KR101907617B1 - Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same - Google Patents

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문지욱
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Abstract

실시예에 따른 산질화물 형광체는 아래의 화학식으로 표시되는 결정을 포함한다.
[화학식]
Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)An oxynitride phosphor according to an embodiment includes a crystal represented by the following chemical formula.
[Chemical Formula]
Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3)

Description

산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지{OXYNITRIDE PHOSPHOR, AND LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE COMPRISING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to an oxynitride phosphor and a light emitting device package including the same,

실시예는 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지에 관한 것이다. An embodiment relates to an oxynitride phosphor and a light emitting device package including the same.

최근에 전세계적으로 활발하게 진행되고 있는 질화갈륨(GaN)계 백색 발광다이오드(LED)의 제작방법은 단일 칩 형태의 방법으로 청색이나 근자외선(ultra violet : UV) LED 칩 위에 형광물질을 결합하여 백색을 얻는 방법과 멀티 칩 형태로 LED 칩을 서로 조합하여 백색을 얻는 방법으로 크게 나뉜다.Recently, gallium nitride (GaN) -based white light emitting diodes (LEDs), which are actively underway in the world, are fabricated by combining a fluorescent material on a blue or ultraviolet (UV) The method of obtaining white light and the method of obtaining white light by combining LED chip with multi chip type are widely divided.

멀티 칩 형태로 백색 발광다이오드를 구현하는 대표적인 방법은 RGB(Red, Green, Blue)의 3개 칩을 조합하여 제작하는 것인데, 각각의 칩마다 동작전압의 불균일성, 주변 온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변해 색좌표가 달라지는 등의 문제점을 보이고 있다.A typical method for implementing a white light emitting diode in a multi-chip form is to fabricate a combination of three chips of RGB (Red, Green, Blue). In each chip, the output of each chip And the color coordinates are changed.

단일칩으로 백색광을 방출하는 LED 소자는 LED에 형광체를 도포하여 소자에서 나오는 청색광과 형광체로부터 방출되는 2차 광원을 이용하는 방법으로서, 청색 LED에 황색을 내는 YAG:Ce형광체를 도포하여 백색광을 얻는 방식[미국특허 제6,069,440호]이 일반적이다. 그러나, 상기 방법은 2차광을 이용하면서 발생하는 양자결손(quantum deficits) 및 재방사 효율에 기인한 효율감소가 수반되고, 색 랜더링이 용이하지 않다는 단점이 있다An LED device emitting white light by a single chip is a method of applying a blue light emitted from the device by applying a phosphor to the LED and using a secondary light source emitted from the phosphor and a method of obtaining a white light by applying a YAG: Ce phosphor emitting yellow to blue LED U.S. Patent No. 6,069,440 is common. However, this method has disadvantages in that it is accompanied by quantum defects occurring while using secondary light and efficiency reduction due to the reemission efficiency, and color rendering is not easy

또한, UV-LED(Ultraviolet Light Emitting Diode)의 경우 고출력으로 인해 발생하는 형광체의 열화로 인하여 광효율이 감소하고 색좌표가 변화하는 경향이 발생하고 있어 이에 대한 보완이 필요한 실정이다.In addition, in the case of UV-LED (Ultraviolet Light Emitting Diode), there is a tendency that the light efficiency decreases and the color coordinate changes due to deterioration of the phosphor generated due to high output.

실시예는 열특성과 광효율이 뛰어난 산질화물 형광체 및 그를 이용한 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공하는 데 있다. Embodiments provide an oxynitride phosphor excellent in thermal characteristics and light efficiency, and a light emitting device and a light emitting device package using the same.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 아래의 화학식으로 표시되는 결정을 포함한다.An oxynitride phosphor according to an embodiment includes a crystal represented by the following chemical formula.

[화학식][Chemical Formula]

Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3)

실시예에 따른 산질화물 형광체는 고온 및 고습등의 악조건에서도 변형도가 작을 수 있다.The oxynitride phosphors according to the embodiments may be less deformed even under adverse conditions such as high temperature and high humidity.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 여기 파장대역이 넓어 활용도가 높다.The oxynitride phosphors according to the embodiments have a broad excitation wavelength band and are highly utilized.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 녹색 형광체로 백색 발광소자를 구현하는 필수 형광체이다.The oxynitride phosphors according to the embodiments are green phosphors and are essential phosphors for realizing a white light emitting device.

도 1 은 실시예에 따른 산질화물 형광체의 여기파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면,
도 2 는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 발광파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면,
도 3 은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 합성하는 방법에 대한 순서도,
도 4 는 실시예에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프,
도 5 는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자의 단면을 도시한 단면도,
도 6a 는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자 패키지의 사시도,
도 6b 는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 7 은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자 패키지의 사시도,
도 8a 는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도,
도 8b 는 도 8a 의 조명 시스템의 C-C' 단면을 도시한 단면도,
도 9 은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도, 그리고
도 10 은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a diagram showing an emission spectrum showing an excitation wavelength band of an oxynitride phosphor according to an embodiment,
2 is a view showing an emission spectrum showing an emission wavelength band of the oxynitride phosphor according to the embodiment,
3 is a flow chart of a method for synthesizing an oxynitride phosphor according to an embodiment,
4 is a graph of component distribution showing the result of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphor according to the embodiment,
5 is a cross-sectional view of a light emitting device including an oxynitride phosphor according to an embodiment,
6A is a perspective view of a light emitting device package including an oxynitride phosphor according to an embodiment,
6B is a cross-sectional view of a light emitting device package including an oxynitride phosphor according to an embodiment,
7 is a perspective view of a light emitting device package including an oxynitride phosphor according to an embodiment,
8A is a perspective view showing a lighting system including an oxynitride phosphor according to an embodiment,
FIG. 8B is a cross-sectional view showing a CC 'cross-section of the illumination system of FIG. 8A,
9 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including an oxynitride phosphor according to an embodiment, and
10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including an oxynitride phosphor according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 실시예에 따른 산질화물 형광체의 여기파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이고, 도 2는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 발광파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing an emission spectrum showing an excitation wavelength band of an oxynitride phosphor according to an embodiment, and FIG. 2 is a diagram showing an emission spectrum showing an emission wavelength band of an oxynitride phosphor according to an embodiment.

실시예에 따른 산질화물 형광체는, 아래의 화학식1 로 표시되는 결정을 포함한다.The oxynitride phosphor according to the embodiment includes a crystal represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3)

도 1 을 참조하면, 실시예에 따른 산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다.Referring to FIG. 1, the oxynitride phosphor according to an embodiment may have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak.

도 2 를 참조하면, 실시예에 따른 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 발광 중심파장이 512nm 인 녹색 형광체일 수 있다. 상기 산질화물 형광체는 발광소자에서 발생된 빛을 넓은 파장 범위에서 여기하여 원하는 파장의 광을 생성할 수 있다.Referring to FIG. 2, the oxynitride phosphor according to the embodiment may have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak. The oxynitride phosphors may be green phosphors having a luminescent center wavelength of 512 nm. The oxynitride phosphors can excite light generated in the light emitting device in a wide wavelength range to generate light having a desired wavelength.

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실시예에 따른 따른 형광체에 의해 방출되는 광은 백색 발광다이오드에 사용될 경우 여기 광으로 사용된 근 자외선 광(N-UV : Near-Ultraviolet lay)과 합성되어 백색광을 생성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 형광체는 백색광을 구현하는 데 사용될 수 있다. 이는 하기에서 설명한다.The light emitted by the phosphor according to the embodiment may be combined with near-ultraviolet light (N-UV) used as excitation light when used in a white light emitting diode to generate white light. Therefore, the phosphor according to the embodiment can be used to realize white light. This is described below.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 UV LED 및 Blue LED 를 이용하여 백색광을 내는데 사용될 수 있다.The oxynitride phosphors according to the embodiments can be used to emit white light using UV LEDs and Blue LEDs.

실시예에 따라서, Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x 의 화학식을 갖는 산질화물 형광체는 Sr의 몰비인 x가 0.01 내지 0.3일 수 있다.According to an embodiment, the oxynitride phosphor having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x may have x of 0.01 to 0.3, which is the molar ratio of Sr.

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산질화물 형광체는 산소의 몰비에 따라 생성되는 형광체의 결정구조가 변화될 수 있다. 산질화물 형광체는 산소의 몰비에 따라 발광 주피크가 변화할 수 있다. 산질화물 형광체는 산소의 몰비가 4 인 경우에 불순물 조성의 생성을 억제할 수 있고, 형광체의 발광강도를 향상시킬 수 있다.The oxynitride phosphor may have a change in the crystal structure of the phosphor produced according to the molar ratio of oxygen. The oxynitride phosphors may change the emission main peak according to the molar ratio of oxygen. When the molar ratio of oxygen is 4, the oxynitride phosphors can suppress the formation of the impurity composition and improve the emission intensity of the phosphor.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 상술한 바와 같은 화학식을 가짐에 따라서 분자 간 결합이 공유결합일 수 있다. 분자 간 결합이 공유결합으로 이루어짐에 따라서, 실시예에 따른 형광체는 열적으로 열진동에 대해 강한 내구성을 가질 수 있다. 따라서, 발광소자에서 생성되는 열에 대해 강한 내구성을 가지며, 고출력의 조명에 적용하기에 적합할 수 있다.The oxynitride phosphor according to an embodiment has a chemical formula as described above, so that the intermolecular bond may be a covalent bond. As the intermolecular bond is formed by a covalent bond, the phosphor according to the embodiment can have thermal durability against thermal vibration. Therefore, it has a high durability against heat generated in the light emitting element, and can be suitable for application to high power illumination.

산질화물 형광체는 원소가 일정한 규칙에 따라 배열된 결정일 수 있다. 산질화물 형광체는 높은 발광 휘도를 가질 수 있다.The oxynitride phosphors may be crystals whose elements are arranged according to a certain rule. The oxynitride phosphors may have high luminescence brightness.

도 3 은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 합성하는 방법에 대한 순서도이다.3 is a flowchart of a method for synthesizing an oxynitride phosphor according to an embodiment.

도 3 을 참조하면, 상기 산질화물 형광체의 제조방법은 원료를 준비하는 단계(a), 원료를 혼합하는 단계(b), 형광체 합성분위기를 조성하는 단계(c), 볼밀 공정 및 건조 작업을 하는 단계(d), 및 형광체의 성분을 분석하는 단계(e)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the method for producing the oxynitride phosphor includes the steps of (a) preparing a raw material, (b) mixing raw materials, (c) forming a phosphor synthesis atmosphere, Step (d), and step (e) of analyzing the components of the phosphor.

원료를 준비하는 단계(a)는 산질화물 형광체의 원료 물질인 SrCO3, GaO, Si3N4 및 Eu2O3를 Sr3 - xSi3GaO4N4:Eux 의 조성비에 맞게 준비할 수 있다.Step (a) of preparing the raw material is to prepare SrCO 3 , GaO, Si 3 N 4 and Eu 2 O 3 , which are raw materials of the oxynitride phosphor, according to the composition ratio of Sr 3 - x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu x .

원료를 혼합하는 단계(b)는 산질화물 형광체의 원료 물질을 조성비에 맞게 개량한 후 용매를 이용하여 마노 유발에 원료물질을 혼합할 수 있다.The step (b) of mixing the raw materials can improve the raw materials of the oxynitride phosphors according to the composition ratio and then mix the raw materials with agate by using a solvent.

형광체 합성분위기를 조성하는 단계(c)는 약 1300 내지 1600℃의 온도에서 진행할 수 있다. 산질화물 형광체는 상기 수소/질소가스의 가스 플로우(Gas flow) 하에서 소성될 수 있다. 이때, 수소/질소가스의 수소 : 질소 비율은 5 : 95 에서 20 : 80 으로 변화될 수 있다. 산질화물 형광체는 가스 플로우(Gas flow)가 1000 내지 2000cc 하에서 소성할 수 있다. 한편, 실시예에 따른 산질화물 형광체는 저온 상압 방법으로 합성될 수 있다.The step (c) of forming the phosphor synthesis atmosphere may proceed at a temperature of about 1300 to 1600 ° C. The oxynitride phosphors can be fired under the gas flow of the hydrogen / nitrogen gas. At this time, the hydrogen: nitrogen ratio of the hydrogen / nitrogen gas may be changed from 5:95 to 20:80. The oxynitride phosphors can be fired under a gas flow of 1000 to 2000 cc. Meanwhile, the oxynitride phosphors according to the embodiments can be synthesized by a low temperature atmospheric pressure method.

볼밀 공정 및 건조 작업을 하는 단계(d)는 전 단계(c)에서 합성된 형광체를 잘게 분쇄할 수 있다. 형광체를 분쇄한 형광체 분말은 물과 함께 혼합될 수 있다. 형광체 분말과 물을 혼합한 것을 지르코니아 및 유리 볼을 이용하여 볼밀 공정 및 세정과정을 진행할 수 있다. 상기 볼밀 공정 및 세정과정이 진행된 형광체 분말은 80℃의 오븐에서 약 24시간 건조를 할 수 있다.The step (d) of the ball mill process and the drying process can finely pulverize the phosphor synthesized in the previous step (c). The phosphor powder obtained by pulverizing the phosphor can be mixed with water. A ball mill process and a cleaning process can be performed using zirconia and a glass ball in which a phosphor powder and water are mixed. The phosphor powder subjected to the ball milling and cleaning processes can be dried in an oven at 80 ° C for about 24 hours.

형광체의 성분을 분석하는 단계(e)는 산질화물 형광체에 대해서 광방출특성(PL emission)을 확인하고 표면 주사전자현미경촬영(SEM) 및 에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 할 수 있다. 한편, 광 방출 특성(PL emission)을 확인한 결과는 도 1 및 도 2 의 그래프에 나타나 있다. The step (e) of analyzing the components of the phosphor can confirm the light emission characteristics (PL emission) for the oxynitride phosphors, and can perform surface scanning electron microscopy (SEM) and energy-ray-type x-ray analysis (EDX). On the other hand, the results of confirming the light emission characteristics (PL emission) are shown in the graphs of FIG. 1 and FIG.

실시예에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰하면, Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3) 산질화물 형광체의 미세입자가 고르게 분포되어 있는 것을 확인할 수 있다.Observation of the particles of the oxynitride phosphor according to the embodiment by a surface scanning electron microscope revealed that the fine particles of the Sr 3-x Si 3 Ga 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3) oxynitride phosphor were uniformly distributed .

도 4 는 실시예에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다.4 is a graph of component distribution showing the result of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphor according to the embodiment.

에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 하면 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 알 수 있다. 형광 X선 분석으로 산질화물 형광체를 정량적으로 분석하면 Sr, Ga, Si, O, N 및 Eu 이 검출된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 상기에 언급된 산질화물 형광체 제조방법으로 Sr3 - xSi3GaO4N4 : Eu2 + x 형광체가 제조되었음을 알 수 있다.The energy-dispersive X-ray analysis (EDX) reveals Wt% and At% for the components of the oxynitride phosphors. Quantitative analysis of oxynitride phosphors by fluorescent X-ray analysis confirmed that Sr, Ga, Si, O, N and Eu were detected. Therefore, in the above-mentioned method for producing the oxynitride phosphor, Sr 3 - x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2 + x phosphor was produced.

도 5 는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자(100)의 단면을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device 100 including an oxynitride phosphor according to an embodiment.

도 5 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되며, 제1 반도체층(122), 제2 반도체층(126) 및 제1 반도체층(122)과 제2 반도체층(126) 사이에 배치되는 활성층(124)을 포함하는 발광구조물(120), 및 발광구조물(120)의 일면에 배치되는 형광체층(130)을 포함하고, 형광체층(130)은 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 산질화물 형광체를 포함한다.5, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a substrate 110, a first semiconductor layer 122, a second semiconductor layer 126, A light emitting structure 120 including an active layer 124 disposed between the first semiconductor layer 122 and the second semiconductor layer 126 and a phosphor layer 130 disposed on one surface of the light emitting structure 120, (130) comprises an oxynitride phosphor having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3).

도 5 에 도시된 발광소자(100)는 수평형 발광다이오드이나, 발광소자(100)는 수평형에만 한정하지 아니한다. 즉, 하기에는 수평형 발광다이오드에 대해서 언급하고 있으나, 제1 반도체층(122)과 제2 반도체층(126)은 도핑되는 물질이 서로 달라질 수 있고, 수직형 발광다이오드에도 실시예는 적용될 수 있다.The light emitting device 100 shown in FIG. 5 is a horizontal type light emitting diode, but the light emitting device 100 is not limited to a horizontal type. That is, although the horizontal light emitting diode is described below, materials doped in the first semiconductor layer 122 and the second semiconductor layer 126 may be different from each other, and the embodiments may be applied to the vertical light emitting diode.

기판(110)은 실시예에 따라 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN), 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3)와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.The substrate 110 may be formed of a semiconductor material, for example, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, It can be implemented with a carrier wafer such as a silicon germanium (SiGe), gallium nitride (GaN), gallium (ⅲ) oxide (Ga 2 O 3).

기판(110)은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr)중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 위 물질 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 기판(110)이 금속으로 형성된 경우 발광 소자에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The substrate 110 may be formed of a conductive material. (Au), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ag), platinum (Pt), and chromium (Cr), or may be formed of two or more alloys, and two or more of the above materials may be laminated. When the substrate 110 is formed of a metal, it is possible to facilitate the emission of heat generated from the light emitting device, thereby improving the thermal stability of the light emitting device.

기판(110)은 광 추출 효율을 높이기 위해서, 상면에 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 구조를 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(122)과 격자상수의 차이가 존재하여 제1 반도체층(122)과의 사이에 격자상수 차이를 완화시키는 층을 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The substrate 110 may have a PSS (Patterned Sapphire Substrate) structure on its top surface in order to enhance light extraction efficiency, but the present invention is not limited thereto. The substrate 110 facilitates the emission of heat generated in the light emitting device 100, thereby improving the thermal stability of the light emitting device 100. The substrate 110 may have a layer which mitigates the difference in lattice constant between the first semiconductor layer 122 and the first semiconductor layer 122 due to a difference in lattice constant from the first semiconductor layer 122. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 기판(110) 상에는 기판(110)과 제1 반도체층(122) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 하는 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 반도체층과 기판(110)과의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있으며 이에 한정되지 않는다. 버퍼층(미도시)은 기판(110) 상에 비단결정으로 성장할 수 있으며, 비단결정으로 성장한 버퍼층(미도시)은 버퍼층(미도시)상에 성장하는 제1 반도체층(122)의 결정성을 향상시킬 수 있다.A buffer layer (not shown) may be disposed on the substrate 110 to mitigate lattice mismatch between the substrate 110 and the first semiconductor layer 122 and to facilitate growth of the semiconductor layer. The buffer layer (not shown) can be formed in a low-temperature atmosphere and can be made of a material that can alleviate the difference in lattice constant between the semiconductor layer and the substrate 110. For example, materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN can be selected and not limited thereto. The buffer layer (not shown) may grow in a non-single crystal on the substrate 110, and the buffer layer (not shown) grown by the non-single crystal may improve the crystallinity of the first semiconductor layer 122 grown on the buffer layer .

버퍼층(미도시) 상에는 제1 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 반도체층(126)을 포함한 발광 구조물이 배치될 수 있다.A light emitting structure including a first semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second semiconductor layer 126 may be disposed on a buffer layer (not shown).

버퍼층(미도시) 상에는 제1 반도체층(122)이 배치될 수 있다. 제1 반도체층(122)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(124)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 반도체층(122)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 122 may be disposed on a buffer layer (not shown). The first semiconductor layer 122 may be formed of an n-type semiconductor layer and may provide electrons to the active layer 124. The first semiconductor layer 122 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and n-type dopants such as Si, Ge and Sn can be doped.

또한, 제1 반도체층(122) 아래에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 언도프트 반도체층(미도시)은 제1 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(122)에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 반도체층(122)과 같을 수 있다.Further, although the first semiconductor layer 122 may further include an unshown semiconductor layer (not shown), the present invention is not limited thereto. The undoped semiconductor layer (not shown) is a layer formed for improving the crystallinity of the first semiconductor layer 122, and has a lower electrical conductivity than the first semiconductor layer 122 without being doped with the n- And may be the same as the first semiconductor layer 122.

상기 제1 반도체층(122) 상에는 활성층(124)이 배치될 수 있다. 활성층(124)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 124 may be disposed on the first semiconductor layer 122. The active layer 124 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(124)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 124 has a quantum well structure, for example, a well having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) . The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 배치될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(124)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be disposed above and / or below the active layer 124. The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer 124.

제2 반도체층(126)은 활성층(124)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(126)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 126 may be implemented as a p-type semiconductor layer to inject holes into the active layer 124. The second semiconductor layer 126 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

발광구조물(120)은 300 내지 480nm 의 파장 영역의 빛을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 발광구조물(120)은 자외선 파장 또는 파랑색 가시광선 파장의 빛을 발생시킬 수 있다.The light emitting structure 120 may emit light in a wavelength range of 300 to 480 nm. For example, the light emitting structure 120 may emit ultraviolet light or blue visible light.

발광구조물(120)의 일면에는 형광체층(130)이 배치될 수 있다. 형광체층(130)은 상기 발광구조물(120)의 상면에 배치되거나 일면에 배치될 수 있다. 경우에 따라, 형광체층(130)은 발광구조물(120)의 발광부위를 부분적으로 몰딩하여 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The phosphor layer 130 may be disposed on one side of the light emitting structure 120. The phosphor layer 130 may be disposed on the upper surface of the light emitting structure 120 or on one surface thereof. In some cases, the phosphor layer 130 may be disposed by partially molding the light emitting portion of the light emitting structure 120, but the present invention is not limited thereto.

소용량 발광소자의 경우 발광구조물(120)을 전체적으로 형광체층(130)으로 몰딩할 수 있고, 고출력 발광소자의 경우에는 전체적으로 몰딩하는 것은 형광체층(130)의 내부에 형광체가 고르게 분산하는데 악영향을 미칠 수 있으므로 부분적으로 몰딩할 수 있다. 형광체층(130)은 투광성 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지 또는 투광성 실리콘 수지 중에서 하나 또는 복수로 형성될 수 있다.In the case of a small-capacity light emitting device, the light emitting structure 120 may be entirely molded with the phosphor layer 130, and in the case of a high output light emitting device, the entire molding may adversely affect the uniform dispersion of the phosphor in the phosphor layer 130 So it can be partially molded. The phosphor layer 130 may be formed of one or a plurality of light-transmitting epoxy resin, polyimide resin, urea resin, acrylic resin or translucent silicone resin.

형광체층(130)은 발광구조물(120)을 외부와 차단하여 이물질 투입으로 인한 결함을 최소화할 수 있다.The phosphor layer 130 blocks the light emitting structure 120 from the outside, thereby minimizing defects due to foreign matter input.

형광체층(130)은 산질화물 형광체를 포함할 수 있다. 상기 산질화물 형광체는 아래의 화학식으로 표시되는 결정을 포함한다.The phosphor layer 130 may include an oxynitride phosphor. The oxynitride phosphor includes a crystal represented by the following chemical formula.

[화학식][Chemical Formula]

Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3)

형광체층(130)은 상기 산질화물 형광체를 포함하여 발광구조물(120)에서 발생한 빛을 여기하여 백색빛을 발산할 수 있다.The phosphor layer 130 may emit white light by exciting the light generated from the light emitting structure 120, including the oxynitride phosphor.

발광구조물(120)이 생성하는 빛이 자외선 파장대인 경우에 형광체층(130)은 적색, 녹색 및 청색의 형광체를 포함하는 경우에 백색 발광소자(100)를 구현할 수 있다.When the light generated by the light emitting structure 120 is ultraviolet wavelength band, the white light emitting device 100 may be realized when the phosphor layer 130 includes red, green, and blue phosphors.

또는, 발광구조물(120)이 생성하는 빛이 파란색 가시광선 영역인 경우 형광체층(130)은 녹색, 적색, 청색 형광체를 함께 포함하여 백색 발광소자(100)를 구현할 수 있다.Alternatively, when the light generated by the light emitting structure 120 is a blue visible light region, the phosphor layer 130 may include the green, red, and blue phosphors to realize the white light emitting device 100.

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다.The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

도 6a 및 도 6b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지(500)를 나타낸 사시도 및 단면도이다.6A and 6B are a perspective view and a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 500 according to an embodiment.

도 6a 및 도 6b 를 참조하면, 발광소자 패키지(500)는 상면이 함몰되어 캐비티(520)가 형성되는 몸체(510), 캐비티(520)에 배치되며 빛을 발광하는 발광소자(530), 몸체(510)에 배치되며 발광소자(530)와 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550) 및 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다.6A and 6B, the light emitting device package 500 includes a body 510 on which an upper surface is recessed to form a cavity 520, a light emitting element 530 disposed on the cavity 520 and emitting light, (Not shown) that is filled in the cavity 520 to cover the first and second lead frames 540 and 550 and the light emitting device 530 that are disposed on the first and second lead frame 510 and are electrically connected to the light emitting device 530, . &Lt; / RTI &gt;

몸체(510)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(510)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 510 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), and a printed circuit board (PCB). The body 510 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(510)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(530)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.The inner surface of the body 510 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 530 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.Concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 530 increases as the directivity angle of light decreases. Conversely, as the directivity angle of light increases, the concentration of light emitted from the light emitting device 530 decreases.

한편, 몸체(510)에 형성되는 캐비티(520)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity 520 formed in the body 510 may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but the present invention is not limited thereto.

발광소자(530)는 제1 리드 프레임(540) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(530)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting element 530 is mounted on the first lead frame 540 and may be a light emitting element that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto. In addition, one or more light emitting elements 530 may be mounted.

발광소자(530)는 300 내지 480nm 의 파장 영역의 빛을 발생시킬 수 있다. 즉, 발광소자(530)는 UV-LED 또는 Blue LED 일 수 있다.The light emitting device 530 may emit light in a wavelength range of 300 to 480 nm. That is, the light emitting element 530 may be a UV-LED or a Blue LED.

또한, 발광소자(530)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 530 may be a horizontal type or a vertical type formed on the upper or lower surface of the light emitting device 530 or a flip chip Applicable.

봉지재(미도시)는 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진될 수 있다. 봉지재(미도시)는 투광성 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 아크릴 수지 또는 투광성 실리콘 수지 중에서 하나 또는 복수로 형성될 수 있다. 봉지재(미도시)는 캐비티(520) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530. The sealing material (not shown) may be formed of one or a plurality of light-transmitting epoxy resin, polyimide resin, urea resin, acrylic resin or translucent silicone resin. The sealing material (not shown) may be filled in the cavity 520, and then the sealing material may be ultraviolet or thermally cured.

또한 봉지재(미도시)는 산질화물 형광체를 포함할 수 있으며, 산질화물 형광체는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체는 발광소자 패키지(500)가 선명한 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The encapsulant (not shown) may include an oxynitride phosphor, and the oxynitride phosphor may include a crystal having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01 ≦ x <0.3) can do. The oxynitride phosphors can make the light emitting device package 500 realize bright white light.

발광소자(530)가 생성하는 빛이 자외선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 적색, 녹색 및 청색의 형광체를 포함하여 백색 발광소자 패키지(500)를 구현할 수 있다.When the light generated by the light emitting device 530 is in the ultraviolet wavelength band, the encapsulant (not shown) may include red, green, and blue phosphors to implement the white light emitting device package 500.

발광소자(530)이 생성하는 빛이 파랑색 가시광선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 청색, 적색 및 녹색의 형광체를 사용하여 발광소자 패키지(500)가 백색 빛을 방출하도록 할 수 있다.When the light generated by the light emitting device 530 is a blue visible spectrum, the light emitting device package 500 may emit white light using blue, red, and green phosphors as an encapsulant (not shown) .

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다.The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

산질화물 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(530)가 발생시킨 빛이 산질화물 형광체의 색과 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(500)는 백색 빛을 제공할 수 있다. The oxynitride phosphors may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 530 to generate the second light. For example, as the light generated by the light emitting device 530 is mixed with the color of the oxynitride phosphor, the light emitting device package 500 can provide white light.

제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 540 and 550 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium , Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). Also, the first and second lead frames 540 and 550 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the present invention is not limited thereto.

제1 제2 리드 프레임(540, 550)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(530)는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)상에 실장되며, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 발광소자(530)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(530)는 와이어 본딩을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)에 전원이 연결되면 발광소자(530)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(510)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(530)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first and second lead frames 540 and 550 are separated from each other and electrically separated from each other. The light emitting element 530 is mounted on the first and second lead frames 540 and 550 and the first and second lead frames 540 and 550 are in direct contact with the light emitting element 530, And may be electrically connected through a conductive material such as a conductive material. In addition, the light emitting device 530 may be electrically connected to the first and second lead frames 540 and 550 through wire bonding, but is not limited thereto. Accordingly, when power is supplied to the first and second lead frames 540 and 550, power may be applied to the light emitting device 530. Meanwhile, a plurality of lead frames (not shown) may be mounted in the body 510 and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device 530, but is not limited thereto.

도 7 은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)를 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 300 according to another embodiment.

도 7 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 캐비티(320)에 배치되며 빛을 발광하는 발광소자(330), 캐비티에 충진되는 봉지재(미도시) 및 봉지재(미도시)를 덮도록 배치되는 광학 시트(380)를 포함하며, 광학 시트(380)는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 산질화물 형광체를 포함한다.Referring to FIG. 7, the light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 having a cavity, a light emitting device 330 disposed in the cavity 320 and emitting light, a sealing material And an optical sheet 380 disposed so as to cover the sealing material (not shown), and the optical sheet 380 is made of Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3 ) Of the oxynitride phosphor.

발광소자(330)는 300 내지 480nm 의 파장 영역의 빛을 발생시킬 수 있다.The light emitting device 330 may emit light in a wavelength range of 300 to 480 nm.

광학시트(380)는 봉지재(미도시)를 덮도록 배치될 수 있다. 광학시트(380)는 발광소자(330)에서 발생된 빛을 투과시킬 수 있다.The optical sheet 380 may be disposed so as to cover an encapsulant (not shown). The optical sheet 380 can transmit light generated in the light emitting element 330.

광학시트(380)는 열적 안정성이 우수하고 투명한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광학시트(380)는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 및 폴리에폭시로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The optical sheet 380 may be formed of a transparent material having excellent thermal stability. For example, the optical sheet 380 may be made of any one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polystyrene, and polyepoxy, but is not limited thereto.

광학시트(380)는 산질화물 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학시트(380)는 원료물질에 산질화물 형광체(미도시)를 골고루 분산시킨 상태에서 경화하여 형성될 수 있다. 광학시트(380)는 전체에 형광체(미도시)가 고루 분포되어 발광소자 패키지(300)의 색재현율을 향상시킬 수 있다.The optical sheet 380 may include an oxynitride phosphor (not shown). For example, the optical sheet 380 can be formed by curing the oxynitride phosphor (not shown) evenly dispersed in the raw material. The optical sheet 380 can uniformly distribute the phosphors (not shown) throughout the color of the light emitting device package 300, thereby improving the color reproduction rate of the light emitting device package 300.

광학시트(380)는 베이스부(382), 및 베이스부(382)의 상면에 배치되는 프리즘 패턴(384)을 포함될 수 있다.The optical sheet 380 may include a base portion 382 and a prism pattern 384 disposed on the upper surface of the base portion 382.

프리즘 패턴(384)는 베이스부(382)의 일 면에서 일 방향을 따라 상호 인접하여 평행하게 배열된 복수의 선형 프리즘을 포함하며, 선형 프리즘의 축 방향에 대한 수직 단면은 삼각형일 수 있다.The prism patterns 384 include a plurality of linear prisms arranged in parallel with one another along one direction on one side of the base portion 382, and the vertical section with respect to the axial direction of the linear prisms may be triangular.

프리즘 패턴(384)은 광을 집광하는 효과가 있기 때문에, 발광소자 패키지(300)에 광학 시트(380)를 부착하는 경우는 광의 직진성이 향상되어 발광소자 패키지(300)의 광의 휘도가 향상될 수 있다.When the optical sheet 380 is attached to the light emitting device package 300, the straightness of the light is improved and the brightness of the light of the light emitting device package 300 can be improved because the prism pattern 384 has an effect of condensing light. have.

한편, 프리즘 패턴(384)에는 산질화물 형광체(미도시)가 포함될 수 있다.On the other hand, the prism pattern 384 may include an oxynitride phosphor (not shown).

프리즘 패턴(384)은 전체에 산질화물 형광체(미도시)가 분산된 형태일 수 있다. 예를 들어, 프리즘 패턴(384)은 산질화물 형광체(미도시)와 아크릴 레진을 혼합하여 페이스트 또는 슬러리 상태로 만든 후 그를 경화하여 형성될 수 있다. 프리즘 패턴(384)은 전체에 균일하게 산질화물 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.The prism pattern 384 may be in the form of an oxynitride phosphor (not shown) dispersed throughout. For example, the prism pattern 384 may be formed by mixing an oxynitride phosphor (not shown) and acrylic resin into a paste or slurry state, and then curing the paste or slurry. The prism pattern 384 may include an oxynitride phosphor (not shown) uniformly throughout.

프리즘 패턴(384)은 산질화물 형광체(미도시)를 포함하여 발광소자 패키지(300)의 광의 균일도 및 분포도를 향상시킬 수 있다. 프리즘 패턴(384)은 광의 집광효과 뿐 만 아니라, 산질화물 형광체(미도시)에 의한 광의 분산효과로 인하여 발광소자 패키지(300)의 지향각을 향상시킬 수 있다.The prism pattern 384 may include an oxynitride phosphor (not shown) to improve uniformity and distribution of light of the light emitting device package 300. The prism pattern 384 can improve the directivity angle of the light emitting device package 300 due to the effect of scattering light by the oxynitride fluorescent material (not shown) as well as the light converging effect.

산질화물 형광체(미도시)는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체(미도시)는 발광소자 패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The oxynitride phosphor (not shown) may contain a crystal having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3). The oxynitride phosphor (not shown) may cause the light emitting device package 300 to emit white light.

발광소자(330)가 생성하는 빛이 자외선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 적색, 녹색 및 청색의 형광체를 포함하여 백색 발광소자 패키지(300)를 구현할 수 있다.When the light generated by the light emitting device 330 is in the ultraviolet wavelength band, the sealing material (not shown) may include red, green, and blue phosphors to realize the white light emitting device package 300.

발광소자(330)이 생성하는 빛이 파랑색 가시광선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 청색, 적색 및 녹색의 형광체를 사용하여 발광소자 패키지(300)가 백색 빛을 방출하도록 할 수 있다.The light emitting device package 300 may emit white light by using phosphors of blue, red, and green as a sealing material (not shown) when the light generated by the light emitting device 330 is a blue visible light ray wavelength band .

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

산질화물 형광체(미도시)는 발광소자(330)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(330)가 발생시킨 빛이 형광체의 색과 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다.The oxynitride phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 330 to generate the second light. For example, as the light generated by the light emitting device 330 is mixed with the color of the phosphor, the light emitting device package 300 can provide white light.

도 8a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 8b 는 도 8a 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.8A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a C-C 'cross section of the lighting device of FIG. 8A.

도 8a 및 도 8b 를 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.8A and 8B, the lighting apparatus 600 may include a body 610, a cover 630 coupled to the body 610, and a finishing cap 650 positioned at opposite ends of the body 610 have.

몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting device module 640 is coupled to a lower surface of the body 610. The body 610 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 644 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 610. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 패키지(644)는 인쇄회로기판(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(642)으로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device package 644 may be mounted on the printed circuit board 642 in a multi-color or multi-row manner to form an array. The light emitting device package 644 may be mounted at equal intervals, or may be mounted with various distances as required, have. As such a printed circuit board 642, MPPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB can be used.

발광소자 패키지(644)는 봉지재가 연색지수가 높은 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(644) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 해상도가 향상될 수 있다.The light emitting device package 644 can improve the implementation of the white light including the fluorescent material having a high color rendering index so that the resolution of the lighting device 600 including the light emitting device package 644 and the light emitting device package 644 is Can be improved.

산질화물 형광체(미도시)는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체(미도시)는 발광소자 패키지(644)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The oxynitride phosphor (not shown) may contain a crystal having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3). The oxynitride phosphor (not shown) may cause the light emitting device package 644 to emit white light.

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다.The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 630 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 610, but is not limited thereto.

커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 630 protects the internal light emitting element module 640 from foreign substances or the like. The cover 630 may include diffusion particles so as to prevent glare of light generated in the light emitting device package 644 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 630 A prism pattern or the like may be formed on one side. Further, the phosphor may be applied to at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 630.

한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Since the light generated in the light emitting device package 644 is emitted to the outside through the cover 630, the cover 630 must have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 644 The cover 630 may be formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 650 is located at both ends of the body 610 and can be used to seal the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 650 is provided with the power supply pin 652, so that the lighting apparatus 600 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 9 는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.9 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 9 에 도시된 백라이트 유닛(770)은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.The backlight unit 770 shown in FIG. 9 includes an edge-light type and the liquid crystal display 700 includes a backlight unit 770 for providing light to the liquid crystal display panel 710 and the liquid crystal display panel 710 can do.

액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 710 can display an image using light provided from the backlight unit 770. The liquid crystal display panel 710 may include a color filter substrate 712 and a thin film transistor substrate 714 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 712 can realize the color of an image to be displayed through the liquid crystal display panel 710.

박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 714 is electrically connected to a printed circuit board 718 on which a plurality of circuit components are mounted via a driving film 717. The thin film transistor substrate 714 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 718 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 718. [

박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 714 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(750, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(740)로 구성된다.The backlight unit 770 includes a light emitting element module 720 that outputs light, a light guide plate 730 that changes the light provided from the light emitting element module 720 into a surface light source and provides the light to the liquid crystal display panel 710, A plurality of films 750, 766, and 764 for uniformly distributing the luminance of light provided from the light guide plate 730 and improving vertical incidence and a reflective sheet (not shown) for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 730 to the light guide plate 730 740).

발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(722)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 720 may include a printed circuit board 722 to mount a plurality of light emitting device packages 724 and a plurality of light emitting device packages 724 to form an array.

발광소자 패키지(724)는 봉지재가 연색지수가 높은 산질화물 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(724) 및 발광소자 패키지(724)를 포함하는 백라이트 유닛(770)의 해상도가 향상될 수 있다.The light emitting device package 724 may include an oxynitride phosphor having a high color rendering index so that the encapsulant may improve the implementation of the white light so that the backlight unit 770 including the light emitting device package 724 and the light emitting device package 724 The resolution can be improved.

산질화물 형광체(미도시)는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체(미도시)는 발광소자 패키지(724)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. The oxynitride phosphor (not shown) may contain a crystal having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3). The oxynitride phosphor (not shown) may cause the light emitting device package 724 to emit white light.

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다.The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(750)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.The backlight unit 770 includes a diffusion film 766 for diffusing light incident from the light guide plate 730 toward the liquid crystal display panel 710 and a prism film 750 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light , And may include a protective film 764 for protecting the prism film 750.

도 10 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 9 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 9 are not repeatedly described in detail.

도 10 에 도시된 백라이트 유닛(870)은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.The backlight unit 870 shown in Fig. 10 may include a backlight unit 870 for providing light to the liquid crystal display panel 810 and the liquid crystal display panel 810 have.

액정표시패널(810)은 도 9 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.The liquid crystal display panel 810 is the same as that described with reference to FIG. 9, and a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.The backlight unit 870 includes a plurality of light emitting element modules 823, a reflective sheet 824, a lower chassis 830 in which the light emitting element module 823 and the reflective sheet 824 are accommodated, And a plurality of optical films 860. The diffuser plate 840 and the plurality of optical films 860 are disposed on the light guide plate 840. [

발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(821)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 823 may include a printed circuit board 821 to which a plurality of light emitting device packages 822 and a plurality of light emitting device packages 822 are mounted to form an array.

발광소자 패키지(822)는 봉지재가 연색지수가 높은 산질화물 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(822) 및 발광소자 패키지(822)를 포함하는 백라이트 유닛(870)의 해상도가 향상될 수 있다.The light emitting device package 822 may include a light emitting device package 822 and a backlight unit 870 including the light emitting device package 822 because the encapsulant includes the oxynitride phosphor having a high color rendering index to improve the implementation of the white light. The resolution can be improved.

산질화물 형광체(미도시)는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체(미도시)는 발광소자 패키지(822)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. The oxynitride phosphor (not shown) may contain a crystal having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3). The oxynitride phosphor (not shown) may cause the light emitting device package 822 to emit white light.

산질화물 형광체는 300 내지 480nm 의 파장 영역을 여기파장대역 즉 여기주피크로 할 수 있다. 산질화물 형광체는 480 내지 545nm 의 파장 영역을 발광파장대역 즉 발광주피크로 할 수 있다.The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 300 to 480 nm as an excitation wavelength band, that is, an excitation main peak. The oxynitride phosphors can have a wavelength range of 480 to 545 nm as an emission wavelength band, that is, a light emitting peak.

반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 824 reflects light generated from the light emitting device package 822 in a direction in which the liquid crystal display panel 810 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.Light generated in the light emitting element module 823 is incident on the diffusion plate 840 and an optical film 860 is disposed on the diffusion plate 840. The optical film 860 may include a diffusion film 866, a prism film 850, and a protective film 864.

한편, 실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device according to the embodiment is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments may be selectively And may be configured in combination.

또한, 이상에서는 여러가지 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : 발광소자 110 : 기판
120 : 발광구조물 122 : 제1 반도체층
124 : 활성층 126 : 제2 반도체층
130 : 형광체층100: light emitting device 110: substrate
120: light emitting structure 122: first semiconductor layer
124: active layer 126: second semiconductor layer
130: phosphor layer

Claims (17)

아래의 화학식으로 표시되는 결정을 포함하고, 발광중심파장이 480 내지 545nm이고, 녹색 형광체인 산질화물 형광체.
[화학식]
Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)A oxynitride phosphor comprising a crystal represented by the following formula and having a luminescence center wavelength of 480 to 545 nm and being a green phosphor.
[Chemical Formula]
Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3) 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 산질화물 형광체의 여기중심파장이 300 내지 480nm인 산질화물 형광체.The method according to claim 1,
Wherein the oxynitride phosphors have an excitation center wavelength of 300 to 480 nm. 삭제delete SrCO3, GaO, Si3N4 및 Eu2O3를 Sr3-xSi3GaO4N4:Eux (0.01≤x<0.3)의 조성비에 맞게 개량한 후 혼합하여 원료를 준비하는 단계; 및
상기 혼합된 원료를 1300 내지 1600℃의 온도 및 수소/질소가스의 가스 플로우(Gas flow)하에서 소성되되, 수소/질소가스의 수소 : 질소 비율은 5 : 95 에서 20 : 80 으로 변화되고, 1000 내지 2000cc 하에서 소성하여 원료의 합성 분위기를 조성하고, 원료를 합성하는 단계를 포함하는 산질화물 형광체의 제조방법.Preparing SrCO 3 , GaO, Si 3 N 4 and Eu 2 O 3 according to a composition ratio of Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu x (0.01? X <0.3) And
The mixed raw material is sintered at a temperature of 1300 to 1600 ° C and under a gas flow of a hydrogen / nitrogen gas, wherein the hydrogen / nitrogen ratio of the hydrogen / nitrogen gas is changed from 5:95 to 20:80, And calcining the mixture under 2000cc to synthesize a raw material synthesis atmosphere, and synthesizing a raw material. 제5항에 있어서,
상기 산질화물 형광체가 발광 중심파장이 480 내지 545nm이고, 녹색 형광체인 상기 산질화물 형광체의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the oxynitride phosphors have a luminescent center wavelength of 480 to 545 nm and are green phosphors. 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 여기중심파장이 300내지 480nm인 빛을 발생시키는 발광구조물; 및
상기 발광구조물의 일면에 배치되며, 발광중심파장이 480내지 545nm인 빛을 발생시키는 형광체층;을 포함하고,
상기 형광체층은 상기 발광구조물 상에 배치되고, Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자. A light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the light emitting structure generating a light having an excitation center wavelength of 300 to 480 nm; And
And a phosphor layer disposed on one surface of the light emitting structure and generating light having a luminescent center wavelength of 480 to 545 nm,
Wherein the phosphor layer is disposed on the light emitting structure and comprises an oxynitride phosphor having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3). 삭제delete 캐비티가 형성된 몸체;
상기 캐비티에 배치되며 빛을 발광하는 발광소자; 및
상기 캐비티에 충진되는 봉지재;를 포함하며,
상기 봉지재는 Sr3-xSi3GaO4N4 : Eu2+ x (0.01≤x<0.3)의 화학식을 갖는 산질화물 형광체를 포함하고,
상기 산질화물 형광체는 발광중심파장이 480 내지 545nm 인 녹색 형광체를 포함하며,
상기 발광소자는 여기중심파장이 300내지 480nm인 빛을 발생시키는 발광소자 패키지.A body formed with a cavity;
A light emitting element disposed in the cavity and emitting light; And
And an encapsulating material filled in the cavity,
Wherein the encapsulant comprises an oxynitride phosphor having the formula Sr 3-x Si 3 GaO 4 N 4 : Eu 2+ x (0.01? X <0.3)
The oxynitride phosphor includes a green phosphor having a luminescent center wavelength of 480 to 545 nm,
Wherein the light emitting device generates light having an excitation center wavelength of 300 to 480 nm. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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