KR102035987B1 - Salt and photoresist composition comprising the same - Google Patents

Salt and photoresist composition comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR102035987B1
KR102035987B1 KR1020120020913A KR20120020913A KR102035987B1 KR 102035987 B1 KR102035987 B1 KR 102035987B1 KR 1020120020913 A KR1020120020913 A KR 1020120020913A KR 20120020913 A KR20120020913 A KR 20120020913A KR 102035987 B1 KR102035987 B1 KR 102035987B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
groups
hydrocarbon group
salt
Prior art date
Application number
KR1020120020913A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130117897A (en
Inventor
고지 이치카와
히로무 사카모토
다카히로 야스에
Original Assignee
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Publication of KR20130117897A publication Critical patent/KR20130117897A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102035987B1 publication Critical patent/KR102035987B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C25/00Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
    • C07C25/18Polycyclic aromatic halogenated hydrocarbons
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01Sulfonic acids
    • C07C309/02Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/07Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
    • C07C309/12Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01Sulfonic acids
    • C07C309/02Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/17Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing carboxyl groups bound to the carbon skeleton
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12Sulfonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/96Esters of carbonic or haloformic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/12Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms
    • C07D303/16Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms by esterified hydroxyl radicals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D305/00Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms
    • C07D305/02Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D305/04Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D305/06Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D307/26Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
    • C07D307/30Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D307/32Oxygen atoms
    • C07D307/33Oxygen atoms in position 2, the oxygen atom being in its keto or unsubstituted enol form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D327/00Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D327/02Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms one oxygen atom and one sulfur atom
    • C07D327/04Five-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/46Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings substituted on the ring sulfur atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D497/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D497/12Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D497/18Bridged systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/56Ring systems containing bridged rings
    • C07C2603/58Ring systems containing bridged rings containing three rings
    • C07C2603/70Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/74Adamantanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Epoxy Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 화학식 I로 표시되는 염을 제공한다:
화학식 I

Figure 112012016756079-pat00085

상기 화학식 I에서,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,
L1은 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,
L2는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,
Y는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹이고, 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있고,
Z+는 유기 카운터 이온이다.The present invention provides salts represented by Formula I:
Formula I
Figure 112012016756079-pat00085

In Formula I,
Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group,
L 1 is a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,
L 2 is a single bond or a C1-C6 alkanediyl group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,
Y is a C3-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group which may have one or more substituents, and one or more -CH 2 -in the cycloaliphatic hydrocarbon group can be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- ,
Z + is an organic counter ion.

Description

염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물{Salt and photoresist composition comprising the same}Salt and photoresist composition comprising the same {Salt and photoresist composition comprising the same}

본 발명은 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to salts and photoresist compositions comprising them.

포토레지스트 조성물은 리소그래피 공정을 이용하는 반도체 미세가공(microfabrication)에 사용된다.Photoresist compositions are used for semiconductor microfabrication using lithography processes.

US 제2007/0122750 A1호에는 하기 화학식으로 표시된 염을 산 발생제로서 포함하는 포토레지스트 조성물이 기재되어 있다:US 2007/0122750 A1 describes photoresist compositions comprising as an acid generator a salt represented by the formula:

Figure 112012016756079-pat00001
Figure 112012016756079-pat00001

발명의 개요Summary of the Invention

본 발명은 산 발생제에 적합한 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a salt suitable for an acid generator and a photoresist composition comprising the same.

본 발명은 다음에 관한 것이다:The present invention relates to:

<1> 화학식 I로 표시되는 염:<1> Salts represented by Formula I:

화학식 IFormula I

Figure 112012016756079-pat00002
Figure 112012016756079-pat00002

상기 화학식 I에서,In Formula I,

Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group,

L1은 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,L 1 is a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,

L2는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,L 2 is a single bond or a C1-C6 alkanediyl group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,

Y는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹이고, 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있고,Y is a C3-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group which may have one or more substituents, and one or more -CH 2 -in the cycloaliphatic hydrocarbon group can be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- ,

Z+는 유기 카운터 이온(counter ion)이다.Z + is an organic counter ion.

<2> <1>에 있어서, L1이 C1-C6 알칸디일 그룹 또는 *-CO-O-Lb2-**[여기서, Lb2는 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다]인, 염.<2> The compound of <1>, wherein L 1 is a C1-C6 alkanediyl group or * -CO-OL b2 -** [where L b2 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group and * is -C ( Q 1 ) (Q 2 ) — indicates the binding position to **, ** indicates the binding position to —O—CO—OL 2 —Y].

<3> <1>에 있어서, L1이 메틸렌 그룹, *-CO-O-CH2-CH2-**[여기서, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다] 또는 하기 화학식으로 표시되는 그룹인, 염:<3> The compound of <1>, wherein L 1 is a methylene group, * -CO-O-CH 2 -CH 2 -** [where * represents a binding position to -C (Q 1 ) (Q 2 )- And ** indicates a bonding position to —O—CO—OL 2 —Y] or a group represented by the following formula:

Figure 112012016756079-pat00003
Figure 112012016756079-pat00003

상기 화학식에서, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다. In the above formula, * indicates a binding position to —C (Q 1 ) (Q 2 ) —, and ** indicates a binding position to —O—CO—OL 2 —Y.

<4> <1> 내지 <3> 중 어느 하나에서, L2가 단일 결합 또는 메틸렌 그룹인, 염.<4> The salt according to any one of <1> to <3>, wherein L 2 is a single bond or a methylene group.

<5> <1> 내지 <4> 중 어느 하나에서, Z+가 아릴설포늄 양이온인, 염.<5> The salt according to any one of <1> to <4>, wherein Z + is an arylsulfonium cation.

<6> <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 따른 염을 포함하는 산 발생제.<6> Acid generator containing the salt in any one of <1>-<5>.

<7> <6>에 따른 산 발생제, 및 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는, 산-불안정성 그룹을 갖는 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물.<7> A photoresist composition comprising an acid generator according to <6>, and a resin having an acid-labile group, which is insoluble or poorly soluble in an aqueous alkali solution but soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid.

<8> <7>에 있어서, 염기성 화합물을 추가로 포함하는, 포토레지스트 조성물.<8> The photoresist composition of <7> which further contains a basic compound.

<9> 다음 단계 (1) 내지 (5)를 포함하는, 포토레지스트 패턴의 제조 방법:<9> A method for producing a photoresist pattern, comprising the following steps (1) to (5):

(1) <7> 또는 <8>에 따른 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하는 단계,(1) applying the photoresist composition according to <7> or <8> on a substrate,

(2) 건조를 수행하여 포토레지스트 필름을 형성하는 단계,(2) drying to form a photoresist film,

(3) 상기 포토레지스트 필름을 방사선에 노광시키는 단계,(3) exposing the photoresist film to radiation,

(4) 상기 노광된 포토레지스트 필름을 베이킹하는 단계, 및(4) baking the exposed photoresist film, and

(5) 상기 베이킹된 포토레지스트 필름을 알칼리 현상액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계. (5) developing the baked photoresist film with an alkaline developer to form a photoresist pattern.

바람직한 양태의 설명Description of the Preferred Aspects

본 발명의 염은 화학식 I로 표시된다(이하, 염(I)이라 약칭한다):Salts of the present invention are represented by formula (hereinafter abbreviated as salt (I)):

화학식 IFormula I

Figure 112012016756079-pat00004
Figure 112012016756079-pat00004

상기 화학식 I에서,In Formula I,

Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group,

L1은 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,L 1 is a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,

L2는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,L 2 is a single bond or a C1-C6 alkanediyl group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,

Y는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹이고, 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있고,Y is a C3-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group which may have one or more substituents, and one or more -CH 2 -in the cycloaliphatic hydrocarbon group can be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- ,

Z+는 유기 카운터 이온이다.Z + is an organic counter ion.

상기 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹의 예로는 트리플루오로메틸 그룹, 퍼플루오로에틸 그룹, 퍼플루오로프로필 그룹, 퍼플루오로이소프로필 그룹, 퍼플루오로부틸 그룹, 퍼플루오로-2급-부틸 그룹, 퍼플루오로-3급-부틸 그룹, 퍼플루오로펜틸 그룹 및 퍼플루오로헥실 그룹이 포함되고, 트리플루오로메틸 그룹이 바람직하다. 바람직하게는, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 트리플루오로메틸 그룹이고, 더욱 바람직하게는, Q1 및 Q2는 불소 원자이다.Examples of the C1-C6 perfluoroalkyl group include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosecondary- Butyl groups, perfluoro-tert-butyl groups, perfluoropentyl groups and perfluorohexyl groups are included, with trifluoromethyl groups being preferred. Preferably, Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a trifluoromethyl group, and more preferably, Q 1 and Q 2 are fluorine atoms.

상기 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹의 예로는 메틸렌 그룹, 에틸렌 그룹, 프로판-1,3-디일 그룹, 프로판-1,2-디일 그룹, 부탄-1,4-디일 그룹, 부탄-1,3-디일 그룹, 펜탄-1,5-디일 그룹, 헥산-1,6-디일 그룹, 헵탄-1,7-디일 그룹, 옥탄-1,8-디일 그룹, 노난-1,9-디일 그룹, 데칸-1,10-디일 그룹, 운데칸-1,11-디일 그룹, 도데칸-1,12-디일 그룹, 트리데칸-1,13-디일 그룹, 테트라데칸-1,14-디일 그룹, 펜타데칸-1,15-디일 그룹, 헥사데칸-1,16-디일 그룹 및 헵타데칸-1,17-디일 그룹과 같은 C1-C17 선형 알칸디일 그룹; 에탄-1,1-디일 그룹, 프로판-1,1-디일 그룹, 프로판-2,2-디일 그룹, 부탄-1,3-디일 그룹, 2-메틸프로판-1,3-디일 그룹, 2-메틸프로판-1,2-디일 그룹, 펜탄-1,4-디일 그룹 및 2-메틸부탄-1,4-디일 그룹과 같은 C2-C17 분지형 알칸디일 그룹; 사이클로부탄-1,3-디일 그룹, 사이클로펜탄-1,3-디일 그룹, 사이클로헥산-1,2-디일 그룹, 1-메틸사이클로헥산-1,2-디일 그룹, 사이클로헥산-1,4-디일 그룹, 사이클로옥탄-1,2-디일 그룹 및 사이클로옥탄-1,5-디일 그룹과 같은 사이클로알칸디일 그룹 등의 2가 모노사이클릭 포화 지방족 탄화수소 그룹; 노르보르난-2,3-디일 그룹, 노르보르난-1,4-디일 그룹, 노르보르난-2,5-디일 그룹, 아다만탄-1,2-디일 그룹, 아다만탄-1,5-디일 그룹 및 아다만탄-2,6-디일 그룹과 같은 2가 폴리사이클릭 포화 지방족 탄화수소 그룹; 및 상기된 그룹들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 둘 이상의 그룹이 결합되어 형성된 그룹이 포함된다.Examples of the C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, butane-1,3 -Diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonan-1,9-diyl group, decane -1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group, dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane C1-C17 linear alkanediyl groups such as the -1,15-diyl group, the hexadecane-1,16-diyl group and the heptadecan-1,17-diyl group; Ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2- C2-C17 branched alkanediyl groups such as methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group; Cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,4- Divalent monocyclic saturated aliphatic hydrocarbon groups such as cycloalkanediyl groups such as diyl groups, cyclooctane-1,2-diyl groups and cyclooctane-1,5-diyl groups; Norbornane-2,3-diyl group, norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,2-diyl group, adamantane-1, Divalent polycyclic saturated aliphatic hydrocarbon groups such as 5-diyl group and adamantane-2,6-diyl group; And a group formed by combining two or more groups selected from the group consisting of the aforementioned groups.

하나 이상의 -CH2-가 -O- 또는 -CO-에 의해 대체된 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹의 예로는 *-CO-O-L1b1-**, *-CO-O-L1b3-CO-O-L1b2-**, *-CO-O-L1b5-O-L1b4-** 및 *-L1b7-O-L1b6-**이 포함되고, 여기서, L1b1은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b2는 C1-C12 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b3은 C1-C12 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b2와 L1b3의 총 탄소수는 1 내지 13이고, L1b4는 C1-C13 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b5는 C1-C13 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b4와 L1b5의 총 탄소수는 1 내지 14이고, L1b6은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b7은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b6과 L1b7의 총 탄소수는 1 내지 16이고, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다.One or more -CH 2 - an example of a C1-C17 saturated hydrocarbon group of 2 is replaced by -O- or -CO- is * -CO-OL 1b1 - **, * -CO-OL 1b3 -CO-OL 1b2 - **, * -CO-OL 1b5 -OL 1b4 - ** and * -L 1b7 -OL 1b6 - ** are included, wherein, L 1b1 is a C1-C15 saturated hydrocarbon group is 2, L is 1b2 C1 -C12 divalent saturated hydrocarbon group, L 1b3 is a C1-C12 divalent saturated hydrocarbon group, provided that the total carbon number of L 1b2 and L 1b3 is 1 to 13, and L 1b4 is a C1-C13 divalent saturated hydrocarbon group , L 1b5 is a C1-C13 divalent saturated hydrocarbon group, provided that the total carbon number of L 1b4 and L 1b5 is 1 to 14, L 1b6 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group, L 1b7 is C1-C15 2 Is a saturated hydrocarbon group, provided that L 1b6 and L 1b7 have from 1 to 16 carbon atoms, and * represents a bonding position to —C (Q 1 ) (Q 2 ) — and ** represents —O—CO— The binding position for OL 2 -Y is shown.

*-CO-O-L1b1-**의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of * -CO-OL 1b1 -** include:

Figure 112012016756079-pat00005
Figure 112012016756079-pat00005

*-CO-O-L1b3-CO-O-L1b2-**의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of * -CO-OL 1b3 -CO-OL 1b2 -** include:

Figure 112012016756079-pat00006
Figure 112012016756079-pat00006

*-CO-O-L1b5-O-L1b4-**의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of * -CO-OL 1b5 -OL 1b4 -** include:

Figure 112012016756079-pat00007
Figure 112012016756079-pat00007

*-L1b7-O-L1b6-**의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of * -L 1b7 -OL 1b6 -** include:

Figure 112012016756079-pat00008
Figure 112012016756079-pat00008

L1은 바람직하게는 C1-C6 알칸디일 그룹 또는 *-CO-O-Lb2-**이고, 더욱 바람직하게는 메틸렌 그룹, *-CO-O-CH2-CH2-** 또는 하기 화학식으로 표시된 그룹이다:L 1 is preferably a C1-C6 alkanediyl group or * -CO-OL b2 -**, more preferably a methylene group, * -CO-O-CH 2 -CH 2 -** or in the formula The group shown is:

Figure 112012016756079-pat00009
Figure 112012016756079-pat00009

L2로 표시되는 C1-C6 알칸디일 그룹의 예로는 메틸렌 그룹, 에틸렌 그룹, 프로판-1,3-디일 그룹, 부탄-1,4-디일 그룹, 펜탄-1,5-디일 그룹 및 헥산-1,6-디일 그룹과 같은 C1-C6 선형 알칸디일 그룹과, 프로판-1,2-디일 그룹, 부탄-1,3-디일 그룹, 2-메틸프로판-1,3-디일 그룹, 2-메틸프로판-1,2-디일 그룹, 1-메틸부탄-1,4-디일 그룹 및 2-메틸부탄-1,4-디일 그룹과 같은 C2-C6 분지형 알칸디일 그룹이 포함된다.Examples of C1-C6 alkanediyl groups represented by L 2 include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group and hexane- C1-C6 linear alkanediyl groups such as 1,6-diyl groups, propane-1,2-diyl groups, butane-1,3-diyl groups, 2-methylpropane-1,3-diyl groups, 2- C2-C6 branched alkanediyl groups such as methylpropane-1,2-diyl group, 1-methylbutane-1,4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group.

L2는 바람직하게는 단일 결합 또는 메틸렌 그룹이다.L 2 is preferably a single bond or a methylene group.

Y로 표시되는 C3-C18 1가 지환족 탄화수소 그룹은 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭일 수 있다.The C3-C18 monovalent alicyclic hydrocarbon group represented by Y may be monocyclic or polycyclic.

상기 모노사이클릭 1가 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 사이클로프로필 그룹, 사이클로부틸 그룹, 에틸사이클로부틸 그룹, 사이클로펜틸 그룹, 사이클로헥실 그룹, 메틸사이클로헥실 그룹, 디메틸사이클로헥실 그룹, 사이클로헵틸 그룹 및 사이클로옥틸 그룹과 같은 C3-C18 사이클로알킬 그룹이 포함된다. 상기 폴리사이클릭 1가 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 데카하이드로나프틸 그룹, 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹, 메틸노르보르닐 그룹, 및 하기 화학식으로 표시된 그룹들이 포함된다. Examples of the monocyclic monovalent alicyclic hydrocarbon group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, ethylcyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group and cyclooctyl C3-C18 cycloalkyl groups such as groups are included. Examples of the polycyclic monovalent alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, methylnorbornyl group, and groups represented by the following formulae.

Figure 112012016756079-pat00010
Figure 112012016756079-pat00010

상기 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹은 하나 이상의 치환체를 가질 수 있고, 상기 치환체의 예로는 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알콕시 그룹, C6-C18 방향족 탄화수소 그룹, C7-C21 아르알킬 그룹, C2-C4 아실 그룹, 글리시딜옥시 그룹 및 -(CH2)j2-O-CO-Ri1-(여기서, Ri1은 C1-C16 지방족 탄화수소 그룹, C3-C16 포화 지환족 탄화수소 그룹 또는 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹이고, j2는 0 내지 4의 정수이다)이 포함되며, 상기 방향족 탄화수소 그룹 및 상기 C7-C21 아르알킬 그룹은 C1-C8 알킬 그룹, 할로겐 원자 및 하이드록실 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있다.The C3-C18 alicyclic hydrocarbon group may have one or more substituents, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkoxy group, a C6-C18 aromatic hydrocarbon group, a C7-C21 aralkyl group, C2 -C4 acyl group, glycidyloxy group and-(CH 2 ) j2 -O-CO-R i1- , wherein R i1 is a C1-C16 aliphatic hydrocarbon group, a C3-C16 saturated alicyclic hydrocarbon group or C6-C18 Aromatic hydrocarbon group, j2 is an integer of 0 to 4), and the aromatic hydrocarbon group and the C7-C21 aralkyl group are one selected from the group consisting of C1-C8 alkyl group, halogen atom and hydroxyl group It may have more than one substituent.

상기 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자가 포함된다. 상기 아실 그룹의 예로는 아세틸 그룹, 프로피오닐 그룹 및 부티릴 그룹이 포함된다. 상기 알콕시 그룹의 예로는 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 부톡시 그룹, 펜틸옥시 그룹, 헥실옥시 그룹, 헵틸옥시 그룹, 옥틸옥시 그룹, 데실옥시 그룹 및 도데실옥시 그룹이 포함된다. 상기 방향족 탄화수소 그룹의 예로는 페닐 그룹, 나프틸 그룹, 안트릴 그룹, p-메틸페닐 그룹, p-3급-부틸페닐 그룹, p-아다만틸페닐 그룹, 톨릴 그룹, 크실릴 그룹, 쿠밀 그룹, 메시틸 그룹, 바이페닐 그룹, 페난트릴 그룹, 2,6-디에틸페닐 그룹 및 2-메틸-6-에틸페닐 그룹과 같은 C6-C18 아릴 그룹이 포함된다. 상기 아르알킬 그룹의 예로는 벤질 그룹, 페네틸 그룹, 페닐프로필 그룹, 트리틸 그룹, 나프틸메틸 그룹 및 나프틸에틸 그룹이 포함된다. 상기 지방족 탄화수소 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 헵틸 그룹 및 옥틸 그룹과 같은 C1-C16 알킬 그룹이 포함된다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom. Examples of such acyl groups include acetyl groups, propionyl groups and butyryl groups. Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group do. Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumyl group, C6-C18 aryl groups such as mesityl group, biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group and 2-methyl-6-ethylphenyl group. Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, trityl group, naphthylmethyl group and naphthylethyl group. Examples of such aliphatic hydrocarbon groups include C1-C16 alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group.

상기 1가 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 -CH2-가 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체된 1가 지환족의 예로는 사이클릭 에테르 구조를 갖는 그룹, 사이클릭 케톤 구조를 갖는 그룹, 설톤 환 구조를 갖는 그룹 및 락톤 환 구조를 갖는 그룹이 포함된다.One or more -CH 2 -in the monovalent alicyclic hydrocarbon group may be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- , and one or more -CH 2 -is -O-, -CO- or- Examples of monovalent alicyclic substituted by SO 2 -include a group having a cyclic ether structure, a group having a cyclic ketone structure, a group having a sultone ring structure and a group having a lactone ring structure.

Y의 바람직한 예로는 화학식 Y1 내지 Y29로 표시되는 그룹들이 포함되며, 여기서 *는 L2에 대한 결합 위치를 나타낸다.Preferred examples of Y include groups represented by the formulas Y1 to Y29, where * represents a binding position to L 2 .

Figure 112012016756079-pat00011
Figure 112012016756079-pat00011

이들 중, 화학식 Y1 내지 Y19 및 Y27 내지 Y29로 표시되는 그룹들이 바람직하고, 화학식 Y11, Y14, Y15, Y19, Y27, Y28 및 Y29로 표시되는 그룹들이 더욱 바람직하며, 화학식 Y11 및 Y14로 표시되는 그룹들이 특히 바람직하다.Of these, groups represented by the formulas Y1 to Y19 and Y27 to Y29 are preferable, groups represented by the formulas Y11, Y14, Y15, Y19, Y27, Y28, and Y29 are more preferable, and groups represented by the formulas Y11 and Y14 Are particularly preferred.

하나 이상의 치환체를 갖는 Y의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of Y having one or more substituents include the following.

