KR102397957B1 - Method for manufacturing Nano Pattern Master - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 39
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- -1 molytungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Polarising Elements (AREA)
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Abstract
본 발명은 투명 기판 상에 포토레지스트를 이용하여 소정의 피치를 갖는 포토레지스트 패턴을 준비하는 제 1 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 일 측면에 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질이 코팅되지 않은 상기 포토레지스트 패턴의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 3 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 4 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질을 코팅하는 제 5 단계, 상기 코팅된 제 2 금속 물질 위에 제 3 금속물질을 코팅하는 제 6 단계, 상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판을 제거하는 제 7 단계 및 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 8 단계를 포함하는 나노 패턴 마스터 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a first step of preparing a photoresist pattern having a predetermined pitch using a photoresist on a transparent substrate, a second step of coating a first metal material on one side of the photoresist pattern, the second step In the third step of coating the first metal material on the other side of the photoresist pattern on which the first metal material is not coated, in a state in which the first metal material is coated on both sides of the photoresist pattern A fourth step of coating the first metal material on the upper surface of the photoresist pattern, a fifth step of coating a second metal material in a state in which the first metal material is coated on the upper surface of the photoresist pattern, the coated A sixth step of coating a third metallic material on a second metallic material, a seventh step of removing the transparent substrate from the result of performing the sixth step, and removing the photoresist pattern from the seventh step It provides a nano-pattern master manufacturing method comprising an eighth step.
Description
본 발명은 나노 패턴 마스터 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 경사 증착 방법을 이용하여 포토레지스트 또는 PVA 패턴의 양 측면에 금속 물질을 코팅하고 그 상면에 다수의 금속 물질을 코팅한 후에 포토레지스트 또는 PVA 패턴을 제거함으로써 포토레지스트 또는 PVA 패턴 피치의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 용이하게 제조할 수 있는 나노 패턴 마스터 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a nano-pattern master, and more particularly, coating a metal material on both sides of a photoresist or PVA pattern using an inclined deposition method, and coating a plurality of metal materials on the upper surface of the photoresist or It relates to a method for manufacturing a nano-pattern master capable of easily manufacturing a photoresist or a nano-pattern master having a level of 1/2 of the PVA pattern pitch by removing the PVA pattern.
일반적으로, 소정의 파장 영역의 전자기파를 편광시키기 위하여 동일한 피치로 도전체의 격자가 형성되어 있는 와이어 그리드 편광판이 산업의 각 분야에 이미 사용되고 있고 점점 더 그 적용 분야가 확대되고 있지만 아직은 소형 크기로 생산되고 있으며 고가로 판매되고 있어서 대형화 저가격화가 절실한 상황이다.In general, a wire grid polarizer, in which grids of conductors are formed at the same pitch in order to polarize electromagnetic waves in a predetermined wavelength region, are already used in each field of industry, and although the field of application is gradually expanding, it is still produced in a small size It is being sold at a high price, so there is an urgent need to make it larger and lower in price.
한편, 음극선관의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 디스플레이들이 개발되었고, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)를 들 수 있다.Meanwhile, flat panel displays capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, have been developed, and examples of such flat panel displays include a liquid crystal display (LCD).
최근, 상술한 와이어 그리드 편광판을 액정 표시 장치의 내부에 In Cell 구조로 적용할 경우, 기존의 PVA 편광판과 광효율 향상용 특수필름을 동시에 대체함은 물론, 시야각 제한이 전혀 없는 편광안경방식의 새로운 입체 영상 디스플레이를 양산할 수 있는 가능성이 높아지고 있다.Recently, when the above-described wire grid polarizer is applied in an in-cell structure inside a liquid crystal display device, it replaces the existing PVA polarizer and a special film for improving light efficiency at the same time, as well as a new three-dimensional polarizing glasses method that has no viewing angle limitation. The possibility of mass-producing video displays is increasing.
또한 무안경방식인 패럴랙스 배리어(parallax barrier) 방식의 입체 영상 표시 장치의 내부에 In Cell 구조로 와이어 그리드 편광판을 적용할 경우 고해상도의 소형 입체 영상 표시 장치를 얇게 제작할 수 있음은 물론, 입체 영상 표시 장치를 좀 더 용이하게 구현할 수 있다.In addition, when a wire grid polarizer with an in-cell structure is applied to the inside of the glasses-free parallax barrier type stereoscopic image display device, a high-resolution small stereoscopic image display device can be manufactured thinly, as well as a stereoscopic image display. The device can be implemented more easily.
상술한 와이어 그리드 편광판을 대형화하면서도 저렴하게 생산하기 위해서는 나노 패턴 마스터가 필수적이나 종래에는 이빔 리소그라피(E-beam lithography) 공정을 이용하여 나노 패턴 마스터를 제조함으로써, 제조 시간이 길어지고, 제조 비용이 증가되는 문제점이 있었다.In order to produce the above-described wire grid polarizer in a large size and inexpensively, a nano-pattern master is essential, but conventionally, the nano-pattern master is manufactured using an E-beam lithography process, which increases the manufacturing time and increases the manufacturing cost. There was a problem being
본 발명의 배경기술은 대한민국 특허청에 공개특허공보 10-2011-0016981호가 2011. 02. 18. 자로 개시되어 있다.
The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2011-0016981 on February 18, 2011 in the Republic of Korea Patent Office.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 경사 증착 방법을 이용하여 포토레지스트 또는 PVA 패턴의 양 측면에 금속 물질을 코팅하고 그 상면에 다수의 금속 물질을 코팅한 후에 포토레지스트 또는 PVA 패턴을 제거함으로써 포토레지스트 또는 PVA 패턴의 피치의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 용이하게 제조할 수 있는 나노 패턴 마스터 제조 방법을 제공하는 것이다.Therefore, the present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and the technical problem to be achieved by the present invention is to coat a metal material on both sides of a photoresist or PVA pattern using an inclined deposition method, and apply a plurality of An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a nanopattern master capable of easily manufacturing a nanopattern master having a level of 1/2 of the pitch of the photoresist or PVA pattern by removing the photoresist or PVA pattern after coating the metal material.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. will be able
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법은 투명 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용하여 소정의 피치를 갖는 포토레지스트 패턴을 준비하는 제 1 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 일 측면에 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질이 코팅되지 않은 상기 포토레지스트 패턴의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 3 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 4 단계, 상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질을 코팅하는 제 5 단계, 상기 코팅된 제 2 금속 물질 위에 제 3 금속물질을 코팅하는 제 6 단계, 상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판을 제거하는 제 7 단계 및 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 8 단계를 포함하며, 경사 증착 방법을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴의 양측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하고, 상기 제 1 금속 물질의 상면에 상기 제 2 금속 물질 및 상기 제 3 금속 물질을 코팅한 후에 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 상기 포토레지스트 패턴의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 제조하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the nano-pattern master manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes a first step of preparing a photoresist pattern having a predetermined pitch using a photoresist pattern on a transparent substrate, the photoresist A second step of coating a first metal material on one side of the pattern, a third step of coating the first metal material on the other side of the photoresist pattern on which the first metal material is not coated in the second step; A fourth step of coating the first metal material on the upper surface of the photoresist pattern in a state in which the first metal material is coated on both sides of the photoresist pattern, the first metal material on the upper surface of the photoresist pattern A fifth step of coating a second metal material in the coated state, a sixth step of coating a third metal material on the coated second metal material, and removing the transparent substrate from the result of performing the sixth step and an eighth step of removing the photoresist pattern from the result of performing the seventh step, and coating the first metal material on both sides of the photoresist pattern using an inclined deposition method, By removing the photoresist pattern after coating the second metal material and the third metal material on the upper surface of the first metal material, a nano-pattern master having a level of 1/2 of the photoresist pattern is prepared. do.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법은 투명 기판 상에 PVA(PolyVinyl Alcohol)를 이용하여 소정의 피치를 갖는 PVA 패턴을 준비하는 제 1 단계, 상기 PVA 패턴의 일 측면에 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질이 코팅되지 않은 상기 PVA 패턴의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 3 단계, 상기 PVA 패턴의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 상기 PVA 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 4 단계, 상기 PVA 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질을 코팅하는 제 5 단계, 상기 코팅된 제 2 금속 물질 위에 제 3 금속물질을 코팅하는 제 6 단계, 상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판을 제거하는 제 7 단계 및 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 PVA 패턴을 제거하는 제 8 단계를 포함하며, 경사 증착 방법을 이용하여 상기 PVA 패턴의 양측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하고, 상기 제 1 금속 물질의 상면에 상기 제 2 금속 물질 및 상기 제 3 금속 물질을 코팅한 후에 상기 PVA 패턴을 제거함으로써, 상기 PVA 패턴의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 제조하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a nanopattern master manufacturing method according to another embodiment of the present invention includes a first step of preparing a PVA pattern having a predetermined pitch on a transparent substrate using polyvinyl alcohol (PVA), the PVA A second step of coating a first metal material on one side of the pattern, a third step of coating the first metal material on the other side of the PVA pattern on which the first metal material is not coated in the second step, the A fourth step of coating the first metal material on the upper surface of the PVA pattern in a state in which the first metal material is coated on both sides of the PVA pattern, the first metal material is coated on the upper surface of the PVA pattern A fifth step of coating a second metal material in the state, a sixth step of coating a third metal material on the coated second metal material, a seventh step of removing the transparent substrate from the result of performing the sixth step and an eighth step of removing the PVA pattern from the result of performing the seventh step, wherein the first metal material is coated on both sides of the PVA pattern using an inclined deposition method, By removing the PVA pattern after coating the second metal material and the third metal material on the upper surface, a nano-pattern master having a level of 1/2 of the PVA pattern is manufactured.
본 발명의 실시 예들에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법은 경사 증착 방법을 이용하여 포토레지스트 또는 PVA 패턴의 양 측면에 금속 물질을 코팅하고 그 상면에 다수의 금속 물질을 코팅한 후에 포토레지스트 또는 PVA 패턴을 제거함으로써 포토레지스트 또는 PVA 패턴의 피치의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 용이하게 제조할 수 있다.
The nano-pattern master manufacturing method according to the embodiments of the present invention uses a gradient deposition method to coat a metal material on both sides of a photoresist or PVA pattern, and then coat a plurality of metal materials on the upper surface of the photoresist or PVA pattern to form a photoresist or PVA pattern. By removing the photoresist or PVA pattern, it is possible to easily manufacture a nano-pattern master having a level of 1/2 of the pitch.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법의 세부 공정을 설명하기 위한 단면도.1 to 9 are cross-sectional views for explaining a detailed process of a method for manufacturing a nano-pattern master according to embodiments of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시 예에 따른 나노 패턴 편광판 제조 방법은 제 1 단계에서, 도 1에 도시된 것처럼, 투명 기판(100) 상에 포토레지스트를 이용하여 소정의 피치(P)를 갖는 포토레지스트 패턴(110)을 준비한다. 포토레지스트 패턴(110)의 폭(W)은 대략 50nm이고, 높이(H)는 대략 150nm이며, 대략 피치(P)는 200nm이다.In the method for manufacturing a nano-patterned polarizing plate according to an embodiment of the present invention, in a first step, as shown in FIG. 1 , a photoresist pattern having a predetermined pitch P using a photoresist on a transparent substrate 100 ( 110) is prepared. The width W of the
다음으로 제 2 단계에서는, 도 2에 도시된 것처럼, 상기 포토레지스트 패턴(110)의 일 측면에 제 1 금속 물질(200)을 경사 증착 방법으로 코팅한다. 여기에서 제 1 금속 물질은 크롬, 니켈, 몰리브덴, 몰리텅스텐, 구리, 티타늄 등이 사용될 수 있다.Next, in the second step, as shown in FIG. 2 , a
다음으로 제 3 단계에서는, 도 3에 도시된 것처럼, 상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질(200)이 코팅되지 않은 상기 포토레지스트 패턴(110)의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질(300)을 경사 증착 방법으로 코팅한다.Next, in the third step, as shown in FIG. 3 , the
다음으로 제 4 단계에서는, 도 4에 도시된 것처럼, 상기 포토레지스트 패턴(110)의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질(200, 300)이 코팅되어 있는 상태에서 상기 포토레지스트 패턴(110)의 상면에 상기 제 1 금속 물질(400)을 증착 방법으로 코팅한다.Next, in the fourth step, as shown in FIG. 4 , in a state in which the
다음으로 제 5 단계에서, 도 5에 도시된 것처럼, 상기 포토레지스트 패턴(110)의 상면에 상기 제 1 금속 물질(400)이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질(500)을 증착 방법으로 코팅한다. 여기에서 제 2 금속 물질은 금, 구리, 니켈 등이 사용될 수 있다.Next, in a fifth step, as shown in FIG. 5 , in a state in which the
다음으로 제 6 단계에서, 도 6에 도시된 것처럼, 상기 코팅된 제 2 금속 물질(500) 위에 제 3 금속 물질(600)을 도금 방법으로 코팅한다. 여기에서 제 3 금속 물질은 니켈, 구리 등이 사용될 수 있다.Next, in a sixth step, as shown in FIG. 6 , a
다음으로 제 7 단계에서, 도 7에 도시된 것처럼, 상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판(100)을 가열하면서 현상액이나 물 등을 침투시키거나, 필름 기판의 경우에는 수산화 칼륨 등을 사용하여 제거한다.Next, in the seventh step, as shown in FIG. 7 , in the result of performing the sixth step, while heating the
다음으로 제 8 단계에서, 도 8에 도시된 것처럼, 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 포토레지스트 패턴(110)을 현상액이나 물로 제거한다.Next, in an eighth step, as shown in FIG. 8 , the
제 1 단계 내지 제 8 단계를 수행하면, 제 1 단계에서 준비한 포토레지스트 패턴(110)의 피치의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터(200, 300, 400, 500, 600)을 용이하게 제조할 수 있으며, 제조된 나노 패턴 마스터(200, 300, 400, 500, 600)을 이용하여, 도 9에 도시된 것처럼, 복제품(1000)을 효과적으로 찍어낼 수 있다.By performing the first to eighth steps, it is possible to easily manufacture the nano-
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법에 대해서 설명하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법과 다른 점에 대해서만 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a nano-pattern master according to another embodiment of the present invention will be described, and only points different from the method for manufacturing a nano-pattern master according to an embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법은 제 1 단계에서, 도 1에 도시된 것처럼, 투명 기판(100) 상에 PVA(PolyVinyl Alcohol)를 이용하여 소정의 피치(P)를 갖는 PVA 패턴(110)을 준비한다. 여기에서, PVA 패턴(110)의 폭(W)은 대략 50nm이고, 높이(H)는 대략 150nm이며, 대략 피치(P)는 200nm이다. 이후에, 본 발명의 일 실시 예에 따른 나노 패턴 마스터 제조 방법의 제 2 단계 내지 제 8 단계를 수행한다.In the nanopattern master manufacturing method according to another embodiment of the present invention, in a first step, as shown in FIG. 1 , PVA having a predetermined pitch P using polyvinyl alcohol (PVA) on a
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시 예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.In the foregoing, the present invention has been described and illustrated in connection with preferred embodiments for illustrating the principles of the present invention, but the present invention is not limited to the configuration and operation as shown and described as such.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.Rather, it will be apparent to those skilled in the art that many changes and modifications can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the appended claims.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Accordingly, all such suitable alterations and modifications and equivalents are to be considered as falling within the scope of the present invention.
100 : 투명 기판
110 : 포토레지스트 패턴
200, 300, 400 : 제 1 금속 물질
500 : 제 2 금속 물질
600 : 제 3 금속 물질
200, 300, 400, 500, 600 : 나노 패턴 마스터
1000 : 복제품100: transparent substrate
110: photoresist pattern
200, 300, 400: first metal material
500: second metal material
600: third metallic material
200, 300, 400, 500, 600: nano pattern master
1000 : clone
Claims (2)
상기 포토레지스트 패턴의 일 측면에 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 2 단계;
상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질이 코팅되지 않은 상기 포토레지스트 패턴의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 3 단계;
상기 포토레지스트 패턴의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 4 단계;
상기 포토레지스트 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질을 코팅하는 제 5 단계;
상기 코팅된 제 2 금속 물질 위에 제 3 금속물질을 코팅하는 제 6 단계;
상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판을 제거하는 제 7 단계; 및 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 8 단계를 포함하며,
경사 증착 방법을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴의 양측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하고, 상기 제 1 금속 물질의 상면에 상기 제 2 금속 물질 및 상기 제 3 금속 물질을 코팅한 후에 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 상기 포토레지스트 패턴의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 마스터 제조 방법.
A first step of preparing a photoresist pattern having a predetermined pitch using a photoresist on a transparent substrate;
a second step of coating a first metal material on one side of the photoresist pattern;
a third step of coating the first metal material on the other side of the photoresist pattern on which the first metal material is not coated in the second step;
a fourth step of coating the first metal material on the upper surface of the photoresist pattern while the first metal material is coated on both sides of the photoresist pattern;
a fifth step of coating a second metal material in a state in which the first metal material is coated on the upper surface of the photoresist pattern;
a sixth step of coating a third metal material on the coated second metal material;
a seventh step of removing the transparent substrate from the result of performing the sixth step; and an eighth step of removing the photoresist pattern from the result of performing the seventh step,
The photoresist pattern is formed after coating the first metal material on both sides of the photoresist pattern using an inclined deposition method, and coating the second metal material and the third metal material on the upper surface of the first metal material. By removing, the nano-pattern master manufacturing method, characterized in that to prepare a nano-pattern master of 1/2 level of the photoresist pattern.
상기 PVA 패턴의 일 측면에 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 2 단계;
상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속 물질이 코팅되지 않은 상기 PVA 패턴의 다른 측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 3 단계;
상기 PVA 패턴의 양 측면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 상기 PVA 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하는 제 4 단계;
상기 PVA 패턴의 상면에 상기 제 1 금속 물질이 코팅되어 있는 상태에서 제 2 금속 물질을 코팅하는 제 5 단계;
상기 코팅된 제 2 금속 물질 위에 제 3 금속물질을 코팅하는 제 6 단계;
상기 제 6 단계를 수행한 결과물에서 상기 투명 기판을 제거하는 제 7 단계; 및 상기 제 7 단계를 수행한 결과물에서 상기 PVA 패턴을 제거하는 제 8 단계를 포함하며,
경사 증착 방법을 이용하여 상기 PVA 패턴의 양측면에 상기 제 1 금속 물질을 코팅하고, 상기 제 1 금속 물질의 상면에 상기 제 2 금속 물질 및 상기 제 3 금속 물질을 코팅한 후에 상기 PVA 패턴을 제거함으로써, 상기 PVA 패턴의 1/2 수준의 나노 패턴 마스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 마스터 제조 방법.A first step of preparing a PVA pattern having a predetermined pitch using polyvinyl alcohol (PVA) on a transparent substrate;
a second step of coating a first metal material on one side of the PVA pattern;
a third step of coating the first metal material on the other side of the PVA pattern on which the first metal material is not coated in the second step;
a fourth step of coating the first metal material on the upper surface of the PVA pattern while the first metal material is coated on both sides of the PVA pattern;
a fifth step of coating a second metal material in a state in which the first metal material is coated on the upper surface of the PVA pattern;
a sixth step of coating a third metal material on the coated second metal material;
a seventh step of removing the transparent substrate from the result of performing the sixth step; and an eighth step of removing the PVA pattern from the result of performing the seventh step,
By coating the first metal material on both sides of the PVA pattern using an inclined deposition method, and removing the PVA pattern after coating the second metal material and the third metal material on the upper surface of the first metal material , Nanopattern master manufacturing method, characterized in that for manufacturing a nanopattern master of 1/2 level of the PVA pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150140503A KR102397957B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Method for manufacturing Nano Pattern Master |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150140503A KR102397957B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Method for manufacturing Nano Pattern Master |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170041049A KR20170041049A (en) | 2017-04-14 |
| KR102397957B1 true KR102397957B1 (en) | 2022-05-16 |
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ID=58579665
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150140503A KR102397957B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Method for manufacturing Nano Pattern Master |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102397957B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218616A (en) | 2002-09-17 | 2009-09-24 | Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr Univ | Replication and transfer of microstructure and nanostructure |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101099253B1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-12-27 | 호서대학교 산학협력단 | Method for Construction of Stamp with Substrate Tilting |
| KR20140081202A (en) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | (재)한국나노기술원 | A Manufacturing Method of Nano Patterned Film Using Nano-Imprintlithography and Plating |
-
2015
- 2015-10-06 KR KR1020150140503A patent/KR102397957B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218616A (en) | 2002-09-17 | 2009-09-24 | Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr Univ | Replication and transfer of microstructure and nanostructure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170041049A (en) | 2017-04-14 |
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