지만 다양한 전자 부품들로 구성되어 있으며, 하나의 반도체 칩이 나오기까지 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정, 패키지 공정 등을 포함한 다양한 제조 공정들을 거치게 된다. 웨이퍼(wafer)와 같은 반도체 기판 상에 다양한 물질들이 증착됨에 따라, 서로 다른 열팽창률 등의 요인으로 인해 반도체 기판에 굽힘 변형(warpage) 현상이 발생할 수 있다.A semiconductor integrated circuit is generally a very small and thin silicon chip, but is composed of various electronic components, and goes through various manufacturing processes including a photo process, an etching process, a deposition process, a packaging process, etc. until a single semiconductor chip is produced. As various materials are deposited on a semiconductor substrate such as a wafer, warpage may occur in the semiconductor substrate due to factors such as different coefficients of thermal expansion.

한편, 웨이퍼에 클램프 하중을 가하여 웨이퍼의 굽힘 변형을 방지할 수 있으나, 웨이퍼의 소재(예를 들어, 실리콘, 유리 등)에 따라 웨이퍼의 굽힘 변형 수준에 차이가 발생하며, 웨이퍼의 강도/강성, 취성 등에 물성 차이가 있기 때문에, 동일한 클램프 하중으로 다양한 소재의 웨이퍼에 대해 굽힘 변형을 방지하기 어려운 한계가 있다.On the other hand, although bending deformation of the wafer can be prevented by applying a clamp load to the wafer, a difference occurs in the bending deformation level of the wafer depending on the material of the wafer (eg, silicon, glass, etc.), and the strength / rigidity of the wafer, Since there is a difference in physical properties such as brittleness, there is a limit in preventing bending deformation for wafers of various materials with the same clamp load.

예를 들어, 강성이 큰 웨이퍼의 경우, 클램프 하중을 가하더라도 웨이퍼가 척에 완전히 밀착되지 않을 수 있다. 이와 같이 웨이퍼에 굽힘 변형이 발생한 상태에서 플라즈마 처리가 진행되면, 웨이퍼 하면에 국부 플라즈마가 발생하여 웨이퍼와 부품에 손상이 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해 보다 무거운 클램프를 사용할 경우, 유리와 같이 취성이 약한 소재의 기판을 처리하는 경우 기판이 깨지는 문제가 발생될 수 있다.For example, in the case of a highly rigid wafer, the wafer may not be completely adhered to the chuck even when a clamp load is applied. In this way, when the plasma treatment proceeds in a state where bending deformation occurs on the wafer, local plasma is generated on the lower surface of the wafer, which may cause damage to the wafer and components. In order to prevent this, when a heavier clamp is used, a problem in which the substrate is broken may occur when processing a substrate made of a weakly brittle material such as glass.

본 발명은 기판이나 기판 처리 공정에 따라 기판에 안치되는 클램프링의 개수를 제어하여 기판의 굽힘 변형(warpage)을 효과적으로 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively preventing warpage of a substrate by controlling the number of clamp rings placed on a substrate according to a substrate or a substrate processing process.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는: 상기 기판을 지지하기 위한 지지척; 및 상기 지지척 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역 상에 하나 이상의 클램프링을 올려 상기 기판의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형을 방지하도록 구성되는 굽힘 변형 방지 장치;를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support chuck for supporting the substrate; and a bending deformation preventing device configured to prevent bending deformation of the substrate by placing one or more clamp rings on the circumferential area of the substrate supported on the support chuck and applying a load to the circumferential area of the substrate.

상기 굽힘 변형 방지 장치는 상기 기판의 둘레 영역 상에 놓여지는 상기 클램프링의 개수를 조절하여 상기 기판의 둘레 영역에 인가되는 하중을 조절하도록 구성될 수 있다.The bending deformation prevention device may be configured to adjust the load applied to the circumference of the substrate by adjusting the number of clamp rings placed on the circumference of the substrate.

상기 굽힘 변형 방지 장치는: 상기 지지척의 주위를 따라 배치되고, 상하 방향으로 연장되는 복수개의 핀; 상기 복수개의 핀에 상하 방향을 따라 마련되어 상기 클램프링을 수평 방향으로 지지하도록 구성되는 복수개의 지지부재; 상기 복수개의 핀이 관통되는 관통공을 구비하고, 상기 기판의 둘레 영역을 가압하도록 링 형상으로 마련되며, 상기 복수개의 지지부재 상에 각각 지지되는 복수개의 클램프링; 상기 복수개의 핀을 승강 구동하는 승강 구동부; 및 상기 복수개의 핀의 승강 높이에 따라 상기 기판의 둘레 영역 상에 놓여지는 클램프링의 개수가 조절되도록, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 승강 구동시키는 제어부;를 포함할 수 있다.The bending deformation prevention device includes: a plurality of pins disposed along the circumference of the support chuck and extending in a vertical direction; a plurality of support members provided along the plurality of pins in a vertical direction and configured to support the clamp ring in a horizontal direction; a plurality of clamp rings each having a through hole through which the plurality of pins pass, provided in a ring shape to press a circumferential region of the substrate, and supported on the plurality of support members, respectively; a lifting driver for driving the plurality of pins up and down; and a control unit which controls the lifting driver to lift and drive the plurality of pins so that the number of clamp rings placed on the circumferential region of the substrate is adjusted according to the lifting height of the plurality of pins.

상기 복수개의 지지부재는: 상기 복수개의 핀의 제1 위치에 마련되는 복수개의 제1 지지부재; 및 상기 복수개의 핀의 상기 제1 위치 보다 높은 제2 위치에 마련되는 복수개의 제2 지지부재;를 포함할 수 있다.The plurality of support members may include: a plurality of first support members provided at first positions of the plurality of pins; and a plurality of second support members provided at a second position higher than the first position of the plurality of pins.

상기 복수개의 클램프링은: 상기 복수개의 제1 지지부재 상에 지지되고, 상기 복수개의 핀이 관통되는 제1 관통공들이 형성되는 제1 클램프링; 및 상기 복수개의 제2 지지부재 상에 지지되고, 상기 복수개의 핀이 관통되는 제2 관통공들이 형성되는 제2 클램프링;을 포함할 수 있다.The plurality of clamp rings may include: a first clamp ring supported on the plurality of first support members and having first through holes through which the plurality of pins pass; and a second clamp ring supported on the plurality of second support members and having second through holes through which the plurality of pins pass.

상기 제1 관통공들과 상기 제2 관통공들은 상이한 크기 또는 상이한 형상을 가질 수 있다.The first through holes and the second through holes may have different sizes or shapes.

상기 제1 관통공들은 상기 복수개의 제1 지지부재가 관통될 수 없는 형상을 가짐과 동시에, 상기 복수개의 제2 지지부재가 관통될 수 있는 형상을 가질 수 있다.The first through-holes may have a shape through which the plurality of second support members may penetrate while having a shape through which the plurality of first support members cannot penetrate.

상기 제2 관통공들은 상기 복수개의 제2 지지부재가 관통될 수 없는 형상을 가질 수 있다.The second through-holes may have a shape through which the plurality of second support members cannot penetrate.

상기 제어부는: 상기 기판의 소재 및 기판 처리 공정 중 적어도 하나에 따라 상기 복수개의 핀의 승강 높이를 결정하고; 그리고 결정된 상기 승강 높이에 따라 상기 복수개의 핀을 승강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수를 조절하도록 구성될 수 있다.The control unit: determines the lifting height of the plurality of pins according to at least one of the material of the substrate and the substrate processing process; The plurality of pins may be moved up and down according to the determined lifting height to adjust the number of clamp rings placed in the circumferential area of the substrate.

상기 제1 지지부재 및 상기 제2 지지부재는 각각 상기 핀의 둘레 부분에 돌출 형성될 수 있다. 상기 제1 관통공은 상기 핀이 관통되면서 상기 제1 지지부재가 관통되지 않으며, 동시에 상기 제2 지지부재가 관통될 수 있는 제1 직경을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제2 관통공은 상기 핀이 관통되면서 상기 제2 지지부재가 관통될 수 없도록 상기 제1 직경보다 작은 제2 직경을 가지도록 형성될 수 있다.The first support member and the second support member may each protrude from a peripheral portion of the pin. The first through hole may be formed to have a first diameter through which the pin does not pass through the first support member and at the same time allows the second support member to pass through. The second through hole may be formed to have a second diameter smaller than the first diameter so that the second support member cannot penetrate while the pin passes through.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는: 상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 하강함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 증가하고, 상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 상승함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 감소할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, as the plurality of pins are lowered by the control unit and the lifting driver, the number of clamp rings placed in the circumferential area of the substrate increases, and the control unit and the lifting driver increase. As the plurality of pins rise, the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate may decrease.

상기 제1 지지부재는 상협하광(上狹下廣)의 절두 원추 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 지지부재의 하부 직경은 상기 제1 관통공의 직경보다 크고, 상기 제1 지지부재의 상부 직경은 상기 제1 관통공의 직경과 동일하거나 상기 제1 관통공의 직경보다 작을 수 있다.The first support member may be provided in the shape of a truncated cone with an upper and lower beam. A lower diameter of the first support member may be greater than a diameter of the first through hole, and an upper diameter of the first support member may be equal to or smaller than the diameter of the first through hole.

상기 제1 클램프링과 상기 제2 클램프링은 상하 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 승강 구동부는 상기 제1 클램프링과 상기 제2 클램프링 간의 이격 거리 이상 상기 복수개의 핀을 승강 구동하도록 구성될 수 있다.The first clamp ring and the second clamp ring may be spaced apart from each other in a vertical direction. The lifting driver may be configured to lift and drive the plurality of pins by a distance greater than or equal to a separation distance between the first clamp ring and the second clamp ring.

상기 제어부는: 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제1 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링이 안치되도록 하는 제1 모드와, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제2 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링 및 상기 제2 클램프링이 안치되도록 하는 제2 모드 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판에 인가되는 클램프 하중을 조절하도록 구성될 수 있다.The control unit includes: a first mode in which the plurality of pins are lowered by a first height by controlling the lifting driving unit so that the first clamp ring is placed in the circumferential region of the substrate; and controlling the lifting driving unit to lower the plurality of pins. It is configured to adjust the clamp load applied to the substrate by selecting one of a second mode in which the pin is lowered by a second height so that the first clamp ring and the second clamp ring are seated in the circumferential region of the substrate. can

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 굽힘 변형 방지 장치에 의해, 지지척 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역 상에 하나 이상의 클램프링을 올려 상기 기판의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형을 방지하는 단계;를 포함한다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, a load is applied to the circumference of the substrate by placing one or more clamp rings on the circumference of the substrate supported on a support chuck by a bending deformation prevention device, Preventing bending deformation; includes.

상기 굽힘 변형을 방지하는 단계는: 제어부에 의해, 상기 기판의 소재 및 기판 처리 공정 중 적어도 하나에 따라, 지지척의 주위를 따라 배치되고 상하 방향으로 연장되는 복수개의 핀의 승강 높이를 결정하는 단계; 및 승강 구동부에 의해, 상기 승강 높이에 따라 상기 복수개의 핀을 승강 구동하여 상기 복수개의 핀에 상하 방향을 따라 마련되는 복수개의 지지부재 상에 지지되는 복수개의 클램프링을 승강시킴으로써 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수를 조절하는 단계;를 포함할 수 있다.The step of preventing the bending deformation may include: determining, by a control unit, elevation heights of a plurality of pins disposed along the circumference of the support chuck and extending in the vertical direction according to at least one of a material of the substrate and a substrate processing process; and a circumferential area of the substrate by lifting and moving a plurality of clamp rings supported on a plurality of support members provided on the plurality of pins along a vertical direction by driving the plurality of pins up and down according to the lifting height by a lifting driving unit. Adjusting the number of clamp rings placed on; may include.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은: 상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 하강함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 증가하고, 상기 제어부 및 상기 승강구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 상승함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 감소할 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, as the plurality of pins are lowered by the controller and the lift drive unit, the number of clamp rings placed in the circumferential area of the substrate increases, and the control unit and the lift drive unit increase. As the plurality of pins rise, the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate may decrease.

상기 굽힘 변형을 방지하는 단계는: 상기 제어부에 의해, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제1 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링이 안치되도록 하는 제1 모드와, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제2 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링 및 상기 제2 클램프링이 안치되도록 하는 제2 모드 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판에 인가되는 클램프 하중을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The step of preventing the bending deformation includes: a first mode in which the control unit controls the lifting driver to lower the plurality of pins by a first height so that the first clamp ring is placed in the circumferential region of the substrate; and , Selecting one of a second mode in which the plurality of pins are lowered by a second height by controlling the lifting driving unit so that the first clamp ring and the second clamp ring are placed in the circumferential area of the substrate It may include the step of adjusting the clamp load applied to.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판이나 기판 처리 공정에 따라 기판에 안치되는 클램프링의 개수를 제어하여 기판의 굽힘 변형(warpage)을 효과적으로 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively preventing warpage of a substrate by controlling the number of clamp rings placed on a substrate according to a substrate or a substrate processing process are provided.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 굽힘 변형 방지 장치를 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 'A'부 일부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판의 둘레 영역에 하나의 클램프링이 안치된 작동 상태를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4의 'B'부 확대도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판의 둘레 영역에 두 개의 클램프링이 안치된 작동 상태를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6의 'C'부 확대도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 11 및 도 12는 도 10의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a bending deformation prevention device constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing an enlarged part of 'A' part of FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view showing an operating state in which one clamp ring is placed in a circumferential region of a substrate by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged view of part 'B' of FIG. 4 .
6 is a cross-sectional view showing an operating state in which two clamp rings are placed in a circumferential region of a substrate by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an enlarged view of part 'C' of FIG. 6 .
8 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
9 is a perspective view showing a part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing a part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
11 and 12 are cross-sectional views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 10 .

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판(10)을 처리하는 공정을 수행하는 장치이다. 기판 처리 장치(100)는 기판(10)에 대한 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 예를 들면, 플라즈마(plasma) 공정, 패키지(package) 공정, 리플로우(reflow) 공정, 식각 공정, 증착 공정, 포토 공정 또는 열처리 공정 등을 수행하는 장치로 제공될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에서 처리되는 기판(10)은 반도체 웨이퍼(Wafer), 마스크(Mask), 유리 기판 또는 액정 디스플레이(LCD) 패널 등으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is a device that performs a process of treating a substrate 10 . The substrate processing apparatus 100 may be various types of apparatuses that perform processes on the substrate 10 . The substrate processing apparatus 100 may be provided as a device that performs, for example, a plasma process, a package process, a reflow process, an etching process, a deposition process, a photo process, or a heat treatment process. there is. The substrate 10 processed by the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may be provided as a semiconductor wafer, a mask, a glass substrate, or a liquid crystal display (LCD) panel, but is limited thereto. it is not going to be

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(100a) 내에 제공되는 지지척(110), 처리부(120), 및 굽힘 변형 방지 장치(130)를 포함할 수 있다. 챔버(100a)는 내부에 기판(10)이 처리되는 처리 공간을 가진다. 챔버(100a)의 내부에는 기판 처리 장치(100)에서 수행되는 기판 처리 공정의 종류에 따라 기판(10)에 대한 처리에 요구되는 다양한 부품들이 제공될 수 있다.A substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a support chuck 110 provided in a chamber 100a, a processing unit 120, and a bending deformation prevention device 130. The chamber 100a has a processing space in which the substrate 10 is processed. Various parts required for processing the substrate 10 may be provided inside the chamber 100a according to the type of substrate processing process performed in the substrate processing apparatus 100 .

예를 들면, 기판 처리 장치(100)가 플라즈마를 이용하여 기판(10)을 처리하는 장치로 제공되는 경우, 챔버(100a)의 처리 공간에 플라즈마 발생을 위한 공정가스를 제공하기 위한 구성과, 공정가스를 플라즈마로 변환하기 위한 구성(예를 들어, 고주파 발생기), 및 처리 공간 내부의 공정가스 및 플라즈마를 배기하기 위한 부품 등이 제공될 수 있다.For example, when the substrate processing apparatus 100 is provided as a device for processing the substrate 10 using plasma, a configuration for providing a processing gas for generating plasma to the processing space of the chamber 100a, and a process Components for converting gas into plasma (eg, a high-frequency generator) and components for exhausting process gas and plasma inside the processing space may be provided.

지지척(110)은 기판(10)을 지지하기 위해 제공될 수 있다. 지지척(110)은 기판(10)의 저면을 지지하는 다수의 지지핀, 정전척 등으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 지지척(110) 주위에는 기판(10)을 가이드하기 위한 가이드링(guide ring)(111)이 마련될 수 있다. 지지척(110)은 절연체(insulator)(112)에 의해 절연될 수 있다. 또한, 챔버(100a) 내에는 공정가스의 균일한 배출을 위한 배기링(113)이 마련될 수 있다.The support chuck 110 may be provided to support the substrate 10 . The support chuck 110 may be provided with a plurality of support pins or an electrostatic chuck for supporting the bottom surface of the substrate 10, but is not limited thereto. A guide ring 111 for guiding the substrate 10 may be provided around the support chuck 110 . The support chuck 110 may be insulated by an insulator 112 . In addition, an exhaust ring 113 for uniform discharge of process gas may be provided in the chamber 100a.

처리부(120)는 기판(10)에 대해 상술한 기판 처리 공정을 수행하기 위한 구성으로, 예를 들어, 플라즈마 생성 및 제어를 위한 고주파 발생기, 고주파 제어기, 기판(10)을 가열하기 위한 가열기 등을 포함할 수 있다.The processing unit 120 is a component for performing the above-described substrate treatment process on the substrate 10, and includes, for example, a high-frequency generator for generating and controlling plasma, a high-frequency controller, and a heater for heating the substrate 10. can include

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 굽힘 변형 방지 장치를 나타낸 사시도이다. 도 3은 도 2의 'A'부 일부를 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 굽힘 변형 방지 장치(130)는 지지척(110) 상에 지지되는 기판(10)의 둘레 영역(예를 들어, 기판의 주연부) 상에 하나 이상의 클램프링(162, 164)을 올려 기판(10)의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 기판(10)의 굽힘 변형(warpage)을 방지하도록 구성될 수 있다.2 is a perspective view showing a bending deformation prevention device constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing an enlarged part of 'A' part of FIG. 2 . 1 to 3, the bending deformation preventing device 130 includes one or more clamp rings 162 on a circumferential area (eg, a periphery of the substrate) of the substrate 10 supported on the support chuck 110. , 164) to apply a load to the circumference of the substrate 10, thereby preventing warpage of the substrate 10.

기판(10)의 굽힘 변형은 기판 처리 공정 중에 기판(10)의 둘레 영역(가장자리 영역)에서 주로 발생되므로, 클램프링(162, 164)은 기판(10)의 둘레 영역을 가압하도록 링 형상으로 제공될 수 있다. 도시된 예에서, 클램프링(162, 164)은 원형 링 형상의 원판으로 형성되어 있으나, 기판(10)의 형상에 따라 사각 링 등으로 변형될 수도 있다.Since the bending deformation of the substrate 10 is mainly generated in the circumferential region (edge region) of the substrate 10 during the substrate processing process, the clamp rings 162 and 164 are provided in a ring shape to press the circumferential region of the substrate 10. It can be. In the illustrated example, the clamp rings 162 and 164 are formed as discs in the shape of circular rings, but may be transformed into square rings or the like depending on the shape of the substrate 10 .

굽힘 변형 방지 장치(130)는 복수개의 핀(140), 복수개의 지지부재(150), 복수개의 클램프링(160), 승강 구동부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다. 복수개의 핀(140)은 지지척(110)의 주위를 따라 배치될 수 있다. 다시 말해, 복수개의 핀(140)은 지지척(110)과 지지척(110) 상에 지지된 기판(10)을 둘러싸도록 배열될 수 있다. 도시된 예에서, 지지척(110)의 주위에 3개의 핀(140)이 120° 간격으로 배열되어 있으나, 핀(140)의 개수 및 배열 간격은 다양하게 변형될 수 있다. 복수개의 핀(140)은 복수개의 클램프링(160)이 승강 동작될 수 있도록 상하 방향으로 연장될 수 있다. 복수개의 핀(140)은 승강 구동부(170)에 의해 승강 작동될 수 있다.The bending deformation preventing device 130 may include a plurality of pins 140 , a plurality of support members 150 , a plurality of clamp rings 160 , a lifting and lowering driver 170 , and a control unit 180 . A plurality of pins 140 may be disposed along the circumference of the support chuck 110 . In other words, the plurality of pins 140 may be arranged to surround the support chuck 110 and the substrate 10 supported on the support chuck 110 . In the illustrated example, three pins 140 are arranged at 120° intervals around the support chuck 110, but the number and spacing of the pins 140 may be variously modified. The plurality of pins 140 may extend in a vertical direction so that the plurality of clamp rings 160 can be moved up and down. The plurality of pins 140 may be moved up and down by the lift driver 170 .

복수개의 클램프링(160)은 제1 클램프링(162)과, 제2 클램프링(164)을 포함할 수 있다. 클램프링(162, 164)은 기판(10)의 굽힘 변형을 방지할 수 있는 무게를 가지도록 제공될 수 있다. 클램프링(162, 164)은 지지척(110) 상에 놓인 기판(10)의 가장자리 영역 상에 놓이도록 제공될 수 있다. 제1 클램프링(162)은 링 형상의 원판(162b)과, 원판(162b)의 내경부로부터 하부로 연장되어 기판(10)의 둘레 영역에 하중을 가하도록 원통 또는 사각통 등의 통 형상으로 형성되는 하중 인가판(162c)을 포함할 수 있다. 하중 인가판(162c)은 기판(10)의 둘레 영역과 동일한 형상으로 제공될 수 있다.The plurality of clamp rings 160 may include a first clamp ring 162 and a second clamp ring 164 . The clamp rings 162 and 164 may be provided to have a weight capable of preventing bending deformation of the substrate 10 . The clamp rings 162 and 164 may be provided to be placed on an edge region of the substrate 10 placed on the support chuck 110 . The first clamp ring 162 extends downward from the inner diameter of the ring-shaped disc 162b and the disc 162b to apply a load to the circumferential area of the substrate 10 in a cylindrical shape such as a cylinder or a square cylinder. A formed load applying plate 162c may be included. The load application plate 162c may be provided in the same shape as the circumferential area of the substrate 10 .

일 실시예에서, 기판(10)이 원판 형상인 경우, 클램프링(162, 164)은 중심부가 개방된 원형 링 형상의 판으로 제공될 수 있다. 클램프링(162, 164)은 이의 내경부가 기판(10)의 외경부와 근접하게 설계되고, 내경부로부터 방사상으로 외측으로 연장하도록 형성될 수 있다. 복수개의 클램프링(162, 164)은 지지척(110) 및 지지척(110) 상에 지지되는 기판(10)의 중심과 동심으로 배치될 수 있다. 또한, 복수개의 클램프링(162, 164)은 복수개의 핀(140)에 마련된 복수개의 지지부재(150)에 의해 상하 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.In one embodiment, when the substrate 10 has a disk shape, the clamp rings 162 and 164 may be provided as circular ring-shaped plates with open centers. The clamp rings 162 and 164 may be formed so that their inner diameters are designed to be close to the outer diameter of the substrate 10 and radially extend outward from the inner diameters. The plurality of clamp rings 162 and 164 may be disposed concentrically with the center of the support chuck 110 and the substrate 10 supported on the support chuck 110 . In addition, the plurality of clamp rings 162 and 164 may be spaced apart in the vertical direction by the plurality of support members 150 provided on the plurality of pins 140 .

각각의 핀(140)은 하부 핀(142)과, 하부 핀(142) 보다 작은 직경을 가지는 중간 핀(144), 그리고 중간 핀(144) 보다 작은 직경을 가지는 상부 핀(146)을 포함할 수 있다. 복수개의 지지부재(150)는 복수개의 핀(140)에 상하 방향을 따라 마련되어 클램프링(162, 164)을 수평 방향으로 지지하도록 구성될 수 있다. 제1 지지부재(152)는 하부 핀(142)과 중간 핀(144)의 사이에 형성될 수 있다. 제2 지지부재(154)는 중간 핀(144)과 상부 핀(146)의 사이에 형성될 수 있다.Each pin 140 may include a lower pin 142, a middle pin 144 having a smaller diameter than the lower pin 142, and an upper pin 146 having a smaller diameter than the middle pin 144. there is. The plurality of support members 150 may be provided along the plurality of pins 140 in the vertical direction to support the clamp rings 162 and 164 in the horizontal direction. The first support member 152 may be formed between the lower pin 142 and the middle pin 144 . The second support member 154 may be formed between the middle pin 144 and the upper pin 146 .

복수개의 지지부재(150)는 제1 지지부재(152)와, 제2 지지부재(154)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(152)는 복수개의 핀(140)의 제1 위치(하부 위치)에 마련되고, 제2 지지부재(154)는 복수개의 핀의 제1 위치 보다 높은 제2 위치(상부 위치)에 마련될 수 있다. 제1 지지부재(152) 및 제2 지지부재(154)는 복수개의 클램프링(162, 164)의 저면부를 지지하기 위하여 핀(140)의 둘레 부분에 각각 돌출 형성될 수 있다.The plurality of support members 150 may include a first support member 152 and a second support member 154 . The first support member 152 is provided at a first position (lower position) of the plurality of pins 140, and the second support member 154 is provided at a second position (upper position) higher than the first position of the plurality of pins. can be provided in The first support member 152 and the second support member 154 may each protrude from the circumferential portion of the pin 140 to support the bottom surfaces of the plurality of clamp rings 162 and 164 .

