KR101873206B1 - Manfacturing method of patterned flexible transparent electrode - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토리소그래피 및 레이저 조사에 의한 패터닝 공정보다 낮은 공정수와 공정단가로 금속 나노와이어가 매립된 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 또는 자외선-오존 처리에 의해 재료들 간의 접착력을 조절하는 방법으로 패턴 형성이 가능한 새로운 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프링팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다.
본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등에 적용이 가능하다.The present invention relates to a method of forming a pattern of a flexible transparent electrode, and more particularly to a method of forming a pattern of a flexible transparent electrode in which a metal nanowire is embedded at a lower process number and a process cost than a patterning process by photolithography and laser irradiation .
The present invention can provide a new manufacturing method capable of pattern formation by a method of adjusting the adhesive force between materials by plasma or ultraviolet-ozone treatment.
In addition, the present invention can produce a flexible transparent electrode having a pattern formed by a simple process as compared with a conventional method using photolithography.
In addition, the present invention is advantageous in that it does not require expensive equipment, is simple in process, and easily adjusts the line width of the pattern, compared with a method of forming patterns by gravure offset, gravure printing, inkjet prining and the like.
The flexible transparent electrode manufactured by the manufacturing method of the present invention is less likely to cause a short circuit when applied to an electronic material because the metal nanowire is embedded in the polymer resin and the surface is smooth, and can be applied to an OLED, a solar cell, and the like.

Description

패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법{MANFACTURING METHOD OF PATTERNED FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a flexible transparent electrode having a pattern formed thereon,

본 발명은 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토리소그래피 및 레이저 조사에 의한 패터닝 공정보다 낮은 공정수와 공정단가로 금속 나노와이어가 매립된 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a pattern of a flexible transparent electrode, and more particularly to a method of forming a pattern of a flexible transparent electrode in which a metal nanowire is embedded at a lower process number and a process cost than a patterning process by photolithography and laser irradiation .

일반적으로 플렉서블(flexible) 투명전극은 플렉서블한 기판 위에 금속 나노와이어를 코팅하거나 희생층이 있는 기판 위에 금속 나노와이어를 코팅하고 고분자를 이용하여 이를 떼어냄으로써 제조할 수 있다. 희생층 위에 금속 나노와이어를 코팅하고 이를 떼어냄으로써 제작된 금속 나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극은 낮은 표면 거칠기로 인하여 전자소자 적용 시 단락 발생 가능성이 낮아 전자소자 응용 측면에서 많은 개발이 이루어지고 있다. Generally, a transparent transparent electrode can be prepared by coating a metal nanowire on a flexible substrate or by coating a metal nanowire on a substrate having a sacrificial layer and separating it with a polymer. The metal nano wire embedded flexible electrode, which is formed by coating the metal nanowire on the sacrificial layer and removing it, has a low possibility of occurrence of short circuit when the electronic device is applied due to low surface roughness,

금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 전자소자에 응용하기 위해서는 패터닝 공정이은 필수적이며, 이는 주로 포토리소그래피법을 이용하여 이루어진다. 즉, 금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 위에 포토레지스트를 코팅하고 노광기를 이용하여 빛을 조사한 후 현상 및 식각 과정을 통해 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 포토리소그래피 공정의 경우 포토레지스트 등 추가적인 재료들이 필요하고 공정장비가 고가여서 공정단가를 올리는 문제가 발생한다. In order to apply a flexible transparent electrode based on a metal nanowire to an electronic device, a patterning process is essential and is mainly performed by using a photolithography method. That is, a photoresist is coated on a flexible transparent electrode based on a metal nanowire, and light is irradiated using an exposure apparatus, and then a pattern can be formed through development and etching processes. However, in the case of the photolithography process, additional materials such as photoresist are required, and the process equipment is expensive, raising a problem of raising the process cost.

포토리소그래피의 공정단가 문제를 해결하기 위하여 포토리소그래피 이외의 방법으로 메탈나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 패터닝하고자 하는 몇몇 연구가 보고 되었다. 즉, 레이저 장비를 이용하여 금속나노와이어를 선택적으로 식각함으로써 패턴을 형성하는 방법이 제시되었으며, 플렉서블 기판 위에 마이크로컨택 프린팅을 이용하여 금속 나노와이어를 선택적으로 전사하는 방법, 금속나노와이어 seed를 기판 위에 선택적으로 형성하고 이를 이용하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 제작하는 방법 등이 제시되었다. 또한, 잉크젯 프린팅, 그라비아 오프셋 프린팅 장비를 이용하여 기판 위에 금속 나노와이어를 패터닝하는 방법이 제시되었으며, 그 위에 경화성 고분자를 코팅하고 이를 경화시킬 경우 패턴이 형성된 금속나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다. In order to solve the problem of process unit cost of photolithography, several studies have been made to pattern metal nanowire-based flexible transparent electrodes by methods other than photolithography. In other words, a method of forming a pattern by selectively etching metal nanowires using laser equipment has been proposed. A method of selectively transferring metal nanowires on a flexible substrate using microcontact printing, a method of forming a metal nanowire seed on a substrate And a method of fabricating a flexible transparent electrode based on a metal nanowire in which a pattern is formed by selectively forming the metal nanowire. In addition, a method of patterning metal nanowires on a substrate using inkjet printing or gravure offset printing equipment has been proposed. When a curable polymer is coated thereon and cured, a flexible transparent electrode having embedded patterns of metal nanowires can be manufactured have.

그러나 위의 방법 모두 고가의 패터닝 장비와 복잡한 공정을 필요로 하므로 포토리소그래피의 문제점을 완전히 탈피할 수 없으며 가격경쟁력을 확보할 수 있는 새로운 패터닝 기술, 특히 전자소자 적용 시 강점을 갖는 메탈나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극에 적합한 새로운 패터닝 기술 개발이 필요하다. However, since all of the above methods require expensive patterning equipment and complicated processes, it is impossible to completely eliminate the problems of photolithography, and a new patterning technology capable of securing cost competitiveness, in particular, a metal nanowire embedded flexible It is necessary to develop a new patterning technique suitable for a transparent electrode.

즉, 금속나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극은 부드러운 표면으로 인하여 전자 소자 적용 시 플렉서블 기판 위에 메탈나노와이어가 코팅된 투명전극에 비하여 우수한 성능을 나타낸다. 그러나 메탈나노와이어 매립형 투명전극의 제조공정을 개선하여 패터닝하고자 하는 연구는 미미하며, 플렉서블 기판 위에 코팅된 메탈나노와이어 전극 패터닝 기술의 단순한 수정 단계에 머물러 있다. 다시 말해 아래 특허와 같이 고가의 장비를 사용하여 메탈나노와이어를 패터닝하고 그 위에 고분자를 코팅·경화하여 패턴된 메탈나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제작하는 수준에 그치고 있으며, 그 상세한 내용 및 한계는 다음과 같다. That is, since the flexible transparent electrode having the embedded metal nano wire has a smooth surface, it exhibits superior performance to the transparent electrode coated with the metal nanowire on the flexible substrate when the electronic device is applied. However, there is little research to improve the fabrication process of metal nanowire embedding type transparent electrode, and it is a simple modification step of metal nanowire electrode patterning technique coated on flexible substrate. In other words, as shown in the following patents, metal nanowires are patterned using expensive equipment, and polymer nanotubes are coated and cured on the metal nanowires to fabricate patterned metal nanowires embedded flexible electrodes. The details and limitations are as follows Respectively.

우리나라 등록특허 제10-1161301호는 기판 표면에 플라즈마를 조사하여 기판을 전처리 하는 단계(단계1); 상기 단계 1에서 전처리된 기판상에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계2); 상기 단계 2에서 금속배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자층을 제조하는 단계(단계3); 및 상기 단계 3에서 제조된 고분자 층을 단계 1의 기판과 분리시키는 단계(단계4);를 포함하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법이 기재되어 있다. 상기 단계 2의 금속 배선은 잉크젯 프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 방법이 기재되어 있다. 상기 특허는 플라즈마 처리에 의해 기판으로부터 고분자물질을 깨끗하게 박리시키는 방법을 제시하였으나, 금속 배선을 형성하기 위해서 위에 언급된 바와 같이 고가의 장비를 필요로 하며, 공정이 복합한 문제가 있다. Korean Patent No. 10-1161301 discloses a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: (a) a step of pretreating a substrate by irradiating plasma on a substrate surface (step 1); Forming a metal wiring on the substrate pretreated in step 1 (step 2); Coating the curable polymer on the substrate having the metal wiring formed thereon in step 2 and curing the metal to form a polymer layer having the metal wiring embedded therein (step 3); And separating the polymer layer prepared in the step 3 from the substrate of the step 1 (step 4). The method of manufacturing a flexible substrate in which a metal wiring is embedded using plasma is disclosed. The metal wiring of step 2 is formed by inkjet printing, gravure printing, gravure offset, aerosol printing, screen printing, electroplating, vacuum deposition or photolithography. The above-mentioned patent discloses a method of delamination of a polymer material from a substrate by a plasma treatment. However, as described above, expensive equipment is required to form a metal wiring, and there is a problem in that the process is complicated.

또한, 우리나라 등록특허 제10-1191865호는 기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계1); 상기 단계1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계2); 상기 단계2의 금속배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자층을 제조하는 단계(단계3); 및 상기 단계1의 기판과 단계 3의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자층을 분리시키는 단계(단계4)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연기판의 제조방법이 기재되어 있다. In addition, Korean Patent No. 10-1191865 discloses a method comprising: (1) coating a sacrificial layer made of water, an organic solvent-soluble polymer, or a photodegradable polymer on a substrate; Forming a metal wiring on the sacrificial layer of step 1 (step 2); Coating a curable polymer on the sacrificial layer formed with the metal interconnection of step 2 and curing it to prepare a polymer layer having a metal interconnection embedded therein (step 3); And separating the substrate of step 1 and the polymer layer of step 3 by dissolving or removing only the sacrifice layer present between the substrate of step 1 and the polymer layer of step 3 in water or an organic solvent, 4) is embedded in a metal substrate.

또한, 기판상에 박리층을 코팅하는 단계(단계1); 상기 단계1에서 코팅된 박리층 상부로 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 3의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계4); 물리적인 힘을 가하여 상기 단계 1의 기판 및 박리층을 제거하는 단계(단계5); 및 상기 단계5에서 상기 단계1의 기판이 제거됨으로써 노출되는 희생층만을 물 또는 유기용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하는 단계(단계6);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법이 기재되어 있다.Also, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (1) coating a release layer on a substrate; Coating a sacrificial layer made of water or organic solvent-soluble polymer or photodegradable polymer on the peeling layer coated in step 1 (step 2); Forming a metal wiring on the sacrificial layer of step 2 (step 2); Coating the curable polymer on the sacrificial layer formed with the metal interconnection of step 3 and curing the metal to form a polymer layer having the metal interconnection embedded therein (step 4); Removing the substrate and the release layer of step 1 by applying a physical force (step 5); And a step (step 6) of dissolving or removing only the sacrifice layer exposed by removing the substrate of step 1 in water or an organic solvent (step 6) in step 5 (step 6). .

상기 특허는 빛이나 용매를 이용하여 기판에 도포된 희생층을 제거함으로써 기판으로부터 유연기판을 깨끗하게 박리시키는 방법을 제공하였다. 그러나 위의 특허 제10-1191865호와 동일하게 금속 배선을 형성하기 위해 잉크젯 프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정 등의 고가의 장비가 필요하며, 공정이 복잡한 문제가 있다. 또한, 상기 특허는 희생층이 기판에 도포되어 고정된 상태이므로 희생층을 완벽하게 제거하기에는 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해, 박리층을 코팅하여 희생층을 박리하여 희생층을 노출시킴으로써 유기용매 또는 광에 노출되는 면적을 증가시킬 수 있으나 박리층을 형성하는 추가의 공정을 필요로 하므로 공정이 복잡하며, 희생층이 완벽하게 제거되지 않는 경우 유연 기판의 물성에 영향을 미칠 수 있는 문제점이 있다. The patent provides a method for cleanly peeling a flexible substrate from a substrate by removing a sacrificial layer applied to the substrate using light or a solvent. However, in order to form a metal wiring, expensive equipment such as inkjet printing, gravure printing, gravure offset, aerosol printing, screen printing, electroplating, vacuum deposition or photolithography is required as in the above-mentioned Japanese Patent No. 10-1191865 , The process is complicated. In addition, since the sacrificial layer is coated on the substrate and is fixed, it is difficult to completely remove the sacrificial layer. In order to solve this problem, by exposing the sacrificial layer by peeling the sacrificial layer by coating the release layer, the area exposed to the organic solvent or light can be increased, but an additional step of forming the release layer is required, If the sacrificial layer is not completely removed, there is a problem that may affect the physical properties of the flexible substrate.

우리나라 등록특허 제10-1161301호(2012.06.25)Korean Registered Patent No. 10-1161301 (June 25, 2012) 우리나라 등록특허 제10-1191865호(2012.10.10)Korean Patent No. 10-1191865 (October 10, 2012)

본 발명은 포토리소그래피 공정 등 고가의 장비 및 재료를 이용하지 않고 비광학적이며, 비교적 간단한 방법으로 패터닝된 플렉서블 투명전극의 새로운 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a novel method of manufacturing a flexible transparent electrode patterned by a non-optical and relatively simple method without using expensive equipment and materials such as photolithography process.

구체적으로 본 발명은 물리적 구조를 포함하는 실록산계 수지로 이루어진 스탬프에 플라즈마 또는 자외선-오존 처리를 하여 금속 나노와이어와 실록산계 수지 간의 접착력을 강화시키고 스탬프와 접촉한 금속 나노와이어를 선택적으로 제거한 후 고분자 수지를 코팅경화하여 패터닝된 금속 나노와이어 함침형 투명전극을 제조하는 패터닝 방법을 제공하는데 목적이 있다. Specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a stamp, which comprises applying a plasma or ultraviolet-ozone treatment to a stamp made of a siloxane-based resin containing a physical structure to enhance the adhesion between the metal nanowire and the siloxane resin, selectively removing the metal nanowire contacting with the stamp, It is an object of the present invention to provide a patterning method for producing a patterned metal nanowire-impregnated transparent electrode by coating and curing the resin.

또한 본 발명은 금속 나노와이어의 사용에 따른 표면 거칠기 문제를 해결할 수 있도록 금속 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 매립된 형태의 투명전극을 제조함으로써 전자소자에 적용 시 단락이 발생하는 문제점을 해결할 수 있는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention also provides a transparent electrode in which a metal nanowire is embedded in a curable polymer resin so as to solve the surface roughness problem caused by the use of the metal nanowire, And a method of manufacturing a flexible transparent electrode in which the metal nanowire is embedded.

금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 제조 시 표면 거칠기 문제는 유리 또는 실리콘 웨이퍼 기판 위에 금속 나노와이어를 코팅한 후 플렉서블한 경화성 고분자 수지를 코팅하고 이를 기판으로부터 분리하여 경화성 고분자 수지에 금속 나노와이어가 함침되도록 함으로써 해결할 수 있었다.The problem of surface roughness in the manufacture of flexible transparent electrode based on metal nanowires is that the metal nanowires are coated on a glass or silicon wafer substrate and then the flexible curable polymer resin is coated and impregnated with the metal nanowires in the curable polymer resin I could solve it.

그러나 금속 나노와이어와 유리 기판의 높은 접착력으로 인하여 경화성 고분자 수지를 경화시킨 후 떼어내도 고분자 필름만 분리되고 금속 나노와이어는 기판에 그대로 남는 문제가 있었다.However, due to the high adhesion strength between the metal nanowire and the glass substrate, there is a problem that only the polymer film is separated and the metal nanowires remain on the substrate even after the curable polymer resin is cured and removed.

이를 해결하기 위하여, 기판과의 접착력이 우수하면서 동시에 금속 나노와이어와 기판 사이의 접착력을 약하게 하는 이형층을 도입함으로써 이를 해결할 수 있음을 발견하였다.In order to solve this problem, it has been found that this problem can be solved by introducing a release layer having an excellent adhesion to the substrate and at the same time weakening the adhesion between the metal nanowire and the substrate.

그러나 이형층의 도입에 의해 기판으로부터 금속 나노와이어가 분리되는 문제는 해결이 되었으나, 이러한 방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 패턴이 형성되지 않은 상태이므로 전자소자에 적용하는데 어려움이 있었다. 이러한 투명전극의 패터닝은 일반적으로 포토리소그래피 기술을 통해 해결할 수 있으나 공정이 복잡하고 비용이 많이 요구된다는 단점을 갖는다. However, the problem of separating the metal nanowires from the substrate by the introduction of the release layer has been solved, but the flexible transparent electrode manufactured by this method has a difficulty in applying to the electronic device because the pattern is not formed. The patterning of such a transparent electrode can be generally solved by a photolithography technique, but it has a disadvantage that the process is complicated and a cost is high.

본 발명의 발명자들은 전자소자에 적용이 가능하면서도 공정단계와 비용을 최소화하기 위한 패터닝 기술을 연구한 결과, 이형층 또는 소수성 고분자 기판에 금속 나노와이어 용액을 도포한 후, 용액이 건조되기 전에 친수화 처리된 물리적 구조를 갖는 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조를 하고, 스탬프를 분리하면 친수화 처리된 스탬프와 금속 나노와이어 간의 접착력이 강해 스탬프에 고정된 금속 나노와이어가 분리되어 미세한 패턴을 형성할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하였다. The inventors of the present invention have studied a patterning technique that can be applied to electronic devices while minimizing processing steps and costs. As a result, it has been found that after applying a metal nanowire solution to a release layer or a hydrophobic polymer substrate, When the stamp is separated from the stamp, the adhesion between the stamp and the metal nanowire is strong, so that the metal nanowire fixed to the stamp can be separated to form a fine pattern. And completed the present invention.

본 발명의 일 양태는 One aspect of the present invention is

a) 실록산계 중합체로 이루어지고, 요철(凹凸) 패턴이 형성된 스탬프의 요철 표면을 친수화 처리하는 단계;a) a step of hydrophilizing the uneven surface of a stamp made of a siloxane-based polymer and having a concavo-convex pattern formed thereon;

b) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 나노와이어 용액을 전면에 도포한 후, 용액이 건조되기 전에 상기 a)단계의 친수화 처리된 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조하는 단계;b) applying a metal nanowire solution to the entire surface of a hydrophobic polymer substrate made of a hydrophobic polymer resin formed of a hydrophobic polymer resin or a hydrophobic polymer resin on the substrate, and then applying a hydrophilized stamp Drying in a state in which they are in close contact with each other;

c) 상기 스탬프를 제거하여 요(凹)부와 동일한 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;c) removing the stamp to form a metallic nanowire coating layer having the same pattern as the concave portion;

d) 상기 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 경화하여 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) applying a curable polymer resin on the entire surface of the metal nanowire coating layer on which the pattern is formed and curing the polymer nanofibers to produce a polymer film having embedded metal nanowires; And

e) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;e) separating the polymer film embedded with the metal nanowires from the release layer or the hydrophobic polymer substrate to produce a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer;

를 포함하며, / RTI >

상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법이다. Wherein the release layer or the hydrophobic polymer substrate and the polymer film are nonconductive.

본 발명의 일 양태에서, 상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 상수 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the solubility parameter δ 1 of the hydrophobic polymer resin and the solubility constant δ 2 of the curable polymer resin The difference value Δδ in the following formula 1 may satisfy the following formula 2.

[식 1][Equation 1]

Δδ = |δ2 - δ1| Δδ = | δ 2 - δ 1 |

[식 2][Formula 2]

2 ≤Δδ2 < / =

상기 식 2에서 단위는 J1/2/cm2/3이다.In the above formula 2, the unit is J 1/2 / cm 2/3 .

본 발명의 일 양태에서, 상기 친수화 처리 전 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 110 ~ 160°이고, 상기 친수화 처리 후 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 0 ~ 109°인 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the contact angle of the stamp surface made of the siloxane polymer before the hydrophilization treatment to water is 110 to 160 占 and the contact angle of the stamp surface made of the siloxane polymer after the hydrophilization treatment with water is 0 Deg.] To 109 [deg.].

본 발명의 일 양태에서, 상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the hydrophobic polymer resin may be an olefin resin, a vinyl resin, a polyester resin, a polyurethane resin, a polyamide resin, a silicone resin, a cellulose resin, a polyimide resin, , A polyether sulfone-based resin, a polyacetal-based resin, and a polyacrylic resin.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin may be selected from an ultraviolet curable polymer resin, a thermosetting polymer resin, a room temperature moisture curing polymer resin, and an infrared curing polymer resin.

본 발명의 일 양태에서, 상기 이형층이 형성된 기판에서, 상기 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the substrate on which the release layer is formed, the substrate may be any one selected from silicon, quartz, glass, silicon wafer, polymer, metal, and metal oxide.

본 발명의 일 양태에서, 상기 실록산계 중합체는 폴리디메틸실록산인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the siloxane-based polymer may be a polydimethylsiloxane.

본 발명의 일 양태에서, 상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the step a), the hydrophilizing treatment may be plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment.

본 발명의 일 양태에서, 상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the plasma or ion beam treatment may be performed using one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 , and Ar.

본 발명의 일 양태에서, 상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 이형층 또는 소수성 고분자 기판 간의 접착력을 A1이라 하고, 금속 나노와이어와 스탬프 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것일 수 있다.In one aspect of the present invention, in the hydrophilization treatment, the processing condition is A 1 when the adhesion between the metal nanowire and the release layer or the hydrophobic polymer substrate is A 1 , and the adhesion force between the metal nanowire and the stamp is A 2 , 3 is satisfied.

[식 3][Formula 3]

A1 < A2 A 1 < A 2

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the metal nanowire is made of a metal such as silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium And may have a diameter of 10 to 50 nm, a length of 10 to 50 nm, and an aspect ratio of 500 to 800.

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0.1 ~ 1.0 중량% 분산된 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the metal nanowire solution may be one wherein 0.1 to 1.0% by weight of the metal nanowire is dispersed in one or two or more solvents selected from purified water, ethanol, methanol, isopropyl alcohol and butyl carbitol .

본 발명의 일 양태에서, 상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the application may be selected from spin coating, bar coating, roll to roll coating.

본 발명의 또 다른 양태는 상기 제조방법으로 제조되어 고분자 필름 및 금속 나노와이어 층이 순차적으로 적층되고, 상기 금속 나노와이어 층은 스탬프의 모양대로 패턴이 형성되며, 금속 나노와이어 층이 상기 고분자 필름 내부에 매립되는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극이다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a polymer film, comprising: fabricating the polymer film and the metal nanowire layer by sequentially manufacturing the polymer nanowire layer and the metal nanowire layer; And the transparent electrode is a flexible transparent electrode in which a pattern is formed.

본 발명의 일 양태에서, 상기 투명전극은 표면조도가 0.5 ~ 2.5 nm인 패턴이 형성된 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the transparent electrode may have a pattern having a surface roughness of 0.5 to 2.5 nm.

본 발명의 일 양태에서, 상기 투명전극은 태양전지, 유기발광다이오드(OLED), 면조명, e-페이퍼, e-북, 터치패널 또는 디스플레이기판에 사용되는 것일 수 있다.In one aspect of the present invention, the transparent electrode may be one used for a solar cell, an organic light emitting diode (OLED), a surface lighting, an e-paper, an e-book, a touch panel or a display substrate.

본 발명은 플라즈마 또는 자외선-오존 처리에 의해 재료들 간의 접착력을 조절하는 방법으로 금속 나노와이어가 매립된 투명전극의 패턴 형성이 가능한 새로운 제조방법을 제공할 수 있다. The present invention can provide a new manufacturing method capable of forming a pattern of a transparent electrode in which metal nanowires are embedded by a method of controlling the adhesive force between materials by plasma or ultraviolet-ozone treatment.

또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.In addition, the present invention can produce a flexible transparent electrode having a pattern formed by a simple process as compared with a conventional method using photolithography.

또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프링팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다.In addition, the present invention is advantageous in that it does not require expensive equipment, is simple in process, and easily adjusts the line width of the pattern, compared with a method of forming patterns by gravure offset, gravure printing, inkjet prining and the like.

본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등에 적용이 가능하다.The flexible transparent electrode manufactured by the manufacturing method of the present invention is less likely to cause a short circuit when applied to an electronic material because the metal nanowire is embedded in the polymer resin and the surface is smooth, and can be applied to an OLED, a solar cell, and the like.

도 1은 실시예 1에 따라 제조된 투명전극의 OM사진이다.1 is an OM photograph of a transparent electrode prepared according to Example 1. Fig.

이하 첨부된 도면들을 포함한 구체예 또는 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 구체예 또는 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, It should be understood, however, that the invention is not limited thereto and that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

또한 달리 정의되지 않는 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본 발명에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 구체예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. Unless otherwise defined, all technical and scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. The terminology used in the description of the invention is merely intended to effectively describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention.

또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다. Also, the singular forms as used in the specification and the appended claims are intended to include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise.

본 발명에서 ‘비상용성’은 서로 간에 친화성이 없으며, 용해도 상수(solubility parameter)가 서로 달라 이형성(release properties)을 갖는 것을 의미한다. 구체적으로는 두 수지간의 용해도 상수의 차이인 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것을 의미한다.'Incompatibility' in the present invention means that they have no compatibility with each other and have different solubility parameters and different release properties. Specifically, it means that the difference in solubility constant between the two resins satisfies the following expression (2).

[식 2][Formula 2]

2 ≤Δδ2 &lt; / =

상기 식 2에서 단위는 J1/2/cm2/3이다.In the above formula 2, the unit is J 1/2 / cm 2/3 .

본 발명에서 ‘이형성(release properties)’이라 함은 서로 간에 느슨하게 부착되어 있어서 손가락이나 면봉 등을 이용하여 물리적인 힘을 가해 밀어냄으로써 쉽게 제거될 수 있음을 의미한다.In the present invention, 'release properties' are loosely attached to each other, meaning that they can be easily removed by applying a physical force using a finger or a cotton swab.

본 발명에서 ‘접착력(adhesion force)'이라 함은 두 물체가 서로 달라붙는 힘을 의미하며, 두 물체간의 계면의 결합력을 의미한다. In the present invention, the term 'adhesion force' refers to a force with which two objects stick to each other, and refers to a binding force of an interface between two objects.

이하는 본 발명의 일 양태에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, one aspect of the present invention will be described in more detail.

본 발명은 금속 나노와이어와 요철(凹凸) 구조를 갖는 고분자 스탬프 간의 접착력을 조절함으로써 투명전극의 패턴을 형성하는 간단하고, 새로운 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a simple and novel method of forming a pattern of a transparent electrode by controlling the adhesion force between a metal nanowire and a polymer stamp having a concavo-convex structure.

상기 접착력은 친수화 처리, 보다 구체적인 일 양태로 플라즈마, 자외선-오존 처리, 전자빔 또는 이온빔 처리를 이용하여 조절이 될 수 있다. 패턴을 형성하고자 하는 형태의 스탬프를 준비하고, 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리 처리를 하여 친수성을 갖도록 표면을 처리함으로써, 상기 스탬프와 금속나노와이어 간의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 상기 스탬프에 금속 나노와이어가 고정이 되도록 할 수 있으며, 상기 스탬프를 금속 나노와이어와 함께 제거하여 패턴을 형성하는 새로운 제조방법이다.The adhesion may be controlled using a hydrophilic treatment, more specifically, plasma, ultraviolet-ozone treatment, electron beam or ion beam treatment. The adhesion between the stamp and the metal nanowire can be improved by preparing a stamp to be patterned and treating the surface to have hydrophilicity by plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment treatment, The metal nanowire can be fixed, and the stamp is removed together with the metal nanowire to form a pattern.

기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 기판에 금속 나노와이어 용액을 도포한 상태에서, 용액이 건조되기 전에 친수화 처리된 스탬프를 밀착시켜 건조를 하면, 이형층과 비상용성인 금속 나노와이어가 친수화 처리된 스탬프의 철(凸)부에 달라붙어 고정이 된 상태로 건조가 된다. 스탬프를 금속 나노와이어와 함께 분리하면 스탬프의 요(凹)부 형태로 남겨진 금속 나노와이어가 패턴을 형성할 수 있다. 이후, 상기 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층 위에 이형층과 비상용성이면서, 동시에 금속 나노와이어와 상용성인 경화성 고분자 수지를 도포하고 경화하면 금속 나노와이어는 이형층에 의해 기판과의 접착력이 약해 경화성 고분자 수지에 함몰되며, 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리함으로써 패턴이 형성되고, 표면이 매끄러운 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.When a hydrophilic polymer resin formed on a substrate is coated with a metal nanowire solution on a release layer or a hydrophobic polymer substrate and the hydrophilized stamp is dried before the solution is dried, the release layer and the metal nano- The wire stuck to the convex portion of the hydrophilized stamp and dried. When the stamp is removed with the metal nanowire, the metal nanowire left in the form of the depression of the stamp can form a pattern. Then, when a curable polymer resin that is compatible with the metal nanowire and is non-compatible with the release layer and is cured on the metal nanowire coating layer having the pattern formed thereon is cured and hardened, the adhesion of the metal nanowire to the substrate is weakened by the release layer, And the polymer film having the metal nanowires embedded therein is separated to form a pattern, and a flexible transparent electrode having a smooth surface can be produced.

보다 구체적으로 본 발명의 일 양태는More specifically, one aspect of the present invention is

a) 실록산계 중합체로 이루어지고, 요철(凹凸) 패턴이 형성된 스탬프의 요철 표면을 친수화 처리하는 단계;a) a step of hydrophilizing the uneven surface of a stamp made of a siloxane-based polymer and having a concavo-convex pattern formed thereon;

b) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 나노와이어 용액을 전면에 도포한 후, 용액이 건조되기 전에 상기 a)단계의 친수화 처리된 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조하는 단계;b) applying a metal nanowire solution to the entire surface of a hydrophobic polymer substrate made of a hydrophobic polymer resin formed of a hydrophobic polymer resin or a hydrophobic polymer resin on the substrate, and then applying a hydrophilized stamp Drying in a state in which they are in close contact with each other;

c) 상기 스탬프를 제거하여 요(凹)부와 동일한 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;c) removing the stamp to form a metallic nanowire coating layer having the same pattern as the concave portion;

d) 상기 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 경화하여 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) applying a curable polymer resin on the entire surface of the metal nanowire coating layer on which the pattern is formed and curing the polymer nanofibers to produce a polymer film having embedded metal nanowires; And

e) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;e) separating the polymer film embedded with the metal nanowires from the release layer or the hydrophobic polymer substrate to produce a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer;

를 포함하며, / RTI &gt;

상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법이다.Wherein the release layer or the hydrophobic polymer substrate and the polymer film are nonconductive.

또한 본 발명에서 상기 스탬프는 요철(凹凸)구조를 가지며, 상기 플렉서블 투명전극의 금속 나노와이어 층은 스탬프의 요(凹)부의 형태와 동일한 형태를 갖는 패턴을 형성시킬 수 있다. Further, in the present invention, the stamp has a concavo-convex structure, and the metal nanowire layer of the flexible transparent electrode can form a pattern having the same shape as the concave portion of the stamp.

구체적으로 각 단계에 대해 설명을 하면, 상기 a)단계는 패턴을 형성하고자 하는 모양을 갖는 요철(凹凸)이 형성된 스탬프를 준비하고, 금속 나노와이어와의 접착력을 향상시키기 위하여 친수화 처리하는 과정이다. Specifically, each step will be described. In step a), a stamp having irregularities having a shape to form a pattern is prepared, and a hydrophilization process is performed to improve the adhesion to the metal nanowire .

본 발명의 일 양태에서, 스탬프는 제조 및 재료 수급이 용이하고, 금속 나노와이어와의 접착력이 우수한 점에서 실록산계 중합체를 사용하는 것일 수 있다. 상기 실록산계 중합체로는 제한되는 것은 아니나 폴리디메틸실록산인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the stamp may be one that uses a siloxane-based polymer in terms of ease of manufacture and supply / supply of materials, and excellent adhesion to metal nanowires. The siloxane-based polymer may be, but is not limited to, polydimethylsiloxane.

또는 미세한 패턴을 형성할 수 있는 관점에서 금속 재질의 마스크에 실록산계 중합체를 도포하여 형성한 것일 수 있으며, 스탬프의 형태나 재질은 본 발명의 기술사상의 범주 내에서 자유롭게 변경 가능하다.Or may be formed by applying a siloxane-based polymer to a mask made of a metal from the viewpoint of forming a fine pattern, and the shape and material of the stamp can be freely changed within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명의 일 양태에서, 상기 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것일 수 있으며, 압력, 파워 및 시간을 조절하여 이형층 또는 소수성 고분자 기판의 접착력을 조절할 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 이형층 또는 소수성 고분자 기판 간의 접착력을 A1이라 하고, 금속 나노와이어와 스탬프 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the hydrophilization treatment may be plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment, and pressure, power and time may be adjusted to adjust the adhesive strength of the release layer or the hydrophobic polymer substrate. More specifically, in the hydrophilization treatment, a treatment condition is A 1 , and an adhesion force between the metal nanowire and the stamp is A 2 , the following equation 3 is satisfied And the like.

[식 3][Formula 3]

A1 < A2 A 1 < A 2

상기 식 3을 만족하는 범위에서, 스탬프의 철(凸)부가 밀착된 부분의 금속 나노와이어는 스탬프와의 접착력이 강하므로 스탬프에 고정이 된 상태에서 건조되며, 스탬프를 분리할 때 함께 분리가 되므로 스탬프의 요(凹)부의 형태와 동일한 형태로 패턴을 형성할 수 있다.In the range satisfying the above-described formula (3), the metal nanowires in the portion where the stamp is in close contact with the stamp are strong in adhesion to the stamp, so they are dried in a state of being fixed to the stamp and are separated when the stamp is separated The pattern can be formed in the same shape as the shape of the concave portion of the stamp.

본 발명의 일 양태에서, 상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것일 수 있으며, 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프의 표면을 산화시켜 친수화 할 수 있는 것이라면 제한되지 않고 사용될 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나 보다 구체적으로 예를 들면, 상기 플라즈마 처리는 5 ~ 20 sccm의 O2 기체를 이용하여, 2.0 x 10-1 ~ 8.0 x 10-1 Torr의 압력, 20 ~ 50 W의 RF 파워에서 5 ~ 30분간 처리하는 것일 수 있다. 더욱 구체적으로, 8 ~ 15 sccm의 기체를 이용하여, 3.9 x 10-1 ~ 4.2 x 10-1 Torr의 압력, 20 ~ 30 W의 RF 파워에서 5 ~ 30분간 처리하는 것일 수 있다. 상기 범위에서 금속 나노와이어와의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the plasma or ion beam treatment may be one using one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 and Ar, Any material capable of oxidizing and hydrophilizing the surface can be used without limitation. More specifically, for example, the plasma treatment may be performed at a pressure of 2.0 x 10 -1 to 8.0 x 10 -1 Torr, an RF power of 20 to 50 W using an O 2 gas of 5 to 20 sccm For 5 to 30 minutes. More specifically, the treatment may be performed at a pressure of 3.9 x 10 -1 to 4.2 x 10 -1 Torr and an RF power of 20 to 30 W for 5 to 30 minutes using a gas of 8 to 15 sccm. The adhesion to the metal nanowire can be further improved in the above range.

또한, 자외선-오존 처리는 자외선과 자외선 조사에 의해 발생한 오존에 의해 고분자의 주쇄를 절단시키고 표면산화층을 형성시키는 방법으로, 자외선 조사를 이용하여 소수성 표면에 산화층을 형성함으로써 친수화하거나 고분자 주쇄를 절단시켜 요철을 생성함으로써 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다. 구체적으로 예를 들면, UV-C영역인 200 ~ 280nm의 주파장을 갖는 수은램프를 이용하여, 100 ~ 200 mW/cm2 출력의 자외선/오존 조사기를 사용하여 10분 이상, 보다 구체적으로는 10분 내지 30분 간 처리하는 것일 수 있다. In addition, ultraviolet-ozone treatment is a method of cutting a main chain of a polymer by ozone generated by ultraviolet ray and ultraviolet ray irradiation and forming a surface oxidation layer. By forming an oxide layer on a hydrophobic surface using ultraviolet irradiation, So that the adhesive strength can be further improved. Specifically, for example, a mercury lamp having a main wavelength of 200 to 280 nm, which is a UV-C region, is irradiated with an ultraviolet / ozone irradiator having an output of 100 to 200 mW / cm 2 for 10 minutes or more, more specifically 10 Minute to 30 minutes.

다음으로 상기 b)단계는 금속 나노와이어 코팅층에 패턴을 형성하는 과정이다. 구체적으로, 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 나노와이어 용액을 전면에 도포한 후, 용액이 건조되기 전에 상기 a)단계의 친수화 처리된 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성한다.Next, the step b) is a process of forming a pattern on the metal nanowire coating layer. Specifically, after a metal nanowire solution is coated on a hydrophobic polymer substrate made of a hydrophobic polymer resin formed on a substrate or a hydrophobic polymer substrate made of a hydrophobic polymer resin, the solution is subjected to hydrophilization treatment in step a) And dried in a state in which the stamp is adhered to form a metal nanowire coating layer.

본 발명의 일 양태에서, 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판은 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리할 때, 손가락이나 면봉 등을 이용하여 물리적인 힘을 가하여 쉽게 이형이 되도록 금속 나노와이어 및 경화성 고분자 수지와의 이형성이 우수한 수지, 즉, 비상용성인 수지를 사용하는 것이 바람직하다. In one embodiment of the present invention, the release layer or the hydrophobic polymer substrate is prepared by separating the polymer nanowire-embedded polymer film by applying a physical force using a finger or a swab to easily release the metal nanowire and the curable polymer It is preferable to use a resin having excellent releasability with respect to the resin, that is, a resin that is incompatible with the resin.

본 발명의 일 양태에서, 상기 이형층은 기판상에 소수성 수지를 도포하여 형성한 것일 수 있으며, 도포 방법은 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅 등을 사용할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the release layer may be formed by applying a hydrophobic resin on a substrate, and spin coating, bar coating, roll-to-roll coating, or the like may be used.

본 발명의 일 양태에서, 상기 소수성의 정도는 물에 대한 접촉각으로 측정되는 것일 수 있다. 상기 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 표면은 물에 대한 접촉각이 구체적으로 예를 들면, 110 ~ 160°이고, 더욱 구체적으로 0 ~ 109°인 것일 수 있다. 또한, 친수화 처리 후 이형층 표면은 친수화 처리 정도에 따라 친수화가 조절될 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 물에 대한 접촉각이 0 ~ 109°, 더욱 구체적으로 0 ~ 105°인 것일 수 있다. In one aspect of the invention, the degree of hydrophobicity may be measured by the contact angle to water. The surface of the release layer made of the hydrophobic polymer resin may have a contact angle with respect to water, for example, 110 to 160 °, more specifically 0 to 109 °. In addition, the surface of the release layer after the hydrophilization treatment can be adjusted in hydrophilicity according to the degree of hydrophilization treatment. Specifically, for example, the contact angle with respect to water may be 0 to 109 °, more specifically 0 to 105 °.

본 발명의 일 양태에서, 상기 소수성 고분자 수지로 형성된 이형층 또는 소수성 고분자 기판은 경화성 고분자 수지로 형성된 고분자 필름과 비상용성인 것이 바람직하며, 본 발명에서는 비상용성 수지의 선정 기준으로서 고분자의 용해도 상수(solubility parameter) 개념을 도입하였다. In one embodiment of the present invention, the release layer or the hydrophobic polymer substrate formed of the hydrophobic polymer resin is preferably compatible with the polymer film formed of the curable polymer resin. In the present invention, the solubility constant of the polymer parameter.

구체적으로, 상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 상수 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것일 수 있다.Specifically, the solubility parameter δ 1 of the hydrophobic polymer resin and the solubility constant δ 2 of the curable polymer resin The difference value Δδ in the following formula 1 may satisfy the following formula 2.

[식 1][Equation 1]

Δδ = |δ2 - δ1| Δδ = | δ 2 - δ 1 |

[식 2][Formula 2]

2 ≤ Δδ2 ≤ Δδ

상기 식 2에서 단위는 J1/2/cm2 /3이다.In the above formula (2) units are J 1/2 / cm 2/3.

상기 용해도 상수는 Van Krevelen의 저서 (Van Krevelen, "Properties of Polymers: Their Correlation with Chemical Structure", 3rd Ed, Elsevier, 1990)의 Hoftyzer-Van Krevelen에 기재된 방법에 따라 계산될 수 있다.The solubility constants can be calculated according to the method described by Hoftyzer-Van Krevelen of Van Krevelen, "Properties of Polymers: Their Correlation with Chemical Structure", 3rd Ed, Elsevier, 1990.

더욱 구체적으로, 상기 식 2의 Δδ는 2 내지 10, 더욱 좋게는 3 내지 10인 것일 수 있다. 상기 Δδ값이 클수록 비상용성이 증가하므로 이형성이 더욱 향상된다.More specifically, the delta of the formula 2 may be 2 to 10, more preferably 3 to 10. The larger the value of DELTA delta is, the more the non-compatibility is increased and the releasability is further improved.

본 발명의 일 양태에서, 상기 소수성 고분자 수지의 예로는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 보다 구체적으로 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리 4-메틸 1-텐, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리부타디엔, 폴리비닐아세테이트, 폴리클로로프렌, 폴리비닐리덴클로라이드, 폴리(비닐 부티랄), 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리우레탄, 나일론6, 나일론66, 실리콘 고무, 에틸셀룰로오스, 폴리설폰, 폴리아세탈, 폴리아크릴로니트릴, 폴리이미드 등이 사용될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이외 금속 나노와이어와 이형성을 가지며, 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름에 사용되는 경화성 고분자 수지와 비상용성을 갖는 수지라면 제한되지 않고 사용할 수 있다.In one embodiment of the present invention, examples of the hydrophobic polymer resin include an olefin resin, a vinyl resin, a polyester resin, a polyurethane resin, a polyamide resin, a silicone resin, a cellulose resin, a polyimide resin, But are not limited to, one or more kinds of copolymers selected from the group consisting of a phthalic resin, a polyether sulfone resin, a polyacetal resin and a polyacrylic resin. More specifically, examples thereof include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly 4-methyl 1-pentene, polyvinyl chloride, polystyrene, polybutadiene, polyvinylacetate, polychloroprene, polyvinylidene chloride, polyvinyl butyral, Polyacrylate, polyurethane, nylon 6, nylon 66, silicone rubber, ethyl cellulose, polysulfone, polyacetal, polyacrylonitrile, polyimide and the like can be used , But is not limited thereto. The present invention can be used without limitation as long as it is a resin having non-compatibility with the curable polymer resin having a releasing property with the metal nanowire and used in the polymer film in which the metal nanowire is embedded.

본 발명의 일 양태에서, 상기 기판으로는 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 환상올레핀 폴리머(cycloolefin polymer) 등과 같은 필름 기판을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제조 및 수급이 용이한 관점에서는 유리 또는 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것일 수 있다. 또한, 상기 기판의 표면이 매끄러울수록 이형층의 표면이 매끄럽게 형성될 수 있으며, 이에 따라 제조되는 플렉서블 투명전극의 표면이 매끄럽게 형성이 될 수 있다. 제한되는 것은 아니나 상기 기판의 표면조도가 5 nm이하, 더욱 좋게는 0.1 ~ 5 nm인 것이 표면조도가 낮은 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있어 바람ㅈ직하나 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the substrate may be silicon, quartz, glass, silicon wafer, polymer, metal, and metal oxide, but is not limited thereto. The polymer substrate may be a film substrate such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, or the like. It is not. From the standpoint of ease of manufacture and supply, glass or silicon wafers may be used. In addition, the more smooth the surface of the substrate, the more smoothly the surface of the release layer can be formed, and the surface of the flexible transparent electrode to be manufactured can be smoothly formed. Although not limited, flexible transparent electrodes having a surface roughness of 5 nm or less, more preferably 0.1 to 5 nm, can be produced. However, the present invention is not limited thereto.

상기 기판에 이형층을 형성하는 방법은 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 공지 기술을 이용하여 변형 가능하다.As a method of forming the release layer on the substrate, spin coating, bar coating, roll-to-roll coating, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto and can be modified using known techniques.

또한, 상기 기판에 형성되는 이형층의 두께는 금속 나노와이어와 기판 간의 이형성을 부여하면서, 동시에 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 박리할 때 물리적인 힘에 의해 기판으로부터 박리되지 않는 두께라면 제한되지 않는다. 이러한 특성을 고려할 때 200 ~ 500 ㎛, 더욱 좋게는 380 ~ 420 ㎛인 것일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In addition, the thickness of the release layer formed on the substrate is not limited as long as it is capable of releasing the polymer nanowire-embedded polymer film from the substrate by physical force, while releasing the separation between the metal nanowire and the substrate Do not. Considering such characteristics, it may be 200 to 500 mu m, preferably 380 to 420 mu m, but is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 더욱 구체적으로는 유리나 실리콘 웨이퍼 기판 상에 폴리메틸메타크릴레이트를 스핀코팅하여 형성하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 스핀코팅 시 마이크로 피펫을 이용하여 폴리메틸메타크릴레이트를 기판 전면에 도포한 후 2000 ~ 3000 rpm으로 30 ~ 40초 동안 스핀코팅을 하고, 170 ~ 190 ℃에서 30초 내지 1분간 열처리를 하여 이형층을 형성하는 것일 수 있다. 이는 구체적인 일 양태를 설명하기 위하여 예시하는 것일 뿐 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, more specifically, it may be formed by spin-coating polymethylmethacrylate on a glass or silicon wafer substrate, but is not limited thereto. Polymethylmethacrylate was applied to the entire surface of the substrate using a micropipette during spin coating, spin-coated at 2000 to 3000 rpm for 30 to 40 seconds, and heat-treated at 170 to 190 ° C for 30 seconds to 1 minute to form a release layer . &Lt; / RTI &gt; It is to be understood that this is for illustrative purposes only, and is not intended to be limiting.

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 이소프로필알콜, 메탄올, 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0.1 ~ 1.0 중량%, 더욱 좋게는 0.2 ~ 0.5 중량% 분산된 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the metal nanowire solution is prepared by adding 0.1 to 1.0% by weight, more preferably 0.2% by weight, of the metal nanowire to any one or two or more solvents selected from purified water, ethanol, isopropyl alcohol, methanol and butyl carbitol. To 0.5% by weight dispersed in water.

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되는 것일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the metal nanowire is made of a metal such as silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium , But is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 금속 나노와이어의 길이가 길어지면 투과도가 증가하나 전기 전도도는 낮아지므로, 사용 목적에 따라 투과도와 면저항을 고려하여 길이 및 직경을 선택하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로 상기 금속 나노와이어는 직경이 10 ~ 50nm, 더욱 좋게는 20 ~ 30nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 더욱 좋게는 20 ~ 30㎛, 종횡비가 500 ~ 1500인 것일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. In one aspect of the present invention, as the length of the metal nanowire increases, the transmittance increases but the electrical conductivity decreases. Therefore, it is desirable to select the length and diameter in consideration of the transmittance and the sheet resistance depending on the purpose of use. More specifically, the metal nanowires may have a diameter of 10 to 50 nm, more preferably 20 to 30 nm, a length of 10 to 50 nm, more preferably 20 to 30 μm, and an aspect ratio of 500 to 1500, but are not limited thereto .

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액의 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅 등의 방법을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the application of the metal nanowire solution may be performed by a method such as spin coating, bar coating, roll to roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 코팅층의 두께는 제한되는 것은 아니나 25 ~ 90nm, 더욱 좋게는 40 ~ 70nm인 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the thickness of the metal nanowire coating layer is not limited, but may be 25 to 90 nm, more preferably 40 to 70 nm.

보다 구체적인 일 양태로는 금속 나노와이어 용액을 스핀코팅방법으로 500 ~ 700 rpm으로 30초 ~ 2분 동안 스핀코팅을 하고, 80 ~ 110 ℃에서 30초 내지 1분간 열처리를 하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 것일 수 있다. 이때, 금속 나노와이어 용액을 천천히 도포하는 경우 얼룩이 남게 될 수 있으므로 도포 시간 및 스핀코팅 속도 등을 조절하여 균일하게 도포하는 것이 좋다. 또한, 스핀코팅 시 도포 속도에 따라 금속 나노와이어의 밀도가 달라질 수 있으므로 투명전극의 용도에 맞게 밀도가 조절되도록 스핀코팅 속도를 조절하는 것이 바람직하다.More specifically, the metal nanowire solution is spin-coated by spin coating at 500 to 700 rpm for 30 seconds to 2 minutes and then heat-treated at 80 to 110 ° C for 30 seconds to 1 minute to form a metal nanowire coating layer . At this time, when the metal nanowire solution is slowly applied, it may remain unevenness, so it is preferable to uniformly apply the coating solution by controlling the application time and the spin coating speed. In addition, since the density of the metal nanowires may vary depending on the application speed during spin coating, it is preferable to adjust the spin coating speed so that the density of the metal nanowires can be adjusted according to the application of the transparent electrode.

다음으로 본 발명의 c)단계는 상기 스탬프를 제거하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 과정으로, 상기 스탬프 표면이 친수화 처리되어 금속 나노와이어와의 상용성 및 접착력이 향상된 상태에서 밀착하여 금속 나노와이어 용액을 건조하였으므로, 이 과정에서 용매가 증발되고 금속 나노와이어 간의 접착성이 높아져 스탬프의 철(凸)부 표면에 고정이 되므로, 상기 이형층과 비상용성인 스탬프가 쉽게 분리되면서 동시에 철부에 고정된 금속 나노와이어가 함께 분리되며, 이에 따라 요(凹)부 형태의 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성할 수 있다. Next, step (c) of the present invention is a step of removing the stamp to form a patterned metal nanowire coating layer. The stamp surface is hydrophilized and adhered to the metal nanowire in a state of improved compatibility with the metal nanowire and improved adhesion Since the metal nanowire solution is dried, the solvent is evaporated and the adhesion between the metal nanowires is improved and fixed on the surface of the convex portion of the stamp. Therefore, the release layer and the stamp for emergency use are easily separated from each other, The fixed metal nanowires are separated together, thereby forming a metal nanowire coating layer having a recessed pattern.

다음으로 본 발명의 d)단계는 스탬프에 고정되어 제거되지 않고 이형층에 남아 있는 금속 나노와이어 코팅층에 금속 나노와이어의 표면 거칠기를 낮추기 위하여 금속 나노와이어와의 상용성이 우수하여 금속 나노와이어를 함침시킬 수 있는 경화성 고분자 수지를 이용하여 고분자 필름을 제조함으로써, 상기 고분자 필름 내에 금속 나노와이어가 함침되어 매끄러운 표면을 형성할 수 있도록 하는 공정이다.Next, in step d) of the present invention, the metal nanowires are immersed in the metal nanowire coating layer, which is not fixed on the stamp but is not removed, and has excellent compatibility with the metal nanowires in order to lower the surface roughness of the metal nanowires. A polymer film is produced by using a curable polymer resin capable of being impregnated with a metal nanowire so that a smooth surface can be formed in the polymer film.

이때, 상기 금속 나노와이어는 이형층과의 접착력에 비하여 경화성 고분자 수지와의 접착력 및 상용성이 더욱 강하므로 상기 경화성 고분자 수지를 도포하는 과정에서 금속 나노와이어가 매립이 되며, 매끄러운 표면을 형성할 수 있다.At this time, since the metal nanowires are more adhesive and compatible with the curable polymer resin than the adhesive force with the release layer, the metal nanowires are embedded in the process of applying the curable polymer resin, and a smooth surface can be formed have.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 유연성을 갖는 수지이면서 동시에, 이형층에 사용되는 소수성 고분자 수지와 비상용성을 갖는 수지를 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 구체적으로는 용해도 상수가 하기 식 1 및 2를 만족하는 것이라면 제한되지 않고 사용될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin is preferably a flexible resin, and at the same time, it is preferable to use a hydrophobic polymer resin used in the release layer and a resin having an incompatible solubility. More specifically, And &lt; RTI ID = 0.0 &gt; 2. &Lt; / RTI &gt;

[식 1][Equation 1]

Δδ = |δ2 - δ1| Δδ = | δ 2 - δ 1 |

상기 식 1에서 δ1는 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter)이고, δ2는 경화성 고분자 수지의 용해도 상수이다.In the above formula 1 δ 1 is Is the solubility parameter of the hydrophobic polymer resin, and? 2 is the solubility constant of the curable polymer resin.

[식 2][Formula 2]

2 ≤ Δδ2 ≤ Δδ

상기 식 2에서 단위는 J1/2/cm2 /3이다.In the above formula (2) units are J 1/2 / cm 2/3.

또한, 투명한 전극을 형성하기 위한 관점에서 전광선투과율이 80 ~ 99%인 것이 더욱 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. From the viewpoint of forming a transparent electrode, it is more preferable that the total light transmittance is 80 to 99%, but it is not limited thereto.

또한, 전자 소자 제작 시 도입 될 수 있는 열처리 안정성 측면에서 유리전이 온도가 100~150℃ 이상인 것이 더욱 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. Further, from the viewpoint of heat treatment stability that can be introduced in the production of an electronic device, the glass transition temperature is more preferably 100 to 150 ° C or higher, but is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지 등이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin may be an ultraviolet curable polymer resin, a thermosetting polymer resin, a room temperature moisture curing polymer resin, an infrared curing polymer resin, or the like, but is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 이형층 또는 소수성 고분자 기판에 고정되지 않은 금속 나노와이어를 매립하여 표면층이 매끄럽게 형성되도록 하기 위해서는 액상인 것이 바람직하며, 상기 액상은 고분자 수지가 물이나 용매에 용해되거나, 고분자 수지 자체가 점성을 갖는 액상인 것을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin is preferably in the form of a liquid in order to smoothly form a surface layer by embedding metal nanowires that are not fixed on a release layer or a hydrophobic polymer substrate. In the liquid phase, Or the polymer resin itself is a liquid having a viscosity.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 이형층의 물성을 저해하지 않고, 금속 나노와이어의 물성을 저해하지 않도록 하며, 투과율이 우수한 고분자 필름을 형성하기 위한 관점에서 자외선 경화형 고분자를 사용하는 것일 수 있다. 상기 자외선 경화형 고분자는 280 ~ 350 nm의 자외선(Ultraviolet) 광에 노출되었을 때 완전한 고체로 경화되는 특성을 갖는 수지라면 제한되지 않고 사용 가능하며, 투명한 무색의 액상인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 관점에서 상업화된 예로는 Norland Products사의 Norland Optical Adhesive 시리즈를 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, NOA60, NOA61, NOA63, NOA65, NOA68, NOA68T, NOA71, NOA72, NOA73, NOA74, NOA75, NOA76, NOA78, NOA81, NOA83H, NOA84, NOA85, NOA85V, NOA86, NOA86H, NOA87, NOA88, NOA89 등이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin does not inhibit the physical properties of the release layer, does not inhibit the physical properties of the metal nanowire, and uses an ultraviolet curable polymer in order to form a polymer film having excellent transmittance . The ultraviolet curable polymer is not limited as long as it is a resin which is cured to complete solid when it is exposed to ultraviolet light of 280 to 350 nm, and it is more preferably a transparent colorless liquid. In this respect, Norland Optical Adhesive series from Norland Products can be used as an example of commercialization from this viewpoint. Specifically, for example, NOA60, NOA61, NOA63, NOA65, NOA68, NOA68T, NOA71, NOA72, NOA73, NOA74, NOA75, NOA76 and NOA78 , NOA81, NOA83H, NOA84, NOA85, NOA85V, NOA86, NOA86H, NOA87, NOA88, NOA89, and the like.

본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지를 도포하여 형성된 고분자 필름의 두께는 제한되는 것은 아니나 50 ~ 2000㎛, 더욱 좋게는 100 ~ 300㎛인 것일 수 있다. 상기 범위에서 표면에 금속 나노와이어가 매립되면서 표면이 평활한 고분자 필름을 형성할 수 있으므로 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the polymer film formed by applying the curable polymer resin is not limited, but may be 50 to 2,000 탆, more preferably 100 to 300 탆. The metal nanowires are embedded in the surface in the above-mentioned range, and a polymer film having a smooth surface can be formed.

다음으로 상기 e)단계는 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계이다.Next, the step e) is a step of separating the polymer film embedded with the metal nanowires from the release layer or the hydrophobic polymer substrate to produce a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer.

이때, 앞서 설명한 바와 같이 친수성 처리된 스탬프와 금속 나노와이어 간의 접착력이 크게 향상되며, 금속 나노와이어가 이미 스탬프에 고정이 된 상태이므로 스탬프를 분리할 때 금속 나노와이어가 고정된 상태로 분리되므로 패턴이 형성된다. 즉, 본 발명은 스탬프의 패턴에 따라 금속 나노와이어 코팅층의 패턴이 결정된다.At this time, as described above, the adhesion between the hydrophilic-treated stamp and the metal nanowire is greatly improved, and since the metal nanowire is already fixed to the stamp, the metal nanowire is separated in a fixed state when the stamp is separated, . That is, in the present invention, the pattern of the metal nanowire coating layer is determined according to the pattern of the stamp.

또한, 상기 고분자 필름은 이형층에 사용된 소수성 고분자 수지와 비상용성이므로 물리적인 힘을 가하여, 즉, 손가락이나 면봉 등을 이용하여 쉽게 밀어내어 분리를 할 수 있다.In addition, since the polymer film is incompatible with the hydrophobic polymer resin used in the release layer, the polymer film can be easily pushed out by applying a physical force, that is, by using a finger or a cotton swab.

본 발명의 또 다른 양태는 상기 제조방법으로 제조되어 고분자 필름 및 금속 나노와이어 층이 순차적으로 적층되고, 상기 금속 나노와이어 층은 스탬프의 요(凹)부 모양대로 패턴이 형성되며, 금속 나노와이어 층이 상기 고분자 필름 내부에 매립되는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극이다.In another embodiment of the present invention, a polymer film and a metal nanowire layer are sequentially laminated, the metal nanowire layer is formed by the manufacturing method, and the pattern is formed in a shape of a concave portion of the stamp. Is embedded in the polymer film.

본 발명의 일 양태에서, 상기 투명전극은 표면조도가 0.5 ~ 2.5 nm인 패턴이 형성된 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the transparent electrode may be formed with a pattern having a surface roughness of 0.5 to 2.5 nm, but is not limited thereto.

본 발명의 일 양태에서, 상기 투명전극은 태양전지, 유기발광다이오드(OLED), 면조명, e-페이퍼, e-북, 터치패널 또는 디스플레이기판에 사용되는 것일 수 있으며, 이에 제한되지 않고 모든 전자소재 분야에 적용이 가능하다.In one aspect of the present invention, the transparent electrode may be one used for a solar cell, an organic light emitting diode (OLED), a surface light, an e-paper, an e-book, a touch panel, or a display substrate, It is applicable to material field.

이하 실시예 및 비교예를 바탕으로 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are merely examples for explaining the present invention in more detail, and the present invention is not limited by the following examples and comparative examples.

물성은 하기 측정방법으로 측정하였다.The physical properties were measured by the following measurement methods.

1) 용해도상수(solubility parameter)1) solubility parameter

용해도 상수는 Van Krevelen의 저서 (Van Krevelen, "Properties of Polymers: Their Correlation with Chemical Structure", 3rd Ed, Elsevier, 1990)의 Hoftyzer-Van Krevelen에 기재된 방법에 따라 계산하였다.The solubility constants were calculated according to the method described by Hoftyzer-Van Krevelen of Van Krevelen ("Properties of Polymers: Their Correlation with Chemical Structure", 3rd Ed, Elsevier, 1990).

2) 접촉각2) Contact angle

KRUSS사의 EasyDrop FM 40 모델의 접촉각 측정기를 이용하여 항온항습 조건(20℃, 65%RH)에서 증류수에 대한 접촉각을 측정하였다. 보다 구체적으로, Microsyringe로 샘플의 표면에 20 mg의 물방울을 떨어뜨린 후 소프트웨어상에서 tangent method를 사용하여 접촉각을 측정하였다. 10회 이상 접촉각을 측정한 후 그 평균값을 구하였다. Contact angle of distilled water was measured at constant temperature and humidity condition (20 ° C, 65% RH) using a contact angle meter of KRUSS EasyDrop FM 40 model. More specifically, a drop of 20 mg was dropped on the surface of the sample using a microsyringe, and the contact angle was measured using a tangent method in software. The contact angle was measured 10 times or more and the average value was obtained.

3) 표면 조도3) Surface roughness

AFM (Atomic force microscopy)장비를 이용하여 표면 거칠기를 분석하였다.Surface roughness was analyzed using AFM (Atomic force microscopy) equipment.

4) 투과율(%)4) Transmittance (%)

제조된 플렉서블 투명전극의 투과도는 ASTM D1003에 준하여 측정하고 백분율로 표시하였다. 헤이즈미터(일본, TOYOSEIKI)를 사용하여 가시광선 영역에서 헤이즈 및 빛 투과율을 측정하였다.The transmittance of the fabricated flexible transparent electrode was measured according to ASTM D1003 and expressed as a percentage. Haze and light transmittance were measured in a visible light region using a haze meter (TOYOSEIKI, Japan).

6) 면저항(Ω/sq.)6) Surface resistance (Ω / sq.)

제조된 플렉서블 투명전극의 면저항은 23℃, 60% RH 조건하에서 표면 저항률(Ω/sq)을 ASTM D257에 준하여 측정하였다.The surface resistivity (Ω / sq) of the sheet resistance of the manufactured flexible transparent electrode was measured according to ASTM D257 under conditions of 23 ° C. and 60% RH.

7) 막 두께7) Thickness

실시예에서 제조된 투명전극의 막 두께를 측정하였다.The film thickness of the transparent electrode prepared in the examples was measured.

막 두께는 샘플의 중앙에서 1cm x 1cm인 부분에 대해 버니어캘리퍼스를 이용하여 두께를 측정하였다.The film thickness was measured using a vernier caliper against a 1 cm x 1 cm area at the center of the sample.

[실시예 1][Example 1]

요철(凹凸)이 형성된 스탬프로 폴리디메틸실록산(PDMS) 블럭을 준비하였다. 상기 폴리디메틸실록산(PDMS) 블럭의 접촉각은 112 °이었다. 상기 폴리디메틸실록산(PDMS) 블록의 요철 부분에 플라즈마 처리를 하여 친수화 처리하였다. 플라즈마 처리는 10 sccm의 O2 기체를 이용하여, 3.9 x 10-1 mTorr의 압력, 30 W의 RF 파워에서 1분간 하였다. 상기 플라즈마 처리 후 플라즈마 처리된 부분의 접촉각은 60 °이었다. A polydimethylsiloxane (PDMS) block was prepared as a stamp in which unevenness was formed. The contact angle of the polydimethylsiloxane (PDMS) block was 112 °. The corrugated portion of the polydimethylsiloxane (PDMS) block was subjected to plasma treatment to be hydrophilized. The plasma treatment was performed at 10 sccm of O 2 gas at a pressure of 3.9 × 10 -1 mTorr and an RF power of 30 W for 1 minute. The contact angle of the plasma treated portion after the plasma treatment was 60 DEG.

유리 기판을 아세톤에 담가 초음파분쇄기에서 10분간 세척하여 이물질을 제거하고, 그 후 다시 이소프로필알콜에 담가 초음파분쇄기에서 10분간 세척해 아세톤을 제거하였다. 아세톤이 제거된 유리 기판을 100℃ 오븐에 넣어 남은 이소프로필알콜을 빠르게 제거하여 깨끗한 상태의 유리 기판을 준비하였다.The glass substrate was immersed in acetone and washed with an ultrasonic grinder for 10 minutes to remove foreign substances. Then, the glass substrate was immersed in isopropyl alcohol and washed with an ultrasonic grinder for 10 minutes to remove acetone. The glass substrate from which the acetone had been removed was placed in an oven at 100 ° C to quickly remove the remaining isopropyl alcohol to prepare a clean glass substrate.

건조된 유리기판 위에 마이크로 피펫을 이용하여 350 ㎕의 폴리메틸메타크릴레이트(Micro CHEM사, 495 PMMA A2, 중량평균분자량 495000 g/mol)를 도포한 후, 3000rpm으로 30초간 스핀코팅을 하였다. 이후 180℃에서 1분간 건조하여 이형층을 형성하였다. 상기 이형층의 접촉각은 70.0°이었다. 350 쨉 l of polymethylmethacrylate (Micro CHEM, 495 PMMA A2, weight average molecular weight of 495000 g / mol) was coated on the dried glass substrate using a micropipette, and then spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds. Thereafter, the resultant was dried at 180 DEG C for 1 minute to form a release layer. The contact angle of the release layer was 70.0 °.

상기 이형층이 형성된 기판 위에 마이크로 피펫을 이용하여 450 ㎕의 은 나노와이어 용액을 전면에 빠르게 도포한 후 스핀코터의 회전 속도를 600rpm으로 조절하여 1분간 스핀코팅하고, 상기 플라즈마 처리된 폴리디메틸실록산(PDMS) 블록의 요철부를 밀착시킨 상태에서, 100℃에서 30초간 건조하여 용매를 증발시키고, 밀착시킨 폴리디메틸실록산(PDMS) 블록을 제거하여 요(凹)부와 동일한 패턴이 형성된 은 나노와이어 코팅층을 형성하였다.450 [micro] l of the silver nanowire solution was rapidly applied to the entire surface of the substrate having the release layer formed thereon by using a micropipette, and the spin speed of the spin coater was adjusted to 600 rpm by spin coating for 1 minute. The plasma treated polydimethylsiloxane PDMS) block with a concave / convex portion in close contact with each other, drying at 100 ° C for 30 seconds to evaporate the solvent, and removing the polydimethylsiloxane (PDMS) block in close contact with the silver nanowire coating layer .

이때, 사용된 은 나노와이어 용액은 나노픽시스사에서 합성한 은 나노와이어 분산액 제품을 사용하였고, 이 제품은 직경 35±5 nm, 길이 25±5㎛, 종횡비 700이상의 은 나노와이어가 정제수 (DI water)에 0.3 wt%의 비중으로 분산되어 있다. In this case, the silver nanowire solution used was a silver nanowire dispersion product synthesized by Nanopics Co., Ltd. The silver nanowire having a diameter of 35 ± 5 nm, a length of 25 ± 5 μm and an aspect ratio of 700 or more was purified water ) At a specific gravity of 0.3 wt%.

상기 은 나노와이어 코팅층 위에 마이크로 피펫을 이용하여 1g의 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 기포를 제거한 뒤 500rpm의 속도로 1분간 스핀코팅을 하였다. 이때, 사용된 경화성 고분자 수지는 Norland사의 광학 접착제로 무색의 액상인 NOA 63(NOA63, Norland Products Inc, USA)을 사용하였다. NOA 63은 경화를 위해서는 약 4.5 J/sq의 에너지가 필요하며 25 ℃에서 2000 CPS의 점도를 가지고, 경화되었을 때 굴절률 1.56, 연신율 6 %, 탄성계수 240000 psi, 인장강도 5000 psi, 경도 90의 특성을 가진다.1 g of the curable polymer resin was applied on the silver nanowire coating layer using a micropipette, and the bubbles were removed, followed by spin coating at a speed of 500 rpm for 1 minute. At this time, the curable polymer resin used was NOA 63 (NOA63, Norland Products Inc, USA), which is a colorless liquid, as optical adhesive of Norland Co. NOA 63 requires about 4.5 J / sq of energy for curing and has a viscosity of 2000 cPs at 25 ° C and has a refractive index of 1.56 when cured, an elongation of 6%, a modulus of elasticity of 240000 psi, a tensile strength of 5000 psi, .

상기 스핀코팅 후, 5.0 J/s·m2의 자외선을 15분간 조사하여 고분자 필름을 제조하였다.After the spin coating, the polymer film was irradiated with ultraviolet rays of 5.0 J / s · m 2 for 15 minutes.

완전히 경화된 고분자 필름을 기판으로부터 분리하였으며, 이형층에 의해 기판과의 접착력이 약해진 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.The completely cured polymer film was separated from the substrate, and it was confirmed that the silver nanowire having weakened adhesion to the substrate by the release layer was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

제조된 투명전극의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The properties of the prepared transparent electrode were measured and are shown in Table 1 below.

[실시예 2][Example 2]

상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 플라즈마 처리 대신 자외선/오존 조사기를 사용하여 친수화 처리하였다. 자외선 조사는 UV-C 영역에 주파장을 갖는 표면처리용 수은램프를 구비하고, 17.2mW/cm2 출력으로 30분간 처리하였다. 상기 자외선/오존 조사 처리 후 스탬프 표면의 접촉각은 101.6 °이었다. The same procedure as in Example 1 was carried out except that a hydrophilic treatment was performed using an ultraviolet / ozone irradiator instead of the plasma treatment. Ultraviolet irradiation was carried out for 30 minutes at a power of 17.2 mW / cm &lt; 2 &gt; for a surface treatment mercury lamp having a dominant wavelength in the UV-C region. The contact angle of the stamp surface after the ultraviolet / ozone irradiation treatment was 101.6 °.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

제조된 투명전극의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The properties of the prepared transparent electrode were measured and are shown in Table 1 below.

[실시예 3][Example 3]

상기 실시예 2에서 자외선/오존 처리 시 처리 시간을 60분간 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다. 상기 자외선/오존 조사 처리 후 처리된 부분의 접촉각은 100.7 °이었다.A transparent electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ultraviolet / ozone treatment time was 60 minutes. The contact angle of the portion treated after the ultraviolet / ozone irradiation treatment was 100.7 °.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

제조된 투명전극의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The properties of the prepared transparent electrode were measured and are shown in Table 1 below.

[실시예 4][Example 4]

상기 실시예 1에서 이형층은 용해도 상수가 19 J1/2/cm2 /3인 폴리메틸메타크릴레이트를 사용하고, 경화성 고분자 수지로 용해도 파라미터가 22.46 J1/2/cm2 /3인 펜타에리트리톨 프로폭시레이트 트리아크릴레이트(pentaerythritol propoxylate triacrylate, Aldrich, USA)를 0.1g을 스핀코팅 방법으로 도포한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 올린 후 경화하여 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다. 상기 경화성 고분자 수지를 실시예 1과 동일한 방법으로 스핀코팅 한 후, 자외선을 40분 동안 조사하여 경화하였다.Example 1 In the release layer has a solubility constant of 19 J 1/2 / cm 2/3 of polymethyl methacrylate using the rate, curable polymer resin with a solubility parameter of the 22.46 J 1/2 / cm 2/3 of Penta Except that 0.1 g of pentaerythritol propoxylate triacrylate (Aldrich, USA) was applied by a spin coating method, and then the polyethylene terephthalate film was raised and cured, To prepare a transparent electrode. The curable polymer resin was spin-coated in the same manner as in Example 1, and cured by irradiating ultraviolet rays for 40 minutes.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

[실시예 5] [Example 5]

상기 실시예 1에서 이형층은 용해도 상수가 19 J1/2/cm2 /3인 폴리메틸메타크릴레이트를 사용하고, 경화성 고분자 수지는 용해도 상수가 17 J1/2/cm2 /3인 UV 경화형 에폭시 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다. 상기 경화성 고분자 수지를 실시예 1과 동일한 방법으로 스핀코팅 한 후, 자외선을 40분 동안 조사하여 경화하였다.In the first embodiment the release layer is the solubility constant of 19 J 1/2 / cm 2/3 of polymethyl methacrylate using the rate, the curable polymeric resin has a solubility constant of 17 J 1/2 / cm 2/3 of UV A transparent electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that a curable epoxy resin was used. The curable polymer resin was spin-coated in the same manner as in Example 1, and cured by irradiating ultraviolet rays for 40 minutes.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

[실시예 6] [Example 6]

상기 실시예 1에서 이형층은 용해도 상수가 19 J1/2/cm2 /3인 폴리메틸메타크릴레이트를 사용하고, 경화성 고분자 수지는 용해도 상수가 21 J1/2/cm2 /3인 UV 경화형 에폭시 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다. 상기 경화성 고분자 수지를 실시예 1과 동일한 방법으로 스핀코팅 한 후, 자외선을 40분 동안 조사하여 경화하였다.In the first embodiment the release layer is the solubility constant of 19 J 1/2 / cm 2/3 of polymethyl methacrylate using the rate, the curable polymeric resin has a solubility constant of 21 J 1/2 / cm 2/3 of UV A transparent electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that a curable epoxy resin was used. The curable polymer resin was spin-coated in the same manner as in Example 1, and cured by irradiating ultraviolet rays for 40 minutes.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

[실시예 7] [Example 7]

상기 실시예 1에서 이형층은 용해도 상수가 19 J1/2/cm2 /3인 폴리메틸메타크릴레이트를 사용하고, 경화성 고분자 수지는 용해도 상수가 25 J1/2/cm2 /3인 UV 경화형 에폭시 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다. 상기 경화성 고분자 수지를 실시예 1과 동일한 방법으로 스핀코팅 한 후, 자외선을 40분 동안 조사하여 경화하였다.In the first embodiment the release layer is the solubility constant of 19 J 1/2 / cm 2/3 of polymethyl methacrylate using the rate, the curable polymeric resin has a solubility constant of 25 J 1/2 / cm 2/3 of UV A transparent electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that a curable epoxy resin was used. The curable polymer resin was spin-coated in the same manner as in Example 1, and cured by irradiating ultraviolet rays for 40 minutes.

그 결과, 은 나노와이어가 경화성 고분자 수지에 함몰되어 패턴이 형성된 유연한 투명전극이 제조됨을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire was embedded in the curable polymer resin to produce a flexible transparent electrode having a pattern.

표면조도Surface roughness 투과율Transmittance 면저항Sheet resistance 막두께Film thickness 실시예1Example 1 0.91nm0.91 nm 84.7%84.7% 12.6Ω/□12.6Ω / □ 81nm81nm 실시예2Example 2 1.17nm1.17 nm 83.2%83.2% 13.8Ω/□13.8Ω / □ 82nm82nm 실시예3Example 3 1.61nm1.61 nm 83.9%83.9% 13.6Ω/□13.6 Ω / □ 85nm85nm

Claims (13)

a) 요철(凹凸) 패턴이 형성되며, 실록산계 중합체로 이루어지는 스탬프의 철(凸)부 표면을 친수화 처리하는 단계;
b) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 나노와이어 용액을 전면에 도포한 후, 상기 금속 나노와이어 용액이 건조되기 전에 상기 a)단계의 친수화 처리된 표면의 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조하여 친수화 처리된 철(凸)부가 밀착된 부분의 표면에 금속 나노와이어가 달라붙어 고정되도록 하는 단계;
c) 상기 스탬프를 제거하여 상기 스탬프의 철(凸)부 표면에 고정된 금속나노와이어를 제거함으로써, 요(凹)부의 형태와 동일한 형태를 갖는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;
d) 상기 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 경화하여 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및
e) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여, 상기 고분자 필름에 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층이 매립된 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;
를 포함하며,
상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
a) a step of hydrophilizing a surface of a convex portion of a stamp formed of a siloxane polymer in which a concavo-convex pattern is formed;
b) applying a metal nanowire solution to the entire surface of the hydrophobic polymer substrate made of the hydrophobic polymer resin formed on the substrate or the hydrophobic polymer resin, and then, before the metal nanowire solution is dried, Drying the coated surface of the hydrated surface in close contact with the metal nanowires so that the metal nanowires adhere to and adhere to the surface of the portion where the hydrophilicized convex portions are in close contact with each other;
c) removing the stamp to remove the metal nanowires fixed to the surface of the convex portion of the stamp, thereby forming a metal nanowire coating layer on which a pattern having the same shape as the shape of the concave portion is formed ;
d) applying a curable polymer resin on the entire surface of the metal nanowire coating layer on which the pattern is formed and curing the polymer nanofibers to produce a polymer film having embedded metal nanowires; And
e) separating the polymer film embedded with the metal nanowires from the release layer or the hydrophobic polymer substrate to produce a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer embedded therein;
/ RTI &gt;
Wherein the release layer or the hydrophobic polymer substrate and the polymer film are nonconductive.
제 1항에 있어서,
상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 상수 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
[식 1]
Δδ = |δ2 - δ1|
[식 2]
2 ≤ Δδ
상기 식 2에서 단위는 J1/2/cm2/3이다.
The method according to claim 1,
The solubility parameter δ 1 of the hydrophobic polymer resin and the solubility constant δ 2 of the curable polymer resin Wherein a difference is Δδ of the following formula (1) satisfies the following formula (2).
[Formula 1]
Δδ = | δ 2 - δ 1 |
[Formula 2]
2 ≤ Δδ
In the above formula 2, the unit is J 1/2 / cm 2/3 .
제 1항에 있어서,
상기 친수화 처리 전 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 110 ~ 160°이고, 상기 친수화 처리 후 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 0 ~ 109°인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The contact angle of the stamp surface made of the siloxane-based polymer with respect to water is 110 to 160 °, and the contact angle of the stamp surface made of the siloxane-based polymer after the hydrophilization treatment with water is 0 to 109 ° A method of manufacturing a flexible transparent electrode.
제 1항에 있어서,
상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The hydrophobic polymer resin may be an olefin resin, a vinyl resin, a polyester resin, a polyurethane resin, a polyamide resin, a silicone resin, a cellulose resin, a polyimide resin, a polysulfone resin, A polyacetal resin, and a polyacrylic resin. 2. The method of manufacturing a flexible transparent electrode according to claim 1,
제 1항에 있어서,
상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the curable polymer resin is selected from an ultraviolet curing type polymer resin, a thermosetting type polymer resin, a room temperature moisture curing type polymer resin, and an infrared curing type polymer resin.
제 1항에 있어서,
상기 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is any one selected from silicon, quartz, glass, silicon wafer, polymer, metal, and metal oxide.
제 1항에 있어서,
상기 실록산계 중합체는 폴리디메틸실록산인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the siloxane-based polymer is polydimethylsiloxane.
제 1항에 있어서,
상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the hydrophilization treatment is plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment in the step (a).
제 8항에 있어서,
상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the plasma or ion beam treatment uses one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 , and Ar.
제 8항에 있어서,
상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 이형층 또는 소수성 고분자 기판 간의 접착력을 A1이라 하고, 금속 나노와이어와 스탬프의 철(凸)부 표면 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것인 플렉서블 투명전극의 제조방법.
[식 3]
A1 < A2
9. The method of claim 8,
In the hydrophilization treatment, the treatment condition is A 1 when the adhesion between the metal nanowire and the release layer or the hydrophobic polymer substrate is A 1 , and the adhesion between the metal nanowire and the surface of the convex portion of the stamp is A 2 , 3 < / RTI &gt; of the transparent electrode.
[Formula 3]
A 1 &lt; A 2
제 1항에 있어서,
상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal nanowire is selected from silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium A length of 10 to 50 nm, and an aspect ratio of 500 to 800. The method of manufacturing a flexible transparent electrode according to claim 1,
제 1항에 있어서,
상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0.1 ~ 1.0 중량% 분산된 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The metal nanowire solution may be prepared by forming a pattern of a flexible transparent electrode in which the metal nanowire is dispersed in 0.1 to 1.0 wt% of any one or two or more solvents selected from purified water, ethanol, methanol, isopropyl alcohol and butyl carbitol Way.
제 1항에 있어서,
상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the application is selected from spin coating, bar coating, and roll to roll coating.
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