KR102514016B1 - Solar cell module with micro led and manufacturing method thereof - Google Patents

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고려대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 투명기판; 상기 투명기판의 일측 내에 배치된 복수의 태양전지; 및 상기 복수의 태양전지 각각의 비수광면에 배치된 복수의 LED; 를 포함하고, 상기 복수의 태양전지은 상기 투명기판의 일측면과 수직하게 배치되는 태양 전지 모듈을 개시한다.The present invention is a transparent substrate; a plurality of solar cells disposed on one side of the transparent substrate; and a plurality of LEDs disposed on non-light-receiving surfaces of each of the plurality of solar cells. Including, discloses a solar cell module in which the plurality of solar cells are disposed perpendicular to one side surface of the transparent substrate.

Description

마이크로 LED가 설치된 태양광 모듈 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL MODULE WITH MICRO LED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Solar module with micro LED and manufacturing method thereof {SOLAR CELL MODULE WITH MICRO LED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 마이크로 LED가 설치된 태양광 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar module installed with a micro LED and a manufacturing method thereof.

일반적으로 태양광 시스템은, 태양전지를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 시스템으로서, 일반 가정이나 산업용의 독립 전력원으로 이용되거나, 상용 교류전원의 계통과 연계되어 보조 전력원으로 이용된다.In general, a photovoltaic system is a system that converts light energy into electrical energy using solar cells, and is used as an independent power source for general households or industries, or used as an auxiliary power source in conjunction with a commercial AC power system.

이러한, 태양광 시스템은 광전 효과를 이용하여 빛에너지를 전기에너지로 변환시키는 반도체 소자로서, 각각이 플러스(+)와 마이너스(-) 극성을 띠는 2장의 반도체 박막으로 구성되며, 다수의 태양전지 셀(cell)들이 직/병렬로 연결되어 사용자가 필요로 하는 전압 및 전류를 발생시키게 되고, 사용자는 이러한 태양전지에서 발생된 전력을 사용할 수 있게 되는 것이다.This photovoltaic system is a semiconductor device that converts light energy into electrical energy using the photoelectric effect, and is composed of two semiconductor thin films each having positive (+) and negative (-) polarities, and a plurality of solar cells. Cells are connected in series/parallel to generate voltage and current required by the user, and the user can use the power generated by the solar cell.

통상적으로 사용되고 있는 건물 외장형으로 사용되는 계통연계형 태양광 시스템은, 태양에너지를 전기에너지로 변환시키는 다수의 태양전지판(Solar Cell Array)과, 상기 태양전지판에서 변환된 전기에너지인 직류전원을 교류전원으로 변환하여 사용처로 공급하는 인버터(Inverter) 등으로 구성된다.A grid-connected photovoltaic system, which is commonly used as a building exterior type, includes a plurality of solar cell arrays that convert solar energy into electrical energy, and DC power, which is electrical energy converted from the solar arrays, into AC power. It is composed of an inverter that converts it to a user and supplies it to the user.

이러한 태양광 시스템은 태양광의 에너지를 얻기 위해 설치되는 태양전지판의 설치가 시스템의 구성에 있어서 가장 중요한 요소이며, 이러한 태양전지판의 설치는 별도로 확보된 부지에 설치하거나 또는 건물의 옥상 등에 설치하게 된다.In such a photovoltaic system, the installation of solar panels installed to obtain energy from sunlight is the most important factor in configuring the system, and the installation of these solar panels is installed on a separately secured site or installed on the roof of a building.

따라서 건물에 태양광 시스템을 설치하려면 별도의 공간이 확보되어야 하는데, 통상적으로 건물의 옥상에는 냉방장치를 구성하는 냉각탑이 설치되어 있으므로 태양전지판을 설치하기 위한 장소가 협소하고 한정되어 태양전지판의 설치에 제한을 받게 되고 설치작업이 어렵게 된다.Therefore, in order to install a photovoltaic system in a building, a separate space must be secured. Normally, a cooling tower constituting a cooling system is installed on the roof of a building, so the place for installing the solar panel is narrow and limited, so it is difficult to install the solar panel. It is limited and difficult to install.

이러한 단점을 보완하고자 건축물의 채광 및 환기를 위해 설치된 창호시스템에 태양광 시스템이 적용된 사례가 있다.In order to compensate for these disadvantages, there is a case in which a photovoltaic system is applied to a window system installed for lighting and ventilation of a building.

즉, 대한민국 등록특허 제10-0765965호에는 태양전지를 이용한 창호가 개시되어 있다.That is, Korean Patent Registration No. 10-0765965 discloses a window using a solar cell.

이러한 종래 기술 중 태양전지를 이용하는 창호에 관하여 도 1을 참조하여 설명한다.Among these conventional technologies, windows and doors using solar cells will be described with reference to FIG. 1 .

도 1은 종래의 창호의 사시도이다.1 is a perspective view of a conventional window or door.

도 1을 참조하면, 종래의 창호(10)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지판(11)과, 상기 태양전지판(11)의 테두리에 결합되며 건물 벽체(12)의 개구부(13) 상에 치부되어 고정되는 프레임(11a)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional window 10 is coupled to a solar panel 11 that converts solar energy into electrical energy and to an edge of the solar panel 11, and is placed on an opening 13 of a building wall 12. It is configured to include a frame (11a) that is fixed and fixed to the.

즉, 종래의 창호(10)는 직사각형 형태를 이루는 프레임(11a)의 내측 중앙부에 태양전지판(11)이 고정되고, 상기 태양전지판(11)의 전면측과 후면측에는 건물 벽체(12)의 외측에 위치하게 되는 외측 유리창과 내측에 위치하게 되는 내측 유리창이 상기 태양전지판(11)과 소정 거리 이격 배치되어 고정된 구조를 이루고 있다.That is, in the conventional window 10, the solar panel 11 is fixed to the inner central portion of the frame 11a forming a rectangular shape, and the front and rear sides of the solar panel 11 are attached to the outside of the building wall 12. An outer glass window to be positioned and an inner glass window to be positioned inside are arranged at a predetermined distance from the solar panel 11 to form a fixed structure.

또 다른 한편, 대부분의 창호 설치시에는 사생활 보호를 위해 블라인드나 버티컬 등의 장치를 별도로 설치하는 경우가 있으며, 이에 따른 비용도 적지 않게 소요되고 있다.On the other hand, when most windows are installed, devices such as blinds or verticals may be separately installed for privacy protection, and accordingly, a considerable amount of cost is required.

이와 같이 종래에는 창호와 블라인드가 별도로 존재하여 비용이나 공간면에서 효율적이지 못하다.As such, in the prior art, windows and blinds exist separately, which is not efficient in terms of cost or space.

최근에는 건축물의 유리에 직접 부착되어 설치되는 방법이 제시되고 있다.Recently, a method of directly attaching and installing the glass to the glass of a building has been proposed.

즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 단결정 또는 다결정으로 만들어진 다수의 태양전지 셀(21) 들을 강화유리 기판(22a, 22b)의 사이에 배치하고, EVA 필름(23)을 이용하여 이들을 부착시켜서 제작된다.That is, as shown in FIG. 2, a plurality of solar cells 21 made of single crystal or polycrystal are disposed between tempered glass substrates 22a and 22b, and manufactured by attaching them using an EVA film 23 do.

상기와 같이 제작된 종래의 태양전지모듈(20)은 보통 앞면이 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 파란색이나 검정색을 띄고, 후면은 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 거의 회색 색상을 띄우고 있다.The conventional solar cell module 20 manufactured as described above usually has a blue or black color on the front side, as shown in FIG. 3(a), and a nearly gray color on the rear side, as shown in FIG. 3(b). is launching

이와 같은 종래의 태양전지모듈(20)은 태양전지 셀(21)의 후면에 전극 선(23b)을 형성하기 위하여 실버 페이스트(Ag)로 폭 3-5mm의 2개의 전극 선을 스크린 프린팅 형성하며, 적외선 램프(IR Lamp)를 장착한 롤 컨베이어에서 건조시킨다. 이와 같이 건조된 전극 선(23b)의 색상은 밝은 회색에 가깝다.In such a conventional solar cell module 20, in order to form the electrode line 23b on the rear surface of the solar cell 21, two electrode lines having a width of 3-5 mm are formed by screen printing with silver paste (Ag), It is dried on a roll conveyor equipped with an IR lamp. The color of the dried electrode line 23b is close to light gray.

이와 같은 태양전지 셀(210)들은 P-type 웨이퍼에 N층을 증착하거나, N-type 웨이퍼에 P층을 증착하여 만들어진다. P-type을 사용하였을 때, 각각의 태양전지 셀(210)의 뒷면이 플러스(+), 앞면이 마이너스(-)의 전기 극성을 갖는다. Such solar cells 210 are made by depositing an N layer on a P-type wafer or depositing a P layer on an N-type wafer. When P-type is used, the back side of each solar cell 210 has positive (+) and the front side has negative (-) electrical polarity.

이와 같은 태양전지 셀(21)들을 이용하여 태양전지모듈(20)을 만들 때에는 각각의 태양전지 셀(21)들을 직, 병렬로 연결한다.When manufacturing the solar cell module 20 using the solar cells 21 as described above, each solar cell 21 is connected in series or in parallel.

이때 태양전지 셀(21)들을 연결하기 위하여 연결 리본(Interconnector Ribbon)(24)을 사용하게 되며, 이와 같은 연결 리본(24)의 재질은 통상 Sn+Pb+Ag, Sn+Ag, Sn+Ag+Cu 로 되어있으며, 직렬연결시 태양전지 셀(21)의 앞면에 형성된 폭 1-3mm의 마이너스(-) 극성의 실버 페이스트 전극 선(23a)을 다른 태양전지 셀의 뒷면에 형성된 폭 3-5mm의 플러스(+) 극성의 실버페이스트 전극 선(23b)에 연결 리본(24)을 통하여 연결한다.At this time, an interconnector ribbon 24 is used to connect the solar cells 21, and the material of such a connection ribbon 24 is usually Sn+Pb+Ag, Sn+Ag, Sn+Ag+ It is made of Cu, and when connected in series, a silver paste electrode line 23a of minus (-) polarity with a width of 1-3 mm formed on the front side of the solar cell 21 is connected to a silver paste electrode line 23a with a width of 3-5 mm formed on the back side of another solar cell 21. It is connected to the positive (+) polarity silver paste electrode line 23b through the connection ribbon 24.

이와 같이 태양전지 셀(21)들을 연결하는 연결 리본(24)의 폭은 1.5 - 3mm, 두께 0.01 - 0.2mm을 사용한다.As such, the width of the connection ribbon 24 connecting the solar cells 21 is 1.5 to 3 mm and the thickness is 0.01 to 0.2 mm.

그 연결방법은 적외선 램프(IR Lamp), 할로겐 램프, 고온 가열(Hot Air)에 의한 간접 연결방식과 인두기에 의한 직접 연결방식으로 이루어진다.The connection method consists of an indirect connection method by an infrared lamp (IR Lamp), a halogen lamp, and a high-temperature heating (Hot Air) and a direct connection method by an iron.

한편, 상기 태양전지모듈(20)의 유리 기판(22a, 22b) 사이에 위치되는 EVA 필름(23)은 온도 80℃에서 녹기 시작하여 온도 140℃정도에서 맑고 투명하게 되어 태양전지 셀(21)과 유리 기판을 접합하게 되며, 태양전지 셀(21)로 향하여 외부로부터의 습기와 공기의 침투를 막아 태양전지 셀(21)의 실버(silver) 전극 선(23a)(23b)과 리본(24)의 부식이나 쇼트를 방지한다.On the other hand, the EVA film 23 positioned between the glass substrates 22a and 22b of the solar cell module 20 begins to melt at a temperature of 80 ° C and becomes clear and transparent at a temperature of about 140 ° C. The glass substrate is bonded, and the penetration of moisture and air from the outside toward the solar cell 21 is prevented, and the silver electrode wires 23a and 23b of the solar cell 21 and the ribbon 24 Prevent corrosion or short circuit.

이러한 EVA 필름(23)은 라미네이터기(미도시)에 의하여 라미네이팅 시, 태양전지모듈(20)의 이중접합유리 기판(22a)(22b) 사이에서 녹아 맑고 투명하게 보이도록 하며, 이때 태양전지 셀(21)과 연결 리본(24)을 제외하고 나머지 부분이 투명하게 보인다.When the EVA film 23 is laminated by a laminator (not shown), it melts between the double-laminated glass substrates 22a and 22b of the solar cell module 20 to make it look clear and transparent. At this time, the solar cell ( 21) and the connecting ribbon 24, the remaining parts are transparent.

이러한 종래의 BIPV용 태양전지모듈(20)은 단결정 또는 다결정의 태양전지 셀(21)을 이용하여 제작되는데, 태양전지 셀(21)의 제조 형태에 따라 건물의 이중유리 기판(22a, 22b) 사이에 배치되어 건물 안 밖에서 그대로 보이게 된다.The conventional solar cell module 20 for BIPV is manufactured using a single-crystal or polycrystalline solar cell 21, depending on the manufacturing form of the solar cell 21, between the double glass substrates 22a and 22b of the building. placed on the inside and outside of the building.

이와 같이 건물에 장착되는 태양전지모듈(20)은 그 앞면의 색상은 진공장비인 PECVD 및 APCVD(미 도시)에 의한 전극 형성과 반사 방지막을 스크린 프린팅으로 증착하는 과정에서 색상을 띄게 된다. 보통은 전면이 파란색이나 검정색의 색상을 띄게 되지만, 태양전지모듈(20)의 후면(BSF : Back-Surface Field)은 전극을 형성하기 위하여 알루미늄(Al)으로 진공장비(미 도시)에 의하여 증착되기 때문에 색상은 회색을 띄우게 된다.As such, the color of the front surface of the solar cell module 20 mounted on the building is colored during electrode formation by vacuum equipment PECVD and APCVD (not shown) and deposition of an antireflection film by screen printing. Usually, the front surface has a blue or black color, but the back surface (BSF: Back-Surface Field) of the solar cell module 20 is deposited with aluminum (Al) by vacuum equipment (not shown) to form an electrode Because of this, the color appears gray.

또한, 상기와 같은 종래의 태양전지모듈(20)은 유리 기판(22a, 22b)의 내부에 수개 내지 수십 개의 태양전지(21) 들을 연결 리본(24)으로 연결하고 있으며, 이와 같은 연결 리본(24)들은 일정하게 직선을 유지하지 못하고, 휘고 꾸불거린 상태로 된다.In addition, the conventional solar cell module 20 as described above connects several to dozens of solar cells 21 inside the glass substrates 22a and 22b with a connection ribbon 24, and such a connection ribbon 24 ) do not maintain a constant straight line, but become bent and twisted.

이 상태에서 태양전지모듈(20)을 라미네이팅하여 완성시키면, 유리 기판(22a, 22b) 내에서 태양전지 셀(21)들을 연결하는 연결 리본(24)의 모양이 전체적으로 휘고, 균일하지 않아 보인다.In this state, when the solar cell module 20 is laminated and completed, the shape of the connection ribbon 24 connecting the solar cells 21 within the glass substrates 22a and 22b is bent as a whole and looks non-uniform.

또한, 종래의 태양전지모듈(20)에서 연결 리본(24)의 색상은 은색을 띄우며, BIPV용 태양전지모듈(20)을 제작하는 경우, 연결 리본(24)은 그 색상 그대로 앞, 뒷면이 은색으로 노출된다.In addition, in the conventional solar cell module 20, the color of the connection ribbon 24 is silver, and in the case of manufacturing the solar cell module 20 for BIPV, the front and back sides of the connection ribbon 24 remain silver exposed to

따라서, 종래의 태양전지모듈(20)에서는 그 후면과 연결 리본(24)의 색상은 회색과 은색을 띄우고 있기 때문에, 이중 접합 태양전지모듈(20)을 제작할 때, 태양전지모듈(20)의 앞면에서 연결 리본(24)의 은색이 전면 유리 기판(22a)(22b)을 통하여 외부로 노출되고, 후면의 회색과 은색 색상이 그대로 보이며, 연결 리본(24) 선들이 휘고 꾸불꾸불하게 보이기 때문에, 도시 건물의 유리 대용으로 태양전지모듈(20)을 부착하였을 때, 미관상 좋지 않다.Therefore, in the conventional solar cell module 20, since the colors of the back side and the connection ribbon 24 are gray and silver, when the double junction solar cell module 20 is manufactured, the front side of the solar cell module 20 Since the silver color of the connection ribbon 24 is exposed to the outside through the front glass substrates 22a and 22b, the gray and silver colors on the back side are visible, and the lines of the connection ribbon 24 are bent and twisted, When the solar cell module 20 is attached as a substitute for glass in a building, it is not aesthetically pleasing.

[특허문헌 001] 대한민국 공개특허 제2012-0117085호,(2012년10월24일)[Patent Document 001] Republic of Korea Patent Publication No. 2012-0117085, (October 24, 2012) [특허문헌 002] 대한민국 공개특허 제2013-0059170호,(2013년06월05일)[Patent Document 002] Republic of Korea Patent Publication No. 2013-0059170, (06/05/2013)

본 발명은 안정성이 확보된 고효율의 태양전지를 마이크로미터 크기의 다양한 형태로 제작하여 모듈화 함으로써 투명도를 높여 시선을 방해받지 않아 어느 장소에나 설치가 가능함과 동시에 태양광의 입사각이 증가하여 발전량을 향상시킬 수 있는 LED가 설치된 태양광 모듈 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, high-efficiency solar cells with stability are manufactured in various forms of micrometer size and modularized to increase transparency so that they can be installed in any place without obstructing the line of sight and at the same time increase the incident angle of sunlight to improve the amount of power generation. It is an object of the present invention to provide a solar module with an LED installed thereon and a method for manufacturing the same.

또한, 본 발명은 박막 태양전지의 비수광면에 LED를 배치하여 광전 효율을 저하시키지 않고, LED가 설치된 태양광 모듈 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a solar module equipped with LEDs and a manufacturing method thereof without deteriorating photoelectric efficiency by arranging LEDs on a non-light-receiving surface of a thin film solar cell.

또한, 본 발명에서 마이크로 LED는 종래 LED에 비해 소자의 전력효율이 우수하여 태양광 모듈에 도입할 경우 외부 전력 공급 없이 발광이 가능하다.In addition, in the present invention, the micro LED has excellent power efficiency compared to the conventional LED, so that when introduced into a solar module, it is possible to emit light without external power supply.

또한, 본 발명은 마이크로 LED의 초소형 픽셀 크기에 기반하여, 마이크로 LED가 설치된 태양광 모듈은 초고해상도의 구현이 가능하고, 높은 최대 밝기와 무한대에 가까운 명암비를 통해 일조량이 높은 시간대에도 우수한 가시성을 나타낼 수 있다. 또한, 후면광, 액정 층, 편광 층이 필요하지 않다.In addition, based on the subminiature pixel size of the micro LED, the solar module in which the micro LED is installed can implement ultra-high resolution, and exhibits excellent visibility even at times of high sunlight through a high maximum brightness and a contrast ratio close to infinity. can Also, no back light, liquid crystal layer, or polarization layer is required.

한편, 본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, the technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems that are not mentioned will become clear to those skilled in the art from the description below. You will be able to understand.

본 발명의 실시예에 따른 태양광 모듈은 투명기판; 상기 투명기판의 일측 내에 배치된 복수의 태양전지; 및 상기 복수의 태양전지 각각의 비수광면에 배치된 복수의 LED; 를 포함하고, 상기 복수의 태양전지은 상기 투명기판의 일측면과 수직하게 배치될 수 있다.A solar module according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate; a plurality of solar cells disposed on one side of the transparent substrate; and a plurality of LEDs disposed on non-light-receiving surfaces of each of the plurality of solar cells. Including, the plurality of solar cells may be disposed perpendicular to one side of the transparent substrate.

또한, 상기 투명기판의 타측면에 배치된 유리층; 을 더 포함할 수 있다.In addition, a glass layer disposed on the other side of the transparent substrate; may further include.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 태양광 모듈의 제조 방법은 제1영역과 제2영역이 설정된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 제1영역을 제거하는 단계; 상기 제2영역에서 상기 반도체 기판을 기준으로 복수의 태양전지을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판과 수직하도록 상기 복수의 태양전지을 절곡하는 단계; 및 상기 태양전지의 비수광면에 LED를 연결하는 단계; 를 포함할 수 있다.Meanwhile, a method of manufacturing a solar module according to an embodiment of the present invention includes preparing a semiconductor substrate on which a first region and a second region are set; removing the first region; forming a plurality of solar cells based on the semiconductor substrate in the second region; bending the plurality of solar cells to be perpendicular to the semiconductor substrate; and connecting an LED to a non-light-receiving surface of the solar cell. can include

또한, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서, 상기 반도체 기판의 높이 방향에서 제1영역과 제2영역은 상호 교차되어 배열될 수 있다.Also, in the step of preparing the semiconductor substrate, the first region and the second region may be arranged to cross each other in a height direction of the semiconductor substrate.

또한, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서, 상기 반도체 기판의 높이 방향에서 제1영역의 높이는 제2영역의 높이 대비 1배 내지 2배일 수 있다.In the step of preparing the semiconductor substrate, the height of the first region in the height direction of the semiconductor substrate may be 1 to 2 times greater than the height of the second region.

또한, 상기 태양전지을 형성하는 단계에서, 상기 반도체 기판의 전면에 에미터부, 패시베이션 및 전면전극을 형성하고, 상기 반도체 기판의 후면에 후면 전계부 및 후면전극을 형성하고, 상기 반도체 기판의 전면이 수광면일 수 있다.In addition, in the step of forming the solar cell, an emitter portion, a passivation layer, and a front electrode are formed on the front surface of the semiconductor substrate, a rear surface field portion and a rear electrode are formed on the rear surface of the semiconductor substrate, and the front surface of the semiconductor substrate receives light It can be cotton.

또한, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서, 상기 반도체 기판은 유연할 수 있다.Also, in the step of preparing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate may be flexible.

또한, 상기 LED를 연결하는 단계에서, 상기 LED는 상기 태양전지의 전면전극 및 후면전극에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, in the step of connecting the LEDs, the LEDs may be electrically connected to the front and rear electrodes of the solar cell.

