KR101972931B1 - Balloon type ecog measuring device and its manufacturing method - Google Patents

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KR101972931B1
KR101972931B1 KR1020170136045A KR20170136045A KR101972931B1 KR 101972931 B1 KR101972931 B1 KR 101972931B1 KR 1020170136045 A KR1020170136045 A KR 1020170136045A KR 20170136045 A KR20170136045 A KR 20170136045A KR 101972931 B1 KR101972931 B1 KR 101972931B1
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KR1020170136045A
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김소희
문현민
추남선
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재단법인대구경북과학기술원
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    • A61B2562/12—Manufacturing methods specially adapted for producing sensors for in-vivo measurements
    • A61B2562/125—Manufacturing methods specially adapted for producing sensors for in-vivo measurements characterised by the manufacture of electrodes

Abstract

The present invention relates to a balloon-type electrocorticogram measuring device and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a balloon-type electrocorticogram measuring device which minimizes a drilling area of a skull, is airtightly attached between the cerebral cortex and the skull to stably measure an electric signal, and apply electric stimulation to the cerebral cortex, and a manufacturing method thereof. The balloon-type electrocorticogram measuring device comprises: a substrate unit having an insertion unit to be inserted between a cerebral cortex and a skull; and a measuring unit arranged on one or more among one surface and the other surface of the substrate unit. The insertion unit is contracted and expanded by discharging and injecting a fluid thereinto. If the insertion unit is expanded, one surface of the insertion unit is tightly attached to an inner side of the skull to support the insertion unit, and the other surface of the insertion unit is deformed to correspond to the shape of the cerebral cortex to tightly attach the measuring unit to the cerebral cortex.

Description

풍선 타입 피질전도 측정장치 및 이의 제조방법{BALLOON TYPE ECOG MEASURING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a balloon-type cortical conduction measuring apparatus and a method for manufacturing the balloon-type cortical conduction measuring apparatus.

본 발명은 풍선 타입 피질전도 측정장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두개골의 천공 면적을 최소화하고, 대뇌피질과 두개골 사이에 긴밀하게 밀착되어 안정적으로 전기 신호를 측정하고, 대뇌 피질에 전기 자극을 가할 수 있는 풍선 타입 피질전도 측정장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a balloon type cortical conduction measuring apparatus and a method of manufacturing the balloon type cortical conduction measuring apparatus. More particularly, the present invention relates to a balloon type cortical conduction measuring apparatus, The present invention relates to a balloon-type cortical conduction measuring apparatus capable of applying electrical stimulation and a manufacturing method thereof.

뇌 중추신경계에 대한 전기적 자극 및 전기신호 측정에 관하여서는 오랜 기간동안 연구가 진행되어 왔다. Studies on electrical stimulation and electrical signal measurement of the central nervous system have been conducted for a long period of time.

구체적으로, 뇌에 대한 전기적 자극 및 전기신호 측정방법은, 두개골을 절개하여 절개부에 전극을 삽입한 다음, 삽입된 전극을 대뇌피질에 부착하는 방식으로 이루어지고 있다.Specifically, electrical stimulation and electrical signal measurement methods for the brain are performed by inserting an electrode into the incision and then attaching the inserted electrode to the cerebral cortex.

그러나, 종래의 전기적 자극 및 전기신호 측정방법은 두개골의 절개 면적이 넓어 회복에 많은 시간이 소요되고, 환자에게나 의사에게 수술시 부담이 큰 문제점이 있었다. 이 뿐만 아니라, 종래의 방식은 대뇌피질의 굴곡에 따라 전극이 밀착되지 못하였고, 수술 중에 머리가 움직임에 따라 전극이 탈착되기 쉬운 문제점이 있었다.However, the conventional electrical stimulation and electrical signal measurement method has a problem that it takes a lot of time to recover the cranium because of a large incision area of the skull, and the burden on the patient and the surgeon is large. In addition, in the conventional method, the electrodes are not closely adhered to the curvature of the cerebral cortex, and the electrodes are easily detached as the head moves during the operation.

이의 구체적인 종래예를 하기 도면을 참조하여 설명하도록 한다.A concrete conventional example of this will be described with reference to the following drawings.

도 1 및 도 2는 종래의 피질전도 측정장치를 나타낸 예시도이다.FIG. 1 and FIG. 2 are views showing an example of a conventional cortical conduction measuring apparatus.

먼저, 도 1에 도시된 것처럼, 종래의 피질전도 측정장치(10)는 전극기판(11) 및 전극(12)을 포함한다.First, as shown in FIG. 1, a conventional cortical conduction measurement apparatus 10 includes an electrode substrate 11 and an electrode 12.

그리고, 종래의 상기 피질전도 측정장치(10)는 2D형태의 면 형태로 상기 전극기판(11)이 마련되고, 상기 전극기판(11)에 각 상기 전극(12)이 연결되어 마련된다. 이처럼 마련된 종래의 상기 피질전도 측정장치(10)는, 두께로 인해 상기 전극기판(11)을 대뇌피질(B)의 굴곡에 따라 밀착시키기 어렵다. 또한 좁은 면적의 두개골을 절개할 경우, 종래의 상기 피질전도 측정장치(10)는 상기 전극(12)을 두개골(S)과 대뇌피질(B) 사이의 좁은 공간으로 삽입할 수 없기 때문에, 상기 전극(12)이 부착될 면적만큼 두개골(S)을 절개해야만 했다.The conventional cortical conduction measuring apparatus 10 is provided with the electrode substrate 11 in the form of a 2D shape and each of the electrodes 12 is connected to the electrode substrate 11. In the conventional cortical conduction measurement apparatus 10, it is difficult to closely adhere the electrode substrate 11 to the cortex B due to its thickness. Since the conventional cortical conduction measuring apparatus 10 can not insert the electrode 12 into a narrow space between the skull S and the cortex B when the skull of a narrow area is cut, The skull S had to be incised by an area to which the suture 12 was attached.

이처럼, 두개골(S)을 절개 면적이 넓을 경우, 전술한 바와 같이, 환자나 의사에게 수술시 부담이 크고, 환자의 회복에도 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.As described above, when the incision area of the skull S is wide, there is a problem that the patient or the physician is burdened at the time of surgery and much time is required for recovery of the patient.

또한, 도 2에 도시된 것처럼, 두개골(S)과 대뇌피질(B) 사이로 상기 전극기판(11)이 삽입될 수 있도록 마련된 경우, 두개골(S)의 절개 면적이 적은 이점이 있으나, 두개골(S)과 상기 전극기판(11) 사이에 공간이 형성되어 환자의 머리나 전극기판(11) 및 케이블의 움직임에 따라, 상기 전극(12)이 상기 대뇌피질(B)로부터 탈착될 위험이 있다. 또한, 환자의 머리가 움직이지 않을 경우라도, 상기 전극(12)이 상기 대뇌피질(B)의 굴곡에 따라 밀착되기 어려워 정확한 전기신호를 측정하거나, 전기적 자극을 가할 수 없는 문제가 있다.2, when the electrode substrate 11 is inserted between the skull S and the cerebral cortex B, there is an advantage that the incision area of the skull S is small. However, when the skull S A space is formed between the electrode substrate 11 and the electrode substrate 11 and the electrode 12 is detached from the cerebral cortex B in accordance with movement of the patient's head or the electrode substrate 11 and the cable. Further, even when the head of the patient does not move, the electrode 12 is difficult to adhere due to the curvature of the cerebral cortex (B), so that it is impossible to measure an accurate electric signal or to apply electrical stimulation.

이처럼, 종래의 피질전도 측정장치(10)는 두개골(S)의 절개면적이 넓거나, 대뇌피질(B)의 형상에 따라 안정적으로 전극(12)이 밀착되기 어려운 문제점이 있었다.As described above, the conventional cortical conduction measuring apparatus 10 has a problem that the incision area of the skull S is wide or the electrode 12 is difficult to adhere stably according to the shape of the cerebral cortex (B).

미국공개특허 제2009-0018630호U.S. Published Patent Application No. 2009-0018630

상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 두개골의 천공 면적을 최소화하고, 대뇌피질과 두개골 사이에 긴밀하게 밀착되어 안정적으로 전기 신호를 측정하고, 대뇌 피질에 전기 자극을 가할 수 있는 풍선 타입 피질전도 측정장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and to provide a balloon catheter that minimizes the perforation area of the skull, closely contacts the cortex and the skull, stably measures electric signals, A cortical conduction measurement device and a method of manufacturing the same.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise form disclosed. There will be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 대뇌피질과 두개골 사이로 삽입되도록 마련된 삽입부를 갖는 기판유닛; 및 상기 기판유닛의 일면 및 타면 중 어느 하나 이상에 마련되는 측정유닛을 포함하며, 상기 삽입부는, 내부에 유체가 주입 및 배출됨에 따라 팽창 및 수축할 수 있도록 마련되며, 상기 삽입부가 팽창될 경우, 상기 삽입부의 일면은 상기 두개골의 내측면에 밀착되어 상기 삽입부를 지지하며, 상기 삽입부의 타면은 상기 대뇌피질의 형상에 대응되도록 변형되어 상기 측정유닛을 상기 대뇌피질에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a surgical instrument comprising: a substrate unit having an insertion portion inserted between a cerebral cortex and a skull; And a measuring unit provided on at least one of the one surface and the other surface of the substrate unit, wherein the inserting unit is provided to expand and contract as the fluid is injected and discharged therein, and when the inserting unit is inflated, Wherein one side of the insertion portion is in close contact with the inner surface of the skull to support the insertion portion and the other surface of the insertion portion is deformed to correspond to the shape of the cortex so that the measurement unit is brought into close contact with the cerebral cortex A cortical conduction measurement device is provided.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 기판유닛에 결합되며, 상기 측정유닛과 연결된 IC회로칩을 갖는 회로유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, it may further comprise a circuit unit coupled to the substrate unit and having an IC circuit chip connected to the measurement unit.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 기판유닛은, 상기 삽입부로부터 연장되어 마련되며, 상기 회로유닛이 결합되는 칩장착부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate unit may further include a chip mounting portion extending from the insertion portion and coupled with the circuit unit.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 측정유닛은, 상기 IC회로칩부터 상기 삽입부까지 연장되도록 마련된 하나 이상의 케이블부; 및 상기 삽입부 상에 위치하며, 하나 이상 마련된 측정부를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the measurement unit may include at least one cable portion extending from the IC circuit chip to the insertion portion; And a measurement unit positioned on the insertion unit and provided with one or more measurement units.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 측정부는, 센서 및 전극 중 어느 하나 이상으로 이루어지며, 상기 대뇌피질의 전기신호를 측정하고, 상기 대뇌피질을 전기적으로 자극할 수 있도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the measuring unit may include at least one of a sensor and an electrode, and may measure electrical signals of the cerebral cortex and electrically stimulate the cerebral cortex .

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 삽입부는, 상기 두개골과 접하는 일면보다 상기 대뇌피질에 접하는 타면이 더 얇게 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the insertion portion may be formed such that the other surface contacting the cortex is thinner than one surface contacting the skull.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 a) 하부기판, 접착층 및 상부기판을 준비하는 단계; b) 준비된 상기 상부기판 및 상기 하부기판을 접착하는 단계; c) 접착이 이루어진 상기 상부기판의 상부에 금속전극층을 형성하는 단계; 및 d) 상기 금속전극층상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a) preparing a lower substrate, an adhesive layer, and an upper substrate; b) bonding the prepared upper substrate and the lower substrate; c) forming a metal electrode layer on top of the adhered upper substrate; And d) forming an insulating layer on the metal electrode layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 a) 단계에서, 상기 하부기판은, 캐리어기판(carrier substrate)의 상부에 제1 PDMS(polydimethylsiloane) 스핀 코팅(spin-coating)층을 형성하고, 상기 제1 PDMS 스핀 코팅층 상부에 파릴렌(Parylene)을 도포하여 제1 파릴렌층을 형성하여 준비하도록 마련되고, 상기 상부기판은, 상기 제1 파릴렌층의 상부에 제2 PDMS 스핀 코팅층을 형성하여 준비하도록 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the step a), the lower substrate includes a first PDMS (polydimethylsiloane) spin-coating layer on a carrier substrate, A first parylene layer is formed on the spin coating layer to form a first parylene layer, and the upper substrate is prepared to form a second PDMS spin coating layer on the first parylene layer .

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 b) 단계는, b1) 준비된 상기 상부기판의 상부에 제1 마스킹패턴층(masking pattern)을 형성하는 단계; b2) 상기 제1 마스킹패턴층에 플라즈마(plasma)를 조사하는 단계; 및 b3) 상기 제1 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step b) includes the steps of: b1) forming a first masking pattern on the upper substrate; b2) irradiating the first masking pattern layer with plasma; And b3) removing the first masking pattern layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 b1) 단계에서, 상기 제1 마스킹패턴층은, 상기 상부기판과 상기 하부기판이 접합되지 않는 부위에 패턴이 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, in the step b1), the first masking pattern layer may be formed with a pattern at a portion where the upper substrate and the lower substrate are not bonded.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 b2) 단계에서, 상기 제1 마스킹패턴층에 조사된 플라즈마는 상기 제1 마스킹패턴층의 바깥측에 위치한 제1 파릴렌층을 상기 상부기판과 접착시키는 것을 특징으로 할 수 있다.In the step b2), the plasma irradiated onto the first masking pattern layer adheres the first parylene layer positioned on the outer side of the first masking pattern layer to the upper substrate, can do.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 c) 단계는, c1) 상기 상부기판의 상부에 파릴렌을 도포하여 제2 파릴렌층을 형성하는 단계; c2) 상기 제2 파릴렌층의 상부에 금속박막을 도포하여 금속박막층을 형성하는 단계; c3) 도포된 상기 금속박막층의 상부에 제2 마스킹패턴층을 형성하는 단계; c4) 상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계; 및 c5) 상기 제2 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step c) comprises: c1) forming a second parylene layer by applying parylene onto the upper substrate; c2) forming a metal thin film layer by coating a metal thin film on the second parylene layer; c3) forming a second masking pattern layer on the applied metal thin film layer; c4) forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer; And c5) removing the second masking pattern layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 c4) 단계는, 상기 제2 마스킹패턴층의 패턴 형상에 따라 습식 식각(wet etching) 공정을 수행하여, 상기 금속박막층이 기설정된 패턴으로 패터닝되도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the step c4) is performed by performing a wet etching process according to the pattern shape of the second masking pattern layer, and the metal thin film layer is patterned in a predetermined pattern can do.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 c4) 단계는, 상기 제2 마스킹패턴층의 패턴 형상에 따라 리프트 오프(lift off) 공정을 수행하여, 상기 금속박막층이 기설정된 패턴으로 패터닝되도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the step c4), a lift-off process is performed according to a pattern shape of the second masking pattern layer so that the metal thin film layer is patterned in a predetermined pattern can do.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 d) 단계는, d1) 상기 금속전극층상에 파릴렌을 도포하여 제3 파릴렌층을 형성하는 단계; d2) 상기 제3 파릴렌층의 상부에 제3 마스킹패턴층을 형성하는 단계; d3) 상기 제3 마스킹패턴층에 플라즈마를 조사하여 상기 제3 마스킹패턴층의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층을 식각하여 절연층을 형성하는 단계; 및d4) 상기 제3 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step d) comprises: d1) forming a third parylene layer by applying parylene onto the metal electrode layer; d2) forming a third masking pattern layer on the third parylene layer; d3) irradiating the third masking pattern layer with plasma to form an insulating layer by etching the third parylene layer according to the pattern of the third masking pattern layer; And d4) removing the third masking pattern layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 d3) 단계에서, 상기 제3 마스킹패턴층에 O2 플라즈마를 조사하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, in step d3), the third masking pattern layer is irradiated with an O2 plasma.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 d) 단계 이후에, e) 상기 하부기판에 포함된 캐리어기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the step d), e) removing the carrier substrate included in the lower substrate.

상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 대뇌피질에 측정유닛이 밀착되어 정해진 위치에서 안정적으로 대뇌피질의 전기적 신호 측정 및 전기적 자극을 할 수 있다. The effect of the present invention according to the above configuration is that the measuring unit is brought into close contact with the cerebral cortex and the electrical signals of the cerebral cortex can be stably measured and electrically stimulated at a predetermined position.

또한, 본 발명에 따르면, 기판유닛의 삽입부가 수축된 상태에서, 두개골과 대뇌피질 사이로 삽입되기 때문에, 두개골의 절개면적이 최소화될 수 있다. 이처럼 두개골의 절개면적이 적을 경우, 수술 중 또는 후에 절개부로 세균 등이 침투하여 감염되는 문제를 방지할 수 있고, 수술 후 환자의 회복이 빨라질 수 있다.Further, according to the present invention, since the insertion portion of the substrate unit is contracted and inserted between the skull and the cerebral cortex, the incision area of the skull can be minimized. If the incision area of the skull is small, it is possible to prevent the infecting of bacteria or the like by the incision during or after the surgery, and the recovery of the patient after surgery can be accelerated.

그리고, 삽입부는, 두개골과 대뇌피질 사이로 삽입이 완료된 상태에서 팽창하도록 마련되어, 일면은 두개골의 내측면에 밀착되어 삽입부를 지지하고, 타면은 대뇌피질의 형상에 대응되도록 변형되어 측정유닛을 대뇌피질에 밀착시킬 수 있다. 따라서, 환자의 머리가 움직일 경우에도, 측정유닛이 대뇌피질로부터 탈착될 위험이 없어 안정적이다.In addition, the insertion portion is provided so as to expand in a state in which insertion is completed between the skull and the cerebral cortex, and one side is in contact with the inner surface of the skull to support the insertion portion, and the other surface is deformed to correspond to the shape of the cerebral cortex, Can be brought into close contact with each other. Therefore, even when the head of the patient moves, the measurement unit is stable because there is no risk of detachment from the cerebral cortex.

또한, 기판유닛은 탄성중합체 소재로 이루어지며, 유연한 풍선 형태로 팽창하기 때문에 머리 및 뇌의 움직임에 따라, 형상 보상이 용이하게 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판유닛은 장기간 안정적으로 대뇌피질과 두개골 사이에 삽입되어도 대뇌피질에 손상을 주지 않을 수 있다.Further, since the substrate unit is made of an elastomer material and expands in the form of a flexible balloon, the shape can be easily compensated according to the motion of the head and the brain. Therefore, the substrate unit according to the present invention may not interfere with the cerebral cortex even if it is stably inserted between the cerebral cortex and the skull for a long period of time.

또한, 본 발명에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치는 회로유닛이 기판유닛에 부착된 일체형으로 이루어져 부가적인 장치 없이도 대뇌피질의 전기신호를 측정하고 대뇌피질에 전기 자극을 가하도록 마련되어 있어 편리하다.In addition, the balloon type cortical conduction measuring apparatus according to the present invention is convenient because the circuit unit is integrally formed with the substrate unit, so that the electrical signals of the cerebral cortex are measured and the electrical stimulation is applied to the cerebral cortex without additional devices.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects and include all effects that can be deduced from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims.

도 1 및 도 2는 종래의 피질전도 측정장치를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치를 두개골과 대뇌피질 사이에 삽입한 상태를 나타낸 작동예시도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법의 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 접착하는 단계의 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 준비하는 단계 및 접착하는 단계의 공정예시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 금속전극층을 형성하는 단계의 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 금속전극층을 형성하는 단계의 공정예시도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 절연층을 형성하는 단계의 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 절연층을 형성하는 단계의 공정예시도이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선타입 피질전도 측정장치에 유체를 주입하는 방법을 나타낸 공정예시도이다.FIG. 1 and FIG. 2 are views showing an example of a conventional cortical conduction measuring apparatus.
3 is a perspective view of a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an operational view illustrating a state in which a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention is inserted between a skull and a cerebral cortex.
5 is a flowchart of a method of manufacturing an apparatus for measuring balloon-type cortical conduction according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a flowchart of steps of bonding in accordance with one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating a process of preparing and adhering steps according to an embodiment of the present invention. FIG.
8 is a flowchart of a step of forming a metal electrode layer according to an embodiment of the present invention.
9 is a view illustrating a process of forming a metal electrode layer according to an embodiment of the present invention.
10 is a flowchart of a step of forming an insulating layer according to an embodiment of the present invention.
11 is a view illustrating a process of forming an insulating layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a process for injecting fluid into a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" (connected, connected, coupled) with another part, it is not only the case where it is "directly connected" "Is included. Also, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치를 두개골과 대뇌피질 사이에 삽입한 상태를 나타낸 작동예시도이다.FIG. 3 is a perspective view of a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view illustrating a state in which a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention is inserted between a skull and a cerebral cortex Fig.

도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 풍선 타입 피질전도 측정장치(100)는 기판유닛(110), 측정유닛(120) 및 회로유닛(130)을 포함한다.3 and 4, the balloon-type cortical conduction measurement apparatus 100 includes a substrate unit 110, a measurement unit 120, and a circuit unit 130. [

상기 기판유닛(110)은 삽입부(111), 칩장착부(112)를 포함한다.The substrate unit 110 includes an insertion portion 111 and a chip mounting portion 112.

상기 삽입부(111)는 대뇌피질(B)과 두개골(S) 사이로 삽입될 수 있도록 마련되며, 팽창 및 수축이 가능하도록 마련될 수 있다.The insertion portion 111 is inserted to be inserted between the cerebral cortex (B) and the skull (S), and can be expanded and contracted.

구체적으로, 상기 삽입부(111)는, 내부에 유체가 주입 및 배출됨에 따라 팽창 및 수축할 수 있도록 마련되며, 상기 삽입부(111)가 팽창될 경우, 상기 삽입부의 일면은 상기 두개골(S)의 내측면에 밀착되어 상기 삽입부(111)를 지지하며, 상기 삽입부(111)의 타면은 상기 대뇌피질(B)의 형상에 대응되도록 변형되어 상기 측정유닛(120)을 상기 대뇌피질(B)에 밀착시키는 것을 특징으로 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 환자의 머리가 움직일 경우에도, 상기 측정유닛(120)이 대뇌피질로부터 탈착될 위험이 없어 안정적이다.The inserting portion 111 is formed to be capable of expanding and contracting as the fluid is injected and discharged therein. When the inserting portion 111 is inflated, one side of the inserting portion is inserted into the skull S, And the other surface of the inserting portion 111 is deformed to correspond to the shape of the cortex B so that the measuring unit 120 is deformed to correspond to the cortex B ) To be in close contact with each other. Therefore, according to the present invention, even if the head of a patient moves, the measurement unit 120 is stable because there is no risk of detachment from the cerebral cortex.

또한, 상기 삽입부(111)는, 상기 두개골(S)과 접하는 일면보다 상기 대뇌피질(B)에 접하는 타면이 더 얇게 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 두개골(S)과 접하는 상기 삽입부(111)의 일면은 상기 삽입부(111)가 팽창하였을 경우, 상기 두개골(S)과 면접하여 상기 기판유닛(110)이 움직이지 않도록 지지하여야 한다. 반면에, 상기 대뇌피질(B)에 접하는 상기 삽입부(111)의 타면은 상기 대뇌피질(B)의 형상에 따라 유연하게 변형되어야 한다. 따라서, 상기 삽입부(111)의 타면은 상기 삽입부(111)의 일면보다 얇게 형성될 수 있다.In addition, the insertion portion 111 may be formed so that the other surface contacting the cortex (B) is thinner than one surface contacting the skull S (S). Specifically, one side of the insertion portion 111, which is in contact with the skull S, supports the skull S when the insertion portion 111 is inflated to prevent the substrate unit 110 from moving do. On the other hand, the other surface of the insertion portion 111 contacting the cortex (B) must be flexibly deformed according to the shape of the cortex (B). Therefore, the other surface of the insertion portion 111 may be formed thinner than one surface of the insertion portion 111.

그리고, 상기 삽입부(111)는 탄성중합체 소재로 마련될 수 있다. 따라서, 상기 삽입부(111)는 유연한 풍선 형태로 팽창하기 때문에 머리, 뇌 및 연결된 케이블의 움직임에 따라, 형상 보상이 용이하게 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판유닛(110)은 장기간 안정적으로 대뇌피질(B)과 두개골(S) 사이에 삽입되어도 대뇌피질(B)에 손상을 주지 않을 수 있다. 단, 상기 삽입부(111)의 소재를 탄성중합체로 한정하는 것은 아니며, 이와 유사한 효과를 낼 수 있는 소재를 모두 포함한다.The insertion portion 111 may be formed of an elastomeric material. Therefore, since the insertion portion 111 expands in the form of a flexible balloon, the shape can be easily compensated according to the movement of the head, the brain, and the connected cable. Accordingly, the substrate unit 110 according to the present invention may not interfere with the cerebral cortex (B) even if it is stably inserted between the cerebral cortex (B) and the skull (S) for a long period of time. However, the material of the inserting portion 111 is not limited to an elastomer, and includes all materials capable of producing similar effects.

이처럼 마련된 상기 삽입부(111)는 상기 두개골(S)과 상기 대뇌피질(B) 사이로 삽입될 때는 수축된 상태일 수 있으며, 상기 삽입부(111)가 기설정된 위치로 삽입이 완료되었을 때, 팽창되도록 마련될 수 있다.The inserted portion 111 may be in a contracted state when inserted between the skull S and the cerebral cortex B. When the insertion portion 111 is inserted into the predetermined position, .

이때, 상기 두개골(S)은 상기 삽입부(111)가 통과할 정도의 크기로만 절개된 상태일 수 있다.At this time, the skull S may only be cut to a size enough for the insertion portion 111 to pass through.

즉, 본 발명에 따르면, 상기 기판유닛(110)의 삽입부(111)가 수축된 상태에서, 두개골(S)과 대뇌피질(B) 사이로 삽입되기 때문에, 두개골(S)의 절개면적이 최소화될 수 있다. 이처럼 두개골(S)의 절개면적이 적을 경우, 수술 중 또는 후에 절개부로 세균 등이 침투하여 감염되는 문제를 방지할 수 있고, 수술 후 환자의 회복이 빨라질 수 있다.That is, according to the present invention, since the insertion portion 111 of the substrate unit 110 is inserted between the skull S and the cerebral cortex B in a contracted state, the incision area of the skull S is minimized . When the incision area of the skull S is small, it is possible to prevent a problem such as infecting bacteria or the like from infecting the incision during or after the operation, and the recovery of the patient after the operation can be accelerated.

상기 칩장착부(112)는 상기 삽입부(111)로부터 연장되어 마련되며, 상기 회로유닛(130)이 결합되도록 마련될 수 있다.The chip mounting portion 112 may extend from the inserting portion 111 and may be provided to be coupled to the circuit unit 130.

구체적으로, 상기 칩장착부(112)는 상기 삽입부(111)가 상기 대뇌피질(B) 및 상기 두개골(S) 사이로 삽입되었을 때, 상기 두개골(S)의 외부에 위치하도록 마련되며, 하나 이상의 상기 회로유닛(130)이 장착될 수 있다.Specifically, the chip mounting portion 112 is provided outside the skull S when the insertion portion 111 is inserted between the cortex B and the skull S, The circuit unit 130 can be mounted.

상기 측정유닛(120)은 상기 기판유닛(110)의 일면 및 타면 중 어느 하나 이상에 마련될 수 있으며, 케이블부(121) 및 측정부(122)를 포함한다.The measurement unit 120 may be provided on one or both surfaces of the substrate unit 110 and includes a cable unit 121 and a measurement unit 122.

상기 케이블부(121)는 상기 회로유닛(130)의 IC회로칩부터 상기 삽입부(111)까지 연장되도록 마련될 수 있다.The cable portion 121 may extend from the IC circuit chip of the circuit unit 130 to the insertion portion 111.

상기 측정부(122)는 상기 삽입부(111) 상에 위치한 상기 케이블부(121)의 길이 방향으로 하나 이상 마련될 수 있다. 그리고, 상기 측정부(122)는, 센서 및 전극 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으며, 상기 대뇌피질(B)의 전기신호를 측정하고, 상기 대뇌피질(B)을 전기적으로 자극하도록 마련될 수 있다.The measurement unit 122 may be provided in the longitudinal direction of the cable unit 121 located on the insertion unit 111. The measurement unit 122 may be formed of at least one of a sensor and an electrode and measure the electrical signal of the cerebral cortex B and electrically stimulate the cerebral cortex B .

이처럼 마련된 상기 측정부(122)는 상기 삽입부(111)가 팽창하였을 때, 상기 대뇌피질(B)에 밀착되어 정해진 위치에서 안정적으로 대뇌피질의 전기적 신호 측정 및 전기적 자극을 할 수 있다.When the insertion unit 111 is inflated, the measurement unit 122 can closely measure the cerebral cortex (B) and stably measure an electrical signal of the cerebral cortex at a predetermined position and perform electrical stimulation.

상기 회로유닛(130)은 상기 기판유닛(110)에 결합되며, 상기 측정유닛(120)과 연결된 IC회로칩을 갖도록 마련될 수 있다. 이처럼 마련된 상기 풍선 타입 피질전도 측정장치(100)는 상기 회로유닛(130)이 상기 기판유닛(110)에 부착된 일체형으로 이루어져 부가적인 장치 없이도 대뇌피질(B)의 전기신호를 측정하고 대뇌피질(B)에 전기 자극을 가하도록 마련되어 있어 사용이 편리하다.The circuit unit 130 may be coupled to the substrate unit 110 and may include an IC circuit chip connected to the measurement unit 120. The balloon-type cortical conduction measuring apparatus 100 provided as described above is constructed integrally with the circuit unit 130 attached to the substrate unit 110 and measures the electrical signal of the cerebral cortex (B) B), so that it is convenient to use.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법의 순서도이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 접착하는 단계의 순서도이며, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 준비하는 단계 및 접착하는 단계의 공정예시도이다.FIG. 5 is a flow chart of a method of manufacturing an apparatus for measuring balloon-type cortical conduction according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a flowchart of a bonding step according to an embodiment of the present invention, and FIG. Fig. 8 is an example of a process of preparing and adhering steps according to the example. Fig.

도 5 내지 도 7에 도시된 것처럼, 풍선 타입 피질전도 측정장치(200)의 제조방법은 먼저, 하부기판 및 상부기판을 준비하는 단계(S210)를 수행할 수 있다.As shown in FIGS. 5 to 7, the method for manufacturing the balloon-type cortical conduction measuring apparatus 200 may firstly prepare the lower substrate and the upper substrate (S210).

하부기판 및 상부기판을 준비하는 단계(S210)에서, 먼저, 상기 하부기판(210)은, 도 7의 (a)에 도시된 것처럼, 캐리어기판(carrier substrate, 211)의 상부에 제1 PDMS(polydimethylsiloane, 212) 스핀 코팅(spin-coating)층을 형성하고, 상기 제1 PDMS 스핀 코팅층(212) 상부에 파릴렌(Parylene)을 도포하여 결합되어 제1 파릴렌층(213)을 형성하여 준비하도록 마련될 수 있다. 7A, the lower substrate 210 is formed on the upper surface of the carrier substrate 211 with a first PDMS (not shown) a first spin coating layer is formed on the first PDMS spin coating layer 212 and a parylene layer is coated on the first PDMS spin coating layer 212 to form a first parylene layer 213 .

상기 상부기판(220)은, 도 7의 (b)에 도시된 것처럼, 상기 제1 파릴렌층(213)의 상부에 제2 PDMS 스핀 코팅층(220)을 형성하여 준비하도록 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.The upper substrate 220 may be formed by forming a second PDMS spin coating layer 220 on the first parylene layer 213 as shown in FIG. 7 (b) have.

여기서, 상기 하부기판(210) 및 상기 상부기판(220)은 동시에 준비가 이루어질 수 있고, 상기 상부기판(220)이 상기 하부기판(210) 보다 먼저 준비될 수도 있다. Here, the lower substrate 210 and the upper substrate 220 may be prepared at the same time, and the upper substrate 220 may be prepared before the lower substrate 210.

또한, 상기 하부기판(210) 및 상기 상부기판(220)은 상기 풍선 타입 피질전도 측정장치(100)의 상기 기판유닛(110)과 대응된다.In addition, the lower substrate 210 and the upper substrate 220 correspond to the substrate unit 110 of the balloon-type cortical conduction measurement apparatus 100.

하부기판 및 상부기판을 준비하는 단계(S210) 이후에는, 준비된 상기 상부기판 및 상기 하부기판을 접착하는 단계(S220)를 수행할 수 있다.After the step S210 of preparing the lower substrate and the upper substrate, a step S220 of bonding the prepared upper substrate and the lower substrate may be performed.

준비된 상기 상부기판 및 상기 하부기판을 접착하는 단계(S220)는 먼저, 준비된 상기 상부기판의 상부에 제1 마스킹패턴층(masking pattern)을 형성하는 단계(S221)가 수행된다.In the step S220 of bonding the upper substrate and the lower substrate to each other, a step S221 of forming a first masking pattern on the upper substrate is performed.

준비된 상기 상부기판의 상부에 제1 마스킹패턴층(masking pattern)을 형성하는 단계(S221)에서, 상기 제1 마스킹패턴층(230)은, 도 7의 (c)에 도시된 것처럼, 상기 상부기판(220)과 상기 하부기판(210)이 접합하지 않는 부위에 패턴이 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.In the step of forming a first masking pattern on the prepared upper substrate (S221), the first masking pattern layer 230 is formed on the upper substrate 200, as shown in FIG. 7 (c) A pattern may be formed at a portion where the upper substrate 220 and the lower substrate 210 are not bonded to each other.

즉, 상기 제1 마스킹패턴층(230)의 패턴에 따라, 상기 상부기판(220)과 상기 하부기판(210)이 접착될 때, 접착되는 위치가 결정될 수 잇다.That is, depending on the pattern of the first masking pattern layer 230, the position where the upper substrate 220 and the lower substrate 210 are bonded may be determined.

준비된 상기 상부기판의 상부에 제1 마스킹패턴층(masking pattern)을 형성하는 단계(S221) 이후에는, 상기 제1 마스킹패턴층에 플라즈마(plasma)를 조사하는 단계(S222)가 수행될 수 있다.After step S221 of forming a first masking pattern on the prepared upper substrate, step S222 of irradiating the first masking pattern layer with plasma may be performed.

상기 제1 마스킹패턴층에 플라즈마(plasma)를 조사하는 단계(S222)에서, 상기 제1 마스킹패턴층(230)에 조사된 플라즈마는, 도 7의 (d)에 도시된 것처럼, 상기 제1 마스킹패턴층(230)의 바깥측에 위치한 제1 파릴렌층(213)과 상기 상부기판(220) 을 접착시킬 수 있다.7 (d), the plasma irradiated on the first masking pattern layer 230 is irradiated with the plasma of the first masking pattern layer 230 in step S222, The first parylene layer 213 located on the outer side of the pattern layer 230 and the upper substrate 220 may be adhered to each other.

즉, 상기 제1 파릴렌층(213)를 향해 조사된 플라즈마는 상기 제1 마스킹패턴층(230)에 의해 차단되지 않은 부분을 가열하여 상기 상부기판(220)과 상기 하부기판(210)을 접착시킬 수 있다.That is, the plasma irradiated toward the first parylene layer 213 heats a portion not blocked by the first masking pattern layer 230 to adhere the upper substrate 220 and the lower substrate 210 .

또한, 상기 플라즈마는 N2/O2 플라즈마일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the plasma may be an N2 / O2 plasma, but is not limited thereto.

상기 제1 마스킹패턴층에 플라즈마(plasma)를 조사하는 단계(S222) 이후에는, 도 7의 (e)에 도시된 것처럼, 상기 제1 마스킹패턴층을 제거하는 단계(S223)가 수행될 수 있다.After step S222 of irradiating the first masking pattern layer with plasma, a step S223 of removing the first masking pattern layer may be performed as shown in FIG. 7 (e) .

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 금속전극층을 형성하는 단계의 순서도이고, 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 금속전극층을 형성하는 단계의 공정예시도이다.FIG. 8 is a flow chart of a step of forming a metal electrode layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view illustrating a process of forming a metal electrode layer according to an embodiment of the present invention.

도 5, 도 8 및 도 9에 도시된 것처럼, 준비된 상기 상부기판 및 상기 하부기판을 접착하는 단계(S220) 이후에는, 접착이 이루어진 상기 상부기판의 상부에 금속전극층을 형성하는 단계(S230)를 수행할 수 있다.As shown in FIGS. 5, 8, and 9, after the step S220 of bonding the upper substrate and the lower substrate to each other, a step S230 of forming a metal electrode layer on the upper substrate is performed Can be performed.

그리고, 접착이 이루어진 상기 상부기판의 상부에 금속전극층을 형성하는 단계(S230)는, 먼저, 상기 상부기판의 상부에 파릴렌을 도포하여 제2 파릴렌층을 형성하는 단계(S231)가 수행될 수 있다.In the step S230 of forming the metal electrode layer on the upper substrate having the adhesion, a step S231 of forming a second parylene layer by applying parylene onto the upper substrate may be performed first have.

상기 상부기판의 상부에 파릴렌을 도포하여 제2 파릴렌층을 형성하는 단계(S231)에서, 상기 상부기판(210)의 상부에는 도 9의 (f)에 도시된 것처럼, 금속전극을 도포하기 위한 파릴렌이 도포되어 제2 파릴렌층(240)이 형성될 수 있다.9 (f), on the upper substrate 210, a second parylene layer is formed by applying parylene to the upper portion of the upper substrate, Parylene may be applied to form the second parylene layer 240.

상기 상부기판의 상부에 파릴렌을 도포하여 제2 파릴렌층을 형성하는 단계(S231) 이후에는, 상기 제2 파릴렌층의 상부에 금속박막을 도포하여 금속박막층을 형성하는 단계(S232)가 수행될 수 있다.After the step S231 of forming the second parylene layer by applying parylene onto the upper substrate, a step S232 of forming a metal thin layer by coating a metal thin film on the second parylene layer is performed .

상기 제2 파릴렌층의 상부에 금속박막을 도포하여 금속박막층을 형성하는 단계(S232)에서, 상기 제2 파릴렌층(240)의 상부에는 도 9의 (g)에 도시된 것처럼, 금속박막이 도포되어 도포됨으로써, 금속박막층(250a)을 형성할 수 있다.In step (S232) of forming a metal thin film layer on the upper part of the second parylene layer, a metal thin film is coated on the upper part of the second parylene layer 240, as shown in FIG. 9 (g) So that the metal thin film layer 250a can be formed.

여기서, 상기 금속박막층(250a)의 금속박막은 Cr, Ti, Au, Pt 등을 포함할 수 있다.Here, the metal thin film of the metal thin film layer 250a may include Cr, Ti, Au, Pt, and the like.

또한, 금속막박층(250a)을 형성하기 위해 금속박막을 도포할 때, 스퍼터(Sputter) 및 증발증착기(evaporator)를 이용할 수 있다.In addition, when the thin metal film is coated to form the thin metal film layer 250a, a sputter and an evaporator may be used.

상기 제2 파릴렌층의 상부에 금속박막을 도포하여 금속박막층을 형성하는 단계(S232) 이후에는, 도포된 상기 금속박막의 상부에 제2 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S233)가 수행될 수 있다.After the step S232 of forming the metal thin film layer on the upper side of the second parylene layer, a step S233 of forming a second masking pattern layer on the applied metal thin film may be performed .

도포된 상기 금속박막의 상부에 제2 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S233)에서, 상기 금속박막층(250a)의 상부에는 도 9의 (h)에 도시된 것처럼, 제2 마스킹패턴층(260)이 형성될 수 있다. A second masking pattern layer 260 is formed on the metal thin film layer 250a at a step S233 of forming a second masking pattern layer on the coated metal thin film, Can be formed.

상기 제2 마스킹패턴층(260)은 상기 금속박막층(250a)을 패터닝하여 금속전극층(250b)을 형성하기 위해 마련되며, 이를 위해 상기 제2 마스킹패턴층(260)은 기설정된 금속전극층(250b)의 형상에 대응되는 패턴을 갖도록 마련될 수 있다.The second masking pattern layer 260 is formed to pattern the metal thin film layer 250a to form a metal electrode layer 250b. For this purpose, the second masking pattern layer 260 is formed by a predetermined metal electrode layer 250b, May be provided so as to have a pattern corresponding to the shape of the pattern.

도포된 상기 금속박막의 상부에 제2 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S233) 이후에는, 상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계(S234)가 수행될 수 있다.After the step S233 of forming the second masking pattern layer on the coated metal thin film, the step S234 of forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer is performed .

상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계(S234)에서, 상기 제2 마스킹패턴층(260)의 패턴에 따라 상기 금속박막층(250a)을 패터닝하여 금속전극층(250b)을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 도 9의 (i)에 도시된 것처럼, 상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계(S234)에서, 상기 금속박막층(250a)은 습식 식각(wet etching) 공정에 의해 상기 제2 마스킹패턴층(260)의 패턴 형상에 따라 식각되어 패터닝됨으로써, 상기 금속전극층(250b)을 형성할 수 있다.The metal thin film layer 250a may be patterned according to a pattern of the second masking pattern layer 260 in step S234 of forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer, The electrode layer 250b can be formed. 9 (i), in the step of forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer (S234), the metal thin film layer 250a is wet- The metal electrode layer 250b may be formed by etching and patterning according to the pattern shape of the second masking pattern layer 260 by a wet etching process.

상기 금속박막층(250a)은 상부에 상기 제2 마스킹패턴층(260)을 안착한 상태에서 습식 식각 공정이 이루어지기 때문에 저비용으로, 신속하고 정확하게 식각이 이루어질 수 있다.Since the wet etching process is performed in a state where the second masking pattern layer 260 is seated on the metal thin film layer 250a, etching can be performed quickly and accurately at a low cost.

상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계(S234) 이후에는, 도 9의 (j)에 도시된 것처럼, 상기 제2 마스킹패턴층을 제거하는 단계(S235)가 수행될 수 있다.After the step S234 of forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer, as shown in FIG. 9J, removing the second masking pattern layer S235) may be performed.

이처럼 마련된 상기 금속전극층(250b)은 상기 풍선 타입 피질전도 측정장치(100)의 측정유닛(120)과 대응된다.The metal electrode layer 250b thus formed corresponds to the measurement unit 120 of the balloon-type cortical conduction measurement apparatus 100. [

도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 절연층을 형성하는 단계의 순서도이고, 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 절연층을 형성하는 단계의 공정예시도이다.FIG. 10 is a flow chart of a step of forming an insulating layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a view illustrating an example of a process of forming an insulating layer according to an embodiment of the present invention.

도 5, 도 10 및 도 11에 도시된 것처럼, 접착이 이루어진 상기 상부기판의 상부에 금속전극층을 형성하는 단계(S230) 이후에는, 상기 금속전극층상에 절연층을 형성하는 단계(S240)를 수행할 수 있다.As shown in FIGS. 5, 10, and 11, after the step S230 of forming the metal electrode layer on the upper substrate on which the bonding is performed, an insulating layer is formed on the metal electrode layer (S240) can do.

상기 금속전극층상에 절연층을 형성하는 단계(S240)는 먼저, 상기 금속전극층상에 파릴렌을 도포하여 제3 파릴렌층을 형성하는 단계(S241)가 수행될 수 있다.In the step of forming an insulating layer on the metal electrode layer (S240), a step S241 of forming a third parylene layer by applying parylene onto the metal electrode layer may be performed.

상기 금속전극층상에 파릴렌을 도포하여 제3 파릴렌층을 형성하는 단계(S241)에서, 상기 금속전극층(250b)상에는 제3 파릴렌층(270a)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 금속전극층(250b)은 습식 식각되어 기설정된 패턴을 형성하고 있다. 상기 제3 파릴렌층(270a)은 도 11의 (k)에 도시된 것처럼, 상기 금속전극층(250b)의 패턴에 따라 형성된 공간을 채우고 및 상기 금속전극층(250b)의 상부를 덮도록 파릴렌이 도포되어 형성될 수 있다.A third parylene layer 270a may be formed on the metal electrode layer 250b in step S241 of forming the third parylene layer by applying parylene on the metal electrode layer. Specifically, the metal electrode layer 250b is wet-etched to form a predetermined pattern. The third parylene layer 270a may be formed by filling a space formed according to the pattern of the metal electrode layer 250b and covering the upper portion of the metal electrode layer 250b, .

상기 금속전극층상에 파릴렌을 도포하여 제3 파릴렌층을 형성하는 단계(S241) 이후에는, 상기 제3 파릴렌층의 상부에 제3 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S242)가 수행될 수 있다.After forming the third parylene layer (S241) by applying parylene onto the metal electrode layer, a step S242 of forming a third masking pattern layer on the third parylene layer may be performed.

상기 제3 파릴렌층의 상부에 제3 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S242)에서, 상기 제3 파릴렌층(270a)의 상부에는 제3 마스킹패턴층(280)이 형성될 수 잇다. 상기 제3 마스킹패턴층(280)은 도 11의 (l)에 도시된 것처럼, 상기 제3 파릴렌층(270a)이 절연층(270b)을 형성할 수 있도록 기설정된 패턴으로 형성될 수 있다.A third masking pattern layer 280 may be formed on the third parylene layer 270a in step S242 of forming a third masking pattern layer on the third parylene layer. The third masking pattern layer 280 may be formed in a predetermined pattern so that the third parylene layer 270a may form an insulating layer 270b, as shown in FIG. 11 (1).

상기 제3 파릴렌층의 상부에 제3 마스킹패턴층을 형성하는 단계(S242) 이후에는, 상기 제3 마스킹패턴층에 플라즈마를 조사하여 상기 제3 마스킹패턴층의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층을 식각하여 절연층을 형성하는 단계(S243)가 수행될 수 있다.After the step S242 of forming the third masking pattern layer on the third parylene layer, the third masking pattern layer is irradiated with plasma to form the third parylene layer according to the pattern of the third masking pattern layer (S243) of forming an insulating layer by etching may be performed.

상기 제3 마스킹패턴층에 플라즈마를 조사하여 상기 제3 마스킹패턴층의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층을 식각하여 절연층을 형성하는 단계(S243)에서, 상기 제3 마스킹패턴층(280)을 향해 조사된 플라즈마는 도 11의 (m)에 도시된 것처럼, 상기 제3 마스킹패턴층(280)의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층(270a)을 식각하여 상기 절연층(270b)을 형성할 수 있다.In the step (S243) of forming the insulating layer by etching the third parylene layer according to the pattern of the third masking pattern layer by irradiating plasma to the third masking pattern layer, the third masking pattern layer 280 11 (m), the third parylene layer 270a may be etched according to the pattern of the third masking pattern layer 280 to form the insulating layer 270b have.

이처럼 마련된 상기 절연층(270b)은 상기 금속전극층(250b)의 일부분이 상기 대뇌피질(B) 등의 대상체에 접촉할 수 있도록 상기 금속전극층(250b)의 상부 일부분에 패터닝될 수 있다. 즉, 상기 절연층(270b)은 상기 금속전극층(250b)에 대한 절연 기능을 수행할 수 있다.The insulating layer 270b may be patterned on a portion of the upper portion of the metal electrode layer 250b such that a portion of the metal electrode layer 250b contacts a target object such as the cerebral cortex B. [ That is, the insulating layer 270b may perform an insulating function with respect to the metal electrode layer 250b.

또한, 상기 절연층(270b)은 상기 금속전극층(250b)이 상기 대뇌피질(B) 등의 대상체에 접촉할 때, 상기 금속전극층(250b)에 가해지는 응력을 감소시킬 수 있다.The insulating layer 270b may reduce the stress applied to the metal electrode layer 250b when the metal electrode layer 250b contacts the object such as the cerebral cortex B. [

그리고, 상기 제3 파릴렌층(270a)을 식각하기 위해 조사되는 플라즈마는 O2플라즈마일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The plasma irradiated to etch the third parylene layer 270a may be an O2 plasma, but is not limited thereto.

상기 제3 마스킹패턴층에 플라즈마를 조사하여 상기 제3 마스킹패턴층의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층을 식각하여 절연층을 형성하는 단계(S243) 이후에는, 도 11의 (n)에 도시된 것처럼, 상기 제3 마스킹패턴층을 제거하는 단계(S244)가 수행될 수 있다.After the step (S243) of forming the insulating layer by etching the third parylene layer according to the pattern of the third masking pattern layer by irradiating plasma to the third masking pattern layer, , The step of removing the third masking pattern layer (S244) may be performed.

상기 금속전극층상에 절연층을 형성하는 단계(S240) 이후에는 상기 하부기판에 포함된 캐리어기판을 제거하는 단계(S250)를 더 수행할 수 있다.After the step S240 of forming the insulating layer on the metal electrode layer, the step S250 of removing the carrier substrate included in the lower substrate may be further performed.

도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 풍선타입 피질전도 측정장치에 유체를 주입하는 방법을 나타낸 공정예시도이다.FIG. 12 is a diagram illustrating a process for injecting fluid into a balloon-type cortical conduction measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 12를 더 참조하여, 전술한 바와 같이 마련된 풍선 타입 피질전도 측정장치(200)에 유체를 주입하는 방법을 설명하도록 한다.Referring to FIG. 12, a method of injecting fluid into the balloon-type cortical conduction measuring apparatus 200 as described above will be described.

우선, 전술한 바와 같이 선택적으로 상기 하부기판(210)과 상기 상부기판(220)이 접합된 풍선 타입 피질전도 측정장치(200)를 준비한다. 그리고, 상기 제1 파릴렌층(213) 중 상기 접착층(213a)이 형성되지 않은 부분에 관통홀(H)을 형성할 수 있다.First, the balloon-type cortical conduction measuring apparatus 200 in which the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are selectively bonded as described above is prepared. A through hole H may be formed in a portion of the first parylene layer 213 where the adhesive layer 213a is not formed.

상기 관통홀(H)은 상기 상부기판(220)부터 상기 제1 PDMS 스핀 코팅층(212)의 소정의 깊이까지 관통되어 형성될 수 있다. The through hole H may be formed to penetrate from the upper substrate 220 to a predetermined depth of the first PDMS spin coating layer 212.

그리고, 상기 관통홀(H)에는 주입부(290)를 삽입하고, 상기 주입부(290)를 통해 유체를 주입하거나 유체를 배출시키는 방식으로 상기 하부기판(210) 및 상기 상부기판(220)을 팽창 및 수축시킬 수 있다.The injection unit 290 is inserted into the through hole H and the fluid is injected through the injection unit 290 or the fluid is discharged to the upper substrate 220 and the upper substrate 220, Expanding and contracting.

즉, 전술한 바와 같이 마련된 방법에 따라, 상기 풍선 타입 피질전도 측정장치(100)의 삽입부(111)는 팽창 및 수축이 이루어질 수 있다.That is, according to the method described above, the insertion portion 111 of the balloon-type cortical conduction measuring apparatus 100 may be expanded and contracted.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

10: 피질전도 측정장치 11: 전극기판
12: 전극
100: 풍선 타입 피질전도 측정장치
110: 기판유닛 111: 삽입부
112: 칩장착부 120: 측정유닛
121: 케이블부 122: 측정부
130: 회로유닛
200: 풍선 타입 피질전도 측정장치
210: 하부기판 211: 캐리어기판
212: 제1 PDMS 스핀 코팅층 213: 제1 파릴렌층
213a: 접착층 220: 상부기판
230: 제1 마스킹패턴층 240: 제2 파릴렌층
250a: 금속박막층 250b: 금속전극층
260: 제2 마스킹패턴층 270a: 제3 파릴렌층
270b: 절연층 280: 제3 마스킹패턴층
290: 주입부10: cortical conduction measurement device 11: electrode substrate
12: Electrode
100: Balloon type cortical conduction measuring device
110: substrate unit 111:
112: chip mounting part 120: measuring unit
121: cable part 122: measuring part
130: circuit unit
200: Balloon type cortical conduction measuring device
210: lower substrate 211: carrier substrate
212: first PDMS spin coating layer 213: first parylene layer
213a: adhesive layer 220: upper substrate
230: first masking pattern layer 240: second parylene layer
250a: metal thin film layer 250b: metal electrode layer
260: second masking pattern layer 270a: third parylene layer
270b: insulating layer 280: third masking pattern layer
290:

Claims (17)

대뇌피질과 두개골 사이로 삽입되도록 마련된 삽입부를 갖는 기판유닛; 및
상기 기판유닛의 일면 및 타면 중 어느 하나 이상에 마련되는 측정유닛을 포함하며,
상기 삽입부는, 내부에 유체가 주입 및 배출됨에 따라 팽창 및 수축할 수 있도록 마련되며,
상기 삽입부가 팽창될 경우, 상기 삽입부의 일면은 상기 두개골의 내측면에 밀착되어 상기 삽입부를 지지하며, 상기 삽입부의 타면은 상기 대뇌피질의 형상에 대응되도록 변형되어 상기 측정유닛을 상기 대뇌피질에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치. A substrate unit having an insertion portion adapted to be inserted between the cerebral cortex and the skull; And
And a measurement unit provided on at least one of the one surface and the other surface of the substrate unit,
The inserting portion is configured to expand and contract as the fluid is injected and discharged therein,
Wherein one side of the insertion portion is in close contact with the inner side surface of the skull to support the insertion portion when the insertion portion is inflated and the other side of the insertion portion is deformed to correspond to the shape of the cortex to closely contact the measurement unit with the cortex Wherein the balloon-type cortical conduction measuring device is a balloon-type cortical conduction measuring device. 제 1 항에 있어서,
상기 기판유닛에 결합되며, 상기 측정유닛과 연결된 IC회로칩을 갖는 회로유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치.The method according to claim 1,
Further comprising a circuit unit coupled to the substrate unit and having an IC circuit chip connected to the measurement unit. 제 2 항에 있어서,
상기 기판유닛은,
상기 삽입부로부터 연장되어 마련되며, 상기 회로유닛이 결합되는 칩장착부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치.3. The method of claim 2,
Wherein the substrate unit comprises:
Further comprising a chip mounting portion extending from the insertion portion and coupled with the circuit unit. 제 2 항에 있어서,
상기 측정유닛은,
상기 IC회로칩부터 상기 삽입부까지 연장되도록 마련된 하나 이상의 케이블부; 및
상기 삽입부 상에 위치하며, 하나 이상 마련된 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치.3. The method of claim 2,
Wherein the measuring unit comprises:
At least one cable portion extending from the IC circuit chip to the insertion portion; And
And a measurement unit positioned on the insertion unit and provided with at least one measurement unit. 제 4 항에 있어서,
상기 측정부는,
센서 및 전극 중 어느 하나 이상으로 이루어지며,
상기 대뇌피질의 전기신호를 측정하고, 상기 대뇌피질을 전기적으로 자극할 수 있도록 마련된 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치.5. The method of claim 4,
Wherein the measuring unit comprises:
A sensor, and an electrode,
Wherein the balloon-type cortical conduction measuring device is provided to measure the electrical signal of the cerebral cortex and electrically stimulate the cerebral cortex. 제 1 항에 있어서,
상기 삽입부는,
상기 두개골과 접하는 일면보다 상기 대뇌피질에 접하는 타면이 더 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치.The method according to claim 1,
The insertion portion
And the other surface contacting the cortex is formed to be thinner than one surface contacting the cranium. a) 하부기판 및 상부기판을 준비하는 단계;
b) 준비된 상기 상부기판 및 상기 하부기판을 접착하는 단계;
c) 접착이 이루어진 상기 상부기판의 상부에 금속전극층을 형성하는 단계; 및
d) 상기 금속전극층상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.a) preparing a lower substrate and an upper substrate;
b) bonding the prepared upper substrate and the lower substrate;
c) forming a metal electrode layer on top of the adhered upper substrate; And
and d) forming an insulating layer on the metal electrode layer. 제 7 항에 있어서,
상기 a) 단계에서,
상기 하부기판은, 캐리어기판(carrier substrate)의 상부에 제1 PDMS(polydimethylsiloane) 스핀 코팅(spin-coating)층을 형성하고, 상기 제1 PDMS 스핀 코팅층 상부에 파릴렌(Parylene)을 도포하여 제1 파릴렌층을 형성하여 준비하도록 마련되고,
상기 상부기판은, 상기 제1 파릴렌층의 상부에 제2 PDMS 스핀 코팅층을 형성하여 준비하도록 마련되는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
In the step a)
The lower substrate may include a first PDMS spin coating layer on the carrier substrate and a second PDMS spin coating layer on the first PDMS spin coating layer, A parylene layer is formed and prepared,
Wherein the upper substrate is prepared by forming a second PDMS spin coating layer on the first parylene layer. 제 7 항에 있어서,
상기 b) 단계는,
b1) 준비된 상기 상부기판의 상부에 제1 마스킹패턴층(masking pattern)을 형성하는 단계;
b2) 상기 제1 마스킹패턴층에 플라즈마(plasma)를 조사하는 단계; 및
b3) 상기 제1 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The step b)
b1) forming a first masking pattern on top of the prepared upper substrate;
b2) irradiating the first masking pattern layer with plasma; And
b3) removing the first masking pattern layer. < Desc / Clms Page number 20 > 제 9 항에 있어서,
상기 b1) 단계에서,
상기 제1 마스킹패턴층은,
상기 상부기판과 상기 하부기판이 접합되지 않는 부위에 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
In the step b1)
The first masking pattern layer may be formed by patterning,
Wherein a pattern is formed at a portion where the upper substrate and the lower substrate are not joined to each other. 제 9 항에 있어서,
상기 b2) 단계에서,
상기 제1 마스킹패턴층에 조사된 플라즈마는 상기 제1 마스킹패턴층의 바깥측에 위치한 제1 파릴렌층을 상기 상부기판과 접착시키는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
In the step b2)
Wherein the plasma irradiated on the first masking pattern layer adheres a first parylene layer located on the outer side of the first masking pattern layer to the upper substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 c) 단계는,
c1) 상기 상부기판의 상부에 파릴렌을 도포하여 제2 파릴렌층을 형성하는 단계;
c2) 상기 제2 파릴렌층의 상부에 금속박막을 도포하여 금속박막층을 형성하는 단계;
c3) 도포된 상기 금속박막층의 상부에 제2 마스킹패턴층을 형성하는 단계;
c4) 상기 제2 마스킹패턴층을 이용하여 상기 금속박막층을 패터닝하여 상기 금속전극층을 형성하는 단계; 및
c5) 상기 제2 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The step c)
c1) forming a second parylene layer by applying parylene onto the upper substrate;
c2) forming a metal thin film layer by coating a metal thin film on the second parylene layer;
c3) forming a second masking pattern layer on the applied metal thin film layer;
c4) forming the metal electrode layer by patterning the metal thin film layer using the second masking pattern layer; And
and c5) removing the second masking pattern layer. < Desc / Clms Page number 20 > 제 12 항에 있어서,
상기 c4) 단계는,
상기 제2 마스킹패턴층의 패턴 형상에 따라 습식 식각(wet etching) 공정을 수행하여, 상기 금속박막층이 기설정된 패턴으로 패터닝되도록 마련된 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.13. The method of claim 12,
The step c4)
Wherein a wet etching process is performed according to a pattern shape of the second masking pattern layer so that the metal thin film layer is patterned in a predetermined pattern. 제 12 항에 있어서,
상기 c4) 단계는,
상기 제2 마스킹패턴층의 패턴 형상에 따라 리프트 오프(lift off) 공정을 수행하여, 상기 금속박막층이 기설정된 패턴으로 패터닝되도록 마련된 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.13. The method of claim 12,
The step c4)
Wherein a lift off process is performed according to a pattern shape of the second masking pattern layer so that the metal thin film layer is patterned in a predetermined pattern. 제 7 항에 있어서,
상기 d) 단계는,
d1) 상기 금속전극층상에 파릴렌을 도포하여 제3 파릴렌층을 형성하는 단계;
d2) 상기 제3 파릴렌층의 상부에 제3 마스킹패턴층을 형성하는 단계;
d3) 상기 제3 마스킹패턴층에 플라즈마를 조사하여 상기 제3 마스킹패턴층의 패턴에 따라 상기 제3 파릴렌층을 식각하여 상기 절연층을 형성하는 단계; 및
d4) 상기 제3 마스킹패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The step d)
d1) applying parylene to the metal electrode layer to form a third parylene layer;
d2) forming a third masking pattern layer on the third parylene layer;
d3) irradiating the third masking pattern layer with plasma to form the insulating layer by etching the third parylene layer according to the pattern of the third masking pattern layer; And
d4) removing the third masking pattern layer. < Desc / Clms Page number 19 > 제 15 항에 있어서,
상기 d3) 단계에서,
상기 제3 마스킹패턴층에 O2 플라즈마를 조사하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.16. The method of claim 15,
In the step d3)
Wherein the third masking pattern layer is irradiated with an O2 plasma. 제 7 항에 있어서,
상기 d) 단계 이후에,
e) 상기 하부기판에 포함된 캐리어기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 풍선 타입 피질전도 측정장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
After the step d)
e) removing the carrier substrate contained in the lower substrate. < RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021215682A1 (en) * 2020-04-20 2021-10-28 인천대학교 산학협력단 Syringe-injection-type brain signal measurement and stimulation structure, and syringe injection method therefor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005092183A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Cyberkinetics, Inc. Neurological event monitoring and therapy systems and related methods
US20090018630A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Osypka Thomas P Self-expandable epidural cortical electrode
JP2009502247A (en) * 2005-07-21 2009-01-29 ザ クリーブランド クリニック ファウンデーション Medical vibration compliance device and use thereof
KR20090018630A (en) 2006-06-16 2009-02-20 하. 룬트벡 아크티에 셀스카브 Crystalline forms of 4-[2-(4-methylphenylsulfanyl)-phenyl]-piperidine with combined serotonin and norepinephrine reuptake inhibition for the treatment of neuropathic pain
JP2009254902A (en) * 2003-01-17 2009-11-05 Foundation For The Promotion Of Industrial Science Flexible nerve probe and its manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009254902A (en) * 2003-01-17 2009-11-05 Foundation For The Promotion Of Industrial Science Flexible nerve probe and its manufacturing method
WO2005092183A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Cyberkinetics, Inc. Neurological event monitoring and therapy systems and related methods
JP2009502247A (en) * 2005-07-21 2009-01-29 ザ クリーブランド クリニック ファウンデーション Medical vibration compliance device and use thereof
KR20090018630A (en) 2006-06-16 2009-02-20 하. 룬트벡 아크티에 셀스카브 Crystalline forms of 4-[2-(4-methylphenylsulfanyl)-phenyl]-piperidine with combined serotonin and norepinephrine reuptake inhibition for the treatment of neuropathic pain
US20090018630A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Osypka Thomas P Self-expandable epidural cortical electrode

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021215682A1 (en) * 2020-04-20 2021-10-28 인천대학교 산학협력단 Syringe-injection-type brain signal measurement and stimulation structure, and syringe injection method therefor
KR20210129588A (en) * 2020-04-20 2021-10-28 인천대학교 산학협력단 The Structure for Signal Measurement and Stimulation of Brain for Syringe Injection and Method for Injecting Syringe Thereof
KR102501155B1 (en) * 2020-04-20 2023-02-21 주식회사 지브레인 The Structure for Signal Measurement and Stimulation of Brain for Syringe Injection and Method for Injecting Syringe Thereof
KR20230025820A (en) * 2020-04-20 2023-02-23 주식회사 지브레인 The Structure for Signal Measurement and Stimulation of Brain for Syringe Injection and Method for Injecting Syringe Thereof
KR102594605B1 (en) 2020-04-20 2023-11-01 주식회사 지브레인 The Structure for Signal Measurement and Stimulation of Brain for Syringe Injection and Method for Injecting Syringe Thereof

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