복수개의 클램프링(162, 164)은 복수개의 지지부재(152, 154) 상에 얹혀지는 상태로 지지될 수 있다. 제1 클램프링(162)은 복수개의 핀(140)에 형성되는 복수개의 제1 지지부재(152) 상에 지지될 수 있다. 제1 클램프링(162)을 기판(10)과 평행하게 지지하기 위하여, 복수개의 제1 지지부재(152)는 복수개의 핀(140)에 동일 높이로 형성될 수 있다.The plurality of clamp rings 162 and 164 may be supported while being placed on the plurality of support members 152 and 154 . The first clamp ring 162 may be supported on the plurality of first support members 152 formed on the plurality of pins 140 . In order to support the first clamp ring 162 in parallel with the substrate 10 , the plurality of first support members 152 may be formed at the same height as the plurality of pins 140 .

제2 클램프링(164)은 복수개의 핀(140)에 형성되는 복수개의 제2 지지부재(154) 상에 지지될 수 있다. 제2 클램프링(164)을 기판(10)과 평행하게 지지하기 위하여, 복수개의 제2 지지부재(154)는 복수개의 핀(140)에 동일 높이로 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 클램프링(162)과 제2 클램프링(164)을 포함하는 복수개의 클램프링(162, 164)은 복수개의 핀(140)에 형성된 다수의 지지부재들(152, 154)에 의해 상하 방향으로 이격된 상태로 지지될 수 있다.The second clamp ring 164 may be supported on the plurality of second support members 154 formed on the plurality of pins 140 . In order to support the second clamp ring 164 in parallel with the substrate 10 , a plurality of second support members 154 may be formed on the plurality of pins 140 at the same height. As such, the plurality of clamp rings 162 and 164 including the first clamp ring 162 and the second clamp ring 164 are attached to the plurality of support members 152 and 154 formed on the plurality of pins 140. It can be supported in a spaced state in the vertical direction by the.

복수개의 클램프링(162, 164)에는 복수개의 핀(140)이 관통되는 관통공들(162a, 164a)이 형성될 수 있다. 제1 클램프링(162)은 복수개의 핀(140)이 관통(통과)되는 다수의 제1 관통공(162a)을 구비할 수 있다. 제2 클램프링(164)은 복수개의 핀(140)이 관통(통과)되는 다수의 제2 관통공(164a)을 구비할 수 있다. 다수의 제1 관통공(162a)과 다수의 제2 관통공(164a)은 제1 클램프링(162)과 제2 클램프링(164)에 상하 방향으로 서로 대응되는 위치들에 형성될 수 있다.Through-holes 162a and 164a through which the plurality of pins 140 pass may be formed in the plurality of clamp rings 162 and 164 . The first clamp ring 162 may have a plurality of first through-holes 162a through which a plurality of pins 140 pass (pass). The second clamp ring 164 may have a plurality of second through-holes 164a through which a plurality of pins 140 pass (pass). The plurality of first through holes 162a and the plurality of second through holes 164a may be formed at positions corresponding to each other in the vertical direction of the first clamp ring 162 and the second clamp ring 164 .

제1 클램프링(162)의 제1 관통공들(162a)과, 제2 클램프링(164)의 제2 관통공들은 상이한 크기 또는 상이한 형상을 가질 수 있다. 제1 클램프링(162)이 제1 지지부재(152)에 의해 지지될 수 있도록 제1 관통공들(162a)은 복수개의 제1 지지부재(152)가 관통될 수 없는 형상을 가질 수 있다.The first through-holes 162a of the first clamp ring 162 and the second through-holes of the second clamp ring 164 may have different sizes or shapes. The first through-holes 162a may have a shape through which the plurality of first support members 152 cannot penetrate so that the first clamp ring 162 can be supported by the first support member 152 .

또한, 제1 관통공들(162a)은 복수개의 제2 지지부재(154)가 관통될 수 있는 형상을 가질 수 있다. 환언하면, 제2 지지부재(154)는 제1 관통공(162a)을 통과할 수 있는 형상으로 제공될 수 있다. 제2 클램프링(164)이 제2 지지부재(154)에 의해 지지될 수 있도록 제2 관통공들(164a)은 복수개의 제2 지지부재(154)가 관통될 수 없는 형상을 가질 수 있다.Also, the first through holes 162a may have a shape through which a plurality of second support members 154 may pass. In other words, the second support member 154 may be provided in a shape capable of passing through the first through hole 162a. The second through-holes 164a may have a shape through which the plurality of second support members 154 cannot penetrate so that the second clamp ring 164 can be supported by the second support member 154 .

승강 구동부(170)는 제어부(180)에 의해 구동되어 복수개의 핀(140)을 승강 구동할 수 있다. 승강 구동부(170)는 예를 들어, 복수개의 핀(140)을 승강 구동하는 유압 실린더, 유압 모터, 스크류축/가이드바 등으로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며, 복수개의 핀(140)을 승강 구동할 수 있는 다양한 구동 방식이 사용될 수 있다. 승강 구동부(170)는 복수개의 핀(140)을 제1 클램프링(162)과 제2 클램프링(164) 간의 이격 거리 이상 승강 구동할 수 있도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 승강 구동부(170)는 가이드링(111)의 외측에 배기링(113)을 관통하도록 마련될 수 있다.The lifting driver 170 is driven by the control unit 180 to lift and drive the plurality of pins 140 . The lifting driver 170 may be implemented as, for example, a hydraulic cylinder, a hydraulic motor, a screw shaft/guide bar, etc. for driving the plurality of pins 140 up and down, but is not limited thereto, and the plurality of pins 140 Various driving methods capable of lifting and driving may be used. The lifting driver 170 may be configured to lift and drive the plurality of pins 140 at a distance greater than or equal to a separation distance between the first clamp ring 162 and the second clamp ring 164 . In one embodiment, the lifting driver 170 may be provided to pass through the exhaust ring 113 on the outside of the guide ring 111 .

제어부(180)는 복수개의 핀(140)의 승강 높이에 따라 기판(10)의 둘레 영역(주연부) 상에 놓여지는 클램프링(162, 164)의 개수가 조절되도록, 승강 구동부(170)를 제어하여 복수개의 핀(140)을 승강 구동시킬 수 있다. 제어부(180)는 승강 구동부(170)를 제어하여 복수개의 핀(140)을 제1 높이만큼 하강시켜 기판(10)의 둘레 영역에 제1 클램프링(162)이 안치되도록 하는 제1 모드와, 승강 구동부(170)를 제어하여 복수개의 핀(140)을 제2 높이만큼 하강시켜 기판(10)의 둘레 영역에 제1 클램프링(162) 및 제2 클램프링(164)이 안치되도록 하는 제2 모드 중 어느 하나를 선택하여 기판(10)에 인가되는 클램프 하중을 조절할 수 있다.The control unit 180 controls the lifting driver 170 so that the number of clamp rings 162 and 164 placed on the circumferential area (periphery) of the substrate 10 is adjusted according to the lifting height of the plurality of pins 140. Thus, the plurality of pins 140 can be lifted and driven. The control unit 180 controls the lifting driver 170 to lower the plurality of pins 140 by a first height so that the first clamp ring 162 is placed in the circumferential area of the substrate 10 A first mode; The second clamp ring 162 and the second clamp ring 164 are seated in the circumferential area of the substrate 10 by controlling the lifting driver 170 to lower the plurality of pins 140 by a second height. A clamp load applied to the substrate 10 may be adjusted by selecting one of the modes.

일 실시예에서, 제1 지지부재(152)는 상협하광(上狹下廣)의 절두 원추 형상으로 제공될 수 있다. 제1 클램프링(162)에 형성되는 제1 관통공(162a)은 핀(140)이 관통되면서 제1 지지부재(152)가 관통되지 않으며, 동시에 제2 지지부재(154)가 관통될 수 있는 제1 직경(D3)을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 지지부재(152)의 하부 직경(D1)은 제1 관통공(162a)의 제1 직경(D3) 보다 크게 형성되고, 제1 지지부재(152)의 상부 직경은 제1 관통공(162a)의 제1 직경(D3)과 같거나 이보다 작게 형성될 수 있다.In one embodiment, the first support member 152 may be provided in the shape of a truncated cone with an upper and lower beam. In the first through hole 162a formed in the first clamp ring 162, the pin 140 passes through, the first support member 152 does not pass through, and the second support member 154 can pass through at the same time. It may be formed to have a first diameter D3. The lower diameter D1 of the first support member 152 is larger than the first diameter D3 of the first through hole 162a, and the upper diameter of the first support member 152 is the first through hole 162a. ) may be formed equal to or smaller than the first diameter D3 of ).

제2 지지부재(154)는 핀(140)의 상부 영역에 형성될 수 있으며, 핀(140)의 상부 영역을 감싸는 원형 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2 관통공(164a)은 핀(140)이 관통되면서 제2 지지부재(154)가 관통될 수 없도록 제1 관통공(162a)의 제1 직경(D3)보다 작은 제2 직경(D4)을 가질 수 있다. 제2 관통공(164a)의 제2 직경(D4)은 제2 지지부재(154)의 직경(D2) 보다는 작고, 핀(140)의 상부 영역 직경과 동일하거나 그보다 약간 크게 형성될 수 있다.The second support member 154 may be formed in an upper region of the pin 140 and may be provided in a circular ring shape surrounding the upper region of the pin 140 . The second through hole 164a has a second diameter D4 smaller than the first diameter D3 of the first through hole 162a so that the second support member 154 cannot penetrate while the pin 140 passes through. can have The second diameter D4 of the second through hole 164a may be smaller than the diameter D2 of the second support member 154 and may be equal to or slightly larger than the diameter of the upper region of the pin 140 .

제2 지지부재(154)의 직경(D2)은 제2 관통공(164a)의 제2 직경(D4) 보다 크고, 제1 관통공(162a)의 제1 직경(D3)과 동일하거나 이보다 작게 형성될 수 있다. 승강 구동부(170)에 의해 핀(140)의 하강 시에, 제2 지지부재(154)는 제1 클램프링(162)의 제1 관통공(162a)을 통과하여 하강될 수 있으며, 이에 따라 제2 지지부재(154)가 제2 클램프링(164)의 저면으로부터 하부로 이격되어 제2 클램프링(164)이 제1 클램프링(162) 상에 놓여질 수 있다.The diameter D2 of the second support member 154 is greater than the second diameter D4 of the second through hole 164a and is equal to or smaller than the first diameter D3 of the first through hole 162a. It can be. When the pin 140 is lowered by the lifting driver 170, the second support member 154 may pass through the first through hole 162a of the first clamp ring 162 and be lowered. The second support member 154 is spaced downward from the bottom surface of the second clamp ring 164 so that the second clamp ring 164 can be placed on the first clamp ring 162 .

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판의 둘레 영역에 하나의 클램프링이 안치된 작동 상태를 나타낸 단면도이다. 도 5는 도 4의 'B'부 확대도이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판의 둘레 영역에 두 개의 클램프링이 안치된 작동 상태를 나타낸 단면도이다. 도 7은 도 6의 'C'부 확대도이다.4 is a cross-sectional view showing an operating state in which one clamp ring is placed in a circumferential region of a substrate by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is an enlarged view of part 'B' of FIG. 4 . 6 is a cross-sectional view showing an operating state in which two clamp rings are placed in a circumferential region of a substrate by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is an enlarged view of part 'C' of FIG. 6 .

도 1 내지 도 7을 참조하면, 제어부(180)는 기판(10)의 소재 및 기판 처리 공정 중 적어도 하나에 따라 복수개의 핀(140)의 승강 높이를 결정하고, 결정된 승강 높이에 따라 복수개의 핀(140)을 승강시켜 기판(10)의 둘레 영역에 안치되는 클램프링(162, 164)의 개수를 조절할 수 있다. 1 to 7 , the control unit 180 determines the lifting height of the plurality of pins 140 according to at least one of the material of the substrate 10 and the substrate processing process, and determines the lifting height of the plurality of pins according to the determined lifting height. The number of clamp rings 162 and 164 placed in the circumferential area of the substrate 10 may be adjusted by lifting the 140 .

제어부(180)와 승강 구동부(170)에 의해 복수개의 핀(140)이 하강함에 따라 기판(10)의 둘레 영역에 안치되는 클램프링(162, 164)의 개수가 1개씩 단계적으로 증가될 수 있다. 반대로, 제어부(180)와 승강 구동부(170)에 의해 복수개의 핀(140)이 상승하면, 기판(10)의 둘레 영역에 안치되는 클램프링(162, 164)의 개수가 1개씩 단계적으로 감소될 수 있다. 도시된 예에서는 2개의 클램프링(162, 164)이 사용되었으나, 3개 이상의 클램프링이 사용될 수도 있다.As the plurality of pins 140 are lowered by the control unit 180 and the lifting driver 170, the number of clamp rings 162 and 164 placed in the circumferential area of the substrate 10 may increase step by step by one. . Conversely, when the plurality of pins 140 are raised by the control unit 180 and the lifting driver 170, the number of clamp rings 162 and 164 placed in the circumferential area of the substrate 10 is gradually reduced by one. can In the illustrated example, two clamp rings 162 and 164 are used, but three or more clamp rings may be used.

본 발명의 실시예에 의하면, 다수의 클램프링을 이용하여 기판의 소재나 기판 처리 공정 등에 따라 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수를 선택적으로 사용함으로써, 다양한 소재의 기판과 다양한 기판 처리 공정에 대해 굽힘 변형(warpage)를 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by using a plurality of clamp rings and selectively using the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate according to the substrate material or substrate processing process, substrates of various materials and various substrate processing processes It is possible to control the bending warpage for

예를 들어, 취성이 약한 소재의 기판인 경우, 복수개의 클램프링(162, 164) 중 하부에 위치한 1개의 클램프링(162)으로 기판(10)의 둘레 영역에 하중을 가하여 기판 처리 공정을 수행함으로써, 1개의 클램프링(162)의 적은 하중으로 깨짐 현상 없이 기판(10)의 굽힘 변형을 방지할 수 있다.For example, in the case of a substrate made of a weakly brittle material, a substrate treatment process is performed by applying a load to the circumferential region of the substrate 10 with one clamp ring 162 located at the bottom of the plurality of clamp rings 162 and 164 By doing so, it is possible to prevent bending deformation of the substrate 10 without breaking with a small load of one clamp ring 162 .

이와 달리, 기판의 강성이 강한 경우, 복수개의 핀(140)을 하강시켜 2개의 클램프링(162, 164) 또는 3개 이상의 클램프링으로 기판(10)의 둘레 영역에 하중을 가하여 기판 처리 공정을 수행함으로써, 보다 큰 하중으로 기판(10)의 굽힘 변형을 효과적으로 제어할 수 있다.On the other hand, when the rigidity of the substrate is strong, the plurality of pins 140 are lowered to apply a load to the circumferential region of the substrate 10 with two clamp rings 162 and 164 or three or more clamp rings to perform the substrate treatment process. By doing this, it is possible to effectively control the bending deformation of the substrate 10 with a larger load.

이와 같이, 기판(10)의 소재나 기판 처리 공정에 따라 기판(10)의 둘레 영역에 안치되는 클램프링(162, 164)의 개수를 조절하여 사용함으로써, 기판(10)이 받는 스트레스를 최소화하면서, 플라즈마 등의 기판 처리시 굽힘 변형에 따른 국부 플라즈마 손상 등의 문제를 방지할 수 있다.In this way, by adjusting the number of clamp rings 162 and 164 placed in the circumferential region of the substrate 10 according to the material of the substrate 10 or the substrate processing process, the stress applied to the substrate 10 is minimized and , It is possible to prevent problems such as local plasma damage due to bending deformation during substrate processing such as plasma.

도시된 예에서, 핀(140)은 지지척(110)의 주위에 3개가 형성되어 있으나, 핀(140)의 개수는 4개 이상으로 변경될 수도 있다. 또한, 도시된 예에서, 클램프링(160)은 원형 링 형상으로 이루어져 있으나, 기판의 형상에 따라 사각 링 형상 등으로 변형될 수도 있다.In the illustrated example, three pins 140 are formed around the support chuck 110, but the number of pins 140 may be changed to four or more. Also, in the illustrated example, the clamp ring 160 is made of a circular ring shape, but may be deformed into a square ring shape or the like according to the shape of the substrate.

기판(10)에 대한 처리가 완료되면, 제어부(180)와 승강 구동부(170)에 의해 복수개의 핀(140)을 상부 위치로 복귀시켜 클램프링(162, 164)을 기판(10)의 상면에서 이격시킨 후, 기판 반송 장치(도시 생략됨)에 의해 기판(10)을 챔버(100a) 외부로 반출하고, 후속 처리될 기판(10)을 챔버(100a) 내에 반입하여 지지척(110) 상에 지지할 수 있다. 이후 지지척(110) 상에 지지된 기판(10)의 종류나 기판(10)에 대해 수행될 기판 처리 공정에 따라 적절한 클램프링(162, 164)의 개수가 제어부(180)에 의해 결정되고, 그에 따라 승강 구동부(170)가 작동하여 복수개의 핀(140)을 하강시킴으로써 적정 개수의 클램프링(162, 164)을 기판(10)의 둘레 영역 상에 재치시킨 상태로 후속 기판 처리 공정을 수행하게 된다.When the processing of the substrate 10 is completed, the plurality of pins 140 are returned to the upper position by the control unit 180 and the lifting driver 170 so that the clamp rings 162 and 164 are removed from the upper surface of the substrate 10. After separation, the substrate 10 is taken out of the chamber 100a by a substrate transfer device (not shown), and the substrate 10 to be subsequently processed is brought into the chamber 100a and placed on the support chuck 110. can support Thereafter, the appropriate number of clamp rings 162 and 164 is determined by the control unit 180 according to the type of substrate 10 supported on the support chuck 110 or the substrate processing process to be performed on the substrate 10, Accordingly, the lifting driving unit 170 operates to lower the plurality of pins 140 so that a subsequent substrate treatment process is performed with an appropriate number of clamp rings 162 and 164 placed on the circumferential area of the substrate 10. do.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다. 도 1 및 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(100)에 의해 기판 처리 공정이 수행될 기판(10)의 소재 및/또는 기판 처리 공정에 따라, 복수개의 핀(140)의 승강 높이를 결정할 수 있다(S10).8 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 8 , the lifting height of the plurality of pins 140 may be determined according to the material of the substrate 10 to be processed by the substrate processing apparatus 100 and/or the substrate processing process. Yes (S10).

제어부(180)에 의해 승강 높이에 따라 복수개의 핀(140)을 승강 구동하여 복수개의 지지부재(152, 154) 상에 지지되는 복수개의 클램프링(162, 164)을 승강시킴으로써 기판(10)의 둘레 영역에 안치되는 클램프링(162, 164)의 개수를 조절할 수 있다(S20). 기판(10)의 둘레 영역에 적절한 개수의 클램프링(162, 164)이 안치되면, 기판(10)에 대해 기판 처리 공정이 수행될 수 있다(S30).The plurality of clamp rings 162 and 164 supported on the plurality of support members 152 and 154 are moved up and down by driving the plurality of pins 140 up and down according to the height of the board 10 by the control unit 180. The number of clamp rings 162 and 164 placed in the circumference area can be adjusted (S20). When an appropriate number of clamp rings 162 and 164 are placed in the circumferential region of the substrate 10, a substrate treatment process may be performed on the substrate 10 (S30).

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 나타낸 사시도이다. 도 9의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 굽힘 변형 장치(130)를 구성하는 제1 지지부재(152)와 제2 지지부재(154)가 상이한 방향으로 핀(140)에 결합되고, 제1 클램프링(162)에 형성되는 제1 관통공(162a)이 제2 지지부재(154)와 대응되는 장공 형상으로 이루어지는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다.9 is a perspective view showing a part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 9 , the first support member 152 and the second support member 154 constituting the bending device 130 are coupled to the pin 140 in different directions, and the first clamp It is different from the above-described embodiment in that the first through hole 162a formed in the ring 162 has a long hole shape corresponding to the second support member 154 .

복수개의 핀(140)은 복수개의 제1 관통공(162a)의 단부 영역을 관통하도록 형성될 수 있다. 핀(140)의 하강 시 바 형상의 제2 지지부재(154)는 제1 클램프링(162)의 장공 형상의 제1 관통공(162a)을 통과하여 하강할 수 있으며, 이에 따라 제2 지지부재(154)가 제2 클램프링(164)의 하면으로부터 하부로 이격되어 제2 클램프링(164)이 제1 클램프링(162) 상에 놓여질 수 있다.The plurality of pins 140 may be formed to pass through end regions of the plurality of first through holes 162a. When the pin 140 descends, the bar-shaped second support member 154 may pass through the long-shaped first through hole 162a of the first clamp ring 162 and descend. Accordingly, the second support member 154 may descend. 154 is spaced downward from the lower surface of the second clamp ring 164 so that the second clamp ring 164 can be placed on the first clamp ring 162.

핀(140)이 상승하게 되면, 바 형상의 제2 지지부재(154)가 제1 클램프링(162)의 장공 형상의 제1 관통공(162a)을 통과하여 상승하여 제2 클램프링(164)의 하면에 접촉되어 제2 클램프링(164)을 들어 올리게 되며, 이에 따라 제2 클램프링(164)이 상부 위치로 이동하게 된다.When the pin 140 rises, the bar-shaped second support member 154 passes through the long hole-shaped first through hole 162a of the first clamp ring 162 and rises, forming the second clamp ring 164. In contact with the lower surface of the second clamp ring 164 is lifted, and accordingly, the second clamp ring 164 is moved to an upper position.

또한, 핀(140)을 계속하여 상승시키면, 바 형상의 제1 지지부재(152)가 제1 클램프링(162)의 하면에 접촉되어 제1 클램프링(162)을 들어 올리게 되며, 이에 따라 기판(10)의 둘레 영역에 올려져 있던 제1 클램프링(162)이 상부 위치로 이동하게 된다.In addition, when the pin 140 continues to rise, the bar-shaped first support member 152 comes into contact with the lower surface of the first clamp ring 162 to lift the first clamp ring 162, thereby lifting the substrate. The first clamp ring 162 placed on the circumferential region of (10) is moved to an upper position.

도 9의 실시예에 의하면, 복수개의 핀(140)이 각각 복수개의 제1 관통공(162a)의 단부 영역을 관통하도록 형성되어 복수개의 핀(140)의 승강 작동시에 제1 클램프링(162)의 중심 위치가 반경 방향으로 틀어지는 것을 방지할 수 있다. 제2 클램프링(164)의 중심 위치 또한 복수개의 제2 관통공(164a)을 관통하는 복수개의 핀(140)에 의해 반경 방향으로 틀어지지 않게 된다.According to the embodiment of FIG. 9 , the plurality of pins 140 are formed to pass through the end regions of the plurality of first through holes 162a, respectively, so that when the plurality of pins 140 are moved up and down, the first clamp ring 162 ) can be prevented from being distorted in the radial direction. The central position of the second clamp ring 164 is also prevented from being distorted in the radial direction by the plurality of pins 140 penetrating the plurality of second through holes 164a.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 11 및 도 12는 도 10의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 단면도이다. 도 10 내지 도 12의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 굽힘 변형 방지 장치(130)가 3개의 지지부재(152, 154, 156)와, 3개의 클램프링(162, 164, 166)을 포함하는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 각각의 핀(140)은 상부로 갈수록 직경이 단계적으로 점차 감소되는 핀 부재들(142, 144, 146, 148)을 포함할 수 있다.10 is a cross-sectional view showing a part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. 11 and 12 are cross-sectional views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 10 . In the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIGS. 10 to 12, the bending deformation prevention device 130 includes three support members 152, 154, and 156 and three clamp rings 162, 164, and 166. There is a difference from the embodiment described above. Each pin 140 may include pin members 142 , 144 , 146 , and 148 whose diameter gradually decreases toward the top.

각 지지부재(152, 154, 156)는 상부로 갈수록 직경이 감소되는 절두 원추 형상으로 제공될 수 있다. 지지부재들(152, 154, 156) 중 제1 지지부재(152)의 평균 직경이 가장 크고, 제2 지지부재(154)의 평균 직경은 제1 지지부재(152) 보다 감소되고, 제3 지지부재(156)의 평균 직경은 제2 지지부재(156) 보다 감소될 수 있다.Each of the support members 152, 154, and 156 may be provided in a truncated cone shape with a diameter decreasing toward the top. Among the support members 152, 154, and 156, the first support member 152 has the largest average diameter, the second support member 154 has a smaller average diameter than the first support member 152, and the third support member 152 has an average diameter smaller than that of the first support member 152. The average diameter of the member 156 may be smaller than that of the second support member 156 .

지지부재들(152, 154, 156) 중 제1 지지부재(152)가 가장 큰 평균 직경이 가지고, 제2 지지부재(154)의 평균 직경은 제1 지지부재(152)의 평균 직경 보다 감소되고, 제3 지지부재(156)의 평균 직경은 제2 지지부재(156)의 평균 직경 보다 감소될 수 있다.Among the support members 152, 154, and 156, the first support member 152 has the largest average diameter, and the average diameter of the second support member 154 is smaller than the average diameter of the first support member 152. , the average diameter of the third support member 156 may be smaller than the average diameter of the second support member 156.

제1 지지부재(152)는 제1 핀 부재(142)와 제2 핀 부재(144) 사이에 마련될 수 있다. 제2 지지부재(154)는 제2 핀 부재(144)와 제3 핀 부재(146) 사이에 마련될 수 있다. 제3 지지부재(156)은 제3 핀 부재(146)와 제4 핀 부재(148) 사이에 마련될 수 있다.The first support member 152 may be provided between the first pin member 142 and the second pin member 144 . The second support member 154 may be provided between the second pin member 144 and the third pin member 146 . The third support member 156 may be provided between the third pin member 146 and the fourth pin member 148 .

제1 클램프링(162)의 제1 관통공(162a)은 제1 지지부재(152)의 최대 직경(하부 직경) 보다 작고, 최소 직경(상부 직경) 보다 큰 직경으로 형성될 수 있다. 제2 클램프링(164)의 제2 관통공(164a)은 제2 지지부재(154)의 최대 직경(하부 직경) 보다 작고, 최소 직경(상부 직경) 보다 큰 직경으로 형성될 수 있다.The first through hole 162a of the first clamp ring 162 may have a diameter smaller than the maximum diameter (lower diameter) and larger than the minimum diameter (upper diameter) of the first support member 152 . The second through hole 164a of the second clamp ring 164 may have a diameter smaller than the maximum diameter (lower diameter) and larger than the minimum diameter (upper diameter) of the second support member 154 .

제3 클램프링(166)의 제3 관통공(166a)은 제3 지지부재(156)의 최대 직경(하부 직경) 보다 작고, 최소 직경(상부 직경) 보다 큰 직경으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 클램프링(162)은 제1 지지부재(152)에 의해 지지될 수 있다. 유사하게, 제2 클램프링(164)은 제2 지지부재(154)에 의해 지지되고, 제3 클램프링(166)은 제3 지지부재(154)에 의해 지지될 수 있다.The third through hole 166a of the third clamp ring 166 may have a diameter smaller than the maximum diameter (lower diameter) and larger than the minimum diameter (upper diameter) of the third support member 156 . Accordingly, the first clamp ring 162 may be supported by the first support member 152 . Similarly, the second clamp ring 164 may be supported by the second support member 154 and the third clamp ring 166 may be supported by the third support member 154 .

도 10은 다수의 핀(140)이 제1 높이만큼 하강한 상태로, 기판(10)의 둘레 영역에 제1 클램프링(162)의 하중만 가해진다. 핀(140)이 더 하강하여 제2 높이만큼 하강하면, 기판(10)의 둘레 영역에 제1 클램프링(162)의 하중 뿐 아니라 제2 클램프링(164)의 하중도 가해져 기판(10)에 보다 큰 클램프 하중이 가해진다.10 , in a state in which the plurality of pins 140 are lowered by the first height, only the load of the first clamp ring 162 is applied to the circumferential area of the substrate 10 . When the pin 140 is further lowered and lowered by the second height, the load of the second clamp ring 164 as well as the load of the first clamp ring 162 is applied to the circumferential area of the substrate 10, so that the substrate 10 A larger clamp load is applied.

또한, 다수의 핀(140)이 더욱 하강하여 제3 높이만큼 하강하면, 기판(10)의 둘레 영역에 제1 클램프링(162)과 제2 클램프링(164) 뿐 아니라, 제3 클램프링(166)의 하중도 기판(10)의 둘레 영역에 가해져 기판(10)의 둘레 영역에 인가되는 클램프 하중이 보다 증가된다.In addition, when the plurality of pins 140 further descend and descend by the third height, the first clamp ring 162 and the second clamp ring 164 as well as the third clamp ring ( 166) is also applied to the circumferential region of the substrate 10, so that the clamp load applied to the circumferential region of the substrate 10 is further increased.

반대로, 다수의 핀(140)이 상승하면, 먼저 제3 지지부재(156)가 제3 클램프링(166)의 저면에 접촉되어 제3 클램프링(166)을 들어 올리게 된다. 이어서, 다수의 핀(140)이 더 상승하면, 제2 지지부재(154)가 제2 클램프링(164)의 저면에 접촉되어 제2 클램프링(164)을 들어 올리게 된다.Conversely, when the plurality of pins 140 rise, first, the third support member 156 contacts the bottom surface of the third clamp ring 166 to lift the third clamp ring 166 . Subsequently, when the plurality of pins 140 are further raised, the second support member 154 comes into contact with the bottom surface of the second clamp ring 164 to lift the second clamp ring 164 .

이후, 다수의 핀(140)이 더욱 상승하면, 제1 지지부재(152)가 제1 클램프링(162)의 저면에 접촉되어 제1 클램프링(162)을 들어 올리게 된다. 이와 같이, 기판(10)의 둘레 영역에 얹혀 있던 모든 클램프링(162, 164, 166)이 상부로 이동하면, 기판(10)의 반출이 가능하게 된다.Thereafter, when the plurality of pins 140 are further raised, the first support member 152 contacts the bottom surface of the first clamp ring 162 to lift the first clamp ring 162 . In this way, when all the clamp rings 162 , 164 , and 166 placed on the peripheral area of the substrate 10 are moved upward, the substrate 10 can be taken out.

도 10 내지 도 12의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판(10) 및/또는 기판 처리 공정에 따라 기판(10)의 둘레 영역에 1개의 클램프링, 2개의 클램프링, 또는 3개의 클램프링을 선택적으로 안치시켜 기판(10)의 둘레 영역에 인가되는 클램프 하중을 3개의 하중 모드로 다양하게 조절할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIGS. 10 to 12, one clamp ring, two clamp rings, or three clamps are installed in the peripheral area of the substrate 10 according to the substrate 10 and/or substrate processing process. By selectively placing the ring, the clamp load applied to the circumferential region of the substrate 10 can be varied in three load modes.

또한, 도시되지 않았으나, 클램프링의 개수를 4개 이상 사용하여 기판(10)의 둘레 영역에 인가되는 클램프 하중을 4개 이상의 하중 모드로 조절하는 것도 가능하다. 또한, 다양한 무게의 클램프링을 적용하여 다수의 핀(140)의 승강 높이 조절을 통해 기판(10)에 인가되는 클램프 하중을 다양하게 변경할 수도 있다.Also, although not shown, it is possible to adjust the clamp load applied to the circumferential region of the substrate 10 in four or more load modes by using four or more clamp rings. In addition, the clamp load applied to the board 10 may be variously changed by adjusting the lifting height of the plurality of pins 140 by applying clamp rings of various weights.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art.

저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

10: 기판
100: 기판 처리 장치
100a: 챔버
110: 지지척
111: 가이드링
112: 절연체
113: 배기링
120: 처리부
130: 굽힘 변형 방지 장치
140: 핀
150, 152, 154, 156, 158: 지지부재
160, 162, 164, 166: 클램프링
162a, 164a, 166a: 관통공
170: 승강 구동부
180: 제어부10: substrate
100: substrate processing device
100a: chamber
110: support chuck
111: guide ring
112 insulator
113: exhaust ring
120: processing unit
130: bending deformation prevention device
140: pin
150, 152, 154, 156, 158: support member
160, 162, 164, 166: clamp ring
162a, 164a, 166a: through hole
170: lifting drive unit
180: control unit

Claims (14)

기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판을 지지하기 위한 지지척; 및
상기 지지척 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역 상에 하나 이상의 클램프링을 올려 상기 기판의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형을 방지하도록 구성되는 굽힘 변형 방지 장치;를 포함하고,
상기 굽힘 변형 방지 장치는 상기 기판의 둘레 영역 상에 놓여지는 상기 클램프링의 개수를 조절하여 상기 기판의 둘레 영역에 인가되는 하중을 조절하도록 구성되고,
상기 굽힘 변형 방지 장치는:
상기 지지척의 주위를 따라 배치되고, 상하 방향으로 연장되는 복수개의 핀;
상기 복수개의 핀에 상하 방향을 따라 마련되어 상기 클램프링을 수평 방향으로 지지하도록 구성되는 복수개의 지지부재;
상기 복수개의 핀이 관통되는 관통공을 구비하고, 상기 기판의 둘레 영역을 가압하도록 링 형상으로 마련되며, 상기 복수개의 지지부재 상에 각각 지지되는 복수개의 클램프링;
상기 복수개의 핀을 승강 구동하는 승강 구동부; 및
상기 복수개의 핀의 승강 높이에 따라 상기 기판의 둘레 영역 상에 놓여지는 클램프링의 개수가 조절되도록, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 승강 구동시키는 제어부;를 포함하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate,
a support chuck for supporting the substrate; and
A bending deformation preventing device configured to prevent bending deformation of the substrate by placing one or more clamp rings on a circumferential area of the substrate supported on the support chuck and applying a load to the circumferential area of the substrate;
The bending deformation preventing device is configured to adjust the load applied to the circumferential region of the substrate by adjusting the number of clamp rings placed on the circumferential region of the substrate,
The bending deformation prevention device:
a plurality of pins disposed along the circumference of the support chuck and extending in a vertical direction;
a plurality of support members provided along the plurality of pins in a vertical direction and configured to support the clamp ring in a horizontal direction;
a plurality of clamp rings each having a through hole through which the plurality of pins pass, provided in a ring shape to press a circumferential region of the substrate, and supported on the plurality of support members, respectively;
a lifting driver for driving the plurality of pins up and down; and
and a control unit for controlling the lifting driver to lift and drive the plurality of pins so that the number of clamp rings placed on the circumferential region of the substrate is adjusted according to the lifting height of the plurality of pins. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수개의 지지부재는:
상기 복수개의 핀의 제1 위치에 마련되는 복수개의 제1 지지부재; 및
상기 복수개의 핀의 상기 제1 위치 보다 높은 제2 위치에 마련되는 복수개의 제2 지지부재;를 포함하고,
상기 복수개의 클램프링은:
상기 복수개의 제1 지지부재 상에 지지되고, 상기 복수개의 핀이 관통되는 제1 관통공들이 형성되는 제1 클램프링; 및
상기 복수개의 제2 지지부재 상에 지지되고, 상기 복수개의 핀이 관통되는 제2 관통공들이 형성되는 제2 클램프링;을 포함하고,
상기 제1 관통공들과 상기 제2 관통공들은 상이한 크기 또는 상이한 형상을 가지는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The plurality of support members are:
a plurality of first support members provided at first positions of the plurality of pins; and
Including; a plurality of second support members provided at a second position higher than the first position of the plurality of pins,
The plurality of clamp rings are:
a first clamp ring supported on the plurality of first support members and having first through holes through which the plurality of pins pass; and
A second clamp ring supported on the plurality of second support members and formed with second through holes through which the plurality of pins pass;
The substrate processing apparatus, wherein the first through holes and the second through holes have different sizes or different shapes. 제3항에 있어서,
상기 제1 관통공들은 상기 복수개의 제1 지지부재가 관통될 수 없는 형상을 가짐과 동시에, 상기 복수개의 제2 지지부재가 관통될 수 있는 형상을 가지고,
상기 제2 관통공들은 상기 복수개의 제2 지지부재가 관통될 수 없는 형상을 가지는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The first through-holes have a shape through which the plurality of first support members cannot penetrate and a shape through which the plurality of second support members can penetrate,
The second through-holes have a shape through which the plurality of second support members cannot penetrate. 제1항에 있어서,
상기 제어부는:
상기 기판의 소재 및 기판 처리 공정 중 적어도 하나에 따라 상기 복수개의 핀의 승강 높이를 결정하고; 그리고
결정된 상기 승강 높이에 따라 상기 복수개의 핀을 승강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수를 조절하도록 구성되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit:
determining elevation heights of the plurality of pins according to at least one of a material of the substrate and a substrate processing process; and
The substrate processing apparatus configured to adjust the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate by moving the plurality of pins up and down according to the determined lifting height. 제3항에 있어서,
상기 제1 지지부재 및 상기 제2 지지부재는 각각 상기 핀의 둘레 부분에 돌출 형성되고,
상기 제1 관통공은 상기 핀이 관통되면서 상기 제1 지지부재가 관통되지 않으며, 동시에 상기 제2 지지부재가 관통될 수 있는 제1 직경을 가지도록 형성되고,
상기 제2 관통공은 상기 핀이 관통되면서 상기 제2 지지부재가 관통될 수 없도록 상기 제1 직경보다 작은 제2 직경을 가지는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The first support member and the second support member protrude from the circumferential portion of the pin, respectively.
The first through hole is formed to have a first diameter through which the pin does not pass through the first support member and at the same time allows the second support member to pass through;
The second through hole has a second diameter smaller than the first diameter so that the second support member cannot penetrate while the pin passes through. 제3항에 있어서,
상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 하강함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 증가하고,
상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 상승함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 감소하는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
As the plurality of pins are lowered by the control unit and the lifting driver, the number of clamp rings placed in the circumferential area of the substrate increases,
As the plurality of pins are raised by the controller and the lifting driver, the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate decreases. 제3항에 있어서,
상기 제1 지지부재는 상협하광(上狹下廣)의 절두 원추 형상으로 제공되는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The first support member is provided in the shape of a truncated cone with an upper and lower beam. 제8항에 있어서,
상기 제1 지지부재의 하부 직경은 상기 제1 관통공의 직경보다 크고, 상기 제1 지지부재의 상부 직경은 상기 제1 관통공의 직경과 동일하거나 상기 제1 관통공의 직경보다 작은, 기판 처리 장치.According to claim 8,
The lower diameter of the first support member is larger than the diameter of the first through hole, and the upper diameter of the first support member is equal to or smaller than the diameter of the first through hole. Device. 제3항에 있어서,
상기 제1 클램프링과 상기 제2 클램프링은 상하 방향으로 이격되어 배치되고,
상기 승강 구동부는 상기 제1 클램프링과 상기 제2 클램프링 간의 이격 거리 이상 상기 복수개의 핀을 승강 구동하도록 구성되는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The first clamp ring and the second clamp ring are disposed apart from each other in the vertical direction,
Wherein the lifting driver is configured to lift and drive the plurality of pins equal to or greater than a separation distance between the first clamp ring and the second clamp ring. 제3항에 있어서,
상기 제어부는:
상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제1 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링이 안치되도록 하는 제1 모드와, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제2 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링 및 상기 제2 클램프링이 안치되도록 하는 제2 모드 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판에 인가되는 클램프 하중을 조절하도록 구성되는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The control unit:
A first mode in which the plurality of pins are lowered by a first height by controlling the lifting driver so that the first clamp ring is placed in the circumferential region of the substrate; A substrate processing apparatus configured to adjust a clamp load applied to the substrate by selecting one of a second mode in which the first clamp ring and the second clamp ring are lowered by a height so that the first clamp ring and the second clamp ring are seated in a circumferential region of the substrate. . 제1항, 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항의 기판 처리 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
굽힘 변형 방지 장치에 의해, 지지척 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역 상에 하나 이상의 클램프링을 올려 상기 기판의 둘레 영역에 하중을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형을 방지하는 단계;를 포함하고,
상기 굽힘 변형을 방지하는 단계는:
제어부에 의해, 상기 기판의 소재 및 기판 처리 공정 중 적어도 하나에 따라, 지지척의 주위를 따라 배치되고 상하 방향으로 연장되는 복수개의 핀의 승강 높이를 결정하는 단계; 및
승강 구동부에 의해, 상기 승강 높이에 따라 상기 복수개의 핀을 승강 구동하여 상기 복수개의 핀에 상하 방향을 따라 마련되는 복수개의 지지부재 상에 지지되는 복수개의 클램프링을 승강시킴으로써 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수를 조절하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.A substrate processing method of processing a substrate by the substrate processing apparatus of any one of claims 1 and 3 to 11,
Preventing bending deformation of the substrate by applying a load to the circumferential area of the substrate by placing one or more clamp rings on the circumferential area of the substrate supported on the support chuck by a bending deformation preventing device,
The step of preventing the bending deformation is:
determining, by a control unit, elevation heights of a plurality of pins disposed along the circumference of the support chuck and extending in the vertical direction according to at least one of a material of the substrate and a substrate processing process; and
The lift driving unit moves the plurality of pins up and down according to the height of the lift to lift and move a plurality of clamp rings supported on a plurality of support members provided on the plurality of pins in an up-down direction, thereby moving the circumferential area of the substrate. A substrate processing method comprising the steps of adjusting the number of clamp rings to be seated. 제12항에 있어서,
상기 제어부 및 상기 승강 구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 하강함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 증가하고,
상기 제어부 및 상기 승강구동부에 의해 상기 복수개의 핀이 상승함에 따라 상기 기판의 둘레 영역에 안치되는 클램프링의 개수가 감소하는, 기판 처리 방법.According to claim 12,
As the plurality of pins are lowered by the control unit and the lifting driver, the number of clamp rings placed in the circumferential area of the substrate increases,
As the plurality of pins are raised by the control unit and the lifting and lowering driving unit, the number of clamp rings placed in the circumferential region of the substrate decreases. 제12항에 있어서,
상기 굽힘 변형을 방지하는 단계는:
상기 제어부에 의해, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제1 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 제1 클램프링이 안치되도록 하는 제1 모드와, 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 복수개의 핀을 제2 높이만큼 하강시켜 상기 기판의 둘레 영역에 상기 제1 클램프링 및 제2 클램프링이 안치되도록 하는 제2 모드 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판에 인가되는 클램프 하중을 조절하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 12,
The step of preventing the bending deformation is:
A first mode in which the control unit controls the lifting driving unit to lower the plurality of pins by a first height so that the first clamp ring is seated in the circumferential area of the substrate, and controls the lifting driving unit to lower the plurality of pins. Adjusting a clamp load applied to the substrate by selecting one of a second mode in which the pin is lowered by a second height so that the first clamp ring and the second clamp ring are seated in a circumferential region of the substrate. To, the substrate processing method.
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