KR102240395B1 - 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원은 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판(A high-magnetic-induction low-iron-loss non-oriented silicon steel sheet) 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 질량 퍼센트에 따른 화학적 조성은 탄소(C) ≤ 0.005%, 규소(Si): 0.1%~1.6%, 망간(Mn): 0.1%~0.5%, 인(P) ≤ 0.2%, 황(S) ≤ 0.004%, 알루미늄(Al) ≤ 0.003%, 질소(N) ≤ 0.005%, 나이오븀(Nb) ≤ 0.004%, 바나듐(V) ≤ 0.004% 및 티타늄(Ti) ≤ 0.003%를 포함하고, 나머지는 철(Fe) 및 불가피한 불순물이며; 동시에 120 ≤ [Mn]/[S] ≤ 160, 및 [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27 ≤ [C]/12+[N]/14를 충족한다. 주조 후, 주조 슬래브의 냉각 과정에서 냉각 속도가 제어되고, 온도 제어 방법은 주조 슬래브의 가열 온도를 조정하는데 사용된다.

Description

고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법
본 출원은 무방향성 실리콘 강판에 관한 것이다. 구체적으로, 본 출원은 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
특히, 본 출원은 벨로의 정상화 처리 또는 중간 어닐링이 없고, 비교적 낮은 제조 비용으로 수득된 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 몇 년 동안 소비자 시장에서 높은 효율성, 에너지 절약 및 환경 보호에 대한 요구가 높아짐에 따라 전기 모터, 압축기 및 EI 철 코어 재료의 제조를 위한 무방향성 실리콘 강판은 우수한 전자기적 특성(즉, 낮은 철 손실 및 높은 자기 유도라고 함)을 사용하여 가격 경쟁력을 보장하는 전제 하에 고효율, 에너지 절약 및 환경 보호를 위한 전자 제품이 급박하게 요구되어진다.
일반적으로 강철에 Si와 Al을 높은 함량으로 첨가하면 재료의 전기 저항이 증가하여 재료의 철 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 일본 특허 JP2015515539A에, Si 함량은 2.5% 내지 4.0%이고 Al 함량은 0.5% 내지 1.5%인 것이 개시되어 있다. 따라서 Si 및 Al의 함량이 증가함에 따라 재료의 철 손실이 급격히 감소하지만, 재료의 자기 유도도 급격히 감소하여, 냉연 스트립 파손과 같은 비정상적인 상황이 발생할 수 있다.
냉각 압연의 롤링성을 향상시키기 위해 중국 특허 CN104399749A에는 강철의 Si 함량이 3.5% 이상인 가장자리 균열 및 깨짐 방지 방법을 개시하고, 이를 통해 냉각 압연 공정 중에 강판의 가장자리가 갈라지는 것을 방지하면서 실리콘 강판의 자기적 특성을 개선할 수 있는 것을 개시한다.
그러나, 그럼에도 불구하고, 취성 파괴(brittle fracture)의 거부율은 여전히 0.15%이며 전술한 방법에서는 장치의 기능적 정확도에 대한 요구가 높다.
또한, 중국 특허 CN103014503A에서, 재료의 양호한 자기 유도를 얻기 위해 강철에 0.20% 내지 0.45%(Sn+Cu)를 첨가하고, 상기 재료의 조직 형태는 입자 경계 편석(grain-boundary segregation)에 의해 개선되어 양호한 자기 유도를 수득하는 것을 개시한다.
그러나, 주석(Sn) 및 구리(Cu)는 제조 비용을 크게 증가시키는 고가의 금속이며, Cu는 스트립(strip)의 표면 상에 품질 결함을 유발하기 쉽다.
일본 특허 H10-25554에서는, Si와 Al의 총량을 변화시키지 않는 전제 하에 Al/(Si+Al)의 비율을 증가시킴으로써 상기 자기 유도가 향상되는 것이 개시되어 있다.
그러나, Al 함유량이 증가하고 Si 함유량이 감소함에 따라, 재료의 철 손실이 악화되고 재료의 기계적 특성이 감소한다.
최근, 벨로(bell furnace)의 정상화 처리 또는 중간 어닐링은 재료의 철 손실 및 자기 유도를 개선하는 효과적인 방법이, 고효율, 고급(high-grade) 무방향성 실리콘 강판의 제조에 널리 사용되며, 이는 재료의 철 손실을 효과적으로 감소시키고 재료의 자기 유도를 크게 증가 시킨다.
그러나, 새로운 생산 설비를 도입하여 제조 원가를 크게 높이고 재료의 생산 및 공급주기를 연장함으로써, 생산 현장의 기술 및 품질 관리에 새로운 문제를 초래한다.
따라서, 당업자는 다음의 기술을 개시한다 : 화학적 조성이 상대적으로 고정되어 있는 경우, 비금속개재물을 효과적으로 제거 또는 감소시키기 위해 희토류 원소 또는 칼슘 합금과 같은 강한 탈산 및 탈황 성분을 첨가하여 강철의 청결도를 향상시켜 재료의 전자기적 성질을 향상시킨다; 또는 높은 자기 유도를 가지는 고급 무방향성 전기적 강철은 또한 큰 드래프트 및 거친 롤 롤링 및 고온 코일링에 의한 거친 압연에 의해 얻어질 수 있다; 고-자기 유도 무방향성 실리콘 강판은 고온 롤 레벨링 기능과 정상화 어닐링 처리를 통해 얻을 수 있다.
본 출원의 목적은 고-자기 유도 저-철 손실 무방향성 실리콘 강판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 무방향성 실리콘 강판은 화학적 조성에 귀금속이 포함되어 있지 않고 고 자기 유도성 및 저 철 손실을 가진다. 또한, 상기 무방향성 실리콘 강판의 제조 공정은 벨로에서의 정상화 처리 또는 중간 어닐링을 요구 하지 않으며, 상대적으로 낮은 제조 비용 및 안정적인 생산 공정을 가진다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 출원의 기술적 해결 방법은 다음과 같다 :
탄소(C)≤0.005%, 규소(Si): 0.1%~1.6%, 망간(Mn): 0.1%~0.5%, 인(P)≤ 0.2%, 황(S)≤0.004%, 알루미늄(Al)≤0.003%, 질소(N)≤0.005%, 나이오븀(Nb)≤ 0.004%, 바나듐(V)≤0.004% 및 티타늄(Ti)≤0.003%를 포함하고, 나머지는 철(Fe) 및 불가피한 불순물이며; 동시에 120≤[Mn]/[S]≤160, 및 [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27≤[C]/12+[N]/14 이다.
바람직하게는, 상기 화학적 조성에서, 120≤[Mn]/[S]≤140이다.
또한, 상기 무방향성 실리콘 강판은 다음과 같은 전자기적 특성을 가진다 :
상기 Si 함량이 0.1% ≤Si≤0.30% 일 때, A 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.76T, 철 손실 P15/50≤7.00W/kg;
상기 Si 함량이 0.3% <Si≤0.80% 일 때, B 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.75T, 철 손실 P15/50≤6.00W/kg;
상기 Si 함량이 0.8% <Si≤1.20% 일 때, C 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.72T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg;
상기 Si 함량이 1.2% <Si≤1.60% 일 때, D 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.70T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg.
본 출원에 따른 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판을 위한 제조방법은, 다음 단계를 포함한다:
1) 제련함 및 주조함
제 1항 또는 제 2항에 따른 화학적 조성을 기반으로 한 용융 제련, 정제 및 연속 주조 공정을 수행하여 주조 슬래브를 제조하고, 이 때, 상기 연속 주조 공정에서 냉각 과정 동안 냉각 속도는 주조 슬래브의 표면 온도가 1100°C 에서 700°C로 감소하는 동안 2.5°C/분에서 20°C/분으로 조절되고;
2) 가열함
주조 슬래브를 가열로에서 가열하고, 이 때, 상기 주조 슬래브의 가열 온도가 600℃이하로 제어되고;
3) 열간 압연(hot rolling), 산세척(pickling), 냉각 압연(cold rolling), 최종 어닐링 및 코팅 후에 무방향성 실리콘 강판을 수득함.
바람직하게는, 2) 단계에서 상기 주조 슬래브의 가열 온도는 300°C 이하이다.
또한, 본 출원에서 수득한 무방향성 실리콘 강판은 다음과 같은 전자기적 특성을 가진다.
Si 함량이 0.1% ≤Si≤0.30% 일 때, A 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.76T, 철 손실 P15/50≤7.00W/kg;
Si 함량이 0.3% <Si≤0.80% 일 때, B 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.75T, 철 손실 P15/50≤6.00W/kg;
Si 함량이 0.8% <Si≤1.20% 일 때, C 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.72T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg;
Si 함량이 1.2% <Si≤1.60% 일 때, D 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.70T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg.
본 출원은 화학적 조성 설계를 최적화하고 망간 및 황 함량을 조정함으로써 적절한 Mn/S 비율을 얻는다. 제련 후, Nb, V, Ti 및 Al 함량이 제어되고 설계 요건을 충족시킨다. 주조 공정에서, 주조 슬래브의 표면 온도가 1100℃에서 700℃로 감소되는 냉각 공정 동안 냉각 속도가 제어된다. 액체강의 주조 후에, 상기 주조 슬래브의 가열 온도는 온도 제어 방법에 의해 조정된다. 수득한 무방향성 실리콘 강판은 고-자기-유도 및 저-철-손실을 가진다. 본 출원은 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판의 안정적인 생산을 실현한다.
본 출원의 제조 방법은 벨로의 정상화 처리 또는 중간 어닐링을 필요로 하지 않고, 저비용, 단순 조작, 용이한 실현 및 낮은 제조 곤란성의 특성을 가진다. 이와 동시에, 제조 공정이 안정적이며, 제조된 완성된 실리콘 강판은 우수한 전자기적 특성을 가진다.
도 1은 본 출원의 [Mn]/[S] 및 자기 유도 B50의 관계를 도시한다.
도 2는 본 출원의 주조 슬래브의 가열 온 도및 자기 유도 B50 사이의 관계를 도시한다.
도 3은 주조 슬래브의 표면 온도가 1100℃에서 700℃로 감소되는 냉각 공정 동안 냉각 속도가 2.5℃/분으로 제어되는 경우의 침전물의 형태 및 크기를 나타내는 그래프이다.
도 4는 주조 슬래브의 표면 온도가 1100℃에서 700℃로 감소되는 냉각 공정 동안 냉각 속도가 25℃/분으로 제어되는 경우의 침전물의 형태 및 크기를 나타내는 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 출원의 기술적 해결 방법은 다음과 같다 :
탄소(C) ≤ 0.005%, 규소(Si): 0.1%~1.6%, 망간(Mn): 0.1%~0.5%, 인(P) ≤ 0.2%, 황(S) ≤ 0.004%, 알루미늄(Al) ≤ 0.003%, 질소(N) ≤ 0.005%, 나이오븀(Nb) ≤ 0.004%, 바나듐(V) ≤ 0.004% 및 티타늄(Ti) ≤ 0.003%를 포함하고, 나머지는 철(Fe) 및 불가피한 불순물이며; 동시에 120 ≤ [Mn]/[S] ≤ 160, 및 [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27 ≤ [C]/12+[N]/14 이다.
바람직하게는, 상기 화학적 조성에서, 120≤[Mn]/[S]≤140이다.
또한, 상기 고-자기 유도 저-철 손실 무방향성 실리콘 강판(A high-magnetic-induction low-iron-loss non-oriented silicon steel sheet)은 다음과 같은 전자기적 특성을 가진다 :
상기 Si 함량이 0.1% ≤Si≤0.30% 일 때, A 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.76T, 철 손실 P15/50≤7.00W/kg;
상기 Si 함량이 0.3% <Si≤0.80% 일 때, B 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.75T, 철 손실 P15/50≤6.00W/kg;
상기 Si 함량이 0.8% <Si≤1.20% 일 때, C 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.72T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg;
상기 Si 함량이 1.2% <Si≤1.60% 일 때, D 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.70T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg.
본 출원의 강철의 조성 설계에서 :
탄소(C) : 탄소는 최종 생성물의 입자 성장을 강하게 방해하고, 나이오븀(Nb), 바나듐(V), 티타늄(Ti) 등과 조합하여 미세한 침전물을 쉽게 형성하여 자기시효(magnetic aging)의 손실과 발생을 증가시킨다. 따라서 탄소 함량은 0.005% 이하로 엄격하게 제어되어야 한다.
규소(Si) : 규소는 매트릭스의 전기 저항을 증가시키고 강철의 철 손실을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 규소 함량이 1.6% 이상이면 강철의 자기 유도가 현저하게 감소하며; 및 규소 함량이 0.1% 미만이면 철 손실을 크게 줄일 수 없다. 따라서, 본 출원의 규소 함량은 0.1% 내지 1.6%로 제어된다.
망간(Mn) : 망간은 황(S)과 결합하여 MnS를 형성하는데, 이는 자기 특성에 미치는 악영향을 효과적으로 감소시키면서 전기 강철의 표면 상태를 개선하고 고온 취성을 감소시킨다. 따라서 0.1% 이상의 망간 함량을 첨가할 필요가 있다. 그러나, 망간 함량이 0.5%를 초과하면, 재결정 조직이 쉽게 파괴되고, 강철의 제조 비용이 대폭 상승한다. 따라서, 본 출원의 망간 함량은 0.1% 내지 0.5%로 제어된다.
인(P) : 인 함량은 0.2%를 초과하면 저온 취성 현상이 발생하는 경향이 있어, 냉각 압연의 제조가능성이 저하된다. 따라서, 본 출원의 인 함량은 0.2% 이하로 제어된다.
황(S) : 황 함량은 0.004%를 초과하면, MnS 와 같은 침전물이 크게 증가하여, 입자의 성장을 강하게 억제하고 강철의 자기 특성을 악화시킨다. 따라서, 본 출원의 황 함량은 0.004% 이하로 제어된다.
알루미늄(Al) : 알루미늄은 저항을 증가시키고 전기적 강철의 심한 탈산(deoxidation)에 사용되는 원소이다. 알루미늄 함량이 0.003%를 초과하면 연속 주조시 주입이 어렵고 자기 유도가 현저하게 감소된다. 따라서, 본 출원의 알루미늄 함량은 0.003% 이하로 제어된다.
질소(N) : 질소 함량이 0.005%를 초과하면, 질소(N) 및 나이오븀(Nb), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 등으로부터 생성되는 침전물이 크게 증가하여, 입자의 성장을 강하게 억제하여 강철의 자기 특성을 악화시킨다. 따라서, 본 출원의 질소 함량은 0.005% 이하로 제어된다.
나이오븀(Nb) : 나이오븀 함량이 0.004%를 초과하면, 나이오븀(Nb)의 탄소(C) 및 질소(N) 개재물이 크게 증가하여 입자의 성장을 억제하고 강철의 자기 특성을 악화시킨다. 따라서, 본 출원의 나이오븀 함량은 0.004% 이하로 제어된다.
바나듐(V) : 바나듐 함량이 0.004%를 초과하면, 바나듐의 탄소(C) 및 질소(N) 포함이 크게 증가하여 입자의 성장을 억제하고 강철의 자기 특성을 악화시킨다. 따라서, 본 출원의 바나듐 함량은 0.004% 이하로 제어된다.
티타늄(Ti) : 티타늄 함량이 0.003%를 초과하면, 티타늄의 탄소(C) 및 질소(N) 포함이 크게 증가하여 입자의 성장을 억제하고 강철의 자기 특성을 악화시킨다. 따라서, 본 출원의 티타늄 함량은 0.003% 이하로 제어된다.
본 출원에 따른 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판(A high-magnetic-induction low-iron-loss non-oriented silicon steel sheet)을 위한 제조방법은, 다음 단계를 포함한다:
1) 제련함 및 주조함
제 1항 또는 제 2항에 따른 화학적 조성을 기반으로 한 용융 제련, 정제 및 연속 주조 공정을 수행하여 주조 슬래브를 제조하고, 이 때, 상기 연속 주조 공정에서 냉각 과정 동안 냉각 속도는 주조 슬래브의 표면 온도가 1100°C 에서 700°C로 감소하는 동안 2.5°C/분에서 20°C/분으로 조절되고;
2) 가열함
주조 슬래브를 가열로에서 가열하고, 이 때, 상기 주조 슬래브의 가열 온도가 600℃이하로 제어되고;
3) 열간 압연(hot rolling), 산세척(pickling), 냉각 압연(cold rolling), 최종 어닐링 및 코팅 후에 무방향성 실리콘 강판을 수득함.
바람직하게는, 2) 단계에서 상기 주조 슬래브의 가열 온도는 300°C 이하이다.
또한, 본 출원에서 수득한 무방향성 실리콘 강판은 다음과 같은 전자기적 특성을 가진다.
Si 함량이 0.1% ≤Si≤0.30% 일 때, A 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.76T, 철 손실 P15/50≤7.00W/kg;
Si 함량이 0.3% <Si≤0.80% 일 때, B 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.75T, 철 손실 P15/50≤6.00W/kg;
Si 함량이 0.8% <Si≤1.20% 일 때, C 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.72T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg;
Si 함량이 1.2% <Si≤1.60% 일 때, D 등급의 강철 등급에 해당하며, 자기 유도 B50≥1.70T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg.
본 출원의 혁신은 다음과 같다 : 보다 합리적인 화학적 조성을 얻을 수 있고, 따라서 최종 생성물의 전자기적 특성에 유해한 부작용을 가지는 Nb, V, Ti 및 Al의 질화물, 탄소화물 및 MnS 개재물의 침전 및 성장을 크게 억제한다.
자세한 내용은 다음과 같다:
주조 공정 동안, 액체강의 온도가 서서히 낮아지고, Mn 및 S원소의 편석에 의해 응고전면의 "[Mn][S] 농축물"이 서서히 증가하고 평형농도 또는 그 이상이 되면, MnS 개재물이 침전되기 시작한다.
MnS 개재물은 크기가 작고 수가 많아 최종 생성물의 전자기적 특성에 큰 영향을 미친다. 종래 기술에서는, 가능한한 MnS의 부작용을 제거하기 위해 희토류 원소 또는 칼슘과 같은 강한 탈산 및 탈황 성분이 첨가된다. 미세한 크기의 MnS 개재물 대신 희토류 황화물 또는 황화 칼슘의 큰 입자가 형성되어 Mn과 비교하여 희토류 및 칼슘이 황과 결합하는 능력이 훨씬 뛰어나고, 액체강의 부력을 이용하여 부유 제거된다. 그러나, 이는 제강의 제조 비용을 크게 증가시키고, 입자가 큰 희토류 개재물 또는 칼슘 개재물이 노즐을 쉽게 차단하여 주조를 중단시키고 강철 결함을 발생시킬 수 있다.
본 출원은 S 함량에 기반하여 Mn의 첨가량을 동력학적으로 조정한다. 도 1은 [Mn]/[S]및 자기유도 B50과의 관계를 나타낸다. 도 1에서 볼 수 있듯이, [Mn]/[S]가 증가함에 따라 자기 유도 B50이 먼저 상승하고 이후 급격히 감소한다. Mn/S가 120 내지 160일 때, 자기 유도 B50이 최적이다. 본 출원은 액체강의 고형화 초기 단계에서 MnS 개재물이 가능한한 빨리 침전되도록 하기 위해 [Mn]/[S]를 120 내지 160으로 제어하며, MnS 개재물의 충분한 성장을 위한 온도 및 시간 조건을 제공할 수 있다. 0.5 μm 이상의 MnS 개재물이 완성된 재료의 전자기적 특성에 미치는 영향은 상당히 약하다. 이와 동시에, 본 출원은 가열 용해로에서 주조 슬래브를 가열하기 전에, 특히, 주조 슬래브의 가열 공정동안 MnS의 성장을 촉진하기 위해 낮은 주조 슬래브의 온도를 사용하기 위해, 주조 슬래브의 가열 온도를 600°C 이하로, 바람직하게는 300°C 이하로 제어한다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 자기 유도 B50은 주조 슬래브의 가열 온도가 증가함에 따라 급속히 감소한다. 가열 온도가 600℃이상이 되면 자기 유도 B50은 낮은 수준으로 유지된다. 따라서, 실제 생산 관리 관점에서, 주조 슬래브의 가열 온도는 600℃이하 또는 더 낮은 것이 바람직하고, 바람직하게는 300℃ 이하가 바람직하다.
본 출원에서는, Mn 및 S 원소에 의해 형성된 상기 MnS 개재물이 전술한 방법의 조절하에 보다 크게 증가할 수 있다. 즉, MnS 개재물의 영향이 제거되거나 감소될 수 있다. 또한, Nb, V, Ti 및 Al은 C 또는 N 원소와 결합하여 나노크기의 Nb, V, Ti, Al 탄소 개재물 또는 질소 개재물을 형성하며, 이들 개재물의 크기는 보다 미세하고 주로 입자 경계에 침전되어 완성된 재료의 전기적 특성을 심각하게 손상시킨다. 그러므로, 가능한한 침전을 제한하는 것이 필요하다. 즉, 침전시간은 늦추고 침전량은 줄여야한다.
따라서, 한편으로는, 본 출원의 조성 설계 요건에 관해서는, 적절한 범위 내에서 Nb, V, Ti 및 Al의 함량을 제어하고 가능한 한 많이 줄일 필요가 있으며, [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27≤ [C]/12+ [N]/14를 제어할 필요가 있다. 반면, 정제 과정에서 C, T, O 및 OB(산소 분출), 진공도 및 기타 종래의 수단을 제어하여 초-저 함량의 C 및 N을 달성할 수 있다. 이에 따라, Nb, V, Ti 또는 Al 원소와 C 또는 N 원소의 조합에 의해 형성된 C 또는 N 화합물의 농축물은 침전의 평형 농축물과 같거나 그보다 크게 감소되며, Nb, V, Ti 또는 Al 원소 및 C 또는 N 원소의 조합에 의해 형성된 C 또는 N 화합물의 양이 크게 감소된다.
한편, Nb, V, Ti, 또는 Al 원소와 C 또는 N 원소의 조합에 의해 형성된 C 또는 N 화합물의 형성을 가능한 한 감소시키기 위해서는, 냉각 공정에서의 냉각 속도를 제어할 필요가 있으며, 상기 주조 슬래브의 표면 온도가 1100℃에서 700℃로 감소된다. 오스테나이트(austenite)와 페라이트(ferrite) 내 Nb, V, Al 및 Ti의 미량 원소의 용해 및 침전은 크게 다르므로, 냉각 속도는 2.5~20℃/분으로 제한해야 한다. 온도가 1100°C에 근접하면 Nb, V, Al 및 Ti의 모든 미량 원소가 오스테나이트에 용해 될 수 있다; 온도가 약 800℃일 때, Nb, V, Al 및 Ti의 거의 모든 탄화물 및 질화물이 침전될 수 있다; 탄화물은 약 700℃의 온도에서 가장 빠른 침전 속도를 가진다; 온도가 감소 될수록 탄화물의 침전률은 현저하게 감소된다. 전술한 내용에 기반하여, 온도 범위 내 주조 슬래브의 냉각 속도를 가능한한 증가시켜 온도 범위 내 체류 시간을 감소 시킨다. 도 3에서 볼 수 있듯이 냉각 속도가 2.5℃/분 인 경우, 침전물은 주로 황화물 침전물이며, 상기 침전물은 큰 크기 (≥0.5μm)이며, 따라서 최종 생성물의 자기 특성에 거의 영향을 미치지 않는다.
현재 제어의 효과에 관해서는, 냉각 속도가 지나치게 높아야 장비 성능이 좋아지기 때문에, 일반적으로 20℃/분 이상의 냉각 속도에 도달하기가 어렵다. 또한, 20℃/분을 넘는 냉각 속도는 주조 슬래브의 저배율 특성에 악영향을 미친다. 도 4에서 알 수 있듯이, 냉각 속도가 25℃/분인 경우, 침전물은 주로 크기가 작은 (<0.5μm) 질화물 침전물이므로 최종 생성물의 자기 특성이 영향을 받는다.
그러나, 냉각 속도가 2.5℃/분보다 낮으면, 주조 슬래브의 냉각 속도가 너무 느리고, Nb, V, Al 및 Ti의 탄화물 및 질화물의 침전 제어에 불리하며, 보다 유해한 개재물이 생성된다.
본 출원에서 상기 [Mn]/[S]를 120 내지 160으로, 및 [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27≤[C]/12+[N]/14의 화학적 조성 제어의 목적은 자기 특성에 유해한 황화물 및 질화물을 엄격하게 제어하는 것이다. 상기 실리콘 강판 제조 공정 설계에서, 상기 연속 주조 공정에서, 상기 주조 슬래브의 표면 온도가 1100℃에서 700℃로 감소되는 냉각 공정 동안 냉각 속도는 2.5~20℃/분으로 제어되고; 및 상기 주조 슬래브를 가열 할 때의 가열 온도는 금속공학 원리에 기초하며 종래의 "제어 메커니즘"보다는 침전물의 "형성 메카니즘"에 의해 최적화된 600℃이하로 제어된다.
본 출원은 실시예에 의해 더 상세히 설명될 것이다.
표 1은 본 출원의 실시예 및 비교예의 실리콘 강판의 조성을 나타낸다. 표 2는 본 출원의 실시예 및 비교예의 공정 설계 및 전자기적 특성을 나타낸다.
실시예 :
액체 철강 및 설물(liquid iron and steel scrap)은 표 1의 화학적 조성 비율에 따라 비례한다. 300톤 변환기에서 제련 후, 탈탄, 탈산 및 합금화는 RH 정제에 의해 수행된다; Mn 함량은 강철의 S 함량에 따라 동적으로 조정하여 [Mn]/[S]의 최적 비율을 얻고, C, N, Nb, V, Ti 및 Al 함량을 설계 요건에 맞게 제어한다; 연속 주조로 액강을 주조한 후, 170mm 내지 250mm 두께, 800mm 내지 1400mm 너비의 주조 슬래브를 수득한다; 주조 후, 상기 주조 슬래브의 표면 온도가 1100°C에서 700℃로 감소되는 냉각 공정 동안 냉각 속도는 2.5~20℃/분으로 조절되고; 상기 주조 슬래브의 가열 온도는 온도 제어법에 의해 600℃이하, 바람직하게는 300℃이하로 조정되고; 그런 다음, 상기 주조 슬래브를 순차적으로 열간 압연, 산세척, 냉각 압연, 어닐링 및 코팅을 하여 최종 생성물을 수득한다. 상기 공정 변수와 전자기적 특성은 표 2에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112018114877348-pct00001
[표 2]
Figure 112018114877348-pct00002
표 1 및 표 2의 데이터에 대한 설명은 다음과 같다.
표 1에서, Si 함량은 0.1% 내지 1.6% 범위에 있다. 강철은 Si의 함량에 따라 네 가지 유형으로 나뉜다: 0.11% 내지 0.30%의 Si 함량, 0.30% 내지 0.80 %의 Si 함량 (0.30%를 포함하지 않음), 0.80% 내지 1.20%의 Si 함량 (0.80 %를 포함하지 않음), 1.20% 내지 1.60% (1.20%를 포함하지 않음)의 Si 함량을 가지며, 각각 A 등급, B 등급, C 등급 및 D 등급으로 표시된다. 서로 다른 Si 함량을 가지는 동일한 등급의 강철은 동일한 유형의 자기적 특성을 가질 것이다.
본 출원에서, 모든 A등급 강철(실시예 1 내지 3)은 자기 유도 B50≥1.76T 및 철 손실 P15/50≤6.50W/kg의 전자기적 특성을 충족하고; 모든 B등급 강철(실시예 4 내지 6)은 자기 유도 B50≥1.75T 및 철 손실 P15/50≤5.40W/kg의 전자기적 특성을 충족하고; 모든 C등급 강철(실시예 7 내지 9)은 자기 유도 B50≥1.72T 및 철 손실 P15/50≤4.00W/kg의 전자기 특성을 충족하며; 모든 D등급 강철(실시예 10 내지 11)은 자기 유도 B50≥1.70T 및 철 손실 P15/50≤3.80W/kg의 전자기 특성을 충족한다.
비교예 1에서, [Mn]/[S]는 120의 제어 요건보다 낮다. 비교예 2에서는, ([C]/12+[N]/14)-([Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27)은 0보다 작다.
비교예 3에서, [Mn] / [S] 및 ([C]/12+[N]/14)-([Nb]/93+[V]/51 +[Ti]/48 + [Al]/27)중 어느 것도 제어 요건을 만족하지 않는다. 비교예 4에서, 슬래브의 가열 온도는 600°C 이상이다. 비교예 5에서, 주조 슬래브의 냉각 속도는 20°C/분 이상이다. 비교예 6에서, [Mn]/[S], ([C]/12+[N]/14)-([Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/ 27) 및 주조 슬래브의 가열 온도가 제어 요건을 충족하지 못한다. 비교예 7에서, 주조 슬래브의 냉각 속도가 2.5°C/분 미만이고 주조 슬래브의 가열 온도가 600°C 이상이다. 즉, 하나의 조건이라도 본 출원의 설계 요건을 충족시키지 않는 한, 해당 강철의 전자기적 특성은 좋지 않다.
동일한 등급의 경우, 본 출원의 무방향성 실리콘 강판은 보다 높은 자기 유도 및 보다 낮은 철 손실을 가지는 것을 알 수 있다.

Claims (6)

  1. 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판의 제조 방법으로, 상기 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판의 화학적 조성은 질량 퍼센트에 따라 C ≤ 0.005%, Si: 0.1%~1.6%, Mn: 0.1%~0.5%, P ≤ 0.2%, S ≤ 0.004%, Al ≤ 0.003%, N ≤ 0.005%, Nb ≤ 0.004%, V ≤ 0.004% 및 Ti ≤ 0.003%이고, 나머지가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어지고, 상기 원소들은 동시에 다음의 관계: 120 ≤ [Mn]/[S] ≤ 160, 및 [Nb]/93+[V]/51+[Ti]/48+[Al]/27 ≤ [C]/12+[N]/14를 충족하며, 상기 제조방법은 다음 단계를 포함함:
    1) 제련함 및 주조함
    상기 화학적 조성을 기반으로 한 용융 제련, 정제 및 연속 주조 공정을 수행하여 주조 슬래브를 제조하고, 이 때, 상기 연속 주조 공정에서 냉각 과정 동안 냉각 속도는 주조 슬래브의 표면 온도가 1100°C 에서 700°C로 감소하는 동안 2.5°C/분에서 20°C/분으로 조절되고;
    2) 가열함
    주조 슬래브를 가열로에서 가열하고, 이 때, 상기 주조 슬래브의 가열 온도가 600℃이하로 제어되고;
    3) 열간 압연(hot rolling), 산세척(pickling), 냉각 압연(cold rolling), 최종 어닐링(final annealing) 및 코팅(coating) 후에 무방향성 실리콘 강판을 수득함.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 2) 에서 주조 슬래브의 가열 온도가 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는
    고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판의 제조 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 수득한 무방향성 실리콘 강판은 하기의 전자기적 성질을 가지는 것을 특징으로 하는 고-자기-유도 저-철-손실 무방향성 실리콘 강판의 제조방법:
    상기 Si 함량이 0.1% ≤Si≤0.30% 일 때, 상기 수득한 무방향성 실리콘 강판은 자기 유도 B50≥1.76T, 철 손실 P15/50≤7.00W/kg;
    상기 Si 함량이 0.3% <Si≤ 0.80% 일 때, 상기 수득한 무방향성 실리콘 강판은 자기 유도 B50≥1.75T, 철 손실 P15/50≤6.00W/kg;
    상기 Si 함량이 0.8% <Si≤ 1.20% 일 때, 상기 수득한 무방향성 실리콘 강판은 자기 유도 B50≥1.72T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg;
    상기 Si 함량이 1.2% <Si≤ 1.60% 일 때, 상기 수득한 무방향성 실리콘 강판은 자기 유도 B50≥1.70T, 철 손실 P15/50≤4.00W/kg.
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