KR102047731B1 - Organic Light Emitting Diode Display - Google Patents

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김영미
노영훈
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엘지디스플레이 주식회사
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    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

본 발명은 제1방향을 따라 인접한 제1화소와 제2화소를 포함하고, 상기 제1 및 제2화소 각각은 상기 제1방향을 따라 배열된 적, 녹, 청색 서브화소를 포함하며, 상기 제1 및 제2화소는 백색 서브화소를 공유하고, 상기 백색 서브화소는 상기 적, 녹, 청색 서브화소와 같거나 보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치이다.The present invention includes a first pixel and a second pixel adjacent along a first direction, each of the first and second pixels including red, green, and blue subpixels arranged along the first direction. The first and second pixels share a white subpixel, and the white subpixel has an area equal to or larger than that of the red, green, and blue subpixels.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}Organic Light Emitting Diode Display

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소배열에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to a pixel array of a transparent organic light emitting diode display.

최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판표시장치(Flat Panel Display device), 예를 들어 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마(Plasma Display Panel : PDP)표시장치, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes : OLED)표시장치 등이 연구되고 있다.Recently, with the development of the information society, the demand for the display field is increasing in various forms, and in response, various flat panel display devices, such as liquid crystal displays, which have characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption Liquid crystal display devices (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting diodes (OLED) displays, and the like are being studied.

이러한 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 형광성 유기화합물로 구성된 유기발광층을 포함하고, 전자와 정공의 재결합으로 유기발광층을 발광시킴으로써 영상을 표시하는 것으로, 액정표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 응답속도가 빠르다는 장점을 갖는다.Among such flat panel display devices, an organic light emitting diode display device includes an organic light emitting layer composed of a fluorescent organic compound, and displays an image by emitting an organic light emitting layer by recombination of electrons and holes, and requires a separate light source like a liquid crystal display device. Compared with the passive light emitting device, the response speed is high.

전술한 유기발광다이오드 표시장치는 특성상 사용자가 유기발광다이오드 표시장치를 투과해 반대편에 위치한 사물 또는 이미지를 볼 수 있는 투명 표시장치로 만들어질 수 있는데, 이러한 투명 표시장치는 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 등을 포함하는 화소가 형성된 불투명영역과 빛을 투과하는 투명영역으로 구분되어, 스위치 오프상태일 때 반대편에 위치하는 사물 또는 이미지가 투과되고, 스위치 온상태일 때 유기발광다이오드로부터 방출된 빛으로 화상을 표시할 수 있다.The above-described organic light emitting diode display device may be made of a transparent display device that allows a user to see an object or an image positioned on the opposite side through the organic light emitting diode display device. Such a transparent display device may be an organic light emitting diode, a thin film transistor, or the like. It is divided into an opaque region formed with a pixel and a transparent region that transmits light, and an object or an image positioned on the opposite side is transmitted when the switch is turned off, and the image is emitted by light emitted from the organic light emitting diode when the switch is turned on. I can display it.

최근 이러한 투명 유기발광다이오드 표시장치에 소비전력을 줄이고 동시에 발광효율이 높은 4-컬러방식의 서브화소 조합(RGBW)이 개발되고 있다.Recently, a four-color subpixel combination (RGBW) has been developed for such a transparent organic light emitting diode display device, which reduces power consumption and has high luminous efficiency.

종래의 일반적인 디스플레이 장치들은 3-컬러방식으로 적색, 녹색 및 청색에 대응한 3개의 서브화소들이 조합되어 다양한 색상을 표현하는 하나의 영상 화소를 구성한다. 영상 화소는 각 서브화소들의 전압 또는 전류의 조절, 또는 각 서브화소들의 턴-온 시간을 제어하여 다양한 색상을 표현한다.Conventional display apparatuses combine three subpixels corresponding to red, green, and blue in a three-color manner to form one image pixel representing various colors. The image pixel expresses various colors by controlling the voltage or current of each subpixel or controlling the turn-on time of each subpixel.

한편, 'RGBW'의 4-컬러방식은 하나의 영상 화소에 백색 서브화소가 추가 형성된 구조로, 3-컬러방식에서 백색을 표현하기 위하여 적색, 녹색, 청색을 모두 턴-온 시키는 것에 반해 4-컬러방식은 백색 서브화소만 턴-온 시키는 것으로 백색을 표현하므로써 소비전력과 발광효율을 증가시키는 효과를 갖는다.Meanwhile, the 4-color method of 'RGBW' is a structure in which white sub-pixels are added to one image pixel, and in the 3-color method, all of the red, green, and blue colors are turned on to express white color. In the color scheme, only white subpixels are turned on to express white, thereby increasing power consumption and luminous efficiency.

그러나, 4-컬러방식은 적, 녹, 청 서브화소가 형성되어 있는 하나의 영상 화소의 면적에 백색 서브화소를 추가하는 것이기 때문에, 동일면적 대비 뱅크 또는 블랙매트릭스가 형성되는 영역이 증가하게 되는 문제점이 있으며, 이에 의해 기존 3-컬러 방식에 비하여 투과도 손실영역이 많아지게 되는 문제점이 있다.
However, since the four-color method adds white subpixels to the area of one image pixel in which red, green, and blue subpixels are formed, an area in which a bank or a black matrix is formed in contrast to the same area is increased. Thereby, there is a problem that the loss of transmittance is increased compared to the conventional three-color method.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 투과도가 개선된 투명 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a transparent organic light emitting diode display device having improved transmittance.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 제1방향을 따라 인접한 제1화소와 제2화소를 포함하고, 상기 제1 및 제2화소 각각은 상기 제1방향을 따라 배열된 적, 녹, 청색 서브화소를 포함하며, 상기 제1 및 제2화소는 백색 서브화소를 공유하고, 상기 백색 서브화소는 상기 적, 녹, 청색 서브화소와 같거나 보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the organic light emitting diode display of the present invention includes a first pixel and a second pixel adjacent in a first direction, and each of the first and second pixels is in the first direction. Arrayed red, green, and blue subpixels, wherein the first and second pixels share a white subpixel, and the white subpixel has an area equal to or greater than the red, green, and blue subpixels. An organic light emitting diode display device is provided.

상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각은 발광부 영역을 포함하며, 상기 발광부 영역에는 구동 및 스위칭 트랜지스터, 발광다이오드가 형성되는 것을 특징으로 한다.Each of the red, green, and blue subpixels includes a light emitting area, and a driving and switching transistor and a light emitting diode are formed in the light emitting area.

상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각은 투과부 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 투과부 영역은 상기 발광부 영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 한다.Each of the red, green, and blue subpixels may further include a transmissive part region. The transmissive part area may have a larger area than the light emitting part area.

상기 백색 서브화소의 면적은 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적의 1 내지 5배인 것을 특징으로 한다.The area of the white subpixel is 1 to 5 times the area of the red, green, and blue subpixels.

상기 백색 서브화소와 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적비가 3:1인 것을 특징으로 한다.The area ratio of the white subpixel and the red, green, and blue subpixels is 3: 1.

상기 백색 서브화소와 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적비가 1.28:0.78 인 것을 특징으로 한다.The area ratio of the white subpixel and the red, green, and blue subpixels is 1.28: 0.78.

상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 상기 제1 및 제2화소와 각각 인접한 제3 및 제4화소를 더 포함하고, 상기 제3 및 제4화소는 상기 백색 서브화소를 공유하는 것을 특징으로 한다.
And third and fourth pixels adjacent to the first and second pixels, respectively, along the second direction perpendicular to the first direction, wherein the third and fourth pixels share the white subpixel. It is done.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치는 백색 서브화소를 인접한 적, 녹, 청백 서브화소에 공유함으로써 투과도를 개선하는 효과를 갖는다.
As described above, the transparent organic light emitting diode display according to the present invention has the effect of improving the transmittance by sharing the white subpixels to adjacent red, green, and blue white subpixels.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소영역을 간략히 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소에 대한 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소 배열구조를 간략히 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소 배열구조를 간략히 도시한 평면도이다.
1 is a circuit diagram schematically illustrating a pixel area of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of one pixel of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a plan view briefly illustrating a pixel array structure of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a plan view briefly illustrating a pixel array structure of a transparent organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소영역을 간략히 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram schematically illustrating a pixel area of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소영역(100)은 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the pixel area 100 of the transparent organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a light emitting part region 190 and a transmissive part region 191.

발광부 영역(190)은 발광다이오드(E)가 턴-온(Turn-On) 상태일 때 화상을 구현하며, 투과부 영역(191)은 발광다이오드(E)가 턴-오프(Turn-Off) 상태일 때 반대편에 위치하는 사물 또는 이미지가 투과하여 보여지게 된다.The light emitting unit region 190 implements an image when the light emitting diode E is turned on. In the transmissive region 191, the light emitting diode E is turned off. When the object or image located on the other side is transmitted through.

조금 더 자세하게 설명하면, 일 방향으로 게이트배선(GL)과 데이터배선(DL)이 교차하여 화소영역(100)을 정의하고, 데이터배선(DL)과 게이트배선(GL)이 교차하는 지점의 발광부 영역(190)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구성되고, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터가(Td)가 구성된다.In more detail, the light emitting part at the point where the gate line GL and the data line DL cross each other to define the pixel area 100 and the data line DL and the gate line GL cross each other. A switching thin film transistor Ts is formed in the region 190, and a driving thin film transistor Td is electrically connected to the switching thin film transistor Ts.

구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극과 게이트전극 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)가 구성되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인전극은 발광다이오드(E)의 애노드 전극과 연결하여 구성된다. 또한 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극은 전원배선(PL)과 연결된다.The storage capacitor Cst is formed between the source electrode and the gate electrode of the driving thin film transistor Td, and the drain electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the anode electrode of the light emitting diode E. In addition, the source electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the power line PL.

이 때, 도시하지 않았지만 발광부 영역(190)과 투과부 영역(190)을 구분하기 위해 발광부 영역(190)과 투과부 영역(190) 사이에 뱅크(119, 도 3참조)가 형성될 수 있다.In this case, although not shown, a bank 119 (see FIG. 3) may be formed between the light emitter region 190 and the transmissive region 190 to distinguish the light emitter region 190 and the transmissive region 190.

이러한 구성의 발광부 영역(190)의 발광다이오드(E)의 동작특성을 간략히 설명한다.The operation characteristics of the light emitting diode E of the light emitting portion region 190 having such a configuration will be briefly described.

먼저, 게이트배선(GL)에 인가된 게이트신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(Turn-On) 되면, 데이터배선(DL)에 인가된 데이터신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.First, when the switching thin film transistor Ts is turned on according to the gate signal applied to the gate wiring GL, the data signal applied to the data wiring DL is transferred through the switching thin film transistor Ts. The gate electrode of the driving thin film transistor Td and one electrode of the storage capacitor Cst are applied.

구동 박막트랜지스터(Td)는 게이트전극에 인가된 데이터신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 데이터신호에 비례하는 전류가 전원배선(PL)으로부터 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 발광다이오드(E)로 흐르게 되고, 발광다이오드(E)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 흐르는 전류에 비례하여 발광한다. 이 때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 비례하는 전압이 충전되어, 일 프레임 동안 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.The driving thin film transistor Td is turned on according to the data signal applied to the gate electrode, and as a result, a current proportional to the data signal is transferred from the power supply line PL to the light emitting diode E through the driving thin film transistor Td. The light emitting diode E emits light in proportion to the current flowing through the driving thin film transistor Td. At this time, the storage capacitor Cst is charged with a voltage proportional to the data signal, so that the voltage of the gate electrode of the driving thin film transistor Td is kept constant for one frame.

따라서 발광부 영역(190)은 게이트 신호 및 데이터신호에 의하여 원하는 영상을 표시하게 된다.Accordingly, the light emitter region 190 displays a desired image by the gate signal and the data signal.

한편, 투과부 영역(191)에는 투명한 절연막이 형성되거나, 빈 공간으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, a transparent insulating layer may be formed in the transmissive part region 191 or may be formed of an empty space.

이 때, 투과부 영역(191)은 발광부 영역(190)의 면적 대비 투과부 영역(191)의 면적의 비율이 25%~85%의 범위에 속하도록 형성할 수 있으며, 이에 따라 투과부 영역(191)이 발광다이오드(E)가 턴-오프 상태일 때 반대편에 위치하는 사물 또는 이미지가 투과되고, 턴-온 상태일 때 발광부 영역(190)을 통해 화상을 구현할 수 있게 된다. 이 때, 투과율 향상을 위해 투과부 영역(191)이 발광부 영역(190)보다 넓은 면적을 가지는 것이 바람직할 것이다. In this case, the transmission area 191 may be formed such that the ratio of the area of the transmission area 191 to the area of the light emission area 190 is in a range of 25% to 85%, and thus the transmission area 191. When the light emitting diode E is turned off, an object or an image positioned on the opposite side of the light emitting diode E is transmitted, and when the light emitting diode E is turned on, an image may be realized through the light emitter region 190. In this case, in order to improve transmittance, it may be preferable that the transmission region 191 has a larger area than the light emitting region 190.

이러한 구성을 단면 구조를 통해 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.This configuration will be described in more detail through the cross-sectional structure.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소에 대한 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of one pixel of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이 때, 투명 유기발광다이오드 표시장치는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(Top Emission type)과 하부 발광방식(Bottom Emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 상부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다.In this case, the transparent organic light emitting diode display is divided into a top emission type and a bottom emission type according to the transmission direction of the emitted light. Hereinafter, the top emission method will be described as an example. I'll do it.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치(101)는 제1기판(102a)과 마주하는 인캡슐레이션을 위한 제2기판(130)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(미도시)을 통해 봉지되어 합착된다.As illustrated, the transparent organic light emitting diode display device 101 according to the present invention has the second substrate 130 for encapsulation facing the first substrate 102a being spaced apart from each other so as to fail at its edges. Encapsulated and bonded together.

조금 더 자세히 살펴보면, 화소영역(100)의 제1기판(102a) 상으로 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)으로 나뉘어 정의되며, 발광부 영역(190) 상에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103b)과 액티브영역(103b) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)으로 구성된다.In more detail, the light emitting unit region 190 and the transmitting unit region 191 are defined on the first substrate 102a of the pixel region 100, and the semiconductor layer 103 is formed on the light emitting unit region 190. The semiconductor layer 103 is made of silicon, and the center portion of the semiconductor layer 103 is composed of an active region 103b constituting a channel and source and drain regions 103a and 103c doped with a high concentration of impurities on both sides of the active region 103b.

이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있으며, 게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103b)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타나지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선(도 1의 GL)이 형성되어 있다. 그리고 게이트전극(107)과 게이트배선(도 1의 GL)의 상부 전면에 제1층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이 때 제1층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103b) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103a, 103c)을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 구비한다.The gate insulating layer 105 is formed on the semiconductor layer 103, and the gate electrode 107 and the drawing are disposed on the gate insulating layer 105 to correspond to the active region 103b of the semiconductor layer 103. Although not formed, the gate wirings (GL in FIG. 1) extending in one direction are formed. A first interlayer insulating film 109a is formed on the entire upper surface of the gate electrode 107 and the gate wiring (GL in FIG. 1). At this time, the first interlayer insulating film 109a and the gate insulating film 105 thereunder are formed. First and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b exposing the source and drain regions 103a and 103c located on both sides of the active region 103b, respectively.

다음으로, 제1 및 제2반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 포함하는 제1층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제1 및 제2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인전극(113, 115)이 형성되어 있다.Next, an upper portion of the first interlayer insulating layer 109a including the first and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b is spaced apart from each other and exposed through the first and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b. Source and drain electrodes 113 and 115 in contact with the source and drain regions 103a and 103c are formed, respectively.

그리고, 소스 및 드레인전극(113, 115)과 두 전극(113,115) 사이로 노출된 제1층간절연막(109a) 상부로 드레인전극(115)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는 제2층간절연막(109b)이 형성되어 있다. 이 때, 게이트절연막(105)과 제1 및 제2층간절연막(109a, 109b)은 빛을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 이루어진다.And a second interlayer insulating film having a drain contact hole 117 exposing the drain electrode 115 over the first interlayer insulating film 109a exposed between the source and drain electrodes 113 and 115 and the two electrodes 113 and 115 ( 109b) is formed. In this case, the gate insulating film 105 and the first and second interlayer insulating films 109a and 109b are made of a transparent material that can transmit light.

여기서, 소스 및 드레인전극(113, 115)과 이들 전극(113, 115)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103a, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.Here, the semiconductor layer 103 including the source and drain electrodes 113 and 115 and the source and drain regions 103a and 103c in contact with the electrodes 113 and 115 and the gate insulating film formed on the semiconductor layer 103. The 105 and the gate electrode 107 form a driving thin film transistor DTr.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(도 1의 GL)과 교차하여 화소영역(100)을 정의하는 데이터배선(도 1의 DL)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(도 1의 Ts)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되어 형성된다.Although not shown in the drawing, the data wiring (DL in FIG. 1) defining the pixel region 100 is formed to intersect with the gate wiring (GL in FIG. 1). The switching thin film transistor Ts of FIG. 1 has the same structure as the driving thin film transistor DTr and is connected to the driving thin film transistor DTr.

그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 1의 Ts, DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리 실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로서 보이고 있으며, 이의 변형 예로서 진성 및 불순물의 비정질 실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다.In addition, the switching and driving thin film transistor (Ts and DTr of FIG. 1) shows a top gate type in which the semiconductor layer 103 is made of a polysilicon semiconductor layer as an example, and as an example of this, intrinsic and impurity It may also be formed as a bottom gate (bottom gate) type made of amorphous silicon of.

또한, 제2층간절연막(109b) 상부에는 발광다이오드(E)를 구성하는 제1전극(211)과 유기발광층(213) 그리고 제2전극(215)이 순차적으로 형성되어 있다.In addition, the first electrode 211, the organic light emitting layer 213, and the second electrode 215 constituting the light emitting diode E are sequentially formed on the second interlayer insulating film 109b.

제1전극(211)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(115)과 연결된다.The first electrode 211 is connected to the drain electrode 115 of the driving thin film transistor DTr.

이러한 제1전극(211)은 각 화소영역(100)의 발광부 영역(190) 별로 형성되는데, 각 화소영역(100)의 발광부 영역(190) 별로 형성된 제1전극(211) 사이에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다. 즉, 뱅크(119)를 각 화소영역(100)의 발광부 영역(190) 별 경계부로 하여 제1전극(211)이 발광부 영역(190)별로 분리된 구조로 형성되어 있다.The first electrode 211 is formed for each of the light emitter regions 190 of each pixel region 100, and a bank (between the first electrodes 211 formed for each of the light emitter regions 190 of each pixel region 100). bank: 119). That is, the first electrode 211 is formed in a structure in which the banks 119 are separated by the light emitter regions 190 by using the banks 119 as boundaries between the light emitter regions 190 of the pixel regions 100.

그리고 제1전극(211)의 상부에 유기발광층(213)이 형성되어 있다.The organic light emitting layer 213 is formed on the first electrode 211.

여기서, 유기발광층(213)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.Here, the organic light emitting layer 213 may be composed of a single layer made of a light emitting material, and in order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transport layer, an emitting material layer, an electron It may be composed of multiple layers of an electron transport layer and an electron injection layer.

이러한 유기발광층(213)은 백색(W)광을 방출하며, 일반적인 방법으로는 백색(W)을 발광하는 물질을 패턴하여 사용한다.The organic light emitting layer 213 emits white (W) light, and in general, a material emitting white (W) is patterned.

그리고, 유기발광층(213)의 상부로는 제2전극(215)이 형성되어 있다. 제1전극(211)과 제2전극(215)은 각각 캐소드전극과 애노드전극의 역할을 한다.The second electrode 215 is formed on the organic light emitting layer 213. The first electrode 211 and the second electrode 215 serve as a cathode electrode and an anode electrode, respectively.

이러한 발광다이오드(E)의 유기발광층(213)에서 발광된 빛은 제2전극(215)을 향해 방출되는 상부 발광방식으로 구동된다.The light emitted from the organic light emitting layer 213 of the light emitting diode E is driven by the upper light emitting method emitted toward the second electrode 215.

그리고, 제1기판(102a)은 인캡슐레이션을 위한 제2기판(130)과 실패턴(미도시)을 통해 봉지되어 합착된다. In addition, the first substrate 102a is encapsulated and bonded through the second substrate 130 for encapsulation and a failure turn (not shown).

이 때, 제2기판(130)은 유기발광층(213)에서 방출하는 백색(W)광을 컬러 영상으로 표현하기 위해 적색, 녹색, 청색, 백색(R, G, B, W)을 포함하는 컬러필터(C/F)와 블랙매트릭스(BM)가 구비된다. 여기서 백색(W)을 표현하기 위한 백색(W) 컬러필터(C/F)가 구비될 수도 있으며, 유기발광층(213)에서 방출되는 백색(W)광의 투과도를 높이기 위해 백색(W) 컬러필터(C/F)가 생략될 수도 있다. At this time, the second substrate 130 is a color including red, green, blue, white (R, G, B, W) to express the white (W) light emitted from the organic light emitting layer 213 as a color image A filter C / F and a black matrix BM are provided. Here, a white (W) color filter (C / F) may be provided to express white (W), and in order to increase the transmittance of the white (W) light emitted from the organic light emitting layer 213, the white (W) color filter ( C / F) may be omitted.

한편, 유기발광층은 적, 녹, 청, 백색 빛을 각각 방출하는 물질로 형성될 수 있으며, 이 경우 컬러필터(C/F)가 생략될 수 있다.On the other hand, the organic light emitting layer may be formed of a material that emits red, green, blue, and white light, respectively, in which case the color filter (C / F) may be omitted.

이러한 투명 유기발광다이오드 표시장치(101)는 제1전극(211)과 제2전극(215)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1전극(211)으로부터 주입된 정공과 제2전극(215)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(213)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.When a predetermined voltage is applied to the first electrode 211 and the second electrode 215, the transparent organic light emitting diode display 101 may be formed from holes and second electrodes 215 injected from the first electrode 211. The provided electrons are transported to the organic light emitting layer 213 to form excitons, and when these excitons transition from the excited state to the ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

이때, 발광된 빛은 제2전극(215)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 투명 유기발광다이오드 표시장치(101)의 각 화소영역(100)의 발광부 영역(190)은 임의의 화상을 구현하게 된다.In this case, since the emitted light passes through the second electrode 215 to the outside, the light emitting unit region 190 of each pixel region 100 of the transparent organic light emitting diode display device 101 realizes an arbitrary image. do.

여기서, 본 발명의 투명 유기발광다이오드 표시장치(101)는 발광부 영역(190)의 일측에 위치하는 투과부 영역(191)은 제1기판(102a)으로만 이루어지거나, 또는 발광부 영역(190) 상에 형성된 게이트절연막(105)과 제1 및 제2층간절연막(109a, 109b)이 형성될 수 있다.In the transparent organic light emitting diode display 101 of the present invention, the transmissive part 191 located at one side of the light emitting part area 190 is formed of only the first substrate 102a or the light emitting part area 190. The gate insulating film 105 and the first and second interlayer insulating films 109a and 109b formed thereon may be formed.

게이트절연막(105)과 제1 및 제2층간절연막(109a, 109b)은 빛을 투과할 수 있는 투명한 재질로 이루어짐에 따라, 이와 같이 게이트절연막(105)과 제1 및 제2층간절연막(109a, 109b)이 형성되어도, 투과부 영역(191)은 약95% 이상의 투과율을 가질 수 있다.As the gate insulating film 105 and the first and second interlayer insulating films 109a and 109b are made of a transparent material that can transmit light, the gate insulating film 105 and the first and second interlayer insulating films 109a and Even if 109b) is formed, the transmission region 191 may have a transmittance of about 95% or more.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소 배열구조를 이하 도 3을 참고하여 설명한다.A pixel array structure of the transparent organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소 배열구조를 간략히 도시한 평면도이다. 3 is a plan view briefly illustrating a pixel array structure of a transparent organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 투명 유기발광다이오드 표시장치의 화소 배열구조(120)는 각각 인접한 제1화소(P1)과 제2화소(P2)가 백색 서브화소(W)를 공유한다.As shown in FIG. 3, in the pixel array structure 120 of the transparent organic light emitting diode display device of the present invention, the adjacent first pixel P1 and the second pixel P2 share the white subpixel W, respectively. .

보다 상세하게, 제1방향을 따라 인접한 제1화소(P1)과 제2화소(P2)가 구성되고, 제1화소(P1)는 제1방향을 따라 배열된 적색을 표시하는 제1서브화소(SP1), 녹색을 표시하는 제2서브화소(SP2), 청색을 표시하는 제3서브화소(SP3)를 포함하고, 제2화소는 적색을 표시하는 제4서브화소(SP4), 녹색을 표시하는 제5서브화소(SP5), 청색을 표시하는 제6서브화소(SP6)를 포함하고, 제1 및 제2화소(P1, P2) 사이에 백색 서브화소(W)를 공유한다. 이 때, 각 서브화소(SP1~SP6, W)는 도 1 및 도 2에 도시된 구조를 가지며, 여기서, 백색 서브화소(W)의 면적은 인접한 제1 및 제2화소(P1, P2)의 각 서브화소(SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, SP6)의 면적과 같거나 크게 형성되며, 바람직하게는 제1 및 제2화소(P1, P2)의 각 서브화소(SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, SP6) 면적에 비해 백색 서브화소(W)는 1배 내지 5배의 면적을 가질 수 있다.In more detail, the first pixel P1 and the second pixel P2 adjacent to each other are formed along the first direction, and the first pixel P1 includes a first sub-pixel displaying red color arranged along the first direction. SP1), a second subpixel SP2 for displaying green color, a third subpixel SP3 for displaying blue color, and the second pixel is a fourth subpixel SP4 for displaying red color, and a fourth subpixel SP4 for displaying green color. The fifth sub-pixel SP5 and the sixth sub-pixel SP6 displaying blue are shared, and the white sub-pixel W is shared between the first and second pixels P1 and P2. At this time, each of the subpixels SP1 to SP6 and W has the structure shown in FIGS. 1 and 2, where the area of the white subpixel W is equal to that of the adjacent first and second pixels P1 and P2. The subpixels SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, and SP6 have the same or larger area than that of the subpixels SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, and SP6. Preferably, the subpixels SP1, SP2, SP3, The white subpixel W may have an area of 1 to 5 times that of the areas SP4, SP5, and SP6).

이 때, 제1화소의 제1 내지 제3서브화소(SP1~SP3) 배열구조는 제2화소의 제4 내지 제6서브화소(SP4~SP6) 와 다르게 배열될 수 있다.In this case, the arrangement structure of the first to third subpixels SP1 to SP3 of the first pixel may be different from that of the fourth to sixth subpixels SP4 to SP6 of the second pixel.

그리고, 각각의 서브화소(SP1~SP6, W)는 발광부 영역(190)을 포함하며, 발광부 영역(190)에는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 발광다이오드가 형성된다. 또한, 각각의 서브화소(SP1~SP6, W)는 투과부 영역을 포함한다.
즉, 백색 서브화소(W)은 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)을 포함하며, 상기 백색 서브화소(W)의 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)은 각각 제1화소(P1) 및 제2화소(P2)에 공유된다.
Each of the subpixels SP1 to SP6 and W includes a light emitting unit region 190, and a driving and switching thin film transistor and a light emitting diode are formed in the light emitting unit region 190. In addition, each of the subpixels SP1 to SP6 and W includes a transmissive portion region.
That is, the white subpixel W includes the light emitter region 190 and the transmissive region 191, and the light emitter region 190 and the transmissive region 191 of the white subpixel W are each a first pixel. It is shared by P1 and the second pixel P2.

이 때, 각 서브화소를 구분하기 위한 뱅크(119)가 구비되는데, 조금 더 자세하게는제1 내지 제6 및 백색 서브화소(SP1~SP6, W) 각각을 구분하고, 각 서브화소(SP1~SP6, W)의 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)을 구분하기 위해 뱅크(119)가 구비된다.At this time, a bank 119 for distinguishing each sub-pixel is provided, and in more detail, each of the first to sixth and white sub-pixels SP1 to SP6 and W is divided, and each sub-pixel to SP1 to SP6 is provided. The bank 119 is provided to distinguish the light emitting part region 190 and the transmission part region 191 of the W region.

이러한 배열구조(120)는 일 폭(f)를 갖고, 폭(f)안에서 제1 내지 제6서브화소(SP1~SP6)와 백색 서브화소(W)가 구성되고, 각 서브화소(SP1~SP6, W)는 발광부 영역(190)과 투과부 영역(191)으로 나뉘어 발광부 영역(190)은 발광부 면적(a*b)을 가지며, 투과부 영역(191)은 투과부 면적(b*e)을 갖는다. The array structure 120 has a width f, the first to sixth subpixels SP1 to SP6 and the white subpixels W are formed within the width f, and each subpixel SP1 to SP6 is formed. , W is divided into the light emitting region 190 and the transmission region 191, the light emitting region 190 has a light emitting area (a * b), the transmission region 191 is a transmission area (b * e) Have

발광부 영역(190)은 투과부 영역(191)과 뱅크(119)로 거리(d)만큼 이격되고, 또한, 발광부 영역(190)은 인접한 발광부 영역(190)과 뱅크(119)로 거리(c)만큼 이격되며, 투과부 영역(191)도 인접한 투과부 영역(191)과 뱅크(119)로 거리(c)만큼 이격되어 구성된다.The light emitter region 190 is spaced apart from the transmissive region 191 by the bank 119 by a distance d, and the light emitter region 190 is disposed by the distance between the adjacent light emitter region 190 and the bank 119. It is spaced apart by c), and the transmission part region 191 is also configured to be spaced apart by the distance (c) to the adjacent transmission part region 191 and the bank 119.

이하, 표 1을 참조하여 면적 관계에 따른 투과율 개선 효과를 알아보도록 하겠다.Hereinafter, the transmittance improvement effect according to the area relationship will be described with reference to Table 1.

변수variable Sample1Sample1 실시예Example 실시예 변형Example variant aa 1One 1One 0.780.78 bb 1One 1(W:3)1 (W: 3) 1.281.28 cc 1One 1One 1One a*ba * b 1One 1(W:3)1 (W: 3) 0.9980.998 dd 1One 1One 1One ee 55 55 5.225.22 ff 88 88 88 e*be * b 4040 4545 46.7746.77 투과율(%)Transmittance (%) 31.2531.25 35.1535.15 36.5436.54

여기서 Sample1은 하나의 화소가 종래의 4-컬러방식으로 R, G, B, W 4개로 폭(f)안에서 8개의 서브화소로 이루어지는 배열구조이며, 실시예는 폭(f)안에서 7개의 서브화소로 이루어지는 본 발명의 제1화소와 제2화소가 백색 서브화소(W)를 공유하는 배열구조로, 이 때, 백색 서브화소(W)의 면적을 종래에 4-컬러방식의 하나의 서브화소 면적 대비 3배 면적으로 형성한 것이며, 실시예 변형은 본 발명의 화소 배열구조에서 백색 서브화소(W)의 면적을 종래에 4-컬러방식에서 하나의 서브화소 면적 대비1.28배 면적으로 형성하고, 적, 녹, 청(R, G, B) 서브화소의 면적을 종래에 4-컬러방식에서 하나의 서브화소 면적 대비 0.78배 면적으로 형성한 것이다. Here, Sample1 is an arrangement structure in which one pixel is composed of eight subpixels in the width f with four R, G, B, and W in the conventional four-color method, and the embodiment includes seven subpixels in the width f. An array structure in which the first pixel and the second pixel of the present invention share a white sub-pixel W, wherein the area of the white sub-pixel W is conventionally a four-color subpixel area. In an embodiment variant, the area of the white subpixel W in the pixel array structure of the present invention is formed to be 1.28 times larger than the area of one subpixel in a four-color method. The area of the green, blue, and blue (R, G, B) subpixels is formed to be 0.78 times the area of one subpixel in the conventional four-color method.

각 변수들을 살펴보면, a는 서브화소의 길이를 나타내고, b는 서브화소의 폭을 나타내고, c는 서브화소와 서브화소 사이에 형성된 뱅크의 폭을 나타내고, a*b는 서브화소의 발광부 영역(190, 도 3참조) 면적을 나타낸다.Looking at each variable, a denotes the length of the subpixel, b denotes the width of the subpixel, c denotes the width of the bank formed between the subpixel and the subpixel, and a * b denotes the light emitting area of the subpixel ( 190, see FIG. 3).

그리고 d는 서브화소가 형성된 발광부 영역(190, 도 3 참조)과 투과부 영역(191, 도 3참조) 사이의 뱅크 폭을 나타내며, e는 투과부 영역(191, 도 3참조)의 길이를 나타내며, f는 인접한 두 화소로 이루어진 배열구조의 길이를 나타낸다. 그리고 e*b는 서브화소의 투과부 영역(191, 도 3참조)의 면적을 나타낸다.And d denotes a bank width between the light emitting region 190 (see FIG. 3) and the transmission region 191 (see FIG. 3) where the subpixels are formed, and e denotes the length of the transmission region 191 (see FIG. 3). f represents the length of the array structure consisting of two adjacent pixels. And e * b represents the area of the permeation | transmission part area | region 191 (refer FIG. 3) of a subpixel.

이러한 변수들로 Sample1을 설명하면, 각 서브화소의 발광부 면적(a*b)이 1, 발광부 영역(190, 도 3참조)과 투과부 영역(191, 도 3참조)의 이격거리(d)를 1, 투과부의 길이(e) 5, 배열구조의 폭(f)을 8, 투과부 영역(191, 도 3참조)의 면적(e*b)를 40, 투과율 31.25를 기준으로 한다.Referring to Sample 1 using these variables, the light emitting area (a * b) of each sub-pixel is 1, and the separation distance (d) of the light emitting area (190, see FIG. 3) and the transmission area (191, see FIG. 3). 1, the length (e) of the transmission part 5, the width (f) of the arrangement structure 8, the area (e * b) of the transmission part region 191 (see FIG. 3) is 40 and the transmittance 31.25.

표 1에 서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 백색 서브화소(W)가 인접한 서브화소(R, G, B)사이에서 공유되는 배열구조인 실시예는 백색(W)을 제외한 서브화소(R, G, B)의 면적(a*b)이 1, 백색 서브화소(W)의 면적(a*b)이 3, 발광부 영역(190, 도 3참조)과 투과부 영역(191, 도 3참조)의 이격거리(d) 1, 투과부의 길이(e) 5, 배열구조의 폭(f)을 8, 투과부 영역의 면적(e*b)이 45 일 때, 투과율이 35.15 인 것을 확인할 수 있다.As can be seen from Table 1, the embodiment in which the white subpixel W of the present invention is an arrangement structure shared between adjacent subpixels R, G, and B has subpixels R and G except white (W). , B) has an area a * b of 1, white subpixel W has an area a * b of 3, light emitting area 190 (see FIG. 3) and transmissive area 191 (see FIG. 3). It can be seen that the transmittance is 35.15 when the separation distance d 1, the length e of the transmission part 5, the width f of the arrangement structure 8, and the area e * b of the transmission part area is 45.

한편, 실시예의 변형 배열구조는 백색(W)을 제외한 서브화소(R, G, B) 면적(a*b)이 0.998, 백색 서브화소(W) 면적(a*b)이 1.28, 발광부 영역(190, 도 3참조)과 투과부 영역(191, 도 3참조)의 이격거리(d) 1, 투과부의 길이(e) 5.22, 배열구조의 폭(f)을 8, 투과부 영역의 면적(e*b)이 46.77 일 때, 투과율 36.54 인 것을 확인할 수 있다.Meanwhile, in the modified arrangement of the embodiment, the subpixels R, G, and B except for the white W have an area a * b of 0.998, the white subpixel W has an area a * b of 1.28, and the light emitting area. 3, the separation distance (d) of the transmission area (191, see Fig. 3) 1, the length of the transmission part (e) 5.22, the width (f) of the array structure 8, the area of the transmission area (e * When b) is 46.77, it can be seen that the transmittance is 36.54.

즉, 실시예의 투과율이 35.15, 실시예의 변형의 투과율이 36.54로 기준인 Sample1의 투과율 31.25 보다 변형 배열구조의 투과율이 36.54로 Sample1의 투과율 31.25보다 높은 것을 확인할 수 있다.That is, it can be confirmed that the transmittance of the modified array structure is 36.54 and higher than the transmittance of 31.25 of Sample1 than the transmittance of 31.25 of Sample1, which is 35.15 and the transmittance of deformation of the Example is 36.54.

다시 말해, 종래의 4-컬러방식의 구조 대비 본 발명의 실시예가 동일한 배열구조 폭(f)에서 백색 서브화소(W)를 공유하는 배열구조를 갖는 것으로, 종래의 4-컬러방식의 배열구조보다 전체면적에서 각각의 배선들(GL, DL, PL 등)과 각각의 서브화소를 구분하기 위한 뱅크를 형성하는 영역이 줄어들어 투과율 개선효과를 가질 수 있다.In other words, the embodiment of the present invention has a structure in which the white sub-pixels W are shared in the same arrangement structure width f, as compared with the conventional 4-color structure, and compared with the conventional 4-color structure. A region forming a bank for distinguishing each of the wirings (GL, DL, PL, etc.) from each subpixel in the total area may be reduced, thereby improving transmittance.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 구동 방법에 따라서 다양한 배열구조를 가질 수 있다. 즉 전술한 일렬의 형상을 갖는 배열구조(120)를 가질 수도 있으며, 이와는 별개의 형태를 가질 수 도 있다.The present invention is not limited to the above embodiment, and may have various arrangements depending on the driving method. That is, it may have an array structure 120 having the above-described shape of a row, it may have a separate form.

도 4는 백색 서브화소(W)가 인접한 4개의 제1 내지 제4화소(P1~P4)에 공유되는 형태 배열구조를 도시한 개략도이다. 이 때, 배열을 제외하고는 도 1 및 도 2의 구성과 동일하므로 중복된 설명은 생략하도록 한다.FIG. 4 is a schematic diagram showing a shape arrangement in which the white subpixels W are shared by four adjacent first to fourth pixels P1 to P4. In this case, except for the arrangement, the same as the configuration of FIGS. 1 and 2 is omitted.

도 4에 도시한 바와 같이, 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 제1 및 제2화소(P1, P2)와 각각 인접한 제3화소(P3)과 제4화소(P4)가 구성되고, 각 화소(P1~P4)는 백색 서브화소(W)를 공유하는 배열 구조를 가질 수 있다.As shown in FIG. 4, the third and fourth pixels P3 and P4 adjacent to the first and second pixels P1 and P2 are formed in a second direction perpendicular to the first direction. Each of the pixels P1 to P4 may have an array structure in which the white subpixels W are shared.

이 때, 각 화소(SP1~SP4)는 제1화소(P1)는 제1방향을 따라 배열된 적색을 표시하는 제1서브화소(SP1), 녹색을 표시하는 제2서브화소(SP2), 청색을 표시하는 제3서브화소(SP3)를 포함하고, 제2화소는 적색을 표시하는 제4서브화소(SP4), 녹색을 표시하는 제5서브화소(SP5), 청색을 표시하는 제6서브화소(SP6)를 포함하고, 제3화소는 적색을 표시하는 제7서브화소(SP7), 녹색을 표시하는 제8서브화소(SP8), 청색을 표시하는 제9서브화소(SP9)를 포함하고, 제4화소는 적색을 표시하는 제10서브화소(SP10), 녹색을 표시하는 제11서브화소(SP11), 청색을 표시하는 제12서브화소(SP12)를 포함한다. 이 때, 제1 및 제4화소(P1, P4)는 사이에 백색 서브화소(W)를 공유한다. In this case, each of the pixels SP1 to SP4 has a first sub-pixel SP1 for displaying red arranged in the first direction, a second sub-pixel SP2 for displaying green, and a blue color for the first pixel P1. And a third subpixel SP3 for displaying the second subpixel SP3, and a second subpixel SP4 for displaying red, a fifth subpixel SP5 for displaying green, and a sixth subpixel for displaying blue. (SP6), the third pixel includes a seventh sub-pixel (SP7) for displaying red, the eighth sub-pixel (SP8) for displaying green, the ninth sub-pixel (SP9) for displaying blue, The fourth pixel includes a tenth sub-pixel SP10 for displaying red, an eleventh sub-pixel SP11 for displaying green, and a twelfth sub-pixel SP12 for displaying blue. At this time, the first and fourth pixels P1 and P4 share the white subpixel W therebetween.

이 때, 제1화소의 제1 내지 제3서브화소(SP1~SP3) 배열구조는 제2화소 및 제3화소 및 제4화소의 제4 내지 제12서브화소(SP4~SP12)와 다르게 배열될 수 있다.In this case, the arrangement structure of the first to third subpixels SP1 to SP3 of the first pixel may be different from that of the fourth to twelfth subpixels SP4 to SP12 of the second and third pixels and the fourth pixel. Can be.

이 때, 각 서브화소(SP1~SP12)는 제1발광부 영역(290)과 투과부 영역(291)을 가지며, 각 제1발광부 영역(290)은 도시된 바와 같이 대면하는 형태로 이격되어 구성된다. 여기서, 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)는 이격되는 부분 없이 제1발광부 영역(290)을 포함하는 형태로 구성된다.
이때, 백색 서브화소(W)의 투과부 영역(291)은 제2발광부 영역(290a)의 상하면에 배치된다. 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)은 인접하는 제1화소 내지 제4화소(P1~P4)에 공유되며, 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)의 상부 투과부 영역(291)은 제1화소 및 제2화소(P1,P2)에 공유되고 하부 투과부영역(291)은 제3화소 및 제4화소(P3,P4)에 공유된다.
예를 들어, 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)은 제1화소 내지 제4화소(P1~P4) 각각의 적, 녹, 청색 서브화소(SP1,SP2,SP3 ; SP4,SP5,SP6 ; SP7,SP8,SP9 ; SP10,SP11,SP12)에 공유될 수 있다. 또한, 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)의 상부 투과부 영역(291)은 제1화소 및 제2화소(P1,P2) 각각의 적, 녹, 청색 서브화소(SP1,SP2,SP3 ; SP4,SP6,SP6)의 투과부 영역에 공유될 수 있으며, 백색 서브화소(W)의 제2발광부 영역(290a)의 하부 투과부 영역(291)은 제3화소 및 제4화소(P3,P4) 각각의 적, 녹, 청색 서브화소(SP7,SP8,SP9 ; SP10,SP11,SP12)의 투과부 영역에 공유될 수 있다.
In this case, each of the sub-pixels SP1 to SP12 has a first light emitting unit region 290 and a transmissive unit region 291, and each of the first light emitting unit regions 290 is spaced apart from each other in a form of facing as shown. do. Here, the second light emitting unit region 290a of the white subpixel W is configured to include the first light emitting unit region 290 without being spaced apart from each other.
In this case, the transmissive part region 291 of the white subpixel W is disposed on the upper and lower surfaces of the second light emitting part region 290a. The second light emitting area 290a of the white subpixel W is shared by the adjacent first to fourth pixels P1 to P4, and the second light emitting area 290a of the white subpixel W is disposed. The upper transmissive region 291 is shared by the first and second pixels P1 and P2, and the lower transmissive region 291 is shared by the third and fourth pixels P3 and P4.
For example, the second light emitting region 290a of the white subpixel W may be formed of red, green, and blue subpixels SP1, SP2, SP3; SP4, of the first to fourth pixels P1 to P4. SP5, SP6; SP7, SP8, SP9; SP10, SP11, SP12). In addition, the upper transmissive portion 291 of the second light emitting portion 290a of the white subpixel W has red, green, and blue subpixels SP1 and SP2 of the first and second pixels P1 and P2, respectively. SP3 may be shared by the transmission region of SP4, SP6, and SP6, and the lower transmission region 291 of the second emission region 290a of the white subpixel W may include the third and fourth pixels P3. , P4) may be shared in the transmissive region of each of the red, green, and blue subpixels SP7, SP8, and SP9; SP10, SP11, and SP12.

도 4와 같은 배열 구조는 백색 서브화소(W)를 4개의 인접한 화소에 공유하는 형태를 취하는 것으로 뱅크(도 3의 119)로 가려지는 화소영역을 줄일 수 있게 되어 투과율 증가에 유리하다.The arrangement structure shown in FIG. 4 takes the form of sharing the white subpixel W to four adjacent pixels, thereby reducing the pixel area covered by the bank 119 of FIG. 3, which is advantageous in increasing transmittance.

이와는 또 다른 형태로, 도시하지는 않았지만 마름모 형태로 백색 서브화소(W)가 중앙에 위치하고 제1 내지 제4화소(P1, P2, P3, P4)가 백색 서브화소(W)를 둘러싸는 형태로 하나의 배열 구조를 가질 수도 있다.
In another form, although not illustrated, the white subpixel W is located in the center in a rhombus shape and the first to fourth pixels P1, P2, P3, and P4 surround the white subpixel W. It may have an array structure of.

본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시 할 수 있다.
Various changes can be made without departing from the spirit of the invention.

P1 : 제1화소 P2 : 제2화소
SP1 : 제1서브화소 SP2 : 제2서브화소
SP3 : 제1서브화소 SP4 : 제2서브화소
SP5 : 제1서브화소 SP6 : 제2서브화소
W : 백색 서브화소 119 : 뱅크
120 : 배열 구조 190 : 발광부 영역
191 : 투과부 영역
P1: first pixel P2: second pixel
SP1: Subpixel 1 SP2: Subpixel 2
SP3: first sub-pixel SP4: second sub-pixel
SP5: first sub-pixel SP6: second sub-pixel
W: white subpixel 119: bank
120 array structure 190 light emitting region
191: transmissive region

Claims (10)

제1방향을 따라 인접한 제1화소와 제2화소; 및
상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 상기 제1 및 제2화소와 각각 인접한 제3 및 제4화소를 포함하며,
상기 제1 내지 제4화소 각각은 상기 제1방향을 따라 배열된 적, 녹, 청색 서브화소를 포함하며, 상기 제1방향 및 제2방향을 따라 인접하는 제1 내지 제4화소는 하나의 백색 서브화소를 공유하고, 상기 백색 서브화소는 상기 적, 녹, 청색 서브화소와 같거나 보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
First and second pixels adjacent in a first direction; And
And third and fourth pixels adjacent to the first and second pixels, respectively, in a second direction perpendicular to the first direction.
Each of the first to fourth pixels includes red, green, and blue subpixels arranged along the first direction, and the first to fourth pixels adjacent to the first and second directions are one white. And a subpixel, wherein the white subpixel has an area equal to or larger than that of the red, green, and blue subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각은 발광부 영역을 포함하며, 상기 발광부 영역에는 구동 및 스위칭 트랜지스터, 발광다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
Each of the red, green, and blue subpixels includes a light emitting region, and a driving and switching transistor and a light emitting diode are formed in the light emitting region.
제 2 항에 있어서,
상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각은 투과부 영역을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
And each of the red, green, and blue subpixels further comprises a transmissive region.
제 3 항에 있어서,
상기 투과부 영역은 상기 발광부 영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3, wherein
And the transmissive part area has a larger area than the light emitting part area.
제 1 항에 있어서,
상기 백색 서브화소의 면적은 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적의 1 내지 5배인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And an area of the white subpixel is 1 to 5 times the area of the red, green, and blue subpixels.
제 5 항에 있어서,
상기 백색 서브화소와 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적비가 3:1인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 5,
And an area ratio of the white subpixel to the red, green, and blue subpixels is 3: 1.
제 5 항에 있어서,
상기 백색 서브화소와 상기 적, 녹, 청색 서브화소의 면적비가 1.28:0.78 인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 5,
And an area ratio of the white subpixel to the red, green, and blue subpixels is 1.28: 0.78.
삭제delete 제1방향을 따라 배치되며, 제1방향을 따라 배치된 적, 녹, 청색 서브화소를 각각 포함하는 제1화소 및 제2화소;
상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각에 형성되어 광을 출력하는 발광부 영역;
상기 적, 녹, 청색 서브화소 각각에 형성되어 외광을 투과시키는 투과부 영역; 및
발광부 영역과 투과부 영역을 포함하는 백색 서브화소로 구성되며,
상기 백색 서브화소의 발광부 영역은 제1방향을 따라 인접하는 제1화소 및 제2화소 각각의 적, 녹, 청색 서브화소의 발광부 영역에 공유되고 상기 백색 서브화소의 투과부 영역은 제1방향을 따라 인접하는 제1화소 및 제2화소 각각의 적, 녹, 청색 서브화소의 투과부 영역에 공유되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
First and second pixels disposed along the first direction and including red, green, and blue subpixels disposed along the first direction, respectively;
A light emitting part region formed in each of the red, green, and blue subpixels to output light;
A transmissive part region formed in each of the red, green, and blue subpixels to transmit external light; And
It consists of a white sub-pixel including a light emitting region and a transmission region,
The light emitting region of the white subpixel is shared by the light emitting region of the red, green, and blue subpixels of each of the adjacent first and second pixels along the first direction, and the transmission region of the white subpixel is the first direction. The organic light emitting diode display device of claim 1, wherein the organic light emitting diode display is shared by the transmission region of the red, green, and blue subpixels of the adjacent first and second pixels.
제9항에 있어서,
상기 제1방향과 수직인 제2방향을 따라 상기 제1화소 및 제2화소와 각각 인접한 제3화소 및 제4화소를 더 포함하며,
상기 백색 서브화소의 투과부 영역은 제2방향을 따라 발광부 영역의 양측에 배치된 제1투과부 영역 및 제2투과부 영역을 포함하며,
상기 백색 서브화소의 발광부 영역은 제1방향 및 제2방향으로 인접하는 4개의 화소 각각의 적, 녹, 청색 서브화소의 발광부 영역에 공유되며, 상기 백색 서브화소의 제1투과부 영역 및 제2투과부 영역은 각각 제1방향을 따라 인접하는 2개의 화소 각각의 적, 녹, 청색 서브화소의 투과부 영역에 공유되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 9,
Further comprising third and fourth pixels adjacent to the first and second pixels, respectively, in a second direction perpendicular to the first direction,
The transmissive part region of the white subpixel includes a first transmissive part area and a second transmissive part area disposed on both sides of the light emitting part area along a second direction.
The light emitting region of the white subpixel is shared by the light emitting region of the red, green, and blue subpixels of each of the four pixels adjacent to each other in the first and second directions, and includes a first transmission region and a first region of the white subpixel. 2. The organic light emitting diode display device of claim 2, wherein the two transmissive regions are shared by the transmissive regions of the red, green, and blue subpixels of each of the two adjacent pixels along the first direction.
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