KR101973194B1 - Battery cell assembly - Google Patents

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Abstract

전지셀 어셈블리는 플라스틱 시트, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전도성 패드들, 제 1 및 제 2 저항 트레이스들, 감지 회로, 프로세서, 및 전기 커넥터를 포함하고 있는 박막 센서 어셈블리를 포함하고 있다. 상기 플라스틱 시트는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하고 있다. 상기 플라스틱 시트는 제 1 및 제 2 시트부들, 제 1 연결부, 및 제 1, 제 2, 및 제 3 탭들을 더 포함하고 있다. 상기 제 1 연결부는 제 1 및 제 2 시트부들 사이에 연결되어 있다. 상기 제 1 및 제 2 저항 트레이스들은 제 1 및 제 2 시트부들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있다. 상기 제 1 및 제 2 전도성 패드들은 제 1 면 상에서, 제 1 및 제 2 탭들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있다.The battery cell assembly includes a thin film sensor assembly including a plastic sheet, first, second, third, and fourth conductive pads, first and second resistance traces, sensing circuitry, a processor, and an electrical connector have. The plastic sheet includes a first surface and a second surface. The plastic sheet further includes first and second sheet portions, a first connection portion, and first, second, and third tabs. The first connecting portion is connected between the first and second sheet portions. The first and second resistance traces are directly on and connected to the first and second sheet portions, respectively. The first and second conductive pads are directly on the first surface and directly on the first and second taps, respectively.

Description

전지셀 어셈블리Battery cell assembly

본 발명은 전지셀 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a battery cell assembly.

본 출원은 2015.08.20 일자 미국 특허 출원 제14/831,120호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 미국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.This application claims the benefit of priority based on U.S. Patent Application No. 14 / 831,120, dated August 20, 2015, the disclosure of which is incorporated herein by reference in its entirety.

종래의 전지셀 어셈블리는 전지셀들의 온도 수준 및 전압을 정확하게 결정하기가 용이하지 않으며, 이러한 전지셀들의 온도 수준 및 전압을 결정하기 위해, 보다 복잡한 구조의 측정 수단 내지 결정 수단을 사용해야 하는 문제점이 있었다.The conventional battery cell assembly is not easy to accurately determine the temperature level and the voltage of the battery cells and there is a problem in that a more complicated structure of measurement means or determination means has to be used in order to determine the temperature level and voltage of the battery cells .

따라서, 본 출원의 발명자들은 전지셀들의 온도 수준 및 전압을 결정하기 위해, 복수의 전지셀들에 직접 연결된 박막 센서 어셈블리(thin sensor assembly)를 사용하는 전지셀 어셈블리의 필요성을 확인하였다.Thus, the inventors of the present application have identified the need for a battery cell assembly that uses a thin sensor assembly directly connected to a plurality of battery cells to determine the temperature level and voltage of the battery cells.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art and the technical problems required from the past.

본 출원의 발명자들은 심도 있는 연구와 다양한 실험을 거듭한 끝에, 이후 설명하는 바와 같이, 전지셀 어셈블리가 전지셀들의 온도 수준 및 전압 수준을 결정하기 위해, 적층된 전지셀들 사이에 유연한 플라스틱 시트를 포함하고 있는 박막 센서 어셈블리를 사용함으로써, 보다 간소화된 구조로 전지셀들의 온도 수준 및 전압 수준을 용이하게 결정할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The inventors of the present application have conducted intensive research and various experiments and have found that a battery cell assembly can provide a flexible plastic sheet between stacked battery cells in order to determine a temperature level and a voltage level of the battery cells It is possible to easily determine the temperature level and the voltage level of the battery cells with a simplified structure by using the thin film sensor assembly including the thin film sensor assembly.

실시예에 따른 전지셀 어셈블리가 제공된다. 상기 전지셀 어셈블리는 플라스틱 시트, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전도성 패드들(conductive pads), 제 1 및 제 2 저항 트레이스들(resistive traces), 감지 회로(sensing circuit), 마이크로프로세서, 및 전기 커넥터를 포함하고 있는 박막 센서 어셈블리를 포함하고 있다. 상기 플라스틱 시트는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하고 있다. 상기 플라스틱 시트는 제 1 및 제 2 시트부들(sheet portions), 제 1 연결부(connecting portion), 및 제 1, 제 2, 및 제 3 탭들(tabs)을 더 포함하고 있다. 상기 제 1 연결부는 제 1 및 제 2 시트부들 사이에 연결되어 있다. 상기 제 1 및 제 2 저항 트레이스들은 제 1 및 제 2 시트부들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있다. 상기 제 1 및 제 2 전도성 패드들은 제 1 면 상에서, 제 1 및 제 2 탭들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있다. 상기 제 3 전도성 패드는 제 2 면 상에서, 제 2 탭 상에 위치하여 연결되어 있다. 상기 제 3 전도성 패드는 제 2 전도성 패드에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 제 4 전도성 패드는 제 2 면 상에서, 제 3 탭 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 상기 마이크로프로세서는 제 1 및 제 2 시트부들 중에서 적어도 하나에 연결되어 있다. 상기 마이크로프로세서는 감지회로 및 전기 커넥터에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 감지 회로는 제 1 및 제 2 시트부들 중에서 적어도 하나에 연결되어 있다. 상기 감지 회로는 제 1 및 제 2 저항 트레이스들에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 전지셀 어셈블리는 제 1 하우징과 상기 제 1 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하는 제 1 전지셀을 더 포함하고 있다. 상기 제 1 하우징은 제 1 시트부와 제 1 면(side) 상에 직접 위치한다. 상기 제 1 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 1 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 상기 제 1 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 2 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 상기 전지셀 어셈블리는 제 2 하우징과 상기 제 2 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하는 제 2 전지셀을 더 포함하고 있다. 상기 제 2 하우징은 제 2 시트부와 제 2 면 상에 직접 위치한다. 상기 제 2 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 3 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 상기 제 2 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 4 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있다.A battery cell assembly according to an embodiment is provided. The battery cell assembly includes a plastic sheet, first, second, third, and fourth conductive pads, first and second resistive traces, a sensing circuit, a microprocessor, And a thin film sensor assembly including an electrical connector. The plastic sheet includes a first surface and a second surface. The plastic sheet further comprises first and second sheet portions, a first connecting portion, and first, second, and third tabs. The first connecting portion is connected between the first and second sheet portions. The first and second resistance traces are directly on and connected to the first and second sheet portions, respectively. The first and second conductive pads are directly on the first surface and directly on the first and second taps, respectively. The third conductive pad is located on and connected to the second tab on the second surface. The third conductive pad is electrically connected to the second conductive pad. The fourth conductive pad is directly connected to the third tab on the second surface. The microprocessor is connected to at least one of the first and second sheet portions. The microprocessor is electrically connected to the sensing circuit and the electrical connector. The sensing circuit is connected to at least one of the first and second sheet portions. The sensing circuit is electrically coupled to the first and second resistor traces. The battery cell assembly further includes a first battery cell including a first housing and first and second electrical terminals extending from the first housing. The first housing is located directly on the first seat portion and the first side. The first electrical terminal of the first battery cell is directly connected to the first conductive pad. The second electrical terminal of the first battery cell is directly connected to the second conductive pad. The battery cell assembly further includes a second battery cell including a second housing and first and second electrical terminals extending from the second housing. The second housing is located directly on the second seat portion and the second surface. The first electrical terminal of the second battery cell is directly connected to the third conductive pad. The second electrical terminal of the second battery cell is directly connected to the fourth conductive pad.

도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 어셈블리의 모식도이다;
도 2는 도 1의 전지셀 어셈블리의 또 다른 모식도이다;
도 3은 도 1의 전지셀 어셈블리의 부분 모식도이다;
도 4는 부 도 1의 전지셀 어셈블리의 분해도이다;
도 5는 도 1의 전지셀 어셈블리의 또 다른 분해도이다;
도 6은 복수의 전지셀들이 내부에 적층 방향으로 위치하기에 앞선 도 1의 전지셀 어셈블리의 측면도이다;
도 7은 도 1의 전지셀 어셈블리에 사용되는 박막 센서 어셈블리의 플라스틱 시트의 모식도이다;
도 8은 평면 방향으로 도 7의 박막 센서 어셈블리의 제 1 면의 모식도이다;
도 9는 평면 방향으로 도 7의 박막 센서 어셈블리의 제 2 면의 모식도이다;
도 10은 도 1의 전지셀 어셈블리에 사용되는 마이크로프로세서 및 감지 회로의 블록 다이어그램(block diagram)이다;
도 11은 도 8의 박막 센서 어셈블리의 11-11 선분에 따른 부분의 수직 단면도이다;
도 12 및 13은 도 1의 전지셀 어셈블리 내의 전지셀들의 온도 수준 및 전압 수준을 결정하기 위한 도 8의 박막 센서 어셈블리를 작동하는 방법의 흐름도이다.1 is a schematic diagram of a battery cell assembly according to one embodiment of the present invention;
Figure 2 is another schematic diagram of the battery cell assembly of Figure 1;
3 is a partial schematic view of the battery cell assembly of FIG. 1;
Figure 4 is an exploded view of the battery cell assembly of Figure 1;
Figure 5 is another exploded view of the battery cell assembly of Figure 1;
6 is a side view of the battery cell assembly of FIG. 1 prior to the plurality of battery cells being positioned in the stacking direction;
7 is a schematic view of a plastic sheet of the thin film sensor assembly used in the battery cell assembly of FIG. 1;
Figure 8 is a schematic view of the first side of the thin film sensor assembly of Figure 7 in plan view;
9 is a schematic view of a second side of the thin film sensor assembly of Fig. 7 in plan view;
10 is a block diagram of a microprocessor and sense circuit used in the battery cell assembly of FIG. 1;
11 is a vertical cross-sectional view of a portion along line segment 11-11 of the thin film sensor assembly of FIG. 8;
Figures 12 and 13 are flow charts of a method of operating the thin film sensor assembly of Figure 8 to determine temperature and voltage levels of battery cells in the battery cell assembly of Figure 1;

도 1 내지 7을 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 어셈블리(30)가 제공된다. 전지셀 어셈블리(30)는 박막 센서 어셈블리(50) 및 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66)을 포함하고 있다. 전지셀 어셈블리(30)의 이점은 상기 전지셀 어셈블리(30)가 전지셀들(60-66)의 온도 수준 및 전압 수준을 결정하기 위해, 적층된 전지셀들(60-66) 사이에 유연한 플라스틱 시트(80)를 포함하고 있는 박막 센서 어셈블리(50)를 사용한다는 점이다.Referring to Figures 1-7, there is provided a battery cell assembly 30 in accordance with one embodiment of the present invention. The battery cell assembly 30 includes the thin film sensor assembly 50 and the first, second, third, and fourth battery cells 60, 62, 64, and 66. The advantage of the battery cell assembly 30 is that the battery cell assembly 30 can provide a flexible plastic between the stacked battery cells 60-66 to determine the temperature and voltage levels of the battery cells 60-66. Film sensor assembly 50 that includes a sheet 80 is used.

이해를 목적으로, 여기서 상기 "트레이스"의 용어는 박막 전기 전도성 부재(thin electrically conductive member)를 의미한다.For purposes of understanding, the term " trace " as used herein refers to a thin electrically conductive member.

도 8 내지 10을 참조하면, 박막 센서 어셈블리(50)는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66)의 온도 수준 및 전압 수준을 결정하기 위해 제공된다. 박막 센서 어셈블리(50)는 플라스틱 시트(50), 전도성 패드들(91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98), 저항 트레이스들(110, 112, 114, 116), 감지 회로(130), 마이크로프로세서(132), 및 전기 커넥터(134)를 포함하고 있다.8-10, the thin film sensor assembly 50 is provided to determine the temperature and voltage levels of the first, second, third, and fourth battery cells 60, 62, 64, do. The thin film sensor assembly 50 includes a plastic sheet 50, conductive pads 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97 and 98, resistance traces 110, 112, 114 and 116, 130, a microprocessor 132, and an electrical connector 134.

도 8 및 9를 참조하면, 플리스틱 시트(80)는 제 1 면(151) 및 제 1 면(151)에 대향하여, 실질적으로 평행하게 위치해 있는 제 2 면(152)을 포함하고 있다. 플라스틱 시트(80)는 시트부들(160, 162, 164, 166), 연결부들(170, 172, 174, 176, 178, 180, 182, 184, 186), 및 탭들(200, 202, 204, 206, 20)을 더 포함하고 있다.8 and 9, the plastics sheet 80 includes a first side 151 and a second side 152 that is positioned substantially parallel to the first side 151. The plastic sheet 80 includes sheet portions 160,162, 164,166, connections 170,172, 174,176,178,180,182,184,186 and taps 200,202, 204,206 , 20).

시트부들(160, 162, 164, 166)은 각각 실질적으로 사각형으로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 시트부들(160, 162, 164, 166)은 각각 또 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 시트부들(160, 162, 164, 166)은 대체로 원형, 삼각형, 또는 타원형(oval-shaped)으로 이루어질 수 있다.The sheet portions 160, 162, 164, and 166 are each substantially rectangular. In yet another embodiment, the sheet portions 160, 162, 164, 166 may each have another shape. For example, the sheet portions 160, 162, 164, 166 may be generally circular, triangular, or oval-shaped.

시트부(160)는 시트부(160)의 상단으로부터 외측으로 연장된 탭들(200, 202)을 포함하고 있다. 또한, 탭(210)은 시트부(160)의 제 1 측 단부로부터 외측으로 연장되어 있으며, 상면에 전기 커넥터(134)를 고정한다. 전도성 패드(91)는 제 1 면(151) 상에서, 탭(210) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 전도성 패드(92)는 제 1 면(151) 상에서, 탭(202) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 전도성 패드(93)는 제 2 면(152) 상에서, 탭(202) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 또한, 전도성 패드(93)는 전기 와이어(211)를 통해, 전도성 패드(92)에 전기적으로 연결되어 있다(도 11 참조).The seat portion 160 includes taps 200 and 202 extending outward from the upper end of the seat portion 160. [ Further, the tab 210 extends outward from the first side end portion of the seat portion 160, and fixes the electrical connector 134 to the upper surface. Conductive pads 91 are positioned directly on the tabs 210 on the first side 151 and connected. Conductive pads 92 are located directly on the tabs 202 on the first side 151 and connected. The conductive pads 93 are located on the second surface 152, directly on the tabs 202 and connected. Further, the conductive pad 93 is electrically connected to the conductive pad 92 through the electric wire 211 (see FIG. 11).

도 5 및 9를 참조하면, 저항 트레이스(110)는 제 2 면(152) 상에서, 시트부(160) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 저항 트레이스(110)는 전지셀(60)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가지며, 마이크로프로세서(132)에 의해, 저항 트레이스(110)에 인접하여 위치한 전지셀(60)의 온도 수준을 결정하기 위해 사용된다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(110)는 0.33 내지 1.0 밀리미터 범위의 두께를 가진다. 물론, 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(110)는 1.0 밀리미터보다 큰 두께를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(110)는 그라파이트, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들 중 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 이루어져 있다.Referring to Figures 5 and 9, the resistive traces 110 are directly located on and connected to the sheet portion 160 on the second side 152. [ The resistance trace 110 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 60 and is set by the microprocessor 132 to a temperature level of the battery cell 60 located adjacent to the resistance trace 110 Used to determine. In one embodiment, the resistive trace 110 has a thickness in the range of 0.33 to 1.0 millimeters. Of course, in another embodiment, the resistive trace 110 may have a thickness greater than 1.0 millimeter. In one embodiment, the resistive trace 110 comprises at least one selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, or alloys of at least two of these materials.

연결부들(170, 172, 174)은 시트부들(160, 162) 사이에 연결되어 있다. 연결부들(170, 172, 174)은 시트부(160)가 시트부(162)에 대해 실질적으로 평행하게 위치할 수 있도록, 휘어질 수 있다.The connection portions 170, 172, 174 are connected between the seat portions 160, 162. The connection portions 170, 172, and 174 can be bent so that the seat portion 160 can be positioned substantially parallel to the seat portion 162. [

도 8 및 9를 참조하면, 시트부(162)는 시트부(162)의 상단으로부터 외측 방향으로 연장된 탭(204)을 포함하고 있다. 전도성 패드(94)는 제 2 면(152) 상에서, 탭(204) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 전도성 패드(95)는 제 1 면(151) 상에서, 탭(204) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 또한, 전도성 패드(95)는 전도성 패드(94)에 전기적으로 연결되어 있다.Referring to Figs. 8 and 9, the seat portion 162 includes a tab 204 extending outward from the top of the seat portion 162. Fig. The conductive pad 94 is directly on and connected to the tab 204 on the second side 152. Conductive pads 95 are located directly on the tabs 204 on the first side 151 and connected. The conductive pad 95 is also electrically connected to the conductive pad 94.

도 5 및 9를 참조하면, 저항 트레이스(112)는 제 2 면(152) 상에서, 시트부(162) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 저항 트레이스(112)는 저항 트레이스(112)에 대향하여 위치한 전지셀(62)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가지며, 마이크로프로세서(132)에 의해 전지셀(62)의 온도 수준을 결정하기 위해 사용된다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(112)는 0.33 내지 1.0 밀리미터 범위의 두께를 가진다. 물론, 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(112)는 1.0 밀리미터보다 큰 두께를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(112)는 그라파이트, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들 중 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 이루어져 있다. Referring to Figures 5 and 9, the resistor traces 112 are directly located on and connected to the sheet portion 162 on the second side 152. The resistance trace 112 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 62 located opposite the resistance trace 112 and determines the temperature level of the battery cell 62 by the microprocessor 132 Lt; / RTI > In one embodiment, the resistive trace 112 has a thickness in the range of 0.33 to 1.0 millimeters. Of course, in another embodiment, the resistive trace 112 may have a thickness greater than 1.0 millimeter. In one embodiment, the resistive trace 112 comprises at least one selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, or alloys of at least two of these materials.

연결부들(176, 178, 180)은 시트부들(162, 164) 사이에 연결되어 있다. 연결부들(176, 178, 180)은 시트부(164)가 시트부(162)에 대해 실질적으로 평행하게 위치할 수 있도록, 휘어질 수 있다.The connection portions 176, 178 and 180 are connected between the seat portions 162 and 164. The connection portions 176, 178, 180 can be bent so that the seat portion 164 can be positioned substantially parallel to the seat portion 162. [

도 8 및 9를 참조하면, 시트부(164)는 시트부(164)의 상단으로부터 외측 방향으로 연장된 탭(206)을 포함하고 있다. 전도성 패드(97)는 제 2 면(152) 상에서, 탭(206) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 전도성 패드(96)는 제 1 면(151) 상에서, 탭(206) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 또한, 전도성 패드(96)는 전도성 패드(97)에 전기적으로 연결되어 있다.8 and 9, the seat portion 164 includes a tab 206 extending outward from the top of the seat portion 164. Conductive pad 97 is positioned on second surface 152, directly on tab 206 and connected. Conductive pad 96 is positioned directly on tabs 206 on first side 151 and connected. The conductive pad 96 is also electrically connected to the conductive pad 97.

도 5 및 9를 참조하면, 저항 트레이스(114)는 제 2 면(152) 상에서, 시트부(164) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 저항 트레이스(114)는 저항 트레이스(114)에 인접하여 위치한 전지셀(64)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가지며, 마이크로프로세서(132)에 의해 전지셀(64)의 온도 수준을 결정하기 위해 사용된다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(114)는 0.33 내지 1.0 밀리미터 범위의 두께를 가진다. 물론, 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(114)는 1.0 밀리미터보다 큰 두께를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(114)는 그라파이트, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들 중 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 이루어져 있다.Referring to Figures 5 and 9, the resistor traces 114 are located directly on the second portion 152, on the seat portion 164 and connected. The resistance trace 114 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 64 located adjacent to the resistance trace 114 and determines the temperature level of the battery cell 64 by the microprocessor 132 Lt; / RTI > In one embodiment, the resistive trace 114 has a thickness in the range of 0.33 to 1.0 millimeters. Of course, in another embodiment, the resistive trace 114 may have a thickness greater than 1.0 millimeter. In one embodiment, the resistive trace 114 comprises at least one selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, or alloys of at least two of these materials.

연결부들(182, 184, 186)은 시트부들(164, 166) 사이에 연결되어 있다. 연결부들(182, 184, 186)은 시트부(166)가 시트부(164)에 대해 실질적으로 평행하게 위치할 수 있도록, 휘어질 수 있다.The connection portions 182, 184 and 186 are connected between the seat portions 164 and 166. The connection portions 182, 184 and 186 can be bent so that the seat portion 166 can be positioned substantially parallel to the seat portion 164.

도 8 및 9를 참조하면, 시트부(166)는 시트부(166)의 상단으로부터 외측 방향으로 연장된 탭(208)을 포함하고 있다. 전도성 패드(98)는 제 2 면(152) 상에서, 탭(208) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. Referring to Figs. 8 and 9, the seat portion 166 includes a tab 208 extending outward from the top of the seat portion 166. Fig. Conductive pad 98 is positioned on second surface 152, directly on tab 208 and connected.

도 5 및 9를 참조하면, 저항 트레이스(116)는 제 2 면(152) 상에서, 시트부(166) 상에 직접 위치하여 연결되어 있다. 저항 트레이스(116)는 저항 트레이스(116)에 대향하여 위치한 전지셀(66)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가지며, 마이크로프로세서(132)에 의해 전지셀(66)의 온도 수준을 결정하기 위해 사용된다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(116)는 0.33 내지 1.0 밀리미터 범위의 두께를 가진다. 물론, 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(116)는 1.0 밀리미터보다 큰 두께를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(116)는 그라파이트, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들 중 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 이루어져 있다.Referring to Figures 5 and 9, the resistor traces 116 are directly located on and connected to the sheet portion 166, on the second side 152. The resistance trace 116 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 66 located opposite the resistance trace 116 and determines the temperature level of the battery cell 66 by the microprocessor 132 Lt; / RTI > In one embodiment, the resistive trace 116 has a thickness in the range of 0.33 to 1.0 millimeters. Of course, in another embodiment, the resistive trace 116 may have a thickness greater than 1.0 millimeter. In one embodiment, the resistive trace 116 comprises at least one selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, or alloys of at least two of these materials.

도 5, 9 및 10을 참조하면, 감지 회로(130)는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66)의 온도 수준 및 출력 전압 수준을 나타내는 신호들을 발생시키기 위해 제공된다. 감지 회로(130)는 서브-회로들(sub-circuits; 300, 302, 304, 306) 및 회로 기판(circuit board; 310)을 포함하고 있다. 감지 서브-회로들(300, 302, 304, 306)은 저항 트레이스들(110, 112, 114, 116), 및 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66)에 각각 전기적으로 연결되어 있다. 하나의 실시예에서, 회로 기판(310)은 제 2 면(152) 상에서 시트부(162) 상에 위치하여 연결되어 있다. 또한, 서브-회로들(300, 302, 304, 306)은 회로 기판(310) 상에 위치하여 연결되어 있다.5, 9 and 10, the sensing circuit 130 includes a signal indicating a temperature level and an output voltage level of the first, second, third, and fourth battery cells 60, 62, 64, . ≪ / RTI > The sensing circuit 130 includes sub-circuits 300, 302, 304, 306 and a circuit board 310. The sensing sub-circuits 300, 302, 304, 306 include resistive traces 110, 112, 114, 116 and first, second, third, and fourth battery cells 60, And 66, respectively. In one embodiment, the circuit board 310 is positioned on and connected to the seat portion 162 on the second side 152. In addition, the sub-circuits 300, 302, 304, 306 are located on and connected to the circuit board 310.

도 4, 및 8 내지 10을 참조하면, 감지 서브-회로(300)는 트랜지스터(transistor; 340), 저항기들(resistors; 342, 344, 346, 348), 및 노드들(nodes; 350, 352, 354)을 포함하고 있다. 저항 트레이스(110)는 전지셀(60)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가진다. 트랜지스터(340)는 베이스(base; B1), 에미터(emitter; E1), 및 콜렉터(collector; C1)를 포함하고 있다. 에미터(E1)는 전도성 패드(91)에 전기적으로 더 연결되어 있는 노드(350)에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(91)는 전지셀(60)의 전기 단자(542)에 더 연결되어 있다. 노드(350)는 마이크로프로세서(132)의 I/O 포트(1)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 베이스(B1)는 노드(352)에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(342)는 노드(350)와 노드(352) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항기(344)는 노드(352)와 I/O 포트(2) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(346)는 콜렉터(C1)와 노드(354) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항 트레이스(110)는 노드(354)와 전도성 패드(92) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(92)는 전지셀(60)의 전기 단자(544)에 더 연결되어 있다. 따라서, 저항기(346)는 저항 트레이스(110)와 전기적으로 직렬 연결되어 있으며, 전기 노드(354)는 그것들 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(346)는 저항기(340)가 켜졌을 때, 작동 전압에 전기적으로 더 연결된다. 저항기(348)는 노드(354)와 I/O 포트(3) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.4, and 8-10, the sensing sub-circuit 300 includes a transistor 340, resistors 342, 344, 346, 348, and nodes 350, 352, 354). The resistance trace 110 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 60. The transistor 340 includes a base B1, an emitter E1, and a collector C1. The emitter E1 is electrically connected to the node 350, which is further electrically connected to the conductive pad 91. [ The conductive pad 91 is further connected to the electric terminal 542 of the battery cell 60. The node 350 is further electrically coupled to the I / O port 1 of the microprocessor 132. The base B1 is electrically connected to the node 352. Resistor 342 is electrically coupled between node 350 and node 352. The resistor 344 is also electrically connected between the node 352 and the I / O port 2. The resistor 346 is electrically connected between the collector C1 and the node 354. The resistor trace 110 is also electrically connected between the node 354 and the conductive pad 92. The conductive pad 92 is further connected to the electrical terminal 544 of the battery cell 60. Thus, resistor 346 is electrically connected in series with resistor trace 110, and electrical node 354 is electrically connected between them. The resistor 346 is electrically further coupled to the operating voltage when the resistor 340 is turned on. The resistor 348 is electrically connected between the node 354 and the I / O port 3.

전지셀(60)의 온도 수준을 결정하기 위해, 마이크로프로세서(132)는 트랜지스터(340)를 켜기 위해 I/O 포트(2) 상에 낮은 로직 수준 전압을 출력하도록 프로그래밍 되어 있다. 트랜지스터(340)가 커졌을 때, 마이크로프로세서(132)는 I/O 포트(3)에서, 저항기(348)에 대한 전압(온도_감지 1)을 측정하도록 프로그래밍 되어 있다. 마이크로프로세서(132)는 상기 전압(온도_감지 1)에 기반한 전지셀(60)의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록, 더 프로그래밍 되어 있다. 하나의 실시예에서, 마이크로프로세서(132)는, I/O 포트(3)에서의 전압 수준에 대응하는 전지셀(60)의 복수의 전압 값들 및 복수의 관련 온도 수준들을 포함하며, 메모리 장치(memory device; 490) 내에 저장되어 있는, 룩업 테이블(lookup table)을 사용한다. 마이크로프로세서(132)는 전지셀(60)의 온도 수준에 대응하는 룩업 테이블 내의 관련 온도 값에 접근하기 위해 측정 전압 수준을 사용한다.To determine the temperature level of the battery cell 60, the microprocessor 132 is programmed to output a low logic level voltage on the I / O port 2 to turn on the transistor 340. Microprocessor 132 is programmed to measure the voltage (temperature_detection 1) to resistor 348 at I / O port 3 when transistor 340 is large. The microprocessor 132 is further programmed to determine a temperature value indicative of a temperature level of the battery cell 60 based on the voltage (temperature_detection 1). In one embodiment, the microprocessor 132 includes a plurality of voltage values of the battery cell 60 corresponding to the voltage level at the I / O port 3 and a plurality of associated temperature levels, a lookup table stored in a memory device 490 is used. The microprocessor 132 uses the measured voltage level to access the associated temperature value in the lookup table corresponding to the temperature level of the battery cell 60. [

마이크로프로세서(132)는 전지셀(60)의 Vopen 또는 Vload 전압 중에서 어느 하나를 결정하기 위해, I/O 포트(1)에 대한 전압을 측정하도록 더 프로그래밍 되어 있다. 상세하게는, 마이크로프로세서(132)는 트랜지스터(340)가 꺼졌을 때, 전지셀(60)의 Vopen 전압 수준에 대응하는 I/O 포트(1)에 대한 전압을 측정한다. 한편, 마이크로프로세서는 트랜지스터(340)가 켜졌을 때, 전지셀(60)의 Vload 전압 수준에 대응하는 I/O 포트(1)에 대한 전압을 측정한다.The microprocessor 132 is further programmed to measure the voltage across the I / O port 1 to determine either the V open or the V load voltage of the battery cell 60. In detail, the microprocessor 132 measures the voltage on the I / O port 1 corresponding to the V open voltage level of the battery cell 60 when the transistor 340 is turned off. On the other hand, the microprocessor measures the voltage to the I / O port 1 corresponding to the V load voltage level of the battery cell 60 when the transistor 340 is turned on.

감지 서브-회로(302)는 트랜지스터(380), 저항기들(382, 384, 386, 348), 및 노드들(390, 392, 394)을 포함하고 있다. 저항 트레이스(112)는 전지셀(62)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가진다. 트랜지스터(380)는 베이스(B2), 에미터(E2), 및 콜렉터(C2)를 포함하고 있다. 에미터(E2)는 전도성 패드(92)에 전기적으로 더 연결되어 있는 노드(390)에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(92)는 전지셀(60)의 전기 단자(544)에 더 연결되어 있으며, 전지셀(62)의 전기 단자(562)에 전기적으로 연결되어 있다. 노드(390)는 마이크로프로세서(132)의 I/O 포트(4)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 베이스(B2)는 노드(382)에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(382)는 노드(390)와 노드(392) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항기(384)는 노드(392)와 I/O 포트(5) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(386)는 콜렉터(C2)와 노드(394) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항 트레이스(112)는 노드(394)와, 전도성 패드(95)에 전기적으로 연결되어 있는 전도성 패드(94) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(94)는 전지셀(62)의 전기 단자(564)에 더 연결되어 있다. 따라서, 저항기(386)는 저항 트레이스(112)와 전기적으로 직렬 연결되어 있으며, 전기 노드(394)는 그것들 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(386)는 저항기(380)가 켜졌을 때, 작동 전압에 전기적으로 더 연결된다. 저항기(388)는 노드(394)와 I/O 포트(6) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.The sense sub-circuit 302 includes a transistor 380, resistors 382, 384, 386 and 348, and nodes 390, 392 and 394. The resistance trace 112 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 62. The transistor 380 includes a base B2, an emitter E2, and a collector C2. The emitter E2 is electrically connected to a node 390 that is electrically further coupled to the conductive pad 92. The conductive pad 92 is further connected to the electrical terminal 544 of the battery cell 60 and electrically connected to the electrical terminal 562 of the battery cell 62. The node 390 is further electrically coupled to the I / O port 4 of the microprocessor 132. The base B2 is electrically connected to the node 382. Resistor 382 is electrically coupled between node 390 and node 392. The resistor 384 is also electrically connected between the node 392 and the I / O port 5. Resistor 386 is electrically coupled between collector C2 and node 394. The resistor trace 112 is also electrically connected between the node 394 and the conductive pad 94 that is electrically connected to the conductive pad 95. The conductive pad 94 is further connected to the electrical terminal 564 of the battery cell 62. Thus, resistor 386 is electrically connected in series with resistor trace 112, and electrical node 394 is electrically connected between them. The resistor 386 is electrically further coupled to the operating voltage when the resistor 380 is turned on. The resistor 388 is electrically connected between the node 394 and the I / O port 6.

마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압(온도_감지 1)에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전압(온도_감지 2)에 기반한 전지셀(62)의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록 프로그래밍 되어 있다. 또한, 마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전지셀(62)의 Vopen 또는 Vload 전압 중에서 어느 하나를 결정하기 위해, I/O 포트(4)에 대한 전압을 측정하도록 더 프로그래밍 되어 있다.The microprocessor 132 determines the temperature of the battery cell 62 based on the voltage (temperature_detection 2) in a manner similar to that described above for the voltage (temperature_detection 1) Is determined to determine the value. The microprocessor 132 also controls the I / O port 62 to determine either the V open or the V load voltage of the battery cell 62 in a manner similar to that described above for the voltage on the battery cell 60. [ RTI ID = 0.0 > (4). ≪ / RTI >

감지 서브-회로(304)는 트랜지스터(420), 저항기들(422, 424, 426, 428), 및 노드들(430, 432, 434)을 포함하고 있다. 저항 트레이스(114)는 전지셀(64)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가진다. 트랜지스터(420)는 베이스(B3), 에미터(E3), 및 콜렉터(C3)를 포함하고 있다. 에미터(E3)는 전도성 패드(94)에 전기적으로 더 연결되어 있는 노드(430)에 전기적으로 연결되어 있고, 전도성 패드(94)는 전지셀(62)의 전기 단자(566) 및 전지셀(64)의 전기 단자(582)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 노드(430)는 마이크로프로세서(132)의 I/O 포트(7)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 베이스(B3)는 노드(432)에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(422)는 노드(430)와 노드(432) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항기(424)는 노드(432)와 I/O 포트(8) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(426)는 콜렉터(C3)와 노드(434) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항 트레이스(114)는 노드(434)와, 전도성 패드(97)에 전기적으로 연결되어 있는 전도성 패드(96) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(96)는 전지셀(64)의 전기 단자(584)에 더 연결되어 있다. 따라서, 저항기(426)는 저항 트레이스(114)와 전기적으로 직렬 연결되어 있으며, 전기 노드(434)는 그것들 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(426)는 저항기(420)가 켜졌을 때, 작동 전압에 전기적으로 더 연결된다. 저항기(428)는 노드(434)와 I/O 포트(9) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.The sensing sub-circuit 304 includes a transistor 420, resistors 422, 424, 426 and 428, and nodes 430, 432 and 434. The resistance trace 114 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 64. The transistor 420 includes a base B3, an emitter E3, and a collector C3. The emitter E3 is electrically connected to the node 430 that is electrically connected to the conductive pad 94 and the conductive pad 94 is electrically connected to the electrical terminal 566 of the battery cell 62 and the battery cell 64 are electrically connected to the electrical terminals 582 of the first and second electrodes 64, 64. The node 430 is further electrically coupled to the I / O port 7 of the microprocessor 132. The base B3 is electrically connected to the node 432. Resistor 422 is electrically coupled between node 430 and node 432. Also, the resistor 424 is electrically connected between the node 432 and the I / O port 8. The resistor 426 is electrically connected between the collector C3 and the node 434. The resistor trace 114 is also electrically connected between the node 434 and the conductive pad 96 electrically connected to the conductive pad 97. The conductive pad 96 is further connected to the electrical terminal 584 of the battery cell 64. Thus, resistor 426 is electrically connected in series with resistor trace 114, and electrical node 434 is electrically connected between them. The resistor 426 is electrically further coupled to the operating voltage when the resistor 420 is turned on. The resistor 428 is electrically connected between the node 434 and the I / O port 9.

마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압(온도_감지 1)에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전압(온도_감지 3)에 기반한 전지셀(64)의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록 프로그래밍 되어 있다. 또한, 마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전지셀(64)의 Vopen 또는 Vload 전압 중에서 어느 하나를 결정하기 위해, I/O 포트(7)에 대한 전압을 측정하도록 더 프로그래밍 되어 있다.The microprocessor 132 determines the temperature of the battery cell 64 based on the voltage (temperature_detection 3) in a manner similar to that described above for the voltage (temperature_detection 1) Is determined to determine the value. The microprocessor 132 also controls the I / O port 64 to determine either the V open or the V load voltage of the battery cell 64 in a manner similar to that described above for the voltage on the battery cell 60. [ RTI ID = 0.0 > 7 < / RTI >

감지 서브-회로(306)는 트랜지스터(460), 저항기들(462, 464, 466, 468), 및 노드들(470, 472, 474)을 포함하고 있다. 저항 트레이스(116)는 전지셀(66)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 가진다. 트랜지스터(460)는 베이스(B4), 에미터(E4), 및 콜렉터(C4)를 포함하고 있다. 에미터(E4)는 전도성 패드(96)에 전기적으로 더 연결되어 있는 노드(470)에 전기적으로 연결되어 있고, 전도성 패드(96)는 전지셀(64)의 전기 단자(584) 및 전지셀(66)의 전기 단자(602)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 노드(470)는 마이크로프로세서(132)의 I/O 포트(10)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 베이스(B4)는 노드(472)에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(462)는 노드(470)와 노드(472) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항기(464)는 노드(472)와 I/O 포트(11) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(466)는 콜렉터(C4)와 노드(474) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항 트레이스(116)는 노드(474)와, 전도성 패드(98)에 전기적으로 연결되어 있다. 전도성 패드(98)는 전지셀(66)의 전기 단자(604)에 더 연결되어 있다. 따라서, 저항기(466)는 저항 트레이스(116)와 전기적으로 직렬 연결되어 있으며, 전기 노드(474)는 그것들 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(466)는 저항기(460)가 켜졌을 때, 작동 전압에 전기적으로 더 연결된다. 저항기(468)는 노드(474)와 I/O 포트(12) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.The sensing sub-circuit 306 includes a transistor 460, resistors 462, 464, 466, 468, and nodes 470, 472, 474. The resistance trace 116 has a resistance level that varies based on the temperature level of the battery cell 66. The transistor 460 includes a base B4, an emitter E4, and a collector C4. The emitter E4 is electrically connected to a node 470 electrically connected to the conductive pad 96 and the conductive pad 96 is electrically connected to the electrical terminal 584 of the battery cell 64 and the battery cell 66, respectively. The node 470 is further electrically coupled to the I / O port 10 of the microprocessor 132. The base B4 is electrically connected to the node 472. Resistor 462 is electrically coupled between node 470 and node 472. Also, the resistor 464 is electrically connected between the node 472 and the I / O port 11. Resistor 466 is electrically coupled between collector C4 and node 474. The resistor trace 116 is also electrically connected to the node 474 and the conductive pad 98. The conductive pad 98 is further connected to the electrical terminal 604 of the battery cell 66. Thus, resistor 466 is electrically connected in series with resistor trace 116, and electrical node 474 is electrically connected between them. The resistor 466 is electrically further coupled to the operating voltage when the resistor 460 is turned on. The resistor 468 is electrically connected between the node 474 and the I / O port 12.

마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압(온도_감지 1)에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전압(온도_감지 4)에 기반한 전지셀(66)의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록 프로그래밍 되어 있다. 또한, 마이크로프로세서(132)는, 전지셀(60)에 대한 전압에 대해 앞서 설명한 바와 유사한 방법으로, 전지셀(66)의 Vopen 또는 Vload 전압 중에서 어느 하나를 결정하기 위해, I/O 포트(10)에 대한 전압을 측정하도록 더 프로그래밍 되어 있다.The microprocessor 132 determines the temperature of the battery cell 66 based on the voltage (temperature_detection 4) in a manner similar to that described above for the voltage (temperature_detection 1) for the battery cell 60 Is determined to determine the value. The microprocessor 132 also controls the I / O port 120 to determine either the V open or the V load voltage of the battery cell 66 in a manner similar to that described above for the voltage on the battery cell 60. [ Lt; RTI ID = 0.0 > 10 < / RTI >

도 9 및 10을 참조하면, 마이크로프로세서(132)는 전지셀들(60, 62, 64, 66)의 온도 수준 및 전압 수준을 나타내는 신호들을 감지 회로(130)로부터 수령하도록 프로그래밍 되어 있다. 마이크로프로세서(132)는 전지셀(60, 62, 64, 66)의 온도 수준 및 전압 수준을 나타내는 바이너리 메시지를, 차량용 컴퓨터(도시하지 않음)에 작동 가능하도록 더 연결될 수 있는 전기 커넥터(134)에 송부하도록 더 프로그래밍 되어 있다. I/O 포트들(13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20)은 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(152) 상에 위치한 전기 트레이스 라인들(electrical trace lines; 490, 492, 494, 496, 498, 500, 502, 504)을 통해, 전기 커넥터(134)에 전기적으로 각각 연결되어 있다.9 and 10, the microprocessor 132 is programmed to receive signals from the sensing circuit 130 indicating the temperature and voltage levels of the battery cells 60, 62, 64, The microprocessor 132 sends a binary message indicating the temperature and voltage levels of the battery cells 60, 62, 64 and 66 to an electrical connector 134 which may be further operably connected to a vehicle computer (not shown) Lt; / RTI > The I / O ports 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20 include electrical trace lines 490, 492 located on the second side 152 of the plastic sheet 80 , 494, 496, 498, 500, 502, and 504, respectively.

도 4, 5, 8 및 9를 참조하면, 제 1 전지셀(60)은 하우징(540) 및 상기 하우징(540)으로부터 연장된 전기 단자들(542, 544)을 포함하고 있다. 하나의 실시예에서, 제 1 전지셀(60)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이다. 또한, 하나의 실시예에서, 하우징(540)은 실질적으로 사각형으로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 제 1 전지셀(60)은 예를 들어, 니켈-금속-하이브리드 전지셀, 또는 니켈-카드뮴 전지셀과 같은 다른 형태의 전지셀일 수 있다. 전기 단자(542)는 전도성 패드(91)에 연결되어 있다. 또한, 전기 단자(544)는 전도성 패드(92) 및 전지셀(62)의 전기 단자(562)에 전기적으로 연결되어 있다.4, 5, 8, and 9, the first battery cell 60 includes a housing 540 and electrical terminals 542, 544 extending from the housing 540. In one embodiment, the first battery cell 60 is a lithium-ion pouch type battery cell. Also, in one embodiment, the housing 540 is substantially rectangular. In yet another embodiment, the first battery cell 60 may be, for example, a nickel-metal-hybrid battery cell, or another type of battery cell, such as a nickel-cadmium battery cell. The electrical terminal 542 is connected to the conductive pad 91. The electrical terminal 544 is also electrically connected to the conductive pad 92 and the electrical terminal 562 of the battery cell 62.

제 2 전지셀(62)은 하우징(560) 및 상기 하우징(560)으로부터 연장된 전기 단자들(562, 564)을 포함하고 있다. 하나의 실시예에서, 제 2 전지셀(62)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이다. 또한, 하나의 실시예에서, 하우징(560)은 실질적으로 사각형으로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 제 2 전지셀(62)은 예를 들어, 니켈-금속-하이브리드 전지셀, 또는 니켈-카드뮴 전지셀과 같은 다른 형태의 전지셀일 수 있다. 전기 단자(562)는 제 1 전지셀(60)의 전기 단자(544)에 연결되어 있다. 또한, 전기 단자(564)는 전도성 패드(94)에 전기적으로 연결되어 있다. 도 2를 참조하면, 제 2 전지셀(62)은 제 2 면(152) 상에서, 시트부들(160, 162)사이에 개재되어 직접 접촉하고 있다. The second battery cell 62 includes a housing 560 and electrical terminals 562, 564 extending from the housing 560. In one embodiment, the second battery cell 62 is a lithium-ion pouch type battery cell. Also, in one embodiment, the housing 560 is substantially rectangular. In yet another embodiment, the second battery cell 62 may be, for example, a nickel-metal-hybrid battery cell, or another type of battery cell, such as a nickel-cadmium battery cell. The electrical terminal 562 is connected to the electrical terminal 544 of the first battery cell 60. The electrical terminal 564 is also electrically connected to the conductive pad 94. Referring to FIG. 2, the second battery cell 62 is in direct contact with the sheet portions 160 and 162 on the second surface 152.

도 4, 5, 8 및 9를 참조하면, 제 3 전지셀(64)은 하우징(580) 및 상기 하우징(580)으로부터 연장된 전기 단자들(582, 584)을 포함하고 있다. 하나의 실시예에서, 제 3 전지셀(64)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이다. 또한, 하나의 실시예에서, 하우징(580)은 실질적으로 사각형으로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 제 3 전지셀(64)은 예를 들어, 니켈-금속-하이브리드 전지셀, 또는 니켈-카드뮴 전지셀과 같은 다른 형태의 전지셀일 수 있다. 전기 단자(582)는 전도성 패드(96)에 연결되어 있다. 도 2를 참조하면, 제 3 전지셀(64)은 제 1 면(151) 상에서, 시트부들(162, 164)사이에 개재되어 직접 접촉하고 있다.Referring to Figures 4, 5, 8 and 9, the third battery cell 64 includes a housing 580 and electrical terminals 582, 584 extending from the housing 580. In one embodiment, the third battery cell 64 is a lithium-ion pouch type battery cell. Further, in one embodiment, the housing 580 is substantially rectangular. In yet another embodiment, the third battery cell 64 may be, for example, a nickel-metal-hybrid battery cell, or another type of battery cell, such as a nickel-cadmium battery cell. The electrical terminal 582 is connected to a conductive pad 96. Referring to FIG. 2, the third battery cell 64 is directly in contact with the sheet portions 162 and 164 on the first surface 151.

도 4, 5, 8 및 9를 참조하면, 제 4 전지셀(66)은 하우징(600) 및 상기 하우징(600)으로부터 연장된 전기 단자들(602, 604)을 포함하고 있다. 하나의 실시예에서, 제 4 전지셀(66)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이다. 또한, 하나의 실시예에서, 하우징(600)은 실질적으로 사각형으로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 제 4 전지셀(66)은 예를 들어, 니켈-금속-하이브리드 전지셀, 또는 니켈-카드뮴 전지셀과 같은 다른 형태의 전지셀일 수 있다. 전기 단자(602)는 전기 단자(584)에 연결되어 있다. 또한, 전기 단자(604)는 전도성 패드(98)에 전기적으로 연결되어 있다. 도 2를 참조하면, 제 4 전지셀(66)은 제 2 면(152) 상에서, 시트부들(164, 166)사이에 개재되어 직접 접촉하고 있다.4, 5, 8, and 9, a fourth battery cell 66 includes a housing 600 and electrical terminals 602, 604 extending from the housing 600. In one embodiment, the fourth battery cell 66 is a lithium-ion pouch type battery cell. Also, in one embodiment, the housing 600 is substantially rectangular. In yet another embodiment, the fourth battery cell 66 may be, for example, a nickel-metal-hybrid battery cell, or another type of battery cell, such as a nickel-cadmium battery cell. The electrical terminal 602 is connected to the electrical terminal 584. The electrical terminal 604 is also electrically connected to the conductive pad 98. Referring to Fig. 2, the fourth battery cell 66 is in direct contact with the sheet portions 164 and 166 on the second surface 152.

도 10, 12 및 13을 참조하면, 전지셀 어셈블리(30) 내의 전지셀들(60, 62, 64, 66)의 온도 수준 및 전압 수준을 결정하기 위한 박막 센서 어셈블리(50) 작동 방법의 흐름도가 설명될 것이다.10, 12 and 13, a flow chart of a method of operating the thin film sensor assembly 50 for determining the temperature and voltage levels of the battery cells 60, 62, 64, 66 in the battery cell assembly 30 Will be explained.

단계(700)에서 조작자는 플라스틱 시트(80), 저항 트레이스들(110, 112, 114, 116), 감지 회로(130), 마이크로프로세서(132), 및 전기 커넥터(134)를 포함하는 박막 센서 어셈블리(50)를 준비한다.At step 700 the operator enters a thin film sensor assembly including a plastic sheet 80, resistance traces 110, 112, 114 and 116, sensing circuit 130, microprocessor 132, (50).

단계(702)에서 조작자는 플라스틱 시트(80)에 직접 대향하여 위치된 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66)을 준비한다.In step 702, the operator prepares the first, second, third and fourth battery cells 60, 62, 64, 66 positioned directly opposite the plastic sheet 80.

단계(704)에서, 감지 회로(130)는 저항 트레이스(100)의 저항에 기반하여, 제 1 전지셀(60)의 제 1 온도 수준을 나타내는 제 1 전압을 발생시킨다.At step 704 the sensing circuit 130 generates a first voltage indicative of a first temperature level of the first battery cell 60 based on the resistance of the resistance trace 100.

단계(706)에서 감지 회로(130)는 저항 트레이스(112)의 저항에 기반하여, 제 2 전지셀(62)의 제 2 온도 수준을 나타내는 제 2 전압을 발생시킨다.At step 706, the sensing circuit 130 generates a second voltage indicative of a second temperature level of the second battery cell 62, based on the resistance of the resistance trace 112.

단계(708)에서 감지 회로(130)는 저항 트레이스(114)의 저항에 기반하여, 제 3 전지셀(64)의 제 3 온도 수준을 나타내는 제 3 전압을 발생시킨다.In step 708 the sensing circuit 130 generates a third voltage indicative of a third temperature level of the third battery cell 64 based on the resistance of the resistance trace 114.

단계(710)에서 감지 회로(130)는 저항 트레이스(116)의 저항에 기반하여, 제 4 전지셀(66)의 제 4 온도 수준을 나타내는 제 4 전압을 발생시킨다.At step 710 the sensing circuit 130 generates a fourth voltage representative of the fourth temperature level of the fourth battery cell 66 based on the resistance of the resistance trace 116.

단계(712)에서, 마이크로프로세서(132)는 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전압들에 기반하여, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66) 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 온도 수준들을 결정한다.In step 712, the microprocessor 132 determines whether the first, second, third, and fourth battery cells 60, 60, and 60 are active, based on the respective first, second, third, Second, third, and fourth temperature levels of each of the first, second, third, and fourth temperature levels 62, 64, and 66, respectively.

단계(714)에서, 마이크로프로세서(132)는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66) 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 온도 수준들에 각각 대응하는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 온도 값들을 각각 내부에 포함하는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 바이너리 메시지들을 전기 커넥터(134)로 송부한다.At step 714, the microprocessor 132 determines whether the first, second, third, and fourth battery cells of the first, second, third, and fourth battery cells 60, 62, Second, third, and fourth binary messages, each of which contains first, second, third, and fourth temperature values, respectively, corresponding to temperature levels, respectively, to electrical connector 134 .

단계(716)에서, 마이크로프로세서(132)는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전지셀들(60, 62, 64, 66) 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 출력 전압들을 각각 나타내는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전압 값들을 각각 결정한다.In step 716, the microprocessor 132 determines whether the first, second, third, and fourth battery cells of the first, second, third, and fourth battery cells 60, 62, Second, third, and fourth voltage values, respectively, representative of the output voltages.

단계(718)에서, 마이크로프로세서(132)는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전압 값들을 포함하는 제 5, 제 6, 제 7, 및 제 8 바이너리 메시지들을 각각 전기 커넥터(134)에 송부한다.The microprocessor 132 sends the fifth, sixth, seventh, and eighth binary messages including the first, second, third, and fourth voltage values to the electrical connector 134, respectively, .

앞서 설명된 방법은 상기 방법들을 실행하기 위한 컴퓨터-실행가능 명령들(computer-executable instructions)을 포함하는 하나 또는 그 이상의 컴퓨터 판독가능 매체(computer readable media)의 형태에서, 적어도 부분적으로 포함될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독가능 매체는 하드 드라이브들, 램(RAM), 롬(ROM), 플래시 메모리(flash memory), 및 당업자에게 공지된 다른 컴퓨터 판독가능 매체로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있으며, 상기 컴퓨터-실행가능 명령들은 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서들에 의해 로드되어 실행될 때, 상기 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서들은 상기 방법들을 실행하기 위한 장치가 된다.The methods described above may be at least partially included in the form of one or more computer readable media including computer-executable instructions for executing the methods. The computer readable medium can include one or more of a group of hard drives, RAM, ROM, flash memory, and other computer readable media known to those skilled in the art And when the computer-executable instructions are loaded and executed by one or more microprocessors, the one or more microprocessors are devices for executing the methods.

전지셀 어셈블리는 다른 어셈블리들에 비해 실질적인 이점을 제공한다. 상세하게는, 전지셀 어셈블리는 전지셀들의 온도 수준 및 전압을 결정하기 위해, 적층된 전지셀들 사이에 위치한 유연한 플라스틱 시트를 포함하는 박막 센서 어셈블리를 활용하는 기술적 효과를 제공한다.The battery cell assembly provides substantial advantages over other assemblies. In particular, the battery cell assembly provides a technical effect of utilizing a thin film sensor assembly comprising a flexible plastic sheet positioned between stacked battery cells to determine the temperature level and voltage of the battery cells.

비록 본 발명은 단지 제한된 수의 예시들에만 관련하여 구체적으로 기술되었지만, 본 발명이 상기에 표현된 예시들에만 한정되는 것은 아니라는 점을 인식해야 한다. 또한, 본 발명은 변형, 변경, 교체 또는 여기에 표현된 것 뿐만 아니라 본 발명의 의도와 범주에 적합하도록 상응하는 조합으로 얼마든지 부합하도록 수정될 수 있다. 더욱이, 비록 본 발명의 다양한 예시들이 표현되었지만, 본 발명의 양상은 단지 표현된 예시들의 일부만을 포함할 수 있다는 점을 인식해야 한다. 따라서, 본 발명은 앞선 설명에 의해 한정되는 것은 아니다.Although the present invention has been specifically described with respect to only a limited number of examples, it is to be understood that the invention is not limited to the examples presented above. Furthermore, the present invention can be modified in various ways to conform to the intent and scope of the present invention, as well as modifications, variations, alternatives or representations herein, in any corresponding combination. Moreover, it should be appreciated that, although various examples of the present invention have been described, aspects of the present invention may include only some of the illustrated examples. Therefore, the present invention is not limited by the foregoing description.

전지셀 어셈블리는 다른 어셈블리들에 비해 실질적인 이점을 제공한다. 상세하게는, 전지셀 어셈블리는 전지셀들의 온도 수준 및 전압을 결정하기 위해, 적층된 전지셀들 사이에 위치한 유연한 플라스틱 시트를 포함하는 박막 센서 어셈블리를 활용하는 기술적 효과를 제공한다.The battery cell assembly provides substantial advantages over other assemblies. In particular, the battery cell assembly provides a technical effect of utilizing a thin film sensor assembly comprising a flexible plastic sheet positioned between stacked battery cells to determine the temperature level and voltage of the battery cells.

Claims (10)

플라스틱 시트, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전도성 패드들(conductive pads), 제 1 및 제 2 저항 트레이스들(resistive traces), 감지 회로(sensing circuit), 마이크로프로세서, 및 전기 커넥터를 포함하고 있는 박막 센서 어셈블리(thin sensor assembly);
제 1 하우징과 상기 제 1 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하는 제 1 전지셀로서, 상기 제 1 하우징은 제 1 시트부(sheet portion)와 제 1 면(side) 상에 직접 위치하고, 상기 제 1 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 1 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있으며, 상기 제 1 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 2 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있는 제 1 전지셀; 및
제 2 하우징과 상기 제 2 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하는 제 2 전지셀로서, 상기 제 2 하우징은 제 2 시트부와 제 2 면 상에 직접 위치하고, 상기 제 2 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 3 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있으며, 상기 제 2 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 4 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있는 제 2 전지셀;
을 포함하고 있고,
상기 플라스틱 시트는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하고 있으며, 상기 플라스틱 시트는 제 1 및 제 2 시트부들, 제 1 연결부(connecting portion), 및 제 1, 제 2, 및 제 3 탭들(tabs)을 더 포함하고 있고,
상기 제 1 연결부는 제 1 및 제 2 시트부들 사이에 연결되어 있으며,
상기 제 1 및 제 2 저항 트레이스들은 제 1 및 제 2 시트부들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있고,
상기 제 1 및 제 2 전도성 패드들은 제 1 면 상에서, 제 1 및 제 2 탭들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있으며,
상기 제 3 전도성 패드는 제 2 면 상에서, 제 2 탭 상에 위치하여 연결되어 있고, 제 2 전도성 패드에 전기적으로 연결되어 있으며,
상기 제 4 전도성 패드는 제 2 면 상에서, 제 3 탭 상에 직접 위치하여 연결되어 있고,
상기 마이크로프로세서는 제 1 및 제 2 시트부들 중에서 적어도 하나에 연결되어 있으며, 감지회로 및 전기 커넥터에 전기적으로 연결되어 있고,
상기 감지 회로는 제 1 및 제 2 시트부들 중에서 적어도 하나에 연결되어 있고, 제 1 및 제 2 저항 트레이스들에 전기적으로 연결되어 있으며,
상기 제 1 연결부는, 제 1 시트부가 제 1 및 제 2 전지셀들 각각의 제 1 및 제 2 하우징들 사이에 위치하여 각각 직접 접촉하도록, 휘어질 수 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The first, second, third and fourth conductive pads, the first and second resistive traces, the sensing circuit, the microprocessor, and the electrical connector, A thin sensor assembly including;
A first battery cell comprising a first housing and first and second electrical terminals extending from the first housing, the first housing having a first portion on the first side and a first portion on the first side, Wherein the first electrical terminal of the first battery cell is directly located on and connected to the first conductive pad and the second electrical terminal of the first battery cell is located directly on the second conductive pad, 1 battery cell; And
A second battery cell comprising a second housing and first and second electrical terminals extending from the second housing, wherein the second housing is directly located on the second seat portion and the second surface, The first electrical terminal of the second battery cell is directly connected to the third conductive pad and the second electrical terminal of the second battery cell is directly positioned on and connected to the fourth conductive pad;
Lt; / RTI >
The plastic sheet comprises a first side and a second side, the plastic sheet comprising first and second sheet portions, a first connecting portion, and first, second, and third tabs, Further comprising:
The first connection part is connected between the first and second sheet parts,
The first and second resistance traces being directly on and connected to the first and second sheet portions,
The first and second conductive pads being directly on the first surface and directly on the first and second taps,
The third conductive pad is located on and connected to the second tab on the second surface and is electrically connected to the second conductive pad,
The fourth conductive pad is directly connected to the third tab on the second surface,
The microprocessor is connected to at least one of the first and second sheet portions and is electrically connected to the sensing circuit and the electrical connector,
The sensing circuit is coupled to at least one of the first and second sheet portions and is electrically coupled to the first and second resistor traces,
Wherein the first connection portion can be bent such that the first seat portion is positioned between the first and second housings of the first and second battery cells and directly contact with each other. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 감지 회로는, 제 1 저항 트레이스의 저항에 기반한, 제 1 전지셀의 제 1 온도 수준을 나타내는 제 1 전압을 발생시키도록 구성되어 있고;
상기 마이크로프로세서는 상기 제 1 전압에 기반한 제 1 전지셀의 제 1 온도 수준을 결정하도록 프로그래밍 되어 있으며;
상기 마이크로프로세서는 제 1 전지셀의 상기 제 1 온도 수준에 대응하는 제 1 온도 값을 포함하는 제 1 바이너리 메시지(binary message)를 전기 커넥터에 송부하도록 더 프로그래밍 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The method according to claim 1,
The sensing circuit is configured to generate a first voltage indicative of a first temperature level of the first battery cell based on a resistance of the first resistance trace;
The microprocessor is programmed to determine a first temperature level of a first battery cell based on the first voltage;
Wherein the microprocessor is further programmed to send a first binary message containing a first temperature value corresponding to the first temperature level of the first battery cell to the electrical connector. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 회로는 제 1 및 제 2 전도성 패드들에 전기적으로 더 연결되어 있고;
상기 마이크로프로세서는 제 2 전도성 패드로부터 수령한 전압에 기반한 제 1 전지셀의 출력 전압을 나타내는 제 1 전압 값을 결정하도록 프로그래밍 되어 있으며;
상기 마이크로프로세서는 상기 제 1 온도 값을 포함하는 제 1 바이너리 메시지를 전기 커넥터에 송부하도록 더 프로그래밍 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The method according to claim 1,
The sensing circuit being further electrically coupled to the first and second conductive pads;
The microprocessor is programmed to determine a first voltage value indicative of an output voltage of the first battery cell based on the voltage received from the second conductive pad;
Wherein the microprocessor is further programmed to send a first binary message containing the first temperature value to an electrical connector. 제 1 항에 있어서,
상기 전지셀 어셈블리는 제 3 전지셀 및 제 4 전지셀을 더 포함하고 있으며;
상기 박막 센서 어셈블리는 제 5, 제 6, 제 7, 및 제 8 전도성 패드들, 및 제 3 및 제 4 저항 트레이스들을 더 포함하고 있고;
상기 플라스틱 시트는 제 3 및 제 4 시트부들, 제 2 및 제 3 연결부들, 및 제 4 및 제 5 탭들을 더 포함하고 있으며;
상기 제 2 연결부는 제 2 및 제 3 시트부들 사이에 연결되어 있고, 상기 제 3 연결부는 제 3 및 제 4 시트부들 사이에 연결되어 있으며,
상기 제 3 및 제 4 저항 트레이스들은 각각 제 3 및 제 4 시트부들 상에 직접 위치하여 연결되어 있고,
상기 제 5 전도성 패드는 제 1 면 상에서 제 3 탭 상에 위치하여 연결되어 있으며, 제 4 전도성 패드에 전기적으로 연결되어 있고;
상기 제 6 및 제 7 전도성 패드들은 제 1 및 제 2 면들 상에서, 제 4 탭들 상에 직접 위치하여, 각각 연결되어 있으며, 상기 제 6 전도성 패드는 제 7 전도성 패드에 전기적으로 연결되어 있고;
상기 제 8 전도성 패드는 제 2 면 상에서 제 5 탭 상에 직접 위치하여 연결되어 있으며;
상기 감지 회로는 제 3 및 제 4 저항 트레이스들에 전기적으로 연결되어 있고;
상기 제 3 전지셀은 제 3 하우징 및 상기 제 3 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하고 있으며, 상기 제 3 하우징은 제 3 시트부와 제 1 면 상에 직접 위치하고, 상기 제 3 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 5 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있으며, 상기 제 3 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 6 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있고;
상기 제 4 전지셀은 제 4 하우징 및 상기 제 4 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전기 단자들을 포함하고 있으며, 상기 제 4 하우징은 제 4 시트부와 제 2 면 상에 직접 위치하고, 상기 제 4 전지셀의 제 1 전기 단자는 제 7 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있으며, 상기 제 4 전지셀의 제 2 전기 단자는 제 8 전도성 패드 상에 직접 위치하여 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The method according to claim 1,
The battery cell assembly may further include a third battery cell and a fourth battery cell;
The thin film sensor assembly further includes fifth, sixth, seventh, and eighth conductive pads, and third and fourth resistor traces;
The plastic sheet further comprises third and fourth sheet portions, second and third connecting portions, and fourth and fifth taps;
The second connection portion is connected between the second and third seat portions, and the third connection portion is connected between the third and fourth seat portions,
The third and fourth resistor traces are respectively positioned and connected on the third and fourth sheet portions,
The fifth conductive pad is located on and connected to the third tab on the first surface and is electrically connected to the fourth conductive pad;
The sixth and seventh conductive pads are directly on and positioned on the fourth taps on the first and second surfaces, respectively, and the sixth conductive pad is electrically connected to the seventh conductive pad;
The eighth conductive pad is directly connected to the fifth tab on the second surface;
The sensing circuit being electrically coupled to the third and fourth resistor traces;
Wherein the third battery cell includes a third housing and first and second electrical terminals extending from the third housing, the third housing is located directly on the third seat portion and the first surface, The first electrical terminal of the battery cell is directly located on and connected to the fifth conductive pad and the second electrical terminal of the third battery cell is directly located on and connected to the sixth conductive pad;
Wherein the fourth battery cell includes a fourth housing and first and second electrical terminals extending from the fourth housing, the fourth housing is located directly on the fourth seat portion and the second surface, Wherein the first electrical terminal of the battery cell is directly connected to the seventh conductive pad and the second electrical terminal of the fourth battery cell is directly connected to the eighth conductive pad. assembly. 제 5 항에 있어서,
제 2 전지셀은 제 2 면 상에서 제 1 및 제 2 시트부들 사이에 개재되어 직접 접촉하고 있고;
상기 제 3 전지셀은 제 1 면 상에서 제 2 및 제 3 시트부들 사이에 개재되어 직접 접촉하고 있으며;
상기 제 4 전지셀은 제 2 면 상에서 제 3 및 제 4 시트부들 사이에 개재되어 직접 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.6. The method of claim 5,
The second battery cell is in direct contact with the first and second sheet portions on the second surface;
The third battery cell is interposed and directly in contact with the second and third sheet portions on the first surface;
And the fourth battery cell is directly contacted with the third and fourth sheet portions on the second surface. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 저항 트레이스는 0.33 내지 1.0 밀리미터 범위의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The battery cell assembly of claim 1, wherein the first resistance trace has a thickness in the range of 0.33 to 1.0 millimeter. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 저항 트레이스는 그라파이트, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들 중 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.The battery cell assembly according to claim 7, wherein the first resistance trace comprises at least one selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, and alloys of at least two of these materials. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 제 1 전지셀의 제 1 및 제 2 전기 단자들에 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제 1 전지셀의 제 1 및 제 2 전기 단자들은 마이크로프로세서에 작동 전압을 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.2. The microprocessor of claim 1, wherein the microprocessor is electrically coupled to first and second electrical terminals of a first battery cell, and wherein the first and second electrical terminals of the first battery cell The battery cell assembly comprising: 제 1 항에 있어서, 상기 박막 센서 어셈블리는 제 1 및 제 2 시트부들 중의 적어도 하나에 결합된 회로 기판을 더 포함하고 있고, 상기 마이크로프로세서는 회로 기판에 직접 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.2. The battery cell assembly of claim 1, wherein the thin film sensor assembly further comprises a circuit board coupled to at least one of the first and second sheet portions, wherein the microprocessor is directly connected to the circuit board. .
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