KR102030945B1 - Liquid treatment device and liquid treatment method - Google Patents

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고오스케 요시하라
가츠노리 이치노
도시노부 후루쇼
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유이치 데라시타
히로후미 다케구치
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐에 접속되는 액 처리 장치이며, 처리액 저류 용기와 당해 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급관로와, 공급관로에 설치된 필터 장치와, 필터 장치의 2차측의 펌프와, 펌프의 토출측과 필터 장치의 흡입측을 접속하는 순환관로와, 펌프의 2차측의 공급관로에 설치된 공급 제어 밸브와, 순환관로에 설치된 순환 제어 밸브와, 펌프, 공급 제어 밸브 및 순환 제어 밸브를 제어하는 제어 장치를 구비하고, 제어 장치에 의해, 공급 제어 밸브를 폐쇄함으로써 당해 처리액 공급 노즐로부터 피처리 기판으로의 처리액의 공급이 정지하고 있을 때에, 순환 제어 밸브를 개방하여, 펌프를 구동하고, 필터 장치를 갖는 공급관로와 순환관로 사이에서 처리액이 순환된다.A liquid processing apparatus connected to a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to a processing target substrate, the supply passage connecting a processing liquid storage container and the processing liquid supply nozzle, a filter device provided in the supply passage, and a filter device. A circulation conduit connecting the pump on the primary side, the discharge side of the pump and the suction side of the filter device, a supply control valve provided in the supply line on the secondary side of the pump, a circulation control valve provided in the circulation line, a pump, a supply control valve, and A control device for controlling the circulation control valve is provided, and when the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the processing target is stopped by closing the supply control valve, the circulation control valve is opened. Then, the pump is driven, and the treatment liquid is circulated between the supply line having the filter device and the circulation line.

Figure R1020187012327
Figure R1020187012327

Description

액 처리 장치 및 액 처리 방법 {LIQUID TREATMENT DEVICE AND LIQUID TREATMENT METHOD}LIQUID TREATMENT DEVICE AND LIQUID TREATMENT METHOD}

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 피처리 기판 표면에 처리액을 공급하여 처리하는 액 처리 장치 및 액 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD, for example.

본원은 2012년 2월 27일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2012-39538호 및 2012년 12월 28일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2012-288515호에 기초하는 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용하고 있다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-39538 for which it applied to Japan on February 27, 2012, and Japanese Patent Application No. 2012-288515 which was filed in Japan on December 28, 2012, and The content is used here.

일반적으로, 반도체 디바이스의 제조의 포토리소그래피 기술에 있어서는, 반도체 웨이퍼나 FPD 기판 등(이하, 웨이퍼 등이라고 함)에 포토레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴을 따라서 노광하고, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성되어 있다.In general, in photolithography technology for the manufacture of semiconductor devices, a photoresist is applied to a semiconductor wafer, an FPD substrate, or the like (hereinafter referred to as a wafer), and the resist film formed thereby is exposed along a predetermined circuit pattern. By developing the exposure pattern, a circuit pattern is formed in the resist film.

이와 같은 포토리소그래피 공정에 있어서, 웨이퍼 등에 공급되는 레지스트액이나 현상액 등의 처리액에는, 다양한 원인에 의해 질소 가스 등의 기포나 파티클(이물질)이 혼입될 우려가 있고, 기포나 파티클이 혼재한 처리액이 웨이퍼 등에 공급되면 도포 불균일이나 결함이 발생할 우려가 있다. 이로 인해, 처리액 중에 혼재하는 기포나 파티클을 제거하기 위한 장치가 처리액의 관로에 설치되어 있다.In such a photolithography step, a treatment such as a resist solution or a developer supplied to a wafer or the like may mix bubbles or particles (foreign matter) such as nitrogen gas for various reasons, and a mixture of bubbles and particles may be mixed. If the liquid is supplied to a wafer or the like, coating irregularities or defects may occur. For this reason, the apparatus for removing the bubble and particle mixed in a process liquid is provided in the process liquid pipeline.

종래, 이러한 종류의 장치로서, 공급 노즐과 처리액 저류 용기를 접속하는 공급관로에 일시 저류 용기와 필터와 펌프를 설치하여, 처리액 저류 용기와 일시 저류 용기 사이의 공급관로 및 필터에 접속하는 순환관로와, 순환관로에 설치된 가변 조리개를 갖는 처리액 공급 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 처리액 공급 장치는 포토리소그래피 공정에서 행해지는 처리의 효율, 다양화를 도모하기 위해, 복수의 공급 노즐을 구비하고 있고, 목적에 따라서 공급 노즐을 선택하여 사용하고 있다.Background Art [0002] Conventionally, as a device of this kind, a temporary storage container, a filter and a pump are provided in a supply line connecting a supply nozzle and a processing liquid storage container, and a circulation line is connected to a supply line and a filter between the processing liquid storage container and the temporary storage container. The processing liquid supply apparatus which has a piping and a variable diaphragm provided in the circulation pipe is known (for example, refer patent document 1). This processing liquid supply apparatus is provided with the some supply nozzle in order to plan the efficiency and the diversification of the process performed in a photolithography process, The supply nozzle is selected and used according to the objective.

이 처리액 공급 장치에 있어서는, 필터에 의해 기포가 빠진 처리액의 액압이 가변 조리개에 의해 저하됨으로써 처리액에 용존하는 기체가 기포화되어, 이 기포가 순환 경로로부터 공급관로를 통해 다시 필터를 통과함으로써 제거된다. 그로 인해, 처리액 중에 용존하는 기체를 효율적으로 제거할 수 있다.In this processing liquid supply device, the liquid pressure of the processing liquid from which bubbles are removed by the filter is lowered by the variable diaphragm so that gas dissolved in the processing liquid is bubbled, and this bubble passes through the filter from the circulation path through the supply pipe again. By removing it. Therefore, the gas dissolved in a process liquid can be removed efficiently.

일본 특허 출원 공개 2010-135535호 공보(특허 청구의 범위, 도 3, 도 4)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-135535 (claims, Figs. 3 and 4)

그런데, 복수개 공급 관로를 구비하는 처리액 공급 장치에서는, 사용하고 있지 않은 공급 노즐과 접속하는 공급관로에 설치된 필터에 있어서, 처리액의 체류가 발생한다. 여기서, 필터 등의 용량이 큰 장소에서 처리액을 장시간 체류시키면, 특히 필터에 체류되어 있는 기포나 겔이 필터와 처리액의 계면에서 파티클로서 성장, 증가하는 경향이 보인다. 그로 인해, 처리액 중에 혼재하는 파티클의 증가를 방지하는 방법으로서, 처리액의 토출을 웨이퍼 등 이외의 장소에 정기적으로 행함으로써, 필터 등의 용량이 큰 장소에서 처리액을 장시간 체류시키지 않도록 하는 방법이 생각된다(소위, 더미 토출). 그러나, 더미 토출에서는 토출한 처리액을 폐기하게 되므로, 처리액의 소비량이 증대된다는 문제가 있다.By the way, in the process liquid supply apparatus provided with the some supply line, the process liquid stays in the filter provided in the supply line connected with the supply nozzle which is not used. Here, when the treatment liquid is retained for a long time in a place where the capacity of the filter is large, bubbles or gel retained in the filter tend to grow and increase as particles at the interface between the filter and the treatment liquid. Therefore, as a method of preventing the increase of particles mixed in the processing liquid, the processing liquid is periodically discharged to a place other than a wafer to prevent the processing liquid from staying in a place having a large capacity such as a filter for a long time. This is considered (so-called dummy discharge). However, in the dummy discharge, the discharged processing liquid is discarded, so that the consumption amount of the processing liquid increases.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 처리액을 불필요하게 소비하지 않고 처리액 중의 파티클의 증가를 효율적으로 억제하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said situation, and an object of this invention is to restrain the increase of the particle in a process liquid efficiently, without unnecessary consumption of a process liquid.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 액 처리 장치는 피처리 기판에 처리액을 공급하는 복수의 처리액 공급 노즐 중 1개의 처리액 공급 노즐에 접속되는 액 처리 장치이며,In order to solve the said subject, the liquid processing apparatus of this invention is a liquid processing apparatus connected to one process liquid supply nozzle of the some process liquid supply nozzle which supplies a process liquid to a to-be-processed substrate,

상기 처리액을 저류하는 처리액 저류 용기와 상기 1개의 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급관로와,A supply pipe for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the processing liquid supply nozzle;

상기 공급관로에 설치되어, 상기 처리액을 여과함과 함께, 상기 처리액 중에 혼입되어 있는 이물질을 제거하는 필터 장치와,A filter device provided in the supply pipe and filtering the processing liquid and removing foreign matters mixed in the processing liquid;

상기 필터 장치의 2차측의 상기 공급관로에 설치된 펌프와,A pump provided in said supply line on the secondary side of said filter device,

상기 펌프의 토출측과 상기 필터 장치의 흡입측을 접속하는 순환관로와,A circulation pipe connecting the discharge side of the pump and the suction side of the filter device;

상기 펌프의 2차측의 상기 공급관로에 설치된 공급 제어 밸브와,A supply control valve installed in the supply line on the secondary side of the pump,

상기 순환관로에 설치된 순환 제어 밸브와,A circulation control valve installed in the circulation pipe;

상기 펌프, 공급 제어 밸브 및 순환 제어 밸브를 제어하는 제어 장치를 구비하고,A control device for controlling the pump, the supply control valve and the circulation control valve,

상기 제어 장치에 의해, 상기 공급 제어 밸브를 폐쇄함으로써 상기 1개의 처리액 공급 노즐로부터 상기 피처리 기판으로의 처리액의 공급이 정지하고 있을 때에, 상기 순환 제어 밸브를 개방하여, 상기 펌프를 구동하고, 상기 필터 장치를 갖는 상기 공급관로와 상기 순환관로 사이에서 상기 처리액이 순환되도록 구성되어 있다.When the supply of the processing liquid from the one processing liquid supply nozzle to the processing target substrate is stopped by the control device by closing the supply control valve, the circulation control valve is opened to drive the pump. And the processing liquid is circulated between the supply line having the filter device and the circulation line.

이와 같이 구성함으로써, 1개의 처리액 공급 노즐로부터 피처리 기판에 처리액의 공급이 정지되어 있는 상태(소위, 아이들 상태)에서, 필터 장치에 체류하는 처리액을, 공급관로와 순환관로를 통해 순환시킬 수 있다.With this configuration, the processing liquid staying in the filter device is circulated through the supply pipe and the circulation pipe in a state in which the supply of the processing liquid from the one processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped (so-called idle state). You can.

또한, 본 발명에 있어서, 아이들 상태라 함은, 1개의 처리액 공급 노즐로부터 피처리 기판에 처리액의 공급이 정지되어 있는 상태 외에, 처리액 저류 용기의 인스톨 직후부터 피처리 기판으로의 처리액의 공급 개시까지의 상태를 포함하는 것으로 한다.In addition, in the present invention, the idle state refers to the processing liquid from the processing liquid storage container immediately after installation of the processing liquid storage container, in addition to the state in which the supply of the processing liquid is stopped from one processing liquid supply nozzle. It is assumed that the state until the supply start of is included.

또한, 다른 관점에 따르면, 본 발명은 액 처리 장치를 사용한 액 처리 방법이며,Moreover, according to another viewpoint, this invention is the liquid processing method using the liquid processing apparatus,

상기 액 처리 장치는 처리액을 저류하는 처리액 저류 용기와 피처리 기판에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급관로와,The liquid processing apparatus includes a supply pipe connecting a processing liquid storage container for storing the processing liquid and a processing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to the substrate to be processed;

상기 공급관로에 설치되어, 상기 처리액을 여과함과 함께, 상기 처리액 중에 혼입되어 있는 이물질을 제거하는 필터 장치와,A filter device provided in the supply pipe and filtering the processing liquid and removing foreign matters mixed in the processing liquid;

상기 필터 장치의 2차측의 상기 공급관로에 설치된 펌프와,A pump provided in said supply line on the secondary side of said filter device,

상기 펌프의 토출측과 상기 필터 장치의 흡입측을 접속하는 순환관로와,A circulation pipe connecting the discharge side of the pump and the suction side of the filter device;

상기 펌프의 2차측의 상기 공급관로에 설치된 공급 제어 밸브와,A supply control valve installed in the supply line on the secondary side of the pump,

상기 순환관로에 설치된 순환 제어 밸브와,A circulation control valve installed in the circulation pipe;

상기 펌프, 공급 제어 밸브 및 순환 제어 밸브를 제어하는 제어 장치를 구비하고 있다.A control device for controlling the pump, the supply control valve and the circulation control valve is provided.

그리고, 상기 공급 제어 밸브를 개방함과 함께 상기 순환 제어 밸브를 폐쇄하여, 상기 펌프를 구동시킴으로써 상기 피처리 기판에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,And a processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate to be processed by opening the supply control valve and closing the circulation control valve to drive the pump.

상기 처리액 공급 공정을 행하지 않을 때에 상기 공급 제어 밸브를 폐쇄함과 함께 상기 순환 제어 밸브를 개방하여, 상기 펌프를 구동시킴으로써 상기 순환관로와 상기 공급관로 사이에서 상기 처리액을 순환시키는 순환 공정을 갖고 있다.When the processing liquid supply step is not performed, the supply control valve is closed, the circulation control valve is opened, and the pump is driven to circulate the processing liquid between the circulation pipe and the supply pipe. have.

이와 같은 방법을 사용함으로써, 피처리 기판으로의 처리액의 공급을 행하지 않을 때에 상기 순환관로와 상기 공급관로 사이에서 상기 처리액을 순환시키기 위해, 아이들 상태에서, 필터 장치에 체류하는 처리액을 공급관로와 순환관로를 통해 순환시킬 수 있다.By using such a method, in order to circulate the processing liquid between the circulation conduit and the supply conduit when the processing liquid is not supplied to the substrate to be processed, the processing liquid which remains in the filter device in the idle state is supplied to the supply pipe. It can be circulated through furnaces and circulation lines.

본 발명에 따르면, 불사용 상태에서, 필터 장치에 체류하는 처리액을 공급관로와 순환관로를 통해 순환시킬 수 있으므로, 사용 시에 더미 토출을 행하지 않고, 처리액 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 그로 인해, 처리액을 불필요하게 소비하지 않고 처리액 중의 파티클의 증가를 효율적으로 방지할 수 있다.According to the present invention, since the processing liquid staying in the filter device can be circulated through the supply line and the circulation line in the unused state, it is possible to suppress the increase of particles in the processing liquid without performing dummy discharge during use. . Therefore, an increase in particles in the processing liquid can be effectively prevented without consuming the processing liquid unnecessarily.

