KR102023546B1 - Display Device - Google Patents

Display Device Download PDF

Info

Publication number
KR102023546B1
KR102023546B1 KR1020130021511A KR20130021511A KR102023546B1 KR 102023546 B1 KR102023546 B1 KR 102023546B1 KR 1020130021511 A KR1020130021511 A KR 1020130021511A KR 20130021511 A KR20130021511 A KR 20130021511A KR 102023546 B1 KR102023546 B1 KR 102023546B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper substrate
layer
thin film
electrode
film transistor
Prior art date
Application number
KR1020130021511A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140107028A (en
Inventor
이종균
최현민
백승민
류지호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130021511A priority Critical patent/KR102023546B1/en
Publication of KR20140107028A publication Critical patent/KR20140107028A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102023546B1 publication Critical patent/KR102023546B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이장치는, 게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되며, 각 화소영역 별로 형성된 화소전극을 구비하는 상부기판; 및 상기 상부기판과 마주하며, 컬러필터를 구비하는 하부기판;이 합착된 디스플레이 장치이며, 상기 상부기판은, 상기 상부기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상의 상기 상부기판 전면에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상의 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘텍홀을 포함하는 보호막; 및 상기 보호막 상에서 상기 드레인 전극과 연결되며, 적어도 2개의 반사방지층이 포함된 화소 전극;을 포함하여 구성된다. 이에 따라, 상부기판의 측면을 덮도록 패널 구동부를 형성하지 않고, 상부기판의 배면에 위치하도록 함으로써 비표시영역의 폭을 줄이고, 탑 케이스를 필요로 하지 않는 내로우 베젤의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한, 시야각 특성을 고려하면서도 상부기판의 배선에 의해 발생되는 반사 시감 및 광학 특성을 개선함으로써 휘도를 향상시키고, 사용자의 화면 몰입도를 향상시키는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display apparatus including a thin film transistor including a gate line and a data line, and an upper substrate connected to the thin film transistor and having pixel electrodes formed in respective pixel regions; And a lower substrate facing the upper substrate and having a color filter, wherein the lower substrate includes a gate electrode formed on the upper substrate; A gate insulating film formed on an entire surface of the upper substrate on the gate electrode; A thin film transistor including an active layer, a source electrode, and a drain electrode formed on the gate insulating layer; A protective film including a drain contact hole exposing the drain electrode on the thin film transistor; And a pixel electrode connected to the drain electrode on the passivation layer and including at least two anti-reflection layers. Accordingly, a narrow bezel display device can be realized by reducing the width of the non-display area and not requiring a top case by forming the panel driver to cover the side of the upper substrate and to be positioned on the rear surface of the upper substrate. . In addition, by considering the viewing angle characteristics, by improving the reflection luminous and optical characteristics generated by the wiring of the upper substrate has the effect of improving the brightness and the user's screen immersion.

Description

디스플레이 장치{Display Device}Display Device

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 두께가 얇고, 미감이 향상된 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device having a thinner thickness and improved aesthetics.

정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 표시하는 디스플레이 장치가 급속도로 발전하게 되었으며, 특히 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 평판디스플레이 장치인 액정디스플레이 장치 또는 유기전계발광소자가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있다.As the information age enters the market, display devices for displaying a large amount of information have been rapidly developed. In particular, a liquid crystal display device or an organic light emitting display device, which is a flat panel display device having excellent performance of thinness, light weight, and low power consumption, has been developed. It replaces the Cathode Ray Tube (CRT).

액정디스플레이 장치(LCD) 중에서도 각 화소(pixel)별로 전압의 온(on), 오프(off)를 조절할 수 있는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 구비된 어레이 기판을 포함하는 액티브 매트릭스형 액정디스플레이 장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 뛰어나 가장 주목받고 있다.Among the liquid crystal display devices (LCDs), an active matrix liquid crystal display device including an array substrate having a thin film transistor, which is a switching element capable of adjusting the on and off of voltages for each pixel, has a resolution and It is attracting the most attention because of its ability to implement video.

또한, 유기전계발광디스플레이 장치(OLED)는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 스스로 빛을 내는 자체발광형으로서, 높은 C/R(contrast ratio) 특성, 초박형 구현, 저온 안정성, 낮은 구동전압의 장점이 가지고, 수 마이크로초(㎲) 정도의 응답시간을 가져 동화상 구현이 쉬우며, 구동회로의 제작 및 설계가 용이하여 평판디스플레이 장치로서 가장 주목받고 있다.In addition, the organic light emitting display device (OLED) has high brightness and low operating voltage characteristics, and emits light by itself, and has high contrast ratio (C / R) characteristics, ultra-thin implementation, low temperature stability, and low driving voltage. It has advantages, and has a response time of about several microseconds, making it easy to implement a moving image, and easy to manufacture and design a driving circuit, attracting the most attention as a flat panel display device.

이와 같은 디스플레이 장치가 좀더 수요자들에게 어필할 수 있도록 다양한 개선책이 요구되고 있는데, 특히 디스플레이 장치의 두께를 최소화함과 더불어 수요자의 미적 감각에 호소하여 구매를 자극할 수 있는 미감이 증진된 디자인에 대한 개발이 꾸준히 진행되고 있다.Various improvements are required to make such display devices more appealing to consumers. In particular, the display device is designed to minimize the thickness of the display device and to enhance the aesthetics to appeal to consumers' aesthetics. Development is ongoing.

도 1은 종래의 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional display device.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 디스플레이 장치는 하부기판(12, 어레이 기판) 및 상부기판(14, 컬러필터 기판)을 포함하는 디스플레이 패널(10), 패널 구동부(20), 및 탑 케이스(30)를 포함한다. 이때, 하부기판(12) 상에는 화소 영역이 정의되도록 교차 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 화소 영역마다 형성된 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 포함한다.As shown in FIG. 1, a conventional display apparatus includes a display panel 10 including a lower substrate 12 (array substrate) and an upper substrate 14 (color filter substrate), a panel driver 20, and a top case ( 30). In this case, the lower substrate 12 includes gate lines and data lines intersecting to define pixel regions, and thin film transistors formed in the pixel regions, and pixel electrodes connected to the thin film transistors.

즉, 상부기판(14)은 컬러필터를 포함하며, 상기 하부기판(12) 상에 형성한다. 여기서, 상기 하부기판(12) 상에 형성된 게이트 배선과 데이터 배선에 신호를 인가하기 위하여 상기 하부기판(12)의 일부가 외부로 노출되어야 한다. 이에 의해, 상기 하부기판(12)의 일부 영역에는 상기 상부기판(14)이 형성되지 않으며, 상기 패널 구동부(20)가 상부기판(14)이 형성되지 않은 하부기판(12)의 측면에 형성되어 상기 게이트 배선과 데이터 배선에 신호를 전달하게 된다.That is, the upper substrate 14 includes a color filter and is formed on the lower substrate 12. Here, a part of the lower substrate 12 should be exposed to the outside in order to apply a signal to the gate wiring and the data wiring formed on the lower substrate 12. As a result, the upper substrate 14 is not formed in a portion of the lower substrate 12, and the panel driver 20 is formed on the side of the lower substrate 12 on which the upper substrate 14 is not formed. The signal is transmitted to the gate line and the data line.

상기 탑 케이스(30)는 상기 디스플레이 패널(10)의 측면을 덮도록 형성된다. 전술한 바와 같이, 상기 패널 구동부(20)가 상기 하부기판(12)의 측면에 형성되기 때문에, 상기 패널 구동부(20)가 외부로 노출되는 것을 방지해야 하므로, 이를 위해 상기 탑 케이스(30)가 적용되는 것이다. 즉, 상기 탑 케이스(30)는 상기 패널 구동부(20)의 노출을 방지하기 위하여 상기 디스플레이 패널(10)의 측면을 덮도록 형성되며, 구조적 특성상 상기 탑 케이스(30)가 상기 상부기판(14) 상에 형성되는데, 이로 인해 다음과 같은 단점이 있다.The top case 30 is formed to cover the side surface of the display panel 10. As described above, since the panel driver 20 is formed on the side surface of the lower substrate 12, the panel driver 20 must be prevented from being exposed to the outside. It applies. That is, the top case 30 is formed to cover the side surface of the display panel 10 in order to prevent the exposure of the panel driver 20, the top case 30 is the upper substrate 14 due to the structural characteristics It is formed on the phase, which has the following disadvantages.

우선, 상기 탑 케이스(30)가 상기 상부기판(14) 상에 형성되기 때문에 그만큼 디스플레이 장치의 두께가 증가 되는 단점이 있다. 또한, 상기 탑 케이스(30)가 상기 상부기판(14)보다 돌출되어 디스플레이 장치의 전면에 단차가 발생되며, 이에 의해 미감이 떨어지는 단점이 있다.First, since the top case 30 is formed on the upper substrate 14, the thickness of the display device increases accordingly. In addition, the top case 30 protrudes from the upper substrate 14 so that a step is generated on the front surface of the display device, thereby reducing the aesthetics.

또한, 상기 탑 케이스(30)는 상기 패널 구동부(20)의 노출을 방지해야 하기 때문에 상기 탑 케이스(30)의 폭이 커지게 되고 그에 따라 디스플레이 장치의 베젤(Bezel)의 폭이 증가 되어 미감이 떨어지는 단점이 있다.In addition, since the top case 30 must prevent the exposure of the panel driver 20, the width of the top case 30 is increased, thereby increasing the width of the bezel of the display device. There is a downside to falling.

한편, 디스플레이 장치의 대형화로 인해 점차 다수의 사용자가 여러 각도에서 시청하는 경우 시야각이 중요한 쟁점이 되고 있다. On the other hand, due to the increase in size of the display device, viewing angles are becoming an important issue when a plurality of users are watching from various angles.

일반적으로 상부기판(14) 및 하부기판(12)을 합착할 때 미스 얼라인으로 인해 발생되는 빛샘을 방지하고자 블랙 매트릭스를 형성시킨다. 그러나, 게이트 배선과 데이터 배선의 폭 대비 블랙 매트릭스의 폭이 커지게 되면, 개구율 감소 및 휘도가 저하되는 문제가 대두됨에 따라 이에 대한 개선이 요구되고 있는 실정이다.In general, when the upper substrate 14 and the lower substrate 12 are bonded, a black matrix is formed to prevent light leakage caused by misalignment. However, when the width of the black matrix becomes larger than the width of the gate wiring and the data wiring, the problem of decreasing the aperture ratio and decreasing the luminance is required.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 두께가 최소화되고, 미감이 증진된 디스플레이 장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a technical object of the present invention is to provide a display device with a minimized thickness and enhanced aesthetics.

또한, 시야각 문제를 고려하여 상부기판의 배선에 의해 발생되는 반사 문제를 개선할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a display device capable of improving a reflection problem caused by wiring of an upper substrate in view of a viewing angle problem.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는 을 게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되며, 각 화소영역 별로 형성된 화소전극을 구비하는 상부기판; 및 상기 상부기판과 마주하며, 컬러필터를 구비하는 하부기판;이 합착된 디스플레이 장치이며, 상기 상부기판은, 상기 상부기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상의 상기 상부기판 전면에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상의 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘텍홀을 포함하는 보호막; 및 상기 보호막 상에서 상기 드레인 전극과 연결되며, 적어도 2개의 반사방지층이 포함된 화소 전극;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display apparatus including a thin film transistor including a gate wiring and a data wiring, and an upper substrate connected to the thin film transistor and having pixel electrodes formed in respective pixel regions; And a lower substrate facing the upper substrate and having a color filter, wherein the lower substrate includes a gate electrode formed on the upper substrate; A gate insulating film formed on an entire surface of the upper substrate on the gate electrode; A thin film transistor including an active layer, a source electrode, and a drain electrode formed on the gate insulating layer; A protective film including a drain contact hole exposing the drain electrode on the thin film transistor; And a pixel electrode connected to the drain electrode on the passivation layer and including at least two anti-reflection layers.

본 발명에 따르면, 상부기판의 측면을 덮도록 패널 구동부를 형성하지 않고, 상부기판의 배면에 위치하도록 함으로써 비표시영역의 폭을 줄이고, 탑 케이스를 필요로 하지 않는 내로우 베젤의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the width of the non-display area and to implement a narrow bezel display device that does not require a top case by forming a panel driving unit to cover the side of the upper substrate and to be located on the rear surface of the upper substrate. Can be.

즉, 디스플레이 장치의 두께가 감소되고, 디스플레이 장치의 전면 단차가 제거되어 디스플레이 장치의 전면이 하나의 구조물로 인식되는 미적 디자인 효과를 얻을 수 있다.That is, the thickness of the display device is reduced, and the front step of the display device is removed, thereby obtaining an aesthetic design effect in which the front surface of the display device is recognized as one structure.

또한, 시야각 특성을 고려하면서도 상부기판의 배선에 의해 발생되는 반사 시감 및 광학 특성을 개선함으로써 휘도를 향상시키고, 사용자의 화면 몰입도를 향상시키는 효과가 있다.In addition, by considering the viewing angle characteristics, by improving the reflection luminous and optical characteristics generated by the wiring of the upper substrate has the effect of improving the brightness and the user's screen immersion.

특히, 화소 전극이 적어도 2개의 반사방지층을 포함하는 다중층의 구조를 이루도록 설계하여 외부광에 의한 반사율을 저감시킬 수 있다.In particular, the pixel electrode may be designed to form a multilayer structure including at least two anti-reflection layers, thereby reducing the reflectance caused by external light.

도 1은 종래의 디스플레이 장치의 개략적인 단면도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시영역 및 비표시영역에 대해 도시한 단면도;
도 4는 도 3의 A 영역을 확대 도시한 도면으로서, 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 전극을 도시한 단면도; 및
도 6은 비교예 및 실시예에 따른 디스플레이 장치의 굴절률을 비교한 도면.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional display device;
2 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view illustrating a display area and a non-display area of a display device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 4 is an enlarged view of region A of FIG. 3 and illustrates a cross-sectional view of one pixel region including a thin film transistor;
5 is a sectional view showing a gate electrode according to an embodiment of the present invention; And
6 is a view comparing refractive indexes of display devices according to Comparative Examples and Examples.

하기 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하고자 한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지된 내용 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known contents or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 상부기판(102, 어레이 기판) 및 하부기판(181, 컬러필터 기판)이 합착된 디스플레이 패널(101)을 포함한다. 이때, 상기 상부기판(102)의 측면이 아닌 비표시영역(NA)에 해당되는 상부기판(102)의 배면에 패널 구동부가 배치된다. As shown in FIG. 2, the display apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 101 on which an upper substrate 102 (array substrate) and a lower substrate 181 (color filter substrate) are bonded. do. In this case, the panel driver is disposed on the rear surface of the upper substrate 102 corresponding to the non-display area NA rather than the side of the upper substrate 102.

여기서, 패널 구동부는 FPC(Flexible printed circuit board)(196)를 개재하여 실장된 구동 IC칩(197)이 포함되게 도시하였으나, 패널 구동부의 구성은 다양하게 변경하여 설계할 수 있으며, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다.
Here, although the panel driver is illustrated to include a driving IC chip 197 mounted via a flexible printed circuit board (FPC) 196, the configuration of the panel driver may be variously changed, and the idea of the present invention. Is not limited to this.

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하는 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터와 연결되며, 각 화소영역(P)별로 형성된 화소전극(도 3의 150)을 구비한 상부기판(102, 어레이 기판)과, 상기 상부기판(102)과 마주하며 컬러필터(186)를 구비한 하부기판(181, 컬러필터 기판)이 액정층(195)을 사이에 두고 합착된 디스플레이 패널(101)을 포함한다.In detail, the display apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a thin film transistor including gate lines and data lines crossing each other to define a plurality of pixel regions, and connected to the thin film transistors, and each pixel region P. Referring to FIG. The upper substrate 102 having the pixel electrodes 150 formed in FIG. 3, and the lower substrate 181 facing the upper substrate 102 and provided with the color filter 186. The display panel 101 is bonded to each other with the liquid crystal layer 195 interposed therebetween.

도면에 도시하지 않았으나, 상기 하부기판(181)의 배면에는 백라이트 유닛(미도시)을 포함한다.Although not shown in the drawings, the lower substrate 181 includes a backlight unit (not shown).

이와 같이, 본 발명의 특징은, 다수의 화소영역이 정의된 표시영역(AA)과, 상기 표시영역의 테두리에 정의된 비표시영역(NA)으로 구분되며, 서로 교차하는 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선이 형성된 상부기판(102)이 실제 최종제품의 구현 시 사용자가 바라보는 면에 배치되는 것이고, 상기 상부기판과 마주하며, 컬러필터를 포함하는 하부기판(181)이 배치되는 것이다. As described above, a feature of the present invention is divided into a display area AA in which a plurality of pixel areas are defined and a non-display area NA defined in an edge of the display area, and a plurality of gate wirings and a plurality of intersecting each other. The upper substrate 102 on which the data wiring is formed is disposed on the surface facing the user when the final final product is implemented, and the lower substrate 181 facing the upper substrate and including the color filter is disposed.

이때, 상부기판(102)이 사용자가 바라보는 면에 패널 구동부가 배치됨으로써 상기 FPC(196)가 상기 상부기판(102)의 비표시영역(NA)에 부착된 후 상기 상부기판(102)의 측면을 덮도록 벤딩되지 않고, 상기 하부기판(181)의 배면쪽으로 벤딩이 된다. In this case, the panel driver is disposed on the surface of the upper substrate 102 facing the user, so that the FPC 196 is attached to the non-display area NA of the upper substrate 102 and then the side surface of the upper substrate 102 is located. It is not bent to cover, but is bent toward the back of the lower substrate 181.

이에 따라, 종래의 디스플레이 장치(도 1) 대비 최소 상기 FPC(196)의 두께와 상기 FPC(196)와 상부기판(102)의 측면의 이격간격 만큼이 줄어들게 되어 더욱더 얇은 폭을 갖는 내로우 베젤을 구현할 수 있다. Accordingly, the narrow bezel having a thinner width is reduced by at least the thickness of the FPC 196 and the separation distance between the side surfaces of the FPC 196 and the upper substrate 102 compared to the conventional display apparatus (FIG. 1). Can be implemented.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 사용자가 바라보는 상부기판(102)의 외측면에는 실질적으로 투명한 재질의 기판면 만이 노출되며, FPC(196)가 실장된 부분 등은 사용자가 바라보는 방향이 아닌 하부기판(181)의 외측면이 되므로 사용자가 영상을 바라보는데 방해되거나 또는 거슬리는 구성요소가 없으므로 미관상 또는 내부 부품이 외부로 노출되는 등의 문제를 해결하기 위한 별도의 탑 케이스를 필요로 하지 않는다.
In addition, the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention exposes only a substrate surface of a substantially transparent material to the outer surface of the upper substrate 102 viewed by the user, and a portion on which the FPC 196 is mounted. Since it is the outer surface of the lower substrate 181 rather than the direction that the user looks, there is no distracting or distracting component to the user looking at the image, so a separate tower for solving problems such as aesthetic or internal parts exposed to the outside You don't need a case.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시영역 및 비표시영역에 대해 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 A 영역을 확대 도시한 도면으로서, 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 또한, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소전극을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a display area and a non-display area of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an enlarged view of the area A of FIG. 3 and includes one pixel including a thin film transistor. Sectional view of the area. 5 is a cross-sectional view illustrating a pixel electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(103), 데이터 배선(130)과 박막트랜지스터(Tr), 및 상기 박막트랜지스터(Tr)와 연결되며, 각 화소영역(P) 별로 형성된 화소전극(150)을 구비하는 상부기판(102)을 포함한다. 여기서, 상기 상부기판(102)과 마주하며, 컬러필터(186)를 포함하는 하부기판(181)이 액정층(195)을 사이에 두고 합착되는 디스플레이 패널(101)을 이루게 된다.As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the display apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a gate wiring 103 and a data wiring 130 crossing each other to define a plurality of pixel regions P. An upper substrate 102 is connected to the thin film transistor Tr and the thin film transistor Tr and includes a pixel electrode 150 formed in each pixel region P. Referring to FIG. Here, the lower substrate 181, which faces the upper substrate 102 and includes the color filter 186, forms a display panel 101 that is bonded to each other with the liquid crystal layer 195 interposed therebetween.

전술한 바와 같이, 상기 디스플레이 패널(101)은 상기 상부기판(102)의 비표시영역(NA)에 FPC(Flexible printed circuit board)(196)를 개재하여 실장된 구동IC칩(197)이 포함되고, 상기 하부기판(181)의 배면에는 백라이트 유닛(200)이 포함된다.As described above, the display panel 101 includes a driving IC chip 197 mounted on a non-display area NA of the upper substrate 102 via a flexible printed circuit board (FPC) 196. The backlight unit 200 is included on the bottom of the lower substrate 181.

구체적으로, 상기 박막트렌지스터(Tr)는 게이트 전극(105), 상기 게이트 전극(105) 상에 형성된 게이트 절연막(110), 비정질 실리콘의 액티브층(120a) 및 이의 상부에 형성된 불순물 비정질 실리콘의 서로 이격하는 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120), 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 적층됨으로써 스위칭 소자를 이루게 된다. In detail, the thin film transistor Tr is spaced apart from the gate electrode 105, the gate insulating layer 110 formed on the gate electrode 105, the active layer 120a of amorphous silicon, and the impurity amorphous silicon formed thereon. The semiconductor layer 120 including the ohmic contact layer 120b and the source and drain electrodes 133 and 136 spaced apart from each other are stacked to form a switching device.

이에 따라, 상기 상부기판(102)은 상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에서 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘텍홀(143)을 구비하는 보호막(140), 상기 보호막(140) 상에서 상기 드레인 전극(136)과 연결되며, 적어도 2개의 반사방지층이 구비된 다중층 구조의 화소 전극(150)이 포함된다. 이때, 상기 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(130)과 연결된다.Accordingly, the upper substrate 102 may include a passivation layer 140 including a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 on the thin film transistor Tr and the drain electrode on the passivation layer 140. And a multi-layered pixel electrode 150 having at least two anti-reflection layers. In this case, the source electrode 133 is connected to the data line 130.

이때, 본 발명의 또 다른 특징은, 화소전극(150)이 적어도 2개의 반사방지층을 포함하는 다중층의 구조를 이루도록 설계하여 외부광에 의한 반사율을 저감시키는 것이다.
In this case, another feature of the present invention is to reduce the reflectance by external light by designing the pixel electrode 150 to have a multilayer structure including at least two anti-reflection layers.

도 5에 도시한 바와 같이, 상부기판(102)은 금속배선(150a)의 하부에 제 1 반사방지층(150b) 및 제 2 반사방지층(150c)를 형성하여 다중층의 화소전극(150)을 이루게 된다As shown in FIG. 5, the upper substrate 102 forms a first pixel layer 150b and a second antireflection layer 150c under the metal wiring 150a to form a plurality of pixel electrodes 150. do

일 실시예에 있어서, 상기 화소전극(150)은 저저항 금속물질 예를 들면, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 어느 하나로 이루어진 금속 배선(150a)을 형성하고, 상기 금속 배선(150a)의 하부에 반사방지층(150b, 150c)을 형성한다. 예를 들면, 상기 금속 배선(105a)은 알루미늄 합금(AlNd)의 단일 구조이거나, 상기 알루미늄 합금(AlNd)과 몰리브덴 합금(MoTi)의 이중구조일 수 있다. 또한, 상기 금속 배선(105a)은 구리(Cu)의 단일 구조이거나, 구리(Cu)와 몰리브덴 합금(MoTi), 또는 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo)의 이중구조일 수 있다.In one embodiment, the pixel electrode 150 is a low resistance metal material, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum alloy (MoTi) Metal wires 150a formed of any one of the metal wires 150a are formed, and antireflection layers 150b and 150c are formed under the metal wires 150a. For example, the metal wire 105a may be a single structure of aluminum alloy (AlNd) or a double structure of aluminum alloy (AlNd) and molybdenum alloy (MoTi). In addition, the metal wiring 105a may be a single structure of copper (Cu), or a double structure of copper (Cu) and molybdenum alloy (MoTi), or copper (Cu) and molybdenum (Mo).

상기 반사방지층은 제 1 반사방지층(150b) 및 제 2 반사방지층(150c)이 순차적으로 적층된 구조이다. The antireflection layer has a structure in which the first antireflection layer 150b and the second antireflection layer 150c are sequentially stacked.

상기 제 1 반사방지층(150b)은 투명 전도성 물질 예를 들면, 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO) 및 징크-옥사이드(ZnO) 중 어느 하나로 이루어진 반사방지층이다. The first antireflection layer 150b is an antireflection layer made of any one of a transparent conductive material, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO).

상기 제 2 반사방지층(150c)은 금속물질 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 납(Pb), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 어느 하나로 이루어진 반사방지층이다.The second antireflection layer 150c is an antireflection layer made of any one of a metal material, for example, molybdenum (Mo), titanium (Ti), lead (Pb), nickel (Ni), and chromium (Cr).

여기서, 상기 제 1 반사방지층(150b)은 300 Å ~ 1000 Å의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 반사방지층(150c)은 10 Å ~ 200 Å의 두께로 형성될 수 있다.
Here, the first antireflection layer 150b may be formed to have a thickness of 300 μs to 1000 μs, and the second antireflective layer 150c may be formed to have a thickness of 10 μs to 200 μs.

이하, 상측에 구비되는 어레이 기판 즉, 상부기판(102)의 구성에 대해 보다 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, the configuration of the array substrate provided on the upper side, that is, the upper substrate 102 will be described in more detail.

우선, 상부기판(102)은 베이스를 이루는 투명한 절연물질 예를 들면, 유리 또는 플라스틱 재질의 상부기판(102)의 내측면에 게이트 절연막(110)을 사이에 두고, 그 하부 및 그 상부로 서로 종횡으로 연장되어 교차함으로써 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 게이트 배선과 데이터 배선이 형성될 수 있다.First, the upper substrate 102 has a gate insulating film 110 on the inner side of the upper substrate 102 made of a transparent insulating material, for example, glass or plastic, which is a base, and is laterally transversely formed on the lower and upper portions thereof. The gate lines and the data lines defining the plurality of pixel areas P may be formed by extending and crossing each other.

또한, 디스플레이 장치의 모드에 따라 상기 상부기판(102)의 내측면에 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 게이트 배선과 이격되면서 각 화소영역(P)을 관통하는 공통배선이 더 형성될 수 있다. 또한, 비표시영역(NA)에서 게이트 배선의 일 끝단과 연결되는 게이트 패드 전극(미도시)이 형성될 수 있고, 상기 각 데이터 배선의 일 끝단과 연결되는 데이터 패드 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 공통배선이 형성된 경우, 상기 공통배선의 일 끝단을 연결시키는 보조공통배선(미도시)과, 상기 보조공통배선의 일 끝단과 연결되며 공통 패드 전극(미도시)이 더 형성될 수 있다. In addition, depending on the mode of the display device, a common wiring made of the same material as the gate wiring on the inner surface of the upper substrate 102 and spaced apart from the gate wiring may pass through the pixel region P. have. In addition, a gate pad electrode (not shown) connected to one end of the gate line may be formed in the non-display area NA, and a data pad electrode (not shown) connected to one end of each data line may be formed. Can be. When the common wiring is formed, an auxiliary common wiring (not shown) connecting one end of the common wiring and one end of the auxiliary common wiring may be further formed, and a common pad electrode (not shown) may be further formed.

이때, 상기 게이트 배선과 데이터 배선 및 공통배선은 저저항 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
In this case, the gate wiring, the data wiring and the common wiring may be one of a low resistance metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), and molybdenum alloy (MoTi). It can be made in the above.

전술한 바와 같이, 상기 게이트 전극(105) 상부로 상기 게이트 절연막(110)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막(110) 상에 액티브층(120a) 및 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)이 형성되고, 반도체층(120) 상에 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 적층됨으로써 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 이루어질 수 있다.As described above, the gate insulating layer 110 may be formed on the gate electrode 105. The semiconductor layer 120 including the active layer 120a and the ohmic contact layer 120b is formed on the gate insulating layer 110, and the source and drain electrodes 133 and 136 spaced apart from each other on the semiconductor layer 120. By laminating, the thin film transistor Tr, which is a switching element, may be formed.

상기 박막트랜지스터(Tr) 상의 기판 전면에 무기절연물질 예를 들면, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지거나 또는 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어진 보호층(140)이 형성될 수 있다.An inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), or an organic insulating material, such as photo acryl or benzocyclobutene, may be formed on the entire surface of the substrate on the thin film transistor Tr. A protective layer 140 made of BCB may be formed.

이때, 상기 보호층(140)에는 상기 각 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 형성되며, 상기 게이트 패드전극(미도시)과, 데이터 패드전극(미도시)을 각각 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(미도시) 및 데이터 패드 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다.In this case, a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of each of the thin film transistors Tr is formed in the passivation layer 140, and the gate pad electrode (not shown) and the data pad electrode (not shown). A gate pad contact hole (not shown) and a data pad contact hole (not shown) may be formed to expose each of the cells.

상기 공통배선(미도시) 및 상기 보조공통배선(미도시)이 형성되는 경우, 상기 보호층(140)에는 각 화소영역(P)에서 상기 공통배선(미도시)을 노출시키는 공통 콘택홀(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 보조공통배선(미도시)과 연결된 공통 패드전극(미도시)을 노출시키는 공통 패드 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 공통배선(미도시)이 스토리지 전극으로 이용되는 경우, 상기 공통 콘택홀(미도시)은 생략될 수 있다.When the common wiring (not shown) and the auxiliary common wiring (not shown) are formed, a common contact hole (not shown) exposing the common wiring (not shown) in each pixel region P in the protective layer 140. May be formed, and a common pad contact hole (not shown) exposing a common pad electrode (not shown) connected to the auxiliary common wiring (not shown) may be formed. When the common wiring (not shown) is used as the storage electrode, the common contact hole (not shown) may be omitted.

한편, 상기 보호층(140) 상부에는 각 화소영역(P)에 대응하여 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 각 드레인 전극(136)과 접촉하며, 판 형태의 화소전극(150)이 형성될 수 있으며, 상기 비표시영역(NA)에는 상기 게이트 패드 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트 패드 전극(미도시)과 접촉하는 보조 게이트 패드 전극(미도시)과, 상기 데이터 패드 콘택홀(미도시)을 통해 상기 데이터 패드 전극(미도시)과 접촉하는 보조 데이터 패드전극(미도시)이 형성될 수 있다.The pixel electrode 150 having a plate shape is formed on the passivation layer 140 to contact the drain electrodes 136 through the drain contact hole 143 corresponding to each pixel area P. The non-display area NA may include an auxiliary gate pad electrode (not shown) that contacts the gate pad electrode (not shown) through the gate pad contact hole (not shown), and the data pad contact hole (not shown). An auxiliary data pad electrode (not shown) may be formed in contact with the data pad electrode (not shown).

또한, 상기 보조공통배선(미도시)이 형성되는 경우, 상기 보호층(140) 상부에는 상기 공통 패드 콘택홀(미도시)을 통해 상기 공통 패드 전극(미도시)과 접촉하는 보조 공통 패드 전극(미도시)이 형성될 수 있다.In addition, when the auxiliary common wiring (not shown) is formed, the auxiliary common pad electrode (not shown) is in contact with the common pad electrode (not shown) on the protective layer 140 through the common pad contact hole (not shown). Not shown) may be formed.

한편, 전술한 구성을 갖는 상부기판(102)은 각 화소영역(P)에 화소전극(150)만이 구비되면 트위스트 네마틱 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 이룰 수 있으나, 상기 디스플레이 장치가 횡전계형 모드 또는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치를 이루게 되는 경우 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 상기 상부기판(102)이 유기전계 발광소자용 기판으로 이용될 수도 있다.Meanwhile, the upper substrate 102 having the above-described configuration may form an array substrate for a twisted nematic mode liquid crystal display device when only the pixel electrode 150 is provided in each pixel region P, but the display device may be in a transverse electric field mode. Alternatively, the fringe field switching mode liquid crystal display may be modified in various ways. In addition, the upper substrate 102 may be used as a substrate for an organic light emitting device.

일 실시예에 있어서, 횡전계형 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 이루는 경우, 각 화소영역(P)에 형성된 화소전극(150)은 판 형태가 아닌 바(bar) 형태로서 일정간격 이격하며 다수 형성되며, 이러한 다수의 바(bar) 형태의 화소전극과 나란하게 일정간격 이격하여 교대하며 바(bar) 형태를 갖는 다수의 공통전극이 형성될 수 있다. 이때, 상기 다수의 바(bar) 형태의 공통전극은 상기 공통 콘택홀(미도시)을 통해 상기 공통배선(미도시)과 접촉하는 것이 특징이다.In an exemplary embodiment, when forming an array substrate for a transverse electric field mode liquid crystal display device, a plurality of pixel electrodes 150 formed in each pixel region P are formed in a bar shape rather than in a plate shape and are spaced apart at regular intervals. In addition, a plurality of common electrodes having a bar shape, which are alternately spaced apart at regular intervals in parallel with the plurality of bar pixel electrodes, may be formed. In this case, the plurality of bar-shaped common electrodes are in contact with the common wiring (not shown) through the common contact hole (not shown).

도면에 도시하지 않았으나, 상기 바(bar) 형태를 갖는 공통전극과 화소전극은 각 화소영역(P)의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 형태를 이루면서 각 화소영역(P)이 상하부로 이중 도메인 영역을 이루도록 형성될 수 있다. 이렇게 화소영역(P)이 이중 도메인 영역을 이루도록 하는 것은 사용자가 표시영역을 바라보는 시야각의 변화에 따른 색차를 억제하여 표시품질을 향상시키기 위함이다.Although not shown in the drawing, the common electrode and the pixel electrode having a bar shape are symmetrically bent with respect to the center of each pixel region P, and each pixel region P is a top and bottom double domain region. It can be formed to achieve. The pixel region P forms a dual domain region in order to improve display quality by suppressing color difference caused by a change in viewing angle of a user looking at the display region.

다른 일 실시예에 있어서, 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 이루는 경우, 상기 판 형태의 화소전극(150) 상부로 보호층(미도시)을 더 구비할 수 있으며, 상기 보호층(미도시) 상부로 상기 각 판 형태의 화소전극(150)에 대응하여 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구(미도시)를 구비한 공통전극(미도시)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극(미도시)은 표시영역(AA) 전면에 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 박막트랜지스터(Tr)에 대응하여 제 2 개구(미도시)가 더 형성될 수 있다. 이러한 구성을 갖는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 경우, 상기 다수의 제 1 개구(미도시)가 각 화소영역(P)의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 구성을 가지며, 각 화소영역(P)이 이중 도메인을 가지도록 형성될 수도 있다.In another embodiment, when forming an array substrate for a fringe field switching mode liquid crystal display, a protective layer (not shown) may be further provided on the plate-shaped pixel electrode 150, and the protective layer (not shown). A common electrode (not shown) having a plurality of first openings (not shown) having a bar shape spaced apart from each other by a predetermined interval corresponding to each of the plate-shaped pixel electrodes 150 may be formed thereon. have. In this case, the common electrode (not shown) may be formed on the entire surface of the display area AA. In this case, a second opening (not shown) may be further formed to correspond to the thin film transistor Tr. In the case of an array substrate for a fringe field switching mode liquid crystal display device having such a configuration, the plurality of first openings (not shown) are symmetrically bent with respect to the center of each pixel area P, and each pixel area (P) may be formed to have a double domain.

한편, 이러한 구성을 갖는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에서 상기 화소전극(150)과 공통전극(미도시)은 그 위치를 바뀌어 형성하게 되면 화소전극(150)이 상기 공통전극(미도시) 상부에 위치할 수도 있으며, 이 경우 상기 다수의 제 1 개구(미도시)는 상기 화소전극(150)에 구비될 수 있다.On the other hand, in the fringe field switching mode liquid crystal display array substrate having such a configuration, when the pixel electrode 150 and the common electrode (not shown) are formed by changing their positions, the pixel electrode 150 becomes the common electrode (not shown). In some embodiments, the plurality of first openings (not shown) may be provided in the pixel electrode 150.

또 다른 일 실시예에 있어서, 상기 상부기판(102)이 유기전계 발광소자용 어레이 기판을 이루는 경우, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 일정간격 이격하며 전원배선이 더욱 구비되며, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터(Tr) 이외에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와 상기 전원배선과 연결된 하나 이상의 구동용 박막트랜지스터가 더욱 구비되며, 상기 구동용 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 제 1 전극과 유기발광층과 제 2 전극으로 이루어지는 유기전계 발광 다이오드가 더 구성될 수 있다.
In another exemplary embodiment, when the upper substrate 102 forms an array substrate for an organic light emitting diode, although not illustrated in the drawing, the same substrate in which the gate wiring or the data wiring is formed in parallel with the gate wiring or the data wiring is formed. The power supply wiring is further provided and the power supply wiring is spaced apart by the same material in each layer. In addition to the thin film transistor Tr connected to the gate wiring and the data wiring, each pixel region P is connected to the thin film transistor and the power wiring. One or more driving thin film transistors connected to the wiring may be further provided. The organic light emitting diode may be further connected to the drain electrode of the driving thin film transistor, and may include a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode.

한편, 상기와 같이 다양한 구성을 갖는 상부기판(102)에 대응하여 이의 하측에 하부기판(181)이 위치한다. On the other hand, the lower substrate 181 is located on the lower side corresponding to the upper substrate 102 having a variety of configurations as described above.

이하, 하측에 구비되는 컬러필터 기판 즉, 하부기판(181)의 구성을 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, the configuration of the color filter substrate, that is, the lower substrate 181 provided below, will be described in detail.

우선, 투명한 유리 또는 플라스틱 재질의 하부기판(181)의 내측면 상부에 각 화소영역(P)의 경계와 박막트랜지스터(Tr)에 대응하여 블랙매트릭스(183)가 형성된다. 또한, 상기 블랙매트릭스(183)로 둘러싸인 각 화소영역(P)에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(186a, 186b, 186c)이 순차 반복하는 형태의 컬러필터(186)가 형성될 수 있다.First, a black matrix 183 is formed on the inner surface of the lower substrate 181 made of transparent glass or plastic to correspond to the boundary of each pixel region P and the thin film transistor Tr. In addition, a color filter 186 having a form in which red, green, and blue color filter patterns 186a, 186b, and 186c are sequentially repeated corresponding to each pixel area P surrounded by the black matrix 183 may be formed. .

이때, 상기 상부기판(102)이 트위스트 네마틱 모드 어레이 기판을 이루는 경우, 상기 컬러필터(186) 상부로 표시영역 전면에 투명 도전성 물질로 이루어진 공통전극(188)이 형성될 수 있다. In this case, when the upper substrate 102 forms a twisted nematic mode array substrate, a common electrode 188 made of a transparent conductive material may be formed on the entire surface of the display area above the color filter 186.

상기 상부기판(102)이 횡전계형 또는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판인 경우, 상기 컬러필터(186)를 덮으며, 평탄한 표면을 갖는 오버코트층(미도시)이 형성될 수 있다.When the upper substrate 102 is an array substrate for a transverse electric field type or fringe field switching mode liquid crystal display device, an overcoat layer (not shown) covering the color filter 186 and having a flat surface may be formed.

또한, 이러한 구성을 갖는 상부기판(102)과 하부기판(181) 사이에는 액정층(195)이 구비되며, 상기 표시영역(AA)을 두르며, 상기 액정층(195)이 새는 것을 방지하며, 상기 상부기판(102)과 하부기판(181)이 합착된 상태를 이루도록 하기 위해 씰패턴(미도시)이 구비됨으로써 디스플레이 패널(101)을 이룰 수 있다.In addition, a liquid crystal layer 195 is provided between the upper substrate 102 and the lower substrate 181 having the above configuration, surrounds the display area AA, and prevents the liquid crystal layer 195 from leaking. The display panel 101 may be formed by providing a seal pattern (not shown) to form a state in which the upper substrate 102 and the lower substrate 181 are bonded to each other.

도면에 도시하지 않았으나, 상기 상부기판(102)과 하부기판(181) 사이의 액정층(195)이 표시영역 전면에 걸쳐 일정한 두께를 유지시키기 위해 화소영역(P)의 경계에서 상기 상부기판(102)과 하부기판(181)에 동시에 접촉하는 기둥 형태의 패턴드 스페이서(미도시)가 일정간격 이격하며 다수 형성될 수 있다.Although not shown in the drawings, the upper substrate 102 at the boundary of the pixel region P to maintain a constant thickness of the liquid crystal layer 195 between the upper substrate 102 and the lower substrate 181 over the entire display area. ) And a plurality of pillar-shaped patterned spacers (not shown) contacting the lower substrate 181 may be formed at a predetermined interval and spaced apart from each other.

또한, 이러한 구성을 갖는 디스플레이 패널(101)의 상기 하부기판(181)의 외측면에는 백라이트 유닛(200)이 구비되며, 상기 상부기판(102)의 비표시영역(NA)에 구비된 보조 게이트 및 데이터 패드전극(미도시)과 접촉하도록 구동 IC칩(197)이 실장된 FPC(196)가 부착되며, 상기 구동 IC칩(197)이 실장된 FPC(196)가 상기 백라이트 유닛(200)의 외측면으로 상기 어레이 기판(102)의 측단 외측으로 노출되지 않도록 벤딩됨으로써 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 형성될 수 있다.In addition, a backlight unit 200 is provided on an outer surface of the lower substrate 181 of the display panel 101 having the above configuration, and an auxiliary gate provided in the non-display area NA of the upper substrate 102. An FPC 196 having a driving IC chip 197 mounted thereon is attached to contact a data pad electrode (not shown), and an FPC 196 having the driving IC chip 197 mounted outside the backlight unit 200. The display apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may be formed by bending the side surface of the array substrate 102 so as not to be exposed to the outside of the side end of the array substrate 102.

한편, 디스플레이 장치가 유기전계발광소자를 이루는 경우, 상기 컬러필터(186)를 포함하는 하부기판(181)을 대신하여 인캡슐레이션 기판(미도시)이 상기 어레이 기판 즉, 상부기판(102)과 대향하고 있으며, 이러한 인캡슐레이션 기판(미도시)에는 컬러필터와 블랙매트릭스 등의 구성요소는 필요하지 않게 된다. 또한, 인캡슐레이션 기판 및 어레이 기판은 투명한 플라스틱 또는 유리재질 이외에 알루미늄 포일 또는 스테인레스 스틸 등의 불투명한 재질로 이루어져도 무방하다. 또한, 유기전계발광소자를 이루는 경우 자발광 소자이므로 백라이트유닛(도 3의 200)은 생략할 수 있게 된다.On the other hand, when the display device forms an organic light emitting diode, the encapsulation substrate (not shown) is replaced with the array substrate, that is, the upper substrate 102 in place of the lower substrate 181 including the color filter 186. The encapsulation substrate (not shown) does not require components such as a color filter and a black matrix. In addition, the encapsulation substrate and the array substrate may be made of an opaque material such as aluminum foil or stainless steel in addition to a transparent plastic or glass material. In addition, when the organic light emitting device is formed, the backlight unit 200 of FIG. 3 may be omitted since the organic light emitting device is a self-light emitting device.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)(액정표시장치 또는 유기전계 발광소자)는 어레이 기판 즉, 상부기판(102)을 사용자가 바라보는 상측에 위치하도록 배치하고, 컬러필터 기판 즉, 하부기판(181)을 하측에 위치하도록 배치하면서 구동 IC칩(197)이 부착된 FPC(196)를 상부기판(102)의 비표시영역(NA)에 실장한 후, 상기 FPC(196)를 상기 상부기판(102)의 측면을 덮도록 벤딩하지 않고, 상기 하부기판(181)의 외측면, 보다 구체적으로는 상기 하부기판(181)의 외측면에 위치하는 백라이트 유닛(200)의 배면으로 위치하도록 벤딩함으로써 종래의 액정표시장치(도 1) 대비 비표시영역(NA)의 폭을 줄여 보다 더 네로우 베젤을 구현할 수 있 제품을 제공하는 효과가 있다.Therefore, the display device 100 (liquid crystal display device or organic light emitting device) according to the exemplary embodiment of the present invention is disposed so that the array substrate, that is, the upper substrate 102, is located above the user, and the color filter substrate. That is, the FPC 196 having the driving IC chip 197 attached thereto is mounted on the non-display area NA of the upper substrate 102 while the lower substrate 181 is disposed below the FPC 196. Is not bent to cover the side of the upper substrate 102, but more specifically to the rear surface of the backlight unit 200 located on the outer surface of the lower substrate 181, more specifically on the outer surface of the lower substrate 181. By bending to position, it is possible to reduce the width of the non-display area (NA) compared to the conventional liquid crystal display (Fig. 1) to provide a product that can implement a narrow bezel more.

또한, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(100)는 이러한 내로우 베젤을 통한 보더레스 구현에 의해 사용자의 화면 몰입도를 향상시키는 효과가 있다.
In addition, the display device 100 according to the present invention has an effect of improving the user's screen immersion by implementing a borderless through such a narrow bezel.

도 6은 비교예 및 실시예에 따른 디스플레이 장치의 굴절률을 비교한 도면이다. 6 is a view comparing refractive indexes of display apparatuses according to Comparative Examples and Examples.

도 6에 도시한 바와 같이, 화소 전극의 구조 차이에 따른 비교예와 실시예의 굴절률을 평가하였다. 이때, 비교예는 반사방지층이 포함되지 않은 화소 전극이며, 실시예는 반사방지층으로서 ITO 60 nm 및 몰리브덴 7 nm를 금속배선의 하부에 형성시킨 화소 전극이다.As shown in FIG. 6, the refractive indices of the comparative example and the example according to the structure difference of the pixel electrode were evaluated. In this case, the comparative example is a pixel electrode without the antireflection layer, and the embodiment is a pixel electrode in which ITO 60 nm and molybdenum 7 nm are formed under the metal wiring as the antireflection layer.

이에 따라, 저저항 금속물질로만으로 상기 화소 전극(150)을 이루는 경우와 대비하여 본 발명과 같이 투명 전도성 물질 및 금속물질을 하부에 더 형성한 경우에는 약 25 ~ 35 % 정도의 외부광에 대한 반사율을 저감시키는 효과를 가짐을 확인할 수 있다. Accordingly, in the case where the transparent conductive material and the metal material are further formed on the lower portion as in the present invention, as compared to the case of forming the pixel electrode 150 using only the low-resistance metal material, about 25 to 35% of external light It can be confirmed that it has the effect of reducing the reflectance.

여기서, 투명 전도성 물질은 1 ~ 3의 n(굴절률; refractive index)값을 만족해야 하며, 금속물질은 다음을 만족해야 한다.
Herein, the transparent conductive material should satisfy the n (refractive index) value of 1 to 3, and the metal material should satisfy the following.

n(굴절률; refractive index) X k(흡광계수; extinction coefficient) > 3
n (refractive index) X k (extinction coefficient)> 3

무기절연물질을 금속물질 하부에 더 형성한 경우, 무기절연물질은 투명 전도성 물질과 유사한 n 값을 만족해야 한다.
In the case where the inorganic insulating material is further formed under the metal material, the inorganic insulating material should satisfy the n value similar to that of the transparent conductive material.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 시야각 문제를 고려하면서 상부기판의 배선에 의해 발생되는 반사 문제를 개선할 수 있다.
Therefore, the display apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may improve the reflection problem caused by the wiring of the upper substrate while considering the viewing angle problem.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

100: 표시장치 101: 디스플레이 패널
102: 상부기판 105: 게이트 전극
110: 게이트 절연막 120: 반도체층
133: 소스전극 136: 드레인전극
140: 보호층 143: 드레인 콘택홀
150: 화소전극 181: 하부기판
183: 블랙매트릭스 186: 컬러필터
187: 공통전극 195: 액정층
196: FPC 197: 구동 IC칩
198: 씰패턴 200: 백라이트 유닛100: display device 101: display panel
102: upper substrate 105: gate electrode
110: gate insulating film 120: semiconductor layer
133: source electrode 136: drain electrode
140: protective layer 143: drain contact hole
150: pixel electrode 181: lower substrate
183: Black Matrix 186: Color Filter
187: common electrode 195: liquid crystal layer
196: FPC 197: driver IC chip
198: seal pattern 200: backlight unit

Claims (8)

게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되며, 각 화소영역 별로 형성된 화소전극을 구비하는 상부기판; 및 상기 상부기판과 마주하며, 컬러필터를 구비하는 하부기판;이 합착된 디스플레이 장치에 있어서,
상기 상부기판은,
상기 상부기판 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극 상의 상기 상부기판 전면에 형성된 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상의 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘텍홀을 포함하는 보호막; 및
상기 보호막 상에서 상기 드레인 전극과 연결된 화소전극을 포함하고,
상기 화소 전극은 금속배선, 제1 반사방지층 및 제2 반사방지층을 포함하고,
상기 보호막 위에 상기 제2 반사방지층이 배치되고, 상기 제2 반사방지층 위에 상기 제1 반사방지층이 배치되고, 상기 제1 반사방지층 위에 상기 금속 배선이 배치되고,
상기 제1 반사방지층은 투명전도성물질을 포함하고, 상기 제 2 반사방지층은 n(굴절률)*k(흡광계수)값이 3 이상을 만족하는 금속물질을 포함하는 디스플레이 장치.An upper substrate having a thin film transistor including a gate wiring and a data wiring, and a pixel electrode connected to the thin film transistor and formed for each pixel region; And a lower substrate facing the upper substrate, the lower substrate including a color filter.
The upper substrate,
A gate electrode formed on the upper substrate;
A gate insulating film formed on an entire surface of the upper substrate on the gate electrode;
A thin film transistor including an active layer, a source electrode, and a drain electrode formed on the gate insulating layer;
A protective film including a drain contact hole exposing the drain electrode on the thin film transistor; And
A pixel electrode connected to the drain electrode on the passivation layer;
The pixel electrode includes a metal wiring, a first antireflection layer and a second antireflection layer,
The second antireflection layer is disposed on the passivation layer, the first antireflection layer is disposed on the second antireflection layer, the metal wiring is disposed on the first antireflection layer,
The first anti-reflection layer includes a transparent conductive material, and the second anti-reflection layer includes a metal material having an n (refractive index) * k (absorption coefficient) value of 3 or more. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선은,
몰리브덴-티타늄(MoTi)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The metal wiring,
Display device further comprises molybdenum-titanium (MoTi). 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 반사방지층은 ITO, IZO 및 ZnO 중에서 선택된 어느 하나를 포함하고,
상기 제 2 반사방지층은 Mo, Ti, Pd, Ni 및 Cr 중에서 선택된 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The first antireflection layer comprises any one selected from ITO, IZO and ZnO,
And the second antireflective layer comprises any one metal selected from Mo, Ti, Pd, Ni, and Cr. 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지층은,
상기 제 2 반사방지층 하부에 형성되어 SiNx 또는 SiO2의 무기절연물질을 포함하는 다른 반사방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The antireflection layer,
And a second antireflection layer formed under the second antireflection layer and including an inorganic insulating material of SiNx or SiO 2 . 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 반사방지층은,
n(굴절률)이 1 ~ 3을 만족하는 투명 전도성 물질인 것을 특징으로 하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The first antireflection layer,
A display device, wherein n (refractive index) is a transparent conductive material satisfying 1 to 3.
KR1020130021511A 2013-02-27 2013-02-27 Display Device KR102023546B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130021511A KR102023546B1 (en) 2013-02-27 2013-02-27 Display Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130021511A KR102023546B1 (en) 2013-02-27 2013-02-27 Display Device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140107028A KR20140107028A (en) 2014-09-04
KR102023546B1 true KR102023546B1 (en) 2019-09-23

Family

ID=51755114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130021511A KR102023546B1 (en) 2013-02-27 2013-02-27 Display Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102023546B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102307366B1 (en) * 2014-10-13 2021-10-01 엘지디스플레이 주식회사 Narrow Bezel Flat Panel Display Device
KR102589055B1 (en) * 2016-06-29 2023-10-13 엘지디스플레이 주식회사 Array substrate for display device enabling low reflection and display device having the substrate
CN107179642A (en) * 2017-07-04 2017-09-19 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display panel and liquid crystal display module
US10831046B2 (en) 2017-07-04 2020-11-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Frameless liquid crystal display panel and liquid crystal display module
CN109427243A (en) * 2017-08-22 2019-03-05 上海和辉光电有限公司 A kind of display panel, device and production method
KR102608754B1 (en) * 2019-04-17 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 Display Device
KR20210010710A (en) 2019-07-17 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724857B1 (en) * 2003-09-19 2007-06-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-optical apparatus and electronic equipment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1195687A (en) * 1997-09-20 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
KR101049001B1 (en) * 2004-05-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device of color filter on-film transistor (COT) structure of transverse electric field system (ISP)

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724857B1 (en) * 2003-09-19 2007-06-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-optical apparatus and electronic equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140107028A (en) 2014-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102023546B1 (en) Display Device
TWI459076B (en) Display device
WO2017031908A1 (en) Array substrate, preparation method therefor, and display device
KR102117299B1 (en) Display Device
KR20120014749A (en) Display substrate, display device comprising the same and method of manufacturing the same
US20220376209A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
KR101422746B1 (en) Narrow bezel type display device
US9075270B2 (en) Liquid crystal display device
JP5101851B2 (en) Thin film transistor display panel
KR101152122B1 (en) Colr filter panel, method of manufacturing thereof, and transflective liquid crystal display including the same
KR102633265B1 (en) Display device
KR102210245B1 (en) Flat panel display device
KR101956852B1 (en) Display Device
KR20080067406A (en) Thin film transistor array panel
JP2007241294A (en) Method of manufacturing common electrode display plate and liquid crystal display device
KR101389923B1 (en) Array substrate having high aperture ratio, liquid crystal display, and method of manufacturing the same
JP2006330741A (en) Liquid crystal display and method of manufacturing thin film transistor display panel loaded on the same
KR20130131692A (en) Liquid crystal display device
KR102065537B1 (en) Display Device
JP4363473B2 (en) Transflective liquid crystal display panel and electronic equipment
JP2007226245A (en) Liquid crystal display
WO2014054558A1 (en) Semiconductor device and display device
EP3654398A2 (en) Electro-luminescence display apparatus
KR102401965B1 (en) Reflective display device and method of manufacturing the same
JP6603577B2 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant