KR101744936B1 - Apparatus and method for measuring light power at wafer level - Google Patents

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Abstract

여기에서는, 웨이퍼에 일정 배열로 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정할 수 있는 광 출력 측정장치가 개시된다. 개시된 광 출력 측정장치는, 상기 복수의 발광셀들에 전력을 인가하도록, 상기 발광셀들의 전극들 배열에 대응되게 마련된 일 세트의 접촉 단자들과, 상기 발광셀들의 배열에 상응하게 마련되어, 해당 발광셀로부터 광을 받는 일 세트의 광센서들을 포함한다.An optical output measuring apparatus capable of collectively measuring light outputs of a plurality of light emitting cells defined in a predetermined array on a wafer is disclosed. The disclosed optical output measuring apparatus includes a set of contact terminals corresponding to the arrangement of the electrodes of the light emitting cells so as to apply power to the plurality of light emitting cells, And a set of optical sensors receiving light from the cell.
웨이퍼, 발광셀, 발광다이오드, 광, 출력, 접촉단자, 광센서, 포토다이오드 Wafer, light emitting cell, light emitting diode, light, output, contact terminal, optical sensor, photodiode

Description

웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING LIGHT POWER AT WAFER LEVEL} [0001] APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING LIGHT POWER AT WAFER LEVEL [0002]
본 발명은, 발광다이오드의 검사/측정 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 발광다이오드 제조 공정 중, 웨이퍼 레벨에서 웨이퍼에 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄적으로 측정하는 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an inspection / measurement technique for a light emitting diode, and more particularly, to a technique for collectively measuring light output of a plurality of light emitting cells defined in a wafer at a wafer level .
발광다이오드의 가장 작은 단위는 발광다이오드 칩(chip) 또는 다이(die)이다. 일반적으로, 발광다이오드 칩은 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하며, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 활성층이 개재된 것이 많이 이용되고 있다. 그리고, 발광다이오드 칩은 n형 전극과 p형 전극을 포함한다. n형 전극과 p형 전극의 위치에 따라, n형 전극과 p형 전극이 모두 상측으로 노출되어 있는 수평형(lateral type) 발광다이오드 칩과, n형 전극과 p형 전극이 상하 반대되는 방향으로 형성되어 있는 수직형(vertical type) 발광다이오드 칩으로 구분된다.The smallest unit of a light emitting diode is a light emitting diode chip or die. In general, a light emitting diode chip includes an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, and an active layer interposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer is widely used. The light emitting diode chip includes an n-type electrode and a p-type electrode. a lateral type light emitting diode chip in which both the n-type electrode and the p-type electrode are exposed upward according to the positions of the n-type electrode and the p-type electrode, And a vertical type light emitting diode chip.
위와 같은 발광다이오드 칩은, 통상, 반도체층들이 적층된 하나의 웨이퍼로부터 여러개의 칩으로 절단되어 이루어진다. 웨이퍼에는 절단 공정 후의 발광다이오드 칩에서 실제 발광이 이루어지는 영역들이 정의된다. 그 영역들 각각을 발광 동작시키기 위해, n형 전극과 p형 전극이 형성되어 있다. 본 명세서에서, 웨이퍼에서 해당 전극들(n형 및 p형 전극)들에 의해 발광되는 영역들로 정의된 것을 발광셀이라 부른다. The light emitting diode chip is usually formed by cutting a plurality of chips from one wafer on which semiconductor layers are stacked. In the wafer, areas where actual light emission is performed in the light emitting diode chip after the cutting process are defined. And an n-type electrode and a p-type electrode are formed to make each of the regions emit light. In the present specification, a region defined as regions to be emitted by corresponding electrodes (n-type and p-type electrodes) in a wafer is referred to as a light emitting cell.
광 출력(광 세기 또는 광량)의 측정은, 발광다이오드 칩 또는 그것을 포함하는 발광다이오드 패키지에 대하여 이루어질 수 있으나, 웨이퍼 레벨에서도 요구된다. 웨이퍼 레벨에서 발광다이오드 칩의 광 출력을 미리 측정하는 방식으로, 웨이퍼 내에 있는 복수의 발광셀들에 대해 하나씩 광 출력을 측정하는 방식이 있을 수 있다. Measurement of light output (light intensity or light amount) can be made for a light emitting diode chip or a light emitting diode package including it, but is also required at a wafer level. There is a method of measuring the light output one by one for a plurality of light emitting cells in the wafer by a method of measuring the light output of the light emitting diode chip at the wafer level in advance.
그와 같은 측정 방식으로 하나의 발광셀에 있는 두 전극 패드와 접촉하는 한 쌍의 프로브 핀과, 하나의 발광셀로부터 광을 받아 이를 전류신호로 변환하는 하나의 포토다이오드가 이용될 수 있다. 하나의 발광셀에 대한 광 출력 측정이 끝나면 다른 발광셀에 대한 광 출력 측정이 이루어질 것이다. 그러나, 그러한 방식은 웨이퍼에 있는 모든 발광셀들의 광 출력을 측정하는데 있어서 과도하게 많은 시간을 소요케 하는 문제점을 초래한다. 또한, 인접한 발광셀의 영향으로 인해 해당 발광셀의 광 출력에 있어서 측정 오차가 생길 우려가 있다.A pair of probe pins which contact the two electrode pads in one light emitting cell by such a measurement method and one photodiode which receives light from one light emitting cell and converts it into a current signal can be used. When the light output measurement for one light emitting cell is completed, the light output measurement for the other light emitting cell will be performed. However, such a method causes a problem that it takes too much time to measure the light output of all light emitting cells in the wafer. Further, due to the influence of the adjacent light emitting cells, a measurement error may occur in the light output of the corresponding light emitting cell.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 웨이퍼에 있는 복수의 발광셀에 대하여 일괄적으로 광 출력을 측정할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, one object of the present invention is to provide a device capable of collectively measuring light output for a plurality of light emitting cells in a wafer.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 웨이퍼에 있는 복수의 발광셀에 대 하여 일괄적으로 광 출력을 측정할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of collectively measuring light output for a plurality of light emitting cells in a wafer.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 웨이퍼에 있는 복수의 발광셀에 대하여 일괄적으로 광 출력을 측정하되, 하나의 발광셀에서 측정된 광 출력이 다른 발광셀의 광에 의한 간섭에 측정 오차가 생기는 것을 방지할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.A further object of the present invention is to provide a method of measuring light output of a plurality of light emitting cells in a wafer in a batch by measuring light output measured in one light emitting cell, And to provide a technique capable of preventing the occurrence of the problem.
본 발명의 일 측면에 따른 광 출력 측정장치는, 웨이퍼에 일정 배열로 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정하기 위해, 상기 복수의 발광셀들에 전력을 인가하도록, 상기 발광셀들의 전극들 배열에 대응되게 마련된 일 세트의 접촉 단자들과, 상기 발광셀들의 배열에 상응하게 마련되어, 해당 발광셀로부터 광을 받는 일 세트의 광센서들을 포함한다. 상기 광센서들은 포토다이오드들인 것이 바람직하다.An optical output measuring apparatus according to an aspect of the present invention is a device for measuring an optical output of a plurality of light emitting cells defined in a predetermined array on a wafer, A set of contact sensors provided corresponding to the arrangement of the light emitting cells and receiving a light from the light emitting cells. The optical sensors are preferably photodiodes.
바람직하게는, 상기 광 출력 측정장치는, 내부에 상기 광센서들 각각이 위치하고, 해당 발광셀 외 다른 발광셀로부터의 광이 해당 광센서로 향하는 것을 차단하는 광 차폐통들을 더 포함할 수 있다.The optical output measuring apparatus may further include light shielding cans each having the optical sensors positioned therein and blocking light from the light emitting cells other than the light emitting cells from being directed to the optical sensor.
바람직하게는, 상기 광센서들은 상기 발광셀들 각각의 직상에 위치하고, 상기 일 세트의 접촉단자들 중 적어도 일부는 상기 발광셀들과 상기 광센서들 사이에 위치한다.Advantageously, the light sensors are located directly on each of the light emitting cells, and at least some of the set of contact terminals are located between the light emitting cells and the light sensors.
본 발명의 일 측면에 따른 광 출력 측정방법은, 웨이퍼에 일정 배열로 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정하기 위해, 상기 복수의 발광셀들에 전 력을 인가하는 단계와, 상기 발광셀들 각각에 대응되게 마련된 일 세트의 광센서들을 이용해, 상기 발광셀들 각각의 광 출력을 측정하는 단계를 포함한다. 이때, 해당 발광셀 외 다른 발광셀로부터의 광이 해당 광센서로 향하는 것을 차단하기 위해, 광 차폐통들을 이용하는 것이 바람직하다.According to an aspect of the present invention, there is provided an optical output measuring method including: applying power to a plurality of light emitting cells in order to collectively measure optical outputs of a plurality of light emitting cells defined in a predetermined array on a wafer; And measuring the light output of each of the light emitting cells using a set of optical sensors corresponding to each of the cells. At this time, it is preferable to use light shielding cans in order to block the light from the light emitting cells other than the light emitting cell from being directed to the corresponding photosensor.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 내 복수의 발광셀들에 대하여, 일괄적으로 광 출력을 측정함으로써, 그 발광셀들을 하나씩 측정할 때에 비해, 훨씬 빠르게 발광셀들의 광 출력을 측정할 수 있다. 또한, 발광셀들 각각의 광 출력 측정을 위해, 광센서, 특히, 포토다이오드를 이용하되, 그 포토다이오드가 광 차폐통 내에 위치하고 있고, 광 차폐통가 해당 발광셀이 아닌 다른 발광셀로부터의 광을 차단함으로써, 측정 오차를 줄이는데 크게 기여할 수 있다.According to the present invention, the light output of the light emitting cells can be measured much more quickly than when the light emitting cells are measured one by one, by collectively measuring the light output for the plurality of light emitting cells in the wafer. Further, in order to measure the light output of each of the light emitting cells, an optical sensor, in particular, a photodiode is used, and the photodiode is located in the light shielding cylinder. Thereby greatly contributing to reduction of the measurement error.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of the components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치를 설명하기 위한 도면이며, 도 2는, 도 1에 도시된 광 출력 측정장치에서 발광셀들에 전 력을 인가하는 접촉 단자들을 보여준다. FIG. 1 is a view for explaining a wafer-level optical output measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical output measuring apparatus shown in FIG. 1, .
도 1을 참조하면, 웨이퍼(2)가 도시되어 있다. 이 웨이퍼(2)는, 적어도 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 것으로서, 다음에 있을 다이싱 공정에 의해 여러개의 발광다이오드 칩으로 분리되는 것이다. 웨이퍼(2)에는 복수의 발광셀(21)들이 일정 배열로 정의되어 있다. 또한, 웨이퍼(2)에는 복수의 발광셀(21) 각각에 대해 p형 및 n형 전극(22a, 22b)들 형성된다. 웨이퍼(2)로부터 분리된 여러개의 발광다이오드 칩(미도시됨)들 각각은 발광셀(21)과 그 발광셀(21)에 대응되는 p형 및 n형 전극(22a, 22b)들을 포함한다.Referring to Figure 1, a wafer 2 is shown. The wafer 2 includes at least an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, and is separated into a plurality of light emitting diode chips by a dicing process. In the wafer 2, a plurality of light emitting cells 21 are defined in a predetermined array. In addition, p-type and n-type electrodes 22a and 22b are formed on each of the plurality of light emitting cells 21 in the wafer 2. [ Each of a plurality of light emitting diode chips (not shown) separated from the wafer 2 includes a light emitting cell 21 and p-type and n-type electrodes 22a and 22b corresponding to the light emitting cell 21.
자세히 도시하지는 않았지만, p형 전극(22a)은 발광셀(21) 상부에 위치하는 p형 반도체층 또는 그 위의 투명전극층 위에 형성된다. n형 전극(22b)은 반도체층들(적어도 p형 반도체층과 활성층)을 식각하여 노출된 n형 반도체층의 상면에 형성된다. 도 1에 도시된 웨이퍼(2)에서 돌출된 부분의 상면은 p형 전극(22a)이 형성되는 발광셀(21)의 상면을 나타내고, 함몰된 부분의 상면은 n형 전극(22b)이 형성된 n형 반도체층의 상면을 나타낸다. 도 1에 도시된 구조의 웨이퍼로부터 여러개로 절단되는 발광다이오드 칩은 상측으로 n형 및 p형 전극 모두가 노출되는 수평형 발광다이오드 칩이 될 것이다.Although not shown in detail, the p-type electrode 22a is formed on the p-type semiconductor layer located on the light emitting cell 21 or on the transparent electrode layer thereon. The n-type electrode 22b is formed on the exposed n-type semiconductor layer by etching the semiconductor layers (at least the p-type semiconductor layer and the active layer). The upper surface of the portion protruding from the wafer 2 shown in Fig. 1 represents the upper surface of the light emitting cell 21 in which the p-type electrode 22a is formed, and the upper surface of the depressed portion is n Type semiconductor layer. The light emitting diode chip cut into a plurality of wafers having the structure shown in FIG. 1 will be a horizontal light emitting diode chip in which both n-type and p-type electrodes are exposed upward.
본 실시예에 따른 광 출력 측정장치(100)는, 상기 복수의 발광셀(21)들에 동시 또는 교대로 전력을 인가하기 위한 일 세트의 접촉 단자(32a, 32b)들과, 상기 복수의 발광셀(21)들의 광을 받아 반응하는 일 세트의 광센서(42)들을 포함한다. The optical output measuring apparatus 100 according to the present embodiment includes a set of contact terminals 32a and 32b for simultaneously or alternately applying power to the plurality of light emitting cells 21, And a set of optical sensors 42 that receive and react with the light of the cells 21.
상기 복수의 광센서(42)들 각각은 해당 발광셀(21)의 직상에 위치하여, 해당 발광셀(21)로부터의 광에 반응해 발생되는 전류량을 신호로 출력한다. 본 실시예에서, 상기 광센서(42)들은 포토다이오드들이다. 포토다이오드(42)들 각각에서 나온 전류량은 기록되며, 그 기록된 전류량은 미리 측정해 둔 비교치와 비교되어 파장에 따른 광량 표시에 쓰인다.Each of the plurality of optical sensors 42 is positioned directly on the corresponding light emitting cell 21 and outputs an amount of current generated in response to the light from the light emitting cell 21 as a signal. In the present embodiment, the optical sensors 42 are photodiodes. The amount of current from each of the photodiodes 42 is recorded, and the recorded amount of current is compared with a comparison value measured in advance and used for the light amount display according to the wavelength.
또한, 상기 광 출력 측정장치(100)는, 상기 복수의 발광셀(21)에 대응되게 마련된 복수의 광 차폐통(50)들을 포함한다. 상기 광 차폐통(50)들은, 하부가 개방된 구조로서, 상기 복수의 발광셀(21)들 각각의 직상에 위치한다. 또한, 상기 광 차폐통(50)들 각각의 내부 깊숙이에는 전술한 포토다이오드(42)들이 하나씩 설치되어 있다. In addition, the optical output measuring apparatus 100 includes a plurality of light shielding tubes 50 provided corresponding to the plurality of light emitting cells 21. The light shielding tubes (50) have a structure with an opened bottom, and are positioned directly on each of the plurality of light emitting cells (21). Each of the photodiodes 42 described above is installed deep inside each of the light shielding tubes 50.
상기 광 차폐통(50)들은 해당 발광셀(21) 외 다른 발광셀로부터의 광이 해당 발광셀에 대응되는 해당 광센서로 향하는 것을 차단하여, 다른 발광셀로부터의 광으로 인하여 광 출력 측정값에 오차가 생기는 것을 막아준다. 웨이퍼(2) 상에서 이웃하는 발광셀(21, 21) 사이의 간격이 좁기 때문에 이웃하는 다른 발광셀에서 나온 광이 측정하고자 하는 발광셀의 광 출력값에 영향을 끼칠 수 있다. 그러나, 상기 광 차폐통(50)들을 이용하면, 이웃하는 발광셀 사이의 광 간섭이 차단되므로 정확한 광 출력 측정이 가능하다.The light shielding tubes 50 block the light from the light emitting cells other than the light emitting cells 21 from being directed to the corresponding light sensors corresponding to the light emitting cells 21, It prevents errors from occurring. Since the interval between the neighboring light emitting cells 21 and 21 on the wafer 2 is narrow, the light emitted from the adjacent neighboring light emitting cells may affect the light output value of the light emitting cell to be measured. However, by using the light shielding tubes 50, optical interference between neighboring light emitting cells is blocked, so that accurate light output measurement is possible.
도 2에는 4개의 발광셀(21, 21, 21, 21)을 포함하는 웨이퍼(2)가 도시되어 있다. 실제 웨이퍼(2)는 4개보다 훨씬 많은 발광셀을 포함하는 것이 일반적이라는 것에 유의한다. 또한, 도 2에는 일 세트의 접촉 단자(32a, 32b)들이 보여지는데, 이 일 세트의 접촉 단자(32a, 32b)들은 복수의 발광셀(21, 21, 21, 21)들의 p형 및 n형 전극(22a, 22b)들 모두에 접촉하는 단자들을 포함한다. 따라서, 상기 접촉 단자들은, p형 전극에 접촉하는 복수의 제1 접촉 단자(32a)들과, 상기 제1 접촉 단자(32a)들과 다른 극성을 갖고 n형 전극에 접촉하는 복수의 제2 접촉 단자(32b)들을 포함한다. 접촉 단자들간의 간섭을 피하기 위한 하나의 방법으로, 횡으로 이웃하는 두 발광셀의 제1 접촉 단자(32a)와 제2 접촉단자(32b)를 서로 인접하게 배치한 상태로 대부분의 구간에서 평행하게 외부로 연장시킨 구조가 도 2에 보여진다.FIG. 2 shows a wafer 2 including four light emitting cells 21, 21, 21 and 21. It is noted that the actual wafer 2 generally includes much more than four light emitting cells. A set of contact terminals 32a and 32b are shown in Fig. 2, and one set of contact terminals 32a and 32b are connected to the p-type and n-type of the plurality of light emitting cells 21, 21, 21, And terminals that contact both electrodes 22a and 22b. Therefore, the contact terminals include a plurality of first contact terminals 32a contacting the p-type electrode, and a plurality of second contacts 32b having polarities different from those of the first contact terminals 32a and contacting the n- Terminals 32b. As one method for avoiding interference between the contact terminals, the first contact terminal 32a and the second contact terminal 32b of two transversely adjacent light emitting cells are disposed adjacent to each other, The outwardly extended structure is shown in Fig.
다시 도 1을 참조하면, 웨이퍼(2) 또는 그 위의 발광셀(21)들 바로 위로 일 세트의 접촉 단자(32a, 32b)들이 배치되고, 그 위로 광 차폐통(50)들 및 그 내부의 포토다이오드(42)들이 배치됨을 알 수 있다. 이러한 구조에서, 접촉 단자(32a, 32b)들, 포토다이오드(42)들 및 광 차폐통(50)들을 고정시킨 상태로, 웨이퍼(2)를 상승시켜, 그 웨이퍼(2)의 전극(22a, 22b)들과 접촉 단자(32a, 32b)들을 접촉시킬 수 있으며, 대안적으로, 웨이퍼(2)를 고정시킨 상태에서, 접촉 단자(32a, 32b)들, 포토다이오드(42)들 및 광 차폐통(50)들을 하강시켜, 접촉 단자(32a, 32b)들과 웨이퍼(2)의 전극(22a, 22b)들을 접촉시킬 수 있다. 이 경우, 선택된 접촉 단자 쌍(32a 및 32b), 포토다이오드 및 광 차폐통만을 하강시켜, 선택된 발광셀의 전극 쌍(22a, 22b)에 접촉시켜 개별적인 광 출력 측정을 하는 것도 고려할 수 있다. Referring again to Figure 1, a set of contact terminals 32a, 32b are disposed directly above the wafer 2 or the light emitting cells 21 thereon, over which the light shielding cylinders 50 and the interior It can be seen that the photodiodes 42 are arranged. In this structure, the wafer 2 is lifted while the contact terminals 32a and 32b, the photodiodes 42 and the light shielding tubes 50 are fixed, and the electrodes 22a, The contact terminals 32a and 32b can be brought into contact with the contact terminals 32a and 32b and the contact terminals 32a and 32b and the photo- The contact terminals 32a and 32b and the electrodes 22a and 22b of the wafer 2 can be brought into contact with each other. In this case, it is also conceivable to lower only the selected contact terminal pairs 32a and 32b, the photodiode and the light shielding column, and make contact with the electrode pairs 22a and 22b of the selected light emitting cell to perform individual light output measurement.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 출력 측정장치를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining an optical output measuring apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 3은 수직형 발광다이오드 칩용 웨이퍼에서 복수의 발광셀의 광 출력을 측정하는 장치를 보여준다. 도 3을 참조하면, 복수의 발광셀(21)들 각각은 상부에 하 나의 전극(22a)을 구비하며, 나머지 하나의 전극은 웨이퍼(2)의 하부 형성된 공통 전극(미도시됨)이다. 따라서, 상기 발광셀(21)들에 전력을 인가하기 위한 일 세트의 접촉 단자들은, 발광셀(21)들의 상면에 형성된 복수의 상부 전극(22a)들에 접촉하는 복수의 상부 접촉 단자(32a)들과, 웨이퍼(2)의 하부에 있는 하부 전극과 항상 접촉하는 하부 접촉 단자(32b)를 포함한다. FIG. 3 shows an apparatus for measuring the light output of a plurality of light emitting cells in a wafer for a vertical type LED chip. Referring to FIG. 3, each of the plurality of light emitting cells 21 has one electrode 22a on its upper portion, and the other electrode is a common electrode (not shown) formed under the wafer 2. A set of contact terminals for applying power to the light emitting cells 21 includes a plurality of upper contact terminals 32a contacting the plurality of upper electrodes 22a formed on the upper surface of the light emitting cells 21, And a lower contact terminal 32b always in contact with the lower electrode at the lower portion of the wafer 2. [
도 1 및 도 2 또는 도 3에 도시된 것과 같은 광 출력 측정장치를 이용하여, 웨이퍼 레벨에서 발광셀들의 광 출력 측정은 다음과 같은 순서로 이루어진다.The optical output measurement of the light emitting cells at the wafer level is performed in the following order using the optical output measurement apparatus as shown in Figs. 1 and 2 or 3.
먼저, 일 세트의 접촉 단자(32a, 32b)들을 웨이퍼(2) 내 복수의 발광셀(21)들에 대응하는 전극들에 접촉시킨다. 이에 의해, 복수의 발광셀(21)들 각각에는 전력이 인가되어, 각 발광셀(21)들로부터 광이 발생한다. 일 세트의 포토다이오드(42)들은 해당 발광셀(21)의 광을 받아 반응하여, 전류량 신호를 출력한다. 포토다이오드(42)들 각각에서 출력된 전류량은 미리 결정되어 있는 전류량 비교값과 비교되며, 이에 의해, 각 발광셀의 파장에 따른 광량을 표시하는 것이 가능해진다. First, a set of contact terminals 32a and 32b are brought into contact with electrodes corresponding to a plurality of light emitting cells 21 in the wafer 2. [ Thus, power is applied to each of the plurality of light emitting cells 21, and light is generated from each of the light emitting cells 21. A set of photodiodes 42 receives light of the corresponding light emitting cell 21 and reacts to output a current amount signal. The amount of current output from each of the photodiodes 42 is compared with a predetermined current amount comparison value, whereby the amount of light corresponding to the wavelength of each light emitting cell can be displayed.
본 발명은 광 출력 측정 장치에 구비된 광센서(바람직하게는, 포토다이오드)들의 개수 및 접촉단자들의 개수에 따라, 하나의 웨이퍼에 있는 모든 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정하는 것을 포함하며, 그와 달리, 웨이퍼에 있는 복수의 발광셀들 중 2개 이상의 발광셀들에 대하여만 광 출력을 측정하는 것도 포함한다. The present invention includes a method for collectively measuring the light output of all light emitting cells in one wafer in accordance with the number of optical sensors (preferably photodiodes) and the number of contact terminals provided in the optical output measuring apparatus, , It is also possible to measure the light output for only two or more of the plurality of light emitting cells in the wafer.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치를 설명하기 위한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view for explaining a wafer-level optical output measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 2는, 도 1에 도시된 광 출력 측정장치에서 발광셀들에 전력을 인가하는 접촉 단자들을 보여주는 도면.2 is a view showing contact terminals for applying electric power to light emitting cells in the light output measuring apparatus shown in Fig. 1; Fig.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치를 설명하기 위한 도면. 3 is a view for explaining a wafer level optical output measuring apparatus according to another embodiment of the present invention.

Claims (6)

  1. 웨이퍼에 일정 배열로 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정하기 위해,In order to collectively measure the light outputs of a plurality of light emitting cells defined in a predetermined array on a wafer,
    상기 복수의 발광셀들에 전력을 인가하도록, 상기 발광셀들의 전극들 배열에 대응되게 마련된 일 세트의 접촉 단자들과;A set of contact terminals corresponding to the arrangement of the electrodes of the light emitting cells to apply power to the plurality of light emitting cells;
    상기 발광셀들의 배열에 상응하게 마련되어, 해당 발광셀로부터 광을 받는 일 세트의 광센서들을 포함하고,A set of light sensors provided corresponding to the array of light emitting cells and receiving light from the light emitting cells,
    상기 광센서들은 상기 발광셀들 각각의 직상에 위치하고, 상기 일 세트의 접촉단자들 중 적어도 일부는 상기 발광셀들과 상기 광센서들 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치.Wherein the optical sensors are positioned directly on each of the light emitting cells and at least some of the set of contact terminals are located between the light emitting cells and the optical sensors.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 광센서들은 포토다이오드들인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치.The apparatus of claim 1, wherein the optical sensors are photodiodes.
  3. 청구항 1에 있어서, 내부에 상기 광센서들 각각이 위치하고, 해당 발광셀 외 다른 발광셀로부터의 광이 해당 광센서로 향하는 것을 차단하는 광 차폐통들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정장치.The optical module as claimed in claim 1, further comprising light shielding cans each having the optical sensors positioned therein, and blocking light from the light emitting cells other than the light emitting cells from being directed to the optical sensor Measuring device.
  4. 삭제delete
  5. 웨이퍼에 일정 배열로 정의된 복수의 발광셀들의 광 출력을 일괄 측정하기 위해,In order to collectively measure the light outputs of a plurality of light emitting cells defined in a predetermined array on a wafer,
    상기 복수의 발광셀들에 전력을 인가하는 단계; 및Applying power to the plurality of light emitting cells; And
    상기 발광셀들 각각에 대응되게 마련된 일 세트의 광센서들을 이용해, 상기 발광셀들 각각의 광 출력을 측정하는 단계를 포함하고,And measuring a light output of each of the light emitting cells using a set of optical sensors corresponding to each of the light emitting cells,
    상기 광센서들은 상기 발광셀들 각각의 직상에 위치하고, 상기 일 세트의 접촉단자들 중 적어도 일부는 상기 발광셀들과 상기 광센서들 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정방법.Wherein the optical sensors are located directly on each of the light emitting cells and at least some of the set of contact terminals are located between the light emitting cells and the optical sensors.
  6. 청구항 5에 있어서, 해당 발광셀 외 다른 발광셀로부터의 광이 해당 광센서로 향하는 것을 차단하기 위해, 광 차폐통들을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 광 출력 측정방법.The method according to claim 5, wherein light shielding tanks are used to shield light from the light emitting cells other than the light emitting cell from being directed to the light sensor.
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