KR102007868B1 - Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same - Google Patents

Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same Download PDF

Info

Publication number
KR102007868B1
KR102007868B1 KR1020150021027A KR20150021027A KR102007868B1 KR 102007868 B1 KR102007868 B1 KR 102007868B1 KR 1020150021027 A KR1020150021027 A KR 1020150021027A KR 20150021027 A KR20150021027 A KR 20150021027A KR 102007868 B1 KR102007868 B1 KR 102007868B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
window
laser light
window shield
chamber
Prior art date
Application number
KR1020150021027A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160099165A (en
Inventor
이재승
구찬회
Original Assignee
에이피시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피시스템 주식회사 filed Critical 에이피시스템 주식회사
Priority to KR1020150021027A priority Critical patent/KR102007868B1/en
Publication of KR20160099165A publication Critical patent/KR20160099165A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102007868B1 publication Critical patent/KR102007868B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인시튜 세정이 가능한 레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치는 레이저광을 방출하는 레이저광원부; 적어도 일면에 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 제공되고, 상기 레이저광에 의해 가공되는 물질막이 형성된 기판이 지지되는 기판 지지대; 및 상기 윈도우와 상기 기판 지지대 사이에 배치되는 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다.The present invention relates to a laser processing apparatus, an operation method thereof, and an in-situ cleaning method, and more particularly, to a laser processing apparatus capable of in-situ cleaning, an operation method thereof, and an in-situ cleaning method.
Laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a laser light source for emitting a laser light; A chamber including a window in which the laser light is incident on at least one surface; A substrate support provided in the chamber and supporting a substrate on which a material film processed by the laser light is formed; And a plasma generator disposed between the window and the substrate support.

Description

레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법 {Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same}Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same}

본 발명은 레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인시튜 세정이 가능한 레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus, an operation method thereof, and an in-situ cleaning method, and more particularly, to a laser processing apparatus capable of in-situ cleaning, an operation method thereof, and an in-situ cleaning method.

디스플레이, 조명용 및 전자소자용 OLED 소자의 제작 공정에 있어서, HIL, HTL, EML, ETL 등의 유기막을 증착한 후 금속 전극막 증착이 수행되는데, 금속 전극막을 유기막의 하부에 있는 전극에 연결시키기 위하여 금속 전극막 증착 전 유기막의 하부 전극을 노출시키는 유기막의 가공이 필요하다.In the manufacturing process of OLED devices for display, lighting, and electronic devices, metal electrode film deposition is performed after depositing organic films such as HIL, HTL, EML, ETL, etc., in order to connect the metal electrode film to an electrode under the organic film. Processing of the organic film exposing the lower electrode of the organic film before the deposition of the metal electrode film is necessary.

유기막의 가공은 유기막에 레이저를 조사하여 유기막을 가공할 수 있는데, 종래에는 레이저를 이용한 유기막의 가공으로 발생되는 유기막의 가공 부산물이 유기막의 가공 부위에서 비산되고, 이러한 유기막의 가공 부산물은 챔버 윈도우의 오염에 따른 손상 및 유기막과 유기막이 형성된 기판의 오염을 발생시키는 문제점이 있었다. 여기서, 챔버 윈도우의 오염은 챔버 윈도우를 투과하여 유기막에 조사되는 레이저를 불안정하게 만들며, 이로 인해 레이저 가공의 신뢰성이 저하된다.In the processing of the organic film, the organic film may be processed by irradiating a laser to the organic film. In the related art, processing by-products of the organic film generated by processing of the organic film using a laser are scattered at the processing site of the organic film, and the processing by-products of the organic film are chamber windows. There was a problem of damage due to the contamination and contamination of the substrate on which the organic film and the organic film is formed. Here, contamination of the chamber window makes the laser which is irradiated to the organic film through the chamber window unstable, thereby degrading the reliability of laser processing.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 한국공개특허 제10-2008-0075613호 (2008.08.19) 등에서는 흡입 수단을 이용하여 유기막의 가공 부산물을 흡입하는 방법이 제시되어 있으나, 이러한 방법은 펌프, 필터, 저장탱크 등의 크고 복잡한 설비가 요구되며, 유기막의 가공 부산물이 완벽하게 흡입되지는 않기 때문에 일부 유기막의 가공 부산물이 챔버 윈도우(또는 챔버의 내벽)에 증착되게 되고, 이렇게 증착된 유기막의 가공 부산물은 제거하지 못한다는 단점이 있다.In order to solve this problem, Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2008-0075613 (2008.08.19) discloses a method of sucking the by-products of the organic membrane using a suction unit, but such a method includes a pump, a filter, and a storage tank. Large and complex equipment is required, and the processing by-products of the organic film are not completely sucked, so some processing by-products of the organic film are deposited in the chamber window (or the inner wall of the chamber), and the processing by-products of the organic film thus deposited are not removed. There is a drawback to not doing it.

한편, 유기막 가공 부산물의 제거를 위해 Cryo trap 또는 ESC trap를 이용하여 비산되는 물질막의 가공 부산물을 포집하는 방법 등도 제안되는데, 가공 부산물을 흡입하여 배출하는 방식과 마찬가지로 Cryo trap 또는 ESC trap을 구성하는 복잡한 장치가 요구되고, Cryo trap 또는 ESC trap에서 포집하는 한계량에 도달하면 트랩을 교체하기 위하여 챔버를 진공 파괴하여 대기 중의 공기에 노출하여야 할 뿐만 아니라, 여전히 챔버 윈도우에 유기막의 가공 부산물이 증착되는 것을 차단하지 못한다는 문제점이 존재한다.Meanwhile, a method of collecting processing by-products of a material film scattered by using Cryo traps or ESC traps to remove organic film processing by-products is proposed. Similar to a method of inhaling and discharging processing by-products, a Cryo trap or an ESC trap is formed. When complex devices are required and the limit of trapping in Cryo traps or ESC traps is reached, not only must the chamber be vacuumed to expose the atmosphere to replace the trap, but also the deposition of organic membrane processing by-products in the chamber window. There is a problem of not blocking.

한국공개특허공보 제10-2008-0075613호Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2008-0075613

본 발명은 챔버 내부에 산소 플라즈마를 발생시켜 인시튜 세정하는 레이저 가공 장치, 그 운용방법 및 인시튜 세정방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus for generating in-situ cleaning by generating an oxygen plasma inside the chamber, an operation method thereof, and an in-situ cleaning method.

본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치는 레이저광을 방출하는 레이저광원부; 적어도 일면에 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 제공되고, 상기 레이저광에 의해 가공되는 물질막이 형성된 기판이 지지되는 기판 지지대; 및 상기 윈도우와 상기 기판 지지대 사이에 배치되는 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다.Laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a laser light source for emitting a laser light; A chamber including a window in which the laser light is incident on at least one surface; A substrate support provided in the chamber and supporting a substrate on which a material film processed by the laser light is formed; And a plasma generator disposed between the window and the substrate support.

상기 윈도우에 대응하도록 상기 챔버 내부에 제공되어 상기 물질막의 가공 부산물에 의한 상기 윈도우의 오염을 방지하는 윈도우 쉴드를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a window shield provided inside the chamber to correspond to the window to prevent contamination of the window by processing by-products of the material film.

상기 윈도우 쉴드는 상기 레이저광이 투과될 수 있다.The window shield may transmit the laser light.

상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하는 두께 측정부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a thickness measurer configured to measure a thickness of the processing by-product of the material film deposited on the window shield.

상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하는 투과율 측정부를 더 포함하고, 상기 투과율 측정부는 상기 윈도우 쉴드를 향해 빛을 발광하는 발광부재와, 상기 발광부재로부터 발광되어 상기 윈도우 쉴드를 투과한 빛을 수광하는 수광부재를 포함할 수 있다.Further comprising a transmittance measuring unit for measuring a change in transmittance of the window shield, wherein the transmittance measuring unit is a light emitting member for emitting light toward the window shield, and a light receiving unit for receiving light emitted from the light emitting member and transmitted through the window shield May contain ash.

상기 두께 측정부 또는 상기 투과율 측정부는 상기 레이저광의 경로에서 벗어나 설치될 수 있다.The thickness measuring unit or the transmittance measuring unit may be installed away from the path of the laser light.

상기 플라즈마 발생부는 상기 레이저광의 경로를 중심으로 대칭을 이루어 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The plasma generation unit may generate a plasma symmetrically about the path of the laser light.

상기 물질막은 유기막을 포함하며, 산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급하는 가스공급부를 더 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는 공급되는 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The material layer may include an organic layer and further include a gas supply unit supplying a process gas including oxygen atoms, and the plasma generation unit may generate an oxygen plasma as the process gas supplied.

상기 플라즈마 발생부의 상기 기판을 향하는 면과 상기 레이저광의 경로를 향하는 면에 상기 물질막의 가공 부산물에 의한 오염을 방지하는 쉴드를 더 포함할 수 있다.
The plasma generating unit may further include a shield that prevents contamination by processing by-products of the material film on the surface facing the substrate and the surface facing the path of the laser light.

본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 운용방법은 레이저광을 방출하는 레이저광원부, 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버 및 상기 윈도우의 오염을 방지하는 윈도우 쉴드를 포함하는 레이저 가공 장치의 운용방법에 있어서, 물질막이 형성된 기판을 상기 챔버 내부로 로딩하는 단계; 상기 레이저광을 조사하여 상기 물질막을 가공하는 단계; 상기 챔버의 세정 시기를 판단하는 단계; 및 건식 식각방법으로 물질막의 가공 부산물을 제거하여 상기 챔버를 인시튜 세정하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a method of operating a laser processing apparatus includes a laser light source unit emitting a laser light, a chamber including a window into which the laser light is incident, and a window shield to prevent contamination of the window. A method of operating, the method comprising: loading a substrate on which a material film is formed into the chamber; Irradiating the laser light to process the material film; Determining a cleaning time of the chamber; And in-situ cleaning the chamber by removing the processing by-products of the material film by a dry etching method.

상기 세정 시기를 판단하는 단계에서는 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하여 상기 챔버의 세정 시기를 판단할 수 있다.In the determining of the cleaning timing, the cleaning timing of the chamber may be determined by measuring a thickness of the processing by-product of the material film deposited on the window shield.

상기 세정 시기를 판단하는 단계에서는 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물에 의한 상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 상기 챔버의 세정 시기를 판단할 수 있다.In the determining of the cleaning timing, the cleaning timing of the chamber may be determined by measuring a change in transmittance of the window shield due to processing by-products of the material film deposited on the window shield.

상기 물질막은 유기막을 포함하고, 상기 인시튜 세정하는 단계에서 상기 챔버 내부에 산소 플라즈마를 발생시켜 상기 유기막의 가공 부산물을 제거할 수 있다.
The material film may include an organic film, and in the in-situ cleaning, oxygen plasma may be generated inside the chamber to remove processing by-products of the organic film.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법은 기판 상에 형성된 유기막에 레이저광을 조사하여 상기 유기막을 가공하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정 방법에 있어서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 유기막을 가공하는 공정을 수행한 챔버 내부로 산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급하는 단계; 상기 챔버 내부에 배치되는 한 쌍의 전극에 RF 전원을 인가하여 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 산소 플라즈마를 이용하여 상기 유기막의 레이저 가공 중에 발생되어 상기 챔버 내부에 잔류하는 가공 부산물을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In-situ cleaning method of the laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention, in the in-situ cleaning method of the laser processing apparatus for irradiating the organic film formed on the substrate to process the organic film, the irradiation of the laser light Supplying a process gas containing oxygen atoms into a chamber in which the process of processing the organic film is performed; Generating an oxygen plasma with the process gas by applying RF power to a pair of electrodes disposed inside the chamber; And removing processing by-products generated during laser processing of the organic layer using the oxygen plasma and remaining in the chamber.

상기 레이저광은 UV 대역의 파장의 광을 포함할 수 있다.The laser light may include light of a wavelength of the UV band.

상기 공정가스는 산소, 오존, 일산화질소 및 이산화질소 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.The process gas may include at least one selected from oxygen, ozone, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide.

상기 레이저 가공 장치는 상기 레이저광이 투과하는 윈도우와 상기 윈도우를 보호하는 윈도우 쉴드를 포함하고, 상기 가공 부산물은 상기 윈도우 또는 상기 윈도우 쉴드 상에 증착된 것일 수 있다.The laser processing apparatus may include a window through which the laser light passes and a window shield protecting the window, and the processing by-product may be deposited on the window or the window shield.

본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치는 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 건식 식각방법으로 물질막의 가공 부산물을 제거하기 때문에 인시튜 세정이 가능하고, 이에 챔버의 오픈 또는 각종 부품의 교체없이 쉽게 챔버를 세정할 수 있다.Laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention is in-situ cleaning is possible because the plasma is generated inside the chamber to remove the processing by-products of the material film by a dry etching method, the chamber can be easily opened without changing the various parts of the chamber Can be cleaned.

또한, 윈도우 쉴드를 설치하여 레이저광이 입사되는 챔버의 윈도우가 오염되는 것을 방지할 수 있고, 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막 가공 부산물의 두께를 측정하거나 물질막 가공 부산물에 의한 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 간단하게 챔버의 세정 시기를 판단할 수도 있다. 그리고 윈도우 쉴드를 인시튜 세정하여 레이저광의 조사를 균일하게 유지할 수 있어 안정적인 레이저 가공을 할 수 있다.In addition, a window shield may be installed to prevent contamination of the window of the chamber into which the laser light is incident, and to measure the thickness of the material film processing by-product deposited on the window shield or to change the transmittance of the window shield by the material film processing by-product. By measuring, the cleaning timing of the chamber can also be determined simply. In addition, the window shield can be cleaned in-situ to keep the irradiation of the laser light uniform, enabling stable laser processing.

한편, 플라즈마 발생부의 외측에 쉴드를 설치하여 물질막 가공 부산물에 의한 플라즈마 발생부의 오염이나 고장을 방지할 수도 있다.Meanwhile, a shield may be provided outside the plasma generation unit to prevent contamination or failure of the plasma generation unit by the material film processing by-products.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 투과율 측정부를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 운용방법을 나타낸 순서도.1 is a cross-sectional view showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a transmittance measuring unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a flow chart showing a method of operating a laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. In the description, like reference numerals refer to like elements, and the drawings may be partially exaggerated in size in order to accurately describe embodiments of the present invention, and like reference numerals refer to like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치(100)는 레이저광(111)을 방출하는 레이저광원부(110); 적어도 일면에 상기 레이저광(111)이 입사되는 윈도우(121)를 포함하는 챔버(120); 상기 챔버(120) 내부에 제공되고, 상기 레이저광(111)에 의해 가공되는 물질막이 형성된 기판(10)이 지지되는 기판 지지대(130); 및 상기 윈도우(121)와 상기 기판 지지대(130) 사이에 배치되는 플라즈마 발생부(140)를 포함할 수 있다.1, the laser processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a laser light source unit 110 for emitting a laser light 111; A chamber 120 including a window 121 on which at least one surface the laser light 111 is incident; A substrate support 130 provided in the chamber 120 and supporting a substrate 10 on which a material film to be processed by the laser light 111 is formed; And a plasma generator 140 disposed between the window 121 and the substrate support 130.

레이저광원부(110)는 레이저광(111)을 방출하는데, 연속파 레이저에 비하여 펄스 레이저가 매우 짧은 시간 동안 더 높은 피크치에서 에너지를 발생시키기 때문에 레이저광(111)은 펄스 레이저인 것이 바람직하고, 펄스의 주기는 나노(nano) 초 길이인 것이 바람직하다. 이러한 펄스 레이저로는 Nd:YAG 펄스 레이저 또는 KrF 펄스 레이저 등이 사용될 수 있다. 또한, 레이저광원부(110)의 다른 예로는 광섬유 레이저, 레이저 다이오드 또는 DPSS 레이저 등이 사용될 수 있는데, 355 nm 파장의 DPSS 레이저를 사용하면 낮은 비용으로도 효과적으로 레이저광원부(110)를 구현할 수 있다.The laser light source unit 110 emits the laser light 111. The laser light 111 is preferably a pulsed laser because the pulsed laser generates energy at a higher peak value for a very short time than the continuous wave laser. The cycle is preferably nano seconds long. As such a pulse laser, an Nd: YAG pulse laser or a KrF pulse laser may be used. In addition, another example of the laser light source unit 110 may be a fiber laser, a laser diode, or a DPSS laser, and the like. When the DPSS laser of 355 nm wavelength is used, the laser light source unit 110 may be effectively implemented at low cost.

레이저광(111)의 파장은 레이저광(111)이 입사되는 챔버(120)의 윈도우(121)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 윈도우(121)에 대한 투과성이 큰 파장을 선택하는 것이 바람직하다. 그리고 레이저광(111)의 파장이 짧을수록 미세하고 정밀한 가공이 가능하여 가공 성능이 향상되는 효과가 있으며, 레이저광(111)의 파장이 길수록 레이저광원부(110)의 설비 비용이 저렴해지는 효과가 있는데, 이를 고려하여 레이저 가공 장치(100)에 적합한 레이저광(111)의 파장을 결정할 필요가 있다. 상기 물질막이 유기막일 경우, 레이저광(111)의 파장은 상기 물질막(즉, 유기막)을 구성하는 유기물질이 흡수할 수 있는 파장을 사용할 수 있다. 대부분의 유기물질들은 가시광 영역대의 파장에서 흡수를 하기 때문에 최소한 근자외선(Near UV)을 사용하여야 모든 유기물들이 흡수를 할 수 있게 된다.The wavelength of the laser light 111 may be determined by the window 121 of the chamber 120 into which the laser light 111 is incident. In other words, it is preferable to select a wavelength having a high transmittance with respect to the window 121. In addition, the shorter the wavelength of the laser light 111, the finer and more precise processing is possible, and the processing performance is improved. The longer the wavelength of the laser light 111, the lower the installation cost of the laser light source unit 110. In consideration of this, it is necessary to determine the wavelength of the laser light 111 suitable for the laser processing apparatus 100. When the material film is an organic film, the wavelength of the laser light 111 may use a wavelength that can be absorbed by the organic material constituting the material film (ie, the organic film). Most organic materials absorb at wavelengths in the visible range, so at least Near UV should be used to absorb all organic materials.

챔버(120)는 레이저광(111)을 이용한 물질막 패터닝(patterning) 등의 가공이 이루어지는 공간이며, 레이저광(111)이 입사될 수 있는 윈도우(121)를 포함하고, 챔버(120) 내부를 진공흡입하는 공기흡입수단을 포함할 수도 있다. 그리고 기판(10)이 챔버(120) 내부에 로딩되고, 챔버(120)로부터 언로딩될 수 있는 게이트 밸브를 포함할 수 있다.The chamber 120 is a space in which material film patterning and the like are processed using the laser light 111, and includes a window 121 through which the laser light 111 can be incident, and the inside of the chamber 120 is formed. It may also include a vacuum suction means for suction. In addition, the substrate 10 may include a gate valve loaded into the chamber 120 and unloaded from the chamber 120.

기판 지지대(130)는 챔버(120) 내부로 기판(10)이 로딩되었을 때 기판(10)이 놓여지는 곳으로, 기판(10)이 움직이지 않도록 기판(10)을 지지하는 역할을 한다. 그리고 기판(10)에 형성된 물질막을 레이저광(111)으로 가공할 수 있도록 레이저광(111)이 챔버(120) 내부로 입사되는 챔버(120)의 윈도우(121)에 대응되도록 설치될 수 있다.The substrate support 130 is a place where the substrate 10 is placed when the substrate 10 is loaded into the chamber 120. The substrate support 130 supports the substrate 10 so that the substrate 10 does not move. In addition, the laser light 111 may be installed to correspond to the window 121 of the chamber 120 incident into the chamber 120 so that the material film formed on the substrate 10 may be processed into the laser light 111.

플라즈마 발생부(140)는 챔버(120) 외부의 전원공급원(미도시)으로부터 전원이 인가되는 전극을 포함할 수 있고, 윈도우(121)와 기판 지지대(130) 사이의 공간에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(140)는 전원이 인가되는 전극 사이에서 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 이러한 플라즈마에 의해 챔버(120) 내부에서 레이저 가공으로 발생되는 물질막의 가공 부산물이 제거된다. 이와 같이, 본 발명에서는 플라즈마 발생부(140)를 통해 챔버(120) 내부에서 플라즈마를 발생시켜 물질막의 가공 부산물을 제거하는 인시튜 세정을 할 수 있다. 그리고 플라즈마 발생부(140)는 전원이 인가되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생기일 수 있다. 한편, 전극에 인가되는 전원은 DC 전원 및 RF 전원을 포함할 수 있는데, 플라즈마 파워 효율이 더욱 좋은 RF 전원이 바람직하며, 주파수로 다양한 주파수를 사용할 수 있지만, 13.56 MHz가 가장 일반적으로 사용될 수 있다.The plasma generator 140 may include an electrode to which power is applied from a power source (not shown) outside the chamber 120, and may be disposed in a space between the window 121 and the substrate support 130. The plasma generator 140 may generate a plasma between electrodes to which power is applied, and by-products of the material film generated by laser processing are removed from the inside of the chamber 120 by the plasma. As described above, in the present invention, plasma may be generated in the chamber 120 through the plasma generator 140 to perform in-situ cleaning to remove processing by-products of the material film. In addition, the plasma generator 140 may be a plasma generator that generates power by applying power. On the other hand, the power applied to the electrode may include a DC power supply and an RF power supply, an RF power supply having better plasma power efficiency is preferable, and various frequencies may be used as the frequency, but 13.56 MHz may be most commonly used.

또한, 플라즈마 발생부(140)는 전극을 포함할 수 있고, 레이저광(111)의 경로를 중심으로 대칭을 이루어 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(140)는 레이저광(111)의 경로를 중심으로 챔버(120) 외부의 전원공급원(미도시)으로부터 전원이 인가되는 복수의 전극(예를 들어, RF 전극)이 원형으로 배치될 수 있는데, 전극이 두 개인 경우 도 1과 같이 두 전극이 서로 대향하고, 독립적으로 전원이 인가될 수 있다. 이러한 경우 일정 면적에서 균일한 세기를 갖는 플라즈마를 발생시킬 수 있기 때문에 윈도우 쉴드(150)의 효과적인 세정이 가능하다. 한편, 윈도우 쉴드(150)와 쉴드(170)로 물질막의 가공 부산물이 비산되는 면적을 제한하여 세정 영역을 줄이고, 이러한 세정 영역에 맞게 균일한 세기를 갖는 플라즈마를 발생시켜 효과적으로 윈도우 쉴드(150) 및 쉴드(170)를 세정할 수 있다. 그리고 이러한 윈도우 쉴드(150) 및 쉴드(170)의 세정만으로 챔버(120) 세정효과를 얻을 수 있어 효율적이다.In addition, the plasma generator 140 may include an electrode, and may generate a plasma by symmetry around the path of the laser light 111. The plasma generator 140 may be arranged in a circular shape with a plurality of electrodes (eg, RF electrodes) to which power is applied from a power supply source (not shown) outside the chamber 120 around the path of the laser light 111. In the case of two electrodes, as shown in FIG. 1, the two electrodes may face each other and power may be independently applied. In this case, since the plasma having a uniform intensity can be generated in a predetermined area, the window shield 150 can be effectively cleaned. Meanwhile, the window shield 150 and the shield 170 reduce the cleaning area by limiting the area in which material by-products of the material film are scattered, and effectively generate the plasma having a uniform intensity to match the cleaning area, thereby effectively protecting the window shield 150 and The shield 170 may be cleaned. In addition, the cleaning effect of the chamber 120 may be obtained by only cleaning the window shield 150 and the shield 170.

한편, 플라즈마 발생부(140)는 레이저광(111)의 경로를 중심으로 대칭을 이루기 위해 유도 결합 코일을 사용하여 레이저광(111)이 그 중심을 관통하도록 할 수도 있다. 이 경우에도 복수의 전극을 원형으로 배치하는 것과 동일한 효과를 얻을 수 있는데, 복수의 장비없이 유도 결합 코일 하나로 동일한 효과를 얻을 수 있는 장점이 있다. 이때, 유도 결합 코일은 챔버 외부에서 전자기장을 만들어 챔버 내부에 플라즈마를 발생시킬 수도 있고, 챔버 내부에서 유도결합용 막대형의 봉을 사용하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.On the other hand, the plasma generating unit 140 may allow the laser light 111 to penetrate the center by using an inductive coupling coil to achieve symmetry around the path of the laser light 111. Even in this case, the same effect as that of disposing a plurality of electrodes in a circle can be obtained, and there is an advantage that the same effect can be obtained with one inductive coupling coil without a plurality of equipments. In this case, the inductive coupling coil may generate an electromagnetic field outside the chamber to generate a plasma inside the chamber, or generate a plasma using a rod-shaped rod for inductive coupling inside the chamber.

이들은 플라즈마 발생부(140)의 변형예들로서, 이 외에도 다양하게 구성될 수 있고, 레이저광(111)의 경로를 중심으로 대칭을 이루어 일정 면적에서 균일한 세기를 갖는 플라즈마를 발생시키면 족하다.These are modified examples of the plasma generating unit 140, in addition to this may be configured in various ways, it is sufficient to generate a plasma having a uniform intensity in a predetermined area symmetrical around the path of the laser light 111.

통상적으로 레이저광을 이용한 패터닝 등의 물질막 가공 공정에서 레이저 가공에 의해 발생된 물질막의 가공 부산물은 오염물 포집기(예를 들어, Cryo trap 또는 ESC trap)를 이용해 비산되는 물질막의 가공 부산물을 포집하는데, 여기서 사용되는 Cryo trap, ESC trap 등의 오염물 포집기는 고가의 제품이어서 높은 투자비가 요구되며, 일정 시간 사용 후 챔버를 오픈하여 물질막의 가공 부산물이 포집된 부품(예를 들어, 필터)을 교체하여야 하기 때문에 높은 유지비도 요구된다. 그리고 오염물 포집기는 레이저광을 가리지 않기 위해 레이저광의 경로를 피해 설치되므로 레이저광의 경로로 비산되는 물질막의 가공 부산물은 거의 포집할 수 없어 챔버의 윈도우(또는 윈도우 쉴드)에 물질막의 가공 부산물이 증착되는 것을 차단할 수 없고, 이에 따라 일정 횟수의 물질막 가공 공정을 수행한 후 윈도우 쉴드를 교체하여야 하거나 챔버의 세정을 위해 물질막 가공 공정을 중단하여야 하므로 생산성이 떨어진다. 이와 같은 문제를 해결하고자, 본 발명에 따른 레이저 가공 장치(100)에서는 챔버(120) 내부에 플라즈마 발생부(140)를 설치하여 플라즈마를 발생시킴으로써 물질막의 가공 부산물을 제거하도록 하였다. 이로 인해 본 발명의 레이저 가공 장치(100)는 증착된 물질막의 가공 부산물을 내부에서 발생되는 플라즈마를 이용해 제거하므로 인시튜 세정이 가능하고, 이에 따라 챔버 세정 또는 부품의 교체로 인한 공정의 중단 시간을 최소화할 수 있어 생산성이 증대되고 유지관리 비용을 최소화할 수 있다.In general, the processing by-product of the material film generated by laser processing in a material film processing process such as patterning using laser light captures the processing by-product of the material film scattered using a contaminant collector (eg, Cryo trap or ESC trap). Contaminant collectors such as Cryo traps and ESC traps are expensive products and require a high investment cost, and after a certain period of time, the chamber must be opened to replace parts (eg filters) in which processing by-products of the material film are collected. High maintenance costs are also required. In addition, since the pollutant collector is installed to avoid the laser light, processing by-products of the material film scattered through the laser light can hardly be collected. Therefore, the processing by-products of the material film are deposited on the window (or window shield) of the chamber. It cannot be blocked, and thus productivity is reduced because the window shield has to be replaced after a certain number of material film processing processes or the material film processing process has to be stopped to clean the chamber. In order to solve such a problem, in the laser processing apparatus 100 according to the present invention, the plasma generating unit 140 is installed inside the chamber 120 to generate plasma to remove processing by-products of the material film. As a result, the laser processing apparatus 100 of the present invention removes the processing by-products of the deposited material film using plasma generated therein, thereby enabling in-situ cleaning, thereby reducing the downtime of the process due to chamber cleaning or replacement of components. Minimization increases productivity and minimizes maintenance costs.

레이저 가공 장치(100)는 윈도우(121)에 대응하도록 챔버(120) 내부에 제공되어 물질막의 가공 부산물에 의한 윈도우(121)의 오염을 방지하는 윈도우 쉴드(150)를 더 포함할 수 있다. The laser processing apparatus 100 may further include a window shield 150 provided inside the chamber 120 to correspond to the window 121 to prevent contamination of the window 121 by processing by-products of the material film.

윈도우 쉴드(150)는 기판(10)과 윈도우(121)의 사이에 배치되어 레이저 가공에 의해 발생되는 물질막의 가공 부산물이 윈도우(121)에 증착되는 것을 방지한다. 윈도우 쉴드(150)가 있으면, 챔버(120) 윈도우(121)의 세정없이 윈도우 쉴드(150)만을 교체하여 챔버 세정으로 인한 공정의 중단 시간을 줄일 수 있다. 하지만, 윈도우 쉴드(150)를 교체할 때에도 챔버(120)를 오픈하여 윈도우 쉴드(150)를 교체해야 하기 때문에 공정 준비를 위한 시간이 요구되어 공정의 중단 시간을 줄이는 효과가 미미하다.The window shield 150 is disposed between the substrate 10 and the window 121 to prevent processing by-products of the material film generated by laser processing from being deposited on the window 121. If there is a window shield 150, it is possible to reduce the downtime of the process due to the chamber cleaning by replacing only the window shield 150 without cleaning the window 120 of the chamber 120. However, when the window shield 150 is replaced, the chamber 120 must be opened to replace the window shield 150, so that a time for preparing the process is required, thereby reducing the downtime of the process.

그리고 윈도우 쉴드(150)는 레이저광(111)이 투과될 수 있는데, 쿼츠(Quartz) 혹은 파이렉스(Pyrex)로 이루어질 수 있다. 윈도우 쉴드(150)는 레이저광(111)의 경로에 위치하므로 레이저광(111)이 투과되어야 기판(10)에 형성된 물질막을 레이저광(111)으로 가공할 수 있다. 이때, 레이저광(111)이 반사, 흡수, 산란 또는 굴절되지 않고 그 에너지와 직진성을 유지할 수 있도록 레이저광(111)의 파장에 따라 윈도우 쉴드(150)의 재료가 달라질 수도 있다.The window shield 150 may transmit the laser light 111 and may be made of quartz or pyrex. Since the window shield 150 is positioned in the path of the laser light 111, the material film formed on the substrate 10 may be processed into the laser light 111 only when the laser light 111 is transmitted. In this case, the material of the window shield 150 may vary depending on the wavelength of the laser light 111 so that the laser light 111 may maintain its energy and straightness without being reflected, absorbed, scattered, or refracted.

한편, 윈도우(121)는 레이저광(111)이 투과될 수 있어야 하며, 근자외선의 경우에는 윈도우(121)의 소재로 쿼츠(Quartz)를 사용할 수 있다. 그리고 윈도우(121)는 진공을 견디기 위해 두꺼워야 하므로 두께가 두꺼울수록 근자외선의 흡수가 많아지는 파이렉스(Pyrex)를 사용할 수 없고, 쿼츠를 사용하는 것이 바람직하다. 하지만, 윈도우 쉴드(Window Shield)를 사용할 경우, 윈도우 쉴드는 진공을 견디지 않아도 되므로 두께가 얇을 수 있고, 파이렉스는 두께를 줄이면 근자외선의 흡수량이 적기 때문에 윈도우 쉴드로 파이렉스 유리(Pyrex glass)를 사용할 수 있다. 또한, 윈도우 쉴드는 파이렉스 유리뿐만 아니라 쿼츠도 사용할 수 있으나, 쿼츠는 고가이며 윈도우 쉴드가 소모성이므로 파이렉스 유리를 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, the window 121 should be able to transmit the laser light 111, in the case of near ultraviolet light may use quartz (Quartz) as the material of the window 121. In addition, since the window 121 must be thick to withstand the vacuum, the thicker the thickness of the window 121, the more the absorption of the near-ultraviolet (Pyrex) cannot be used, and it is preferable to use quartz. However, when using a window shield, the window shield can be thin because it does not have to withstand vacuum, and Pyrex glass can be used as a window shield because Pyrex reduces the absorption of near ultraviolet rays by reducing the thickness. have. In addition, the window shield may use not only pyrex glass but also quartz, but since quartz is expensive and the window shield is consumable, it is preferable to use pyrex glass.

또한, 통상적인 레이저광을 이용한 물질막 가공 공정에서는 윈도우 쉴드를 사용할 경우에 윈도우 쉴드의 정확한 교체 시기를 확인하기 어렵다는 문제도 있다. 윈도우 쉴드를 교체하지 않아 물질막의 가공 부산물이 윈도우 쉴드에 일정 두께 이상 증착되거나 윈도우 쉴드의 표면에 불균일하게 증착되면, 레이저광의 투과도가 전체적으로 혹은 부분적으로 저하되고 물질막에 조사되는 레이저광이 불안정해지며, 이로 인해 레이저 가공의 신뢰성이 저하되게 된다. 본 발명에서는 필요시 플라즈마를 이용한 인시튜 세정을 할 수 있어 윈도우 쉴드(150)를 교체할 필요는 없지만, 물질막의 가공 부산물이 윈도우 쉴드(150)에 일정 두께 이상으로 혹은 불균일하게 증착되는 것을 방지하여 레이저 가공의 신뢰성을 향상시키기 위해 윈도우 쉴드(150)의 정확한 세정 시기를 알 필요가 있다.In addition, in the conventional material film processing process using a laser light, there is a problem that it is difficult to determine the correct replacement time of the window shield when the window shield is used. If the by-products of the material film are deposited over a certain thickness on the window shield or unevenly deposited on the surface of the window shield without replacing the window shield, the transmittance of the laser light is reduced, in whole or in part, and the laser light irradiated onto the material film becomes unstable. As a result, the reliability of laser processing is lowered. In the present invention, the in-situ cleaning using plasma can be performed if necessary, so that it is not necessary to replace the window shield 150, but by preventing the processing by-products of the material film from being deposited more than a predetermined thickness or unevenly on the window shield 150. It is necessary to know the exact cleaning timing of the window shield 150 to improve the reliability of the laser processing.

이에 적절한 인시튜 세정 시기를 확인할 수 있도록 레이저 가공 장치(100)는 윈도우 쉴드(150)에 증착되는 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하는 두께 측정부(161)를 더 포함할 수 있다. 윈도우 쉴드(150)에 물질막의 가공 부산물이 두껍게 증착되어 있으면, 레이저광(111)의 투과도가 떨어지게 되어 레이저 가공의 정밀도를 저하시키거나 레이저 가공의 성능을 약화시키게 된다. 이를 방지하고자, 윈도우 쉴드(150)의 정확한 세정 시기를 아는 것이 필요한데, 두께 측정부(161)는 윈도우 쉴드(150)에 증착되는 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하여 윈도우 쉴드(150)의 정확한 세정 시기를 알 수 있다. 이에 따라 레이저광(111)의 투과도를 일정 기준 이상으로 유지할 수 있어 물질막에 조사되는 레이저광(111)의 안정성과 레이저 가공의 신뢰성을 확보할 수 있다. 그리고 두께 측정부(161)는 물질막의 가공 부산물에 노출되어 물질막의 가공 부산물이 증착되고 증착두께에 따라 변화되는 측정 주파수와 고유 주파수에 기초하여 증착두께를 실시간으로 측정하는 결정 센서(Crystal sensor)를 포함할 수 있다. 이때, 윈도우 쉴드(150)에 홀(hole)을 형성하여 결정 센서를 물질막의 가공 부산물에 노출시키거나 결정 센서를 기판(10)과 윈도우 쉴드(150) 사이에 위치시켜 물질막의 가공 부산물에 노출시킬 수도 있다.The laser processing apparatus 100 may further include a thickness measuring unit 161 for measuring the thickness of the processing by-product of the material film deposited on the window shield 150 so as to confirm an appropriate in-situ cleaning time. If the by-products of the material film are thickly deposited on the window shield 150, the transmittance of the laser light 111 may be lowered, thereby lowering the precision of laser processing or weakening the performance of laser processing. In order to prevent this, it is necessary to know the correct cleaning time of the window shield 150, the thickness measuring unit 161 measures the thickness of the by-products of the material film deposited on the window shield 150 to accurately clean the window shield 150 Know when. As a result, the transmittance of the laser beam 111 can be maintained at a predetermined level or more, thereby ensuring the stability of the laser beam 111 irradiated onto the material film and the reliability of laser processing. The thickness measuring unit 161 is a crystal sensor that measures the deposition thickness in real time based on the measurement frequency and the natural frequency that are exposed to the processing by-products of the material film and are deposited according to the deposition thickness. It may include. In this case, holes may be formed in the window shield 150 to expose the crystal sensor to the processing by-products of the material film, or the crystal sensor may be positioned between the substrate 10 and the window shield 150 to expose the processing by-products of the material film. It may be.

또한, 윈도우 쉴드(150)의 투과율을 측정하여 적절한 인시튜 세정 시기를 확인할 수도 있는데, 레이저 가공 장치(100)는 윈도우 쉴드(150)에 증착되는 물질막의 가공 부산물에 의한 윈도우 쉴드(150)의 투과율 변화를 측정하는 투과율 측정부(162)를 더 포함할 수도 있다. 한편, 윈도우 쉴드(150)의 투과율을 측정하는 것에 의해서 윈도우 쉴드(150) 상에 증착되는 가공 부산물의 두께도 간접적으로 확인할 수 있다. 투과율 측정부(162)의 자세한 설명은 도 2에서 하기로 한다.In addition, by measuring the transmittance of the window shield 150 to determine the appropriate in-situ cleaning time, the laser processing apparatus 100 transmits the transmittance of the window shield 150 by the processing by-product of the material film deposited on the window shield 150 It may further include a transmittance measuring unit 162 for measuring the change. Meanwhile, by measuring the transmittance of the window shield 150, the thickness of the processing by-product deposited on the window shield 150 may also be indirectly confirmed. Detailed description of the transmittance measuring unit 162 will be described with reference to FIG. 2.

그리고 물질막은 유기발광소자(OLED) 등의 유기전자소자를 구성하는 유기막을 포함할 수 있는데, 물질막이 유기막일 경우 유기막 가공 부산물에 포함된 탄소(C)로 인해 산소 플라즈마 또는 오존을 이용하여 유기막 가공 부산물을 제거할 수 있다. 이때, 산소 플라즈마를 발생시키기 위해 산소 원자(O)를 포함하는 공정가스를 공급하는 가스공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 공정가스는 탄소와 반응할 수 있는 산소(O2), 오존(O3), 일산화질소(NO), 이산화질소(NO2) 등을 포함할 수 있고, 공정가스가 챔버(120) 내부로 공급되면, 플라즈마 발생부(140)는 공급되는 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시키게 된다. 이렇게 발생된 산소 플라즈마에 의해 유기막의 가공 부산물이 세정(또는 제거)된다. 한편, 플라즈마 발생기를 이용해 공정가스를 산소 플라즈마로 만들 수도 있다. 그리고 오존(O3)을 직접 사용할 수도 있는데, 오존(O3)은 산소 분자(O2)에 활성 산소(O)가 작용해서 생성된 것으로, 불안정하여 2원자의 산소(O2)로 분해되려는 경향이 있어 강한 산화력을 가지기 때문에 유기막 가공 부산물에 포함된 탄소(C)와 쉽게 반응하게 된다. 하지만, 산소 플라즈마가 오존보다 탄소와 잘 반응하므로 산소 플라즈마를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the material film may include an organic film constituting an organic electronic device such as an organic light emitting diode (OLED). When the material film is an organic film, the organic material may be formed using oxygen plasma or ozone due to carbon (C) included in the organic film processing by-product. Membrane processing by-products can be removed. At this time, the gas supply unit for supplying a process gas containing an oxygen atom (O) to generate an oxygen plasma may be further included. The process gas may include oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ), nitrogen monoxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), and the like, which may react with carbon, and the process gas is supplied into the chamber 120. In this case, the plasma generator 140 generates the oxygen plasma as the supplied process gas. The by-product of the organic film is cleaned (or removed) by the generated oxygen plasma. On the other hand, a plasma generator may be used to make the process gas into an oxygen plasma. In addition, ozone (O 3 ) may be used directly. Ozone (O 3 ) is formed by the action of active oxygen (O) on oxygen molecules (O 2 ), which is unstable and decomposes into oxygen of two atoms (O 2 ). It tends to have a strong oxidizing power, and thus easily reacts with carbon (C) contained in the organic film processing by-product. However, it is preferable to use oxygen plasma because oxygen plasma reacts better with carbon than ozone.

레이저 가공 장치(100)는 플라스마 발생부(140)의 기판(10)을 향하는 면과 레이저광(111)의 경로를 향하는 면에 물질막의 가공 부산물에 의한 오염을 방지하는 쉴드(171)를 더 포함할 수 있다. 쉴드(171)는 플라즈마 발생부(또는 플라즈마 발생기)에 물질막의 가공 부산물이 침투하는 것을 막아 플라즈마 발생부(또는 플라즈마 발생기)가 유기막 가공 부산물에 의해 오염되거나 고장나는 것을 방지하는 역할을 한다. 그리고 쉴드(171)는 물질막의 가공 부산물이 기판(10)으로부터 비산되기 때문에 기판(10)을 향하는 면에 위치하는 것이 바람직하고, 레이저광(111)이 조사되는 방향으로 많은 비율의 물질막 가공 부산물이 비산되므로 물질막 가공 부산물의 침투를 완전 차단하기 위해 레이저광(111)의 경로를 향하는 면에도 쉴드(171)를 위치시키는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 쉴드(171)를 이용해 물질막의 가공 부산물이 비산되는 면적을 제한할 수도 있다. 그리고 기판(10)의 후면에도 쉴드(172)를 배치할 수 있는데, 이러한 경우 챔버(120) 내벽으로 물질막의 가공 부산물이 비산되는 것을 차단하여 세정 영역을 줄일 수 있고, 쉴드(170)만을 세정하면 되기 때문에 챔버(120)의 세정이 용이해진다. 또한, 플라즈마를 대향하여 쉴드(170)를 배치하면 쉴드(170)를 효율적으로 세정할 수 있다.The laser processing apparatus 100 further includes a shield 171 that prevents contamination by processing by-products of the material film on the surface of the plasma generating unit 140 facing the substrate 10 and the surface of the laser beam 111. can do. The shield 171 prevents the processing byproducts of the material film from penetrating into the plasma generator (or the plasma generator) to prevent the plasma generator (or the plasma generator) from being contaminated or broken by the organic film processing byproducts. The shield 171 is preferably located on the surface facing the substrate 10 because the by-products of the material film are scattered from the substrate 10, and the material film processing by-products in a large proportion in the direction in which the laser light 111 is irradiated. Since it is scattered, it is more preferable to place the shield 171 on the surface facing the path of the laser light 111 to completely block the penetration of the material film processing by-product. Meanwhile, the shield 171 may be used to limit the area in which processing by-products of the material film are scattered. In addition, the shield 172 may be disposed on the rear surface of the substrate 10. In this case, the shielding byproducts of the material film may be prevented from scattering on the inner wall of the chamber 120, thereby reducing the cleaning area, and cleaning only the shield 170. As a result, cleaning of the chamber 120 becomes easy. In addition, when the shield 170 is disposed to face the plasma, the shield 170 may be efficiently cleaned.

한편, 쉴드(171)를 금속 재질로 형성하고, 금속 재질의 쉴드(171)를 플라즈마 형성(또는 발생)을 위한 전극으로 사용할 수 있다(이는 전극과 금속 재질의 쉴드를 일체형으로 형성한 경우도 포함함). 이러한 경우, 챔버(120) 내부에서 서로 대향하도록 배치된 금속 재질의 쉴드(171)에 전원을 인가하여 CCP 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다. 그리고 금속 재질의 쉴드에 인가되는 전원은 DC 전원 및 RF 전원을 포함할 수 있는데, 플라즈마 파워 효율이 더욱 좋은 RF 전원이 바람직하며, 주파수로 다양한 주파수를 사용할 수 있지만, 13.56 MHz가 가장 일반적으로 사용될 수 있다.Meanwhile, the shield 171 may be formed of a metal material, and the shield 171 of the metal material may be used as an electrode for plasma formation (or generation) (this includes the case where the electrode and the shield of the metal material are integrally formed. box). In this case, the plasma may be generated by the CCP method by applying power to the shield 171 of the metal material disposed to face each other in the chamber 120. The power applied to the metal shield may include a DC power source and an RF power source. An RF power source having better plasma power efficiency is preferable, and various frequencies may be used as the frequency, but 13.56 MHz may be most commonly used. have.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 투과율 측정부를 나타낸 단면도로, 도 2(a)는 윈도우 쉴드의 단부에 증착된 물질막 가공 부산물의 두께를 측정하는 그림이고, 도 2(b)는 윈도우 쉴드의 중심부에 증착된 물질막 가공 부산물의 두께를 측정하는 그림이다.2 is a cross-sectional view showing a transmittance measuring unit according to an embodiment of the present invention, Figure 2 (a) is a figure for measuring the thickness of the material film processing by-product deposited on the end of the window shield, Figure 2 (b) is a window This figure measures the thickness of material film processing by-product deposited in the center of the shield.

도 2를 참조하면, 투과율 측정부(162)는 윈도우 쉴드(150)를 향해 빛을 발광하는 발광부재(162a)와, 발광부재(162a)로부터 발광되어 윈도우 쉴드(150)를 투과한 빛을 수광하는 수광부재(162b)를 포함할 수 있다. 이때, 발광부재(162a)와 수광부재(162b)는 윈도우 쉴드(150)의 양면측에 제공되어 윈도우 쉴드(150)를 투과하는 빛의 투과율을 측정할 수 있다. 윈도우 쉴드(150)의 투과율을 측정하는 이유는 윈도우 쉴드(150)에 증착되는 물질막 가공 부산물(11)의 두께가 증가하거나 위치에 따라 불균일하게 될수록 윈도우 쉴드(150)의 투과율이 낮아지거나 변화하게 되므로 윈도우 쉴드(150)의 투과율을 측정하여 적절한 인시튜 세정 시기를 확인할 수 있기 때문이다. 윈도우 쉴드(150)를 투과하여 기판(10) 상의 물질막에 조사되는 레이저광(111)의 가공성은 윈도우 쉴드(150)의 투과율에 직접적으로 영향을 받게 되므로, 본 실시예와 같이 윈도우 쉴드(150)의 투과율 변화를 측정하여 인시튜 세정 시기를 결정하게 되는 경우에 보다 직접적이면서 효과적으로 최적의 인시튜 세정 시기를 판단할 수 있게 된다. 그리고 세정 공정 후 투과율 측정부(162)를 이용하여 레이저광(111)의 투과도가 레이저 가공 공정을 시작하기 이전의 상태로 회복되었는지 확인하여 세정이 잘 되었는지 혹은 추가의 세정이 더 필요한지를 판단할 수도 있다.Referring to FIG. 2, the transmittance measuring unit 162 receives the light emitting member 162a that emits light toward the window shield 150, and the light that is emitted from the light emitting member 162a and transmitted through the window shield 150. It may include a light receiving member 162b. In this case, the light emitting member 162a and the light receiving member 162b may be provided on both sides of the window shield 150 to measure the transmittance of light passing through the window shield 150. The reason for measuring the transmittance of the window shield 150 is that as the thickness of the material film processing by-product 11 deposited on the window shield 150 increases or becomes uneven depending on the position, the transmittance of the window shield 150 becomes lower or changes. This is because the appropriate in-situ cleaning time can be checked by measuring the transmittance of the window shield 150. The workability of the laser light 111 transmitted through the window shield 150 and irradiated onto the material film on the substrate 10 is directly affected by the transmittance of the window shield 150, and thus, as shown in the present embodiment, the window shield 150 In the case of determining the in-situ cleaning timing by measuring the change in transmittance, the optimum in-situ cleaning timing can be determined more directly and effectively. After the cleaning process, the transmittance measurement unit 162 may be used to determine whether the transmittance of the laser light 111 is restored to the state before starting the laser processing process, and may determine whether the cleaning is performed well or further cleaning is required. have.

한편, 투과율 측정부(162)는 레이저광(111)을 가리지 않도록 레이저광(111)의 경로에서 벗어나 설치될 수 있다. 이때, 레이저광(111)이 지나는 중심부와 외곽의 양단부에서 증착된 물질막 가공 부산물(11)에 의한 투과율 변화가 서로 차이가 날 수 있으므로 투과율 측정부(162)의 위치를 잘 결정하는 것이 중요하다. 여기서, 중심부와 양단부의 차이를 반영하여 간접적으로 중심부의 물질막 가공 부산물(11)에 의한 투과율 변화를 파악할 수도 있다.Meanwhile, the transmittance measuring unit 162 may be installed away from the path of the laser light 111 so as not to cover the laser light 111. In this case, it is important to determine the position of the transmittance measuring unit 162 well because the transmittance change by the material film processing by-products 11 deposited at both ends of the center and the outer edge of the laser light 111 may be different from each other. . Here, the change in transmittance caused by the material film processing by-product 11 of the central portion may be grasped indirectly by reflecting the difference between the central portion and both ends.

또한, 도 2(b)와 같이 발광부재(162a)와 수광부재(162b)를 레이저광(111)의 경로를 중심으로 서로 대칭되도록 배치하여 발광부재(162a)에서 나온 빛이 윈도우 쉴드(150)의 중심부를 지나 수광부재(162b)에 들어가게 할 수 있다. 이러한 경우 레이저광(111)의 경로에서 벗어나 설치되면서도 레이저광(111)이 지나는 윈도우 쉴드(150)의 중심부의 투과율을 측정할 수 있고, 이에 더 정확한 세정 시기를 판단할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2B, the light emitting member 162a and the light receiving member 162b are disposed to be symmetrical with respect to the path of the laser light 111 so that the light emitted from the light emitting member 162a is window shield 150. Pass through the center of the light receiving member 162b can be made to enter. In this case, the transmittance of the central portion of the window shield 150 through which the laser light 111 passes can be measured while being installed away from the path of the laser light 111, and thus a more accurate cleaning time can be determined.

한편, 두께 측정부(161)도 투과율 측정부(162)와 같이 레이저광(111)의 경로에서 벗어나 설치될 수 있다. 이때, 두께 측정부(161)도 중심부와 양단부의 증착률 (또는 증착량) 차이를 반영하여 간접적으로 중심부의 물질막 가공 부산물(11)의 두께를 파악할 수도 있다.Meanwhile, the thickness measuring unit 161 may also be installed away from the path of the laser light 111 like the transmittance measuring unit 162. In this case, the thickness measurement unit 161 may also indirectly determine the thickness of the material film processing by-product 11 of the central portion by reflecting the difference in deposition rate (or deposition amount) at the central portion and both ends.

상기 발광부재(162a)와 수광부재(162b)는 진공 챔버(120)의 외부에 배치될 수도 있는데, 챔버(120) 외부에 배치하기 위해서는 발광부재(162a)에서 발광된 빛이 윈도우(121)를 통해 투과되거나 상기 빛이 투과되기 위한 별도의 윈도우가 필요하다. 또한, 상기 발광부재(162a)와 수광부재(162b)를 챔버(120)의 외부에 배치하고 챔버(120) 내부에 반사수단을 제공하여 반사수단에 반사된 빛을 수광부재(162b)에서 받게 할 수도 있는데, 윈도우 쉴드(150) 혹은 윈도우(121)의 투과율을 측정할 수 있으면 족하고 구성방법에 특별한 제한은 없다. 한편, 발광부재(162a)에서 발광되는 빛의 파장은 레이저광(111)과 같거나 유사한 파장으로 선택될 수 있는데, 이러한 경우 레이저광(111)의 투과도 감쇄 정도를 보다 효과적으로 알 수 있다.
The light emitting member 162a and the light receiving member 162b may be disposed outside the vacuum chamber 120. In order to place the light emitting member 162a outside the chamber 120, the light emitted from the light emitting member 162a opens the window 121. There is a need for a separate window to transmit through or through the light. In addition, the light emitting member 162a and the light receiving member 162b are disposed outside the chamber 120 and provide a reflecting means inside the chamber 120 to receive the light reflected by the reflecting means from the light receiving member 162b. It is also possible, if the transmittance of the window shield 150 or the window 121 can be measured, there is no particular limitation on the configuration method. On the other hand, the wavelength of the light emitted from the light emitting member 162a may be selected to the same or similar to the wavelength of the laser light 111, in this case it is possible to more effectively know the degree of attenuation of the transmittance of the laser light 111.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 운용방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flow chart showing a method of operating a laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 운용방법을 보다 상세히 살펴보는데, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 장치와 관련하여 앞서 설명된 부분과 중복되는 사항들은 생략하도록 한다.A method of operating a laser processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3, and details overlapping with those described above with respect to the laser processing apparatus according to an exemplary embodiment will be omitted. do.

본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 운용방법은 레이저광을 방출하는 레이저광원부, 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버 및 상기 윈도우의 오염을 방지하는 윈도우 쉴드를 포함하는 레이저 가공 장치의 운용방법에 있어서, 물질막이 형성된 기판을 상기 챔버 내부로 로딩하는 단계; 상기 레이저광을 조사하여 상기 물질막을 가공하는 단계; 상기 챔버의 세정 시기를 판단하는 단계; 및 건식 식각방법으로 물질막의 가공 부산물을 제거하여 상기 챔버를 인시튜 세정하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a method of operating a laser processing apparatus includes a laser light source unit emitting a laser light, a chamber including a window into which the laser light is incident, and a window shield to prevent contamination of the window. A method of operating, the method comprising: loading a substrate on which a material film is formed into the chamber; Irradiating the laser light to process the material film; Determining a cleaning time of the chamber; And in-situ cleaning the chamber by removing the processing by-products of the material film by a dry etching method.

먼저 물질막이 형성된 기판을 챔버 내부로 로딩한다(S100). 예를 들어, 기판에 물질막을 증착한 이후 금속 전극막 증착을 하게 되는데, 금속 전극막 증착 전 콘택홀(contact hole) 형성을 위한 물질막 가공을 위해 기판이 챔버 내부에 로딩된다. 기판은 이동되어 로딩될 수도 있고, 물질막 증착이 이루어진 곳에서 물질막 가공 공정이 준비될 수도 있다.First, the substrate on which the material film is formed is loaded into the chamber (S100). For example, after depositing a material film on the substrate, metal electrode film deposition is performed, and the substrate is loaded into the chamber for processing a material film for forming a contact hole before deposition of the metal electrode film. The substrate may be moved and loaded, or the material film processing process may be prepared where the material film deposition is performed.

그 다음 레이저광원부에서 방출되는 레이저광을 조사하여 물질막을 가공한다(200). 레이저광을 조사하여 물질막을 가공하면, 플라즈마 건식 식각보다 미세하고 정밀한 가공이 가능해진다. 한편, 레이저광은 파장이 짧을수록 미세하고 정밀한 가공이 가능하여 가공 성능이 향상되는 효과가 있으며, 파장이 길수록 레이저광원부의 설비 비용이 저렴해지는 효과가 있는데, 이를 고려하여 레이저 가공 장치에 적합한 레이저광의 파장을 결정할 필요가 있다. 이 단계에서 레이저 가공에 의해 물질막의 가공 부산물이 비산되어 윈도우 쉴드 또는 챔버 내부가 오염된다.Then, the laser beam emitted from the laser light source unit is irradiated to process the material film (200). When the material film is processed by irradiation with laser light, finer and more precise processing is possible than plasma dry etching. On the other hand, the shorter the wavelength, the finer and more precise processing is possible, so that the processing performance is improved, and the longer the wavelength, the lower the installation cost of the laser light source unit, in consideration of this, It is necessary to determine the wavelength. In this step, processing by-products of the material film are scattered by laser processing, which contaminates the window shield or the inside of the chamber.

그리고 기판을 챔버로부터 언로딩하는 단계(S300)를 더 포함할 수 있다. 물질막의 레이저 가공이 완료되면 기판은 챔버로부터 언로딩되어 다음 공정으로 이동한다. 또한, 챔버의 세정시에도 기판을 챔버로부터 언로딩한 후 챔버를 세정하게 되는데, 챔버의 세정을 위해 플라즈마를 사용하기 때문에 기판에 형성되어 있는 물질막과 반응하지 않도록 기판을 챔버 밖으로 언로딩한다. 한편, 기판을 로딩한 채로 세정을 진행할 수도 있는데, 이러한 경우 기판을 플라즈마로부터 차단하는 셔터를 더 포함할 수 있다.The method may further include an unloading of the substrate from the chamber (S300). When the laser processing of the material film is completed, the substrate is unloaded from the chamber and moved to the next process. In addition, when the chamber is cleaned, the substrate is unloaded from the chamber and the chamber is cleaned. Since the plasma is used to clean the chamber, the substrate is unloaded out of the chamber so as not to react with the material film formed on the substrate. Meanwhile, the cleaning may be performed while the substrate is loaded. In this case, the shutter may further include a shutter to block the substrate from the plasma.

다음으로, 챔버의 세정 시기를 판단한다(S400). 판단 후 세정이 결정되지 않으면 후속 기판의 물질막 가공 공정이 시작되며, 세정이 결정되면 물질막 가공 공정은 잠시 중단되고 챔버 세정이 시작된다. 상기 세정 시기를 판단하는 단계(S400)에서는 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하여 챔버의 세정 시기를 판단할 수 있다. 윈도우 쉴드에 물질막의 가공 부산물이 두껍게 증착되어 있으면, 레이저광의 투과도가 떨어지게 되어 가공의 정밀도를 저하시키거나 가공의 성능을 약화시키게 된다. 이를 방지하고자, 윈도우 쉴드의 정확한 세정 시기를 아는 것이 필요한데, 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하여 윈도우 쉴드의 정확한 세정 시기를 알 수 있다. 물질막의 가공 부산물의 두께 측정은 두께 측정부에서 하게 되는데, 두께 측정부는 물질막의 가공 부산물에 노출되어 물질막의 가공 부산물이 증착되고 증착두께에 따라 변화되는 측정 주파수와 고유 주파수에 기초하여 증착두께를 실시간으로 측정하는 결정 센서(Crystal sensor)를 포함할 수 있다.Next, it is determined the cleaning time of the chamber (S400). If the cleaning is not determined after the determination, the material film processing process of the subsequent substrate is started. If the cleaning is determined, the material film processing process is stopped for a while and the chamber cleaning is started. In the determining of the cleaning timing (S400), the cleaning timing of the chamber may be determined by measuring the thickness of the processing by-product of the material film deposited on the window shield. If the by-products of the material film are thickly deposited on the window shield, the transmittance of the laser light may be deteriorated, thereby reducing the accuracy of the processing or deteriorating the processing performance. In order to prevent this, it is necessary to know the exact cleaning timing of the window shield, and the accurate cleaning timing of the window shield can be known by measuring the thickness of the processing by-products of the material film deposited on the window shield. The measurement of the thickness of the processing by-products of the material film is performed by the thickness measuring part. The thickness measuring part is exposed to the processing by-products of the material film to deposit the processing by-products of the material film, and the deposition thickness is measured in real time based on the measurement frequency and the natural frequency that change according to the deposition thickness. It may include a crystal sensor to measure as.

또한, 상기 세정 시기를 판단하는 단계(S400)에서는 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막의 가공 부산물에 의한 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 챔버의 세정 시기를 판단할 수 있다. 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막 가공 부산물의 두께가 증가하거나 위치에 따라 불균일하게 될수록 윈도우 쉴드의 투과율이 낮아지거나 변화하게 되므로 윈도우 쉴드의 투과율을 측정하여 적절한 인시튜 세정 시기를 결정할 수 있다. 윈도우 쉴드를 투과하여 기판 상의 물질막에 조사되는 레이저광의 가공성은 윈도우 쉴드의 투과율에 직접적으로 영향을 받게 되므로, 본 실시예와 같이 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 인시튜 세정 시기를 결정하게 되는 경우에 보다 직접적이면서 효과적으로 최적의 인시튜 세정 시기를 판단할 수 있게 된다. 한편, 윈도우 쉴드의 투과율을 측정하여 간접적으로 물질막 가공 부산물의 두께를 알 수도 있다. 윈도우 쉴드의 투과율은 투과율 측정부에서 측정하게 되는데, 투과율 측정부는 발광부재와 수광부재를 포함할 수 있다. 발광부재와 수광부재는 윈도우 쉴드의 양측에 설치되어 윈도우 쉴드를 투과하는 빛의 투과율을 측정할 수 있는데, 레이저광을 가리지 않도록 레이저광의 경로에서 벗어나 설치될 수 있다. 이때, 레이저광이 지나는 중심부와 외곽의 양단부에서 증착된 물질막 가공 부산물에 의한 투과율 변화가 서로 차이가 날 수 있으므로 투과율 측정부의 위치를 잘 결정하는 것이 중요하다. 여기서, 중심부와 양단부의 차이를 반영하여 간접적으로 중심부의 물질막 가공 부산물에 의한 투과율 변화를 파악할 수도 있다.In operation S400, the cleaning timing of the chamber may be determined by measuring a change in transmittance of the window shield due to processing by-products of the material film deposited on the window shield. As the thickness of the material film processing by-product deposited on the window shield increases or becomes uneven depending on the position, the transmittance of the window shield is lowered or changed, so that the appropriate in-situ cleaning timing may be determined by measuring the transmittance of the window shield. Since the machinability of the laser light transmitted through the window shield to the material film on the substrate is directly influenced by the transmittance of the window shield, when the in-situ cleaning time is determined by measuring the change in the transmittance of the window shield as in the present embodiment. This allows more direct and effective determination of the optimal in-situ cleaning timing. Meanwhile, the transmittance of the window shield may be measured to indirectly determine the thickness of the material film processing by-product. The transmittance of the window shield is measured by the transmittance measuring unit, and the transmittance measuring unit may include a light emitting member and a light receiving member. The light emitting member and the light receiving member may be installed at both sides of the window shield to measure the transmittance of the light passing through the window shield, and may be installed off the path of the laser light so as not to obstruct the laser light. In this case, it is important to determine the position of the transmittance measurement unit because the change in transmittance due to the material film processing by-products deposited at both ends of the center and the outer edge of the laser light may be different from each other. Here, the change in transmittance caused by the material film processing by-products in the center may be indirectly reflected by the difference between the center and both ends.

그리고 세정이 잘 되었는지를 판단하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 세정 공정 후 투과율 측정부를 이용하여 레이저광의 투과도가 레이저 가공 공정을 시작하기 이전의 상태로 회복되었는지 확인하여 세정이 잘 되었는지 혹은 추가의 세정이 더 필요한지를 판단할 수 있다.And it may further comprise the step of determining whether the cleaning is good. After the cleaning process, the transmittance measuring unit may be used to determine whether the laser beam transmittance is restored to the state prior to the start of the laser processing process to determine whether the cleaning is performed well or further cleaning is required.

마지막으로, 건식 식각방법으로 물질막의 가공 부산물을 제거하여 챔버를 인시튜 세정한다(S500). 본 발명에서는 챔버를 오픈하지 않고 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 물질막 가공 부산물을 제거할 수 있는데, 플라즈마로 챔버 내부 전체를 세정할 수도 있고, 물질막의 가공 부산물이 증착된 윈도우 쉴드와 쉴드만을 세정할 수도 있다. 물질막은 유기발광소자(OLED) 등의 유기전자소자를 구성하는 유기막을 포함할 수 있는데, 물질막이 유기막일 경우 유기막 가공 부산물에 포함된 탄소(C)로 인해 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 산소 플라즈마를 발생시켜 유기막의 가공 부산물을 제거할 수 있고, 오존(O3)을 이용하여 유기막의 가공 부산물을 제거할 수도 있다. 여기서, 오존(O3)은 산소 분자(O2)에 활성 산소(O)가 작용해서 생성된 것으로, 불안정하여 2원자의 산소(O2)로 분해되려는 경향이 있어 강한 산화력을 가지기 때문에 유기막 가공 부산물에 포함된 탄소(C)와 쉽게 반응하게 된다. 하지만, 유기막의 가공 부산물과의 반응성은 산소 플라즈마가 오존(O3)보다 뛰어나다. 이에 상기 인시튜 세정하는 단계(S500)에서 챔버 내부에 산소 플라즈마 또는 오존을 발생시켜 유기막의 가공 부산물을 제거할 수 있는데, 산소 플라즈마를 발생시키기 위해 산소 플라즈마 발생기를 이용할 수 있고, 오존을 발생시키기 위해 오존 발생기를 이용할 수 있다. 이렇게 발생된 산소 플라즈마 또는 오존에 의해 산소와 유기막 가공 부산물에 포함된 탄소가 결합하여 유기막 가공 부산물이 제거(또는 세정)된다. 이처럼, 챔버 내부에 산소 플라즈마 또는 오존을 발생시켜 유기막의 가공 부산물을 제거할 수 있고, 산소 플라즈마 또는 오존을 발생시키기 위해 챔버 내부에 제공되는 산소 플라즈마 발생기 또는 오존 발생기를 이용할 수 있다.Finally, the by-products of the material film are removed by a dry etching method to clean the chamber in-situ (S500). In the present invention, the plasma can be generated inside the chamber without opening the chamber to remove the material film processing by-products. The plasma may clean the entire inside of the chamber, and only the window shield and the shield on which the processing film of the material film is deposited may be cleaned. It may be. The material film may include an organic film constituting an organic electronic device such as an organic light emitting diode (OLED). When the material film is an organic film, oxygen atoms (O) are introduced into the chamber due to carbon (C) included in the organic film processing by-product. Processing by-products of the organic film may be removed by generating an oxygen plasma, and processing by-products of the organic film may be removed using ozone (O 3 ). Here, ozone (O 3 ) is produced by the action of active oxygen (O) on the oxygen molecule (O 2 ), which is unstable and tends to decompose into oxygen of two atoms (O 2 ), and thus has a strong oxidizing power and thus an organic film. Easily reacts with carbon (C) in processing byproducts. However, the reactivity with processing by-products of the organic film is higher in oxygen plasma than ozone (O 3 ). Therefore, in the in-situ cleaning step (S500), oxygen plasma or ozone may be generated inside the chamber to remove processing by-products of the organic film. An oxygen plasma generator may be used to generate oxygen plasma, and to generate ozone. An ozone generator can be used. The oxygen plasma or ozone generated in this way combines oxygen and carbon contained in the organic film processing by-products to remove (or clean) the organic film processing by-products. As such, oxygen plasma or ozone may be generated inside the chamber to remove processing by-products of the organic film, and an oxygen plasma generator or ozone generator provided inside the chamber may be used to generate oxygen plasma or ozone.

상기 인시튜 세정하는 단계(S500)에서는 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막의 가공 부산물을 제거하여 레이저광의 투과도를 확보할 수 있다. 윈도우 쉴드에 물질막의 가공 부산물이 증착되어 레이저광의 투과도가 저하되는 것을 방지하기 위해 윈도우 쉴드의 투과율이 기준값 이하가 되면 인시튜 세정하게 되는데, 인시튜 세정의 주된 목적은 레이저광의 투과도를 확보하기 위함이다. 이에 인시튜 세정에서 플라즈마를 이용해 윈도우 쉴드에 증착된 물질막의 가공 부산물을 완벽히 제거할 수 있으므로 레이저광의 투과도를 확보할 수 있다.In the in-situ cleaning step (S500), by-products of the material film deposited on the window shield may be removed to secure the transmittance of the laser light. In order to prevent the by-products of the material film from being deposited on the window shield, the transmittance of the window shield is reduced in-situ when the transmittance of the window shield is lower than the reference value. The main purpose of the in-situ cleaning is to ensure the transmittance of the laser light. . Accordingly, in-situ cleaning can completely remove processing by-products of the material film deposited on the window shield using plasma, thereby ensuring the transmittance of the laser light.

한편, 윈도우 쉴드와 쉴드로 물질막의 가공 부산물이 비산되는 면적을 제한하여 세정 영역을 줄이고, 이러한 세정 영역에 맞게 플라즈마를 발생시켜 효과적으로 윈도우 쉴드 및 쉴드를 세정할 수 있으며, 이러한 윈도우 쉴드 및 쉴드의 세정만으로 챔버 세정효과를 얻을 수도 있다.
Meanwhile, the window shield and the shield reduce the cleaning area by limiting the area where material by-products of the material film are scattered, and plasma can be generated to suit the cleaning area, thereby effectively cleaning the window shield and the shield, and cleaning the window shield and the shield. Only the chamber cleaning effect can be obtained.

이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법을 보다 상세히 살펴보는데, 본 발명의 실시예들에 따른 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 장치의 운용방법과 관련하여 앞서 설명된 부분과 중복되는 사항들은 생략하도록 한다.Hereinafter, the in-situ cleaning method of the laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention will be described in more detail. The above-described parts related to the laser processing apparatus and the operating method of the laser processing apparatus according to the embodiments of the present invention will be described. Omit the duplicates from.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법은 기판 상에 형성된 유기막에 레이저광을 조사하여 상기 유기막을 가공하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정 방법에 있어서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 유기막을 가공하는 공정을 수행한 챔버 내부로 산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급하는 단계; 상기 챔버 내부에 배치되는 한 쌍의 전극에 RF 전원을 인가하여 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 산소 플라즈마를 이용하여 상기 유기막의 레이저 가공 중에 발생되어 상기 챔버 내부에 잔류하는 가공 부산물을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In-situ cleaning method of the laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention, in the in-situ cleaning method of the laser processing apparatus for irradiating the organic film formed on the substrate to process the organic film, the irradiation of the laser light Supplying a process gas containing oxygen atoms into a chamber in which the process of processing the organic film is performed; Generating an oxygen plasma with the process gas by applying RF power to a pair of electrodes disposed inside the chamber; And removing processing by-products generated during laser processing of the organic layer using the oxygen plasma and remaining in the chamber.

OLED 소자의 제작 공정에서 기판에 유기막을 증착한 후 이들 유기막의 하부에 있는 전극을 노출시키기 위하여 상기 유기막을 상기 레이저로 가공한다. 그리고 상기 레이저 가공에 의해 유기막의 하부 전극이 드러나면 유기막의 하부 전극에 접촉되도록 금속막을 증착하게 된다. 여기서, 상기 레이저 가공시에 유기막에서 떨어져 나온 유기막의 가공 부산물이 발생하게 되는데, 본 발명에서는 이러한 유기막의 가공 부산물을 내부에서 발생되는 산소 플라즈마를 이용하여 제거할 수 있다.After the organic film is deposited on the substrate in the fabrication process of the OLED device, the organic film is processed by the laser to expose the electrode under the organic film. When the lower electrode of the organic layer is exposed by the laser processing, the metal layer is deposited to contact the lower electrode of the organic layer. Here, the processing by-products of the organic film separated from the organic film is generated during the laser processing. In the present invention, the processing by-products of the organic film may be removed using an oxygen plasma generated therein.

상기 레이저광은 UV 대역의 파장의 광을 포함할 수 있는데, 대부분의 유기물질들은 가시광 영역대의 파장에서 흡수를 하기 때문에 최소한 근자외선(Near UV)을 사용하여야 모든 유기물들을 가공(또는 식각)할 수 있게 된다.The laser light may include light having a wavelength in the UV band, and since most organic materials absorb at a wavelength in the visible region, at least near UV should be used to process (or etch) all organic materials. Will be.

먼저, 레이저광의 조사에 의해서 유기막을 가공하는 공정을 수행한 챔버 내부로 산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급한다. 상기 공정가스는 산소, 오존, 일산화질소 및 이산화질소 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 이에 한정되지 않고 산소 원자를 포함하므로 한 쌍의 전극에 RF 전원을 인가하였을 때 산소 플라즈마가 발생될 수 있으면 족하다.First, a process gas containing oxygen atoms is supplied into a chamber in which an organic film is processed by laser light irradiation. The process gas may include at least one selected from oxygen, ozone, nitrogen monoxide, and nitrogen dioxide, and the present invention is not limited thereto, and includes oxygen atoms, so that an oxygen plasma may be generated when RF power is applied to a pair of electrodes. It is enough.

그 다음 챔버 내부에 배치되는 한 쌍의 전극에 RF 전원을 인가하여 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시킨다. 유기막의 가공 부산물은 탄소(C)를 포함하고 있기 때문에 산소 이온(O)을 포함하는 산소 플라즈마를 발생시킨다.An RF plasma is then applied to the pair of electrodes disposed inside the chamber to generate an oxygen plasma with the process gas. Since the processing by-product of the organic film contains carbon (C), an oxygen plasma containing oxygen ions (O) is generated.

다음으로, 산소 플라즈마를 이용하여 유기막의 레이저 가공 중에 발생되어 상기 챔버 내부에 잔류하는 가공 부산물을 제거한다. 유기막의 가공 부산물에 포함된 탄소에 의해 산소 이온을 포함하는 산소 플라즈마를 이용하여 유기막의 가공 부산물을 제거할 수 있다. 이때, 챔버 내부 또는 윈도우 쉴드에 증착된 유기막의 가공 부산물을 제거한다.Next, processing by-products generated during laser processing of the organic film using the oxygen plasma and remaining inside the chamber are removed. The processing by-products of the organic membrane may be removed by using an oxygen plasma containing oxygen ions by carbon included in the processing by-products of the organic membrane. At this time, processing by-products of the organic film deposited in the chamber or the window shield are removed.

레이저 가공 장치는 상기 레이저광이 투과하는 윈도우와 상기 윈도우를 보호하는 윈도우 쉴드를 포함하고, 상기 가공 부산물은 상기 윈도우 또는 상기 윈도우 쉴드 상에 증착된 것일 수 있다. 레이저 가공 장치를 인시튜 세정하는 주된 목적을 레이저광의 투과도를 확보하기 위함이기 때문에 인시튜 세정으로 상기 윈도우 또는 상기 윈도우 쉴드 상에 증착된 가공 부산물을 주로 제거한다.The laser processing apparatus may include a window through which the laser light passes and a window shield protecting the window, and the processing by-product may be deposited on the window or the window shield. In-situ cleaning mainly removes processing by-products deposited on the window or the window shield because the main purpose of in-situ cleaning of the laser processing apparatus is to ensure the transmittance of the laser light.

그리고 유기막의 가공 부산물이 잘 제거되었는지(즉, 인시튜 세정이 잘 되었는지)를 판단하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 유기막의 가공 부산물을 제거 후 챔버 윈도우 및 윈도우 쉴드의 투과율을 측정하는 투과율 측정부를 이용하여 레이저광의 투과도가 레이저 가공 공정을 시작하기 이전의 상태로 회복되었는지 확인하여 유기막의 가공 부산물이 잘 제거되었는지 혹은 추가의 인시튜 세정이 더 필요한지를 판단할 수 있다.
The method may further include determining whether the processing by-products of the organic film are well removed (that is, the in-situ cleaning is well performed). After removing the processing by-products of the organic membrane, use the transmittance measuring unit for measuring the transmittances of the chamber window and the window shield to confirm that the transmittance of the laser light is restored to the state before the start of the laser processing process. It may be determined whether further cleaning in situ is necessary.

이처럼, 본 발명에 따른 레이저 가공 장치는 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 건식 식각방법으로 물질막의 가공 부산물을 제거하기 때문에 인시튜 세정이 가능하고, 이에 챔버의 오픈 또는 각종 부품의 교체없이 쉽게 챔버를 세정할 수 있다. 또한, 윈도우 쉴드를 설치하여 레이저광이 입사되는 챔버의 윈도우가 오염되는 것을 방지할 수 있고, 윈도우 쉴드에 증착되는 물질막 가공 부산물의 두께를 측정하거나 물질막 가공 부산물에 의한 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 챔버의 세정 시기를 판단할 수도 있다. 그리고 플라즈마 발생부의 외측에 쉴드를 설치하여 물질막 가공 부산물에 의한 플라즈마 발생부의 오염이나 고장을 방지할 수 있다. 한편, 윈도우 쉴드와 쉴드로 물질막의 가공 부산물이 비산되는 면적을 제한하여 세정 영역을 줄일 수 있고, 이러한 세정 영역에 맞게 플라즈마를 발생시켜 효과적으로 윈도우 쉴드 및 쉴드를 세정할 수 있으며, 이러한 윈도우 쉴드 및 쉴드의 세정만으로 챔버 세정효과를 얻을 수도 있다. 또한, 레이저광을 조사하여 유기막을 가공함으로써 플라즈마 건식 식각보다 미세하고 정밀한 가공이 가능하고, 인시튜 세정으로 레이저광의 투과도를 확보할 수 있으므로 가공의 정밀도와 생산성이 향상될 수 있다.
As such, the laser processing apparatus according to the present invention generates plasma within the chamber to remove the processing by-products of the material film by a dry etching method, thereby enabling in-situ cleaning, thereby easily cleaning the chamber without opening the chamber or replacing various components. can do. In addition, a window shield may be installed to prevent contamination of the window of the chamber into which the laser light is incident, and to measure the thickness of the material film processing by-product deposited on the window shield or to change the transmittance of the window shield by the material film processing by-product. The measurement may also determine the timing of cleaning the chamber. In addition, a shield may be provided outside the plasma generation unit to prevent contamination or failure of the plasma generation unit by the material film processing by-products. On the other hand, the window shield and the shield can reduce the cleaning area by limiting the area by which the processing by-product of the material film is scattered, and can generate the plasma to suit the cleaning area to effectively clean the window shield and the shield, such a window shield and shield The chamber cleaning effect can be obtained only by the cleaning of. In addition, by processing the organic film by irradiating the laser light, finer and more precise processing is possible than plasma dry etching, and the transparency of the laser light can be secured by in-situ cleaning, thereby improving the accuracy and productivity of the processing.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the general knowledge in the field of the present invention belongs without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the technical protection scope of the present invention will be defined by the claims below.

10 : 기판 11 : 물질막 가공 부산물
100 : 레이저 가공 장치 110 : 레이저광원부
111 : 레이저광 120 : 챔버
121 : 윈도우 130 : 기판 지지대
140 : 플라즈마 발생부 150 : 윈도우 쉴드
161 : 두께 측정부 162(162a, 162b) : 투과율 측정부
170(171, 172) : 쉴드10 substrate 11 material film processing by-product
100: laser processing apparatus 110: laser light source
111 laser beam 120 chamber
121: window 130: substrate support
140: plasma generating unit 150: window shield
161: thickness measuring unit 162 (162a, 162b): transmittance measuring unit
170 (171, 172): Shield

Claims (17)

레이저광을 방출하는 레이저광원부;
적어도 일면에 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버;
상기 챔버 내부에 제공되고, 상기 레이저광에 의해 가공되는 물질막이 형성된 기판이 지지되는 기판 지지대;
상기 레이저광이 투과되며, 상기 기판과 상기 윈도우의 사이에 배치되는 윈도우 쉴드; 및
상기 윈도우 쉴드와 상기 기판 지지대 사이에 배치되며, 플라즈마를 발생시켜, 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물을 제거하여 세정하는 플라즈마 발생부를 포함하고,
상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하는 두께 측정부 또는 상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하는 투과율 측정부를 더 포함하며,
상기 플라즈마 발생부는 상기 레이저광의 경로를 중심으로 대칭되어 배치되는 전극을 포함하고,
상기 두께 측정부 또는 상기 투과율 측정부는 측정된 상기 물질막의 가공 부산물의 두께 또는 상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 통해 상기 윈도우 쉴드의 세정 시기를 결정하며,
상기 플라즈마 발생부는 결정된 상기 윈도우 쉴드의 세정 시기에 상기 플라즈마를 발생시켜 상기 윈도우 쉴드에 증착된 상기 물질막의 가공 부산물을 제거하는 레이저 가공 장치.
A laser light source unit for emitting laser light;
A chamber including a window in which the laser light is incident on at least one surface;
A substrate support provided in the chamber and supporting a substrate on which a material film processed by the laser light is formed;
A window shield through which the laser light is transmitted and disposed between the substrate and the window; And
A plasma generator disposed between the window shield and the substrate support and generating a plasma to remove and clean processing by-products of the material film deposited on the window shield;
Further comprising a thickness measuring unit for measuring the thickness of the by-products of the material film deposited on the window shield or transmittance measuring unit for measuring the change in transmittance of the window shield,
The plasma generation unit includes an electrode symmetrically disposed about the path of the laser light,
The thickness measuring unit or the transmittance measuring unit determines the cleaning time of the window shield through the measured thickness of the processing by-product of the material film or the transmittance of the window shield,
And the plasma generating unit generates the plasma at the determined cleaning time of the window shield to remove processing by-products of the material film deposited on the window shield.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 투과율 측정부는 상기 윈도우 쉴드를 향해 빛을 발광하는 발광부재와, 상기 발광부재로부터 발광되어 상기 윈도우 쉴드를 투과한 빛을 수광하는 수광부재를 포함하는 레이저 가공 장치.
The method according to claim 1,
The transmittance measuring unit includes a light emitting member for emitting light toward the window shield and a light receiving member for emitting light emitted from the light emitting member and passing through the window shield.
청구항 1에 있어서,
상기 두께 측정부 또는 상기 투과율 측정부는 상기 레이저광의 경로에서 벗어나 설치되는 레이저 가공 장치.
The method according to claim 1,
And the thickness measuring unit or the transmittance measuring unit is installed away from the path of the laser light.
청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 발생부는 상기 레이저광의 경로를 중심으로 대칭을 이루어 플라즈마를 발생시키는 레이저 가공 장치.
The method according to claim 1,
The plasma generating unit is a laser processing device for generating a plasma symmetrical with respect to the path of the laser light.
청구항 1에 있어서,
상기 물질막은 유기막을 포함하며,
산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급하는 가스공급부를 더 포함하고,
상기 플라즈마 발생부는 공급되는 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시키는 레이저 가공 장치.
The method according to claim 1,
The material film includes an organic film,
Further comprising a gas supply for supplying a process gas containing an oxygen atom,
And the plasma generating unit generates an oxygen plasma with the supplied process gas.
청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 발생부의 상기 기판을 향하는 면과 상기 레이저광의 경로를 향하는 면에 상기 물질막의 가공 부산물에 의한 오염을 방지하는 쉴드를 더 포함하는 레이저 가공 장치.
The method according to claim 1,
And a shield for preventing contamination by processing by-products of the material film on a surface facing the substrate and a surface facing the path of the laser beam of the plasma generator.
레이저광을 방출하는 레이저광원부, 상기 레이저광이 입사되는 윈도우를 포함하는 챔버 및 상기 윈도우의 오염을 방지하는 윈도우 쉴드를 포함하는 레이저 가공 장치의 운용방법에 있어서,
물질막이 형성된 기판을 상기 챔버 내부로 로딩하는 단계;
상기 레이저광을 조사하여 상기 물질막을 가공하는 단계;
상기 챔버의 세정 시기를 판단하는 단계; 및
건식 식각방법으로 상기 윈도우 쉴드에 증착된 상기 물질막의 가공 부산물을 제거하여 상기 챔버를 인시튜 세정하는 단계를 포함하고,
상기 세정 시기를 판단하는 단계에서는 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물의 두께를 측정하거나, 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 물질막의 가공 부산물에 의한 상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 상기 챔버의 세정 시기를 판단하며,
상기 인시튜 세정하는 단계에서는 판단된 상기 윈도우 쉴드의 세정 시기에 상기 챔버 내부에 상기 레이저광의 경로를 중심으로 대칭되어 배치되는 전극으로 플라즈마를 발생시켜, 상기 윈도우 쉴드에 증착된 상기 물질막의 가공 부산물을 제거하여 세정하는 레이저 가공 장치의 운용방법.
In the operating method of the laser processing apparatus comprising a laser light source for emitting a laser light, a chamber including a window into which the laser light is incident and a window shield to prevent contamination of the window,
Loading a substrate on which a material film is formed into the chamber;
Irradiating the laser light to process the material film;
Determining a cleaning time of the chamber; And
Removing the processing by-products of the material film deposited on the window shield by a dry etching method, and in-situ cleaning the chamber;
In the determining of the cleaning timing, the thickness of the processing by-product of the material film deposited on the window shield is measured, or the change in transmittance of the window shield by the processing by-product of the material film deposited on the window shield is measured. Determine when to clean,
In the in-situ cleaning step, plasma is generated by electrodes disposed symmetrically about the path of the laser light inside the chamber at the determined cleaning time of the window shield, thereby processing processing by-products of the material film deposited on the window shield. Operation method of the laser processing apparatus to remove and clean.
삭제delete 삭제delete 청구항 10에 있어서,
상기 물질막은 유기막을 포함하고,
상기 인시튜 세정하는 단계에서,
상기 챔버 내부에 산소 플라즈마를 발생시켜 상기 유기막의 가공 부산물을 제거하는 레이저 가공 장치의 운용방법.
The method according to claim 10,
The material film includes an organic film,
In the in-situ cleaning step,
A method of operating a laser processing apparatus for generating an oxygen plasma inside the chamber to remove processing by-products of the organic film.
기판 상에 형성된 유기막에 레이저광을 조사하여 상기 유기막을 가공하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정 방법에 있어서,
상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 유기막을 가공하는 공정을 수행한 챔버 내부로 산소 원자를 포함하는 공정가스를 공급하는 단계;
상기 챔버 내부에 상기 레이저광의 경로를 중심으로 대칭되어 배치되는 한 쌍의 전극에 RF 전원을 인가하여 상기 공정가스로 산소 플라즈마를 발생시키는 단계; 및
상기 산소 플라즈마를 이용하여 상기 유기막의 레이저 가공 중에 발생되어 상기 챔버 내부에 잔류하는 가공 부산물을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 레이저 가공 장치는 상기 레이저광이 투과하는 윈도우와 상기 윈도우를 보호하는 윈도우 쉴드를 포함하며,
상기 가공 부산물은 상기 윈도우 쉴드 상에 증착된 것이고,
상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 가공 부산물의 두께를 측정하거나, 상기 윈도우 쉴드에 증착되는 상기 가공 부산물에 의한 상기 윈도우 쉴드의 투과율 변화를 측정하여 상기 챔버의 세정 시기를 판단하는 단계;를 더 포함하고,
상기 레이저 가공 장치의 인시튜 세정은 판단된 상기 윈도우 쉴드의 세정 시기에 상기 윈도우 쉴드에 증착된 상기 가공 부산물을 제거하여 세정하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법.
In the in-situ cleaning method of the laser processing apparatus which irradiates a laser beam to the organic film formed on the board | substrate, and processes the said organic film,
Supplying a process gas containing oxygen atoms into a chamber in which the process of processing the organic film is performed by irradiation of the laser light;
Generating an oxygen plasma with the process gas by applying RF power to a pair of electrodes arranged symmetrically about the path of the laser light in the chamber; And
Removing the processing by-products generated during laser processing of the organic layer using the oxygen plasma and remaining in the chamber;
The laser processing apparatus includes a window through which the laser light passes and a window shield protecting the window,
The processing byproduct is deposited on the window shield,
Determining a cleaning time of the chamber by measuring a thickness of the processing by-product deposited on the window shield or measuring a change in transmittance of the window shield by the processing by-product deposited on the window shield;
In-situ cleaning of the laser processing apparatus is in-situ cleaning method of the laser processing apparatus to remove the processing by-products deposited on the window shield at the determined cleaning time of the window shield.
청구항 14에 있어서,
상기 레이저광은 UV 대역의 파장의 광을 포함하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법.
The method according to claim 14,
The laser light is in-situ cleaning method of the laser processing apparatus including the light of the wavelength of the UV band.
청구항 14에 있어서,
상기 공정가스는 산소, 오존, 일산화질소 및 이산화질소 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 레이저 가공 장치의 인시튜 세정방법.
The method according to claim 14,
The process gas is in-situ cleaning method of a laser processing apparatus comprising at least one selected from oxygen, ozone, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide.
삭제delete
KR1020150021027A 2015-02-11 2015-02-11 Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same KR102007868B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150021027A KR102007868B1 (en) 2015-02-11 2015-02-11 Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150021027A KR102007868B1 (en) 2015-02-11 2015-02-11 Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160099165A KR20160099165A (en) 2016-08-22
KR102007868B1 true KR102007868B1 (en) 2019-08-07

Family

ID=56854697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150021027A KR102007868B1 (en) 2015-02-11 2015-02-11 Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102007868B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102654945B1 (en) * 2019-09-03 2024-04-03 삼성전자주식회사 Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080075613A (en) 2007-02-13 2008-08-19 주식회사 코윈디에스티 Treatment method of processing residue and origination gas by laser processing and treatment apparatus
KR20080089021A (en) * 2007-03-30 2008-10-06 주식회사 하이닉스반도체 Plasma etching apparatus and method for cleaning the same
KR101484273B1 (en) * 2008-07-07 2015-01-20 위순임 Plasma reactor and substrate processing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160099165A (en) 2016-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6197641B2 (en) Vacuum ultraviolet irradiation treatment equipment
US11525946B2 (en) Method for in situ protection of an aluminum layer and optical arrangement for the VUV wavelength range
US20110284163A1 (en) Plasma processing apparatus
KR102007868B1 (en) Apparatus for laser machining, Method for operating and in-situ cleaning the same
JP2009212346A (en) Plasma doping method and apparatus
JP5239000B2 (en) Ozone concentration measuring device
JP5381607B2 (en) Extreme ultraviolet light equipment
JP7265493B2 (en) Apparatus and method for measuring information
JP5987815B2 (en) Ashing method and ashing apparatus
TWI801596B (en) Laser processing device
JP4855625B2 (en) Observation window of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus
JP2006100804A5 (en)
US20230044618A1 (en) Ultraviolet and ozone clean system
JP6055348B2 (en) Analysis method using ICP emission spectroscopic analyzer
JP4860336B2 (en) Vacuum processing equipment
JP6102842B2 (en) Desmear processing method and desmear processing apparatus
KR100641309B1 (en) Excimer lamp irradiation apparatus and method of using the same
JP5987522B2 (en) Template cleaning light irradiation apparatus, nanoimprint apparatus, template cleaning method, and pattern forming method
JP7394379B2 (en) Laser processing equipment and laser processing method
JP5601551B2 (en) Light irradiation device
JP5827941B2 (en) Laser processing apparatus and control method thereof
Singh et al. Study on effective laser cleaning method to remove carbon layer from a gold surface
KR101068127B1 (en) Cleanning device using eximer ultraviolet lay
WO2008023460A1 (en) Method for preventing contamination of reflection mirror for extreme ultraviolet light source, and exposure apparatus
JP6459578B2 (en) Optical processing apparatus and optical processing method

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant