KR102200952B1 - Heat radiation chip and method for manufacturing the same - Google Patents

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    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20409Outer radiating structures on heat dissipating housings, e.g. fins integrated with the housing

Abstract

본 발명은 전자기기 또는 휴대기기에서 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 전자 기기 또는 휴대 기기로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩은 Al2O3 또는 AlN을 주성분으로 하는 세라믹 기판으로 구성된 하부 방열층; 하부 방열층의 상부에 형성되고, ZnO를 주성분으로 하는 상부 방열층; 및 하부 방열층 및 상부 방열층을 포함하는 세라믹 소성체의 외주면에 형성된 적어도 하나의 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a heat dissipation chip for dissipating heat generated from an electronic device or a portable device, and a method of manufacturing the same. For this purpose, the heat dissipation chip for dissipating heat generated from an electronic device or a portable device of the present invention includes a lower heat dissipation layer composed of a ceramic substrate containing Al 2 O 3 or AlN as a main component; An upper heat dissipation layer formed on the lower heat dissipation layer and containing ZnO as a main component; And at least one electrode formed on an outer circumferential surface of the ceramic sintered body including a lower heat dissipation layer and an upper heat dissipation layer.

Description

방열칩 및 이의 제조 방법{HEAT RADIATION CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Heat radiation chip and its manufacturing method {HEAT RADIATION CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 방열칩 및 이의 제조 방법에 관한 것이고, 보다 상세하게 전자기기에서 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a heat dissipation chip and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a heat dissipation chip for dissipating heat generated from an electronic device and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 휴대 전자기기 예를 들어, 핸드폰, 스마트폰, 게임기, 태블릿 PC 및 노트북 등과 같은 전자기기는 AP(application processor) 또는 액정표시 구동장치(LDI : LCD driver IC) 등과 같은 부품의 성능이 향상되면서 많은 열을 발생시킨다. In general, portable electronic devices, such as mobile phones, smartphones, game consoles, tablet PCs, and notebook computers, improve the performance of components such as an application processor (AP) or a liquid crystal display driver (LDI: LCD driver IC). It generates a lot of heat.

이러한 열은 부품의 성능 및 수명저하를 야기시키는 문제점이 있다. 이러한 열을 방출시키기 위해 종래에는 예를 들어, 방열판, 방열시트, 방열 코팅, 그리고 강제 팬 구동과 같은 다양한 방식을 이용하고 있다.This heat has a problem that causes a decrease in the performance and life of the component. In order to dissipate such heat, various methods such as, for example, a heat sink, a heat radiation sheet, a heat radiation coating, and a forced fan drive are used.

그러나, 상기와 같은 종래의 방열 방식은 주로 하기와 같은 문제점을 갖는다. However, the conventional heat dissipation method as described above mainly has the following problems.

먼저, 종래에는 주로 금속재 방열판을 전자기기에서 열을 발생시키는 부품에 부착시키고, 모터로 팬을 강제 구동시켜 전자기기에서 발생하는 열을 냉각시키는 방식을 이용한다. 하지만, 이러한 팬을 이용하는 방식은 추가적인 전기를 소모하기에, 전력 낭비가 발생하는 단점이 존재한다. 또한, 이러한 팬과 모터의 회전에 의한 소음과 오작동의 문제점이 추가로 발생할 수 있고, 최근 추세인 소형화, 슬림화에 있어 송풍장치의 크기로 인한 부품설계에 제약이 따른다.First, in the related art, a metal heat sink is mainly attached to a component that generates heat in an electronic device, and a fan is forcibly driven by a motor to cool the heat generated in the electronic device. However, the method of using such a fan consumes additional electricity, so there is a disadvantage in that power is wasted. In addition, problems such as noise and malfunction due to rotation of the fan and motor may additionally occur, and in the recent trend of miniaturization and slimming, there are restrictions on part design due to the size of the blower device.

또한, 구리 또는 알루미늄으로 구성된 방열판은 열전도성과 전기 도전성이 있어 전류가 흐르는 부품들 주변에 배치하기엔 전기쇼트의 문제가 발생할 가능성이 큰 문제점을 갖는다.In addition, since the heat sink made of copper or aluminum has thermal conductivity and electrical conductivity, there is a high possibility that an electric short problem may occur in order to place it around parts through which electric current flows.

또한, 휴대기기의 특성상 일반적인 방열판을 부착하기 힘들어 구리 포일에 절연층과 도전층을 형성시켜 열이 발생하는 IC 칩이나 열원 상면에 부착하는 경우와, 열전도도가 매우 우수한 그라파이트를 얇게 만들어 부착하는 경우가 존재한다. In addition, due to the characteristics of portable devices, it is difficult to attach a general heat sink, so when attaching to the top surface of an IC chip or heat source that generates heat by forming an insulating layer and a conductive layer on a copper foil, and attaching a thin graphite having excellent thermal conductivity Exists.

하지만, 구리 포일의 경우 구리의 두께가 10 내지 50um정도로 얇지만, 상하면에 절연층과 도전층의 형성을 야기하고, 이러한 절연층과 도전층에 의해 열전도 효과가 매우 떨어지며 방사효과가 낮은 문제점을 갖는다. 또한, 그라파이트의 경우, 열전도도가 우수하여 방열에 효과적이지만, 가격이 비싸 보편적인 전자기기에서 사용하기엔 제약이 따른다.However, in the case of copper foil, although the thickness of copper is as thin as 10 to 50 μm, it causes the formation of an insulating layer and a conductive layer on the upper and lower surfaces, and the heat conduction effect is very low and the radiation effect is low due to the insulating layer and the conductive layer. . In addition, in the case of graphite, it has excellent thermal conductivity and is effective for heat dissipation, but it is expensive to use in a general electronic device.

이에 관련하여, 발명의 명칭이 "배리스터 및 발광장치"인 일본등록특허 제4888225호가 존재한다.In this regard, there is Japanese Patent No. 4888225, entitled "Varistor and light emitting device" of the invention.

본 발명은 제조 비용이 저렴하고, 전자기기에서 발생하는 열을 효율적으로 방열할 수 있는 방열칩 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a heat dissipation chip and a method of manufacturing the same, which is inexpensive to manufacture and can efficiently dissipate heat generated from an electronic device.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 전자 기기 또는 휴대 기기로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩은 Al2O3 또는 AlN을 주성분으로 하는 세라믹 기판으로 구성된 하부 방열층; 하부 방열층의 상부에 형성되고, ZnO를 주성분으로 하는 상부 방열층; 및 하부 방열층 및 상부 방열층을 포함하는 세라믹 소성체의 외주면에 형성된 적어도 하나의 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The heat dissipation chip for dissipating heat generated from an electronic device or a portable device according to the present invention for solving the above problems includes: a lower heat dissipation layer composed of a ceramic substrate containing Al 2 O 3 or AlN as a main component; An upper heat dissipation layer formed on the lower heat dissipation layer and containing ZnO as a main component; And at least one electrode formed on an outer circumferential surface of the ceramic sintered body including a lower heat dissipation layer and an upper heat dissipation layer.

또한, 하부 방열층은 전체 100 중량부 중 Al2O3 또는 AlN을 75 내지 95 중량부로 포함하여 형성되고, 상부 방열층은 전체 100 중량부 중 ZnO를 75 내지 95 중량부로 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the lower heat dissipation layer may be formed by including 75 to 95 parts by weight of Al 2 O 3 or AlN out of 100 parts by weight, and the upper heat dissipation layer may be formed by including 75 to 95 parts by weight of ZnO out of 100 parts by weight. .

또한, 적어도 하나의 전극은, 하부 방열층의 하부에서 서로 대향하고 이격되도록 형성되는 2개의 전극을 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the at least one electrode may include two electrodes formed to face each other and spaced apart from each other under the lower heat dissipation layer.

또한, 2개의 전극은 세라믹 소성체의 측면부까지 연장되어 형성될 수 있다.In addition, the two electrodes may be formed to extend to the side surface of the ceramic sintered body.

또한, 2개의 전극은 세라믹 소성체의 상부까지 연장되어 형성될 수 있다.In addition, the two electrodes may be formed to extend to the top of the ceramic sintered body.

또한, 적어도 하나의 전극은 Ag, Cu, Ni, W, AgPd 및 TiN 중 적어도 하나를 포함하는 도전성 재료를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, at least one electrode may include a conductive material including at least one of Ag, Cu, Ni, W, AgPd, and TiN.

또한, 하부 방열층 및 상부 방열층은, Bi2O3, Sb2O3, Co3O4, Cr2O3, Mn3O4, 및SiO2 중 적어도 하나의 첨가제를 혼합한 분말을 소성하여 형성될 수 있다.
In addition, the lower heat dissipation layer and the upper heat dissipation layer, Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Co 3 O 4 , Cr 2 O 3 , Mn 3 O 4 , and SiO 2 Can be formed by

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 전자 기기 또는 휴대 기기로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩의 제조 방법은 원료 분말을 준비하는 단계; 원료 분말과 용매 및 유기물을 혼합하여 복수의 세라믹 그린 시트들을 제조하는 단계; 복수의 세라믹 그린 시트들을 적층하여 하부 방열층 및 상부 방열층을 포함하는 세라믹 적층체를 형성하는 단계; 세라믹 적층체를 소성하여 세라믹 소성체를 형성하는 단계; 및 세라믹 소성체의 외주면에 적어도 하나의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a heat dissipation chip for dissipating heat generated from an electronic device or a portable device of the present invention for solving the above problems includes: preparing a raw material powder; Mixing a raw material powder, a solvent, and an organic material to prepare a plurality of ceramic green sheets; Stacking a plurality of ceramic green sheets to form a ceramic laminate including a lower heat dissipation layer and an upper heat dissipation layer; Firing the ceramic laminate to form a ceramic fired body; And forming at least one electrode on the outer peripheral surface of the ceramic sintered body.

본 발명의 방열칩 및 이의 제조 방법에 따르면 방사율이 큰 세라믹 소재를 이용하여 구성하기 때문에, 각종 전자회로 및 전자부품에서 발생하는 열을 효과적으로 방열함으로써 열에 의한 부품의 성능 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 부품의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.According to the heat dissipation chip and its manufacturing method of the present invention, since it is constructed using a ceramic material having a high emissivity, it is possible to prevent degradation of the component due to heat by effectively dissipating heat generated from various electronic circuits and electronic components. There is an effect that can extend the life of parts.

또한, 본 발명의 방열칩 및 이의 제조 방법에 따르면 금속재 방열재의 경우 전기 전도성이 있기 때문에 전기 쇼트가 발생할 수 있으나, 본 발명의 세라믹 방열소재는 전기 절연성이 우수하고, 복합구조로 이루어져 열전도 및 방사 효과를 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the heat dissipation chip and its manufacturing method of the present invention, electric short may occur because the metal heat dissipation material has electrical conductivity, but the ceramic heat dissipation material of the present invention has excellent electrical insulation properties and is composed of a composite structure to have heat conduction and radiation effects. There is an effect that can maximize.

또한, 본 발명의 방열칩 및 이의 제조 방법에 따르면 동일한 체적에서 금속재 방열 소재에 비해 세라믹의 방사율이 높은 특징에 기인하여, 열을 효과적으로 발산 할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the heat dissipation chip and its manufacturing method of the present invention, due to the characteristic that the emissivity of ceramic is higher than that of the metal heat dissipation material in the same volume, there is an effect of effectively dissipating heat.

또한, 본 발명의 방열칩 및 이의 제조 방법에 따르면 별도의 팬을 이용하지 않는 구성에 기인하여, 추가적인 전력 소비가 필요 없고, 팬의 작동에 의해 발생하는 소음을 없앨 수 있으며, 부피 또한 작아질 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the heat dissipation chip and its manufacturing method of the present invention, due to the configuration not using a separate fan, additional power consumption is not required, noise generated by the operation of the fan can be eliminated, and the volume can also be reduced. There is an effect.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열칩의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열칩의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방열칩에 대한 적층 단면도다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 방열칩에 대한 적층 단면도다.
도 5는 본 발명의 도 2의 A-A'에 대한 적층 단면도다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열칩을 이용한 방사 온도 특성 시험 결과를 도시하는 도표이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열칩을 이용한 방사 온도 특성 시험 결과를 도시하는 도표이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 방열칩을 이용한 온도 상승 시험 결과를 도시하는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 방열칩을 이용한 온도 상승 시험 결과를 도시하는 도표이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열칩의 제조 과정에 대한 흐름도이다.
1 is a perspective view of a heat dissipation chip according to a first embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a heat dissipation chip according to a second embodiment of the present invention.
3 is a stacked cross-sectional view of a heat dissipating chip according to a third embodiment of the present invention.
4 is a stacked cross-sectional view of a heat dissipating chip according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a stacked cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 2 of the present invention.
6 is a chart showing the results of a radiation temperature characteristic test using a heat radiation chip according to the first embodiment of the present invention.
7 is a chart showing a result of a radiation temperature characteristic test using a heat radiation chip according to a second embodiment of the present invention.
8 is a graph showing a temperature increase test result using a heat dissipating chip according to the first and second embodiments of the present invention.
9 is a chart showing the results of a temperature increase test using a heat dissipating chip according to the first and second embodiments of the present invention.
10 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a heat dissipating chip according to a second embodiment of the present invention.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings as follows. Here, repeated descriptions, well-known functions that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, and detailed descriptions of configurations are omitted. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Accordingly, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

이하, 도 1 및 도 2를 참조로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열칩(100)에 대하여 설명하도록 한다. 도 1에 도시된 것처럼, 본 발명의 방열칩(100)은 세라믹 소성체(110)와 적어도 하나의 전극(120)을 포함하여 구성될 수 있다.Hereinafter, a heat dissipation chip 100 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. As shown in FIG. 1, the heat dissipation chip 100 of the present invention may include a ceramic sintered body 110 and at least one electrode 120.

세라믹 소성체(110)는 ZnO를 포함하는 세라믹 기판으로 구성될 수 있다. 구체적으로, 세라믹 소성체(110)는 LTCC(low temperature ceramic co-fired), Al2O3, ZnO, MgO, ZrO2, AlN, BN, SiC 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함하는 세라믹 분말과, Bi2O3, Sb2O3, Co3O4, Cr2O3, Mn3O4 및 SiO2 중 적어도 하나의 첨가제를 혼합하여 형성되는 세라믹 기판으로 구성될 수 있다. 또한, 이러한 세라믹 소성체(110)는 열전도성 및 전기 절연성을 지닌 복합구조 세라믹 방열 소재로 이루어질 수 있다. 즉, 세라믹 소성체(110)는 상술한 세라믹 분말과 첨가제가 혼합된 원료 분말을 통해, 그린 시트를 제작하거나 벌크 형태로 제작될 수 있다. 이에 따라, 세라믹 소성체(110)는 ZnO 및 첨가제를 통해 전기 절연성 및 방사율이 우수한 특성을 가질 수 있다.The ceramic sintered body 110 may be formed of a ceramic substrate including ZnO. Specifically, the ceramic sintered body 110 is a ceramic powder containing at least one of LTCC (low temperature ceramic co-fired), Al 2 O 3 , ZnO, MgO, ZrO 2 , AlN, BN, SiC, and Si 3 N 4 And, Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Co 3 O 4 , Cr 2 O 3 , Mn 3 O 4 and SiO 2 It may be composed of a ceramic substrate formed by mixing at least one of the additives. In addition, the ceramic sintered body 110 may be made of a composite ceramic heat dissipation material having thermal conductivity and electrical insulation. That is, the ceramic sintered body 110 may be manufactured in a form of a bulk or a green sheet through a raw material powder in which the ceramic powder and the additive are mixed. Accordingly, the ceramic sintered body 110 may have excellent electrical insulation properties and emissivity through ZnO and additives.

여기서, 용어 방사율은 물체가 원적외선 에너지를 흡수, 투과 및 반사하는 비율을 나타낸다. 즉, 이론적으로 외부에너지를 흡수만 하고 반사하지 않는 물체를 "Black Body"라 하고, 이때의 방사율 값은 1로 설정된다. 이를 통해, 본 발명의 방열칩(100)은 휴대기기 또는 전자기기에 포함된 AP 및 LDI와 같은 다양한 구성에서 발생하는 열을 효과적으로 방열시킬 수 있다.Here, the term emissivity refers to the rate at which an object absorbs, transmits, and reflects far infrared energy. That is, theoretically, an object that absorbs external energy but does not reflect is called "Black Body", and the emissivity value at this time is set to 1. Through this, the heat dissipation chip 100 of the present invention can effectively dissipate heat generated in various configurations such as APs and LDIs included in portable devices or electronic devices.

또한, 이러한 세라믹 소성체(110)는 도 2에서 본 발명의 제 2 실시예로 언급한 것처럼, 하부 방열층(212)과 상부 방열층(211)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 하부 방열층(212)은 Al2O3 또는 AlN을 주원료로 이루어질 수 있다. 또한, 상부 방열층(211)은 하부 방열층(212)의 상부에 형성되고, ZnO를 주원료로 이루어질 수 있다. 여기서, 용어 주원료는 전체 100 중량부 중 75 내지 95 중량부로 이루어진 원료를 나타낸다. 구체적으로, 용어 주원료는 전체 100 중량부 중 87 내지 93 중량부로 이루어진 원료를 나타낸다. 즉, 하부 방열층(212)은 Al2O3 또는 AlN을 전체 100 중량부 중 75 내지 95 중량부로, 바람직하게 전체 100 중량부 중 87 내지 93 중량부로 포함하는 층을 나타낸다. 또한, 상부 방열층(211)은 ZnO를 전체 100 중량부 중 75 내지 95 중량부로, 바람직하게 전체 100 중량부 중 87 내지 93 중량부로 포함하는 층을 나타낸다. 또한, 이러한 하부 방열층(212)과 상부 방열층(211)은 서로 다른 두께로 형성될 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 것처럼, 하부 방열층(212)은 상부 방열층(211)보다 두껍게 형성될 수 있다. In addition, the ceramic sintered body 110 may include a lower heat dissipation layer 212 and an upper heat dissipation layer 211 as mentioned in FIG. 2 as the second embodiment of the present invention. Here, the lower heat dissipation layer 212 may be made of Al 2 O 3 or AlN as a main material. In addition, the upper heat dissipation layer 211 is formed on the lower heat dissipation layer 212 and may be made of ZnO as a main material. Here, the term main raw material refers to a raw material composed of 75 to 95 parts by weight of the total 100 parts by weight. Specifically, the term main raw material refers to a raw material consisting of 87 to 93 parts by weight of the total 100 parts by weight. That is, the lower heat dissipation layer 212 represents a layer including Al 2 O 3 or AlN in 75 to 95 parts by weight of the total 100 parts by weight, preferably 87 to 93 parts by weight of the total 100 parts by weight. In addition, the upper heat dissipation layer 211 represents a layer including 75 to 95 parts by weight of ZnO, preferably 87 to 93 parts by weight of the total 100 parts by weight. In addition, the lower heat dissipation layer 212 and the upper heat dissipation layer 211 may have different thicknesses. That is, as shown in FIG. 2, the lower heat dissipation layer 212 may be formed thicker than the upper heat dissipation layer 211.

적어도 하나의 전극(120)은 도 1에 도시된 것처럼, 세라믹 소성체(110)의 하부에 형성된 제 1 전극(121)과 제 2 전극(122)을 포함하여 구성될 수 있다. As shown in FIG. 1, at least one electrode 120 may include a first electrode 121 and a second electrode 122 formed under the ceramic sintered body 110.

이러한 제 1 전극(121)과 제 2 전극(122)의 형태는 도 3 내지 도 5에 도시된 것처럼, 하나의 형태로 제한되는 것이 아닌 다양한 형태를 가질 수 있다. 또한, 이러한 제 1 전극(121)과 제 2 전극(122)은 각각 일체로 구성될 수 있다. 또한, 제 1 전극(121)과 제 2 전극(122)은 Ag, Cu, Ni, W, AgPd 및 TiN 중 적어도 하나를 포함하는 도전성 재료들을 포함하여 구성될 수 있다. 이하에서는, 도 3 내지 도 5를 참조로, 제 1 전극(121)과 제 2 전극(122)에 대해 더 서술한다. 또한, 도 3 내지 도 5의 서술에서, 세라믹 소성체에 대한 서술은 이미 도 1 및 도 2에서 이루어졌으므로, 이에 대한 추가적인 서술은 명세서의 명료함을 위해 생략한다.The shapes of the first electrode 121 and the second electrode 122 may have various shapes, not limited to one shape, as shown in FIGS. 3 to 5. In addition, each of the first electrode 121 and the second electrode 122 may be integrally formed. In addition, the first electrode 121 and the second electrode 122 may include conductive materials including at least one of Ag, Cu, Ni, W, AgPd, and TiN. Hereinafter, the first electrode 121 and the second electrode 122 will be further described with reference to FIGS. 3 to 5. In addition, in the description of FIGS. 3 to 5, since the description of the ceramic fired body has already been made in FIGS. 1 and 2, additional descriptions thereof will be omitted for clarity of the specification.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방열칩(300)에 대한 적층 단면도다. 도 3에 도시된 것처럼, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방열칩(300)은 2개의 전극(321, 322)이 세라믹 소성체(310)의 하부에만 형성된 실시예를 서술한다. 즉, 2개의 전극 중 제 1 전극(321)은 하부 방열층(312)의 하부에서, 하부 방열층(312)의 중심점을 중심으로 생성된 세로축을 기준으로 하부 방열층(312)의 하부의 좌측에 형성된다. 또한, 제 2 전극(322)은 하부 방열층(312)의 하부의 우측에 형성된다. 즉, 도 3에 도시된 제 1 전극(321)과 제 2 전극(322)은 하부 전극의 형태를 갖는다. 즉, 제 1 전극(321)과 제 2 전극(322)은 세라믹 소성체(310)의 하부에서 서로 대향하고 이격되어 형성되는 형태를 갖는다.3 is a stacked cross-sectional view of a heat radiation chip 300 according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in the heat dissipation chip 300 according to the third embodiment of the present invention, an embodiment in which two electrodes 321 and 322 are formed only under the ceramic sintered body 310 is described. That is, among the two electrodes, the first electrode 321 is located under the lower heat dissipation layer 312 and is on the left side of the lower heat dissipation layer 312 based on a vertical axis generated around the center point of the lower heat dissipation layer 312. Is formed in In addition, the second electrode 322 is formed on the lower right side of the lower heat dissipation layer 312. That is, the first electrode 321 and the second electrode 322 shown in FIG. 3 have a shape of a lower electrode. That is, the first electrode 321 and the second electrode 322 have a shape in which the ceramic sintered body 310 faces each other and is spaced apart from each other.

도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 방열칩(400)에 대한 적층 단면도이다. 도 4에 도시된 것처럼, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 방열칩(400)은 2개의 전극 (421, 422)이 세라믹 소성체(410)의 상부를 제외한 나머지 부분 즉, 세라믹 소성체(410)의 하부, 측면부, 정면부 및 후면부에 형성된 실시예를 나타낸다. 즉, 2개의 전극 중 제 1 전극(421)과 제 2 전극(422)은 도 3에서 언급한 제 1 전극(321) 및 제 2 전극(322)의 형태에 부가하여 측면부, 정면부 및 후면부에 전극이 더 형성된 형태를 갖는다. 이하에서는 명세서의 이해를 돕기 위해, 세라믹 소성체(410)의 측면부, 정면부 및 후면부에 형성된 전극을 측면부 전극으로 칭한다. 즉, 제 1 전극(421)은 제 1 하부 전극과 제 1 측면부 전극이 합쳐진 형태를 갖고, 제 2 전극(422)은 제 2 하부 전극과 제 2 측면부 전극이 합쳐진 형태를 갖는다.4 is a stacked cross-sectional view of a heat radiation chip 400 according to a fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in the heat dissipation chip 400 according to the fourth embodiment of the present invention, the two electrodes 421 and 422 are the rest of the ceramic sintered body 410 except for the upper portion of the ceramic sintered body 410. ) Shows an embodiment formed on the lower part, the side part, the front part and the rear part. That is, among the two electrodes, the first electrode 421 and the second electrode 422 are added to the shape of the first electrode 321 and the second electrode 322 mentioned in FIG. The electrode has a more formed shape. Hereinafter, in order to facilitate understanding of the specification, electrodes formed on the side, front and rear portions of the ceramic sintered body 410 are referred to as side electrodes. That is, the first electrode 421 has a form in which a first lower electrode and a first side electrode are combined, and the second electrode 422 has a form in which a second lower electrode and a second side electrode are combined.

여기서, 제 1 측면부 전극은 세라믹 소성체(410)의 2개의 측면부들 중 제 1 측면부에 형성된 전극과, 세라믹 소성체(410)의 정면부 및 후면부에 형성되는 제 1 정면 전극이 제 1 하부 전극에 접하는 형태를 갖는 전극을 나타낸다. 또한, 제 2 측면부 전극은 제 1 측면부에 대향하는 제 2 측면부에 형성된 전극과 정면부 및 후면부에 형성되는 제 2 정면 전극이 제 2 하부 전극에 접하는 형태를 갖는 전극을 나타낸다. 앞선 서술에서, 제 1 전극(421), 제 1 하부 전극 및 제 1 측면부 전극이 서로 별도의 구성인 것처럼 언급되었지만, 이는 단지 본 발명의 내용의 이해를 돕기 위해 명칭을 구분하여 서술하였다는 점이 이해되어야 한다. 즉, 제 1 전극(421)은 제 1 하부 전극과 제 1 측면부 전극을 포함하는 구성이다. 또한, 제 2 전극(422) 또한, 제 1 전극(421)과 마찬가지로 일체로 구성될 수 있다. 또한, 제 1 전극(421)과 제 2 전극(422)은 도 1 내지 도 3에서 언급한 것처럼, 서로 대향하고 이격되어 형성된다.Here, the first side electrode is an electrode formed on a first side of the two side surfaces of the ceramic sintered body 410, and a first front electrode formed on the front and rear surfaces of the ceramic sintered body 410 is a first lower electrode. It represents an electrode having a shape in contact with. In addition, the second side electrode refers to an electrode having a shape in which an electrode formed on a second side portion opposite to the first side portion and a second front electrode formed on the front portion and the rear portion contact the second lower electrode. In the preceding description, the first electrode 421, the first lower electrode, and the first side electrode were mentioned as having separate configurations from each other, but it is understood that the names are separated and described only to help understanding the contents of the present invention. Should be. That is, the first electrode 421 includes a first lower electrode and a first side electrode. In addition, the second electrode 422 may also be integrally configured like the first electrode 421. In addition, the first electrode 421 and the second electrode 422 are formed to face each other and spaced apart, as mentioned in FIGS. 1 to 3.

도 5는 본 발명의 도 2의 A-A'에 대한 적층 단면도다. 도 5에 도시된 것처럼, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열칩(500)은 2개의 전극(521, 522)이 세라믹 소성체의 전체 면 즉, 하부, 측면부, 정면부, 후면부 및 상부 모두에 형성된 실시예를 나타낸다. 2개의 전극 중 제 1 전극(521)과 제 2 전극(522)은 앞서 도 1 내지 도 4를 참조로 언급한 전극들과 마찬가지로, 서로 대향하고 이격되어 형성될 수 있다. 5 is a stacked cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 2 of the present invention. As shown in Fig. 5, in the heat dissipation chip 500 according to the second embodiment of the present invention, the two electrodes 521 and 522 are all surfaces of the ceramic sintered body, that is, the lower part, the side part, the front part, the rear part, and the upper part. The examples formed in are shown. Among the two electrodes, the first electrode 521 and the second electrode 522 may be formed to face each other and to be spaced apart, similar to the electrodes mentioned with reference to FIGS. 1 to 4 above.

이렇게 도 3 내지 도 5를 통해, 본 발명의 방열칩은 전극 형태가 다양한 형태로 형성될 수 있다는 것이 서술되었다. 즉, 이러한 전극의 형태에 따라, 세라믹을 통한 방사 효과와 전극과 세라믹을 통한 전도 효과가 각각 상이할 수 있다. 즉, 예를 들어, 세라믹을 통한 방사 효과의 경우, 방열칩(300) > 방열칩(400) > 방열칩(500)으로, 효과에 차이가 있다. 또한, 전극과 세라믹을 통한 전도 효과의 경우 방열칩(300) < 방열칩(400) < 방열칩(500)으로 효과에 차이가 있다. 이를 통해, 본 발명의 방열칩은 사용 목적에 따라, 전극의 형태를 구분하여 제조함으로써, 보다 효율적인 방열이 가능하게 된다.3 to 5, it has been described that the heat dissipation chip of the present invention may have various electrode shapes. That is, depending on the shape of the electrode, the radiation effect through the ceramic and the conduction effect through the electrode and the ceramic may be different, respectively. That is, for example, in the case of the radiation effect through ceramic, there is a difference in the effect of the heat radiation chip 300> the heat radiation chip 400> the heat radiation chip 500. In addition, in the case of the conduction effect through the electrode and the ceramic, there is a difference in the effect of the heat radiation chip 300 <the heat radiation chip 400 <the heat radiation chip 500. Through this, the heat dissipation chip of the present invention is manufactured by dividing the shape of the electrode according to the purpose of use, thereby enabling more efficient heat dissipation.

또한, 도 1 내지 도 5에서 언급된 적어도 하나의 전극들은 예를 들어, 프린팅 또는 디핑과 같은 다양한 공법을 통해 형성될 수 있다. 또한, 도 1 내지 도 5의 서술에서는 세라믹 소성체가 1개 또는 2개의 세라믹 층으로 이루어진 예시로 도시되었지만, 세라믹 소성체에 포함된 세라믹 층의 개수는 이에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 즉, 세라믹 소성체는 상황에 따라 3개 이상의 세라믹 층 이상으로 구성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.In addition, at least one of the electrodes mentioned in FIGS. 1 to 5 may be formed through various methods such as printing or dipping. In addition, in the description of FIGS. 1 to 5, although the ceramic fired body is illustrated as an example consisting of one or two ceramic layers, it should be understood that the number of ceramic layers included in the ceramic fired body is not limited thereto. That is, it should be understood that the ceramic fired body may be composed of three or more ceramic layers or more depending on the situation.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열칩을 이용한 방사 온도 특성 시험 결과를 도시하는 도표이고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열칩을 이용한 방사 온도 특성 시험 결과를 도시하는 도표이다. 즉, 도 6은 세라믹 소성체가 ZnO를 포함하는 세라믹 기판 즉, 하나의 세라믹 층으로 이루어진 방열칩에 대한 시험 결과를 나타내고, 도 7은 세라믹 소성체가 ZnO를 포함하는 세라믹 층과 Al2O3 또는 AlN으로 이루어진 세라믹 층이 2종 접합된 방열칩에 대한 시험 결과를 나타낸다. 또한, 도 6 및 도 7에 도시된 수치들은 단위가 ℃이다.6 is a chart showing the results of a radiation temperature characteristic test using a heat radiation chip according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a diagram showing a radiation temperature characteristic test result using a heat radiation chip according to a second embodiment of the present invention. It is a diagram. That is, FIG. 6 shows a test result of a ceramic substrate in which the ceramic sintered body contains ZnO, that is, a heat dissipation chip made of one ceramic layer, and FIG. 7 is a ceramic sintered body containing ZnO and Al 2 O 3 or AlN The test results for the heat dissipation chip in which two types of ceramic layers are bonded are shown. In addition, the numerical values shown in FIGS. 6 and 7 are in degrees Celsius.

도 6 및 도 7에서, K 및 Vt0는 올바른 온도 측정 및 온도의 변화량을 측정하기 위한 상수이고, 외기는 실외 온도를, Ta는 측정 대상의 온도, Tp는 측정 지점 부근의 온도, T_j는 측정 대상에 대한 피크 온도, △T는 T_j - Ta 온도를 나타낸다. 또한, 여기서 방사 부품은 열원 즉, 측정 대상에서 발생하는 열을 방사하기 위한 부품을 장착한 것을 나타낸다.In FIGS. 6 and 7, K and Vt 0 are constants for correct temperature measurement and measuring the amount of change in temperature, outside air is the outdoor temperature, Ta is the temperature of the object to be measured, Tp is the temperature near the measurement point, and T_j is the measurement. The peak temperature for the subject, ΔT represents the T_j-Ta temperature. In addition, the radiating part here refers to a heat source, that is, a component for radiating heat generated from a measurement object is mounted.

여기서, 시험 결과를 참조하면, 이종 접합을 이용한 방열칩이 ZnO를 포함하는 하나의 층으로 이루어진 방열칩보다 방열 효과가 우수하다는 것을 알 수 있다. 이러한 특징은 도 8 및 도 9를 참조하면 보다 분명해진다. 도 9에서 제 2 실시예는 이종 접합을 이용한 방열칩을, 제 1 실시예는 ZnO를 포함하는 하나의 세라믹 층으로 이루어진 방열칩을 나타낸다. 즉, 제 1 실시예에 따른 방열칩의 경우, 열을 방사하기 위한 부품이 적용 여부에 관계없이, 일정한 피크 온도를 갖게 되는 반면, 제 2 실시예에 따른 방열칩의 경우 열을 방사하기 위한 부품이 적용되는 경우 보다 높은 피크 온도의 감소 결과를 얻을 수 있다. 즉, 이를 통해, 본 발명의 이종 접합을 이용한 방열칩이 하나의 ZnO를 포함하는 층으로만 이루어진 방열칩보다 방열에 있어서 우수하다는 것을 알 수 있다. Here, referring to the test results, it can be seen that the heat dissipation chip using heterojunction has superior heat dissipation effect than the heat dissipation chip made of one layer containing ZnO. This feature becomes more apparent with reference to FIGS. 8 and 9. In FIG. 9, the second embodiment shows a heat dissipation chip using heterojunction, and the first embodiment shows a heat dissipation chip made of one ceramic layer including ZnO. That is, in the case of the heat dissipation chip according to the first embodiment, regardless of whether or not a component for radiating heat is applied, the heat dissipation chip according to the second embodiment has a constant peak temperature, whereas the heat dissipation chip according to the second embodiment is a component for radiating heat. A higher peak temperature reduction result can be obtained if this is applied. That is, through this, it can be seen that the heat dissipation chip using the heterojunction of the present invention is superior in heat dissipation than the heat dissipation chip composed of only one layer containing ZnO.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 방열칩의 제조 과정에 대한 흐름도이다. 이하의 서술에서 앞서 도 1 내지 도 9를 참조로 언급한 사항은 명세서의 명료함을 위해 생략한다.10 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a heat dissipation chip according to an embodiment of the present invention. In the following description, matters previously mentioned with reference to FIGS. 1 to 9 will be omitted for clarity of the specification.

먼저, 원료 분말을 준비하는 단계(S110)가 수행된다. 여기서 원료 분말은 LTCC, Al2O3, ZnO, MgO, ZrO2, AlN, BN, SiC 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함하는 세라믹 분말과, Bi2O3, Sb2O3, Co3O4, Cr2O3, Mn3O4, SiO2 중 적어도 하나의 첨가제를 혼합하여 형성된 분말을 나타낸다.First, a step (S110) of preparing a raw material powder is performed. Here, the raw material powder is a ceramic powder containing at least one of LTCC, Al 2 O 3 , ZnO, MgO, ZrO 2 , AlN, BN, SiC and Si 3 N 4 , and Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Co 3 O 4 , Cr 2 O 3 , Mn 3 O 4 , SiO 2 represents a powder formed by mixing at least one of the additives.

그 후, 원료 분말과 용매 및 유기물을 혼합하여 복수의 세라믹 그린 시트들을 제조하고 복수의 세라믹 그린 시트들을 적층하여 하부 방열층을 형성하고(S120), 하부 방열층의 상부에 상부 방열층을 형성하는 단계(S130)가 수행된다. 즉 S120 단계와 S130 단계는 복수의 세라믹 그린 시트들을 적층하여 세라믹 적층체를 형성하는 단계이다. 여기서, 하부 방열층은 Al2O3 또는 AlN을 전체 100 중량부 중 75 내지 95 중량부로, 바람직하게 전체 100 중량부 중 87 내지 93 중량부로 포함하는 층을 나타낸다. 또한, 상부 방열층은 ZnO를 전체 100 중량부 중 75 내지 95 중량부로, 바람직하게 전체 100 중량부 중 87 내지 93 중량부로 포함하는 층을 나타낸다.Thereafter, a plurality of ceramic green sheets are prepared by mixing a raw material powder, a solvent, and an organic material, and a lower heat dissipation layer is formed by laminating the plurality of ceramic green sheets (S120), and an upper heat dissipation layer is formed on the lower heat dissipation layer. Step S130 is performed. That is, steps S120 and S130 are steps of forming a ceramic laminate by stacking a plurality of ceramic green sheets. Here, the lower heat dissipation layer represents a layer including Al 2 O 3 or AlN in an amount of 75 to 95 parts by weight, preferably 87 to 93 parts by weight of the total 100 parts by weight. In addition, the upper heat dissipation layer represents a layer comprising 75 to 95 parts by weight of ZnO, preferably 87 to 93 parts by weight of the total 100 parts by weight.

이러한 S120 단계 및 S130 단계는 구체적으로, 테이프 캐스팅(Tape casting) 세라믹 성형 공정, 인쇄 및 적층 및 커팅을 통해 이루어진다. 여기서, 테이프 캐스팅 세라믹스 성형공정은 매우 미세한 세라믹 분말을 수계 또는 비수계 용매(solvent)와 결합제, 가소제, 분산제, 소포제(defoamer), 계면활성제 등을 적정비로 혼합하여 세라믹 슬러리(slurry)를 제조한 후, 움직이는 블레이드 또는 움직이는 운반 필름 위에 일정한 두께로 목적하는 바에 따라서 성형하는 방법을 나타낸다. 이러한 성형 공정은 잘 알려진 바와 같이, 테이프 캐스팅, 연속 테이프 캐스팅, 나이프 캐스팅 및 닥터 블레이드법과 같은 여러 명칭으로 불리고 있다.These steps S120 and S130 are specifically performed through a tape casting ceramic molding process, printing, lamination, and cutting. Here, in the tape casting ceramics molding process, a ceramic slurry is prepared by mixing very fine ceramic powder with an aqueous or non-aqueous solvent and a binder, plasticizer, dispersant, defoamer, and surfactant at an appropriate ratio. , It shows a method of forming on a moving blade or a moving conveying film in a certain thickness as desired. This molding process, as is well known, is called by several names such as tape casting, continuous tape casting, knife casting and doctor blade method.

그 후, 소성 시 수축될 수 있는 그린 시트의 수축율에 기인하여, 복수의 그 린시트들의 적층이 이루어질 수 있다. 그 후, 원하는 크기로 커팅이 수행된다.Thereafter, due to the shrinkage rate of the green sheet that may shrink during firing, a plurality of green sheets may be laminated. After that, cutting is performed to the desired size.

그 후, 세라믹 적층체를 소성하여 세라믹 소성체를 형성하는 단계(S140)가 수행된다. 또한, S140 단계는 먼저 바인드 번 아웃(bind burn out) 공정을 통해 유기물이 제거될 수 있고, 기설정된 온도로 소성이 이루어질 수 있다.Thereafter, a step (S140) of forming a ceramic fired body by firing the ceramic multilayer body is performed. In addition, in step S140, organic matter may be first removed through a bind burn out process, and firing may be performed at a preset temperature.

그 후, S140 단계에서 형성된 세라믹 소성체의 외주면에 적어도 하나의 전극을 형성하는 단계(S150)가 수행된다. S150 단계에서 형성되는 적어도 하나의 전극은 일체로 구성될 수 있다. 또한, S150 단계에서 형성되는 적어도 하나의 전극은 Ag, Cu, Ni, W, AgPd 및 TiN 중 적어도 하나를 포함하는 도전성 재료들을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, S150 단계에서 형성되는 적어도 하나의 전극은 도 3 내지 도 5를 참고로 서술한 것처럼 다양한 형태를 가질 수 있다. Thereafter, a step (S150) of forming at least one electrode on the outer peripheral surface of the ceramic sintered body formed in step S140 is performed. At least one electrode formed in step S150 may be integrally configured. In addition, at least one electrode formed in step S150 may include conductive materials including at least one of Ag, Cu, Ni, W, AgPd, and TiN. In addition, at least one electrode formed in step S150 may have various shapes as described with reference to FIGS. 3 to 5.

즉, S150 단계에서 형성되는 적어도 하나의 전극은 도 3을 참조로 언급한 것처럼 하부 방열층의 하부에서 서로 대향하고 이격되도록 형성되는 2개의 전극을 포함하여 구성될 수 있다.That is, at least one electrode formed in step S150 may include two electrodes formed to face each other and spaced apart from each other under the lower heat dissipation layer, as mentioned with reference to FIG. 3.

또한, S150 단계에서 형성되는 상기 2개의 전극은 도 4를 참조로 언급한 것처럼, 세라믹 소성체의 하부 및 측면부에서 서로 대향하고 이격되도록 형성되는 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 2개의 전극은 하부에 형성된 형태에서 측면부까지 연장하여 형성될 수 있다.In addition, as mentioned with reference to FIG. 4, the two electrodes formed in step S150 may have a shape formed to face each other and spaced apart from each other at the lower and side portions of the ceramic sintered body. That is, the two electrodes may be formed by extending from the lower portion to the side portion.

또한, S150 단계에서 형성되는 상기 2개의 전극은 도 5를 참조로 언급한 것처럼, 세라믹 소성체의 하부, 측면부 및 상부에서 서로 대향하고 이격되도록 형성되는 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 2개의 전극은 하부 및 측면부에 형성된 형태에서 상부까지 연장하여 형성될 수 있다.In addition, as mentioned with reference to FIG. 5, the two electrodes formed in step S150 may be formed to face each other and spaced apart from each other at the lower part, the side part, and the upper part of the ceramic sintered body. That is, the two electrodes may be formed extending from a shape formed on the lower and side portions to the upper portion.

이렇게, 방열칩은 S150 단계에서 형성되는 적어도 하나의 전극의 형태에 따라, 방사 효과 및 전도 효과에 차이를 줄 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 방열칩은 사용 목적에 따라 전극의 형태를 구분하여 제조함으로써, 보다 효율적인 방열이 가능해진다.In this way, the heat dissipation chip may give a difference in the radiation effect and the conduction effect according to the shape of at least one electrode formed in step S150. Through this, the heat dissipation chip of the present invention is manufactured by dividing the shape of the electrode according to the purpose of use, thereby enabling more efficient heat dissipation.

이렇게 S110 단계 내지 S150 단계를 거쳐 제조된 방열칩은 예를 들어, IC 칩, LCD 및 LED TV, 컴퓨터 메인보드 및 다수의 응용 제품 등에 적용될 수 있다. 또한, 이렇게 제조된 방열칩은 알루미늄 제품이 아닌 세라믹을 이용하므로, 열 방출 효과가 크고 공간 절약을 도모할 수 있다. 즉, 본 발명의 방열칩은 세라믹을 이용하므로, 방사율이 높은 세라믹의 특징에 기인하여, 열을 효과적으로 발산할 수 있다. 또한, 본 발명의 방열칩은 별도의 팬을 이용하지 않는 구성에 기인하여, 추가적인 전력 소비가 필요 없고, 팬의 작동에 의해 발생하는 소음을 없앨 수 있으며, 부피 또한 작아질 수 있다.The heat dissipation chip manufactured through the steps S110 to S150 may be applied to, for example, an IC chip, an LCD and LED TV, a computer main board, and a number of application products. In addition, since the heat dissipation chip manufactured in this way uses ceramic, not aluminum, the heat dissipation effect is large and space saving can be achieved. That is, since the heat dissipation chip of the present invention uses ceramic, due to the characteristic of ceramic having high emissivity, heat can be effectively dissipated. In addition, the heat dissipation chip of the present invention does not require additional power consumption due to a configuration that does not use a separate fan, and noise generated by the operation of the fan can be eliminated, and the volume can be reduced.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적의 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, an optimal embodiment has been disclosed in the drawings and specifications. Although specific terms have been used herein, these are only used for the purpose of describing the present invention, and are not used to limit the meaning or the scope of the present invention described in the claims. Therefore, those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

200 : 방열칩 210 : 세라믹 소성체
220 : 전극
200: heat dissipation chip 210: ceramic sintered body
220: electrode

Claims (8)

각종 전자회로에 실장되어 전자부품에서 발생하는 열을 방열하기 위한 방열칩으로서,
Al2O3 또는 AlN을 주성분으로 하는 세라믹 기판으로 구성된 하부 방열층;
상기 하부 방열층의 상부에 형성되고, ZnO를 주성분으로 하는 상부 방열층; 및
상기 하부 방열층 및 상기 상부 방열층을 포함하는 세라믹 소성체의 외주면에 형성된 적어도 하나의 전극을 포함하고,
상기 적어도 하나의 전극은,
상기 하부 방열층의 하부에서 서로 대향하고 이격되도록 형성되는 2개의 전극을 포함하여 구성되며,
상기 2개의 전극은,
상기 세라믹 소성체의 측면부, 정면부, 후면부 및 상부를 포함하는 전체 면까지 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하며,
상기 하부 방열층은 전체 100 중량부 중 Al2O3 또는 AlN을 75 내지 95 중량부로 포함하여 형성되고, 상기 상부 방열층은 전체 100 중량부 중 ZnO를 75 내지 95 중량부로 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하며,
상기 하부 방열층 및 상부 방열층의 내부에는 내부전극이 형성되어 있지 않은, 방열칩.
As a heat dissipation chip mounted on various electronic circuits to dissipate heat generated from electronic parts,
A lower heat dissipation layer composed of a ceramic substrate containing Al 2 O 3 or AlN as a main component;
An upper heat dissipation layer formed on the lower heat dissipation layer and containing ZnO as a main component; And
And at least one electrode formed on an outer circumferential surface of a ceramic sintered body including the lower heat dissipation layer and the upper heat dissipation layer,
The at least one electrode,
Consisting of including two electrodes formed to face each other and spaced apart from the lower portion of the lower heat dissipation layer,
The two electrodes,
It characterized in that it is formed to extend to the entire surface including the side portion, the front portion, the rear portion and the upper portion of the ceramic sintered body,
The lower heat dissipation layer is formed by including 75 to 95 parts by weight of Al 2 O 3 or AlN out of 100 parts by weight, and the upper heat dissipation layer is formed by including 75 to 95 parts by weight of ZnO out of 100 parts by weight. And
A heat dissipation chip in which an internal electrode is not formed inside the lower heat dissipation layer and the upper heat dissipation layer.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전극은 Ag, Cu, Ni, W, AgPd 및 TiN 중 적어도 하나를 포함하는 도전성 재료를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는, 방열칩..
The method of claim 1,
The at least one electrode is characterized in that consisting of a conductive material including at least one of Ag, Cu, Ni, W, AgPd and TiN.
제1항에 있어서,
상기 하부 방열층 및 상부 방열층은,
Bi2O3, Sb2O3, Co3O4, Cr2O3, Mn3O4 및 SiO2 중 적어도 하나의 첨가제를 혼합한 분말을 소성하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 방열칩.
The method of claim 1,
The lower heat dissipation layer and the upper heat dissipation layer,
Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Co 3 O 4 , Cr 2 O 3 , Mn 3 O 4 And SiO 2 , characterized in that formed by firing a powder mixed with at least one additive of the heat dissipation chip.
삭제delete
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