또한, 상기 태양전지을 형성하는 단계에서, 상기 반도체 기판의 측면에 전면전극 및 후면전극과 전기적으로 연결된 도전체를 형성할 수 있다.In addition, in the forming of the solar cell, a conductor electrically connected to the front electrode and the rear electrode may be formed on the side surface of the semiconductor substrate.

또한, 상기 LED를 연결하는 단계에서, 상기 LED는 상기 태양전지의 측면 상에 배치되고, 상기 도전체를 통해 상기 태양전지의 전면전극 및 후면전극에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, in the step of connecting the LEDs, the LEDs may be disposed on a side surface of the solar cell and electrically connected to the front electrode and the rear electrode of the solar cell through the conductor.

본 발명의 실시예에 따르면, 안정성이 확보된 고효율의 태양전지를 마이크로미터 크기의 다양한 형태로 제작하여 모듈화 함으로써 투명도를 높여 시선을 방해받지 않아 어느 장소에나 설치가 가능함과 동시에 태양광의 입사각이 증가하여 발전량을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, high-efficiency solar cells with stability secured are manufactured in various forms of micrometer size and modularized to increase transparency so that they can be installed in any place without obstructing the line of sight and at the same time increase the incident angle of sunlight. power generation can be improved.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 박막 태양전지의 비수광면에 LED를 배치하여 광전 효율을 저하시키지 않을 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the photoelectric efficiency may not be reduced by disposing the LED on the non-light-receiving surface of the thin film solar cell.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 마이크로 LED는 종래 LED에 비해 소자의 전력효율이 우수하여 태양광 모듈에 도입할 경우 외부 전력 공급 없이 발광이 가능하다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the power efficiency of the micro LED is superior to that of the conventional LED, and when introduced into a solar module, it is possible to emit light without external power supply.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 마이크로 LED의 초소형 픽셀 크기에 기반하여, 마이크로 LED가 설치된 태양광 모듈은 초고해상도의 구현이 가능하고, 높은 최대 밝기와 무한대에 가까운 명암비를 통해 일조량이 높은 시간대에도 우수한 가시성을 나타낼 수 있다. 또한, 후면광, 액정 층, 편광 층이 필요하지 않다.In addition, according to an embodiment of the present invention, based on the micro-pixel size of the micro-LED, the solar module in which the micro-LED is installed can implement ultra-high resolution, and has a high maximum brightness and a contrast ratio close to infinity, during times of high sunlight. It can also show excellent visibility. Also, no back light, liquid crystal layer, or polarization layer is required.

한편, 본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, the effects obtainable in the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below. You will be able to.

도 1은 종래의 창호의 사시도이고,
도 2는 종래의 태양광 모듈을 나타낸 단면도이고,
도 3은 종래의 태양광 모듈을 나타낸 정면도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 모듈을 나타낸 구성도이고,
도 5는 태양전지의 수평 배열과 수직 배열 상태를 비교하여 나타낸 구성도이고,
도 6은 본 발명의 태양광 모듈의 태양전지 수평 및 수직 배열에 따른 각도별 투과도와 생성 전류 밀도를 나타낸 그래프이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 모듈의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고,
도 8 내지 도 15은 본 발명의 태양광 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.1 is a perspective view of a conventional window and door,
2 is a cross-sectional view showing a conventional solar module,
3 is a front view showing a conventional solar module,
4 is a configuration diagram showing a solar module according to an embodiment of the present invention;
5 is a configuration diagram showing a comparison between a horizontal arrangement and a vertical arrangement of solar cells;
6 is a graph showing the transmittance and generated current density for each angle according to the horizontal and vertical arrangement of the solar cells of the solar module of the present invention,
7 is a flowchart showing a manufacturing method of a solar module according to an embodiment of the present invention;
8 to 15 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing a solar module according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.

본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안을 명확하게 하기 위한 발명의 구성을 본 발명의 바람직한 실시 예에 근거하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 도면의 구성요소들에 참조번호를 부여함에 있어서 동일 구성요소에 대해서는 비록 다른 도면상에 있더라도 동일 참조번호를 부여하였으며 당해 도면에 대한 설명 시 필요한 경우 다른 도면의 구성요소를 인용할 수 있음을 미리 밝혀둔다.The composition of the present invention for clarifying the solution to the problem to be solved by the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings based on a preferred embodiment of the present invention, but the same reference numerals are assigned to the components of the drawings. For components, even if they are on other drawings, the same reference numerals have been given, and it is made clear in advance that components of other drawings can be cited if necessary in the description of the drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 모듈을 나타낸 구성도이다.4 is a configuration diagram showing a solar module according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양전지(110), 마이크로 LED(120), 투명기판(130) 및 유리층(140)을 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 4 , a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention may include a solar cell 110, a micro LED 120, a transparent substrate 130, and a glass layer 140. .

태양전지(110)은 투명기판(130)의 일측 내부에 삽입된 형상으로 배치될 수 있다.The solar cell 110 may be disposed in a shape inserted into one side of the transparent substrate 130 .

여기서, 태양전지(110)은 두께(T1)와 너비(W)를 갖는 박막 형상으로 형성될 수 있다.Here, the solar cell 110 may be formed in a thin film shape having a thickness T1 and a width W.

예컨대, 태양전지(110)은 두께가 50~300um인 단면 또는 양면수광 실리콘형 태양전지(110)이 적용될 수 있다.For example, the solar cell 110 may be a single-sided or double-sided light-receiving silicon solar cell 110 having a thickness of 50 to 300 um.

구체적으로, 본 발명에서 적용되는 태양전지(110)은 그 종류에 제한을 두지 않으나, 본 발명에서는 유연한 반도체 기판을 갖는 태양전지 등을 적용할 수 있다.Specifically, the solar cell 110 applied in the present invention is not limited in its type, but in the present invention, a solar cell having a flexible semiconductor substrate may be applied.

한편, 태양전지(110) 실리콘 태양전지로 구성될 수 있다. 실리콘 태양전지는 박막 증착 온도, 사용되는 기판의 종류 및 증착방법에 따라 다양하게 분류될 수 있는데, 광흡수층의 결정 특성에 따라 크게 비정질(amorphous)과 결정질(crystalline) 실리콘 박막 태양전지로 분류될 수 있다.Meanwhile, the solar cell 110 may be composed of a silicon solar cell. Silicon solar cells can be classified in various ways depending on the thin film deposition temperature, the type of substrate used and the deposition method, and can be largely classified into amorphous and crystalline silicon thin film solar cells according to the crystal characteristics of the light absorption layer. there is.

대표적인 실리콘 태양전지인 비정질 실리콘(amorphous Si, a-Si) 태양전지는 비정질 실리콘을 유리층(140) 기판 사이에 주입해 만드는 태양전지이다.An amorphous Si (a-Si) solar cell, which is a typical silicon solar cell, is a solar cell made by injecting amorphous silicon between glass layer 140 substrates.

또한, 실리콘 태양전지는 비정질 실리콘 박막 위에 다결정 실리콘 막을 한 접 더 적층하는 이중접합(tandem) 또는 그 위에 실리콘 막을 한 겹 더 얹는 삼중접합(triple junction) 등의 다중접합 구조로 제조하거나, 하이브리드 구조로 제조하여 전환 효율을 결정질 실리콘 태양전지 수준으로 높이고 있다.In addition, silicon solar cells are manufactured with a multi-junction structure such as a tandem in which one more layer of a polycrystalline silicon film is stacked on top of an amorphous silicon thin film, or a triple junction in which one more layer of a silicon film is placed on top of it, or a hybrid structure. It is manufactured to increase the conversion efficiency to the level of crystalline silicon solar cells.

상기와 같은 특징을 갖는 실리콘 태양전지가 적용된 태양전지(110)은 투명 기능을 갖도록 투명기판(130) 내에 삽입 또는 몰딩되어 설치된다.The solar cell 110 to which the silicon solar cell having the above characteristics is applied is inserted or molded into the transparent substrate 130 to have a transparent function.

본 발명에서는 상기와 같은 박막의 태양전지(110)은 투명기판(130)의 높이 방향과 수직한 수평 배열로 설치되어 태양광의 입사각의 간섭에 방해되지 않고, 사용자(1)의 시야의 범위에서 간섭되지 않는 범위로 설치된다.In the present invention, the solar cells 110 of the thin film as described above are installed in a horizontal arrangement perpendicular to the height direction of the transparent substrate 130 so as not to interfere with the interference of the angle of incidence of sunlight and interference in the field of view of the user 1. It is installed in a range that does not

한편, 태양전지(110)은 높이 방향(Z축 방향)으로 상호 이격되어 배치된 복수의 태양전지(110)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the solar cell 110 may include a plurality of solar cells 110 spaced apart from each other in a height direction (Z-axis direction).

여기서, 복수의 태양전지(110)은 상호 등간격으로 이격되도록 배치되는 것이 바람직하고, 투명기판(130) 내에서 수평 배열로 설치되어 사용자(1)의 시야의 범위에서 간섭되지 않는 범위에 설치된다.Here, the plurality of solar cells 110 are preferably arranged to be spaced apart from each other at equal intervals, and are installed in a horizontal arrangement within the transparent substrate 130 so as not to interfere with the user 1's field of view. .

여기서, 수평 배열이란, 높이 방향(Z축 방향)으로 기립된 상태의 투명기판(130)의 일측면과 수직한 너비 방향(X축 방향)으로 너비를 갖도록 배치된 것을 의미한다.Here, the horizontal arrangement means arrangement having a width in the width direction (X-axis direction) perpendicular to one side of the transparent substrate 130 in a standing state in the height direction (Z-axis direction).

한편, 본 발명의 제1실시예에서 수직하다는 것은 상호 이루는 각도가 직각에 인접한 각도(예컨대, 투명기판(130) 내에서 수평 배열로 설치되며, 입사되는 태양광(L)을 상부에 형성된 수광면(111)을 통해 수집하여 광전으로 변화시킬 수 있다.On the other hand, in the first embodiment of the present invention, being vertical means that the angle formed by each other is an angle adjacent to a right angle (eg, installed in a horizontal arrangement within the transparent substrate 130, and the light receiving surface formed on the upper portion of the incident sunlight L). It can be collected through (111) and converted into photoelectricity.

마이크로 LED(120)는 태양전지(110) 각각의 비수광면에 배치될 수 있다.The micro LED 120 may be disposed on a non-light-receiving surface of each solar cell 110 .

여기서, 태양전지(110)의 비수광면은 수광이 이루어져 광전하는 면을 제외한 나머지 면일 수 있다.Here, the non-light-receiving surface of the solar cell 110 may be a surface other than a surface on which light is received and photoelectrically charged.

LED(120)는 태양전지(110)에서 전류를 공급받을 수 있도록, 태양전지(110)에 전기적으로 연결될 수 있다.The LED 120 may be electrically connected to the solar cell 110 so that current may be supplied from the solar cell 110 .

한편, LED(120)는 태양전지(110)에서 공급된 전류를 저장하는 저장부(미도시)에서 전류를 공급받을 수도 있다.Meanwhile, the LED 120 may receive current supplied from a storage unit (not shown) that stores the current supplied from the solar cell 110 .

투명기판(130)은 너비 방향(X축 방향)에서 일측면과 일측면의 반대측 면인 타측면을 포함한다.The transparent substrate 130 includes one side surface in the width direction (X-axis direction) and the other side surface opposite to the one side surface.

유리층(140)은 사용자(1) 측을 향하도록 투명기판(130)의 타측면에 접합되어 배치될 수 있다. 유리층(140)은 투명의 기능을 수행하면서 창호로 적용이 가능한 동시에 단열 에너지의 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The glass layer 140 may be bonded to and disposed on the other side of the transparent substrate 130 so as to face the user 1 side. The glass layer 140 has the advantage of being able to improve the efficiency of insulation energy while performing the function of transparency and being applicable to windows and doors.

상세히 도시하지 않았지만, 구체적인 일 예의 태양전지(110)는 반도체 기판, 반도체 기판의 수광면, 예컨대 빛이 입사되는 면에 위치하는 에미터부, 에미터부 위에 위치하는 전면 전극, 에미터부 위에 위치하며 전면 전극과 교차하는 전면 전극용 집전부, 전면 전극 및 전면 전극용 집전부가 위치하지 않는 에미터부 위에 위치하는 패시베이션, 및 수광면의 반대쪽 면, 즉 반도체 기판의 후면에 위치하는 후면 전극을 포함한다.Although not shown in detail, a specific example of the solar cell 110 is a semiconductor substrate, a light receiving surface of the semiconductor substrate, for example, an emitter unit located on a surface on which light is incident, a front electrode located on the emitter unit, and a front electrode located on the emitter unit and a front electrode current collector crossing the front electrode, a passivation layer positioned on the emitter portion where the front electrode and the front electrode current collector are not located, and a rear electrode positioned on the opposite side of the light receiving surface, that is, on the rear surface of the semiconductor substrate.

태양전지(110)는 후면 전극과 반도체 기판 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부를 더 포함한다. 후면 전계부는 반도체 기판과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이며, 반도체 기판의 후면 내측에 위치한다.The solar cell 110 further includes a back surface field (BSF) part formed between the back electrode and the semiconductor substrate. The back surface field region is a region doped with impurities of the same conductivity type as the semiconductor substrate at a higher concentration than the semiconductor substrate, for example, a p+ region, and is located inside the back surface of the semiconductor substrate.

이러한 후면 전계부는 전위 장벽으로 작용하게 된다. 따라서, 반도체 기판의 후면부 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소되므로 태양전지(110)의 효율이 향상된다.This back surface field part acts as a potential barrier. Therefore, the efficiency of the solar cell 110 is improved because electrons and holes recombine and disappear on the rear side of the semiconductor substrate are reduced.

반도체 기판은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 반도체 기판이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다.The semiconductor substrate is a semiconductor substrate made of silicon of a first conductivity type, for example, a p-type conductivity type. In this case, silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, or amorphous silicon. When the semiconductor substrate has p-type conductivity, it contains impurities of trivalent elements such as boron (B), gallium (Ga), and indium (In).

반도체 기판의 표면은 복수의 요철을 갖는 텍스처링(texturing) 표면으로 형성될 수 있다.The surface of the semiconductor substrate may be formed as a texturing surface having a plurality of irregularities.

반도체 기판의 표면이 텍스처링 표면으로 형성되면 반도체 기판의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지의 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다.When the surface of the semiconductor substrate is formed as a texturing surface, light reflectivity on the light receiving surface of the semiconductor substrate is reduced, incident and reflection operations are performed on the texturing surface, and light is trapped inside the solar cell, increasing light absorption.

따라서, 태양전지의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 반도체 기판으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 반도체 기판으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다.Thus, the efficiency of the solar cell is improved. In addition, reflection loss of light incident on the semiconductor substrate is reduced, so that the amount of light incident on the semiconductor substrate is further increased.

