KR102343159B1 - Grinding apparatus - Google Patents

Grinding apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102343159B1
KR102343159B1 KR1020160087998A KR20160087998A KR102343159B1 KR 102343159 B1 KR102343159 B1 KR 102343159B1 KR 1020160087998 A KR1020160087998 A KR 1020160087998A KR 20160087998 A KR20160087998 A KR 20160087998A KR 102343159 B1 KR102343159 B1 KR 102343159B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
current value
frequency power
ultrasonic
wafer
Prior art date
Application number
KR1020160087998A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170015150A (en
Inventor
유키 이노우에
준수 우
신야 와타나베
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2015150535A priority Critical patent/JP6489973B2/en
Priority to JPJP-P-2015-150535 priority
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170015150A publication Critical patent/KR20170015150A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102343159B1 publication Critical patent/KR102343159B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/449Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428 involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

Abstract

(과제) 초음파를 전파하는 세정수를 분사하여 연삭 지석을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에, 연삭 지석의 연삭력을 유지한다.
(해결 수단) 연삭 장치 (1) 에 있어서, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 과, 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정하는 전류값 측정부 (14) 와, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 전류값에 따라 초음파 발진의 ON/OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 을 포함하고, ON/OFF 수단 (16) 은, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 대해 상한값과 하한값을 설정하고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 초음파 세정수 공급 수단 (9) 에 구비되는 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하여 연삭하는 것으로 하였다.
(Project) In the case of grinding a wafer using a grinding device that cleans the grinding wheel by spraying cleaning water propagating ultrasonic waves, the grinding power of the grinding wheel is maintained.
(Solution means) In the grinding device 1, the ultrasonic cleaning water supply means 9 for spraying the cleaning water propagating ultrasonic waves to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 provided in the grinding means 7; , a current value measuring unit 14 for measuring the current value of the spindle motor 72, and an ON/OFF means 16 for switching ON/OFF of ultrasonic oscillation according to the current value measured by the current value measuring unit 14 ), the ON/OFF means 16 sets an upper limit and a lower limit for the current value of the spindle motor 72 that is changed during grinding by the grinding means 7 and is measured by the current value measuring unit 14 and the high frequency power supply from the high frequency power supply 91 provided in the ultrasonic washing water supply means 9 is turned ON between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 It was switched by the /OFF means 16 and it was set as grinding.

Description

연삭 장치{GRINDING APPARATUS}grinding device {GRINDING APPARATUS}

본 발명은 웨이퍼에 대해 연삭 지석을 맞닿게 하여 연삭할 수 있는 연삭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a grinding apparatus capable of grinding by bringing a grinding wheel into contact with a wafer.

반도체 웨이퍼, 사파이어, SiC, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 유리 등의 각종 피가공물은, 연삭 장치에 의해 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후에, 절삭 장치 등에 의해 분할되어 각각의 디바이스 등이 되고, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 이러한 연삭에 사용되는 연삭 장치는, 피가공물인 웨이퍼에 대해 회전하는 연삭 지석의 연삭면을 맞닿게 함으로써, 웨이퍼의 연삭을 실시할 수 있다. 여기서, 이러한 연삭을 실시하면, 연삭 지석의 연삭면에 연삭 부스러기 등에 의한 클로깅이나 글레이징이 발생됨으로써 연삭 지석의 연삭력이 저하된다. 그리고, 연삭 지석의 클로깅이나 글레이징은, 피가공물이 이른바 난연삭재인 경우에 특히 많이 발생한다. 난연삭재로는, 사파이어나 SiC 와 같은 경질재와, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 나 유리와 같은 연질재가 있다. 예를 들어, 연질재의 리튬탄탈레이트를, 많은 기공을 구비하는 비트리파이드 본드로 형성된 연삭 지석으로 연삭하면, 기공 내에 연삭 부스러기가 들어가 클로깅이나 글레이징이 발생한다. 그래서, 클로깅 등에 의한 연삭 지석의 연삭력의 저하를 방지하기 위해, 피가공물의 연삭 중에 연삭 지석의 연삭면에 드레서 보드를 꽉 눌러, 연삭과 동시에 연삭 지석의 연삭면을 드레스하는 방법이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).A semiconductor wafer, sapphire, SiC, lithium tantalate (LiTaO 3 ), various workpieces such as glass are ground by a grinding device and formed to a predetermined thickness, and then divided by a cutting device or the like to become individual devices, etc. It is used in electronic devices, etc. The grinding apparatus used for such grinding can grind a wafer by making the grinding surface of the grinding wheel rotating with respect to the wafer which is a to-be-processed contact|abut. Here, when such grinding is performed, clogging or glazing by grinding chips or the like occurs on the grinding surface of the grinding wheel, whereby the grinding force of the grinding wheel decreases. And, clogging and glazing of the grinding wheel occur especially frequently when the to-be-processed object is a so-called abrasive-resistant material. The abrasive-resistant material includes a hard material such as sapphire or SiC, and a soft material such as lithium tantalate (LiTaO 3 ) or glass. For example, when lithium tantalate of a soft material is ground with a grinding wheel formed of a vitrified bond having many pores, grinding debris enters the pores and clogging or glazing occurs. Therefore, in order to prevent a decrease in the grinding power of the grinding wheel due to clogging, etc., there is a method of pressing the dresser board against the grinding surface of the grinding wheel during grinding of the workpiece, and dressing the grinding surface of the grinding wheel at the same time as grinding ( For example, refer to patent document 1).

그러나, 드레서 보드를 연삭 지석에 꽉 눌러 드레스를 실시하는 경우에는, 드레서 보드가 마모되기 때문에, 드레서 보드를 정기적으로 교환할 필요가 생긴다. 그래서, 드레서 보드를 사용하지 않고 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 방법으로서, 피가공물의 연삭 중에 고압수나 2 유체 등으로 이루어지는 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 세정하는 방법이 있고, 또한 초음파 노즐로부터 세정수에 초음파를 전파하여 세정수를 초음파 진동시킴으로써, 연삭 지석의 표면에 클로깅된 연삭 부스러기뿐만 아니라, 연삭 지석의 글레이징에 의해 지석 표면으로부터 지석 내부에까지 파고든 연삭 부스러기도 제거하여 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 연삭 장치에 대해, 본 출원인은 특허 출원을 실시하였다 (예를 들어, 일본 특허출원 2014-084198호).However, when the dresser board is pressed against the grinding wheel to perform the dress, the dresser board is worn and it is necessary to periodically replace the dresser board. Therefore, as a method of maintaining the grinding power of the grinding wheel without using a dresser board, there is a method of washing by spraying washing water composed of high-pressure water or two fluids, etc., to the grinding surface of the grinding wheel during grinding of the workpiece, and also By propagating ultrasonic waves from the ultrasonic nozzle to the washing water to make the washing water ultrasonically vibrate, not only the grinding chips clogged on the surface of the grinding wheel, but also the grinding chips that have been dug from the surface of the grindstone to the inside of the grindstone by the glazing of the grinding wheel are removed. For a grinding device that maintains a grinding force of

일본 공개특허공보 2011-189456호Japanese Patent Laid-Open No. 2011-189456

그러나, 상기 일본 특허출원 2014-084198호에 기재되어 있는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼에 연삭 가공을 실시하는 경우에, 연삭 중에 초음파 발진부로부터 단순히 초음파를 계속 발진시켜 세정수에 초음파를 계속 전파하면, 연삭 지석의 연삭력이 저하된다는 현상이 확인되고 있다. 그래서, 초음파를 전파시킨 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 연삭면을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에 있어서, 높은 연삭력을 유지함으로써, 웨이퍼를 복수 장 연속하여 효율적으로 연삭한다는 과제가 있다.However, in the case of performing a grinding process on a wafer using the grinding device described in Japanese Patent Application No. 2014-084198, simply continue to oscillate an ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit during grinding and continue to propagate the ultrasonic wave to the washing water. It is confirmed that the grinding power of the grindstone decreases. Therefore, in the case of grinding a wafer using a grinding device that cleans the grinding surface by spraying cleaning water propagated with ultrasonic waves to the grinding surface of the grinding wheel, by maintaining a high grinding force, a plurality of wafers are continuously processed efficiently There is a task of grinding with

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서, 그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고, 그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값 하한값을 설정하고, 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 그 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는 연삭 장치이다.The present invention for solving the above problems is a spindle motor for rotating a spindle on which a holding table for holding a wafer and a grinding wheel on which a grinding wheel for grinding a wafer held on the holding table is arranged in an annular arrangement is rotatably mounted A grinding device comprising a grinding means having a grinding wheel and a grinding water supply unit for supplying grinding water to the grinding wheel and the wafer, wherein ultrasonic waves are propagated to the grinding surface in contact with the wafer of the grinding wheel separately from the grinding water supply unit Ultrasonic cleaning water supply means for spraying washing water that is and an ON/OFF means for switching, wherein the ultrasonic cleaning water supply means includes an ultrasonic nozzle having an injection port for spraying the cleaning water to the grinding surface and an ultrasonic oscillation unit for oscillating ultrasonic waves, and high-frequency power to the ultrasonic oscillation unit A high-frequency power supply to supply is provided, and the ON/OFF means is changed during grinding by the grinding means to set the upper limit and lower limit of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit, and from the high-frequency power source When the current value measured by the current value measuring unit increases to the upper limit value while grinding while spraying cleaning water that propagates ultrasonic waves by supplying electric power to the grinding surface, the supply of high frequency power from the high frequency power supply is stopped and the ultrasonic wave When the washing water that does not propagate is supplied to the grinding surface, and the supply of high-frequency power from the high-frequency power supply is stopped and the washing water that does not propagate ultrasonic waves is sprayed to the grinding surface, the current value measuring unit When the current value to be measured is lowered to the lower limit value, high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply to supply cleaning water that propagates ultrasonic waves to the grinding surface, and the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit is It is a grinding device which grinds by switching supply of high frequency power from the high frequency power supply by ON/OFF means between an upper limit value and its lower limit value.

본 발명에 관련된 연삭 장치는, 연삭수 공급 수단과는 별도로 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 초음파 세정수 공급 수단은, 세정수를 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 것으로 하고, ON/OFF 수단은, 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고, 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 상한값까지 높아지면 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 하한값까지 낮아지면 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭할 수 있도록 하고 있다. 이와 같이, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부에 의해 스핀들 모터의 전류값을 감시하고, 스핀들 모터의 전류값에 의해 ON/OFF 수단에 의해 초음파 발진부로부터의 초음파의 발진과 정지를 전환함으로써, 초음파 발진부로부터 발진된 초음파를 초음파 노즐로부터 분사된 세정수를 통하여 간헐적으로 연삭 지석의 연삭면에 대해 전파시켜 연삭면을 드레스함으로써, 연삭 지석의 연삭력을 일정한 레벨로 유지하는 것이 가능해지고, 복수 장의 웨이퍼를 연속하여 효율적으로 연삭하는 것이 가능해진다.The grinding apparatus according to the present invention includes, separately from the grinding water supply means, ultrasonic cleaning water supply means for spraying cleaning water propagating ultrasonic waves to a grinding surface in contact with a wafer of a grinding wheel, and a current for measuring the current value of the spindle motor an ON/OFF unit for switching ON and OFF of ultrasonic oscillation according to the value measuring unit and the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit, wherein the ultrasonic washing water supply unit injects washing water to the grinding surface and an ultrasonic nozzle having an ultrasonic oscillation unit for oscillating ultrasonic waves, and a high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the ultrasonic oscillation unit. Set the upper and lower limits of the current value of the spindle motor to be measured, and when grinding while supplying high-frequency power from a high-frequency power supply to the grinding surface while spraying cleaning water that propagates ultrasonic waves, the current value measured by the current value measuring unit reaches the upper limit When it becomes high, the supply of high-frequency power from the high-frequency power supply is stopped to supply cleaning water that propagates ultrasonic waves to the grinding surface. When the current value measured by the current value measuring unit decreases to the lower limit, high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply to supply cleaning water that propagates ultrasonic waves to the grinding surface, and the upper limit of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit The high frequency power supply from the high frequency power supply is switched between the upper and lower limit values by an ON/OFF means to enable grinding. In this way, during grinding, the current value of the spindle motor is monitored by the current value measuring unit, and the oscillation and stop of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit are switched by the ON/OFF means according to the current value of the spindle motor, thereby generating ultrasonic waves. By intermittently propagating the ultrasonic wave generated from the oscillation unit to the grinding surface of the grinding wheel through the washing water sprayed from the ultrasonic nozzle to dress the grinding surface, it becomes possible to maintain the grinding force of the grinding wheel at a constant level, and a plurality of wafers It becomes possible to continuously and efficiently grind.

도 1 은 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 유지 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭 휠로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 3 은 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파를 계속 발진시키면서 연삭 가공을 실시한 비교예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파 발진의 정지와 재개를 실시하여 연삭 가공을 실시한 비교예 2 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 ON/OFF 수단을 작동시켜 고주파 전원으로부터의 고주파의 공급을 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 전환하여 연삭 가공을 실시한 실시예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows an example of a grinding apparatus.
Fig. 2 is a side view showing a state in which a wafer held on a holding table is being ground with a grinding wheel;
Fig. 3 is a graph showing the current value of the spindle motor in Comparative Example 1 in which grinding was performed while continuously oscillating ultrasonic waves by supplying high-frequency power from a high-frequency power supply without operating the ON/OFF means.
Fig. 4 is a graph showing the current value of the spindle motor in Comparative Example 2, in which grinding was performed by stopping and resuming ultrasonic oscillation by supplying high-frequency power from a high-frequency power supply without operating the ON/OFF means; .
Fig. 5 is a graph showing the current value of the spindle motor in Example 1, in which the ON/OFF means was activated and the high-frequency supply from the high-frequency power supply was switched between the upper and lower limits of the current value of the spindle motor, and grinding was performed. .

도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 는, 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 를, 연삭 수단 (7) 에 의해 연삭하는 장치이다. 연삭 장치 (1) 의 베이스 (10) 상의 전방 (-Y 방향측) 은, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 에 대해 웨이퍼 (W) 의 착탈이 실시되는 영역인 착탈 영역 (A) 이 되어 있고, 베이스 (10) 상의 후방 (+Y 방향측) 은, 연삭 수단 (7) 에 의해 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 의 연삭이 실시되는 영역인 연삭 영역 (B) 이 되어 있다.The grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 is an apparatus which grinds the wafer W hold|maintained on the holding table 30 by the grinding means 7 . The front side (-Y direction side) on the base 10 of the grinding apparatus 1 is a detachable area A, which is an area in which the wafer W is attached and detached from the holding table 30 by a conveying means (not shown). The rear (+Y direction side) on the base 10 is a grinding region B, which is a region in which the grinding of the wafer W held on the holding table 30 by the grinding means 7 is performed. has been

연삭 영역 (B) 에는, 칼럼 (11) 이 세워 형성되어 있고, 칼럼 (11) 의 측면에는 연삭 이송 수단 (5) 이 배치 형성되어 있다. 연삭 이송 수단 (5) 은, 연직 방향 (Z 축 방향) 의 축심을 갖는 볼 나사 (50) 와, 볼 나사 (50) 에 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (51) 과, 볼 나사 (50) 의 상단에 연결되어 볼 나사 (50) 를 회동 (回動) 시키는 모터 (52) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (50) 에 나사 결합되어 측부가 가이드 레일 (51) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (53) 과, 승강판 (53) 에 연결되어 연삭 수단 (7) 을 유지하는 홀더 (54) 로 구성되고, 모터 (52) 가 볼 나사 (50) 를 회동시키면, 이에 수반하여 승강판 (53) 이 가이드 레일 (51) 에 가이드되어 Z 축 방향으로 왕복 이동하고, 홀더 (54) 에 유지된 연삭 수단 (7) 이 Z 축 방향으로 연삭 이송된다.In the grinding region B, the column 11 is formed upright, and the grinding transfer means 5 is arranged on the side surface of the column 11 . The grinding transfer means 5 includes a ball screw 50 having an axial center in the vertical direction (Z-axis direction), a pair of guide rails 51 arranged parallel to the ball screw 50 , and a ball screw 50 . ) connected to the upper end of the motor 52 to rotate the ball screw 50, and the nut inside is screwed to the ball screw 50, and the side part is in sliding contact with the guide rail 51. (53) and a holder (54) connected to the lifting plate (53) to hold the grinding means (7), and when the motor (52) rotates the ball screw (50), the lifting plate (53) ) is guided by the guide rail 51 to reciprocate in the Z-axis direction, and the grinding means 7 held by the holder 54 is ground-transferred in the Z-axis direction.

유지 테이블 (30) 은, 예를 들어, 그 외형이 원 형상이고, 포러스 부재 등으로 이루어지며 웨이퍼 (W) 를 흡착하는 흡착부 (300) 와, 흡착부 (300) 를 지지하는 프레임체 (301) 를 구비한다. 흡착부 (300) 는 도시되지 않은 흡인원에 연통되고, 흡인원이 흡인함으로써 만들어진 흡인력이, 흡착부 (300) 의 노출면이고 프레임체 (301) 의 상면과 면일하게 형성되어 있는 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 은 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 또, 유지 테이블 (30) 은, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 회전 수단 (31) (도 1 에는 도시 생략) 에 의해 구동되어 회전 가능하게 되어 있고, 또한, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해, 착탈 영역 (A) 과 연삭 영역 (B) 사이를 Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.The holding table 30 has, for example, an external shape of a circular shape, is made of a porous member or the like, and includes an adsorption unit 300 for adsorbing the wafer W, and a frame body 301 for supporting the adsorption unit 300 . ) is provided. The suction unit 300 communicates with a suction source (not shown), and the holding surface 300a is formed so that the suction force generated by the suction source is the exposed surface of the suction unit 300 and is flush with the upper surface of the frame body 301 . ), the holding table 30 suction-holds the wafer W on the holding surface 300a. Moreover, the holding table 30 is driven and rotatable by the rotation means 31 (not shown in FIG. 1) arrange|positioned and formed on the bottom face side of the holding table 30, and the holding table 30 of The Y-axis direction feed means (not shown) arranged and formed on the bottom surface side makes it possible to reciprocate in the Y-axis direction between the attachment/detachment area (A) and the grinding area (B).

연삭 수단 (7) 은, 축 방향이 연직 방향 (Z 축 방향) 인 스핀들 (70) 과, 스핀들 (70) 을 회전 가능하게 지지하는 스핀들 하우징 (71) 과, 스핀들 (70) 을 회전 구동시키는 스핀들 모터 (72) 와, 스핀들 (70) 의 하단에 접속된 원 형상의 마운트 (73) 와, 마운트 (73) 의 하면에 착탈 가능하게 접속된 연삭 휠 (74) 을 구비한다. 그리고, 연삭 휠 (74) 은, 휠 기대 (741) 와, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 환상으로 배치 형성된 대략 직방체 형상의 복수의 연삭 지석 (740) 을 구비한다. 연삭 지석 (740) 은, 예를 들어, 결합재가 되는 유기공 타입의 비트리파이드 본드로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다. 또한, 연삭 지석 (740) 의 형상은, 환상으로 일체로 형성되어 있는 것이어도 되고, 연삭 지석 (740) 을 구성하는 결합재도, 비트리파이드 본드에 한정되지 않고 레진 본드 또는 메탈 본드 등이어도 된다.The grinding means 7 includes a spindle 70 whose axial direction is a vertical direction (Z-axis direction), a spindle housing 71 that rotatably supports the spindle 70 , and a spindle that rotationally drives the spindle 70 . A motor 72, a circular mount 73 connected to the lower end of the spindle 70, and a grinding wheel 74 detachably connected to the lower surface of the mount 73 are provided. And the grinding wheel 74 is equipped with the wheel base 741 and the some grinding wheel 740 of the substantially rectangular parallelepiped shape arrange|positioned annularly on the bottom surface of the wheel base 741. The grinding wheel 740 is formed, for example, by adhering diamond abrasive grains or the like with a vitrified bond of an organic pore type used as a binder. In addition, the shape of the grinding wheel 740 may be annularly formed integrally, and the binder which comprises the grinding wheel 740 is not limited to a vitrified bond, resin bond, a metal bond, etc. may be sufficient.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 (70) 의 내부에는, 연삭수가 지나는 길이 되는 유로 (70a) 가, 스핀들 (70) 의 축 방향 (Z 축 방향) 에 관통하여 형성되어 있고, 유로 (70a) 는, 또한 마운트 (73) 를 지나, 휠 기대 (741) 에 형성된 유로 (70b) 에 연통되어 있다. 유로 (70b) 는, 휠 기대 (741) 의 내부에 있어서 스핀들 (70) 의 축 방향과 직교하는 방향으로, 휠 기대 (741) 의 둘레 방향에 일정한 간격을 두고 배치 형성되어 있고, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 있어서 연삭 지석 (740) 을 향하여 연삭수를 분출할 수 있도록 개구되어 있다.As shown in FIG. 2 , a flow path 70a serving as a length through which the grinding water passes is formed inside the spindle 70 penetrating in the axial direction (Z-axis direction) of the spindle 70, and the flow path 70a is , also passes through the mount 73 and communicates with the flow path 70b formed in the wheel base 741 . The flow path 70b is disposed inside the wheel base 741 in a direction orthogonal to the axial direction of the spindle 70 at regular intervals in the circumferential direction of the wheel base 741, and the wheel base 741 ), it is opened so that grinding water can be jetted toward the grinding wheel 740 in the bottom surface.

연삭수 공급 수단 (8) 은, 예를 들어, 수원이 되는 펌프 등으로 이루어지는 연삭수 공급원 (80) 과, 연삭수 공급원 (80) 에 접속되어 스핀들 (70) 내부의 유로 (70a) 와 연통되는 배관 (81) 으로 구성되어 있다.The grinding water supply means 8 is connected to a grinding water supply source 80 comprising, for example, a pump serving as a water source, and the grinding water supply source 80 and communicates with a flow path 70a inside the spindle 70 . It is constituted by a pipe (81).

도 1 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 접속되어 있다. 전류값 측정부 (14) 는, 연삭 휠 (74) 에 의한 웨이퍼를 연삭할 때 발생하는 연삭 부하에 따라 변화하는 전류값, 즉, 연삭 휠 (74) 에 접속된 스핀들 (70) 의 회전 구동에 제공되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정한다. 또, 전류값 측정부 (14) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 이 접속되어 있다.As shown in FIG. 1 , a current value measuring unit 14 is connected to the spindle motor 72 . The current value measuring unit 14 is configured to provide a current value that changes according to a grinding load generated when grinding a wafer by the grinding wheel 74, that is, the rotational driving of the spindle 70 connected to the grinding wheel 74. The current value of the provided spindle motor 72 is measured. In addition, the current value measuring unit 14 is connected to ON/OFF means 16 for switching ON and OFF of ultrasonic oscillation in accordance with the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14, have.

도 1 에 나타내는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 은, 세정수를 주로 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하는 분사구 (900) 와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부 (901) 를 구비하는 초음파 노즐 (90) 과, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 을 구비한다. 초음파 노즐 (90) 의 배치 형성 위치는, 예를 들어, 연삭 영역 (B) 내에 있는 유지 테이블 (30) 에 인접하는 위치로, 또한 연삭 휠 (74) 의 하방에 있는 위치이며, 연삭 중인 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대해 초음파 노즐 (90) 의 선단인 분사구 (900) 가 대향하도록 배치 형성되어 있다. 또한, 초음파 노즐 (90) 은, 예를 들어, 도시되지 않은 Z 축 방향 이동 수단에 의해 Z 축 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어도 된다. 그리고, 초음파 노즐 (90) 에는, 펌프 등으로 구성되어 세정수를 공급하는 세정수 공급원 (92) 과 연통되는 배관 (920) 이 접속되어 있다.The ultrasonic cleaning water supply means 9 shown in FIG. 1 is an ultrasonic wave having an injection port 900 that mainly injects the washing water to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 and an ultrasonic wave oscillation unit 901 that oscillates ultrasonic waves. A nozzle (90) and a high-frequency power supply (91) for supplying high-frequency power to the ultrasonic oscillation unit (901) are provided. The arrangement formation position of the ultrasonic nozzle 90 is, for example, a position adjacent to the holding table 30 in the grinding area B, and a position below the grinding wheel 74, and the grinding wheel under grinding. With respect to the grinding surface 740a of the 740, the injection port 900 which is the front-end|tip of the ultrasonic nozzle 90 is arrange|positioned so that it may oppose. In addition, the ultrasonic nozzle 90 may be arrange|positioned so that movement in the Z-axis direction is possible by a Z-axis direction moving means which is not shown in figure, for example. The ultrasonic nozzle 90 is connected to a pipe 920 that is configured as a pump or the like and communicates with a washing water supply source 92 that supplies washing water.

초음파 노즐 (90) 의 내부에 배치 형성되어 있는 초음파 발진부 (901) 에는, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 이, 도전선 (910) 을 개재하여 접속되어 있다. 초음파 발진부 (901) 는, 고주파 전원 (91) 으로부터 소정의 고주파 전력이 공급되면, 초음파 발진부 (901) 에 구비되는 도시되지 않은 진동 소자가 고주파 전력을 기계 진동으로 변환함으로써 초음파를 발진시킨다. 그리고, 발진된 초음파는, 초음파 노즐 (90) 의 내부에 있어서, 세정수 공급원 (92) 으로부터 공급되어, 배관 (920) 을 통하여 초음파 노즐 (90) 의 내부에 보내진 세정수에 대해 전파된다. 초음파가 전파된 세정수 (L) 는, 분사구 (900) 로부터 예를 들어 +Z 방향을 향하여 분사되고, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 접촉한다.A high-frequency power supply 91 for supplying high-frequency power to the ultrasonic oscillation unit 901 is connected to the ultrasonic oscillation unit 901 arranged and formed inside the ultrasonic nozzle 90 via a conductive wire 910 . The ultrasonic oscillation unit 901, when a predetermined high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply 91, oscillates ultrasonic waves by a vibration element (not shown) provided in the ultrasonic oscillation unit 901 converts the high-frequency power into mechanical vibration. Then, the oscillated ultrasonic wave is supplied from the washing water supply source 92 inside the ultrasonic nozzle 90 and propagates with respect to the washing water sent to the inside of the ultrasonic nozzle 90 through the pipe 920 . The washing water L to which the ultrasonic wave propagated is injected from the injection port 900 toward the +Z direction, for example, and comes into contact with the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 .

이하에, 도 1 ∼ 5 를 사용하여, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 를 연삭 장치 (1) 에 의해 연속하여 복수 장 연삭하는 경우의, 연삭 장치 (1) 의 동작 및 연삭 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the grinding device 1 and the grinding method in the case of continuously grinding a plurality of wafers W shown in FIG. 1 by the grinding device 1 using FIGS. 1 to 5 will be described. .

도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 로 형성되는 직경이 6 인치인 기판 상에 SAW 디바이스 등이 배치 형성된 웨이퍼이다. 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 도시되지 않은 SAW 디바이스 등이 배치 형성되어 있고, 연삭 가공이 실시될 때에 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 보호 테이프 (T) 가 첩착 (貼着) 되어 보호된 상태가 되고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 이 연삭 휠 (74) 에 의해 연삭된다. 또한, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류는, 리튬탄탈레이트로 형성되는 웨이퍼에 한정되지 않고, 연삭 지석 (740) 의 종류 등과의 관계에 의해 적절히 변경 가능하고, 유리와 같은 연질재로 형성되는 웨이퍼나, SiC 또는 사파이어와 같은 경질재로 형성되는 웨이퍼여도 된다.The wafer W shown in FIG. 1 is a wafer in which a SAW device or the like is arranged on a 6-inch-diameter substrate made of, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ). For example, a SAW device or the like (not shown) is disposed on the surface Wa of the wafer W, and a protective tape T is adhered to the surface Wa of the wafer W when grinding is performed (貼着) to be in a protected state, and the back surface Wb of the wafer W is ground by the grinding wheel 74 . In addition, the shape and type of the wafer W are not limited to the wafer formed of lithium tantalate, and can be appropriately changed depending on the relationship with the type of the grinding wheel 740 and the like, and a wafer formed of a soft material such as glass Alternatively, the wafer may be formed of a hard material such as SiC or sapphire.

웨이퍼 (W) 의 연삭에 있어서는, 먼저, 도 1 에 나타내는 착탈 영역 (A) 내 에 있어서, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 보호 테이프 (T) 가 첩착된 웨이퍼 (W) 가 유지 테이블 (30) 상에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 의 보호 테이프 (T) 측과 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300a) 을 대향시켜 위치 맞춤을 실시한 후, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼의 이면 (Wb) 이 상측이 되도록 유지면 (300a) 상에 대치한다. 그리고, 유지 테이블 (30) 에 접속된 도시되지 않은 흡인원에 의해 만들어지는 흡인력이 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 이 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.In the grinding of the wafer W, first, in the attachment/detachment area A shown in FIG. is returned to Then, after positioning the protective tape T side of the wafer W and the holding surface 300a of the holding table 30 to face each other, the wafer W is held so that the back surface Wb of the wafer is on the upper side. It is opposed on the face 300a. Then, a suction force produced by a suction source (not shown) connected to the holding table 30 is transmitted to the holding surface 300a, so that the holding table 30 sucks and holds the wafer W on the holding surface 300a. .

이어서, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이, 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 착탈 영역 (A) 으로부터 연삭 영역 (B) 내의 연삭 수단 (7) 아래까지 +Y 방향으로 이동하고, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심이 유지 테이블 (30) 의 회전 중심에 대해 소정의 거리만큼 +Y 방향으로 어긋나, 연삭 지석 (740) 의 회전 궤도가 유지 테이블 (30) 의 회전 중심을 지나도록 실시된다. 그리고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 -Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 대향하고 있는 상태가 된다. 또, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 +Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 -Z 방향을 향하여 노출되고, 초음파 노즐 (90) 의 선단이 되는 분사구 (900) 와 대향하고 있는 상태가 된다.Next, the holding table 30 holding the wafer W is moved in the +Y direction from the attachment/detachment area A to the bottom of the grinding means 7 in the grinding area B by a Y-axis direction transfer means (not shown). , the grinding wheel 74 provided in the grinding means 7 and the wafer W are aligned. In the alignment, for example, as shown in FIG. 2 , the rotation center of the grinding wheel 74 is shifted in the +Y direction by a predetermined distance with respect to the rotation center of the holding table 30, and the grinding wheel 740 rotates The trajectory is implemented so as to pass through the rotation center of the holding table 30 . And in the area|region of -Y direction from the rotation center of the grinding wheel 74, the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 will be in the state which opposes the back surface Wb of the wafer W. Moreover, in the area|region of the +Y direction from the rotation center of the grinding wheel 74, the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 is exposed toward the -Z direction, and the injection port 900 used as the front-end|tip of the ultrasonic nozzle 90. is in the opposite state to

연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 실시된 후, 스핀들 모터 (72) 에 의해 스핀들 (70) 이 회전 구동되는 것에 수반하여 연삭 휠 (74) 이 회전한다. 또, 연삭 수단 (7) 이 연삭 이송 수단 (5) (도 2 에는 도시 생략) 에 의해 -Z 방향으로 보내져, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 이 -Z 방향으로 강하되어 가고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 -Y 방향의 영역에서 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿음으로써 연삭 가공이 실시된다. 또한, 연삭 중에는, 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 회전시키는 것에 수반하여, 유지면 (300a) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 도 회전하므로, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 전체면의 연삭 가공을 실시한다. 또, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿을 때, 연삭수 공급 수단 (8) 이, 연삭수를 스핀들 (70) 중의 유로 (70a) 를 통해 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 접촉 부위에 대해 공급하여, 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 접촉 부위를 냉각시킨다.After positioning of the grinding wheel 74 provided in the grinding means 7 and the wafer W is performed, the spindle 70 is rotationally driven by the spindle motor 72 and the grinding wheel 74 is rotate Moreover, the grinding means 7 is sent in the -Z direction by the grinding transfer means 5 (not shown in FIG. 2), and the grinding wheel 74 with which the grinding means 7 is equipped is descend|falling down in the -Z direction. , grinding is performed when the grinding wheel 740 abuts against the back surface Wb of the wafer W in a region in the -Y direction from the rotation center of the grinding wheel 74 . In addition, during grinding, as the rotating means 31 rotates the holding table 30, the wafer W held on the holding surface 300a also rotates, so that the grinding wheel 740 rotates the wafer W. Grinding of the entire surface of the back surface Wb is performed. Further, when the grinding wheel 740 comes into contact with the back surface Wb of the wafer W, the grinding water supply means 8 supplies the grinding water through the flow path 70a in the spindle 70 to the grinding wheel 740 . It supplies with respect to the contact part of the wafer W, and the contact part of the grinding wheel 740 and the back surface Wb of the wafer W is cooled.

또한, 연삭 중에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 고주파 전원 (91) 으로부터 초음파 발진부 (901) 에 대해 소정의 고주파 전력이 공급되어 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 발진됨과 함께, 세정수 공급원 (92) 으로부터 초음파 노즐 (90) 에 대해 세정수가 공급됨으로써, 세정수에 초음파가 전파되어, 초음파 노즐 (90) 의 분사구 (900) 로부터 분사되는 세정액 (L) 이 초음파 진동을 수반하는 것이 된다. 이 초음파 진동은, 세정액 (L) 의 분사 방향의 소정 범위 (예를 들어, 분사구 (900) 에서 +Z 방향을 향하여 폭 10 ㎜ 정도의 범위) 내에서 발생한다. 이 소정 범위의 중간 영역에 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 위치하도록, 초음파 노즐 (90) 의 연직 방향 (Z 축 방향) 의 위치가 결정되고, 이로써, 연삭면 (740a) 이 하강해도 연삭 중에 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 +Y 방향의 영역에 있어서 연삭면 (740a) 이 세정액 (L) 에 의해 세정되어 드레스된다.In addition, during grinding, as shown in FIG. 2 , predetermined high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply 91 to the ultrasonic oscillation unit 901 , and ultrasonic waves are oscillated from the ultrasonic oscillation unit 901 , and the washing water supply source 92 ) to the ultrasonic nozzle 90 , ultrasonic waves propagate to the washing water, and the cleaning liquid L sprayed from the injection port 900 of the ultrasonic nozzle 90 is accompanied by ultrasonic vibration. This ultrasonic vibration is generated within a predetermined range of the jetting direction of the cleaning liquid L (eg, a range of about 10 mm in width from the jetting port 900 to the +Z direction). The position in the vertical direction (Z-axis direction) of the ultrasonic nozzle 90 is determined so that the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 is located in the middle region of this predetermined range, whereby the grinding surface 740a descends During sea-island grinding, the grinding surface 740a is washed and dressed by the washing liquid L in the region in the +Y direction from the rotation center of the grinding wheel 74 .

상기 연삭 가공은, 예를 들어, 이하의 조건으로 실시한다.The said grinding process is performed under the following conditions, for example.

웨이퍼 (W) 의 연삭량 : 15 ㎛Grinding amount of wafer (W): 15 μm

스핀들 (70) 의 회전수 : 1000 rpmSpindle (70) rotation speed: 1000 rpm

유지 테이블 (30) 의 회전수 : 300 rpmRotational speed of holding table 30: 300 rpm

연삭 이송 수단 (5) 의 연삭 이송 속도 : 0.3 ㎛/초Grinding feed rate of grinding feed means 5: 0.3 μm/sec

초음파 발진부 (901) 의 진동 주파수 : 500 ㎑Vibration frequency of the ultrasonic oscillation unit 901: 500 kHz

상기 조건으로 1 장의 웨이퍼 (W) 를 소정의 연삭량만큼 연삭하고, 1 장의 웨이퍼 (W) 의 연삭을 완료시킨 후, 도 1 에 나타내는 연삭 이송 수단 (5) 에 의해 연삭 수단 (7) 을 +Z 방향으로 이동시켜 연삭 가공이 완료된 웨이퍼 (W) 로부터 이간시키고, 또한 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 을-Y 방향으로 이동시켜 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치로 되돌린다. 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치까지 돌아온 유지 테이블 (30) 상에 재치 (載置) 되어 있는 연삭 가공이 실시된 웨이퍼 (W) 를, 도시되지 않은 반송 수단이 유지 테이블 (30) 로부터 도시되지 않은 웨이퍼 카세트에 반송하여 수납한다. 이어서, 도시되지 않은 반송 수단이, 연삭 가공 전의 다른 새로운 1 장의 웨이퍼 (W) 를 유지 테이블 (30) 에 반송하고, 상기와 동일하게 연삭 가공을 실시해 간다.One wafer W is ground by a predetermined amount of grinding under the above conditions, and after grinding of one wafer W is completed, the grinding means 7 is +Z by the grinding transfer means 5 shown in Fig. 1 . It is moved in the direction to separate it from the wafer W on which the grinding process has been completed, and the holding table 30 is moved in the -Y direction by a Y-axis direction transfer means (not shown) to return to the original position of the detachable area (A). turn An unillustrated conveying means is not shown from the holding table 30 for the grinding|polishing wafer W which is mounted on the holding table 30 returned to the original position of the attachment/detachment area A, and the conveyance means (not shown) It is transported and stored in a wafer cassette that has not been used. Next, a conveying means (not shown) conveys another new wafer W before grinding to the holding table 30, and grinding is performed in the same manner as above.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고 , 예를 들어, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속해서 연삭하였다.In Comparative Example 1, during grinding of the wafer W, the ON/OFF means 16 provided in the grinding device 1 is not operated, for example, a plurality of wafers W are used by the grinding wheel 74 . After grinding, ultrasonic oscillation is started from the ultrasonic oscillation unit 901, and even after that, ultrasonic waves are continuously propagated from the ultrasonic oscillation unit 901 to the washing water L, and further, a plurality of wafers W are continuously grinded.

여기서, 연삭 가공 중에, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 클로깅되거나 글레이징되거나 함으로써 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되면, 연삭 가공 중 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터의 저항이 증대되고, 그에 수반하여 스핀들 모터 (72) 의 전류값도 상승해 간다. 그리고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 개시한 후, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 초음파 발진부 (901)로부터 끊임없이 세정수 (L) 에 초음파를 계속 전파하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 의 세정을 계속하면, 연삭 휠 (74) 의 회전력을 만들어 내어 전류값 측정부 (14) 에 의해 측정되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값은, 도 3 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이 상승해 간다. 즉, 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되는 현상이 확인되고, 그 이후에는, 초음파를 계속 발진시키고 있는 한에 있어서는, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는 경우가 없는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 1 에 있어서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 3 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내고 있지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스된 후를 나타내고 있다.Here, if the grinding force of the grinding wheel 740 decreases due to clogging or glazing of the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 during grinding processing, the back surface Wb of the wafer W during grinding processing ) increases, and the current value of the spindle motor 72 also increases with it. Then, after oscillation of ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation unit 901 is started, ultrasonic waves are continuously propagated from the ultrasonic oscillation unit 901 to the washing water L continuously during grinding of the wafer W, and the grinding surface of the grinding wheel 740 is If the cleaning of 740a is continued, the rotational force of the grinding wheel 74 is produced, and the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 rises as shown in the graph shown in FIG. 3 . do it That is, a phenomenon in which the grinding force of the grinding wheel 740 decreases was confirmed, and after that, it was confirmed that the current value of the spindle motor 72 did not fall as long as the ultrasonic wave was continuously oscillated. Therefore, in the comparative example 1, the grinding force of the grinding wheel 740 cannot be maintained, and it becomes unsuitable for grinding a plurality of wafers W continuously. In addition, in the graph shown in FIG. 3, in the vertical axis|shaft, the fall of the electric current value due to the revolution of the grinding wheel 74 at the time of replacing|exchanging the wafer W by a conveying means (not shown) is not shown, and the abscissa In this example, after a plurality of wafers W are ground by the grinding wheel 740, ultrasonic waves are continuously propagated to the cleaning liquid L, and the grinding surface 740a is washed and dressed.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비교예 2 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 실시하지 않는 것으로 하였다. 먼저, 비교예 1 에 있어서의 경우와 동일하게, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 웨이퍼 (W) 의 연삭을 복수 장 계속해서 실시한다.In Comparative Example 2, during grinding of the wafer W, the ON/OFF means 16 provided in the grinding apparatus 1 was not operated, and the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 was not oscillated. First, similarly to the case of Comparative Example 1, after grinding a plurality of wafers W by the grinding wheel 74, the ultrasonic oscillation unit 901 starts oscillation of ultrasonic waves, and thereafter, the ultrasonic oscillation unit 901 ), the ultrasonic wave is continuously propagated to the washing water L, and further, a plurality of wafers W are continuously ground.

그리고 웨이퍼 (W) 의 연삭을 계속해서 실시해 가고, 비교예 1 에서 확인할 수 있었던 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는 현상이 일어난 후에, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨다. 그러자, 도 4 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하는 현상이 확인되었다.Then, the grinding of the wafer W is continued, and after a phenomenon in which the current value of the spindle motor 72 rises as confirmed in Comparative Example 1 occurs, the supply of the high frequency power from the high frequency power supply 91 is stopped. , stops the oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 . Then, as shown in the graph shown in FIG. 4, the phenomenon that the current value of the spindle motor 72 falls again, that is, the phenomenon that the grinding force of the grinding wheel 740 rises was confirmed.

그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨 상태에서 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속 연삭하면, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 하강해 가는 현상이 확인되었다. 그리고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승한 후에, 다시 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하고, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시켜도, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강하지 않고 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하지 않는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 2 에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 4 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스되면서 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후를 나타내고 있다.However, after that, if a plurality of wafers W are further continued to be ground while the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 is stopped, the current value of the spindle motor 72 rises again, in other words, the grinding wheel ( 740), it was confirmed that the grinding force decreased. Then, after the current value of the spindle motor 72 rises, the supply of the high-frequency power from the high-frequency power supply 91 is resumed again, and the ultrasonic wave is oscillated from the ultrasonic oscillation unit 901 to propagate the ultrasonic wave to the washing water L. , it was confirmed that the current value of the spindle motor 72 did not fall and the grinding force of the grinding wheel 740 did not rise. Therefore, in the comparative example 2, the grinding force of the grinding wheel 740 cannot be maintained, and it becomes unsuitable for grinding a plurality of wafers W continuously. In addition, in the graph shown in FIG. 4, in the vertical axis|shaft, the fall of the electric current value due to the revolution of the grinding wheel 74 at the time of replacing|exchanging the wafer W by a conveyance means (not shown) is not shown, and in the horizontal axis, , shows after a plurality of wafers W are ground by the grinding wheel 740 while ultrasonic waves are continuously propagated to the cleaning liquid L to wash and dress the grinding surface 740a.

(실시예 1)(Example 1)

실시예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜 연삭을 실시하는 경우에 대해 설명한다.In Example 1, a case in which the ON/OFF means 16 provided in the grinding apparatus 1 is operated during grinding of the wafer W to perform grinding is demonstrated.

먼저, ON/OFF 수단 (16) 에는, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값을 미리 설정해 둔다.First, in the ON/OFF means 16, the upper limit and the lower limit of the current value of the spindle motor 72 that is changed during grinding by the grinding means 7 and measured by the current value measuring unit 14 are set in advance.

스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값은, 예를 들어, 상기 비교예 2 에 있어서 확인할 수 있었던 초음파의 발진을 정지시킨 후의 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 최저값보다는 적어도 높은 전류값이고, 당해 최저값보다 1 A 정도 높은 전류값이면 바람직하다. 본 실시예 1 에 있어서는, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 8.5 A 로 설정한다.The lower limit of the current value of the spindle motor 72 is, for example, a current value that is at least higher than the lowest value of the current value of the spindle motor 72 after stopping the ultrasonic oscillation confirmed in Comparative Example 2, It is preferable if it is a current value about 1 A higher than the minimum value. In the present embodiment 1, for example, the lower limit of the current value of the spindle motor 72 is set to 8.5 A.

한편, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 9 A 로 설정한다. 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 기초로 결정되고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값보다 1 A 정도 큰 범위에서 결정하면 바람직하다. 또한, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값 및 하한값은, 본 실시예 1 에 한정되는 것이 아니고, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류 그리고 연삭 지석 (740) 의 종류 등에 따라 적절히 변경 가능해진다.On the other hand, the upper limit of the current value of the spindle motor 72 is set to, for example, 9 A. The upper limit of the current value of the spindle motor 72 is determined based on, for example, the lower limit of the current value of the spindle motor 72, and is determined in a range larger than the lower limit of the current value of the spindle motor 72 by about 1 A It is preferable to do In addition, the upper limit and lower limit of the current value of the spindle motor 72 are not limited to the first embodiment, and can be appropriately changed depending on the shape and type of the wafer W and the type of the grinding wheel 740 .

이하에, 미리 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값을 9 A 로 하고, 또한 전류값의 하한값을 8.5 A 로 하여 설정한 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 수단 (7) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 연삭해 가는 경우에 대해, 도 5 의 그래프를 사용하여 설명한다. 도 5 에는 도시하고 있지 않지만, 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 고주파 전원 (91) 으로부터 고주파 전력을 초음파 발진부 (901) 에 공급하여 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 전파되어 초음파 진동을 수반하는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하면서 연삭해 간다. 그렇게 하면, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 의 공급에 의해, 초음파 진동이 연삭면 (740a) 에 전파되어, 연삭 지석 (740) 을 형성하는 비트리파이드 본드의 기공 중에 들어간 연삭 부스러기가 기공 중으로부터 긁어져 나온다. 그 때문에, 연삭 지석 (740) 의 연삭 저항이 저하되어 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강해 가고, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력은 높아져 간다. 그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 계속 발진시키면, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 상승해 간다.Hereinafter, the ON/OFF means 16 set in advance by setting the upper limit of the current value of the spindle motor 72 as 9 A and the lower limit of the current value as 8.5 A is operated, and the grinding means 7 is The case where the wafer W is ground is demonstrated using the graph of FIG. Although not shown in FIG. 5, after grinding a plurality of wafers W, high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply 91 to the ultrasonic oscillation unit 901, and the ultrasonic wave propagates from the ultrasonic oscillation unit 901 and causes ultrasonic vibrations. Grinding is carried out, spraying the washing water L to be used to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 . Then, by the supply of the washing water L to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740, ultrasonic vibration propagates to the grinding surface 740a, and the vitrified bond forming the grinding wheel 740 is formed. Grinding debris that has entered into the pores is scraped out from the pores. Therefore, the grinding resistance of the grinding wheel 740 falls, the electric current value of the spindle motor 72 falls, that is, the grinding force of the grinding wheel 740 increases. However, after that, when ultrasonic waves are continuously oscillated from the ultrasonic oscillation unit 901, the current value of the spindle motor 72 rises as shown in FIG.

그리고, 예를 들어, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 작동하여 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시킨다. 그렇게 하면, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지되고, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다.And, for example, as shown in the graph of FIG. 5 , when the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measurement unit 14 increases to the upper limit of 9 A, the ON/OFF means 16 ) operates to stop the supply of the high frequency power from the high frequency power supply 91 . Then, the oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 is stopped, and the washing water L to which the ultrasonic wave does not propagate is supplied to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 .

ON/OFF 수단 (16) 에 의해 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사시키면서 연삭해 가면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하한값인 8.5 A 까지 낮아진다. 이 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하여 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 재개하고, 초음파가 전파되는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급한다.The supply of high frequency power from the high frequency power supply 91 is stopped by the ON/OFF means 16, and the washing water L in which ultrasonic waves do not propagate is sprayed onto the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 while grinding. When it goes down, as shown in the graph of FIG. 5, the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring part 14 becomes low to 8.5 A which is a lower limit. At this point in time, the ON/OFF means 16 resumes supply of the high-frequency power from the high-frequency power supply 91 to resume oscillation of the ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation unit 901, and the washing water L in which the ultrasonic waves propagate. is supplied to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 .

이렇게 하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 를 개재한 초음파의 전파가 재개되면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 다시 상승해 간다. 그리고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지된다. 그렇게 하면, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다. 이와 같이, ON/OFF 수단 (16) 은, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값과 하한값 사이의 값을 취하도록 초음파의 발진을 제어하면서 연삭을 속행한다.In this way, when the propagation of the ultrasonic wave through the washing water L to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 is resumed, as shown in the graph of FIG. 5 , the spindle measured by the current value measuring unit 14 The current value of the motor 72 rises again. Then, when the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 increases to the upper limit of 9 A, the ON/OFF means 16 supplies the high frequency power from the high frequency power supply 91 . is stopped, and the oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 is stopped. Then, the washing water L to which the ultrasonic wave does not propagate is supplied to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 . In this way, the ON/OFF means 16 continues grinding while controlling the oscillation of the ultrasonic wave so that the current value of the spindle motor 72 takes a value between the upper limit value and the lower limit value.

또한, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 이 전환할 때에는, ON/OFF 의 전환과 동시에, 웨이퍼 (W) 의 교환도 실시하면 바람직하다. 즉, 예를 들어, 1 장의 웨이퍼 (W) 에 대해 항상 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON (또는 OFF) 으로 한 상태에서, 소정의 연삭량을 연삭하여 연삭 가공을 실시하면 바람직하다.In addition, when the ON/OFF means 16 switches the supply of the high frequency power from the high frequency power supply 91, it is preferable that the wafer W is also exchanged simultaneously with the ON/OFF switching. That is, for example, it is preferable to perform grinding processing by grinding a predetermined amount of grinding in a state in which the high frequency power supply from the high frequency power supply 91 is always turned ON (or OFF) for one wafer W, for example. do.

이와 같이, 연삭 장치 (1) 는, 실시예 1 에 있어서 나타내는 바와 같이, ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하고, 간헐적으로 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시킴으로써, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 일정 범위로 유지하는 것이 가능해져, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 것이 가능해진다.In this way, as shown in Example 1, the grinding apparatus 1 operates the ON/OFF means 16, and during grinding, the spindle motor 72 which the current value measurement unit 14 measures. The high frequency power supply from the high frequency power supply 91 is switched by the ON/OFF means 16 between the upper and lower limits of the current value of By propagating the ultrasonic wave to the surface, it becomes possible to maintain the grinding force of the grinding wheel 740 within a certain range, and it becomes possible to continuously grind a plurality of wafers W.

1 : 연삭 장치
10 : 베이스
11 : 칼럼
14 : 전류값 측정부
16 : ON/OFF 수단
30 : 유지 테이블
300 : 흡착부
300a : 유지면
301 : 프레임체
31 : 회전 수단
5 : 연삭 이송 수단
50 : 볼 나사
51 : 가이드 레일
52 : 모터
53 : 승강판
54 : 홀더
7 : 연삭 수단
70 : 스핀들
70a : 유로
70b : 유로
72 : 스핀들 모터
73 : 마운트
74 : 연삭 휠
740 : 연삭 지석
740a : 연삭면
741 : 휠 기대
8 : 연삭수 공급 수단
80 : 연삭수 공급원
81 : 배관
9 : 초음파 세정수 공급 수단
90 : 초음파 노즐
900 : 분사구
901 : 초음파 발진부
91 : 고주파 전원
910 : 도전선
92 : 세정수 공급원
920 : 배관
W : 웨이퍼
Wa : 웨이퍼의 표면
Wb : 웨이퍼의 이면
T : 보호 테이프
A : 착탈 영역
B : 연삭 영역
1: grinding device
10: base
11: Column
14: current value measuring unit
16: ON/OFF means
30: holding table
300: adsorption unit
300a: holding surface
301: frame body
31: rotation means
5: grinding conveyance means
50: ball screw
51: guide rail
52: motor
53: lift plate
54: holder
7: grinding means
70: spindle
70a: Euro
70b: Euro
72: spindle motor
73 : mount
74 : grinding wheel
740: grinding wheel
740a: grinding surface
741 : wheel leaning
8: grinding water supply means
80: grinding water supply source
81: plumbing
9: Ultrasonic cleaning water supply means
90: ultrasonic nozzle
900: nozzle
901: ultrasonic oscillation unit
91: high frequency power
910: conductive line
92: washing water supply source
920: plumbing
W: Wafer
Wa : surface of wafer
Wb: back side of wafer
T: protective tape
A: Detachable area
B: grinding area

Claims (1)

웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서,
그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고,
그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고,
그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고,
그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는, 연삭 장치.
Grinding means having a holding table for holding a wafer, and a spindle motor for rotating a spindle for rotatably mounting a grinding wheel on which a grinding wheel for grinding a wafer held on the holding table is arranged and formed in an annular shape; A grinding device comprising a grinding water supply means for supplying grinding water to a wafer, comprising:
An ultrasonic cleaning water supply means for spraying cleaning water propagating ultrasonic waves to the grinding surface in contact with the wafer of the grinding wheel separately from the grinding water supply means, and a current value measuring unit for measuring the current value of the spindle motor; an ON/OFF means for switching ON and OFF of ultrasonic oscillation according to the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit;
The ultrasonic cleaning water supply means includes an ultrasonic nozzle having an injection port for spraying the cleaning water to the grinding surface and an ultrasonic oscillation part for oscillating ultrasonic waves, and a high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the ultrasonic oscillation part,
The ON/OFF means is changed during grinding by the grinding means and sets the upper and lower limits of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit,
When the high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply and the cleaning water that propagates ultrasonic waves is sprayed on the grinding surface while grinding, the current value measured by the current value measuring unit increases to the upper limit value of the high-frequency power from the high-frequency power supply. By stopping the supply, cleaning water that does not propagate ultrasonic waves is supplied to the grinding surface,
When the high-frequency power supply from the high-frequency power supply is stopped and the washing water that does not propagate ultrasonic waves is sprayed onto the grinding surface while grinding, if the current value measured by the current value measuring unit decreases to the lower limit, the By supplying high-frequency power, cleaning water that propagates ultrasonic waves is supplied to the grinding surface,
A grinding device for grinding by switching the supply of high-frequency power from the high-frequency power source to an ON/OFF means between the upper limit and the lower limit of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit.
KR1020160087998A 2015-07-30 2016-07-12 Grinding apparatus KR102343159B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015150535A JP6489973B2 (en) 2015-07-30 2015-07-30 Grinding equipment
JPJP-P-2015-150535 2015-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170015150A KR20170015150A (en) 2017-02-08
KR102343159B1 true KR102343159B1 (en) 2021-12-23

Family

ID=57985696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160087998A KR102343159B1 (en) 2015-07-30 2016-07-12 Grinding apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6489973B2 (en)
KR (1) KR102343159B1 (en)
CN (1) CN106392886B (en)
TW (1) TWI694896B (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7012454B2 (en) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 Manufacturing method of electrostatic suction chuck and manufacturing method of semiconductor device
JP6506797B2 (en) * 2017-06-09 2019-04-24 Towa株式会社 Grinding apparatus and grinding method
JP7045212B2 (en) * 2018-02-08 2022-03-31 株式会社ディスコ Grinding device
JP7032217B2 (en) * 2018-04-05 2022-03-08 株式会社ディスコ Polishing equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001096461A (en) 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method and device for grinding wheel
JP2009279710A (en) 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp Centering and edging method and centering and edging device

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (en) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd How to dress grinding wheel
JPH0577161A (en) * 1991-03-13 1993-03-30 Mitsubishi Materials Corp Dressing device for grinding machine
JP3305732B2 (en) * 1991-05-28 2002-07-24 日立ビアメカニクス株式会社 Control method of surface grinder
JPH0557610A (en) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd Grinding method
DE69306049T2 (en) * 1992-06-19 1997-03-13 Rikagaku Kenkyusho Device for grinding mirror surface
JP2000117630A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dressing tool for wafer chamfering device, and dressing mechanism for the wafer chamfering device using the dressing tool
JP2001113455A (en) * 1999-10-14 2001-04-24 Sony Corp Chemical mechanical polishing device and method
JP2001328069A (en) * 2000-05-24 2001-11-27 Ebara Corp Method and device for cleaning of dresser in grinding device
TW492065B (en) * 2001-07-20 2002-06-21 United Microelectronics Corp Structure of polishing pad conditioner and method of use
CN100347827C (en) * 2002-02-20 2007-11-07 株式会社荏原制作所 Polishing method and grinding fluid
US8083571B2 (en) * 2004-11-01 2011-12-27 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2006281341A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Grinding device
TW200734120A (en) * 2005-12-06 2007-09-16 Disco Corp Polishing grindstone and method for producing same
JP5254539B2 (en) * 2006-08-09 2013-08-07 株式会社ディスコ Wafer grinding equipment
JP2009094326A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd Method of grinding wafer
KR101616595B1 (en) * 2009-06-04 2016-04-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 Method for grinding plate-like body
JP5550940B2 (en) * 2010-02-23 2014-07-16 株式会社ディスコ Transport mechanism
JP2011189456A (en) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp Grinding device and grinding method
US8920214B2 (en) * 2011-07-12 2014-12-30 Chien-Min Sung Dual dressing system for CMP pads and associated methods
JP5856433B2 (en) * 2011-10-21 2016-02-09 株式会社ディスコ Grinding method of sapphire substrate
JP2013123792A (en) * 2011-12-16 2013-06-24 Fujitsu Ltd Method for manufacturing semiconductor device, and grinding device
JP6239354B2 (en) * 2012-12-04 2017-11-29 不二越機械工業株式会社 Wafer polishing equipment
JP6166974B2 (en) * 2013-07-22 2017-07-19 株式会社ディスコ Grinding equipment
CN103921213B (en) * 2014-03-14 2017-01-04 河南理工大学 Multiple spot ultrasonic activation CBN wheel dresser
CN104440559A (en) * 2014-11-24 2015-03-25 河南理工大学 Ultrasonic laser composite dressing device for superabrasive grinding wheel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001096461A (en) 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method and device for grinding wheel
JP2009279710A (en) 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp Centering and edging method and centering and edging device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201713460A (en) 2017-04-16
KR20170015150A (en) 2017-02-08
JP6489973B2 (en) 2019-03-27
TWI694896B (en) 2020-06-01
CN106392886A (en) 2017-02-15
CN106392886B (en) 2020-03-17
JP2017030071A (en) 2017-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102343159B1 (en) Grinding apparatus
KR20150119806A (en) Grinding machine
JP6704714B2 (en) Cutting equipment
JP4280557B2 (en) Cleaning device and polishing device
JP2015006697A (en) Processing device and processing method of plate-like object
JP7098240B2 (en) Abrasive pad
JP5275016B2 (en) Grinding equipment
JP6341724B2 (en) Chuck table, grinding device
JP2004342985A (en) Polishing device and method for dressing polishing pad
JP2010021273A (en) Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
JP2011110631A (en) Cutting device
WO2001043178A1 (en) Polishing-product discharging device and polishing device
JP2001237204A (en) Method of manufacturing device
KR20200001979A (en) Ultrasonic water injection apparatus
JP4909575B2 (en) Cleaning method and cleaning equipment
JP2020078849A (en) Grinding method and grinding apparatus
JP2005150360A (en) Method for processing wafer
JP6244148B2 (en) Processing equipment
JP2000326185A (en) Grinding and polishing device and grinding and polishing method
US20220016742A1 (en) Dressing apparatus and polishing apparatus
JP2006095663A (en) Grinding wheel correction method for grinding device, grinding method, and grinding device
JP2004050384A (en) Polishing device
JP2002178245A (en) Both-head planar grinding device and planar grinding method for plate work
CN111438085A (en) Cleaning mechanism
TW202207299A (en) Dressing apparatus and polishing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant