KR101752782B1 - Cleansing liquid for removing lower electrode coating layer and lower elerode coating layer removing method using the same - Google Patents
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Abstract
하부전극의 코팅층 제거용 세정액 및 이를 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법에 관한 것으로서, 상기 세정액은 하부전극에 형성된 이트리아(Y2O3) 코팅층을 제거하기 위한 세정액으로서, 황산이 20 내지 22 중량%, 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어진다.
본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 황산 및 질산이 포함되어 있어 하부전극에 도포시 하부전극에 대한 코팅층의 접착력을 감소시키므로 하부전극으로부터 용이하게 코팅층을 제거할 수 있어 하부전극의 재생작업시 하부전극의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다. A cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode and a method for removing a coating layer of a lower electrode using the same, wherein the cleaning liquid is a cleaning liquid for removing an yttria (Y 2 O 3 ) coating layer formed on a lower electrode, , 15 to 17 wt% of nitric acid, and the balance of water.
Since the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention contains sulfuric acid and nitric acid, the coating layer can be easily removed from the lower electrode because the coating strength of the coating layer on the lower electrode is reduced when the lower electrode is coated, There is an advantage that the deformation of the lower electrode can be prevented.
Description
본 발명은 하부전극의 코팅층 제거용 세정액 및 이를 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하부전극에 형성된 이트리아(Y2O3) 코팅층을 제거하기 위한 하부전극의 코팅층 제거용 세정액 및 이를 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode and a method for removing a coating layer of a lower electrode using the same, and more particularly, to a cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode for removing an yttria (Y 2 O 3 ) And a method of removing a coating layer of a lower electrode using the cleaning liquid.
액정디스플레이(LCD)와 같은 평판표시장치를 제조하기 위해서는 피처리물에 대하여 산화, 마스킹, 포토레지스트 도포, 식각, 확산 및 적층 등과 이들 공정들의 전, 후에 보조적으로 수행되는 세척, 건조 및 검사 등의 여러 공정이 수행되어야 하며, 각각의 공정에는 대응하는 특별한 장비들이 사용된다. 이중 식각 공정에서는 피처리물의 최상단층에 원하는 패턴을 얻기 위하여 부분적으로 제거하는 공정으로서, 화학물질을 이용하는 습식식각, 기체상의 식각 가스를 플라즈마식각, 이온빔식각, 반응성이온식각 등의 건식식각을 포함한다.In order to manufacture a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD), it is necessary to perform oxidation, masking, photoresist application, etching, diffusion and laminating, and cleaning, drying and inspection Various processes have to be performed, and corresponding equipment is used for each process. In the double etching process, wet etching using a chemical substance, dry etching such as plasma etching, ion beam etching, reactive ion etching, etc., is performed on the uppermost layer of the object to be processed to obtain a desired pattern. .
일반적으로 식각공정은 식각가스를 식각챔버 내로 인입시켜 상부전극 및 하부전극에 인가된 전압에 의하여 가속되어 피처리물 상으로 인도되게 하고 피처리물 표면 상의 막질과 반응되도록 함으로써 피처리물의 표면을 식각하는 구성을 한다. 종래 식각챔버 내의 하부전극은, 국내 실용신안 등록번호 20-0359870 반도체 및 액정패널 제조 설비용 하부전극의 공보에도 개시되어 있는 바와 같이, 식각가스가 피처리물에 균일하게 공급되어 균일한 식각이 이루어질 수 있도록 하기 위하여, 표면상에 무수한 돌기 즉 엠보싱을 가지는 형상을 한다.Generally, the etching process draws the etching gas into the etching chamber, accelerates by the voltage applied to the upper and lower electrodes, and is guided to the object to be processed, and reacts with the film on the surface of the object to be processed. . The lower electrode in the conventional etching chamber is uniformly etched by supplying the etching gas uniformly to the object to be processed as disclosed in the publication of Korean Utility Model Registration No. 20-0359870 for lower electrodes for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment In order to make it possible, it has a shape with numerous projections or embossings on its surface.
이러한 식각챔버는 주기적으로 유지보수를 위해 해체되어 보수를 하게 된다. 이중 하부전극에는 챔버 내의 O링에서 떨어져 나온 이물질 또는 식각용액 중 몰리브덴(Mo) 등의 이물질이 엠보싱 구조 사이 사이에 끼여 있으므로 이들 이물질을 제거하고 원래의 엠보싱 구조를 재생하는 작업이 필요하게 된다. 이러한 하부전극의 재생 작업은, 종래에는 샌딩 블라스트 방식을 사용하고 있다. 통상적으로 하부전극은 표면에 이트리아(Y2O3) 코팅층이 형성되어 있는데, 재생작업시 상기 코팅층으로 고압의 샌드를 분사하여 코팅층을 제거한다. 그러나, 종래의 하부전극의 코팅층 제거방법은 작업시 많은 비용이 소요되며, 고압으로 분사되는 샌드에 의해 하부전극가 변형되어 코팅층 제거 이후에 하부전극의 평탄도를 개선하기 위한 추가작업이 요구되는 단점이 있다. The etch chamber is periodically repaired for maintenance. In the double bottom electrode, impurities such as molybdenum (Mo) in the foreign material or etching solution separated from the O-ring in the chamber are sandwiched between the embossed structures. Therefore, it is necessary to remove these foreign substances and regenerate the original embossed structure. Conventionally, a sandblasting method is used for regenerating the lower electrode. Generally, the lower electrode has a yttria (Y 2 O 3 ) coating layer formed on its surface, and a high-pressure sand is sprayed on the coating layer during a regeneration operation to remove the coating layer. However, the conventional method of removing the coating layer of the lower electrode requires a lot of work, and further work is required to improve the flatness of the lower electrode after the coating layer is removed due to the lower electrode being deformed by the sand sprayed at high pressure have.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 창안된 것으로서, 하부전극에 도포되어 하부전극에 형성된 이트리아(Y2O3) 코팅층을 제거할 수 있도록 황산 및 질산이 포함된 하부전극의 코팅층 제거용 세정액 및 이를 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. Disclosure of the Invention The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for removing a coating layer of a lower electrode containing sulfuric acid and nitric acid to remove an yttria (Y 2 O 3 ) coating layer formed on a lower electrode, And a method of removing the coating layer of the lower electrode using the cleaning liquid.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 다른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 하부전극에 형성된 이트리아(Y2O3) 코팅층을 제거하기 위한 세정액으로서, 황산이 20 내지 22 중량%, 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어진다. In order to achieve the above object, a cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention is a cleaning liquid for removing an yttria (Y 2 O 3 ) coating layer formed on a lower electrode, wherein the cleaning liquid contains 20 to 22% by weight of sulfuric acid, 17% by weight, the balance being water.
상기 세정액은 온도가 23 내지 27℃인 것이 바람직하다. The cleaning liquid preferably has a temperature of 23 to 27 ° C.
한편, 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법은 재생대상 이트리아(Y2O3) 코팅층이 형성된 하부전극을 준비하는 준비단계와, 상기 이트리아 코팅층에 황산 및 질산이 포함된 세정액을 도포하는 세정액 도포단계와, 상기 세정액 도포단계 이후에, 상기 하부전극으로부터 상기 이트리아 코팅층을 분리시키는 제거단계를 포함한다. Meanwhile, a method for removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention includes a preparation step of preparing a lower electrode having a Y 2 O 3 coating layer to be regenerated, and a step of applying a cleaning solution containing sulfuric acid and nitric acid to the yttria coating layer A cleaning liquid applying step and a removing step of separating the yttria coating layer from the lower electrode after the cleaning liquid applying step.
상기 세정액은 상기 황산이 20 내지 22 중량%, 상기 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어진 것이 바람직하다. 상기 세정액은 온도가 23 내지 27℃이다. It is preferable that the cleaning liquid contains 20 to 22% by weight of the sulfuric acid, 15 to 17% by weight of the nitric acid, and the balance of water. The cleaning liquid has a temperature of 23 to 27 占 폚.
상기 하부전극은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있다. The lower electrode is made of aluminum or an aluminum alloy.
한편, 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법은 상기 세정액 도포단계 및 제거단계 사이에, 상기 하부전극을 정제수로 세정하는 세정단계를 더 포함한다. Meanwhile, the method for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention may further include a cleaning step of cleaning the lower electrode with purified water between the cleaning liquid applying step and the removing step.
또한, 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법은 상기 제거단계 이후에, 상기 이트리아 코팅층이 제거된 상기 하부전극을 건조시키는 건조단계를 더 포함할 수도 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of removing a coating layer of a lower electrode, the method further comprising a drying step of drying the lower electrode from which the yttria coating layer has been removed.
본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 황산 및 질산이 포함되어 있어 하부전극에 도포시 하부전극에 대한 코팅층의 접착력을 감소시키므로 하부전극으로부터 용이하게 코팅층을 제거할 수 있어 하부전극의 재생작업시 하부전극의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다. Since the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention contains sulfuric acid and nitric acid, the coating layer can be easily removed from the lower electrode because the coating strength of the coating layer on the lower electrode is reduced when the lower electrode is coated, There is an advantage that the deformation of the lower electrode can be prevented.
도 1은 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법에 대한 순서도이고,
도 2는 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법에 사용된 하부전극에 대한 사진이고,
도 3은 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법에 따라 하부전극으로부터 코팅층을 벗겨내는 사진이고,
도 4는 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거방법에 따라 코팅층 제거가 완료된 하부전극에 대한 사진이다. 1 is a flowchart of a method for removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention,
2 is a photograph of a lower electrode used in a method of removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention,
3 is a photograph illustrating peeling off a coating layer from a lower electrode according to a method of removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention,
4 is a photograph of the lower electrode according to the present invention in which the coating layer is removed according to the method of removing the coating layer of the lower electrode.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액 및 이를 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode and a method for removing a coating layer of a lower electrode using the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 하부전극에 형성된 이트리아(Y2O3) 코팅층을 제거하기 위한 세정액으로서, 황산, 질산 및 물을 포함한다. 보다 상세하게는 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 황산이 20 내지 22 중량%, 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어진다. 이때, 상기 하부전극은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 것이 바람직하다. The cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention is a cleaning liquid for removing the yttria (Y 2 O 3 ) coating layer formed on the lower electrode, and includes sulfuric acid, nitric acid and water. More specifically, the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode comprises 20 to 22% by weight of sulfuric acid, 15 to 17% by weight of nitric acid, and the balance of water. At this time, the lower electrode is preferably made of aluminum or an aluminum alloy.
상기 황산은 상기 하부전극에 대한 상기 이트리아 코팅층의 접착력을 감소시킨다. 세정액에서 황산이 22중량%를 초과할 경우, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 하부전극에 부식이 발생되고, 세정액에서 황산이 20중량% 미만일 경우, 하부전극에 대한 이트리아 코팅층의 접착력이 견고하게 유지된다. The sulfuric acid reduces adhesion of the yttria coating layer to the lower electrode. When the concentration of sulfuric acid in the cleaning liquid exceeds 22 wt%, corrosion occurs in the lower electrode made of aluminum or an aluminum alloy. When the concentration of sulfuric acid in the cleaning liquid is less than 20 wt%, adhesion of the yttria coating layer to the lower electrode is firmly maintained .
따라서, 황산은 하부전극의 코팅층 제거용 세정액에 20 내지 22 중량%로 포함된다. 즉, 황산은 물 100중량부에 대하여 30 내지 35 중량부의 비율로 세정액에 포함되는 것이 바람직하다. Therefore, the sulfuric acid is contained in the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode in an amount of 20 to 22% by weight. That is, the sulfuric acid is preferably contained in the cleaning liquid at a ratio of 30 to 35 parts by weight based on 100 parts by weight of water.
질산은 세정액이 하부전극에 도포시 하부전극이 부식 및 식각되는 것을 방지한다. 세정액에서 질산이 17중량%를 초과할 경우, 상대적으로 황산의 비율이 감소하여 하부전극에 대한 이트리아 코팅층의 접착력이 견고하게 유지되고, 세정액에서 질산이 15중량% 미만일 경우, 하부전극에 부식 및 식각이 발생된다. Nitric acid prevents the lower electrode from being corroded and etched when the cleaning liquid is applied to the lower electrode. When the concentration of nitric acid in the cleaning liquid is more than 17 wt%, the ratio of sulfuric acid is relatively decreased, and the adhesion of the yttria coating layer to the lower electrode is maintained firmly. When the concentration of nitric acid in the cleaning liquid is less than 15 wt% An etching is generated.
따라서, 질산은 하부전극의 코팅층 제거용 세정액에 15 내지 17 중량%로 포함된다. 즉, 질산은 물 100중량부에 대하여 22 내지 27 중량부의 비율로 세정액에 포함된다. Therefore, the nitric acid is contained in the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode in an amount of 15 to 17% by weight. That is, the nitric acid is contained in the cleaning liquid at a ratio of 22 to 27 parts by weight based on 100 parts by weight of water.
또한, 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 온도가 23 내지 27℃인 것이 바람직하다. 세정액의 온도가 27℃를 초과할 경우, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 하부전극에 부식이 발생되고, 세정액의 온도가 23℃ 미만일 경우, 하부전극으로부터 코팅층의 분리는 가능하나 하부전극에 대한 코팅층의 접착력이 소멸되기까지 소요되는 시간이 비교적 길다는 단점이 있다. The cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention preferably has a temperature of 23 to 27 ° C. When the temperature of the cleaning liquid exceeds 27 캜, corrosion occurs in the lower electrode made of aluminum or aluminum alloy. When the temperature of the cleaning liquid is less than 23 캜, the coating layer can be separated from the lower electrode, The time required until the annihilation is relatively long is a disadvantage.
한편, 도 1에는 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액을 이용한 하부전극의 코팅층 제거방법에 대한 순서도가 도시되어 있다. FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of removing a coating layer of a lower electrode using a cleaning liquid for removing a coating layer of a lower electrode according to the present invention.
도면을 참조하면, 하부전극의 코팅층 제거방법은 준비단계(S110), 세정액 도포단계(S120), 세정단계(S130), 제거단계(S140) 및 건조단계(S150)를 포함한다. Referring to the drawings, a method of removing a coating layer of a lower electrode includes a preparing step (S110), a cleaning liquid applying step (S120), a cleaning step (S130), a removing step (S140), and a drying step (S150).
준비단계(S110)는 재생대상 이트리아(Y2O3) 코팅층이 형성된 하부전극을 준비하는 단계이다. 작업자는 디스플레이 제조장비의 식각 챔버 내에 설치된 하부전극을 식각 챔버로부터 분리하여 준비한다. 도 2에는 식각 챔버로부터 분리된 하부전극에 대한 사진이 게재되어 있다. 도 2에서 빨간 네모 박스로 표시된 부분이 하부전극에 마련된 이트리아 코팅층이다. 이때, 하부전극은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진다. The preparation step S110 is a step of preparing a lower electrode on which a reproduced object is formed with a triazole (Y 2 O 3 ) coating layer. The operator prepares the lower electrode installed in the etching chamber of the display manufacturing equipment by detaching it from the etching chamber. 2 shows a photograph of the lower electrode separated from the etching chamber. In Fig. 2, a portion indicated by a red square box is an yttria coating layer provided on the lower electrode. At this time, the lower electrode is made of aluminum or an aluminum alloy.
세정액 도포단계(S120)는 상기 이트리아 코팅층에 황산 및 질산이 포함된 세정액을 도포하는 단계이다. 상기 세정액은 상술된 바와 같이 세정액은 상기 황산이 20 내지 22 중량%, 상기 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어지고, 온도가 23 내지 27℃인 것이 바람직하다. 이때, 작업자는 세정액과 코팅층이 반응할 수 있도록 세정액이 도포된 상태로 소정시간 방치한다. The cleaning liquid applying step (S120) is a step of applying a cleaning liquid containing sulfuric acid and nitric acid to the yttria coating layer. As described above, it is preferable that the cleaning liquid contains 20 to 22% by weight of the sulfuric acid, 15 to 17% by weight of the nitric acid, and the remainder is water, and the temperature is 23 to 27 ° C as described above. At this time, the operator leaves the cleaning liquid applied for a predetermined time so that the cleaning liquid and the coating layer can react with each other.
한편, 도면에 도시되진 않았지만, 작업자는 상기 세정액이 수용된 수조를 준비하고, 하부전극을 상기 세정액에 침지되도록 수조에 설치할 수도 있다. On the other hand, although not shown in the drawing, the operator may prepare the water tank containing the cleaning liquid and install the lower electrode in the water tank so as to be immersed in the cleaning liquid.
세정단계(S130)는 세정액 도포단계(S120) 이후에, 상기 하부전극을 정제수로 세정하는 단계이다. 작업자는 분사장비를 이용하여 세정액이 도포된 하부전극의 표면에 정제수를 분사한다. 이때, 정제수는 염기성 용액이나 물이 적용되는 것이 바람직하다. 상기 정제수로 하부전극을 세정하므로 코팅층 제거 작업시 작업자가 하부전극에 잔류하는 세정액에 의해 피부에 피해를 입는 것을 방지한다. The cleaning step (S130) is a step of cleaning the lower electrode with purified water after the cleaning liquid applying step (S120). The operator injects the purified water onto the surface of the lower electrode to which the cleaning liquid is applied by using the spraying equipment. At this time, the purified water is preferably a basic solution or water. Since the lower electrode is cleaned with the purified water, the operator can prevent the skin from being damaged by the cleaning liquid remaining on the lower electrode during the coating layer removing work.
제거단계(S140)는 세정단계(S130) 이후에, 상기 세정액 도포단계(S120) 이후에, 상기 하부전극으로부터 상기 이트리아 코팅층을 분리시키는 단계이다. 작업자는 스크래퍼(미도시)를 이용하여 코팅층 부분을 스크래핑하거나 코팅층의 일측을 파지한 다음 상기 코팅층을 하부전극에서 벗겨낸다. 이때, 코팅층은 세정액에 의해 하부전극에 대한 접착력이 소멸된 상태이므로 용이하게 하부전극으로부터 분리된다. 도 3은 하부전극으로부터 코팅층을 벗겨내는 사진이다. 도 3을 참조하면, 상기 세정액에 의해 하부전극으로부터 코팅층이 용이하게 분리됨을 알 수 있다. The removing step S140 is a step of separating the yttria coating layer from the lower electrode after the cleaning step S130 and after the cleaning liquid applying step S120. The operator scrapes the coating layer using a scraper (not shown) or grasps one side of the coating layer and then peels off the coating layer from the lower electrode. At this time, the coating layer is easily separated from the lower electrode since the adhesive force to the lower electrode is extinguished by the cleaning liquid. 3 is a photograph of peeling the coating layer from the lower electrode. Referring to FIG. 3, it can be seen that the coating layer is easily separated from the lower electrode by the cleaning liquid.
건조단계(S150)는 제거단계(S140) 이후에, 상기 이트리아 코팅층이 제거된 상기 하부전극을 건조시키는 단계이다. 작업자는 코팅층이 제거된 하부전극에 열풍기를 통해 열풍을 공급하거나 하부전극을 그늘진 곳에 소정 시간 방치하여 하부전극 표면에 잔류하는 정제수를 제거한다. 도 4에는 코팅층 제거가 완료된 하부전극에 대한 사진이 게재되어 있다. The drying step S150 is a step of drying the lower electrode from which the yttria coating layer has been removed after the removing step S140. The operator applies hot air to the lower electrode from which the coating layer has been removed, or removes the remaining purified water on the surface of the lower electrode by leaving the lower electrode in a shaded place for a predetermined time. FIG. 4 shows a photograph of the lower electrode on which the coating layer has been removed.
상술된 바와 같은 구성된 본 발명에 따른 하부전극의 코팅층 제거용 세정액은 황산 및 질산이 포함되어 있어 하부전극에 도포시 하부전극에 대한 코팅층의 접착력을 감소시키므로 하부전극으로부터 용이하게 코팅층을 제거할 수 있어 하부전극의 재생작업시 하부전극의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다. Since the cleaning liquid for removing the coating layer of the lower electrode according to the present invention as described above contains sulfuric acid and nitric acid, the coating layer can be easily removed from the lower electrode since the adhesion force of the coating layer to the lower electrode is reduced upon application to the lower electrode There is an advantage that deformation of the lower electrode can be prevented during the regenerating operation of the lower electrode.
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.The description of the disclosed embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention. Thus, the present invention is not intended to be limited to the embodiments shown herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features presented herein.
S110: 준비단계
S120: 세정액 도포단계
S130: 세정단계
S140: 제거단계
S150: 건조단계S110: Preparation step
S120: Washing liquid application step
S130: Cleaning step
S140: Removal step
S150: drying step
Claims (8)
상기 식각챔버로부터 분리된 상기 하부전극의 이트리아 코팅층에, 황산 및 질산이 포함된 세정액을 도포하여 상기 하부전극에 대한 상기 이트리아 코팅층의 접착력을 제거하는 세정액 도포단계와;
상기 세정액 도포단계 이후에, 분사장비를 이용하여 상기 세정액이 도포된 상기 하부전극의 표면에 정제수를 분사하여 상기 하부전극을 세정하는 세정단계와;
상기 세정단계 이후에, 상기 하부전극으로부터 상기 이트리아 코팅층을 분리시키는 제거단계;를 포함하는,
상기 세정액은 상기 하부전극에 대한 상기 이트리아 코팅층의 접착력을 제거하되, 상기 하부전극이 부식되는 것을 방지하기 위해 상기 황산이 20 내지 22 중량%, 상기 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는 물로 이루어지고, 온도가 23 내지 27℃이고,
상기 제거단계에서는, 스크래퍼를 이용하여 상기 하부전극으로부터 상기 이트리아 코팅층을 스크래핑하는,
하부전극의 코팅층 제거방법.
A preparation step of separating a lower electrode formed of aluminum or an aluminum alloy from the etching chamber, wherein the lower electrode is provided in an etching chamber of the display manufacturing equipment and is provided with a yttria (Y 2 O 3 ) coating layer;
A cleaning liquid applying step of applying a cleaning liquid containing sulfuric acid and nitric acid to the yttria coating layer of the lower electrode separated from the etching chamber to remove the adhesive force of the yttria coating layer to the lower electrode;
A cleaning step of cleaning the lower electrode by spraying purified water onto a surface of the lower electrode to which the cleaning liquid is applied using an injection device after the cleaning liquid application step;
And removing the yttria coating layer from the lower electrode after the cleaning step.
Wherein the cleaning liquid removes the adhesion of the yttria coating layer to the lower electrode, wherein the sulfuric acid is contained in an amount of 20 to 22 wt%, the nitric acid is contained in an amount of 15 to 17 wt% Deg.] C, the temperature is 23 to 27 [deg.] C,
Wherein the removing step uses a scraper to scrape the yttria coating layer from the lower electrode,
And removing the coating layer of the lower electrode.
상기 제거단계 이후에, 상기 이트리아 코팅층이 제거된 상기 하부전극을 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는,
하부전극의 코팅층 제거방법.
The method of claim 3,
And a drying step of drying the lower electrode from which the yttria coating layer has been removed after the removing step.
And removing the coating layer of the lower electrode.
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