에미터부는 반도체 기판의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 반도체 기판과 p-n 접합을 이룬다.The emitter portion is a region doped with impurities having a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate, for example, an n-type conductivity type, and forms a p-n junction with the semiconductor substrate.

에미터부가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 반도체 기판에 도핑하여 형성될 수 있다.When the emitter unit has n-type conductivity, the emitter unit may be formed by doping the semiconductor substrate with impurities of a 5-valent element such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb).

이에 따라, 반도체 기판에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 반도체 기판이 p형이고 에미터부가 n형일 경우, 분리된 정공은 반도체 기판쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부 쪽으로 이동한다.Accordingly, when electrons inside the semiconductor are energized by light incident on the semiconductor substrate, the electrons move toward the n-type semiconductor and the holes move toward the p-type semiconductor. Therefore, when the semiconductor substrate is p-type and the emitter portion is n-type, the separated holes move toward the semiconductor substrate and the separated electrons move toward the emitter portion.

이와는 반대로, 반도체 기판은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 반도체 기판이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 반도체 기판은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.Conversely, the semiconductor substrate may be of the n-type conductivity type and may be made of a semiconductor material other than silicon. When the semiconductor substrate has n-type conductivity, the semiconductor substrate may contain impurities of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb).

에미터부는 반도체 기판과 p-n접합을 형성하게 되므로, 반도체 기판이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 반도체 기판쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부 쪽으로 이동한다.Since the emitter portion forms a p-n junction with the semiconductor substrate, when the semiconductor substrate has n-type conductivity, the emitter portion has p-type conductivity. In this case, the separated electrons move toward the semiconductor substrate and the separated holes move toward the emitter unit.

에미터부가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 반도체 기판에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter unit has a p-type conductivity type, the emitter unit may be formed by doping the semiconductor substrate with impurities of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), or indium (In).

반도체 기판의 에미터부 위에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 또는 이산화티탄(TiO2) 등으로 이루어진 패시베이션이 형성되어 있다.A passivation layer made of a silicon nitride film (SiN x ), a silicon oxide film (SiO 2 ), or titanium dioxide (TiO 2 ) is formed on the emitter portion of the semiconductor substrate.

전면 전극은 에미터부 위에 형성되어 에미터부와 전기적 및 물리적으로 연결되고, 인접하는 전면 전극과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향으로 형성된다. 각각의 전면 전극은 에미터부 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집한다.The front electrode is formed on the emitter unit, is electrically and physically connected to the emitter unit, and is formed in one direction while being spaced apart from the adjacent front electrode. Each front electrode collects charges, eg electrons, that have migrated towards the emitter part.

전면 전극은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The front electrode is made of at least one conductive material, and these conductive materials include nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), tin (Sn), zinc (Zn), and indium (In). , titanium (Ti), gold (Au), and may be at least one selected from the group consisting of combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

예를 들면, 전면 전극은 납(Pb)을 포함하는 은(Ag) 페이스트로 이루어질 수 있다. 이 경우, 전면 전극은 스크린 인쇄 공정을 이용하여 은 페이스트를 패시베이션 위에 도포하고, 반도체 기판을 약 750℃내지 800℃의 온도에서 소성(firing)하는 과정에서 에미터부와 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the front electrode may be made of silver (Ag) paste containing lead (Pb). In this case, the front electrode may be electrically connected to the emitter unit in the process of applying silver paste on the passivation using a screen printing process and firing the semiconductor substrate at a temperature of about 750°C to 800°C.

이때, 전술한 전기적 연결은 소성 과정에서 은(Ag) 페이스트에 포함된 납 성분이 패시베이션을 식각하여 은 입자가 에미터부와 접촉하는 것에 따라 이루어진다.At this time, the above-described electrical connection is made according to the lead component included in the silver (Ag) paste etching the passivation during the sintering process, and the silver particles come into contact with the emitter part.

반도체 기판의 에미터부 위에는 전면 전극과 교차하는 방향으로 전면 전극용 집전부(미도시)가 적어도 2개 이상 형성된다.At least two current collectors (not shown) for the front electrode are formed on the emitter portion of the semiconductor substrate in a direction crossing the front electrode.

전면 전극용 집전부(미도시)는 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 에미터부 및 전면 전극과 전기적 및 물리적으로 연결된다. 따라서, 전면 전극용 집전부(미도시)는 전면 전극으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 전자를 외부 장치로 출력한다.The current collector (not shown) for the front electrode is made of at least one conductive material and is electrically and physically connected to the emitter unit and the front electrode. Accordingly, the current collector (not shown) for the front electrode outputs charges transferred from the front electrode, for example, electrons to an external device.

전면 전극용 집전부(미도시)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the current collector (not shown) for the front electrode includes nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), tin (Sn), zinc (Zn), and indium (In). , titanium (Ti), gold (Au), and may be at least one selected from the group consisting of combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

전면 전극용 집전부(미도시)는 전면 전극과 마찬가지로 도전성 금속 물질을 패시베이션 위에 도포한 후 패터닝하고, 이를 소성하는 과정에서 펀치 스루(punch through) 작용에 의해 에미터부와 전기적으로 연결될 수 있다.Like the front electrode, the current collector for the front electrode (not shown) may be electrically connected to the emitter unit by a punch through action in the process of applying a conductive metal material on the passivation, patterning, and firing the same.

후면 전극은 반도체 기판의 수광면 반대쪽, 즉 반도체 기판의 후면에 형성되어 있으며, 반도체 기판쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.The rear electrode is formed on the opposite side of the light-receiving surface of the semiconductor substrate, that is, on the rear surface of the semiconductor substrate, and collects charges, for example, holes moving toward the semiconductor substrate.

후면 전극은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The rear electrode is made of at least one conductive material. Conductive materials include nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), tin (Sn), zinc (Zn), indium (In), titanium (Ti), gold (Au), and It may be at least one selected from the group consisting of combinations, but may be made of other conductive materials.

상기와 같은 특징을 갖는 실리콘 태양전지가 적용된 태양전지(110)는 후술할 태양 전지 유닛의 제조 방법에 따라 설치될 수 있다.The solar cell 110 to which the silicon solar cell having the above characteristics is applied may be installed according to a manufacturing method of a solar cell unit to be described later.

이하에서는 도 5 내지 도 6를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED가 설치된 태양광 모듈의 특성에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 5 and 6 , characteristics of a solar module in which an LED is installed according to an embodiment of the present invention will be described.

도 5는 태양전지의 수평 배열과 수직 배열 상태를 비교하여 나타낸 구성도이고, 도 6은 본 발명의 태양광 모듈의 태양전지 수평 및 수직 배열에 따른 각도별 투과도와 생성 전류 밀도를 나타낸 그래프이다.5 is a configuration diagram showing a comparison between horizontal arrangement and vertical arrangement of solar cells, and FIG. 6 is a graph showing transmittance and generated current density for each angle according to horizontal and vertical arrangement of solar cells of the solar module of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 아래 [표 1]과 같이, 태양전지(110)의 수직배열 또는 수평배열 상태에 따라 달라지는 투과도와 생성 전류 밀도를 볼 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6 , as shown in [Table 1] below, it can be seen that the transmittance and generated current density vary according to the vertical or horizontal arrangement of the solar cells 110 .

입사각도angle of incidence 가로2mm2mm wide 가로3mm3mm wide 가로4mmwidth 4mm 세로2mmvertical 2mm 세로3mmvertical 3mm 세로4mmvertical 4mm JSC(mA/㎠)J SC (mA/cm2) 26.226.2 26.426.4 26.426.4 28.828.8 31.331.3 33.533.5 투과도permeability 0.990.99 0.990.99 0.990.99 0.800.80 0.700.70 0.600.60

[표 1]과 같이, 태양전지(110)의 수직배열 보다는 수평배열이 투과도가 향상된 것을 볼 수 있다.As shown in [Table 1], it can be seen that the horizontal arrangement of the solar cells 110 has improved transmittance rather than the vertical arrangement.

결국, 본 발명에서의 태양전지(110)를 수평배열 방식으로 설치함이 바람직하다.After all, it is preferable to install the solar cells 110 in the horizontal arrangement method in the present invention.

다만, 본 발명에서의 태양전지(110)는 수직으로 배열될 수도 있다.However, the solar cells 110 in the present invention may be arranged vertically.

이하에서는 도 7 내지 도 15를 참조하여, 본 발명의 태양광 모듈의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 7 to 15, a method for manufacturing a solar module according to the present invention will be described.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 모듈의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 8 내지 도 15은 본 발명의 태양광 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.7 is a flowchart illustrating a manufacturing method of a solar module according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 8 to 15 are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing method of a solar module according to the present invention.

우선, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 모듈의 제조 방법은 기판 준비 단계, 제1영역 제거 단계, 태양전지 형성 단계, 절곡 단계 및 LED 연결 단계를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 7 , the manufacturing method of a solar module according to an embodiment of the present invention may include a substrate preparation step, a first region removal step, a solar cell forming step, a bending step, and an LED connection step.

도 8을 참조하면, 기판 준비 단계에서는 Z축 방향으로 높이를 갖는 반도체 기판(30)을 준비한다.Referring to FIG. 8 , in the substrate preparation step, a semiconductor substrate 30 having a height in the Z-axis direction is prepared.

반도체 기판(30)은 미리 설정된 제1영역(31), 제2영역(32) 및 테두리 영역(33)을 포함한다.The semiconductor substrate 30 includes a preset first region 31 , a second region 32 and an edge region 33 .

반도체 기판(30)은 유연한 반도체성 기판으로 구성될 수 있다.The semiconductor substrate 30 may be formed of a flexible semiconductor substrate.

제1영역(31)과 제2영역(32)은 높이 방향(Z축 방향)에서 상호 교차로 배열될 수 있다.The first area 31 and the second area 32 may be arranged to cross each other in the height direction (Z-axis direction).

테두리 영역(33)은 반도체 기판(30)에서 제1영역(31)과 제2영역(32)을 에워싸는 테두리의 영역일 수 있다.The edge region 33 may be an edge region surrounding the first region 31 and the second region 32 of the semiconductor substrate 30 .

제1영역(31)은 제1높이(D1)를 가질 수 있고, 제2영역(32)은 제2높이(D2)를 가질 수 있다. 여기서, 제2높이(D2)는 제1높이(D1)의 1배 내지 2배일 수 있다.The first area 31 may have a first height D1, and the second area 32 may have a second height D2. Here, the second height D2 may be one to two times the first height D1.

제1영역(31)은 결과적으로 제거되어 개구가 형성되는 영역이며, 태양전지가 설치되지 않는 더미 영역으로 제거되는 것이 바람직하다.The first region 31 is a region where openings are formed as a result of being removed, and is preferably removed as a dummy region where solar cells are not installed.

한편, 제1영역(31)의 제2높이(D2)에 따라, 후에 형성된 태양전지의 간격이 조절될 수 있다.Meanwhile, intervals of solar cells formed later may be adjusted according to the second height D2 of the first region 31 .

도 9를 참조하면, 제1영역 제거 단계에서는 반도체 기판(30)에서 제1영역(31)을 제거할 수 있다.Referring to FIG. 9 , in the step of removing the first region, the first region 31 may be removed from the semiconductor substrate 30 .

제1영역(31)이 제거된 영역에는 관통된 개구(33)가 형성될 수 있다.A penetrating opening 33 may be formed in the area where the first area 31 is removed.

또한, 도 9 및 도 10을 참조하면, 태양전지 형성 단계에서는 반도체 기판(30)에서 제2영역(32)에 태양전지(110)을 형성할 수 있다.Also, referring to FIGS. 9 and 10 , in the step of forming a solar cell, a solar cell 110 may be formed in the second region 32 of the semiconductor substrate 30 .

여기서, 도 9는 반도체 기판(30)의 전면(111)을 나타내는 것이고, 도 10은 기판(30)의 후면(112)을 나타내는 것이다.Here, FIG. 9 shows the front surface 111 of the semiconductor substrate 30, and FIG. 10 shows the back surface 112 of the substrate 30.

도시하지 않았지만, 반도체 기판(30)을 기준으로 전면(111)에는 에미터부, 패시베이션 및 전면 전극을 순차적으로 적층하고, 반도체 기판(30)을 기준으로 후면(112)에는 후면 전계부 및 후면 전극을 순차적으로 적층하여, 제2영역(32)의 영역마다 각각 태양전지(110)을 형성한다.Although not shown, an emitter part, passivation and a front electrode are sequentially stacked on the front surface 111 based on the semiconductor substrate 30, and a rear electric field part and a rear electrode are sequentially stacked on the rear surface 112 based on the semiconductor substrate 30. By sequentially stacking, the solar cell 110 is formed in each area of the second area 32 .

여기서, 태양전지(110)의 전면(111)은 태양전지(110)의 수광면으로 구성될 수 있고, 태양전지(110)의 후면(112) 및 측면(113)은 태양전지(110)의 비수광면으로 구성될 수 있다.Here, the front surface 111 of the solar cell 110 may be configured as a light-receiving surface of the solar cell 110, and the rear surface 112 and the side surface 113 of the solar cell 110 may have a ratio of the solar cell 110. It can be composed of a light surface.

이후, 도 11을 참조하면, LED 연결 단계에서는 제2영역(32)에서 반도체 기판(30)의 후면(112)에 복수의 LED(120)를 배치할 수 있다.Referring to FIG. 11 , in the LED connection step, a plurality of LEDs 120 may be disposed on the back surface 112 of the semiconductor substrate 30 in the second region 32 .

복수의 LED(120)는 태양전지(110)에 전기적으로 연결되어, 광전에 따른 전류를 인가받아 작동할 수 있고, 또는 태양전지(110)에서 발생된 전류를 저장하는 저장부(미도시)에서 전류를 별도로 인가받을 수 있다.The plurality of LEDs 120 are electrically connected to the solar cell 110 and can operate by receiving current according to photoelectricity, or in a storage unit (not shown) that stores the current generated by the solar cell 110. Current can be applied separately.

상술한 바와 같이, 태양전지(110)의 후면(112)은 비수광면이므로, 비수광면에 복수의 LED(120)를 배치함으로써, 광전 효율을 저하시키지 않을 수 있다.As described above, since the rear surface 112 of the solar cell 110 is a non-light-receiving surface, photoelectric efficiency may not be reduced by disposing a plurality of LEDs 120 on the non-light-receiving surface.

이후, 도 12를 참조하면, 절곡 단계에서는 반도체 기판(30)에서 테두리 영역(33)을 제외하고 태양전지(110)이 형성된 제2영역(32)을 절곡하여 복수의 태양전지(110)이 반도체 기판(30)의 높이 방향에 수직하게 배치될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 12 , in the bending step, the second region 32 in which the solar cell 110 is formed is bent except for the edge region 33 of the semiconductor substrate 30 so that the plurality of solar cells 110 are semiconductor. It may be disposed perpendicular to the height direction of the substrate 30 .

또한, 도 13을 참조하면, 태양전지(110)의 측면(113)에는 별도의 도전체(115)를 형성할 수 있다.Also, referring to FIG. 13 , a separate conductor 115 may be formed on the side surface 113 of the solar cell 110 .

도전체(115)는 태양전지(110)의 전면 전극 및 후면 전극을 잇는 패턴으로 구성될 수 있다.The conductor 115 may be formed in a pattern connecting the front and rear electrodes of the solar cell 110 .

또한, 도 14 및 도 15를 참조하면, 태양전지(110)의 측면(113)에 별도의 LED(125)를 배치할 수 있다.Also, referring to FIGS. 14 and 15 , a separate LED 125 may be disposed on the side surface 113 of the solar cell 110 .

LED(125)는 도전체(115)를 통해, 태양전지(110)에 전기적으로 연결되어, 광전에 따른 전류를 인가받아 작동할 수 있고, 또는 태양전지(110)에서 발생된 전류를 저장하는 저장부(미도시)에서 전류를 별도로 인가받을 수 있다.The LED 125 is electrically connected to the solar cell 110 through a conductor 115 and can operate by receiving current according to photoelectric power, or a storage device that stores the current generated by the solar cell 110. A current may be separately applied from the unit (not shown).

한편, 도시하지 않았지만, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 태양전지(110)의 측면(113)에만 선택적으로 LED(125)를 배치할 수 있다.Meanwhile, although not shown, as shown in FIGS. 14 and 15 , the LED 125 may be selectively disposed only on the side surface 113 of the solar cell 110 .

또한, 다른 실시예에서는 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 태양전지(110)의 측면(113)에 LED(125)를 배치한 이후, 도 11과 같이, 반도체 기판(30)의 후면(112)에 복수의 LED(120)를 배치할 수 있다.In addition, in another embodiment, as shown in FIGS. 14 and 15, after disposing the LED 125 on the side surface 113 of the solar cell 110, as shown in FIG. 11, the back surface of the semiconductor substrate 30 ( 112), a plurality of LEDs 120 may be disposed.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

100: 태양광 모듈
110: 태양전지
120: LED100: solar module
110: solar cell
120: LEDs

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 제1영역과 제2영역이 설정된 반도체 기판을 준비하는 단계;
상기 제1영역을 제거하는 단계;
복수의 상기 제2영역에 복수의 태양전지 각각을 형성하는 단계;
상기 반도체 기판과 수직하도록 상기 복수의 태양전지를 절곡하는 단계; 및
상기 태양전지의 비수광면에 LED를 연결하는 단계; 를 포함하고,
상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서, 상기 반도체 기판은 테두리 영역 및 상기 테두리 영역 안에서 높이 방향에서 상호 교차되어 배열되는 제1영역과 제2영역을 포함하고,
상기 제1영역을 제거하는 단계에서는 상기 반도체 기판에서 복수의 상기 제1영역을 제거하고,
상기 절곡하는 단계에서는 상기 반도체 기판에서 상기 테두리 영역을 제외하고 태양전지가 형성된 상기 제2영역을 절곡하여 복수의 태양전지 각각이 상기 반도체 기판의 높이 방향에 수직하게 배치하여, 상기 테두리 영역을 통해 복수의 태양전지가 연결되고,
상기 태양전지는 수광면인 전면과, 상기 전면의 반대측인 후면과, 상기 전면과 후면을 잇는 측면을 포함하고,
상기 복수의 LED는 상기 태양전지의 후면에 배치된 LED와, 상기 태양전지의 측면에 배치된 LED를 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
preparing a semiconductor substrate on which a first region and a second region are set;
removing the first region;
forming a plurality of solar cells in each of the plurality of second regions;
bending the plurality of solar cells to be perpendicular to the semiconductor substrate; and
connecting an LED to a non-light-receiving surface of the solar cell; including,
In the step of preparing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate includes an edge area and a first area and a second area arranged to cross each other in a height direction within the edge area,
In the removing of the first region, a plurality of the first regions are removed from the semiconductor substrate;
In the bending step, the second region in which the solar cells are formed is bent in the semiconductor substrate except for the edge region so that each of the plurality of solar cells is disposed perpendicularly to the height direction of the semiconductor substrate, and the plurality of solar cells are disposed through the edge region. of solar cells are connected,
The solar cell includes a front surface as a light receiving surface, a rear surface opposite to the front surface, and a side surface connecting the front surface and the rear surface,
The plurality of LEDs include an LED disposed on a rear surface of the solar cell and an LED disposed on a side surface of the solar cell.
 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 태양전지를 형성하는 단계에서,
상기 반도체 기판의 전면에 에미터부, 패시베이션 및 전면전극을 형성하고,
상기 반도체 기판의 후면에 후면 전계부 및 후면전극을 형성하고,
상기 반도체 기판의 전면이 수광면인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
According to claim 3,
In the step of forming the solar cell,
Forming an emitter portion, passivation and a front electrode on the entire surface of the semiconductor substrate,
Forming a rear surface electric field part and a rear electrode on the rear surface of the semiconductor substrate;
A method of manufacturing a solar cell module wherein the entire surface of the semiconductor substrate is a light receiving surface.
 제5항에 있어서,
상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서,
상기 반도체 기판은 유연한 태양 전지 모듈의 제조 방법.
According to claim 5,
In the step of preparing the semiconductor substrate,
The semiconductor substrate is a method of manufacturing a flexible solar cell module.
 제6항에 있어서,
상기 LED를 연결하는 단계에서,
상기 LED는 상기 태양전지의 전면전극 및 후면전극에 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
According to claim 6,
In the step of connecting the LED,
The method of manufacturing a solar cell module in which the LED is electrically connected to the front electrode and the rear electrode of the solar cell.
 제7항에 있어서,
상기 태양전지를 형성하는 단계에서,
상기 반도체 기판의 측면에 전면전극 및 후면전극과 전기적으로 연결된 도전체를 형성하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
According to claim 7,
In the step of forming the solar cell,
A method of manufacturing a solar cell module by forming a conductor electrically connected to the front electrode and the rear electrode on the side surface of the semiconductor substrate.
 제8항에 있어서,
상기 LED를 연결하는 단계에서,
상기 태양전지의 후면에 배치된 LED는, 상기 도전체를 통해 상기 태양전지의 전면전극 및 후면전극에 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
According to claim 8,
In the step of connecting the LED,
The LED disposed on the rear surface of the solar cell is electrically connected to the front electrode and the rear electrode of the solar cell through the conductor.
 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 LED를 연결하는 단계에서,
상기 태양전지의 측면에 배치된 LED는 상기 도전체를 통해 상기 태양전지의 전면전극 및 후면전극에 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.The method of claim 8 or 9,
In the step of connecting the LED,
The method of manufacturing a solar cell module in which the LED disposed on the side of the solar cell is electrically connected to the front electrode and the rear electrode of the solar cell through the conductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101922890B1 (en) * 2018-07-02 2018-11-28 주식회사 부력에너지 Window for photovoltaic power generation system using bipv module with tilt opening

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101091372B1 (en) * 2009-12-24 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 Solar cell apparatus
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KR101210213B1 (en) * 2012-09-28 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 Solar cell apparatus
KR102266971B1 (en) * 2014-07-24 2021-06-17 엘지전자 주식회사 Solar cell module and method for manufacuting the same
KR20190141549A (en) * 2018-06-14 2019-12-24 (주)솔라플렉스 Solar cell panel integrated with diplay device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101922890B1 (en) * 2018-07-02 2018-11-28 주식회사 부력에너지 Window for photovoltaic power generation system using bipv module with tilt opening

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