도 1은 본 발명에 관한 액 처리 장치를 적용한 도포ㆍ현상 처리 장치에 노광 처리 장치를 접속한 처리 시스템의 전체를 도시하는 개략 사시도이다.
도 2는 상기 처리 시스템의 개략 평면도이다.
도 3은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제1 실시 형태의 구성의 개략을 도시하고 있고, 도 3의 (a)는 개략 단면도이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 있어서의 A부 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제1 실시 형태 필터 장치 부근을 도시하는 확대 개략 단면도이다.
도 5는 상기 액 처리 장치에 있어서의 통상 처리 동작을 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 상기 액 처리 장치에 있어서의 순환 처리 동작을 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제3 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제4 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제5 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제5 실시 형태의 탈기 기구의 전체를 도시하고 있고, 도 11의 (a)는 단면도이고, 도 11의 (b)는 도 11의 (a)에 있어서의 B부 확대 단면도이다.
도 12는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제6 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 13은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제6 실시 형태의 필터 장치 부근을 도시하는 확대 개략 단면도이다.
도 14는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제7 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 15는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제7 실시 형태의 필터 장치 부근을 도시하는 확대 개략 단면도이다.
도 16은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제8 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 17은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제9 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 18은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제10 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 19는 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제10 실시 형태의 펌프 부근을 도시하는 확대 개략 단면도이다.
도 20은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제10 실시 형태의 개략도이고, 도 20의 (a)는 기포 현재화 공정을 도시하고, 도 20의 (b)는 탈기 공정을 도시하고 있다.
도 21은 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제10 실시 형태에 있어서 트랩 탱크에 처리액을 보충하는 동작을 도시하는 개략도이다.
도 22는 본 발명에 관한 액 처리 장치에 접속되는 액 처리 유닛을 도시하는 개략 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic perspective view which shows the whole of the processing system which connected the exposure processing apparatus to the coating and developing processing apparatus to which the liquid processing apparatus which concerns on this invention was applied.
2 is a schematic plan view of the processing system.
FIG. 3: shows the outline of the structure of 1st Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention, FIG.3 (a) is a schematic sectional drawing, FIG.3 (b) is in FIG.3 (a). Part A is a schematic cross-sectional view.
It is an enlarged schematic sectional drawing which shows the vicinity of the filter apparatus of 1st Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
5 is a schematic cross-sectional view showing the normal processing operation in the liquid processing apparatus.
6 is a schematic cross-sectional view showing the circulation processing operation in the liquid processing apparatus.
It is a schematic sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
8 is a schematic cross-sectional view showing the third embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 4th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 5th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
FIG. 11: shows the whole degassing mechanism of 5th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention, FIG. 11 (a) is sectional drawing, FIG. 11 (b) is in FIG. It is an enlarged sectional view of part B of the.
It is a schematic sectional drawing which shows 6th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is an enlarged schematic sectional drawing which shows the vicinity of the filter apparatus of 6th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 7th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is an expanded schematic sectional drawing which shows the vicinity of the filter apparatus of 7th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 8th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 9th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows 10th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is an enlarged schematic sectional drawing which shows the vicinity of the pump of 10th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
20 is a schematic view of a tenth embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention, FIG. 20A illustrates a bubble presenting step, and FIG. 20B illustrates a degassing step.
It is a schematic diagram which shows operation | movement which replenishes a process liquid to a trap tank in 10th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention.
It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing unit connected to the liquid processing apparatus which concerns on this invention.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 첨부 도면에 기초하여 설명한다. 여기서는, 본 발명에 관한 액 처리 장치로서의 레지스트액 처리 장치를, 도포ㆍ현상 처리 장치에 탑재한 경우에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described based on an accompanying drawing. Here, the case where the resist liquid processing apparatus as the liquid processing apparatus which concerns on this invention is mounted in the application | coating / development processing apparatus is demonstrated.

상기 도포ㆍ현상 처리 장치는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 복수매, 예를 들어 25매 밀폐 수납하는 캐리어(10)를 반출입하기 위한 캐리어 스테이션(1)과, 이 캐리어 스테이션(1)으로부터 취출된 웨이퍼(W)에 레지스트 도포, 현상 처리 등을 실시하는 처리부(2)와, 웨이퍼(W)의 표면에 광을 투과하는 액층을 형성한 상태에서 웨이퍼(W)의 표면을 액침 노광하는 노광부(4)와, 처리부(2)와 노광부(4) 사이에 접속되어, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스부(3)를 구비하고 있다.As shown in Figs. 1 and 2, the coating and developing processing apparatus includes a carrier station for carrying in and out of a carrier 10 for hermetically storing a plurality of, for example, 25 sheets of a wafer W as a substrate to be processed ( 1), the processing part 2 which performs resist application | coating, the developing process, etc. to the wafer W taken out from this carrier station 1, and the liquid layer which permeate | transmits the light on the surface of the wafer W is formed. The exposure part 4 which immerses and exposes the surface of the wafer W, and the interface part 3 which is connected between the process part 2 and the exposure part 4, and delivers the wafer W is provided.

캐리어 스테이션(1)에는 캐리어(10)를 복수개 나란히 적재 가능한 적재부(11)와, 이 적재부(11)로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(10)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단 A1이 설치되어 있다.The carrier station 1 has a loading section 11 capable of stacking a plurality of carriers 10 side by side, an opening / closing section 12 provided on a wall surface in front of the loading section 11 and a carrier section through the opening / closing section 12. Delivery means A1 for taking out the wafer W from 10 is provided.

인터페이스부(3)는 처리부(2)와 노광부(4) 사이에 전후로 설치되는 제1 반송실(3A) 및 제2 반송실(3B)로 구성되어 있고, 각각에 제1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제2 웨이퍼 반송부(30B)가 설치되어 있다.The interface part 3 is comprised from the 1st conveyance chamber 3A and the 2nd conveyance chamber 3B which are provided back and forth between the process part 2 and the exposure part 4, and each of the 1st wafer conveyance parts 30A is carried out. ) And a second wafer transfer section 30B are provided.

또한, 캐리어 스테이션(1)의 안측에는 하우징(20)에 의해 주위를 둘러싸이는 처리부(2)가 접속되어 있고, 이 처리부(2)에는 전방측으로부터 순서대로 가열ㆍ냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛 U1, U2, U3, 액 처리 유닛 U4, U5 및 각 유닛 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주반송 수단 A2, A3이 교대로 배열되어 설치되어 있다.In addition, a processing unit 2 enclosed by a housing 20 is connected to the inner side of the carrier station 1, and the processing unit 2 has a multistage unit of a heating and cooling system sequentially from the front side. Lathe units U1, U2, U3, liquid processing units U4, U5, and main transport means A2, A3 for transferring the wafers W between the units are alternately arranged.

또한, 주반송 수단 A2, A3은 캐리어 스테이션(1)으로부터 볼 때 전후 방향으로 배치되는 선반 유닛 U1, U2, U3측의 일면부와, 후술하는, 예를 들어 우측의 액 처리 유닛 U4, U5측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(21)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 배치되어 있다. 또한, 캐리어 스테이션(1)과 처리부(2) 사이, 처리부(2)와 인터페이스부(3) 사이에는 각 유닛에서 사용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도 조절용 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유닛(22)이 배치되어 있다.In addition, the main transport means A2, A3 are the one surface part of the shelf unit U1, U2, U3 side arrange | positioned in the front-back direction seen from the carrier station 1, and the liquid processing unit U4, U5 side mentioned later, for example It is arrange | positioned in the space enclosed by the partition wall 21 comprised by the one surface part of and the back surface part which comprises one surface of the left side. In addition, between the carrier station 1 and the processing unit 2, and between the processing unit 2 and the interface unit 3, a temperature and humidity control unit 22 including a temperature control device for a processing liquid used in each unit, a duct for controlling temperature and humidity, and the like. ) Is arranged.

선반 유닛 U1, U2, U3은 액 처리 유닛 U4, U5에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 그 조합에는 웨이퍼(W)를 가열(소위, 베이크 처리)하는 가열 유닛(도시하지 않음), 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛(도시하지 않음) 등이 포함된다. 또한, 웨이퍼(W)에 소정의 처리액을 공급하여 처리를 행하는 액 처리 유닛 U4, U5는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 레지스트나 현상액 등의 약액 수납부(14) 상에 반사 방지막을 도포하는 반사 방지막 도포 유닛(BCT)(23), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 도포 유닛(COT)(24), 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 유닛(DEV)(25) 등을 복수단, 예를 들어 5단으로 적층하여 구성되어 있다. 도포 유닛(COT)(24)은 본 발명에 관한 액 처리 장치(5) 및 액 처리 유닛(100)을 구비한다.The lathe units U1, U2 and U3 have a configuration in which various units for pre- and post-treatment of the processes performed in the liquid processing units U4 and U5 are stacked in multiple stages, for example, 10 stages, and the combination includes wafers. Heating units (not shown) for heating (so-called baking) W, cooling units (not shown) for cooling the wafers W, and the like. Further, the liquid processing units U4 and U5 for supplying a predetermined processing liquid to the wafer W and performing the processing are reflected on the chemical liquid storage unit 14 such as a resist or a developing solution, for example, as shown in FIG. 1. Anti-reflection film coating unit (BCT) 23 for applying the anti-coat film, coating unit (COT) 24 for applying the resist solution to the wafer W, and developing unit for developing and supplying the developer to the wafer W (DEV) 25) is laminated | stacked in multiple steps, for example, 5 steps. The coating unit (COT) 24 includes the liquid processing apparatus 5 and the liquid processing unit 100 according to the present invention.

상기와 같이 구성되는 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름의 일례에 대해, 도 1 및 도 2를 참조하면서 간단하게 설명한다. 우선, 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(10)가 적재부(11)에 적재되면, 개폐부(12)와 함께 캐리어(10)의 덮개가 제거되고 전달 수단 A1에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛 U1의 일단을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 통해 주반송 수단 A2로 전달되어, 도포 처리의 전처리로서, 예를 들어 반사 방지막 형성 처리, 냉각 처리가 행해진 후, 도포 유닛(COT)(24)에서 레지스트액이 도포된다. 계속해서, 주반송 수단 A2에 의해 웨이퍼(W)는 선반 유닛 U1, U2의 하나의 선반을 이루는 가열 유닛에서 가열(베이크 처리)되고, 또한 냉각된 후, 선반 유닛 U3의 전달 유닛을 경유하여 인터페이스부(3)로 반입된다. 이 인터페이스부(3)에 있어서, 제1 반송실(3A) 및 제2 반송실(3B)의 제1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제2 웨이퍼 반송부(30B)에 의해 노광부(4)로 반송되고, 웨이퍼(W)의 표면에 대향하도록 노광 수단(도시하지 않음)이 배치되어 노광이 행해진다. 노광 후, 웨이퍼(W)는 역의 경로로 주반송 수단 A3까지 반송되어, 현상 유닛(DEV)(25)에서 현상됨으로써 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 적재부(11) 상에 적재된 원래의 캐리어(10)로 복귀된다.An example of the flow of the wafer in the coating / developing apparatus configured as described above will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2. First, when the carrier 10 containing 25 wafers W, for example, is loaded in the loading portion 11, the cover of the carrier 10 is removed together with the opening and closing portion 12 and the wafer is transferred by the transfer means A1. (W) is taken out. Then, the wafer W is transferred to the main transport means A2 via a transfer unit (not shown) constituting one end of the shelf unit U1, and as a pretreatment of the coating treatment, for example, after the antireflection film formation treatment and the cooling treatment are performed. The resist liquid is applied by the coating unit (COT) 24. Subsequently, by the main transport means A2, the wafer W is heated (baked) in a heating unit constituting one shelf of the shelf units U1 and U2, and further cooled, and then interfaced via the transfer unit of the shelf unit U3. It is carried in to the part 3. In the interface unit 3, the exposure unit 4 is formed by the first wafer transfer unit 30A and the second wafer transfer unit 30B of the first transfer chamber 3A and the second transfer chamber 3B. It conveys and an exposure means (not shown) is arrange | positioned so that it may face the surface of the wafer W, and exposure is performed. After exposure, the wafer W is conveyed to the main transport means A3 in the reverse path, and developed in the developing unit (DEV) 25 to form a pattern. Thereafter, the wafer W is returned to the original carrier 10 loaded on the mounting portion 11.

다음에, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제1 실시 형태에 대해 설명한다.Next, a first embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention will be described.

<제1 실시 형태><First Embodiment>

본 발명에 관한 액 처리 장치(5)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 처리액인 레지스트액(L)을 저류하는 처리액 저류 용기(60)[이하, 레지스트 용기(60)라고 함]와, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출하여 공급하는, 후술하는 처리액 공급 노즐(7)의 1개의 처리액 공급 노즐(7a)을 접속하는 공급관로(51)와, 공급관로(51)에 설치되어, 레지스트액(L)을 여과하여 파티클을 제거함과 함께, 레지스트액(L) 중에 혼입되어 있는 이물질(기포)을 제거하는 필터 장치(52a)와, 필터 장치(52a)의 2차측의 공급관로(51)에 설치된 제1 트랩 탱크(53)와, 제1 트랩 탱크(53)의 2차측의 공급관로(51)에 설치된 펌프(P)와, 펌프(P)의 2차측의 공급관로(51)에 설치된 제2 트랩 탱크(54)와, 펌프(P)의 토출측과 필터 장치(52a)의 흡입측을 접속하는 순환관로(55)와, 순환관로(55)에 설치되는 순환 제어 밸브(56)와, 제2 트랩 탱크(54)의 2차측의 공급관로(51)에 설치된 공급 제어 밸브(57)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the liquid processing apparatus 5 according to the present invention includes a processing liquid storage container 60 (hereinafter referred to as a resist container 60) that stores a resist liquid L as a processing liquid. And a supply conduit 51 for connecting one processing liquid supply nozzle 7a of the processing liquid supply nozzle 7 described later, which ejects and supplies the resist liquid L to the wafer W, and the supply conduit 51 Filter device 52a which is installed in the filter, removes particles by filtering the resist liquid L, and removes foreign substances (bubbles) mixed in the resist liquid L, and the secondary side of the filter apparatus 52a. The first trap tank 53 provided in the supply pipe 51 of the pump, the pump P provided in the supply pipe 51 on the secondary side of the first trap tank 53, and the supply pipe on the secondary side of the pump P. Circulation control provided in the circulation pipe 55 and the circulation pipe 55 which connect the 2nd trap tank 54 provided in the furnace 51, the discharge side of the pump P, and the suction side of the filter apparatus 52a. With valve 56, The second trap tank 54 is provided with a second supply control valve 57 provided in the supply pipe 51 of the side of the.

공급관로(51)는 레지스트 용기(60)와, 이 레지스트 용기(60)로부터 유도된 처리액을 일시 저류하는 처리액 일시 저류 용기로서의 버퍼 탱크(61)를 접속하는 제1 처리액 공급관로(51a)와, 버퍼 탱크(61)와 처리액 공급 노즐(7)을 접속하는 제2 처리액 공급관로(51b)로 구성된다. 따라서, 필터 장치(52a), 제1 트랩 탱크(53), 펌프(P), 제2 트랩 탱크(54), 공급 제어 밸브(57)는 제2 처리액 공급관로(51b)에 설치되어 있다.The supply line 51 is the first processing liquid supply line 51a for connecting the resist container 60 and the buffer tank 61 as a processing liquid temporary storage container for temporarily storing the processing liquid guided from the resist container 60. ) And a second processing liquid supply pipe 51b connecting the buffer tank 61 and the processing liquid supply nozzle 7 to each other. Therefore, the filter apparatus 52a, the 1st trap tank 53, the pump P, the 2nd trap tank 54, and the supply control valve 57 are provided in the 2nd process liquid supply line 51b.

순환관로(55)는 펌프(P)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)와 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)를 제2 트랩 탱크(54)를 통해 접속한다. 또한, 제2 트랩 탱크(54)는 공급관로(51)와 순환관로(55)를 접속하는 접속부에 설치되어 있다.The circulation pipe 55 connects the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the pump P and the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side of the filter device 52a to the second trap tank 54. Connect via Moreover, the 2nd trap tank 54 is provided in the connection part which connects the supply line 51 and the circulation line 55. As shown in FIG.

도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 펌프(P)에는 제2 처리액 공급관로(51b) 내의 처리액을 흡입, 토출하는 다이어프램 펌프가 사용된다. 펌프(P)는 가요성 부재인 다이어프램(71)에 의해 펌프 부분에 상당하는 펌프실(72)과, 구동 부분에 상당하는 작동실(73)로 구획되어 있다. 또한, 펌프(P)의 흡입구에는 제2 처리액 공급관로(51b)로부터 펌프(P)로의 레지스트액(L)의 유입을 가능하게 하는 전자기식 개폐 밸브(V31)가 설치되고, 토출구에는 전자기식 개폐 밸브(V32)가 설치되어 있다. 개폐 밸브(V31, V32)는 펌프실(72)과 연통하고 있다.As shown in FIG. 3B, a diaphragm pump for sucking and discharging the processing liquid in the second processing liquid supply pipe 51b is used for the pump P. As shown in FIG. The pump P is divided into a pump chamber 72 corresponding to the pump portion and an operating chamber 73 corresponding to the driving portion by the diaphragm 71 which is a flexible member. In addition, the inlet of the pump P is provided with an electromagnetic opening / closing valve V31 for enabling the inflow of the resist liquid L from the second processing liquid supply line 51b into the pump P, and the discharge port has an electromagnetic valve. An on-off valve V32 is provided. On-off valves V31 and V32 communicate with pump chamber 72.

