KR101895629B1 - 웨이퍼 검사 툴에서의 원자외선 레이저의 수명 연장 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

툴의 정규 동작 중에 취해지는 웨이퍼 검사 데이터를 이용하여, 빔 웨이스트 위치 드리프트(beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 방법과 장치가 개시된다.
또한 레이저의 내부 또는 외부에서 사용하기 위한 개선된 레이저 비점수차 보정 장치가 개시된다.

Description

웨이퍼 검사 툴에서의 원자외선 레이저의 수명 연장 방법 및 장치{EXTENDING THE LIFETIME OF A DEEP UV LASER IN A WAFER INSPECTION TOOL}
본 발명은 집적회로 프로세싱 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 검사 시스템 분야에 관한 것이다. 본 출원은 2010년 6월 25일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/358,873 호 및 2010년 9월 21일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/384,795 호에 대하여 우선권을 청구한다.
웨이퍼 검사 시스템과, 특히 케이엘에이-텐코(KLA-Tencor)에서 만든 서프스캔 툴(Surfscan tool)과 같은 패터닝되지 않은 웨이퍼의 검사 시스템은 웨이퍼에 직접 빔을 쏘는 레이저 광원을 이용한다. 도 1a는 웨이퍼와 충돌하는(impinge) 광원으로부터의 광을 포함하는 웨이퍼 검사 시스템(100)의 일부를 나타낸다. 레이저 광원(105)에서 나온 빔(102)은 웨이퍼(120)에 도달하기 전에 빔 성형 옵틱스(beam forming optics, 110)와 포커싱 엘리먼트(focusing elements, 115)를 통과한다. 입사광선은 웨이퍼(120)에 스폿 크기(124)로 영향을 미친다(impinge). 웨이퍼(120)는 스테이지(124) 위의 웨이퍼 척(122) 위에 위치한다.
웨이퍼 검사 시스템은 산란광 수집 옵틱스(Scattered Light Collection Optics, 이하 SLCO 라 한다, 128), 광검출기(또는 광센서, 135), 디지타이저(digitizer, 137)를 포함할 수 있다. 이 장치들은 웨이퍼 표면과 웨이퍼 위의 로컬 포인트 결함으로부터 산란광을 수집하고, 이를 이미지/데이터 프로세싱 컴퓨터(Image/Data processing Computer, 이하 IMC 라 한다, 140)로 전송 가능한 디지털 전기 신호로 변환한다.
산란광(130)은 SLCO 에 의해 수집되고 디지타이저(digitizer, 137)와 결합된 광검출기(135)일 수 있는 하나 이상의 센서(135)에 의해 디지털 전기 신호로 변환된다. 스테이지(124)와 옵틱스(optics, 110)를 위한 콘트롤러(142)를 포함할 수 있는 IMC(140)는 센서(135)로부터의 신호를 분석한다.
웨이퍼 검사 시스템은 여러 가지 유형의 웨이퍼 스캐닝을 이용할 수 있다. 스캔 속도와 스폿 크기는 스캔 유형에 따라 요구되는 샘플링 횟수와 관련되어 있다.
1. XY 래스터 스캔(XY Raster Scan)은 웨이퍼가 웨이퍼의 래스터 스캔을 생성하기 위해 x 와 y 방향으로 움직이는(translate) 동안, 정지의 입사 빔을 이용한다. 래스터 스캔을 하는 동안 산란광 샘플은 디지타이저(digitizer)에 의해 수집되고 분석을 위해 IMC로 전송된다. X 와 Y 방향에서 요구되는 샘플링 시간 간격은 최소한 2XSpotsize/Xbeam speed, 그리고 최소한 2YSpotsize/2YbeamSpeed 이다. Y-방향으로 지정될 래스터 방향 스캔의 피치는, 최소한 Y 스폿 크기의 절반 이상은 되어야 한다. 본 개시의 목적상, 스폿 크기는 모든 지점에서의 빛의 출력밀도가 최대 스폿 출력밀도의 1/e2 보다 클 때 웨이퍼의 조명 받는 부분의 크기로 정의된다.
2. R-Theta 스파이럴 스캔(R-Theta Spiral Scan)은 웨이퍼가 웨이퍼의 스파이럴 스캔을 생성하기 위해 R 방향으로 움직이고(translate) Theta 방향으로 회전하는 동안, 정지의 입사 빔을 이용한다. 스파이럴 스캔을 하는 동안 산란광 샘플은 디지타이저(digitizer)에 의해 수집되고 분석을 위해 IMC로 전송된다. R 과 Theta 방향에서 요구되는 샘플링 시간 간격은 최소한 2XSpotsize/ThetaBeam speed, 그리고 최소한 2YSpotsize/2RbeamSpeed 이다. 스파이럴 스캔의 R 피치는 최소한 Y 스폿 크기의 절반 이상은 되어야 한다.
3. 웨이퍼와 빔이 모두 움직이고 있는 경우 더 복잡한 웨이퍼 스캔도 가능하다. 본 발명의 원리는 복잡한 웨이퍼 스캔에도 적용될 수 있다.
도 1b는 시스템의 레이저 광원 부분을 포함할 수 있는 원자외선(deep UV, DUV) 레이저 광원의 실시예의 확대도이다.
원자외선(deep UV, DUV) 레이저(142)는 주 레이저 빔을 생성하는 녹색 레이저(145)를 포함할 수 있다. 녹색 파장은 이를 생성하기 위해 사용되는 방법과 재료에 따라 514 내지 570 nm 범위에 있을 수 있다.
원자외선(deep UV, DUV) 레이저(142)는 원자외선 레이저 빔(152)을 생성(yield)하기 위해 주파수 이배기(frequency doubler)로서 동작하는 비선형 크리스탈(non-linear crystal, 150)을 포함할 수 있다. 자외선의 파장은 녹색 레이저 파장의 절반이 되므로, 파장의 범위는 257 내지 285 nm 이다. 비선형 크리스탈의 유형의 예에는 BBO(Beta Barium Borate)와 CLBO(Cesium Lithium Borate)가 포함되나 이에 국한되지 아니한다. 스폿 체인저 스테이지(spot changer stage, 155)는 크리스탈(150)의 위치를 조정하기 위하여 포함될 수 있다.
포커싱 엘리먼트(focusing elements)는 빔을 성형하여 빔 웨이스트(beam waist, 125)까지 좁힌다. 도 1c는 빔 웨이스트의 확대된 것을 보여주고, 빔 웨이스트 형상의 특징이 되는 각 확산 및 초점 심도와 같은 파라미터를 표시한다. 빔 웨이스트는 빔 너비의 XY 단면이 최소가 되는 Z 위치에 위치한다. (본 발명의 목적상 Z 축은 본 도면에서 도시된 바와 같이 정의되고 있음을 유념하기 바란다.) 이 빔 웨이스트의 Z 위치는, X 축을 따라 측정된 빔 최소반지름이 Y 축을 따라 측정된 빔 최소반지름과 상이한 Z 에 존재하는 경우, 상이한 Z 값에서 있을 수 있다. 이 두 값은 각각 X 와 Y 빔 웨이스트 위치로 기술된다. 만약 빔 웨이스트가 웨이퍼 표면(120)에 위치한다면, 최적의 초점이 달성된다. 반복 가능하고 민감한 측정을 위해서, 빔(102)은 웨이퍼(120) 위에 초점이 맞추어질 필요가 있다. 웨이퍼 전면이 X 와 Y 차원 모두에서 입사 빔의 초점에 위치하는 것, 즉 X 와 Y 빔 웨이스트가 웨이퍼 전면의 평면과 동일평면상에 있는 것이 중요하다. X 및/또는 Y 빔 웨이스트가 웨이퍼 전면의 평면과 동일평면상에 있지 않을 수 있는 몇 가지 가능한 이유가 있다.
1. 초기 시스템의 정렬 상태로부터 웨이퍼가 Z 방향으로 움직이거나, X 와 Y 의 빔 웨이스트가 초기 시스템의 정렬 상태에 비해 그 위치를 균일하게 변경하였기 때문에, X 와 Y 빔 웨이스트 위치가 초기 시스템의 정렬 상태로부터 균일하게 변위된다(displace). 이러한 경우에는 레이저 빔의 비점수차가 생기지 않는다.
2. X 와 Y 빔 웨이스트 위치가 서로에 대해 변위되는데, 이는 주파수를 배가시키는 비선형 크리스탈의 노화(aging)가 원인일 수 있다. 이 경우에는 레이저 빔에 비점수차가 존재한다. 비점수차는 도 1d에서 그림으로 보여진다.
일반적으로, 초기 비점수차를 고려한 시스템 성능 마진에 따라 용인될 수 있는 일부(가능한 한 최소화된) 초기 비점수차가, 새로 형성 및 정렬된 교정(calibrated) 시스템에 있음에 유념하라. 이하에서 기술할 바와 같이, 비점수차 증가에 기여하는 중요한 요인은 비선형 크리스탈의 노화이다. 이 요인은, 스폿 크기 중 적어도 하나(X 또는 Y)가 의도된 것보다 너무 큰 지점에 비점수차를 유발할 수 있다.
웨이퍼 검사 툴에서 사용되는, 파장이 약 200 내지 285 mm 보다 짧은 원자외선 레이저에 대해서, 주파수 이배기로서 사용되는 레이저 비선형 크리스탈이 제한된 수명을 갖는다는 것은 알려진 문제이다. (여기서 기술되는 레이저와 레이저 크리스탈의 유형은 일례에 불과하나, 크리스탈 기반의 레이저에서 이는 일반적인 현상이고, 그 세부 사항은 출력밀도, 파장, 및 크리스탈 유형에 의존한다는 점에 유념하라.) 원자외선 레이저 사례의 크리스탈의 열화(degradation)는 이 파장 범위에서의 높은 광자 에너지에 의해 유발되는 것으로 생각된다.
레이저 크리스탈이 노화되고 열화(degrade)됨에 따라, 빔 웨이스트 위치는 표류(drift)할 수 있고, x 와 y 빔 웨이스트 위치는 각기 다른 속도로 표류할 수 있어, 비점수차의 표류를 일으키고 또한 웨이퍼 상의 조명 스폿 크기의 증가를 일으킨다. 이것은 측정의 정확도와 감도에 불리하게 영향을 미친다. 그 응답, 즉 관심 있는 결함으로부터의 산란 신호는 변할 것이고(불안정성), 감소될 것이다(감도 저하). 초점 이탈이 일정한 한도에 도달했을 때의 이 같은 불안정성의 보정에는 빈번하고 값비싼 툴 정비(servicing), 교정(calibration), 재정렬(realignment), 스폿 크기 변경, 레이저 광이 크리스탈에 충돌하는(impinge) 경우 주파수 이배기(frequency doubler) 레이저 스폿의 변경(크리스탈은 일반적으로 레이저 빔보다 상당히 크다.), 즉 크리스탈의 회전이나 그 밖의 이동, 또는 레이저의 조기 교체가 요구된다. 이러한 보정 방법은 모두 값비싸고 시간 소모적이다.
빔 웨이스트 위치 드리프트(beam waist position drift)와 비점수차 드리프트(astigmatism drift)의 보정을 위한 현재의 관행(practice)은, 빔 웨이스트 위치가 X 와 Y 방향에서 같은 양만큼 변하는 경우(즉, 비점수차가 없는 경우)에 툴을 재교정(recalibrate)하는 것이다. 비점수차는 일반적으로 특정 스폿의 실제 수명보다 대개 더 짧은 주파수 이배기 크리스탈(frequency doubler crystal) 상의 각 스폿에 대해 고정된 수명을 가정하여 다루어진다. 일반적으로 새로운 스폿을 노출시키도록 주파수 이배기 크리스탈을 이동시키기 위해 정기 보수가 규정된다. 이 방법에는 문제가 있다. 매번 스폿이 바뀔 때마다, 툴 성능의 검증과 툴의 재교정(recalibration)이 필요하다. 또한, 정기 보수가 실제 스폿 수명보다 더 짧은 간격으로 스케줄링되어야 하고 크리스탈 상의 이용 가능 스폿의 수가 제한적이기 때문에, 이 방법은 매우 비싼 레이저 크리스탈의 너무 이른 교체를 초래한다. 높은 비용뿐만 아니라 고객 툴 비가동시간(customer tool down time)도 문제된다.
빔 웨이스트 위치 드리프트(beam waist position drift)와 비점수차 드리프트(astigmatism drift)의 보정을 위한 표준적인 방법은, 앞서 기술한 바와 같이 시간 소모적이고 많은 비용이 들어, 웨이퍼 검사 툴 소유의 비용을 현저하게 증가시킨다. 본 명세서에서는 툴의 정규 동작 중에 취해지는 측정치 즉 웨이퍼 검사 데이터를 이용한 비점수차 및 웨이스트 위치의 자동 보정 장치와 보정 방법이 개시된다. 이 정보는 비점수차 및 빔 웨이스트 드리프트의 보정을 위한 피드백으로 사용된다. 측정된 드리프트를 저속 서보 제어 루프(servo control loop)로 측정된 드리프트를 보상하는 메커니즘이 사용된다. 빔 웨이스트 드리프트와 비점수차 드리프트는 상대적으로 저속 과정이기 때문에 서보 루프(servo loop)는 빠를 필요가 없다. 따라서 빔 웨이스트와 비점수차의 보정은 웨이퍼 스캔들 사이에서 작은 증분으로 일어날 수 있고, 그렇기 때문에 툴의 처리량을 감소시키지 않고 어떠한 부가적인 계측의 불안정을 도입하지도 않는다.
본 발명 장치의 실시예는 웨이퍼 척(wafer chuck, 122)에 Z-스테이지를 부가하고, 레이저 광원(105) 내부에 있거나 혹은 레이저 광원(105) 가까이에 있으나 외부에 있는 비점수차 보정 장치 또는 비점수차 보상 장치, 및 X 와 Y 빔 방향에서의 스폿 초점 이탈을 측정하기 위한 수단을 더 포함한다. 초점 이탈은 이하 기술될 바와 같이 스폿 크기와 레퍼런스 스폿 크기를 비교함으로써 결정된다.
도 2는 빔 웨이스트와 비점수차 드리프트 보정 방법의 실시예를 표현한 고수준의 흐름도(flow diagram)를 나타낸다. 이 보정 알고리즘은 일례에 불과하고 한정적이지 않음에 유념하라.
200 단계에서는, 빔 스캔 데이터를 이용하여, x 와 y 방향에서의 스폿 크기를, 교정된(calibrated) 현 상태의 레이저로부터 획득되고 툴의 올바른 동작을 위해 허용 가능한 스폿 크기 범위에 따라 정의될 수 있는 레퍼런스 스폿 크기와 비교한다.
205 단계에서는, 측정된 스폿 크기가 레퍼런스 스폿 크기보다 큰 경우라면, 스테이지의 z-조정을 이용하여, 측정된 스폿 크기가 이하 정의될 x 방향에서의 레퍼런스 스폿 크기로 줄어들 때까지 스테이지를 위 또는 아래로 움직인다. 이 예시의 목적으로, x 방향은 더 안정적인 빔 웨이스트 위치를 갖는 축과 정렬되고 따라서 z 스테이지에서 조정되는 것으로 정의할 것이다. 만약 측정된 스폿 크기가 상하 z-조정 후에도 여전히 레퍼런스 스폿 크기보다 크다면, 레이저 크리스탈의 재정렬(realignment), 재교정(recalibration), 교체(replacement)가 필요하다.
210 단계에서는, x-방향(위에서 정의된 방향)에서의 레퍼런스 스폿 크기가 달성되었으나, 측정된 스폿 크기가 y 방향에서의 레퍼런스보다 큰 경우, 즉 초점에서 벗어난 경우, 이는 비점수차로 인한 것으로 추정된다.
215 단계에서는, y방향의 웨이스트 위치가 레퍼런스 값에 가장 가까운 근사치에 도달할 때까지 움직이도록 비점수차 보정 장치를 조정한다(engage).
이제 200 단계를 언급한다.
웨이퍼 스캔을 하는 동안, 웨이퍼 표면의 결함으로부터 산란광이 검출된다. 일반적으로 이러한 결함은 샘플링 거리가 스폿 크기보다 작은 상태에서 레이저 빔의 직경보다 직경이 상당히 작다. 스파이럴 스캔(spiral scan) 또는 래스터 스캔(raster scan) 유형의 스캐닝 방식은 광검출기(또는 다른 센서) 신호에 의해 제공되는, x 와 y 차원 모두에서의 레이저 빔 강도의 측정을 초래한다. 이러한 입력 강도 신호는, x 와 y 가우시안 강도 프로파일(Gaussian intensity profile)을 계산하고, x 와 y 방향의 스폿 크기를 계산하는, 컴퓨터(140)에 의해 분석된다. x 와 y 방향의 레퍼런스 스폿 크기는 컴퓨터에 저장되어 있으며, 시스템 교정(system calibration) 중에 획득 및 저장되었을 수 있다.
도 3a는 위에서 205 내지 215 단계에서 설명된 알고리즘 실시예에서 컴퓨터 제어 장치의 결정을 더 상세하게 기술한 순서도의 시작이다. 이 알고리즘은 일례에 불과하고 한정적이지 않음에 유념하라. 이 순서도는 도 3b로 이어진다.
300, 305, 310, 315, 320 단계는 웨이퍼 스캔 데이터를 이용하여 x 와 y 스폿 직경을 측정하는 것을 포함한다. 빔 웨이스트는 최소 스폿 직경 위치에서 발생하여 스폿 직경의 측정이 빔 웨이스트 위치와 연결되어 있음에 유념하라. 325 내지 334 단계는 현재의 스폿 직경과 이전의 또는 레퍼런스 스폿 직경 사이의 델타(delta)를 결정하는 것을 포함한다. 340, 345 단계는 x-방향의 거친 보정(coarse correction)을 위하여 빔 웨이스트 위치를 이동시키도록 스테이지를 위 또는 아래로 이동하는 것(뒤이어 z-이동이 스폿 크기를 레퍼런스 크기, 또는 초점 맞춰진 크기를 향해 움직이고 있었는지 여부를 결정하기 위해 스폿 직경을 재측정함)을 포함한다. 350 단계는 y-방향의 정밀한 보정을 위하여 비점수차 보정 장치가 빔 웨이스트 위치를 움직이도록 조정하는(engage) 것을 포함한다. 355 단계는, z-스테이지 이동이 x-방향에서의 덜 민감한 빔 웨이스트 드리프트를 보정할 수 없는 경우에, 크리스탈 위치의 변경, 툴의 재교정 또는 재정렬을 포함한다.
도 4a는 상술한 프로세스 흐름에 이용될 수 있는 레이저 비점수차 보정 장치 레이아웃의 제 1 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 일례에 불과하고 한정적이지 않음에 유념하라. 이 실시예에서는, 비점수차 보정 장치(400)가 시스템 조명 경로(410) 내의 레이저(405) 외부에 있다. 대안으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 비점수차 보정 장치는 레이저 조립체의 필수적 부분으로서 레이저 내부에서 구현될 수 있다. 많은 유형의 비점수차 보정 장치가 이 레이아웃에서 사용될 수 있음에 또한 유념해야 한다. 레이저 비점수차 보정 방법을 위한 공지의 방법은 원통형 거울을 사용한다. 이 방법은 Use of laser diode in joint transform correlator, Opt. Eng. 43, 1751(2004); doi:10.1117/1.1763590 에 기술되어 있다. 공지의 레이저 비점수차 보정 장치에 더하여, 본 발명의 레이저 비점수차 보정 장치가 본 명세서에 개시된다. 레이저 비점수차 보정 장치(400)는 레이저 전달 방향을 가로지르는 직교 방향에서 서로 다른 굴절률을 갖는 복굴절 크리스탈(birefringent crystal)에 광량자속(photon flux)의 초점을 맞춘 고조파 생성 레이저(harmonic generating lasers)와 관련된 축 비점수차(axial astigmatism)를 줄이도록 설계되었다. 이러한 유형의 레이저는 정적 및 동적 비점수차를 모두 가질 수 있고, 후자는 드리프트의 속도가 레이저 예방 보수 주기(preventative maintenance cycle)보다 더 빠를 때 특히 다루기 어렵다. 따라서, 종래의 원통형 렌즈 보정 방법에 비해 몇몇의 이점을 가진 조절 가능한 비점수차 보정 장치가 제안된다.
도 5는 조절 가능한 비점수차 보정 장치의 실시예를 나타낸다. 실시예는 0.5o, 1o, 또는 2o와 같은 작은 웨지 각(wedge angle)을 갖는 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate, 500, 505)를 포함한다. 웨지는 조절 가능한 경사각을 갖는다. 웨지는 레이저(507)로부터의 빔 경로(506)에 설치되고, 두 평면 사이의 빔 비대칭(beam asymmetry)를 보정하도록 xz 또는 yz 평면을 향한다. 그 중 어느 한 평면에 대해 웨지 플레이트를 기울임으로써, 그 평면 내의 빔 발산(beam divergence)은 비점수차를 보상하도록 조정될 수 있다. 본래의 빔 품질을 열화시키지 않도록, 플레이트는 유리와 같은 매우 고품질의 투명한 소재로 이루어질 수 있다. 두 웨지는 동일할 수 있고 서로에 대하여 경사각 조정을 할 필요가 없도록 동일한 큰 유리 시트로부터 제조될 수 있다. 두 개의 웨지는 서로 반대 방향을 가리키도록, 즉 하나는 위를 가리키고 다른 하나는 아래를 가리키거나, 하나는 빔의 왼편을 가리키고 다른 하나는 빔의 오른편을 향하도록 설치된다. 웨지 방향의 이러한 대립은 웨지가 일단 정렬되면 임의의 빔 포인팅(beam pointing) 오류를 제거한다. 각 웨지는 동일 평면상에서 그리고 두꺼운 일단으로부터 동일한 방향으로 기울여지고 두 웨지는 서로에 대하여 광축(optical axis, 520) 주위를 180도로 회전되어, 개별적으로 어느 하나의 플레이트에 의해 생성될 수 있는 빔 오프셋(beam offset)을 제거한다. 웨지 플레이트(500, 505)는 비점수차 보정 장치의 하위 조립체(subassembly, 525) 내에 구성될 수 있다.
원통형 렌즈 보정 장치에 비하여 본 발명의 비점수차 보정 장치의 이점은 다음을 포함할 수 있다.
1. 충분히 고품질의 원통형 렌즈는 제조하기 어렵고, 단지 작은 비점수차 보정을 적용하기 위해서 매우 긴 초점 거리가 필요하다. 그에 반해서, 본 명세서에 개시되는 역-경사(counter-tilt)/역-회전(counter-rotated) 웨지는 크게 조정 가능하고, 레이저 빔에 다른 파면 품질(wavefront quality) 문제를 도입시키지 않는 매우 평평한 표면으로 이루어질 수 있다.
2. 경사진 파장판(tilted waveplate) 설계는 종래의 빔 확대 장치(beam expander)의 내부에 위치할 수 있고, 예를 들면 (그림에서 하위 조립체(525)로 보여지는) 케플러 망원경이다. 이는 매우 얇은 웨지와 일반적으로 +/- 0 내지 2 도인 작은 경사각을 허용하여 안정성과 정확도 개선을 위해 조립체를 컴팩트(compact)하게 하고 조립체가 플렉셔(flexure)를 이용하게 설계될 수 있도록 한다. 웨지 중앙 두께는 1 내지 5 mm 의 범위 내일 수 있고, 웨지의 직경과 포함된 각도에 따라, 위에서 아래까지의 두께 변화는 50 um 내지 1 mm 의 범위 내일 수 있다.
3. 통상적으로 구형 및 원통형 형상의 포커싱 엘리먼트를 포함하는 다중요소 웨이스트 계전기형(relay-type) 비점수차 보정 장치는, 각 포커싱 엘리먼트, 즉 렌즈의 간격과 위치를 결정하기 위하여, 고정된 참조 평면에 대한 상대적인 x- 및 y-웨이스트의 정확한 위치를 알 필요가 있다. 본 발명의 경사진 파장판 비점수차 보정 장치는 빠른 피드백(feedback)을 가능하게 하는 x-와 y-웨이스트 사이의 상대적 거리를 아는 것만을 필요로 한다.
Figure 112012105005165-pct00001
표 1. 0.5O, 1.0O, 및 2.0O 의 웨지를 포함하는 보정 장치 플레이트
표 1은 동등하고 반대되는 비점수차 보정을 제공하기 위하여 상이한 웨지 각들에 대하여 필요한 경사각 및 비점수차의 수치 값을 보여준다. ISF(Improvement Scale Factor)는 주어진 범위의 웨지 경사각에 대하여 보정 가능한 최대 비점수차의 일부이다. 각 플레이트의 공칭 웨지(nominal wedge)로 인하여, 그리고 본 실시예가 빔이 조준되지 않는 빔 확대 장치 내부에 웨지를 위치시킨다는 사실로 인하여 레이저가 비점수차 0 으로 시작할 때에도 웨지는 0이 아닌 경사를 필요로 한다는 점에 유념하라. RR(Rayleigh Range)은 레이저 스폿 크기를
Figure 112012105005165-pct00002
배 만큼 증가시키거나 빔 면적을 2x 배 만큼 증가시키기 위한 z 거리(레이저 초점 심도 또는 공초점(confocal) 파라미터로 알려진 값의 절반)이다. P-V(Peak to Valley)는 진폭의 두 배이고, 파동 또는 OPD(Optical Path Difference)에서 측정된다. 이 값들은 7um 의 스폿 크기를 위한 일례라는 것에 유념하라. 이 값은 일례에 불과하고 스폿 크기는 이 값으로 한정되지 않는다.
본 명세서에서 기술되는 실시예 또는 그 일부는 컴퓨터에 의해 구현될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 프로세서(예를 들어, 프로세서 코어(processor core), 마이크로프로세서(microprocessor), 컴퓨팅 디바이스(computing device) 등), 버스를 통하여 서로 통신할 수 있는 주 기억 장치(main memory)와 정적 기억 장치(static memory)를 포함할 수 있다. 머신은 디스플레이 유닛을 더 포함할 수 있고, 디스플레이 유닛은 터치스크린(touch-screen), 또는 액정 디스플레이(Liquid crystal display, LCD), 또는 발광 다이오드(light emitting diode, LED) 디스플레이, 또는 브라운관(cathod ray tube, CRT)을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템은 인간 입력/출력 장치(예를 들어, 키보드, 문자입력 키패드(alphanumeric keypad)), 포인팅 장치(예를 들어, 마우스, 터치스크린 등), 드라이브 유닛(예를 들어, 디스크 드라이브 유닛, CD/DVD 드라이브, 유형의 컴퓨터 판독가능한 착탈식 미디어 드라이브(tangible computer readable removable media drive), SSD 저장 장치 등), 신호 생성 장치(예를 들어, 스피커, 오디오 출력 등), 그리고 네트워크 인터페이스 장치(예를 들어, 이더넷(Ethernet) 인터페이스, 유선 네트워크 인터페이스, 무선 네트워크 인터페이스, 전파 신호 인터페이스 등)를 또한 포함할 수 있다.
드라이브 유닛은 상술된 방법 중 어느 하나, 또는 모두를 구현한 명령어들의 집합(예를 들어, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어 등)이 저장되는 머신 판독가능 매체를 포함할 수 있다. 명령어들의 집합은, 전부 또는 적어도 일부가, 주 기억 장치 및/또는 프로세서 내에 상주하고 있음이 제시된다. 명령어들의 집합은 또한 네트워크 버스(network bus)를 통해 네트워트 인터페이스 장치를 경유하여 송신되거나 수신될 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 몇몇 형태의 프로세싱 코어(컴퓨터의 CPU 같은 것) 상에서 실행되거나 그렇지 않으면 머신 또는 컴퓨터 판독가능 매체 상에서 또는 그 내에서 구현되거나 실현되는 명령어들의 집합으로서, 또는 이를 지원하기 위해, 사용될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 머신 판독가능 매체는 정보를 머신(예를 들어 컴퓨터)에 의해 판독 가능한 형태로 저장하거나 전송하는 임의의 메카니즘을 포함할 수 있다. 예를 들면, 머신 판독가능 매체는 판독 전용 기억 장치(read-only memory, ROM); 임의 접근 기억 장치(random access memory, RAM); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 장치; 전기적, 광학적, 음향적 또는 다른 형식의 전파 신호(예를 들어, 반송파(carrier waves), 적외선 신호, 디지털 신호 등); 또는 정보 저장과 전송에 적합한 임의의 다른 유형의 매체도 포함한다.
방법과 장치의 실시예들은 레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(거친 보정)와 비점수차(상세 보정)의 자동 보정을 가능하게 한다. 도 3의 흐름도는 비점수차 보정 장치의 가능한 이용을 포함하여 결정 프로세스(decision process)를 기술한다. 본 발명의 비점수차 보정 장치가 개시된다: 매우 고품질의 즉시 이용가능한 간섭계 전송 평면으로 이루어질 수 있는 가변 비점수차 보정 시스템을 위한 매우 유연한 설계가 제공된다. 본 발명의 설계는 x- 및 y- 비점수차 웨이스트를 위치하기 위하여 참조할(with respect to) 고정된 레퍼런스를 필요로 하지 않고, 단지 두 웨이스트의 상대 거리 측정만을 필요로 하고, 웨이퍼 검사 시스템 자신의 내장된 측정 능력을 이용해 "실시간(live)" 조정될 수 있다. 본 명세서에 개시되는 장치과 방법 실시예들은 크리스탈이 노화된(ages) 때에도 빔의 품질을 유지할 수 있도록 레이저 빔 비점수차가 보정될 수 있는 폐루프 피드백 방식을 제공한다. 개시된 본 발명의 보정 장치일 수 있고 또는 이용가능한 보정 장치 일 수 있는 비점수차 보정 장치는 피드백과 제어 시스템으로 전동화되고 자동화된다. 시스템은 웨이퍼 표면에서 비점수차의 측정을 가능하게 하고, 이어서 그 측정을 비점수차 보정을 위하여 피드백 루프에서 사용한다. 그 결과, 레이저 빔 스폿은 연장된 시한(time period)동안 그 특징이 변하지 않아서, 레이저 수명의 상당한 연장(extension)을 제공한다.
본 명세서에 개시되는 장치와 방법 실시예들은 빈번하고 값비싼 레이저 툴의 정비, 교정, 재정렬, 스폿 크기 변경, 레이저 광이 크리스탈에 충돌 즉, 크리스탈을 회전시키거나 이동시키는 경우 스폿의 전환, 또는 레이저의 조기 교체를 최소화하기 위하여 활용될 수 있다.
본 발명은 여기 개시되는 정확한 실시예들에 제한되어야 하는 것으로 생각해서는 안 된다. 당해 기술 분야에서 숙련된 자들은 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 상태로 변화 및 변경이 이루어질 수 있음을 인식할 것이다. 예를 들면, 시스템은 두 개의 비점수차 보정 장치를, 하나는 xz 평면을 위하여, 다른 하나는 yz 평면을 위하여 포함할 수 있다. 이 경우 빔 웨이스트 위치 보정을 위하여 z 스테이지가 필요하지 않을 것이다. 본 발명의 범위는 청구항의 관점에서 해석될 수 있다.
본 발명에 따르면 툴의 정규 동작 중에 취해지는 웨이퍼 검사 데이터를 이용하여, 빔 웨이스트 위치 드리프트(beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 수행할 수 있다.
도 1a는 웨이퍼와 충돌하는(impinge) 광원으로부터의 광을 포함하는 웨이퍼 검사 시스템(100)의 일부를 나타낸다.
도 1b는 원자외선(deep UV) 레이저 광원의 실시예의 확대도이다.
도 1c는 빔 웨이스트의 확대된 것을 보여준다.
도 1d는 비점수차를 그림으로 나타낸다.
도 2는 빔 웨이스트와 비점수차 드리프트 보정 방법의 실시예를 표현한 고수준의 흐름도(flow diagram)를 나타낸다.
도 3a는 일례의 알고리즘에 따른 컴퓨터 제어기의 제어루프 결정의 실시예를 더 자세하게 표현한 순서도(flow chart)를 나타낸다.
도 3b는 도 3a의 순서도에 이어진다.
도 4a는 앞에서 기술된 프로세스 흐름에 이용될 수 있는 진보적인 레이저 비점수차 보정 장치 레이아웃의 제 1 실시예를 나타낸다.
도 4b는 앞에서 기술된 프로세스 흐름에 이용될 수 있는 레이저 비점수차 보정 장치 레이아웃의 제 2 실시예를 나타낸다.
도 5는 진보적인 비점수차 보정 장치의 실시예의 확대된 것을 나타낸다.

Claims (12)

  1. 레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치에 있어서,
    웨이퍼 표면 위의 스폿을 조명하기 위한 원자외선(deep ultraviolet, DUV) 레이저 조명원으로서, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 척 위에 유지되고, 상기 레이저 조명원은 빔 성형 옵틱스(beam forming optics)를 가로지르고 하나 이상의 빔 웨이스트(beam waist) Z 위치를 가지는 조명 레이저 빔을 제공하고, 상기 웨이퍼 표면상의 상기 스폿은 스폿 크기를 갖는 것인, 상기 원자외선 레이저 조명원;
    상기 웨이퍼 척 위의 상기 웨이퍼를 Z 방향으로 옮기기(translate) 위한 z-스테이지;
    상기 조명 레이저 빔의 비점수차를 보정하기 위한 하나 이상의 비점수차 보정 장치;
    X와 Y 빔 방향의 초점 이탈을 측정하기 위한 수단; 및
    상기 z-스테이지와 상기 빔 성형 옵틱스(beam forming optics)를 제어하기 위한 컨트롤러를 포함하는 이미지/데이터 프로세싱 컴퓨터(Image/Data processing Computer);
    를 포함하는 레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 원자외선(deep ultraviolet, DUV) 레이저 조명원은 비선형 크리스탈 주파수 이배기(non-linear crystal frequency doubler)를 포함하는 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 웨이퍼 스캐닝 시스템 내에서,
    상기 X와 Y 빔 방향의 초점 이탈을 측정하기 위한 수단은 웨이퍼 스캐닝 툴의 정규 동작 중에 취해지는 웨이퍼 스캐닝 데이터를 활용하는 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비점수차 보정 장치는 상기 레이저 조명원 외부에 위치하고 시스템 조명 경로 상에 있는 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 비점수차 보정 장치는 레이저 조립체의 필수적 부분으로서 상기 레이저 조명원 내부에 위치하는 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 비점수차 보정 장치는,
    미리 정해진 웨지 각(wedge angle)을 이루고 투명한 소재로 이루어지며 시스템 조명 경로 상에 설치된 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)를 포함하고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 서로 반대 방향을 가리키고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 조절 가능한 경사각을 갖고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 상기 조명 레이저 빔의 비점수차를 보상하기 위하여 조절 가능한 형태(configuration)로 설치된 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 비점수차 보정 장치는 직교 평면상에서 상기 빔 웨이스트(beam waist) Z 위치를 보정하도록 구성된 두 개의 비점수차 보정 장치를 포함하는 것인,
    레이저 빔 웨이스트 위치 드리프트(laser beam waist position drift)의 실시간 자동 보정을 위한 장치.
  8. 삭제
  9. 레이저 크리스탈을 이용하고 z 조정 스테이지 상에 설치되어 있는 웨이퍼를 조명하는 조명 레이저 빔에서의 비점수차를 보정하는 방법에 있어서,
    x 방향의 빔 웨이스트(beam waist)에서 x 스폿 크기를 측정하고, y 방향의 빔 웨이스트(beam waist)에서 y 스폿 크기를 측정하는 단계;
    빔 스캔 데이터를 이용하여, 상기 x 스폿 크기를 레퍼런스 x 스폿 크기와 비교하고 상기 y 스폿 크기를 레퍼런스 y 스폿 크기와 비교하는 단계;
    측정된 x 방향 스폿 크기가 대응하는 레퍼런스 스폿 크기보다 더 크다면, 상기 측정된 스폿 크기가 상기 레퍼런스 스폿 크기로 감소할 때까지 상기 z 조정 스테이지를 이동시키는 단계;
    z-조정 후에 상기 측정된 x 스폿 크기가 상기 대응하는 레퍼런스 스폿 크기보다 더 크다면, 상기 레이저 크리스탈을 조정하거나 교체하는 단계;
    상기 측정된 x 스폿 크기가 대응하는 레퍼런스 스폿 크기만큼 크고 상기 측정된 y 스폿 크기가 대응하는 레퍼런스 스폿 크기보다 크다면, 비점수차 보정 장치에서 상기 측정된 y 방향에서의 스폿 크기를 조정하는 단계;
    를 포함하는 비점수차를 보정하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 레퍼런스 x 스폿 크기 및 레퍼런스 y 스폿 크기는 교정된 현 상태의 레이저로부터 획득되는 것인,
    비점수차를 보정하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 비점수차 보정 장치는 피드백 제어 시스템으로 자동화 및 동력화되는 것인,
    비점수차를 보정하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 비점수차 보정 장치는,
    미리 정해진 웨지 각(wedge angle)을 이루고 투명한 소재로 이루어지며 시스템 조명 경로 상에 설치된 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)를 포함하고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 서로 반대 방향을 가리키고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 조절 가능한 경사각을 갖고, 상기 두 개의 웨지 플레이트(wedged plate)는 상기 조명 레이저 빔의 비점수차를 보상하기 위하여 조절 가능한 형태(configuration)로 설치된 것인,
    비점수차를 보정하는 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US9293882B2 (en) * 2013-09-10 2016-03-22 Kla-Tencor Corporation Low noise, high stability, deep ultra-violet, continuous wave laser
US10785394B2 (en) * 2015-08-28 2020-09-22 Kla Corporation Imaging performance optimization methods for semiconductor wafer inspection
US10380728B2 (en) * 2015-08-31 2019-08-13 Kla-Tencor Corporation Model-based metrology using images
US9846933B2 (en) 2015-11-16 2017-12-19 General Electric Company Systems and methods for monitoring components
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62293718A (ja) * 1986-06-13 1987-12-21 Canon Inc 露光装置
JP2960746B2 (ja) 1990-03-15 1999-10-12 株式会社日立製作所 ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置
JPH04339244A (ja) * 1991-03-18 1992-11-26 Canon Inc 表面状態検査装置
JP3632264B2 (ja) * 1995-11-30 2005-03-23 株式会社ニコン Ｘ線投影露光装置
JPH1055005A (ja) * 1996-06-05 1998-02-24 Mitsui Petrochem Ind Ltd レーザ光発生装置
JPH1030988A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Hitachi Ltd 自動焦点補正方法及びその装置
JPH11173821A (ja) * 1997-12-10 1999-07-02 Yasunaga Corp 光学式検査装置
JP2001332595A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Sony Corp 焦点合わせ制御機構及びこれを用いた検査装置
US7006208B2 (en) * 2003-01-07 2006-02-28 Intel Corporation Defect compensation of lithography on non-planar surface
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
JP4273241B2 (ja) * 2003-07-25 2009-06-03 日本電産サンキョー株式会社 光学装置の非点隔差測定方法、スポット径補正方法及びスポット評価装置
US7182463B2 (en) * 2003-12-23 2007-02-27 3M Innovative Properties Company Pixel-shifting projection lens assembly to provide optical interlacing for increased addressability
JP2006187783A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US7625679B2 (en) 2005-09-23 2009-12-01 Applied Materials, Inc. Method of aligning a particle-beam-generated pattern to a pattern on a pre-patterned substrate
US7852889B2 (en) 2006-02-17 2010-12-14 Cymer, Inc. Active spectral control of DUV light source
US7880151B2 (en) 2008-02-28 2011-02-01 Fei Company Beam positioning for beam processing

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US20110315897A1 (en) 2011-12-29
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US8432944B2 (en) 2013-04-30
WO2011163329A2 (en) 2011-12-29
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