Figure 112012016756079-pat00012
Figure 112012016756079-pat00012

Figure 112012016756079-pat00013
Figure 112012016756079-pat00013

Y는 바람직하게는, 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는, C3-C12 사이클로알킬 그룹(여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있다) 또는 아다만틸 그룹이고, 더욱 바람직하게는 아다만틸 그룹, 옥소아다만틸 그룹 또는 하이드록시아다만틸 그룹이다.Y is preferably a C3-C12 cycloalkyl group, which may have one or more substituents, wherein one or more -CH 2 -may be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- , or It is an adamantyl group, More preferably, it is an adamantyl group, an oxoadamantyl group, or a hydroxyadamantyl group.

염(I)의 음이온 부분의 바람직한 예로는 하기 화학식 1a-1 내지 1a-20으로 표시되는 음이온들이 포함된다.Preferred examples of the anion moiety of the salt (I) include anions represented by the following formulas 1a-1 to 1a-20.

Figure 112012016756079-pat00014
Figure 112012016756079-pat00014

Figure 112012016756079-pat00015
Figure 112012016756079-pat00015

Z+로 표시되는 유기 양이온의 예로는 유기 설포늄 양이온, 유기 요오도늄 양이온, 유기 암모늄 양이온, 유기 벤조티아졸륨 양이온 및 유기 포스포늄 양이온과 같은 유기 오늄 양이온이 포함된다. 이들 중, 유기 설포늄 양이온 및 유기 요오도늄 양이온이 바람직하며, 아릴설포늄 양이온이 더욱 바람직하다. 본 명세서에서, "아릴설포늄 양이온"이란 적어도 하나의 아릴 그룹을 갖는 유기 설포늄 양이온을 의미한다.Examples of organic cations represented by Z + include organic onium cations such as organic sulfonium cations, organic iodonium cations, organic ammonium cations, organic benzothiazolium cations and organic phosphonium cations. Of these, organic sulfonium cations and organic iodonium cations are preferred, and arylsulfonium cations are more preferred. As used herein, "arylsulfonium cation" means an organic sulfonium cation having at least one aryl group.

염(I)의 유기 카운터 이온의 바람직한 예로는 하기 화학식 b2-1 내지 b2-4로 표시되는 유기 양이온들이 포함된다.Preferred examples of the organic counter ion of the salt (I) include organic cations represented by the following formulas b2-1 to b2-4.

Figure 112012016756079-pat00016
Figure 112012016756079-pat00016

상기 화학식 b2-1 내지 b2-4에서,In Chemical Formulas b2-1 to b2-4,

Rb4, Rb5 및 Rb6은, 독립적으로, 하이드록실 그룹, C1-C12 알콕시 그룹 및 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C1-C30 알킬 그룹, 할로겐 원자, C2-C4 아실 그룹 및 글리시딜옥시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹, 또는 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C18 지방족 탄화수소 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 및 C1-C12 알콕시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹이고, Rb4와 Rb5, Rb4와 Rb6, 또는 Rb5와 Rb6은 서로 결합하여 S+를 함유한 환을 형성할 수 있고,R b4 , R b5 and R b6 are independently a C1-C30 alkyl group, a halogen atom, which may have one or more substituents selected from the group consisting of a hydroxyl group, a C1-C12 alkoxy group and a C6-C18 aromatic hydrocarbon group C3-C18 alicyclic hydrocarbon group which may have one or more substituents selected from the group consisting of C2-C4 acyl group and glycidyloxy group, or halogen atom, hydroxyl group, C1-C18 aliphatic hydrocarbon group, C3- A C6-C18 aromatic hydrocarbon group which may have one or more substituents selected from the group consisting of a C18 alicyclic hydrocarbon group and a C1-C12 alkoxy group, R b4 and R b5 , R b4 and R b6 , or R b5 and R b6 May combine with each other to form a ring containing S + ,

Rb7 및 Rb8은, 각각의 경우, 독립적으로, 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고,R b7 and R b8 , at each occurrence, are independently a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group,

m2 및 n2는 독립적으로 0 내지 5의 정수이고,m2 and n2 are independently an integer of 0 to 5,

Rb9 및 Rb10은 독립적으로 C1-C18 알킬 그룹 또는 C3-C18 포화 사이클릭 탄화수소 그룹이거나, Rb9와 Rb10은 결합하여 인접한 S+와 함께 환을 형성하는 C2-C11 2가 아사이클릭(acyclic) 탄화수소 그룹을 형성하고, 상기 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 대체될 수 있으며,R b9 and R b10 are independently a C1-C18 alkyl group or a C3-C18 saturated cyclic hydrocarbon group, or R b9 and R b10 combine to form a ring together with adjacent S + to form a C2-C11 divalent acyclic ) Form a hydrocarbon group, and at least one of the divalent acyclic hydrocarbon groups -CH 2 -can be replaced by -CO-, -O- or -S-,

Rb11은 수소 원자, C1-C18 알킬 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 또는 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹이고, Rb12는 C1-C12 알킬 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 또는 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹(여기서, 상기 방향족 탄화수소 그룹은 C1-C12 알킬 그룹, C1-C12 알콕시 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 및 C2-C13 아실옥시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있다)이거나, Rb11과 Rb12는 서로 결합하여 인접한 -CHCO-와 함께 2-옥소사이클로알킬 그룹을 형성하는 C1-C10 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹을 형성하고, 상기 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 대체될 수 있으며,R b11 is a hydrogen atom, a C1-C18 alkyl group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group or a C6-C18 aromatic hydrocarbon group, and R b12 is a C1-C12 alkyl group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group or a C6-C18 aromatic hydrocarbon Group, wherein the aromatic hydrocarbon group may have one or more substituents selected from the group consisting of a C1-C12 alkyl group, a C1-C12 alkoxy group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group and a C2-C13 acyloxy group R b11 and R b12 combine with each other to form a C 1 -C 10 divalent acyclic hydrocarbon group which forms together with an adjacent —CHCO— a 2-oxocycloalkyl group, wherein at least one of the divalent acyclic hydrocarbon groups is -CH 2 -may be replaced by -CO-, -O- or -S-,

Rb13, Rb14, Rb15, Rb16, Rb17 및 Rb18은 독립적으로 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고,R b13 , R b14 , R b15 , R b16 , R b17 and R b18 are independently a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group,

Lb11은 -S- 또는 -O-이고,L b11 is -S- or -O-,

o2, p2, s2 및 t2는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고,o2, p2, s2 and t2 are each independently an integer of 0 to 5,

q2 및 r2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,q2 and r2 are each independently an integer of 0 to 4,

u2는 0 또는 1이다.u2 is 0 or 1.

Rb9 내지 Rb11로 표시되는 알킬 그룹은 바람직하게는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는다. Rb9 내지 Rb11로 표시되는 지환족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 3 내지 18개의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 4 내지 12개의 탄소 원자를 갖는다.The alkyl group represented by R b9 to R b11 preferably has 1 to 12 carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group represented by R b9 to R b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.

상기 알킬 그룹의 바람직한 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 옥틸 그룹 및 2-에틸헥실 그룹이 포함된다. 상기 지환족 탄화수소 그룹의 바람직한 예로는 사이클로프로필 그룹, 사이클로부틸 그룹, 사이클로펜틸 그룹, 사이클로헥실 그룹, 사이클로헵틸 그룹, 사이클로데실 그룹, 2-알킬아다만탄-2-일 그룹, 1-(아다만탄-1-일)알칸-1-일 그룹 및 이소보르닐 그룹이 포함된다. 상기 방향족 그룹의 바람직한 예로는 페닐 그룹, 4-메틸페닐 그룹, 4-에틸페닐 그룹, 4-3급-부틸페닐 그룹, 4-사이클로헥실페닐 그룹, 4-메톡시페닐 그룹, 바이페닐 그룹 및 나프틸 그룹이 포함된다. 방향족 탄화수소 그룹을 갖는 상기 알킬 그룹의 예로는 벤질 그룹과 같은 아르알킬 그룹이 포함된다. 상기 알콕시 그룹의 예로는 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 이소프로폭시 그룹, 부톡시 그룹, 2급-부톡시 그룹, 3급-부톡시 그룹, 펜틸옥시 그룹, 헥실옥시 그룹, 헵틸옥시 그룹, 옥틸옥시 그룹, 2-에틸헥실옥시 그룹, 노닐옥시 그룹, 데실옥시 그룹, 운데실옥시 그룹 및 도데실옥시 그룹이 포함된다.Preferred examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group Included. Preferred examples of the cycloaliphatic hydrocarbon group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclodecyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adama Tan-1-yl) alkan-1-yl groups and isobornyl groups. Preferred examples of the aromatic group include phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, biphenyl group and naphthyl Groups are included. Examples of such alkyl groups having aromatic hydrocarbon groups include aralkyl groups such as benzyl groups. Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, secondary-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, Heptyloxy groups, octyloxy groups, 2-ethylhexyloxy groups, nonyloxy groups, decyloxy groups, undecyloxy groups and dodecyloxy groups.

Rb9와 Rb10이 결합하여 형성한 C3-C12 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹의 예로는 트리메틸렌 그룹, 테트라메틸렌 그룹 및 펜타메틸렌 그룹이 포함된다. 인접한 S+와 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹이 함께 형성한 환 그룹의 예로는 티올란-1-윰 환(테트라하이드로티페늄 환), 티안-1-윰 환 및 1,4-옥사티안-4-윰 환이 포함된다. C3-C7 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹이 바람직하다.Examples of the C3-C12 divalent acyclic hydrocarbon group formed by bonding of R b9 and R b10 include trimethylene group, tetramethylene group and pentamethylene group. Examples of ring groups formed by adjacent S + and divalent acyclic hydrocarbon groups include, but are not limited to, thiol-1- 'rings (tetrahydrothiphenium rings), thian-1-' rings and 1,4-oxatian-4- ' Rings are included. Preferred are C3-C7 divalent acyclic hydrocarbon groups.

Rb11과 Rb12가 결합하여 형성한 C1-C10 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹의 예로는 메틸렌 그룹, 에틸렌 그룹, 트리메틸렌 그룹, 테트라메틸렌 그룹 및 펜타메틸렌 그룹이 포함되고, 상기 환 그룹의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of the C1-C10 divalent acyclic hydrocarbon group formed by bonding of R b11 and R b12 include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, and a pentamethylene group. Of things are included.

Figure 112012016756079-pat00017
Figure 112012016756079-pat00017

C1-C5 2가 아사이클릭 탄화수소 그룹이 바람직하다.Preferred are C1-C5 divalent acyclic hydrocarbon groups.

상기 C2-C13 아실옥시 그룹의 예로는 아세틸옥시 그룹, 프로피오닐옥시 그룹, 부티릴옥시 그룹, 이소프로필카보닐옥시 그룹, 부틸카보닐옥시 그룹, 2급-부틸카보닐옥시 그룹, 3급-부틸카보닐옥시 그룹, 펜틸카보닐옥시 그룹, 헥실카보닐옥시 그룹, 옥틸카보닐옥시 그룹 및 2-에틸헥실카보닐옥시 그룹이 포함된다.Examples of the C2-C13 acyloxy group include acetyloxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isopropylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, secondary-butylcarbonyloxy group, tert-butyl Carbonyloxy groups, pentylcarbonyloxy groups, hexylcarbonyloxy groups, octylcarbonyloxy groups and 2-ethylhexylcarbonyloxy groups.

상기 화학식 b2-1 내지 b2-4로 표시되는 유기 양이온들의 예로는 JP 제2010-204646 A호에 기술된 것들이 포함된다.Examples of the organic cations represented by the formulas b2-1 to b2-4 include those described in JP 2010-204646 A.

이들 중, 화학식 b2-1의 양이온이 바람직하고, 화학식 b2-1-1의 양이온이 더욱 바람직하다. 트리페닐설포늄 양이온 및 트리톨릴설포늄 양이온이 특히 바람직하다.Of these, cations of the formula (b2-1) are preferred, and cations of the formula (b2-1-1) are more preferred. Particular preference is given to triphenylsulfonium cations and tritolylsulfonium cations.

Figure 112012016756079-pat00018
Figure 112012016756079-pat00018

상기 화학식 b2-1-1에서,In Chemical Formula b2-1-1,

Rb19, Rb20 및 Rb21은, 각각의 경우, 독립적으로, 할로겐 원자(바람직하게는 불소 원자), 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고, 상기 알킬 그룹, 상기 지환족 탄화수소 그룹 및 상기 알콕시 그룹은 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알콕시 그룹, C6-C18 방향족 탄화수소 그룹, C2-C4 아실 그룹 또는 글리시딜옥시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있고, Rb19와 Rb20, Rb19와 Rb21, 또는 Rb20과 Rb21은 서로 결합하여 단일 결합, -O- 또는 C1-C4 지방족 2가 탄화수소 그룹을 형성함으로써 S+와 함께 황 함유 환을 형성할 수 있고,R b19 , R b20 and R b21 are independently at each occurrence a halogen atom (preferably a fluorine atom), a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group or a C1-C12 alkoxy group Wherein the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group and the alkoxy group are a group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkoxy group, a C6-C18 aromatic hydrocarbon group, a C2-C4 acyl group or a glycidyloxy group May have one or more substituents selected from R b19 and R b20 , R b19 and R b21 , or R b20 and R b21 combine with each other to form a single bond, -O- or C1-C4 aliphatic divalent hydrocarbon group Thereby forming a sulfur-containing ring together with S + ,

v2, w2 및 x2는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.v2, w2 and x2 are each independently an integer of 0-5.

바람직하게는, Rb19, Rb20 및 Rb21은, 각각의 경우, 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고, v2, w2 및 x2는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다. 더욱 바람직하게는, Rb19, Rb20 및 Rb21은, 각각의 경우, 독립적으로, 불소 원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고, v2, w2 및 x2는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.Preferably, R b19 , R b20 and R b21 are independently at each occurrence a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group and v2, w2 and x2 are each independently It is an integer of 0-5. More preferably, R b19 , R b20 and R b21 are independently at each occurrence a fluorine atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group and v2, w2 and x2 are each independently 0 or 1.

상기 유기 카운터 이온의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of the organic counter ion include the followings.

Figure 112012016756079-pat00019
Figure 112012016756079-pat00019

Figure 112012016756079-pat00020
Figure 112012016756079-pat00020

염(I)의 예로는, 음이온이 상기된 음이온들 중의 어느 하나이고 양이온이 상기 유기 카운터 이온들 중의 어느 하나인 염이 포함된다. 염(I)의 바람직한 예로는 표 1 내지 표 5에 기술된 염들이 포함된다.Examples of salt (I) include salts where the anion is any of the anions described above and the cation is any of the organic counter ions. Preferred examples of salt (I) include the salts described in Tables 1-5.

Figure 112012016756079-pat00021
Figure 112012016756079-pat00021

Figure 112012016756079-pat00022
Figure 112012016756079-pat00022

Figure 112012016756079-pat00023
Figure 112012016756079-pat00023

Figure 112012016756079-pat00024
Figure 112012016756079-pat00024

Figure 112012016756079-pat00025
Figure 112012016756079-pat00025

이들 중, 하기 염들이 바람직하다.Of these, the following salts are preferred.

Figure 112012016756079-pat00026
Figure 112012016756079-pat00026

Figure 112012016756079-pat00027
Figure 112012016756079-pat00027

Figure 112012016756079-pat00028
Figure 112012016756079-pat00028

Figure 112012016756079-pat00029
Figure 112012016756079-pat00029

Figure 112012016756079-pat00030
Figure 112012016756079-pat00030

Figure 112012016756079-pat00031
Figure 112012016756079-pat00031

Figure 112012016756079-pat00032
Figure 112012016756079-pat00032

염(I)은 N,N-디메틸포름아미드와 같은 용매 중에서 탄산칼륨과 같은 촉매의 존재하에 화학식 I-c의 염을 화학식 I-d의 화합물과 반응시킴으로써 제조될 수 있다.Salt (I) can be prepared by reacting a salt of formula (I-c) with a compound of formula (I-d) in the presence of a catalyst such as potassium carbonate in a solvent such as N, N-dimethylformamide.

Figure 112012016756079-pat00033
Figure 112012016756079-pat00033

여기서, Q1, Q2, L1, L2, Y 및 Z+는 상기 정의된 바와 같다.Wherein Q 1 , Q 2 , L 1 , L 2 , Y and Z + are as defined above.

상기 화학식 I-d의 화합물의 예로는 3-(하이드록시메틸)아다만탄-1-올이 포함된다.Examples of the compound of Formula I-d include 3- (hydroxymethyl) adamantan-1-ol.

상기 화학식 I-c의 염은 아세토니트릴과 같은 용매 중에서 화학식 I-a의 염을 화학식 I-b의 화합물과 반응시킴으로써 제조될 수 있다.The salt of formula (I-c) may be prepared by reacting a salt of formula (I-a) with a compound of formula (I-b) in a solvent such as acetonitrile.

Figure 112012016756079-pat00034
Figure 112012016756079-pat00034

여기서, Q1, Q2, L1 및 Z+는 상기 정의된 바와 같다.Wherein Q 1 , Q 2 , L 1 and Z + are as defined above.

상기 화학식 I-a의 염은 JP 제2006-257078 A호에 기술된 방법에 따라 제조될 수 있다.The salt of formula (I-a) may be prepared according to the method described in JP 2006-257078 A.

본 발명의 산 발생제는 염(I)을 포함한다. 본 발명의 산 발생제는 2종 이상의 염(I)을 함유할 수 있다. 본 발명의 산 발생제는, 염(I)에 더하여, 염(I) 이외의 하나 이상의 공지된 산 발생제를 함유할 수 있다. 상기 염(I) 이외의 하나 이상의 공지된 산 발생제의 예로는, 염(I)의 상기된 유기 카운터 이온과 염(I)의 상기된 음이온 이외의 공지된 음이온으로 이루어진 염, 및 염(I)의 상기된 음이온과 염(I)의 상기된 양이온 이외의 공지된 유기 카운터 이온으로 이루어진 염이 포함된다.Acid generators of the present invention include salt (I). The acid generator of the present invention may contain two or more salts (I). In addition to salt (I), the acid generator of the present invention may contain one or more known acid generators other than salt (I). Examples of one or more known acid generators other than salt (I) include salts consisting of the aforementioned organic counter ions of salt (I) and known anions other than the aforementioned anions of salt (I), and salts (I) Salts consisting of known organic counter ions other than the anions mentioned above and cations of salts (I).

상기 염(I) 이외의 공지된 산 발생제의 특정예로는 하기 화학식 B1-1 내지 B1-17로 표시되는 염들이 포함되고, 트리페닐설포늄 양이온 또는 트리톨릴설포늄 양이온을 함유하는 염들이 더욱 바람직하며, 화학식 B1-1, B1-2, B1-3, B1-6, B1-7, B1-11, B1-12, B1-13 및 B1-14로 표시되는 염들이 특히 바람직하다.Specific examples of known acid generators other than the salt (I) include salts represented by the following formulas B1-1 to B1-17, and salts containing triphenylsulfonium cation or tritolylsulfonium cation More preferably, salts represented by the formulas B1-1, B1-2, B1-3, B1-6, B1-7, B1-11, B1-12, B1-13 and B1-14 are particularly preferred.

Figure 112012016756079-pat00035
Figure 112012016756079-pat00035

Figure 112012016756079-pat00036
Figure 112012016756079-pat00036

본 발명의 산 발생제는 염(I)로 이루어질 수 있다.The acid generator of the present invention may consist of salt (I).

본 발명의 산 발생제가 염(I), 및 염(I) 이외의 산 발생제를 함유하는 경우, 염(I)의 함량은 본 발명의 산 발생제 100중량부당 바람직하게는 10중량부 이상, 더욱 바람직하게는 30중량부 이상이고, 염(I)의 함량은 본 발명의 산 발생제 100중량부당 바람직하게는 90중량부 이하, 더욱 바람직하게는 70중량부 이하이다.When the acid generator of the present invention contains salt (I) and acid generators other than salt (I), the content of salt (I) is preferably 10 parts by weight or more per 100 parts by weight of the acid generator of the present invention, More preferably 30 parts by weight or more, and the content of salt (I) is preferably 90 parts by weight or less, more preferably 70 parts by weight or less per 100 parts by weight of the acid generator of the present invention.

본 발명의 산 발생제가 염(I), 및 염(I) 이외의 산 발생제를 함유하는 경우, 염(I) 대 염(I) 이외의 산 발생제의 비(염(I)/염(I) 이외의 산 발생제)는 바람직하게는 90/10 내지 10/90, 더욱 바람직하게는 85/15 내지 15/85이다.When the acid generator of the present invention contains salt (I) and acid generators other than salt (I), the ratio of salt (I) to acid generators other than salt (I) (salt (I) / salt ( Acid generators other than I) are preferably 90/10 to 10/90, more preferably 85/15 to 15/85.

다음으로, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 대해 설명하겠다.Next, the photoresist composition of the present invention will be described.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 본 발명의 산 발생제, 및 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는, 산-불안정성 그룹을 갖는 수지를 포함한다.The photoresist composition of the present invention comprises the acid generator of the present invention and a resin having an acid-labile group, which is insoluble or poorly soluble in the aqueous alkali solution but soluble in the aqueous alkali solution by the action of an acid.

상기 수지는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 된다. 상기 수지는 하나 이상의 산-불안정성 그룹을 갖는다. 본 명세서에서, "산-불안정성 그룹"이란 산의 작용에 의해 제거될 수 있는 그룹을 의미한다.The resin is insoluble or poorly soluble in aqueous alkali solution but soluble in aqueous alkali solution by the action of acid. The resin has one or more acid-labile groups. As used herein, "acid-labile group" means a group that can be removed by the action of an acid.

산-불안정성 그룹의 예로는 화학식 1로 표시되는 그룹이 포함된다.Examples of acid-labile groups include groups represented by the formula (1).

화학식 1Formula 1

Figure 112012016756079-pat00037
Figure 112012016756079-pat00037

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

Ra1, Ra2 및 Ra3은 각각 독립적으로 C1-C8 알킬 그룹 또는 C3-C20 지환족 탄화수소 그룹이고, Ra1과 Ra2는 서로 결합하여, Ra1과 Ra2가 결합된 탄소 원자와 함께 C3-C20 환을 형성할 수 있고, 상기 지방족 탄화수소 그룹, 상기 지환족 탄화수소 그룹 및 상기 환 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있다.R a1 , R a2 and R a3 are each independently a C1-C8 alkyl group or a C3-C20 alicyclic hydrocarbon group, R a1 and R a2 are bonded to each other, and C 3 together with the carbon atom to which R a1 and R a2 are bonded -C20 ring can be formed, and the aliphatic hydrocarbon group, the alicyclic hydrocarbon group and one or more -CH 2 -of the ring can be replaced by -O-, -S- or -CO-.

상기 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 헵틸 그룹 및 옥틸 그룹이 포함된다. 상기 지환족 탄화수소 그룹은 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭일 수 있다. 상기 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 C3-C20 사이클로알킬 그룹(예: 사이클로펜틸 그룹, 사이클로헥실 그룹, 메틸사이클로헥실 그룹, 디메틸사이클로헥실 그룹, 사이클로헵틸 그룹 및 사이클로옥틸 그룹)과 같은 모노사이클릭 지환족 탄화수소 그룹, 및 데카하이드로나프틸 그룹, 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹, 메틸노르보르닐 그룹 및 다음의 그룹과 같은 폴리사이클릭 지환족 탄화수소 그룹이 포함된다:Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group. The cycloaliphatic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of such alicyclic hydrocarbon groups include monocyclic alicyclic groups such as C3-C20 cycloalkyl groups (e.g., cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, methylcyclohexyl groups, dimethylcyclohexyl groups, cycloheptyl groups, and cyclooctyl groups). Hydrocarbon groups and polycyclic alicyclic hydrocarbon groups such as decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, methylnorbornyl group and the following groups are included:

Figure 112012016756079-pat00038
Figure 112012016756079-pat00038

상기 지환족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 3 내지 16개의 탄소 원자를 갖는다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 16 carbon atoms.

Ra1과 Ra2가 서로 결합하여 형성하는 환의 예로는 다음의 그룹들(여기서, Ra3은 상기 정의된 바와 같다)이 포함되며, 상기 환은 바람직하게는 3 내지 12개의 탄소 원자를 갖는다.Examples of the ring formed by bonding of R a1 and R a2 to each other include the following groups, wherein R a3 is as defined above, and the ring preferably has 3 to 12 carbon atoms.

Figure 112012016756079-pat00039
Figure 112012016756079-pat00039

Ra1, Ra2 및 Ra3이 각각 독립적으로 C1-C8 알킬 그룹인 화학식 1의 그룹, 예를 들면, 3급-부틸 그룹; Ra1과 Ra2가 서로 결합하여 아다만틸 환을 형성하고 Ra3이 C1-C8 알킬 그룹인 화학식 1의 그룹, 예를 들면, 2-알킬아다만탄-2-일 그룹; 및 Ra1 및 Ra2가 C1-C8 알킬 그룹이고 Ra3이 아다만틸 그룹인 화학식 1의 그룹, 예를 들면, 1-(아다만탄-1-일)-1-알킬알콕시카보닐 그룹이 바람직하다.A group of formula (1), eg, tert-butyl group, wherein R a1 , R a2 and R a3 are each independently a C1-C8 alkyl group; A group of formula 1 wherein R a1 and R a2 combine with each other to form an adamantyl ring and R a3 is a C1-C8 alkyl group, for example, a 2-alkyladamantan-2-yl group; And a group of formula 1 wherein R a1 and R a2 are C1-C8 alkyl groups and R a3 is an adamantyl group, for example, a 1- (adamantane-1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group desirable.

산-불안정성 그룹의 예로는 화학식 20으로 표시되는 그룹이 포함된다.Examples of acid-labile groups include groups represented by the formula (20).

화학식 20Formula 20

Figure 112012016756079-pat00040
Figure 112012016756079-pat00040

상기 화학식 20에서,In Chemical Formula 20,

Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C12 탄화수소 그룹이고,R b1 and R b2 are each independently a hydrogen atom or a C1-C12 hydrocarbon group,

Rb3은 C1-C20 탄화수소 그룹이고,R b3 is a C1-C20 hydrocarbon group,

Rb2와 Rb3은 서로 결합하여, 이들이 결합된 탄소 원자 및 산소 원자와 함께 C3-C20 환을 형성할 수 있고, 상기 탄화수소 그룹 및 상기 환 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있다.R b2 and R b3 may be bonded to each other to form a C3-C20 ring together with the carbon atom and oxygen atom to which they are bonded, wherein at least one of the hydrocarbon group and the ring -CH 2 -is -O-, -S Or by -CO-.

화학식 20으로 표시되는 그룹은 아세탈 또는 케탈 구조를 갖는다.The group represented by the formula (20) has an acetal or ketal structure.

상기 탄화수소 그룹의 예로는 지방족 탄화수소 그룹, 지환족 탄화수소 그룹 및 방향족 탄화수소 그룹이 포함된다. 상기 지방족 탄화수소 그룹 및 상기 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 상술된 바와 동일한 것들이 포함된다. 상기 방향족 탄화수소 그룹의 예로는 페닐 그룹, 나프틸 그룹, p-메틸페닐 그룹, p-3급-부틸페닐 그룹, p-아다만틸페닐 그룹, 톨릴 그룹, 크실릴 그룹, 쿠밀 그룹, 메시틸 그룹, 바이페닐 그룹, 안트릴 그룹, 페난트릴 그룹, 2,6-디에틸페닐 그룹 및 2-메틸-6-에틸페닐 그룹과 같은 아릴 그룹이 포함된다.Examples of such hydrocarbon groups include aliphatic hydrocarbon groups, cycloaliphatic hydrocarbon groups, and aromatic hydrocarbon groups. Examples of the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group include the same as described above. Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumyl group, mesityl group, Aryl groups such as biphenyl group, anthryl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group and 2-methyl-6-ethylphenyl group.

Rb1 및 Rb2 중의 적어도 하나가 수소 원자인 것이 바람직하다.It is preferable that at least one of R b1 and R b2 is a hydrogen atom.

화학식 20으로 표시되는 그룹의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of the group represented by the formula (20) include the following ones.

Figure 112012016756079-pat00041
Figure 112012016756079-pat00041

상기 수지는 산-불안정성 그룹을 측쇄에 갖는 단량체로부터 유도된 하나 이상의 구조 단위를 갖는다.The resin has one or more structural units derived from monomers having acid-labile groups in the side chain.

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체는 바람직하게는 산-불안정성 그룹을 측쇄에 갖고 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체이고, 더욱 바람직하게는 산-불안정성 그룹을 측쇄에 갖는 아크릴레이트 단량체, 또는 산-불안정성 그룹을 측쇄에 갖는 메타크릴레이트 단량체이다.The monomer having an acid-labile group is preferably a monomer having an acid-labile group in the side chain and having a carbon-carbon double bond, more preferably an acrylate monomer having an acid-labile group in the side chain, or an acid-labile group It is a methacrylate monomer which has in a side chain.

화학식 10 또는 20으로 표시되는 그룹을 측쇄에 갖고 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체가 바람직하고, 화학식 10으로 표시되는 그룹을 측쇄에 갖는 아크릴레이트 단량체, 또는 화학식 10으로 표시되는 그룹을 측쇄에 갖는 메타크릴레이트 단량체가 더욱 바람직하다.A monomer having a group represented by the formula (10) or (20) in the side chain and having a carbon-carbon double bond is preferable, and an acrylate monomer having the group represented by the formula (10) in the side chain, or a meta having a group represented by the formula (10) in the side chain. More preferred are acrylate monomers.

Ra1과 Ra2가 서로 결합하여, 이들이 결합된 탄소 원자와 함께 C5-C20 지환식 환(alicycle)을 형성하는 화학식 10의 그룹을 측쇄에 갖는 아크릴레이트 단량체, 또는 Ra1과 Ra2가 서로 결합하여, 이들이 결합된 탄소 원자와 함께 C5-C20 지환식 환을 형성하는 화학식 10의 그룹을 측쇄에 갖는 메타크릴레이트 단량체가 특히 바람직하다.R a1 and R a2 are combined, they are combined together with the carbon atom acrylate monomer having a group of formula 10 to form a C5-C20 cycloaliphatic ring (alicycle) in the side chain, or R a1 and R a2 are combined with each other Particular preference is given to methacrylate monomers having in the side chain a group of the formula (10) which together with the carbon atoms to which they are attached form a C5-C20 alicyclic ring.

산-불안정성 그룹을 측쇄에 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 바람직한 예로는 화학식 a1-1 및 a1-2로 표시되는 구조 단위들이 포함된다:Preferred examples of structural units derived from monomers having acid-labile groups in the side chain include structural units represented by the formulas a1-1 and a1-2:

Figure 112012016756079-pat00042
Figure 112012016756079-pat00042

상기 화학식 a1-1 및 a1-2에서,In Chemical Formulas a1-1 and a1-2,

Ra4 및 Ra5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸 그룹이고,R a4 and R a5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,

Ra6 및 Ra7은 각각 독립적으로 C1-C8 알킬 그룹 또는 C3-C10 지환족 탄화수소 그룹이고,R a6 and R a7 are each independently a C1-C8 alkyl group or a C3-C10 alicyclic hydrocarbon group,

La1 및 La2는 각각 독립적으로 *-O- 또는 *-O-(CH2)k1-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, k1은 1 내지 7의 정수이다)이고,L a1 and L a2 are each independently * -O- or * -O- (CH 2 ) k1 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO-, and k1 is an integer from 1 to 7 )

m1은 0 내지 14의 정수이고,m1 is an integer of 0 to 14,

n1은 0 내지 10의 정수이고,n1 is an integer of 0 to 10,

n1'은 0 내지 3의 정수이다.n1 'is an integer of 0-3.

상기 알킬 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖고, 상기 지환족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 3 내지 8개의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 지환족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 포화 지방족 사이클릭 탄화수소 그룹이다.The alkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms and the alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 8 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group is preferably a saturated aliphatic cyclic hydrocarbon group.

상기 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 2,2-디메틸에틸 그룹, 1-메틸프로필 그룹, 2,2-디메틸프로필 그룹, 1-에틸프로필 그룹, 1-메틸부틸 그룹, 2-메틸부틸 그룹, 3-메틸부틸 그룹, 1-프로필부틸 그룹, 펜틸 그룹, 1-메틸펜틸 그룹, 헥실 그룹, 1,4-디메틸헥실 그룹, 헵틸 그룹, 1-메틸헵틸 그룹 및 옥틸 그룹이 포함된다. 상기 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 사이클로헥실 그룹, 메틸사이클로헥실 그룹, 디메틸사이클로헥실 그룹, 사이클로헵틸 그룹 및 메틸사이클로헵틸 그룹과 같은 모노사이클릭 지환족 탄화수소 그룹, 및 데카하이드로나프틸 그룹, 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹, 메틸노르보르닐 그룹 및 다음의 그룹들과 같은 폴리사이클릭 지환족 탄화수소 그룹이 포함된다.Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, tert-butyl group, 2,2-dimethylethyl group, 1-methylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-propylbutyl group, pentyl group, 1-methylpentyl group, hexyl group, 1,4-dimethylhexyl group, Heptyl groups, 1-methylheptyl groups and octyl groups. Examples of the alicyclic hydrocarbon group include monocyclic cycloaliphatic hydrocarbon groups such as cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group and methylcycloheptyl group, and decahydronaphthyl group, adamantyl Polycyclic alicyclic hydrocarbon groups such as groups, norbornyl groups, methylnorbornyl groups and the following groups are included.

Figure 112012016756079-pat00043
Figure 112012016756079-pat00043

La1은 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-(CH2)f1-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, f1은 1 내지 4의 정수이다), 더욱 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-CH2-CO-O-, 특히 바람직하게는 *-O-이다. La2는 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-(CH2)f1-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, f1은 상기 정의된 바와 같다), 더욱 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-CH2-CO-O-, 특히 바람직하게는 *-O-이다.L a1 is preferably * -O- or * -O- (CH 2 ) f1 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO- and f1 is an integer from 1 to 4, More preferably * -O- or * -O-CH 2 -CO-O-, particularly preferably * -O-. L a2 is preferably * -O- or * -O- (CH 2 ) f1 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO-, f1 is as defined above, and more. It is preferably * -O- or * -O-CH 2 -CO-O-, particularly preferably * -O-.

상기 화학식 a1-1에서, m1은 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이다. 상기 화학식 a1-2에서, n1은 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이고, n1'은 바람직하게는 0 또는 1이다.In the above formula a1-1, m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1. In the formula a1-2, n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1, and n1 'is preferably 0 or 1.

Ra4 및 Ra5는 바람직하게는 메틸 그룹이다.R a4 and R a5 are preferably methyl groups.

상기 화학식 a1-1로 표시되는 구조 단위를 갖는 단량체의 예로는 JP 제2010-204646 A호에 기술된 단량체들이 포함되고, 하기 화학식 a1-1-1 내지 a1-1-8로 표시되는 단량체들이 바람직하며, 하기 화학식 a1-1-1 내지 a1-1-4로 표시되는 단량체들이 더욱 바람직하다.Examples of the monomer having a structural unit represented by Chemical Formula a1-1 include monomers described in JP 2010-204646 A, and monomers represented by the following Chemical Formulas a1-1-1 to a1-1-8 are preferable. More preferred are monomers represented by the following formulas a1-1-1 to a1-1-4.

Figure 112012016756079-pat00044
Figure 112012016756079-pat00044

상기 화학식 a1-2로 표시되는 구조 단위를 갖는 단량체의 예로는 1-에틸사이클로펜탄-1-일 아크릴레이트, 1-에틸사이클로펜탄-1-일 메타크릴레이트, 1-에틸사이클로헥산-1-일 아크릴레이트, 1-에틸사이클로헥산-1-일 메타크릴레이트, 1-에틸사이클로헵탄-1-일 아크릴레이트, 1-에틸사이클로헵탄-1-일 메타크릴레이트, 1-메틸사이클로펜탄-1-일 아크릴레이트, 1-메틸사이클로펜탄-1-일 메타크릴레이트, 1-이소프로필사이클로펜탄-1-일 아크릴레이트 및 1-이소프로필사이클로펜탄-1-일 메타크릴레이트가 포함되고, 하기 화학식 a1-2-1 내지 a1-2-6으로 표시되는 단량체들이 바람직하며, 하기 화학식 a1-2-3 내지 a1-2-4로 표시되는 단량체들이 더욱 바람직하고, 하기 화학식 a1-2-3으로 표시되는 단량체가 특히 바람직하다.Examples of the monomer having a structural unit represented by Chemical Formula a1-2 include 1-ethylcyclopentan-1-yl acrylate, 1-ethylcyclopentan-1-yl methacrylate, and 1-ethylcyclohexane-1-yl Acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl methacrylate, 1-ethylcycloheptan-1-yl acrylate, 1-ethylcycloheptan-1-yl methacrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl Acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl methacrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl acrylate and 1-isopropylcyclopentan-1-yl methacrylate; Monomers represented by 2-1 to a1-2-6 are preferable, monomers represented by the following formulas a1-2-3 to a1-2-4 are more preferable, and monomers represented by the following formula a1-2-3 Is particularly preferred.

Figure 112012016756079-pat00045
Figure 112012016756079-pat00045

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 수지 중 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위 100몰%를 기준으로, 일반적으로 10 내지 95몰%, 바람직하게는 15 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 20 내지 85몰%이다. 상기 수지를 제조하는 데 사용된 단량체의 총량을 기준으로, 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체의 양을 조절함으로써, 상기 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 수지 중 함량을 조절할 수 있다.The content in the resin of the structural unit derived from the monomer having an acid-labile group is generally 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably based on 100 mol% of all the structural units of the resin. Preferably from 20 to 85 mole%. Based on the total amount of monomers used to prepare the resin, by adjusting the amount of monomer having an acid-labile group, the content in the resin of the structural unit derived from the monomer having the acid-labile group can be controlled.

상기 수지가 화학식 a1-1 또는 a1-2로 표시되는 구조 단위를 함유하는 경우, 화학식 a1-1 또는 a1-2로 표시되는 구조 단위의 수지 중 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위 100몰%를 기준으로, 일반적으로 10 내지 95몰%, 바람직하게는 15 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 20 내지 85몰%, 특히 바람직하게는 25 내지 60몰%이다.When the resin contains the structural unit represented by the formula a1-1 or a1-2, the content in the resin of the structural unit represented by the formula a1-1 or a1-2 is 100 mol% of all the structural units of the resin. On a basis, it is generally 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%, particularly preferably 25 to 60 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체의 다른 예로는 화학식 a1-3으로 표시되는 단량체가 포함된다: Other examples of monomers having acid-labile groups include monomers represented by formula a1-3:

Figure 112012016756079-pat00046
Figure 112012016756079-pat00046

상기 화학식 a1-3에서,In Chemical Formula a1-3,

Ra9는 수소 원자, 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있는 C1-C3 알킬 그룹, 카복실 그룹, 시아노 그룹 또는 -COORa13 그룹이고, 여기서, Ra13은 C1-C8 알킬 그룹 또는 C3-C20 지환족 탄화수소 그룹 및 C1-C8 알킬 그룹 및 C3-C20 지환족 탄화수소 그룹으로 구성된 그룹이고, 상기 알킬 그룹 및 상기 지환족 탄화수소 그룹은 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있으며, 상기 알킬 그룹 및 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,R a9 is a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group, a carboxyl group, a cyano group or a -COOR a13 group which may have one or more hydroxyl groups, wherein R a13 is a C1-C8 alkyl group or a C3-C20 alicyclic group A group consisting of a hydrocarbon group and a C1-C8 alkyl group and a C3-C20 cycloaliphatic hydrocarbon group, wherein the alkyl group and the cycloaliphatic hydrocarbon group may have one or more hydroxyl groups, and the alkyl group and the cycloaliphatic hydrocarbon group One or more of -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,

Ra10, Ra11 및 Ra12는 각각 독립적으로 C1-C12 알킬 그룹 또는 C3-C20 지환족 탄화수소 그룹이거나, Ra10과 Ra11은 서로 결합하여, Ra10과 Ra11이 결합된 탄소 원자와 함께 C3-C20 환을 형성할 수 있고, 상기 알킬 그룹 및 상기 지환족 탄화수소 그룹은 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있고, 상기 알킬 그룹 및 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있다.R a10 , R a11 and R a12 are each independently a C1-C12 alkyl group or a C3-C20 alicyclic hydrocarbon group, or R a10 and R a11 are bonded to each other to form C3 together with a carbon atom having R a10 and R a11 bonded thereto; May form a -C20 ring, the alkyl group and the cycloaliphatic hydrocarbon group may have one or more hydroxyl groups, and one or more of the alkyl group and the cycloaliphatic hydrocarbon group -CH 2 -is -O- or May be replaced by -CO-.

상기 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있는 C1-C3 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 하이드록시메틸 그룹 및 2-하이드록시에틸 그룹이 포함된다. Ra13의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 2-옥소-옥솔란-3-일 그룹 및 2-옥소-옥솔란-4-일 그룹이 포함된다. Ra10, Ra11 및 Ra12의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 사이클로헥실 그룹, 메틸사이클로헥실 그룹, 하이드록시사이클로헥실 그룹, 옥소사이클로헥실 그룹 및 아다만틸 그룹이 포함되고, Ra10과 Ra11이 서로 결합하여, Ra10과 Ra11이 결합된 탄소 원자와 함께 형성하는 C3-C20 환의 예로는 사이클로헥산 환 및 아다만탄 환이 포함된다.Examples of C1-C3 alkyl groups which may have one or more hydroxyl groups include methyl groups, ethyl groups, propyl groups, hydroxymethyl groups and 2-hydroxyethyl groups. Examples of R a13 include a methyl group, ethyl group, propyl group, 2-oxo-oxolan-3-yl group and 2-oxo-oxolan-4-yl group. Examples of R a10 , R a11 and R a12 include methyl group, ethyl group, cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, hydroxycyclohexyl group, oxocyclohexyl group and adamantyl group, and R a10 and R a11 Examples of the C3-C20 ring which are bonded to each other and formed together with the carbon atom to which R a10 and R a11 are bonded include a cyclohexane ring and an adamantane ring.

상기 화학식 a1-3으로 표시되는 단량체의 예로는 3급-부틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-메틸사이클로헥실 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 2-메틸-2-아다만틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 2-에틸-2-아다만틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-(4-메틸사이클로헥실)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-(4-하이드록시사이클로헥실)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-메틸-1-(4-옥소사이클로헥실)에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트 및 1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트가 포함된다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a1-3 include tert-butyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-methyl Cyclohexyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-ethyl-2-adamantyl 5-norbornene-2- Carboxylate, 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2 -Carboxylate, 1-methyl-1- (4-oxocyclohexyl) ethyl 5-norbornene-2-carboxylate and 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2 Carboxylates.

상기 수지가 화학식 a1-3으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 갖는 경우, 우수한 해상도 및 더 높은 건식-에칭 저항성을 갖는 포토레지스트 조성물이 수득되는 경향이 있다.When the resin has structural units derived from the monomer represented by the formula a1-3, photoresist compositions having excellent resolution and higher dry-etch resistance tend to be obtained.

상기 수지가 화학식 a1-3으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 화학식 a1-3으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 10 내지 95몰%, 바람직하게는 15 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 20 내지 85몰%이다.When the resin contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-3, the content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-3 is based on the total moles of all the structural units of the resin. Generally, it is 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체의 또 다른 예로는 화학식 a1-4로 표시되는 단량체가 포함된다:Another example of a monomer having an acid-labile group includes a monomer represented by Formula a1-4:

Figure 112012016756079-pat00047
Figure 112012016756079-pat00047

상기 화학식 a1-4에서,In Chemical Formula a1-4,

Ra32는 수소 원자, 할로겐 원자, C1-C6 알킬 그룹 또는 C1-C6 할로겐화 알킬 그룹이고,R a32 is a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C6 alkyl group or a C1-C6 halogenated alkyl group,

Ra33은, 각각의 경우, 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C6 알킬 그룹, C1-C6 알콕시 그룹, C2-C4 아실 그룹, C2-C4 아실옥시 그룹, 아크릴로일 그룹 또는 메타크릴로일 그룹이고,R a33 , at each occurrence, is independently a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C2-C4 acyl group, a C2-C4 acyloxy group, acryloyl group or methacryl Royle group,

la는 0 내지 4의 정수이고,la is an integer from 0 to 4,

Ra34 및 Ra35는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C12 탄화수소 그룹이고,R a34 and R a35 are each independently a hydrogen atom or a C1-C12 hydrocarbon group,

Xa2는 단일 결합이거나, 하나 이상의 -CH2-가 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -N(Rc)-(여기서, Rc는 수소 원자 또는 C1-C6 알킬 그룹이다)에 의해 대체될 수 있는 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹이고,X a2 is a single bond or one or more -CH 2 -is -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -or -N (R c )-, wherein R c is a hydrogen atom or C1-C6 C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group which may be substituted by

Ya3은 C1-C12 알킬 그룹, C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 또는 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹이고,Y a3 is a C1-C12 alkyl group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group or a C6-C18 aromatic hydrocarbon group,

상기 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹, 상기 C1-C12 알킬 그룹, 상기 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 및 상기 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹은 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C6 알킬 그룹, C1-C6 알콕시 그룹, C2-C4 아실 그룹 및 C2-C4 아실옥시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있다.The C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group, the C1-C12 alkyl group, the C3-C18 alicyclic hydrocarbon group and the C6-C18 aromatic hydrocarbon group are a halogen atom, hydroxyl group, C1-C6 alkyl group, C1-C6 It may have one or more substituents selected from the group consisting of alkoxy groups, C2-C4 acyl groups and C2-C4 acyloxy groups.

상기 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자가 포함된다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom.

상기 C1-C6 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 이소부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹 및 헥실 그룹이 포함되고, C1-C4 알킬 그룹이 바람직하며, C1-C2 알킬 그룹이 더욱 바람직하고, 메틸 그룹이 특히 바람직하다.Examples of the C1-C6 alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl group, C1-C4 alkyl groups are preferred, C1-C2 alkyl groups are more preferred, and methyl groups are particularly preferred.

상기 C1-C6 할로겐화 알킬 그룹의 예로는 트리플루오로메틸 그룹, 펜타플루오로에틸 그룹, 헵타플루오로프로필 그룹, 헵타플루오로이소프로필 그룹, 노나플루오로부틸 그룹, 노나플루오로-2급-부틸 그룹, 노나플루오로-3급-부틸 그룹, 퍼플루오로펜틸 그룹, 퍼플루오로헥실 그룹, 퍼클로로메틸 그룹, 퍼브로모메틸 그룹 및 퍼요오도메틸 그룹이 포함된다.Examples of the C1-C6 halogenated alkyl group include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, heptafluoroisopropyl group, nonafluorobutyl group, and nonafluorosecondary-butyl group , Nonafluoro tert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl group, perchloromethyl group, perbromomethyl group and periodomethyl group.

상기 C1-C6 알콕시 그룹의 예로는 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 이소프로폭시 그룹, 부톡시 그룹, 이소부톡시 그룹, 2급-부톡시 그룹, 3급-부톡시 그룹, 펜틸옥시 그룹 및 헥실옥시 그룹이 포함되고, C1-C4 알콕시 그룹이 바람직하며, C1-C2 알콕시 그룹이 더욱 바람직하고, 메톡시 그룹이 특히 바람직하다.Examples of the C1-C6 alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, secondary-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy Groups and hexyloxy groups are included, C 1 -C 4 alkoxy groups are preferred, C 1 -C 2 alkoxy groups are more preferred, and methoxy groups are particularly preferred.

상기 C2-C4 아실 그룹의 예로는 아세틸 그룹, 프로피오닐 그룹 및 부티릴 그룹이 포함되고, 상기 C2-C4 아실옥시 그룹의 예로는 아세틸옥시 그룹, 프로피오닐옥시 그룹 및 부티릴옥시 그룹이 포함된다.Examples of the C2-C4 acyl group include an acetyl group, propionyl group and butyryl group, and examples of the C2-C4 acyloxy group include an acetyloxy group, propionyloxy group and butyryloxy group.

상기 C1-C12 탄화수소 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 이소부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 헵틸 그룹, 옥틸 그룹, 2-에틸헥실 그룹, 노닐 그룹, 데실 그룹, 운데실 그룹 및 도데실 그룹과 같은 C1-C12 알킬 그룹, 및 사이클로헥실 그룹, 아다만틸 그룹, 2-알킬-2-아다만틸 그룹, 1-(1-아다만틸)-1-알킬 그룹 및 이소보르닐 그룹과 같은 C3-C12 지환족 탄화수소 그룹, C6-C12 방향족 탄화수소 그룹 및 상기된 그룹들 중의 하나 이상을 결합시켜 형성한 그룹이 포함된다.Examples of the C1-C12 hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, C1-C12 alkyl groups such as octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group and dodecyl group, and cyclohexyl group, adamantyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group , C3-C12 alicyclic hydrocarbon group such as 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group and isobornyl group, C6-C12 aromatic hydrocarbon group and group formed by combining at least one of the above-mentioned groups This includes.

상기 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹의 예로는 메틸렌 그룹, 에틸렌 그룹, 프로판-1,3-디일 그룹, 부탄-1,4-디일 그룹, 펜탄-1,5-디일 그룹, 헥산-1,6-디일 그룹, 헵탄-1,7-디일 그룹, 옥탄-1,8-디일 그룹, 노난-1,9-디일 그룹, 데칸-1,10-디일 그룹, 운데칸-1,11-디일 그룹, 도데칸-1,12-디일 그룹, 트리데칸-1,13-디일 그룹, 테트라데칸-1,14-디일 그룹, 펜타데칸-1,15-디일 그룹, 헥사데칸-1,16-디일 그룹 및 헵타데칸-1,17-디일 그룹과 같은 C1-C17 알칸디일 그룹이 포함된다.Examples of the C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6 -Diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decan-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group, Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group and C1-C17 alkanediyl groups such as heptadecane-1,17-diyl groups are included.

상기 C1-C12 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 이소부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 헵틸 그룹, 옥틸 그룹, 2-에틸헥실 그룹, 노닐 그룹, 데실 그룹, 운데실 그룹 및 도데실 그룹이 포함된다. 상기 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹의 예로는 사이클로프로필 그룹, 사이클로부틸 그룹, 사이클로펜틸 그룹, 사이클로헥실 그룹, 사이클로헵틸 그룹, 사이클로옥틸 그룹, 사이클로노닐 그룹, 사이클로데실 그룹, 노르보르닐 그룹, 1-아다만틸 그룹, 2-아다만틸 그룹, 이소보르닐 그룹 및 다음의 그룹들이 포함된다:Examples of the C1-C12 alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, Octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group and dodecyl group. Examples of the C3-C18 alicyclic hydrocarbon group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, 1- Adamantyl group, 2-adamantyl group, isobornyl group and the following groups:

Figure 112012016756079-pat00048
Figure 112012016756079-pat00048

상기 C6-C18 방향족 탄화수소 그룹의 예로는 페닐 그룹, 나프틸 그룹, 안트릴 그룹, p-메틸페닐 그룹, p-3급-부틸페닐 그룹 및 p-아다만틸페닐 그룹이 포함된다.Examples of the C6-C18 aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group and p-adamantylphenyl group.

Xa2 및 Ya3의 바람직한 치환체는 하이드록실 그룹이다.Preferred substituents of X a2 and Y a3 are hydroxyl groups.

Ra32는 바람직하게는 C1-C4 알킬 그룹, 더욱 바람직하게는 메틸 그룹 또는 에틸 그룹이고, 특히 더 바람직하게는 메틸 그룹이다. Ra33은 바람직하게는 C1-C4 알킬 그룹 또는 C1-C4 알콕시 그룹, 더욱 바람직하게는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 메톡시 그룹 또는 에톡시 그룹이고, 특히 더 바람직하게는 메틸 그룹 또는 메톡시 그룹이다.R a32 is preferably a C1-C4 alkyl group, more preferably a methyl group or an ethyl group, particularly more preferably a methyl group. R a33 is preferably a C1-C4 alkyl group or a C1-C4 alkoxy group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a methoxy group or an ethoxy group, and even more preferably a methyl group or a methoxy group.

Ra34는 바람직하게는 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 옥틸 그룹, 2-에틸헥실 그룹, 사이클로헥실 그룹, 아다만틸 그룹, 2-알킬-2-아다만틸 그룹, 1-(아다만탄-1-일)-1-알킬 그룹 및 이소보르닐 그룹이다. Ra35는 바람직하게는 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 옥틸 그룹, 2-에틸헥실 그룹, 사이클로헥실 그룹, 아다만틸 그룹, 2-알킬-2-아다만틸 그룹, 1-(아다만탄-1-일)-1-알킬 그룹 및 이소보르닐 그룹이다.R a34 is preferably isopropyl group, butyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, 2 -Alkyl-2-adamantyl group, 1- (adamantan-1-yl) -1-alkyl group and isobornyl group. R a35 is preferably isopropyl group, butyl group, secondary-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, 2 -Alkyl-2-adamantyl group, 1- (adamantan-1-yl) -1-alkyl group and isobornyl group.

상기 화학식 a1-4로 표시되는 단량체의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a1-4 include the following ones.

Figure 112012016756079-pat00049
Figure 112012016756079-pat00049

Figure 112012016756079-pat00050
Figure 112012016756079-pat00050

Figure 112012016756079-pat00051
Figure 112012016756079-pat00051

상기 수지가 화학식 a1-4로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 화학식 a1-4로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 10 내지 95몰%, 바람직하게는 15 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 20 내지 85몰%이다.When the resin contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-4, the content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-4 is based on the total moles of all the structural units of the resin. Generally, it is 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체의 또 다른 예로는 다음의 것들이 포함된다:Another example of a monomer having an acid-labile group includes the following:

Figure 112012016756079-pat00052
Figure 112012016756079-pat00052

산-불안정성 그룹을 갖는 단량체의 또 다른 예로는 화학식 a1-5로 표시되는 단량체가 포함된다:Another example of a monomer having an acid-labile group includes a monomer represented by formula a1-5:

Figure 112012016756079-pat00053
Figure 112012016756079-pat00053

상기 화학식 a1-5에서,In Chemical Formula a1-5,

R31은 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있는 C1-C4 알킬 그룹이고,R 31 is a C1-C4 alkyl group which may be substituted with a hydrogen atom, a halogen atom, or a halogen atom,

L5는 -O-, -S- 또는 *-O-(CH2)k1-CO-O-(여기서, k1은 1 내지 7의 정수이고, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타낸다)이고,L 5 is -O-, -S- or * -O- (CH 2 ) k1 -CO-O-, where k1 is an integer from 1 to 7 and * represents a binding position to -CO- ,

L3 및 L4는 각각 독립적으로 -O- 또는 -S-이고,L 3 and L 4 are each independently -O- or -S-,

Z1은 단일 결합, *-(CH2)n4-O- 또는 -(CH2)n4-CO-O-(여기서, n4는 1 내지 4의 정수이고, *는 L5에 대한 결합 위치를 나타낸다)이고,Z 1 is a single bond, * — (CH 2 ) n 4 —O— or — (CH 2 ) n 4 —CO—O—, where n 4 is an integer from 1 to 4 and * represents a bonding position to L 5 . )ego,

s1 및 s2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.s1 and s2 are each independently an integer of 0-4.

R31은 바람직하게는 수소 원자, 메틸 그룹 또는 트리플루오로메틸 그룹, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸 그룹이다.R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L5는 바람직하게는 -O- 또는 -S-, 더욱 바람직하게는 -O-이다.L 5 is preferably -O- or -S-, more preferably -O-.

L3 및 L4 중의 어느 하나는 -O-이고 다른 하나는 -S-인 것이 바람직하다.It is preferred that any one of L 3 and L 4 is -O- and the other is -S-.

n4는 1인 것이 바람직하다.n4 is preferably 1;

상기 화학식 a1-5에서, s1은 바람직하게는 1이고, s2는 바람직하게는 0, 1 또는 2이다.In the formula a1-5, s1 is preferably 1, and s2 is preferably 0, 1 or 2.

Z1은 바람직하게는 단일 결합 또는 -CH2-CO-O-이다.Z 1 is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

상기 화학식 a1-5로 표시되는 단량체의 예로는 다음의 것들이 포함된다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a1-5 include the following ones.

Figure 112012016756079-pat00054
Figure 112012016756079-pat00054

Figure 112012016756079-pat00055
Figure 112012016756079-pat00055

상기 수지가 화학식 a1-5로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 화학식 a1-5로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 1 내지 95몰%, 바람직하게는 3 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 5 내지 85몰%이다.When the resin contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-5, the content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula a1-5 is based on the total moles of all the structural units of the resin. Generally, 1 to 95 mol%, preferably 3 to 90 mol%, more preferably 5 to 85 mol%.

상기 수지는 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 2종 이상 가질 수 있다.The resin may have two or more structural units derived from monomers having acid-labile groups.

상기 수지는 바람직하게는 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위 및 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유한다. 상기 수지는 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 2종 이상 가질 수 있다. 상기 수지가 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위 및 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 10 내지 80몰%, 바람직하게는 20 내지 60몰%이고, 상기 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 90 내지 20몰%, 바람직하게는 80 내지 40몰%이다. 상기 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 화합물로부터 유도된 구조 단위에서, 아다만틸 그룹을 갖는 단량체, 특히 상기 화학식 a1-1로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은 포토레지스트 조성물의 건식 에칭 저항성을 고려할 때 바람직하게는 15몰% 이상이다.The resin preferably contains structural units derived from monomers having acid-labile groups and structural units derived from monomers having no acid-labile groups. The resin may have two or more structural units derived from monomers having no acid-labile groups. When the resin contains structural units derived from monomers having acid-labile groups and structural units derived from monomers having no acid-labile groups, the content of structural units derived from monomers having acid-labile groups is , Based on the total moles of all structural units of the resin, generally from 10 to 80 mole%, preferably from 20 to 60 mole%, and the content of structural units derived from monomers having no acid-labile groups, Based on the total moles of all the structural units of the resin, it is generally 90 to 20 mol%, preferably 80 to 40 mol%. In structural units derived from compounds having no acid-labile groups, the content of structural units derived from monomers having adamantyl groups, in particular monomers represented by the formula (a1-1), may affect the dry etching resistance of the photoresist composition. When considered, it is preferably 15 mol% or more.

상기 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체는 바람직하게는 하나 이상의 하이드록실 그룹 또는 락톤 환을 함유한다. 상기 수지가 산-불안정성 그룹을 갖지 않고 하나 이상의 하이드록실 그룹 또는 락톤 환을 함유하는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우에는 해상도 및 기판에 대한 포토레지스트의 접착성이 양호한 포토레지스트 조성물이 수득되는 경향이 있다.Monomers having no acid-labile groups preferably contain one or more hydroxyl groups or lactone rings. When the resin does not have acid-labile groups and contains structural units derived from monomers containing at least one hydroxyl group or lactone ring, a photoresist composition having good resolution and adhesion of the photoresist to the substrate is obtained. There is a tendency.

산-불안정성 그룹을 갖지 않고 하나 이상의 하이드록실 그룹을 갖는 단량체의 예로는 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체 및 화학식 a2-1로 표시되는 단량체가 포함된다:Examples of monomers having no acid-labile groups and having at least one hydroxyl group include monomers represented by formula a2-0 and monomers represented by formula a2-1:

Figure 112012016756079-pat00056
Figure 112012016756079-pat00056

상기 화학식 a2-0에서,In Chemical Formula a2-0,

Ra30은 수소 원자, 할로겐 원자, C1-C6 알킬 그룹 또는 C1-C6 할로겐화 알킬 그룹이고,R a30 is a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C6 alkyl group or a C1-C6 halogenated alkyl group,

Ra31은, 각각의 경우, 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, C1-C6 알킬 그룹, C1-C6 알콕시 그룹, C2-C4 아실 그룹, C2-C4 아실옥시 그룹, 아크릴로일 그룹 또는 메타크릴로일 그룹이고,R a31 is independently at each occurrence a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C2-C4 acyl group, a C2-C4 acyloxy group, acryloyl group or methacryl Royle group,

ma는 0 내지 4의 정수이다.ma is an integer of 0-4.

Figure 112012016756079-pat00057
Figure 112012016756079-pat00057

상기 화학식 a2-1에서,In Chemical Formula a2-1,

Ra14는 수소 원자 또는 메틸 그룹이고,R a14 is a hydrogen atom or a methyl group,

Ra15 및 Ra16은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸 그룹 또는 하이드록실 그룹이고,R a15 and R a16 are each independently a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxyl group,

La3은 *-O- 또는 *-O-(CH2)k2-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, k2는 1 내지 7의 정수이다)이고,L a3 is * -O- or * -O- (CH 2 ) k2 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO- and k2 is an integer of 1 to 7,

o1은 0 내지 10의 정수이다.o1 is an integer of 0-10.

KrF 엑시머 레이저(파장: 248㎚) 리소그래피 시스템, 또는 전자 빔 및 극자외선과 같은 고에너지 레이저를 노광 시스템으로 사용하는 경우에는 상기 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 수지가 바람직하고, ArF 엑시머 레이저(파장: 193㎚)를 노광 시스템으로 사용하는 경우에는 상기 화학식 a2-1로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 수지가 바람직하다.When using a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) lithography system or a high energy laser such as an electron beam and extreme ultraviolet rays as the exposure system, a resin containing a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-0) When using an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) as an exposure system, resin containing the structural unit derived from the monomer represented by the said general formula (a2-1) is preferable.

상기 화학식 a2-0에서, 상기 할로겐 원자의 예로는 불소 원자가 포함되고, 상기 C1-C6 알킬 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 이소프로필 그룹, 부틸 그룹, 이소부틸 그룹, 2급-부틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 펜틸 그룹 및 헥실 그룹이 포함되며, C1-C4 알킬 그룹이 바람직하고, C1-C2 알킬 그룹이 더욱 바람직하며, 메틸 그룹이 특히 바람직하다. 상기 C1-C6 할로겐화 알킬 그룹의 예로는 트리플루오로메틸 그룹, 펜타플루오로에틸 그룹, 헵타플루오로프로필 그룹, 헵타플루오로이소프로필 그룹, 노나플루오로부틸 그룹, 노나플루오로-2급-부틸 그룹, 노나플루오로-3급-부틸 그룹, 퍼플루오로펜틸 그룹 및 퍼플루오로헥실 그룹이 포함된다. 상기 C1-C6 알콕시 그룹의 예로는 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 이소프로폭시 그룹, 부톡시 그룹, 이소부톡시 그룹, 2급-부톡시 그룹, 3급-부톡시 그룹, 펜틸옥시 그룹 및 헥실옥시 그룹이 포함되고, C1-C4 알콕시 그룹이 바람직하며, C1-C2 알콕시 그룹이 더욱 바람직하고, 메톡시 그룹이 특히 바람직하다. 상기 C2-C4 아실 그룹의 예로는 아세틸 그룹, 프로피오닐 그룹 및 부티릴 그룹이 포함되고, 상기 C2-C4 아실옥시 그룹의 예로는 아세틸옥시 그룹, 프로피오닐옥시 그룹 및 부티릴옥시 그룹이 포함된다. 상기 화학식 a2-0에서, ma는 바람직하게는 0, 1 또는 2, 더욱 바람직하게는 0 또는 1, 특히 바람직하게는 0이다.In Chemical Formula a2-0, examples of the halogen atom include a fluorine atom, and examples of the C1-C6 alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, and secondary- Butyl groups, tert-butyl groups, pentyl groups and hexyl groups are included, C1-C4 alkyl groups are preferred, C1-C2 alkyl groups are more preferred, and methyl groups are particularly preferred. Examples of the C1-C6 halogenated alkyl group include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, heptafluoroisopropyl group, nonafluorobutyl group, and nonafluorosecondary-butyl group , Nonafluoro tert-butyl group, perfluoropentyl group and perfluorohexyl group. Examples of the C1-C6 alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, secondary-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy Groups and hexyloxy groups are included, C 1 -C 4 alkoxy groups are preferred, C 1 -C 2 alkoxy groups are more preferred, and methoxy groups are particularly preferred. Examples of the C2-C4 acyl group include an acetyl group, propionyl group and butyryl group, and examples of the C2-C4 acyloxy group include an acetyloxy group, propionyloxy group and butyryloxy group. In the formula a2-0, ma is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, particularly preferably 0.

상기 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 수지는, 예를 들면, 상기 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체의 하이드록실 그룹을 아세틸 그룹과 같은 보호 그룹으로 보호시켜서 수득한 단량체를 중합시킨 후, 수득된 중합체를 산 또는 염기로 탈보호시킴으로써 제조될 수 있다.The resin containing the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-0) is, for example, a monomer obtained by protecting the hydroxyl group of the monomer represented by the formula (a2-0) with a protecting group such as an acetyl group. After polymerization, the obtained polymer can be prepared by deprotection with an acid or a base.

상기 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체의 예로는 JP 제2010-204646 A호에 기술된 단량체들이 포함되며, 4-하이드록시스티렌 및 4-하이드록시-α-메틸스티렌이 바람직하다.Examples of the monomer represented by the formula a2-0 include monomers described in JP 2010-204646 A, and 4-hydroxystyrene and 4-hydroxy-α-methylstyrene are preferable.

상기 수지가 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 화학식 a2-0으로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 5 내지 95몰%, 바람직하게는 10 내지 80몰%, 더욱 바람직하게는 15 내지 80몰%이다.When the resin contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula a2-0, the content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula a2-0 is based on the total moles of all the structural units of the resin. Generally, 5 to 95 mol%, preferably 10 to 80 mol%, more preferably 15 to 80 mol%.

상기 화학식 2a-1에서, Ra14는 바람직하게는 메틸 그룹이고, Ra15는 바람직하게는 수소 원자이고, Ra16은 바람직하게는 수소 원자 또는 하이드록실 그룹이고, La3은 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-(CH2)f2-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, f2는 1 내지 4의 정수이다), 더욱 바람직하게는 *-O-이고, o1은 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이다.In Formula 2a-1, R a14 is preferably a methyl group, R a15 is preferably a hydrogen atom, R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxyl group, and L a3 is preferably * -O Or * -O- (CH 2 ) f2 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO- and f2 is an integer from 1 to 4, more preferably * -O- is preferably 0, 1, 2 or 3, more preferably 0 or 1.

상기 화학식 a2-1로 표시되는 단량체의 예로는 JP 제2010-204646 A호에 기술된 단량체들이 포함되고, 화학식 a2-1-1 내지 a2-1-6으로 표시되는 단량체들이 바람직하며, 화학식 a2-1-1 내지 a2-1-4로 표시되는 단량체들이 더욱 바람직하고, 화학식 a2-1-1 및 a2-1-3으로 표시되는 단량체들이 특히 더 바람직하다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a2-1 include monomers described in JP 2010-204646 A, monomers represented by Chemical Formulas a2-1-1 to a2-1-6 are preferable, and Chemical Formula a2- More preferred are monomers represented by 1-1 to a2-1-4, and even more preferred are monomers represented by the formulas a2-1-1 and a2-1-3.

Figure 112012016756079-pat00058
Figure 112012016756079-pat00058

상기 수지가 화학식 a2-1로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 상기 화학식 a2-1로 표시되는 단량체로부터 유도된 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 3 내지 45몰%, 바람직하게는 5 내지 40몰%, 더욱 바람직하게는 5 내지 35몰%, 특히 바람직하게는 5 내지 20몰%이다.When the resin contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula a2-1, the content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula a2-1 is based on the total moles of all the structural units of the resin. Generally, 3 to 45 mol%, preferably 5 to 40 mol%, more preferably 5 to 35 mol%, particularly preferably 5 to 20 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖지 않고 락톤 환을 갖는 단량체의 락톤 환의 예로는 β-프로피오락톤 환, γ-부티로락톤 환 및 γ-발레로락톤 환과 같은 모노사이클릭 락톤 환, 및 모노사이클릭 락톤 환과 기타 환으로부터 형성된 축합 환이 포함된다. 이들 중, γ-부티로락톤 환, 및 γ-부티로락톤 환과 기타 환으로부터 형성된 축합 락톤 환이 바람직하다.Examples of lactone rings of monomers having no acid-labile groups and having lactone rings include monocyclic lactone rings such as β-propiolactone rings, γ-butyrolactone rings and γ-valerolactone rings, and monocyclic lactone rings; Condensed rings formed from other rings. Among them, a γ-butyrolactone ring and a condensed lactone ring formed from a γ-butyrolactone ring and other rings are preferable.

산-불안정성 그룹을 갖지 않고 락톤 환을 갖는 단량체의 바람직한 예로는 화학식 a3-1, a3-2 및 a3-3으로 표시되는 단량체들이 포함된다: Preferred examples of monomers having no lact groups and having no acid-labile groups include those represented by the formulas a3-1, a3-2 and a3-3:

Figure 112012016756079-pat00059
Figure 112012016756079-pat00059

상기 화학식 a3-1 내지 a3-3에서,In Chemical Formulas a3-1 to a3-3,

La4, La5 및 La6은 각각 독립적으로 *-O- 또는 *-O-(CH2)k3-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, k3는 1 내지 7의 정수이다)이고,L a4 , L a5 and L a6 are each independently * -O- or * -O- (CH 2 ) k3 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO-, and k3 is 1 to Is an integer of 7),

Ra18, Ra19 및 Ra20은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸 그룹이고,R a18 , R a19 and R a20 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,

Ra21은 C1-C4 지방족 탄화수소 그룹이고,R a21 is a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group,

Ra22 및 Ra23은, 각각의 경우, 독립적으로, 카복실 그룹, 시아노 그룹 또는 C1-C4 지방족 탄화수소 그룹이고,R a22 and R a23 , at each occurrence, are independently a carboxyl group, cyano group or a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group,

p1은 0 내지 5의 정수이고,p1 is an integer from 0 to 5,

q1 및 r1은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.q1 and r1 are each independently an integer of 0-3.

La4, La5 및 La6은 각각 독립적으로 *-O- 또는 *-O-(CH2)d1-CO-O-(여기서, *는 -CO-에 대한 결합 위치를 나타내고, d1은 1 내지 4의 정수이다)인 것이 바람직하고, La4, La5 및 La6은 *-O-인 것이 더욱 바람직하다. Ra18, Ra19 및 Ra20은 바람직하게는 메틸 그룹이다. Ra21은 바람직하게는 메틸 그룹이다. Ra22 및 Ra23은, 각각의 경우, 독립적으로, 카복실 그룹, 시아노 그룹 또는 메틸 그룹인 것이 바람직하다. p1은 0 내지 2의 정수인 것이 바람직하고, p1은 0 또는 1인 것이 더욱 바람직하다. q1 및 r1은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수인 것이 바람직하고, q1 및 r1은 각각 독립적으로 0 또는 1인 것이 더욱 바람직하다.L a4 , L a5 and L a6 each independently represent * -O- or * -O- (CH 2 ) d1 -CO-O-, where * represents a bonding position to -CO-, and d1 represents 1 to It is preferable that it is an integer of 4), and it is more preferable that L <a4> , L <a5> and L <a6> are * -O-. R a18 , R a19 and R a20 are preferably methyl groups. R a21 is preferably a methyl group. R a22 and R a23 are each independently independently a carboxyl group, a cyano group or a methyl group. It is preferable that p1 is an integer of 0-2, and it is more preferable that p1 is 0 or 1. It is preferable that q1 and r1 are each independently an integer of 0-2, and it is more preferable that q1 and r1 are each independently 0 or 1.

상기 화학식 a3-1로 표시되는 단량체의 예로는 JP 제2010-204646 A호에 기술된 단량체들이 포함되고, 화학식 a3-1-1 내지 a3-1-4, a3-2-1 내지 a3-2-4 및 a3-3-1 내지 a3-3-4로 표시되는 단량체들이 바람직하며, 화학식 a3-1-1 내지 a3-1-2, 및 a3-2-3 내지 a3-2-4로 표시되는 단량체들이 더욱 바람직하고, 화학식 a3-1-1 및 a3-2-3으로 표시되는 단량체들이 특히 더 바람직하다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a3-1 include monomers described in JP 2010-204646 A, and include Chemical Formulas a3-1-1 to a3-1-4 and a3-2-1 to a3-2-. Monomers represented by 4 and a3-3-1 to a3-3-4 are preferred, and monomers represented by the formulas a3-1-1 to a3-1-2 and a3-2-3 to a3-2-4 Are more preferred, and monomers represented by the formulas a3-1-1 and a3-2-3 are particularly preferred.

Figure 112012016756079-pat00060
Figure 112012016756079-pat00060

상기 수지가 산-불안정성 그룹을 갖지 않고 락톤 환을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 이의 총 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 5 내지 70몰%, 바람직하게는 10 내지 65몰%, 더욱 바람직하게는 10 내지 60몰%이다. 산-불안정성 그룹을 갖지 않고 락톤 환을 갖는 단량체로부터 유도된 각각의 구조 단위의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 5 내지 60몰%, 바람직하게는 10 내지 55몰%, 더욱 바람직하게는 10 내지 50몰%이다.If the resin does not have acid-labile groups and contains structural units derived from monomers having lactone rings, the total content thereof is generally from 5 to 70 mole percent, based on the total moles of all structural units of the resin. , Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%. The content of each structural unit derived from a monomer having no lact ring with no acid-labile groups is generally from 5 to 60 mole percent, preferably from 10 to 55, based on the total moles of all structural units of the resin. Mol%, more preferably 10 to 50 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖지 않는 또 다른 단량체의 예로는 화학식 a4-1, a4-2 및 a4-3으로 표시되는 단량체들이 포함된다: Examples of another monomer having no acid-labile group include monomers represented by the formulas a4-1, a4-2 and a4-3:

Figure 112012016756079-pat00061
Figure 112012016756079-pat00061

상기 화학식 a4-1 내지 a4-3에서,In Chemical Formulas a4-1 to a4-3,

Ra25 및 Ra26은 각각 독립적으로 수소 원자, 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있는 C1-C3 지방족 탄화수소 그룹, 카복실 그룹, 시아노 그룹 또는 -COORa27 그룹(여기서, Ra27은 C1-C18 지방족 탄화수소 그룹 또는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹이고, 상기 C1-C18 지방족 탄화수소 그룹 및 상기 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있으며, 단, Ra27의 -COO-의 -O-에 결합된 탄소 원자는 3급 탄소 원자가 아니다)이거나, Ra25와 Ra26은 함께 결합하여, -C(=O)-O-C(=O)-로 표시되는 카복실산 무수물 잔기를 형성한다.R a25 and R a26 each independently represent a hydrogen atom, a C1-C3 aliphatic hydrocarbon group, a carboxyl group, a cyano group or a -COOR a27 group, which may have one or more hydroxyl groups, wherein R a27 is a C1-C18 aliphatic hydrocarbon a group or a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group, the C1-C18 aliphatic hydrocarbon group of at least one -CH 2 group and the C3-C18 alicyclic hydrocarbon group - may be replaced by -O- or -CO-, stage , The carbon atom bonded to -O- of -COO- of R a27 is not a tertiary carbon atom), or R a25 and R a26 are bonded together, represented by -C (= O) -OC (= O)- To form a carboxylic anhydride residue.

상기 C1-C3 지방족 탄화수소 그룹의 치환체의 예로는 하이드록실 그룹이 포함된다. 하나 이상의 하이드록실 그룹을 가질 수 있는 상기 C1-C3 지방족 탄화수소 그룹의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹 및 프로필 그룹과 같은 C1-C3 알킬 그룹, 및 하이드록시메틸 그룹 및 2-하이드록시에틸 그룹과 같은 C1-C3 하이드록시알킬 그룹이 포함된다. Ra27로 표시되는 C1-C18 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 C1-C8 지방족 탄화수소 그룹, 더욱 바람직하게는 C1-C6 지방족 탄화수소 그룹이다. Ra27로 표시되는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 C4-C18 지환족 탄화수소 그룹, 더욱 바람직하게는 C4-C12 지환족 탄화수소 그룹이다. Ra27의 예로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 2-옥소-옥솔란-3-일 그룹 및 2-옥소-옥솔란-4-일 그룹이 포함된다.Examples of the substituent of the C1-C3 aliphatic hydrocarbon group include a hydroxyl group. Examples of the C1-C3 aliphatic hydrocarbon group which may have one or more hydroxyl groups include C1-C3 alkyl groups such as methyl groups, ethyl groups and propyl groups, and C1 such as hydroxymethyl groups and 2-hydroxyethyl groups -C3 hydroxyalkyl group is included. The C1-C18 aliphatic hydrocarbon group represented by R a27 is preferably a C1-C8 aliphatic hydrocarbon group, more preferably a C1-C6 aliphatic hydrocarbon group. The C3-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group represented by R a27 is preferably a C4-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group, more preferably a C4-C12 cycloaliphatic hydrocarbon group. Examples of R a27 include a methyl group, ethyl group, propyl group, 2-oxo-oxolan-3-yl group and 2-oxo-oxolan-4-yl group.

상기 화학식 a4-3으로 표시되는 단량체의 예로는 2-노르보르넨, 2-하이드록시-5-노르보르넨, 5-노르보르넨-2-카복실산, 메틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 2-하이드록시에틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 5-노르보르넨-2-메탄올 및 5-노르보르넨-2,3-디카복실산 무수물이 포함된다.Examples of the monomer represented by Chemical Formula a4-3 include 2-norbornene, 2-hydroxy-5-norbornene, 5-norbornene-2-carboxylic acid, methyl 5-norbornene-2-carboxylate , 2-hydroxyethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5-norbornene-2-methanol and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride.

상기 수지가 화학식 a4-1, a4-2 또는 a4-3의 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 이의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 2 내지 40몰%, 바람직하게는 3 내지 30몰%, 더욱 바람직하게는 5 내지 20몰%이다.When the resin contains structural units derived from monomers of the formula a4-1, a4-2 or a4-3, the content thereof is generally from 2 to 40 moles, based on the total moles of all the structural units of the resin. %, Preferably it is 3-30 mol%, More preferably, it is 5-20 mol%.

산-불안정성 그룹을 갖지 않는 또 다른 단량체의 예로는 하기 화학식으로 표시되는 불소-함유 단량체들이 포함된다.Examples of another monomer not having an acid-labile group include fluorine-containing monomers represented by the following formula.

Figure 112012016756079-pat00062
Figure 112012016756079-pat00062

이들 중, among them,

5-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-(트리플루오로메틸)프로필)바이사이클로[2.2.1]헵트-2-일 아크릴레이트, 5- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-yl acrylate,

5-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-(트리플루오로메틸)프로필)바이사이클로[2.2.1]헵트-2-일 메타크릴레이트, 5- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-yl methacrylate,

6-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-(트리플루오로메틸)프로필)바이사이클로[2.2.1]헵트-2-일 아크릴레이트, 6- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-yl acrylate,

5-(3,3,3-트리플루오로-2-하이드록시-2-(트리플루오로메틸)프로필)바이사이클로[2.2.1]헵트-2-일 메타크릴레이트, 5- (3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-yl methacrylate,

4,4-비스(트리플루오로메틸)-3-옥사트리사이클로[4.2.1.02,5]노닐 아크릴레이트 및 4,4-bis (trifluoromethyl) -3-oxatricyclo [4.2.1.0 2,5 ] nonyl acrylate and

4,4-비스(트리플루오로메틸)-3-옥사트리사이클로[4.2.1.02,5]노닐 메타크릴레이트가 바람직하다.Preferred is 4,4-bis (trifluoromethyl) -3-oxatricyclo [4.2.1.0 2,5 ] nonyl methacrylate.

상기 수지가 상기된 불소-함유 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 경우, 이의 함량은, 상기 수지의 모든 구조 단위의 총 몰을 기준으로, 일반적으로 1 내지 20몰%, 바람직하게는 2 내지 15몰%, 더욱 바람직하게는 3 내지 10몰%이다.If the resin contains structural units derived from the fluorine-containing monomers described above, the content thereof is generally from 1 to 20 mol%, preferably from 2 to 15, based on the total moles of all the structural units of the resin. Mol%, more preferably 3 to 10 mol%.

바람직한 수지는 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위, 및 산-불안정성 그룹을 갖지 않는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 수지이고, 더욱 바람직한 수지는 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위, 및 하나 이상의 하이드록실 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위 및/또는 락톤 환을 갖는 단량체를 함유하는 수지이다. 상기 산-불안정성 그룹을 갖는 단량체는 바람직하게는 화학식 a1-1로 표시되는 단량체 또는 화학식 a1-2로 표시되는 단량체이고, 더욱 바람직하게는 화학식 a1-1로 표시되는 단량체이다. 상기 하나 이상의 하이드록실 그룹을 갖는 단량체는 바람직하게는 화학식 a2-1로 표시되는 단량체이고, 상기 락톤 환을 갖는 단량체는 바람직하게는 화학식 a3-1로 표시되는 단량체이다.Preferred resins are resins containing structural units derived from monomers having acid-labile groups, and structural units derived from monomers having no acid-labile groups, and more preferred resins are derived from monomers having acid-labile groups. Resins containing structural units and monomers having lactone rings and / or structural units derived from monomers having at least one hydroxyl group. The monomer having an acid-labile group is preferably a monomer represented by the formula (a1-1) or a monomer represented by the formula (a1-2), and more preferably a monomer represented by the formula (a1-1). The monomer having at least one hydroxyl group is preferably a monomer represented by the formula (a2-1), and the monomer having a lactone ring is preferably a monomer represented by the formula (a3-1).

상기 수지는 라디칼 중합과 같은 공지된 중합 방법에 따라 제조될 수 있다.The resin can be prepared according to known polymerization methods such as radical polymerization.

상기 수지는 일반적으로 2,500 이상의 중량-평균 분자량, 바람직하게는 3,000 이상의 중량-평균 분자량을 갖는다. 상기 수지는 일반적으로 50,000 이하의 중량-평균 분자량, 바람직하게는 30,000 이하의 중량-평균 분자량을 갖는다. 상기 중량-평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피로 측정될 수 있다.The resin generally has a weight-average molecular weight of at least 2,500, preferably at least 3,000. The resin generally has a weight-average molecular weight of 50,000 or less, preferably 30,000 or less. The weight-average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography.

산 발생제의 함량은 상기 수지 100중량부당 일반적으로 1중량부 이상, 바람직하게는 3중량부 이상이다. 산 발생제의 함량은 수지 100중량부당 일반적으로 30중량부 이하, 바람직하게는 25중량부 이하이다. 염(I)의 함량은 상기 수지 100중량부당 일반적으로 1중량부 이상, 바람직하게는 3중량부 이상이다. 산 발생제의 함량은 수지 100중량부당 일반적으로 30중량부 이하, 바람직하게는 25중량부 이하이다.The content of the acid generator is generally 1 part by weight or more, preferably 3 parts by weight or more per 100 parts by weight of the resin. The content of the acid generator is generally 30 parts by weight or less, preferably 25 parts by weight or less per 100 parts by weight of the resin. The content of salt (I) is generally 1 part by weight or more, preferably 3 parts by weight or more per 100 parts by weight of the resin. The content of the acid generator is generally 30 parts by weight or less, preferably 25 parts by weight or less per 100 parts by weight of the resin.

본 발명의 포토레지스트 조성물 중의 수지의 함량은 고체 성분의 합을 기준으로 일반적으로 80중량% 이상, 및 일반적으로 99중량% 이하이다. 본 명세서에서, "고체 성분"이란 포토레지스트 조성물 중에서 용매를 제외한 성분들을 의미한다.The content of the resin in the photoresist composition of the present invention is generally at least 80% by weight, and generally at most 99% by weight, based on the sum of the solid components. As used herein, "solid component" means components in the photoresist composition excluding the solvent.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 켄처(quencher)로서 염기성 화합물을 함유할 수 있다. 상기 염기성 화합물은 방사선 조사에 의해 산, 특히 산 발생제로부터 발생된 산을 포집할 수 있는 특성을 갖고 있다.The photoresist composition of the present invention may contain a basic compound as a quencher. The basic compound has a characteristic capable of capturing an acid, in particular an acid generated from an acid generator by irradiation.

상기 염기성 화합물은 바람직하게는 염기성 질소-함유 유기 화합물이고, 이의 예로는 지방족 아민 및 방향족 아민과 같은 아민 화합물 및 암모늄염이 포함된다. 상기 지방족 아민의 예로는 1급 아민, 2급 아민 및 3급 아민이 포함된다. 상기 방향족 아민의 예로는, 방향족 환이 하나 이상의 아미노 그룹을 갖는 방향족 아민, 예를 들면 아닐린, 및 피리딘과 같은 헤테로방향족 아민이 포함된다. 이의 바람직한 예로는 화학식 C2로 표시되는 방향족 아민이 포함된다.The basic compound is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, examples of which include amine compounds and ammonium salts such as aliphatic amines and aromatic amines. Examples of such aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. Examples of such aromatic amines include aromatic amines in which the aromatic ring has one or more amino groups, such as aniline, and heteroaromatic amines such as pyridine. Preferred examples thereof include aromatic amines represented by the formula (C2).

화학식 C2Formula C2

Figure 112012016756079-pat00063
Figure 112012016756079-pat00063

상기 화학식 C2에서,In Chemical Formula C2,

Arc1은 방향족 탄화수소 그룹이고,Ar c1 is an aromatic hydrocarbon group,

Rc5 및 Rc6은 독립적으로 수소 원자, 지방족 탄화수소 그룹, 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 또는 방향족 탄화수소 그룹이고, 상기 지방족 탄화수소 그룹, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 및 상기 방향족 탄화수소 그룹은 하이드록실 그룹, 아미노 그룹, 1개 또는 2개의 C1-C4 알킬 그룹을 갖는 아미노 그룹, 및 C1-C6 알콕시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있다.R c5 and R c6 are independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, wherein the aliphatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are a hydroxyl group, an amino group, One or two substituents selected from the group consisting of one or two C1-C4 alkyl groups, and C1-C6 alkoxy groups.

상기 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 알킬 그룹이고, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹은 바람직하게는 사이클로알킬 그룹이다. 상기 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹은 바람직하게는 5 내지 10개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 방향족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는다.The aliphatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably a cycloalkyl group. The aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 6 carbon atoms. The saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 5 to 10 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 10 carbon atoms.

상기 화학식 C2로 표시되는 방향족 아민으로는 화학식 C2-1로 표시되는 아민이 바람직하다.As the aromatic amine represented by Chemical Formula C2, an amine represented by Chemical Formula C2-1 is preferable.

Figure 112012016756079-pat00064
Figure 112012016756079-pat00064

상기 화학식 C2-1에서,In Chemical Formula C2-1,

Rc5 및 Rc6은 상기 정의된 바와 같고,R c5 and R c6 are as defined above,

Rc7은, 각각의 경우, 독립적으로, 지방족 탄화수소 그룹, 알콕시 그룹, 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 또는 방향족 탄화수소 그룹이고, 상기 지방족 탄화수소 그룹, 상기 알콕시 그룹, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 및 상기 방향족 탄화수소 그룹은 하이드록실 그룹, 아미노 그룹, 1개 또는 2개의 C1-C4 알킬 그룹을 갖는 아미노 그룹, 및 C1-C6 알콕시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있고,R c7 is independently at each occurrence an aliphatic hydrocarbon group, an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, wherein the aliphatic hydrocarbon group, the alkoxy group, the saturated cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are May have one or more substituents selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, an amino group having one or two C1-C4 alkyl groups, and a C1-C6 alkoxy group,

m3은 0 내지 3의 정수이다.m3 is an integer of 0-3.

상기 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 알킬 그룹이고, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹은 바람직하게는 사이클로알킬 그룹이다. 상기 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹은 바람직하게는 5 내지 10개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 방향족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 알콕시 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다.The aliphatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably a cycloalkyl group. The aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 6 carbon atoms. The saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 5 to 10 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 10 carbon atoms. The alkoxy group preferably has 1 to 6 carbon atoms.

상기 화학식 C2로 표시되는 방향족 아민의 예로는 1-나프틸아민, 2-나프틸아민, 아닐린, 디이소프로필아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, N-메틸아닐린, N,N-디메틸아닐린 및 디페닐아민이 포함되고, 이들 중, 디이소프로필아닐린이 바람직하고, 2,6-디이소프로필아닐린이 더욱 바람직하다.Examples of the aromatic amine represented by the formula (C2) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline and diphenylamine are included, among these, diisopropylaniline is preferable and 2,6-diisopropylaniline is more preferable.

염기성 화합물의 다른 예로는 화학식 C3 내지 C11로 표시되는 아민들이 포함된다.Other examples of the basic compound include amines represented by the formulas C3 to C11.

Figure 112012016756079-pat00065
Figure 112012016756079-pat00065

상기 화학식 C3 내지 C11에서,In Chemical Formulas C3 to C11,

Rc8, Rc20, Rc21, 및 Rc23 내지 Rc28은 독립적으로 지방족 탄화수소 그룹, 알콕시 그룹, 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 또는 방향족 탄화수소 그룹이고, 상기 지방족 탄화수소 그룹, 상기 알콕시 그룹, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 및 상기 방향족 탄화수소 그룹은 하이드록실 그룹, 아미노 그룹, 1개 또는 2개의 C1-C4 알킬 그룹을 갖는 아미노 그룹, 및 C1-C6 알콕시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있고,R c8 , R c20 , R c21 , and R c23 to R c28 are independently an aliphatic hydrocarbon group, an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group, the alkoxy group, the saturated cyclic hydrocarbon Group and said aromatic hydrocarbon group may have one or more substituents selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, an amino group having one or two C1-C4 alkyl groups, and a C1-C6 alkoxy group,

Rc9, Rc10, Rc11 내지 Rc14, Rc16 내지 Rc19, 및 Rc22는 독립적으로 수소 원자, 지방족 탄화수소 그룹, 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 또는 방향족 탄화수소 그룹이고, 상기 지방족 탄화수소 그룹, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 및 상기 방향족 탄화수소 그룹은 하이드록실 그룹, 아미노 그룹, 1개 또는 2개의 C1-C4 알킬 그룹을 갖는 아미노 그룹, 및 C1-C6 알콕시 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있고,R c9 , R c10 , R c11 to R c14 , R c16 to R c19 , and R c22 are independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group, between the saturation The click hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group may have one or more substituents selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, an amino group having one or two C1-C4 alkyl groups, and a C1-C6 alkoxy group ,

Rc15는, 각각의 경우, 독립적으로, 지방족 탄화수소 그룹, 포화 사이클릭 탄화수소 그룹 또는 알카노일 그룹이고,R c15 , at each occurrence, is independently an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an alkanoyl group,

Lc1 및 Lc2는 독립적으로 2가 지방족 탄화수소 그룹, -CO-, -C(=NH)-, -C(=NRc3)-(여기서, Rc3은 C1-C4 알킬 그룹이다), -S-, -S-S- 또는 이들의 조합이고,L c1 and L c2 are independently a divalent aliphatic hydrocarbon group, -CO-, -C (= NH)-, -C (= NR c3 )-, wherein R c3 is a C1-C4 alkyl group, -S -, -SS- or a combination thereof,

o3 내지 u3은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,o3 to u3 are each independently an integer of 0 to 3,

n3은 0 내지 8의 정수이다.n3 is an integer of 0-8.

상기 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖고, 상기 포화 사이클릭 탄화수소 그룹은 바람직하게는 3 내지 6개의 탄소 원자를 가지며, 상기 알카노일 그룹은 바람직하게는 2 내지 6개의 탄소 원자를 갖고, 상기 2가 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 상기 2가 지방족 탄화수소 그룹은 바람직하게는 알킬렌 그룹이다.The aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 6 carbon atoms, the saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 6 carbon atoms, and the alkanoyl group preferably has 2 to 6 carbon atoms And the divalent aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 6 carbon atoms. The divalent aliphatic hydrocarbon group is preferably an alkylene group.

상기 화학식 C3으로 표시되는 아민의 예로는 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 메틸디부틸아민, 메틸디펜틸아민, 메틸디헥실아민, 메틸디사이클로헥실아민, 메틸디헵틸아민, 메틸디옥틸아민, 메틸디노닐아민, 메틸디데실아민, 에틸디부틸아민, 에틸디펜틸아민, 에틸디헥실아민, 에틸디헵틸아민, 에틸디옥틸아민, 에틸디노닐아민, 에틸디데실아민, 디사이클로헥실메틸아민, 트리스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]아민, 트리이소프로판올아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄이 포함된다.Examples of the amine represented by the formula (C3) are hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didide Silamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentyl Amine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldi Heptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine , Hexamethylenediamine, 4 , 4'-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenyl Methane is included.

상기 화학식 C4로 표시되는 아민의 예로는 피페라진이 포함된다. 상기 화학식 C5로 표시되는 아민의 예로는 모르폴린이 포함된다. 상기 화학식 C6으로 표시되는 아민의 예로는 피페리딘, 및 JP 제11-52575 A호에 기재된 바와 같은 피페리딘 골격을 갖는 입체장애 아민 화합물이 포함된다. 상기 화학식 C7로 표시되는 아민의 예로는 2,2'-메틸렌비스아닐린이 포함된다. 상기 화학식 C8로 표시되는 아민의 예로는 이미다졸 및 4-메틸이미다졸이 포함된다. 상기 화학식 C9로 표시되는 아민의 예로는 피리딘 및 4-메틸피리딘이 포함된다. 상기 화학식 C10으로 표시되는 아민의 예로는 디-2-피리딜 케톤, 1,2-디(2-피리딜)에탄, 1,2-디(4-피리딜)에탄, 1,3-디(4-피리딜)프로판, 1,2-비스(2-피리딜)에텐, 1,2-비스(4-피리딜)에텐, 1,2-디(4-피리딜옥시)에탄, 4,4'-디피리딜 설파이드, 4,4'-디피리딜 디설파이드, 2,2'-디피리딜아민 및 2,2'-디피콜릴아민이 포함된다. 상기 화학식 C11로 표시되는 아민의 예로는 바이피리딘이 포함된다.Examples of the amine represented by the formula C4 include piperazine. Examples of the amine represented by the formula C5 include morpholine. Examples of the amine represented by the above formula (C6) include piperidine, and a hindered amine compound having a piperidine skeleton as described in JP 11-52575 A. Examples of the amine represented by the formula C7 include 2,2'-methylenebisaniline. Examples of the amine represented by the formula C8 include imidazole and 4-methylimidazole. Examples of the amine represented by the formula C9 include pyridine and 4-methylpyridine. Examples of the amine represented by Formula C10 include di-2-pyridyl ketone, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,3-di ( 4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethene, 1,2-bis (4-pyridyl) ethene, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, 4,4 '-Dipyridyl sulfide, 4,4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridylamine and 2,2'-dipicolylamine. Examples of the amine represented by the formula C11 include bipyridine.

4급 암모늄 하이드록사이드의 예로는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드, 테트라헥실암모늄 하이드록사이드, 테트라옥틸암모늄 하이드록사이드, 페닐트리메틸암모늄 하이드록사이드, (3-트리플루오로메틸페닐)트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드(이른바 "콜린")가 포함된다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, (3-trifluoro Methylphenyl) trimethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (so-called "choline").

이들 중, 디이소프로필아닐린이 바람직하고, 2,6-디이소프로필아닐린이 더욱 바람직하다.Among these, diisopropyl aniline is preferable and 2,6-diisopropyl aniline is more preferable.

상기 포토레지스트 조성물이 염기성 화합물을 함유하는 경우, 이의 함량은 고체 성분의 총량을 기준으로 일반적으로 0.01 내지 1중량%이다. 상기 염기성 화합물의 함량은 바람직하게는 염(I)과 염(I) 이외의 산 발생제의 총 함량보다 더 적다.When the photoresist composition contains a basic compound, its content is generally 0.01 to 1% by weight based on the total amount of solid components. The content of the basic compound is preferably less than the total content of acid generators other than salt (I) and salt (I).

본 발명의 포토레지스트 조성물은 일반적으로 하나 이상의 용매를 함유한다. 상기 용매의 예로는 에틸 셀로솔브 아세테이트, 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 에스테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 글리콜 에테르; 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트와 같은 아사이클릭 에스테르; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논 및 사이클로헥사논과 같은 케톤; 및 γ-부티로락톤과 같은 사이클릭 에스테르가 포함된다.Photoresist compositions of the invention generally contain one or more solvents. Examples of such solvents include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; Glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; Acyclic esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; Ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; And cyclic esters such as γ-butyrolactone.

상기 용매의 양은 본 발명의 포토레지스트 조성물의 총량을 기준으로 일반적으로 90중량% 이상, 바람직하게는 92중량% 이상, 더욱 바람직하게는 94중량% 이상이다. 상기 용매의 양은 본 발명의 포토레지스트 조성물의 총량을 기준으로 일반적으로 99.9중량% 이하, 바람직하게는 99중량% 이하이다. 상기 포토레지스트 조성물이 이러한 양으로 용매를 함유하는 경우, 두께 약 30 내지 약 300㎚의 포토레지스트 층이 용이하게 제조될 수 있다.The amount of the solvent is generally at least 90% by weight, preferably at least 92% by weight, more preferably at least 94% by weight, based on the total amount of the photoresist composition of the present invention. The amount of the solvent is generally 99.9% by weight or less, preferably 99% by weight or less, based on the total amount of the photoresist composition of the present invention. If the photoresist composition contains a solvent in this amount, a photoresist layer of about 30 to about 300 nm in thickness can be readily produced.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 한 필요에 따라, 감광제(sensitizer), 용해 억제제, 다른 중합체들, 계면활성제, 안정제 및 염료와 같은 각종 첨가제들을 소량으로 함유할 수 있다.The photoresist composition of the present invention may contain small amounts of various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other polymers, surfactants, stabilizers and dyes, as needed, so long as they do not interfere with the effects of the present invention.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 화학 증폭형 포토레지스트 조성물에 유용하다.The photoresist composition of the present invention is useful for chemically amplified photoresist compositions.

포토레지스트 패턴은 하기 단계 (1) 내지 (5)로 제조될 수 있다:The photoresist pattern may be prepared by the following steps (1) to (5):

(1) 본 발명의 제1 또는 제2 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하는 단계,(1) applying the first or second photoresist composition of the present invention onto a substrate,

(2) 건조를 수행하여 포토레지스트 필름을 형성하는 단계,(2) drying to form a photoresist film,

(3) 상기 포토레지스트 필름을 방사선에 노광시키는 단계,(3) exposing the photoresist film to radiation,

(4) 상기 노광된 포토레지스트 필름을 베이킹하는 단계, 및(4) baking the exposed photoresist film, and

(5) 상기 베이킹된 포토레지스트 필름을 알칼리 현상액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계.(5) developing the baked photoresist film with an alkaline developer to form a photoresist pattern.

상기 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하는 단계는 일반적으로 스핀 코터와 같은 통상의 장치를 사용하여 수행한다. 바람직하게는 도포 전에 포토레지스트 조성물을 0.01 내지 0.2㎛의 기공 크기를 갖는 필터로 여과시킨다. 상기 기판의 예로는 실리콘 웨이퍼 또는 석영 웨이퍼가 포함되고, 이 위에는 센서, 회로, 트랜지스터 등이 형성되어 있다.Applying the photoresist composition onto a substrate is generally performed using conventional devices such as spin coaters. Preferably the photoresist composition is filtered with a filter having a pore size of 0.01 to 0.2 μm prior to application. Examples of the substrate include a silicon wafer or a quartz wafer, on which a sensor, a circuit, a transistor, and the like are formed.

포토레지스트 필름의 형성은 일반적으로 핫 플레이트와 같은 가열 장치 또는 감압 장치(decompressor)를 사용하여 수행하고, 가열 온도는 일반적으로 50 내지 200℃이고, 작동 압력은 일반적으로 1 내지 1.0×105Pa이다.The formation of the photoresist film is generally carried out using a heating device or a decompressor such as a hot plate, the heating temperature is generally 50 to 200 ° C., and the operating pressure is generally 1 to 1.0 × 10 5 Pa. .

수득된 포토레지스트 필름은 노광 시스템을 사용하여 방사선에 노광시킨다. 노광은 일반적으로 목적하는 포토레지스트 패턴에 상응하는 패턴을 갖는 마스크를 통해 수행한다. 노광 공급원의 예로는 KrF 엑시머 레이저(파장: 248㎚), ArF 엑시머 레이저(파장: 193㎚) 및 F2 레이저(파장: 157㎚)와 같은 자외선 영역의 레이저 광을 방출시키는 광원, 및 고체 레이저 광원으로부터 레이저 광을 파장 전환시켜서 원자외선 영역 또는 진공 자외선 영역의 고조파 레이저 광(harmonic laser light)을 방출시키는 광원(예: YAG 또는 반도체 레이저)이 포함된다.The obtained photoresist film is exposed to radiation using an exposure system. Exposure is generally carried out through a mask having a pattern corresponding to the desired photoresist pattern. Examples of exposure sources include light sources that emit laser light in the ultraviolet region, such as KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), and F 2 laser (wavelength: 157 nm), and solid state laser light sources. And a light source (eg, YAG or semiconductor laser) for converting the wavelength of the laser light from the light to emit harmonic laser light in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region.

노광된 포토레지스트 필름의 베이킹 온도는 일반적으로 50 내지 200℃, 바람직하게는 70 내지 150℃이다.The baking temperature of the exposed photoresist film is generally 50 to 200 ° C, preferably 70 to 150 ° C.

베이킹된 포토레지스트 필름의 현상은 일반적으로 현상 장치를 사용하여 수행한다. 사용되는 알칼리 현상액은 당업계에서 사용되는 각종 알칼리 수용액 중의 어느 것일 수 있다. 일반적으로, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드(통상은 "콜린"으로 공지됨)의 수용액이 흔히 사용된다. 현상 후, 형성된 포토레지스트 패턴을 바람직하게는 초순수로 세척하고, 포토레지스트 패턴 위에 잔류하는 물과 기판을 제거하는 것이 바람직하다.The development of the baked photoresist film is generally carried out using a developing apparatus. The alkaline developer used may be any of various alkali aqueous solutions used in the art. Generally, aqueous solutions of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly known as "choline") are often used. After development, the formed photoresist pattern is preferably washed with ultrapure water, and water and the substrate remaining on the photoresist pattern are preferably removed.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 양호한 노광 허용도(EL: exposure latitude)를 나타내는 포토레지스트 패턴을 제공하고, 이에 의해 본 발명의 포토레지스트 조성물은 ArF 엑시머 레이저 리소그래피, KrF 엑시머 레이저 리소그래피, ArF 침지 리소그래피(immersion lithography), EUV(극자외선) 리소그래피, EUV 침지 리소그래피 및 EB(전자 빔) 리소그래피에 적합하다. 추가로, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 특히 EUV 리소그래피 및 EB 리소그래피에 사용될 수 있다.
The photoresist composition of the present invention provides a photoresist pattern exhibiting good exposure latitude (EL), whereby the photoresist composition of the present invention is an ArF excimer laser lithography, KrF excimer laser lithography, ArF immersion lithography (immersion) lithography), EUV (extreme ultraviolet) lithography, EUV immersion lithography and EB (electron beam) lithography. In addition, the photoresist compositions of the invention can be used in particular for EUV lithography and EB lithography.

실시예Example

본 발명을 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명하겠지만, 이 실시예들은 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.Although the present invention will be described in more detail by way of examples, these examples do not limit the scope of the invention.

하기 실시예 및 비교 실시예에서 사용되는 임의의 성분의 함량 및 재료의 양을 나타내는 데 사용되는 "%" 및 "부"는 달리 특정한 언급이 없는 한 중량을 기준으로 한다. 하기 실시예에서 사용되는 임의의 재료의 중량-평균 분자량은, 표준 참조 물질로서 표준 폴리스티렌(제조원: TOSOH CORPORATION)을 사용하는 겔 투과 크로마토그래피[컬럼: 가드 컬럼을 갖는 3개의 TSKgel Multipore HXL-M, 제조원: TOSOH CORPORATION, 용매: 테트라하이드로푸란, 유속: 1.0㎖/분, 검출기: RI 검출기, 컬럼 온도: 40℃, 주입 용량: 100㎕]에 의한 실측치이다. 화합물의 구조는 질량 분광계[액체 크로마토그래피: 1100 타입, 제조원: AGILENT TECHNOLOGIES LTD., 질량 분광계: LC/MSD 타입, 제조원: AGILENT TECHNOLOGIES LTD.]로 측정하였다. 수지 중의 구조 단위들의 비는, 중합 후 반응에서 미반응 단량체의 양을 측정한 후, 측정된 결과로부터 반응된 단량체의 양을 산출함으로써 결정되었다."%" And "parts" used to indicate the amount of any ingredient and the amount of material used in the following examples and comparative examples are by weight unless otherwise specified. The weight-average molecular weight of any of the materials used in the examples below was determined by gel permeation chromatography [Column: 3 TSKgel Multipore HXL-M with Guard Column] using standard polystyrene (TOSOH CORPORATION) as the standard reference material. Manufacturer: TOSOH CORPORATION, solvent: tetrahydrofuran, flow rate: 1.0 ml / min, detector: RI detector, column temperature: 40 ° C., injection volume: 100 μl]. The structure of the compound was measured by a mass spectrometer [liquid chromatography: 1100 type, manufactured by AGILENT TECHNOLOGIES LTD., Mass spectrometer: LC / MSD type, manufactured by AGILENT TECHNOLOGIES LTD.]. The ratio of structural units in the resin was determined by measuring the amount of unreacted monomer in the reaction after polymerization, and then calculating the amount of reacted monomer from the measured result.

실시예 1Example 1

Figure 112012016756079-pat00066
Figure 112012016756079-pat00066

화학식 I1-a의 염 6.03부 및 아세토니트릴 30.00부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 화학식 I1-b의 염 1.70부를 첨가하였다. 수득된 혼합물을 60℃에서 1시간 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물을 여과하고, 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액에, 클로로포름 30부 및 이온-교환수 15부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 분리시켜 유기 층을 수득하였다. 상기 유기 층을 이온-교환수 15부와 혼합하고 23℃에서 30분간 교반한 후 분리시켜 유기 층을 수득하였다. 이 세척을 3회 더 수행하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 3급-부틸 메틸 에테르 100부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후 여과하여 화학식 I1-c의 염 6.12부를 수득하였다.The mixture containing 6.03 parts of salt of formula I1-a and 30.00 parts of acetonitrile was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 1.70 parts of salt of formula (I1-b) was added. The resulting mixture was stirred at 60 ° C. for 1 hour. The reaction mixture was filtered and the filtrate obtained was concentrated. To the obtained concentrate, 30 parts of chloroform and 15 parts of ion-exchanged water were added, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then separated to obtain an organic layer. The organic layer was mixed with 15 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then separated to obtain an organic layer. This wash was performed three more times. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 100 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and filtered to give 6.12 parts of salt of formula (I1-c).

화학식 I1-c의 염 5.00부, N,N-디메틸포름아미드 30.00부 및 화학식 I1-d의 화합물 1.37부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 탄산칼륨 0.10부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 2시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에, 클로로포름 60부 및 이온-교환수 20부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 6회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 20부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켰다. 수득된 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔: Merck KGaA사로부터 구입가능한 실리카 겔 60-200 메쉬, 용매: 클로로포름/메탄올=5:1)로 정제하여 화학식 I1의 염 2.48부를 수득하였다. 이것을 염 I1이라 부른다.A mixture containing 5.00 parts of salt of formula (I1-c), 30.00 parts of N, N-dimethylformamide and 1.37 parts of compound of formula (I1-d) was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 0.10 part of potassium carbonate was added, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction mixture, 60 parts of chloroform and 20 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed six times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 20 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated. The residue obtained was purified by silica gel column chromatography (silica gel 60-200 mesh, commercially available from Merck KGaA, solvent: chloroform / methanol = 5: 1) to give 2.48 parts of the salt of formula (I1). This is called salt I1.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 547.2MS (ESI (-) Spectrum): M - 547.2

실시예 2Example 2

Figure 112012016756079-pat00067
Figure 112012016756079-pat00067

Figure 112012016756079-pat00068
Figure 112012016756079-pat00068

화학식 I2-a의 염은 JP 제2008-127367 A호에 기술된 방법에 따라 제조되었다. 화학식 I2-a의 염 50.00부, 클로로포름 300부 및 화학식 I2-b의 화합물 20.34부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 상기 혼합물을 60℃까지 가열시킨 후, 1시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 23℃로 냉각시키고, 여기에 에틸렌 글리콜 28.31부를 첨가하고 23℃에서 3시간 동안 교반하였다. 수득된 혼합물에, 클로로포름 200부 및 이온-교환수 75부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 교반한 후 분리시켜 유기 층을 수득하였다. 이 세척을 4회 수행하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 80부와 혼합하였다. 수득된 용액을 농축시키고, 수득된 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 150부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후 여과하여 화학식 I2-d의 염 24.58부를 수득하였다.Salts of formula (I2-a) were prepared according to the method described in JP 2008-127367 A. A mixture containing 50.00 parts of salt of formula (I2-a), 300 parts of chloroform and 20.34 parts of compound of formula (I2-b) was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The mixture was heated to 60 ° C. and then stirred for 1 hour. The obtained reaction mixture was cooled to 23 ° C., to which 28.31 parts of ethylene glycol was added and stirred at 23 ° C. for 3 hours. To the obtained mixture, 200 parts of chloroform and 75 parts of ion-exchanged water were added, and the obtained mixture was stirred and separated to obtain an organic layer. This wash was performed four times. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 80 parts of acetonitrile. The obtained solution was concentrated, the obtained residue was mixed with 150 parts of tert-butyl methyl ether, and the obtained mixture was stirred and filtered to give 24.58 parts of a salt of formula I2-d.

화학식 I2-e의 화합물 20.00부, 클로로포름 140부 및 화학식 I2-b의 화합물 19.57부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 1시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 이온-교환수 50부와 혼합하고 교반한 후 분리시켜 유기 층을 수득하였다. 상기 유기 층을 이온-교환수로 5회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 3급-부틸 메틸 에테르 100부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후 여과하여 화학식 I2-f의 화합물 24.94부를 수득하였다.A mixture containing 20.00 parts of compound of formula I2-e, 140 parts of chloroform and 19.57 parts of compound of formula I2-b was stirred at 23 ° C. for 1 hour. The obtained reaction mixture was mixed with 50 parts of ion-exchanged water, stirred and separated to obtain an organic layer. The organic layer was washed five times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 100 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and filtered to give 24.94 parts of compound of formula I2-f.

화학식 I2-d의 염 5.00부, N,N-디메틸포름아미드 30.00부 및 화학식 I2-f의 화합물 3.01부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 탄산칼륨 0.14부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 40℃에서 2시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에, 클로로포름 80부 및 이온-교환수 30부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 8회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 20부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켰다. 수득된 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔: Merck KGaA사로부터 구입가능한 실리카 겔 60-200 메쉬, 용매: 클로로포름/메탄올=5:1)로 정제하여 화학식 I2의 염 4.02부를 수득하였다. 이것을 염 I2라 부른다.A mixture containing 5.00 parts of salt of formula I2-d, 30.00 parts of N, N-dimethylformamide and 3.01 parts of compound of formula I2-f was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 0.14 parts of potassium carbonate was added, and the obtained mixture was stirred at 40 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction mixture, 80 parts of chloroform and 30 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed eight times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 20 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated. The residue obtained was purified by silica gel column chromatography (silica gel: 60-200 mesh silica gel, available from Merck KGaA, solvent: chloroform / methanol = 5: 1) to give 4.02 parts of salt of formula (I2). This is called salt I2.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 427.1MS (ESI (-) Spectrum): M - 427.1

실시예 3Example 3

Figure 112012016756079-pat00069
Figure 112012016756079-pat00069

수소화알루미늄리튬 10.4부 및 무수 테트라하이드로푸란 120부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 상기 혼합물에, 화학식 I3-a의 염 62.2부를 무수 테트라하이드로푸란 900부에 용해시켜 제조된 용액을 빙냉하에 적가하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 5시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 에틸 아세테이트 50부 및 6N 염산 50.00부와 혼합한 후 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 농축시키고, 수득된 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔: Merck KGaA사로부터 구입가능한 실리카 겔 60-200 메쉬, 용매: 클로로포름/메탄올=5:1)로 정제하여 화학식 I3-b의 염 84.7부를 수득하였다(순도: 60%).The mixture containing 10.4 parts of lithium aluminum hydride and 120 parts of anhydrous tetrahydrofuran was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the mixture, a solution prepared by dissolving 62.2 parts of the salt of formula I3-a in 900 parts of anhydrous tetrahydrofuran was added dropwise under ice cooling, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 5 hours. The obtained reaction mixture was mixed with 50 parts of ethyl acetate and 50.00 parts of 6N hydrochloric acid, followed by separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was concentrated and the residue obtained was purified by silica gel column chromatography (silica gel: 60-200 mesh silica gel, available from Merck KGaA, solvent: chloroform / methanol = 5: 1) to formula (I3). 84.7 parts of a salt of -b were obtained (purity: 60%).

화학식 I3-b의 염 6.13부, 클로로포름 100부 및 화학식 I3-c의 염 5.98부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 3시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에 이온-교환수 50부를 첨가하고 세척을 수행하여 유기 층을 수득하였다. 이 세척을 3회 수행하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 100부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 에틸 아세테이트 100부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물에 3급-부틸 메틸 에테르 100부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켰다. 수득된 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔: Merck KGaA사로부터 구입가능한 실리카 겔 60-200 메쉬, 용매: 클로로포름/메탄올=5:1)로 정제하여 화학식 I3-d의 염 4.96부를 수득하였다.A mixture containing 6.13 parts of salt of formula I3-b, 100 parts of chloroform and 5.98 parts of salt of formula I3-c was stirred at 23 ° C. for 3 hours. 50 parts of ion-exchanged water was added to the obtained reaction mixture and washed to obtain an organic layer. This wash was performed three times. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 100 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 100 parts of ethyl acetate and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. 100 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue, and the obtained mixture was stirred, then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated. The residue obtained was purified by silica gel column chromatography (silica gel 60-200 mesh, commercially available from Merck KGaA, solvent: chloroform / methanol = 5: 1) to obtain 4.96 parts of a salt of formula I3-d. .

화학식 I3-d의 염 4.40부, N,N-디메틸포름아미드 30.00부 및 화학식 I2-f의 화합물 3.01부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 탄산칼륨 0.14부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 40℃에서 2시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에, 클로로포름 80부 및 이온-교환수 30부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 8회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 1.00부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 20부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켰다. 수득된 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔: Merck KGaA사로부터 구입가능한 실리카 겔 60-200 메쉬, 용매: 클로로포름/메탄올=5:1)로 정제하여 화학식 I3의 염 0.52부를 수득하였다. 이것을 염 I3이라 부른다.A mixture containing 4.40 parts of salt of formula I3-d, 30.00 parts of N, N-dimethylformamide and 3.01 parts of compound of formula I2-f was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 0.14 parts of potassium carbonate was added, and the obtained mixture was stirred at 40 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction mixture, 80 parts of chloroform and 30 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed eight times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 1.00 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 20 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated. The residue obtained was purified by silica gel column chromatography (silica gel 60-200 mesh, commercially available from Merck KGaA, solvent: chloroform / methanol = 5: 1) to give 0.52 parts of the salt of formula (I3). This is called salt I3.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 369.1MS (ESI (-) Spectrum): M - 369.1

실시예 4Example 4

Figure 112012016756079-pat00070
Figure 112012016756079-pat00070

화학식 I1-c의 염 5.00부, N,N-디메틸포름아미드 30.00부 및 화학식 I83-d의 화합물 0.87부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 탄산칼륨 0.10부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 2시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에, 클로로포름 60부 및 이온-교환수 20부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 6회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 0.80부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 20부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켜 화학식 I83의 염 3.48부를 수득하였다. 이것을 염 I83이라 부른다.A mixture containing 5.00 parts of salt of formula (I1-c), 30.00 parts of N, N-dimethylformamide and 0.87 parts of compound of formula (I83-d) was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 0.10 part of potassium carbonate was added, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction mixture, 60 parts of chloroform and 20 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed six times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 0.80 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 20 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated to give 3.48 parts of the salt of formula I83. This is called salt I83.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 481.1MS (ESI (-) Spectrum): M - 481.1

실시예 5Example 5

Figure 112012016756079-pat00071
Figure 112012016756079-pat00071

화학식 I1-c의 염 5.00부, N,N-디메틸포름아미드 30.00부 및 화학식 I84-d의 화합물 0.55부를 함유하는 혼합물을 23℃에서 30분간 교반하였다. 이 혼합물에, 탄산칼륨 0.10부를 첨가하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 2시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물에, 클로로포름 60부 및 이온-교환수 20부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 6회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 0.80부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 아세토니트릴 20부와 혼합하고, 수득된 용액을 농축시켰다. 잔류물을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 교반한 후, 상등액을 제거하였다. 수득된 잔류물을 클로로포름에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켜 화학식 I84의 염 2.24부를 수득하였다. 이것을 염 I84라 부른다.A mixture containing 5.00 parts of salt of formula (I1-c), 30.00 parts of N, N-dimethylformamide and 0.55 part of compound of formula (I84-d) was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To this mixture, 0.10 part of potassium carbonate was added, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction mixture, 60 parts of chloroform and 20 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed six times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 0.80 parts of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 20 parts of acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The residue was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether and the resulting mixture was stirred and then the supernatant was removed. The residue obtained was dissolved in chloroform and the solution obtained was concentrated to give 2.24 parts of salt of formula (I84). This is called salt I84.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 439.1MS (ESI (-) Spectrum): M - 439.1

실시예 6Example 6

Figure 112012016756079-pat00072
Figure 112012016756079-pat00072

화학식 I1-c의 염 3.00부, 아세톤 25.00부, 화학식 I85-d의 화합물 0.98부 및 탄산칼륨 0.10부를 함유하는 혼합물을 50℃에서 20시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 농축시켰다. 수득된 농축액에 클로로포름 36부 및 이온-교환수 12부를 첨가하고, 교반 및 분리를 수행하여 유기 층을 수득하였다. 수득된 유기 층을 이온-교환수로 6회 세척하였다. 수득된 유기 층을 활성 탄소 0.50부와 혼합하고, 수득된 혼합물을 23℃에서 30분간 교반한 후 여과하였다. 수득된 여액을 농축시켰다. 수득된 농축액을 3급-부틸 메틸 에테르 50부와 혼합하였다. 수득된 혼합물을 교반한 후 여과하였다. 수득된 잔류물을 아세토니트릴에 용해시키고, 수득된 용액을 농축시켰다. 수득된 잔류물을 에틸 아세테이트 15부와 혼합한 후 여과하여 화학식 I85의 염 1.58부를 수득하였다. 이것을 염 I85라 부른다.A mixture containing 3.00 parts of salt of formula (I1-c), 25.00 parts of acetone, 0.98 parts of compound of formula (I85-d) and 0.10 part of potassium carbonate was stirred at 50 ° C. for 20 hours. The reaction mixture obtained was concentrated. 36 parts of chloroform and 12 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring and separation to obtain an organic layer. The organic layer obtained was washed six times with ion-exchanged water. The obtained organic layer was mixed with 0.50 part of activated carbon, and the obtained mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and then filtered. The filtrate obtained was concentrated. The resulting concentrate was mixed with 50 parts of tert-butyl methyl ether. The resulting mixture was stirred and filtered. The residue obtained was dissolved in acetonitrile and the solution obtained was concentrated. The obtained residue was mixed with 15 parts of ethyl acetate and then filtered to obtain 1.58 parts of a salt of formula (I85). This is called salt I85.

MS (ESI(+) 스펙트럼): M+ 263.1MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1

MS (ESI(-) 스펙트럼): M- 555.1MS (ESI (-) Spectrum): M - 555.1

하기 수지 합성예 1 내지 2에서 사용되는 단량체들은 하기 단량체 A, B, C, D, E, F 및 G이다.The monomers used in Resin Synthesis Examples 1 to 2 are the following monomers A, B, C, D, E, F and G.

Figure 112012016756079-pat00073
Figure 112012016756079-pat00073

수지 합성예 1Resin Synthesis Example 1

단량체 D, E, B, C 및 F를 30/14/6/20/30(단량체 D/단량체 E/단량체 B/단량체 C/단량체 F)의 몰 비로 혼합하고, 모든 단량체들의 총 부를 기준으로 1.5배의 부로 1,4-디옥산을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 1몰% 비율의 아조비스이소부티로니트릴 및 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 3몰% 비율의 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 첨가하고, 수득된 혼합물을 약 5시간 동안 73℃로 가열하였다. 수득된 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합물(중량비=4/1) 다량에 부어서 침전을 일으켰다. 상기 침전물을 여과에 의해 수집한 후, 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으키고, 침전물을 여과하여 수집하였다. 정제를 위해 이 조작을 2회 반복하였다. 그 결과, 약 8.1×103의 중량 평균 분자량을 갖는 수지가 65%의 수율로 수득되었다. 이 수지를 수지 A1이라 부른다. 수지 A1은 하기 구조 단위들을 갖는다.The monomers D, E, B, C and F are mixed in a molar ratio of 30/14/6/20/30 (monomer D / monomer E / monomer B / monomer C / monomer F) and based on the total parts of all monomers is 1.5 1,4-dioxane was added in portions of the vessel to prepare a mixture. In the mixture, azobisisobutyronitrile in 1 mole% based on the molar amount of all monomers as initiator and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile in 3 mole% based on molar amount of all monomers as initiator. ) Was added and the resulting mixture was heated to 73 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of a mixture of methanol and water (weight ratio = 4/1) to cause precipitation. The precipitate was collected by filtration, then dissolved in 1,4-dioxane, and the resulting solution was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation, and the precipitate was collected by filtration. This operation was repeated twice for purification. As a result, a resin having a weight average molecular weight of about 8.1 × 10 3 was obtained in a yield of 65%. This resin is called Resin A1. Resin A1 has the following structural units.

Figure 112012016756079-pat00074
Figure 112012016756079-pat00074

수지 합성예 2Resin Synthesis Example 2

단량체 A, E, B, C 및 F를 30/14/6/20/30(단량체 A/단량체 E/단량체 B/단량체 C/단량체 F)의 몰 비로 혼합하고, 모든 단량체들의 총 부를 기준으로 1.5배의 부로 1,4-디옥산을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 1몰% 비율의 아조비스이소부티로니트릴 및 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 3몰% 비율의 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 첨가하고, 수득된 혼합물을 약 5시간 동안 73℃로 가열하였다. 수득된 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합물(중량비=4/1) 다량에 부어서 침전을 일으켰다. 상기 침전물을 여과에 의해 수집한 후, 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으키고, 침전물을 여과하여 수집하였다. 정제를 위해 이 조작을 3회 반복하였다. 그 결과, 약 7.8×103의 중량 평균 분자량을 갖는 수지가 68%의 수율로 수득되었다. 이 수지를 수지 A2라 부른다. 수지 A2는 하기 구조 단위들을 갖는다.Monomers A, E, B, C and F are mixed in a molar ratio of 30/14/6/20/30 (monomer A / monomer E / monomer B / monomer C / monomer F) and based on the total parts of all monomers is 1.5 1,4-dioxane was added in portions of the vessel to prepare a mixture. In the mixture, azobisisobutyronitrile in 1 mole% based on the molar amount of all monomers as initiator and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile in 3 mole% based on molar amount of all monomers as initiator. ) Was added and the resulting mixture was heated to 73 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of a mixture of methanol and water (weight ratio = 4/1) to cause precipitation. The precipitate was collected by filtration, then dissolved in 1,4-dioxane, and the resulting solution was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation, and the precipitate was collected by filtration. This operation was repeated three times for purification. As a result, a resin having a weight average molecular weight of about 7.8 × 10 3 was obtained in a yield of 68%. This resin is called Resin A2. Resin A2 has the following structural units.

Figure 112012016756079-pat00075
Figure 112012016756079-pat00075

수지 합성예 3Resin Synthesis Example 3

단량체 A, B 및 C를 50/25/25(단량체 A/단량체 B/단량체 C)의 몰 비로 혼합하고, 모든 단량체들의 총 부를 기준으로 1.5배의 부로 1,4-디옥산을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 1몰% 비율의 아조비스이소부티로니트릴 및 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 3몰% 비율의 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 첨가하고, 수득된 혼합물을 약 8시간 동안 80℃로 가열하였다. 수득된 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합물(중량비=4/1) 다량에 부어서 침전을 일으켰다. 상기 침전물을 여과에 의해 수집한 후, 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으키고, 침전물을 여과하여 수집하였다. 정제를 위해 이 조작을 3회 반복하였다. 그 결과, 약 9.2×103의 중량 평균 분자량을 갖는 수지가 60%의 수율로 수득되었다. 이 수지를 수지 A3이라 부른다. 수지 A3은 하기 구조 단위들을 갖는다.The mixtures were mixed by mixing monomers A, B and C in a molar ratio of 50/25/25 (monomer A / monomer B / monomer C) and adding 1,4-dioxane in 1.5-fold parts based on the total parts of all monomers. Prepared. In the mixture, azobisisobutyronitrile in 1 mole% based on the molar amount of all monomers as initiator and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile in 3 mole% based on molar amount of all monomers as initiator. ) Was added and the resulting mixture was heated to 80 ° C. for about 8 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of a mixture of methanol and water (weight ratio = 4/1) to cause precipitation. The precipitate was collected by filtration, then dissolved in 1,4-dioxane, and the resulting solution was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation, and the precipitate was collected by filtration. This operation was repeated three times for purification. As a result, a resin having a weight average molecular weight of about 9.2 × 10 3 was obtained in a yield of 60%. This resin is called Resin A3. Resin A3 has the following structural units.

Figure 112012016756079-pat00076
Figure 112012016756079-pat00076

수지 합성예 4Resin Synthesis Example 4

단량체 A, E, B, F 및 C를 30/14/6/20/30(단량체 A/단량체 E/단량체 B/단량체 F/단량체 C)의 몰 비로 혼합하고, 모든 단량체들의 총 부를 기준으로 1.5배의 부로 1,4-디옥산을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 1몰% 비율의 아조비스이소부티로니트릴 및 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 3몰% 비율의 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 첨가하고, 수득된 혼합물을 약 5시간 동안 75℃로 가열하였다. 수득된 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으켰다. 상기 침전물을 여과에 의해 수집한 후, 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으키고, 침전물을 여과하여 수집하였다. 정제를 위해 이 조작을 2회 반복하였다. 그 결과, 약 7.2×103의 중량 평균 분자량을 갖는 수지가 78%의 수율로 수득되었다. 이 수지를 수지 A4라 부른다. 수지 A4는 하기 구조 단위들을 갖는다.Monomers A, E, B, F and C are mixed in a molar ratio of 30/14/6/20/30 (monomer A / monomer E / monomer B / monomer F / monomer C) and based on the total parts of all monomers is 1.5 1,4-dioxane was added in portions of the vessel to prepare a mixture. In the mixture, azobisisobutyronitrile in 1 mole% based on the molar amount of all monomers as initiator and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile in 3 mole% based on molar amount of all monomers as initiator. ) Was added and the resulting mixture was heated to 75 ° C. for about 5 hours. The reaction mixture obtained was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation. The precipitate was collected by filtration, then dissolved in 1,4-dioxane, and the resulting solution was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation, and the precipitate was collected by filtration. This operation was repeated twice for purification. As a result, a resin having a weight average molecular weight of about 7.2 × 10 3 was obtained in a yield of 78%. This resin is called Resin A4. Resin A4 has the following structural units.

Figure 112012016756079-pat00077
Figure 112012016756079-pat00077

수지 합성예 5Resin Synthesis Example 5

단량체 A, G, B, F 및 C를 30/14/6/20/30(단량체 A/단량체 G/단량체 B/단량체 F/단량체 C)의 몰 비로 혼합하고, 모든 단량체들의 총 부를 기준으로 1.5배의 부로 1,4-디옥산을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 1몰% 비율의 아조비스이소부티로니트릴 및 개시제로서 모든 단량체들의 몰량을 기준으로 3몰% 비율의 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 첨가하고, 수득된 혼합물을 약 5시간 동안 75℃로 가열하였다. 수득된 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으켰다. 상기 침전물을 여과에 의해 수집한 후, 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 메탄올과 물의 혼합물 다량에 부어서 침전을 일으키고, 침전물을 여과하여 수집하였다. 정제를 위해 이 조작을 2회 반복하였다. 그 결과, 약 7.2×103의 중량 평균 분자량을 갖는 수지가 78%의 수율로 수득되었다. 이 수지를 수지 A5라 부른다. 수지 A5는 하기 구조 단위들을 갖는다.Monomers A, G, B, F and C are mixed in a molar ratio of 30/14/6/20/30 (monomer A / monomer G / monomer B / monomer F / monomer C) and based on the total parts of all monomers is 1.5 1,4-dioxane was added in portions of the vessel to prepare a mixture. In the mixture, azobisisobutyronitrile in 1 mole% based on the molar amount of all monomers as initiator and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile in 3 mole% based on molar amount of all monomers as initiator. ) Was added and the resulting mixture was heated to 75 ° C. for about 5 hours. The reaction mixture obtained was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation. The precipitate was collected by filtration, then dissolved in 1,4-dioxane, and the resulting solution was poured into a large amount of a mixture of methanol and water to cause precipitation, and the precipitate was collected by filtration. This operation was repeated twice for purification. As a result, a resin having a weight average molecular weight of about 7.2 × 10 3 was obtained in a yield of 78%. This resin is called Resin A5. Resin A5 has the following structural units.

Figure 112012016756079-pat00078
Figure 112012016756079-pat00078

실시예 7 내지 18 및 비교 실시예 1Examples 7-18 and Comparative Example 1

<수지><Resin>

수지 A1, A2, A3, A4, A5Resin A1, A2, A3, A4, A5

<산 발생제><Acid generator>

I1: 염 I1I1: salt I1

I2: 염 I2I2: salt I2

I3: 염 I3I3: salt I3

I83: 염 I83I83: salt I83

I84: 염 I84I84: salt I84

I85: 염 I85I85: salt I85

B1:B1:

Figure 112012016756079-pat00079
Figure 112012016756079-pat00079

이는 JP 제2010-152341 A호에 기술된 방법에 따라 제조되었다.It was prepared according to the method described in JP 2010-152341 A.

B2:B2:

Figure 112012016756079-pat00080
Figure 112012016756079-pat00080

이는 JP 제2007-161707 A호에 기술된 방법에 따라 제조되었다.It was prepared according to the method described in JP 2007-161707 A.

<켄처><Kenture>

C1: 2,6-디이소프로필아닐린C1: 2,6-diisopropylaniline

<용매><Solvent>

E1: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 265부E1: propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts

프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 20부    20 parts propylene glycol monomethyl ether

2-헵타논 20부    2-heptanone 20parts

γ-부티로락톤 3.5부    γ-butyrolactone 3.5 parts

하기 성분들을 혼합하고 용해시킨 후, 0.2㎛의 기공 직경을 갖는 불소 수지 필터를 통해 여과시켜서 포토레지스트 조성물을 제조하였다.The following components were mixed and dissolved, and then filtered through a fluorine resin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a photoresist composition.

수지 (종류 및 양이 표 6에 기재되어 있다)Resin (Type and Amount are Listed in Table 6)

산 발생제 (종류 및 양이 표 6에 기재되어 있다)Acid Generators (Types and Amounts are Listed in Table 6)

켄처 (종류 및 양이 표 6에 기재되어 있다)Quenchers (types and amounts are listed in Table 6)

용매 E1Solvent E1

Figure 112012016756079-pat00081
Figure 112012016756079-pat00081

실리콘 웨이퍼(12인치)들을 반사 방지성 유기 피복 조성물인 "ARC-29"(제조원: Nissan Chemical Industries, Ltd.)로 각각 피복한 후, 205℃에서 60초 동안 베이킹하여 78㎚ 두께의 반사 방지성 유기 피복물을 형성하였다. 상기와 같이 제조된 각각의 포토레지스트 조성물을 건조 후의 최종 필름 두께가 85㎚가 되도록 상기 반사 방지성 피복물 위에 스핀 코팅하였다. 이렇게 각각의 포토레지스트 조성물로 피복된 실리콘 웨이퍼들을 다이렉트 핫플레이트(direct hotplate) 위에서 표 6의 "PB" 칸에 기재된 온도로 60초 동안 각각 프리베이킹하였다. 이렇게 형성된 각각의 레지스트 필름을 갖는 웨이퍼를 침지 노광용 ArF 엑시머 스텝퍼("XT-1900Gi", 제조원: ASML, NA=1.35, 3/4 환상(annular), X-Y 편향)를 사용하여, 노광량을 단계적으로 변화시키면서 라인 앤드 스페이스 패턴 노광으로 처리하였다. 침지 매질로는 초순수를 사용하였다.The silicon wafers (12 inches) were each coated with an antireflective organic coating composition "ARC-29" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., and then baked at 205 DEG C for 60 seconds to prevent 78 nm thick antireflection. An organic coating was formed. Each photoresist composition prepared as above was spin coated onto the antireflective coating such that the final film thickness after drying was 85 nm. The silicon wafers thus coated with each photoresist composition were each prebaked for 60 seconds on a direct hotplate at the temperature described in the "PB" column of Table 6. The wafer having each of the resist films thus formed was subjected to immersion exposure using an ArF excimer stepper ("XT-1900Gi" manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 annular, XY deflection) to change the exposure dose stepwise. It processed by line-and-space-pattern exposure. Ultrapure water was used as the immersion medium.

노광 후, 각각의 웨이퍼를 핫플레이트 위에서 표 6의 "PEB" 칸에 기재된 온도로 60초 동안 노광 후 베이킹 처리하고, 이어서 2.38중량% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액을 사용하여 60초 동안 패들(paddle) 현상시켜 포토레지스트 패턴을 수득하였다.After exposure, each wafer is post-exposure baked for 60 seconds on a hotplate at the temperatures listed in the "PEB" column of Table 6, followed by paddles for 60 seconds using an aqueous 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide solution. ) To obtain a photoresist pattern.

현상 후 반사 방지성 유기 피복 기판 위에 현상된 각각의 패턴을 주사 전자 현미경으로 관찰하였고, 그 결과를 표 7에 기재한다.Each pattern developed on the antireflective organic coated substrate after development was observed with a scanning electron microscope, and the results are shown in Table 7.

유효 감도(ES: effective sensitivity): 이것은 라인 앤드 스페이스 패턴 마스크를 통한 노광 및 현상 후, 50㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인 폭이 1:1이 될 때의 노광량으로서 표시하였다.Effective sensitivity (ES): This is expressed as the exposure amount when the line width of the 50 nm line and space pattern becomes 1: 1 after exposure and development through the line and space pattern mask.

라인 엣지 조도(LER: line edge roughness): 50㎚의 포토레지스트 패턴의 라인 폭이 1:1 라인 앤드 스페이스 패턴이 될 때의 노광량, 즉 유효 감도에서의 포토레지스트 패턴을 주사 전자 현미경으로 관찰하였다. 상기 포토레지스트 패턴의 우둘두둘한 벽 표면의 최고점 높이와 최저점 높이의 차이를 측정하였다. 상기 차이가 3.5㎚ 이하인 경우에는 LER이 매우 양호하고 이의 평가를 "◎◎"로 표시하고, 상기 차이가 3.5㎚ 초과 4.0㎚ 이하인 경우에는 LER이 양호하고 이의 평가를 "◎"로 표시하며, 상기 차이가 4.0㎚ 초과 4.5㎚ 이하인 경우에는 LER이 보통이고 이의 평가를 "○"로 표시하고, 상기 차이가 4.5㎚를 초과하는 경우에는 LER이 불량하고 이의 평가를 "×"로 표시한다. 추가로, 각각의 상기 차이를 또한 표 7의 "LER" 칸에서 괄호 안에 기재한다. 상기 차이가 작을 수록 상기 패턴이 우수하다.Line edge roughness (LER: line edge roughness): The exposure amount when the line width of the 50-resist pattern became a 1: 1 line-and-space pattern, that is, the photoresist pattern at the effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope. The difference between the height of the highest point and the lowest point of the wall surface of the photoresist pattern was measured. If the difference is 3.5 nm or less, the LER is very good and its evaluation is expressed as "◎◎". If the difference is more than 3.5 nm and 4.0 nm or less, the LER is good and its evaluation is expressed as "◎", If the difference is more than 4.0 nm and less than or equal to 4.5 nm, the LER is normal and its evaluation is represented by "○", and when the difference is more than 4.5 nm, the LER is poor and its evaluation is represented by "x". In addition, each of these differences is also listed in parentheses in the "LER" column of Table 7. The smaller the difference, the better the pattern.

Figure 112012016756079-pat00082
Figure 112012016756079-pat00082

본 발명의 염은 산 발생제에 적합하고, 본 발명의 염을 포함하는 포토레지스트 조성물은 양호한 라인 엣지 조도(LER)를 갖는 양호한 포토레지스트 패턴을 제공한다.Salts of the present invention are suitable for acid generators, and photoresist compositions comprising the salts of the present invention provide a good photoresist pattern with good line edge roughness (LER).

Claims (13)

화학식 I로 표시되는 염:
화학식 I
Figure 112019004124533-pat00083

상기 화학식 I에서,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,
L1은 *-CO-O-L1b1-**, *-CO-O-L1b3-CO-O-L1b2-**, *-CO-O-L1b5-O-L1b4-** 또는 *-L1b7-O-L1b6-**이고, 여기서 L1b1은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b2는 C1-C12 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b3은 C1-C12 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b2와 L1b3의 총 탄소수는 1 내지 13이고, L1b4는 C1-C13 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b5는 C1-C13 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b4와 L1b5의 총 탄소수는 1 내지 14이고, L1b6은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, L1b7은 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이지만, 단, L1b6과 L1b7의 총 탄소수는 1 내지 16이고, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타내고,
L2는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,
Y는 하나 이상의 치환체를 가질 수 있는 C3-C18 지환족 탄화수소 그룹이고, 상기 지환족 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -CO- 또는 -SO2-에 의해 대체될 수 있고,
Z+는 유기 카운터 이온(counter ion)이다.
Salt represented by formula (I):
Formula I
Figure 112019004124533-pat00083

In Formula I,
Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group,
L 1 is * -CO-OL 1b1 -**, * -CO-OL 1b3 -CO-OL 1b2 -**, * -CO-OL 1b5 -OL 1b4 -** or * -L 1b7 -OL 1b6- * * Wherein L 1b1 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group, L 1b2 is a C1-C12 divalent saturated hydrocarbon group, and L 1b3 is a C1-C12 divalent saturated hydrocarbon group, provided that L 1b2 and L 1b3 Has 1 to 13 carbon atoms, L 1b4 is a C1-C13 divalent saturated hydrocarbon group, L 1b5 is a C1-C13 divalent saturated hydrocarbon group, provided that L 1b4 and L 1b5 are 1 to 14 , L 1b6 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group, L 1b7 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group, provided that L 1b6 and L 1b7 have 1 to 16 carbon atoms, and * is -C (Q 1 Indicates a bonding position for) (Q 2 )-, ** indicates a bonding position for -O-CO-OL 2 -Y,
L 2 is a single bond or a C1-C6 alkanediyl group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,
Y is a C3-C18 cycloaliphatic hydrocarbon group which may have one or more substituents, and one or more -CH 2 -in the cycloaliphatic hydrocarbon group can be replaced by -O-, -CO- or -SO 2- ,
Z + is an organic counter ion.
화학식 I로 표시되는 염:
화학식 I
Figure 112019062463791-pat00086

상기 화학식 I에서,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,
L1은 C1-C17 2가 포화 탄화수소 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,
L2는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일 그룹이고, 여기서, 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-에 의해 대체될 수 있고,
Y는 하기 화학식 중 어느 하나이고:
Figure 112019062463791-pat00089
,
Figure 112019062463791-pat00090
는 L2에 대한 결합 위치를 나타내고,
Z+는 유기 카운터 이온(counter ion)이다.
Salt represented by formula (I):
Formula I
Figure 112019062463791-pat00086

In Formula I,
Q 1 and Q 2 are each independently a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group,
L 1 is a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,
L 2 is a single bond or a C1-C6 alkanediyl group, wherein one or more -CH 2 -can be replaced by -O- or -CO-,
Y is any one of the formulas:
Figure 112019062463791-pat00089
,
Figure 112019062463791-pat00090
Represents the bonding position with respect to L 2 ,
Z + is an organic counter ion.
제1항에 있어서, L1이 *-CO-O-L1b1-**인, 염.The salt of claim 1, wherein L 1 is * -CO-OL 1b1 -**. 제1항에 있어서, L1이 *-CO-O-CH2-CH2-** 또는 하기 화학식으로 표시되는 그룹인, 염:
Figure 112019004124533-pat00084
.
The salt according to claim 1, wherein L 1 is * -CO-O-CH 2 -CH 2 -** or a group represented by the following formula:
Figure 112019004124533-pat00084
.
제2항에 있어서, L1이 C1-C6 알칸디일 그룹 또는 *-CO-O-Lb2-**[여기서, Lb2는 C1-C15 2가 포화 탄화수소 그룹이고, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다]인, 염.3. The compound of claim 2, wherein L 1 is a C1-C6 alkanediyl group or * -CO-OL b2 -** [where L b2 is a C1-C15 divalent saturated hydrocarbon group and * is -C (Q 1 ) Indicates a binding position for (Q 2 ) —, ** indicates a binding position for —O—CO—OL 2 —Y]. 제2항에 있어서, L1이 메틸렌 그룹, *-CO-O-CH2-CH2-**[여기서, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다] 또는 하기 화학식으로 표시되는 그룹인, 염:
Figure 112019004124533-pat00088

상기 화학식에서, *는 -C(Q1)(Q2)-에 대한 결합 위치를 나타내고, **는 -O-CO-O-L2-Y에 대한 결합 위치를 나타낸다.
3. The compound of claim 2, wherein L 1 is a methylene group, * —CO—O—CH 2 —CH 2 — ** [where * represents a binding position to —C (Q 1 ) (Q 2 ) — and * Represents a bonding position to —O—CO—OL 2 —Y] or a group represented by the following formula:
Figure 112019004124533-pat00088

In the above formula, * indicates a binding position to —C (Q 1 ) (Q 2 ) —, and ** indicates a binding position to —O—CO—OL 2 —Y.
제1항 또는 제2항에 있어서, L2가 단일 결합 또는 메틸렌 그룹인, 염.The salt of claim 1, wherein L 2 is a single bond or a methylene group. 제1항 또는 제2항에 있어서, Z+가 아릴설포늄 양이온인, 염.The salt according to claim 1 or 2, wherein Z + is an arylsulfonium cation. 제1항 또는 제2항에 따른 염을 포함하는 산 발생제.An acid generator comprising the salt according to claim 1. 제9항에 따른 산 발생제, 및 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는, 산-불안정성 그룹을 갖는 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물.A photoresist composition comprising an acid generator according to claim 9 and a resin having an acid-labile group, which is insoluble or poorly soluble in aqueous alkali solution but soluble in aqueous alkali solution by the action of acid. 제10항에 있어서, 염기성 화합물을 추가로 포함하는, 포토레지스트 조성물.The photoresist composition of claim 10, further comprising a basic compound. (1) 제10항에 따른 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하는 단계,
(2) 건조를 수행하여 포토레지스트 필름을 형성하는 단계,
(3) 상기 포토레지스트 필름을 방사선에 노광시키는 단계,
(4) 상기 노광된 포토레지스트 필름을 베이킹하는 단계, 및
(5) 상기 베이킹된 포토레지스트 필름을 알칼리 현상액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는, 포토레지스트 패턴의 제조 방법.
(1) applying the photoresist composition according to claim 10 on a substrate,
(2) drying to form a photoresist film,
(3) exposing the photoresist film to radiation,
(4) baking the exposed photoresist film, and
(5) developing the baked photoresist film with an alkaline developer to form a photoresist pattern
Comprising a photoresist pattern.
(1) 제11항에 따른 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하는 단계,
(2) 건조를 수행하여 포토레지스트 필름을 형성하는 단계,
(3) 상기 포토레지스트 필름을 방사선에 노광시키는 단계,
(4) 상기 노광된 포토레지스트 필름을 베이킹하는 단계, 및
(5) 상기 베이킹된 포토레지스트 필름을 알칼리 현상액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는, 포토레지스트 패턴의 제조 방법.
(1) applying the photoresist composition according to claim 11 on a substrate,
(2) drying to form a photoresist film,
(3) exposing the photoresist film to radiation,
(4) baking the exposed photoresist film, and
(5) developing the baked photoresist film with an alkaline developer to form a photoresist pattern
Comprising a photoresist pattern.
KR1020120020913A 2011-03-02 2012-02-29 Salt and photoresist composition comprising the same KR102035987B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-044946 2011-03-02
JP2011044946 2011-03-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130117897A KR20130117897A (en) 2013-10-29
KR102035987B1 true KR102035987B1 (en) 2019-10-25

Family

ID=46753542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120020913A KR102035987B1 (en) 2011-03-02 2012-02-29 Salt and photoresist composition comprising the same

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8557500B2 (en)
JP (1) JP6039194B2 (en)
KR (1) KR102035987B1 (en)
TW (1) TWI510462B (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6022788B2 (en) * 2011-04-07 2016-11-09 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6637750B2 (en) * 2014-12-15 2020-01-29 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6944246B2 (en) * 2015-12-28 2021-10-06 住友化学株式会社 Method for producing salt, acid generator, resist composition and resist pattern
US9921475B1 (en) * 2016-08-31 2018-03-20 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating compound, polymer derived therefrom, photoresist composition including the photoacid-generating compound or polymer, and method of forming a photoresist relief image
JP7044562B2 (en) * 2017-01-19 2022-03-30 住友化学株式会社 Method for producing salt, acid generator, resist composition and resist pattern
CN108722493B (en) * 2017-04-24 2020-11-10 中国石油化工股份有限公司 Catalyst for preparing diphenyl carbonate compound and application thereof
JP7135456B2 (en) * 2017-06-27 2022-09-13 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP7087730B2 (en) 2017-07-07 2022-06-21 住友化学株式会社 Method for producing salt, acid generator, resist composition and resist pattern
JP7091874B2 (en) * 2017-07-20 2022-06-28 住友化学株式会社 Method for producing salt, acid generator, resist composition and resist pattern
JP7081413B2 (en) * 2017-10-05 2022-06-07 住友化学株式会社 Method for producing salt, acid generator, resist composition and resist pattern
JP7138065B2 (en) * 2018-03-12 2022-09-15 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP7269093B2 (en) 2018-05-29 2023-05-08 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP2020029451A (en) 2018-08-17 2020-02-27 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition and manufacturing method of resist pattern
JP7371574B2 (en) * 2020-06-04 2023-10-31 信越化学工業株式会社 Photoacid generator, chemically amplified negative resist composition, and resist pattern forming method
JP2022075556A (en) 2020-11-06 2022-05-18 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP2022077982A (en) 2020-11-12 2022-05-24 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749987B2 (en) * 2000-10-20 2004-06-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US7301047B2 (en) 2005-10-28 2007-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
TWI395062B (en) 2005-11-21 2013-05-01 Sumitomo Chemical Co Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
US7862980B2 (en) * 2006-08-02 2011-01-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same
JP5036695B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-26 住友化学株式会社 Resist processing method
JP4569786B2 (en) * 2008-05-01 2010-10-27 信越化学工業株式会社 Novel photoacid generator, resist material and pattern forming method using the same
JP5469845B2 (en) * 2008-06-20 2014-04-16 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5559501B2 (en) * 2008-09-30 2014-07-23 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
JP5573098B2 (en) * 2008-11-14 2014-08-20 住友化学株式会社 Chemically amplified photoresist composition
KR101219989B1 (en) * 2008-12-04 2013-01-08 금호석유화학 주식회사 Photoacid generator, copolymer, chemically amplified resist composition and method for forming pattern using chemically amplified resist composition
KR101827695B1 (en) * 2009-06-12 2018-03-22 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Salt and photoresist composition containing the same
JP5703701B2 (en) * 2009-11-18 2015-04-22 住友化学株式会社 Salt and resist composition for acid generator
KR101771395B1 (en) * 2009-11-18 2017-08-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Salt and photoresist composition containing the same
JP5703700B2 (en) * 2009-11-18 2015-04-22 住友化学株式会社 Salt and resist composition for acid generator
JP5598274B2 (en) * 2009-11-18 2014-10-01 住友化学株式会社 Salt and resist composition for acid generator
JP5598275B2 (en) * 2009-11-18 2014-10-01 住友化学株式会社 Salt and resist composition for acid generator
JP5523823B2 (en) * 2009-12-29 2014-06-18 住友化学株式会社 Resist composition and pattern forming method
JP5708170B2 (en) * 2010-04-28 2015-04-30 住友化学株式会社 Salt and resist composition
KR20110131904A (en) * 2010-06-01 2011-12-07 금호석유화학 주식회사 Photoacid generator, mathod for manufacturing the same and resist composition comprising the same
JP2011251961A (en) * 2010-06-01 2011-12-15 Korea Kumho Petrochemical Co Ltd Photoacid generator, method for producing the same, and resist composition containing the same
JP5763433B2 (en) * 2010-06-29 2015-08-12 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
TWI513678B (en) * 2010-06-29 2015-12-21 Sumitomo Chemical Co Salt, acid generator and resist composition
KR101811881B1 (en) * 2010-07-29 2017-12-22 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 Salt and photoresist composition
JP5953670B2 (en) * 2010-08-27 2016-07-20 住友化学株式会社 Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP5750346B2 (en) * 2010-10-06 2015-07-22 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5856414B2 (en) * 2010-10-06 2016-02-09 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5961363B2 (en) * 2010-11-15 2016-08-02 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Lactone photoacid generator, resin and photoresist containing the same
JP2013032337A (en) * 2011-06-27 2013-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition
JP2013032339A (en) * 2011-06-29 2013-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition

Also Published As

Publication number Publication date
TW201238943A (en) 2012-10-01
KR20130117897A (en) 2013-10-29
US20120225385A1 (en) 2012-09-06
JP2012193170A (en) 2012-10-11
US8557500B2 (en) 2013-10-15
TWI510462B (en) 2015-12-01
JP6039194B2 (en) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102035987B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR101733480B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR102537409B1 (en) Compound, resin and photoresist composition
TWI530491B (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR102376558B1 (en) Photoresist composition, compound and process of producing photoresist pattern
KR102326628B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
TWI530478B (en) Salt and photoresist composition containing the same
KR102377101B1 (en) Photoresist composition, compound and process of producing photoresist pattern
KR101871500B1 (en) Salt and photoresist composition
KR101809023B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR102326626B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR102042979B1 (en) Salt, photoresist composition and method for producing photoresist pattern
KR20110095153A (en) Salt and process for producing acid generator
KR102561744B1 (en) Salt, acid generator, photoresist composition, and method for producing photoresist pattern
KR20110055416A (en) Salt and photoresist composition containing the same
KR102035989B1 (en) Salt, photoresist composition and method for producing photoresist pattern
TWI530480B (en) Photoresist composition
KR101861990B1 (en) Resin and photoresist composition comprising the same
KR101927052B1 (en) Resin and photoresist composition comprising same
JP6497042B2 (en) Resin, resist composition and method for producing resist pattern
KR20110095175A (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR20120004330A (en) Compound, resin and photoresist composition
JP6497041B2 (en) Resin, resist composition and method for producing resist pattern
KR102240520B1 (en) Salt and photoresist composition comprising the same
KR20120110038A (en) Photoresist composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right