작동실(73)에는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 작동실(73) 내의 기체의 감압 및 가압을 제어하는 전공 레귤레이터를 구비하는 구동 수단(74)이 접속되어 있다. 개폐 밸브(V31, V32)는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 제어되어 있다. 컨트롤러(200)는 후술하는 제어 장치로서의 중앙 연산 처리 장치(CPU)를 주체로 하여 구성되어 있다.The operating means 73 is connected to a driving means 74 having a major regulator for controlling the depressurization and pressurization of the gas in the operating chamber 73 based on the signal from the controller 200. The open / close valves V31 and V32 are controlled based on the signal from the controller 200. The controller 200 mainly comprises a central processing unit (CPU) as a control device described later.

또한, 공급 제어 밸브(57)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에는 노즐 유닛(70)에 설치된 처리액 공급 노즐(7)이 접속되어 있다. 공급 제어 밸브(57)로서는, 예를 들어 디스펜스 밸브를 구비한 유량 제어 밸브가 사용된다.In addition, the processing liquid supply nozzle 7 provided in the nozzle unit 70 is connected to the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the supply control valve 57. As the supply control valve 57, for example, a flow control valve having a dispense valve is used.

노즐 유닛(70)에는 복수개(도면에서는 4개의 경우를 도시함)의 처리액 공급 노즐(7a 내지 7d)이 설치되어 있고, 그 중 처리액 공급 노즐(7a)이 이 실시 형태의 액 처리 장치(5)와 접속된다. 또한, 다른 처리액 공급 노즐(7b 내지 7d)에는 상술한 레지스트 용기(60)나 필터 장치(52a)나 펌프(P)와 동일한 레지스트 용기, 필터 장치, 펌프가 접속되어 있다.The nozzle unit 70 is provided with a plurality of processing liquid supply nozzles 7a to 7d (shown as four cases in the drawing), among which the processing liquid supply nozzle 7a is the liquid processing apparatus of this embodiment ( 5) is connected. Moreover, the same resist container, filter apparatus, and pump as the above-mentioned resist container 60, the filter apparatus 52a, and the pump P are connected to the other process liquid supply nozzles 7b-7d.

레지스트 용기(60)의 상부에는 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스(N2)를 공급하는 질소 가스 공급원(62)과 접속하는 제1 기체 공급관로(8a)가 설치되어 있다. 또한, 이 제1 기체 공급관로(8a)에는 가변 조정 가능한 압력 조정 수단인 전공 레귤레이터 R이 설치되어 있다. 이 전공 레귤레이터 R은 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 의해 작동하는 조작부, 예를 들어 비례 솔레노이드와, 상기 비례 솔레노이드의 작동에 의해 개폐되는 밸브 기구를 구비하고 있고, 밸브 기구의 개폐에 의해 압력을 조정하도록 구성되어 있다.The upper portion of the resist container 60 has a gas supply pipe of claim 1 (8a) is provided for connecting with an inert gas, such as nitrogen gas (N 2) nitrogen gas source 62 for supplying a. The first gas supply line 8a is provided with an electric regulator R which is a variable pressure control means that can be adjusted. This electric regulator R is provided with the operation part which is operated by the control signal from the controller 200, for example, a proportional solenoid, and the valve mechanism which opens and closes by operation of the said proportional solenoid, It is configured to adjust.

상기 제1 기체 공급관로(8a)의 전공 레귤레이터 R과 레지스트 용기(60) 사이에는 전자기식 전환 밸브(V1)가 설치되어 있다. 또한, 제1 처리액 공급관로(51a)의 레지스트 용기(60)와 버퍼 탱크(61) 사이에는 전자기식 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다.An electromagnetic switching valve V1 is provided between the electric regulator R of the first gas supply line 8a and the resist container 60. In addition, an electromagnetic switching valve V2 is provided between the resist container 60 and the buffer tank 61 of the first processing liquid supply pipe 51a.

또한, 제1 기체 공급관로(8a)에는 일단부가 제1 기체 공급관로(8a)로부터 분기되고, 타단부가 버퍼 탱크(61)의 상부에 접속하는 제2 기체 공급관로(8b)가 접속되어 있다. 이 제2 기체 공급관로(8b)에는 버퍼 탱크(61) 내와 대기로 개방되는 대기부(63) 또는 질소 가스 공급원(62)으로 전환 가능하게 연통하는 전환 밸브(V3)가 설치되어 있다. 전환 밸브(V3)는 버퍼 탱크(61)측의 1개의 포트와, 질소 가스 공급원(62)측과, 대기부(63)측의 2개의 포트를 전환하는 3포트로 위치 전환 가능한 전자기 전환 밸브로 형성되어 있고, 이 전환 밸브(V3)의 전환 조작에 의해 버퍼 탱크(61) 내가 대기측 또는 질소 가스 공급원(62)측에 연통 가능하게 형성되어 있다.The first gas supply line 8a is connected with a second gas supply line 8b having one end branched from the first gas supply line 8a and the other end connected to the upper portion of the buffer tank 61. . The second gas supply line 8b is provided with a switching valve V3 that communicates switchably between the buffer tank 61 and the atmospheric portion 63 or the nitrogen gas supply source 62 which are open to the atmosphere. The switching valve V3 is an electromagnetic switching valve that can be switched between three ports for switching one port on the buffer tank 61 side, two ports on the nitrogen gas supply source 62 side, and the standby section 63 side. It is formed, and the inside of the buffer tank 61 is formed so that communication with the atmosphere side or the nitrogen gas supply source 62 side is possible by the switching operation of this switching valve V3.

한편, 필터 장치(52a)의 상부에는 필터 장치(52a) 내의 분위기를 배기하기 위한 드레인관(51c)이 설치되고, 드레인관(51c)에는 전자기식 개폐 밸브(V4a)가 설치되어 있다. 또한, 제1 트랩 탱크(53) 및 제2 트랩 탱크(54)의 상부에도, 제1 트랩 탱크(53), 제2 트랩 탱크(54) 내의 분위기를 배기하기 위한 드레인관(51d, 51h)이 설치되고, 드레인관(51d, 51h)에는 전자기식 개폐 밸브(V5a, V5b)가 설치되어 있다.On the other hand, the drain pipe 51c for exhausting the atmosphere in the filter device 52a is provided in the upper part of the filter device 52a, and the electromagnetic opening / closing valve V4a is provided in the drain pipe 51c. In addition, drain pipes 51d and 51h for exhausting the atmosphere in the first trap tank 53 and the second trap tank 54 are also disposed on the first trap tank 53 and the second trap tank 54. Electromagnetic open / close valves V5a and V5b are provided in the drain pipes 51d and 51h.

개폐 밸브(V4a, V5a, V5b), 순환 제어 밸브(56), 공급 제어 밸브(57)는 컨트롤러(200)와 전기적으로 접속되어 있고, 이 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 전환 동작이나 개폐 동작이 행해지도록 되어 있다. 또한, 버퍼 탱크(61)에는 버퍼 탱크(61) 내의 레지스트액(L)의 상한 액면과 하한 액면을 검지하는, 상한 액면 센서(61a) 및 하한 액면 센서(61b)가 설치되어 있다. 이들 상한 액면 센서(61a) 및 하한 액면 센서(61b)에 의해 검지된 신호가 컨트롤러(200)에 전달된다. 또한, 전공 레귤레이터 R, 전환 밸브(V1), 개폐 밸브(V2), 전환 밸브(V3)는 컨트롤러(200)에 전기적으로 접속되어 있고, 이 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 작동한다. 또한, 전공 레귤레이터 R, 상한 액면 센서(61a), 하한 액면 센서(61b), 전환 밸브(V1, V3), 개폐 밸브(V2, V4a 내지 V7), 개폐 밸브(V31 내지 V33), 순환 제어 밸브(56), 공급 제어 밸브(57)와 컨트롤러(200)의 접속은, 도 4 내지 도 17에 있어서 도시되어 있지 않다.The open / close valves V4a, V5a, V5b, the circulation control valve 56, and the supply control valve 57 are electrically connected to the controller 200, and are switched based on the control signal from the controller 200. And opening / closing operations are performed. Moreover, the upper limit liquid level sensor 61a and the lower limit liquid level sensor 61b which detect the upper limit liquid level and the lower limit liquid level of the resist liquid L in the buffer tank 61 are provided. The signal detected by these upper limit liquid level sensor 61a and the lower limit liquid level sensor 61b is transmitted to the controller 200. In addition, the electric regulator R, the switching valve V1, the switching valve V2, and the switching valve V3 are electrically connected to the controller 200, and operate | move based on the control signal from this controller 200. FIG. Further, the electric regulator R, the upper limit liquid level sensor 61a, the lower limit liquid level sensor 61b, the switching valves V1 and V3, the opening and closing valves V2 and V4a to V7, the opening and closing valves V31 to V33, the circulation control valve ( 56 and the connection of the supply control valve 57 and the controller 200 are not shown in FIGS. 4 to 17.

다음에, 도 4에 기초하여, 상기 액 처리 장치의 필터 장치(52a)의 구성에 대해 설명한다. 필터 장치(52a)는 원통 형상으로 형성된 필터(52f)와, 필터(52f)를 둘러싸도록 보유 지지하는 보유 지지부(52i)와, 외벽부(52o)로 주로 구성되어 있다. 또한, 필터(52f)의 내주측에는 순환하는 레지스트액(L)이 가득 차는 공간부(52s)가 형성되어 있다. 필터 장치(52a)의 외벽부(52o)와 보유 지지부(52i) 사이에는 레지스트액 통로(52p)가 설치되어 있다. 또한, 레지스트액 통로(52p)의 2차측은 필터(52f)를 통해 공간부(52s)와 연통하고 있다. 또한, 공간부(52s)의 1차측 및 2차측은 제2 처리액 공급관로(51b)와 연통하고, 레지스트액 통로(52p)의 2차측은 드레인관(51c)과 연통하고 있다.Next, the structure of the filter apparatus 52a of the said liquid processing apparatus is demonstrated based on FIG. The filter device 52a is mainly composed of a filter 52f formed in a cylindrical shape, a holding portion 52i held so as to surround the filter 52f, and an outer wall portion 52o. Further, on the inner circumferential side of the filter 52f, a space portion 52s is formed in which the circulating resist liquid L is filled. A resist liquid passage 52p is provided between the outer wall portion 52o of the filter device 52a and the holding portion 52i. In addition, the secondary side of the resist liquid passage 52p communicates with the space portion 52s through the filter 52f. In addition, the primary side and the secondary side of the space portion 52s communicate with the second processing liquid supply pipe 51b, and the secondary side of the resist liquid passage 52p communicates with the drain tube 51c.

다음에, 상기 액 처리 장치의 동작 형태에 대해, 도 3의 (a) 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 또한, 도 5, 도 6에 있어서는, 컨트롤러(200) 등의 제어계는 생략되어 있다.Next, an operation mode of the liquid processing apparatus will be described with reference to FIGS. 3A to 6. 5 and 6, control systems such as the controller 200 are omitted.

ㆍ 버퍼 탱크로의 레지스트액 공급ㆍ Resist liquid supply to buffer tank

우선, 레지스트 용기(60)를 세트(인스톨)한 후, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 제1 기체 공급관로(8a)에 설치된 전환 밸브(V1)와 제1 처리액 공급관로(51a)에 설치된 개폐 밸브(V2)가 개방되어, 질소 가스 공급원(62)으로부터 레지스트 용기(60) 내에 공급되는 질소 가스의 가압에 의해, 레지스트액(L)을 버퍼 탱크(61) 내에 공급한다. 이때, 전환 밸브(V3)는 대기부(63)측으로 전환되어 있고, 버퍼 탱크(61) 내는 대기에 연통되어 있다.First, after the resist container 60 is set (installed), the switching valve V1 provided in the first gas supply line 8a and the first processing liquid supply line (based on the control signal from the controller 200) The opening / closing valve V2 provided in 51a is opened, and the resist liquid L is supplied into the buffer tank 61 by pressurization of the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 62 into the resist container 60. At this time, the switching valve V3 is switched to the atmospheric portion 63 side, and the buffer tank 61 communicates with the atmosphere.

ㆍ 레지스트액의 질소 가스 가압-레지스트액 토출Nitrogen gas pressurization-resist liquid discharge of resist liquid

도 5에 도시한 바와 같이, 버퍼 탱크(61) 내에 소정량의 레지스트액(L)이 보충되면, 상한 액면 센서(61a)로부터의 검지 신호를 받은 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 제어 신호에 기초하여, 전환 밸브(V1)와 개폐 밸브(V2)가 폐쇄됨과 함께, 전환 밸브(V3)가 질소 가스 공급원(62)측으로 전환된다. 이에 의해, 질소 가스 공급원(62)으로부터 질소 가스가 버퍼 탱크(61) 내에 공급되는 한편, 제2 처리액 공급관로(51b)의 공급 제어 밸브(57)가 개방되어, 펌프(P)가 구동함으로써, 레지스트액(L)이 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 토출(공급)되어 처리가 실시된다(처리액 공급 공정). 이때, 개폐 밸브(V4a, V5a, V5b)는 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 신호에 의해 개방되어 있고, 필터 장치(52a), 제1 트랩 탱크(53), 제2 트랩 탱크(54) 중에 용존하는 기포는 드레인관(51c, 51d, 51h)을 통해 외부로 배출된다.As shown in FIG. 5, when a predetermined amount of the resist liquid L is replenished in the buffer tank 61, based on a control signal from a controller (not shown) that receives a detection signal from the upper limit liquid level sensor 61a, The switching valve V1 and the closing valve V2 are closed, and the switching valve V3 is switched to the nitrogen gas supply source 62 side. Thereby, while nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 62 into the buffer tank 61, the supply control valve 57 of the 2nd process liquid supply line 51b is opened, and the pump P drives. The resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W, and processing is performed (processing liquid supplying process). At this time, the open / close valves V4a, V5a, and V5b are opened by signals from a controller (not shown), and bubbles are dissolved in the filter device 52a, the first trap tank 53, and the second trap tank 54. Is discharged to the outside through the drain pipes 51c, 51d, and 51h.

ㆍ 레지스트액의 순환Circulation of resist liquid

다음에, 공급관로(51)와 순환관로(55)를 통해 행해지는 레지스트액(L)의 순환에 대해 설명한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 처리액 공급 노즐(7d)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급할 때에는, 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 신호에 의해 공급 제어 밸브(57)가 폐쇄됨으로써, 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)로의 레지스트액(L)의 공급이 정지된다(아이들 상태). 이 아이들 상태에서, 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 신호에 의해 순환 제어 밸브(56)가 개방된다.Next, the circulation of the resist liquid L performed through the supply line 51 and the circulation line 55 will be described. As shown in FIG. 6, when the resist liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle 7d to the wafer W, the supply control valve 57 is closed by a signal from a controller (not shown), whereby the processing liquid supply nozzle Supply of the resist liquid L from 7a to the wafer W is stopped (idle state). In this idle state, the circulation control valve 56 is opened by a signal from a controller (not shown).

제2 처리액 공급관로(51b)에 설치된 공급 제어 밸브(57)가 폐쇄되고, 순환관로(55)에 설치된 순환 제어 밸브(56)가 개방된 상태에서 펌프 P를 구동시키면, 필터 장치(52a)에 체류되어 있는 레지스트액(L)이 제1 트랩 탱크(53), 제2 트랩 탱크(54)를 통해 순환관로(55)에 유입되고, 순환관로(55)에 유입된 레지스트액(L)은, 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 유입된다. 따라서, 처리액 공급 노즐(7d)로부터 웨이퍼(W)에 처리액을 공급할 때에, 공급 제어 밸브(57)를 폐쇄함과 함께 순환 제어 밸브(56)를 개방하여, 펌프 P를 구동함으로써, 제2 처리액 공급관로(51b)와 순환관로(55) 사이에서 레지스트액(L)이 순환된다(순환 공정). 그리고, 순환 공정이 완료된 후에 처리액 공급 공정이 행해진다.When the pump P is driven in a state where the supply control valve 57 provided in the second processing liquid supply pipe 51b is closed and the circulation control valve 56 provided in the circulation pipe 55 is opened, the filter device 52a The resist liquid L retained in the inlet flows into the circulation conduit 55 through the first trap tank 53 and the second trap tank 54, and the resist liquid L introduced into the circulation conduit 55 is And flows into the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side of the filter device 52a. Therefore, when supplying the processing liquid from the processing liquid supply nozzle 7d to the wafer W, the supply control valve 57 is closed, the circulation control valve 56 is opened, and the pump P is driven. The resist liquid L is circulated between the processing liquid supply line 51b and the circulation line 55 (circulation step). And a process liquid supply process is performed after a circulation process is completed.

이와 같이 구성함으로써, 처리액 공급 노즐(7d)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트가 공급되고, 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)로의 레지스트액(L)의 공급이 정지하고 있는 상태(아이들 상태)에서, 필터 장치(52a)에 체류하는 레지스트액(L)을 제2 처리액 공급관로(51b)와 순환관로(55)를 통해 순환시킬 수 있다. 따라서, 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)의 공급이 정지되어 있는 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 그로 인해, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다.With this configuration, a resist is supplied from the processing liquid supply nozzle 7d to the wafer W, and the supply of the resist liquid L from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W is stopped (children State), the resist liquid L remaining in the filter device 52a can be circulated through the second processing liquid supply pipe 51b and the circulation pipe 55. Therefore, even when the supply of the resist liquid L is stopped from the process liquid supply nozzle 7a to the wafer W, the particles in the resist liquid L are not discharged at the time of supply of the process liquid. The increase can be suppressed. Therefore, the increase of the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily.

또한, 레지스트 용기(60)를 인스톨한 후, 처리액 공급 공정을 개시할 때까지의 아이들 상태의 시간이 긴 경우에 있어서도, 처리액 공급 공정을 개시하기 전에 순환 공정을 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 처리액 공급 공정을 개시하기 전에 순환 공정을 행함으로써, 처리액 공급 공정을 개시하기 전의 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있으므로, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다.In addition, even after the installation of the resist container 60, when the idle state until the process liquid supply process is started is long, it is preferable to perform a circulation process before starting the process liquid supply process. Thus, by performing a circulation process before starting a process liquid supply process, since the increase of the particle in the resist liquid L before starting a process liquid supply process can be suppressed, it does not consume the resist liquid L unnecessarily. The increase of the particle | grains of the resist liquid L can be suppressed efficiently.

여기서, 제2 처리액 공급관로(51b)와 순환관로(55) 사이에서의 레지스트액(L)의 순환은 15분 정도의 간격으로 행하는 것이 바람직하다. 이 레지스트액(L)의 순환을 소정의 간격으로 행함으로써, 필터 장치(52a)로의 레지스트액(L)의 체류를 항상 억제할 수 있으므로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.Here, it is preferable to perform circulation of the resist liquid L between the 2nd process liquid supply line 51b and the circulation line 55 at intervals of about 15 minutes. By circulating the resist liquid L at predetermined intervals, the retention of the resist liquid L in the filter device 52a can always be suppressed, so that the idle state is terminated and the wafer is released from the processing liquid supply nozzle 7a. When discharging (supplying) the resist liquid L to (W), the resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating the resist liquid L by the liquid processing apparatus 5. . Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제2 실시 형태><2nd embodiment>

도 7에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제2 실시 형태를 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 7, the 2nd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 2nd Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제2 실시 형태의 순환관로(55)는 펌프(P)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)와 버퍼 탱크(61)가 제2 트랩 탱크(54)를 통해 접속되어 있다. 따라서, 공급 제어 밸브(57)와 전환 밸브(V1)를 폐쇄하고 순환 제어 밸브(56)를 개방한 상태에서 펌프 P를 구동시킴으로써, 펌프(P)에 흡입되어 있는 레지스트액(L)이 순환관로(55)를 통해 버퍼 탱크(61)에 저류된다. 또한, 순환관로(55)는 펌프의 토출구와 버퍼 탱크(61)를 접속하는 것이어도 된다.In the circulation conduit 55 of the second embodiment, the second processing liquid supply conduit 51b on the secondary side of the pump P and the buffer tank 61 are connected via the second trap tank 54. Therefore, by operating the pump P in a state in which the supply control valve 57 and the switching valve V1 are closed and the circulation control valve 56 is opened, the resist liquid L sucked into the pump P is connected to the circulation pipe. It is stored in the buffer tank 61 through 55. In addition, the circulation pipe 55 may connect the discharge port of the pump and the buffer tank 61.

이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge during the supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제3 실시 형태>Third Embodiment

도 8에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제3 실시 형태를 설명한다. 또한, 제3 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 8, 3rd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 3rd Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제3 실시 형태에서 사용되는 펌프(P)에는 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b) 내의 처리액을 흡입하기 위한 흡입구가 1개소, 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)와 순환관로(55) 내에 처리액을 토출하는 토출구가 2개소 형성되어 있다. 이 흡입구에는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 작동함으로써 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)로부터 펌프(P)로의 레지스트액(L)의 유입을 가능하게 하는 전자기식 개폐 밸브(V33)[흡입측의 개폐 밸브(V33)]가 설치되어 있다. 또한, 이 토출구에는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 작동함으로써 펌프(P)로부터 처리액 공급 노즐(7a)로의 레지스트액(L)의 토출을 가능하게 하는 전자기식 개폐 밸브(V34)[제1 개폐 밸브(V34)]와 펌프(P)의 순환관로(55)로의 레지스트액(L)의 공급과 펌프(P) 내의 기체의 배출을 선택적으로 가능하게 하는 전자기식 개폐 밸브(V35)[제2 개폐 밸브(V35)]가 설치되어 있다. 흡입측의 개폐 밸브(V33), 제1 개폐 밸브(V34), 제2 개폐 밸브(V35)는 펌프실(72)과 연통하고 있다.In the pump P used in the third embodiment, there is one suction port for suctioning the processing liquid in the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side and the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side. Two discharge ports for discharging the processing liquid are formed in the conduit 55. The inlet port is operated based on a signal from the controller 200, and the electromagnetic shut-off valve V33 enabling the inflow of the resist liquid L into the pump P from the second processing liquid supply line 51b on the primary side. ) (Suction valve V33 on the suction side) is provided. In addition, the discharge opening is provided with an electromagnetic opening / closing valve V34 that makes it possible to discharge the resist liquid L from the pump P to the processing liquid supply nozzle 7a by operating based on a signal from the controller 200. 1 open / close valve V34] and electromagnetic open / close valve V35 for selectively supplying the resist liquid L to the circulation line 55 of the pump P and discharging the gas in the pump P. 2 on-off valve (V35)] is provided. The opening / closing valve V33, the first opening / closing valve V34, and the second opening / closing valve V35 on the suction side communicate with the pump chamber 72.

작동실(73)에는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 작동실(73) 내의 기체의 감압 및 가압을 제어하는 전공 레귤레이터를 구비하는 구동 수단(74)이 접속되어 있다. 흡입측의 개폐 밸브(V33), 제1 개폐 밸브(V34), 제2 개폐 밸브(V35)는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 제어되어 있다.The operating means 73 is connected to a driving means 74 having a major regulator for controlling the depressurization and pressurization of the gas in the operating chamber 73 based on the signal from the controller 200. The opening / closing valve V33, the first opening / closing valve V34, and the second opening / closing valve V35 on the suction side are controlled based on the signal from the controller 200.

제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에는 순환관로(55)에 순환 제어 밸브(56)가 설치되어 있지만, 제3 실시 형태에서는 순환관로(55)에 순환 제어 밸브(56)는 설치되어 있지 않다. 또한, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 제2 트랩 탱크(54)가 펌프(P)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 설치되어 있지만, 제3 실시 형태에서는, 제2 트랩 탱크는 설치되어 있지 않다. 또한, 제3 실시 형태에서는, 순환관로(55)는 제2 개폐 밸브(V35)를 통해 연통하는 펌프(P)의 토출구와, 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)를 접속하고 있다.In the first and second embodiments, the circulation control valve 56 is provided in the circulation conduit 55, but in the third embodiment, the circulation control valve 56 is not provided in the circulation conduit 55. In addition, in 1st Embodiment and 2nd Embodiment, although the 2nd trap tank 54 is provided in the 2nd process liquid supply line 51b of the secondary side of the pump P, in 3rd Embodiment, The trap tank is not installed. In addition, in 3rd Embodiment, the circulation pipe 55 is the discharge port of the pump P which communicates through the 2nd opening / closing valve V35, and the 2nd process liquid supply pipe 51b of the primary side of the filter apparatus 52a. ) Is connected.

다음에, 제3 실시 형태에 있어서의 레지스트액(L)의 순환에 대해 설명한다. 아이들 상태에서는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 의해 제1 개폐 밸브(V34) 및 공급 제어 밸브(57)가 폐쇄되고, 흡입측의 개폐 밸브(V33) 및 제2 개폐 밸브(V35)가 개방되어 있다. 이 상태에서 펌프 P를 구동시키면, 필터 장치(52a)에 체류되어 있는 레지스트액(L)이 제1 트랩 탱크(53)를 통해 순환관로(55)에 유입되고, 순환관로(55)에 유입된 레지스트액(L)은 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 유입된다.Next, the circulation of the resist liquid L in the third embodiment will be described. In the idling state, the first open / close valve V34 and the supply control valve 57 are closed by the signal from the controller 200, and the open / close valve V33 and the second open / close valve V35 are opened. . When the pump P is driven in this state, the resist liquid L retained in the filter device 52a flows into the circulation conduit 55 through the first trap tank 53 and flows into the circulation conduit 55. The resist liquid L flows into the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side of the filter device 52a.

이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge during the supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제4 실시 형태><4th embodiment>

도 9에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제4 실시 형태를 설명한다. 또한, 제4 실시 형태에 있어서, 제3 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 9, 4th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 4th Embodiment, about the structure similar to 3rd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제4 실시 형태에 있어서의 순환관로(55)는 제1 트랩 탱크(53)와 펌프(P)를 접속하는 제1 순환관로(55a)와, 제1 트랩 탱크(53)와 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)를 접속하는 제2 순환관로(55b)로 이루어진다. 또한, 제2 순환관로(55b)에는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 기초하여 작동함으로써 펌프(P)로부터 필터 장치(52a)로의 유통을 가능하게 하는 순환 제어 밸브(56)가 설치되어 있다.The circulation line 55 in 4th Embodiment is the 1st circulation line 55a which connects the 1st trap tank 53 and the pump P, the 1st trap tank 53, and the filter apparatus 52a. It consists of the 2nd circulation pipe 55b which connects the 2nd process liquid supply pipe 51b of the primary side of the said to. In addition, the second circulation pipe 55b is provided with a circulation control valve 56 that operates on the basis of the signal from the controller 200 to enable distribution from the pump P to the filter device 52a.

다음에, 제4 실시 형태에 있어서의 레지스트액(L)의 순환에 대해 설명한다. 아이들 상태에서는 컨트롤러(200)로부터의 신호에 의해 제1 개폐 밸브(V34) 및 공급 제어 밸브(57)가 폐쇄되고, 흡입측의 개폐 밸브(V33) 및 제2 개폐 밸브(V35)가 개방되어 있다. 이 상태에서 펌프 P를 구동시키면, 필터 장치(52a)에 체류되어 있는 레지스트액(L)이 제1 트랩 탱크(53), 펌프(P)를 통해 제1 순환관로(55a)에 유입되고, 제1 순환관로(55a)에 유입된 레지스트액(L)은 제1 트랩 탱크(53), 제2 순환관로(55b)를 통해, 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 유입된다.Next, the circulation of the resist liquid L in the fourth embodiment will be described. In the idling state, the first open / close valve V34 and the supply control valve 57 are closed by the signal from the controller 200, and the open / close valve V33 and the second open / close valve V35 are opened. . When the pump P is driven in this state, the resist liquid L remaining in the filter device 52a flows into the first circulation pipe 55a through the first trap tank 53 and the pump P, The resist liquid L introduced into the first circulation conduit 55a passes through the first trap tank 53 and the second circulation conduit 55b to form the second processing liquid supply conduit 51b on the primary side of the filter device 52a. Flows into).

이와 같이 구성함으로써, 제3 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제3 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the third embodiment, even in the idle state, the increase in the particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge during the supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the third embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제5 실시 형태><Fifth Embodiment>

도 10, 도 11의 (a), 도 11의 (b)에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제5 실시 형태를 설명한다. 또한, 제5 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 10, FIG. 11 (a), FIG. 11 (b), 5th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 5th Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제5 실시 형태의 액 처리 장치(5)는 순환관로(55)와 제2 처리액 공급관로(51b)의 접속점의 2차측이고, 또한 필터 장치(52a)의 1차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 탈기 기구(80)가 설치되어 있다.The liquid processing apparatus 5 of 5th Embodiment is a secondary side of the connection point of the circulation line 55 and the 2nd processing liquid supply line 51b, and is the 2nd processing liquid supply line of the primary side of the filter apparatus 52a. The degassing mechanism 80 is provided in 51b.

탈기 기구(80)는, 도 11의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 용기(81) 및 반투과막 튜브(82)를 갖고 있고, 레지스트액(L) 중에 존재하는 기체를 제거하도록 구성되어 있다. 또한, 용기(81)는 제2 처리액 공급관로(51b)에 접속하는 유입용 포트(83) 및 유출용 포트(84)를 갖고 있다. 또한, 용기(81)는 레지스트액(L) 중에 존재하는 기체를 외부로 배출하기 위한 배출관(86)이 접속되는 배기용 포트(85)를 갖고 있다. 또한, 배출관(86)은 도시하지 않은 배기 펌프에 접속되어 있다.The degassing mechanism 80 has the container 81 and the semi-permeable membrane tube 82, as shown to FIG. 11 (a), (b), and removes the gas which exists in the resist liquid L. FIG. It is configured to. Moreover, the container 81 has the inflow port 83 and the outflow port 84 connected to the 2nd process liquid supply line 51b. The container 81 also has an exhaust port 85 to which a discharge pipe 86 for discharging gas present in the resist liquid L to the outside is connected. In addition, the discharge pipe 86 is connected to an exhaust pump not shown.

한편, 반투과막 튜브(82)는 용기(81) 내에 배치되고, 또한 양 포트(83, 84)에 접속되어 있다. 그리고, 전체가, 예를 들어 4불화에틸렌계 혹은 폴리올레핀계의 중공사막에 의해 형성되어 있다. 그로 인해, 펌프(P)의 구동 시에 반투과막 튜브(82) 내에 레지스트액(L)을 유입시키고, 용기(81) 내의 반투과막 튜브(82) 주변의 공기를 도시하지 않은 배기 펌프를 구동시켜 배기함으로써 반투과막 튜브(82) 주변의 공기가 감압되어, 레지스트액(L) 중의 기체를 현재화시킬 수 있다. 현재화된 기체는 상기 배기 펌프의 구동에 의해 배출관(86)을 통해 외부로 배출된다.On the other hand, the semi-permeable membrane tube 82 is arrange | positioned in the container 81, and is connected to both ports 83 and 84. And the whole is formed with the hollow fiber membrane of ethylene tetrafluoride type or polyolefin type, for example. Therefore, when the pump P is driven, the resist liquid L is introduced into the semi-permeable membrane tube 82, and the exhaust pump not shown in the air around the semi-permeable membrane tube 82 in the container 81 is removed. By driving and exhausting, the air around the semi-permeable membrane tube 82 is reduced in pressure, and the gas in the resist liquid L can be made present. The current gas is discharged to the outside through the discharge pipe 86 by the driving of the exhaust pump.

이와 같이 구성함으로써, 탈기 기구(80)에 의해 레지스트액(L) 중에 용존하는 기체를 외부로 배출할 수 있으므로, 공급관로(51) 또는 순환관로(55)에서 순환하는 레지스트액(L) 중의 기체를 탈기할 수 있다(탈기 공정). 그로 인해, 웨이퍼(W)에 공급되는 레지스트액(L)으로의 기체의 혼입을 억제할 수 있다.With this configuration, since the gas dissolved in the resist liquid L can be discharged to the outside by the degassing mechanism 80, the gas in the resist liquid L circulated in the supply line 51 or the circulation line 55. Can be degassed (degassing step). Therefore, mixing of gas into the resist liquid L supplied to the wafer W can be suppressed.

또한, 이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy ejection at the time of supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제6 실시 형태>Sixth Embodiment

도 12, 도 13에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제6 실시 형태를 설명한다. 또한, 제6 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 12, FIG. 13, 6th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 6th Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제6 실시 형태의 액 처리 장치(5)는 필터 장치(52a) 내의 처리액을 초음파 진동시키는 진동체(58)를 구비한다. 이 경우, 진동체(58)는, 도 13에 도시한 바와 같이, 예를 들어 필터 장치(52a)의 저면에 접착되는 진동판(58a)과, 진동판(58a)을 구동하여, 초음파 전원(58c)을 구비하는 초음파 발생기(58b)로 주로 구성되어 있다. 초음파 발생기(58b)는 컨트롤러(200)와 전기적으로 접속되어 있고, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 구동 제어가 행해지도록 되어 있다. 또한, 진동체(58)로서는, 예를 들어 초음파 진동자가 사용된다.The liquid processing apparatus 5 of 6th Embodiment is provided with the vibrating body 58 which ultrasonically vibrates the processing liquid in the filter apparatus 52a. In this case, as shown in FIG. 13, the vibrating body 58 drives the diaphragm 58a and the diaphragm 58a adhering to the bottom face of the filter apparatus 52a, for example, and the ultrasonic power supply 58c. It is mainly comprised by the ultrasonic generator 58b provided with the following. The ultrasonic generator 58b is electrically connected to the controller 200, and drive control is performed based on the control signal from the controller 200. As the vibrating body 58, for example, an ultrasonic vibrator is used.

필터 장치(52a)의 내측에는 이물질을 제거하기 위한 필터(52f)가 설치되어 있다. 이 필터(52f)에, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하는 진동판(58a)의 진동이 부여됨으로써, 필터(52f)에서의 레지스트액(L)의 체류를 방지할 수 있고, 필터(52f)에 체류하는 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 방지할 수 있다.The filter 52f for removing a foreign material is provided in the inside of the filter apparatus 52a. The vibration of the diaphragm 58a based on the control signal from the controller 200 is applied to this filter 52f, so that the retention of the resist liquid L in the filter 52f can be prevented and the filter 52f The increase in the particle of the resist liquid L which stays in) can be prevented efficiently.

또한, 이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge at the time of supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제7 실시 형태>Seventh Embodiment

도 14, 도 15에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제7 실시 형태를 설명한다. 또한, 제7 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 14, FIG. 15, 7th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 7th Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제7 실시 형태의 액 처리 장치(5)는 제1 실시 형태의 액 처리 장치 외에, 필터 장치(52a) 내의 레지스트액(L)의 온도를 검출하는 온도 센서(59a)와, 필터 장치(52a) 내의 레지스트액(L)의 온도를 제어하는 온도 제어 장치로서, 온도 조절기(59b)가 배치된다. 온도 센서(59a)는 필터 장치(52a)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 설치되어 있다. 또한, 온도 조절기(59b)는 필터 장치(52a)를 덮도록 설치되어 있다. 온도 센서(59a), 온도 조절기(59b), 온도 조절 전원(59c)은 컨트롤러(200)에 접속되어 있다. 온도 센서(59a)로서는, 예를 들어 서미스터가 사용된다. 또한, 온도 조절기(59b)로서는, 예를 들어 열전대가 사용된다.In addition to the liquid processing apparatus of the first embodiment, the liquid processing apparatus 5 of the seventh embodiment includes a temperature sensor 59a for detecting the temperature of the resist liquid L in the filter apparatus 52a, and the filter apparatus 52a. As a temperature control device which controls the temperature of the resist liquid L in the inside, a temperature controller 59b is disposed. The temperature sensor 59a is provided in the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the filter device 52a. Moreover, the thermostat 59b is provided so that the filter apparatus 52a may be covered. The temperature sensor 59a, the temperature controller 59b, and the temperature control power supply 59c are connected to the controller 200. As the temperature sensor 59a, a thermistor is used, for example. As the temperature controller 59b, for example, a thermocouple is used.

온도 조절기(59b)의 온도 제어로서는, 온도 센서(59a)에 의해 검출된 필터 장치(52a) 내의 레지스트액(L)의 온도가 소정의 온도, 예를 들어 22℃ 이하일 때에, 컨트롤러(200)로부터 온도 조절기(59b)로 제어 신호가 전달됨으로써, 필터 장치(52a) 내의 레지스트액(L)의 온도를 40℃로 상승시키는 제어를 행하고 있다.As temperature control of the thermostat 59b, when the temperature of the resist liquid L in the filter apparatus 52a detected by the temperature sensor 59a is predetermined temperature, for example, 22 degrees C or less, The control signal is transmitted to the temperature regulator 59b, and the control which raises the temperature of the resist liquid L in the filter apparatus 52a to 40 degreeC is performed.

이와 같이 구성함으로써, 필터 장치(52a)에 체류되어 있는 레지스트액(L)의 온도를 검출하여, 온도 조절기(59b) 및 컨트롤러(200)에 의해 레지스트액(L)의 온도를 제어할 수 있으므로, 온도에 기인하는 레지스트액(L)의 점성을 소정값 이하로 유지하여, 레지스트액(L)이 필터 장치(52a)에 체류되는 것을 억제할 수 있다. 그로 인해, 필터 장치(52a)에 체류하는 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 효율적으로 방지할 수 있다.By configuring in this way, since the temperature of the resist liquid L which stays in the filter apparatus 52a can be detected, and the temperature of the resist liquid L can be controlled by the temperature controller 59b and the controller 200, The viscosity of the resist liquid L resulting from temperature can be kept below a predetermined value, and it can suppress that the resist liquid L stays in the filter apparatus 52a. Therefore, the increase of the particle in the resist liquid L which stays in the filter apparatus 52a can be prevented efficiently.

또한, 이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy ejection at the time of supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제8 실시 형태><8th embodiment>

도 16에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제8 실시 형태를 설명한다. 또한, 제8 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Based on FIG. 16, 8th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 8th Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제8 실시 형태의 액 처리 장치(5)는 제1 실시 형태의 액 처리 장치(5)에 설치되어 있는 필터 장치를 직렬로 복수개, 예를 들어 2개 접속시키고 있다. 각 필터 장치(52a, 52b)의 상부에는 필터 장치(52a, 52b) 내의 분위기를 배기하기 위한 드레인관(51c, 51e)이 설치되고, 드레인관(51c, 51e)에는 전자기식 개폐 밸브(V4a, V4b)가 설치되어 있다. 제8 실시 형태에서는 필터 장치(52a, 52b)를 2개 직렬로 접속하고 있지만, 3개 이상 직렬로 접속해도 된다. 또한, 제8 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제1 실시 형태와 동일하므로, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.The liquid processing apparatus 5 of 8th Embodiment connects several, for example, two filter apparatuses provided in the liquid processing apparatus 5 of 1st Embodiment in series. Drain pipes 51c and 51e for exhausting the atmosphere in the filter devices 52a and 52b are provided above the filter devices 52a and 52b, and electromagnetic shutoff valves V4a and 51e are provided in the drain pipes 51c and 51e. V4b) is installed. In the eighth embodiment, two filter devices 52a and 52b are connected in series, but three or more filter devices 52a and 52b may be connected in series. In addition, in 8th Embodiment, since another part is the same as that of 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

이와 같이 구성함으로써, 제2 처리액 공급관로(51b)에 필터 장치(52a)를 1개 설치한 경우보다도 보다 많은 이물질(파티클 및 기포)을 제거하는 것이 가능해진다.With this configuration, it is possible to remove more foreign matter (particles and bubbles) than when one filter device 52a is provided in the second processing liquid supply pipe 51b.

또한, 이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge at the time of supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제9 실시 형태><Ninth Embodiment>

도 17에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제9 실시 형태를 설명한다. 또한, 제9 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.17, the 9th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In addition, in 9th Embodiment, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

제9 실시 형태의 액 처리 장치(5)는 제1 실시 형태의 액 처리 장치(5) 외에, 공급 제어 밸브(57)의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 필터 장치(52c)가 설치되어 있다. 바꾸어 말하면, 이 필터 장치(52c)는 처리액 공급 노즐(7a)의 근방의 제2 처리액 공급관로(51b)에 설치되어 있다. 또한, 필터 장치(52c)의 상부에는 필터 장치(52c)에 의해 분리된 기포를 버퍼 탱크(61)로 복귀시키는 복귀관로(51f)가 형성되어 있고, 이 복귀관로(51f)는 버퍼 탱크(61)의 상부에 접속되어 있다. 또한, 복귀관로(51f)에는 전자기식 개폐 밸브(V7)가 설치되어 있고, 이 개폐 밸브(V7)는 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 의해 개폐된다. 또한, 제9 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제1 실시 형태와 동일하므로, 동일 부분에 동일 부호를 부여하고 설명은 생략한다.In addition to the liquid processing apparatus 5 of 1st Embodiment, the liquid processing apparatus 5 of 9th Embodiment has the filter apparatus 52c in the 2nd process liquid supply pipe 51b of the secondary side of the supply control valve 57. Is installed. In other words, this filter device 52c is provided in the second processing liquid supply line 51b near the processing liquid supply nozzle 7a. In addition, a return pipe 51f for returning the bubbles separated by the filter device 52c to the buffer tank 61 is formed at the upper portion of the filter device 52c, and the return pipe 51f is a buffer tank 61. Is connected to the upper part of the In addition, an electromagnetic on / off valve V7 is provided in the return line 51f, and the on / off valve V7 is opened and closed by a control signal from the controller 200. In addition, in 9th Embodiment, since another part is the same as that of 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

이와 같이 구성함으로써, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급(토출)할 때에, 레지스트액(L)이 필터 장치(52c)를 통과하므로, 필터 장치(52a)나 제1 트랩 탱크(53), 제2 트랩 탱크(54)에서 완전히 제거할 수 없었던 레지스트액(L) 중의 이물질(파티클 및 기포)을 제거하는 것이 가능해진다.In this configuration, when the resist liquid L is supplied (discharged) to the wafer W, the resist liquid L passes through the filter device 52c, so that the filter device 52a or the first trap tank 53 are provided. ), It becomes possible to remove foreign matters (particles and bubbles) in the resist liquid L which could not be completely removed from the second trap tank 54.

또한, 이와 같이 구성함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태라도, 처리액의 공급 시에 더미 토출을 행하지 않고, 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L)의 파티클의 증가를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 아이들 상태가 종료되어 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 토출(공급)할 때에, 액 처리 장치(5)에 의한 레지스트액(L)의 순환을 행하지 않고, 레지스트액(L)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)에 레지스트액(L)을 공급하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In this manner, similarly to the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist liquid L can be suppressed without performing dummy discharge at the time of supply of the processing liquid. Therefore, the increase in the particle of the resist liquid L can be suppressed efficiently, without consuming the resist liquid L unnecessarily. In addition, similarly to the first embodiment, the resist liquid by the liquid processing apparatus 5 when the idle state is completed and the resist liquid L is discharged (supplied) from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W. The resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating (L). Therefore, the time required for the process of supplying the resist liquid L to the wafer W can be shortened.

<제10 실시 형태><10th embodiment>

도 18 내지 도 21에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치의 제10 실시 형태를 설명한다.18-21, 10th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described.

도 18에 도시되는 액 처리 장치(5)에는 제3 개폐 밸브(V6)가 필터 장치(52a)의 1차측이며 제2 순환관로(55b)와의 접속부의 2차측의 제2 처리액 공급관로(51b)에 설치되어 있다. 또한, 제10 실시 형태에서는 제1 트랩 탱크(53) 중에 저류되는 레지스트액(L)의 액면 레벨을 검지하는 도시하지 않은 레벨 센서가 설치되어 있다.In the liquid processing apparatus 5 shown in FIG. 18, the third open / close valve V6 is the primary side of the filter device 52a and the second processing liquid supply line 51b on the secondary side of the connection portion with the second circulation conduit 55b. ) Is installed. In addition, in 10th Embodiment, the level sensor which is not shown in figure which detects the liquid level of the resist liquid L stored in the 1st trap tank 53 is provided.

도 19에 도시한 바와 같이, 상기 펌프(P)는 가요성 부재인 다이어프램(71)에 의해 펌프 부분에 상당하는 펌프실(72)과 구동 부분에 상당하는 작동실(73)로 구획되어 있고, 펌프실(72)에는 필터 장치(52a)측에 접속하는 1차측 연통로(72a)와, 제1 개폐 밸브(V34)를 통해 처리액 공급 노즐(7a)측에 접속하는 2차측 연통로(72b)와, 제2 개폐 밸브(V35)를 통해 제1 순환관로(55a)에 접속하는 순환 겸 배기측 연통로(72c)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 19, the said pump P is divided into the pump chamber 72 corresponded to a pump part, and the operation chamber 73 corresponded to a drive part by the diaphragm 71 which is a flexible member, and a pump chamber 72, the primary side communication path 72a connected to the filter apparatus 52a side, the secondary side communication path 72b connected to the process liquid supply nozzle 7a side via the 1st opening / closing valve V34, and And a circulation and exhaust side communication path 72c connected to the first circulation pipe 55a via the second open / close valve V35 is provided.

또한, 작동실(73)에는 구동 수단이 접속되어 있다. 즉, 작동실(73)에 연통하는 급배로(73a)가 설치되어 있고, 이 급배로(73a)에 급배 전환 밸브(V36)를 통해, 에어 가압원(75a)[이하에, 가압원(75a)이라고 함]과 감압원(75b)에 선택적으로 연통하는 관로(76)가 접속되어 있다. 이 경우, 관로(76)는 작동실(73)에 접속하는 주관로(76a)와, 이 주관로(76a)로부터 분기되어, 감압원(75b)에 접속하는 배기관로(76b)와, 가압원(75a)에 접속하는 가압관로(76c)로 구성되어 있다. 주관로(76a)에는 유량 센서인 플로우 미터(77)가 설치되고, 배기관로(76b)에 설치된 배기압을 조정하는 압력 조정 기구와, 가압관로(76c)에 설치된, 가압, 즉 에어압을 조정하는 압력 조정 기구가 연성 압력 조정 기구(78)에 있어서 구성되어 있다. 이 경우, 연성 압력 조정 기구(78)는 배기관로(76b)와 가압관로(76c)를 선택적으로 접속하는 공통의 연통 블록(78a)과 배기관로(76b) 또는 가압관로(76c)의 연통을 차단하는 2개의 정지 블록(78b, 78c)과, 연통 블록(78a), 정지 블록(78b, 78c)을 전환 조작하는 전자기 전환부(78d)를 구비하는 전공 레귤레이터에 의해 구성되어 있다. 또한, 연성 압력 조정 기구(78)[이하, 전공 레귤레이터(78)라고 함]에는 압력 센서(79)가 설치되어 있고, 압력 센서(79)에 의해 관로(76)가 접속하는 작동실(73) 내의 압력이 검출된다.In addition, a driving means is connected to the operation chamber 73. That is, a supply passage 73a communicating with the operation chamber 73 is provided, and the air pressurization source 75a (hereinafter referred to as the pressurization source 75a) is provided in the supply passage 73a via the supply distribution switch valve V36. ) And a pipe line 76 selectively communicating with the decompression source 75b. In this case, the conduit 76 is branched from the main conduit 76a connected to the operation chamber 73, the exhaust conduit 76b connected to the decompression source 75b, and the pressurized source. It consists of the pressurization pipe | tube 76c connected to 75a. A flow meter 77 serving as a flow sensor is provided in the main pipe path 76a, and a pressure adjusting mechanism for adjusting the exhaust pressure provided in the exhaust pipe path 76b and a pressure, that is, an air pressure, installed in the pressure pipe path 76c. The pressure adjustment mechanism to be configured is configured in the flexible pressure adjustment mechanism 78. In this case, the flexible pressure adjustment mechanism 78 cuts off the communication between the common communication block 78a and the exhaust pipe passage 76b or the pressure pipeline 76c which selectively connect the exhaust pipe passage 76b and the pressure passage 76c. The electrostatic regulator is provided with two stop blocks 78b and 78c to be described above, and an electromagnetic switching unit 78d for switching and controlling the communication block 78a and the stop blocks 78b and 78c. Moreover, the pressure sensor 79 is provided in the flexible pressure adjustment mechanism 78 (henceforth an electric regulator 78), and the operation chamber 73 which the pipeline 76 connects by the pressure sensor 79 is connected. Inner pressure is detected.

상기와 같이 구성되는 펌프(P)의 작동실(73)측에 접속되는 작동 에어의 급배부에 있어서, 구동 수단을 구성하는 상기 플로우 미터(77), 압력 센서(79) 및 전공 레귤레이터(78)는 각각 컨트롤러(200)와 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 플로우 미터(77)에 의해 검출된 관로(76) 내의 배기 유량과, 압력 센서(79)에 의해 검출된 관로(76) 내의 압력이 컨트롤러(200)에 전달(입력)되어, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호가 전공 레귤레이터(78)에 전달(출력)되도록 형성되어 있다.In the supply / discharge portion of the working air connected to the working chamber 73 side of the pump P configured as described above, the flow meter 77, the pressure sensor 79, and the electric regulator 78 constituting the driving means are provided. Are electrically connected to the controller 200, respectively. Then, the exhaust flow rate in the conduit 76 detected by the flow meter 77 and the pressure in the conduit 76 detected by the pressure sensor 79 are transmitted (input) to the controller 200, whereby the controller 200 The control signal from () is transmitted to the electric regulator 78 (output).

다음에, 도 20, 21에 기초하여, 다이어프램 펌프 내의 레지스트액(L) 중의 기체를 현재화시켜, 현재화한 기체를 외부로 토출하는 공정에 대해 설명한다. 또한, 개폐 밸브(V4a, V5a), 흡입측의 개폐 밸브(V33), 제1 개폐 밸브(V34), 제2 개폐 밸브(V35), 급배 전환 밸브(V36), 순환 제어 밸브(56)는 도 19에 도시되는 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐 동작을 행한다.Next, based on FIG. 20, 21, the process of making gas in the resist liquid L in a diaphragm pump current and discharging the gas which has been made to the outside is demonstrated. The opening / closing valves V4a and V5a, the opening / closing valve V33 on the suction side, the first opening / closing valve V34, the second opening / closing valve V35, the supply / discharge switching valve V36, and the circulation control valve 56 are shown in FIG. The opening and closing operation is performed based on the control signal from the controller 200 shown in 19.

도 20의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 트랩 탱크(53)에는 도시하지 않은 레벨 센서에 의해 레지스트액(L)의 저류량의 상한을 설정하는 센서 라인 I1이 설치되어 있고, 레지스트액(L)이 센서 라인 I1을 초과했을 때에 제3 개폐 밸브(V6)를 폐쇄함으로써, 펌프실(72) 및 제1 트랩 탱크(53)로의 레지스트액(L)의 보충이 종료된다. 이때, 제1 트랩 탱크(53)의 상부에는 기층이 형성되어 있고, 펌프실(72) 내에는 레지스트액(L)이 가득 차 있다.As shown in FIG. 20A, the first trap tank 53 is provided with a sensor line I1 for setting an upper limit of the amount of storage of the resist liquid L by a level sensor (not shown). The replenishment of the resist liquid L to the pump chamber 72 and the first trap tank 53 is terminated by closing the third open / close valve V6 when L) exceeds the sensor line I1. At this time, a base layer is formed above the first trap tank 53, and the resist liquid L is filled in the pump chamber 72.

계속해서, 흡입측의 개폐 밸브(V33), 제1 개폐 밸브(V34), 제2 개폐 밸브(V35), 개폐 밸브(V4a, V5a), 순환 제어 밸브(56)가 폐쇄된 상태에서 작동실(73) 내의 에어를 배기함으로써, 펌프실(72)이 부압으로 된다. 펌프실(72)을 부압으로 함으로써, 펌프실(72)에 유입되어 있는 레지스트액(L)에 존재하는 미세한 기포가 현재화된다(기포 현재화 공정). 기포 현재화 공정에서 펌프에 흡입되는 처리액이 부압으로 됨으로써 현재화한 처리액 중의 기체가 탈기 공정에 의해 외부로 배출되므로, 처리액 중의 기체를 확실하게 제거할 수 있고, 당해 처리액을 순환시킴으로써 필터에 부착되어 있는 기포를 용이하게 제거할 수 있다.Subsequently, in the state in which the opening / closing valve V33, the first opening / closing valve V34, the second opening / closing valve V35, the opening / closing valves V4a and V5a and the circulation control valve 56 on the suction side are closed, By evacuating the air in 73, the pump chamber 72 becomes negative pressure. By setting the pump chamber 72 to a negative pressure, the minute bubbles existing in the resist liquid L flowing into the pump chamber 72 are present (bubble presenting step). In the bubble presenting process, the processing liquid sucked into the pump becomes a negative pressure, so that the gas in the present processing liquid is discharged to the outside by the degassing process, so that the gas in the processing liquid can be reliably removed, and the processing liquid is circulated. Bubbles attached to the filter can be easily removed.

여기서, 상기 기포 현재화 공정은 흡입측의 개폐 밸브(V33)를 개방하고, 제1 개폐 밸브(V34), 제2 개폐 밸브(V35), 개폐 밸브(V4a, V5a), 순환 제어 밸브(56)가 폐쇄된 상태에서 작동실(73) 내의 에어를 배기해도 된다. 흡입측의 개폐 밸브(V33)를 개방한 상태에서 작동실(73) 내의 에어를 배기함으로써, 펌프실(72) 및 제1 트랩 탱크(53) 내에 보충되어 있는 레지스트액(L)의 기포를 현재화시킬 때에 필요한 다이어프램형의 펌프(P)의 배기량을 적게 할 수 있다.Here, in the bubble presenting step, the opening / closing valve V33 on the suction side is opened, and the first opening / closing valve V34, the second opening / closing valve V35, the opening / closing valves V4a and V5a, and the circulation control valve 56 are used. May be exhausted from the operating chamber 73 in the closed state. The air in the operating chamber 73 is exhausted while the on / off valve V33 on the suction side is opened to present bubbles in the resist liquid L replenished in the pump chamber 72 and the first trap tank 53. It is possible to reduce the displacement of the diaphragm-type pump P necessary for the reduction.

여기서, 흡입측의 개폐 밸브(V33)를 개방한 상태에서 작동실(73) 내의 에어를 배기함으로써, 다이어프램형의 펌프(P)의 배기량을 적게 할 수 있는 이유에 대해 설명한다. 작동실(73) 내의 에어 배기에 수반하여 펌프실(72)의 체적을 증가시키면, 펌프실(72) 및 제1 트랩 탱크(53) 내의 레지스트액(L)의 체적은 거의 변화되지 않지만, 제1 트랩 탱크(53) 내의 기층의 체적은 증가한다. 그로 인해, 이 기층의 압력은 체적의 증가에 수반하여 감소한다. 또한, 이 기층과 접하고 있는 레지스트액(L)의 압력은 기층의 압력과 균형이 잡히기 때문에, 레지스트액(L)의 압력도 감소한다. 레지스트액(L) 내에 녹을 수 있는 미세한 기포가 레지스트액(L)의 압력이 감소함에 따라서 감소하기 때문에, 레지스트액(L)의 압력이 감소함으로써, 녹을 수 없는 기포가 현재화된다.Here, the reason why the amount of displacement of the diaphragm-type pump P can be reduced by evacuating the air in the operating chamber 73 in the state where the inlet / off valve V33 is opened is described. When the volume of the pump chamber 72 is increased with the air exhaust in the operating chamber 73, the volume of the resist liquid L in the pump chamber 72 and the first trap tank 53 hardly changes, but the first trap The volume of the base layer in the tank 53 increases. As a result, the pressure in this substrate decreases with increase in volume. In addition, since the pressure of the resist liquid L in contact with the base layer is balanced with the pressure of the base layer, the pressure of the resist liquid L also decreases. Since the fine bubbles which can be melted in the resist liquid L decrease as the pressure of the resist liquid L decreases, the pressure of the resist liquid L decreases, whereby insoluble bubbles are present.

따라서, 흡입측의 개폐 밸브(V33)를 개방한 상태에서 작동실(73) 내의 에어를 배기함으로써, 배기량이 적은 다이어프램 펌프라도 레지스트액(L)에 존재하는 미세한 기포를 현재화시킬 수 있다.Therefore, even if the diaphragm pump with a small discharge amount is made to exist, the microbubble which exists in the resist liquid L can be made to exist by exhausting the air in the operation chamber 73 in the state which opened the opening / closing valve V33 of the suction side.

계속해서, 도 20의 (b)에 도시한 바와 같이, 흡입측의 개폐 밸브(V33)를 폐쇄한 상태에서 제2 개폐 밸브(V35)와 순환 제어 밸브(56)가 개방되어, 급배 전환 밸브(V36)가 가압원(75a)측으로 전환된 상태에서, 전공 레귤레이터(78)를 가압측에 연통하여, 작동실(73) 내에 에어를 공급한다. 작동실(73) 내에 에어를 공급함으로써 펌프실(72)에 유입되어 있는 레지스트액(L) 중에서 현재화된 기포가 제1 트랩 탱크(53)에 저류되는 레지스트액(L)으로 이동한다(기포 이동 공정). 여기서, 개폐 밸브(V5a)는 폐쇄되어 있으므로, 제1 트랩 탱크(53)로 이동한 기포가 제1 트랩 탱크(53) 상부의 기층이 되고, 제1 트랩 탱크(53) 내의 레지스트액(L)이 가압된다. 그로 인해, 제1 트랩 탱크(53)에 저류되어 있는 레지스트액(L)의 일부가 제2 순환관로(55b)에 유통하여, 제1 트랩 탱크(53)에 저류되어 있는 레지스트액(L)의 저류량은 감소한다.Subsequently, as shown in FIG. 20B, the second on-off valve V35 and the circulation control valve 56 are opened while the on-off valve V33 on the suction side is closed to supply and switch the supply / discharge valve ( In the state where V36 is switched to the pressure source 75a side, the electric regulator 78 communicates with the pressure side to supply air into the operating chamber 73. By supplying air into the operating chamber 73, the current bubbles are moved from the resist liquid L flowing into the pump chamber 72 to the resist liquid L stored in the first trap tank 53 (bubble movement). fair). Here, since the opening-closing valve V5a is closed, the bubble which moved to the 1st trap tank 53 turns into the base layer of the upper part of the 1st trap tank 53, and the resist liquid L in the 1st trap tank 53 is carried out. This is pressurized. Therefore, part of the resist liquid L stored in the first trap tank 53 flows through the second circulation conduit 55b, and the resist liquid L stored in the first trap tank 53 is discharged. Storage is reduced.

기포 현재화 공정 및 기포 이동 공정을 복수회 행함으로써, 제1 트랩 탱크(53)에 저류되어 있는 레지스트액(L)의 저류량이, 도시하지 않은 레벨 센서에 의해 검지되는 센서 라인 I2 이하로 되면, 도 21에 도시한 바와 같이 순환 제어 밸브(56)가 폐쇄된 상태에서 개폐 밸브(V5a)가 개방되어, 제1 트랩 탱크(53) 내의 기포가 드레인관(51d)을 통해 외부로 배출된다(탈기 공정). 이때, 제3 개폐 밸브(V6)가 개방되어, 버퍼 탱크(61)에 저류되어 있는 레지스트액(L)의 일부가 제2 처리액 공급관로(51b)를 통해 제1 트랩 탱크(53)에 유입된다. 제3 개폐 밸브(V6)는 제1 트랩 탱크(53)에 유입되는 레지스트액(L)의 액면이 센서 라인 I1에 도달했을 때에 폐쇄되어, 제1 트랩 탱크(53)로의 레지스트액(L)의 유입이 종료된다.When the amount of storage of the resist liquid L stored in the first trap tank 53 becomes less than or equal to the sensor line I2 detected by a level sensor (not shown) by performing the bubble presenting step and the bubble moving step a plurality of times, As shown in FIG. 21, the opening / closing valve V5a is opened in a state in which the circulation control valve 56 is closed, and bubbles in the first trap tank 53 are discharged to the outside through the drain pipe 51d (degassing). fair). At this time, the third open / close valve V6 is opened, and a part of the resist liquid L stored in the buffer tank 61 flows into the first trap tank 53 through the second processing liquid supply pipe 51b. do. The third opening / closing valve V6 is closed when the liquid level of the resist liquid L flowing into the first trap tank 53 reaches the sensor line I1, and thus the resist liquid L to the first trap tank 53 is closed. Inflow is terminated.

이와 같이 구성함으로써, 펌프(P) 내에 보충된 레지스트액(L) 중에 용재하는 기체를 현재화시킨 후에 탈기할 수 있다. 그로 인해, 레지스트액(L)에 공급되는 레지스트액(L)으로의 기체의 혼입을 억제할 수 있다.By such a configuration, it is possible to degas after presenting the gas dissolved in the resist liquid L replenished in the pump P. Therefore, mixing of gas into the resist liquid L supplied to the resist liquid L can be suppressed.

또한, 이와 같이 기포 현재화 공정 및 탈기 공정이 반복되므로, 펌프실(72) 및 제1 트랩 탱크(53)에 저류되는 레지스트액(L) 중에 존재하는 기포의 제거를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.In addition, since the bubble presenting process and the degassing process are repeated in this way, it becomes possible to efficiently remove the air bubbles existing in the resist liquid L stored in the pump chamber 72 and the first trap tank 53.

<제11 실시 형태><Eleventh embodiment>

도 22에 기초하여, 본 발명에 관한 액 처리 장치에 접속되는 액 처리 유닛을 설명한다. 액 처리 장치(5)에 접속되는 액 처리 유닛(100)은, 도 22에 도시한 바와 같이 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스(N2)를 공급하는 질소 가스 공급원(101)과, 레지스트액(L)을 저류하는 레지스트 용기(102)와, 레지스트 용기(102)로부터 유도된 처리액을 일시 저류하는 버퍼 탱크(103)와, 버퍼 탱크(103)에 저류되어 있는 레지스트액(L)을 토출하는 2개의 펌프(P1, P2)와, 펌프(P1, P2)의 2차측에 설치되어 있는 4개의 필터 장치(104a 내지 104d)[이하, 필터 장치(104)로 대표함]를 구비한다. 이 실시 형태에서는 펌프(P1, P2)에 다이어프램 펌프가 사용되어 있다.Based on FIG. 22, the liquid processing unit connected to the liquid processing apparatus which concerns on this invention is demonstrated. The liquid processing unit 100 connected to the liquid processing apparatus 5 includes a nitrogen gas supply source 101 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas N 2 , as shown in FIG. 22, and a resist liquid ( A resist container 102 for storing L), a buffer tank 103 for temporarily storing a processing liquid induced from the resist container 102, and a resist liquid L stored in the buffer tank 103 are discharged. Two pumps P1 and P2 and four filter devices 104a to 104d (hereinafter referred to as filter device 104) are provided on the secondary side of the pumps P1 and P2. In this embodiment, the diaphragm pump is used for the pumps P1 and P2.

또한, 필터 장치(104)의 2차측에는 전자기식 개폐 밸브(V8)를 통해 레지스트 용기(60)가 설치되어 있다. 이 레지스트 용기(60)의 2차측에는 제1 실시 형태로부터 제10 실시 형태에서 설명한 제1 처리액 공급관로(51a), 액 처리 장치(5), 처리액 공급 노즐(7) 등이 설치되어 있다.Moreover, the resist container 60 is provided in the secondary side of the filter apparatus 104 via the electromagnetic opening / closing valve V8. On the secondary side of this resist container 60, the 1st process liquid supply line 51a, the liquid process apparatus 5, the process liquid supply nozzle 7, etc. which were demonstrated from 1st Embodiment to 10th Embodiment are provided. .

레지스트 용기(102)의 1차측에는 질소 가스 공급원(101)과 접속하는 제3 기체 공급관로(110a)가 설치되어 있다. 이 제3 기체 공급관로(110a)의 질소 가스 공급원(101)과 레지스트 용기(102) 사이에는 전자기식 전환 밸브(V9)가 설치되어 있다. 또한, 제3 기체 공급관로(110a)의 질소 가스 공급원(101)과 레지스트 용기(102) 사이에는 압력 제어 밸브(V10)가 설치됨과 함께, 압력계(105)가 설치되어 있다. 또한, 제3 기체 공급관로(110a)의 압력 제어 밸브(V10)와 전환 밸브(V9) 사이에는, 기체 드레인관로(110b)가 접속되고, 이 기체 드레인관로(110b)에 릴리프 밸브(V11)가 설치되어 있다.The primary side of the resist container 102 is provided with a third gas supply line 110a for connecting with the nitrogen gas supply source 101. An electromagnetic switching valve V9 is provided between the nitrogen gas supply source 101 and the resist container 102 of the third gas supply line 110a. A pressure control valve V10 is provided between the nitrogen gas supply source 101 of the third gas supply line 110a and the resist container 102, and a pressure gauge 105 is provided. In addition, a gas drain pipe line 110b is connected between the pressure control valve V10 and the switching valve V9 of the third gas supply line 110a, and a relief valve V11 is connected to the gas drain pipe line 110b. It is installed.

또한, 레지스트 용기(102)의 1차측에는 일단부가 제3 기체 공급관로(110a)로부터 분기되고, 타단부가 버퍼 탱크(103)의 상부에 접속하는 제4 기체 공급관로(110c)가 설치되어 있다. 이 제4 기체 공급관로(110c)에는 버퍼 탱크(103) 내와 대기로 개방되는 대기부(106) 또는 질소 가스 공급원(101)과 전환 가능하게 연통하는 개폐 밸브(V12)가 설치되어 있다. 또한, 제4 기체 공급관로(110c)에는 전자기식 개폐 밸브(V13) 및 역지 밸브(V14)가 설치되어 있다.In addition, at the primary side of the resist container 102, a fourth gas supply line 110c is formed at one end of which branches from the third gas supply line 110a and the other end thereof is connected to the upper portion of the buffer tank 103. . The fourth gas supply line 110c is provided with an opening / closing valve V12 in switchable communication with the atmospheric portion 106 or the nitrogen gas supply source 101 which are opened in the buffer tank 103 and into the atmosphere. In addition, an electromagnetic on / off valve V13 and a check valve V14 are provided in the fourth gas supply line 110c.

레지스트 용기(102)의 2차측에는 버퍼 탱크(103)와 접속하는 제3 처리액 공급관로(111a)가 설치되어 있다. 이 제3 처리액 공급관로(111a)에는 전자기식 개폐 밸브(V15)가 설치되어 있다.On the secondary side of the resist container 102, a third processing liquid supply pipe 111a for connecting with the buffer tank 103 is provided. An electromagnetic on / off valve V15 is provided in this third processing liquid supply passage 111a.

버퍼 탱크(103)의 2차측에는 제4 처리액 공급관로(111b)가 설치되어 있다. 제4 처리액 공급관로(111b)에는 전자기식 개폐 밸브(V8, V16), 펌프(P1, P2), 필터 장치(104), 레지스트 용기(60)가 설치되어 있다. 펌프(P1, P2)는 필터 장치(104)의 1차측의 제4 처리액 공급관로(111b)에 병렬로 설치되어 있고, 펌프의 1차측 및 2차측에 각각 역지 밸브(V17 내지 V20)가 설치되어 있다. 또한, 개폐 밸브(V16)와 펌프(P1, P2)를 접속하는 제4 처리액 공급관로(111b)의 개폐 밸브(V16)의 2차측에는 개폐 밸브(V27)를 갖는 드레인관로(111d)가 접속되어 있다.The fourth processing liquid supply pipe 111b is provided on the secondary side of the buffer tank 103. Electromagnetic open / close valves V8 and V16, pumps P1 and P2, filter device 104, and resist container 60 are provided in fourth processing liquid supply line 111b. The pumps P1 and P2 are provided in parallel in the fourth processing liquid supply line 111b on the primary side of the filter device 104, and check valves V17 to V20 are provided on the primary and secondary sides of the pump, respectively. It is. Further, a drain pipe line 111d having an on / off valve V27 is connected to the secondary side of the on / off valve V16 of the fourth processing liquid supply pipe 111b connecting the on / off valve V16 and the pumps P1 and P2. It is.

또한, 필터 장치(104a 내지 104d)는 펌프(P1, P2)의 2차측의 제4 처리액 공급관로(111b)에 직렬로 4개 설치되어 있다. 각 필터 장치(104a 내지 104d)의 상부에는 드레인관로(112a 내지 112d)가 설치되어 있고, 이들 드레인관로(112a 내지 112d)에는 각 필터 장치(104a 내지 104d)에 대응하는 전자기식 개폐 밸브(V21 내지 V24)가 설치되어 있다.Moreover, four filter apparatuses 104a-104d are provided in series in the 4th process liquid supply line 111b of the secondary side of pump P1, P2. Drain pipe passages 112a to 112d are provided above the respective filter devices 104a to 104d, and electromagnetic drain valves V21 to corresponding to the filter devices 104a to 104d are provided in the drain pipe paths 112a to 112d. V24) is installed.

필터 장치(104)의 2차측의 제4 처리액 공급관로(111b)로부터는, 복귀관로(111c)가 분기되어 있다. 이 복귀관로(111c)는 버퍼 탱크(103)의 상부에 접속되어 있다. 또한, 복귀관로(111c)에는 드레인관로(112)가 접속되어 있다. 또한, 복귀관로(111c)에는 전자기식 개폐 밸브(V25, V26)가 설치되어 있다.The return pipe 111c branches off from the fourth processing liquid supply pipe 111b on the secondary side of the filter device 104. This return pipe 111c is connected to the upper portion of the buffer tank 103. In addition, a drain pipe 112 is connected to the return pipe 111 c. In addition, electromagnetic return valves V25 and V26 are provided in the return line 111c.

드레인관로(112)에는 전자기식 개폐 밸브(V28)가 설치되어 있다. 이 개폐 밸브(V28)의 1차측의 드레인관로(112)에는 필터 장치(104)를 통해 공급되는 레지스트액(L)을, 대기부(107)를 통한 드레인 또는 복귀관로(111c)로 전환 가능하게 연통하는, 전자기식 개폐 밸브(V29)가 설치되어 있다.An electromagnetic open / close valve V28 is provided in the drain pipe 112. The resist liquid L supplied through the filter device 104 to the drain pipe 112 on the primary side of the on-off valve V28 can be switched to the drain or return pipe 111 c via the standby portion 107. An electromagnetic on / off valve V29 is provided.

상기 개폐 밸브(V12, V29), 개폐 밸브(V13, V15, V16, V21 내지 V28)는 도시하지 않은 컨트롤러와 전기적으로 접속되어 있고, 이 컨트롤러로부터의 제어 신호에 기초하여, 전환 동작이나 개폐 동작이 행해지도록 되어 있다. 또한, 버퍼 탱크(103)에는 버퍼 탱크(61)와 마찬가지로, 상한 액면 센서(103a) 및 하한 액면 센서(103b)가 설치되어 있고, 이들 상한 액면 센서(103a) 및 하한 액면 센서(103b)에 의해 검지된 신호가 도시하지 않은 컨트롤러에 전달되도록 형성되어 있다.The on-off valves V12 and V29 and the on-off valves V13, V15, V16, and V21 to V28 are electrically connected to a controller (not shown), and the switching operation or the opening / closing operation is performed based on the control signal from the controller. It is supposed to be done. In addition, the upper limit liquid level sensor 103a and the lower limit liquid level sensor 103b are provided in the buffer tank 103 similarly to the buffer tank 61, and these upper limit liquid level sensors 103a and the lower limit liquid level sensor 103b are provided. The detected signal is configured to be transmitted to a controller (not shown).

다음에, 액 처리 유닛의 동작 형태에 대해 설명한다.Next, the operation form of the liquid processing unit will be described.

ㆍ 버퍼 탱크로의 레지스트액 공급ㆍ Resist liquid supply to buffer tank

우선, 레지스트 용기(102)를 세트한 후, 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 제어 신호에 기초하여, 제3 기체 공급관로(110a)에 설치된 전환 밸브(V9)와 제3 처리액 공급관로(111a)에 설치된 개폐 밸브(V15)가 개방되어, 질소 가스 공급원(101)으로부터 레지스트 용기(102) 내에 공급되는 질소 가스의 가압에 의해 레지스트액(L)을 버퍼 탱크(103) 내에 공급한다. 이때, 개폐 밸브(V12)는 대기부(106)측으로 전환되어 있고, 버퍼 탱크(103) 내는 대기에 연통되어 있다. 레지스트 용기(102)로부터 공급된 레지스트액(L)이 제3 처리액 공급관로(111a)를 통해 버퍼 탱크(103)에 공급(보충)될 때, 레지스트액(L)은 버퍼 탱크(103) 내의 기체(대기)와 접촉함으로써, 레지스트액(L)의 대기 접촉 면적의 증대에 의해, 레지스트액(L) 중에 용존하는 가스를 현재화하여, 기포가 발생 또는 발생하기 쉽게 한다.First, the resist container 102 is set, and then, based on a control signal from a controller (not shown), to the switching valve V9 and the third processing liquid supply pipe 111a provided in the third gas supply pipe 110a. The on-off valve V15 provided is opened to supply the resist liquid L into the buffer tank 103 by pressurization of the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 101 into the resist container 102. At this time, the opening / closing valve V12 is switched to the standby section 106 side, and the buffer tank 103 is in communication with the atmosphere. When the resist liquid L supplied from the resist container 102 is supplied (supplied) to the buffer tank 103 through the third processing liquid supply line 111a, the resist liquid L is stored in the buffer tank 103. By contacting the substrate (atmosphere), the gas dissolved in the resist liquid L is made current by increasing the atmospheric contact area of the resist liquid L, so that bubbles are easily generated or generated.

ㆍ 레지스트액의 순환Circulation of resist liquid

다음에, 제4 처리액 공급관로(111b)와 복귀관로(111c)를 통해 행해지는 레지스트액(L)의 순환에 대해 설명한다. 버퍼 탱크(103) 내에 소정량의 레지스트액(L)이 공급(보충)되면, 상한 액면 센서(103a)로부터의 검지 신호를 받은 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 제어 신호에 기초하여, 개폐 밸브(V15)가 폐쇄됨과 함께 개폐 밸브(V16)가 개방된다.Next, the circulation of the resist liquid L performed through the fourth processing liquid supply pipe 111b and the return pipe 111c will be described. When a predetermined amount of the resist liquid L is supplied (supplied) to the buffer tank 103, the opening / closing valve V15 is based on a control signal from a controller (not shown) that receives a detection signal from the upper limit liquid level sensor 103a. Is closed and the on-off valve V16 is opened.

레지스트액(L)을 순환할 때에는, 펌프(P1, P2)가 교대로 구동함으로써, 버퍼 탱크(103)에 저류되어 있는 레지스트액(L)이 필터 장치(104)를 통해 복귀관로(111c)에 유입된다. 또한, 복귀관로(111c)에 유입된 레지스트액(L)은 버퍼 탱크(103)에 유입된다. 따라서, 제4 처리액 공급관로(111b)와 복귀관로(111c) 사이에서 레지스트액(L)이 순환되어, 필터 장치(104)를 통과함으로써 파티클이나 기포를 제거한 레지스트액(L)이, 버퍼 탱크(103)에 저류된다.When circulating the resist liquid L, the pumps P1 and P2 are alternately driven so that the resist liquid L stored in the buffer tank 103 is transferred to the return pipe 111c through the filter device 104. Inflow. In addition, the resist liquid L introduced into the return pipe 111c flows into the buffer tank 103. Therefore, the resist liquid L is circulated between the fourth processing liquid supply pipe 111b and the return pipe 111c, and passes through the filter device 104 to remove the particles or bubbles from the buffer liquid L. It is stored in 103.

ㆍ 레지스트액의 질소 가스 가압-레지스트 용기 공급Supply of nitrogen gas pressurized-resist container of resist liquid

버퍼 탱크(103)로부터 레지스트 용기(60)로의 레지스트액(L)으로의 공급에 대해 설명한다. 버퍼 탱크(103)로부터 레지스트 용기(60)에 레지스트액(L)을 공급하는 경우에는, 도시하지 않은 컨트롤러로부터의 제어 신호에 기초하여, 전환 밸브(V9), 개폐 밸브(V15)가 폐쇄됨과 함께 개폐 밸브(V13)가 개방되고, 개폐 밸브(V13)가 질소 가스 공급원(101)측으로 전환된다. 이에 의해, 질소 가스 공급원(101)으로부터 질소 가스가 버퍼 탱크(103) 내에 공급되는 한편, 제4 처리액 공급관로(111b)의 개폐 밸브(V8, V16)가 개방되어, 펌프(P1, P2)가 구동함으로써, 레지스트액(L)이 필터 장치(104), 레지스트 용기(60)에 공급된다. 이때, 필터 장치(104) 중에 용존하는 기포는 드레인관로(112a 내지 112d)를 통해 대기부(107)에 배출된다. 또한, 레지스트 용기(60)에 공급된 레지스트액(L)은 제1 실시 형태에서 상술한 바와 같이, 레지스트액(L)이 처리액 공급 노즐(7a)로부터 웨이퍼(W)로 토출(공급)되거나, 또는 레지스트액(L)이 공급관로(51)와 순환관로(55) 사이를 순환한다.The supply to the resist liquid L from the buffer tank 103 to the resist container 60 is demonstrated. When the resist liquid L is supplied from the buffer tank 103 to the resist container 60, the switching valve V9 and the opening / closing valve V15 are closed based on a control signal from a controller (not shown). The open / close valve V13 is opened, and the open / close valve V13 is switched to the nitrogen gas supply source 101 side. As a result, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 101 into the buffer tank 103, while the opening / closing valves V8 and V16 of the fourth processing liquid supply pipe 111b are opened to open the pumps P1 and P2. By driving, the resist liquid L is supplied to the filter device 104 and the resist container 60. At this time, the bubbles dissolved in the filter device 104 are discharged to the atmospheric portion 107 through the drain pipe passages 112a to 112d. In addition, the resist liquid L supplied to the resist container 60 is discharged (supplied) to the wafer W from the processing liquid supply nozzle 7a as described above in the first embodiment. Alternatively, the resist liquid L circulates between the supply line 51 and the circulation line 55.

이와 같이, 제4 처리액 공급관로(111b)에 4개의 필터 장치(104a 내지 104d)가 설치되는 구성을 갖고 있으므로, 버퍼 탱크(103)에 저류되어 있는 레지스트액(L)을 여과하는 시간은 하나의 필터 장치만을 사용한 경우의 4분의 1로 된다. 그로 인해, 레지스트액(L)의 순환에 의한 레지스트액(L) 내의 파티클이나 기포의 제거에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.As described above, since the four filter devices 104a to 104d are provided in the fourth processing liquid supply pipe 111b, the time for filtering the resist liquid L stored in the buffer tank 103 is one. It becomes one quarter when only the filter device of is used. Therefore, the time required for the removal of particles and bubbles in the resist liquid L due to the circulation of the resist liquid L can be shortened.

<그 밖의 실시 형태><Other embodiments>

또한, 상기 실시 형태에서는, 본 발명에 관한 처리액 공급 장치를 레지스트 도포 처리 장치에 적용한 경우에 대해 설명하였지만, 레지스트 이외의 처리액, 예를 들어 현상액 등의 공급 장치나 세정 처리의 공급 장치에도 적용 가능하다.Moreover, in the said embodiment, although the case where the processing liquid supply apparatus which concerns on this invention was applied to the resist coating processing apparatus was demonstrated, it applies also to processing apparatuses other than resist, for example, supply apparatuses, such as a developing solution, and the supply apparatus of a cleaning process. It is possible.

또한, 제1 실시 형태에 제2 실시 형태로부터 제10 실시 형태 중 적어도 하나를 내장한 형태로 하는 것도 가능하다. 이에 의해, 레지스트액(L)을 불필요하게 소비하지 않고 레지스트액(L) 중의 파티클의 증가를 중첩적으로 방지할 수 있다.Moreover, it is also possible to set it as the form which built in at least 1 of 10th Embodiment from 2nd Embodiment in 1st Embodiment. Thereby, increase of the particle in the resist liquid L can be prevented superimposed, without unnecessary consumption of the resist liquid L. FIG.

5 : 액 처리 장치
7, 7a 내지 7d : 처리액 공급 노즐
51 : 공급관로
51a : 제1 처리액 공급관로
51b : 제2 처리액 공급관로
52a : 필터 장치
53 : 제1 트랩 탱크
54 : 제2 트랩 탱크
55 : 순환관로
56 : 순환 제어 밸브
57 : 공급 제어 밸브
58 : 진동체
59a : 온도 센서
59b : 온도 조절기
60 : 레지스트 용기
61 : 버퍼 탱크
71 : 다이어프램
72 : 펌프실
73 : 작동실
80 : 탈기 기구
81 : 용기
82 : 반투과막 튜브
83 : 유입용 포트
84 : 유출용 포트
85 : 배기용 포트
86 : 배출관
200 : 컨트롤러
L : 레지스트액
P : 펌프
V6 : 제3 개폐 밸브
V31, V32 : 개폐 밸브
V33 : 흡입측의 개폐 밸브
V34 : 제1 개폐 밸브
V35 : 제2 개폐 밸브
V36 : 급배 전환 밸브
V4a, V5a : 개폐 밸브
W : 웨이퍼
5: liquid treatment device
7, 7a to 7d: treatment liquid supply nozzle
51: supply line
51a: first treatment liquid supply line
51b: second processing liquid supply line
52a: filter unit
53: first trap tank
54: second trap tank
55: circulation pipe
56: circulation control valve
57: supply control valve
58: vibrating body
59a: temperature sensor
59b: thermostat
60: resist container
61: buffer tank
71: diaphragm
72: pump room
73: operating room
80: degassing mechanism
81: container
82: semipermeable membrane tube
83: inlet port
84: outflow port
85: exhaust port
86: discharge pipe
200: controller
L: resist liquid
P: Pump
V6: third open / close valve
V31, V32: on-off valve
V33: on-off valve on suction side
V34: first on-off valve
V35: second on-off valve
V36: Rapid Supply Switch Valve
V4a, V5a: on-off valve
W: Wafer

Claims (3)

피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐에 접속되는 액 처리 장치이며,
상기 처리액을 저류하는 처리액 저류 용기와 상기 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급관로와,
상기 공급관로에 개재 설치되어, 상기 처리액을 여과함과 함께, 상기 처리액 중에 혼입되어 있는 이물질, 기포를 제거하는 필터 장치와,
상기 필터 장치의 2차측의 상기 공급관로에 개재 설치되는 펌프와,
상기 펌프의 2차측의 상기 공급관로에 개재 설치되는 공급 제어 밸브와,
상기 펌프의 펌프 부분의 토출측과 상기 필터 장치의 1차측을 접속하는 순환관로와,
상기 필터 장치의 1차측이며, 상기 순환관로와의 접속부의 2차측의 상기 공급관로에 설치되는 전환 밸브와,
상기 펌프의 펌프 부분의 토출측에 설치되고, 상기 순환관로로의 상기 처리액의 공급을 선택적으로 가능하게 하는 개폐 밸브와,
상기 펌프, 공급 제어 밸브, 전환 밸브 및 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단에 의해, 상기 공급 제어 밸브를 폐쇄함으로써 상기 처리액 공급 노즐로부터 상기 피처리 기판으로의 처리액의 공급이 정지하고 있을 때에, 상기 개폐 밸브 및 상기 전환 밸브를 폐쇄한 상태에서, 상기 펌프의 구동 수단의 구동에 의해 상기 펌프 부분을 부압으로 함으로써, 상기 처리액 중에 존재하는 기포를 현재화하고, 그 후, 상기 개폐 밸브 및 상기 전환 밸브를 개방하여, 상기 펌프를 구동하고, 상기 필터 장치를 개재 설치하는 상기 공급관로와 상기 순환관로 사이에서 기포를 현재화한 상기 처리액을 순환시키는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.
It is a liquid processing apparatus connected to the process liquid supply nozzle which supplies a process liquid to a to-be-processed substrate,
A supply pipe for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the processing liquid supply nozzle;
A filter device interposed in the supply pipe and filtering the processing liquid and removing foreign matters and bubbles mixed in the processing liquid;
A pump interposed in the supply line on the secondary side of the filter device,
A supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump,
A circulation pipe connecting the discharge side of the pump portion of the pump and the primary side of the filter device;
A switching valve provided at the primary side of the filter device and provided in the supply line on the secondary side of the connection portion with the circulation line;
An opening / closing valve which is provided on the discharge side of the pump portion of the pump and selectively enables the supply of the treatment liquid to the circulation pipe;
Control means for controlling the pump, a supply control valve, a switching valve, and an open / close valve;
When the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the processing target substrate is stopped by closing the supply control valve by the control means, the pump is opened in the state where the opening / closing valve and the switching valve are closed. By setting the pump portion to negative pressure by driving the drive means, the bubbles existing in the processing liquid are present, and then the on-off valve and the switching valve are opened to drive the pump, and the filter device The processing apparatus characterized by circulating the said processing liquid which made the bubble present between the said supply line and the said circulation line installed through the said supply line.
제1항에 있어서,
상기 펌프의 펌프 부분의 흡입측에 설치된 흡입측 개폐 밸브를 더 구비하고, 상기 제어 수단에 의해, 상기 공급 제어 밸브, 상기 개폐 밸브, 상기 전환 밸브 및 상기 흡입측 개폐 밸브를 폐쇄한 상태에서, 상기 펌프 부분을 부압으로 하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.
The method of claim 1,
And a suction side on / off valve provided on the suction side of the pump portion of the pump, wherein the supply control valve, the on / off valve, the switching valve, and the suction side on / off valve are closed by the control means. A liquid processing apparatus, wherein the pump portion is subjected to negative pressure.
처리액을 저류하는 처리액 저류 용기와 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급관로와,
상기 공급관로에 개재 설치되어, 상기 처리액을 여과함과 함께, 상기 처리액 중에 혼입되어 있는 이물질, 기포를 제거하는 필터 장치와,
상기 필터 장치의 2차측의 상기 공급관로에 개재 설치되는 펌프와,
상기 펌프의 2차측의 상기 공급관로에 개재 설치되는 공급 제어 밸브와,
상기 펌프의 펌프 부분의 토출측과 상기 필터 장치의 1차측을 접속하는 순환관로와,
상기 필터 장치의 1차측이며, 상기 순환관로와의 접속부의 2차측의 상기 공급관로에 설치되는 전환 밸브와,
상기 펌프의 펌프 부분의 토출측에 설치되고, 상기 순환관로로의 상기 처리액의 공급을 선택적으로 가능하게 하는 개폐 밸브와,
상기 펌프, 공급 제어 밸브, 전환 밸브 및 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 구비하는 액 처리 장치를 사용한 액 처리 방법이며,
상기 공급 제어 밸브를 개방함과 함께 상기 개폐 밸브를 폐쇄하고, 상기 펌프를 구동시킴으로써 피처리 기판에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,
상기 공급 제어 밸브를 폐쇄함으로써 상기 처리액 공급 노즐로부터 상기 피처리 기판으로의 처리액의 공급이 정지하고 있을 때에, 상기 개폐 밸브 및 상기 전환 밸브를 폐쇄한 상태에서, 상기 펌프의 구동 수단의 구동에 의해 상기 펌프 부분을 부압으로 함으로써, 상기 처리액 중에 존재하는 기포를 현재화하고, 그 후, 상기 개폐 밸브 및 상기 전환 밸브를 개방하여, 상기 펌프를 구동하고, 상기 필터 장치를 개재 설치하는 상기 공급관로와 상기 순환관로 사이에서 기포를 현재화한 상기 처리액을 순환시키는 순환 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.
A supply line for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the processing liquid supply nozzle;
A filter device interposed in the supply pipe and filtering the processing liquid and removing foreign matters and bubbles mixed in the processing liquid;
A pump interposed in the supply line on the secondary side of the filter device,
A supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump,
A circulation pipe connecting the discharge side of the pump portion of the pump and the primary side of the filter device;
A switching valve provided at the primary side of the filter device and provided in the supply line on the secondary side of the connection portion with the circulation line;
An opening / closing valve which is provided on the discharge side of the pump portion of the pump and selectively enables the supply of the treatment liquid to the circulation pipe;
It is a liquid processing method using the liquid processing apparatus provided with the control means which controls the said pump, a supply control valve, a switching valve, and an opening / closing valve,
A processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate to be processed by opening the supply control valve, closing the open / close valve, and driving the pump;
When the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the processing target substrate is stopped by closing the supply control valve, driving of the driving means of the pump is performed while the switching valve and the switching valve are closed. By supplying the said pump part to negative pressure by this, the said supply pipe which makes the bubble which exists in the said processing liquid present, opens the said switching valve and the said switching valve, drives the said pump, and installs through the said filter apparatus. And a circulation step of circulating the treatment liquid in which bubbles are present between the furnace and the circulation conduit.
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5956975B2 (en) * 2012-02-27 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5741549B2 (en) * 2012-10-09 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply method, treatment liquid supply apparatus, and storage medium
JP6107690B2 (en) * 2013-09-27 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 Pretreatment method for filter unit, treatment liquid supply device, filter unit heating device
JP5967045B2 (en) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply apparatus and treatment liquid supply method
JP6020405B2 (en) * 2013-10-02 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply apparatus and treatment liquid supply method
JP6013302B2 (en) * 2013-10-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 Bubble removal method, bubble removal apparatus, deaeration apparatus, and computer-readable recording medium
CN104570625A (en) * 2013-10-17 2015-04-29 沈阳芯源微电子设备有限公司 Feeding device with liquid defoaming function
JP2015106656A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 東京エレクトロン株式会社 Filter device
JP6032190B2 (en) * 2013-12-05 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply apparatus, treatment liquid supply method, and storage medium
JP6587287B2 (en) * 2014-01-27 2019-10-09 東京エレクトロン株式会社 Active filter technology for photoresist dispensing systems
JP6370567B2 (en) * 2014-03-13 2018-08-08 エイブリック株式会社 Development device
KR200480178Y1 (en) 2014-03-25 2016-04-20 이정란 photoresist caoting apparatus for removing bubble in photoresist
JP6359925B2 (en) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment
KR102343634B1 (en) * 2014-12-30 2021-12-29 세메스 주식회사 Unit for supplying chemical and Apparatus for treating substrate with the unit
CN104562165B (en) * 2014-12-31 2017-04-26 广东威迪科技股份有限公司 Intelligent filter control system
JP6222118B2 (en) 2015-01-09 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 TREATMENT LIQUID FILTER, CHEMICAL LIQUID SUPPLY DEVICE, TREATMENT LIQUID FILTERING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
JP6244324B2 (en) * 2015-03-24 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5991403B2 (en) * 2015-04-21 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 Filter-wetting method, filter-wetting device, and storage medium
JP6626322B2 (en) * 2015-11-27 2019-12-25 Ckd株式会社 Pneumatic drive device and control method thereof
JP6726515B2 (en) * 2016-04-26 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 Filter device and liquid treatment device
JP6803701B2 (en) * 2016-08-23 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment, substrate processing method and recording medium
JP6942497B2 (en) * 2016-09-08 2021-09-29 東京エレクトロン株式会社 Processing liquid supply device
US10518199B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-31 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply apparatus
JP6484601B2 (en) * 2016-11-24 2019-03-13 株式会社Kokusai Electric Processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
CN106881219B (en) * 2017-02-27 2019-06-04 安徽江淮汽车集团股份有限公司 A kind of automobile plant is with for colloid system
JP6817860B2 (en) * 2017-03-21 2021-01-20 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method
KR102478777B1 (en) * 2017-04-06 2022-12-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid supply device and liquid supply method
JP6900274B2 (en) 2017-08-16 2021-07-07 株式会社Screenホールディングス Chemical supply device, substrate processing device, chemical solution supply method, and substrate processing method
US11465074B2 (en) * 2017-10-20 2022-10-11 Shimadzu Corporation Degassing device
JP6924846B2 (en) * 2017-12-12 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 Liquid supply device and liquid supply method
TWI800623B (en) * 2018-03-23 2023-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 Liquid processing device and liquid processing method
KR102099114B1 (en) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 Method and apparatus for treating substrate
JP7101036B2 (en) 2018-04-26 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply device and treatment liquid supply method
JP7112884B2 (en) * 2018-05-24 2022-08-04 東京エレクトロン株式会社 LIQUID TREATMENT APPARATUS, LIQUID TREATMENT METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
CN108565235B (en) * 2018-05-31 2024-03-01 亚智系统科技(苏州)有限公司 Surface treatment and packaging system for fan-out type wafer-level chip and operation method
JP7113671B2 (en) * 2018-06-12 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 Defoaming device and defoaming method
US10663865B2 (en) * 2018-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist recycling apparatus
US11273396B2 (en) * 2018-08-31 2022-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system with improved bubble venting capacity
CN110875212B (en) * 2018-08-31 2022-07-01 辛耘企业股份有限公司 Substrate processing apparatus
JP6837037B2 (en) * 2018-09-14 2021-03-03 株式会社Screenホールディングス Processing equipment, processing system, and processing method
KR102221258B1 (en) 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 Apparatus for Dispensing Chemical
CN109445254A (en) * 2018-11-16 2019-03-08 福建省福联集成电路有限公司 A kind of device reducing development pipeline bubble
CN109569081B (en) * 2018-12-04 2021-02-26 惠科股份有限公司 Filter device and photoresist coating system
JP7163199B2 (en) * 2019-01-08 2022-10-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP7161955B2 (en) * 2019-02-20 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 FILTER WETTING METHOD AND PROCESS LIQUID SUPPLY DEVICE
KR20200126552A (en) * 2019-04-30 2020-11-09 삼성전자주식회사 Resist Filtering System Having Multi Filters and an Apparatus Having the Resist Filtering System
CN110197801A (en) * 2019-05-14 2019-09-03 清华大学 A kind of storage device and substrate equipment for after-treatment of processing substrate liquid
JP7339049B2 (en) * 2019-07-26 2023-09-05 株式会社ディスコ Waste liquid treatment equipment
CN113341654B (en) * 2020-02-18 2023-02-28 长鑫存储技术有限公司 Photoresist supply device
CN111451061B (en) * 2020-04-07 2021-12-31 芯米(厦门)半导体设备有限公司 Double-buffer type photoresist liquid spraying system
KR102585284B1 (en) 2020-12-28 2023-10-05 세메스 주식회사 Apparatus and method for supplying liguid
CN116573603A (en) * 2023-07-15 2023-08-11 太原众特电气技术有限公司 Liquid degassing device of brake liquid filling system, filling system and degassing method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02281727A (en) * 1989-04-24 1990-11-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Applying apparatus of resist
JPH05267149A (en) 1992-03-19 1993-10-15 Fujitsu Ltd Resist feeder
JPH10180173A (en) * 1996-12-24 1998-07-07 Sony Corp Resist applying device
JP3280880B2 (en) * 1997-02-07 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 Degassing mechanism and processing apparatus using the same
JPH11147068A (en) 1997-06-03 1999-06-02 Sony Corp Treatment apparatus and method
JPH11147078A (en) * 1997-11-18 1999-06-02 Casio Comput Co Ltd Classifying processing apparatus and program recording medium thereof
JP3461725B2 (en) 1998-06-26 2003-10-27 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply device and treatment liquid supply method
JP4011210B2 (en) * 1998-10-13 2007-11-21 株式会社コガネイ Chemical supply method and chemical supply device
TW504749B (en) * 1999-06-29 2002-10-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing method and apparatus for processing object in treatment liquid
JP3706294B2 (en) * 2000-03-27 2005-10-12 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply apparatus and treatment liquid supply method
JP3686822B2 (en) 2000-05-19 2005-08-24 東京エレクトロン株式会社 Development processing apparatus and development processing method
JP3947398B2 (en) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ Chemical solution supply apparatus and chemical solution supply method
JP4723218B2 (en) * 2004-09-10 2011-07-13 シーケーディ株式会社 Chemical liquid supply pump unit
JP4694377B2 (en) * 2006-01-27 2011-06-08 シーケーディ株式会社 Chemical supply system
JP4969965B2 (en) * 2006-09-22 2012-07-04 日東電工株式会社 Deaerator
JP4879253B2 (en) * 2008-12-04 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply device
JP4975790B2 (en) * 2009-08-20 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 Resist solution supply apparatus, resist solution supply method, program, and computer storage medium
JP2011088026A (en) * 2009-10-20 2011-05-06 Shimadzu Corp Deaerator
JP5857864B2 (en) * 2012-04-23 2016-02-10 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium

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KR20180049223A (en) 2018-05-10
US9878267B2 (en) 2018-01-30
KR101856285B1 (en) 2018-05-09

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