KR102380617B1 - 과열 검출 회로 및 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 순간의 전원 전압 변동 등의 외란 노이즈에 의한 의도치않은 오출력을 하는 일 없이, 과열 상태에 있어서는, 과열 상태 검출 신호를 재빠르게 출력하는 것이 가능한 과열 검출 회로를 제공한다.
[해결 수단] 감온부와, 비교부와, 출력부에 과열 상태 검출 신호를 소정의 지연 시간 후에 출력하는 외란 노이즈 제거부를 구비하고, 지연 시간은 온도에 비례하여 짧아지는 구성으로 한 과열 검출 회로.

Description

과열 검출 회로 및 반도체 장치{OVERHEAT DETECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 장치의 이상 온도를 검출하는 과열 검출 회로에 관한 것이다.
도 2에 종래의 과열 검출 회로를 도시한다. 종래의 과열 검출 회로는, 기준 전압부(210), 감온부(211), 비교부(212)로 구성되어 있다. 감온부(211)는 전류원(202)과 감온을 위한 PN 접합 소자(203)를 구비하고, 비교부(212)는 콤퍼레이터(204)를 구비하고 있다. 콤퍼레이터(204)의 출력은, 과열 검출 회로의 출력 단자(Vout)에 접속된다.
종래의 과열 검출 회로는, PN 접합 소자(203)에 발생하는 전압과, 기준 전압부(210)가 출력하는 기준 전압(Vref)을, 콤퍼레이터(204)가 비교 판정함으로써, 과열 상태 검출 신호를 출력한다.
PN 접합 소자(203)에 발생하는 전압은, 통상, 음의 온도 특성을 나타내기 때문에, 주위의 온도가 높아지고, PN 접합 소자(203)에 발생하는 전압이 기준 전압(Vref)을 밑돌면, 콤퍼레이터(204)가, 과열 상태 검출 신호를 과열 검출 회로의 출력 단자(Vout)에 출력한다.
일본국 특허 공개 2009-192507호 공보
그러나, 상술의 과열 검출 회로는, 순간의 전원 변동 등의 외란 노이즈가 발생하면, 콤퍼레이터(204)가 잘못하여 과열 상태 검출 신호를 출력해 버릴 가능성이 있다라고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이상과 같은 문제를 해결하기 위해 고안된 것이며, 외란 노이즈로 인한 오출력을 회피한, 과열 검출 회로를 제공하는 것이다.
종래의 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 과열 검출 회로는 이하의 구성으로 했다.
감온부와, 비교부와, 출력부에 과열 상태 검출 신호를 소정의 지연 시간 후에 출력하는 외란 노이즈 제거부를 구비하고, 지연 시간은 온도에 비례하여 짧아지는 구성으로 한 과열 검출 회로.
본 발명의 과열 검출 회로에 의하면, 순간의 전원 변동 등의 외란 노이즈에 의한 의도치않은 오출력을 하는 일 없이, 과열 상태에 있어서는, 과열 상태 검출 신호를 재빠르게 출력하는 것이 가능한 과열 검출 회로를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 과열 검출 회로의 회로도이다.
도 2는 종래의 과열 검출 회로에 따른 회로도이다.
도 3은 본 실시 형태의 과열 검출 회로에 따른 전류원을 도시하는 회로도이다.
도 4는 본 실시 형태의 과열 검출 회로에 따른 전류원의 다른 예를 도시하는 회로도이다.
도 1은, 본 실시 형태의 과열 검출 회로의 회로도이다.
본 실시 형태의 과열 검출 회로는, 기준 전압부(210)와, 감온부(211)와, 비교부(212)와, 외란 노이즈 제거부(110)를 구비하고 있다. 감온부(211)는, 전류원(202)과, 감온을 위한 PN 접합 소자(203)를 구비하고 있다. 비교부(212)는, 콤퍼레이터(204)를 구비하고 있다. 외란 노이즈 제거부(110)는, Nch 트랜지스터(101)와, 전류원(102)과, 용량(103)과, 인버터(104)를 구비하고 있다.
전류원(202)과 PN 접합 소자(203)는, 전원 단자와 접지 단자의 사이에 직렬로 접속되어 있다. 콤퍼레이터(204)는, 반전 입력 단자에 기준 전압부(210)의 출력 단자가 접속되고, 비반전 입력 단자에 전류원(202)과 PN 접합 소자(203)의 접속점이 접속된다. Nch 트랜지스터(101)는, 제어 단자에 콤퍼레이터(204)의 출력 단자가 접속되고, 소스는 접지 단자가 접속된다. 전류원(102)과 용량(103)은, 전원 단자와 접지 단자의 사이에 접속된다. 인버터(104)는, 입력 단자에 전류원(102)과 용량(103)의 접속점이 접속되고, 출력 단자가 과열 검출 회로의 출력 단자(Vout)에 접속된다.
다음에, 본 실시 형태의 과열 검출 회로의 동작에 대해 설명한다.
PN 접합 소자(203)에 발생하는 전압은, 통상, 음의 온도 특성을 나타낸다. 주위의 온도가 높아지고, PN 접합 소자(203)에 발생하는 전압이 기준 전압(Vref)을 밑돌면, 콤퍼레이터(204)는, 과열 상태 검출 신호(Lo 레벨)를 Nch 트랜지스터(101)의 제어 단자에 출력한다. Nch 트랜지스터(101)가 오프하기 때문에, 용량(103)은 전류원(102)의 전류로 충전된다. 용량(103)에 발생하는 전압이 높아져, 인버터(104)의 역치 전압에 도달하면, 과열 검출 회로의 출력 단자(Vout)에, 과열 상태 검출 신호(Lo 레벨)가 출력된다.
여기서, 예를 들어, 순간의 전원 전압 변동 등의 외래 노이즈 때문에, 콤퍼레이터(204)가 잘못하여 과열 상태 검출 신호를 출력해 버린 경우를 생각할 수 있다. 이때, 과열 상태 검출 신호에 의해 용량(103)이 충전되는데, 용량(103)의 전압이 인버터(104)의 역치 전압에 도달하는데 필요로 하는 시간을 초과하여 계속되지 않으면, 과열 검출 회로의 출력 단자(Vout)에, 과열 상태 검출 신호는 출력되지 않는다. 즉, 용량(103)을 충전하는데 필요로 하는 시간을, 외란 노이즈의 영향을 제거할 수 있는 시간으로서 부여함으로써, 외란 노이즈로 인한 오출력을 회피한, 과열 검출 회로의 제공이 가능해진다.
한편, 과열 상태에 있어서는, 과열 상태를 나타내는 신호를 재빠르게 출력할 필요가 있다. 그로 인해, 본 실시 형태의 과열 검출 회로는, 외래 노이즈의 영향을 제거할 수 있는 시간을 온도에 비례하여 짧아지도록 하고 있다.
구체적으로는, 전류원(102)의 전류가 온도에 비례하여 많아지도록 하고 있다. 그것에 의해, 온도가 높아질수록 보다 고속으로 용량(103)이 충전되기 때문에, 과열 상태에 있어서는 과열 상태 검출 신호를 재빠르게 출력하는 것이 가능하다.
도 3은, 온도에 비례하여 저항값이 작아지는 저항에 의거하여, 출력 전류가 온도에 비례하여 많아지는 전류원(102)의 회로도이다.
도 3(A)에서는, Pch 트랜지스터(303)와 저항(301)을 직렬로 접속하고, 그 접속점의 전압과, 기준 전압(Vref2)의 차분을 증폭기(302)로 증폭하여, 그 출력을 Pch 트랜지스터(303)의 게이트에 입력한다. Pch 트랜지스터(304)는 Pch 트랜지스터(303)와 커런트 미러 접속되어 있으며, Pch 트랜지스터(304)를 흐르는 전류가 전류원(102)의 출력 전류가 된다.
여기서, Pch 트랜지스터(303)는, 저항(301)의 저항값에 반비례하는 전류를 흐르게 한다. 이로 인해, Pch 트랜지스터(303)와 커런트 미러의 관계에 있는 Pch 트랜지스터(304)가 흐르게 하는 전류, 즉 전류원(102)의 전류는 온도에 비례하여 많아진다.
도 3(B)는, 도 3(A)에 대해, Pch 트랜지스터(303)와 저항(301)의 사이에 Nch 트랜지스터(305)를 설치하고, Nch 트랜지스터(305)와 저항(301)의 접속점의 전압과, 기준 전압(Vref2)의 차분을 증폭기(302)로 증폭하여, 그 출력을 Nch 트랜지스터(305)의 게이트에 입력한다. Pch 트랜지스터(303)의 게이트와 드레인이 접속된다.
여기서, Pch 트랜지스터(303)는, 저항(301)의 저항값에 반비례하는 전류를 흐르게 한다. 이로 인해, Pch 트랜지스터(303)와 커런트 미러의 관계에 있는 Pch 트랜지스터(304)가 흐르게 하는 전류, 즉 전류원(102)의 전류는 온도에 비례하여 많아진다.
또한, 도 3은 온도에 비례하여 저항값이 작아지는 저항에 의거하여, 전류원(102)의 전류가 온도에 비례하여 많아지는 일 예이며, 이 형태에 한정될 필요는 없다.
도 4는, 열전압에 의거하여, 출력 전류가 온도에 비례하여 많아지는 전류원(102)의 회로도이다.
Pch 트랜지스터(402)와 PN 접합 소자(407)는, 전원 단자와 접지 단자의 사이에 직렬 접속된다. Pch 트랜지스터(403), 저항(405), PN 접합 소자(408)는, 전원 단자와 접지 단자의 사이에 직렬 접속된다. 증폭기(401)는, Pch 트랜지스터(402)와 PN 접합 소자(407)의 접점의 전압(VA)과 Pch 트랜지스터(403)와 저항(405)의 접점의 전압(VB)의 차분을 증폭하여, 그 출력 전압을 Pch 트랜지스터(402, 403, 404)의 게이트에 입력한다.
Pch 트랜지스터(402) 및 Pch 트랜지스터(403)에는, 열전압에 비례하는 전류가 흐른다. 열전압은 온도에 비례하기 때문에, Pch 트랜지스터(402), Pch 트랜지스터(403)의 전류는 양의 온도 특성을 나타낸다. Pch 트랜지스터(402), Pch 트랜지스터(403)와 커런트 미러의 관계에 있는 Pch 트랜지스터(404)를, 전류원(102)으로서 이용함으로써, 전류원(102)의 전류가 양의 온도 특성을 나타내는 것이 가능해진다.
또한, 도 4는 열전압에 의거하여, 전류원(102)의 전류가 양의 온도 특성을 나타내도록 하는 것이 가능한 일 예이며, 이 형태에 한정될 필요는 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 과열 검출 회로에 의하면, 외란 노이즈로 인한 오출력을 회피한 과열 검출 회로이며, 게다가 과열 상태 검출 신호를 재빠르게 출력하는 기능에 문제점이 발생하지 않는 과열 검출 회로의 제공이 가능해진다.
이상의 설명에서, 본 실시 형태의 과열 검출 회로는, 전류원(102)의 전류가 온도에 비례하여 많아지도록 한다고 설명했는데, 인버터(104)의 역치 전압이 온도에 비례하여 낮아지도록 해도 된다. 예를 들어, 인버터(104)를 이루는 Nch 트랜지스터의 애스펙트비를 크게 해, 구동력을 높임으로써, 인버터(104)의 역치 전압이, 대체로 Nch 트랜지스터의 역치 전압으로 결정되도록 하면 된다. 즉, Nch 트랜지스터의 역치 전압은 통상, 온도에 비례하여 낮아지기 때문에, 인버터(104)의 역치 전압이 온도에 비례하여 낮아지도록 구성할 수 있다. 이상 설명한 회로는, 일 예이며, 이 형태에 한정될 필요는 없다.
210 기준 전압부
211 감온부
212 비교부
110 외란 노이즈 제거부
202, 102 전류원
204 콤퍼레이터
302, 401 증폭기

Claims (4)

  1. 감온부와 비교부를 구비한 과열 검출 회로로서,
    상기 과열 검출 회로는, 출력부에 과열 상태 검출 신호를 소정의 지연 시간 후에 출력하는 외란 노이즈 제거부를 구비하고,
    상기 감온부는 상기 과열 검출 회로 주위의 온도를 나타내는 소정의 전압을 상기 비교부에 출력하고, 상기 비교부는 상기 소정의 전압과 기준 전압의 비교에 기초하여 상기 과열 상태 검출 신호를 상기 외란 노이즈 제거부에 출력하며,
    상기 지연 시간은, 상기 과열 검출 회로 주위의 상기 온도에 비례하여 짧아지는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 외란 노이즈 제거부는,
    직렬 접속된 전류원과 용량을 구비하고,
    상기 용량에 축적된 전하에 의거하여 상기 과열 상태 검출 신호를 출력하는 과열 검출 회로로서,
    상기 전류원의 전류는, 온도에 비례하여 많아지는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 외란 노이즈 제거부는,
    직렬 접속된 전류원과 용량과,
    상기 전류원과 상기 용량의 접속점의 전압을 입력하는 인버터를 구비하고,
    상기 용량에 축적된 전하에 의거하여 상기 과열 상태 검출 신호를 출력하는 과열 검출 회로로서,
    상기 인버터의 역치 전압이, 온도에 비례하여 낮아지는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 과열 검출 회로를 가지는 반도체 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107167265A (zh) * 2017-06-08 2017-09-15 浙江工业大学 易于集成的温度检测电路
JP7069988B2 (ja) * 2018-04-06 2022-05-18 富士電機株式会社 温度検出装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100861371B1 (ko) 2007-06-25 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 온도센서 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
JP5060988B2 (ja) * 2008-02-18 2012-10-31 セイコーインスツル株式会社 温度検出回路
JP5190767B2 (ja) * 2008-02-12 2013-04-24 日本電気株式会社 モニタ回路およびリソース制御方法
JP5226248B2 (ja) 2006-08-02 2013-07-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度検出回路及び半導体装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5070322A (en) * 1989-07-19 1991-12-03 Fuji Electric Co., Ltd. An overheating detection circuit including a reversely biased junction having a temperature dependent reverse leakage current for detecting overheating of a power integrated circuit
KR970012732A (ko) * 1995-08-22 1997-03-29 김주용 반도체 소자의 지연회로
US5982221A (en) * 1997-08-13 1999-11-09 Analog Devices, Inc. Switched current temperature sensor circuit with compounded ΔVBE
US6637934B1 (en) * 2001-09-27 2003-10-28 National Semiconductor Corporation Constant offset buffer for reducing sampling time in a semiconductor temperature sensor
JP3818197B2 (ja) * 2002-03-29 2006-09-06 株式会社デンソー 複数の過熱検出回路を有する回路装置
US6974252B2 (en) * 2003-03-11 2005-12-13 Intel Corporation Failsafe mechanism for preventing an integrated circuit from overheating
US6910804B2 (en) * 2003-09-09 2005-06-28 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Resistive temperature device (RTD) module with improved noise immunity
JP2005347377A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Ricoh Co Ltd 過熱保護回路を備えた半導体集積回路
KR100677742B1 (ko) * 2004-07-23 2007-02-02 삼성전자주식회사 디지털 온도 센서, 디지털 온도 측정 시스템 및 방법
US7427158B2 (en) * 2005-01-13 2008-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Advanced thermal sensor
US7413342B2 (en) * 2005-02-22 2008-08-19 Micron Technology, Inc. DRAM temperature measurement system
US7429129B2 (en) * 2005-02-28 2008-09-30 Standard Microsystems Corporation Proportional settling time adjustment for diode voltage and temperature measurements dependent on forced level current
CN100565877C (zh) * 2005-03-15 2009-12-02 Nxp股份有限公司 具有温度传感装置的mosfet
US7936203B2 (en) * 2006-02-08 2011-05-03 Micron Technology, Inc. Temperature compensation via power supply modification to produce a temperature-independent delay in an integrated circuit
KR100851989B1 (ko) * 2006-10-12 2008-08-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법
JP4829143B2 (ja) * 2007-02-17 2011-12-07 セイコーインスツル株式会社 温度検出回路
JP5034919B2 (ja) * 2007-12-13 2012-09-26 富士電機株式会社 温度センサ回路
US8197133B2 (en) * 2008-02-22 2012-06-12 Brooks Instruments, Llc System and method for sensor thermal drift offset compensation
US8096707B2 (en) * 2008-06-30 2012-01-17 Intel Corporation Thermal sensor device
JP2010151458A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc 温度検出回路
CN102109550B (zh) * 2009-12-25 2013-04-17 台达电子工业股份有限公司 过电压与过温度检测电路
CN201717602U (zh) * 2010-04-14 2011-01-19 宁波市镇海华泰电器厂 电热水器噪声式防触电防干烧保护器
CN201789482U (zh) * 2010-08-26 2011-04-06 研祥智能科技股份有限公司 一种延时电路
JP5549505B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-16 日産自動車株式会社 温度保護装置、モータ制御装置及び温度保護方法
JP2013205085A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP5857928B2 (ja) * 2012-09-25 2016-02-10 豊田合成株式会社 発光装置
CN103714374B (zh) * 2012-09-28 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 A型非接触ic卡的解调电路
US9709445B2 (en) * 2013-10-25 2017-07-18 Stmicroelectronics S.R.L. Temperature sensor and related method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5226248B2 (ja) 2006-08-02 2013-07-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度検出回路及び半導体装置
KR100861371B1 (ko) 2007-06-25 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 온도센서 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
JP5190767B2 (ja) * 2008-02-12 2013-04-24 日本電気株式会社 モニタ回路およびリソース制御方法
JP5060988B2 (ja) * 2008-02-18 2012-10-31 セイコーインスツル株式会社 温度検出回路

Also Published As

Publication number Publication date
TW201634909A (zh) 2016-10-01
CN105738002B (zh) 2020-03-03
JP6450184B2 (ja) 2019-01-09
US20160187203A1 (en) 2016-06-30
US9983068B2 (en) 2018-05-29
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