KR101758347B1 - Electrostatic Chuck and Repair Method Thereof - Google Patents

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Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척은 상면으로부터 수직 방향으로 상면을 관통하도록 지정된 위치에 복수의 핀홀이 형성되며, 외주에 상면으로부터 지정된 깊이를 갖는 단차부를 구비하는 하부 플레이트 및 하부 플레이트의 상면에 체결되고, 하부 플레이트의 상면에 결합되는 평판부와, 단차부에 결합되는 측면부 및, 핀홀 내에 체결되는 핀홀 보호부를 구비하며, 전극이 가둠 구조로 형성된 상부 플레이트를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an electrostatic chuck having a plurality of pinholes formed at positions designated to pass through an upper surface in a vertical direction from an upper surface, a lower plate having a stepped portion having a predetermined depth from an upper surface, The upper plate may include a flat plate coupled to the upper surface of the lower plate, a side surface coupled to the step, and a pinhole protector coupled to the pinhole.

Description

정전 척 및 리페어 방법{Electrostatic Chuck and Repair Method Thereof}[0001] Electrostatic Chuck and Repair Method Thereof [0002]

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 정전 척 및 리페어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an electrostatic chuck and a repair method.

반도체 소자나 평판 표시 장치를 제조하기 위해서는 진공 챔버 내의 기판 지지대 상에 기판을 흡착 지지한 상태에서 다양한 공정을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, various processes are performed in a state in which a substrate is attracted and supported on a substrate support in a vacuum chamber.

기판 지지대의 일 예로 정전 척(Electrostatic Chuck; ESC)을 들 수 있다. 정전 척은 정전기력을 이용하여 챔버 내의 하부전극에 기판을 지지해 주는 장치이다.An example of the substrate support is an electrostatic chuck (ESC). An electrostatic chuck is a device for supporting a substrate on a lower electrode in a chamber by using an electrostatic force.

일반적으로, 정전 척은 베이스, 베이스 상에 고정 결합되는 플레이트 및 플레이트 내부에 마련되는 전극(하부전극)을 포함할 수 있다. 플레이트 상면에는 기판이 안착될 수 있다.Generally, the electrostatic chuck may include a base, a plate fixedly coupled to the base, and an electrode (lower electrode) provided inside the plate. The substrate can be seated on the upper surface of the plate.

하부전극에서 정전기를 발생시켜 기판과 하부전극 간의 간격을 일정하게 유지하고, 기판을 수평 상태로 고정시켜 요구되는 공정이 수행될 수 있다.Static electricity is generated in the lower electrode to keep the gap between the substrate and the lower electrode constant, and the substrate can be fixed in a horizontal state to perform a required process.

플레이트는 상부 플레이트 및 하부 플레이트로 구분할 수 있다. 상부 플레이트 상에는 처리 대상물 즉, 기판이 안착되며, 처리 대상물에 대한 공정이 반복됨에 따라, 상부 플레이트에는 예를 들어 고주파 플라즈마 등과 같은 외력이 지속적으로 가해져 손상될 수 있다. 또한, 다양한 원인에 의해 상부 플레이트가 깎여 나가거나 크랙이 발생할 수 있다.The plate can be divided into an upper plate and a lower plate. As the object to be processed, that is, the substrate, is placed on the upper plate, and the process for the object to be treated is repeated, an external force such as a high-frequency plasma or the like may be continuously applied to the upper plate. Further, the upper plate may be chipped or cracked due to various causes.

이에 따라 손상된 상부 플레이트를 일정 두께 연마하는 등의 방식으로 리페어를 진행할 수 있다. 하지만, 하부전극과 상부 플레이트 표면까지의 두께는 규격에서 정의한 두께를 확보하여야 하므로, 리페어 횟수에 한계가 있다.Accordingly, the damaged upper plate is polished to a certain thickness, and the repair operation can be performed. However, since the thickness to the surface of the lower electrode and the upper plate must be secured to the thickness defined by the standard, the number of repair is limited.

이와 같이, 정전 척은 사용 횟수가 증가함에 따라 크랙 등과 같은 결함이 발생할 수 있으며, 이러한 결함은 주로 플라즈마에 대한 노출이 심한 상부 플레이트 측에서 발생할 수 있다. 아울러, 상부 플레이트 측에 발생한 크랙을 통해 하부전극에도 플라즈마가 침투할 수 있다. 이러한 상태에서 공정을 진행하면 심각한 오류가 발생할 수 있으므로, 결함이 발생한 정전 척은 폐기 처리할 수 밖에 없다.As described above, as the number of times of using the electrostatic chuck increases, defects such as cracks may occur. Such defects may occur mainly on the side of the upper plate where exposure to plasma is severe. In addition, plasma can penetrate the lower electrode through cracks generated on the upper plate side. If the process is performed in this state, a serious error may occur. Therefore, the defective electrostatic chuck can not be discarded.

정전 척의 제조 단가는 매우 높은 편이나, 상술한 것과 같은 결함 발생 등에 의해 정전 척의 수명은 3~6개월 정도로 짧은 단점이 있다.Although the fabrication cost of the electrostatic chuck is very high, the life of the electrostatic chuck is short such as 3 to 6 months due to occurrence of defects as described above.

한편, 정전 척에는 처리 대상물을 상부 플레이트 상에 승하강 시키기 위한 리프트 핀이 승하강되는 리프트 핀홀이 존재한다. 처리 대상물에 대한 공정이 반복됨에 따라 리프트 핀홀 또한 식각 손상될 수 있다. 나아가, 리프트 핀 홀 내부를 통해 노출되는 하부 플레이트와 상부 플레이트 간의 접착제가 플라즈마에 의해 손상되어 파티클(particle)로 형성되고, 이러한 파티클이 처리 대상물을 오염시켜 처리 대상물의 제조 수율을 감소시킬 수 있다.On the other hand, the electrostatic chuck has a lift pinhole for lifting and lowering the lift pin for moving the object to be processed up and down on the upper plate. As the process for the object to be treated is repeated, lift pinholes can also be etched and damaged. Further, the adhesive between the lower plate and the upper plate exposed through the inside of the lift pin hole is damaged by the plasma to form particles, and these particles may contaminate the object to be treated, thereby reducing the production yield of the object to be treated.

본 발명의 실시예는 외부 환경으로부터 안정적인 정전 척 및 리페어 방법을 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention can provide a stable electrostatic chuck and a repair method from an external environment.

본 발명의 실시예는 결함을 복구할 수 있는 정전척 리페어 방법을 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention can provide an electrostatic chuck repair method capable of repairing defects.

또한, 본 발명의 실시예는 정전 척의 전극에 대한 외부 영향을 원천 봉쇄할 수 있는 정전 척 및 리페어 방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can provide an electrostatic chuck and a repair method that can block external influences on the electrodes of the electrostatic chuck.

본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척은 상면으로부터 수직 방향으로 상기 상면을 관통하도록 지정된 위치에 복수의 핀홀이 형성되며, 외주에 상기 상면으로부터 지정된 깊이를 갖는 단차부를 구비하는 하부 플레이트; 및 상기 하부 플레이트의 상기 상면에 체결되고, 상기 하부 플레이트의 상기 상면에 결합되는 평판부와, 상기 단차부에 결합되는 측면부 및, 상기 핀홀 내에 체결되는 핀홀 보호부를 구비하며, 전극이 가둠 구조로 형성된 상부 플레이트;를 포함할 수 있다.An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes a lower plate having a plurality of pinholes formed at positions designated to pass through the upper surface in the vertical direction from the upper surface and a stepped portion having a predetermined depth from the upper surface on the outer periphery; And a pinhole protector coupled to the pinhole, wherein the pinhole protector is fixed to the upper surface of the lower plate and is coupled to the upper surface of the lower plate, And a top plate.

본 기술의 다른 실시예에 의한 정전 척은 상면으로부터 수직 방향으로 상기 상면을 관통하도록 지정된 위치에 복수의 핀홀이 형성되는 하부 플레이트; 및 상기 하부 플레이트의 상기 상면에 체결되고, 상기 하부 플레이트의 상기 상면과 대응하는 평판부와, 상기 하부 플레이트의 외주에 결합되는 측면부 및, 상기 핀홀 내에 체결되는 핀홀 보호부를 구비하며, 전극이 가둠 구조로 형성된 상부 플레이트;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electrostatic chuck comprising: a lower plate having a plurality of pinholes formed at positions designated to pass through the upper surface in a vertical direction from an upper surface; And a pinhole protector secured to the pinhole and coupled to the outer periphery of the lower plate, wherein the pinhole protector is coupled to the upper surface of the lower plate, And a top plate formed of the same material.

본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법은 하부 플레이트, 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 상부 플레이트 상에 형성된 제 1 전극을 구비하며, 상기 하부 플레이트, 상기 제 1 전극 및 상기 상부 플레이트를 관통하여 복수의 핀홀이 형성된 리페어 대상 정전 척이 제공되는 단계; 상기 상부 플레이트 및 상기 제 1 전극을 제거하여 리페어용 하부 플레이트를 형성하는 단계; 상기 리페어용 하부 플레이트에 형성된 상기 핀홀의 구경을 확장하여 확장된 핀홀을 형성하는 단계; 상기 하부 플레이트 상면에 체결되는 평판부와 상기 확장된 핀홀 내에 체결되는 핀홀 보호부를 구비하고, 제 2 전극이 가둠구조로 형성된 리페어용 상부 플레이트를 제조하는 단계; 및 상기 확장된 핀홀 내에 상기 핀홀 보호부가 체결되도록 상기 리페어용 하부 플레이트와 상기 리페어용 상부 플레이트를 결합하는 단계;를 포함할 수 있다.An electrostatic chuck repair method according to an embodiment of the present invention includes a lower plate, an upper plate, and a first electrode formed on the lower plate and the upper plate, wherein the lower plate, the first electrode, Providing a repair target electrostatic chuck having a plurality of pinholes; Removing the upper plate and the first electrode to form a repair lower plate; Expanding a diameter of the pin hole formed in the repair lower plate to form an extended pin hole; The method comprising: fabricating a repair top plate having a flat plate fastened to an upper surface of the lower plate and a pinhole protector fastened to the extended pinhole, the repair electrode having a second electrode formed in a confined structure; And coupling the repair lower plate and the repair upper plate so that the pinhole protecting portion is fastened to the extended pinhole.

본 기술에 의하면 고주파 플라즈마 등과 같은 외력으로부터 정전 척을 안전하게 보호할 수 있다.According to this technique, the electrostatic chuck can be safely protected from an external force such as a high-frequency plasma or the like.

또한, 상부 플레이트나 리프트 핀홀에 결함이 발생한 경우 이를 복구할 수 있어 정전 척의 수명을 증가시킬 수 있어, 원자재의 불필요한 낭비를 방지할 수 있다.In addition, when a defect occurs in the upper plate or the lift pinhole, it is possible to restore the life of the electrostatic chuck, and it is possible to prevent unnecessary waste of raw materials.

도 1은 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 분해 단면도이다.
도 2는 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 결합 단면도이다.
도 3은 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 상부 평면도이다.
도 4는 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 저부 평면도이다.
도 5는 본 기술의 다른 실시예에 의한 정전 척의 분해 단면도이다.
도 6은 본 기술의 다른 실시예에 의한 정전 척의 결합 단면도이다.
도 7 내지 도 10은 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is an exploded cross-sectional view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present technology.
2 is an end view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention;
3 is a top plan view of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present technique.
4 is a bottom plan view of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present technology.
5 is an exploded cross-sectional view of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present technology.
6 is an end view of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
7 to 10 are cross-sectional views illustrating an electrostatic chuck repair method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present technology will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 분해 단면도이고, 도 2는 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척의 결합 단면도이다.FIG. 1 is an exploded cross-sectional view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an end view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 의한 정전 척(10)은 하부 플레이트(110), 상부 플레이트(120) 및 상부 플레이트(120) 내에 가둠 구조로 형성된 전극(140)을 포함할 수 있다.1 and 2, the electrostatic chuck 10 according to an embodiment may include a lower plate 110, an upper plate 120, and an electrode 140 formed in a confined structure within the upper plate 120 have.

하부 플레이트(110) 상에 전극(140)이 내재된 상부 플레이트(120)를 결합한 플레이트 조립체는 베이스(미도시) 상에 결합될 수 있다. 베이스는 예를 들어 금속 재질로 형성할 수 있다.A plate assembly that couples an upper plate 120 with electrodes 140 on a lower plate 110 can be coupled onto a base (not shown). The base may be formed of, for example, a metal material.

하부 플레이트(110)의 지정된 위치에는 하부 플레이트(110)의 설치 방향 즉, 하부 플레이트(110)의 평판면에 대해 수직 방향으로 하부 플레이트(110)를 관통하도록 복수의 핀홀(130)이 형성될 수 있다. 핀홀(130)은 리프트핀(미도시)이 승강 이동할 수 있도록 구성된다. 리프트핀은 별도의 구동부재에 의해 승강될 수 있다. 정전 척(10)이 설치된 챔버 내로 처리 대상물이 인입되면 핀홀(130)을 통해 리프트핀이 상승하여 처리 대상물을 전달받는다. 그리고, 리프트핀이 하강하여 상부 플레이트(120) 상면에 처리 대상물이 안착되게 된다.A plurality of pinholes 130 may be formed at predetermined positions of the lower plate 110 so as to penetrate the lower plate 110 in a direction perpendicular to the mounting direction of the lower plate 110, have. The pinhole 130 is configured so that a lift pin (not shown) can move up and down. The lift pin can be raised and lowered by a separate driving member. When the object to be processed is drawn into the chamber provided with the electrostatic chuck 10, the lift pin rises through the pinhole 130 to receive the object to be processed. Then, the lift pin is lowered, and the object to be processed is seated on the upper surface of the upper plate 120.

하부 플레이트(110)는 예를 들어 세라믹 재질로 형성할 수 있다. 아울러, 내부에 온도 조절부(150)를 구비할 수 있으며, 온도 조절부(150)는 히터 또는 냉각장치일 수 있다.The lower plate 110 may be formed of, for example, a ceramic material. In addition, a temperature control unit 150 may be provided therein, and the temperature control unit 150 may be a heater or a cooling device.

한편, 본 실시예에 의한 하부 플레이트(110)는 외주 부분에 상면으로부터 지정된 깊이를 갖도록 형성되는 단차부(112)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the lower plate 110 according to the present embodiment may have a step portion 112 formed to have a specified depth from the upper surface in the outer peripheral portion.

상부 플레이트(120)는 하부 플레이트(110) 상에 고정 결합되며 평판 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상부 플레이트(120)는 세라믹 소재, 바람직하게는 무기재료를 포함하는 세라믹 소재를 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어 Al2O3를 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The upper plate 120 is fixedly coupled to the lower plate 110 and may have a flat plate shape. In one embodiment, the top plate 120 may be formed using a ceramic material, preferably a ceramic material including an inorganic material, and may be formed using, for example, Al 2 O 3 , no.

일 실시예에서, 상부 플레이트(120)는 평판부(122), 측면부(124) 및 핀홀 보호부(126)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the top plate 120 may include a flat plate portion 122, a side portion 124, and a pinhole protector 126.

평판부(122)는 하부 플레이트(110)의 상면과 실질적으로 동일한 형상일 수 있다.The flat plate portion 122 may have substantially the same shape as the upper surface of the lower plate 110.

핀홀 보호부(126)는 핀홀(130) 대응 부위에서 평판부(122)로부터 핀홀(130)이 형성된 측을 향하여 수직 방향으로 연장될 수 있다. 핀홀 보호부(126)는 상부 플레이트(120)와 하부 플레이트(110)의 계면을 커버할 수 있는 길이로 형성할 수 있다. 핀홀 보호부(126)의 외경은 핀홀(130)의 지름과 실질적으로 동일하게 형성하여, 하부 플레이트(110)에 상부 플레이트(120)를 체결하였을 때, 핀홀 보호부(126)에 의해 핀홀(130)의 내주면, 특히 상부 플레이트(120)와 하부 플레이트(110) 간의 계면이 차폐될 수 있도록 한다.The pinhole protector 126 may extend in the vertical direction from the flat plate 122 to the side where the pinhole 130 is formed at the corresponding portion of the pinhole 130. The pinhole protector 126 may have a length to cover the interface between the upper plate 120 and the lower plate 110. The outer diameter of the pinhole protector 126 is substantially the same as the diameter of the pinhole 130. When the upper plate 120 is fastened to the lower plate 110, So that the interface between the upper plate 120 and the lower plate 110 can be shielded.

핀홀(130)을 통해 리프트 핀이 승하강할 수 있도록, 핀홀 보호부(126)의 상면 및 저면은 개방되어 있으며, 따라서 핀홀 보호부(126)는 내부가 비어 있는 실린더 형상일 수 있다.The top and bottom surfaces of the pinhole protector 126 are opened so that the lift pin can be lifted and lowered through the pinhole 130. Accordingly, the pinhole protector 126 may be in the shape of an empty cylinder.

측면부(124)는 평판부(122)의 외주로부터, 핀홀 보호부(126)의 연장 방향과 동일한 수직 방향으로 연장될 수 있다. 하부 플레이트(110)와 상부 플레이트(120)를 결합할 때 측면부(124)는 하부 플레이트(110)의 단차부(112)에 결합될 수 있다. 그러므로, 측면부(124) 및 단차부(112)는 상호 체결될 수 있도록 대응하는 길이 및 폭을 갖도록 설계될 수 있다.The side surface portion 124 can extend from the outer periphery of the flat plate portion 122 in the same vertical direction as the extending direction of the pinhole protecting portion 126. [ The side portions 124 may be coupled to the step portions 112 of the lower plate 110 when the lower plate 110 and the upper plate 120 are coupled. Therefore, the side surface portion 124 and the step portion 112 can be designed to have a corresponding length and width so as to be mutually fastened.

본 실시예에 의한 정전 척(10)은 상부 플레이트(120)가 평판부(122) 및 측면부(124)를 포함하는 캡(cap) 형상을 가진다.The electrostatic chuck 10 according to the present embodiment has a cap shape in which the upper plate 120 includes the flat plate portion 122 and the side portions 124. [

따라서 도 2에 도시한 것과 같이, 하부 플레이트(110) 상에 상부 플레이트(120)를 결합하였을 때, 측면부(124)에 의해 하부 플레이트(110)와 상부 플레이트(120) 간의 접합 부위가 차폐될 수 있다. 그러므로 처리 대상물에 대한 공정 중에 발생하는 플라즈마 등이 정전 척 내부로 침투하는 현상을 방지할 수 있다.2, when the upper plate 120 is coupled to the lower plate 110, the joint portion between the lower plate 110 and the upper plate 120 may be shielded by the side portion 124 have. Therefore, it is possible to prevent the phenomenon that the plasma or the like that occurs during the process on the object to be processed infiltrates into the electrostatic chuck.

나아가, 상부 플레이트(120)로부터 연장 형성된 핀홀 보호부(126)가 하부 플레이트(110)의 핀홀(130) 내에 삽입되어 핀홀(130)의 내주면, 특히 하부 플레이트(110)와 상부 플레이트(120) 간의 경계면을 감싸도록 형성된다. 따라서 공정 중에 발생하는 플라즈마 등에 의해 발생되는 부산물, 예를 들어 하부 플레이트(110)와 상부 플레이트(120) 사이에서 용융되는 접착제로부터 핀홀(130) 및 리프트 핀의 오염을 방지할 수 있다.The pinhole protector 126 extending from the upper plate 120 is inserted into the pinhole 130 of the lower plate 110 and the inner circumferential surface of the pinhole 130 and particularly between the lower plate 110 and the upper plate 120 And is formed so as to surround the interface. Therefore, it is possible to prevent the contamination of the pinhole 130 and the lift pin from by-products generated by the plasma generated during the process, for example, the adhesive that melts between the lower plate 110 and the upper plate 120.

한편, 전극(140)은 하부 플레이트(110)의 상면과 대향하면서 핀홀 보호부(126)를 회피하도록 상부 플레이트(120) 내에 가둠 구조로 형성될 수 있다.Meanwhile, the electrode 140 may be formed in a confined structure in the upper plate 120 to avoid the pinhole protector 126 while facing the upper surface of the lower plate 110.

상부 플레이트(120) 내에 전극(140)을 가둠 구조로 형성하기 위하여, 상부 플레이트(120)는 핫 프레스 방식, 그린 시트(Green sheet) 방식, 압축 성형 방식, 저온 소성 방식, 고온 소성 방식 등 다양한 방식 중에서 선택된 방법으로 제조될 수 있다.The upper plate 120 may be formed by various methods such as a hot press method, a green sheet method, a compression forming method, a low temperature firing method, a high temperature firing method, and the like in order to form the electrode 140 in the upper plate 120 ≪ / RTI >

전극(140)이 가둠 구조로 형성됨에 따라 전극(140)에 대한 플라즈마 침투를 원천 봉쇄할 수 있다.As the electrode 140 is formed in a confined structure, the plasma penetration of the electrode 140 can be blocked.

도 3 및 도 4는 각각 도 2에 도시한 정전 척(10)의 상부 및 저부 평면도로서, 하부 플레이트(110)의 단차부(112) 및 핀홀(130)이 상부 상부 플레이트(120)에 의해 차폐되는 것을 알 수 있다.3 and 4 are top and bottom plan views of the electrostatic chuck 10 shown in Fig. 2, respectively, in which the stepped portion 112 of the lower plate 110 and the pinhole 130 are shielded by the upper upper plate 120 .

도 5는 본 기술의 다른 실시예에 의한 정전 척의 분해 단면도이고, 도 6은 본 기술의 다른 실시예에 의한 정전 척의 결합 단면도이다.FIG. 5 is an exploded cross-sectional view of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present technology, and FIG. 6 is an end view of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present technology.

본 실시예에 의한 정전 척(20)은 하부 플레이트(210), 상부 플레이트(220) 및 상부 플레이트(220) 내에 가둠 구조로 형성된 전극(240)을 포함할 수 있다. 하부 플레이트(210) 및 상부 플레이트(220)는 각각 세라믹 소재, 바람직하게는 무기재료를 포함하는 세라믹 소재를 이용하여 형성할 수 있다. 아울러, 상부 플레이트(220)는 예를 들어 Al2O3를 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The electrostatic chuck 20 according to the present embodiment may include a lower plate 210, an upper plate 220, and an electrode 240 formed in a confined structure in the upper plate 220. The lower plate 210 and the upper plate 220 may each be formed of a ceramic material, preferably a ceramic material including an inorganic material. In addition, the upper plate 220 may be formed using, for example, Al 2 O 3 , but the present invention is not limited thereto.

하부 플레이트(210)는 지정된 위치에 형성되는 복수의 핀홀(230)을 구비하며, 외주면(212)이 단차 없이 형성되어 하부 플레이트(210)의 상단 및 하단 직경은 실질적으로 동일할 수 있다. 아울러, 하부 플레이트(210)는 내부에 온도 조절부(250)를 구비할 수 있으며, 온도 조절부(250)는 히터 또는 냉각장치일 수 있다.The lower plate 210 has a plurality of pinholes 230 formed at designated positions and the outer circumferential surface 212 may be formed without a step so that the upper and lower diameters of the lower plate 210 may be substantially the same. In addition, the lower plate 210 may have a temperature control unit 250 therein, and the temperature control unit 250 may be a heater or a cooling device.

전극(240)이 가둠 구조로 형성된 상부 플레이트(220)는 평판부(222), 측면부(224) 및 핀홀 보호부(226)를 포함할 수 있다.The top plate 220 in which the electrode 240 is formed in a confined structure may include a flat plate portion 222, a side portion 224, and a pinhole protecting portion 226.

평판부(222)는 하부 플레이트(210)의 상면과 실질적으로 동일한 형상일 수 있다.The flat plate portion 222 may have substantially the same shape as the upper surface of the lower plate 210.

핀홀 보호부(226)는 핀홀(230) 대응 부위에서 평판부(222)로부터 수직 방향으로 연장될 수 있다. 핀홀 보호부(226)는 상부 플레이트(220)와 하부 플레이트(210)의 계면을 커버할 수 있는 길이로 형성할 수 있다. 핀홀 보호부(226)의 외경은 핀홀(230)의 지름과 실질적으로 동일하게 형성하여, 하부 플레이트(210)에 상부 플레이트(220)를 체결하였을 때, 핀홀 보호부(226)에 의해 핀홀(230)의 내주면, 특히 상부 플레이트(220)와 하부 플레이트(210) 간의 계면이 차폐될 수 있도록 한다.The pinhole protector 226 may extend in the vertical direction from the flat plate 222 at a position corresponding to the pinhole 230. The pinhole protector 226 may be formed to have a length enough to cover the interface between the upper plate 220 and the lower plate 210. The outer diameter of the pinhole protector 226 is substantially the same as the diameter of the pinhole 230. When the upper plate 220 is fastened to the lower plate 210, So that the interface between the upper plate 220 and the lower plate 210 can be shielded.

핀홀(230)을 통해 리프트 핀이 승하강할 수 있도록, 핀홀 보호부(226)의 상면 및 저면은 개방되어 있으며, 따라서 핀홀 보호부(226)는 내부가 비어 있는 실린더 형상일 수 있다.The upper and lower surfaces of the pinhole protecting portion 226 are opened so that the lift pin can be lifted and lowered through the pinhole 230. Accordingly, the pinhole protecting portion 226 may be in the shape of a cylinder having an empty interior.

측면부(224)는 평판부(222)의 외주로부터 핀홀 보호부(226)가 연장되는 방향과 동일한 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상부 플레이트(220)가 하부 플레이트(210)의 외주면(212)을 완전히 커버할 수 있도록, 측면부(224)의 길이는 하부 플레이트(210)의 높이와 실질적으로 동일하게 설계할 수 있다.The side surface portion 224 may extend in the same vertical direction as the direction in which the pinhole protecting portion 226 extends from the outer periphery of the flat plate portion 222. [ The length of the side portion 224 may be designed to be substantially the same as the height of the lower plate 210 so that the upper plate 220 completely covers the outer circumferential surface 212 of the lower plate 210.

본 실시예에 의한 정전 척(20)은 상부 플레이트(220)의 측면부(224)가 하부 플레이트(210)의 외주를 차폐할 수 있는 캡(cap) 형상을 가진다.The electrostatic chuck 20 according to the present embodiment has a cap shape in which the side surface portion 224 of the upper plate 220 can shield the outer circumference of the lower plate 210.

따라서 도 6에 도시한 것과 같이, 하부 플레이트(210) 상에 상부 플레이트(220)를 결합하였을 때, 측면부(224)에 의해 하부 플레이트(210)와 상부 플레이트(220) 간의 접합 부위를 포함하는 하부 플레이트(210)의 외주 전체가 차폐될 수 있다. 그러므로 처리 대상물에 대한 공정 중에 발생하는 플라즈마 등이 정전 척(20) 내부로 침투하는 현상을 방지할 수 있다.6, when the upper plate 220 is coupled to the lower plate 210, the lower plate 210 is coupled to the upper plate 220 by the side portions 224, The entire outer periphery of the plate 210 can be shielded. Therefore, it is possible to prevent the plasma or the like that occurs during the process on the object to be processed from penetrating into the electrostatic chuck 20.

더욱이, 전극(240)이 가둠 구조로 형성되어 있기 때문에 전극(240)에 대한 플라즈마 침투를 원천 봉쇄할 수 있다.Furthermore, since the electrode 240 is formed in a confined structure, the plasma penetration of the electrode 240 can be blocked.

뿐만 아니라, 상부 플레이트(220)로부터 연장 형성된 핀홀 보호부(226)가 하부 플레이트(210)의 핀홀(230) 내에 삽입되어 핀홀(230)의 내주면, 특히 하부 플레이트(110)와 상부 플레이트(120) 간의 경계면을 보호하므로, 공정 중에 발생하는 플라즈마 등에 의해 발생되는 부산물로부터 핀홀(230) 및 리프트 핀을 보호할 수 있다.In addition, the pinhole protector 226 extending from the upper plate 220 is inserted into the pinhole 230 of the lower plate 210 so that the inner circumferential surface of the pinhole 230, especially the lower plate 110 and the upper plate 120, It is possible to protect the pinhole 230 and the lift pin from by-products generated by plasma or the like generated during the process.

한편, 전극(240)은 상부 플레이트(220)의 평판면(222) 내측 즉, 하부 플레이트(210)와 대향하는 면에 핀홀 보호부(226)를 회피하도록 형성될 수 있다. 상부 플레이트(220) 내에 전극(240)을 가둠 구조로 형성하기 위하여, 상부 플레이트(220)는 핫 프레스 방식, 그린 시트(Green sheet) 방식, 압축 성형 방식, 저온 소성 방식, 고온 소성 방식 등 다양한 방식 중에서 선택된 방법으로 제조될 수 있다.Meanwhile, the electrode 240 may be formed to avoid the pinhole protector 226 on the inner side of the flat plate surface 222 of the upper plate 220, that is, the surface facing the lower plate 210. The upper plate 220 may be formed by various methods such as a hot press method, a green sheet method, a compression molding method, a low temperature firing method, a high temperature firing method, and the like in order to form the electrode 240 in the upper plate 220. [ ≪ / RTI >

도 2 또는 도 6에 도시한 정전 척(10, 20)은 최초 제조시부터 도 2 또는 도 6에 도시한 형상을 갖도록 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 이미 제조된 정전 척을 도 2 또는 도 6과 같은 형상으로 리페어하는 것도 가능하다.The electrostatic chucks 10, 20 shown in Fig. 2 or 6 can be manufactured to have the shape shown in Fig. 2 or 6 from the beginning. In another embodiment, it is also possible to repair the electrostatic chuck already manufactured to the shape shown in Fig. 2 or Fig.

이하에서는 정전 척의 리페어 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, the repair method of the electrostatic chuck will be described.

도 7 내지 도 10은 본 기술의 일 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 단면도이다.7 to 10 are cross-sectional views illustrating an electrostatic chuck repair method according to an embodiment of the present invention.

도 7은 리페어 대상 정전 척의 일 예를 나타내며, 상부 플레이트(320)에 크랙(A)이 발생한 상태를 나타낸다.FIG. 7 shows an example of a repair target electrostatic chuck and shows a state where a crack A is generated in the upper plate 320. FIG.

이러한 정전 척이 제공됨에 따라, 상부 플레이트(320) 및 전극(340)을 예를 들어 연마 공정 등에 의해 제거할 수 있다. 도시하지 않았지만, 리페어 대상 정전 척의 하부 플레이트(310)와 상부 플레이트(320)는 접착제에 의해 결합되어 있으며, 리페어를 위하여 접착제 또한 제거함은 물론이다. 도시하지 않았지만, 리페어 대상 정전 척은 하부 플레이트와 상부 플레이트가 그린 시트(Green sheet) 방식으로 제작된 정전 척이거나, 또는 하부 플레이트와 상부 플레이트를 핫 프레스(Hot press) 세라믹 소성 방식으로 압착하여 제작된 정전 척일 수 있다.As the electrostatic chuck is provided, the upper plate 320 and the electrode 340 can be removed, for example, by a polishing process. Although not shown, the lower plate 310 and the upper plate 320 of the electrostatic chuck to be repaired are coupled by an adhesive, and the adhesive is also removed for repairing. Although not shown, the electrostatic chuck to be repaired is an electrostatic chuck that is manufactured by a green sheet method, or the lower plate and the upper plate are manufactured by pressing a lower plate and an upper plate by a hot press ceramic firing method It may be an electrostatic chuck.

이후. 도 8에 도시한 것과 같이 하부 플레이트(310)의 에지 부분에 단차부(312)를 형성하는 한편, 핀홀(330)을 지정된 직경으로 확장하여 확장된 핀홀(330A)을 형성한다.after. A step 312 is formed at the edge of the lower plate 310 as shown in FIG. 8, and the pinhole 330 is extended to a predetermined diameter to form an extended pinhole 330A.

도 8에서 도면부호 314는 단차부(312) 생성에 의해 제거된 부위를 나타내고, 도면부호 332는 확장된 핀홀(330A) 생성에 의해 제거된 부위를 나타낸다.In FIG. 8, reference numeral 314 denotes a portion removed by the formation of the step 312, and reference numeral 332 denotes a portion removed by generation of the extended pinhole 330A.

도 8과 같이 변형된 리페어용 하부 플레이트(310A)에 상부 플레이트를 결합하기 위하여, 예를 들어 도 9와 같은 상부 플레이트(420)를 제조한다.As shown in FIG. 8, for example, an upper plate 420 as shown in FIG. 9 is manufactured in order to join the upper plate to the modified lower plate 310A for repair.

도 9를 참조하면, 상부 플레이트(420)는 세라믹을 포함하는 소재, 바람직하게는 무기재료를 포함하는 세라믹 소재를 이용하여 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 상부 플레이트(420)는 Al2O3를 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 9, the upper plate 420 may be formed using a ceramic material, preferably a ceramic material including an inorganic material. In one embodiment, the top plate 420 may be formed using Al 2 O 3 , but is not limited thereto.

상부 플레이트(420)는 평판부(422), 측면부(424) 및 핀홀 보호부(426)를 포함할 수 있다. 아울러, 상부 플레이트(420)의 내부에는 전극(440)이 가둠 구조로 형성될 수 있다. 전극(440)은 핫 프레스 방식, 그린 시트(Green sheet) 방식, 압축 성형 방식, 저온 소성 방식, 고온 소성 방식 등 다양한 방식 중에서 선택된 방법으로 제조될 수 있다.The upper plate 420 may include a flat plate portion 422, a side surface portion 424, and a pinhole protector portion 426. In addition, the electrode 440 may be formed in a confined structure in the upper plate 420. The electrode 440 may be manufactured by a method selected from various methods such as a hot press method, a green sheet method, a compression method, a low temperature firing method, and a high temperature firing method.

평판부(422)는 하부 플레이트(310)의 상면과 실질적으로 동일한 형상일 수 있다. 아울러, 전극(440)으로부터 상부 플레이트(420) 상부 표면까지의 거리가 지정된 규격을 만족할 수 있도록 평판부(422)의 두께를 결정할 수 있다.The flat plate portion 422 may have substantially the same shape as the upper surface of the lower plate 310. In addition, the thickness of the flat plate portion 422 can be determined so that the distance from the electrode 440 to the upper surface of the upper plate 420 can satisfy the specified standard.

측면부(424)는 평판부(422)의 외주로부터 수직 방향으로 연장될 수 있다. 하부 플레이트(310)와 리페어용 상부 플레이트(420)의 결합시 측면부(424)가 하부 플레이트(310)의 단차부(312)에 체결될 수 있도록, 측면부(424) 및 단차부(312)는 대응하는 길이 및 폭을 갖도록 설계될 수 있다.The side surface portion 424 may extend in the vertical direction from the outer periphery of the flat plate portion 422. The side surface portion 424 and the step portion 312 correspond to each other so that the side surface portion 424 can be fastened to the step portion 312 of the lower plate 310 when the lower plate 310 and the repair top plate 420 are engaged. The width and the width of the first and second portions.

핀홀 보호부(426)는 확장된 핀홀(330A) 대응 부위에서 평판부(422)로부터 측면부(424)가 연장된 방향과 동일한 수직 방향으로 연장될 수 있다. 핀홀 보호부(426)의 길이는 리페어용 상부 플레이트(420)와 하부 플레이트(310A) 사이의 경계면을 커버할 수 있는 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 핀홀 보호부(426)의 외경은 확장된 핀홀(330A)의 지름과 실질적으로 동일하게 형성하여, 하부 플레이트(310)에 리페어용 상부 플레이트(420)를 체결하였을 때, 핀홀 보호부(426)에 의해 확장된 핀홀(330A)의 내주면, 특히 리페어용 상부 플레이트(420)와 하부 플레이트(310A) 간의 경계면이 차폐될 수 있도록 한다. 핀홀 보호부(426)의 상면 및 저면은 개방되어 있으며, 따라서 핀홀 보호부(426)는 내부가 비어 있는 실린더 형상일 수 있다.The pinhole protecting portion 426 may extend in the same vertical direction as the extending direction of the side surface portion 424 from the flat plate portion 422 at the corresponding portion of the extended pinhole 330A. The length of the pinhole protecting portion 426 may be formed to have a length to cover the interface between the upper plate 420 for repair and the lower plate 310A. The outer diameter of the pinhole protecting portion 426 is substantially equal to the diameter of the extended pinhole 330A so that when the upper plate 420 for repair is fastened to the lower plate 310, So that the interface between the inner circumferential surface of the pinhole 330A extended by the upper plate 420 and the lower plate 310A can be shielded. The upper surface and the lower surface of the pinhole protecting portion 426 are opened, so that the pinhole protecting portion 426 may be in the shape of a cylinder having an empty interior.

도 10은 도 8에 도시한 리페어용 하부 플레이트(310A)와 도 9에 도시한 리페어용 상부 플레이트(420)를 결합한 정전 척(30)의 단면도를 나타낸다.10 is a sectional view of the electrostatic chuck 30 in which the repair lower plate 310A shown in Fig. 8 and the repair upper plate 420 shown in Fig. 9 are combined.

일 실시예에서, 리페어용 하부 플레이트(310A)과 리페어용 상부 플레이트(420)는 상호 체결되는 방식으로 결합되며, 접착제에 의해 압착 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 리페어용 하부 플레이트(310A)에 마련된 단차부(312)와 리페어용 상부 플레이트(420)에 마련된 측면부(424)가 상호 체결될 수 있도록, 단차부(312)와 측면부(424)의 길이 및 폭이 결정되어야 함은 물론이다.In one embodiment, the repair lower plate 310A and the repair top plate 420 are coupled in an interlocked manner and can be press-coupled by an adhesive. The stepped portion 312 and the side surface portion 424 are formed so that the stepped portion 312 provided on the repair lower plate 310A and the side surface portion 424 provided on the repairing upper plate 420 can be engaged with each other, Of course, should be determined.

리페어용 하부 플레이트(310A)와 리페어용 상부 플레이트(420)를 접합하기 위한 접착제는 열 경화성 실리콘, 에폭시, 접합용 글래스 중에서 채택할 수 있으며, 리페어용 하부 플레이트(310A)와 리페어용 상부 플레이트(420) 간의 압착 온도에 따라 압착 온도에 내성이 있는 접착제를 선택하여 사용할 수 있다. 일 예로, 열 경화성 실리콘은 300℃ 내외의 가공 온도에 적합하고, 에폭시는 500℃ 내외의 가공 온도에 적합하다. 아울러, 접합용 글래스는 150℃의 저온으로부터 1400℃의 고온에 이르기까지 가공 온도의 폭이 넓은 이점이 있다.The adhesive for bonding the repair lower plate 310A and the repair upper plate 420 can be adopted among thermosetting silicone, epoxy, and bonding glass, and the repair lower plate 310A and the repair upper plate 420 It is possible to select and use an adhesive which is resistant to the compression temperature. For example, thermosetting silicon is suitable for processing temperatures of around 300 ° C and the epoxy is suitable for processing temperatures of around 500 ° C. In addition, the bonding glass has a wide processing temperature range from a low temperature of 150 ° C to a high temperature of 1400 ° C.

본 실시예에 의한 리페어용 상부 플레이트(420)는 도 9에 도시한 것과 같이 캡(cap) 형상을 가지며 핀홀 보호부(426)를 포함하고, 나아가 전극(440)이 가둠 구조로 형성되어 있다. 따라서, 공정 중 발생하는 플라즈마 등이 하부 플레이트(310)와 리페어용 상부 플레이트(420)의 접합면을 통해 정전 척(30) 내부 및 전극(440)으로 침투하는 현상을 방지할 수 있어 정전 척(30)을 안전하게 보호할 수 있다.The repair upper plate 420 according to the present embodiment has a cap shape as shown in FIG. 9 and includes a pinhole protecting portion 426, and further, the electrode 440 is formed in a confined structure. Accordingly, it is possible to prevent the plasma or the like generated during the process from penetrating into the electrostatic chuck 30 and the electrode 440 through the joint surfaces of the lower plate 310 and the repair upper plate 420, 30 can be safely protected.

도 7에는 도시하지 않았으나, 공정이 반복됨에 따라 핀홀(330)이 식각 손상되고, 이를 통해 리프트핀으로 부산물(particle)이 떨어져 내려 리프트핀을 오염시킬 수 있다.Although not shown in FIG. 7, as the process is repeated, the pinhole 330 is etched and damaged, so that the by-product can fall into the lift pin and contaminate the lift pin.

하지만 도 8에 도시한 것과 같이 리페어용 하부 플레이트(310A)를 가공하고, 도 9에 도시한 것과 같이 리페어용 상부 플레이트(420)를 제조하여, 도 10과 같이 결합할 경우 결함이 발생된 상부 플레이트(320)를 새로운 리페어용 상부 플레이트(420)로 교체할 수 있을 뿐 아니라, 손상된 핀홀 또한 복구할 수 있다.However, when the repair lower plate 310A is machined as shown in FIG. 8, the repair upper plate 420 is manufactured as shown in FIG. 9, and when the repair upper plate 420 is assembled as shown in FIG. 10, Not only can the replacement plate 320 be replaced with the new repair top plate 420, but also the damaged pinhole can be recovered.

나아가, 핀홀 보호부(426)가 핀홀(330A)의 내주면, 특히 리페어용 하부 플레이트(310A)와 리페어용 상부 플레이트(420) 간의 경계면을 감싸도록 형성되므로, 공정 중에 발생하는 부산물로부터 핀홀(330A) 및 리프트핀을 보호할 수 있다.The pinhole protector 426 is formed so as to surround the interface between the inner circumferential surface of the pinhole 330A and in particular the interface between the repair lower plate 310A and the repair upper plate 420 so that the pinhole 330A, And the lift pins.

뿐만 아니라, 전극(440)과 상부 플레이트(420) 표면 간의 거리가 지정된 규격을 만족할 수 있도록 평판부(422)의 두께를 결정함에 의해, 리페어된 정전 척(30)에 대한 신뢰성이 담보될 수 있다. 그리고 전극(440)이 상부 플레이트(420) 내에 가둠 구조로 형성되므로 전극(440)에 대한 플라즈마 침투를 원천 봉쇄할 수 있다.In addition, reliability of the repaired electrostatic chuck 30 can be ensured by determining the thickness of the flat plate portion 422 so that the distance between the electrode 440 and the surface of the upper plate 420 satisfies the specified standard . In addition, since the electrode 440 is formed in the top plate 420 in a sealed structure, the plasma penetration of the electrode 440 can be blocked.

한편, 하부 플레이트(310)에는 온도 조절부(350)가 매설될 수 있다. 그리고, 정전 척에 결함이 발생한 경우, 온도 조절부(350)가 매설된 하부 플레이트(310)를 폐기 처분하지 않고 리페어용 하부 플레이트(310A)로 재사용할 수 있어 불필요한 자원 낭비를 방지할 수 있다.Meanwhile, the temperature regulating unit 350 may be embedded in the lower plate 310. In addition, when a defect occurs in the electrostatic chuck, the lower plate 310 in which the temperature regulating unit 350 is embedded can be reused as a lower repair plate 310A without being disposed of, thereby preventing unnecessary resource waste.

다른 실시예에서, 도 7에 도시한 하부 플레이트(330)는 예를 들어 도 5의 하부 플레이트(210)와 같은 형태로 가공될 수 있다. 이 경우 리페어용 상부 플레이트는 예를 들어 도 5의 상부 플레이트와 같은 형상으로 제작할 수 있다. 그리고, 가공된 하부 플레이트와 리페어용 상부 플레이트의 결합에 의해 정전 척을 리페어할 수 있다.In another embodiment, the bottom plate 330 shown in FIG. 7 can be machined into the same shape as, for example, the bottom plate 210 of FIG. In this case, the repair upper plate may be formed in the same shape as the upper plate of FIG. 5, for example. Then, the electrostatic chuck can be repaired by combining the processed lower plate and the upper plate for repair.

즉, 하부 플레이트(330)의 에지부분을 제거하고, 상부 플레이트의 측면부가 하부 플레이트의 외주 전체를 감싸도록 정전 척을 리페어할 수 있다.That is, the edge portions of the lower plate 330 may be removed, and the electrostatic chuck may be repaired so that the side portions of the upper plate surround the entire outer periphery of the lower plate.

이상에서는 하부 플레이트(110, 210, 310, 310A) 및 상부 플레이트(120, 220, 320, 420)가 원판 형상인 경우를 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 장방형 등 처리 대상물의 형상에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 또한, 처리 대상물은 웨이퍼, 평판 표시 장치용 기판 등 정전 척 상에서 가공이 이루어질 수 있는 다양한 대상물이 적용될 수 있다.Although the lower plates 110, 210, 310, and 310A and the upper plates 120, 220, 320, and 420 are circular plates, the present invention is not limited thereto. . ≪ / RTI > The object to be treated may be various objects on which processing can be performed on an electrostatic chuck, such as a wafer or a substrate for a flat panel display.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Thus, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10, 20, 30 : 정전 척
110, 210, 310, 310A : 하부 플레이트
120, 220, 320, 420 : 상부 플레이트
140, 240, 340, 440 : 전극10, 20, 30: electrostatic chuck
110, 210, 310, 310A: Lower plate
120, 220, 320, 420: upper plate
140, 240, 340, 440:

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하부 플레이트, 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 상부 플레이트 사이에 형성된 제 1 전극을 구비하며, 상기 하부 플레이트, 상기 제 1 전극 및 상기 상부 플레이트를 관통하여 복수의 핀홀이 형성된 리페어 대상 정전 척이 제공되는 단계;
상기 상부 플레이트 및 상기 제 1 전극을 제거하여 리페어용 하부 플레이트를 형성하는 단계;
상기 리페어용 하부 플레이트에 형성된 상기 핀홀의 구경을 확장하여 확장된 핀홀을 형성하는 단계;
상기 하부 플레이트 상면에 체결되는 평판부와 상기 확장된 핀홀 내에 체결되는 핀홀 보호부를 구비하고, 제 2 전극이 가둠구조로 형성된 리페어용 상부 플레이트를 제조하는 단계; 및
상기 확장된 핀홀 내에 상기 핀홀 보호부가 체결되도록 상기 리페어용 하부 플레이트와 상기 리페어용 상부 플레이트를 결합하는 단계;
를 포함하는 정전 척의 리페어 방법.A step of providing a repair target electrostatic chuck having a lower plate, an upper plate, and a first electrode formed between the lower plate and the upper plate, the plurality of pin holes being formed through the lower plate, the first electrode, ;
Removing the upper plate and the first electrode to form a repair lower plate;
Expanding a diameter of the pin hole formed in the repair lower plate to form an extended pin hole;
The method comprising: fabricating a repair top plate having a flat plate fastened to an upper surface of the lower plate and a pinhole protector fastened to the extended pinhole, the repair electrode having a second electrode formed in a confined structure; And
Coupling the repair lower plate and the repair upper plate so that the pinhole protector is fastened to the extended pinhole;
And a cleaning step of cleaning the electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 리페어용 하부 플레이트를 형성하는 단계는, 상기 리페어용 하부 플레이트의 외주에 상기 상면으로부터 지정된 깊이를 갖는 단차부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 리페어용 상부 플레이트를 제조하는 단계는, 상기 평판부의 외주로부터 수직 연장되어 상기 단차부에 체결되는 측면부를 형성하는 단계를 더 포함하는 정전 척의 리페어 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of forming the repair bottom plate further includes the step of forming a step having a predetermined depth from the top surface on the outer periphery of the repair bottom plate,
Wherein the step of fabricating the repair top plate further comprises forming a side portion vertically extending from an outer periphery of the flat plate to be fastened to the step. 제 9 항에 있어서,
상기 핀홀 보호부는 상기 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트 간의 경계면을 커버할 수 있는 길이로 형성되는 정전 척의 리페어 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the pinhole protector is formed to have a length that can cover an interface between the lower plate and the upper plate. 제 9 항에 있어서,
상기 리페어용 하부 플레이트를 형성하는 단계는, 상기 리페어용 하부 플레이트의 에지를 지정된 폭으로 제거하는 단계를 더 포함하고,
상기 리페어용 상부 플레이트를 형성하는 단계는, 상기 리페어용 하부 플레이트의 외주 전체를 감싸도록 체결되는 측면부를 형성하는 단계를 더 포함하는 정전 척의 리페어 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of forming the repair bottom plate further comprises removing an edge of the repair bottom plate with a specified width,
Wherein the step of forming the repair top plate further comprises the step of forming a side portion that is fastened to surround the entire outer periphery of the repair lower plate. 제 9 항에 있어서,
상기 리페어용 상부 플레이트는 무기재료를 포함하는 세라믹 소재로 형성되는 정전 척의 리페어 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the repair upper plate is formed of a ceramic material including an inorganic material. 제 9 항에 있어서,
상기 리페어용 상부 플레이트를 형성하는 단계는 핫 프레스 방식, 그린 시트 방식, 압축 성형 방식, 소성 방식 중에서 선택된 방식에 의해 상기 제 2 전극을 가둠구조로 형성하는 단계를 더 포함하는 정전 척의 리페어 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of forming the repair top plate further includes forming the second electrode in a confined structure by a method selected from a hot press method, a green sheet method, a compression method, and a firing method.
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