KR102302814B1 - 터치 윈도우, 이의 터치 센싱 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

터치 윈도우, 이의 터치 센싱 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 터치 윈도우는, 화면부; 상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및
상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지한다.
실시예에 따른 터치 센싱 방법은, 감지전극이 배치되는 터치 감지 영역을 터치 하여 터치 위치를 인식하는 단계; 및 상기 감지전극의 길이를 변화시켜 터치 압력을 인식하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치 윈도우; 및 상기 터치 윈도우 상에 배치되는 구동부를 포함하고, 상기 터치 윈도우는, 화면부; 상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및 상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지한다.

Description

터치 윈도우, 이의 터치 센싱 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{TOUCH WINDOW, METHOD OF TOUCH SENSING AND DISPLAY WITH THE SAME}
본 기재는 터치 윈도우, 이의 터치 센싱 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 패널이 적용되고 있다.
이러한 터치 위치를 센싱하는 방식으로 정전 용량 방식 및 저항막 방식이 대표적이다. 저항막 방식의 터치 패널은 입력 장치에 압력을 가했을 때 전극 간 연결에 따라 저항이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 제조 방식의 편의성 및 센싱력 등을 감안하여 소형 모델에 있어서는 최근 정전 용량 방식이 주목받고 있다.
한편, 최근에는 이러한 방식 외에 보다 정밀하고 간단한 위치 인식을 위한 위치 검출 방식이 요구되고 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 터치 윈도우, 이의 터치 센싱 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 터치 윈도우는, 화면부; 상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및
상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지한다.
실시예에 따른 터치 센싱 방법은, 감지전극이 배치되는 터치 감지 영역을 터치 하여 터치 위치를 인식하는 단계; 및 상기 감지전극의 길이를 변화시켜 터치 압력을 인식하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치 윈도우; 및 상기 터치 윈도우 상에 배치되는 구동부를 포함하고, 상기 터치 윈도우는, 화면부; 상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및 상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지한다.
실시예에서는, 감지전극이 터치 위치 또는 터치 압력을 감지할 수 있다. 터치 위치는 TDR방식을 통해 감지할 수 있다. 이러한 TDR 방식은 터치 위치 인식뿐만 아니라 터치 제스처 또한 인식할 수 있다. 즉, 드로잉(drawing)과 같은 터치 제스처를 인식할 수 있다. 또한, 반복적인 터치 동작을 인식할 수 있다. 따라서, 차별화된 사용자 인터페이스를 제공할 수 있고, 사용자 경험을 확대할 수 있다.
이러한 TDR 방식을 통해 터치 tip의 직경을 줄일 수 있다. 즉, 기존의 정전용량 방식에 비해 터치 tip의 직경을 0.5 내지 0.8로 줄일 수 있다. 일례로, 터치 tip의 직경이 1 Φ 이하로 줄일 수 있다. 따라서, 섬세한 터치 인식이 가능하다.
또한, 기존의 정전용량 방식에 비해 터치 센싱 속도를 향상할 수 있다. 즉, 터치 센싱 속도가 수 ㎲(마이크로세컨드)로 빨라질 수 있다.
한편, 기존 전자기기의 테두리 영역은 구조적 제약으로 인해 버튼형 터치 컨셉으로 한정되었으나, 실시예에서는 이러한 한계를 극복할 수 있다. 즉, 차별화된 사용자 인터페이스를 제공할 수 있고, 사용자 경험을 확대할 수 있다.
또한, 실시예에서는 동일한 감지전극으로 터치 위치 센싱 및 터치 압력 센싱을 모두 감지할 수 있다. 따라서, 간단한 구조를 통해 다양한 사용자 인터페이스(user interface)를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 터치 윈도우의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A를 확대하여 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 B를 확대하여 도시한 도면이다.
도 4는 감지전극의 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 15는 다른 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명하기 위한 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
실시예에 따른 터치 윈도우는 화면부(100) 및 상기 화면부(100)를 둘러싸는 주변부(200)를 포함한다.
상기 화면부(100)는 사용자의 터치 명령 입력이 가능하다.
상기 화면부(100)는 터치 입력을 감지하는 제1 감지전극(300)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 도 2를 참조하면, 상기 제1 감지전극(300)은 제1 감지부(310) 및 제2 감지부(320)를 포함할 수 있다. 상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320)는 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다.
도 2에서는 상기 제1 감지부(310) 및 제2 감지부(320)가 바(bar)형태인 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 제1 감지부(310) 및 제2 감지부(320)는 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지를 감지할 수 있는 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원형 또는 타원형, 마름모형, H자형, 메쉬(mesh) 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320)는 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이를 위하여 제1 감지부(310) 및 제2 감지부(320)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 감지부(310) 및 제2 감지부(320)는 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 또는 다양한 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320)는 Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320) 사이에는 절연층이 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320) 사이의 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 감지부(310) 및 상기 제2 감지부(320)는 각각 다른 기재 상에 배치되어 이격될 수도 있다.
상기 화면부(100)에서는 정전용량 방식을 통해 센싱이 이루어질 수 있다. 즉, 상기 제1 감지전극(300)은 정전용량 방식으로 터치 위치를 인식할 수 있다. 즉, 상기 화면부(100)에서는 손가락 등의 입력 장치가 접촉되면, 입력 장치가 접촉된 부분에서 정전 용량의 차이가 발생하고, 이러한 차이가 발생한 부분을 접촉 위치로 검출할 수 있다.
한편, 상기 주변부(200)는 상기 화면부(100)에 인접하여 배치된다. 상기 주변부(200)는 실시예에 따른 디스플레이 장치가 스마트폰일 때, 스마트폰 화면의 테두리일 수 있다. 또한, 실시예에 따른 디스플레이 장치는 TV, 네비게이션 등 다양한 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
이때, 상기 주변부(200)는 터치를 감지할 수 있는 제2 감지전극(400)을 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 상기 제2 감지전극(400)은 상기 제1 감지전극(300)과 서로 다른 패턴을 가질 수 있다.
상기 제2 감지전극(400)은 상기 주변부(200)의 전면에 배치될 수 있다. 상기 제2 감지전극(400)은 서로 다른 방향성을 가지며 연장될 수 있다. 상기 제2 감지전극(400)은 제1 연장부(410) 및 제2 연장부(420)를 포함할 수 있다. 상기 제1 연장부(410)는 제1 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 연장부(420)는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 연장부(410) 및 상기 제2 연장부(420)는 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 연장부(420)는 상기 제1 연장부(410)로부터 연장될 수 있다. 이러한 방향성이 서로 다른 상기 제1 연장부(410) 및 상기 제2 연장부(420)가 교대로 반복적으로 배치되어 상기 주변부의 전면을 채울 수 있다. 따라서, 실시예가 도 3에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2 감지전극(400)은 반복적 배치를 통해 상기 주변부(200)의 전면을 채울 수 있는 다양한 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지전극(400)은 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이를 위하여 제2 감지전극(400)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 감지전극(400)은 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 전도성 폴리머 또는 다양한 금속을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지전극(400)은 터치 위치를 감지할 수 있다. 즉, 상기 제2 감지전극(400)은 시간 영역 반사 측정법(TDR)을 통해 위치 센싱이 이루어질 수 있다. 상기 제2 감지전극(400)은 시간 영역 반사 측정법(TDR)을 통해 터치 위치를 인식할 수 있다. 구체적으로, 도 4를 참조하면, 전송선 이론(Transmission line Theory)을 기반으로 인가된 신호가 제2 감지전극(400) 패턴을 따라 진행하다가 임피던스(impedence)가 큰 지점(터치점, T)에서 일부 신호가 반사하여 돌아오는 신호를 분석하여 터치 지점을 감지하는 방식이다. 즉, 입력 장치가 터치된 지점에서 임피던스 증가로 발행하는 Time Domain상 스레숄드(Threshold) 지점 이상 및 이하에서 형성된 신호를 통해 x, y (2D) 좌표를 센싱할 수 있다. 기존에는 이러한 TDR 방식이 케이블의 단선 여부를 검출하는 방식에 적용되었다.
이때, 상기 제2 감지전극(400)은 에너지 펄스가 발생하는 일 끝단 및 신호가 제2 감지전극(400)을 따라 전송되면서 에너지 펄스가 종착하는 타 끝단을 포함한다. 에너지 펄스는 일정한 임피던스를 갖는 전기적인 전도성 패스(예를 들면 전송 라인)로 전송된다. 펄스가 전기적인 전도성 패스의 비-종단된 단부(unterminatedend)에 도달하거나 전기적인 전도성 패스를 따라 임피던스의 변화가 있다면, 에너지 펄스의 일부 또는 모두는 그 소스로 다시 반사된다. 두 개의 금속 전도체들이 매우 근접하게 함께 배치되면, 두 개의 금속 전도체들은 금속 전도체들의 공간과 그들 사이의 절연 유전체 의해 결정된 특성 임피던스를 갖는 전송 라인을 형성한다. 전송 라인이 그의 특성 임피던스로 종단되면(terminated), 펄스가 전송 라인의 시작에서 발생하였던 그곳으로 되돌아가는 반사 펄스는 없을 것이다. 전송 라인이 비-종단되면, 전송된 펄스가 전송 라인의 시작에서 발생하였던 그곳으로 되돌아가는 포지티브 반사 펄스가 존재할 것이다. 전송 라인을 따라 어디에서든지 임피던스 차이가 있다면, 반사 펄스가 생성되어 연속적으로 검출될 것이다. 이 반사 펄스가 펄스 소스 위치로 리턴하는데 걸리는 시간은, 임피던스 차이가 일어나는 거리를 결정하기 위해 사용된다. 전송 라인을 따른 정전용량의 증가(예를 들면, 손가락 터치)는 리턴 반사 펄스가 생성된(전송된) 펄스에 대하여 네거티브가 되게 한다.
한편, 이러한 TDR방식은 터치 위치 인식뿐만 아니라 터치 제스처 또한 인식할 수 있다. 즉, 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 주변부(200)에서는 드로잉(drawing)과 같은 터치 제스처를 인식할 수 있다. 상기 제 주변부(200)에서는 슬라이딩(sliding)과 같은 터치 제스처를 인식할 수 있다. 이를 통해, 도 5에 도시한 바와 같이 책장 넘기기와 같은 기능을 수행할 수 있다.
또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 주변부(200)에서는 터치 방향을 인식할 수 있다. 따라서, 상기 주변부(200)에서는 시계 방향 또는 반시계 방향을 인식할 수 있다. 또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 주변부(200)에서는 드래깅(dragging)과 같은 터치 제스처를 인식할 수 있다. 따라서, 드래깅을 이용한 게임에서 기능을 수행할 수 있다.
또한, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 주변부(200)에서는 반복적인 터치 동작을 인식할 수 있다. 일례로, 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 주변부(200)에서는 셀렉팅(selecting) 터치 기능을 수행할 수 있다.
기존 전자기기의 테두리 영역은 구조적 제약으로 인해 버튼형 터치 컨셉으로 한정되었으나, 실시예에서는 이러한 한계를 극복할 수 있다. 즉, 차별화된 사용자 인터페이스를 제공할 수 있고, 사용자 경험을 확대할 수 있다.
또한, 이러한 TDR 방식을 통해 터치 tip의 직경을 줄일 수 있다. 즉, 기존의 정전용량 방식에 비해 터치 tip의 직경을 0.5 내지 0.8로 줄일 수 있다. 일례로, 터치 tip의 직경이 1 Φ 이하로 줄일 수 있다. 따라서, 섬세한 터치 인식이 가능하다.
또한, 기존의 정전용량 방식에 비해 터치 센싱 속도를 향상할 수 있다. 즉, 터치 센싱 속도가 수 ㎲(마이크로세컨드)로 빨라질 수 있다.
