KR102126027B1 - Organic Light Emitting Display Device - Google Patents

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KR102126027B1
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박진호
윤성지
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역이 구획된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 정공주입층; 상기 정공주입층 상에 배치된 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치된 전자차단층; 상기 전자차단층 상에 배치된 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 배치된 전자수송층; 및 상기 전자수송층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 정공수송층은 상기 전자차단층과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 유기발광층 사이의 유기물층들을 동일 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.The present invention discloses an organic light emitting display device. The disclosed organic light emitting display device according to the present invention includes: a first electrode in which red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions are partitioned; A hole injection layer disposed on the first electrode; A hole transport layer disposed on the hole injection layer; An electron blocking layer disposed on the hole transport layer; An organic light emitting layer disposed on the electron blocking layer; An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And a second electrode disposed on the electron transport layer, wherein the hole transport layer is formed of the same material as the electron blocking layer.
The organic light emitting display device according to the present invention has an effect of reducing the number of processes and improving device life by forming the organic material layers between the anode electrode of the organic light emitting diode and the organic light emitting layer from the same material.

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}Organic Light Emitting Display Device

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유기발광 다이오드에 형성되는 전자차단층과 정공수송층을 동일 재료로 형성하여, 정공 전달 특성과 소자 수명을 개선한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, to an organic light emitting display device having an electron blocking layer and a hole transport layer formed on an organic light emitting diode formed of the same material, thereby improving hole transport characteristics and device life. It is about.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display:LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel :PDP) 및 전계발광장치(Electroluminescence Device) 등이 있다.Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube, have been developed. The flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence device.

PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT(Thin Film Transistor) 액정표시장치LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드를 포함하는 표시장치와 유기발광다이오드를 포함하는 표시장치로 대별되며, 이 중 유기발광다이오드를 포함하는 장치를 유기전계발광표시장치라 하고, 유기전계발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The PDP is attracting attention as a display device most advantageous for a large screen while being light and simple due to its simple structure and manufacturing process, but has a disadvantage of low luminous efficiency, low luminance, and high power consumption. TFT (Thin Film Transistor) Liquid Crystal Display (LCD) Thin Film Transistor LCD (LCD) is the most widely used flat panel display device, but it has a problem that the viewing angle is narrow and the response speed is low. The electroluminescent device is roughly classified into a display device including an inorganic light-emitting diode and a display device including an organic light-emitting diode according to the material of the light-emitting layer. Among them, an organic light-emitting display device is called an organic light-emitting display device. The light-emitting display device is a self-emission device that emits light by itself, and has a fast response speed, high light emission efficiency, high brightness, and a large viewing angle.

종래 유기전계발광표시장치에 형성된 유기발광다이오드는 애노드 전극(ANODE)과 캐소드 전극(CATHODE) 사이에 빛을 내는 유기발광층(Emission Layer: EML)을 포함하는 구조로 이루어져 있다. 상기 애노드 전극(ANODE)으로부터는 정공이 주입되며 캐소드 전극(CATHODE)으로부터는 전자가 주입된다.The organic light-emitting diode formed on the conventional organic light emitting display device has a structure including an emission layer (EML) that emits light between the anode electrode (ANODE) and the cathode electrode (CATHODE). Holes are injected from the anode electrode (ANODE) and electrons are injected from the cathode electrode (CATHODE).

상기 애노드 전극과 캐소드 전극들(ANODE, CATHODE)로부터 주입된 정공과 전자는 빛을 내는 유기발광층(emissionlayer : EML)에 주입되어 여기자인 액시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤은 에너지를 빛으로 방출하면서 발광하게 된다.Holes and electrons injected from the anode electrode and the cathode electrodes (ANODE, CATHODE) are injected into a light emitting organic emission layer (EML) to form excitons, which are excitons. It emits light while emitting.

또한, 이들 전극들로부터 유기발광층(EML)으로의 정공 및 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 유기발광층(EML)과 애노드 전극(ANODE) 사이에는 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL), 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL) 및 전자차단층(EBL: Electron Blocking Layer)이 형성되며, 유기발광층(EML)과 캐소드 전극(CATHODE) 사이에는 전자수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer : EIL)이 형성된다.In addition, a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HTL) between the organic light emitting layer (EML) and the anode electrode (ANODE) to facilitate the injection of holes and electrons from these electrodes to the organic light emitting layer (EML) ( A hole injection layer (HIL) and an electron blocking layer (EBL) are formed, and between the organic light emitting layer (EML) and the cathode electrode (CATHODE), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection) Layer: EIL) is formed.

하지만, 종래 기술에서는 정공수송층(HTL), 정공주입층(HIL) 및 전자차단층(EBL)들을 각각의 챔버에서 개별적으로 형성하였기 때문에 공정이 복잡하고, 공정 시간이 오래 소요되는 문제가 있었다.
However, in the prior art, since the hole transport layer (HTL), the hole injection layer (HIL), and the electron blocking layer (EBL) are individually formed in each chamber, the process is complicated and the process takes a long time.

본 발명은, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 유기발광층 사이의 유기물층들을 동일 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 유기전계발광표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having organic material layers between an anode electrode of an organic light emitting diode and an organic light emitting layer made of the same material, reducing the number of processes and improving device life.

또한, 본 발명은, 유기발광다이오드의 정공주입층과 정공수송층을 열안정성과 정공전달 특성이 우수한 전자차단층 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 유기전계발광표시장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
In addition, the present invention is to provide an organic light emitting display device having a hole injection layer and a hole transport layer of an organic light emitting diode formed of an electron blocking layer material having excellent thermal stability and hole transport characteristics, reducing the number of processes and improving device life. There are other purposes.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역이 구획된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 정공주입층; 상기 정공주입층 상에 배치된 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치된 전자차단층; 상기 전자차단층 상에 배치된 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 배치된 전자수송층; 및 상기 전자수송층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 정공수송층은 상기 전자차단층과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic electroluminescent display device according to the present invention for solving the problems of the prior art includes: a first electrode in which red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions are partitioned; A hole injection layer disposed on the first electrode; A hole transport layer disposed on the hole injection layer; An electron blocking layer disposed on the hole transport layer; An organic light emitting layer disposed on the electron blocking layer; An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And a second electrode disposed on the electron transport layer, wherein the hole transport layer is formed of the same material as the electron blocking layer.

여기서, 상기 전자차단층은 상기 적색(R) 및 녹색(G) 서브 화소 영역과 대응되는 상기 유기발광층과 정공수송층 사이에 형성되고, 상기 전자차단층은 ris(phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF) Bis[4-(p, p-ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, NPD (4,4'-bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl), mCP (N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.Here, the electron blocking layer is formed between the red (R) and green (G) sub-pixel regions and the organic emission layer and the hole transport layer, and the electron blocking layer is ris (phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF) Bis[4-(p, p-ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, NPD (4,4'-bis[N -(1-napthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl), mCP (N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl] (4-methylphenyl)methane) is characterized in that any one selected from the group consisting of.

또한, 상기 전자차단층은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl 등의 할라이드 화합물과 Li2O, Li2O2, Na2O, K2O, Rb2O, Rb2O2, Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
In addition, the electron blocking layer includes halide compounds such as LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, and Li2O, Li2O2, Na2O, K2O , Rb2O, Rb2O2, Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2.

본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 유기발광층 사이의 유기물층들을 동일 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.The organic light emitting display device according to the present invention has an effect of reducing the number of processes and improving device life by forming the organic material layers between the anode electrode of the organic light emitting diode and the organic light emitting layer from the same material.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 정공주입층과 정공수송층을 열안정성과 정공전달 특성이 우수한 전자차단층 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device according to the present invention, the hole injection layer and the hole transport layer of the organic light emitting diode is formed of an electron blocking layer material having excellent thermal stability and hole transport properties, reducing the number of processes and improving the device life There is.

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구조를 도시한 도면이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 청색(B) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 녹색(G) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 적색(R) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 서브 화소 영역의 단면도이다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
2A and 2B are diagrams showing device characteristics in the blue (B) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.
3A and 3B are diagrams showing device characteristics in a green (G) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.
4A and 4B are diagrams showing device characteristics in the red (R) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention can be sufficiently transmitted to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Throughout the specification, the same reference numbers refer to the same components.

본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 타이밍제어부, 데이터구동부, 스캔구동부 및 표시패널이 포함된다.The organic light emitting display device according to the present invention includes a timing control unit, a data driving unit, a scan driving unit and a display panel.

타이밍제어부는 외부 예컨대 영상처리부로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 클럭신호및 데이터신호를 공급받는다. 타이밍제어부는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 클럭신호 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부와 스캔구동부의 동작 타이밍을 제어한다.The timing control unit receives a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, a clock signal and a data signal from an external image processing unit. The timing control unit controls the operation timing of the data driving unit and the scan driving unit using timing signals such as a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, and a clock signal.

데이터구동부는 타이밍제어부로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호에 응답하여 타이밍제어부로부터 공급되는 데이터신호를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터신호로 변환한다. 데이터구동부는 감마기준전압에 대응하여 디지털 데이터신호를 병렬 데이터 체계의 아날로그 데이터신호로 변환한다. 데이터구동부는 데이터 라인들을 통해 변환된 데이터신호를 표시패널에 포함된 서브 픽셀들에 공급한다.The data driving unit samples and latches the data signal supplied from the timing control unit in response to the data timing control signal supplied from the timing control unit, and converts it into a data signal of a parallel data system. The data driving unit converts the digital data signal into an analog data signal of a parallel data system in response to the gamma reference voltage. The data driver supplies the data signal converted through the data lines to sub-pixels included in the display panel.

스캔구동부는 타이밍제어부로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호에 응답하여 스캔신호를 순차적으로 생성한다. 스캔구동부는 스캔라인들을 통해 생성된 스캔신호를 표시패널에 포함된 서브 픽셀들에 공급한다.The scan driver sequentially generates a scan signal in response to the gate timing control signal supplied from the timing control unit. The scan driver supplies the scan signal generated through the scan lines to sub-pixels included in the display panel.

표시패널은 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀들을 포함한다. 서브 픽셀들은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀로 구성되거나 백색 서브 픽셀과 백색 서브 픽셀의 백색 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 색변환층으로 구성될 수 있다. 서브 픽셀들은 패시브형 또는 액티브형으로 구성된다. 예컨대 액티브형 서브 픽셀에는 스캔신호에 응답하여 데이터신호를 공급하는 스위칭 트랜지스터, 데이터신호를 데이터전압으로 저장하는 커패시터, 데이터전압에 대응하여 구동전류를 생성하는 구동 트랜지스터 및 구동전류에 대응하여 광을 출사하는 유기발광 다이오드가 포함된다. 액티브형 서브 픽셀들은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 유기발광 다이오드를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 3T1C, 4T2C, 5T2C 등과 같이 트랜지스터나 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다. 또한, 서브 픽셀들은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성될 수 있다.The display panel includes sub-pixels arranged in a matrix form. The sub-pixels may be composed of red, green, and blue sub-pixels, or may be composed of a white sub-pixel and a color conversion layer that converts white light of the white sub-pixel to red, green, and blue. The sub-pixels are of a passive type or an active type. For example, an active sub-pixel emits light in response to a driving current and a switching transistor that supplies a data signal in response to a scan signal, a capacitor that stores the data signal as a data voltage, a driving transistor that generates a driving current in response to the data voltage, and a driving current. An organic light emitting diode is included. Active sub-pixels may be composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode, or a structure in which a transistor or a capacitor is further added, such as 3T1C, 4T2C, 5T2C, etc. have. Further, the sub-pixels may be formed in a top-emission method, a bottom-emission method, or a dual-emission method depending on the structure.

한편, 표시패널을 구성하는 서브 픽셀들은 발광 효율과 색좌표를 개선하기 위한 마이크로 캐비티(micro cavity) 또는 스택(stack) 구조로 구성되는데, 이를 더욱 자세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the sub-pixels constituting the display panel are configured with a micro cavity or a stack structure for improving light emission efficiency and color coordinates, which will be described in more detail as follows.

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구조를 도시한 도면이다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역들로 구분되는 기판 상에 반사 전극 역할을 하는 제1 전극(110)을 형성하고, 상기 제1 전극(110) 상에 정공주입층(HIL: Hole Injection Layer, 125)과 정공수송층(HTL: Hole Transport Layer,126)이 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역에 공통층으로 적층 형성된다. 상기 기판은 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판으로써, 도 5에서 상세히 설명한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device of the present invention includes a first electrode 110 serving as a reflective electrode on a substrate divided into red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions. A hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer, 125) and a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer, 126) on the first electrode 110 are red (R), green (G), and blue ( B) The sub-pixel region is formed as a common layer. The substrate is an array substrate including a thin film transistor, which will be described in detail in FIG. 5.

상기 제1 전극(110)은 유기발광다이오드의 애노드(anonde) 전극 역할을 하고, 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같이 반사율이 높은 제1 금속막(110a) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명성 도전물질로된 제2 금속막(110b)이 적층 형성될 수 있다.The first electrode 110 serves as an anode electrode of the organic light emitting diode, and ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the first metal film 110a having high reflectance such as aluminum (Al) and silver (Ag). , A second metal film 110b made of a transparent conductive material such as IZO (Indium Zinc Oxide) may be stacked.

상기 정공수송층(126) 상에는 전자차단층(EBL: Electron Blocking Layer, 130)이 형성된다.An electron blocking layer (EBL) 130 is formed on the hole transport layer 126.

상기 전자자차단층(EBL: 130)을 구성하는 물질은 Tris(phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF) Bis[4-(p, p-ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, NPD (4,4'-bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl), mCP (N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane) 등으로부터 선택될 수 있다.The material constituting the electron blocking layer (EBL: 130) is Tris(phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF) Bis[4-(p, p-ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, NPD (4,4'-bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl), mCP (N,N'-dicarbazolyl- 3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane), and the like.

또한, 상기 전자차단층(EBL: 130)은 무기 화합물을 포함할 수 있다. 무기화합물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl 등의 할라이드 화합물과 Li2O, Li2O2, Na2O, K2O, Rb2O, Rb2O2, Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2 등의 산화물로부터 선택될 수 있다.In addition, the electron blocking layer (EBL: 130) may include an inorganic compound. Inorganic compounds include LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, and FrCl, and halide compounds such as Li2O, Li2O2, Na2O, K2O, Rb2O, and Rb2O2 , Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2, and other oxides.

또한, 상기 전자차단층(130)의 물질은 LUMO 값이 2.2eV 이하의 값을 갖는 재료에서 선택될 수 있다.In addition, the material of the electron blocking layer 130 may be selected from materials having a LUMO value of 2.2 eV or less.

상기 전자차단층(130)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역에서 적색(R), 녹색(G) 서브 화소 영역에만 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역에 공통층으로 형성될 수 있다.The electron blocking layer 130 may be formed only in the red (R) and green (G) sub-pixel regions in the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions. In some cases, the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions may be formed as a common layer.

또한, 상기 전자차단층(130)은 적색(R) 및 녹색(G) 서브 화소 영역에서 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.In addition, the electron blocking layer 130 may be formed in different thicknesses in the red (R) and green (G) sub-pixel regions.

본 발명에서는 전자차단층(130)을 구성하는 유기 화합물 또는 무기화합물을 상기 정공주입층(125)과 정공수송층(126)에도 적용하여, 동일한 챔버내에서 상기 정공주입층(125), 정공수송층(126) 및 전자차단층(130)을 형성할 수 있다.In the present invention, the organic compound or the inorganic compound constituting the electron blocking layer 130 is also applied to the hole injection layer 125 and the hole transport layer 126, so that the hole injection layer 125 and the hole transport layer in the same chamber ( 126) and the electron blocking layer 130 may be formed.

경우에 따라서는 상기 정공수송층(126)과 전자차단층(130)만을 전자차단층(130) 물질로 형성할 수 있다.In some cases, only the hole transport layer 126 and the electron blocking layer 130 may be formed of an electron blocking layer 130 material.

상기 정공주입층(125)은 p-dopant 가 1 ~ 10% 적용된 층이거나 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HAT-CN) 또는 Metal oxide (MoO3, WO3)을 포함할 수 있다.The hole injection layer 125 is a layer in which p-dopant is applied 1 to 10%, or includes 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HAT-CN) or metal oxide (MoO 3 , WO 3 ) Can.

또한, 상기 정공주입층(125)은 아릴아민 염기 계열(Arylamine Base)인 NATA, 2T-NATA, NPNPB와, P 도펀트(P-doped System)인 F4-TCNQ, PPDN로 이루어진 군에서 선택되어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In addition, the hole injection layer 125 may be selected from the group consisting of NATA, 2T-NATA, NPNPB, which is an arylamine base, and F4-TCNQ, PPDN, which is a P-doped system. , But is not limited to this.

상기 전자차단층(130) 상에는 유기발광층(135)이 형성되고, 상기 유기발광층(135)은, 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질을 포함할 수 있다.The organic light-emitting layer 135 is formed on the electron blocking layer 130, and the organic light-emitting layer 135 may include a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons, respectively.

상기 유기발광층(135)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역과 대응되는 영역에 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 구분되어 형성되고, 각각의 발광층들의 두께는 서로 다른 두께를 가질 수 있다.The organic emission layer 135 is formed by dividing the red emission layer, the green emission layer, and the blue emission layer in regions corresponding to the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions, and the thicknesses of the respective emission layers are mutually different. It may have a different thickness.

발광층의 재료로는 당해 기술분야에 알려져 있는 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 발광층 재료로는 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질을 사용할 수 있다. 발광층 재료의 구체적인 예로, 적색(R) 발광층인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.As the material for the light emitting layer, materials known in the art can be used. For example, a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence may be used as the light emitting layer material. As a specific example of the light emitting layer material, in the case of the red (R) light emitting layer, a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis(carbazol-9-yl)) is included, and PIQIr(acac)(bis( 1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) and PtOEP(octaethylporphyrin platinum). It may be made of a phosphor containing a dopant, or alternatively, may be made of a fluorescent material including PBD:Eu(DBM)3(Phen) or Perylene, but is not limited thereto.

녹색(G) 발광층인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In the case of the green (G) light emitting layer, it may include a host material including CBP or mCP, and may be made of a phosphor containing a dopant material including Ir(ppy)3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium), Unlike this, Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum) may be made of a fluorescent material, but is not limited thereto.

청색(B) 발광층인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In the case of a blue (B) light emitting layer, a host material including CBP or mCP may be formed, and may be made of a phosphor material including a dopant material including (4,6-F2ppy)2Irpic. Alternatively, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymers and PPV-based polymers may be made of a fluorescent material including any one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

상기 유기발광층(135) 상에는 전자수송층(ETL: Electron Transport Layer, 136)이 형성되고, 상기 전자수송층(136)은 전자주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.An electron transport layer (ETL) 136 is formed on the organic light emitting layer 135, and the electron transport layer 136 may include an electron injection layer (EIL).

상기 전자수송층(136)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron transport layer 136 serves to facilitate the transport of electrons, and is made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq. However, it is not limited thereto.

상기 전자수송층(136) 상에는 제2 전극(140)이 형성되고, 상기 제2 전극(140) 상에는 캐핑층(CPL: Capping Layer, 150)이 형성된다.A second electrode 140 is formed on the electron transport layer 136, and a capping layer (CPL) 150 is formed on the second electrode 140.

상기 제2 전극(140)은 캐소드(Cathode) 전극으로써, 일함수가 낮으면서 전도성이 우수하며 면 저항이 낮은 물질을 사용하는데, 1족 혹은 2족의 알카리금속 혹은 알카리 토금속 및 전이금속이 이용될 수 있다. 예로, 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬(LiF), ITO, IZO 등으로 구성된 단층전극, 다층전극 또는 이들을 혼합한 혼합전극으로 구성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second electrode 140 is a cathode electrode, which uses a material having a low work function, excellent conductivity, and low surface resistance. Alkali metal or alkali earth metal and transition metal of Group 1 or 2 may be used. Can. For example, single-layered electrodes, multi-layered electrodes or mixtures of silver (Ag), aluminum (Al), magnesium (Mg), lithium (Li), calcium (Ca), lithium fluoride (LiF), ITO, IZO, etc. It may be configured as an electrode, but is not limited thereto.

또한, 상기 캐핑층(150)은 NPD와 같은 물질로 형성될 수 있다.In addition, the capping layer 150 may be formed of a material such as NPD.

본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 유기발광층 사이의 유기물층들을 동일 물질로 형성하여, 챔버 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.The organic light emitting display device according to the present invention has the effect of forming the organic material layers between the anode electrode of the organic light emitting diode and the organic light emitting layer with the same material, reducing the number of chamber processes and improving device life.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)을 열안정성과 정공전달 특성이 우수한 전자차단층(EBL) 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device according to the present invention, the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) of the organic light-emitting diode is formed of an electron blocking layer (EBL) material having excellent thermal stability and hole transport properties, the process It has the effect of reducing the number and improving the device life.

도 2a 및 2b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 청색(B) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.2A and 2B are diagrams showing device characteristics in the blue (B) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역 중 청색(B) 서브 화소 영역에 대해 종래기술과 본 발명의 실시예의 소자 특성을 비교하였다.2A and 2B, the device characteristics of the prior art and the embodiment of the present invention were compared with respect to the blue (B) sub-pixel region among the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions.

종래기술은 애노드 전극과 유기발광층(EML) 사이에 배치되는 전자주입층(HIL), 정공수송층(HTL) 및 전자차단층(EBL)들이 각각 독립된 챔버에서 서로 다른 물질로 형성되는 경우이다.The prior art is a case where the electron injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL) and the electron blocking layer (EBL) disposed between the anode electrode and the organic light emitting layer (EML) are formed of different materials in separate chambers, respectively.

본 발명의 실시예는 정공수송층(HTL)과 정공주입층(HIL) 또는 정공수송층(HTL)을 전자차단층(EBL) 물질로 형성할 경우이다.An embodiment of the present invention is a case in which the hole transport layer (HTL) and the hole injection layer (HIL) or the hole transport layer (HTL) are formed of an electron blocking layer (EBL) material.

도면에 도시된 바와 같이, 청색(B) 서브 화소 영역에서 구동전압[V], 전류 효율[cd/A] 및 색좌표[CIE_x,CIE_y]는 종래 기술과 본 발명이 거의 동일한 값을 갖지만, 유기발광다이오드의 수명은 20% 이상 상승된 것을 볼 수 있다.As shown in the figure, the driving voltage [V], the current efficiency [cd/A], and the color coordinates [CIE_x, CIE_y] in the blue (B) sub-pixel region have almost the same values as the prior art and the present invention, but organic emission. It can be seen that the lifetime of the diode is increased by 20% or more.

도 2b를 참조하면, 청색(B) 광을 발생하는 유기발광다이오드는 시간에 따라 휘도 저하 기울기가 종래 기술보다 본 발명에서 완만해지는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 2B, it can be seen that the organic light-emitting diode generating blue (B) light has a slower slope in which the luminance decreases in the present invention than in the prior art.

따라서, 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 정공주입층과 정공수송층을 동일 챔버내에서 전자차단층 물질로 형성할 경우, 소자의 전압, 전류 특성은 변화시키지 않으면서 공정 수를 줄이고, 소자 수명을 개선할 수 있다.
Accordingly, in the organic light emitting display device of the present invention, when the hole injection layer and the hole transport layer of the organic light emitting diode are formed of an electron blocking layer material in the same chamber, the number of processes is not changed without changing the voltage and current characteristics of the device. It can reduce and improve the device life.

도 3a 및 3b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 녹색(G) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.3A and 3B are diagrams showing device characteristics in the green (G) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역 중 녹색(G) 서브 화소 영역에 대해 종래기술과 본 발명의 실시예의 소자 특성을 비교하였다. 3A and 3B, the device characteristics of the prior art and the embodiment of the present invention were compared with respect to the green (G) sub-pixel region among the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions.

종래기술은 애노드 전극과 유기발광층(EML) 사이에 배치되는 전자주입층(HIL), 정공수송층(HTL) 및 전자차단층(EBL)들이 각각 독립된 챔버에서 서로 다른 물질로 형성되는 경우이다.The prior art is a case where the electron injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL) and the electron blocking layer (EBL) disposed between the anode electrode and the organic light emitting layer (EML) are formed of different materials in separate chambers, respectively.

본 발명의 실시예는 정공수송층(HTL)과 정공주입층(HIL) 또는 정공수송층(HTL)을 전자차단층(EBL) 물질로 형성할 경우이다.An embodiment of the present invention is a case in which the hole transport layer (HTL) and the hole injection layer (HIL) or the hole transport layer (HTL) are formed of an electron blocking layer (EBL) material.

도면에 도시된 바와 같이, 녹색(G) 서브 화소 영역에서는 구동전압[V], 전류 효율[cd/A], 색좌표[CIE_x,CIE_y] 및 소자 수명이 거의 동일한 값을 갖는 것을 볼 수 있다.As shown in the figure, it can be seen that in the green (G) sub-pixel region, the driving voltage [V], the current efficiency [cd/A], the color coordinates [CIE_x,CIE_y], and the device lifetime have almost the same values.

도 3b를 참조하면, 녹색(G) 광을 발생하는 유기발광다이오드는 시간에 따라 휘도 저하 기울기가 종래 기술와 본 발명이 거의 동일한 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 3B, it can be seen that the organic light-emitting diode that generates green (G) light has the same slope as the prior art and the present invention in which the gradient of the luminance decreases with time.

즉, 종래기술과 같이, 애노드 전극과 유기발광층(EML) 사이에 전자주입층(HIL), 정공수송층(HTL) 및 전자차단층(EBL)들을 각각 독립적으로 형성하는 구조와 본 발명에서와 같이, 정공수송층(HTL)과 정공주입층(HIL) 또는 정공수송층(HTL)을 전자차단층(EBL) 물질로 형성할 경우, 녹색(G) 서브 화소 영역에서는 큰 변화가 없다.That is, as in the prior art, the structure of forming the electron injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL) and the electron blocking layer (EBL) between the anode electrode and the organic light emitting layer (EML), respectively, as in the present invention, When the hole transport layer (HTL) and the hole injection layer (HIL) or the hole transport layer (HTL) are formed of an electron blocking layer (EBL) material, there is no significant change in the green (G) sub-pixel region.

도 4a 및 4b는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 적색(R) 서브 화소 영역에서의 소자 특성을 도시한 도면이다.4A and 4B are diagrams showing device characteristics in a red (R) sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역 중 적색(R) 서브 화소 영역에 대해 종래기술과 본 발명의 실시예의 소자 특성을 비교하였다.4A and 4B, the device characteristics of the prior art and the embodiment of the present invention were compared with respect to the red (R) sub-pixel region among the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions.

종래기술은 애노드 전극과 유기발광층(EML) 사이에 배치되는 전자주입층(HIL), 정공수송층(HTL) 및 전자차단층(EBL)들이 각각 독립된 챔버에서 서로 다른 물질로 형성되는 경우이다.The prior art is a case where the electron injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL) and the electron blocking layer (EBL) disposed between the anode electrode and the organic light emitting layer (EML) are formed of different materials in separate chambers, respectively.

본 발명의 실시예는 정공수송층(HTL)과 정공주입층(HIL) 또는 정공수송층(HTL)을 전자차단층(EBL) 물질로 형성할 경우이다.An embodiment of the present invention is a case in which the hole transport layer (HTL) and the hole injection layer (HIL) or the hole transport layer (HTL) are formed of an electron blocking layer (EBL) material.

도면에 도시된 바와 같이, 적색(R) 서브 화소 영역에서는 구동전압[V], 전류 효율[cd/A] 및 색좌표[CIE_x,CIE_y] 값이 종래 기술과 본 발명이 큰 변화가 없다.As shown in the figure, in the red (R) sub-pixel region, the driving voltage [V], current efficiency [cd/A], and color coordinate [CIE_x,CIE_y] values do not change significantly in the prior art and the present invention.

하지만, 유기발광다이오드의 수명은 본 발명에서 20% 정도 상승하는 것을 볼 수 있다.However, it can be seen that the life of the organic light emitting diode is increased by about 20% in the present invention.

도 4b를 참조하면, 적색(R) 광을 발생하는 유기발광다이오드는 시간에 따라 휘도 저하 기울기가 종래 기술보다 본 발명에서 더 완만해지는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 4B, it can be seen that the organic light-emitting diode generating red (R) light has a more gentle slope in the present invention than the prior art.

따라서, 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 정공주입층과 정공수송층을 동일 챔버내에서 전자차단층 물질로 형성할 경우, 소자의 전압, 전류 특성은 변화시키지 않으면서 공정 수를 줄이고, 소자 수명을 개선할 수 있다.Accordingly, in the organic light emitting display device of the present invention, when the hole injection layer and the hole transport layer of the organic light emitting diode are formed of an electron blocking layer material in the same chamber, the number of processes is not changed without changing the voltage and current characteristics of the device. It can reduce and improve the device life.

도 5는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 서브 화소 영역의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a sub-pixel region of the organic light emitting display device of the present invention.

도 5를 참조하면, 박막 트랜지스터 영역(Thin Film Transistor; TFT), 캐패시터 영역(Cst) 및 패드 영역(Pad)으로 구분되는 기판(310) 상에 버퍼층(1312)을 형성한다.Referring to FIG. 5, a buffer layer 1312 is formed on a substrate 310 divided into a thin film transistor region (TFT), a capacitor region Cst, and a pad region Pad.

상기 기판(1310)은 절연 유리, 플라스틱 또는 도전성 기판을 사용할 수 있다.The substrate 1310 may be made of insulating glass, plastic, or conductive substrate.

상기 박막 트랜지스터 영역(TFT)은 탑-게이트 형으로서, 버퍼층(1312) 상에 형성된 불순물이 도핑된 소스/드레인 영역과 채널영역을 가지는 반도체층(1314)과, 반도체층(1314)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(1316)을 포함한다.The thin film transistor region TFT is a top-gate type, and includes a semiconductor layer 1314 having a source/drain region and a channel region doped with impurities formed on the buffer layer 1312 and a front surface including the semiconductor layer 1314. And a gate insulating film 1316 formed.

그리고 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 절연막(1316) 상에서 반도체층(1314)의 채널영역 상부에 오버랩되는 게이트 전극(1322)과, 게이트 전극(1322)을 포함한 전면에 형성된 층간 절연막(1318)과, 층간 절연막(1318) 상에서 드레인/소스영역에 각각 콘택되는 드레인 전극(1326) 및 소스 전극(1327)으로 구성되어, 화소 내의 전압의 턴-온 또는 턴-오프를 제어한다. 상기 소스 전극(1327)과 드레인 전극(1326) 상에는 평탄화막(1352)이 형성되어 있다.In addition, the thin film transistor TFT includes a gate electrode 1322 overlapping a channel region of the semiconductor layer 1314 on the gate insulating film 1316, an interlayer insulating film 1318 formed on the entire surface including the gate electrode 1322, and an interlayer. Consists of a drain electrode 1326 and a source electrode 1327 that are respectively contacted to the drain/source region on the insulating film 1318 to control turn-on or turn-off of the voltage in the pixel. A planarization film 1352 is formed on the source electrode 1327 and the drain electrode 1326.

상기 캐패시터 영역은, 버퍼층(1312) 상에 형성된 불순물이 도핑된 하부 전극과, 하부 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(1316) 및 게이트 절연막(1316) 상에 층간 절연막(1318)을 사이에 두고 형성된 제 1 상부 전극(1323) 및 제 2 상부 전극(1328)으로 구성되어, 박막 트랜지스터의 게이트 전압을 일정하게 유지시킨다.The capacitor region is formed with a lower electrode doped with impurities formed on the buffer layer 1312, a gate insulating film 1316 formed on the entire surface including the lower electrode, and an interlayer insulating film 1318 formed on the gate insulating film 1316. It is composed of a first upper electrode 1323 and a second upper electrode 1328 to maintain a constant gate voltage of the thin film transistor.

상기 패드 영역은, 게이트 배선(미도시) 또는 데이터 배선(미도시)에서 각각 연장 형성되어 외부 신호를 화소에 공급하기 위한 것이다. 이러한 패드는 기판(1310) 상에 순차로 적층된 버퍼층(1312)과, 게이트 절연막(1316)과, 하부 패드 전극(1324) 및 층간 절연막(1318)에 의해 노출된 하부 패드 전극(1324)에 전기적으로 연결된 상부 패드 전극(1329)으로 구성된다.The pad regions are formed to extend from the gate wiring (not shown) or the data wiring (not shown), respectively, to supply an external signal to the pixel. These pads are electrically connected to the buffer layer 1312 sequentially stacked on the substrate 1310, the gate insulating film 1316, the lower pad electrode 1324, and the lower pad electrode 1324 exposed by the interlayer insulating film 1318. It is composed of an upper pad electrode 1329 connected to.

상기 버퍼층(1312)은 기판(1310) 상에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 절연물질로 이루어진 것으로, 후속 공정에서 기판(1310)의 이물질이 박막 트랜지스터(TFT)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.The buffer layer 1312 is made of an insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film on the substrate 1310, and serves to prevent foreign matter of the substrate 1310 from penetrating into the thin film transistor (TFT) in a subsequent process.

상기 박막 트랜지스터의 반도체층(1314), 캐패시터의 하부 전극은 비정질 실리콘막 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘막 또는 산화물 반도체막일 수 있다. 게이트 절연막(1316)으로는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 등의 무기 절연물이 이용되며, 단일층 또는 이들의 다중층일 수 있다.The semiconductor layer 1314 of the thin film transistor and the lower electrode of the capacitor may be an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film or an oxide semiconductor film crystallized therefrom. As the gate insulating film 1316, an inorganic insulating material such as a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) is used, and may be a single layer or multiple layers thereof.

상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극(1322), 캐패시터의 제 1 상부 전극(1323) 및 패드의 하부 패드 전극(1324)은 금속을 이용하여 포토리쏘그래피(Photorithography) 공정과 식각 공정으로 동시에 형성될 수 있다.The gate electrode 1322 of the thin film transistor, the first upper electrode 1323 of the capacitor, and the lower pad electrode 1324 of the pad may be simultaneously formed by a photolithography process and an etching process using metal.

이때, 금속으로는 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 알루미늄계 금속 등이 단일층 또는 다중층 구조로 이용된다.At this time, as the metal, chromium (Cr), copper (Cu), titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), aluminum-based metal, or the like is used in a single-layer or multi-layer structure.

층간 절연막(1318)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 형성되며, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 층간 절연막(1318)에는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스/드레인 전극(326/327) 및 패드의 상부 패드 전극(1329)이 노출되어 있다.The interlayer insulating film 1318 is formed by a deposition method such as CVD (Chemical Vapor Deposition), and may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof. A source/drain electrode 326/327 of a thin film transistor (TFT) and an upper pad electrode 1329 of a pad are exposed on the interlayer insulating film 1318.

상기 박막 트랜지스터의 소스 전극(1327), 드레인 전극(1326)과, 캐패시터의 제 2 상부 전극(1328) 및 패드의 상부 패드 전극(1329)은 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 형성된다.The source electrode 1327, drain electrode 1326 of the thin film transistor, the second upper electrode 1328 of the capacitor, and the upper pad electrode 1323 of the pad are formed by a deposition method such as sputtering, followed by a photolithography process and an etching process. It is formed by patterning.

박막 트랜지스터의 소스 전극(1327), 드레인 전극(1326)과, 캐패시터의 제 2 상부 전극(1328) 및 패드의 상부 패드 전극(1329)은 동시에 형성될 수 있다.The source electrode 1327, the drain electrode 1326 of the thin film transistor, the second upper electrode 1328 of the capacitor, and the upper pad electrode 1323 of the pad may be formed at the same time.

박막 트랜지스터의 소스 전극(1327), 드레인 전극(1326)과, 캐패시터의 제 2 상부 전극(1328) 및 패드의 상부 패드 전극(1329)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등과 이들의 합금이 단일층 또는 다중층 구조로 형성될 수 있다.The source electrode 1327, the drain electrode 1326 of the thin film transistor, the second upper electrode 1328 of the capacitor, and the upper pad electrode 1323 of the pad are copper (Cu), aluminum (Al), and aluminum alloy (AlNd). , Molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum-tungsten (MoW), etc., and their alloys may be formed in a single layer or multi-layer structure.

박막 트랜지스터의 소스 전극(1327), 드레인 전극(1326)은 반도체층(1314)을 노출시키는 층간 절연막(1318)을 통해 반도체층(1314)과 연결되며, 패드의 상부 패드 전극(1329)은 하부 패드 전극(1324)과 전기적으로 연결된다.
The source electrode 1327 and the drain electrode 1326 of the thin film transistor are connected to the semiconductor layer 1314 through an interlayer insulating film 1318 exposing the semiconductor layer 1314, and the upper pad electrode 1323 of the pad is a lower pad It is electrically connected to the electrode 1324.

상기 평탄화막(1352)은 박막 트랜지스터, 캐패시터 및 패드를 포함한 기판(1310) 전면에 무기 절연 물질 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl resin), PFCB 등의 유기 절연 물질을 스핀 코팅 등의 방법으로 도포함으로써 형성된다.The planarization layer 1352 is an inorganic insulating material or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB), acrylic resin, or PFCB on the entire surface of the substrate 1310 including a thin film transistor, a capacitor, and a pad, by spin coating or the like. It is formed by application.

또한, 상기 평탄화막(1352) 상에는 오버코트층(1356)을 형성하고, 식각 공정을 수행하여 박막 트랜지스터 드레인 전극(1326)을 노출시킨다. 식각 공정은 습식각 공정으로 KOH 용액 및 TMAH를 사용하여 수행된다.In addition, an overcoat layer 1356 is formed on the planarization layer 1352, and an etching process is performed to expose the thin film transistor drain electrode 1326. The etching process is performed using a KOH solution and TMAH as a wet etching process.

그런 다음, 유기발광다이오드(1388)를 형성하는데, 기판(1310)에 도전 물질을 증착하고 포토 식각 기술로 박막 트랜지스터의 드레인 전극(1326)과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(1332)을 형성한다. 이때, 패드 영역에는 상부 패드 전극(1329)과 전기적으로 연결되는 산화 방지막(1332a)이 형성된다.Then, to form the organic light emitting diode 1388, a conductive material is deposited on the substrate 1310 and a first electrode 1332 electrically connected to the drain electrode 1326 of the thin film transistor is formed by photolithography. At this time, an anti-oxidation film 1332a electrically connected to the upper pad electrode 1323 is formed in the pad region.

상기 유기발광다이오드(1388)는 도 1에서 설명한 각각의 서브 화소 영역에 형성되는 유기발광다이오드와 대응된다.The organic light emitting diode 1388 corresponds to the organic light emitting diode formed in each sub-pixel region described in FIG. 1.

상기 제 1 전극(1332)은 애노드(anode)로 화소 영역으로 연장되어 형성되며, 콘택홀(1364)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(1326)과 전기적으로 접속된다.The first electrode 1332 is formed to extend into the pixel region as an anode, and is electrically connected to the drain electrode 1326 of the thin film transistor through the contact hole 1344.

상기 산화 방지막(1332a)은 패드 영역의 콘택홀을 통해 패드의 상부 패드 전극(1329)과 전기적으로 접속된다.The anti-oxidation layer 1332a is electrically connected to the upper pad electrode 1329 of the pad through a contact hole in the pad region.

상기 제 1 전극(1332) 및 산화 방지막(1332a)은 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO 등이 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 증착된 다음 포토 식각 공정으로 패터닝되어 형성된다.The first electrode 1332 and the anti-oxidation film 1332a are deposited by a deposition method such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), ITZO, etc., followed by a photo-etching process. It is formed by patterning.

상기 제 1 전극(1332)이 형성되면 기판(1310) 상에 절연막을 증착하고 포토 식각 공정으로 패터닝하여 제 1 전극(1332)이 노출되는 뱅크 절연막(1334)을 박막 트랜지스터 상에 형성한다.When the first electrode 1332 is formed, an insulating film is deposited on the substrate 1310 and patterned by a photo etching process to form a bank insulating film 1334 exposing the first electrode 1332 on a thin film transistor.

그런 다음, 상기 제 1 전극(1332) 상에 발광층(1336) 및 제 2 전극(1338)을 형성하여 유기발광다이오드(1388)를 형성한다. 상기 발광층(1336)은 상기 도 1에서 설명한 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 전자차단층(EBL), 유기발광층(EML), 전자수송층(ETL)을 포함하는 층일 수 있다.Then, an emission layer 1336 and a second electrode 1338 are formed on the first electrode 1332 to form an organic light-emitting diode 1388. The emission layer 1336 may be a layer including a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron blocking layer (EBL), an organic light emitting layer (EML), and an electron transport layer (ETL) described in FIG. 1.

또한, 상기 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)은 전자차단층(EBL) 물질로 형성되거나, 정공수송층(HTL)만 전자차단층(EBL) 물질로 형성될 수 있다.In addition, the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) may be formed of an electron blocking layer (EBL) material, or only the hole transport layer (HTL) may be formed of an electron blocking layer (EBL) material.

본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 유기발광층 사이의 유기물층들을 동일 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.The organic light emitting display device according to the present invention has an effect of reducing the number of processes and improving device life by forming the organic material layers between the anode electrode of the organic light emitting diode and the organic light emitting layer from the same material.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는, 유기발광다이오드의 정공주입층과 정공수송층을 열안정성과 정공전달 특성이 우수한 전자차단층 물질로 형성하여, 공정 수를 줄이고 소자 수명을 개선한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device according to the present invention, the hole injection layer and the hole transport layer of the organic light emitting diode is formed of an electron blocking layer material having excellent thermal stability and hole transport properties, reducing the number of processes and improving the device life There is.

110: 제1 전극 125: 정공주입층
126: 정공수송층 130: 전자차단층
135: 유기발광층 136: 전자수송층
140: 제2 전극 150: 캐핑층110: first electrode 125: hole injection layer
126: hole transport layer 130: electron blocking layer
135: organic light emitting layer 136: electron transport layer
140: second electrode 150: capping layer

Claims (8)

적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소 영역이 구획된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 정공주입층;
상기 정공주입층 상에 배치된 정공수송층;
상기 정공수송층 상에 배치된 전자차단층;
상기 전자차단층 상에 배치된 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 배치된 전자수송층; 및
상기 전자수송층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
상기 전자차단층은 상기 적색(R) 및 녹색(G) 서브 화소 영역과 대응되는 상기 유기발광층과 정공수송층 사이에 형성되고,
상기 정공수송층 및 정공주입층은 상기 전자차단층과 동일한 물질로 형성되고,
상기 전자차단층은 ris(phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF), Bis[4-(p, p-ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, mCP (N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
A first electrode in which red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions are partitioned;
A hole injection layer disposed on the first electrode;
A hole transport layer disposed on the hole injection layer;
An electron blocking layer disposed on the hole transport layer;
An organic light emitting layer disposed on the electron blocking layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
A second electrode disposed on the electron transport layer,
The electron blocking layer is formed between the organic emission layer and the hole transport layer corresponding to the red (R) and green (G) sub-pixel regions,
The hole transport layer and the hole injection layer are formed of the same material as the electron blocking layer,
The electron blocking layer is ris(phenyloyrazole)Iriium, 9,9-bis [4-(N,N-bis-biphenyl-4-ylamino)phenyl]-9H-fluorene (BPAPF), Bis[4-(p, p -ditolylamino)phenyl]diphenylsilane, mCP (N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene), MPMP (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane) Organic electroluminescence display device, characterized in that any one selected from the group.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 전자차단층은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl 등의 할라이드 화합물과 Li2O, Li2O2, Na2O, K2O, Rb2O, Rb2O2, Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1, wherein the electron blocking layer is a halide compound such as LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, Li2O, Li2O2 , Na2O, K2O, Rb2O, Rb2O2, Cs2O, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiTaO3, LiNbO3, LiWO4, Li2CO, NaWO4, KAlO2, K2SiO3, B2O5, Al2O3, SiO2 Organic electroluminescence display device.
제1항에 있어서, 상기 전자차단층은 LUMO 값이 2.2eV 이하인 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the electron blocking layer is a material having a LUMO value of 2.2 eV or less.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 정공주입층은 P-도펀트가 1~10% 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the hole injection layer contains 1 to 10% of a P-dopant.
제1항에 있어서, 상기 정공주입층은 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HAT-CN) 또는 Metal oxide (MoO3, WO3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescence display according to claim 1, wherein the hole injection layer comprises 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HAT-CN) or metal oxide (MoO 3 , WO 3 ). Device.
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