KR102431930B1 - Reactor for wafer processing - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 차지(Charge)한 보트에 대한 프로세스를 진행하는 웨이퍼 공정용 리액터를 개시하며, 상기 웨이퍼 공정용 리액터는 보트를 수용하는 이너 튜브와 상기 이너 튜브 외부의 아우터 튜브를 가지며 상기 보트에 차지되는 웨이퍼에 대한 프로세스가 진행되는 이중 튜브 구조의 프로세스 챔버; 및 상기 프로세스 챔버의 외부에 구성되며 상기 프로세스에 필요한 히팅을 수행하는 히터 유니트;를 포함하여 구성된다.The present invention discloses a reactor for wafer processing that performs a process on a boat that has charged a wafer, wherein the reactor for wafer processing has an inner tube accommodating the boat and an outer tube outside the inner tube, and is installed in the boat. a process chamber having a double tube structure in which a process for the occupied wafer is performed; and a heater unit configured outside the process chamber and configured to perform heating required for the process.

Description

웨이퍼 공정용 리액터{REACTOR FOR WAFER PROCESSING}Reactor for wafer processing

본 발명은 리액터(Reactor)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 차지(Charge)한 보트에 대한 프로세스를 진행하는 웨이퍼 공정용 리액터에 관한 것이다.The present invention relates to a reactor, and more particularly, to a reactor for wafer processing that performs a process on a boat occupied by a wafer.

반도체 공정 장비는 웨이퍼를 제조하는 반도체 제조 공정을 수행하는 것으로 이해될 수 있다. 예시적으로, 웨이퍼의 열처리를 위하여 보트를 이용하는 리액터(Reactor)가 이용될 수 있다.The semiconductor processing equipment may be understood as performing a semiconductor manufacturing process of manufacturing a wafer. For example, a reactor using a boat may be used for heat treatment of the wafer.

리액터는 보트(Boat)에 차지된 웨이퍼들에 대한 열처리 공정을 수행하는 것이고, 보트는 일정 매수 단위(예시적으로 180매)로 열처리를 위한 웨이퍼들을 차지(Charge)하여 리액터 내부로 투입하거나 열처리된 웨이퍼들을 디스차지(Discharge)하기 위하여 리액터 외부로 배출하기 위하여 승하강하도록 구성된다.The reactor performs a heat treatment process on the wafers occupied by the boat, and the boat charges wafers for heat treatment in units of a certain number (eg 180 sheets) and puts them into the reactor or heat-treated wafers. It is configured to raise and lower the wafers to discharge them out of the reactor to discharge them.

일반적으로 리액터는 이너 튜브(Inner tube)와 아우터 튜브(Outer tube)를 포함하며, 아우터 튜브는 히터(Heater)와 일체로 구성된다.In general, a reactor includes an inner tube and an outer tube, and the outer tube is integrally formed with a heater.

이너 튜브는 내부의 보트에 실린 웨이퍼들에 대한 열처리 공정을 위한 환경을 형성하기 위한 것이고, 아우터 튜브는 일체로 형성된 히터의 히팅에 의해 이너 튜브의 내부의 온도 환경을 변화시키고 내부 가압 유지 및 압력 평형 상태를 유지하고 위험 가스 누출을 방지하기 위한 것이다.The inner tube is for forming an environment for the heat treatment process for the wafers loaded in the inner boat, and the outer tube changes the temperature environment inside the inner tube by heating of the integrally formed heater, and maintains internal pressure and equalizes the pressure. To maintain condition and prevent hazardous gas leakage.

열처리 공정이 진행됨에 따라, 이너 튜브와 아우터 튜브는 오염될 수 있다. 그러므로, 공정 효율을 개선하기 위하여 이너 튜브와 아우터 튜브는 주기적으로 클리닝(Cleaning)할 필요가 있다.As the heat treatment process proceeds, the inner tube and the outer tube may be contaminated. Therefore, in order to improve process efficiency, it is necessary to periodically clean the inner tube and the outer tube.

또한, 히터도 사용 기간이 누적됨에 따라 교체할 필요성이 있다.In addition, the heater also needs to be replaced as the period of use is accumulated.

그러나, 일반적인 리액터는 아우터 튜브의 클리닝 또는 교체가 필요한 경우 히터가 아우터 튜브에 일체로 구성됨에 의해서 아우터 튜브를 클리닝하거나 히터만 교체하는데 어려움이 있다.However, in a general reactor, when cleaning or replacement of the outer tube is required, since the heater is integrally formed with the outer tube, it is difficult to clean the outer tube or replace only the heater.

본 발명의 목적은 아우터 튜브의 클리닝과 히터의 교체가 용이한 웨이퍼 공정용 리액터를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a reactor for wafer processing that facilitates cleaning of an outer tube and replacement of a heater.

본 발명의 다른 목적은 아우터 튜브와 히터를 쉽게 분리할 수 있는 구조로 구성함으로써 유지 관리를 용이하게 할 수 있는 웨이퍼 공정용 리액터를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a reactor for wafer processing that can facilitate maintenance by configuring the outer tube and the heater in a structure that can be easily separated.

본 발명의 또다른 목적은 이너 튜브와 아우터 튜브를 포함하는 프로세스 챔버의 외부에 별도로 히터를 구성함으로써 아우터 튜브의 클리닝과 히터의 교체 등의 유지 관리를 용이하게 할 수 있는 웨이퍼 공정용 리액터를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a reactor for wafer processing that can facilitate maintenance such as cleaning of the outer tube and replacement of the heater by separately configuring a heater outside the process chamber including the inner tube and the outer tube. have.

본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터는, 하부에 제1 입구가 형성되고, 상기 제1 입구를 통하여 승강되는 보트를 수용하는 제1 공간을 갖는 이너 튜브; 하부에 상기 이너 튜브의 출입이 가능한 제2 입구가 형성되고, 상기 제1 입구의 상부의 상기 이너 튜브를 수용하는 제2 공간을 갖는 아우터 튜브; 및 상기 제2 입구의 상부의 상기 아우터 튜브를 수용하는 제3 공간을 가지며, 상기 제3 공간을 히팅하는 히터를 구비하는 히터 유니트;를 포함함을 특징으로 한다.The reactor for wafer processing of the present invention includes: an inner tube having a first inlet formed at a lower portion and having a first space for accommodating a boat lifted through the first inlet; an outer tube having a second inlet at a lower portion through which the inner tube can enter and exit, and having a second space accommodating the inner tube above the first inlet; and a heater unit having a third space for accommodating the outer tube at an upper portion of the second inlet, and including a heater for heating the third space.

또한, 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터는, 보트를 수용하는 이너 튜브와 상기 이너 튜브 외부의 아우터 튜브를 가지며 상기 보트에 차지되는 웨이퍼에 대한 프로세스가 진행되는 이중 튜브 구조의 프로세스 챔버; 및 상기 프로세스 챔버의 외부에 구성되며 상기 프로세스에 필요한 히팅을 수행하는 히터 유니트;를 포함함을 특징으로 한다.In addition, the reactor for wafer processing of the present invention includes: a process chamber having a double tube structure having an inner tube accommodating a boat and an outer tube outside the inner tube, and in which a process is performed on a wafer occupied in the boat; and a heater unit configured outside the process chamber and configured to perform heating required for the process.

본 발명은 아우터 튜브와 히터를 포함하는 히터 유니트가 별도로 구성된다. 그러므로, 아우터 튜브와 히터는 별도로 조립 및 해체가 가능하다. 그 결과, 아우터 튜브는 히터와 무관하게 클리닝을 수행할 수 있고, 히터도 아우터 튜브와 무관하게 교체 가능하다.In the present invention, a heater unit including an outer tube and a heater is configured separately. Therefore, the outer tube and the heater can be separately assembled and disassembled. As a result, the outer tube can be cleaned regardless of the heater, and the heater is also replaceable regardless of the outer tube.

그러므로, 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터는 유지 관리를 용이하게 할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the reactor for wafer processing of the present invention has the advantage of facilitating maintenance.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터의 바람직한 실시예를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment of the reactor for wafer processing of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The terms used in the present specification and claims are not limited to a conventional or dictionary meaning, and should be interpreted in a meaning and concept consistent with the technical matters of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.Configurations shown in the embodiments and drawings described in this specification are preferred embodiments of the present invention, and do not represent all of the technical spirit of the present invention, so various equivalents and modifications that can be substituted for them at the time of the present application are provided. there may be

도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터의 실시예는 프로세스 챔버(100)와 히트 유니트(300)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , an embodiment of a reactor for wafer processing of the present invention includes a process chamber 100 and a heat unit 300 .

프로세스 챔버(100)는 보트(600)를 수용하는 이너 튜브(10)와 이너 튜브(10) 외부의 아우터 튜브(20)를 포함하는 이중 튜브 구조를 가지며, 보트(600)에 차지되는 웨이퍼(도시되지 않음)에 대한 프로세스를 진행하기 위한 것이다.The process chamber 100 has a double tube structure including an inner tube 10 accommodating the boat 600 and an outer tube 20 outside the inner tube 10 , and a wafer (shown in the figure) occupied by the boat 600 . not) to proceed with the process.

여기에서, 이너 튜브(10)는 하부에 제1 입구가 형성되고, 제1 입구를 통하여 승강되는 보트(600)를 수용하는 제1 공간을 갖는다. 그리고, 아우터 튜브(20)는 하부에 이너 튜브(10)의 출입이 가능한 제2 입구가 형성되고, 제1 입구의 상부의 이너 튜브(10)를 수용하는 제2 공간을 갖는다. Here, the inner tube 10 has a first space in which a first inlet is formed at a lower portion and accommodates a boat 600 that is raised and lowered through the first inlet. In addition, the outer tube 20 has a second inlet through which the inner tube 10 can enter and exit is formed at the lower portion, and has a second space for accommodating the inner tube 10 at the upper portion of the first inlet.

보다 구체적으로, 이너 튜브(10)와 아우터 튜브(20)는 원통형 몸체를 가지며 상부가 막힌 캡 구조를 갖는다. 이 중, 이너 튜브(10)는 석영(Quartz) 재질로 제작될 수 있으며, 보트(600)를 수용할 수 있는 내경과 높이의 제1 공간을 가지고, 원통형 몸체 하부의 제1 입구에 몸체의 외벽과 일체로 형성되며 수평으로 소정 폭을 갖는 제1 주연부(12)를 갖는다. 이때, 제1 주연부(12)는 판형 링 형상을 갖도록 구성될 수 있다. 그리고, 아우터 튜브(20)는 석영(Quartz) 또는 스테인레스(서스, SUS) 재질로 제작될 수 있으며, 이너 튜브(10)를 수용할 수 있도록 이너 튜브(10)의 몸통의 외경보다 보다 큰 내경의 제2 공간을 가지고, 원통형 몸체 하부의 제2 입구에 몸체의 외벽과 일체로 형성되며 수평으로 소정 폭을 갖는 제2 주연부(22)를 갖는다. 이때, 제2 공간은 제1 입구의 상부의 이너 튜브(10)를 수용하는 높이를 갖도록 형성될 수 있고, 제2 주연부(22)는 판형 링 형상을 갖도록 구성될 수 있다.More specifically, the inner tube 10 and the outer tube 20 have a cylindrical body and a cap structure with an upper part closed. Among them, the inner tube 10 may be made of a quartz material, has a first space with an inner diameter and a height to accommodate the boat 600 , and has an outer wall of the body at the first inlet under the cylindrical body. It has a first peripheral portion 12 formed integrally with and horizontally having a predetermined width. In this case, the first peripheral portion 12 may be configured to have a plate-shaped ring shape. In addition, the outer tube 20 may be made of quartz or stainless (SUS) material, and has an inner diameter greater than the outer diameter of the body of the inner tube 10 so as to accommodate the inner tube 10 . It has a second space and has a second periphery 22 formed integrally with the outer wall of the body at the second inlet at the lower part of the cylindrical body and having a horizontally predetermined width. In this case, the second space may be formed to have a height for accommodating the inner tube 10 of the upper portion of the first inlet, and the second peripheral portion 22 may be configured to have a plate-shaped ring shape.

그리고, 이너 튜브(10)의 외벽과 아우터 튜브(20)의 내벽은 전체적으로 이격되며, 이너 튜브(10)와 아우터 튜브(20)는 내압을 위한 돔형의 상부를 갖는다. 여기에서, 아우터 튜브(20)의 상부는 이너 튜브(10)의 돔형 상부와 이격된 간격을 유지하는 곡률을 갖도록 형성됨이 바람직하다.In addition, the outer wall of the inner tube 10 and the inner wall of the outer tube 20 are completely spaced apart, and the inner tube 10 and the outer tube 20 have a dome-shaped upper portion for internal pressure. Here, the upper portion of the outer tube 20 is preferably formed to have a curvature that maintains a spaced distance from the dome-shaped upper portion of the inner tube 10 .

상기와 같이 구성된 이너 튜브(10)는 자신의 클리닝이나 아우터 튜브(20)의 클리닝이 필요한 경우 분해를 위하여 아우터 튜브(20)의 제2 입구를 통하여 출입할 수 있다.The inner tube 10 configured as described above may enter and exit through the second inlet of the outer tube 20 for disassembly when its own cleaning or cleaning of the outer tube 20 is required.

한편, 히트 유니트(300)는 프로세스 챔버(100)의 외부에 구성되며 프로세스에 필요한 히팅을 수행한다. Meanwhile, the heat unit 300 is configured outside the process chamber 100 and performs heating required for the process.

이를 위하여, 히터 유니트(300)는 제2 입구의 상부의 아우터 튜브(20)를 수용하는 제3 공간을 가지며, 제3 공간을 히팅하는 히터(30)를 구비한다. 히터(30)는 원통형 아우터 튜브(20)의 외벽을 감싸도록 제3 공간의 벽면에 설치될 수 있으며, 아우터 튜브(20)와 전체적으로 이격되도록 아우터 튜브(20)의 외경보다 큰 직경을 갖도록 구성될 수 있다. 그리고, 히터 유니트(300)는 제3 공간의 제3 입구에 아우터 튜브(20)의 제2 주연부(22)에 대응하는 히터 베이스(32)를 갖는다. 히터 베이스(32)는 아우터 튜브(20)의 제2 주연부(22)와 직접 또는 간접적으로 마주할 수 있는 면적으로 수평으로 소정 폭을 갖는 판형 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 히터(30)는 이너 튜브(10)와 아우터 튜브(20)의 측면들에 대하여 최대한 넓은 면적을 히팅할 수 있는 높이와 면적을 갖도록 구성된다.To this end, the heater unit 300 has a third space for accommodating the outer tube 20 at the upper portion of the second inlet, and includes a heater 30 for heating the third space. The heater 30 may be installed on the wall surface of the third space to surround the outer wall of the cylindrical outer tube 20, and may be configured to have a larger diameter than the outer diameter of the outer tube 20 so as to be completely spaced apart from the outer tube 20. can And, the heater unit 300 has a heater base 32 corresponding to the second periphery 22 of the outer tube 20 at the third inlet of the third space. The heater base 32 may have a plate-shaped ring shape having a predetermined width in an area that can directly or indirectly face the second periphery 22 of the outer tube 20 . In addition, the heater 30 is configured to have a height and an area capable of heating the widest possible area with respect to the side surfaces of the inner tube 10 and the outer tube 20 .

그리고, 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터는 매니폴드(400)를 더 구비할 수 있다. In addition, the reactor for wafer processing of the present invention may further include a manifold 400 .

매니폴드(400)는 상부의 이너 튜브(10) 및 아우터 튜브(20)를 지지하는 구조를 가질 수 있고, 보트(600)가 승하강할 수 있는 통로를 형성하며, 이너 튜브(10)의 제1 공간과 아우터 튜브(20)의 제2 공간의 가압 또는 감압을 위한 배관들을 구비한다. 프로세스 진행에 필요한 공정 가스 등이 상기한 배관들을 통하여 주입(Injection)되거나 배기(Exhaust)될 수 있다. 도 1의 프로세스 챔버(100)의 외부에 연결된 배관들(410, 412)과 이너 튜브(10) 내에 위치한 배관들(414)이 상기한 공정 가스 등의 주입 또는 배기를 위하여 설치된 것이다. 이너 튜브(10)의 경우, 외부의 배관(412)와 내부의 배관(414)은 노즐 어댑터(416)를 통하여 연결된 것으로 예시된다.The manifold 400 may have a structure to support the upper inner tube 10 and the outer tube 20 , and form a passage through which the boat 600 can ascend and descend, and the first of the inner tube 10 . Pipes for pressurizing or depressurizing the space and the second space of the outer tube 20 are provided. A process gas necessary for the process may be injected or exhausted through the above-described pipes. The pipes 410 and 412 connected to the outside of the process chamber 100 of FIG. 1 and the pipes 414 located in the inner tube 10 are installed to inject or exhaust the process gas or the like. In the case of the inner tube 10 , the external pipe 412 and the internal pipe 414 are exemplified as being connected through the nozzle adapter 416 .

매니폴드(400)는 아우터 튜브(20)의 제2 공간에 대한 가압 또는 감압을 위한 배관을 갖는 부품을 사이에 두고 이너 튜브(10)의 제1 주연부(12)와 아우터 튜브(20)의 제2 주연부(22)를 상하 이격된 상태에서 마주하도록 정렬한 상태에서 제1 주연부(12)와 제2 주연부(22)를 정렬하여 클램핑에 의해 체결할 수 있다. 이 경우, 아우터 튜브(20)의 제2 공간에 대한 가압 또는 감압을 위한 배관은 배관(410)으로 이해될 수 있다. 상기와 같이 제1 주연부(12)와 제2 주연부(22)를 클램핑하는 구조는 통상적으로 이해될 수 있으므로 구체적인 도시 및 설명은 생략한다.The manifold 400 is formed of the first periphery 12 of the inner tube 10 and the first periphery 12 of the outer tube 20 with a part having a pipe for pressurization or decompression of the second space of the outer tube 20 interposed therebetween. In a state in which the two perimeters 22 are aligned to face each other in a vertically spaced apart state, the first periphery 12 and the second periphery 22 may be aligned and fastened by clamping. In this case, a pipe for pressurizing or decompressing the second space of the outer tube 20 may be understood as a pipe 410 . As described above, the structure for clamping the first periphery 12 and the second periphery 22 may be generally understood, and thus detailed illustration and description thereof will be omitted.

그리고, 아우터 튜브(20)의 제2 주연부(22)와 히터 유니트(300)의 히터 베이스(32)는 상하 이격된 상태로 정렬되며, 상기와 같이 아우터 튜브(20)의 제2 주연부(22)를 체결하는 매니폴드(400)의 상부에 히터 베이스(32)가 안착되고, 히터 베이스(32)는 매니폴드(400)의 상부 구조와 접하도록 위치하고 매니폴드를 이용하여 체결된다. 매니 폴드에 히터 베이스(32)를 체결하는 구조는 통상적으로 이해될 수 있으므로 구체적인 도시 및 설명은 생략한다.In addition, the second periphery 22 of the outer tube 20 and the heater base 32 of the heater unit 300 are aligned in a vertically spaced apart state, and the second periphery 22 of the outer tube 20 as described above. The heater base 32 is seated on the upper portion of the manifold 400 to which the . Since the structure for coupling the heater base 32 to the manifold can be generally understood, detailed illustration and description thereof will be omitted.

또한편, 보트(600)는 차지된 웨이퍼의 프로세스 진행을 위하여 이너 튜브(10)의 제1 입구 및 매니폴드(400)의 통로를 통하여 상승하거나 프로세스가 완료된 웨이퍼의 디스차지를 위하여 이너 튜브(10)의 제1 입구 및 매니폴드(400)의 통로를 통하여 하강할 수 있다.On the other hand, the boat 600 rises through the passage of the manifold 400 and the first inlet of the inner tube 10 for the process of the charged wafer, or the inner tube 10 for discharging the processed wafer. ) may descend through the passage of the first inlet and the manifold 400 .

보트(600)는 하부 구조물(500)과 결합됨으로써 하부 구조물(500)에 연동하여 승하강할 수 있고 프로세스 진행시 하부 구조물(500)을 통하여 전달되는 회전력에 의하여 로테이션될 수 있다.The boat 600 is coupled to the lower structure 500 so that it can elevate and descend in conjunction with the lower structure 500 and can be rotated by the rotational force transmitted through the lower structure 500 during the process.

상기한 하부 구조물(500)은 로테이션 유니트(Rotation Unit)(도시되지 않음)를 포함할 수 있으며, 도 1의 하부 구조물은 로테이션 유니트를 표현한 것으로 이해될 수 있다. 하부 구조물(500)로서 구성되는 로테이션 유니트는 캡 플랜지(Cap Flange)(미도시) 및 보트 지지 베이스(Boat Support Base)(510)를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. The lower structure 500 may include a rotation unit (not shown), and it may be understood that the lower structure of FIG. 1 represents a rotation unit. The rotation unit configured as the lower structure 500 may be understood to include a Cap Flange (not shown) and a Boat Support Base 510 .

여기에서, 보트 지지 베이스(510)는 캡 플랜지와 상부의 보트(600)를 결합하면서 하부로부터 전달되는 회전력을 보트(600)에 전달하기 위한 것이다. Here, the boat support base 510 is to transmit the rotational force transmitted from the lower part to the boat 600 while coupling the cap flange and the upper boat 600 .

그리고, 캡 플랜지는 승하강 모듈(도시되지 않음)로부터 전달되는 승하강력에 의하여 승하강된다. 캡 플랜지는 승강에 의해 상사점에 도달하면 매니폴드(400)의 하부와 결합됨으로써 이너 튜브(10)의 제1 공간을 차폐하는 기능을 갖는다. 그리고, 캡 플랜지는 하강하는 경우 차폐를 해제한 후 하강한다.And, the cap flange is raised and lowered by the elevating force transmitted from the elevating module (not shown). The cap flange has a function of shielding the first space of the inner tube 10 by being coupled to the lower portion of the manifold 400 when the top dead center is reached by lifting and lowering. And, when the cap flange descends, the shield is released and then descends.

하부 구조물(500)은 상기와 같이 상부에 결합되는 보트(600)를 승하강하고 프로세스를 위하여 이너 튜브(10)의 제1 공간을 차폐하는 기능을 갖는다.The lower structure 500 has a function of elevating the boat 600 coupled to the upper portion as described above and shielding the first space of the inner tube 10 for the process.

상기한 구성에 의해서, 이너 튜브(10)의 제1 공간은 하부 구조물(500)의 캡 플랜지와 결합에 의해서 차폐가 유지되고, 이너 튜브(10)와 아우터 튜브(20) 사이의 제2 공간은 제1 주연부(12) 및 제2 주연부(22)의 매니플드(200)에 의한 체결에 의해 차폐가 유지된다.With the above configuration, the first space of the inner tube 10 is shielded by coupling with the cap flange of the lower structure 500 , and the second space between the inner tube 10 and the outer tube 20 is The shielding is maintained by fastening by the manifolds 200 of the first periphery 12 and the second periphery 22 .

프로세스를 진행하는 경우, 아우터 튜브(20)의 제2 공간의 압력은 이너 튜브(10)의 제1 공간의 압력과 같거나 높게 형성하도록 제어된다. 특히, 이너 튜브(10)의 제1 공간과 아우터 튜브(20)의 제2 공간이 상압을 초과하도록 가압되는 경우, 아우터 튜브(20)의 제2 공간은 이너 튜브(10)의 제1 공간보다 더 높은 압력을 갖도록 제어된다.When the process is performed, the pressure of the second space of the outer tube 20 is controlled to be equal to or higher than the pressure of the first space of the inner tube 10 . In particular, when the first space of the inner tube 10 and the second space of the outer tube 20 are pressurized to exceed normal pressure, the second space of the outer tube 20 is greater than the first space of the inner tube 10 . Controlled to have a higher pressure.

이는 이너 튜브(10)가 외부 압력에 직접 노출되는 것을 방지하여 이너 튜브(10) 내의 안정성을 확보하기 위한 것이고 이너 튜브(10)의 위험 가스가 아우터 튜브(20)를 통하여 누출되는 것을 방지하기 위한 것이다.This is to prevent the inner tube 10 from being directly exposed to external pressure to secure stability in the inner tube 10 , and to prevent the dangerous gas of the inner tube 10 from leaking through the outer tube 20 . will be.

본 발명의 실시예는 프로세스 챔버(100)의 외부에 히터(30)가 구성되며, 프로세스 챔버(100)는 이너 튜브(10)와 이너 튜브(10)를 포함하는 이중 튜브 구조를 갖는다.In the embodiment of the present invention, the heater 30 is configured outside the process chamber 100 , and the process chamber 100 has a double tube structure including an inner tube 10 and an inner tube 10 .

그러므로, 히터(30)의 교체가 필요한 경우, 히터(30)는 아우터 튜브(20)와 무관하게 히터 유니트(300)로부터 분리하여 교체될 수 있다.Therefore, when replacement of the heater 30 is required, the heater 30 may be replaced by being separated from the heater unit 300 regardless of the outer tube 20 .

또한, 아우터 튜브(20)의 클리닝이 필요한 경우, 아우터 튜브(20)는 이너 튜브(10)를 해체한 후 히터(30)와 무관하게 클리닝을 수행할 수 있다.Also, when the outer tube 20 needs to be cleaned, the outer tube 20 may be cleaned regardless of the heater 30 after disassembling the inner tube 10 .

따라서, 본 발명의 웨이퍼 공정용 리액터는 아우터 튜브와 히터를 별도로 조립 및 해체한 후 아우터 튜브의 클리닝 또는 히터의 교체를 수행할 수 있으며, 그 결과 유지 관리를 용이하게 할 수 있다.Therefore, the reactor for wafer processing of the present invention can perform cleaning of the outer tube or replacement of the heater after assembling and disassembling the outer tube and the heater separately, and as a result, it is possible to facilitate maintenance.

Claims (16)

하부에 제1 입구가 형성되고, 상기 제1 입구를 통하여 승강되는 보트를 수용하는 제1 공간을 가지며, 상기 제1 입구에 외벽과 일체로 형성되며 수평으로 소정 폭을 갖는 제1 주연부를 갖는 이너 튜브;
하부에 상기 이너 튜브의 출입이 가능한 제2 입구가 형성되고, 상기 제1 입구의 상부의 상기 이너 튜브를 수용하는 제2 공간을 가지며, 상기 제2 입구에 외벽과 일체로 형성되며 수평으로 소정 폭을 갖는 제2 주연부를 갖는 아우터 튜브;
상기 제2 입구의 상부의 상기 아우터 튜브를 수용하는 제3 공간을 가지며, 상기 제3 공간의 제3 입구에 상기 제2 주연부의 상부에 위치하는 히터 베이스를 가지고, 상기 제3 공간을 히팅하는 히터를 구비하는 히터 유니트; 및
상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 가압 또는 감압을 위한 배관들을 갖는 매니폴드;를 포함하며,
상기 매니폴드는 상하 이격된 상태에서 마주하도록 정렬된 상기 제1 주연부와 상기 제2 주연부를 클램핑에 의해 체결하고, 상부에 안착되어 접하는 상기 히터 베이스와 체결됨을 특징으로 하는 웨이퍼 공정용 리액터.An inner having a first inlet formed at a lower portion, a first space accommodating a boat lifted through the first inlet, and a first periphery formed integrally with an outer wall at the first inlet and having a horizontally predetermined width tube;
A second inlet through which the inner tube can enter and exit is formed at a lower portion, and has a second space for accommodating the inner tube at an upper portion of the first inlet. an outer tube having a second periphery having a;
A heater having a third space accommodating the outer tube above the second inlet, and having a heater base positioned above the second periphery at the third inlet of the third space, and heating the third space A heater unit having a; and
Includes; a manifold having pipes for pressurizing or depressurizing the first space and the second space;
The manifold is a reactor for wafer processing, characterized in that the first and second peripheral portions aligned to face each other in a vertically spaced apart state are fastened by clamping, and the heater base is seated and contacted thereon. 제1 항에 있어서,
상기 이너 튜브는 내압을 위한 돔형의 제1 상부를 갖는 웨이퍼 공정용 리액터.The method of claim 1,
The inner tube is a reactor for wafer processing having a dome-shaped first upper portion for internal pressure. 제2 항에 있어서,
상기 아우터 튜브는 내압을 위하여 돔형의 제2 상부를 갖는 웨이퍼 공정용 리액터.3. The method of claim 2,
The outer tube is a reactor for wafer processing having a dome-shaped second upper portion for internal pressure. 제3 항에 있어서,
상기 아우터 튜브의 상기 제2 상부는 상기 이너 튜브의 상기 제1 상부와 이격된 간격을 유지하는 곡률을 갖는 웨이퍼 공정용 리액터.4. The method of claim 3,
The second upper portion of the outer tube has a curvature that maintains a spaced apart distance from the first upper portion of the inner tube. 제3 항에 있어서,
상기 이너 튜브의 외벽과 상기 아우터 튜브의 내벽은 전체적으로 이격된 웨이퍼 공정용 리액터.4. The method of claim 3,
An outer wall of the inner tube and an inner wall of the outer tube are entirely spaced apart from each other. 제1 항에 있어서,
상기 제1 공간과 상기 제2 공간이 상압을 초과하도록 가압되는 경우, 상기 제2 공간이 상기 제1 공간보다 더 높은 압력을 갖도록 제어되는 웨이퍼 공정용 리액터.The method of claim 1,
When the first space and the second space are pressurized to exceed normal pressure, the reactor for wafer processing is controlled so that the second space has a higher pressure than the first space. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1 주연부와 상기 제2 주연부는 판형 링 형상을 갖는 웨이퍼 공정용 리액터.The method of claim 1,
and the first periphery and the second periphery have a plate-shaped ring shape. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 히터베이스의 상기 제3 공간의 내벽과 상기 아우터 튜브의 외벽은 전체적으로 이격된 웨이퍼 공정용 리액터.The method of claim 1,
An inner wall of the third space of the heater base and an outer wall of the outer tube are entirely spaced apart from each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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