한편, 실시예에서는 상기 화면부(100)에서 정전용량 방식의 센싱이 이루어지고, 상기 주변부(200)에서는 TDR 방식의 센싱이 이루어진다고 설명하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 화면부(100) 및 상기 주변부(200) 모두 정전용량 방식의 센싱이 이루어질 수도 있고, 상기 화면부(100) 및 상기 주변부(200) 모두 TDR 방식의 센싱이 이루어질 수 있다. 또한, 상기 두 가지 방식 이외에 터치를 감지할 수 있는 다양한 방식의 센싱이 이루어질 수 있다.
한편, 도 10 내지 도 12를 참조하면, 상기 감지전극(400)은 터치 압력을 감지할 수 있다. 상기 감지전극(400)은 스트레인 게이지(strain-gauge)를 통해 압력 센싱이 이루어질 수 있다. 스트레인 게이지는 저항 소자의 길이 변화율이 저항의 변화율과 비례하는 특성을 응용하여 압력에 의한 저항체의 변화를 전기 저항 값의 변화로 측정하는 방식이다. 즉, 도 11에 도시한 바와 같이, 압력에 의해 상기 제2 감지전극(400)의 길이(L1)가 팽창할 때, 이러한 길이 변화를 전기 저항 값의 변화로 측정할 수 있다. 또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 압력에 의해 상기 제2 감지전극(400)의 길이(L2)가 수축할 때, 이러한 길이 변화를 전기 저항 값의 변화로 측정할 수 있다.
따라서, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 압력을 기반으로 하는 실감 게임을 구동할 수 있다.
즉, 실시예에서는 동일한 감지전극으로 터치 위치 센싱 및 터치 압력 센싱을 모두 감지할 수 있다. 이때, 상기 감지전극이 터치 위치를 인식하거나 터치 압력을 인식하는 기능은 순서에 상관없이 개별적으로 행해질 수 있다. 따라서, 간단한 구조를 통해 다양한 사용자 인터페이스(user interface)를 제공할 수 있다.
한편, 도 15를 참조하면, 상기 감지전극(400)에 인접하여 그라운드 전극(500)이 더 배치될 수 있다.
상기 그라운드 전극(500)은 상기 제2 감지전극(400)에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 그라운드 전극(500)은 제2 감지전극(400)을 따라 연장될 수 있다.
상기 그라운드 전극(500)은 외부에서 유입되는 정전기 또는 ESD가 디스플레이 장치 내부로 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다. 즉, 정전기 또는 ESD가 상기 제2 감지전극(400)의 경로를 따라 이동함으로써, 디스플레이 장치 내로 유입되지 못하도록 할 수 있다. 따라서, 디스플레이 장치 내의 정전기 발생을 예방할 수 있고, 센싱 불량을 방지할 수 있다. 이를 통해, 신호간섭을 방지하여 터치의 정확성 및 신뢰성을 향상할 수 있다.
한편, 도면에 도시하지 않았으나, 그라운드 전극(500)은 제1 그라운드 전극 및 제2 그라운드 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 그라운드 전극 및 상기 제2 그라운드 전극은 상기 제2 감지전극(400)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제1 그라운드 전극 및 상기 제2 그라운드 전극은 상기 제2 감지전극(400)의 양 측면에 배치될 수 있다.
한편, 이러한 터치 윈도우는 구동부 상에 배치될 수 있다. 상기 구동부는 표시패널을 포함할 수 있다. 이러한 터치 윈도우 및 구동부가 합착되어 디스플레이장치를 구성할 수 있다.
특히, 상기 터치 윈도우는 곡면(curved) 터치 윈도우 또는 휘어지는 플렉서블(flexible) 터치 윈도우를 포함할 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 곡면 디스플레이 장치 또는 플렉서블 디스플레이 장치일 수 있다.
상기 표시패널은 영상을 출력하기 위한 표시영역이 형성되어 있다. 이러한 디스플레이장치에 적용되는 표시패널은 일반적으로 상부기판 및 하부기판을 포함할 수 있다. 하부기판에는 데이터라인, 게이트라인 및 박막트랜지스터(TFT) 등이 형성될 수 있다. 상부기판은 하부기판과 접합되어 하부기판 상에 배치되는 구성요소들을 보호할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 화면부;
    상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및
    상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고,
    상기 감지전극은,
    상기 화면부에 배치되는 제1 감지전극; 및
    상기 주변부에 배치되는 제2 감지전극을 포함하고,
    상기 제 1 감지전극 및 상기 제 2 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지하고,
    상기 제1 감지전극 및 상기 제2 감지전극은 서로 다른 패턴으로 배치되고,
    상기 제 1 감지전극은 정전용량 방식을 통해 터치 위치를 감지하고
    상기 제 2 감지전극은 시간영역(time domain) 측정방식을 통해 터치 위치를 감지하고,
    상기 주변부에서는 터치 팁(tip)의 직경이 0.5 Φ 내지 0.8 Φ이고,
    상기 제 1 감지전극 및 상기 제 2 감지전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 전도성 폴리머 또는 금속을 포함하고,
    상기 제 2 감지전극은,
    제1 방향으로 연장되는 제1 연장부; 및
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제1 연장부 및 상기 제2 연장부는 일체로 형성되고,
    상기 제 2 감지전극에 인접하여 그라운드 전극이 배치되고,
    상기 그라운드 전극은 상기 제1 연장부 및 상기 제2 연장부를 따라 연장하고,
    상기 그라운드 전극은 제1 그라운드 전극 및 제2 그라운드 전극을 포함하고,
    상기 제1 그라운드 전극 및 상기 제2 그라운드 전극은 상기 제 2 감지전극을 둘러싸며 배치되는 터치 윈도우.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 감지전극은 사용자의 사용에 의해 길이가 변화하는 터치 윈도우.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 감지전극은 상기 감지전극의 길이 변화를 통해 터치 압력을 감지하는 터치 윈도우.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 감지전극은 상기 화면부 또는 상기 주변부의 전면에 배치되는 터치 윈도우.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 구동부; 및
    상기 구동부 상에 배치되는 터치 윈도우를 포함하고,
    상기 터치 윈도우는,
    화면부;
    상기 화면부를 둘러싸는 주변부; 및
    상기 화면부 및 상기 주변부에 배치되는 감지전극을 포함하고,
    상기 감지전극은,
    상기 화면부에 배치되는 제1 감지전극; 및
    상기 주변부에 배치되는 제2 감지전극을 포함하고,
    상기 제1 감지전극 및 상기 제2 감지전극은 터치 위치 또는 터치 압력을 감지하고,
    상기 제1 감지전극 및 상기 제2 감지전극은 서로 다른 패턴으로 배치되고,
    상기 제 1 감지전극은 정전용량 방식을 통해 터치 위치를 감지하고
    상기 제 2 감지전극은 시간영역(time domain) 측정방식을 통해 터치 위치를 감지하고,
    상기 주변부에서는 터치 팁(tip)의 직경이 0.5 Φ 내지 0.8 Φ이고,
    상기 제 1 감지전극 및 상기 제 2 감지전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 전도성 폴리머 또는 금속을 포함하고,
    상기 제 2 감지전극은,
    제1 방향으로 연장되는 제1 연장부; 및
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제1 연장부 및 상기 제2 연장부는 일체로 형성되고,
    상기 제 2 감지전극에 인접하여 그라운드 전극이 배치되고,
    상기 그라운드 전극은 상기 제1 연장부 및 상기 제2 연장부를 따라 연장하고,
    상기 그라운드 전극은 제1 그라운드 전극 및 제2 그라운드 전극을 포함하고,
    상기 제1 그라운드 전극 및 상기 제2 그라운드 전극은 상기 제 2 감지전극을 둘러싸며 배치되는 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 터치 윈도우는 플렉서블(flexible) 또는 곡면(curved) 터치 윈도우인 디스플레이 장치.
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