KR102070544B1 - Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same - Google Patents

Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same Download PDF

Info

Publication number
KR102070544B1
KR102070544B1 KR1020190065585A KR20190065585A KR102070544B1 KR 102070544 B1 KR102070544 B1 KR 102070544B1 KR 1020190065585 A KR1020190065585 A KR 1020190065585A KR 20190065585 A KR20190065585 A KR 20190065585A KR 102070544 B1 KR102070544 B1 KR 102070544B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
antenna
plasma
antenna line
line
region
Prior art date
Application number
KR1020190065585A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김형원
이윤성
정희석
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Application granted granted Critical
Publication of KR102070544B1 publication Critical patent/KR102070544B1/en
Priority to CN202010274550.8A priority Critical patent/CN111491433A/en
Priority to TW109112502A priority patent/TWI725817B/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/26—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with electric discharge tube

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

The present invention relates to a plasma processing apparatus including a plasma antenna. In a plasma antenna for generating plasma from a source gas by forming an electric field, one or more surfaces among surfaces constituting a cross section of the plasma antenna are straight lines extended in a vertical direction. The plasma antenna according to an embodiment of the present invention has an effect of increasing the etch rate.

Description

플라즈마 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치{Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same}Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same

본 발명은 플라즈마 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma antenna and a plasma processing apparatus including the same.

기판(S)을 플라즈마로 처리하는 플라즈마 처리장치는 챔버(100) 및 플라즈마 안테나(200)를 포함한다.The plasma processing apparatus for treating the substrate S with plasma includes a chamber 100 and a plasma antenna 200.

챔버(100)는 플라즈마가 형성되는 내부영역인 형성영역(110)과 플라즈마로 기판(S)이 처리되는 내부영역인 처리영역(120) 및 펌프와 연결되어 기판(S)을 처리한 부산물이 배출되는 내부영역인 배출영역(130)을 포함한다.The chamber 100 is discharged from the by-product which processed the substrate S by being connected to the formation region 110, which is an internal region in which plasma is formed, the processing region 120, which is an internal region where the substrate S is processed by plasma, and a pump. It includes a discharge area 130 which is an internal area.

플라즈마 안테나(200)는 형성영역(110)의 주위를 감싸도록 배치되고, 형성영역(110)에 전계를 형성하여 형성영역(110)에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성한다.The plasma antenna 200 is disposed to surround the formation region 110, and forms an electric field in the formation region 110 to generate plasma from the source gas supplied to the formation region 110.

이러한 플라즈마 안테나(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 종래에는 온도조절을 위해 내부에 형성된 중공(1h)을 통해 유체를 순환시켰다.As shown in FIG. 1, the plasma antenna 200 circulates a fluid through a hollow 1h formed therein for temperature control.

즉, 플라즈마 안테나(200)는 내부에 중공(1h)이 형성되는 파이프로 형성된다.That is, the plasma antenna 200 is formed of a pipe in which the hollow 1h is formed.

이때, 형성영역(110)의 주위에 플라즈마 안테나(200)를 나선 형상으로 감게 된다.At this time, the plasma antenna 200 is wound around the formation region 110 in a spiral shape.

그러나, 플라즈마 안테나(200)가 나선 형상으로 감아질 때의 외측 및 내측의 곡률반경이 일정 이하가 되면 중공(1h)의 원 형상이 유지가 되지 않으므로 곡률반경이 일정 이상으로 크게 유지되어야 한다. 이때, 곡률반경이 크게 유지되는 만큼 이와 대응되는 형성영역(110)의 직경도 함께 커지게 된다.However, if the radius of curvature of the outer and inner sides when the plasma antenna 200 is wound in a spiral shape is less than or equal to a certain level, the circular shape of the hollow 1h is not maintained, and thus the radius of curvature must be maintained to be greater than or equal to a certain level. At this time, as the radius of curvature is maintained large, the diameter of the formation region 110 corresponding thereto is also increased.

또한, 도 1에서 플라즈마 안테나(200)의 1a 영역 단면을 확대한 도면과 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면은 내부에 중공(1h)이 형성된 원 형상이다. 이러한 형상은 고주파를 방사하는 면적이 작아지고 내부에 순환하는 유체는 고주파의 방사에 영향을 주게 된다.1, the cross section of the plasma antenna 200 is enlarged as shown in FIG. Such a shape reduces the area radiating high frequency and the fluid circulating therein affects the radiation of high frequency.

이는, 결과적으로 플라즈마로 기판(S)을 처리하는 속도인 식각비(etch rate)가 낮아지는 문제점이 있다.This results in a problem that the etch rate, which is the speed at which the substrate S is processed by the plasma, is lowered.

본 발명은 플라즈마 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a plasma antenna and a plasma processing apparatus including the same.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나는, 전계를 형성하여 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나에 있어서, 상기 플라즈마 안테나의 단면을 구성하는 면 중 한 면 이상은 수직방향으로 연장되는 직선인 것을 특징으로 한다.Plasma antenna according to an embodiment of the present invention, in the plasma antenna to form an electric field to generate a plasma from the source gas, at least one of the surfaces constituting the cross section of the plasma antenna is a straight line extending in the vertical direction It is done.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나의 단면은 사각형인 것을 특징으로 한다.Preferably, the cross section of the plasma antenna is characterized in that the square.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나는 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재로 채워진 것을 특징으로 한다.Preferably, the plasma antenna is characterized in that the inside is filled with the same metal material as the outside so that no hollow is formed therein.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나는 C 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the plasma antenna is characterized in that the C shape.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나는, 전계를 형성하여 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나에 있어서, 상기 플라즈마 안테나는, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1 안테나라인; 상기 제1 안테나라인과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2 안테나라인; 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 연결축; 을 포함한다.Plasma antenna according to an embodiment of the present invention, the plasma antenna for generating a plasma from the source gas by forming an electric field, the plasma antenna, the first antenna line extending from one side to the other side to have a C shape; A second antenna line spaced downward from the first antenna line and extending from one side to the other side to have a C shape; A connecting shaft connected between one side of the first antenna line and one side of the second antenna line; It includes.

바람직하게는, 상기 연결축은 수직선상에 위치하는 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the connecting shaft has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line and one side of the second antenna line located on a vertical line.

바람직하게는, 상기 제1 안테나라인의 지름보다 상기 제2 안테나라인의 지름이 크게 형성되고, 상기 연결축은, 일측 상면이 상기 제1 안테나라인의 일측과 연결되고, 타측 하면이 상기 제2 안테나라인의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the diameter of the second antenna line is greater than the diameter of the first antenna line, the connecting shaft, one side of the upper surface is connected to one side of the first antenna line, the other side of the second antenna line It characterized in that the bar shape extending horizontally to connect with one side of the.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버의 주위를 감싸도록 배치되고, 상기 챔버의 내부영역에 전계를 형성하여 상기 챔버의 내부영역에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나; 를 포함하고, 상기 플라즈마 안테나의 단면을 구성하는 면 중 상기 챔버에 마주하는 면은 수직방향으로 연장되는 직선인 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus including a plasma antenna includes: a chamber including an inner region in which a substrate is treated with plasma; A plasma antenna disposed to surround the chamber and generating a plasma from a source gas supplied to an inner region of the chamber by forming an electric field in the inner region of the chamber; It includes, wherein the surface constituting the cross section of the plasma antenna facing the chamber is characterized in that the straight line extending in the vertical direction.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나의 단면은 사각형인 것을 특징으로 한다.Preferably, the cross section of the plasma antenna is characterized in that the square.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나는 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재로 채워진 것을 특징으로 한다.Preferably, the plasma antenna is characterized in that the inside is filled with the same metal material as the outside so that no hollow is formed therein.

바람직하게는, 상기 플라즈마 안테나는 C 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the plasma antenna is characterized in that the C shape.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버의 주위를 감싸도록 배치되고, 상기 챔버의 내부영역에 전계를 형성하여 상기 챔버의 내부영역에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나; 를 포함하고, 상기 플라즈마 안테나는, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1 안테나라인; 상기 제1 안테나라인과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2 안테나라인; 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 연결축; 을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus including a plasma antenna includes: a chamber including an inner region in which a substrate is treated with plasma; A plasma antenna disposed to surround the chamber and generating a plasma from a source gas supplied to an inner region of the chamber by forming an electric field in the inner region of the chamber; The plasma antenna includes a first antenna line extending from one side to the other side to have a C shape; A second antenna line spaced downward from the first antenna line and extending from one side to the other side to have a C shape; A connecting shaft connected between one side of the first antenna line and one side of the second antenna line; It includes.

