KR101809075B1 - Method of fabricating thin film transistor substrate and photoresist composition used therein - Google Patents

Method of fabricating thin film transistor substrate and photoresist composition used therein Download PDF

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KR101809075B1
KR101809075B1 KR20100135927A KR20100135927A KR101809075B1 KR 101809075 B1 KR101809075 B1 KR 101809075B1 KR 20100135927 A KR20100135927 A KR 20100135927A KR 20100135927 A KR20100135927 A KR 20100135927A KR 101809075 B1 KR101809075 B1 KR 101809075B1
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tft array
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전우석
강훈
김재성
강덕만
권경아
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삼성디스플레이 주식회사
메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

미세 패턴의 불량이 감소되고, 공정 시간이 단축된 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 포토레지스트 조성물이 제공된다. The defect of the fine pattern is reduced, and the process method of the TFT array panel shortening time and the photoresist composition used therein is provided. 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은, 기판 상에 도전성 물질로 이루어진 도전막을 형성하는 단계, 도전막 상에 포토레지스트 조성물로 이루어진 식각 패턴을 형성하는 단계 및 식각 패턴을 식각 마스크로 이용하여 도전막을 식각하여 도전막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 포토레지스트 조성물은 알카리 가용성 노불락 수지, 디아조나프토퀴논 화합물, 접착증가제 및 유기용제를 포함한다. Method of manufacturing a TFT array panel, the conductive etched by using the step of forming on a substrate a conductive film made of a conductive material, forming an etching pattern made of a photoresist composition on a conductive film and an etching pattern as an etch mask, the conductive film It comprised, including the film to form a pattern, wherein the photoresist composition comprises an alkali-soluble resin furnace Bullock, diazonaphthoquinone compounds, increase the adhesive and an organic solvent. 상기 접착증가제는, 아래 화학식 1로 표시되는, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 포토레지스트에 첨가하여 이루어진다. The adhesion promoters are, below, represented by formula (1) bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl ) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate is made by the addition of a photoresist.
[화학식 1] Formula 1
Figure 112010086426359-pat00003

Description

박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 포토레지스트 조성물{METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND PHOTORESIST COMPOSITION USED THEREIN} The photoresist composition is method of manufacturing a TFT array panel, and use this {METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND PHOTORESIST COMPOSITION USED THEREIN}

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세 패턴의 불량이 감소되고, 공정 시간이 단축된 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. The present invention method for manufacturing a TFT array panel and thus relates to a photoresist composition is used, and more particularly is reduced by the failure of the fine pattern, the process method for producing a shortened TFT array panel time and photoresist compositions used therein relate to.

표시 장치 회로 또는 반도체 집적 회로와 같은 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는 먼저 기판 상의 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포한다. In order to display circuit or to form a fine circuit pattern, such as a semiconductor integrated circuit is first uniformly coated or coated with a photoresist composition for an insulating film or a conductive metal film on the substrate. 이어서, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고 현상하여 목적하는 형상의 패턴을 만든다. Then, by exposing a photoresist coating composition under the presence of a mask pattern of a predetermined shape, and makes the developer to a target shape. 이후 마스크를 사용하여 금속막 또는 절연막을 에칭하고, 잔존하는 포토레지스트 막을 제거하여 기판 상에 미세회로를 형성시킨다. After etching the metal film or the insulating film by using the mask, thereby forming a fine circuit on a substrate by removing the remaining photoresist film.

한편, 전자 소자의 고성능화가 요구됨에 따라, 소자의 집적도가 증가되었고, 한정된 기판 상에 다수의 소자를 집적하기 위해서는 미세회로 패턴의 구현이 필요하였다. On the other hand, was the degree of integration of devices increases, the implementation of a fine circuit pattern was required to integrate a plurality of devices on a defined substrate in accordance with the high performance of the electronic device required. 이에 따라, 미세회로 패턴 형성시 사용되는 포토레지스트 조성물의 해상도 등을 향상시키려는 연구가 진행되어 왔다. Accordingly, a study to improve such a fine circuit pattern of photo resist composition, the resolution to be used upon formation has been in progress.

미세회로 패턴을 형성하기 위해서는, 포토레지스트 조성물이 향상된 감광속도, 잔막율, 현상 콘트라스트, 해상도, 고분자 수지의 용해성, 기판과의 접착력, 및 회로선폭 균일도(CD uniformity)를 가져야 한다. In order to form a fine circuit pattern, the photoresist composition to have an improved photospeed, residual coating film, development contrast, resolution, adhesion, and a circuit line width uniformity (CD uniformity) of the solubility of the polymeric resin substrate.

이에 의해, 미세회로 패턴의 형성시, 패턴의 불량이 감소될 수 있고, 공정 시간도 단축될 수 있다. As a result, it can be reduced in forming the fine circuit, failure of the pattern of the pattern, may also be shortened process time.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 미세 패턴의 불량이 감소되고, 공정 시간이 단축된 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공하는 것이다. Object of the present invention, a defect of the fine pattern is reduced, and to provide a method for producing the TFT array panel of the processing time shortened.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 감광속도, 잔막율, 현상 콘트라스트, 해상도 등이 향상된 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다. Another object of the present invention, the film speed, residual coating film, development contrast, resolution, etc. to provide an improved photoresist composition.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Not limited to the problem are the problems referred to above to be solved by the present invention, another problem that is not mentioned will be understood clearly to those skilled in the art from the following description.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은, 기판 상에 도전성 물질로 이루어진 도전막을 형성하는 단계, 상기 도전막 상에 포토레지스트 조성물로 이루어진 식각 패턴을 형성하는 단계 및 상기 식각 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도전막을 식각하여 도전막 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, The method of manufacturing a TFT array panel according to an embodiment of the present invention to achieve the problem to be solved by the steps of: forming on the substrate a conductive film made of a conductive material, an etch consisting of a photoresist composition on the conductive layer pattern by using a step and the etching pattern is formed as an etching mask for etching the conductive film comprising forming a conductive layer pattern,

상기 포토레지스트 조성물은, 알카리 가용성 노불락 수지, 디아조나프토퀴논 화합물, 접착증가제 및 유기용제를 포함한다. The photoresist composition includes the alkali-soluble resin furnace Bullock, diazonaphthoquinone compounds, increase the adhesive and an organic solvent.

상기 접착증가제는, 아래 화학식 1로 표시되는, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 포토레지스트에 첨가하여 이루어진다. The adhesion promoters are, below, represented by formula (1) bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl ) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate is made by the addition of a photoresist.

[화학식 1] Formula 1

Figure 112010086426359-pat00001

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the following description and drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방법으로 제조된 박막 트랜지스터 표시판의 레이 아웃도이다. Figure 1 is a layout of a TFT array panel produced by the method according to the first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 것이다. Figure 2 is an enlarged view of a portion A of FIG.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다. Figure 3 is a sectional view taken along a line A-A 'of FIG.
도 4 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 공정 단계별로 나타낸 단면도들이다. 4 to 11 are cross-sectional views showing a manufacturing method step by step of the TFT array panel according to a first embodiment of the present invention.
도 12는 비교예 1 및 실시예 1 내지 3에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 SEM 데이터 패턴을 나타낸 것이다. Figure 12 shows the SEM data, the pattern formed in the photoresist composition according to Comparative Example 1 and Examples 1-3.
도 13은 비교예 2 및 실시예 4 내지 6에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 SEM 데이터 패턴을 나타낸 것이다. Figure 13 shows the SEM data, the pattern formed in the photoresist composition according to Comparative Example 2 and Examples 4 to 6.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. Methods of accomplishing the advantages and features of the present invention and reference to the embodiments that are described later in detail in conjunction with the accompanying drawings will be apparent. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. However, the invention is not limited to the embodiments set forth herein be embodied in many different forms, only, and the present embodiments are to complete the disclosure of the present invention, ordinary skill in the art will to those provided to indicate that the full scope of the invention, the present invention will only be defined by the appended claims. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. The size and relative sizes of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of illustration.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. Element a case where it (elements) or layer is referred to as the other element or layer "above (on)", or "the (on)", as well as directly over the other element or layer through the other layer or the other element in the middle The all-inclusive. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. On the other hand, it indicates that the element is referred to as "directly above (directly on)" or "directly over" another element or layer is not interposed in the middle. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Like reference numerals throughout the specification refer to like elements. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. "And / or" comprises each and at least one all combinations of the mentioned items.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. As spatially relative terms a "down (below)", "down (beneath)", "bottom (lower)", "upper (above)", "top (upper)", etc. are shown in the drawings a a correlation with the element or component and another element or component relationships can be used to easily described. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. Spatially relative terms are to be in addition to the direction illustrated in the drawing understood to those containing the different directions of the device during use or operation.

본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. Embodiments described herein are described with reference to an ideal schematic plan view and a cross-sectional view of the present invention. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. Thus, a form of an exemplary view may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Thus, embodiments of the present invention is to not be limited to the illustrated specific forms include a change in the type produced according to the manufacturing process. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다. Thus, the regions illustrated in the figures has a shape of a schematic attributes, illustrated in the drawing area is for example a particular type region of the device, and are not intended to limit the scope of the invention.

이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to Figures 1 to 11, it will be described in detail a manufacturing method of a TFT array panel according to a first embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방법으로 제조된 박막 트랜지스터 표시판의 레이 아웃도이다. Figure 1 is a layout of a TFT array panel produced by the method according to the first embodiment of the present invention. 도 2는 도 1의 A부분을 확대한 것이다. Figure 2 is an enlarged view of a portion A of FIG. 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다. Figure 3 is a sectional view taken along a line A-A 'of FIG. 도 4 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 공정 단계별로 나타낸 단면도들이다. 4 to 11 are cross-sectional views showing a manufacturing method step by step of the TFT array panel according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 도 1내지 도 3를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조된 박막 트랜지스터 표시판은 매트릭스 형상으로 배열된 다수개의 화소 및 각 화소별로 구비된 다수개의 박막 트랜지스터를 포함한다. Referring first, see Fig. 1 to Fig. 3, the first embodiment on the TFT array panel prepared in accordance with embodiments of the present invention includes a plurality of thin film transistors each having a plurality of pixels arranged in a matrix and each pixel. 화소의 행 방향으로는 화소의 경계를 따라 연장된 다수의 게이트 배선(22)이 배열되어 있고, 화소의 열 방향으로는 화소의 경계를 따라 연장된 다수의 데이터 배선(62)이 배열되어 있다. In the row direction of pixels is a plurality of gate wiring lines 22 are arranged extending along the perimeter of the pixel, and the column to the pixel is the array of a plurality of data lines 62 extending along the perimeter of the pixel. 게이트 배선(22)과 데이터 배선(62)이 교차하는 영역에는 게이트 전극(24), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. Region to the gate wiring 22 and the data line 62 intersect, there is a thin film transistor is formed including a gate electrode 24, source electrode 65 and the drain electrode 66.

본 실시예의 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판(10) 상에 컬러 필터(131)가 형성되고, 컬러필터(131) 상에 게이트 배선 등의 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 AOC(Array On Color filter) 구조이거나, 박막 트랜지스터 어레이 상에 컬러필터(131)가 형성된 COA(Color filter On Array) 구조일 수 있으나 박막 트랜지스터 표시판의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. In this embodiment the thin film transistor panel has an insulating substrate 10, a color filter 131 is formed on, or a color filter 131, AOC (Array On Color filter) The thin film transistor array such as a gate wiring formed on the structure, the thin film Although the color filter 131 on the transistor array can be a COA (color filter on array) structure is formed, is not the structure of the TFT array panel is not limited thereto. 이하, AOC 구조의 박막 트랜지스터 표시판을 예로 들어 설명한다. It will now be described as a TFT array panel of the AOC structure as an example.

AOC 구조의 박막 트랜지스터 표시판은, 절연 기판(10)의 바로 위에 블랙 매트릭스(121)가 형성되어 있다. TFT array panel of the AOC structure, the black matrix 121 is formed directly on the insulating substrate 10. 블랙 매트릭스(121) 사이의 화소 영역에는 적색, 녹색, 청색의 컬러필터(131)가 순차적으로 배열되어 있다. Pixel regions between the black matrix 121 has a color filter 131 of red, green, and blue are sequentially arranged. 이러한 컬러필터(131) 상에는 이들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(136)이 형성될 수 있다. The overcoat layer 136 to flatten the level difference of these formed on these color filters 131 may be formed.

오버코트층(136) 상에는 게이트선(22), 게이트 전극(26) 및 스토리지 배선(28)을 포함하는 게이트 배선, 게이트 절연막(30), 반도체층(40), 오믹 콘택층(55, 56), 및 데이터선(62), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. A gate line formed on the overcoat layer 136 (22), the gate electrode 26 and the storage line 28, the gate wire, the gate insulating film 30, semiconductor layer 40, the ohmic contact layer (55, 56) including, and the data line 62, a data line is formed of a source electrode 65 and the drain electrode 66. 데이터 배선 상부에는 콘택홀(76)을 구비하는 보호막(70)이 형성되어 있고, 보호막(70) 상부에는 화소 전극 패턴(84, 85)이 배치된다. The data line has a upper protection film (70) having a contact hole 76 is formed, the protective film 70, the upper part is arranged a pixel electrode pattern (84, 85).

화소 전극 패턴(84, 85)은 투명 도전성 물질, 예를 들어 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. A pixel electrode pattern 84 and 85 may be formed of a transparent conductive material, such as ITO or IZO. 본 실시예의 화소 전극 패턴(84, 85)은 다수의 미세 전극(84)과 미세 전극(84) 사이에 형성된 미세 슬릿(85)으로 이루어진다. In this embodiment the pixel electrode pattern 84 and 85 is formed of a micro-slit (85) formed between the plurality of micro electrodes 84 and the microelectrode (84). 구체적으로 본 실시예의 화소 전극 패턴(84, 85)은 예를 들어 화소 영역을 4등분하는 십자 형상의 주 골격, 이 주 골격으로부터 화소 영역의 외곽측으로 향하는 사선으로 형성된 다수의 미세 전극(84), 및 다수의 미세 전극(84) 사이에는 배치된 다수의 미세 슬릿(85)으로 이루어진다. Specifically, in this embodiment the pixel electrode pattern 84 and 85, for example, a plurality of micro-electrodes (84) formed in an oblique directed toward the outside of the pixel area from the main skeleton, the main skeleton of the cross-shaped to quarter pixel regions, and it comprises a plurality of microelectrodes (84) a plurality of fine slits (85) disposed between. 사선 방향으로 형성된 다수의 미세 전극(84)은 화소 영역의 중심으로부터 서로 다른 4 방향으로 형성될 수 있다. A plurality of microelectrodes 84 are formed in an oblique direction can be formed in different four directions from the center of the pixel region. 이에 따라 액정 표시 장치에 구동 전원 인가 시 액정(미도시)은 서로 다른 4 방향으로 배향된다. Thereby (not shown), the liquid crystal upon application of driving power to the liquid crystal display device is oriented in four directions different.

미세 전극(84)의 폭은, 화소 전극 패턴(84, 85)의 중심부 즉, 미세 전극(84)이 십자 형상의 주 골격과 접하는 지점과 화소 영역의 외곽부에서 동일하거나 다를 수 있다. The width of the micro-electrode 84, i.e. the center of the pixel electrode pattern 84 and 85, the micro-electrode 84 may be the same or different from the outer part of the contact with the main skeleton of the cross-shaped branch to the pixel area. 미세 전극(84)의 폭이 화소 영역 전체에 걸쳐 동일한 경우, 미세 슬릿(85)의 폭(w1)은 2 내지 5㎛일 수 있다. If the width of the micro-electrode 84, the same over the entire pixel region, the width (w1) of the micro slits 85 can be 2 to 5㎛. 도시하지는 않았으나, 본 실시예의 박막 트랜지스터 표시판의 상부에 배치되는 공통 전극 표시판은 패터닝되지 않은 공통 전극을 포함할 수 있다. Although not shown, a common electrode panel is placed on top of the thin film transistor display panel of this embodiment can include a non-patterned common electrode. 따라서, 화소 전극 패턴(84, 85)이 액정(미도시)의 배향을 조절하며, 미세 슬릿(85)의 폭(w1)이 5㎛를 초과하는 경우 액정의 응답 속도가 저하될 수 있다. Thus, adjusting the orientation of the pixel electrode pattern 84 and 85 is a liquid crystal (not shown), and a liquid crystal response speed can be reduced when the width (w1) of the micro-slits (85) are larger than 5㎛. 또한, 노광기의 해상도의 제한을 받아 미세 슬릿(85)의 폭(w1)을 2㎛ 미만으로 조절하기는 어려울 수 있다. Further, it may be difficult to get the limited resolution of the exposure system to adjust the width (w1) of the micro-slits (85) to less than 2㎛.

도 4 및 도 11을 참조하면, 박막 트랜지스터 표시판을 제조하기 위하여 먼저, 절연 기판(10)을 제공한다. 4 and 11, provides a first, insulating substrate (10) in order to produce the TFT array panel.

절연 기판(10)은 소다석회유리(soda lime glass) 또는 보로 실리케이트 유리 등의 유리 기판 또는 예를 들어 폴리에테르 술폰 및 폴리카보네이트 등의 플라스틱으로 이루어질 수 있다. Insulating substrate 10 may be made of plastic, such as soda-lime glass (soda lime glass) or borosilicate glass and the like of the glass substrate, or for example, polyethersulfone, and polycarbonate. 또한, 절연 기판(10)은 예를 들어 폴리 이미드 등으로 이루어진 가요성 기판(flexible substrate)일 수 있다. In addition, it can be an insulating substrate 10, for example, poly-Is have already been made by such as de-magnetic substrate (flexible substrate).

절연 기판(10)은 하나의 액정 표시 장치에 이용되는 단위 박막 트랜지스터 표시판에 상응하는 사이즈일 수도 있으나, 하나의 절연 기판(10)에서 다수의 박막 트랜지스터 표시판이 제조되는 대형 기판일 수 있다. An insulating substrate (10) may be a size corresponding to the unit thin-film transistor panel used for a liquid crystal display device, on one insulating substrate 10, a plurality of TFT array panel can be a large-size substrate to be produced.

이어서, 절연 기판(10) 상에 크롬(Cr), 또는 크롬 산화물(CrO x ) 등의 불투명 물질을 증착하고 패터닝하여 블랙 매트릭스(121)를 형성한다. Subsequently, by depositing a non-transparent material, such as chromium (Cr), or chromium oxide (CrO x) on an insulating substrate 10 and patterned to form the black matrix (121). 이어서, 블랙 매트릭스(121) 상부 및 블랙 매트릭스(121)에 의해 노출된 절연 기판(10)의 전면에 예를 들어 감광성 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 적색, 녹색 및 청색 컬러필터(131)를 형성한다. Then, a black matrix 121, the upper and the black matrix 121, an insulating substrate 10, the front, for example coated with a photosensitive resist, exposing and developing the red, green and blue color filters 131 in the exposure by the forms. 이어서 블랙 매트릭스(121) 및 컬러필터(131) 상에 오버코트층(136)을 형성한다. Then be on the black matrix 121 and color filter 131 is formed an overcoat layer (136).

이어서, 도 4를 참조하면, 오버코트층(136) 상에 게이트 배선용 도전막(20)을 적층한 후, 이를 패터닝하여 게이트선(22), 게이트 전극(26), 스토리지 배선(28)을 포함하는 게이트 배선을 형성한다. Subsequently, 4, and then laminating a gate wiring conductive film 20 on the overcoat layer 136, and patterned to a gate line 22, a gate electrode 26, a storage wiring (28) a gate wiring. 게이트 배선의 형성 시 이용되는 포토레지스트 패턴(200)은 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 이용할 수 있다. The photoresist pattern 200 that is used during the formation of the gate wiring may utilize a photoresist composition according to the second embodiment of the present invention. 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토레지스트 조성물 에 대해서는 후술한다. It will be described later in the photoresist composition according to the second embodiment of the present invention. 여기서, 게이트선(22), 게이트 전극(26), 및 스토리지 배선(28)을 포함하는 게이트 배선을 형성하기 위해, 예를 들어 스퍼터링법(sputtering)을 이용하여 도전막(20)을 형성할 수 있다. Here, the gate line 22, a gate electrode 26, and a storage line (28) to form a gate wire including a, for example, by using a sputtering method (sputtering) to form a conductive layer 20 have. 스퍼터링은 200℃ 이하의 저온 공정에서 수행하며, 이어서, 이들 도전막(20) 상에 포토레지스트 패턴(200)을 형성하고 이를 식각 마스크로 이용하여 도전막(20)을 습식 식각 또는 건식 식각하여 패터닝한다. Sputtering and carried out at a low temperature process below 200 ℃, Next, the conductive film 20 onto the photo-resist pattern 200 for formation, and this conductive film 20 using as an etching mask, wet etching or dry etching is patterned do. 습식 식각의 경우, 인산, 질산, 초산 등의 식각액을 사용할 수 있다. In the case of wet etching, the etchant may be used, such as phosphoric acid, nitric acid, acetic acid.

게이트 배선은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다. Gate wiring is of aluminum metal of the aluminum-based, such as (Al) and an aluminum alloy, silver (Ag) and a silver alloy, such as a metal of the copper-based metal, copper (Cu) and copper alloys of the series, molybdenum (Mo) and a molybdenum alloy, etc. It may be formed of a molybdenum-based metal, chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta) or the like. 또한, 게이트 배선은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. Further, the gate wirings may have a multi-layer structure including the physical properties of different two conductive films (not shown). 이 중 한 도전막은 게이트 배선의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. Of which a conductive film is, for example, a metal, a low specific resistance (resistivity) to reduce a signal delay or voltage drop in the gate wire of aluminum-based metal, it is formed of a metal-based, copper-based metal or the like. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 산화 아연(ZnO), ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. In contrast, it consists of a different conductive layer different materials, in particular zinc oxide (ZnO), ITO (indium tin oxide) and IZO (indium zinc oxide) having excellent contact characteristics with material, such as a molybdenum-based metal, chromium, titanium, tantalum or the like. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. A good example of such a combination may be mentioned chromium lower layer and an upper aluminum layer and the lower aluminum film and the upper molybdenum layer. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 형성될 수 있다. However, the invention is not limited to this, and the gate wiring may be formed of a variety of various metals and conductive.

이어서, 도 5를 참조하면, 화학적 기상증착법 또는 스퍼터링법 (sputtering)을 이용하여 절연 기판(10) 및 게이트 배선 상에 질화규소(SiNx) 또는 산화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)을 형성한다. Then, 5, forms a chemical vapor deposition or sputtering (sputtering), the gate insulating film 30 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide or the like onto the insulating substrate 10 and the gate wiring by using a.

이어서, 도 6을 참조하면, 예를 들어, 화학 기상 증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 게이트 절연막(30) 상에 수소화 비정질 규소 또는 다결정 규소 등을 증착하여 액티브층(40)을 형성한다. Next, FIG. 6, for example, by using a chemical vapor deposition method or sputtering deposition of hydrogenated amorphous silicon or polycrystalline silicon, etc. on the gate insulating film 30 to form the active layer 40. 이후, 액티브층(40) 상에 예를 들어, 화학 기상 증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소를 적층하여 오믹층(50)을 형성한다 Thereafter, for example, using a chemical vapor deposition method or a sputtering method silicide or n-type impurity is doped at a high concentration n + hydrogenated amorphous silicon stacked on the active layer 40 to form an ohmic layer 50

이후, 액티브층(40)과 오믹층(50) 상에 포토레지스트 패턴(200)을 형성하고 이를 식각 마스크로 이용하여 액티브층(40)과 오믹층(50)을 패터닝한다. Thereafter, forming the active layer 40 and ohmic layer a photoresist pattern 200 on the 50 and use them as an etching mask to pattern the active layer 40 and ohmic layer 50. 이에 의해, 액티브층 패턴(도 7의 44참조)과 오믹층 패턴(도 7의 54 참조)이 형성된다. As a result, (see 44 of Fig. 7), the active layer pattern and the ohmic layer pattern (see FIG. 7 54) are formed. 액티브층 패턴(44)에서 '액티브'란 구동 전류 인가시 전기적 특성을 가지게 되는 활성 물질을 의미하며, 반도체 및 금속 산화물 등을 모두 포함한다. It means that the active material is "active" means to have the electrical properties upon application of the drive current in the active layer pattern 44, and includes both a semiconductor and a metal oxide.

액티브층 패턴(44) 및 오믹층 패턴(54) 형성에 이용되는 식각은 각각 별도의 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다. An active layer pattern 44, and five etching used in mikcheung pattern 54 formed may utilize a separate wet etch or dry etch, respectively. 습식 식각의 경우 불산(HF), 황산, 염산 및 이들의 조합에 탈이온수를 혼합한 식각액을 사용할 수 있다. In the case of wet etching hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid may be used hydrochloric acid and an etching solution mixed with de-ionized water in a combination of the two. 건식 식각의 경우, 불소 계열의 식각 가스, 예를 들어 CHF 3 , CF 4 등을 사용할 수 있다. In the case of dry etching, the etching gas of the fluorine series, for example, may be used, such as CHF 3, CF 4. 구체적으로 불소 계열의 식각 가스에 Ar 또는 He이 함유된 식각 가스를 사용할 수 있다. Specifically, there can be used an etching gas is Ar or He contained in the etching gas of the fluorine series.

이어서, 도 7 및 8을 참조하면, 예를 들어, 화학 기상 증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 Ni, Co, Ti, Ag, Cu, Mo, Al, Be, Nb, Au, Fe, Se, 또는 Ta 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막으로 이루어진 데이터 배선용 도전막(60)을 증착한다. Then, with reference to Figures 7 and 8, for example, using a chemical vapor deposition method or sputtering Ni, Co, Ti, Ag, Cu, Mo, Al, Be, Nb, Au, Fe, Se, or Ta, etc. a single film or a data wiring conductive film 60 made of a multi-layer consisting of deposited.

다중막의 예로는 Ta/Al, Ta/Al, Ni/Al, Co/Al, Mo(Mo 합금)/Cu 등과 같은 이중막 또는 Ti/Al/Ti, Ta/Al/Ta, Ti/Al/TiN, Ta/Al/TaN, Ni/Al/Ni, Co/Al/Co 등과 같은 삼중막이 예시될 수 있다. Multi-layer examples are Ta / Al, Ta / Al, Ni / Al, Co / Al, Mo (Mo alloy) / Cu bilayers or Ti / Al / Ti, Ta / Al / Ta, Ti / Al / TiN, such as, such as Ta / Al / TaN, Ni / Al / Ni, Co / Al / Co may be a triple film like. 이어서, 데이터 배선용 도전막(60) 상에 포토레지스트 패턴(200)을 형성하고, 포토레지스트 패턴(200)을 식각 마스크로 이용하여 데이터 배선용 도전막(60)을 식각하여 데이터 배선(62, 65, 66)을 형성한다. Then, by forming a data wiring conductive film photoresist pattern 200 on the 60, using the photoresist pattern 200 as an etching mask, etching the data wiring conductive film 60, the data line (62, 65, 66) to form a. 이러한 식각은 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다. This etching may use wet etching or dry etching. 습식 식각의 경우 인산, 질산 및 초산의 혼합액, 불산(HF) 및 탈이온수(deionized water)의 혼합액 등의 식각액을 사용할 수 있다. In the case of wet etching it can be used etching liquid of a mixed solution such as a phosphoric acid, a mixture of nitric acid and nitric acid, hydrofluoric acid (HF) and deionized water (deionized water). 이때, 데이터 배선용 도전막(60)을 식각하는 포토레지스트 패턴(200)을 사용하여 오믹층 패턴(54)을 식각하여 분리시킨다. At this time, by using the photoresist pattern 200 for data wiring etching the conductive film 60 is separated by etching the ohmic layer pattern 54. 이에 의해, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)과 오버랩 되도록 오믹 콘택층 패턴(55, 56)이 형성된다. Thereby, the forming the ohmic contact layer patterns 55 and 56 is such that overlaps the source electrode 65 and drain electrode 66.

상기 식각에 의해 데이터 배선(62, 65, 66)은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(62)과, 데이터선(62)으로부터 가지(branch) 형태로 분지되어 액티브층 패턴(44)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65)과, 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26) 또는 박막 트랜지스터의 채널부를 중심으로 소스 전극(65)과 대향하도록 액티브층 패턴(44) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다. A data line (62, 65, 66) by the etching is formed in the longitudinal direction of the gate line 22 branches (branch) from the data line 62 and data line 62, to define a pixel by crossing the form source, which is branched and extends to the top of the active layer pattern 44, electrode 65, and is separated from the source electrode 65 and faces the gate electrode 26 or the channel parts of the heart as a source electrode 65 of the thin film transistor to a drain electrode 66 is formed over the active layer pattern 44.

도 9를 참조하면, 액티브층 패턴(4) 및 데이터 배선(62, 65, 66, 67) 상에 보호막(70)을 형성한다. 9, to form a protective film 70 on the active layer pattern 4 and the data line (62, 65, 66, 67). 이어서, 보호막(70)에 포토레지스트 패턴(200)을 형성하고 이를 이용한 식각공정을 통해 드레인 전극(66)을 노출시키는 콘택홀(76)을 형성한다. Then, to form a contact hole 76 exposing the drain electrode 66 through an etching process to form a photoresist pattern 200, the protective film 70, and using the same.

이어서, 도 10을 참조하면, 예를 들어 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전체 또는 반사성 도전체로 이루어진 화소 전극용 도전막(80)을 형성한다. Next, Referring to FIG. 10, for example, a transparent conductor or the conductive reflective pixel electrode conductive layer (80) consisting of body, such as ITO, IZO. 화소 전극용 도전막(80)은 예를 들어 스퍼터링을 이용하여 증착할 수 있다. The conductive film 80 for the pixel electrode may contain deposited using sputtering, for example.

이어서, 도 11을 참조하면, 스프레이법, 롤코터법, 회전도포법 등을 이용하여 포토레지스트 조성물을 화소 전극용 도전막(80) 상에 도포할 수 있다. It can then be applied onto Referring to Figure 11, a spray method, a roll coater Metric, rotary coating method or the like for the photoresist composition a pixel electrode conductive layer 80 for use.

이어서, 도포된 포토레지스트 조성물을 105℃의 온도에서, 1~5분간 소프트 베이크(soft bake) 포토레지스트 조성물에 함유된 용매를 제거한다. Then, the applied photoresist composition at a temperature of 105 ℃, to remove the solvent contained in 1-5 minutes soft bake (soft bake) the photoresist composition. 이에 의해, 포토레지스트막이 형성된다. Thereby, the film is a photoresist is formed. 이후, 포토레지스트막이 소정의 패턴 형상을 갖도록 365nm 내지 435nm 의 파장을 갖는 자외선을 포토레지스트막에 조사한다. Then, the photoresist film so as to have a predetermined pattern is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 365nm to 435nm in the photoresist film. 이후, 포토레지스트막이 형성된 기판(10)을 현상액에 침지하여 자외선이 조사된 부분을 제거하여 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한다. Then, the photoresist film is immersed in a substrate 10 formed in a developer to remove a portion of the ultraviolet light is irradiated to form a desired photoresist pattern.

이때, 현상액은 알칼리 수용액, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 등의 무기 알칼리류; At this time, the developing solution is an inorganic alkali such as an aqueous alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; Primary amines such as ethylamine, n- propylamine; 디에틸아민, n-프로필아민 등의 2급 아민류; Secondary amines such as diethylamine, n- propylamine; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류; Tertiary amines such as trimethyl amine, methyl diethyl amine, dimethyl ethyl amine, triethyl amine; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜아민류; Dimethyl ethanol amine, methyl diethanol alcohol amines, such as, triethanolamine; 또는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액 등을 사용할 수 있다. Or the like can be used, tetramethylammonium hydroxide, an aqueous solution of a quaternary ammonium salt such as tetraethyl ammonium hydroxide.

이어서, 도 11을 참조하면, 포토레지스트막을 초순수로 30 ~ 90 초간 세정하여 불필요한 부분을 완전히 제거하고, 건조하여 식각 패턴(200)을 형성할 수 있다. Then, it is possible to refer to Figure 11, when the photoresist film with ultra pure water cleaning 30-90 seconds to remove unnecessary portions completely and dried to form an etching pattern 200.

본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조에 사용되는 포토레지스트 조성물은, 알카리 가용성 노불락 수지, 디아조나프토퀴논 화합물, 접착증가제 및 유기용제를 포함하되, 상기 접착증가제는, 아래 화학식 1로 표시되는, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 포토레지스트에 첨가하여 이루어진다. The photoresist composition used in the production of the TFT array panel according to an embodiment of the present invention, comprising an alkali-soluble furnace Bullock resins, diazonaphthoquinone compounds, increase adhesive agent and an organic solvent, increase the adhesion agent is, under the bis represented by the general formula (1) (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl ] methyl] made by the addition of butyl malonate in the photoresist.

[화학식 1] Formula 1

Figure 112010086426359-pat00002

상기 조성을 가지는 식각 패턴(200)의 도포 두께(d1)는 1 내지 2㎛일 수 있다. The coating thickness (d1) of the etching pattern 200 having the above composition may be from 1 to 2㎛. 식각 패턴(200)의 도포 두께(d1)가 2㎛를 초과하는 경우 노광량 및 현상 시간이 증가할 수 있어 패턴 형상이 역 테이퍼(reverse taper)를 가질 수 있다. The coating thickness (d1) of the etching pattern 200 can be the amount of exposure and the developing time is increased if it exceeds 2㎛ a pattern shape may have a reverse taper (reverse taper). 즉, 식각 패턴(200)의 패턴 프로파일이 저하될 수 있다. That is, a pattern profile of the etching pattern 200 can be lowered. 이에 의해, 미세한 회로 선폭 등의 제조가 어려워질 수 있다. As a result, the production of fine circuit line width may be difficult. 또한, 노광량이 증가되고, 감광속도가 저하될 수 있다. Further, the exposure amount is increased, and the film speed can be lowered. 이에 의해, 식각 패턴(200)의 해상도가 저하될 수 있고, 공정 시간이 증가하게 될 수 있다. As a result, the resolution of the etching pattern 200 may be degraded, it may be an increase in processing time. 식각 패턴(200)의 도포 두께(d1)가 1㎛ 미만인 경우 포토레지스트 조성물이 도포되지 않은 부위가 형성될 수 있어 패터닝 불량을 야기할 수 있다. If the coating thickness (d1) of the etching pattern 200 is less than 1㎛ can be formed in the photoresist composition is not the application site can result in patterning defects. 즉, 잔막률이 저하되어, 식각 패턴(200)에 의해 식각되지 않아야 하는 부분까지 식각 될 수 있다. That is, the residual film ratio is lowered, may be etched until the parts that should not be etched by the etching pattern 200.

이어서, 도 2 및 도 3를 참조하면, 식각 패턴(200)을 식각 마스크로 이용하여 화소 전극용 도전막(80)을 식각하여 화소 전극 패턴(84, 85)을 형성한다. Then, if 2 and FIG. 3, to form a pixel electrode by etching the conductive film (80) using the etching pattern 200 as an etch mask, a pixel electrode pattern (84, 85).

본 실시예에 의할 경우, 감광속도, 잔막률, 기판과의 접착성, 회로 선폭의 균일도 등이 향상된 후술할 제2 실시예의 포토레지스트 조성물을 이용함으로써, 우수한 패턴의 미세 전극(84)을 포함하는 화소 전극 패턴(84, 85)을 형성할 수 있다. If in the present embodiment, includes the film speed, residual film ratio, by using the second embodiment of the photoresist composition to be improved it will be described later uniformity, etc. of the adhesive, the circuit line width of the substrate, the micro-electrode 84 of the high pattern a pixel electrode pattern (84, 85) that can be formed.

화소 전극 패턴(84, 85)을 형성한 이후, 스트리퍼를 이용하여 식각 패턴(200)을 제거한다. After forming the pixel electrode pattern (84, 85), using a stripper to remove the etching pattern 200. 이에 의해, 본 발명의 제1 실시예에 따라 박막 트랜지스터 표시판이 완성된다. As a result, the TFT array panel is completed in accordance with a first embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예에 따라 고정밀(High-definition) 패턴 공정, 즉 미세 가지(197)나 미세 슬릿(199)의 폭을 약 5um 이하로 형성하는 공정이 간략히 설명된다. Hereinafter, the process of forming the width of the high-accuracy (High-definition) patterning process, i.e., fine branches 197 or micro slits 199 to about 5um or less are briefly described according to an embodiment of the invention. 하부층 위에 화소 전극층으로 형성되는 도전성 금속이 증착 또는 코팅된다. The conductive metal is formed in a pixel electrode layer over the lower layer is deposited or coated. 도전성 금속 위에 감광성 포토레지스트(PR)가 코팅된다. A photosensitive photoresist (PR) is coated on the conductive metal. 감광성 포토레지스트(PR)는 사진식각(photo-lithography) 공정에 의해 화소 전극층의 패턴과 유사한 패턴을 갖는다. Photosensitive photoresist (PR) has a pattern similar to the pattern of the pixel electrode layer by photolithography (photo-lithography) process. 미세 가지(197)들 또는 미세 슬릿(199)들의 폭들이 매우 작기 때문에 이때 형성된 포토레지스트(PR)의 패턴은 포토레지스트(PR)의 잔여물(residue)를 갖거나 일부 불량 패턴을 가질 수 있다. Since micro branches 197 or width are very small of micro slits 199. The pattern of the photoresist (PR) can have a residue (residue) of the photoresist (PR), or have some bad pattern. 이것을 개선하기 위해 애싱(ashing)공정, 또는 건식식각(dry etching)공정이 행해질 수 있다. This in order to improve this, an ashing (ashing) process, or dry etching (dry etching) process can be performed. 이후 도전성 금속은 식각되고, 포토레지스트(PR)가 제거된 뒤 화소전극층의 패턴이 형성된다. Since the conductive metal is etched, the photoresist pattern of the pixel electrode layer is formed after the (PR) has been removed.

본 발명의 실시예에 따라 하부막과의 접착성을 좋게 하여 고정밀 패턴을 구현하기 위해 감광성 포토레지스트(PR)는 접착증가제(adhesion promoter), 즉 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트(Bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]methyl]butylmalonate))을 포함할 수 있다. Example photosensitive photoresist (PR) in order to improve and implement a high-precision pattern to adhesion with the lower layer according to the present invention increases the bonding (adhesion promoter), i.e., bis (1,2,2,6,6- Pieper-pentamethyl-4-piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate (bis (1,2,2,6,6 -pentamethyl-4-piperidinyl) - a [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butylmalonate)) it can be included. 즉, 감광성 포토레지스트는 메트릭스(matrix)로서 약 15wt% ~ 25wt%, 보다 바람직하게는 약 20wt의 크레졸 노불락수지와, 약 3wt% ~ 7wt%, 보다 바람직하게는 약 5wt%의 감광제(photo-sensitizer), 및 접착증가제(adhesion promoter)로서 약 0.1 wt% ~ 약 10wt%의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트을 포함하는 고형물을 용매, 예를 들어, 약 65wt% ~ 약 74.95wt%의 폴리 2 글리시딜 메타아크릴레이트(poly (2-glycidyl methacrylate), PGMEA)에 용해시켜 제조될 수 있다. That is, a photosensitive photoresist is a matrix (matrix) of about 15wt% ~ 25wt%, and more preferably with no-cresol resin of about 20wt Bullock, about 3wt% ~ 7wt%, more preferably, a photosensitive agent (photo- of about 5wt% sensitizer), and adhesion promoters (adhesion promoter), from about 0.1 wt% ~ of bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl Pieper about 10wt% a) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl words, the solvent, for example, solids, about 65wt% ~ 2 when poly glycidyl about 74.95wt% dill methacrylate containing neyiteueul (poly (2-glycidyl methacrylate), dissolved in PGMEA) may be prepared.

크레졸 노불락수지는 약 7,000 중량평균 분자량 ~ 약 9,000 중량평균 분자량(weight-average molecular weight)을 가질 수 있고, 메타 크레졸과 파라 크래졸비가 약 6:4로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매 하에서 축합반응(condensation reaction)에 의해 제조될 수 있다. Cresol furnace Bullock resin may have an about 7,000 weight average molecular weight to about 9000 weight average molecular weight (weight-average molecular weight), meta-cresol and para greater raejol ratio of about 6: a cresol monomer (monomer) mixed in a 4 with formaldehyde a it can be prepared by a condensation reaction (condensation reaction) under the oxalic acid catalyst.

감광제(photo-sensitizer)는 2,3,4,4'-테트라하드록시벤조페논(2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone)와 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응에 의해 제조된 화합물이거나, 4, 4', 4”-에틸리딘트리스페놀(4, 4', 4,”-Ethylidyne tris phenol)와 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응에 의해 제조된 화합물일 수 있다. Photosensitizer (photo-sensitizer) is 2,3,4,4'- tetrahydro hard hydroxy benzophenone (2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone) and 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride ( naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride) or the compounds prepared by a condensation reaction of the compound, 4,4 ', 4 "- tris phenol ethylidine (4, 4', 4" - tris Ethylidyne phenol) and a naphthoquinone It can be a 1,2-dia map 5-chroman alcohol ponnil fluoride (1.2-Naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compounds prepared by a condensation reaction of a compound. 이와 같은 조성물을 갖는 포토레지스트(PR)는 하부막과의 밀착성이 좋기 때문에 사진식각(photo-lithography) 공정에서 고정밀 패턴이 형성될 수 있다. The photoresist (PR) with the same composition has a high precision pattern in a photolithography (photo-lithography) process can be formed due to good adhesion to the lower layer.

이하, 구체적인 실험예를 참조하여, 상기한 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 더욱 상세히 설명한다. Below with reference to specific experimental examples, a description of the photoresist composition according to the above embodiment in more detail. 다만, 하기 실험예에 의하여 본 발명의 기술적 사상이 한정되는 것은 아니다. However, it not limited to the technical features of the present invention according to the following experimental examples.

비교예 1 Comparative Example 1

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 60 :40으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 9,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 감광제 화합물로서 2,3,4,4'테트라하드록시벤조펜원(2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 고형물을 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다. Meta-cresol and para greater raejol ratio 60: a weight-average molecular weight of 9,000 cresol furnace Bullock resin 20% by weight of a photosensitizer compound prepared by a cresol monomer (monomer) and a formaldehyde mixed with 40 to condensation reaction in the oxalic acid catalyst 2,3 , the 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound 4,4 'tetra hard hydroxybenzo penwon (2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone) by dissolving the solid consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained by the condensation reaction in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition.

실시예 1 Example 1

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 60 :40으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 9,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 감광제 화합물로서 2,3,4,4'테트라하드록시벤조펜원(2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 0.1중량% 를 첨가한 후 고형물을 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다. Meta-cresol and para greater raejol ratio 60: a weight-average molecular weight of 9,000 cresol furnace Bullock resin 20% by weight of a photosensitizer compound prepared by a cresol monomer (monomer) and a formaldehyde mixed with 40 to condensation reaction in the oxalic acid catalyst 2,3 , the 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound 4,4 'tetra hard hydroxybenzo penwon (2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone) of formula (1) to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained by the condensation reaction of bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1- methylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] it was dissolved after addition of 0.1% by weight of the solids-butyl malonate in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition.

실시예 2 Example 2

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 60 :40으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 9,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 감광제 화합물로서 2,3,4,4' 테트라하드록시벤조펜원(2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 1중량% 를 첨가한 후 고형물을 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다. Meta-cresol and para greater raejol ratio 60: a weight-average molecular weight of 9,000 cresol furnace Bullock resin 20% by weight of a photosensitizer compound prepared by a cresol monomer (monomer) and a formaldehyde mixed with 40 to condensation reaction in the oxalic acid catalyst 2,3 , the 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound 4,4 'tetra hard hydroxybenzo penwon (2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone) of formula (1) to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained by the condensation reaction of bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1- methylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] was dissolved was added to 1% by weight of the solids-butyl malonate in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition.

실시예 3 Example 3

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 60:40으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 9,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 감광제 화합물로서 2,3,4,4' 테트라하드록시벤조펜원(2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드(Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 10중량% 를 첨가한 후 고형물을 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다. As meta-cresol and para greater raejol a weight average molecular weight of 9,000 cresol furnace Bullock resin 20% by weight of a photosensitizer compound prepared by the ratio of cresol monomers (monomer) and a formaldehyde mixed in a 60: 40 in the condensation reaction in the oxalic acid catalyst 2,3 , the 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound 4,4 'tetra hard hydroxybenzo penwon (2,3,4,4'-tetrhydroxybenzophenone) of formula (1) to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained by the condensation reaction of bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1- methylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] it was dissolved after addition of 10% by weight of the solids-butyl malonate in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition.

이러한 감광성 수지를 IZO 기판 위에 스핀 코팅한 후 니콘 FX-601(NA=0.1)을 이용하여 노광하고 2.38% TMAH 수용액으로 현상 후 130도씨에서 베이킹하고, 에칭한 후 SEM으로 밀착성을 검사한다. After this photosensitive resin was spin coated onto the IZO substrate Nikon FX-601 and then exposed using the (NA = 0.1), and a baking and standing 130 dossie developed with 2.38% TMAH aqueous solution etched to examine the adhesion between the SEM.

비교예 2 Comparative Example 2

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 40:60으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 7,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 4,4',4”-에틸리딘트리스페놀 (4,4',4”-Ethylidyne tris phenol)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드 (Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride) 화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 고형물을 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다. Meta-cresol and para-cresol greater raejol ratio of 40: 60 mixed with a monomer (monomer) and the form of a cresol aldehyde prepared by the condensation reaction in the oxalic acid catalyst weight average molecular weight of 7,000 furnace Bullock resin 20% by weight of 4,4 ', 4 "ethylidine trisphenol (4, 4 ', 4" to the condensation reaction a -Ethylidyne tris phenol) 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound dissolving the solid obtained photosensitive agent consisting of 5 wt% in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition.

실시예 4 Example 4

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 40 :60으로 혼합된 크레졸 모노머 (monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 7,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 4,4',4”-에틸리딘트리스페놀 (4,4',4”-Ethylidyne tris phenol)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드 (Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 0.1중량% 를 첨가한 후 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다 Meta-cresol and para greater raejol ratio of 40: 60 a cresol monomer (monomer) and the form of the aldehyde produced by the condensation reaction under the weight average molecular weight of 7,000 oxalate catalyst cresol furnace Bullock resin 20 mixed% by weight of 4,4 ', 4 "ethylidine trisphenol (4, 4 ', 4" to the condensation reaction a -Ethylidyne tris phenol) 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl Pieper) of formula (1) to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] is dissolved in followed by the addition of a 0.1 wt% butyl malonate PGMEA to prepare a photosensitive resin composition

실시예 5 Example 5

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 40 :60으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 7,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 4,4',4”-에틸리딘트리스페놀 (4,4'4”-Ethylidyne tris phenol)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드 (Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 1중량% 를 첨가한 후 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다 Meta-cresol and para greater raejol ratio of 40: 60 a cresol monomer (monomer) and the form of the aldehyde produced by the condensation reaction under the weight average molecular weight of 7,000 oxalate catalyst cresol furnace Bullock resin 20 mixed% by weight of 4,4 ', 4 "ethylidine trisphenol (4,4'4" -Ethylidyne tris phenol) 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) obtained by the condensation reaction of the compound in bis of the formula to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitizer (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) - 4-hydroxyphenyl] methyl] after the addition of 1% by weight of a butyl malonate was dissolved in PGMEA to prepare a photosensitive resin composition

실시예 6 Example 6

메타 크레졸과 파라 크래졸비가 40 :60으로 혼합된 크레졸 모노머(monomer)와 포름알데히드를 옥살산 촉매하에서 축합반응에 의해 제조한 중량평균 분자량 7,000인 크레졸 노불락수지 20중량%와 4,4',4”-에틸리딘트리스페놀 (4,4',4”-Ethylidyne tris phenol)에 나프토퀴논 1,2-디아지도 5-술폰닐크로라이드 (Naphthoquinone 1.2-diazide-5- Sulfonylchloride)화합물을 축합 반응하여 얻은 감광제 5중량%로 이루어진 혼합물에 화학식 1의 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 10중량% 를 첨가한 후 PGMEA에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다 Meta-cresol and para greater raejol ratio of 40: 60 a cresol monomer (monomer) and the form of the aldehyde produced by the condensation reaction under the weight average molecular weight of 7,000 oxalate catalyst cresol furnace Bullock resin 20 mixed% by weight of 4,4 ', 4 "ethylidine trisphenol (4, 4 ', 4" to the condensation reaction a -Ethylidyne tris phenol) 1,2-naphthoquinone 5-dia map alcohol ponnil croissant fluoride (1.2-naphthoquinone diazide-5-Sulfonylchloride) the compound bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl Pieper) of formula (1) to a mixture consisting of 5% by weight of a photosensitive agent obtained [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] is dissolved in followed by the addition of a 10% by weight of the butyl malonate PGMEA to prepare a photosensitive resin composition

이러한 감광성 수지를 IZO 기판 위에 스핀 코팅한 후 니콘 FX-601(NA=0.1)을 이용하여 노광하고 2.38% TMAH 수용액으로 현상 후 130도씨에서 베이킹하고, 에칭한 후 SEM으로 밀착성을 검사한다. After this photosensitive resin was spin coated onto the IZO substrate Nikon FX-601 and then exposed using the (NA = 0.1), and a baking and standing 130 dossie developed with 2.38% TMAH aqueous solution etched to examine the adhesion between the SEM.

전술한 비교예와 실시예들에 대한 결과에서 이해할 수 있듯이, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트를 포토레지스트 조성에 첨가한 경우 에칭 스큐가 감소하고, 이는 미세 피치 달성에 유리한 공정을 확보할 수 있다. As it can be understood from the results for the above-described Comparative Example and Example, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1- dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] etching skew is reduced when the addition of the malonate methyl] butyl in the photoresist composition, which can ensure a favorable process for achieving a fine pitch.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. Although above described embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings, that the present invention one of ordinary skill in the art to which the invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features it will be appreciated that. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Thus the embodiments described above are only to be understood as illustrative and non-restrictive in every respect.

10: 절연 기판 22: 게이트선 10: insulating substrate 22: gate line
26: 게이트 전극 28: 스토리지 배선 26: gate electrode 28: wiring storage
30: 게이트 절연막 40: 반도체층 30: Gate insulating film 40: Semiconductor layer
55, 56: 오믹 콘택층 62: 데이터선 55, 56: ohmic contact layer 62: data line
65: 소스 전극 66: 드레인 전극 65: source electrode 66: drain electrode
70: 보호막 76: 콘택홀 70: protective film 76: contact hole
84: 미세 전극 85: 미세 슬릿 84: microelectrode 85: micro-slits
121: 블랙 매트릭스 131: 컬러필터 121: black matrix 131: a color filter
136: 오버코트층 200: 식각 패턴 136: overcoat layer 200: etching pattern

Claims (9)

  1. 포지티브형 포토레지스트 조성물에 있어서, In the positive photoresist composition,
    알카리 가용성 노불락 수지, No alkali soluble resin Bullock,
    디아조나프토퀴논 화합물, Diazonaphthoquinone compound,
    접착증가제(Adhesion promoter), 및 The increased bonding (Adhesion promoter), and
    유기용제를 포함하며, It comprises an organic solvent,
    상기 접착증가제로서, As increasing the bonding agent,
    비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트 (Bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]methyl]butylmalonate))를 포함하는 포토레지스트 조성물. Bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate (bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butylmalonate) a photoresist composition comprising a) .
  2. 삭제 delete
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 접착증가제의 함량은 0.01중량% 내지 10중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물. The content of the adhesive increases the photoresist composition, characterized in that 0.01% to 10% by weight.
  4. 기판 상에 도전성 물질로 이루어진 도전막을 형성하는 단계; Forming on the substrate a conductive film made of a conductive material;
    상기 도전막 상에 포토레지스트 조성물로 이루어진 식각 패턴을 형성하는 단계; Forming an etching pattern made of a photoresist composition on the conductive film; And
    상기 식각 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도전막을 식각하여 도전막 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, Comprising the step of forming a conductive layer pattern by etching the conductive film is etched using the pattern as an etch mask,
    상기 포토레지스트 조성물은: The photoresist composition comprises:
    알카리 가용성 노불락 수지, No alkali soluble resin Bullock,
    디아조나프토퀴논 화합물, Diazonaphthoquinone compound,
    접착증가제(Adhesion promoter), 및 The increased bonding (Adhesion promoter), and
    유기용제를 포함하며, It comprises an organic solvent,
    상기 접착증가제로서, As increasing the bonding agent,
    비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피퍼리디닐)-[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트 (Bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]methyl]butylmalonate))를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. Bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-Pieper piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate (bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl) - [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butylmalonate) TFT array panel including a) the method of manufacture.
  5. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 식각 패턴의 도포 두께는 1 내지 2㎛인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. The method of coating thickness of the etch pattern is 1 to 2㎛ the TFT array panel.
  6. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 도전막 패턴은 투명 도전성 물질로 이루어진 화소 전극 패턴인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. The conductive layer pattern The method of manufacturing a TFT array panel pixel electrode pattern made of a transparent conductive material.
  7. 제6항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 화소 전극 패턴은 다수의 미세 전극 및 상기 미세 전극 사이에 형성된 다수의 미세 슬릿으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. The pixel electrode pattern is a plurality of micro-electrodes and the method of manufacturing a TFT array panel consisting of a plurality of fine slits formed between the fine electrode.
  8. 제7항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 미세 슬릿의 폭은 2내지 5㎛인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. The method of the width of the micro slits of 2 to 5㎛ the TFT array panel.
  9. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 도전막 패턴은 게이트 배선 또는 데이터 배선인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. The conductive film pattern A method of manufacturing a gate wiring or data wiring of the thin film transistor panel.
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