KR102467105B1 - Composition for forming releasing layer - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물이 제공된다. 본 발명은, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를 50 몰% 이상 포함하고, 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는, 박리층 형성용 조성물을 제공한다. 여기서 식 (1) 에 있어서, X1 은, 4 가의 유기기를 나타내고, Y1 은, 하기의 식 (P) 로 나타내는 2 가의 기를 나타낸다.

Figure 112021143582190-pat00022

Figure 112021143582190-pat00023
According to the present invention, adhesion to the glass substrate on which the release layer is formed is maintained, and peeling does not occur at the interface with the glass substrate, while the layer or layer group formed above the release layer can be easily separated from the release layer. A composition for forming the exfoliation layer, which can be provided. The present invention provides a composition for forming a release layer comprising a polyamic acid containing 50 mol% or more of the monomer unit represented by Formula (1) and having a weight average molecular weight of 10,000 or more, and an organic solvent. Here, in Formula (1), X 1 represents a tetravalent organic group, and Y 1 represents a divalent group represented by the following formula (P).
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Figure 112021143582190-pat00023

Description

박리층 형성용 조성물{COMPOSITION FOR FORMING RELEASING LAYER}Composition for forming a release layer {COMPOSITION FOR FORMING RELEASING LAYER}

본 발명은 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for forming a release layer formed directly on a glass substrate.

최근, 전자 디바이스에는 구부린다는 기능 부여나 박형화 및 경량화와 같은 성능이 요구되고 있다. 이로부터, 종래의 무겁고 취약하고 구부릴 수 없는 유리 기판 대신에, 경량인 플렉시블 플라스틱 기판을 사용하는 것이 요구된다. 또, 신세대 디스플레이에서는, 경량인 플렉시블 플라스틱 기판을 사용하는, 액티브 풀 컬러 (active full-color) TFT 디스플레이 패널의 개발이 요구되고 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In recent years, electronic devices have been required to have functions such as bending, thinning, and light weight. From this, it is demanded to use a lightweight flexible plastic substrate instead of the conventional heavy, brittle and unbendable glass substrate. Further, in a new generation display, development of an active full-color TFT display panel using a lightweight flexible plastic substrate is required.

그래서, 수지 필름을 기판으로 한 전자 디바이스의 제조 방법이 각종 검토되기 시작하였으며, 신세대 디스플레이에서는, 기존의 TFT 설비를 전용 (轉用) 가능한 프로세스로 제조 검토가 진행되고 있다.Then, various methods of manufacturing electronic devices using a resin film as a substrate have begun to be examined, and in a new generation display, manufacturing examination is progressing with a process capable of diverting existing TFT facilities.

특허문헌 1, 2 및 3 은, 유리 기판 상에 아모르퍼스 실리콘 박막층을 형성하고, 그 박막층 상에 플라스틱 기판을 형성한 후에, 유리면측으로부터 레이저를 조사하여, 아모르퍼스 실리콘의 결정화에 수반하여 발생하는 수소 가스에 의해 플라스틱 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 방법을 개시한다.Patent Literatures 1, 2 and 3 form an amorphous silicon thin film layer on a glass substrate, form a plastic substrate on the thin film layer, and then irradiate a laser from the glass surface side to generate the crystallization of the amorphous silicon. Disclosed is a method of peeling a plastic substrate from a glass substrate by hydrogen gas.

또, 특허문헌 4 는, 특허문헌 1 ∼ 3 개시의 기술을 이용하여 피박리층 (특허문헌 4 에 있어서 「피전사층」 이라고 기재된다) 을 플라스틱 필름에 첩부 (貼付) 하여 액정 표시 장치를 완성시키는 방법을 개시한다.In addition, in Patent Document 4, a layer to be peeled (referred to as "layer to be transferred" in Patent Document 4) is attached to a plastic film using the techniques disclosed in Patent Documents 1 to 3 to complete a liquid crystal display device. Introduce how to do it.

그러나, 특허문헌 1 ∼ 4 개시의 방법, 특히 특허문헌 4 개시의 방법은, 투광성이 높은 기판을 사용하는 것이 필수이며, 기판을 통과시키고, 또한 비정질 실리콘에 포함되는 수소를 방출시키는 데 충분한 에너지를 주기 때문에, 비교적 큰 레이저 광의 조사가 필요해지고, 피박리층에 손상을 주어 버린다는 문제가 있다. 또, 레이저 처리에 장시간을 필요로 하고, 큰 면적을 갖는 피박리층을 박리하는 것은 곤란하기 때문에, 디바이스 제조의 생산성을 올리는 것은 어렵다는 문제도 있다.However, in the method disclosed in Patent Literatures 1 to 4, particularly the method disclosed in Patent Literature 4, it is essential to use a substrate having high light transmission properties, and energy sufficient to pass through the substrate and release hydrogen contained in amorphous silicon is required. Because of the cycle, there is a problem that irradiation with a relatively large laser beam is required, which damages the layer to be separated. In addition, since laser processing requires a long time and it is difficult to peel a layer to be separated having a large area, there is also a problem that it is difficult to increase productivity in device manufacturing.

일본 공개특허공보 평10-125929호.Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125929. 일본 공개특허공보 평10-125931호.Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125931. WO2005/050754호 팸플릿.Pamphlet WO2005/050754. 일본 공개특허공보 평10-125930호.Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125930.

그래서, 본 발명의 목적은 상기 과제를 해결하는 것에 있다.Then, the objective of this invention exists to solve the said subject.

구체적으로는, 본 발명의 목적은, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시키기 위한 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공하는 것에 있다.Specifically, an object of the present invention is to provide a composition for forming a peeling layer for peeling without damaging a substrate applied to a flexible electronic device.

또, 본 발명의 목적은, 상기 목적에 더하여, 또는 상기 목적 이외에, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공하는 것에 있다.Further, an object of the present invention is, in addition to the above object or other than the above object, to maintain adhesion to the glass substrate on which the release layer is formed and to prevent separation at the interface with the glass substrate, while at the top of the release layer. It is an object of the present invention to provide a composition for forming a release layer that can easily separate a layer or group of layers to be formed from the release layer.

본 발명자는 이번에 이하와 같은 발명을 알아내었다. 즉, 본 발명자는, 특정한 구조의 모노머 단위를 50 몰% 이상 포함하고, 중량 평균 분자량이 일정한 값 이상인 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 조성물을 사용하여 박리층을 형성하면, 그 층은, 플렉시블 전자 디바이스 등에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시킬 수 있는 적합한 특성을 갖고 있는 것을, 예상 밖으로 알아내었다. 이 층은, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 잘 발생하지 않는 한편으로, 유리 기판과는 반대측의 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군에 대해서는, 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는 것이었다. 본 발명은 이러한 지견에 기초하는 것이다.This inventor discovered the following invention this time. That is, when the present inventor forms a release layer using a composition containing a polyamic acid containing 50 mol% or more of a monomer unit having a specific structure and having a weight average molecular weight of a certain value or more and an organic solvent, the layer is flexible. It was unexpectedly found that it has suitable characteristics that can be peeled off without damaging a substrate applied to an electronic device or the like. This layer maintains adhesion to the glass substrate on which the release layer is formed, and peeling at the interface with the glass substrate does not occur easily, while being formed on a layer or layer group formed above the release layer on the opposite side to the glass substrate. For the case, it was a thing that could be easily peeled from the peeling layer. The present invention is based on these findings.

<1> 하기의 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를 50 몰% 이상 포함하고, 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는, 박리층 형성용 조성물.<1> A composition for forming a release layer comprising a polyamic acid having a weight average molecular weight of 10,000 or more and containing 50 mol% or more of the monomer unit represented by the following formula (1), and an organic solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112021143582190-pat00001
Figure 112021143582190-pat00001

[식 중, X1 은, 4 가의 유기기를 나타내고, Y1 은, 하기의 식 (P) 로 나타내는 2 가의 기를 나타낸다:[Wherein, X 1 represents a tetravalent organic group, and Y 1 represents a divalent group represented by the following formula (P):

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112021143582190-pat00002
Figure 112021143582190-pat00002

(식 중, R 은, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, m 은, 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 또한, r 은 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)].(In the formula, R represents F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group, m represents an integer of 0 to 4, and r represents an integer of 1 to 4)].

<2> 상기 <1> 에 있어서, 상기 Y1 이, 하기의 식 (P1) ∼ (P3) 중 어느 것으로 나타내는 2 가의 기인 것이 좋다.<2> In the above <1>, it is preferable that the Y 1 is a divalent group represented by any of the following formulas (P1) to (P3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112021143582190-pat00003
Figure 112021143582190-pat00003

(식 중,(In the expression,

R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and represent F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;

m1, m2, m3, m4, m5 및 m6 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다).m1, m2, m3, m4, m5 and m6 may be the same or different and represent an integer of 0 to 4).

<3> 상기 <2> 상기 Y1 이, 적어도 식 (P1) 로 나타내는 2 가의 기를 포함하는 것이 좋다.It is good that <3> said <2> said Y< 1 > contains at least the divalent group represented by Formula (P1).

<4> 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 있어서, 폴리아믹산이, 하기의 식 (2) 로 나타내는 모노머 단위를 또한 포함하는 것이 좋다.<4> In any one of said <1>-<3>, it is good that a polyamic acid further contains the monomer unit represented by following formula (2).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112021143582190-pat00004
Figure 112021143582190-pat00004

[식 중,[during expression,

X1 은, 상기 <1> 에서 정의된 바와 같고, Y2 는, 하기의 식 (P4) 로 나타내는 기를 나타낸다:X 1 is as defined in <1> above, and Y 2 represents a group represented by the following formula (P4):

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112021143582190-pat00005
Figure 112021143582190-pat00005

(식 중,(In the expression,

R7 및 R8 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, R 7 and R 8 may be the same or different and represent F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;

R' 는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, R' represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;

l 은 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 또한 l represents an integer of 0 to 4, and

m 은, 상기 <1> 에서 정의된 바와 같다)].m is as defined in <1> above)].

<5> 상기 <1> ∼ <4> 중 어느 하나에 있어서, X1 이, 4 가의 방향족기인 것이 좋다.<5> In any one of said <1>-<4>, it is preferable that X< 1 > is a tetravalent aromatic group.

<6> 상기 <5> 에 있어서, 상기 4 가의 방향족기가, 벤젠 골격, 나프탈렌 골격 및 비페닐 골격에서 선택되는 적어도 1 종을 갖는 것인 것이 좋다.<6> In the above <5>, it is preferable that the tetravalent aromatic group has at least one selected from a benzene skeleton, a naphthalene skeleton, and a biphenyl skeleton.

<7> 상기 <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 있어서, 상기 유기 용매가, 하기 식 (A) 또는 (B) 로 나타내는 용매인 것이 좋다.<7> In any one of said <1>-<6>, it is good that the said organic solvent is a solvent represented by following formula (A) or (B).

[화학식 6] [Formula 6]

Figure 112021143582190-pat00006
Figure 112021143582190-pat00006

(식 중, Ra 및 Rb 는 동일해도 되고 상이해도 되고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다).(In the formula, R a and R b may be the same or different, represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and h represents a natural number).

<8> 상기 <1> ∼ <7> 중 어느 하나에 있어서, 상기 폴리아믹산 중의 상기 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위의 함유량이 60 몰% 이상인 것이 좋다.<8> In any one of said <1>-<7>, it is preferable that content of the monomer unit represented by the said Formula (1) in the said polyamic acid is 60 mol% or more.

<9> 상기 <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 있어서, 본 발명에 의한 박리층 형성용 조성물은, 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 것인 것이 좋다.<9> In any one of <1> to <8>, the composition for forming a release layer according to the present invention is preferably for forming a release layer formed directly on a glass substrate.

<10> 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 플렉시블 기판과, 베이스 기판의 사이에 형성되는 박리층으로서, 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 하나의 박리층 형성용 조성물을 사용하여 제조되는 박리층.<10> A release layer formed between a flexible substrate applied to a flexible electronic device and a base substrate, which is manufactured using the composition for forming a release layer according to any one of the above <1> to <9>.

<11> 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판 구조로서, <11> As a substrate structure applied to a flexible electronic device,

베이스 기판과,a base substrate;

1 또는 2 이상의 영역에서, 상기 베이스 기체를 덮는 박리층으로서, 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 하나의 박리층 형성용 조성물에 의해 형성된 박리층과, A release layer formed of the release layer-forming composition of any one of the above <1> to <9> as a release layer covering the base substrate in one or two or more regions;

상기 베이스 기판과, 상기 박리층을 덮는, 플렉시블 기판A flexible substrate covering the base substrate and the exfoliation layer

을 포함하고,including,

상기 플렉시블 기판과 상기 박리층의 밀착력이, 상기 박리층과 상기 베이스 기체의 밀착력보다 큰 것을 특징으로 하는, 기판 구조.The substrate structure, characterized in that the adhesion between the flexible substrate and the release layer is greater than the adhesion between the release layer and the base substrate.

<12> 상기 <11> 에 있어서, 베이스 기판이 유리를 포함하는 것이 좋다.<12> In the above <11>, it is preferable that the base substrate contains glass.

<13> 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 하나의 박리층 형성용 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는, 박리층의 제조 방법. 하나의 바람직한 양태에 있어서, 상기 박리층의 제조 방법은, 상기 박리층 형성용 수지 조성물을 기판에 도포하고, 가열하는 공정을 포함한다.<13> A method for producing a release layer characterized by using the composition for forming a release layer according to any one of the above <1> to <9>. In one preferable aspect, the manufacturing method of the said peeling layer includes the process of apply|coating the said resin composition for peeling layer formation to a board|substrate, and heating.

<14> 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판 구조의 제조 방법으로서, <14> As a manufacturing method of a substrate structure applied to a flexible electronic device,

베이스 기판을 준비하는 공정,A process of preparing a base substrate;

1 또는 2 이상의 영역에서, 상기 베이스 기체를 덮는 박리층을, 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 하나의 박리층 형성용 조성물을 사용하여 제조하는 공정, A step of producing a release layer covering the base substrate in one or two or more regions using the composition for forming a release layer according to any one of the above <1> to <9>;

상기 베이스 기판과, 상기 박리층 상에, 플렉시블 기판을 형성하는 공정을 포함하고,A step of forming a flexible substrate on the base substrate and the release layer;

상기 플렉시블 기판과 상기 박리층의 밀착력이, 상기 박리층과 상기 베이스 기체의 밀착력보다 큰 것을 특징으로 하는, 제조 방법.The manufacturing method, characterized in that the adhesion between the flexible substrate and the release layer is greater than the adhesion between the release layer and the base substrate.

본 발명에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다.The above problem can be solved by the present invention.

구체적으로는, 본 발명에 의해, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시키기 위한 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공할 수 있다.Specifically, according to the present invention, a composition for forming a peeling layer for peeling without damaging a substrate applied to a flexible electronic device can be provided.

또, 본 발명에 의해, 상기 효과에 더하여, 또는 상기 효과 이외에, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되어 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공하는 것에 있다.In addition, according to the present invention, in addition to the above effects or in addition to the above effects, adhesion to the glass substrate on which the release layer is formed is maintained, and peeling at the interface with the glass substrate does not occur, while formed above the release layer. It is an object of the present invention to provide a composition for forming a release layer capable of easily peeling a layer or group of layers to be formed from the release layer.

이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

박리층 형성용 조성물Composition for forming release layer

본 발명의 박리층 형성용 조성물은, 상기한 바와 같이, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를 50 몰% 이상 포함하는 폴리아믹산으로서, 그 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 것이다.As described above, the composition for forming a release layer of the present invention comprises a polyamic acid containing 50 mol% or more of the monomer unit represented by formula (1), a polyamic acid having a weight average molecular weight of 10,000 or more, and an organic solvent. will be.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112021143582190-pat00007
Figure 112021143582190-pat00007

또 상기한 바와 같이, 식 (1) 에 있어서, X1 은, 4 가의 유기기를 나타내고, Y1 은, 하기의 식 (P) 로 나타내는 2 가의 기를 나타낸다.As described above, in formula (1), X 1 represents a tetravalent organic group, and Y 1 represents a divalent group represented by the following formula (P).

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112021143582190-pat00008
Figure 112021143582190-pat00008

또 식 (P) 에 있어서, R 은, F, Cl, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 F, Cl 을 나타낸다. 마찬가지로 상기의 식 (P) 에 있어서, m 은, 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 ∼ 2 를 나타내고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 1 을 나타내고, 특히 바람직하게는 0 을 나타낸다. 또 상기의 식 (P) 에 있어서, r 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.In formula (P), R represents F, Cl, or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a phenyl group, and preferably represents F or Cl. Similarly, in the above formula (P), m represents an integer of 0 to 4, preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1, and particularly preferably 0. Moreover, in said formula (P), r represents the integer of 1-3.

또한, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기로는, 메틸, 에틸, n-프로필, 및 i-프로필이 포함되고, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기는, 메틸이며, 보다 바람직하게는 메틸이다.In addition, the C1-C3 alkyl group includes methyl, ethyl, n-propyl, and i-propyl, preferably the C1-C3 alkyl group is methyl, more preferably methyl.

본 발명에서 사용하는 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를 갖는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은, 10,000 이상일 필요가 있으며, 바람직하게는 15,000 이상, 보다 바람직하게는 20,000 이상, 보다 한층 바람직하게는 30,000 이상이다. 한편, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량의 상한값은, 통상적으로 2,000,000 이하이지만, 수지 조성물의 점도가 과도하게 높아지는 것을 억제하는 것이나 유연성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것 등을 고려하면, 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 200,000 이하이다.The weight average molecular weight of the polyamic acid having a monomer unit represented by formula (1) used in the present invention needs to be 10,000 or more, preferably 15,000 or more, more preferably 20,000 or more, still more preferably 30,000 or more. . On the other hand, the upper limit of the weight average molecular weight of the polyamic acid used in the present invention is usually 2,000,000 or less, but in consideration of suppressing excessive increase in the viscosity of the resin composition and obtaining a highly flexible resin thin film with good reproducibility, etc. , preferably 1,000,000 or less, more preferably 200,000 or less.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를, 50 몰% 이상, 바람직하게는 60 몰% 이상, 보다 바람직하게는 70 몰% 이상, 보다 한층 바람직하게는 80 몰% 이상, 더욱 바람직하게는 90 몰% 이상 함유한다. 이와 같은 모노머 단위의 함유량인 폴리아믹산을 사용함으로써, 박리막에 적합한 특성을 갖는 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻을 수 있다.The polyamic acid used in the present invention contains 50 mol% or more, preferably 60 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, still more preferably 80 mol% or more of the monomer unit represented by Formula (1). , more preferably 90 mol% or more. By using a polyamic acid having such a monomer unit content, a resin thin film having characteristics suitable for a release film can be obtained with good reproducibility.

본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 본 발명의 박리층 형성용 조성물이 포함하는 폴리아믹산은, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위만으로 이루어지는 폴리머, 즉, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위가 100 몰% 로 함유되는 폴리머이다. 이 때, 이와 같은 폴리아믹산에 있어서의 모노머 단위는, 그것이 식 (1) 로 나타내어지는 한, 특정한 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다. 후자의 경우, 폴리아믹산이 포함하는 식 (1) 의 모노머 단위의 수는, 바람직하게는 2 ∼ 4 이며, 보다 바람직하게는 2 ∼ 3 이다.According to a preferred aspect of the present invention, the polyamic acid contained in the composition for forming a release layer of the present invention is a polymer composed only of monomer units represented by formula (1), that is, 100 mol% of monomer units represented by formula (1) It is a polymer that contains At this time, as long as it is represented by Formula (1), only a specific 1 type may be sufficient as the monomer unit in such a polyamic acid, and 2 or more types may be sufficient as it. In the case of the latter, the number of monomer units of formula (1) included in the polyamic acid is preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3.

본 발명에 있어서는, 식 (P) 로 나타내는 기는, 바람직하게는 식 (P1) ∼ (P3) 중 어느 것으로 나타내는 2 가의 기를 포함하고, 보다 바람직하게는 식 (P1) 또는 (P3) 으로 나타내는 2 가의 기를 포함하고, 보다 한층 바람직하게는 식 (P3) 으로 나타내는 2 가의 기를 포함한다.In the present invention, the group represented by formula (P) preferably includes a divalent group represented by any of formulas (P1) to (P3), more preferably a divalent group represented by formula (P1) or (P3) A group is included, and more preferably a divalent group represented by the formula (P3) is included.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112021143582190-pat00009
Figure 112021143582190-pat00009

상기한 식 (P1), 식 (P2) 및 식 (P3) 에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 F 또는 Cl 을 나타낸다.In the above formulas (P1), formulas (P2) and formulas (P3), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different, and F, Cl, carbon number represents an alkyl group of 1 to 3 or a phenyl group, preferably F or Cl.