바람직하게는, 상기 연결축은 수직선상에 위치하는 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the connecting shaft has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line and one side of the second antenna line located on a vertical line.

바람직하게는, 상기 제1 안테나라인의 지름보다 상기 제2 안테나라인의 지름이 크게 형성되고, 상기 연결축은, 일측 상면이 상기 제1 안테나라인의 일측과 연결되고, 타측 하면이 상기 제2 안테나라인의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 한다.Preferably, the diameter of the second antenna line is greater than the diameter of the first antenna line, the connecting shaft, one side of the upper surface is connected to one side of the first antenna line, the other side of the second antenna line It characterized in that the bar shape extending horizontally to connect with one side of the.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 형성되는 내부영역인 형성영역과 상기 플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역인 처리영역을 포함하는 챔버; 상기 형성영역의 주위를 감싸도록 배치되고, 상기 형성영역에 전계를 형성하여 상기 형성영역에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나; 를 포함하고, 상기 형성영역은, 상기 처리영역 상부에 위치하는 제1 형성영역; 상기 제1 형성영역 및 상기 처리영역 사이에 위치하는 제2 형성영역; 을 포함하고, 상기 플라즈마 안테나는, 상기 제1 형성영역의 주위에 배치되는 제1 플라즈마 안테나; 상기 제2 형성영역의 주위에 배치되는 제2 플라즈마 안테나; 를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus including a plasma antenna includes: a chamber including a formation region in which plasma is formed and a processing region in which the substrate is processed by the plasma; A plasma antenna disposed to surround the formation region and generating a plasma from a source gas supplied to the formation region by forming an electric field in the formation region; And a forming region, the forming region comprising: a first forming region located above the processing region; A second formation region located between the first formation region and the processing region; The plasma antenna includes: a first plasma antenna disposed around the first formation region; A second plasma antenna disposed around the second formation region; It includes.

바람직하게는, 상기 제1 플라즈마 안테나 및 상기 제2 플라즈마 안테나 중 하나 이상은 단면을 구성하는 면 중 상기 챔버에 마주하는 면이 수직방향으로 연장되는 직선인 것을 특징으로 한다.Preferably, at least one of the first plasma antenna and the second plasma antenna may be a straight line extending in a vertical direction from a surface constituting a cross section facing the chamber.

바람직하게는, 상기 제1 형성영역 및 제2 형성영역은 원통 형상이고, 상기 제2 형성영역의 직경은 상기 제1 형성영역의 직경보다 큰 것을 특징으로 한다.Preferably, the first forming region and the second forming region are cylindrical, and the diameter of the second forming region is larger than the diameter of the first forming region.

바람직하게는, 상기 제1 플라즈마 안테나는, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1A 안테나라인; 상기 제1A 안테나라인과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2A 안테나라인; 상기 제1A 안테나라인의 일측 및 상기 제2A 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 제1 연결축; 을 포함한다.Preferably, the first plasma antenna, the first A antenna line extending from one side to the other side to have a C shape; A second A antenna line located below the first A antenna line and extending from one side to the other side to have a C shape; A first connecting shaft connected between one side of the first A antenna line and one side of the second A antenna line; It includes.

바람직하게는, 상기 제2 플라즈마 안테나는, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1B 안테나라인; 상기 제1B 안테나라인과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2B 안테나라인; 상기 제1B 안테나라인의 일측 및 상기 제2B 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 제2 연결축; 을 포함한다.Preferably, the second plasma antenna, the first B antenna line extending from one side to the other side to have a C shape; A second B antenna line positioned spaced apart from the first B antenna line and extending from one side to the other side to have a C shape; A second connecting shaft connected between one side of the first B antenna line and one side of the second B antenna line; It includes.

바람직하게는, 상기 제1 형성영역은 원통 형상이고, 상기 제2 형성영역은 하측이 제1 형성영역보다 큰 직경으로 형성되도록 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first forming region is cylindrical, and the second forming region is characterized in that the diameter gradually increases from the upper side to the lower side so that the lower side is formed with a larger diameter than the first forming region.

바람직하게는, 상기 제2 형성영역이 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지는 것과 대응되도록, 상기 제1B 안테나라인의 지름보다 상기 제2B 안테나라인의 지름이 큰 것을 특징으로 한다.Preferably, the diameter of the second B antenna line is larger than that of the first B antenna line so that the second forming region corresponds to the diameter gradually increasing from the upper side to the lower side.

바람직하게는, 상기 제1B 안테나라인의 지름은 상기 제2B 안테나라인의 지름과 동일한 것을 특징으로 한다.Preferably, the diameter of the first B antenna line is the same as the diameter of the second B antenna line.

바람직하게는, 상기 처리영역은, 상기 제2 형성영역의 직경보다 직경이 크고, 중앙에 상기 처리영역과 상기 제2 형성영역을 연통하는 홀이 형성되고, 상기 제2 형성영역의 하측이 결합되는 제1 처리벽; 상기 처리영역의 수평 길이를 규정하는 제2 처리벽; 을 포함한다.Preferably, the treatment region has a diameter larger than a diameter of the second formation region, and a hole communicating with the treatment region and the second formation region is formed at the center thereof, and a lower side of the second formation region is coupled. A first treatment wall; A second processing wall defining a horizontal length of the processing area; It includes.

바람직하게는, 상기 제1 형성영역의 상부에 위치하는 제1 히터; 상기 제2 형성영역와 이격된 주위에 위치하도록 상기 제1 처리벽에 결합되는 제2 히터; 를 더 포함한다.Preferably, the first heater is located above the first formation region; A second heater coupled to the first treatment wall so as to be positioned around the second formation region; It further includes.

바람직하게는, 상기 제2 히터와 이격된 주위에 위치하도록 상기 제1 처리벽에 결합되어 제2 히터에서 전달되는 온도를 낮추는 냉각부; 를 더 포함한다.Preferably, the cooling unit coupled to the first processing wall to lower the temperature transmitted from the second heater to be located around the spaced apart from the second heater; It further includes.

바람직하게는, 상기 제2 처리벽을 기준으로 상기 제2 히터는 내측에 위치하고, 상기 냉각부는 외측에 위치하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the second heater is located inside, and the cooling unit is located outside based on the second processing wall.

바람직하게는, 상기 형성영역, 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터를 내포하는 커버; 상기 커버에 결합되어 상기 플라즈마 안테나의 주위 공기를 순환시키는 팬; 을 더 포함한다.Preferably, the cover containing the formation region, the first heater and the second heater; A fan coupled to the cover to circulate ambient air of the plasma antenna; It includes more.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나는 식각비(etch rate)가 높아지는 효과가 있다.Plasma antenna according to an embodiment of the present invention has the effect of increasing the etch rate (etch rate).

도 1은 종래의 플라즈마 안테나에 관한 도면.
도 2 및 도 3은 플라즈마 안테나에 관한 도면.
도 4 내지 도 6은 플라즈마 처리장치에 관한 도면.
도 7은 플라즈마 안테나에 관한 도면.
도 8은 플라즈마 처리장치에 관한 도면.1 is a view of a conventional plasma antenna.
2 and 3 are diagrams of a plasma antenna.
4 to 6 are views of the plasma processing apparatus.
7 is a diagram of a plasma antenna;
8 is a diagram of a plasma processing apparatus.

기판(S)을 플라즈마로 처리하는 플라즈마 처리장치는 챔버(100) 및 플라즈마 안테나(200)를 포함한다.The plasma processing apparatus for treating the substrate S with plasma includes a chamber 100 and a plasma antenna 200.

챔버(100)는 플라즈마가 형성되는 내부영역인 형성영역(110)과 플라즈마로 기판(S)이 처리되는 내부영역인 처리영역(120) 및 펌프와 연결되어 기판(S)을 처리하는 과정에서 발생된 부산물이 배출되는 내부영역인 배출영역(130)을 포함한다.The chamber 100 is generated in the process of processing the substrate S by being connected to the formation region 110, which is an internal region in which plasma is formed, the processing region 120, which is an internal region in which the substrate S is processed by plasma, and a pump. It includes a discharge area 130 which is an internal area where the by-products are discharged.

플라즈마 안테나(200)는 형성영역(110)의 주위를 감싸도록 배치되고, 형성영역(110)에 전계를 형성하여 형성영역(110)에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성한다.The plasma antenna 200 is disposed to surround the formation region 110, and forms an electric field in the formation region 110 to generate plasma from the source gas supplied to the formation region 110.

이러한 플라즈마 안테나(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 종래에는 온도조절을 위해 내부에 형성된 중공(1h)을 통해 유체를 순환시켰다.As shown in FIG. 1, the plasma antenna 200 circulates a fluid through a hollow 1h formed therein for temperature control.

즉, 플라즈마 안테나(200)는 내부에 중공(1h)을 가지는 파이프로 형성된다.That is, the plasma antenna 200 is formed of a pipe having a hollow 1h therein.

이때, 형성영역(110)의 주위에 플라즈마 안테나(200)를 나선 형상으로 감게 된다.At this time, the plasma antenna 200 is wound around the formation region 110 in a spiral shape.

그러나, 플라즈마 안테나(200)가 나선 형상으로 감아질 때의 외측 및 내측의 곡률반경이 일정 이하가 되면 중공(1h)의 원 형상이 유지가 되지 않으므로 곡률반경이 일정 이상으로 크게 유지되어야 한다. 이때, 곡률반경이 크게 유지되는 만큼 이와 대응되는 형성영역(110)의 직경도 함께 커지게 된다.However, if the radius of curvature of the outer and inner sides when the plasma antenna 200 is wound in a spiral shape is less than or equal to a certain level, the circular shape of the hollow 1h is not maintained, and thus the radius of curvature must be maintained to be greater than or equal to a certain level. At this time, as the radius of curvature is maintained large, the diameter of the formation region 110 corresponding thereto is also increased.

또한, 도 1에서 플라즈마 안테나(200)의 1a 영역 단면을 확대한 도면과 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면은 내부에 중공(1h)이 형성된 원 형상이다. 이러한 형상은 고주파를 방사하는 면적이 작아지고 내부에 순환하는 유체는 고주파의 방사에 영향을 주게 된다.1, the cross section of the plasma antenna 200 is enlarged as shown in FIG. Such a shape reduces the area radiating high frequency and the fluid circulating therein affects the radiation of high frequency.

이는, 결과적으로 플라즈마로 기판(S)을 처리하는 속도인 식각비(etch rate)가 낮아지는 문제점이 있다.This results in a problem that the etch rate, which is the speed at which the substrate S is processed by the plasma, is lowered.

이러한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.In order to solve this problem, the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention, as shown in Figures 2 and 3, includes the following features.

먼저, 전계를 형성하여 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나(200)에 있어서, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 한 면 이상은 수직방향으로 연장되는 직선이다.First, in the plasma antenna 200 which forms an electric field and generates plasma from the source gas, at least one of the surfaces constituting the cross section of the plasma antenna 200 is a straight line extending in the vertical direction.

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 내측면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우, 직선을 따라 표면적이 넓어져 플라즈마 안테나(200)가 방사하는 고주파의 양이 증가될 수 있는 효과가 있다.As such, when the inner surface 2a of the surface constituting the cross section of the plasma antenna 200 is a straight line extending in the vertical direction, the surface area is widened along the straight line to increase the amount of high frequency radiation emitted by the plasma antenna 200. There is an effect that can be.

또한, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 외측면(2b)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우, 직선을 따라 표면적이 넓어져 뒤에 설명하는 팬(800)에 의해 넓어진 표면적이 냉각되기 때문에 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.In addition, when the outer surface 2b of the surface constituting the cross section of the plasma antenna 200 is a straight line extending in the vertical direction, the surface area is widened along the straight line so that the surface area widened by the fan 800 described later is cooled. Therefore, there is an effect that the temperature of the plasma antenna 200 can be lowered efficiently.

다음으로, 내측면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우 및 외측면(2b)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우를 적어도 하나 이상 포함하기 위해 플라즈마 안테나(200)의 단면은 다각형(예를 들어, 사각형)이다.Next, the cross section of the plasma antenna 200 is polygonal (eg, in order to include at least one case where the inner surface 2a is a straight line extending in the vertical direction and the outer surface 2b is a straight line extending in the vertical direction. For example, square).

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면이 사각형인 경우 내측면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우 및 외측면(2b)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우의 두 경우가 모두 만족된다. 따라서, 직선을 따라 표면적이 넓어져 플라즈마 안테나(200)가 방사하는 고주파의 양이 증가될 수 있고, 뒤에 설명하는 팬(800)에 의해 넓어진 표면적이 냉각되기 때문에 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.As described above, when the cross section of the plasma antenna 200 is a quadrangle, both cases where the inner surface 2a is a straight line extending in the vertical direction and the outer surface 2b are a straight line extending in the vertical direction are satisfied. . Therefore, the surface area is widened along a straight line to increase the amount of high frequency radiation emitted by the plasma antenna 200, and the surface area of the plasma antenna 200 is cooled by the fan 800, which will be described later. The effect can be lowered.

다음으로, 플라즈마 안테나(200)는 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재(예를 들어, 구리)로 채워진다.Next, the plasma antenna 200 is filled with a metal material (for example, copper) that is the same as the outside so that no hollow is formed therein.

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 내부에 중공이 형성되지 않으면 열저항(thermal resistance)이 낮아지므로 열전달이 보다 쉬워진다. 그러므로, 후술하는 팬(800)에 의해 냉각되는 외측면(2b)의 온도가 내측면(2a)에 쉽게 전달되므로 팬(800) 만으로 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.As such, when no hollow is formed inside the plasma antenna 200, thermal resistance becomes low, and thus heat transfer becomes easier. Therefore, since the temperature of the outer surface 2b cooled by the fan 800 to be described later is easily transmitted to the inner surface 2a, the temperature of the plasma antenna 200 can be effectively lowered only by the fan 800 alone. .

또한, 내부 및 외부가 구리로 구성되는 경우, 타 금속재로 구성되는 것에 비해 열저항이 더 낮아지므로 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 증대된다.In addition, when the inside and the outside is made of copper, since the heat resistance is lower than that made of other metal materials, the effect of effectively lowering the temperature is increased.

다음으로, 플라즈마 안테나(200)는 일측에서 타측으로 연장되는 C 형상이다.Next, the plasma antenna 200 has a C shape extending from one side to the other side.

상술한 플라즈마 안테나(200)의 구체적인 실시예를 후술하고자 한다.Specific embodiments of the above-described plasma antenna 200 will be described later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)의 플라즈마 안테나(200)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210), 제2 안테나라인(220), 및 연결축(300)을 포함한다.Plasma antenna 200 of the plasma antenna 200 according to an embodiment of the present invention, as shown in Figures 2 and 3, the first antenna line 210, the second antenna line 220, and the connecting shaft 300.

제1 안테나라인(210)은 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The first antenna line 210 extends from one side to the other side to have a C shape.

제2 안테나라인(220)은 제1 안테나라인(210)과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The second antenna line 220 is positioned to be spaced apart from the first antenna line 210 and extends from one side to the other side to have a C shape.

연결축(300)은 제1 안테나라인(210)의 일측과 제2 안테나라인(220)의 일측 사이에 연결된다.The connecting shaft 300 is connected between one side of the first antenna line 210 and one side of the second antenna line 220.

즉, 연결축(300)의 일측은 제1 안테나라인(210)의 일측과 연결되고, 연결축(300)의 타측은 제2 안테나라인(220)의 일측과 연결되어, 연결축(300)을 매개로 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(220)이 전기적으로 연결된다.That is, one side of the connecting shaft 300 is connected to one side of the first antenna line 210, and the other side of the connecting shaft 300 is connected to one side of the second antenna line 220 to connect the connecting shaft 300. The first antenna line 210 and the second antenna line 220 are electrically connected to each other.

이때, 제1 안테나라인(210)의 타측은 고주파 발생부와 전기적으로 연결되고 제2 안테나라인(220)의 타측은 그라운드와 전기적으로 연결되거나,At this time, the other side of the first antenna line 210 is electrically connected to the high frequency generator and the other side of the second antenna line 220 is electrically connected to the ground,

제1 안테나라인(210)의 타측 및 제2 안테나라인(220)의 타측 모두 고주파 발생부와 전기적으로 연결된다.The other side of the first antenna line 210 and the other side of the second antenna line 220 are electrically connected to the high frequency generator.

연결축(300)은 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(220)의 지름에 따라 다양한 형상을 가진다.The connecting shaft 300 may have various shapes according to the diameters of the first antenna line 210 and the second antenna line 220.

일 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(220)은 서로 동일한 지름을 가지도록 형성된다.As an example, as shown in FIG. 2, the first antenna line 210 and the second antenna line 220 are formed to have the same diameter.

이때, 연결축(300)은 수직선상에 위치하는 제1 안테나라인(210)의 일측 및 제2 안테나라인(220)의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상이다.In this case, the connecting shaft 300 has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line 210 and one side of the second antenna line 220 positioned on the vertical line.

다른 실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210)의 지름보다 제2 안테나라인(220)의 지름이 크게 형성된다.As another embodiment, as shown in FIG. 3, the diameter of the second antenna line 220 is greater than the diameter of the first antenna line 210.

이때, 연결축(300)은, 일측 상면이 제1 안테나라인(210)의 일측과 연결되고, 타측 하면이 제2 안테나라인(220)의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상이다.In this case, the connecting shaft 300 has a bar shape in which an upper surface of one side is connected to one side of the first antenna line 210 and a lower surface of the connecting shaft 300 extends horizontally to connect to one side of the second antenna line 220.

연결축(300)과 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(200)의 결합은 결합 부위의 일측에 돌기가 형성되고 타측에 홈이 형성되어 끼어져 결합되거나, 볼트 또는 봉이 체결되어 결합된다.Coupling of the connecting shaft 300, the first antenna line 210 and the second antenna line 200 is a projection formed on one side of the coupling portion and a groove is formed on the other side to be fitted, or the bolt or rod is coupled to the coupling do.

상술한 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치의 구체적인 실시예를 후술하고자 한다.Specific embodiments of the plasma processing apparatus including the above-described plasma antenna 200 will be described below.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(100), 및 플라즈마 안테나(200)를 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes a chamber 100 and a plasma antenna 200, as shown in FIG. 4.

챔버(100)는 플라즈마로 기판(S)이 처리되는 내부영역을 포함한다.The chamber 100 includes an inner region where the substrate S is processed by plasma.

챔버(100) 내부에는 기판(S)이 안착되는 척(C)이 위치한다.The chuck C on which the substrate S is seated is located in the chamber 100.

플라즈마 안테나(200)는 챔버(100)의 주위를 감싸도록 배치되고, 챔버(100)의 내부영역에 전계를 형성하여 챔버(100)의 내부영역에 공급된 소스가스(source gas)로부터 플라즈마(P)를 생성한다.The plasma antenna 200 is disposed to surround the chamber 100, forms an electric field in the inner region of the chamber 100, and provides a plasma P from the source gas supplied to the inner region of the chamber 100. )

플라즈마 안테나(200)에 대한 특징을 제1 안테나 특징과 제2 안테나 특징으로 나누어 후술하고자 한다.Features of the plasma antenna 200 will be described later by dividing the first antenna feature and the second antenna feature.

이때, 제1 안테나 특징 및 제2 안테나 특징은 각기 개별적으로 사용될 수 있으며, 이를 조합하여 함께 사용하는 것도 가능하다.In this case, the first antenna feature and the second antenna feature may be used individually, respectively, and may be used in combination.

제1 안테나 특징을 후술하고자 한다.The first antenna feature will be described later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes the following features, as shown in FIGS. 2 to 4.

먼저, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 챔버(100)에 마주하는 면(2a)은 수직방향으로 연장되는 직선이다.First, the surface 2a facing the chamber 100 among the surfaces constituting the cross section of the plasma antenna 200 is a straight line extending in the vertical direction.

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 챔버(100)에 마주하는 면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우, 직선을 따라 방사되는 표면적이 넓어져 플라즈마 안테나(200)가 방사하는 고주파의 양이 증가될 수 있는 효과가 있다.As described above, when the surface 2a of the surface constituting the cross section of the plasma antenna 200 facing the chamber 100 is a straight line extending in the vertical direction, the surface area radiated along the straight line becomes wider, and thus the plasma antenna 200 There is an effect that the amount of high frequency radiation is emitted can be increased.

또한, 플라즈마 안테나(200)의 단면을 구성하는 면 중 챔버(100)에 마주하는 면과 반대되는 면(2b)이 연장되는 직선인 경우, 직선을 따라 표면적이 넓어져 뒤에 설명하는 팬(800)에 의해 넓어진 표면적이 냉각되기 때문에 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.In addition, when the surface constituting the cross section of the plasma antenna 200 is a straight line extending from the surface 2b opposite to the surface facing the chamber 100, the surface area is widened along the straight line to explain the fan 800 described later. Since the surface area enlarged by the cooling is effective, the temperature of the plasma antenna 200 can be lowered efficiently.

다음으로, 내측면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우 및 외측면(2b)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우를 적어도 하나 이상 포함하기 위해 플라즈마 안테나(200)의 단면은 다각형(예를 들어, 사각형)이다.Next, the cross section of the plasma antenna 200 is polygonal (eg, in order to include at least one case where the inner surface 2a is a straight line extending in the vertical direction and the outer surface 2b is a straight line extending in the vertical direction. For example, square).

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 단면이 사각형인 경우 내측면(2a)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우 및 외측면(2b)이 수직방향으로 연장되는 직선인 경우의 두 경우가 모두 만족된다. 따라서, 직선을 따라 표면적이 넓어져 플라즈마 안테나(200)가 방사하는 고주파의 양이 증가될 수 있고, 뒤에 설명하는 팬(800)에 의해 넓어진 표면적이 냉각되기 때문에 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.As described above, when the cross section of the plasma antenna 200 is a quadrangle, both cases where the inner surface 2a is a straight line extending in the vertical direction and the outer surface 2b are a straight line extending in the vertical direction are satisfied. . Therefore, the surface area is widened along a straight line to increase the amount of high frequency radiation emitted by the plasma antenna 200, and the surface area of the plasma antenna 200 is cooled by the fan 800, which will be described later. The effect can be lowered.

다음으로, 플라즈마 안테나(200)는 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재(예를 들어, 구리)로 채워진다.Next, the plasma antenna 200 is filled with a metal material (for example, copper) that is the same as the outside so that no hollow is formed therein.

이와 같이, 플라즈마 안테나(200)의 내부에 중공이 형성되지 않으면 열저항(thermal resistance)이 낮아지므로 열전달이 보다 쉬워진다. 그러므로, 후술하는 팬(800)에 의해 냉각된 외측면(2b)의 온도가 내측면(2a)에 쉽게 열전달이 이루어지므로 팬(800) 만으로 플라즈마 안테나(200)의 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.As such, when no hollow is formed inside the plasma antenna 200, thermal resistance becomes low, and thus heat transfer becomes easier. Therefore, since the temperature of the outer surface 2b cooled by the fan 800, which will be described later, is easily transferred to the inner surface 2a, the temperature of the plasma antenna 200 can be effectively lowered by the fan 800 alone. There is.

또한, 내부 및 외부가 구리로 구성되는 경우, 타 금속재로 구성되는 것에 비해 열저항이 더 낮아지므로 온도를 효율적으로 낮출 수 있는 효과가 증대된다.In addition, when the inside and the outside is made of copper, since the heat resistance is lower than that made of other metal materials, the effect of effectively lowering the temperature is increased.

다음으로, 플라즈마 안테나(200)는 일측에서 타측으로 연장되는 형상이 C 형상이다.Next, the plasma antenna 200 has a C shape extending from one side to the other side.

제2 안테나 특징을 후술 하고자 한다.A second antenna feature will be described later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 안테나(200)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210), 제2 안테나라인(220), 및 연결축(300)을 포함한다.Plasma antenna 200 of the plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to an embodiment of the present invention, as shown in Figures 2 and 3, the first antenna line 210, the second antenna line ( 220, and a connecting shaft 300.

제1 안테나라인(210)은 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The first antenna line 210 extends from one side to the other side to have a C shape.

제2 안테나라인(220)은 제1 안테나라인(210)과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The second antenna line 220 is positioned to be spaced apart from the first antenna line 210 and extends from one side to the other side to have a C shape.

연결축(300)은 제1 안테나라인(210)의 일측 및 제2 안테나라인(220)의 일측 사이에 연결된다.The connecting shaft 300 is connected between one side of the first antenna line 210 and one side of the second antenna line 220.

연결축(300)은 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(220)의 형상에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.The connecting shaft 300 may have various shapes according to the shapes of the first antenna line 210 and the second antenna line 220.

일 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210) 및 제2 안테나라인(220)은 서로 동일한 지름을 가지도록 형성된다.As an example, as shown in FIG. 2, the first antenna line 210 and the second antenna line 220 are formed to have the same diameter.

이때, 연결축(300)은 수직선상에 위치하는 제1 안테나라인(210)의 일측 및 제2 안테나라인(220)의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상이다.In this case, the connecting shaft 300 has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line 210 and one side of the second antenna line 220 positioned on the vertical line.

다른 실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 안테나라인(210)의 지름보다 제2 안테나라인(220)의 지름이 크게 형성된다.As another embodiment, as shown in FIG. 3, the diameter of the second antenna line 220 is greater than the diameter of the first antenna line 210.

이때, 연결축(300)은, 일측 상면이 제1 안테나라인(210)의 일측과 연결되고, 타측 하면이 제2 안테나라인(220)의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상이다.In this case, the connecting shaft 300 has a bar shape in which an upper surface of one side is connected to one side of the first antenna line 210 and a lower surface of the connecting shaft 300 extends horizontally to connect to one side of the second antenna line 220.

상술한 플라즈마 안테나(200)는 기판 처리 목적에 따라 설계 변경되는 챔버(100)의 형상에 따라서 다양하게 사용 가능하다.The plasma antenna 200 described above may be used in various ways depending on the shape of the chamber 100 that is designed and changed according to the substrate processing purpose.

이러한 예시로서, 플라즈마 안테나(200)가 Reactive Ion Etch(RIE)에 적용되는 경우 플라즈마 안테나(200)의 사용에 대해 후술하고자 한다.As an example, the use of the plasma antenna 200 will be described later when the plasma antenna 200 is applied to a Reactive Ion Etch (RIE).

도 5 및 도 6은 각각 다른 형상의 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)을 포함한다.5 and 6 include a first formation region 111 and a second formation region 112 of different shapes, respectively.

도 5는 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)이 분리되어 형성되고, 도 6은 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)이 일체로 형성되는 점이 상이하다.In FIG. 5, the first formation region 111 and the second formation region 112 are formed separately, and FIG. 6 differs in that the first formation region 111 and the second formation region 112 are integrally formed. .

이와 관련하여 도 5 및 도 6이 동일한 점은 설명을 함께하고, 상이한 점은 설명은 따로 하고자 한다.In this regard, the same points in FIG. 5 and FIG. 6 will be described together, and different points will be described separately.

먼저, 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)의 동일한 점을 후술하고자 한다.First, the same points of the first formation region 111 and the second formation region 112 will be described later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버(100), 및 플라즈마 안테나(200)를 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes a chamber 100 and a plasma antenna 200, as shown in FIGS. 5 and 6.

챔버(100)는 플라즈마가 형성되는 내부영역인 형성영역(110)과 플라즈마로 기판(S)이 처리되는 내부영역인 처리영역(120)을 포함한다.The chamber 100 includes a formation region 110, which is an internal region in which plasma is formed, and a processing region 120, which is an internal region in which the substrate S is processed by plasma.

플라즈마 안테나(200)는 형성영역(110)의 주위를 감싸도록 배치되고, 형성영역(110)에 전계를 형성하여 형성영역(110)에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성한다.The plasma antenna 200 is disposed to surround the formation region 110, and forms an electric field in the formation region 110 to generate plasma from the source gas supplied to the formation region 110.

형성영역(110)은 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)을 포함한다.The formation region 110 includes a first formation region 111 and a second formation region 112.

제1 형성영역(111)은 처리영역(120) 상부에 위치한다.The first forming region 111 is located above the processing region 120.

제2 형성영역(112)은 제1 형성영역(111) 및 처리영역(120) 사이에 위치한다.The second forming region 112 is positioned between the first forming region 111 and the processing region 120.

플라즈마 안테나(200)는 제1 플라즈마 안테나(200A), 및 제2 플라즈마 안테나(200B)를 포함한다.The plasma antenna 200 includes a first plasma antenna 200A and a second plasma antenna 200B.

제1 플라즈마 안테나(200A)는 제1 형성영역(111)의 주위에 배치된다.The first plasma antenna 200A is disposed around the first formation region 111.

제2 플라즈마 안테나(200B)는 제2 형성영역(112)의 주위에 배치된다.The second plasma antenna 200B is disposed around the second formation region 112.

챔버(100)는 펌프(pump)와 연결되어 기판(S)을 처리한 부산물이 배출되는 내부영역인 배출영역(130)을 포함한다.The chamber 100 includes a discharge area 130, which is connected to a pump and is an internal area in which a by-product treating the substrate S is discharged.

제1 플라즈마 안테나(200A) 및 제2 플라즈마 안테나(200B) 중 하나 이상은 단면을 구성하는 면 중 챔버(100)에 마주하는 면은 수직방향으로 연장되는 직선이다.At least one of the first plasma antenna 200A and the second plasma antenna 200B is a straight line extending in the vertical direction among the surfaces constituting the cross section facing the chamber 100.

제1 플라즈마 안테나(200A)는 제1A 안테나라인(210A), 제2A 안테나라인(220A), 및 제1 연결축(310)을 포함한다.The first plasma antenna 200A includes a first A antenna line 210A, a second A antenna line 220A, and a first connection shaft 310.

제1A 안테나라인(210A)은 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The first A antenna line 210A extends from one side to the other side to have a C shape.

제2A 안테나라인(220A)은 제1A 안테나라인(210A)과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The second A antenna line 220A is spaced apart from the first A antenna line 210A at a lower portion thereof and extends from one side to the other side to have a C shape.

제1 연결축(310)은 제1A 안테나라인(210A)의 일측 및 제2A 안테나라인(220A)의 일측 사이에 연결된다.The first connecting shaft 310 is connected between one side of the first A antenna line 210A and one side of the second A antenna line 220A.

제2 플라즈마 안테나(200B)는 제1B 안테나라인(210B), 제2B 안테나라인(220B), 및 제2 연결축(320)을 포함한다.The second plasma antenna 200B includes a first B antenna line 210B, a second B antenna line 220B, and a second connecting shaft 320.

제1B 안테나라인(210B)은 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The first B antenna line 210B extends from one side to the other side to have a C shape.

제2B 안테나라인(220B)은 제1B 안테나라인(210B)과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장된다.The second B antenna line 220B is spaced apart from the first B antenna line 210B and extends downward from one side to the other side to have a C shape.

제2 연결축(320)은 제1B 안테나라인(210B)의 일측 및 제2B 안테나라인(220B)의 일측 사이에 연결된다.The second connection shaft 320 is connected between one side of the first B antenna line 210B and one side of the second B antenna line 220B.

다음으로, 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)의 상이한 점을 후술하고자 한다.Next, differences between the first forming region 111 and the second forming region 112 will be described later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes the following features as shown in FIG. 5.

제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)은 원통 형상이고, 이의 영역을 규정하는 벽은 수직방향으로 중공이 형성된 원통 형상이다.The first forming region 111 and the second forming region 112 have a cylindrical shape, and the wall defining the region has a cylindrical shape in which a hollow is formed in the vertical direction.

제2 형성영역(112)의 직경은 제1 형성영역(111)의 직경보다 크다.The diameter of the second formation region 112 is larger than the diameter of the first formation region 111.

도 5에 도시된 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)은 분리되어 형성되고, 이를 연결하기 위한 부분은 금속재로 형성되므로 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)의 온도 조절이 어려운 문제점이 있다.The first forming region 111 and the second forming region 112 shown in FIG. 5 are formed separately, and a portion for connecting the first forming region 111 and the second forming region 112 is formed of a metal material, so the first forming region 111 and the second forming region 112 are formed. ) Is difficult to control the temperature.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 두 가지 해결방법을 안출 하였다.In order to solve this problem, the present invention devised two solutions.

먼저, 제1 해결방법으로 제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)의 형상을 변경하였다.First, the shapes of the first formation region 111 and the second formation region 112 are changed as the first solution.

다음으로, 제2 해결방법으로 제1 형성영역(111)에 제1 히터(410)를 위치시키고 제2 형성영역(112)에 제2 히터(420)를 위치시켰다.Next, as a second solution, the first heater 410 is positioned in the first formation region 111 and the second heater 420 is positioned in the second formation region 112.

이러한 제1 해결방법 및 제2 해결방법은 각각 사용하거나 함께 사용하는 것이 가능하다.These first and second solutions can be used separately or together.

먼저, 제1 해결방법을 세부적으로 후술하고자 한다.First, the first solution will be described in detail below.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes the following features, as shown in FIGS. 6 and 8.

제1 형성영역(111)은 원통 형상이고, 이의 영역을 규정하는 벽은 수직방향으로 중공이 형성된 원통 형상이다.The first forming region 111 has a cylindrical shape, and the wall defining the region has a cylindrical shape in which a hollow is formed in the vertical direction.

제2 형성영역(112)은 하측이 제1 형성영역(111)보다 큰 직경으로 형성되도록 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커진다.The diameter of the second forming region 112 is gradually increased from the upper side to the lower side so that the lower side is formed to have a larger diameter than the first forming region 111.

제2 형성영역(112)을 규정하는 벽은 일측으로 갈수록 직경이 점차적으로 커지는 뒤집어진 깔데기 형상이다.The wall defining the second forming region 112 is an inverted funnel shape whose diameter gradually increases toward one side.

제1 형성영역(111) 및 제2 형성영역(112)을 규정하는 벽은 비전도체로서 내열성이 높은 재질(예를 들어, 세라믹)로 일체로 형성된다.The walls defining the first formation region 111 and the second formation region 112 are integrally formed of a material having high heat resistance (for example, ceramic) as a non-conductor.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 형성영역(112)이 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지는 것과 대응되도록, 제1B 안테나라인(210B)의 지름이 제2B 안테나라인(220B)의 지름이 클 수 있다.6 and 7, the diameter of the first B antenna line 210B is equal to that of the second B antenna line 220B so that the diameter of the second forming region 112 gradually increases from the upper side to the lower side. The diameter can be large.

또는 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 형성영역(112)이 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지고, 제1B 안테나라인(210B)의 지름은 제2B 안테나라인(220B)의 지름과 동일할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 8, the diameter of the second formation region 112 gradually increases from the upper side to the lower side, and the diameter of the first B antenna line 210B may be the same as the diameter of the second B antenna line 220B. have.

다음으로, 제2 해결방법을 세부적으로 뒤에 설명하고자 한다.Next, the second solution will be described in detail later.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치의 처리영역(120)은, 도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 제1 처리벽(610), 제2 처리벽(620), 제1 히터(410), 및 제2 히터(420)를 포함한다.In the processing region 120 of the plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 5 and 6, the first processing wall 610 and the second processing wall 620 are shown. ), A first heater 410, and a second heater 420.

제1 처리벽(610)의 직경은 제2 형성영역(112)의 직경보다 크고, 중앙에 처리영역(120)과 제2 형성영역(112)을 연통하는 홀이 형성되고, 제2 형성영역(112)의 하측이 결합된다.The diameter of the first treatment wall 610 is larger than the diameter of the second formation region 112, and a hole communicating with the treatment region 120 and the second formation region 112 is formed in the center thereof, and the second formation region ( The lower side of 112 is combined.

제2 처리벽(620)은 처리영역(120)의 수평 길이를 규정한다.The second treatment wall 620 defines the horizontal length of the treatment region 120.

제1 히터(410)는 제1 형성영역(111)의 상부에 위치한다.The first heater 410 is positioned above the first formation region 111.

제2 히터(420)는 제2 형성영역(112)와 이격된 주위에 위치하도록 제1 처리벽(610)에 결합된다.The second heater 420 is coupled to the first processing wall 610 to be positioned around the second formation region 112.

제1 히터(410) 및 제2 히터(420)는 전기를 이용하여 발열하는 발열체이거나, 내부에 높은 온도의 유체가 순환되어 발열하는 파이프일 수 있다.The first heater 410 and the second heater 420 may be a heating element that generates heat using electricity, or may be a pipe that circulates and heats a fluid having a high temperature therein.

제1 히터(410)에 의해 제1 형성영역(111)에서 제2 형성영역(112)으로 열을 전달하는 과정에서 열의 온도가 감소된다.In the process of transferring heat from the first forming region 111 to the second forming region 112 by the first heater 410, the temperature of the heat is reduced.

이때, 제2 히터(420)에 의해 제2 형성영역(112)에서 제1 형성영역(111)으로 열을 전달한다. 즉, 제1 형성영역(111)에서 제2 형성영역(112)까지 열 전달이 부족한 부분을 제2 히터(420)가 보완해 준다.At this time, heat is transferred from the second forming region 112 to the first forming region 111 by the second heater 420. That is, the second heater 420 compensates for a portion in which heat transfer is insufficient from the first forming region 111 to the second forming region 112.

이와 같이, 제2 히터(420)를 통해 제2 형성형역(112)의 온도를 적정수준(실험을 통해 제2 히터(420)를 80도 ~ 130도로 높이는 경우 매우 좋은 결과를 얻을 수 있었다.)까지 높일 수 있으므로 부산물이 형성영역(110)을 규정하는 벽에 부착되는 것이 방지되어 클리닝 주기가 늘어나며, 식각비(etch rate)도 높아지게 되는 효과가 있다.As such, the temperature of the second formation region 112 is appropriate level through the second heater 420 (when the second heater 420 is increased to 80 to 130 degrees through experiments, very good results were obtained.). Since the by-products can be prevented from adhering to the wall defining the formation region 110, the cleaning cycle is increased, and the etching rate is also increased.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 온도를 낮추는 냉각부(500)를 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention, as shown in Figure 5 and 6, includes a cooling unit 500 for lowering the temperature.

온도를 낮추는 냉각부(500)는 제2 히터(420)와 이격된 주위에 위치하도록 제1 처리벽(610)에 결합된다.The cooling unit 500 that lowers the temperature is coupled to the first processing wall 610 so as to be positioned around the second heater 420.

이때, 냉각부(500)는 내부에 제2 히터(420)의 온도보다 낮은 온도의 유체가 순환되어 제2 히터(420)로부터 제1 처리벽(610)의 외측으로 전도되는 열을 냉각부(500)가 차단하거나 낮출 수 있다.At this time, the cooling unit 500 circulates a fluid having a temperature lower than the temperature of the second heater 420 therein to conduct heat that is conducted from the second heater 420 to the outside of the first processing wall 610. 500) can be blocked or lowered.

이와 같이, 제2 히터(420)의 고온이 제1 처리벽(610)의 외측으로 전도되면 사용자가 화상을 입을 수 있으므로 이를 냉각부(500)가 방지해주는 효과가 있다.As such, when the high temperature of the second heater 420 is conducted to the outside of the first processing wall 610, the user may be burned, and thus the cooling unit 500 may prevent this.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes the following features, as shown in FIGS. 5 and 6.

제2 처리벽(620)을 기준으로 제2 히터(420)는 내측에 위치하고, 냉각부(500)는 외측에 위치한다.The second heater 420 is positioned at the inner side and the cooling unit 500 is positioned at the outer side with respect to the second processing wall 620.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 안테나(200)를 포함하는 플라즈마 처리장치는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 커버(700) 및 팬(800)을 포함한다.The plasma processing apparatus including the plasma antenna 200 according to the embodiment of the present invention includes a cover 700 and a fan 800, as shown in FIGS. 5 and 6.

커버(700)는 형성영역(110), 제1 히터(410) 및 제2 히터(420)를 외부에서 감싼다.The cover 700 surrounds the formation region 110, the first heater 410, and the second heater 420 from the outside.

팬(800)은 커버(700)에 결합되어 플라즈마 안테나(200)의 주위 공기를 순환시킨다.The fan 800 is coupled to the cover 700 to circulate the ambient air of the plasma antenna 200.

앞에 설명한 플라즈마 안테나(200) 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치는 실험을 통해 종래와 대비하여 식각비(etch rate)가 높아지는 효과가 있는 것을 확인하였다.The plasma antenna 200 described above and the plasma processing apparatus including the same have been found to have an effect of increasing an etch rate in comparison with the conventional one.

특히, 앞서 언급한 구성이 조합된 경우 식각비(etch rate)가 종래와 대비하여 50% 증가됨을 확인하였다.In particular, when the above-mentioned configuration is combined, the etching rate (etch rate) was confirmed to increase by 50% compared with the conventional.

100 챔버 110 형성영역
111 제1 형성영역 112 제2 형성영역
120 처리영역 130 배출영역
200 플라즈마 안테나 200A 제1 플라즈마 안테나
200B 제2 플라즈마 안테나 210 제1 안테나라인
210A 제1A 안테나라인 210B 제1B 안테나라인
220 제2 안테나라인 220A 제2A 안테나라인
220B 제2B 안테나라인 300 연결축
310 제1 연결축 320 제2 연결축
410 제1 히터 420 제2 히터
500 냉각부 610 제1 처리벽
620 제2 처리벽 700 커버
800 팬 C 척
S 기판100 chamber 110 forming area
111 First Forming Region 112 Second Forming Region
120 Treatment Area 130 Discharge Area
200 Plasma Antenna 200A First Plasma Antenna
200B second plasma antenna 210 first antenna line
210A 1A Antenna Line 210B 1B Antenna Line
220 2nd antenna line 220A 2nd antenna line
220B 2B antenna line 300 connecting shaft
310 First connecting shaft 320 Second connecting shaft
410 First Heater 420 Second Heater
500 Cooling section 610 First treatment wall
620 Second Treatment Wall 700 Cover
800 Pan C Chuck
S board

Claims (27)

전계를 형성하여 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나에 있어서,
상기 플라즈마 안테나는 플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역을 포함하는 챔버의 주위를 감쌀 수 있도록 형성되고,
상기 플라즈마 안테나는,
평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1 안테나라인;
상기 제1 안테나라인과 상이한 평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2 안테나라인;
상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 연결축; 을 포함하고,
상기 제1 안테나라인의 타측은 고주파 발생부와 연결되고, 상기 제2 안테나라인의 타측은 그라운드와 연결되고,
상기 제1 안테나라인 및 상기 제2 안테나라인은 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재로 채워지는,
플라즈마 안테나.
In the plasma antenna to form an electric field to generate a plasma from the source gas,
The plasma antenna is formed to surround the chamber including an inner region where the substrate is treated with plasma,
The plasma antenna,
A first antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane;
A second antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane different from the first antenna line;
A connecting shaft connected between one side of the first antenna line and one side of the second antenna line; Including,
The other side of the first antenna line is connected to the high frequency generator, the other side of the second antenna line is connected to the ground,
The inside of the first antenna line and the second antenna line is filled with the same metal material as the outside so that no hollow is formed therein,
Plasma antenna.
청구항 1에 있어서,
상기 연결축은 수직선상에 위치하는 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나.
The method according to claim 1,
The connecting shaft has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line and one side of the second antenna line located on a vertical line,
Plasma antenna.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 안테나라인의 지름보다 상기 제2 안테나라인의 지름이 크게 형성되고,
상기 연결축은, 일측 상면이 상기 제1 안테나라인의 일측과 연결되고, 타측 하면이 상기 제2 안테나라인의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나.
The method according to claim 1,
The diameter of the second antenna line is formed larger than the diameter of the first antenna line,
The connecting shaft may have a bar shape in which an upper surface of one side is connected to one side of the first antenna line, and the other lower surface thereof extends horizontally to connect to one side of the second antenna line.
Plasma antenna.
플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역을 포함하는 챔버;
상기 챔버의 주위를 감싸도록 배치되고, 상기 챔버의 내부영역에 전계를 형성하여 상기 챔버의 내부영역에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나; 를 포함하고,
상기 플라즈마 안테나는,
평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1 안테나라인;
상기 제1 안테나라인과 상이한 평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2 안테나라인;
상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 연결축; 을 포함하고,
상기 제1 안테나라인의 타측은 고주파 발생부와 연결되고, 상기 제2 안테나라인의 타측은 그라운드와 연결되고,
상기 제1 안테나라인 및 상기 제2 안테나라인은 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재로 채워지는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
A chamber including an inner region where the substrate is treated with plasma;
A plasma antenna disposed to surround the chamber and generating a plasma from a source gas supplied to an inner region of the chamber by forming an electric field in the inner region of the chamber; Including,
The plasma antenna,
A first antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane;
A second antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane different from the first antenna line;
A connecting shaft connected between one side of the first antenna line and one side of the second antenna line; Including,
The other side of the first antenna line is connected to the high frequency generator, the other side of the second antenna line is connected to the ground,
The inside of the first antenna line and the second antenna line is filled with the same metal material as the outside so that no hollow is formed therein,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 4에 있어서,
상기 연결축은 수직선상에 위치하는 상기 제1 안테나라인의 일측 및 상기 제2 안테나라인의 일측을 연결하도록 수직으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 4,
The connecting shaft has a bar shape extending vertically to connect one side of the first antenna line and one side of the second antenna line located on a vertical line,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 4에 있어서,
상기 제1 안테나라인의 지름보다 상기 제2 안테나라인의 지름이 크게 형성되고,
상기 연결축은, 일측 상면이 상기 제1 안테나라인의 일측과 연결되고, 타측 하면이 상기 제2 안테나라인의 일측과 연결하도록 수평으로 연장되는 바 형상인 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 4,
The diameter of the second antenna line is formed larger than the diameter of the first antenna line,
The connecting shaft may have a bar shape in which an upper surface of one side is connected to one side of the first antenna line, and the other lower surface thereof extends horizontally to connect to one side of the second antenna line.
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
플라즈마가 형성되는 내부영역인 형성영역과 상기 플라즈마로 기판이 처리되는 내부영역인 처리영역을 포함하는 챔버;
상기 형성영역의 주위를 감싸도록 배치되고, 상기 형성영역에 전계를 형성하여 상기 형성영역에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 안테나;
를 포함하고,
상기 형성영역은,
상기 처리영역 상부에 위치하는 제1 형성영역;
상기 제1 형성영역 및 상기 처리영역 사이에 위치하는 제2 형성영역; 을 포함하고,
상기 플라즈마 안테나는,
상기 제1 형성영역의 주위에 배치되는 제1 플라즈마 안테나;
상기 제2 형성영역의 주위에 배치되는 제2 플라즈마 안테나; 를 포함하고,
상기 제1 플라즈마 안테나는,
평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1A 안테나라인;
상기 제1A 안테나라인과 상이한 평면 상에서 C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2A 안테나라인;
상기 제1A 안테나라인의 일측 및 상기 제2A 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 연결축; 을 포함하고,
상기 제1A 안테나라인의 타측은 고주파 발생부와 연결되고, 상기 제2A 안테나라인의 타측은 그라운드와 연결되고,
상기 제1A 안테나라인 및 상기 제2A 안테나라인은 내부에 중공이 형성되지 않도록 내부는 외부와 동일한 금속재로 채워지는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
A chamber including a formation region that is an internal region where plasma is formed and a processing region that is an internal region where the substrate is processed by the plasma;
A plasma antenna disposed to surround the formation region and generating a plasma from a source gas supplied to the formation region by forming an electric field in the formation region;
Including,
The forming area is,
A first forming region located above the processing region;
A second formation region located between the first formation region and the processing region; Including,
The plasma antenna,
A first plasma antenna disposed around the first formation region;
A second plasma antenna disposed around the second formation region; Including,
The first plasma antenna,
A first A antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane;
A second A antenna line extending from one side to the other side to have a C shape on a plane different from the first A antenna line;
A connecting shaft connected between one side of the first A antenna line and one side of the second A antenna line; Including,
The other side of the first A antenna line is connected to the high frequency generator, the other side of the second A antenna line is connected to the ground,
The first A antenna line and the second A antenna line is filled with the same metal material as the outside so that no hollow is formed therein,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 7에 있어서,
상기 제1 플라즈마 안테나 및 상기 제2 플라즈마 안테나 중 하나 이상은 단면을 구성하는 면 중 상기 챔버에 마주하는 면이 수직방향으로 연장되는 직선인 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 7,
At least one of the first plasma antenna and the second plasma antenna is characterized in that the surface of the cross-section of the surface facing the chamber is a straight line extending in the vertical direction,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 8에 있어서,
상기 제1 형성영역 및 제2 형성영역은 원통 형상이고,
상기 제2 형성영역의 직경은 상기 제1 형성영역의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 8,
The first forming region and the second forming region are cylindrical in shape,
Characterized in that the diameter of the second formation region is larger than the diameter of the first formation region,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 7에 있어서,
상기 제2 플라즈마 안테나는,
C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제1B 안테나라인;
상기 제1B 안테나라인과 하부로 이격되어 위치하고, C 형상을 가지도록 일측에서 타측으로 연장되는 제2B 안테나라인;
상기 제1B 안테나라인의 일측 및 상기 제2B 안테나라인의 일측 사이에 연결되는 제2 연결축; 을 포함하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 7,
The second plasma antenna,
A first B antenna line extending from one side to the other side to have a C shape;
A second B antenna line positioned spaced apart from the first B antenna line and extending from one side to the other side to have a C shape;
A second connecting shaft connected between one side of the first B antenna line and one side of the second B antenna line; Including,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 10에 있어서,
상기 제1 형성영역은 원통 형상이고,
상기 제2 형성영역은 하측이 제1 형성영역보다 큰 직경으로 형성되도록 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 10,
The first forming region is cylindrical in shape,
The second forming region is characterized in that the diameter gradually increases from the upper side to the lower side so that the lower side is formed with a larger diameter than the first forming region,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 11에 있어서,
상기 제2 형성영역이 상측에서 하측으로 직경이 점차적으로 커지는 것과 대응되도록, 상기 제1B 안테나라인의 지름보다 상기 제2B 안테나라인의 지름이 큰 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 11,
Characterized in that the diameter of the second B antenna line is greater than that of the first B antenna line so that the diameter of the second forming region is gradually increased from the upper side to the lower side.
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 11에 있어서,
상기 제1B 안테나라인의 지름은 상기 제2B 안테나라인의 지름과 동일한 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 11,
The diameter of the first B antenna line is characterized in that the same as the diameter of the second B antenna line,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 7에 있어서,
상기 처리영역은,
상기 제2 형성영역의 직경보다 직경이 크고, 중앙에 상기 처리영역과 상기 제2 형성영역을 연통하는 홀이 형성되고, 상기 제2 형성영역의 하측이 결합되는 제1 처리벽;
상기 처리영역의 수평 길이를 규정하는 제2 처리벽; 을 포함하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 7,
The processing area is
A first treatment wall having a diameter larger than a diameter of the second formation region, a hole communicating with the processing region and the second formation region at a center thereof, and having a lower side coupled to the second formation region;
A second processing wall defining a horizontal length of the processing area; Including,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 14에 있어서,
상기 제1 형성영역의 상부에 위치하는 제1 히터;
상기 제2 형성영역과 이격된 주위에 위치하도록 상기 제1 처리벽에 결합되는 제2 히터; 를 더 포함하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 14,
A first heater positioned above the first formation region;
A second heater coupled to the first treatment wall so as to be positioned around the second formation region; Further comprising,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 15에 있어서,
상기 제2 히터와 이격된 주위에 위치하도록 상기 제1 처리벽에 결합되어 제2 히터에서 전달되는 온도를 낮추는 냉각부; 를 더 포함하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 15,
A cooling unit coupled to the first processing wall to lower the temperature transmitted from the second heater so as to be positioned around the second heater; Further comprising,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 16에 있어서,
상기 제2 처리벽을 기준으로 상기 제2 히터는 내측에 위치하고, 상기 냉각부는 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 16,
The second heater is located on the inside of the second processing wall, the cooling unit is characterized in that located on the outside,
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna.
청구항 17에 있어서,
상기 형성영역, 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터를 외부에서 감싸는 커버;
상기 커버에 결합되어 상기 플라즈마 안테나의 주위 공기를 순환시키는 팬;
을 더 포함하는,
플라즈마 안테나를 포함하는 플라즈마 처리장치.The method according to claim 17,
A cover surrounding the formation region, the first heater, and the second heater from the outside;
A fan coupled to the cover to circulate ambient air of the plasma antenna;
Including more;
Plasma processing apparatus comprising a plasma antenna. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020190065585A 2019-04-17 2019-06-03 Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same KR102070544B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010274550.8A CN111491433A (en) 2019-04-17 2020-04-09 Plasma antenna and plasma processing device comprising same
TW109112502A TWI725817B (en) 2019-04-17 2020-04-14 Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190044637 2019-04-17
KR20190044637 2019-04-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102070544B1 true KR102070544B1 (en) 2020-01-29

Family

ID=69322449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190065585A KR102070544B1 (en) 2019-04-17 2019-06-03 Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102070544B1 (en)
CN (1) CN111491433A (en)
TW (1) TWI725817B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2756460C1 (en) * 2020-10-28 2021-09-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ) Method for determining characteristics of surface electromagnetic waves in finite-length plasma formations
RU2787571C1 (en) * 2022-06-30 2023-01-11 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) Method for fast determination of plasma shape in tokamak chamber during divertor phase of plasma discharge

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060090745A (en) * 2005-02-10 2006-08-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Side rf coil and side heater for plasma processing apparatus
KR20100121985A (en) * 2009-05-11 2010-11-19 엘아이지에이디피 주식회사 Antenna structure for substrate treatment device using plasma
KR20110046351A (en) * 2009-10-27 2011-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20160128338A (en) * 2014-02-24 2016-11-07 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디. Reaction cavity and plasma processing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5252613B2 (en) * 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 Ion implantation apparatus and ion implantation method
WO2010048076A2 (en) * 2008-10-21 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Plasma source for chamber cleaning and process
KR101069384B1 (en) * 2008-11-14 2011-09-30 세메스 주식회사 Inductively coupled plasma antenna and plasma process apparatus including the same
JP4855506B2 (en) * 2009-09-15 2012-01-18 住友精密工業株式会社 Plasma etching equipment
KR101202957B1 (en) * 2010-10-19 2012-11-20 주성엔지니어링(주) Antenna for generating plasma and Apparatus for treating substrate including the same
US20140144584A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Semes Co., Ltd. Plasma antenna and apparatus for generating plasma having the same
JP5971144B2 (en) * 2013-02-06 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and film forming method
KR101866210B1 (en) * 2016-11-04 2018-06-11 인베니아 주식회사 Antenna structure for plasma
CN109036817B (en) * 2017-06-08 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 Inductive coupling coil and process chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060090745A (en) * 2005-02-10 2006-08-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Side rf coil and side heater for plasma processing apparatus
KR20100121985A (en) * 2009-05-11 2010-11-19 엘아이지에이디피 주식회사 Antenna structure for substrate treatment device using plasma
KR20110046351A (en) * 2009-10-27 2011-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20160128338A (en) * 2014-02-24 2016-11-07 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디. Reaction cavity and plasma processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2756460C1 (en) * 2020-10-28 2021-09-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ) Method for determining characteristics of surface electromagnetic waves in finite-length plasma formations
RU2787571C1 (en) * 2022-06-30 2023-01-11 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) Method for fast determination of plasma shape in tokamak chamber during divertor phase of plasma discharge

Also Published As

Publication number Publication date
TWI725817B (en) 2021-04-21
TW202040876A (en) 2020-11-01
CN111491433A (en) 2020-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210296144A1 (en) Substrate support pedestal having plasma confinement features
US6270687B1 (en) RF plasma method
US6158384A (en) Plasma reactor with multiple small internal inductive antennas
TWI355216B (en) Side rf coil and side heater for plasma processing
TWI529845B (en) Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
KR102374521B1 (en) Placing table and plasma treatment apparatus
KR101369411B1 (en) Plasma processing apparatus
TWI623960B (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for processing the same
KR20090080510A (en) High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation
CN101553900A (en) Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
KR102070544B1 (en) Plasma antenna and plasma processing apparatus including the same
TW200806095A (en) Methods and arrangement for creating a highly efficient downstream microwave plasma system
CN110349824A (en) The device and method for handling substrate
JP2001023973A (en) Chamber having improved gas energizer and method
TWI609990B (en) Enhanced productivity for an etch system through polymer management
JP2010251162A (en) Plasma treatment device
JP2019160519A (en) Antenna apparatus and plasma processing apparatus
CN106282894A (en) A kind of plasma spraying equipment
KR100378624B1 (en) A Microwave Deionized Water Heating Device
TWI518819B (en) Extended chamber liner for improved mean time between cleanings of process chambers
KR102604045B1 (en) Plasma processing unit and lower stage
KR102701296B1 (en) Cleaning method and plasma processing apparatus
KR102507194B1 (en) A system for delivering feed gas to an ion source
CN209133452U (en) Temperature regulating device and semiconductor processing equipment
CN208954950U (en) Cavity cleaning equipment

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant