KR101861897B1 - 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 바인더 수지; 경화성 화합물; 경화 개시제; 제1 도전성 입자; 및 제2 도전성 입자를 포함하며, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 상기 제2 도전성 입자의 30% k값보다 적어도 5,000N/mm2 더 큰 이방 도전성 필름에 관한 것이다. 본 발명의 일 예들에 따르면 이방 도전성 필름에 접착된 COF, FPCB 등의 가요성 기판의 표면에 굴곡이 생기는 것이 방지될 수 있으며, 이에 따라 디스플레이 장치의 접속 신뢰성이 개선될 수 있다.

Description

이방 도전성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, A DISPLAY DEVICE USING THEREOF}
본 발명은 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
이방 도전성 필름(Anisotropic conductive film, ACF)이란 일반적으로 도전성 입자를 에폭시 등의 수지에 분산시킨 필름 형상의 접착제를 말하는 것으로, 필름의 막 두께 방향으로는 도전성을 띠고 면 방향으로는 절연성을 띠는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 고분자 막을 의미한다. 이방 도전성 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 상기 필름을 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접하는 전극 사이에는 절연성 접착 수지가 충진되어 도전성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써 높은 절연성을 부여하게 된다.
상기 이방 도전성 필름을 통해. COF(Chip On Film) 및 FPCB(Flexable Printed Circuit Board) 등의 가요성(flexible) 회로기판 또는 필름이 다른 기판에 접착될 수 있다. 이때, 가요성 회로기판 또는 필름은 온도와 압력에 의해 쉽게 형태가 변형되며, 이방 도전성 필름은 상기 회로기판의 형태를 따라 휘게 된다. 이에 따라, 이방 도전성 필름에 스트레스가 인가되며, 이방 도전성 필름이 박리되어, 접속저항의 상승 및 기계적 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다.
따라서, 이방 도전성 필름의 수지부의 응집력을 조절하여, 회로기판이 휘는 현상을 방지하는 방법이 알려져 있다. (대한민국 특허 출원공개 제2014-0139893호).
대한민국 특허 출원공개 제2014-0139893호 (2014. 12. 08 공개)
본 발명의 일 목적은 COF, FPCB 등 가요성 기판의 변형을 방지할 수 있는 이방 도전성 필름 및 상기 이방 도전성 필름을 포함하며 접속 신뢰성이 개선된 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 바인더 수지; 경화성 화합물; 경화 개시제; 제1 도전성 입자; 및 제2 도전성 입자를 포함하며, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 상기 제2 도전성 입자의 30% K값보다 적어도 5,000N/mm2 더 큰 이방 도전성 필름이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 전극을 포함하는 제1 피접속부재; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극을 포함하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재 사이에 위치한 이방 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 피접속부재는 가요성 기판이며, 상기 제1 피접속부재의 표면은 마루와 골을 포함하는 굴곡진 면을 포함하며, 상기 마루의 최고점과 상기 골의 최하점의 높이 차이는 1㎛ 이하인 디스플레이 장치가 제공된다.
본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름은 K값이 상대적으로 큰 제1 도전성 입자와 상기 제1 도전성 입자보다 평균 입경이 큰 제2 도전성 입자를 포함하므로, 이방 도전성 필름에 접착된 COF, FPCB 등의 가요성 기판의 표면에 굴곡이 생기는 것이 방지될 수 있으며, 이에 따라 디스플레이 장치의 접속 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 1은 K값 측정 방법을 도시한다. 도 1에서 F는 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 압축 변형에 있어서의 하중치(Mn)이고 S는 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 압축 변형에 있어서의 압축 변위(μm)이며, R은 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 반경(μm)을 의미한다.
도 2 및 도 3은 제1 베이스(210) 및 제1 전극(220)을 포함하는 제1 피접속부재(200)와, 제2 베이스(310) 및 제2 전극(320)을 포함하는 제2 피접속부재(300), 상기 제1 피접속부재(200)와 상기 제2 피접속부재(300) 사이에 위치하여 상기 제1 전극(220)과 상기 제2 전극(320)을 도통시키는 제1 도전성 입자(111) 및 제2 도전성 입자(112)를 포함하는 이방 도전성 필름(100)을 포함하는, 본 발명의 일 예에 따른 디스플레이 장치(400)의 단면도이다.
도 4는 제1 베이스(210)를 포함하는 제1 피접속부재를 설명하기 위한 단면도이며, 제1 베이스(210) 표면에 형성된 마루(210a)와 골(210b)의 높이 차(H)를 도시하고 있다.
본 명세서에 있어서, 이방 도전성 필름을 제조하기 위한 조성물의 각 조성의 중량은 이방 도전성 필름 조성물 고형분 총 중량을 기준으로 함유되는 것이며, 이방 도전성 필름 제조시, 각 조성들을 유기용제에 용해시켜 액상화 한 후 이형 필름에 도포한 후 일정 시간 건조로 유기용제를 휘발시키므로, 이방 도전성 필름 고형분은 이방 도전 필름 조성물에 함유된 각 성분들을 그대로 함유할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 이방 도전성 필름은 보호층에 적층되어 사용되기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 바인더 수지; 경화성 화합물; 경화 개시제; 제1 도전성 입자; 및 제2 도전성 입자를 포함하며, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 상기 제2 도전성 입자의 30% K값보다 적어도 5,000N/mm2 더 큰 이방 도전성 필름에 관한 것이다.
상기 바인더 수지의 비제한적인 예로는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지 및 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지 및 그 변성체, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 및 그 수소화체 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 구체적으로 바인더 수지로 페녹시 수지를 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 플루오렌계 페녹시 수지를 사용할 수 있다. 상기 플루오렌계 페녹시 수지는, 플루오렌 구조를 포함하는 페녹시 수지이면 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 바인더 수지는 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 30 중량% 내지 80 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 40 중량% 내지 80 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로 50 중량% 내지 75 중량%로 포함될 수 있다.
상기 경화성 화합물 및 상기 경화 개시제는 각각 라디칼 중합성 화합물 및 라디칼 중합 개시제일 수 있으며, 또는 각각 양이온 중합성 화합물 및 양이온 중합 개시제일 수 있다.
상기 라디칼 중합성 화합물의 비제한적인 예로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, n-라우릴(메타)아크릴레이트, C12-C15 알킬(메타)아크릴레이트, n-스테아릴(메타)아크릴레이트, n-부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메타)아 크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로퍼퓨릴(tetrahydrofurfuryl)(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-하이드록시프로필프탈레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸엑시드포스페이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메타)아크릴레이트, 이소아밀 아크릴레이트, 라우로일 아크릴레이트, 비스페놀 A 에틸렌옥사이드의 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 라디칼 중합성 화합물은 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 10 중량% 내지 55 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 5 중량% 내지 35 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로 10 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
상기 라디칼 중합 개시제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술분야에서 통상적으로 사용하는 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 라디칼 중합 개시제는 가열 또는 광에 의해 유리 라디칼을 발생시키는 경화제로 작용하며, 유기 과산화물이 바람직하게 적용될 수 있다.
상기 유기 과산화물은 특별히 제한되지 않고, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시카보네이트 등 여러 가지를 사용할 수 있고 접속 온도 및 시간, 제품의 보존안정성의 관점으로부터 선택하여 복수의 과산화물을 병용하여도 좋다.
구체예에서는 t-부틸 퍼옥시라우레이트, 1,1,3,3-t-메틸부틸퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일 퍼옥시) 헥산, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일 퍼옥시) 헥산, t-부틸 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실 퍼옥시 벤조에이트, t-부틸 퍼옥시 아세테이트, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5,-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시) 헥산, t-부틸 큐밀 퍼옥사이드, t-헥실 퍼옥시 네오데카노에이트, t-헥실 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시-2-2-에틸헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산, t-헥실 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 피발레이트, 큐밀 퍼옥시 네오데카노에이트, 디-이소프로필 벤젠 하이드로퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 옥타노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 스테아로일 퍼옥사이드, 숙신 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥시 톨루엔, 1,1,3,3-테트라메틸 부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 1-사이클로헥실-1-메틸 에틸 퍼옥시 노에데카노에이트, 디-n-프로필 퍼옥시 디카보네이트, 디-이소프로필 퍼옥시 카보네이트, 비스(4-t-부틸 사이클로헥실) 퍼옥시 디카보네이트, 디-2-에톡시 메톡시 퍼옥시 디카보네이트, 디(2-에틸 헥실 퍼옥시) 디카보네이트, 디메톡시 부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시 부틸 퍼옥시) 디카보네이트, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시) 사이클로헥산, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-(t-부틸 퍼옥시) 사이클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸 퍼옥시)데칸, t-부틸 트리메틸 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디메틸 실릴 퍼옥사이드, t-부틸 트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디알릴 실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸) 아릴 실릴 퍼옥사이드 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
특히, 상기 유기 과산화물은 40 내지 100에서 5시간 내지 15시간 반감기 온도를 갖는 것을 사용하는 것이 좋다. 상기 범위에서 상온 보관성에 문제가 없으며, 속경화형에 적합하다.
상기 라디칼 중합 개시제는 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 1 중량% 내지 10 중량%, 구체적으로 1.5 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 압착특성 및 재작업성이 우수하고 버블이 발생하지 않는다.
상기 양이온 중합성 화합물로는 에폭시 수지, 구체적으로는 열 경화형 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 에폭시 당량이 90 내지 5000 g/eq정도이고, 분자 중에 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 수소화, 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형, 지방족 및 지환족 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 에폭시 수지를 하나 이상 포함할 수 있다. 예컨데, 나프탈렌계 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 양이온 중합성 화합물은 이방 도전성 필름의 전체 중량 기준으로 10 중량% 내지 55 중량%, 구체적으로 15 중량% 내지 45 중량%, 보다 구체적으로는 15 중량% 내지 35 중량%일 수 있다.
보다 더욱 구체적으로는 수소화 에폭시 수지 혹은 프로필렌 옥사이드계 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 수소화 에폭시 수지 혹은 프로필렌 옥사이드계 에폭시 수지를 사용하면 저온에서 신속히 경화되게 할 뿐 아니라 양호한 안정성을 확보할 수 있다.
수소화 에폭시 수지는 구체적으로 수소화 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 시클로알리파틱계 등의 지환족 수소화 에폭시 수지가 있다. 시클로알리파틱계 에폭시 수지로는 알리시클릭 다이에폭시 아세탈, 알리시클릭 다이에폭시 아디페이트, 알리시클릭 다이에폭시 카복시에이트, 비닐 시클로헥센 다이 옥사이드 등의 구조를 갖는 수지가 사용될 수 있다. 수소화 비스페놀 A형 에폭시 수지는 일반적으로 수소화 비스페놀 A 유도체와 에피클로로히드린을 사용해서 얻어지며, 비스페놀 A 분자 구조식내 이중결합을 수소 분자로 치환시킨 구조일 수 있다.
수소화 비스페놀 A형 에폭시 수지로 예를 들어, 하기 화학식 1의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 모노머 또는 하기 화학식 2의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 올리고머를 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015105304902-pat00001
[화학식 2]
Figure 112015105304902-pat00002
상기 화학식 2에서, n은 0.1 내지 13이다.
수소화 에폭시 수지는 구체적으로 에폭시 당량이 150 g/eq 내지 1,200 g/eq이고, 점도가 900 cps/25℃ 내지 12,000 cps/25℃인 것을 사용할 수 있다.
양이온 중합 개시제는 에폭시 수지의 경화를 촉매할 수 있는 것이면 제한되지 않지만, 예를 들어, 설포늄계, 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아민계, 아미드계, 페놀계 또는 산무수물계 경화제 등을 사용할 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 있다.
상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 작을 수 있다. 상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 후술할 제1 피접속부재의 제1 전극과 제2 피접속부재의 제2 전극의 간격과 동일할 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 입자(111)는 제1 전극(220)과 제2 전극(320)을 도통시키면서, 제1 전극(220)과 제2 전극(320)의 간격을 유지시키고 가요성 기판에 해당하는 제1 피접속부재(200)가 휘는 현상을 방지하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 일 예에서 1㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
상기 제1 도전성 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Cu, Ni, Zr 및 땜납으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 혼합한 입자; Au, Ag, Ni, Pb 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 혼합한 것으로 코팅된 실리카 입자; 상기 입자들에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 들 수 있다. 다만, 제1 전극과 제2 전극의 간격을 일정하게 유지시켜 제1 피접속부재가 휘는 현상을 방지하기 위해, 높은 K값을 가지는 구성으로 이루어진 제1 도전성 입자가 바람직할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 도전성 입자는 실리카 등의 무기입자를 Au, Ag, Ni, Pb 및 Cu 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 또는 Au, Ag, Cu, Ni, Zr 및 땜납으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 혼합한 것으로 이루어질 수 있으며, 더욱 구체적으로, Ni 또는 Zr로 이루어질 수 있다. 나아가, 상기 제1 도전성 입자의 30% 압축변형 시의 K값(이하, 30% K값)은 10,000 N/mm2 이상, 구체적으로 12,000 N/mm2 내지 20,000 N/mm2 일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 도전성 입자의 변형이 더욱 최소화될 수 있어서, 제1 전극과 제2 전극의 간격을 일정하게 유지시켜, 제1 피접속부재가 변형되는 현상이 더욱 효과적으로 방지될 수 있다.
상기 K값은 압축 경도 측정 시스템(Fischerscope H-100)을 이용하여 측정하며, 직경 2R의 평활한 상부 가압 압자와 하부 가압판 사이에 입자를 고정시키고, 압축속도 0.33 mN/sec, 최대 하중 5gf에서 압축하여 얻은 하중치 및 압축 변위를 이용하여 하기 수학식 1을 이용해 K(N/mm2)값을 산출한다(도 1 참조).
[수학식 1]
K=(3/21/2)FS-3/2R-1/2
상기 식에서, F는 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 30% 압축 변형에 있어서의 압축 하중치(Mm)이고, S는 30% 압축 변형에 있어 압축 변형량(mm)이고, R은 압축 전의 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 반경(mm)이다.
일반적으로 30% K값은 입자의 경도를 보편적 또는 정량적으로 표현한 것으로 압축에 대한 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자의 변형성을 평가할 수 있다.
상기 제2 도전성 입자는 상기 제1 도전성 입자에 비해 평균 입경이 크므로, 제1 전극 및 제2 전극과 접하는 면적을 넓게 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 도전성 입자는 제1 전극과 제2 전극의 도통이 원활히 이루어지게 하여 접속 저항을 개선시키는 것을 일 목적으로 사용된다. 구체적으로, 상기 제2 도전성 입자의 평균입경은 3㎛ 내지 8㎛일 수 있다. 상기 범위를 만족할 시, 접속 저항이 개선되면서도, 제1 전극 간 또는 제2 전극 간의 쇼트(short)가 방지될 수 있다.
나아가, 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 간격보다 클 수 있다. 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 도전성 입자(112)의 일부는 상기 제1 전극(220)과 상기 제2 피접속부재(300)의 제2 베이스(310)의 간격의 ±2㎛일 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(220)과 제2 전극(320)의 배열이 어긋나는 경우에도, 상기 제2 도전성 입자(112)는 제1 전극(220)과 제2 베이스(310)의 간격을 유지시켜주어 제1 피접속부재(200)가 변형되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 도전성 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Cu, Ni, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 들 수 있다. 상기 제2 도전성 입자는 30% 압축변형 시의 K값(이하, 30% K값)은 5000 N/mm2 이하, 1000 N/mm2 내지 3000 N/mm2 일 수 있다. 상기 범위일 때, 제1 전극과 제2 전극 사이에 제2 도전성 입자가 위치한 경우에도 제1 피접속부재인 가요성 기판의 휨과 같은 형태변형이 이루어지지 않을 뿐만 아니라 신뢰성 평가 후에도 접속저항이 상승하지 않는다. 구체적으로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 피접속부재(200)와 제2 피접속부재(300) 사이에서 이방 도전성 필름(100)이 압착될 시, 제2 도전성 입자(112)의 평균 입경이 제1 전극(220)과 제2 전극(320) 간격만큼 변형될 수 있다. 따라서, 제1 피접속부재가 휘는 등 변형하는 현상이 효과적으로 방지될 수 있으며, 제2 도전성 입자의 표면 중 제1 전극과 제2 전극에 각각 접촉하는 면적이 더욱 넓어질 수 있으므로, 접속 저항이 더욱 개선될 수 있다.
상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 적어도 1㎛ 더 작을 수 있다. 상기 범위 차이를 만족하는 경우, 제1 피접속부재의 변형이 방지되면서도 제1 전극 및 제2 전극의 도통성이 더욱 확보될 수 있다.
상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 상기 제2 도전성 입자의 30% k값보다 적어도 5,000N/mm2 더 클 수 있다. 상기 범위 차이를 만족하는 경우, 상기 제2 도전성 입자가 충분히 눌려서 도통성이 더욱 개선되며, 상기 제1 도전성 입자의 형태가 유지되어 제1 피접속부재의 변형이 더욱 효과적으로 방지될 수 있다.
상술한 평균 입경 범위를 각각 만족하는 상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자는 다음과 같은 방법으로 얻어질 수 있다. 다양한 평균 입경의 도전성 입자를 특정 크기의 구멍들을 가지는 체(mesh)에 통과시켜 특정 평균 입경의 도전성 입자만을 취할 수 있다. 이와 달리, 다양한 평균 입경의 도전성 입자를 일정 세기의 바람에 날려서 날아간 거리를 통해 특정 평균 입경의 도전성 입자만을 취할 수 있다. 그러나, 반드시 상술한 방법에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전성 입자 또는 제2 도전성 입자가 원하는 평균 입경을 만족하는지 여부는 입도분석기(sympatec, HELOS-RODOS)를 통해 확인할 수 있다.
상기 제1 도전성 입자의 중량과 상기 제2 도전성 입자의 중량의 비는 2:8 내지 5:5일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 제1 피접속부재가 휘는 현상을 효과적으로 방지할 수 있으며, 제1 피접속부재와 제2 피접속부재의 도통성이 확보될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1 도전성 입자의 중량과 상기 제2 도전성 입자의 중량의 비는 2:8 내지 4:6일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 상술한 효과와 더불어 초기 접속저항이 낮아질 수 있는 이점이 있다.
상기 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자 전체는 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 1 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 쇼트 등의 전기적 특성을 감안할 경우 안정적인 전기적 특성 발현이 가능하다. 구체적으로 상기 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자 전체는 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 2 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있으며, 더욱 구체적으로, 3 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이방 도전성 필름은 바인더 수지, 경화성 화합물, 경화 개시제, 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자 외에 유기 입자를 추가로 포함할 수 있다.
유기 입자는 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체로 인한 조성물의 지나친 흐름성을 보완하는 역할을 한다. 또한, 유기 입자에 의해 경화시 수반되는 열수축 하에서 응력이 완화될 수 있고, 수축과 팽창에 의한 열변형을 낮출 수 있어 고온 고습 조건 하에서 접착 신뢰성을 필름에 부여할 수 있다.
상기 유기 입자는 스티렌-디비닐 벤젠(Styrene-Divinyl benzene), 염소화 폴리에틸렌(Chlorinated polyethylene), 디메틸 폴리실록산(Dimethyl polysiloxane), 메틸 메타크릴레이트-부틸아크릴레이트-디메틸실록산 공중합체(Methylmathacrylate-Butylacrylate-Dimethylsiloxane copolymer), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(Styrene-Butadiene-Styrene block copolymer), 스티렌-부타디엔 열가소성 탄성 중합체(Styrene-Butadiene Thermoplastic elastomer), 부타디엔 고무(Butadiene Rubber), 스티렌-부타디엔 고무(Styrene-Butadiene Rubber) 및 에틸렌 글리시딜 메타크릴레이트(Ethylene glycidyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 유기 입자는 단층 구조 혹은 복층 구조를 가질 수 있다. 단층 구조의 유기 입자로는 예를 들어 가교된 우레탄 수지로 된 구상의 유기 입자를 들 수 있다. 상기 폴리우레탄 유기 입자는 이온 교환 처리된 것일 수 있다. 폴리우레탄 유기 입자의 이온 교환 처리 방법에는 특별히 제한되지는 않지만, 용매 등을 통한 희석법, 이온 잔류물이 생성되지 않는 모노머 이용 등의 방법 등이 일반적이다. 폴리우레탄 유기입자가 이온 교환 처리될 경우, 폴리우레탄 유기 입자의 이온 함유량이 감소하게 되며, 바람직하게는 0 초과 10ppm 이하인 것이 좋다. 상기 범위 내에서, 필름의 전기전도도가 높아지지 않고 회로 접속시 부식이 발생하지 않는다. 복층 구조의 유기 입자는 코어와 쉘을 포함하는 2층 혹은 3층 구조로 이루어질 수 있으며, 2층 구조의 예로 코어를 이루는 고분자 수지의 유리전이온도가 쉘을 이루는 고분자 수지의 유리 전이 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 입자를 들 수 있다. 보다 상세히는 유기 입자의 코어 부분은 아크릴 모노머의 단독 중합체 또는 공중합체의 낮은 유리전이 온도를 가진 고무상 폴리머로 구성되며, 쉘 부분은 높은 유리 전이 온도를 가진 폴리머로 구성된 유기 입자를 들 수 있다. 상기 유기 입자는 높은 유리전이 온도를 가진 쉘 부분이 입자끼리 융착을 제한해 주고, 매트릭스 수지와의 상용성을 향상시키기 때문에 입자의 분산이 용이하고 유기 입자에 의한 점도 제어가 가능해 조액 안정성을 확보할 수 있어 충분한 작업성을 확보할 수 있는 이점이 있다. 상기 복층 구조의 유기 미립자를 형성하기 위한 아크릴 모노머에는 제한이 없다.
본원 발명의 유기 입자의 직경은 특별히 제한되지 않고, 0.1 내지 10㎛, 바람직하게는 0.3 내지 5㎛가 될 수 있다. 유기 입자의 크기가 상기 범위일 때 유기 입자의 분산이 양호하고 도전입자의 도통 특성이 유기 입자로 인해 방해를 받지 않아 바람직하다.
상기 유기 입자는 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 유기 입자의 중량이 1 중량% 미만이면 유기 입자의 효과를 내기 어려우며, 20 중량%를 초과하면 필름의 점착성이 저하되어 가압착성이 저하될 수 있다.
한 바람직한 양태에서, 메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 및 디비닐벤젠의 공중합체 또는 메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 및 부타디엔의 공중합체를 가진 유기 입자가 본 발명에 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이방 도전성 필름은 바인더 수지, 경화성 화합물, 경화 개시제, 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자 외에 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 등의 첨가제를 추가로 포함하여, 기본 물성을 저해하지 않으면서 부가적인 물성을 제공할 수 있다. 상기 첨가제는 특별히 제한되지 않지만, 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 이방 도전성 필름 중 0.01중량% 내지 10중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 전극을 포함하는 제1 피접속부재; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극을 포함하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재 사이에 위치한 이방 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치가 제공되며, 상기 제1 피접속부재는 가요성 기판이며, 상기 제1 피접속부재는 표면은 마루와 골을 포함하는 굴곡진 면을 포함하며, 상기 마루의 최고점과 상기 골의 최하점의 높이 차이는 1㎛ 이하일 수 있다. 상기 이방 도전성 필름은 전술한 본 발명의 실시예들에서 설명한 이방 도전성 필름일 수 있다.
제1 피접속부재는 가요성 기판일 수 있다. 구체적으로, 제1 피접속부재는 COF 또는 FPCB일 수 있다. 제2 피접속부재는 PET, FPCB, 또는 PCB일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 피접속부재(200)은 제1 베이스(210) 및 제1 베이스(210) 상에 위치한 제1 전극(220)을 포함할 수 있으며, 제2 피접속부재(300)은 제2 베이스(310) 및 제2 베이스(310) 상에 위치한 제2 전극(320)을 포함할 수 있다. 제1 베이스(210) 및 제2 베이스(310)는 각각 PET(Poly Ester), PI(Polyimide), 에폭시(Epoxy) 일 수 있으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 금속 전극일 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니며, ITO (Indium Tin Oxide), ZnO, SnO2 등을 포함할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 피접속부재가 가요성(flexible) 기판인 경우, 상기 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 피접속부재의 표면은 마루(210a)와 골(210b)을 포함하는 굴곡진 면을 포함할 수 있다.
상기 마루(210a)의 최고점과 상기 골(210b)의 최하점의 높이 차이(H)는 1㎛ 이하일 수 있으며, 구체적으로 0.5㎛ 이하일 수 있다. 상기 높이 차이가 1㎛를 초과하는 경우, 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치한 이방 도전성 필름에 스트레스가 인가되며, 상기 스트레스로 인해 이방 도전성 필름이 제1 피접속부재 또는 제2 피접속부재로부터 박리되는 현상이 발생하기 쉽다. 이에 따라, 디스플레이 장치가 장기간 사용될 시, 접속저항이 급격히 증가하는 문제가 발생하게 된다. 본 실시예와 같이 상기 마루의 최고점과 상기 골의 최하점의 높이 차이가 1㎛ 이하인 경우, 이방 도전성 필름에 인가되는 스트레스가 크지 않으므로, 디스플레이 장치가 장기간 사용될 시, 접속저항이 급격히 증가하는 것이 방지될 수 있다.
상기 마루의 최고점과 상기 골의 최하점의 높이 차이를 측정하는 방법은 다음과 같다. 제1 피접속부재 및 제2 피접속부재 사이에 이형 필름에 접착된 이방 도전성 필름을 위치시킨 후, 상, 하 계면 간을 50℃ 내지 70℃, 1초 내지 3초, 1 내지 3MPa조건으로 가압착한 후, 이형 필름을 제거한 뒤, 130℃ 내지 170℃, 5초 내지 7초, 2 내지 5MPa 조건으로 가압, 가열하여 시편을 제조한다. 제조된 시편을 기계적 연마기(mechanical polisher) 또는 이온 밀러(ion-miller)로 연마하여 단면을 이미지를 확보한다. 상기 단면 이미지를 광학 현미경을 통해 분석하여, 제1 피접속부재의 표면, 구체적으로 제1 베이스 표면에 형성된 마루와 골의 높이 차이를 측정한 뒤, 상기 높이 차이가 1㎛ 이하인 경우 pass로 판정하고, 1㎛ 초과인 경우 fail로 판정한다.
또한, 상기 디스플레이 장치에 있어서, 상기 이방 도전성 필름이 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재 사이에서 압착된 후 측정된 초기 접속저항은 3Ω 이하일 수 있으며, 구체적으로 2.5 Ω 이하, 더욱 구체적으로 2 Ω 이하일 수 있다. 상기 압착하는 것은 가압착 및 본압착하는 것을 포함할 수 있으며, 상기 가압착 및 본압착 조건은 다음과 같을 수 있다.
가압착 조건 : 50℃ 내지 70℃, 1초 내지 3초, 1 내지 3MPa
본압착 조건 : 130℃ 내지 170℃, 5초 내지 7초, 2 내지 5MPa
상기 초기 접속저항을 측정하는 방법의 일 예는 다음과 같을 수 있다. 범프 면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드(ITO) 회로가 있는 유리 기판, 및 범프 면적 1200㎛2, 두께 1.5mm의 FPCB 사이에 이형 필름에 접착된 이방 도전성 필름을 위치시킨 후, 상, 하 계면 간을 50℃, 1초, 1MPa 조건으로 가압착한 후, 이형 필름을 제거한 뒤, 160℃에서 6초 동안 3MPa의 조건으로 가압, 가열하여 시편을 제조한다. 이렇게 제조된 시편을 Keithley社 2000 Multimeter를 사용하여, 4 point probe 측정방식으로 test current 1mA를 인가하여 초기 접속저항을 측정한다. 초기 접속저항이 상기 범위이면, 디스플레이 장치의 접속이 원활할 수 있다.
또한, 상기 디스플레이 장치에 있어서, 하기 식 1에 따른 상기 디스플레이 장치의 접속저항 증가율은 0% 초과 40% 이하일 수 있다.
[식 1]
접속저항 증가율(%) = [(B-A)/A]×100
상기 식 1에서, A는 상기 초기 접속저항이고, B는 상기 가압착 및 본압착 후 85℃ 및 85%의 상대습도에서 250시간의 신뢰성 평가 후 측정된 접속저항이다. 신뢰성 평가 후의 접속저항의 측정 방법은 상기 85℃ 및 85%의 상대습도에서 250시간 디스플레이 장치 시편을 방치한 것을 제외하고는, 동일한 방법으로 측정될 수 있다. 상기 범위이면, 디스플레이 장치가 장기간 사용되어도 이방 도전성 필름의 박리 등이 방지되어, 접속 신뢰성이 우수할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예 및 비교예
실시예 1
제1 도전성 입자 및 제2 도전성 입자
Ni로 이루어지고, 평균 입경이 2㎛인 구형이며, 30% K값이 12000 N/mm2 인 제1 도전성 입자, 및 폴리에틸렌 수지 입자에 Ni, Au를 순차적으로 도금된 구형의 표면을 가지며, 평균 입경이 5㎛이고, 30% K값이 2500 N/mm2 인 제2 도전성 입자로 구성된 도전성 입자를 준비하였다. 이 때, 제1 도전성 입자 및 제2 도전성 입자의 중량은 각각 도전성 입자 전체 중량을 기준으로 20 중량%, 80 중량%이다.
이방 도전성 필름의 제조
상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자로 이루어진 도전성 입자 7 중량%와 함께 우레탄 수지(중량 평균 분자량 20,000 내지 35,000g/mol, Tg:10℃) 70 중량%, 2-하이드록시-3-페녹시프로필 아크릴레이트 20 중량%, 유기 과산화물 3 중량%, 및 용매인 톨루엔을 자전공전식 믹서에 가하고 용해 분산시킨 후, 박리 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(이형 필름) 상에 도포한 후 60℃ 가열한 열풍 순환식 오븐으로 5분간 용매를 건조시켜 두께 35μm의 이방 도전성 필름을 수득하였다.
디스플레이 장치의 제조
상기 이방 도전성 필름 각각을 COF(제1 피접속부재, 피치 300㎛, 단자 폭 150㎛, 단자 간 거리 150㎛, 단자 높이 8㎛)와 PCB(제2 피접속부재, 피치 300㎛, 단자 폭 150㎛, 단자 간 거리 150㎛, 단자 높이 35㎛) 사이에 위치시킨 뒤, 하기 조건으로 가압착한 후, 이형 필름을 제거하고, 하기 조건으로 본압착하여 디스플레이 장치를 제조하였다.
1) 가압착 조건 : 50℃, 1초, 1MPa
2) 본압착 조건 : 160℃, 6초, 3MPa
실시예 2
실시예 1에 있어서, 상기 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자의 중량이 각각 도전성 입자 전체 중량을 기준으로 30 중량%, 70 중량%인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 실시예 2의 디스플레이 장치를 제조하였다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 상기 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자의 중량이 각각 도전성 입자 전체 중량을 기준으로 40 중량%, 60 중량%인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 실시예 3의 디스플레이 장치를 제조하였다.
실시에 4
실시예 1에 있어서, 상기 제1 도전성 입자 및 상기 제2 도전성 입자의 중량이 각각 도전성 입자 전체 중량을 기준으로 50 중량%, 50 중량%인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 실시예 4의 디스플레이 장치를 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 상기 제1 도전성 입자를 사용하지 않으며, 상기 제2 도전성 입자의 중량이 도전성 입자 전체 중량을 기준으로 100 중량%인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 비교예 1의 디스플레이 장치를 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제1 도전성 입자 및 제2 도전성 입자 외에 사용된 각 성분의 사양은 다음과 같다:
1) 바인더 수지 (우레탄 수지)
폴리올(폴리테트라메틸렌글리콜)을 60중량%, 1,4-부탄디올 13.53 중량%, 톨루엔디이소시아네이트 26.14 중량%, 하이드록시에틸메타크릴레이트의 0.3중량% 및 촉매로 사용되는 디부틸틴디라우레이트 0.03중량%를 사용하여 합성한다. 　먼저 폴리올과 1,4-부타디올 그리고 톨루엔디이소시아네이트를 반응시켜 말단에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 합성한다. 이렇게 합성한 말단에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머와 하이드록시에틸메타크릴레이트를 추가로 반응시켜 폴리우레탄 아크릴레이트 수지를 제조하였으며, 이때 하이드록시에틸 메타아크릴레이트/말단에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머 몰비 = 0.5로 진행하였다. 구체적인 반응 조건은 온도 90℃, 압력 1기압, 반응 시간 5시간, 디부틸틴디라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합 반응시켜, 중량 평균 분자량 20,000 내지 35,000g/mol인 폴리우레탄 아크릴레이트(Tg:10℃)를 제조하였다.
2) 경화성 화합물
2-하이드록시-3-페녹시프로필 아크릴레이트 (KARAYAD R-128H, 일본화약)
3) 경화 개시제
벤조일 퍼옥사이드(한솔)
상기 실시예 및 비교예에서 사용된 제1 도전성 입자 및 제2 도전성 입자의 중량비는 각각 다음 표 1과 같다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1
제1 도전성 입자 : 제2 도전성 입자 2:8 3:7 4:6 5:5 0:10
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 디스플레이 장치를 이용하여 하기와 같은 방법으로 실험하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 1
제1 피접속부재의 변형 확인
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 디스플레이 장치를 기계적 연마기(mechanical polisher)로 연마하여 단면을 이미지를 확보하였다. 상기 단면 이미지를 광학 현미경을 통해 분석하여, COF 표면에 형성된 마루와 골의 높이 차이를 측정한 데이터를 도출하였다. 측정된 데이터에서 상기 높이 차이가 1㎛ 이하인 경우 pass로 판정하고, 1㎛ 초과인 경우 fail로 판정하였다.
초기 접속저항 측정
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 디스플레이 장치마다 접속 저항을 4단자 측정 방법으로 각각 5회 측정한 후(ASTM F34-64T 방법에 준함), 그 평균값을 계산하였다.
접속 저항 증가율 측정
(1) 신뢰성 접속저항의 측정
상기 초기 접속 저항 측정을 완료한 디스플레이 장치들을 85℃, 습도 85%의 고온ㆍ고습 조건에 투입하고, 각 디스플레이 장치를 500 시간 후 꺼내어 접속 저항을 상기와 동일한 방법으로 측정하고, 그 평균값을 계산하였다.
(2) 접속저항 증가율
하기 식 1에 따라 접속저항 증가율을 계산하였다.
[식 1]
접속저항 증가율(%) = [(B-A)/A]×100
상기 식 1에서, A는 상기 초기 접속저항이고, B는 신뢰성 접속저항이다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1
제1 피접속부재의 변형 pass pass pass pass fail
초기 접속 저항(Ω) 2 2 2 4 2
신뢰성 평가 후 접속 저항(Ω) 3 3 3 5 10
접속 저항 증가율(%) 33.3 33.3 33.3 20 80
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 디스플레이 장치는 COF 표면의 마루와 골의 높이 차이가 1㎛ 이하이며 접속 저항 증가율이 33.3% 이하이다. 이와 더불어, 실시예 1 내지 3의 디스플레이 장치는 초기 접속 저항이 2Ω 으로 낮게 측정되었다.
반면, 비교예 1의 디스플레이 장치는 COF 표면의 마루와 골의 높이 차이가 1㎛를 초과하였으며, 접속 저항 증가율이 80%로 높게 측정되었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시예일뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (17)

  1. 바인더 수지;
    경화성 화합물;
    경화 개시제;
    제1 도전성 입자; 및
    제2 도전성 입자를 포함하며,
    상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 작으며,
    상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 상기 제2 도전성 입자의 30% k값보다 적어도 5,000N/mm2 더 큰 이방 도전성 필름이고,
    상기 이방 도전성 필름 중 상기 제1 도전성 입자의 중량과 상기 제2 도전성 입자의 중량의 비는 2:8 내지 5:5인 이방 도전성 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제2 도전성 입자의 평균 입경보다 적어도 1㎛ 더 작은 이방 도전성 필름.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 1㎛ 내지 3㎛인 이방 도전성 필름.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전성 입자의 30% K값은 10,000N/mm2 이상인 이방 도전성 필름.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전성 입자는 Au, Ag, Ni, Pb 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 혼합한 것으로 코팅된 실리카 또는 Au, Ag, Cu, Ni, Zr 및 땜납으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 혼합한 것으로 이루어진 이방 도전성 필름
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자의 평균 입경은 3㎛ 내지 8㎛인 이방 도전성 필름.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자의 30% K값은 5,000N/mm2 이하인 이방 도전성 필름.
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로,
    상기 바인더 수지를 30 내지 80 중량%;
    상기 경화성 화합물을 10 내지 55 중량%;
    상기 경화 개시제를 1 내지 10 중량%; 및
    상기 도전성 입자를 1 내지 20 중량%로 포함하는 이방 도전성 필름.
  10. 제1 전극을 포함하는 제1 피접속부재;
    상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극을 포함하는 제2 피접속부재; 및
    상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재 사이에 위치한 이방 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 제1 피접속부재는 가요성 기판이며,
    상기 제1 피접속부재의 표면은 마루와 골을 포함하는 굴곡진 면을 포함하며,
    상기 마루의 최고점과 상기 골의 최하점의 높이 차이는 1㎛ 이하인 디스플레이 장치이고,
    상기 이방 도전성 필름은 청구항 1 내지 청구항 7, 청구항 9 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 필름인 디스플레이 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 이방 도전성 필름이 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재 사이에서 50℃, 1초, 1MPa로 가압착되고, 160℃에서 6초 동안 3MPa로 본압착된 후 측정된 초기 접속저항은 3Ω 이하인 디스플레이 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    하기 식 1에 따른 상기 디스플레이 장치의 접속저항 증가율은 0% 초과 40% 이하인 디스플레이 장치.
    [식 1]
    접속저항 증가율(%) = [(B-A)/A]×100
    상기 식 1에서, A는 상기 초기 접속저항이고, B는 상기 가압착 및 본압착 후 85℃ 및 85%의 상대습도에서 250시간의 신뢰성 평가 후 측정된 접속저항이다.
  13. 삭제
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격과 동일한 디스플레이 장치.
  15. 청구항 10에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격보다 큰 디스플레이 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제2 피접속부재는 표면에 상기 제2 전극이 위치하는 베이스를 추가로 포함하며,
    상기 제2 도전성 입자의 평균 입경은 상기 제1 전극과 상기 베이스의 간격의 ±2㎛인 디스플레이 장치.
  17. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 피접속부재는 COF 또는 FPCB인 디스플레이 장치.
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