마찬가지로 이들 식에 있어서, m1, m2, m3, m4, m5 및 m6 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 ∼ 2 를 나타내고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 1 을 나타내고, 특히 바람직하게는 0 을 나타낸다.Similarly, in these formulas, m1, m2, m3, m4, m5 and m6 may be the same or different, and represent an integer of 0 to 4, preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1 , and particularly preferably represents 0.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은, 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위 이외에도, 다른 모노머 단위를 포함해도 된다. 이와 같은 다른 모노머 단위의 함유량은, 50 몰% 미만일 필요가 있으며, 40 몰% 미만인 것이 바람직하고, 30 몰% 미만인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 미만인 것이 보다 한층 바람직하고, 10 몰% 미만인 것이 더욱 바람직하다.The polyamic acid used in the present invention may also contain other monomer units other than the monomer unit represented by Formula (1). The content of such other monomer units needs to be less than 50 mol%, preferably less than 40 mol%, more preferably less than 30 mol%, still more preferably less than 20 mol%, and even more preferably less than 10 mol%. desirable.

이와 같은 다른 모노머 단위로는, 예를 들어 식 (2) 의 모노머 단위를 들 수 있다.As such another monomer unit, the monomer unit of Formula (2) is mentioned, for example.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112021143582190-pat00010
Figure 112021143582190-pat00010

식 (2) 에 있어서, X1 은, 4 가의 유기기를 나타내고, Y2 는, 상기한 식 (P4) 로 나타내는 기를 나타낸다.In formula (2), X 1 represents a tetravalent organic group, and Y 2 represents a group represented by the above formula (P4).

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112021143582190-pat00011
Figure 112021143582190-pat00011

식 (P4) 에 있어서, R7 및 R8 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타낸다. R7 은, 바람직하게는 F 또는 Cl 을 나타낸다. R8 은, 바람직하게는 F 또는 Cl 을 나타낸다.In formula (P4), R 7 and R 8 may be the same or different and represent F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group. R 7 preferably represents F or Cl. R 8 preferably represents F or Cl.

R' 는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, 보다 바람직하게는 수소 원자를 나타낸다.R' represents a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom.

또한, l 및 m 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 ∼ 2 를 나타내고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 1 을 나타내고, 특히 바람직하게는 0 을 나타낸다.In addition, l and m may be the same or different and represent an integer of 0 to 4, preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1, and particularly preferably 0.

이와 같은 다른 모노머 단위로는, 상기한 식 (2) 의 모노머 단위 이외에도, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2-메틸-1,4-페닐렌디아민, 5-메틸-1,3-페닐렌디아민, 4-메틸-1,3-페닐렌디아민, 2-(트리플루오로메틸)-1,4-페닐렌디아민, 2-(트리플루오로메틸)-1,3-페닐렌디아민 및 4-(트리플루오로메틸)-1,3-페닐렌디아민, 벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 2,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 4,4'-디페닐에테르, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 5-아미노-2-(3-아미노페닐)-1H-벤조이미다졸, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌과 같은 디아민과, 피로멜리트산 무수물 (PMDA), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 무수물과 같은 산 2무수물로부터 유도되는 구조 등을 들 수 있다.As such other monomer units, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2-methyl-1,4-phenylenediamine, 5 -Methyl-1,3-phenylenediamine, 4-methyl-1,3-phenylenediamine, 2-(trifluoromethyl)-1,4-phenylenediamine, 2-(trifluoromethyl)-1 ,3-phenylenediamine and 4-(trifluoromethyl)-1,3-phenylenediamine, benzidine, 2,2'-dimethylbenzidine, 3,3'-dimethylbenzidine, 2,3'-dimethylbenzidine, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, 3,3'-bis(trifluoromethyl)benzidine, 2,3'-bis(trifluoromethyl)benzidine, 4,4'-diphenyl ether , 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-diaminobenzanilide, 5-amino-2-(3-aminophenyl)-1H-benzoimidazole, 9,9- diamines such as bis(4-aminophenyl)fluorene, pyromellitic anhydride (PMDA), 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 3, and structures derived from acid dianhydrides such as 3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid anhydride.

식 (1) 및 식 (2) 에 있어서, 상기한 바와 같이, X1 은, 4 가의 유기기이지만, 바람직하게는 4 가의 방향족기이다.In Formulas (1) and (2), as described above, X 1 is a tetravalent organic group, but is preferably a tetravalent aromatic group.

X1 이 취할 수 있는 4 가의 방향족기는, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산을 제조할 때에, 이하와 같은 방향족 테트라카르복실산 2무수물을 사용함으로써 제조가 가능하다.When manufacturing the polyamic acid used by this invention, the tetravalent aromatic group which X< 1 > can take can manufacture by using the following aromatic tetracarboxylic dianhydride.

즉, 피로멜리트산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-디메틸디페닐실란테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-테트라페닐실란테트라카르복실산 2무수물, 1,2,3,4-푸란테트라카르복실산 2무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐프로판 2무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물, 파라페닐렌디프탈산 2무수물, 2,2-비스-((3,4-디카르복시페닐)-헥사플루오로프로판 2무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 2무수물, 9,9'-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]플루오렌 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐에테르테트라카르복실산 2무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2무수물, 4,4'-술포닐디프탈산 2무수물, 파라테르페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산 2무수물, 메타테르페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2무수물, 1-(2,3-디카르복시페닐)-3-(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2무수물, 3,3',4,4'-하이드로퀴논디벤조에이트테트라카르복실산 2무수물, 2,2'-비스(4-하이드록시페닐)프로판디벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카르복실산 등을 들 수 있다.That is, pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3, 3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfotetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride , 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 3,3',4,4'-dimethyldiphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 3, 3',4,4'-tetraphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-furantetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis(3,4-dicarboxyphenoxy) Diphenylpropane dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, paraphenylenediphthalic dianhydride, 2,2-bis-((3,4-dicarboxyphenyl)-hexafluoropropane 2 Anhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride, 9,9'-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 3,3 ',4,4'-biphenylethertetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-sulfonyldiphthalic dianhydride, paraterphenyl-3,4,3',4'-tetracarboxylic dianhydride, metaterphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 1-(2,3-dicarboxyphenyl)-3-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 3,3',4,4 '-hydroquinone dibenzoate tetracarboxylic dianhydride, 2,2'-bis(4-hydroxyphenyl)propane dibenzoate-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid, etc. have.

바람직하게는 여기서 바람직한 방향족 테트라카르복실산 2무수물은, 하기의 화합물군에서 선택되는 것이다.Preferably, the aromatic tetracarboxylic dianhydride preferred herein is selected from the following compound groups.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112021143582190-pat00012
Figure 112021143582190-pat00012

(식 중, R3 은, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 2 가의 유기기이며, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 나프탈렌 골격을 갖는 기이다).(In the formula, R 3 is a divalent organic group having at least one aromatic ring, preferably a group having a phenyl, biphenyl or naphthalene skeleton).

따라서, 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, X1 이 취할 수 있는 4 가의 방향족기는, 벤젠 골격, 나프탈렌 골격, 비페닐 골격, 터페닐 골격 중 어느 것을 갖는 것이고, 보다 바람직하게는 벤젠 골격, 나프탈렌 골격, 비페닐 골격 중 어느 것을 갖는 것이며, 더욱 바람직하게는 벤젠 골격, 비페닐 골격 중 어느 것을 갖는 것이다.Therefore, according to a preferred aspect of the present invention, the tetravalent aromatic group that X 1 can take has any of a benzene skeleton, a naphthalene skeleton, a biphenyl skeleton, and a terphenyl skeleton, more preferably a benzene skeleton, a naphthalene skeleton, It has any of biphenyl skeletons, More preferably, it has any of a benzene skeleton and a biphenyl skeleton.

본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은, 산 2무수물로서의 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA) (식 (4)) 과, 디아민으로서의, p-페닐렌디아민 (pPDA) (식 (5)) 및 4,4"-디아미노-p-터페닐 (DATP) (식 (6)), 또는 산 2무수물로서의 피로멜리트산 2무수물 (PMDA) (식 (7)) 과, 디아민으로서의 pPDA (식 (5)) 를 반응시킴으로써 얻을 수 있다.According to a preferred aspect of the present invention, the polyamic acid used in the present invention is 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (Formula (4)) as an acid dianhydride, p-phenylenediamine (pPDA) (formula (5)) and 4,4″-diamino-p-terphenyl (DATP) (formula (6)) as diamine, or pyromellitic dianhydride as acid dianhydride It can be obtained by reacting (PMDA) (formula (7)) with pPDA (formula (5)) as diamine.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112021143582190-pat00013
Figure 112021143582190-pat00013

상기 반응에 있어서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA) 과, p-페닐렌디아민 (pPDA) 및 4,4"-디아미노-p-터페닐 (DATP) 로 이루어지는 디아민, 또는 피로멜리트산 2무수물 (PMDA) 과, pPDA 의 투입비 (몰비) 는, 소망하는 폴리아믹산의 분자량이나 모노머 단위의 비율 등을 감안하여 적절히 설정할 수 있지만, 아민 성분 1 에 대해, 통상적으로 산 무수물 성분을 0.7 ∼ 1.3 정도로 할 수 있고, 바람직하게 0.8 ∼ 1.2 정도이다.In the above reaction, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), p-phenylenediamine (pPDA) and 4,4″-diamino-p-terphenyl ( DATP), or pyromellitic dianhydride (PMDA), and the addition ratio (molar ratio) of pPDA can be appropriately set in consideration of the molecular weight of the desired polyamic acid, the ratio of monomer units, etc. , The acid anhydride component can usually be about 0.7 to 1.3, preferably about 0.8 to 1.2.

한편, 디아민인 pPDA 와 DATP 의 투입비는, DATP 의 물질량 (m2) 을 1 로 했을 경우에, pPDA 의 물질량 (m1) 을, 통상적으로 1.7 ∼ 20 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 2.1 ∼ 20, 보다 바람직하게는 2.2 ∼ 20, 보다 한층 바람직하게는 2.3 ∼ 19, 더욱 바람직하게는 2.3 ∼ 18 이다. 즉, m1 과 m2 는, 통상적으로 m1/m2 = 1.7 ∼ 20 이고, 바람직하게는 2.1 ∼ 20 이고, 보다 바람직하게는 2.2 ∼ 20 이고, 보다 한층 바람직하게는 2.3 ∼ 19 이며, 더욱 바람직하게는 2.3 ∼ 18 이다.On the other hand, the input ratio of pPDA and DATP, which are diamines, when the amount of substance (m 2 ) of DATP is 1, the substance amount (m 1 ) of pPDA can be usually about 1.7 to 20, but preferably 2.1 to 20 , More preferably from 2.2 to 20, still more preferably from 2.3 to 19, still more preferably from 2.3 to 18. That is, m 1 and m 2 are usually m 1 /m 2 = 1.7 to 20, preferably 2.1 to 20, more preferably 2.2 to 20, still more preferably 2.3 to 19, and still more Preferably it is 2.3-18.

상기한 반응은 유기 용매 중에서 실시한다. 즉, 본 발명에 의한 박리층 형성용 조성물은, 이러한 유기 용매를 포함한다. 여기서 사용 가능한 유기 용매는, 상기 반응에 악영향을 미치지 않는 것이면, 각종 용제를 사용할 수 있다.The above reaction is carried out in an organic solvent. That is, the composition for forming a release layer according to the present invention contains such an organic solvent. As the organic solvent that can be used here, various solvents can be used as long as they do not adversely affect the reaction.

구체예로는, m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-이소프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-sec-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-tert-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, γ-부티로락톤 등의 프로톤성 용제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Specific examples include m-cresol, 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-vinyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethyl Acetamide, N,N-dimethylformamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-ethoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-propoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-isopropoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-sec-butoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-tert-butoxy-N , protonic solvents such as N-dimethylpropylamide and γ-butyrolactone; and the like. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 유기 용매는, 식 (A) 또는 (B) 로 나타내는 용매이다.According to a preferred aspect of the present invention, the organic solvent is a solvent represented by formula (A) or (B).

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112021143582190-pat00014
Figure 112021143582190-pat00014

식 (A) 및 식 (B) 에 있어서, Ra 및 Rb 는 동일해도 되고 상이해도 되고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. 또 여기서, h 는, 자연수를 나타내고, 바람직하게는 1 ∼ 3 이다.In the formulas (A) and (B), R a and R b may be the same or different and represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably having 1 to 3 carbon atoms. Moreover, h represents a natural number here, Preferably it is 1-3.

반응 온도는, 사용하는 용매의 융점부터 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되고, 통상적으로 0 ∼ 100 ℃ 정도이지만, 얻어지는 폴리아믹산의 이미드화를 방지하여 폴리아믹산 단위의 고함유량을 유지하기 위해서는, 바람직하게는 0 ∼ 70 ℃ 정도이고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 60 ℃ 정도이고, 보다 한층 바람직하게는 0 ∼ 50 ℃ 정도이다.The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent used, and is usually about 0 to 100 ° C., but in order to prevent imidation of the obtained polyamic acid and maintain a high content of polyamic acid units, preferably It is preferably about 0 to 70°C, more preferably about 0 to 60°C, even more preferably about 0 to 50°C.

반응 시간은, 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상적으로 1 ∼ 100 시간 정도이다.The reaction time cannot be uniformly defined because it depends on the reaction temperature or the reactivity of the raw materials, but is usually about 1 to 100 hours.

이상 설명한 방법에 의해, 목적으로 하는 폴리아믹산을 포함하는 반응 용액을 얻을 수 있다.By the method described above, a reaction solution containing the target polyamic acid can be obtained.

본 발명에 있어서는, 통상적으로, 상기 반응 용액을 여과한 후, 그 여과액을 그대로, 또는, 희석 혹은 농축하여, 박리층 형성용 조성물로서 사용한다. 이와 같이 함으로써, 얻어지는 수지 박막의 내열성, 유연성 혹은 선팽창 계수 특성의 악화의 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만 아니라, 효율적으로 조성물을 얻을 수 있다.In the present invention, usually, after filtering the reaction solution, the filtrate is used as a composition for forming a release layer as it is or after being diluted or concentrated. By doing in this way, not only can the mixing of impurities which can cause deterioration of the heat resistance, flexibility, or linear expansion coefficient characteristics of the thin resin film obtained can be reduced, but also the composition can be obtained efficiently.

희석이나 농축에 사용하는 용매는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어, 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 동일한 것을 들 수 있으며, 그것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The solvent used for dilution or concentration is not particularly limited, and examples thereof include the same ones as specific examples of the reaction solvent in the above reaction, and they may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도, 평탄성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, 사용하는 용제로는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤이 바람직하다.Among these, in view of obtaining a resin thin film with high flatness with good reproducibility, as solvents to be used, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1 ,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone, and γ-butyrolactone are preferred.

폴리아믹산의 박리층 형성용 조성물 총질량에 대한 농도는, 제조하는 박막 (박리층) 의 두께나 조성물 점도 등을 감안하여 적절히 설정하는 것이지만, 통상적으로 0.5 ∼ 30 질량% 정도, 바람직하게는 5 ∼ 25 질량% 정도이다.The concentration of the polyamic acid relative to the total mass of the composition for forming a release layer is appropriately set in consideration of the thickness of the thin film (release layer) to be produced, the viscosity of the composition, and the like, but is usually about 0.5 to 30% by mass, preferably 5 to It is about 25 mass %.

또, 박리층 형성용 조성물의 점도도, 제조하는 박막의 두께 등 감안하여 적절히 설정하는 것이지만, 특히 0.05 ∼ 5 ㎛ 정도 두께의 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것 목적으로 하는 경우, 통상적으로 25 ℃ 에서 10 ∼ 10,000 mPa·s 정도, 바람직하게는 20 ∼ 1000 mPa·s 정도, 보다 바람직하게는 20 ∼ 200 mPa·s 정도이다.In addition, the viscosity of the composition for forming a release layer is also set appropriately in consideration of the thickness of the thin film to be produced, etc., but especially when the purpose is to obtain a resin thin film having a thickness of about 0.05 to 5 μm with good reproducibility, usually at 25 ° C. It is about 10 to 10,000 mPa·s, preferably about 20 to 1000 mPa·s, and more preferably about 20 to 200 mPa·s.

여기서, 박리층 형성용 조성물의 점도는, 시판되는 액체의 점도 측정용 점도계를 사용하여, 예를 들어, JIS K7117-2 에 기재된 순서를 참조하여, 박리층 형성용 조성물의 온도 25 ℃ 의 조건으로 측정할 수 있다. 바람직하게는 점도계로는, 원추 평판형 (콘 플레이트형) 회전 점도계를 사용하고, 바람직하게는 동형 (同型) 의 점도계로 표준 콘 로터로서 1°34‘ × R24 를 사용하여, 박리층 형성용 조성물의 온도 25 ℃ 의 조건으로 측정할 수 있다. 이와 같은 회전 점도계로는, 예를 들어, 토키 산업 주식회사 제조 TVE-25H 를 들 수 있다.Here, the viscosity of the composition for forming a release layer was measured using a commercially available viscometer for measuring the viscosity of liquids, for example, with reference to the procedure described in JIS K7117-2, under conditions of a temperature of the composition for forming a release layer of 25°C. can be measured Preferably, a conical plate type (cone plate type) rotational viscometer is used as the viscometer, and 1°34'×R24 is preferably used as a standard cone rotor with the same type of viscometer, and the composition for forming a release layer is used. The temperature of can be measured under the condition of 25 degreeC. As such a rotational viscometer, Toki Sangyo Co., Ltd. TVE-25H is mentioned, for example.

또한, 본 발명의 조성물은, 폴리아믹산과 유기 용매 외에, 여러 가지 성분을 가져도 된다. 예를 들어, 가교제 (이하, 가교성 화합물이라고도 한다.) 를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Moreover, the composition of this invention may have various components other than a polyamic acid and an organic solvent. For example, although a crosslinking agent (henceforth also referred to as a crosslinkable compound) is mentioned, it is not limited to these.

상기 가교성 화합물로는, 예를 들어 에폭시기를 2 개 이상 함유하는 화합물, 아미노기의 수소 원자가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 그 양방으로 치환된 기를 갖는, 멜라민 유도체, 벤조구아나민 유도체 또는 글리콜우릴 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the cross-linkable compound include compounds containing two or more epoxy groups, melamine derivatives, benzoguanamine derivatives, and glycolurils having a group in which the hydrogen atom of an amino group is substituted with a methylol group, an alkoxymethyl group, or both. may, but are not limited to these.

이하에, 가교성 화합물의 구체예를 들지만, 이것에 한정되지 않는다.Although the specific example of a crosslinkable compound is given below, it is not limited to this.

에폭시기를 2 개 이상 함유하는 화합물로는, 에폴리드 GT-401, 에폴리드 GT-403, 에폴리드 GT-301, 에폴리드 GT-302, 셀록사이드 2021, 셀록사이드 3000 (이상, 주식회사 다이 셀 제조) 등의 시클로헥센 구조를 갖는 에폭시 화합물;에피코트 1001, 에피코트 1002, 에피코트 1003, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 에피코트 1010, 에피코트 828 (이상, 재팬 에폭시 레진 주식회사 제조 (현:미츠비시 화학 주식회사 제조, jER (등록상표) 시리즈)) 등의 비스페놀 A 형 에폭시 화합물;에피코트 807 (재팬 에폭시 레진 주식회사 제조) 등의 비스페놀 F 형 에폭시 화합물;에피코트 152, 에피코트 154 (이상, 재팬 에폭시 레진 주식회사 제조 (현:미츠비시 화학 주식회사 제조, jER (등록상표) 시리즈)), EPPN201, EPPN202 (이상, 닛폰 화약 주식회사 제조) 등의 페놀 노볼락형 에폭시 화합물;ECON-102, ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025, ECON-1027 (이상, 닛폰 화약 주식회사 제조), 에피코트 180S75 (재팬 에폭시 레진 주식회사 (현:미츠비시 화학 주식회사 제조, jER (등록상표) 시리즈) 제조) 등의 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물;V8000-C7 (DIC 주식회사 제조) 등의 나프탈렌형 에폭시 화합물;데나콜 EX-252 (나가세 켐텍스 주식회사 제조), CY175, CY177, CY179, 아랄다이트 CY-182, 아랄다이트 CY-192, 아랄다이트 CY-184 (이상, BASF 사 제조), 에피클론 200, 에피클론 400 (이상, DIC 주식회사 제조), 에피코트 871, 에피코트 872 (이상, 재팬 에폭시 레진 주식회사 제조 (현:미츠비시 화학 주식회사 제조, jER (등록상표) 시리즈)), ED-5661, ED-5662 (이상, 셀라니즈 코팅 주식회사 제조) 등의 지환식 에폭시 화합물;데나콜 EX-611, 데나콜 EX-612, 데나콜 EX-614, 데나콜 EX-622, 데나콜 EX-411, 데나콜 EX-512, 데나콜 EX-522, 데나콜 EX-421, 데나콜 EX-313, 데나콜 EX-314, 데나콜 EX-312 (이상, 나가세 켐텍스 주식회사 제조) 등의 지방족 폴리글리시딜에테르 화합물을 들 수 있다.Examples of the compound containing two or more epoxy groups include Epolyd GT-401, Epolid GT-403, Epolid GT-301, Epolid GT-302, Celoxide 2021, and Celoxide 3000 (above, Daicel) Epoxy compounds having a cyclohexene structure; Bisphenol A type epoxy compounds such as Resin Co., Ltd. (current: Mitsubishi Chemical Co., Ltd., jER (registered trademark) series)); Bisphenol F type epoxy compounds such as Epicoat 807 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.); Epicoat 152, Epicoat Coat 154 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. (currently: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER (registered trademark) series)), EPPN201, EPPN202 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and other phenol novolak-type epoxy compounds; ECON-102 , ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025, ECON-1027 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicoat 180S75 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd. (currently: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER (registered trademark)) series); cresol novolac type epoxy compounds such as; V8000-C7 (manufactured by DIC Corporation); naphthalene type epoxy compounds such as; CY-182, Araldite CY-192, Araldite CY-184 (above, manufactured by BASF), Epiklon 200, Epiklon 400 (above, manufactured by DIC Corporation), Epicoat 871, Epicoat 872 (above, Alicyclic epoxy compounds such as Japan Epoxy Resin Co., Ltd. (current: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER (registered trademark) series)), ED-5661, ED-5662 (above, manufactured by Celanese Coatings); Denacol EX-611 , Denacol EX-612, Denacol EX-614, Denacol EX-622, Denacol EX-411, Denacol EX-512, Denacol EX-522, Denacol EX-421, Denacol EX-313, Denacol and aliphatic polyglycidyl ether compounds such as EX-314 and Denacol EX-312 (above, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.).

아미노기의 수소 원자가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 그 양방으로 치환된 기를 갖는, 멜라민 유도체, 벤조구아나민 유도체 또는 글리콜우릴로는, 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 3.7 개 치환되어 있는 MX-750, 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 5.8 개 치환되어 있는 MW-30 (이상, 주식회사 산와 케미컬 제조);사이멜 300, 사이멜 301, 사이멜 303, 사이멜 350, 사이멜 370, 사이멜 771, 사이멜 325, 사이멜 327, 사이멜 703, 사이멜 712 등의 메톡시메틸화 멜라민;사이멜 235, 사이멜 236, 사이멜 238, 사이멜 212, 사이멜 253, 사이멜 254 등의 메톡시메틸화부톡시메틸화 멜라민;사이멜 506, 사이멜 508 등의 부톡시메틸화 멜라민;사이멜 1141 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화이소부톡시메틸화 멜라민;사이멜 1123 과 같은 메톡시메틸화에톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1123-10 과 같은 메톡시메틸화부톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1128 과 같은 부톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1125-80 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화에톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1170 과 같은 부톡시메틸화글리콜우릴;사이멜 1172 와 같은 메틸올화글리콜우릴 (이상, 미츠이 사이아나미드 주식회사 제조 (현:닛폰 사이텍 인더스트리즈 주식회사) 등을 들 수 있다.Examples of melamine derivatives, benzoguanamine derivatives, or glycolurils in which the hydrogen atom of the amino group is substituted with a methylol group, an alkoxymethyl group, or both, MX-750 in which an average of 3.7 methoxymethyl groups are substituted per triazine ring; MW-30 having an average of 5.8 methoxymethyl groups substituted per triazine ring (above, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.); Cymel 300, Cymel 301, Cymel 303, Cymel 350, Cymel 370, Cymel 771 Cymel 325, Cymel 327, Cymel 703, Cymel 712, etc. methoxymethylated melamine; Cymel 235, Cymel 236, Cymel 238, Cymel 212, Cymel 253, Cymel 254, etc. Methylated butoxymethylated melamine; Butoxymethylated melamine such as Cymel 506 and Cymel 508; Carboxyl group-containing methoxymethylated isobutoxymethylated melamine such as Cymel 1141; Methoxymethylated ethoxymethylated benzoguanamine such as Cymel 1123; Methoxymethylated butoxymethylated benzoguanamines such as Cymel 1123-10; Butoxymethylated benzoguanamines such as Cymel 1128; Carboxyl group-containing methoxymethylated ethoxymethylated benzoguanamines such as Cymel 1125-80; Cymel Butoxymethylation glycoluril like 1170; methylolation glycoluril like Cymel 1172 (above, manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd. (present: Nippon Cytec Industries, Ltd.), etc. are mentioned.

이상 설명한 본 발명의 박리층 형성용 조성물을 기체에 도포하여 가열함으로써, 높은 내열성과, 적당한 유연성과, 적당한 선팽창 계수를 갖는 폴리이미드로 이루어지는 박막 (박리층) 을 얻을 수 있다.By applying the composition for forming a release layer of the present invention described above to a substrate and heating it, a thin film (release layer) made of polyimide having high heat resistance, appropriate flexibility and appropriate coefficient of linear expansion can be obtained.

베이스 기체 (기재) 로는, 예를 들어, 유리, 플라스틱 (폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트리아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노르보르넨계 수지 등), 금속 (실리콘 웨이퍼 등), 목재, 종이, 슬레이트 등을 들 수 있다.As the base substrate (substrate), for example, glass, plastic (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetyl cellulose, ABS, AS, norbornene-based resin, etc.), metal (silicon wafer, etc.), wood, paper, slate, etc. are mentioned.

도포하는 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법 (볼록판, 오목판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다.The coating method is not particularly limited, but examples include a cast coating method, a spin coating method, a blade coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a die coating method, an inkjet method, and a printing method (relief version , intaglio, plate, screen printing, etc.).

또 본 발명의 박리층 형성용 조성물 중에 포함하는 폴리아믹산을 이미드화시키는 방법으로는, 기판 상에 도포한 조성물을 그대로 가열하는 열 이미드화, 및, 조성물 중에 촉매를 첨가하여 가열하는 촉매 이미드화를 들 수 있다.In addition, as a method of imidizing the polyamic acid contained in the composition for forming a release layer of the present invention, thermal imidation in which the composition applied on the substrate is heated as it is, and catalyst imidation in which a catalyst is added to the composition and heated can be heard

폴리아믹산의 촉매 이미드화는, 본 발명의 박리층 형성용 조성물 중에 촉매를 첨가하고, 교반함으로써 촉매 첨가 조성물을 조정한 후, 기판에 도포, 가열함으로써 수지 박막 (박리층) 이 얻어진다. 촉매의 양은 아미드산기의 0.1 내지 30 몰배, 바람직하게는 1 내지 20 몰배이다. 또 촉매 첨가 조성물 중에 탈수제로서 무수 아세트산 등을 첨가할 수도 있으며, 그 양은 아미드산기의 1 내지 50 몰배, 바람직하게는 3 내지 30 몰배이다.Catalyst imidation of polyamic acid is carried out by adding a catalyst to the composition for forming a release layer of the present invention and adjusting the catalyst-added composition by stirring, then applying to a substrate and heating to obtain a thin resin film (release layer). The amount of the catalyst is 0.1 to 30 mole times, preferably 1 to 20 mole times the amount of the amide acid group. Also, acetic anhydride or the like may be added as a dehydrating agent in the catalyst-added composition, and the amount is 1 to 50 mole times, preferably 3 to 30 mole times the amount of the amic acid group.

이미드화 촉매로는 3 급 아민을 사용하는 것이 바람직하다. 3 급 아민으로는, 피리딘, 치환 피리딘류, 이미다졸, 치환 이미다졸류, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등이 바람직하다.It is preferable to use a tertiary amine as an imidation catalyst. As a tertiary amine, pyridine, substituted pyridine, imidazole, substituted imidazole, picoline, quinoline, isoquinoline, etc. are preferable.

열 이미드화 및 촉매 이미드화시의 가열 온도는, 450 ℃ 이하가 바람직하다. 450 ℃ 를 초과하면, 얻어지는 수지 박막이 물러지고, 목적으로 하는 용도에 적합한 수지 박막을 얻을 수 없는 경우가 있다.As for the heating temperature at the time of thermal imidation and catalyst imidation, 450 degreeC or less is preferable. When 450 degreeC is exceeded, the obtained resin thin film becomes brittle, and the resin thin film suitable for the intended use may not be obtained.

또, 얻어지는 수지 박막의 내열성과 선팽창 계수 특성을 고려하면, 도포한 조성물을 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후에, 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.In addition, considering the heat resistance and linear expansion coefficient characteristics of the obtained resin thin film, after heating the applied composition at 50 ° C. to 100 ° C. for 5 minutes to 2 hours, the heating temperature is raised stepwise as it is, and finally over 375 ° C. to 450 ° C. It is preferable to heat from 30 minutes to 4 hours.

특히, 도포한 조성물은, 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후에, 100 ℃ 초과 ∼ 200 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 이어서, 200 ℃ 초과 ∼ 375 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 마지막으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.In particular, the applied composition is heated at 50 ° C. to 100 ° C. for 5 minutes to 2 hours, then higher than 100 ° C. to 200 ° C. for 5 minutes to 2 hours, then higher than 200 ° C. to 375 ° C. for 5 minutes to 2 hours, Finally, it is preferable to heat at over 375°C to 450°C for 30 minutes to 4 hours.

가열에 사용하는 기구는, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는, 공기하여도 되고 불활성 가스하여도 되며, 또, 상압하여도 되고 감압하여도 된다.As for the mechanism used for heating, a hot plate, an oven, etc. are mentioned, for example. The heating atmosphere may be air or an inert gas, and may be normal pressure or reduced pressure.

수지 박막의 두께는, 특히 박리층으로서 사용하는 경우, 통상적으로 0.01 ∼ 10 ㎛ 정도, 바람직하게는 0.05 ∼ 5 ㎛ 정도이며, 가열 전의 도막의 두께를 조정하여 원하는 두께의 수지 박막을 형성한다.The thickness of the resin thin film is usually about 0.01 to 10 μm, preferably about 0.05 to 5 μm, especially when used as a release layer, and a resin thin film having a desired thickness is formed by adjusting the thickness of the coating film before heating.

이상 설명한 박막은, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시키기 위한 박리층으로서 사용하는 데 최적이다.The thin film described above is optimal for use as a peeling layer for peeling without damaging a substrate applied to a flexible electronic device.

본원의 조성물에 의해, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 플렉시블 기판과, 베이스 기판의 사이에 형성되는 박리층을 형성할 수 있다. 베이스 기판으로는, 유리 또는 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 유리를 포함한다.With the composition of the present application, a peeling layer formed between a flexible substrate applied to a flexible electronic device and a base substrate can be formed. As the base substrate, it is preferable to include glass or a silicon wafer, and more preferably, glass is included.

예를 들어, 유리 기판에 본원의 조성물을 종래 공지된 수법에 의해 도포하고, 얻어진 도포막을 소정의 온도로 가열함으로써 박리층을 형성할 수 있다.For example, a peeling layer can be formed by applying the composition of the present application to a glass substrate by a conventionally known method and heating the obtained coating film to a predetermined temperature.

또, 피박리체층은, 박리층 상에 형성할 수 있다. 피박리체층은, 1 층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 여러 가지 디바이스를 제조하려면, 복수 층인 것이 현실적이다.In addition, the layer to be peeled off can be formed on the peeling layer. The layer of the body to be peeled off may be one layer or a plurality of layers. To manufacture various devices, it is realistic to have multiple layers.

피박리체층 중 박리층 바로 위의 층은, 사용하는 박리층에 의존하지만, 그 박리층과의 박리성이 좋은 것, 바꿔 말하면, 사용하는 박리층과의 밀착성이 좋지 않은 것을 사용하는 것이 좋다.Among the layers of the body to be released, the layer directly above the release layer depends on the release layer used, but it is preferable to use a layer having good peelability with the release layer, in other words, a layer with poor adhesion to the release layer used.

본원의 다른 면으로서, 피박리체의 제조 방법을 제공한다.As another aspect of the present application, a method for producing a body to be separated is provided.

그 방법은,that way,

a) 본원의 조성물을 유리 기판 상에 도포한 후, 박리층을 형성하는 공정;a) a step of forming a release layer after applying the composition of the present application onto a glass substrate;

b) 그 박리층 상에, 피박리체를 형성하는 공정;및 b) forming a body to be separated on the release layer; and

c) 박리층과 피박리체의 계면에 있어서, 피박리체를 박리하는 공정;c) Step of peeling the body to be separated at the interface between the release layer and the body to be separated;

을 가짐으로써, 피박리체를 얻을 수 있다.By having, a body to be separated can be obtained.

b) 공정에 있어서, 「피박리체」 는 1 층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 또한, 「피박리체」 중 박리층 바로 위의 층은, 사용하는 박리층에 의존하지만, 그 박리층과의 박리성이 좋은 것, 바꾸어 말하면, 사용하는 박리층과의 밀착성이 좋지 않은 것인 것이 좋다.In the step b), the "object to be peeled" may be one layer or a plurality of layers. In addition, the layer directly above the release layer among the "substances to be separated" is dependent on the release layer used, but it is said that the release property with the release layer is good, in other words, the adhesion with the release layer used is poor. good night.

본 발명의 다른 바람직한 양태에 의하면, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판 구조로서, According to another preferred aspect of the present invention, as a substrate structure applied to a flexible electronic device,

베이스 기판과,a base substrate;

1 또는 2 이상의 영역에서, 상기 베이스 기체를 덮는 박리층으로서, 본 발명에 의한 박리층 형성용 조성물에 의해 형성된 박리층과, A release layer formed of the composition for forming a release layer according to the present invention as a release layer covering the base substrate in one or two or more areas;

상기 베이스 기판과, 상기 박리층을 덮는, 플렉시블 기판A flexible substrate covering the base substrate and the exfoliation layer

을 포함하고,including,

상기 플렉시블 기판과 상기 박리층의 밀착력이, 상기 박리층과 상기 베이스 기체의 밀착력보다 큰 것을 특징으로 하는, 기판 구조가 제공된다. 여기서 말하는 밀착력의 크기는, 예를 들어, 본원의 실시예에서 나타낸 크로스컷 시험에 의해 확인할 수 있다.A substrate structure is provided in which adhesion between the flexible substrate and the exfoliation layer is greater than adhesion between the exfoliation layer and the base substrate. The size of the adhesive force referred to herein can be confirmed by, for example, a cross-cut test shown in Examples of the present application.

이하, 본 발명을 실시예를 따라 설명하는데, 본 발명은 그 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described according to examples, but the present invention is not limited to the examples.

실시예Example

본 실시예에 사용하는 약어에 대해, 이하에 열거하고, 설명한다.The abbreviations used in this embodiment are enumerated and explained below.

<용매><Solvent>

NMP:N-메틸피롤리돈.NMP: N-methylpyrrolidone.

<아민류><amines>

p-PDA:p-페닐렌디아민.p-PDA: p-phenylenediamine.

APAB:2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸.APAB: 2-(3-aminophenyl)-5-aminobenzimidazole.

DATP:4,4'-디아미노-p-터페닐.DATP: 4,4'-diamino-p-terphenyl.

6FAP:2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판.6FAP: 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane.

<산 2무수물> <Acid dianhydride>

BPDA:3,3'-4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물.BPDA: 3,3'-4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.

BA-TME:4,4-비페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물).BA-TME: 4,4-biphenylene bis (trimellitic acid monoester acid anhydride).

PMDA:피로멜리트산 2무수물.PMDA: Pyromellitic dianhydride.

<알데히드> <aldehyde>

IPHA:이소프탈알데히드.IPHA: isophthalaldehyde.

[수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량의 측정][Measurement of Number Average Molecular Weight and Weight Average Molecular Weight]

폴리머의 중량 평균 분자량 (이하, 「Mw」 라고 약기한다) 과 분자량 분포는, 닛폰 분광 주식회사 제조 GPC 장치 (Shodex (등록상표) 칼럼 KF803L 및 KF805L) 를 사용하고 용출 용매로서 디메틸포름아미드를 유량 1 ㎖/분, 칼럼 온도 50 ℃ 의 조건으로 측정하였다. 또한, Mw 는 폴리스티렌 환산값으로 하였다.The weight average molecular weight (hereinafter abbreviated as "Mw") and molecular weight distribution of the polymer were measured using a GPC apparatus (Shodex (registered trademark) column KF803L and KF805L) manufactured by Nippon Spectroscopy Co., Ltd., using dimethylformamide as an elution solvent at a flow rate of 1 ml. /min, column temperature was measured under the condition of 50 degreeC. In addition, Mw was taken as a polystyrene conversion value.

<합성예> <Synthesis example>

<합성예 1 폴리이미드 전구체 P1 의 합성> <Synthesis Example 1 Synthesis of Polyimide Precursor P1>

BPDA (98)//p-PDA (90)/DATP (10)BPDA (98)//p-PDA (90)/DATP (10)

p-PDA 17.8 g (0.164 몰), DATP 2.38 g (0.009 몰), 및 APAB 2.05 g (0.009 몰) 을 NMP 425 g 에 용해시키고, BPDA 52.8 g (0.179 몰) 을 동시에 첨가한 후, 재차 NMP 7.4 g 을 첨가하고, 질소 분위기하 23 ℃, 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P1 의 Mw 는 63000, 분자량 분포 9.9 였다.17.8 g (0.164 mol) of p-PDA, 2.38 g (0.009 mol) of DATP, and 2.05 g (0.009 mol) of APAB were dissolved in 425 g of NMP, 52.8 g (0.179 mol) of BPDA was added simultaneously, and NMP 7.4 was added again. g was added, and it was made to react at 23 degreeC for 24 hours by nitrogen atmosphere. Mw of the obtained polyimide precursor P1 was 63000 and molecular weight distribution 9.9.

<합성예 2 폴리이미드 전구체 P2 의 합성> <Synthesis Example 2 Synthesis of Polyimide Precursor P2>

BPDA (98)/DATP (100)BPDA (98)/DATP (100)

DATP 30.8 g (0.118 몰) 을 NMP 425 g 에 용해시키고, BPDA 34.1 g (0.116 몰) 을 동시에 첨가한 후, 재차 NMP 10 g 을 첨가하고, 질소 분위기하 23 ℃, 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P2 의 Mw 는 70700, 분자량 분포 9.7 이었다.After dissolving 30.8 g (0.118 mol) of DATP in 425 g of NMP and adding 34.1 g (0.116 mol) of BPDA at the same time, 10 g of NMP was added again and it was made to react under nitrogen atmosphere at 23 degreeC for 24 hours. Mw of obtained polyimide precursor P2 was 70700 and molecular weight distribution 9.7.

<합성예 3 폴리이미드 전구체 P3 의 합성> <Synthesis Example 3 Synthesis of Polyimide Precursor P3>

PMDA (98)/p-PDA (80)/DATP (20)PMDA (98)/p-PDA (80)/DATP (20)

p-PDA 20.261 g (0.1875 몰) 과 TPDA 12.206 g (0.0469 몰) 을 NMP 617.4 g 에 용해하고, 15 ℃ 로 냉각 후, PMDA 50.112 g (0.2298 몰) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 50 ℃ 에서 48 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P3 의 Mw 는 82,100, 분자량 분포는 2.7 이었다.20.261 g (0.1875 mol) of p-PDA and 12.206 g (0.0469 mol) of TPDA were dissolved in 617.4 g of NMP, and after cooling to 15°C, 50.112 g (0.2298 mol) of PMDA was added and the mixture was stirred at 48°C at 50°C under a nitrogen atmosphere. time reacted. Mw of obtained polyimide precursor P3 was 82,100, and molecular weight distribution was 2.7.

<합성예 4 폴리이미드 전구체 P4 의 합성> <Synthesis Example 4 Synthesis of Polyimide Precursor P4>

BP-TME (98)//p-PDA (95)/APAB (5)BP-TME (98)//p-PDA (95)/APAB (5)

p-PDA 9.66 g (0.089 몰) 과 APAB 1.05 g (0.005 몰) 을 NMP 440 g 에 용해하고, BP-TME 49.2 g (0.092 몰) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 실온에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P4 의 Mw 는 57000, 분자량 분포는 9.3 이었다.9.66 g (0.089 mol) of p-PDA and 1.05 g (0.005 mol) of APAB were dissolved in 440 g of NMP, 49.2 g (0.092 mol) of BP-TME was added, and the mixture was reacted under a nitrogen atmosphere at room temperature for 24 hours. Mw of obtained polyimide precursor P4 was 57000, and molecular weight distribution was 9.3.

<합성예 5 폴리이미드 전구체 P5 의 합성> <Synthesis Example 5 Synthesis of Polyimide Precursor P5>

BPDA (98)//p-PDA (100)BPDA (98)//p-PDA (100)

p-PDA 3.176 g (0.02937 몰) 을 NMP 88.2 g 에 용해하고, BPDA 8.624 g (0.02931 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P5 의 Mw 는 107,300, 분자량 분포 4.6 이었다.After dissolving 3.176 g (0.02937 mol) of p-PDA in 88.2 g of NMP and adding 8.624 g (0.02931 mol) of BPDA, it was made to react by nitrogen atmosphere at 23 degreeC for 24 hours. Mw of obtained polyimide precursor P5 was 107,300 and molecular weight distribution 4.6.

<합성예 6 폴리벤조옥사졸 전구체 (P6) 의 합성><Synthesis Example 6 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (P6)>

IHPA (98)//6FAP (100)IHPA (98)//6FAP (100)

6FAP 3.18 g (0.059 몰) 을 NMP 70 g 에 용해하고, IPHA 7.92 g (0.060 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 107,300, 분자량 분포 4.6 이었다.After dissolving 3.18 g (0.059 mol) of 6FAP in 70 g of NMP and adding 7.92 g (0.060 mol) of IPHA, it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Mw of the obtained polymer was 107,300 and molecular weight distribution 4.6.

<합성예 7 폴리이미드 전구체 P7 의 합성> <Synthesis Example 7 Synthesis of Polyimide Precursor P7>

PMDA (98)//p-PDA (100)PMDA (98)//p-PDA (100)

p-PDA 10.078 g (93 m㏖) 을 NMP 220.0 g 에 용해시켰다. 얻어진 용액에, PMDA 19.922 g (91 m㏖) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 55,900, 분자량 분포 3.1 이었다.10.078 g (93 mmol) of p-PDA was dissolved in 220.0 g of NMP. PMDA 19.922g (91mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Mw of the obtained polymer was 55,900 and molecular weight distribution 3.1.

<박리층 기판의 제조> <Manufacture of release layer substrate>

상기 합성예 1 ∼ 7 에서 얻은 P1 ∼ P7 을 NMP 로 4 wt% 로 희석하고, 100 ㎜ × 100 ㎜ 유리 기판 (OA-10G 무알칼리 유리) 또는 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터를 사용하여 도포한 후, 큐어 조건 A ∼ C 로, 오븐으로 소성하여 박리층을 제조하였다.P1 to P7 obtained in Synthesis Examples 1 to 7 were diluted to 4 wt% with NMP and coated on a 100 mm × 100 mm glass substrate (OA-10G alkali-free glass) or silicon wafer using a spin coater, Under curing conditions A to C, it was baked in an oven to prepare a release layer.

큐어 조건 A:120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 60 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 60 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다. Cure conditions A : Maintained at 120 ° C for 30 minutes → Raised temperature → Maintained at 300 ° C for 60 minutes → Raised temperature → Maintained at 400 ° C for 60 minutes. In addition, the heating rate was 10 deg. C/min.

큐어 조건 B:120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 180 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 240 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 450 ℃ 에서 60 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다. Cure conditions B : hold at 120 ° C for 30 minutes → raise the temperature → hold at 180 ° C for 20 minutes → raise the temperature → hold at 240 ° C for 20 minutes → raise the temperature → hold at 300 ° C for 20 minutes → raise the temperature → hold at 400 ° C for 20 minutes → raise the temperature → 450°C hold 60 minutes at °C. In addition, the heating rate was 10 deg. C/min.

큐어 조건 C:80 ℃ 에서 10 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 30 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다. Cure conditions C : hold at 80°C for 10 minutes → raise the temperature → hold for 30 minutes at 300°C → raise the temperature → hold for 30 minutes at 400°C. In addition, the heating rate was 10 deg. C/min.

얻어진 도포막의 막두께는, 접촉식 막두께 측정기 (주식회사 ULVAC 제조 Dektak 3ST) 를 사용하여, 측정하였다.The film thickness of the obtained coating film was measured using the contact-type film thickness meter (Dektak 3ST by ULVAC Co., Ltd.).

표 1 에, 사용한 P1 ∼ P7 의 전구체, 도포 기판, 큐어 조건, 및 제조한 박리층의 막두께를 나타낸다.In Table 1, the precursors of P1 to P7 used, the applied substrate, curing conditions, and the film thickness of the produced release layer are shown.

Figure 112021143582190-pat00015
Figure 112021143582190-pat00015

<크로스컷 시험 I> <Crosscut Test I>

표 1 에서 나타내는 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판에 대해, 크로스컷 시험 I 에서, 기판 (유리 또는 실리콘 웨이퍼)/박리층의 밀착력을 확인하였다. For the substrates provided with the release layer of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Table 1, adhesion between the substrate (glass or silicon wafer)/release layer was confirmed in cross-cut test I.

크로스컷 시험 I 은, 다음과 같이 실시하였다.Crosscut test I was conducted as follows.

(1) 필름 상에, 가로세로 1 ㎜ 의 정방형을 100 개 제조하였다.(1) On a film, 100 squares of 1 mm square were prepared.

(2) 그 후, 점착 테이프 (셀로테이프 (등록상표)) 로 상기 정방형을 첩부하고, 박리 공정을 실시하였다.(2) After that, the square was affixed with an adhesive tape (Cellotape (registered trademark)), and a peeling step was performed.

(3) 박리 공정 후, 기판에 잔존하는, 상기 정방형을 세었다.(3) After the peeling step, the squares remaining on the substrate were counted.

<크로스컷 시험 I 의 결과의 지표> <Indices of results of crosscut test I>

크로스컷 시험의 결과, 박리의 정도를 이하의 지표로 나타낸다.As a result of the cross-cut test, the degree of peeling is represented by the following indexes.

5B:박리되지 않음.5B: No peeling.

4B:5 % 이하의 박리.4B: Peeling of 5% or less.

3B:5 ∼ 15 % 의 박리.3B: 5 to 15% peeling.

2B:15 ∼ 35 % 의 박리.2B: 15 to 35% peeling.

1B:35 ∼ 65 % 의 박리.1B: 35 to 65% peeling.

0B:65 % ∼ 80 % 의 박리.0B: 65% - 80% peeling.

B:80 % ∼ 95 % 의 박리.B: 80% - 95% of peeling.

A:95 % ∼ 100 % 미만의 박리.A: Peeling less than 95% - 100%.

AA:100 % 의 박리.AA: 100% peeling.

상기 크로스컷 시험 I 과는 별도로, 표 1 에서 나타내는 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판에 대해, 그 박리층을 구성하는 성분의 특성, 즉 (1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도, (2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률, (3) 파장 1000 ㎚ 에서의 복굴절, 및 (4) 표면 에너지를 측정하였다. 또한, 각 특성의 측정 조건 등을 이하에 나타낸다.Apart from the cross-cut test I, for the substrates provided with the release layer of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Table 1, the properties of the components constituting the release layer, namely (1) Heating Temperature indicating a 1% weight loss in weight change with time, (2) refractive index at a wavelength of 1000 nm, (3) birefringence at a wavelength of 1000 nm, and (4) surface energy were measured. In addition, measurement conditions, etc. of each characteristic are shown below.

<(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도> <(1) Temperature showing 1% weight loss in weight change upon heating>

브루커 주식회사 제조 TD-DTA2000ST 를 사용하여, 질소 분위기하에서 열 중량 (TG) 측정을 실시하고, 중량이 1 % 감소하는 온도를 구하였다.Thermogravimetric (TG) measurement was performed in a nitrogen atmosphere using TD-DTA2000ST manufactured by Bruker Corporation, and the temperature at which the weight decreased by 1% was determined.

<(2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률 및 (3) 복굴절률> <(2) refractive index and (3) birefringence at a wavelength of 1000 nm>

고속 분광 엘립소미터 M-2000 (제이·에이·울람·재팬 주식회사 제조) 을 사용하여, 굴절률 및 복굴절률을 측정하였다. 또한, 굴절률은, 1000 ㎚ 의 값의 면내 굴절률로 하고, 복굴절률은, 면내 굴절률과 면외 굴절률의 차로 하였다.The refractive index and birefringence were measured using a high-speed spectroscopic ellipsometer M-2000 (manufactured by J.A. Ulam Japan Co., Ltd.). In addition, the refractive index was made into the in-plane refractive index of the value of 1000 nm, and the birefringence was made into the difference of the in-plane refractive index and the out-of-plane refractive index.

<(4) 표면 에너지> <(4) surface energy>

전자동 접촉각계 DM-701 (쿄와 계면 과학 주식회사 제조) 을 사용하여, 각 부재의 표면 에너지를 측정하였다. 또한, 측정에 사용한 용매는, 물과 요오드화메틸렌이고, 이들 용매의 접촉각으로부터 산출하였다.The surface energy of each member was measured using a fully automatic contact angle meter DM-701 (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). In addition, the solvent used for the measurement was water and methylene iodide, and it calculated from the contact angle of these solvents.

<피박리체의 형성과 그 박리 시험 (크로스컷 시험 II)><Formation of body to be peeled off and peeling test (crosscut test II)>

실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판 상에 피박리체를 형성하고, 그 박리의 정도를 크로스컷 시험 II 로 확인하였다.In Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, bodies to be peeled were formed on the substrates provided with the peeling layer, and the degree of peeling was confirmed by cross-cut test II.

<<피박리체층의 제조>> <<Manufacture of layer to be released>>

박리층을 구비한 기판의 그 박리층 상에, 피박리체로서 폴리이미드 층을 형성하였다.On the release layer of the substrate provided with the release layer, a polyimide layer was formed as a body to be separated.

구체적으로는, 표 1 에 나타내는, 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비하는 기판의, 박리층 상에, 상기 합성예 5 또는 합성예 1 에서 얻어진 전구체 P5 또는 P1 을 바 코터로 도포하였다. 그 후, 오븐으로 120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 180 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 240 ℃/20 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 450 ℃ 에서 60 분 유지 (어느 승온에 있어서도 그 속도는 10 ℃/분이었다) 로 큐어를 실시하고, 폴리이미드로 이루어지는 막두께 15 ㎛ 의 피박리체층을 제조하였다.Specifically, the precursor P5 or P1 obtained in Synthesis Example 5 or Synthesis Example 1 was added to the release layer of the substrate provided with the release layer of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Table 1. It was applied with a bar coater. After that, hold in the oven for 30 minutes at 120 ℃ → temperature increase → hold for 20 minutes at 180 ℃ → temperature rise → hold at 240 ℃ / 20 minutes → raise the temperature → hold for 20 minutes at 300 ℃ → raise the temperature → hold for 20 minutes at 400 ℃ → increase the temperature → Curing was performed at 450°C for 60 minutes (the speed was 10°C/minute at any temperature increase) to prepare a layer to be released with a film thickness of 15 µm made of polyimide.

<<크로스컷 시험 II>> <<Crosscut Test II>>

상기에서 얻어진, 피박리체층 및 박리층을 구비하는 기판에 대해, 피박리체층/박리층간의 밀착력을 크로스컷 시험 II 로 확인하였다.With respect to the board|substrate provided with the to-be-released body layer and the release layer obtained above, the adhesive force between the to-be-released body layer/released layer was confirmed by the cross-cut test II.

크로스컷 시험 II 는, 크로스컷 시험 I 과 동일하게 실시하였다.Cross-cut test II was carried out in the same way as cross-cut test I.

표 2 에, (1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도 (표 2 중, 「(1)」 로 표기한다), (2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률 (표 2 중, 「(2)」 로 표기한다), (3) 그 (2) 의 굴절률과 복굴절의 차 (표 2 중, 「(3)」 으로 표기한다), (4) 표면 에너지 (표 2 중, 「(4)」 로 표기한다. 단, 단위는 dyne/㎝ 이다), 피박리체층에서 사용한 폴리이미드 전구체, 그리고 크로스컷 시험 I 및 II 의 결과를 나타낸다.In Table 2, (1) temperature showing 1% weight loss in weight change during heating (in Table 2, it is indicated as "(1)"), (2) refractive index at a wavelength of 1000 nm (in Table 2) . (4)". However, the unit is dyne/cm), the polyimide precursor used in the layer to be peeled off, and the results of crosscut tests I and II are shown.

Figure 112021143582190-pat00016
Figure 112021143582190-pat00016

*:비교예 2 의 복굴절은 측정할 수 없었다.*: The birefringence of Comparative Example 2 could not be measured.

**:비교예 1 및 비교예 3 의 크로스컷 시험 II 는, 박리층 및 기판과의 밀착성이 낮기 때문에, 측정할 수 없었다.**: The cross-cut test II of Comparative Example 1 and Comparative Example 3 was not able to measure because the adhesion between the release layer and the substrate was low.

표 2 로부터 다음의 것을 알 수 있다. 실시예 1 ∼ 5 의 박리층은, 시험 I 의 결과가 5B 인 것으로부터, 기판으로부터 박리층이 벗겨지는 경우가 없는 한편, 시험 II 의 결과가 AA 인 것으로부터, 박리층으로부터 피박리체층만이 박리되는 것을 알 수 있다. 요컨대, 본 발명의 박리층용 조성물로부터 형성된 박리층은, 원하는 박리 결과를 가져오는 것을 알 수 있다.From Table 2, the following can be seen. In the release layers of Examples 1 to 5, since the result of test I was 5B, the release layer was not peeled off from the substrate, while the result of test II was AA, so only the layer to be released from the release layer. can be known to be In short, it is understood that the release layer formed from the composition for a release layer of the present invention brings about the desired release results.

한편, 비교예 1 및 비교예 3 은, 시험 I 의 결과가 AA 이기 때문에, 박리층이 기판으로부터 박리되는 것을 알 수 있다. 요컨대, 비교예 1 및 비교예 3 은, 원하는 박리 결과를 얻을 수 없는 것을 알 수 있다. 또, 비교예 2 는, 시험 I 및 시험 II 가 함께 5B 인 것으로부터, 박리층과 기판의 계면에 있어서도, 박리층과 피박리체층의 계면에 있어서도 박리되지 않아, 원하는 박리 결과를 얻을 수 없는 것을 알 수 있다.On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 3, since the result of Test I was AA, it was found that the release layer was separated from the substrate. In short, it turns out that Comparative Example 1 and Comparative Example 3 cannot obtain the desired peeling result. Further, in Comparative Example 2, since both Test I and Test II were 5B, neither peeling occurred at the interface between the peeling layer and the substrate nor between the peeling layer and the layer to be peeled off, and the desired peeling result could not be obtained. Able to know.

Claims (11)

하기의 식 (1) 로 나타내는 모노머 단위를 50 몰% 이상 포함하고, 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 박리층 형성용 조성물.
Figure 112021143582190-pat00017

[식 중, X1 은 4 가의 유기기를 나타내고, Y1 은 하기의 식 (P1) ∼ (P3) 중 어느 것으로 나타내는 2 가의 기로서, 적어도 식 (P2) 로 나타내는 2 가의 기를 포함한다:
Figure 112021143582190-pat00018

(식 중,
R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 은 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고,
m1, m2, m3, m4, m5 및 m6 은 동일해도 되고 상이해도 되고, 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)].
A composition for forming a release layer containing a polyamic acid having a weight average molecular weight of 10,000 or more and containing 50 mol% or more of the monomer unit represented by the following formula (1), and an organic solvent.
Figure 112021143582190-pat00017

[Wherein, X 1 represents a tetravalent organic group, Y 1 is a divalent group represented by any of the following formulas (P1) to (P3), and includes at least a divalent group represented by formula (P2):
Figure 112021143582190-pat00018

(In the expression,
R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and represent F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;
m1, m2, m3, m4, m5 and m6 may be the same or different and represent an integer of 0 to 4)].
제 1 항에 있어서,
상기 폴리아믹산이, 하기의 식 (2) 로 나타내는 모노머 단위를 추가로 포함하는 박리층 형성용 조성물.
Figure 112022045797673-pat00019

[식 중,
X1 은 제 1 항에서 정의된 바와 같고, Y2 는 하기의 식 (P4) 로 나타내는 기를 나타낸다:
Figure 112022045797673-pat00020

(식 중,
R7 및 R8 은 동일해도 되고 상이해도 되고, F, Cl, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고,
R' 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고,
l 은 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 또한
m 은 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)].
According to claim 1,
The composition for forming a release layer in which the polyamic acid further contains a monomer unit represented by the following formula (2).
Figure 112022045797673-pat00019

[during expression,
X 1 is as defined in claim 1, and Y 2 represents a group represented by the following formula (P4):
Figure 112022045797673-pat00020

(In the expression,
R 7 and R 8 may be the same or different and represent F, Cl, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;
R' represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a phenyl group;
l represents an integer of 0 to 4, and
m represents an integer of 0 to 4)].
제 1 항에 있어서,
상기 X1 이, 4 가의 방향족기인 박리층 형성용 조성물.
According to claim 1,
The composition for forming a release layer, wherein X 1 is a tetravalent aromatic group.
제 3 항에 있어서,
상기 4 가의 방향족기가, 벤젠 골격, 나프탈렌 골격 및 비페닐 골격에서 선택되는 적어도 1 종을 갖는 조성물.
According to claim 3,
The composition in which the said tetravalent aromatic group has at least 1 sort(s) chosen from a benzene skeleton, a naphthalene skeleton, and a biphenyl skeleton.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 용매가, 하기 식 (A) 또는 (B) 로 나타내는 용매인 조성물.
Figure 112021143582190-pat00021

(식 중, Ra 및 Rb 는 동일해도 되고 상이해도 되고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다).
According to claim 1,
A composition in which the organic solvent is a solvent represented by the following formula (A) or (B).
Figure 112021143582190-pat00021

(In the formula, R a and R b may be the same or different, represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and h represents a natural number).
제 1 항에 있어서,
유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 박리층 형성용 조성물.
According to claim 1,
A composition for forming a release layer for forming a release layer formed directly on a glass substrate.
플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 플렉시블 기판과, 베이스 기판의 사이에 형성되는 박리층으로서,
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 박리층 형성용 조성물을 사용하여 제조되는 박리층.
A peeling layer formed between a flexible substrate applied to a flexible electronic device and a base substrate,
A release layer manufactured using the composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 6.
플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판 구조로서,
유리 기판인 베이스 기판과,
1 또는 2 이상의 영역에서, 상기 베이스 기판을 덮는 박리층으로서, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 박리층 형성용 조성물에 의해 형성된 박리층과,
상기 베이스 기판과, 상기 박리층을 덮는 플렉시블 기판을 포함하고,
상기 박리층과 상기 베이스 기판의 밀착력이, 상기 플렉시블 기판과 상기 박리층의 밀착력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 구조.
As a substrate structure applied to flexible electronic devices,
A base substrate that is a glass substrate;
a release layer formed of the composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 6, as a release layer covering the base substrate in one or two or more regions;
Including the base substrate and a flexible substrate covering the exfoliation layer,
The substrate structure, characterized in that the adhesion between the release layer and the base substrate is greater than the adhesion between the flexible substrate and the release layer.
제 8 항에 있어서,
베이스 기판이 유리를 포함하는 기판 구조.
According to claim 8,
A substrate structure in which the base substrate includes glass.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 박리층 형성용 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 박리층의 제조 방법.A method for producing a release layer characterized by using the composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 6. 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판 구조의 제조 방법으로서,
유리 기판인 베이스 기판을 준비하는 공정,
1 또는 2 이상의 영역에서, 상기 베이스 기판을 덮는 박리층을, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 박리층 형성용 조성물을 사용하여 제조하는 공정,
상기 베이스 기판과, 상기 박리층 상에, 플렉시블 기판을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 박리층과 상기 베이스 기판의 밀착력이, 상기 플렉시블 기판과 상기 박리층의 밀착력보다 큰 것을 특징으로 하는 제조 방법.



As a manufacturing method of a substrate structure applied to a flexible electronic device,
A step of preparing a base substrate, which is a glass substrate;
A step of producing a release layer covering the base substrate in one or two or more regions using the composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 6;
A step of forming a flexible substrate on the base substrate and the release layer;
The manufacturing method, characterized in that the adhesion between the release layer and the base substrate is greater than the adhesion between the flexible substrate and the release layer.



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