KR102217491B1 - 필터 및 멀티플렉서 - Google Patents

필터 및 멀티플렉서 Download PDF

Info

Publication number
KR102217491B1
KR102217491B1 KR1020190052842A KR20190052842A KR102217491B1 KR 102217491 B1 KR102217491 B1 KR 102217491B1 KR 1020190052842 A KR1020190052842 A KR 1020190052842A KR 20190052842 A KR20190052842 A KR 20190052842A KR 102217491 B1 KR102217491 B1 KR 102217491B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter
band
inductor
resonator
mhz
Prior art date
Application number
KR1020190052842A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200010016A (ko
Inventor
마사노리 카토
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20200010016A publication Critical patent/KR20200010016A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102217491B1 publication Critical patent/KR102217491B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04J—MULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J1/00—Frequency-division multiplex systems
    • H04J1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(과제) 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성을 갖는 필터를 제공하는 것.
(해결 수단) 필터(10)는 단자(P1, P2)를 연결하는 신호 경로(R)의 적어도 일부를 구성하는 직렬 암 공진자(11)와, 일단이 접지된 병렬 암 공진자(17)와, 일단이 직렬 암 공진자(11)의 일단에 접속되고 타단이 병렬 암 공진자(17)의 타단에 접속된 인덕터(15)와, 일단이 직렬 암 공진자(11)의 타단에 접속되고 타단이 병렬 암 공진자(17)의 상기 타단에 접속된 인덕터(16)를 구비하고, 병렬 암 공진자(17)의 비대역은 직렬 암 공진자(11)의 비대역보다 작다.

Description

필터 및 멀티플렉서{FILTER AND MULTIPLEXER}
본 발명은 필터 및 멀티플렉서에 관한 것이다.
복수의 주파수 대역(멀티밴드) 및 복수의 무선 방식(멀티모드)에 대응하는 통신 기기가 있다. 그러한 통신 기기의 프론트 엔드 회로에는 복수의 주파수 대역의 신호를 분파 및 합파하는 멀티플렉서가 사용된다. 멀티플렉서는 예를 들면, 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 필터로 구성된다.
특허문헌 1은 밴드 패스 필터로서 유효한 고주파 회로를 개시하고 있다.
도 13은 특허문헌 1에 개시되어 있는 고주파 회로의 일례를 나타내는 회로도이다. 도 13에서의 참조 부호는 특허문헌 1에서의 참조 부호로부터 적당히 변경되어 있다.
도 13의 고주파 회로는 탄성파 공진자(91)와 병렬 용량 보상 회로(92)로 이루어진다. 병렬 용량 보상 회로(92)는 인덕터(95, 96) 및 탄성파 공진자(97)를 포함한다.
미국특허출원공개 제2016/0191014호 명세서
요즘 새로운 주파수 대역의 개방 및 주파수 대역 사이의 내로우 갭화를 배경으로 해서 멀티플렉서를 구성하는 필터에는 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성이 요구되도록 되어 있다.
그래서, 본 발명은 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성을 갖는 필터 및 그러한 필터를 사용한 멀티플렉서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 일양태에 의한 필터는 제 1 단자와 제 2 단자를 연결하는 신호 경로의 적어도 일부를 구성하는 직렬 암 공진자와, 일단이 접지된 병렬 암 공진자와, 일단이 상기 직렬 암 공진자의 일단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 타단에 접속된 제 1 인덕터와, 일단이 상기 직렬 암 공진자의 타단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 상기 타단에 접속된 제 2 인덕터를 구비하고, 상기 직렬 암 공진자의 비대역은 상기 병렬 암 공진자의 비대역보다 넓다.
(발명의 효과)
본 발명에 의한 필터에 의하면, 직렬 암 공진자의 비대역을 병렬 암 공진자와 동등한 좁은 비대역으로 하는 경우와 비교하여 직렬 암 공진자의 공진 주파수를 통과 대역의 고역단으로부터 보다 크게 이격시킬 수 있다. 이것에 의해 통과 대역이 넓은 경우에 있어서도 직렬 암 공진자의 공진 주파수와 병렬 암 공진자의 반공진 주파수를 가깝게 할 수 있으므로 통과 대역 내에서의 반사 손실을 개선하여 필터의 삽입 손실을 저감할 수 있다. 또한, 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성은 비대역이 좁아 공진 주파수의 근방에서 임피던스가 급준하게 저하하는 병렬 암 공진자의 주파수 특성을 이용해서 형성할 수 있다. 그 결과, 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성을 갖는 필터가 얻어진다.
도 1은 실시형태 1에 의한 필터를 사용한 멀티플렉서의 구성의 일례를 나타내는 블록도.
도 2는 실시형태 1에 의한 필터에 요구되는 통과 특성을 설명하는 그래프.
도 3은 비교예에 의한 필터의 구성의 일례를 나타내는 회로도.
도 4는 비교예에 의한 필터의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 5는 비교예에 의한 필터의 부분 회로의 공진 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 6a는 비교예에 의한 필터의 부분 회로의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 6b는 비교예에 의한 필터의 부분 회로의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 6c는 비교예에 의한 필터 전체의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 7은 실시형태 1에 의한 필터의 구성의 일례를 나타내는 회로도.
도 8은 실시형태 1에 의한 필터의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 9는 실시형태 1에 의한 필터의 부분 회로의 공진 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 10a는 실시형태 1에 의한 필터의 부분 회로의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 10b는 실시형태 1에 의한 필터의 부분 회로의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 10c는 실시형태 1에 의한 필터 전체의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 11은 실시형태 2에 의한 멀티플렉서의 구성의 일례를 나타내는 블록도.
도 12는 실시형태 2에 의한 멀티플렉서의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프.
도 13은 종래의 고주파 회로의 일례를 나타내는 회로도.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성요소, 구성요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다.
(실시형태 1)
실시예형태 1에 의한 필터에 대하여 멀티플렉서에 사용되는 필터의 예를 들어 설명한다.
도 1은 실시형태 1에 의한 필터를 사용한 멀티플렉서의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 1에 나타내어지는 바와 같이, 멀티플렉서(1)는 제 1 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 필터(10) 및 제 2 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 필터(20)를 구비한다. 멀티플렉서(1)는 제 1 주파수 대역의 신호와 제 2 주파수 대역의 신호를 분파 및 합파하는 다이플렉서이다.
도 1에서는 일례로서 제 1 주파수 대역을 2300㎒ 이상 2690㎒ 이하로 하고, 제 2 주파수 대역을 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하로 하고 있다. 본 명세서에서는 참조의 편의를 위해서 2300㎒ 이상 2690㎒ 이하의 주파수 대역을 하이밴드(HB)라고 칭하고, 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 주파수 대역을 미드밴드(MB)라고 칭한다.
필터(10)의 일단과 필터(20)의 일단은 안테나 단자(ANT)에 접속된다. 필터(10)의 타단은 하이밴드 단자(HB)에 접속되고, 필터(20)의 타단은 미드밴드 단자(MB)에 접속된다.
필터(10, 20)가 서로 다른 쪽의 통과 대역의 신호를 충분히 억제하는 경우, 필터(10, 20)에 의해 각각 선택된 하이밴드(HB)의 신호와 미드밴드(MB)의 신호를 안테나 단자(ANT)에 접속되는 1개의 안테나로 혼신하지 않고 동시에 처리할 수 있다. 즉, 하이밴드(HB)에 속하는 통신 밴드와 미드밴드(MB)에 속하는 통신 밴드 사이에서의 캐리어 어그리게이션을 1개의 안테나로 실시할 수 있다.
이러한 캐리어 어그리게이션을 실현하기 위해서 예를 들면, 필터(10)에는 다음과 같은 통과 특성이 요구된다.
도 2는 필터(10)(보다 정확하게는 멀티플렉서(1)의 안테나 단자(ANT)-하이밴드 단자(HB) 사이)에 요구되는 통과 특성의 일례를 설명하기 위한 그래프이다. 도 2에 나타내어지는 바와 같이, 필터(10)에는 넓은 통과 대역(비대역에서 15% 이상의 하이밴드(HB)), 넓은 감쇠 대역(비대역에서 40% 이상의 미드밴드(MB)), 및 감쇠 대역과 통과 대역 사이의 좁은 주파수 갭 100㎒(비대역에서 4%)에서의 분파 성능이 요구된다. 여기서, 대역에 대한 비대역은 대역의 상단(고역단)과 하단(저역단)의 차의 중심 주파수에 대한 비를 말한다.
본 발명자는 이러한 통과 대역을 갖는 필터를 종래의 고주파 회로를 이용하여 실현하는 것을 검토했다. 이하, 상기 검토의 결과를 비교예로서 설명한다.
도 3은 비교예에 의한 필터(90)의 구성의 일례를 나타내는 회로도이다. 도 3에 나타내어지는 바와 같이 필터(90)는 탄성파 공진자(91)와 병렬 용량 보상 회로(92)로 이루어지는 도 13의 고주파 회로에 정합용의 인덕터(98, 99)를 추가해서 구성된다. 병렬 용량 보상 회로(92)는 인덕터(95, 96) 및 탄성파 공진자(97)로 이루어진다.
도 4는 필터(90)의 단자(P1, P2) 사이의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이다. 필터(90)의 통과 대역은 하이밴드(HB) 중 실제로 이용하는 통신 밴드가 위치하는 부분으로서 2300㎒ 이상 2400㎒ 이하의 제 1 부분과 2496㎒ 이상 2690㎒ 이하의 제 2 부분으로 나누어서 설정했다(도 4에 있어서 회색으로 나타냄). 하이밴드(HB) 내에 대해서는 확대한 파형을 나타내고 있다.
도 4의 확대 파형을 따른 점선으로 나타내고 있는 바와 같이, 필터(90)의 통과 특성은 하이밴드(HB) 내에서 크게 움푹 패인 파형으로 되어 있고, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서의 삽입 손실이 큰 것을 알 수 있다. 또한, 제 1 부분과 제 2 부분 사이에 보여지는 노치는 탄성파 공진자(97)의 불요파에 기인하는 것이며, 통과 대역 사이의 갭에 의도적으로 배치한 것이다.
도 5는 필터(90)의 부분 회로의 공진 특성의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 5에는 탄성파 공진자(97)로 이루어지는 부분 회로(B) 및 탄성파 공진자(91) 및 인덕터(95, 96)로 이루어지는 부분 회로(C)의 각각의 임피던스의 주파수 특성을 나타내고 있다. 도 5에 나타내어지는 임피던스의 합성에 의해 도 4의 통과 특성은 형성되어 있다.
도 4의 통과 특성을 보다 상세히 분석한다.
도 6a는 필터(90)의 부분 회로(B)(즉, 탄성파 공진자(97))의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다. 도 6a의 반사 특성 및 통과 특성은 도 5에 나타내어지는 부분 회로(B)의 임피던스에 따라 신호가 그라운드로 통과함으로써 형성되어 있다.
도 6a의 부호 fr, fa는 탄성파 공진자(97)의 공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 나타내고 있다. 탄성파 공진자(97)의 공진 주파수(fr)는 하이밴드(HB)의 하단에 배치된다.
탄성파 공진자의 비대역은 일반적으로 좁다. 예를 들면, 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반(傳搬)하는 레일리파에 의해 신호를 전달하는 탄성파 공진자(이하, LN 레일리라고 약칭함)의 비대역은 수%이다. 여기서, 탄성파 공진자에 대한 비대역이란 탄성파 공진자의 반공진 주파수와 공진 주파수의 차의 중심 주파수에 대한 비를 말한다.
탄성파 공진자(97)를 예를 들면, LN 레일리 등의 비대역이 좁은 탄성파 공진자로 구성함으로써 하이밴드(HB)의 하단에 있어서 부분 회로(B)의 통과 특성에 급준한 감쇠를 형성할 수 있다(도 6a의 (b)).
도 6b는 필터(90)의 부분 회로(C)의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다. 도 6b의 반사 특성 및 통과 특성은 도 5의 부분 회로(C)의 임피던스에 따라 신호의 통과가 억제됨으로써 형성되어 있다.
도 6b의 부호 fr, fa는 부분 회로(C)의 공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 나타내고 있다. 부분 회로(C)의 반공진 주파수(fa)는 하이밴드(HB)의 고역측의 대역 밖에 배치된다. 도 6b의 예에서는 탄성파 공진자(91)는 탄성파 공진자(97)와 마찬가지로 비대역이 좁은 LN 레일리로 구성되어 있다.
부분 회로(C)의 비대역은 인덕터(95, 96)에 의해 탄성파 공진자(91) 단독으로의 비대역으로부터 다소 확대되어 있지만, 하이밴드(HB)의 비대역과 비교하면 상당히 좁다. 그 때문에 부분 회로(C)의 공진 주파수(fr)는 하이밴드(HB)의 상단 근처의 부분에 위치한다. 이것에 의해 부분 회로(C)의 반사 손실은 하이밴드(HB) 내에 있어서, 특히 공진 주파수(fr)의 근방에서 급준하게 또한 크게 변화된다(도 6b의 (a)).
도 6c는 필터(90)의 전체(A)의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다. 도 6c의 반사 특성 및 통과 특성은 도 6a, 도 6b의 부분 회로(B, C)의 특성의 조합에 인덕터(98, 99)에 의한 정합을 더 추가하여 형성되어 있다.
도 6c의 (a)의 점선원 내에 보여지는 바와 같이, 필터(90)의 전체(A)의 반사 손실은 하이밴드(HB)의 양단과 비교해서 중간 정도에서 작아져 있다. 바꿔 말하면, 필터(90)의 입력단에서의 신호의 반사가 하이밴드(HB)의 중간 정도에서 커져 있다. 이것은 부분 회로(C)의 반사 특성이 지나치게 급준하기 때문에 하이밴드(HB)의 중간 정도에서 충분한 반사 손실을 확보할 수 없기 때문이다.
그 결과, 도 6c의 (b)의 점선원 내에 보여지는 바와 같이, 필터(90)의 전체(A)에서의 삽입 손실은 하이밴드(HB) 내에서 크게 움푹 패인 파형이 되고, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서 삽입 손실이 증대(열화)한다.
이러한 검토를 근거로 하여 필터(90)에 있어서의 탄성파 공진자(91)의 주파수 특성의 급준성을 완화함으로써 삽입 손실의 열화를 개선한 필터를 제안한다.
도 7은 실시형태 1에 의한 필터의 구성의 일례를 나타내는 회로도이다. 도 7에 나타내어지는 바와 같이, 필터(10)는 단자(P1, P2), 신호 경로(R), 탄성파 공진자(11, 17), 인덕터(15, 16, 18, 19)를 갖고 있다.
탄성파 공진자(11)는 단자(P1, P2)을 연결하는 신호 경로(R)의 일부를 구성하고 있다. 단자(P1, P2)는 각각 제 1 단자 및 제 2 단자의 일례이며, 탄성파 공진자(11)는 직렬 암 공진자의 일례이다.
탄성파 공진자(17)의 일단은 그라운드에 접속되어 있다. 탄성파 공진자(17)는 병렬 암 공진자의 일례이다.
인덕터(15)의 일단은 탄성파 공진자(11)의 일단에 접속되고, 인덕터(15)의 타단은 탄성파 공진자(17)의 타단에 접속되어 있다. 인덕터(15)는 제 1 인덕터의 일례이다.
인덕터(16)의 일단은 탄성파 공진자(11)의 타단에 접속되고, 인덕터(16)의 타단은 탄성파 공진자(17)의 타단에 접속되어 있다. 인덕터(16)는 제 2 인덕터의 일례이다.
인덕터(18)의 일단은 단자(P1)에 접속되고, 인덕터(18)의 타단은 탄성파 공진자(11)의 일단에 접속되고, 인덕터(18)는 신호 경로(R)의 일부를 구성하고 있다. 인덕터(18)는 신호 경로의 직렬 암 공진자와 제 1 단자 사이의 부분에 접속된 정합용의 제 3 인덕터의 일례이다.
인덕터(19)의 일단은 신호 경로(R)의 탄성파 공진자(11)와 단자(P2) 사이의 부분에 접속되고, 인덕터(19)의 타단은 그라운드에 접속되어 있다. 인덕터(19)는 신호 경로의 직렬 암 공진자와 제 2 단자 사이의 부분에 접속된 정합용의 제 3 인덕터의 일례이다.
필터(10)는 도 3의 필터(90)에 있어서의 탄성파 공진자(91)를 탄성파 공진자(11)로 치환한 것과 같다. 탄성파 공진자(91)가 LN 레일리로 구성되는 것에 대하여 탄성파 공진자(11)는 LN 러브로 구성된다. 필터(10)에 있어서의 탄성파 공진자(17), 인덕터(15, 16, 18, 19)는 필터(90)에 있어서의 탄성파 공진자(97), 인덕터(95, 96, 98, 99)에 대응한다. 탄성파 공진자(17, 97)는 모두 LN 레일리로 구성된다.
도 8은 필터(10)의 단자(P1, P2) 사이의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이다. 필터(10)의 통과 대역은 하이밴드(HB) 중 실제로 이용하는 통신 밴드가 위치하는 부분으로서 2300㎒ 이상 2400㎒ 이하의 제 1 부분과 2496㎒ 이상 2690㎒ 이하의 제 2 부분으로 나누어서 설정했다(도 8에 있어서 회색으로 나타냄). 하이밴드(HB)의 부분에 대해서는 확대한 파형을 나타내고 있다.
도 8의 확대 파형을 따른 점선으로 나타내고 있는 바와 같이, 필터(10)의 통과 특성은 도 4와 비교해서 움푹 패임이 축소된 파형으로 되어 있고, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서의 삽입 손실이 감소(개선)되어 있는 것을 알 수 있다.
도 9는 필터(10)의 부분 회로의 공진 특성의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 9에는 탄성파 공진자(17)(LN 레일리)로 이루어지는 부분 회로(B), 탄성파 공진자(11)(LN 러브) 및 인덕터(15, 16)로 이루어지는 부분 회로(C), 및 탄성파 공진자(11)(LN 러브)로 이루어지는 부분 회로(D)의 각각의 임피던스의 주파수 특성을 나타내고 있다. 도 9에 나타내어지는 임피던스의 합성에 의해 도 8의 통과 특성은 형성되어 있다.
여기서, 탄성파 공진자(11)를 LN 레일리와 비교해서 비대역이 넓은 LN 러브로 구성한 것에 의해 필터(10)의 부분 회로(C)에서는 필터(90)의 부분 회로(C)(도 5)와 비교해서 반공진 주파수와 공진 주파수의 간격이 넓어져 있는 것에 주의한다.
도 8의 통과 특성을 보다 상세히 분석한다.
도 10A는 필터(10)의 부분 회로(B)(즉, 탄성파 공진자(17))의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다. 도 10a의 부호 fr, fa는 탄성파 공진자(17)의 공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 나타내고 있다. 도 10a의 반사 특성 및 통과 특성의 특징은 도 6a에서 필터(90)의 부분 회로(B)에 대하여 설명한 사항과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 6a에서 설명한 바와 같이, 탄성파 공진자(17)를 비대역이 좁은 LN 레일리로 구성함으로써 하이밴드(HB)의 하단에 있어서 부분 회로(B)의 통과 특성에 급준한 감쇠를 형성할 수 있다(도 10a의 (b)).
도 10b는 필터(10)의 부분 회로(C)의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다. 도 10b의 부호 fr, fa는 부분 회로(C)의 공진 주파수, 반공진 주파수를 나타내고 있다. 탄성파 공진자(11)를 LN 러브로 구성한 것에 의해 필터(10)의 부분 회로(C)의 반공진 주파수와 공진 주파수의 간격은 도 6b의 (a)에 나타내는 필터(90)의 부분 회로(C)의 반공진 주파수와 공진 주파수의 간격보다 넓어져 있다.
그 때문에 필터(10)에서는 부분 회로(C)의 반공진 주파수(fa)를 하이밴드(HB)의 고역측의 대역 밖으로 벗어나게 하면서 부분 회로(C)의 공진 주파수(fr)를 하이밴드(HB)의 대역 내에 고역단으로부터 이격시켜 배치할 수 있다.
도 10c는 필터(10)의 전체(A)의 반사 특성 및 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이며, (a)는 반사 특성, (b)는 통과 특성을 각각 나타내고 있다.
도 10c의 (a)의 점선원 내에 보여지는 바와 같이, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서의 반사 손실은 도 6c의 (a)에 나타내는 필터(90)의 반사 손실과 비교해서 크게 유지되어 있다. 이것은 부분 회로(C)의 공진 주파수(fr)가 하이밴드(HB)의 대역 내에 고역단으로부터 이격되어 배치되고, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서 충분한 반사 손실이 확보됨으로써 인덕터(18, 19)에 의해 하이밴드(HB)의 전역에서 양호한 정합을 취할 수 있었기 때문이다.
그 결과, 도 10c의 (b)의 점선원 내에 보여지는 바와 같이, 필터(10)의 전체(A)에서의 삽입 손실은 하이밴드(HB) 내에서 큰 움푹 패임이 없는 파형으로 되고, 하이밴드(HB)의 중간 정도에서 삽입 손실이 감소(개선)된다.
이와 같이 필터(10)에 의하면, 탄성파 공진자(11)를 LN 러브로 구성한 것에 의해 통과 대역 내에서의 정합이 취해지기 쉬워지고, 그 결과, 직렬 암 공진자를 LN 레일리로 구성한 필터(90)와 비교해서 통과 대역 내에서의 삽입 손실이 감소(개선)된다. 필터(10)의 통과 대역의 저역단에서의 급준한 감쇠 특성은 필터(90)와 마찬가지로 병렬 암에 배치된 탄성파 공진자를 급준한 주파수 특성을 갖는 LN 레일리로 구성한 것에 의해 형성된다.
이것에 의해 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성을 갖는 필터가 얻어진다.
또한, 상술한 필터(10)의 구성은 일례이며, 필터(10)에 대하여 다음과 같은 변형 또는 한정을 추가해도 좋다.
예를 들면, 필터(10)에 있어서 인덕터(15, 16)를 적층 칩 인덕터로 구성해도 좋다. 이것에 의해 인덕터(15, 16)를 기판 내에 패턴 도체로 형성하는 경우와 비교해서 인덕터(15, 16)의 Q값을 높일 수 있다. 그 결과, 필터(10)의 삽입 손실을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 인덕터(15, 16)의 어느 Q값도 정합용의 인덕터(18, 19)의 어느 Q값보다 높아도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 인덕터(15, 16)에 Q값이 비교적 높은(예를 들면, 인덕터(18, 19)의 Q값보다 높은) 인덕터를 사용하므로 통과 대역의 저역단에 있어서의 감쇠 특성의 급준성을 향상시키면서 넓은 통과 대역에 있어서 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 인덕터(15)의 인덕턴스값은 인덕터(16)의 인덕턴스값보다 커도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 통과 대역의 저역단에 있어서의 감쇠 특성의 급준성을 더욱 높일 수 있다.
상기에서는 필터(10)의 통과 대역으로서 하이밴드(HB)(또는 하이밴드(HB)에 포함되는 제 1 부분 및 제 2 부분)의 예를 들어 설명했지만, 필터(10)의 통과 대역은 하이밴드(HB)라고 칭해지는 주파수 대역에는 한정되지 않는다. 필터(10)는 저역측에 좁은 주파수 갭을 사이에 두고 인접하는 다른 주파수 대역이 있으며 또한 자대역(自帶域)이 넓은 임의의 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 필터로서 이용할 수 있다.
(실시형태 2)
실시형태 2에 의한 멀티플렉서에 대하여 실시형태 1의 필터를 사용하여 구성되는 트리플렉서의 예를 들어 설명한다.
도 11은 실시형태 2에 의한 멀티플렉서의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 11에 나타내어지는 바와 같이, 멀티플렉서(2)는 실시형태 1에서 참조한 필터(10, 20)에 추가하여 필터(30, 40)를 갖고 있다. 멀티플렉서(2)는 필터(10, 20, 30)의 각각의 통과 대역의 신호를 분파 및 합파하는 트리플렉서이다. 필터(10, 20, 30)는 각각 제 1 필터, 제 2 필터, 제 3 필터의 일례이다.
도 11에서는 일례로서 필터(30)의 통과 대역을 617㎒ 이상 960㎒ 이하로 하고 있다. 본 명세서에서는 참조의 편의를 위해 617㎒ 이상 960㎒ 이하의 주파수 대역을 로우밴드(LB)라고 칭한다.
필터(10)의 통과 대역은 2300㎒ 이상 2690㎒ 이하의 하이밴드(HB)이며, 필터(20)의 통과 대역은 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 미드밴드(MB)이다. 필터(40)는 하이밴드(HB)와 미드밴드(MB)를 합친 통과 대역을 갖는다.
필터(30)의 일단과 필터(40)의 일단은 안테나 단자(ANT)에 접속된다. 필터(30)의 타단은 로우밴드 단자(LB)에 접속된다. 필터(10)의 일단과 필터(20)의 일단은 필터(40)의 타단에 접속된다. 필터(10)의 타단은 하이밴드 단자(HB)에 접속되고, 필터(20)의 타단은 미드밴드 단자(MB)에 접속된다. 즉, 필터(10, 20, 30)의 각각의 일단은 직접 또는 필터(40)를 개재하여 서로 접속되어 있다.
필터(20)는 LC 공진 회로와 탄성파 공진자로 구성된다(도시하지 않음). 필터(20)의 LC 공진 회로는 미드밴드(MB)의 넓은 통과 대역을 형성하고, 탄성파 공진자는 미드밴드(MB)의 고역측의 대역 밖에서의 급준한 감쇠 특성을 형성한다.
필터(30)는 LC 공진 회로로 구성된다. 필터(30)의 LC 공진 회로는 로우밴드(LB)의 넓은 통과 대역을 형성한다.
도 12는 멀티플렉서(2)의 통과 특성의 일례를 나타내는 그래프이다. 멀티플렉서(2)에서는 미드밴드(MB)용의 필터(20)에 있어서 탄성파 공진자의 급준한 주파수 특성을 이용하여 통과 대역의 고역단에서의 급준한 감쇠 특성을 형성하고, 하이밴드(HB)의 신호를 충분히 저지할 수 있다. 필터(10, 20)를 사용함으로써 하이밴드(HB)의 신호와 미드밴드(MB)의 신호가 좁은 주파수 갭에도 불구하고 완전히 분리되므로 양자의 신호는 단일의 안테나에 의해 동시에 송수신 가능해진다. 이것에 의해 하이밴드(HB)에 포함되는 통신 밴드와 미드밴드(MB)에 포함되는 통신 밴드의 조합에 의한 캐리어 어그리게이션 통신이 단일의 안테나에 의해 실행 가능해진다.
이상, 본 발명의 실시형태에 의한 필터 및 멀티플렉서에 대하여 설명했지만, 본 발명은 개개의 실시형태에는 한정되지 않는다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 당업자가 생각하는 각종 변형을 본 실시형태에 실시한 것이나, 다른 실시형태에 있어서의 구성요소를 조합하여 구축되는 형태도 본 발명의 하나 또는 복수의 양태의 범위 내에 포함되어도 좋다.
(정리)
본 발명의 일양태에 의한 필터는 제 1 단자와 제 2 단자를 연결하는 신호 경로의 적어도 일부를 구성하는 직렬 암 공진자와, 일단이 접지된 병렬 암 공진자와, 일단이 상기 직렬 암 공진자의 일단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 타단에 접속된 제 1 인덕터와, 일단이 상기 직렬 암 공진자의 타단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 상기 타단에 접속된 제 2 인덕터를 구비하고, 상기 직렬 암 공진자의 비대역은 상기 병렬 암 공진자의 비대역보다 넓다.
일반적인 필터에서는 병렬 암 공진자의 공진 주파수는 통과 대역의 저역단에 배치되고, 직렬 암 공진자의 반공진 주파수는 통과 대역의 고역측의 대역 밖에 배치된다. 그 때문에 직렬 암 공진자 및 병렬 암 공진자의 양쪽에 비대역이 좁은 공진자를 사용하면 병렬 암 공진자의 반공진 주파수와 직렬 암 공진자의 공진 주파수가 통과 대역 내의 양단에 접근하여 서로 크게 이격되어버린다. 그 결과, 통과 대역 내에서의 반사 손실이 열화되어 삽입 손실이 증대한다. 이러한 삽입 손실의 증대는 통과 대역이 넓을수록 현저하다.
병렬 암 공진자를 비대역이 좁은 공진자로 구성하는 것은 통과 대역의 저역단에서의 주파수 특성의 급준성을 얻기 위해서 유효한 점에서 상술의 구성에 따라 직렬 암 공진자를 병렬 암 공진자와 비교해서 비대역이 넓은 공진자로 구성한다.
이러한 구성에 의하면, 직렬 암 공진자를 병렬 암 공진자와 동등한 비대역이 좁은 공진자로 구성하는 경우와 비교해서 직렬 암 공진자의 공진 주파수를 통과 대역의 고역단으로부터 보다 크게 이격시킬 수 있다. 이것에 의해 통과 대역이 넓은 경우에 있어서도 직렬 암 공진자의 공진 주파수와 병렬 암 공진자의 반공진 주파수를 가깝게 할 수 있다.
그 결과, 통과 대역 내에서의 반사 손실을 개선하여 필터의 삽입 손실을 저감할 수 있다. 또한, 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성은 비대역이 좁고 공진 주파수의 근방에서 임피던스가 급준하게 저하하는 병렬 암 공진자의 주파수 특성을 이용해서 형성할 수 있다. 그 결과, 넓은 통과 대역, 작은 삽입 손실 및 통과 대역단에서의 급준한 감쇠 특성을 갖는 필터가 얻어진다.
또한, 상기 병렬 암 공진자는 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 레일리파에 의해 신호를 전달하고, 상기 직렬 암 공진자는 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 러브파에 의해 신호를 전달해도 좋다.
이러한 구성에 있어서, 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 레일리파에 의해 신호를 전달하는 탄성파 공진자(LN 레일리)는 주파수 특성의 급준성이 특히 높은 것으로 알려져 있다. 그 때문에 병렬 암 공진자를 LN 레일리로 구성함으로써 필터의 통과 대역의 저역단에 있어서 보다 급준한 감쇠 특성을 형성할 수 있다.
또한, 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 러브파에 의해 신호를 전달하는 탄성파 공진자(LN 러브)는 비대역이 LN 레일리와 비교해서 넓은 것으로 알려져 있다. 그 때문에 직렬 암 공진자를 LN 러브로 구성함으로써 통과 대역 내에서의 반사 손실을 효과적으로 개선하여 필터의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 필터는 상기 신호 경로의 상기 직렬 암 공진자와 상기 제 1 단자 사이의 부분 또는 상기 신호 경로의 상기 직렬 암 공진자와 상기 제 2 단자 사이의 부분 중 적어도 한쪽의 부분에 접속된 정합용의 제 3 인덕터를 갖고, 상기 필터의 통과 대역에 있어서 상기 제 1 인덕터의 Q값 및 상기 제 2 인덕터의 Q값은 모두 상기 제 3 인덕터의 Q값보다 높다.
이러한 구성에 의하면, 제 1 인덕터 및 제 2 인덕터에 Q값이 비교적 높은 인덕터를 사용하므로 통과 대역의 저역단에 있어서의 감쇠 특성의 급준성을 높이면서 넓은 통과 대역에 있어서 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 제 1 인덕터 및 상기 제 2 인덕터는 적층 칩 인덕터로 구성되어도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 제 1 인덕터 및 제 2 인덕터를 적층 칩 인덕터로 구성하고 있다. 이것에 의해 제 1 인덕터 및 제 2 인덕터를 기판 내에 패턴 도체로 형성하는 경우와 비교해서 제 1 인덕터 및 제 2 인덕터의 Q값을 높일 수 있다. 그 결과, 필터의 삽입 손실을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 상기 제 1 인덕터의 인덕턴스값은 상기 제 2 인덕터의 인덕턴스값보다 커도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 통과 대역의 저역단에 있어서의 감쇠 특성의 급준성을 더욱 높일 수 있다.
또한, 상기 필터는 2300㎒ 이상 2400㎒ 이하 및 2496㎒ 이상 2690㎒ 이하의 통과 대역과, 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 저지 대역을 가져도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 구체적으로 본 명세서에서 말하는 하이밴드 및 미드밴드를 각각 통과 대역 및 저지 대역으로 하는 필터가 얻어진다. 이러한 필터는 하이밴드와 미드밴드를 분파 및 합파하는 멀티플렉서에 있어서의 하이밴드용의 필터로서 적합하다.
또한, 본 발명의 일양태에 의한 멀티플렉서는 상술한 필터인 제 1 필터와, 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 제 2 필터와, 617㎒ 이상 960㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 제 3 필터를 갖고, 상기 제 1 필터의 일단과 상기 제 2 필터의 일단과 상기 제 3 필터의 일단이 서로 접속되어 있다.
이러한 구성에 의하면, 상술한 하이밴드 및 미드밴드에 본 명세서에서 말하는 로우밴드를 추가한 3개의 주파수 대역의 신호를 분파 및 합파하는 멀티플렉서가 얻어진다.
또한, 상기 제 2 필터는 LC 공진 회로와 탄성파 공진자로 구성되고, 상기 제 3 필터는 LC 공진 회로로 구성되어 있어도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 미드밴드용의 제 2 필터에 있어서 탄성파 공진자의 급준한 주파수 특성을 이용하여 통과 대역의 고역단에서의 급준한 감쇠 특성을 형성할 수 있다. 제 1 필터와 제 2 필터를 사용함으로써 하이밴드용의 신호와 미드밴드용의 신호가 완전히 주파수 분리되고, 양자의 신호는 단일의 안테나에 의해 동시에 송수신 가능해진다. 이것에 의해 하이밴드에 포함되는 통신 밴드와 미드밴드에 포함되는 통신 밴드의 조합에 의한 캐리어 어그리게이션 통신이 단일의 안테나에 의해 실행 가능해진다.
(산업상 이용가능성)
본 발명은 예를 들면, 필터 및 멀티플렉서로서 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1, 2 멀티플렉서 10, 20, 30, 40, 90 필터
11, 91 탄성파 공진자(직렬 암 공진자)
17, 97 탄성파 공진자(병렬 암 공진자)
15, 16, 18, 19, 95, 96, 98, 99 인덕터

Claims (8)

  1. 제 1 단자와 제 2 단자를 연결하는 신호 경로의 적어도 일부를 구성하는 직렬 암 공진자와,
    일단이 접지된 병렬 암 공진자와,
    일단이 상기 직렬 암 공진자의 일단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 타단에 접속된 제 1 인덕터와,
    일단이 상기 직렬 암 공진자의 타단에 접속되고 타단이 상기 병렬 암 공진자의 상기 타단에 접속된 제 2 인덕터를 구비하고,
    상기 직렬 암 공진자의 비대역은 상기 병렬 암 공진자의 비대역보다 넓은 필터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 병렬 암 공진자는 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 레일리파에 의해 신호를 전달하고,
    상기 직렬 암 공진자는 니오브산리튬을 함유하는 압전 재료로 구성된 기판을 갖고, 상기 기판을 전반하는 러브파에 의해 신호를 전달하는 필터.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 필터는 상기 신호 경로의 상기 직렬 암 공진자와 상기 제 1 단자 사이의 부분 또는 상기 신호 경로의 상기 직렬 암 공진자와 상기 제 2 단자 사이의 부분 중 적어도 한쪽의 부분에 접속된 정합용의 제 3 인덕터를 갖고,
    상기 필터의 통과 대역에 있어서 상기 제 1 인덕터의 Q값 및 상기 제 2 인덕터의 Q값은 모두 상기 제 3 인덕터의 Q값보다 높은 필터.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터 및 상기 제 2 인덕터는 적층 칩 인덕터로 구성되는 필터.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터의 인덕턴스값은 상기 제 2 인덕터의 인덕턴스값보다 큰 필터.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 필터는 2300㎒ 이상 2400㎒ 이하 및 2496㎒ 이상 2690㎒ 이하의 통과 대역과, 1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 저지 대역을 갖는 필터.
  7. 제 6 항에 기재된 필터인 제 1 필터와,
    1427㎒ 이상 2200㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 제 2 필터와,
    617㎒ 이상 960㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 제 3 필터를 갖고,
    상기 제 1 필터의 일단과 상기 제 2 필터의 일단과 상기 제 3 필터의 일단이 서로 접속되어 있는 멀티플렉서.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 필터는 LC 공진 회로와 탄성파 공진자로 구성되고,
    상기 제 3 필터는 LC 공진 회로로 구성되어 있는 멀티플렉서.
KR1020190052842A 2018-07-18 2019-05-07 필터 및 멀티플렉서 KR102217491B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-134665 2018-07-18
JP2018134665A JP2020014104A (ja) 2018-07-18 2018-07-18 フィルタおよびマルチプレクサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200010016A KR20200010016A (ko) 2020-01-30
KR102217491B1 true KR102217491B1 (ko) 2021-02-19

Family

ID=69163201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190052842A KR102217491B1 (ko) 2018-07-18 2019-05-07 필터 및 멀티플렉서

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11509290B2 (ko)
JP (1) JP2020014104A (ko)
KR (1) KR102217491B1 (ko)
CN (1) CN110739929B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11502419B1 (en) * 2019-11-21 2022-11-15 Anokiwave, Inc. Standard printed circuit board patch array
WO2022103492A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-19 Qorvo Us, Inc. Acoustic filters providing negative capacitance for use in multiplexers
WO2022138827A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350244B1 (ko) * 2010-01-28 2014-01-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 튜너블 필터
WO2015025651A1 (ja) * 2013-08-21 2015-02-26 株式会社村田製作所 チューナブルフィルタ
US20160191014A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Rf Micro Devices, Inc. Simplified acoustic rf resonator parallel capacitance compensation

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106664068B (zh) 2014-07-25 2019-06-14 株式会社村田制作所 带通滤波器以及滤波器模块
KR101944652B1 (ko) 2015-01-23 2019-01-31 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
US9966927B2 (en) 2015-07-03 2018-05-08 Qorvo Us, Inc. Radio frequency filtering circuitry
WO2018061949A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10250214B2 (en) * 2016-10-31 2019-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device, multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication device
JP6889423B2 (ja) * 2018-02-05 2021-06-18 株式会社村田製作所 フィルタ装置、高周波フロントエンド回路、および通信装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350244B1 (ko) * 2010-01-28 2014-01-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 튜너블 필터
WO2015025651A1 (ja) * 2013-08-21 2015-02-26 株式会社村田製作所 チューナブルフィルタ
US20160191014A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Rf Micro Devices, Inc. Simplified acoustic rf resonator parallel capacitance compensation

Also Published As

Publication number Publication date
US11509290B2 (en) 2022-11-22
CN110739929A (zh) 2020-01-31
KR20200010016A (ko) 2020-01-30
JP2020014104A (ja) 2020-01-23
US20200028490A1 (en) 2020-01-23
CN110739929B (zh) 2023-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10727805B2 (en) Multiplexer including filters with resonators and parallel inductor
CN109286387B (zh) 高频滤波器、多路复用器、高频前置电路以及通信装置
KR102134087B1 (ko) 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP6669681B2 (ja) フィルタ回路、マルチプレクサおよびモジュール
US10148297B2 (en) Splitter
US10804882B2 (en) Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
KR102217491B1 (ko) 필터 및 멀티플렉서
US11082031B2 (en) Filter device, multiplexer, radio frequency front-end circuit, and communication device
JP6798456B2 (ja) 高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2018078542A (ja) フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
KR102200356B1 (ko) 탄성파 필터 장치 및 복합 필터 장치
US12028052B2 (en) Composite filter device
JP6885376B2 (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
KR102309055B1 (ko) 필터 및 멀티플렉서
KR20220113752A (ko) 필터 장치, 멀티플렉서, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
KR20170120507A (ko) 탄성파 필터 장치
KR20210011330A (ko) 필터 및 멀티플렉서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant