KR102520166B1 - 안테나 모듈 - Google Patents

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장혜원
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엘에스엠트론 주식회사
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Abstract

별도의 추가부품 없이 접점구조를 안테나 모듈에 일체로 형성할 수 있는 본 발명의 일 측면에 따른 안테나 모듈은, 일면에 접점구조물(120)이 형성되어 있는 베이스 프레임(110); 상기 접점구조물(120)의 일면 상에 레이저 가공에 의해 형성된 제1 방사체 영역(410); 및 상기 제1 방사체 영역(410) 내에 도금되어 형성되고, 무선기기의 메인 PCB(Printed Circuit Board)에 전기적으로 연결되는 제1 방사체 패턴(130)을 포함하고, 상기 접점구조물(120)은, 상기 베이스 프레임(110)의 일면에서 제1 방향(D1)으로 돌출되어 형성된 지지부(122); 및 상기 제1 방사체 영역(410) 및 상기 제1 방사체 패턴(130)이 일면에 형성되어 상기 메인 PCB와 컨택트 접점을 형성하고, 일단은 상기 지지부(122)에 연결되고 타단은 개방되도록 상기 지지부(122)의 일단에서 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 연장되어 형성된 접점부(124)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

안테나 모듈{Antenna Module}
본 발명은 안테나 모듈에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 안테나 모듈의 접점구조에 관한 것이다.
일반적으로 휴대폰이나 무전기 등과 같은 무선기기에는 전파를 송수신하기 위한 안테나가 설치된다. 무선기기의 소형화 및 경량화 추세에 따라 안테나도 소형화되고 있으며, 근래에는 기기에 내장되어 설치될 수 있는 타입의 안테나(이하, '내장형 타입의 안테나'라 함)가 널리 사용되고 있다.
이러한 내장형 타입의 안테나는 무선기기의 내부회로와 전기적으로 연결을 유지하면서 전자기파를 송수신해야 하고, 무선기기 내부의 제한된 공간에 완전히 내장되므로 일단 설치되어 조립된 후에 접점의 불량이나 접속의 불안정에 대하여 적절한 장애 처리를 수행할 수 없다.
따라서, 내장형 타입의 안테나는 무선기기의 내부에 구비되는 메인 PCB(Printed Circuit Board)를 비롯한 내부회로와 안정된 전기적 접속을 유지하는 것이 매우 중요하다.
기존의 내장형 타입의 안테나의 경우 씨클립(C-Clip)과 같은 추가부품을 통해 메인 PCB와의 컨택트 접점을 형성하였다. 하지만, 씨클립과 같은 추가부품을 이용하여 안테나와 메인 PCB간의 컨택트 접점이 형성되는 경우 무선기기의 사용중 발생되는 충격 등에 의해 접속이 불안정해 질 수 있어 안테나의 최대 성능 구현이 제한된다는 문제점이 있다.또한, 기존의 내장형 타입의 안테나의 경우 메인 PCB와의 컨택트 접점 형성을 위해 씨클립과 같은 추가부품 이외에 씨클립을 안테나에 실장하기 위한 별도의 조립부품이 요구되기 때문에 필요한 부품수 및 공정수가 증가하여 안테나 제조비용이 증가하게 되고, 이로 인해 금형의 구조가 복잡해지고 안테나의 공간활용 또한 제한된다는 문제점이 있다.
예를 들어, 대한민국 등록특허 10-1527787에는 일반적인 이동통신 단말기용 접촉단자가 개시되어 있다. 도 1은 일반적인 이동통신 단말기용 접촉단자의 사시도이다.
도 1에 도시된 접촉단자는 기판에 고정되는 바닥판(10)과, 상기 바닥판(10)의 후면으로부터 일정 곡률을 가지면서 위로 둥글게 구부러진 탄성부(20)와, 상기 탄성부의 끝에서 상향 경사지게 연장되어 대상물과 접점을 이루는 접점부(30)를 포함하며, 상기 탄성부의 가운데에는 탄성부의 곡률방향으로 길게 절개된 절개부와 상기 접점부 바로 아래의 바닥판에도 길이 방향으로 길게 절개된 절개부가 형성된 것을 특징으로 한다. 하지만, 도 1에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 접촉단자는 별도로 제작된 후 조립되는 구조로, 복잡한 형상일 뿐만 아니라, 제조 공정이 번거롭고 제조 비용이 많이 소모되는 단점이 있다.
대한민국 등록특허 제10-1527787호(발명의 명칭: 이동통신 단말기용 접촉단자, 공고일: 2015년 06월 12일 공개)
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 별도의 추가부품 없이 접점구조를 안테나 모듈에 일체로 형성할 수 있는 안테나 모듈을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 안테나 모듈은, 일면에 접점구조물(120)이 형성되어 있는 베이스 프레임(110); 상기 접점구조물(120)의 일면 상에 레이저 가공에 의해 형성된 제1 방사체 영역(410); 및 상기 제1 방사체 영역(410) 내에 도금되어 형성되고, 무선기기의 메인 PCB(Printed Circuit Board)에 전기적으로 연결되는 제1 방사체 패턴(130)을 포함하고, 상기 접점구조물(120)은, 상기 베이스 프레임(110)의 일면에서 제1 방향(D1)으로 돌출되어 형성된 지지부(122); 및 상기 제1 방사체 영역(410) 및 상기 제1 방사체 패턴(130)이 일면에 형성되어 상기 메인 PCB와 컨택트 접점을 형성하고, 일단은 상기 지지부(122)에 연결되고 타단은 개방되도록 상기 지지부(122)의 일단에서 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 연장되어 형성된 접점부(124)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 접점구조물(120)은 상기 접점부(124)의 일면에 돌출 형성되어 상기 제1 방사체 패턴(130)이 상기 메인 PCB에 점접촉되게 하는 접점돌기(126)를 더 포함하고, 상기 접점돌기(126)는 상기 점점부(124)의 일면과 상기 제1 방사체 패턴(130) 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.
이러한 실시예에 따르는 경우, 상기 접점돌기(126)의 높이는 0.15mm 이상인 것을 특징으로 하고, 상기 접점구조물(120)의 길이와 상기 베이스 프레임(110)의 일면에서 상기 접점돌기(126)까지의 높이의 비율은 1:0.3~1.2인 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 접점부(124)의 두께는 0.4mm이상일 수 있다.
상술한 실시예에 있어서, 상기 베이스 프레임(110)은 폴리머 소재로 형성될 수 있고, 상기 제1 방사체 패턴(130)은 구리 및 니켈을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 안테나 모듈은 상기 베이스 프레임(110)의 타면 상에 레이저 가공에 의해 형성된 제2 방사체 영역; 및 상기 제2 방사체 영역 내에 도금되어 형성되고, 상기 제1 방사체 패턴(130)과 전기적으로 연결되어 전자기파를 송신 또는 수신하는 제2 방사체 패턴을 더 포함할 수 있다.
상술한 실시예에 있어서, 상기 제1 방사체 패턴(130)은, 제1 도전체층(131); 상기 제1 도전체층(131) 상의 제2 도전체층(132); 및 상기 제2 도전체층(132) 상의 제3 도전체층(133)을 포함하고, 상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)은 상기 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 접촉되는 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 제1 방사체 패턴(130)은, 제1 도전체층(131); 상기 제1 도전체층(131) 상의 제2 도전체층(132); 및 상기 제2 도전체층(132) 상의 제3 도전체층(133)을 포함하고, 상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)은 상기 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 접촉하여 폐공간을 형성하고, 상기 제2 도전체층(132)은 상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)에 의해 형성된 상기 폐공간 내에 배치되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제1 방사체 패턴(130)의 표면은, 4.7 내지 5.7㎛의 산술 평균 높이(Sa: arithmetical mean height) 및 40 내지 55㎛의 최대 높이(Sz; Maximum height)로 표현되는 면적 조도(areal roughness)를 갖는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 베이스 프레임(110)은, 상기 제1 방사체 영역(410)에 포함된 언덕(P1) 및 골(V1)의 표면에 형성된 홀(113)을 포함하고, 홀(113)의 내측면에는 공극(115)이 형성될 수 있다. 이때, 공극(115)은 0.3 내지 3㎛의 깊이를 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 실시예에 따르는 경우 제1 방사체 패턴(130)은 상기 공극(115)에 배치된 시드층(134)을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 안테나 모듈과 메인 PCB간의 컨택트 접점을 형성하기 위한 접점구조가 안테나 모듈의 베이스 프레임 상에 직접 형성되기 때문에 무선기기의 사용중 충격이 발생되더라도 안정적으로 접속을 유지할 수 있고, 이로 인해 안테나가 최대 성능으로 구현되게 할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 접점구조가 베이스 프레임 성형시 베이스 프레임 상에 함께 형성되기 때문에 안테나 모듈과 메인 PCB간의 컨택트 접점을 형성하기 위한 씨클립 및 씨클립 조립부품이 요구되지 않아 필요한 부품수 및 공정수를 감소시킬 수 있어 안테나 제조비용을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다. 특히, 상기의 부품들 모두 소형이기 때문에 정확한 결합에 많은 시간과 노력이 요구되므로 제조효율이 감소할 수 밖에 없지만, 본 발명에 따른 접점구조를 이용하는 경우 불량률을 감소시킬 수 있고, 대량 생산에 적합한 구조를 제공할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 안테나 모듈과 메인 PCB간의 컨택트 접점을 형성하기 위한 씨클립 및 씨클립 조립부품이 요구되지 않기 때문에 금형의 구조를 단순화시킬 수 있고 안테나의 공간활용을 극대화할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 접점구조가 반복 사용되더라도 탄성력 및 복원력이 일정하게 유지되므로 안테나 모듈과 메인 PCB간의 전기적 접촉에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 이동통신 단말기용 접촉단자의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 접점구조물의 확대도이다.
도 5는 산술평균높이(Sa)를 설명하는 개략도이다.
도 6은 최대높이(Sz)를 설명하는 개략도이다.
도 7은 도 2의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 8은 도 7의 B 부분에 대한 확대도이다.
도 9는 도 7의 C 부분에 대한 확대도이다.
도 10은 도 7의 D 부분에 대한 확대도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.
도면에 도시된 실시예들은 특정 실시형태를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시예들의 다양한 변경 (modification), 균등물 (equivalent), 및/또는 대체물 (alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
본 발명에서, "가진다", "가질 수 있다", "포함한다", 또는 "포함할 수 있다" 등의 표현은 해당 특징의 존재를 나타내는 것으로서, 추가적인 특징의 존재를 배제하지 않는 것으로 이해 되어야 한다. 또한, "제1", "제2", "첫째", 또는 "둘째" 등의 표현들은 다양한 구성요소들을, 순서 및/또는 중요도에 관계없이 수식할 수 있고, 해당 구성요소들을 한정하는 의미로 해석되지 않는다. 상기 표현들은 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1 사용자 기기와 제2 사용자 기기는, 순서 또는 중요도와 무관하게, 서로 다른 사용자 기기를 나타낼 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 다양한 실시예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 바꾸어 명명될 수 있다.
본 발명에서 제1 구성요소가 제2 구성요소에 연결되어 있다거나 접속되어 있다고 언급된 때에는, 제1 구성 구성요소가 제2 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 제 구성요소가 제2 구성요소에 "직접" 연결되어 있다거나 "직접" 접속되어 있다고 언급된 때에는, 제1 구성요소와 제2 구성요소 사이에 제3 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어들은 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 다른 실시예의 범위를 한정하려는 의도가 아닐 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 해석되지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈의 평면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 접점구조물의 확대도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈(100)은 베이스 프레임(110), 베이스 프레임(110)에 일체로 형성된 접점구조물(120), 및 제1 방사체 패턴(130)을 포함한다.
베이스 프레임(110)은 안테나 모듈(100)의 바디를 구성하는 것으로서, 본 발명에 따른 베이스 프레임(110)의 일면에는 접점구조물(120)이 일체로 형성된다. 이때, 접점구조물(120)은 베이스 프레임(110)의 성형시 베이스 프레임(110)과 일체로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)은 사출공정을 통해 성형될 수 있다.
베이스 프레임(110)과 접점구조물(120)이 사출공정을 통해 형성되는 경우 베이스 프레임(110)은 도금이 가능한 폴리머 소재로 형성될 수 있다. 예컨대, 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)은 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리에틸렌테레프텔레이드(PET) 및 ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 프레임(110)과 접점구조물(120)은 도금이 가능한 폴리머 소재라면 다른 소재로도 형성될 수 있을 것이다.
일 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 베이스 프레임(110)은 무선기기에 결합되거나 무선기기의 일부가 될 수도 있다. 도 2에서는 베이스 프레임(110)을 예시적으로 도시한 것으로서, 베이스 프레임(110)은 도면에 도시된 형상에 한정되지 않고 다양한 형상으로 구성될 수 있다.
한편, 도 2 내지 도 4에 도시되지는 않았지만 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에는 제1 방사체 패턴(130)이 도금되는 제1 방사체 영역(도 7 및 도 9의 410 참조)이 형성된다. 일 실시예에 있어서, 제1 방사체 영역은 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면 중 제1 방사체 패턴(130)이 형성될 영역에 레이저 가공을 통해 형성된다. 이와 같이, 본 발명에서 레이저 가공을 통해 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에 레이저 가공을 통해 제1 방사체 영역을 형성하는 이유는 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면처리를 통해 제1 방사체 패턴(130)의 형성을 위한 도금이 원활하게 이루어지도록 하기 위한 것이다.
일 실시예에 있어서, 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에 대한 도금물질의 밀착성을 극대화하기 위해 레이저 가공은 1차 레이저 가공 공정 및 2차 레이저 가공 공정으로 구성될 수 있다.
구체적으로, 1차 레이저 가공에서는 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에 제1 방사체 패턴(130)의 형상에 대응되는 패턴으로 레이저를 조사하여 표면을 손상시킴으로써 불규칙적인 미세 스크래치 패턴을 갖는 제1 방사체 영역이 형성된다. 이러한 제1 방사체 영역은 도금시 도금물질을 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에 밀착시켜서 고정력을 높일 수 있는 효과를 제공한다.
2차 레이저 가공에서는 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120)의 표면에 형성된 제1 방사체 영역에 레이저를 조사하여 미세 홀(Hole) 또는 미세 홈(Groove)을 갖는 패턴이 형성된다. 이때, 추가적으로 제1 방사체 패턴(130)의 윤곽선 형상에 대응되는 패턴으로 외곽 라인이 형성될 수도 있다. 패턴을 구성하는 미세 홀 또는 미세 홈의 구조는 도금시 뿌리(Root) 역할을 하는 도금패턴이 형성되도록 함으로써 도금액의 면밀착력을 증가시키는 효과를 제공한다.
접점구조물(120)은 베이스 프레임(110)의 일면에 돌출되게 형성되어 무선기기(미도시)의 메인 PCB(Printed Circuit Board)와 컨택트 접점을 형성한다. 일 실시예에 있어서, 접점구조물(120)은 베이스 프레임(110)의 배면에 형성될 수 있다. 이때, 베이스 프레임(110)의 배면은 메인 PCB와 마주보는 면을 의미한다. 이하, 설명의 편의를 위해 베이스 프레임(110)에서 접점구조물(120)이 형성되는 일면을 배면으로 기재하기로 한다.
접점구조물(120)은 개방된 일 영역을 가져 형상 및 재료의 물성을 근거로 한 탄성을 갖게 되므로, 형상 및 물성에 따라 전기적 접촉 신뢰도에 많은 차이를 가져올 수 있다.
본 발명에 따른 접점구조물(120)은 지지부(122) 및 접점부(124)를 포함하고, 접점돌기(124)를 추가로 포함할 수 있다.
먼저, 지지부(122)는 베이스 프레임(110)의 배면에서 제1 방향(D1)으로 돌출되어 형성된다. 이때, 제1 방향(D1)은 베이스 프레임(110)의 배면에서 메인 PCB 측으로 향하는 방향을 의미한다.
일 실시예에 있어서, 접점부(124)가 연결되는 지지부(122)의 일단은 미리 정해진 곡률을 갖는 곡선 형태로 형성될 수 있다.
상술한 실시예에 있어서 지지부(122)는 베이스 프레임(110)의 배면으로부터 제1 방향(D1)으로 돌출되어 형성되는 것으로 설명하였지만, 다른 실시예에 있어서 베이스 프레임(110)의 형상에 따라 베이스 프레임(110)의 배면에 다른 구조물이 추가로 형성되어 있는 경우 지지부(122)는 다른 구조물의 표면으로부터 제1 방향(D1)으로 돌출되도록 형성될 수도 있을 것이다.
접점부(124)는 지지부(122)로부터 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 연장되도록 형성된다. 구체적으로, 접점부(124)는 그 일단이 지지부(122)에 연결되고 타단이 개방되도록 지지부(122)의 일단에서 제2 방향(D2)으로 연장되게 형성된다.
일 실시예에 있어서, 접점부(124)는 제2 방향으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 테이퍼(Taper) 형상으로 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 접점부(124)가 베이스 프레임(110)의 배면에서 돌출되게 형성된 지지부(122)의 일단에서 연장되어 형성되기 때문에 접점부(124)는 베이스 프레임(110)의 배면으로부터 소정 높이로 이격될 수 있게 된다. 이로 인해, 본 발명에 따른 접점부(124)는 일정한 장력을 유지할 수 있게 되어, 무선기기의 사용 중 충격이 발생하더라도 안정적인 접속을 유지할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 접점부(124)의 길이(L2)는 지지부(122)의 길이(L1)보다 최소한 1.5배 내지 6배로 형성되도록 하여 탄성력을 확보하여 전기적 접촉 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 베이스 프레임(110)의 배면으로부터 접점부(124)까지의 높이는 제2 방향(D2)으로 갈수록 증가될 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 지점(P1)에서 베이스 프레임(110)의 배면으로부터 접점부(124)까지의 제1 높이(H1)는 제2 지점(P2)에서 베이스 프레임(110)의 배면으로부터 접점부(124)까지의 제2 높이(H2)보다 작은 값일 수 있다.
본 발명에 따른 접점부(124)는 그 두께(T1)가 0.4mm이상이 되도록 형성될 수 있다. 이는 접점부(124)의 두께(T1)가 0.4mm보다 작으면 외부 충격 발생시 접점부(124)가 손상될 수 있기 때문이다.
한편, 본 발명에 따른 접점부(124)의 타단에는 접점돌기(126)가 추가로 형성될 수 있다. 접점돌기(126)는 접점부(124)의 타단에서 제1 방향(D1)으로 돌출되게 형성된다. 본 발명에 따른 접점부(124)의 타단에 접점돌기(126)를 추가로 형성하는 이유는 접점부(124)기 메인 PCB에 점접촉될 수 있도록 함으로써 접촉편차가 발생되는 것을 방지하기 위한 것이다.
일 실시예에 있어서, 접점돌기(126)는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 반원형상으로 형성될 수 있고, 이때 접점돌기(126)는 그 높이(H3)가 0.15mm이상이 되도록 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예에 따를 때, 접점구조물(120)은 접점의 반복신뢰성을 향상시키기 위해 접점구조물(120)의 길이(L)와 베이스 프레임의 일면에서 접점돌기(126)까지의 높이(H4)의 비율이 1:0.3~1.2가 되도록 형성될 수 있다.
제1 방사체 패턴(120)은 베이스 프레임(110) 및 접점구조물(120) 상에 배치된다. 구체적으로, 제1 방사체 패턴(124)은 베이스 프레임(110)과 접점구조물(120)상에 형성된 제1 방사체 영역에 전도성 물질로 도금되어 형성됨으로써 메인 PCB에 전기적으로 연결된다. 이러한 경우, 접점돌기(126) 상에 배치된 제1 방사체 패턴(120)이 메인 PCB와 전기적인 컨택트 접점을 형성하게 된다.
일 실시예에 있어서, 제1 방사체 패턴(130)의 표면은 면적조도(Areal Roughness)를 갖는다. 제1 방사체 패턴(130)의 표면은, 면적조도(Areal Roughness)로써 산술평균높이(Sa: Arithmetical Mean Height) 및 최대높이(Sz; Maximum Height)를 가질 수 있다.
산술평균높이(Sa)는 2차원 표면조도인 Ra를 3차원으로 확장한 것을 의미한다. 도 5는 산술평균높이(Sa)를 설명하는 개략도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 산술평균높이(Sa)는 평균면(Mean Plane)에 대한 각 지점의 높이 또는 깊이의 절대값(|Z(x,y)|)의 합을 그 면적으로 나눈 값이다. 여기서, 평균면은 측정영역 내에서 각 지점의 높이의 합의 크기와 깊이의 합의 크기가 동일하게 되는 가상의 면을 의미한다. 따라서, 평균면을 기준으로 높이의 합과 깊이의 합은 그 크기가 서로 동일하다. 다시 말하면, 측정영역에 대한 3차원(3D) 프로파일에 있어서, 평균면으로부터 돌출된 부분(돌출부, P)의 체적의 합(높이의 합)과 평균면으로부터 함몰된 부분(오목부, V)의 체적의 합(깊이의 합의 크기)은 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 산술평균높이(Sa)는 아래의 수학식 1을 이용하여 산출될 수 있다.
Figure 112018110438471-pat00001
수학식 1에서, 면적(A)는 xy 표면을 기준으로 계산된 면적이고, 높이[Z(x,y)]는 z축을 따라 측정된다.
예컨대, 측정대상표면의 3차원(3D) 프로파일에 있어서, 오목부(V)를 돌출부(P)로 반전시키고, 평균면에 대한 각 지점의 높이[Z(x,y)]의 합을 측정대상면적으로 나눔으로써 산술평균높이(Sa)를 구할 수 있다.
한편, 최대높이(Sz)는 측정영역 내에서 가장 높은 돌출부(P)의 높이(절대값)와 가장 깊은 오목부(V)의 깊이(절대값)의 합을 의미한다. 도 6은 최대높이(Sz)를 설명하는 개략도이다. 도 6을 참조하면, 최대높이(Sz)는 측정영역 내에서 평균면(Mean Plane)으로부터 가장 높은 돌출부(P)의 높이와 가장 깊은 오목부(V)의 깊이의 합으로 계산된다. 구체적으로, 최대높이(Sz)는 아래의 수학식 2를 이용하여 산출될 수 있다.
Figure 112018110438471-pat00002
수학식 2에서, Sp는 측정영역 내에서 가장 높은 돌출부(P)의 높이를 나타내고, Sv는 가장 깊은 오목부(V)의 깊이를 나타낸다.
상술한 산술평균높이(Sa) 및 최대높이(Sz)는 ISO 25178의 규격에 따른 측정을 수행하는 측정장치에 의하여 측정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 산술평균높이(Sa) 및 최대높이(Sz)는 형상측정레이저 마이크로스코프(3D Laser Scanning Microscope)인 KEYENCE社의 VK-X1000TM을 이용하여 ISO 25178의 규격에 따라 측정될 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예에 따를 때, 제1 방사체 패턴(130)은 4.7 내지 5.7㎛의 산술평균높이(Sa) 및 40 내지 55㎛의 최대높이(Sz)로 표현되는 면적조도를 가질 수 있다. 이는, 제1 방사체 패턴(130) 표면의 산술평균높이(Sa)가 4.7㎛ 미만이거나 제1 방사체 패턴(130) 표면의 최대높이(Sz)가 40㎛ 미만이면 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 계면의 표면 조도가 낮아, 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130)의 부착성이 저하될 수 있기 때문이다. 또한, 제1 방사체 패턴(130) 표면의 산술평균높이(Sa)가 5.7㎛를 초과하면 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 계면이 과도하게 거칠게 되어 제1 방사체 패턴(130)의 막 안정성이 저하되며, 단선 또는 단락 등이 발생될 수 있기 때문이다. 또한, 제1 방사체 패턴(130) 표면의 최대높이(Sz)가 55㎛를 초과하면 돌출부(P)와 오목부(V) 높낮이 차이가 심하여, 제1 방사체 패턴(130)의 부착력 및 막 안정성이 저하될 수 있기 때문이다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 방사체 패턴(130)은 적어도 하나의 도전제층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 방사체 패턴(130)은 도 7에 도시된 바와 같이 제1 도전체층(131), 제1 도전체층(131) 상의 제2 도전체층(132), 및 제2 도전체층(132) 상의 제3 도전체층(133)을 포함할 수 있다.
제1 도전체층(131)은 도전성을 가지며 베이스 프레임(110)과 우수한 접착성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 도전체층(131)은 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 도전체층(131) 형성을 위해 다른 금속 또는 도전성 재료가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 니켈(Ni) 도금에 의하여 제1 도전체층(131)이 만들어질 수 있다. 니켈(Ni) 도금의 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 공지의 니켈(Ni) 도금의 방법이 적용될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전체층(131)은 니켈(Ni)과 하이포아인산나트륨(Sodium Hypophosphite)(NaH2PO2)을 이용하는 도금에 의하여 만들어질 수 있다. 또한, 제1 도전체층(131) 형성을 위해 황산니켈(NiSO4ㅇ6H2O), 염화니켈(NiCl2ㅇ6H2O), 붕산(H3BO3) 등이 사용될 수도 있다.
제1 도전체층(131)은 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 부착력을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
제1 도전체층(131)은 0.2 내지 2㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 제1 도전체층(131)의 두께가 0.2㎛ 미만인 경우, 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 부착력이 충분하지 않을 수 있다. 반면, 제1 도전체층(131)의 두께가 2㎛를 초과하는 경우, 제1 방사체 패턴(130)의 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 박형화에 불리하고, 제1 방사체 패턴(130)의 박리가 발생할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 도전체층(131)은 0.5 내지 1㎛의 두께를 가질 수 있다.
제2 도전체층(132)은 우수한 도전성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 도전체층(132)은 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 도전체층(132) 형성을 위해 다른 금속 또는 도전성 재료가 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 구리(Cu) 도금에 의하여 제2 도전체층(132)이 만들어질 수 있다. 구리(Cu) 도금의 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 공지의 구리(Cu) 도금 방법이 적용될 수 있다. 예를 들어, 구리(Cu) 도금을 위하여, 구리(Cu)와 함께 수산화나트륨(NaOH), 포름알데하이드(HCHO) 등이 사용될 수 있다.
제2 도전체층(132)은 전파를 송수신하는 메인 도체 역할을 한다.
제2 도전체층(132)은 8 내지 17㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 제2 도전체층(132)의 두께가 8㎛ 미만인 경우, 제1 방사체 패턴(130)의 전기 전도성이 충분하지 못할 수 있다. 반면, 제2 도전체층(132)의 두께가 17㎛를 초과하는 경우, 제1 방사체 패턴(130)의 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 박형화에 불리하다. 보다 구체적으로, 제2 도전체층(132)은 9 내지 15㎛의 두께를 가질 수 있다.
제3 도전체층(133)은, 도전성을 가지며 부식 또는 변성에 대한 저항성이 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 도전체층(133)은 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 도전체층(133) 형성을 위해 다른 금속 또는 도전성 재료가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 니켈(Ni) 도금에 의하여 제3 도전체층(133)이 만들어질 수 있다. 니켈(Ni) 도금의 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 공지의 니켈(Ni) 도금의 방법이 적용될 수 있다. 예를 들어, 제3 도전체층(133)은 니켈(Ni)과 하이포아인산나트륨(Sodium Hypophosphite)(NaH2PO2)을 이용하는 도금에 의하여 만들어질 수 있다. 또한, 제3 도전체층(133) 형성을 위해 황산니켈(NiSO4ㅇ6H2O), 염화니켈(NiCl2ㅇ6H2O), 붕산(H3BO3) 등이 사용될 수도 있다.
제3 도전체층(133)은 제2 도전체층(132) 및 제1 방사체 패턴(130)을 보호하는 역할을 한다.
제3 도전체층(133)은 1 내지 7㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 제3 도전체층(133)의 두께가 1㎛ 미만인 경우, 제2 도전체층(132)이 충분히 보호되지 못할 수 있다. 반면, 제3 도전체층(133)의 두께가 7㎛를 초과하는 경우, 제1 방사체 패턴(130)의 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 박형화에 불리하다.
일 실시예에 있어서, 도 7의 B 부분에 대한 확대도인 도 8에 도시된 바와 같이 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 제1 도전체층(131)과 제3 도전체층(133)이 서로 접촉될 수 있다. 구체적으로, 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 제1 도전체층(131)과 제3 도전체층(133)이 서로 접촉하여 폐공간을 형성하며, 제2 도전체(132)층은 제1 도전체층(131)과 제3 도전체층(133)에 의하여 형성된 폐공간 내에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 도전체층(132)층이 효율적으로 보호될 수 있다. 제2 도전체층(132)층이 외부로 노출되지 않도록 보호됨으로써, 부식이나 내식으로부터 보호되며, 제2 도전체층(132)이 전파를 송수신 하는 메인 도체로써의 역할을 안정적으로 수행할 수 있도록 하여, 전체적인 안테나 모듈의 신뢰성을 향상 시킬 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이 베이스 프레임(110)은 언덕(P1) 및 골(V1)을 포함하는 제1 방사체 영역(410)을 가지며, 제1 방사체 패턴(130)은 제1 방사체 영역(410) 상에 형성된다.
도 7에서 알 수 있듯이, 제1 방사체 패턴(130)은 베이스 프레임(110)의 표면 형상과 거의 동일한 표면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 베이스 프레임(110)은 표면 프로파일(Profile)을 가지며, 제1 방사체 패턴(130)은 박막으로 형성되기 때문에 베이스 프레임(110)의 표면 프로파일이 제1 방사체 패턴(130)에 반영됨으로써 베이스 프레임(110) 상에 형성된 제1 방사체 패턴(130)은 베이스 프레임(110)과 거의 동일한 표면 프로파일(Profile)을 갖게 된다.
따라서, 베이스 프레임(110)의 언덕(P1)에는 제1 방사체 패턴(130)의 볼록부(P)가 형성되고, 베이스 프레임(110)의 골(V1)에는 제1 방사체 패턴(130)의 오목부(V)가 형성된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 방사체 영역(410)이 언덕(P1)과 골(V1)을 포함하는 불규칙한 표면을 가지기 때문에, 도금 등에 의해 제1 방사체 패턴(130)이 형성될 때, 제1 방사체 패턴(130)이 베이스 프레임(110)에 용이하게 부착될 수 있다. 그에 따라, 제1 방사체 패턴(130)의 부착력이 향상된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 방사체 영역(410)에는 어느 한 방향을 따라, 500㎛ 길이당 평균 3 내지 7개의 언덕(P1) 및 평균 3 내지 7개의 골(V1) 형성되어 있다. 그에 따라, 제1 방사체 패턴(130) 역시, 어느 한 방향을 따라, 500㎛ 길이당 3 내지 7개의 돌출부(P) 및 3 내지 7개의 오목부(V)를 갖는다.
이는 제1 방사체 영역(410)의 500㎛ 길이당 언덕(P1) 및 골(V1) 개수가 각각 3개 미만인 경우, 베이스 프레임(110)의 표면 조도가 낮아 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130)의 부착성이 저하될 수 있고, 500㎛ 길이당 언덕(P1) 및 골(V1) 개수가 각각 7개를 초과하면 베이스 프레임(110)의 표면이 과도하게 거칠어 제1 방사체 패턴(130)의 막 안정성이 저하될 수 있기 때문이다.
한편, 도 7의 C 부분에 대한 확대도인 도 9에 도시된 바와 같이, 베이스 프레임(110)의 제1 방사체 영역(410)에 포함된 언덕(P1) 및 골(V1)의 표면에는 홀(113)이 형성될 수 있다. 홀(113)은 베이스 프레임(110)의 성형 이후, 2차 레이저 가공에 의해 형성될 수 있다. 이러한 홀(113)로 인하여, 베이스 프레임(110)의 미세 거칠기가 증가하여, 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130)의 부착력이 향상될 수 있다.
홀(113)은, 예를 들어, 3 내지 30㎛의 깊이를 가질 수 있다. 이는 홀(113)의 깊이가 3㎛ 미만이면 베이스 프레임(110)의 미세 거칠기 증가 정도가 미미하여 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 부착력 향상 효과가 거의 발생되지 않고, 홀(113)의 깊이가 30㎛를 초과하면 과도한 홀(113) 깊이로 인해 제1 방사체 패턴(130)을 구성하는 제1 도전체층(131)이 홀(113)의 바닥까지 연장되어 형성되지 못하여, 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130) 사이의 부착력이 저하될 수 있기 때문이다.
한편, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 방사체 패턴(130)은 베이스 프레임(110)과 제1 도전체층(131) 사이에 배치된 시드층(134)을 더 포함할 수 있다. 시드층(134)은 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130)간의 부착력을 향상시킨다. 시드층(134)은 베이스 프레임(110)을 구성하는 플라스틱과 같은 절연체 및 제1 방사체 패턴(130)의 최하층인 제1 도전체층(131) 모두와 우수한 부착력을 갖는 물질로 만들어진다. 그에 따라, 시드층(134)을 매개로 베이스 프레임(110)과 제1 도전체층(131)이 우수한 결합을 형성함으로써, 제1 방사체 패턴(130)이 베이스 프레임(110)에 안정적으로 부착될 수 있다.
금속 및 플라스틱과 우수한 부착력을 갖는 물질이라면 제한 없이 시드층(134) 형성용 물질로 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 시드층(134)은 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 염화팔라듐(PdCl2)이 용해되어 있는 염산(HCl) 용액에 베이스 프레임(110)을 침지함으로써 시드층(134)이 형성될 수 있다. 또는, 염화주석(SnCl2)이 용해되어 있는 수산화나트륨염산(NaOH) 용액에 베이스 프레임(110)을 침지함으로써 시드층(134)이 형성될 수도 있다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 베이스 프레임(110)은 홀(113)의 내측면에 형성된 공극(115)을 포함할 수 있다. 베이스 프레임(110)은 레이저 조사과정에서 베이스 프레임(110)을 구성하는 성분이 분해 또는 열화(degradation)되는데, 베이스 프레임(110)에 대한 후처리 또는 세정과정에서 이러한 부분들이 제거됨으로써 공극(115)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 공극은 0.3 내지 3㎛의 깊이를 가질 수 있다. 이러한 공극(115)에 의하여 베이스 프레임(110)의 미세 거칠기가 증가되어, 베이스 프레임(110)과 제1 방사체 패턴(130)의 부착력이 향상될 수 있다. 이러한 공극(115)내에 상술한 시드층(134)이 배치될 수 있다.
한편, 도 2 내지 도 4에서 도시하지는 않았지만 본 발명에 따른 안테나 모듈(100)은 제2 방사체 영역 및 제2 방사체 패턴을 더 포함할 수 있다.
제2 방사체 영역은 베이스 프레임(110)의 타면 중 제2 방사체 패턴이 형성될 영역에 레이저 가공을 통해 형성된다. 베이스 프레임(110)의 타면에 레이저 가공을 통해 제2 방사체 영역을 형성하는 이유는 베이스 프레임(110)의 표면처리를 통해 제2 방사체 패턴의 형성을 위한 도금이 원활하게 이루어지도록 하기 위한 것이다.
일 실시예에 있어서, 제2 방사체 영역 형성을 위한 레이저 가공은 제1 방사체 영역의 형성과 유사하게 1차 레이저 가공 공정 및 2차 레이저 가공 공정으로 구성될 수 있다. 1차 및 2차 레이저 가공에 대한 설명은 제1 방사체 영역에 대한 설명에서 기재하였으므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
제2 방사체 패턴은 제2 방사체 영역에 전도성 물질을 이용하여 도금되어 형성된다. 제2 방사체 패턴은 제1 방사체 패턴(130)과 전기적으로 연결되어 전자기파를 송신 또는 수신하는 역할을 수행한다. 제2 방사체 패턴의 물질 및 특성은 제1 방사체 패턴(130)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
한편, 본 발명에 따른 안테나 모듈(100)은 다중대역 안테나를 구현하기 위해 제2 방사체 패턴 이외에 추가 방사체 패턴을 더 포함할 수도 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 베이스 프레임 120: 접점구조물
122: 지지부 124: 접점부
126: 접점돌기 130: 제1 방사체 패턴

Claims (14)

  1. 일면에 접점구조물(120)이 형성되어 있는 베이스 프레임(110);
    상기 접점구조물(120)의 일면 상에 레이저 가공에 의해 형성된 제1 방사체 영역(410); 및
    상기 제1 방사체 영역(410) 내에 도금되어 형성되고, 무선기기의 메인 PCB(Printed Circuit Board)에 전기적으로 연결되는 제1 방사체 패턴(130)을 포함하고,
    상기 접점구조물(120)은,
    상기 베이스 프레임(110)의 일면에서 제1 방향(D1)으로 돌출되어 형성된 지지부(122); 및
    상기 제1 방사체 영역(410) 및 상기 제1 방사체 패턴(130)이 일면에 형성되어 상기 메인 PCB와 컨택트 접점을 형성하고, 일단은 상기 지지부(122)에 연결되고 타단은 개방되도록 상기 지지부(122)의 일단에서 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 연장되어 형성된 접점부(124)를 포함하고,
    상기 접점구조물(120)은 상기 베이스 프레임(110)의 일면에 일체로 형성되고, 상기 접점구조물(120)과 상기 베이스 프레임(110)은 폴리머 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 있는 안테나 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접점구조물(120)은, 상기 접점부(124)의 일면에 돌출 형성되어 상기 제1 방사체 패턴(130)이 상기 메인 PCB에 점접촉되게 하는 접점돌기(126)를 더 포함하고,
    상기 접점돌기(126)는 상기 접점부(124)의 일면과 상기 제1 방사체 패턴(130) 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 접점돌기(126)의 높이는 0.15mm 이상인 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 접점구조물(120)의 길이와 상기 베이스 프레임(110)의 일면에서 상기 접점돌기(126)까지의 높이의 비율은 1:0.3~1.2인 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접점부(124)의 두께는 0.4mm이상인 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방사체 패턴(130)은 구리 및 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 프레임(110)의 타면 상에 레이저 가공에 의해 형성된 제2 방사체 영역; 및
    상기 제2 방사체 영역 내에 도금되어 형성되고, 상기 제1 방사체 패턴(130)과 전기적으로 연결되어 전자기파를 송신 또는 수신하는 제2 방사체 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 안테나 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방사체 패턴(130)은,
    제1 도전체층(131);
    상기 제1 도전체층(131) 상의 제2 도전체층(132); 및
    상기 제2 도전체층(132) 상의 제3 도전체층(133)을 포함하고,
    상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)은 상기 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 접촉되는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방사체 패턴(130)은,
    제1 도전체층(131);
    상기 제1 도전체층(131) 상의 제2 도전체층(132); 및
    상기 제2 도전체층(132) 상의 제3 도전체층(133)을 포함하고,
    상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)은 상기 제1 방사체 패턴(130)의 가장자리에서 접촉하여 폐공간을 형성하고,
    상기 제2 도전체층(132)은 상기 제1 도전체층(131)과 상기 제3 도전체층(133)에 의해 형성된 상기 폐공간 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방사체 패턴(130)의 표면은, 4.7 내지 5.7㎛의 산술 평균 높이(Sa: arithmetical mean height) 및 40 내지 55㎛의 최대 높이(Sz; Maximum height)로 표현되는 면적 조도(areal roughness)를 갖는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 프레임(110)은, 상기 제1 방사체 영역(410)에 포함된 언덕(P1) 및 골(V1)의 표면에 형성된 홀(113)을 포함하고,
    홀(113)의 내측면에는 공극(115)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 공극(115)은 0.3 내지 3㎛의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 방사체 패턴(130)은 상기 공극(115)에 배치된 시드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 모듈.
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