KR101895979B1 - Led luminaire integrated with led chip substrate - Google Patents

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KR101895979B1 KR1020180035729A KR20180035729A KR101895979B1 KR 101895979 B1 KR101895979 B1 KR 101895979B1 KR 1020180035729 A KR1020180035729 A KR 1020180035729A KR 20180035729 A KR20180035729 A KR 20180035729A KR 101895979 B1 KR101895979 B1 KR 101895979B1
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Abstract

The present invention relates to an LED lamp including a substrate integrated with an LED chip, capable of improving the radiation angle and reducing the defect rate by directly applying commercial electricity by integrally connecting an LED chip and an inverter to a substrate while wire bonding is not performed since the LED lamp does not use a wire. To achieve the purpose of the present invention, according to the present invention, the LED lamp including the substrate integrated with the LED chip comprises: an LED chip; and an LED package comprising the substrate and the inverter. The LED chip comprises: a sapphire substrate; a first conductive semiconductor formed in the upper part of the sapphire substrate; an active layer formed in a part of the upper part of the first conductive semiconductor; a second conductive semiconductor formed in the upper part of the active layer; a conductor formed in a part of the remaining upper part of the first conductive semiconductor; a first reflective metal formed in the upper part of the conductor; and a second semiconductor metal formed in the upper part of the second conductive semiconductor. The LED package includes: a package substrate comprising an electrode applying power by being individually connected to the first reflective metal and second reflective metal of the LED chip; and the inverter installed on the package substrate and supplying driving power of the LED chip.

Description

LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구{LED LUMINAIRE INTEGRATED WITH LED CHIP SUBSTRATE}LED LUMINAIRE INTEGRATED WITH LED CHIP SUBSTRATE <br> <br> <br> Patents - stay tuned to the technology LED LUMINAIRE INTEGRATED WITH LED CHIP SUBSTRATE

본 발명은 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 와이어 본딩을 하지않고, 기판에 LED칩과 인버터를 일체화하여 결합시켜 직접 상용전원을 인가하여 불량률을 감소시키면서 방사각도를 개선시킬 수 있는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 관한 것이다.The present invention relates to an LED luminaire having an LED chip integrated substrate, and more particularly, to an LED luminaire having an LED chip integrated substrate, more specifically, To an LED lamp having an integrated LED chip substrate.

발광다이오드(Light Emitting Diode; 이하 'LED'라 함)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어를 만들고 이들의 재결합에 의해 광을 발생 및 방출하는 소자로서, 기판상에 성장된 화합물 반도체의 층상 구조에 의해 발광원을 구성한다. 그러한 화합물 반도체로는 예를 들면, GaN, InGaN, AlGaNInP, GaAs, AlGaAs 등이 이용되며, 근래에는 질화갈륨 계열의 화합물 반도체가 주로 이용되고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (hereinafter referred to as 'LEDs') are devices that generate and emit light by recombining a minority carrier injected using a pn junction structure of a semiconductor, To form a light emitting source. As such a compound semiconductor, for example, GaN, InGaN, AlGaNInP, GaAs, AlGaAs and the like are used, and a gallium nitride compound semiconductor is mainly used in recent years.

도 1은 종래에 따른 세라믹 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 첨부된 도 1을 참조하면 종래 세라믹 LED 패키지는 기판(10)의 중앙부에 형성된 방열 비어홀상에 LED 칩(11)이 실장되고, 도전성와이어(12)를 통하여 기판(10)과 LED 칩(11)이 전기적으로 연결된다.1 is a schematic view illustrating a structure of a conventional ceramic LED package. 1, a conventional ceramic LED package includes an LED chip 11 mounted on a heat dissipative via hole formed at a central portion of a substrate 10, a substrate 10 and an LED chip 11 via a conductive wire 12, Are electrically connected.

다음으로, LED 칩(11)이 형성된 기판상에 형광체를 포함하는 투명수지의 렌즈부(13)에 의해 몰딩층을 형성함으로써, LED 패키지가 완성된다.Next, a molding layer is formed on the substrate on which the LED chip 11 is formed by the lens portion 13 of the transparent resin including the phosphor to complete the LED package.

그러나, 이와 같은 종래의 LED 패키지는 LED 칩(11)과 도전성 와이어(12)가 상부에 형성됨으로써 쉽게 와이어 본딩 불량이 발생되는 문제점이 있다.However, in such a conventional LED package, there is a problem that wire bonding failure is easily caused by forming the LED chip 11 and the conductive wire 12 on the upper part.

와이어 본딩에 대한 문제점을 해소하기 위한 구성으로서, 공개특허공보 제10-2018-0003956호에 칩 노출형 LED 패키지가 개시되었다.As a configuration for solving the problem of wire bonding, a chip-exposed LED package is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2018-0003956.

상기 기술은 전극 패턴 및 와이어 캐비티가 형성된 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판상의 와이어 캐비티가 형성된 위치에 대응하도록 실장되며, 하부의 양 전극이 상기 와이어 캐비티를 통해 상기 세라믹 기판의 전극 패턴과 각각 도전성 와이어로 본딩되어 전기적으로 연결된 LED 칩, 상기 LED 칩이 실장된 세라믹 기판상에 형성된 실리콘 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.The above-described technique is applied to a ceramic substrate on which an electrode pattern and a wire cavity are formed, and a wire cavity on the ceramic substrate. The lower electrode is bonded to the electrode pattern of the ceramic substrate through the wire cavity, And a silicon phosphor formed on the ceramic substrate on which the LED chip is mounted.

그러나 상기의 기술에서도 도전성 와이어가 이용됨에 따라 도전성 와이어를 LED 칩 패키지에 삽입시키기 위한 고도의 기술이 요구되고, 와이어의 단선으로 불량률이 증가되는 문제점이 있다.However, since the conductive wire is used in the above-described technology, a high technique for inserting the conductive wire into the LED chip package is required, and there is a problem that the defective rate increases due to disconnection of the wire.

이를 개선하기 위해 와이어를 사용하지 않는 기술로서, 공개특허공보 제10-2016-0026604호에 플립칩형 자외선 발광다이오드의 마이크로 솔더링 방법이 개시되었다.To improve this, a micro soldering method of a flip-chip type ultraviolet light emitting diode is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2016-0026604 as a technique which does not use wires.

상기 기술은 사파이어 기판상에 버퍼층과 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하여 발광다이오드를 제조하는 단계와, 상기 발광다이오드의 제2 도전형 반도체층 상면에 전기적으로 분리된 제1 및 제2 전극패드를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 전극패드와 회로기판의 제1 및 제2 본딩패드를 각각 솔더링하는 단계를 포함하되, 상기 솔더링은 솔더가 제1 및 제2 전극패드의 측면까지 올라가도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The method includes forming a buffer layer, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on a sapphire substrate in order, thereby fabricating a light emitting diode; The method comprising the steps of: forming first and second separate electrode pads; and soldering each of the first and second electrode pads and first and second bonding pads of the circuit board, And a side surface of the second electrode pad.

그러나 상기의 기술은 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극패드가 제2 도전형 반도체층까지 연결되어야 하기 때문에 제조가 어렵고, 발광다이오드의 방사각도가 협소해지는 문제점이 발생된다.However, since the electrode pads electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer must be connected to the second conductivity type semiconductor layer, the above technique is difficult to manufacture and the emission angle of the light emitting diode is narrowed.

KR 10-2018-0003956 A (2018. 01. 10.)KR 10-2018-0003956 A (Oct. 10, 2018) KR 10-2016-0026604 A (2016. 03. 09.)KR 10-2016-0026604 A (Mar. 03, 2016)

본 발명은 상기 종래기술이 갖는 문제점을 해소하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 도전성 와이어를 사용하지 않고 패키지 기판에 직접 LED칩을 부착하여 와이어 본딩에 의한 불량을 최소화할 수 있는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide an LED chip which can be directly attached to a package substrate without using a conductive wire, And an LED lamp unit having the LED chip-integrated substrate.

또한, 본 발명에서 해결하고자 하는 다른 과제는 사파이어 기판에 확산층을 형성하여 방사각을 향상시킬 수 있는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an LED luminaire having an LED chip integrated substrate capable of improving a radiation angle by forming a diffusion layer on a sapphire substrate.

아울러, 본 발명에서 해결하고자 하는 또 다른 과제는 기판에 상용전원의 인가에 따라 LED 모듈을 점등시킬 수 있는 인버터가 실장되는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an LED luminaire having an LED chip integrated substrate on which an inverter capable of lighting an LED module according to application of a commercial power supply is mounted.

상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구는 LED칩, 기판 및 인버터로 이루어지는 LED 패키지를 포함하여 구성되고, 상기 LED칩은 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상부에 형성되는 제1 도전성 반도체; 상기 제1 도전성 반도체의 상부 일부에 형성되는 활성층; 상기 활성층의 상부에 형성되는 제2 도전성 반도체; 상기 제1 도전성 반도체의 나머지 상부 일부에 형성되는 도전체; 상기 도전체의 상부에 형성되는 제1 반사메탈; 및 상기 제2 도전성 반도체 상부에 형성되는 제2 반사메탈을 포함하여 구성되고, 상기 LED 패키지는 상기 LED칩의 상기 제1 반사메탈과 제2 반사메탈에 각각 전기적으로 연결되어 전원을 인가하는 전극이 구성되는 패키지 기판 및 상기 패키지 기판에 설치되고 상기 LED칩의 구동전원을 공급하는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an LED lighting device including an LED chip integrated substrate according to the present invention, the LED chip including a LED chip, a substrate, and an inverter, wherein the LED chip comprises a sapphire substrate; A first conductive semiconductor formed on the sapphire substrate; An active layer formed on an upper portion of the first conductive semiconductor; A second conductive semiconductor formed on the active layer; A conductor formed on a remaining upper portion of the first conductive semiconductor; A first reflective metal formed on the conductor; And a second reflective metal formed on the second conductive semiconductor, wherein the LED package is electrically connected to the first reflective metal and the second reflective metal of the LED chip, And an inverter installed in the package substrate and supplying driving power of the LED chip.

여기서, 상기 사파이어 기판, 제1 도전성 반도체, 활성층, 제2 도전성 반도체 및 도전체는 확산층에 의해 봉지될 수 있으며, 상기 확산층은 실리콘 수지 조성물로 이루어질 수 있다.Here, the sapphire substrate, the first conductive semiconductor, the active layer, the second conductive semiconductor, and the conductor may be sealed by a diffusion layer, and the diffusion layer may be formed of a silicone resin composition.

또한, 상기 인버터는 입력 AC전원을 DC전원으로 변환하는 정류부; 상기 정류부로 입력되는 입력 AC전원의 과전압 유입을 방지하는 과전압 방지부; 및 스위칭 신호에 따라 상기 정류부에서 출력되는 DC전원을 상기 LED칩에 인가하는 스위칭부를 포함하여 구성될 수 있다.The inverter further includes: a rectifier for converting input AC power to DC power; An overvoltage preventing unit for preventing an overvoltage input of the input AC power input to the rectifying unit; And a switching unit for applying DC power output from the rectifying unit to the LED chip according to a switching signal.

본 발명에 의하면, LED칩을 포함하는 LED 패키지에 도전성 와이어가 배제됨에 따라 와이어에 의한 발열이 현저히 감소되고, 와이어의 발열에 의한 단선 불량률이 방지됨에 따라 LED칩의 효율이 향상될 뿐만 아니라 LED 등기구의 사용수명이 연장되는 장점이 있다.According to the present invention, since the conductive wire is excluded from the LED package including the LED chip, the heat generated by the wire is significantly reduced, and the defective disconnection due to the heating of the wire is prevented, thereby improving the efficiency of the LED chip, The service life of the device is prolonged.

또한, 인버터가 기판에 실장되어 상용전원의 인가에 의해 LED칩을 구동할 수 있고, 소형화로 제작될 수 있는 장점이 있다.In addition, since the inverter is mounted on the substrate, the LED chip can be driven by application of the commercial power supply, and the LED chip can be manufactured in a compact size.

도 1은 종래에 따른 세라믹 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED칩의 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED칩이 패키지 기판에 설치된 LED 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 인버터의 회로도.
도 5는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED 패키지를 나타낸 사시도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view showing a structure of a conventional ceramic LED package. Fig.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an LED chip,
3 is a cross-sectional view of an LED package mounted on a package substrate of an LED chip applied to an LED luminaire having the LED chip integrated substrate according to the present invention.
4 is a circuit diagram of an inverter applied to an LED luminaire having an LED chip integrated substrate according to the present invention.
FIG. 5 is a perspective view illustrating an LED package applied to an LED luminaire having the LED chip integrated substrate according to the present invention. FIG.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 와이어를 사용하지 않으므로 와이어 본딩이 배제된 상태에서, 기판에 LED칩과 인버터를 일체화로 결합시켜 직접 상용전원을 인가하여 불량률을 감소시키면서 방사각도를 개선시킬 수 있는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 관한 것이다.The present invention relates to an LED chip integrated type substrate which can improve the radiation angle while integrating the LED chip and the inverter integrally with the substrate in a state in which the wire bonding is not used, The present invention relates to an LED lamp.

본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED 패키지는 LED칩(100), 패키지 기판(200) 및 인버터(300)를 포함하여 이루어진다.The LED package 100 includes an LED chip 100, a package substrate 200, and an inverter 300. The LED chip 100 includes an LED chip integrated substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED칩의 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating a configuration of an LED chip applied to an LED lamp having an LED chip integrated substrate according to the present invention.

첨부된 도 2를 참조하면, LED칩(100)은 사파이어 기판(110), 제1 도전성 반도체(120), 활성층(130), 제2 도전성 반도체(140), 도전체(150), 제1 반사메탈(160), 제2 반사메탈(170), 솔더범프(180) 및 확산층(190)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, the LED chip 100 includes a sapphire substrate 110, a first conductive semiconductor 120, an active layer 130, a second conductive semiconductor 140, a conductive material 150, A metal 160, a second reflective metal 170, a solder bump 180, and a diffusion layer 190.

사파이어 기판(110)은 투광성 기판으로서, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 사파이어(Al2O3) 외에 SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The sapphire substrate 110 is a transparent substrate, it may be formed of a highly thermally conductive material, sapphire (Al 2 O 3) in addition to SiO 2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga 2 0 3 can be used.

제1 도전성 반도체(120)는 상기 사파이어 기판(110) 상부에 형성되는 것으로서, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 즉, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체(120)가 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se 또는 Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor 120 is formed on the sapphire substrate 110 and may be formed of a semiconductor compound. That is, they may be implemented with compound semiconductors such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and the first conductivity type dopant may be doped. When the first conductivity type semiconductor 120 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se or Te as an n-type dopant, but is not limited thereto.

제2 도전성 반도체(140)는 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 즉, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 도전형 반도체(140)가 p형 반도체인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr 또는 Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second conductive semiconductor 140 may be formed of a semiconductor compound. That is, they may be implemented with compound semiconductors such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, it may include a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the second conductivity type semiconductor 140 is a p-type semiconductor, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant including, but not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

활성층(130)은 상기 제1 도전성 반도체(110)의 상부 일부에 형성되되, 상기 제1 도전성 반도체(120)와 상기 제2 도전성 반도체(140) 사이에 형성되는 것으로서, 제1 도전형 반도체(120)를 통해서 주입되는 전자와 제2 도전성 반도체(140)를 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.The active layer 130 is formed on an upper portion of the first conductive semiconductor 110 and is formed between the first conductive semiconductor 120 and the second conductive semiconductor 140, And the holes injected through the second conductive semiconductor 140 meet with each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the material.

상기 활성층(130)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(312, 322)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 130 may have a double heterostructure structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure As shown in FIG. For example, the active layers 312 and 322 can be formed by implanting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

한편, 사파이어 기판(110)과 제1 도전성 반도체(120) 사이에는 버퍼층(125)을 성장시킬 수 있는데, 상기 버퍼층(125)은 사파이어 기판(110)과 제1 도전성 반도체(120)를 이루는 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다.A buffer layer 125 may be grown between the sapphire substrate 110 and the first conductive semiconductor 120. The buffer layer 125 may be formed of a material of the sapphire substrate 110 and the first conductive semiconductor 120 Lattice mismatch and thermal expansion coefficient.

상기 버퍼층(125)의 재료로는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.As the material of the buffer layer 125, at least one of Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN and AlInN can be used.

여기서, 제1 도전성 반도체(120), 활성층(130) 및 제2 도전성 반도체(140)는 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 120, the active layer 130 and the second conductive semiconductor layer 140 may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma chemical vapor deposition (PECVD), a molecular beam epitaxy (MBE), or a hydride vapor phase epitaxy (HVPE).

도전체(150)는 상기 제1 도전성 반도체(110)의 나머지 상부 일부에 형성되는 것으로서, 활성층(130)과 제2 도전성 반도체(140)의 형성에 따라 높이를 동일하게 유지시키기 위한 것이다. 이러한 상기 도전체(150)로는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.The conductive material 150 is formed on the remaining upper portion of the first conductive semiconductor 110 and is for maintaining the height of the active layer 130 and the second conductive semiconductor 140 at the same level. The conductor 150 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chrome (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au).

여기서, 상기 활성층(130)에서 방출되는 빛(광원)은 상하를 포함하여 측면으로 방사된다.Here, the light (light source) emitted from the active layer 130 is radiated to the side including the upper and lower sides.

하부측으로 방사되는 광원은 사파이어 기판(110)을 통해 외부로 직접 방사되나, 상부측으로 방사되는 광원은 후술되는 패키지 기판에 흡수되거나 난반사에 의해 소멸될 수 있다.The light source that is radiated to the lower side is directly radiated to the outside through the sapphire substrate 110, but the light source that is radiated to the upper side can be absorbed by the package substrate or can be annihilated by diffuse reflection.

이에, 본 발명에서는 상부측으로 방사되는 광원을 유효 광원으로 활용하기 위해, 상기 도전체(150)의 상부에 형성되는 제1 반사메탈(160)과 상기 제2 도전성 반도체(140) 상부에 형성되는 제2 반사메탈(170)을 포함하여 구성된다.Accordingly, in order to utilize the light source that emits to the upper side as an effective light source, a first reflective metal 160 formed on the conductor 150 and a second reflective metal 160 formed on the second conductive semiconductor 140 2 reflective metal 170.

솔더범프(180)는 전극으로부터 입력되는 전원을 각각 제1 반사메탈(160)과 제2 반사메탈(170)을 통해 상기 제1 도전성 반도체(120)와 제2 도전성 반도체(140)에 인가시키기 위한 것으로서, 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 볼(solder ball) 등으로 이루어질 수 있다.The solder bumps 180 are formed on the first conductive semiconductor layer 120 and the second conductive semiconductor layer 140 to apply power from the electrodes to the first conductive semiconductor layer 120 and the second conductive semiconductor layer 140 through the first reflective metal layer 160 and the second reflective metal layer 170, A solder paste, a solder ball, or the like.

확산층(190)은 상기 사파이어 기판(110), 제1 도전성 반도체(120), 활성층(130), 제2 도전성 반도체(140) 및 도전체(150)의 외측을 봉지하고, 상기 활성층(130)에 발생된 광원을 확산시킨다.The diffusion layer 190 encapsulates the outside of the sapphire substrate 110, the first conductive semiconductor 120, the active layer 130, the second conductive semiconductor 140, and the conductive layer 150, And diffuses the generated light source.

즉, 상기 확산층(190)은 제1 반사메탈(160)과 제2 반사메탈(170)에 의해서 반사되는 광원과 상기 활성층(130)에서 발생되어 측면으로 방사되는 광원을 확산시킨다.That is, the diffusion layer 190 diffuses a light source reflected by the first reflective metal 160 and the second reflective metal 170 and a light source generated in the active layer 130 and emitted to the side.

이때, 상기 확산층(190)은 실리콘 수지 조성물로 이루어질 수 있다.At this time, the diffusion layer 190 may be formed of a silicone resin composition.

상기 실리콘 수지 조성물은 내후성, 내열성, 전기절연 특성 및 화학안정성에서 유지재료와 비교하여 상대적으로 우수하고, 기시광 영역에서의 투과율이 높은 장점이 있다.The silicone resin composition is superior in weather resistance, heat resistance, electrical insulation properties, and chemical stability compared with a holding material, and has a high transmittance in a base light region.

이에 따라, 상기 제1 반사메탈(160), 제2 반사메탈(170) 및 확산층(190)에 의해 170 ~ 180°의 방사각을 갖는 등기구를 제공할 수 있는 장점이 있다.Accordingly, the first reflective metal 160, the second reflective metal 170, and the diffusion layer 190 can provide a luminaire having a radiation angle of 170 to 180 degrees.

첨부된 도 2에 도시된 LED칩은 사파이어 기판(110)을 최하부에 두고, 그 상부에 제1 도전성 반도체, 활성층, 제2 도전성 반도체 및 도전체를 성장 또는 증착하여 형성되는 것으로서, 패키지 기판에 접합되는 경우 제조된 LED칩은 상하를 반전시켜 상기 패키지 기판에 결합시키게 된다.The LED chip shown in FIG. 2 is formed by growing or vapor-depositing a first conductive semiconductor, an active layer, a second conductive semiconductor, and a conductive material on the sapphire substrate 110 at the lowermost part thereof, The fabricated LED chip is inverted upside down and bonded to the package substrate.

도 3은 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED칩이 패키지 기판에 설치된 LED 패키지의 단면도를 나타낸 것이다.3 is a cross-sectional view of an LED package mounted on a package substrate of an LED chip applied to an LED lamp having an LED chip integrated substrate according to the present invention.

첨부된 도 2를 참조하면, 패키지 기판(200)에는 상기 LED칩의 제1 반사메탈(160)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(210) 및 제2 반사메탈(170)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(220)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, the package substrate 200 includes a first electrode 210 electrically connected to the first reflective metal 160 of the LED chip, and a second electrode 210 electrically connected to the second reflective metal 170. Two electrodes 220 are formed.

이때, 상기 제1 반사메탈(160)과 제1 전극(210)의 전기적 연결 및 제2 반사메탈(170)과 제2 전극(220)의 전기적 연결은 솔더범프(180)에 의해서 이루어진다.The first reflective electrode 160 and the first electrode 210 are electrically connected to each other and the second reflective metal 170 and the second electrode 220 are electrically connected to each other through a solder bump 180.

상기의 구성에서와 같이, 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED 패키지는 제1 반사메탈(160)과 제1 전극(210)이 직접 전기적으로 연결되고, 제2 반사메탈(170)과 제2 전극(220)이 직접 전기적으로 연결되어, 와이어의 필요성이 배제된다.As in the above-described configuration, in the LED package applied to the LED lamp having the LED chip integrated substrate according to the present invention, the first reflective metal 160 and the first electrode 210 are directly electrically connected to each other, The first electrode 170 and the second electrode 220 are directly electrically connected, eliminating the need for a wire.

이에, LED칩을 포함하는 LED 패키지에 도전성 와이어가 배제됨에 따라 와이어에 의한 발열이 현저히 감소되고, 와이어의 발열에 의한 단선 불량률이 방지됨에 따라 LED칩의 효율이 향상될 뿐만 아니라 LED 등기구의 사용수명이 연장되는 장점이 있다.Accordingly, as the conductive wire is excluded from the LED package including the LED chip, the heat generated by the wire is significantly reduced, and the disconnection defect rate due to the heating of the wire is prevented, thereby improving the efficiency of the LED chip, Is advantageous.

한편, 상기 패키지 기판(200)에는 상기 LED칩의 구동전원을 공급하는 인버터가 설치된다.Meanwhile, the package substrate 200 is provided with an inverter for supplying driving power of the LED chip.

도 4는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 인버터의 회로도를 나타낸 것이다.4 is a circuit diagram of an inverter applied to an LED luminaire having an LED chip integrated substrate according to the present invention.

첨부된 도 4를 참조하면, 상기 인버터(300)는 입력 AC전원을 DC전원으로 변환하는 정류부(310), 상기 정류부(310)로 입력되는 입력 AC전원의 과전압 유입을 방지하는 과전압 방지부(320), 상기 정류부(310)에서 출력되는 전압을 분배하고 설정된 로직에 근거하여 스위칭 신호를 출력하는 제어부(330) 및 상기 스위칭 신호에 따라 상기 제어부(330, MCU)에서 출력되는 DC전원을 상기 LED칩에 인가시키는 스위칭부(340)를 포함하여 구성된다.4, the inverter 300 includes a rectifier 310 for converting input AC power to DC power, an overvoltage prevention unit 320 for preventing an overvoltage input of the input AC power input to the rectifier 310, A controller 330 for dividing the voltage output from the rectifier 310 and outputting a switching signal based on the set logic, and a control unit 330 for controlling the DC power output from the controller 330 (MCU) And a switching unit 340 for applying the control signal to the switching unit 340.

상기 정류부(310)는 입력전원을 전파 정류하는 소자로서, 교류전원을 정류하는 브릿지 회로(bridge circuit)로 이루어질 수 있다. 이러한 정류부(310)는 상용AC전원을 DC전원으로 변환하여 출력한다.The rectifying unit 310 may be a bridge circuit for rectifying an AC power source. The rectifying unit 310 converts commercial AC power into DC power and outputs the DC power.

과전압 방지부(320)는 상기 정류부(310)의 전단에 설치되되, 상기 정류부(310)와 병렬 연결되어 상용전원으로 입력되는 과전압(또는 과전류)을 방지하는 기능을 수행한다. 과전압을 방지하는 소자로서 입력 전압에 의하여 저항값이 변하는 바리스터(varistor) 또는 제너 항복을 이용하여 정전압 출력시키는 제너 다이오드(zener diode) 등으로 구성될 수 있다.The overvoltage preventing unit 320 is installed at a front end of the rectifying unit 310 and is connected in parallel with the rectifying unit 310 to prevent an overvoltage (or an overcurrent) input to the commercial power supply. A varistor for changing the resistance value by an input voltage or a zener diode for outputting a constant voltage by using a Zener breakdown.

제어부(330)는 상기 정류부(310)로부터 출력되는 전원을 입력받아 LED칩(100)이 복수 배열된 어레이에 전압을 분배하고, 설정된 로직에 근거하여 분배된 전압에 대한 전류의 인가범위를 스위칭한다.The controller 330 receives the power from the rectifier 310 and distributes the voltage to the array in which the plurality of LED chips 100 are arranged and switches the application range of the current to the distributed voltage based on the set logic .

스위칭부(340)는 상기 제어부(330)의 제어신호에 따라 복수 배열된 LED칩(100)에 인가되는 전류를 제어한다.The switching unit 340 controls the currents applied to the plurality of LED chips 100 according to the control signal of the controller 330.

이에, 상기 스위칭부(340)에는 각 출력선(OUT1, OUT2, OUT3)에 연결된 FET가 설치된다. 바람직하게는 MOSFET가 사용될 수 있다.The switching unit 340 is connected to the output lines OUT1, OUT2 and OUT3. Preferably, a MOSFET can be used.

상기 FET는 전압으로 전류를 제어하는 소자로서, 입력되는 전압에 따라 출력되는 전류의 양을 제어한다. 즉, FET의 게이트에 +전압이 인가되면 드레인과 소스 사이의 채널이 형성된다. 이때, 인가되는 전압에 따라 드레인과 소스 사이에 형성되는 채널이 가변되는 데, 채널에 따라 전류가 흐를 수 있는 양이 가변되게 된다.The FET is a device for controlling the current to a voltage and controls the amount of the output current according to the input voltage. That is, when a positive voltage is applied to the gate of the FET, a channel between the drain and the source is formed. At this time, the channel formed between the drain and the source varies depending on the applied voltage, and the amount by which the current can flow according to the channel is varied.

이에, 상기 출력선 각각에 연결된 복수 배열된 LED칩(100)은 상기 제어부(330)의 제어신호(제어전압)에 근거하여 스위칭부(340)의 FET 동작에 의해서 점등되는 밝기가 조절되는 디밍제어가 가능하다.The plurality of LED chips 100 connected to the output lines are controlled by a control signal (control voltage) of the control unit 330 so that the brightness of the LED chip 100, which is turned on by the FET operation of the switching unit 340, Is possible.

여기서, 상기 인버터(300)에 전원의 인가여부를 표시하는 전원LED(301)가 설치된다. 상기 전원LED(301)는 정류부(310)의 출력전압과 스위칭부(240)의 홀드전압에 의해서 점등되는 것으로서, 전원의 인가에 따라 점등되고, 복수 배열된 LED칩(100)의 점등에 의해서 소등되도록 구성된다.Here, the inverter 300 is provided with a power LED 301 for indicating whether power is applied or not. The power LED 301 is turned on by the output voltage of the rectifying unit 310 and the hold voltage of the switching unit 240 and is turned on according to the application of the power source. .

이에 더하여, 상기 정류부(310)의 출력 전압의 노이즈를 제거하는 소자로서 노이즈 제거부(350)가 구성될 수 있다. 상기 노이즈 제거부(350)는 정류부(310)의 브릿지 다이오드에 병렬로 연결되는 커패시터(capacitor)로 구성될 수 있다.In addition, the noise removing unit 350 may be configured as an element for removing noise of the output voltage of the rectifying unit 310. The noise removing unit 350 may include a capacitor connected in parallel to the bridge diode of the rectifying unit 310.

도 5는 본 발명에 따른 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구에 적용된 LED 패키지를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a view showing an LED package applied to an LED luminaire having the LED chip integrated substrate according to the present invention.

첨부된 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 LED 패키지는 패키지 기판(200)의 일측면에 LED칩(100)이 복수 개 설치되고, 설치된 LED칩(100) 주변으로 인버터(300)를 구성하는 소자들이 배치된다.5, a plurality of LED chips 100 are installed on one side of a package substrate 200, and the inverter 300 is formed around the LED chip 100 Are arranged.

이와 같이, 상기 LED칩(100), 패키지 기판(200) 및 인버터가 일체로 형성된 LED 패키지가 적용된 LED 등기구는 내구성 및 사용 수명이 증가됨에 따라 외부에 노출되어 열악한 환경에 설치되는 가로등, 터널등 또는 투광기 등에 적합하다. 이에 더하여, 가정 또는 사무실에 설치되는 실내등(실내조명등) 뿐만 아니라 보안등을 포함하여 산업용 및 공공조명에 사용될 수 있다. As described above, the LED lamp 100 to which the LED package 100, the package substrate 200, and the inverter are integrally formed is applied to a street lamp, a tunnel or the like, which is exposed to the outside due to increased durability and service life, It is suitable for a projector and the like. In addition, it can be used in industrial and public lighting, including security lamps as well as interior lights (indoor lights) installed in homes or offices.

본 발명에 의하면, LED칩을 포함하는 LED 패키지에 도전성 와이어가 배제됨에 따라 와이어에 의한 발열이 현저히 감소되고, 와이어의 발열에 의한 단선 불량률이 방지됨에 따라 LED칩의 효율이 향상될 뿐만 아니라 LED 등기구의 사용수명이 연장되는 장점이 있다.According to the present invention, since the conductive wire is excluded from the LED package including the LED chip, the heat generated by the wire is significantly reduced, and the defective disconnection due to the heating of the wire is prevented, thereby improving the efficiency of the LED chip, The service life of the device is prolonged.

또한, 인버터가 기판에 실장되어 상용전원의 인가에 의해 LED칩을 구동할 수 있고, 소형화로 제작될 수 있는 장점이 있다.In addition, since the inverter is mounted on the substrate, the LED chip can be driven by application of the commercial power supply, and the LED chip can be manufactured in a compact size.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 아니하며 본 발명의 실시 예와 실질적으로 균등한 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 미치는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: LED칩 110: 사파이어 기판
120: 제1 도전성 반도체 130: 활성층
140: 제2 도전성 반도체 150: 도전체
160: 제1 반사메탈 170: 제2 반사메탈
180: 솔더범프 190: 확산층
200: 패키지 기판 300: 인버터
310: 정류부 320: 과전압 방지부
330: 제어부 340: 스위칭부100: LED chip 110: sapphire substrate
120: first conductive semiconductor 130: active layer
140: second conductive semiconductor 150: conductor
160: first reflection metal 170: second reflection metal
180: solder bump 190: diffusion layer
200: package substrate 300: inverter
310: rectification part 320: overvoltage prevention part
330: control unit 340:

Claims (5)

LED칩, 기판 및 인버터로 이루어지는 LED 패키지를 포함하는 LED 등기구에 있어서,
상기 LED칩은,
사파이어 기판;
상기 사파이어 기판 상부에 형성되는 제1 도전성 반도체;
상기 제1 도전성 반도체의 상부 일부에 형성되는 활성층;
상기 활성층의 상부에 형성되는 제2 도전성 반도체;
상기 제1 도전성 반도체의 나머지 상부 일부에 형성되는 도전체;
상기 도전체의 상부에 형성되어 상부측으로 방사되는 광원을 유효 광원으로 활용하기 위한 제1 반사메탈; 및
상기 제2 도전성 반도체 상부에 형성되어 상부측으로 방사되는 광원을 유효 광원으로 활용하기 위한 제2 반사메탈;
을 포함하여 구성되고,
상기 LED 패키지는,
상기 LED칩의 상기 제1 반사메탈과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반사메탈과 전기적으로 연결되는 제2 전극으로 구성되는 패키지 기판; 및
상기 패키지 기판에 설치되고 상기 LED칩의 구동전원을 공급하는 인버터;
를 포함하고,
상기 사파이어 기판, 제1 도전성 반도체, 활성층, 제2 도전성 반도체 및 도전체는 확산층에 의해 봉지되며,
상기 인버터는,
입력 AC전원을 DC전원으로 변환하는 정류부;
상기 정류부와 병렬로 연결되고 바리스터 또는 제너 다이오드로 구성되어 입력되는 입력 AC전원의 과전압 유입을 방지하는 과전압 방지부;
상기 정류부로부터 출력되는 전원을 입력받아 상기 LED칩이 복수 배열된 어레이에 전압을 분배하고, 설정된 로직에 근거하여 분배된 전압에 대한 전류의 인가범위를 스위칭하는 스위칭 신호를 출력하는 제어부;
상기 제어부의 스위칭 신호에 따라 상기 정류부에서 출력되는 DC전원을 상기 LED칩에 인가하고, 입력 전압에 의해 출력되는 전류를 제어하는 복수 개의 FET로 구성되는 스위칭부;
상기 정류부의 출력전압과 상기 스위칭부의 홀드전압에 의해 점등되어 전원의 인가여부를 표시하며, 상기 LED칩의 점등에 의해서 소등되는 전원LED; 및
상기 정류부의 브릿지 다이오드에 병렬로 연결되어 상기 정류부의 출력 전압의 노이즈를 제거하는 노이즈 제거부;
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구.
An LED lighting fixture comprising an LED package comprising an LED chip, a substrate and an inverter,
Wherein the LED chip comprises:
Sapphire substrate;
A first conductive semiconductor formed on the sapphire substrate;
An active layer formed on an upper portion of the first conductive semiconductor;
A second conductive semiconductor formed on the active layer;
A conductor formed on a remaining upper portion of the first conductive semiconductor;
A first reflective metal formed on the conductor to utilize a light source radiating to the upper side as an effective light source; And
A second reflective metal formed on the second conductive semiconductor and used as an effective light source;
And,
The LED package includes:
A package substrate comprising a first electrode electrically connected to the first reflective metal of the LED chip and a second electrode electrically connected to the second reflective metal; And
An inverter installed on the package substrate and supplying driving power to the LED chip;
Lt; / RTI &gt;
The sapphire substrate, the first conductive semiconductor, the active layer, the second conductive semiconductor, and the conductor are sealed by a diffusion layer,
The inverter includes:
A rectifier for converting the input AC power to a DC power;
An overvoltage preventing unit connected in parallel with the rectifying unit and configured to include a varistor or a zener diode and to prevent an overvoltage input of an input AC power source to be input;
A control unit receiving a power output from the rectifying unit and distributing a voltage to an array in which a plurality of the LED chips are arranged and outputting a switching signal for switching an application range of a current to a divided voltage based on the set logic;
A switching unit configured to apply a DC power output from the rectifying unit to the LED chip according to a switching signal of the control unit and to control a current output by an input voltage;
A power LED which is turned on by an output voltage of the rectifying unit and a hold voltage of the switching unit to indicate whether power is applied or not, And
A noise removing unit connected in parallel to the bridge diode of the rectifying unit to remove noise of an output voltage of the rectifying unit;
And an LED chip having an integrated LED chip.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 확산층은 실리콘 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구.
The method according to claim 1,
Wherein the diffusion layer is a silicone resin composition.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 LED 등기구는,
실내조명등, 가로등, 터널등 또는 투광기 중에서 선택된 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 LED칩 일체형 기판을 구비한 LED 등기구.
The method according to claim 1,
The LED lighting fixture includes:
An LED lamp, an indoor lighting lamp, a street lamp, a tunnel, or a floodlight.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110120060A (en) * 2010-04-28 2011-11-03 (주)에스티와이드 Light emitting diode downlight
US20140042447A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Avogy, Inc. Method and system for gallium nitride electronic devices using engineered substrates
KR101503558B1 (en) * 2007-11-14 2015-03-17 크리, 인코포레이티드 Wire bond free wafer level led
KR20160026604A (en) 2014-08-29 2016-03-09 주식회사 라이트전자 Method for microsoldering led of flip chip type
KR20160031938A (en) * 2014-09-15 2016-03-23 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode
KR20180003956A (en) 2016-07-02 2018-01-10 주식회사 렉스전자 LED Package type of exposure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503558B1 (en) * 2007-11-14 2015-03-17 크리, 인코포레이티드 Wire bond free wafer level led
KR20110120060A (en) * 2010-04-28 2011-11-03 (주)에스티와이드 Light emitting diode downlight
US20140042447A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Avogy, Inc. Method and system for gallium nitride electronic devices using engineered substrates
KR20160026604A (en) 2014-08-29 2016-03-09 주식회사 라이트전자 Method for microsoldering led of flip chip type
KR20160031938A (en) * 2014-09-15 2016-03-23 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode
KR20180003956A (en) 2016-07-02 2018-01-10 주식회사 렉스전자 LED Package type of exposure

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