KR101738981B1 - Method and Apparatus for Repairing Film - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 박막 상의 결함을 확인하는 과정, 상기 박막의 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 입력된 크기로 제거하는 과정, 상기 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 과정, 및 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 과정을 포함하여, 수정물질의 과다토출 또는 과소토출을 방지하고 리페어 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a method for fabricating a thin film transistor, comprising the steps of: confirming a defect on a thin film; removing an area where the defect has occurred in the thin film to a size set in a preset removal set value; It is possible to prevent excessive discharge or underdischarge of the quartz material, including a process of drying or curing the material, and improve the efficiency of the repair process.

Description

리페어 방법 및 리페어 장치{Method and Apparatus for Repairing Film}[0001] The present invention relates to a repair method and a repair apparatus,

본 발명은 리페어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수정물질의 과다토출 또는 과소토출을 방지하고 리페어 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 리페어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a repair method, and more particularly, to a repair method capable of preventing over discharge or under discharge of a correction material and improving the efficiency of a repair process.

최근에 핸드폰, 노트북, PDA(Personal Digital Assistants), 및 대형 TV와 같은 전가기기들의 디스플레이 수요가 증가함에 따라 두께가 얇고 갸벼운 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 기술이 급속히 발전되고 있다.2. Description of the Related Art Recently, as the demand for display devices for mobile devices such as mobile phones, notebooks, personal digital assistants (PDAs), and large-sized TVs has increased, thin and thin flat panel display technology has been rapidly developed.

이러한 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display), 유기 발광 표시 장치(OLED: Organic Light Emitting Diode display) 등이 있는데, 이들 중 액정 표시 장치의 제조공정은 크게 기판 세정 공정, 기판 제조 공정, 기판 합착/액정 주입 공정, 실장 공정 등을 포함한다. Such a flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), and the like. Of these, the manufacturing process of the liquid crystal display device includes a substrate cleaning process, , A substrate adhesion / liquid crystal injection process, and a mounting process.

이와 같은 액정 표시 장치의 제조공정 중에서 기판 제조 공정은 상부 기판인 컬러 필터 기판의 제조 공정과 하부 기판인 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정으로 나뉘어지고, 컬러 필터 기판의 제조방법은 기판 상에 일정 패턴의 블랙 매트릭스를 형성하는 단계, 블랙 매트릭스 사이의 기판 상에 컬러 필터(CF: Color Filter)를 형성하는 단계, 기판 상부에 공통 전극을 형성하는 단계, 및 공통 전극 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함한다.In the manufacturing process of the liquid crystal display device, the substrate manufacturing process is divided into a manufacturing process of a color filter substrate, which is an upper substrate, and a manufacturing process of a thin film transistor substrate, which is a lower substrate. Forming a matrix, forming a color filter (CF) on the substrate between the black matrices, forming a common electrode on the substrate, and forming an alignment film on the common electrode.

이때, 컬러 필터는 특정 파장 대역의 광을 투과시킴으로 적색(R: Red), 녹색(G: Green), 청색(B: Blue)을 표시하는데, 제조 공정 중에 핀홀 등의 박막 불량이 발생할 수 있다.At this time, the color filter displays red (R), green (G), and blue (B) blue by transmitting light of a specific wavelength band, and a thin film defect such as a pinhole may occur during the manufacturing process.

한편, 평판 표시 장치는 어레이 기판, 대향 기판, 액정층 등으로 구성된다. 이 중 어레이 기판에 대한 검사는, 모듈레이터(Modulator)를 어레이 기판 상에 소정 거리만큼 이격시킨 다음 모듈레이터를 이동시키면서 어레이 기판 상에 형성된 신호배선의 단락과 단선을 확인하는 방식으로 수행된다.On the other hand, the flat panel display device comprises an array substrate, an opposing substrate, a liquid crystal layer, and the like. Inspection of the array substrate is performed in such a manner that a modulator is spaced a predetermined distance on the array substrate, and then a modulator is moved while confirming short-circuit and disconnection of the signal wiring formed on the array substrate.

이때, 어레이 기판 상에 존재하는 이물이 모듈레이터와 접촉하면서 모듈레이터 표면의 필름이 손상되어 결함이 발생할 수 있다. 이에, 필름의 결함을 통해 필름에 의해 커버되는 액정이 외부로 누출되는 문제가 발생할 수 있다.At this time, foreign matter existing on the array substrate may come into contact with the modulator, and the film on the surface of the modulator may be damaged, resulting in defects. Thus, the problem of leakage of the liquid crystal covered by the film through the defect of the film may occur.

종래에는 컬러 필터 또는 모듈레이터의 결함을 리페어하기 위해 결함이 발생한 부분으로 잉크를 토출하였다. 그러나 결함의 크기가 달라지면 결함의 크기에 맞추어 잉크의 토출량을 조절해야 하지만, 결함의 크기에 따른 다양한 토출량을 결정하는 공정연구가 필요하고, 토출량 제어가 미세한 크기까지 정밀하게 이루어지기 어려운 문제가 있다. 이에, 잉크가 결함의 크기보다 과다하게 또는 과소하게 토출될 수 있고, 결함에 대한 리페어 성공률이 감소될 수 있다.Conventionally, the ink is ejected to a defective portion in order to repair defects of a color filter or a modulator. However, if the size of the defect is changed, it is necessary to adjust the discharge amount of the ink according to the size of the defect. However, it is necessary to study the process of determining various discharge amounts according to the size of the defect, and there is a problem that the discharge amount control is not precisely performed to a minute size. Thus, the ink can be discharged more or less than the defect size, and the repair success rate for defects can be reduced.

KRKR 2006-00011672006-0001167 AA

본 발명은 수정물질의 과다토출 또는 과소토출을 방지할 수 있는 리페어 방법을 제공한다.The present invention provides a repair method capable of preventing overdischarge or underdischarge of a quartz material.

본 발명은 결함에 대한 리페어 효율을 향상할 수 있는 리페어 방법을 제공한다.The present invention provides a repair method capable of improving repair efficiency for defects.

본 발명은, 박막 상의 결함을 확인하는 과정; 상기 박막의 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 입력된 크기로 제거하는 과정; 상기 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 과정; 및 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 과정을; 포함한다.The present invention relates to a process for identifying defects on a thin film; Removing the defective area of the thin film at a size input to a preset removal set value; Supplying a modified substance to the removed portion; And drying or curing the quartz material; .

상기 박막 상의 결함을 확인하는 과정은, 상기 결함의 위치를 확인하는 과정; 및 상기 결함의 면적 및 두께를 측정하는 과정을 포함한다.The process of confirming the defects on the thin film includes the steps of confirming the position of the defects; And measuring the area and thickness of the defect.

상기 제거 설정값은 서로 다른 면적값이 입력된 복수의 값을 가지고, 상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 과정은, 상기 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 면적 이상의 면적값을 가지는 제거 설정값들을 선별하는 과정; 선별된 제거 설정값들 중 상기 결함의 면적과 제일 근접한 면적값을 가지는 제거 설정값을 선택하는 과정; 및 선택된 제거 설정값에 따라 상기 결함이 발생한 영역을 도려내는 과정을; 포함한다.Wherein the removal setting value has a plurality of values to which different area values are input, and the step of removing the area where the defect is generated includes the step of selecting the removal setting values having an area value equal to or larger than the area of the defect among the plurality of removal setting values Process; Selecting an elimination set value having an area value closest to the area of the defect among the selected elimination set values; And extracting the defective area according to the selected removal setting value; .

상기 제거 설정값은 서로 다른 깊이값이 입력된 복수의 값을 가지고, 상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 과정은, 상기 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 두께 이상의 깊이값을 가지는 제거 설정값들을 선별하는 과정; 선별된 설정값들 중 상기 결함의 두께와 제일 근접한 깊이값을 가지는 제거 설정값을 선택하는 과정; 및 선택된 제거 설정값에 따라 상기 결함이 발생한 영역을 도려내는 과정을; 포함한다.Wherein the removal setting value has a plurality of values to which different depth values are input, and the step of removing the defective area comprises: selecting removal setting values having a depth value equal to or greater than the thickness of the defect among the plurality of removal setting values Process; Selecting a removal setting value having a depth value closest to the thickness of the defect among the selected setting values; And extracting the defective area according to the selected removal setting value; .

상기 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 과정은, 상기 수정물질의 높이가 상기 박막 표면의 높이와 오차범위 내에서 동일선상에 위치하도록 미리 설정된 공급 설정값에 입력된 양으로 수정물질을 공급하는 과정을 포함한다.The process of supplying the correction material to the removed portion may include supplying the correction material in an amount input to the preset supply set value such that the height of the correction material is located on the same line within the error range from the height of the thin film surface .

상기 공급 설정값은 상기 수정물질의 서로 다른 공급량 값이 입력된 복수의 값을 가지고, 상기 수정물질을 채워넣는 과정은, 상기 제거 설정값에 입력된 면적값 및 깊이값에 대응하여 상기 복수의 공급 설정값 중 하나를 선택하는 과정; 및 상기 박막의 제거된 부분으로 선택된 공급 설정값에 따라 수정물질을 공급하는 과정을; 포함한다.Wherein the supply setting value has a plurality of values to which different supply amount values of the correction material are input, and the step of filling the correction material comprises the steps of: Selecting one of the set values; And supplying the correction material according to a selected supply setting value as the removed portion of the thin film; .

상기 박막은 컬러필터를 포함하고, 상기 수정물질은 서로 색이 다른 복수의 물질을 포함하며, 상기 수정물질을 채워넣는 과정은, 복수의 수정물질 중 상기 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응되는 색의 수정물질을 선택하는 과정; 및 상기 컬러필터의 제거된 부분으로 선택된 수정물질을 공급하는 과정을; 포함한다.The thin film includes a color filter, and the quartz material includes a plurality of materials having different colors from each other, and the process of filling the quartz material is performed so that the color of the quartz material corresponding to the color of the color filter A process of selecting a color correction material; And supplying the selected correction material to the removed portion of the color filter; .

상기 결함은 핀홀결함 및 돌기결함 중 적어도 어느 하나를 포함한다.The defect includes at least one of a pinhole defect and a protrusion defect.

상기 박막은 일측에 형성된 액정층을 커버하는 보호막을 포함하고, 상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 과정은, 상기 결함이 발생한 영역의 보호막 및 액정층을 제거하는 과정을 포함하며, 상기 수정물질을 공급하는 과정은, 상기 보호막 및 상기 액정층의 제거된 부분의 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하는 과정을 포함한다.The thin film includes a protective film covering a liquid crystal layer formed on one side, and the step of removing the defective area includes a step of removing a protective film and a liquid crystal layer of the defective area, A process of supplying a correction material to an edge region of the protective film and the removed portion of the liquid crystal layer.

상기 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하는 과정은, 상기 제거된 부분의 둘레에 대응하여 복수의 위치에서 수정물질을 공급하거나, 상기 둘레를 따라 이동하면서 수정물질을 공급한다.In the process of supplying the correction material to the edge area, the correction material is supplied at a plurality of positions corresponding to the circumference of the removed part, or the correction material is supplied while moving along the circumference.

상기 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하는 과정은, 상기 액정층 내 액정이 유출되지 않도록 상기 액정층을 커버하는 측벽을 형성한다.The step of supplying the correction material to the edge region may form a side wall covering the liquid crystal layer so that the liquid crystal in the liquid crystal layer does not flow out.

상기 박막은 폴리이미드 필름을 포함하고, 상기 결함은 상기 폴리이미드 필름의 찢어짐을 포함한다.The thin film includes a polyimide film, and the defects include tearing of the polyimide film.

본 발명은, 박막을 절단하는 레이저빔을 발생시키고, 상기 박막 상의 결함이 발생한 영역으로 상기 레이저빔을 조사하는 레이저부; 상기 레이저빔에 의해 제거된 상기 결함이 발생한 영역으로 수정물질을 공급하는 수정물질 공급부; 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 건조경화부; 및 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하도록 상기 레이저부의 작동을 제어하는 제어부를; 포함한다.The present invention provides a laser processing apparatus comprising: a laser section for generating a laser beam for cutting a thin film and irradiating the laser beam to a region where defects on the thin film are generated; A correction material supplier for supplying the correction material to a region where the defect is removed by the laser beam; A dry hardening part for drying or hardening the quartz material; And a control unit for controlling the operation of the laser unit to remove the defective area according to a preset removal setting value; .

상기 박막은 컬러필터를 포함하고, 상기 수정물질 공급부는, 상기 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응하는 색의 수정물질을 공급하도록 서로 다른 색의 수정물질을 공급하는 복수의 노즐유닛을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제거된 부분으로 미리 설정된 공급 설정값에 따라 수정물질을 공급하고, 상기 제거된 부분에 상기 수정물질을 채우도록 상기 수정물질 공급부의 작동을 제어한다.Wherein the thin film includes a color filter and the correction material supply unit includes a plurality of nozzle units for supplying correction materials of different colors to supply a correction material of a color corresponding to the color of the defective color filter , The control unit supplies the correction material according to a preset supply set value to the removed part and controls the operation of the correction material supply unit to fill the removed part with the correction material.

상기 박막은 일측에 형성된 액정층을 커버하는 보호막을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 결함이 발생한 영역의 보호막 및 액정층을 제거하고, 상기 보호막 및 상기 액정층의 제거된 부분의 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하도록 상기 레이저부 및 상기 수정물질 공급부의 작동을 제어한다.Wherein the thin film includes a protective film covering a liquid crystal layer formed on one side thereof, and the control unit removes a protective film and a liquid crystal layer of the defective area, and forms an edge area of the protective film and the removed area of the liquid crystal layer, To control the operation of the laser part and the correction material supply part.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 결함을 미리 설정된 크기로 제거하고, 제거된 부분의 크기에 맞추어 정해진 양의 수정물질 예컨대 잉크를 공급한다. 이에, 수정물질의 과다토출 또는 과소토출을 방지하여 리페어 작업의 성공률이 향상된다.According to embodiments of the present invention, defects are removed to a predetermined size, and a predetermined amount of correction material, such as ink, is supplied according to the size of the removed portion. Thus, excessive discharge or underdischarge of the quartz material is prevented, thereby improving the success rate of the repair work.

또한, 다양한 크기로 발생되는 결함에 대응하여 토출될 수정물질의 양을 산출할 필요가 없기 때문에, 리페어 공정이 단순해지고 리페어 시간이 단축될 수 있다. 이에, 리페어 공정의 효율이 향상될 수 있다.Further, since it is not necessary to calculate the amount of the correction material to be discharged corresponding to the defects generated in various sizes, the repair process can be simplified and the repair time can be shortened. Thus, the efficiency of the repair process can be improved.

또한, 토출되는 수정물질의 양을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 미세하게 제거된 부분에 원하는 양의 수정물질을 정밀하게 토출할 수 있고, 과다토출로 인한 수정물질의 낭비를 방지할 수 있다.In addition, since the amount of the discharged quartz material can be precisely controlled, a desired amount of quartz material can be precisely discharged to the finely removed portion, and waste of the quartz material due to excessive discharge can be prevented.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 방법을 나타내는 플로우 차트.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 컬러필터를 리페어하는 과정을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제거 설정값을 나타내는 표.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 공급 설정값을 나타내는 표.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 모듈레이터를 리페어하는 과정을 나타내는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a structure of a repair apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a flow chart illustrating a repair method in accordance with an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a process of repairing a color filter according to an embodiment of the present invention;
4 is a table showing removal settings according to an embodiment of the present invention;
5 is a table showing supply set values according to an embodiment of the present invention;
6 illustrates a process of repairing a modulator according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 장치의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a view showing the structure of a repair apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 리페어 장치는, 박막을 절단하는 레이저빔을 발생시키고, 상기 박막 상의 결함이 발생한 영역으로 상기 레이저빔을 조사하는 레이저부(100), 상기 레이저빔에 의해 제거된 상기 결함이 발생한 영역으로 수정물질을 공급하는 수정물질 공급부(200), 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 건조경화부(300), 및 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하도록 상기 레이저부(100)의 작동을 제어하는 제어부(400)를 포함한다. 이때, 상기 박막은 비전도성 막 또는 절연막일 수 있다. 더욱 상세하게는 박막이 컬러필터일 수 있고, 결함은 상기 결함은 핀홀결함 및 돌기결함 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.1, a repair apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser unit 100 for generating a laser beam for cutting a thin film and irradiating the laser beam to a region where a defect on the thin film is generated, A correction material supply unit 200 for supplying a correction material to the defective area removed by the beam, a dry hardening unit 300 for drying or curing the correction material, And a control unit 400 for controlling the operation of the laser unit 100 to remove the laser beam. At this time, the thin film may be a nonconductive film or an insulating film. More specifically, the thin film may be a color filter, and the defects may include at least one of pinhole defects and protrusion defects.

우선, 컬러 필터 기판의 구조에 대해 간단히 설명하면, 기판 상에 일정 패턴으로 다수개의 블랙 매트릭스를 형성되고, 기판 상의 블랙 매트릭스들 사이에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 컬러필터가 형성된다. 이때, 이물 또는 공정 불량(예를 들면, 장비 동작 불량, 재료불량 등)에 의해 컬러필터에 돌기가 형성되거나 핀홀이 형성되는 결함이 발생할 수 있다. First, a structure of a color filter substrate will be briefly described. A plurality of black matrices are formed in a predetermined pattern on a substrate. Red (R), green (G), and blue A filter is formed. At this time, defects may occur in which protrusions are formed in the color filters or pinholes are formed due to foreign matters or process defects (for example, equipment malfunction, material defects, etc.).

적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터를 형성하기 위해서는 각각 독립적으로 진행되는 3번(R, G, B)의 컬러필터 형성 공정이 필요하다. 즉, 적색 컬러필터를 형성한 후 이어서 각각 녹색 컬러필터 형성 공정 및 청색 컬러필터 형성공정을 진행한다. 따라서, 각각의 컬러필터 형성 공정에서 발생한 이물질이 다른 공정의 컬러필터에도 영향을 미치게 된다. 특히, 염색법과 안료 분산법의 경우 포토 레지스트를 이용한 사진 식각 공정에 의해 형성되기 때문에, 포토 레지스트의 잔류물에 의해 다음 공정의 컬러필터에 핀홀결함 또는 돌기결함이 발생될 수 있다.In order to form red, green, and blue color filters, a color filter forming process of 3 (R, G, B) that is independently performed is required. That is, after a red color filter is formed, a green color filter forming step and a blue color filter forming step are performed, respectively. Therefore, the foreign substances generated in each color filter forming step also affect the color filters of other processes. Particularly, in the case of the dyeing method and the pigment dispersion method, pinhole defects or protrusion defects may occur in the color filters of the next step due to the residue of the photoresist since they are formed by a photolithography process using a photoresist.

일반적으로 돌기를 제거하는 방법으로 연마장치를 이용하여 돌기를 연마하는 방법이 이용되고, 핀홀을 제거하는 방법으로 핀홀이 발생한 부분에 잉크를 채워넣는 방법이 이용되고 있다. 그러나 연마장치를 이용하여 돌기를 제거하는 경우 연마장치가 돌기뿐만 아니라 컬러필터의 표면 중 일부 제거하여 컬러필터에 핀홀이 발생할 수 있다. Generally, a method of polishing projections using a grinding apparatus as a method of removing projections is used, and a method of filling a portion where pinholes are generated is filled with ink by a method of removing pinholes. However, when the protrusion is removed by using the polishing apparatus, a part of the surface of the color filter as well as the protrusion may be removed by the polishing apparatus, resulting in pinholes in the color filter.

한편, 핀홀에 잉크를 채워넣는 경우 핀홀의 크기에 맞추어 잉크의 토출량을 조절해야 하지만, 핀홀의 다양한 크기에 따른 다양한 토출량을 결정하는 공정연구가 필요하고, 토출량 제어가 미세한 크기까지 정밀하게 이루어지기 어려운 문제가 있다. 이에, 잉크가 핀홀의 크기보다 과다하게 또는 과소하게 토출될 수 있고, 핀홀에 대한 리페어 성공률이 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 장치를 이용하여 컬러필터의 핀홀결함 및 돌기결함 중 적어도 어느 하나에 대한 리페어 공정을 수행할 수 있다.On the other hand, in the case of filling the pinhole with ink, it is necessary to adjust the discharge amount of ink according to the size of the pinhole. However, it is necessary to study the process of determining various discharge amounts according to various sizes of pinholes, and it is difficult to precisely control the discharge amount to a fine size there is a problem. Thus, the ink can be discharged more or less than the size of the pinhole, and the repair success rate for the pinhole can be reduced. Therefore, the repair process for at least one of the pinhole defect and the protrusion defect of the color filter can be performed using the repair apparatus according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 리페어 장치는, 레이저부(100), 수정물질 공급부(200), 건조경화부(300), 및 제어부(400)를 포함한다. 또한, 리페어 장치는 돌기 연마부(미도시)를 포함할 수 있다.The repair apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser unit 100, a quartz material supply unit 200, a dry hardening unit 300, and a control unit 400. Further, the repair apparatus may include a projection polishing unit (not shown).

돌기 연마부는 컬러필터에 발생한 돌기결함을 제거하도록 레이저부(100)의 일측에 배치되고, 상기 돌기결함이 발생한 부분과 접촉하여 돌기결함이 발생한 부분을 연마하는 역할을 한다. 예를 들어, 돌기 연마부는, 돌기결함의 높이를 측정하는 측정유닛 및 돌기결함이 발생한 부분을 연마하는 연마유닛을 포함할 수 있다. 이에, 측정유닛에서 측정된 높이만큼 연마부를 이용하여 돌기결함이 발생한 부분을 연마할 수 있다.The projection polishing section is disposed on one side of the laser section 100 so as to remove projection defects occurring in the color filter, and serves to polish a portion where the projection defect has occurred in contact with the projection defect. For example, the projection polishing section may include a measuring unit for measuring the height of the projection defect and a polishing unit for polishing the portion where the projection defect has occurred. Thus, the portion where the protrusion defect occurs can be polished by using the polishing portion by the height measured by the measurement unit.

레이저부(100)는 컬러필터 상으로 레이저빔을 조사하여 컬러필터를 절단하는 역할을 한다. 레이저부(100)는 레이저빔을 발생시키는 레이저 발생유닛(110), 레이저빔의 크기 및 형태를 조절하는 슬릿(120), 레이저빔을 컬러필터 상으로 조사시키는 대물렌즈(140), 및 컬러필터를 촬영하는 카메라(130)를 포함한다.The laser unit 100 irradiates a laser beam onto the color filter to cut the color filter. The laser unit 100 includes a laser generating unit 110 for generating a laser beam, a slit 120 for adjusting the size and shape of the laser beam, an objective lens 140 for irradiating the laser beam onto the color filter, And a camera 130 for photographing the camera.

레이저 발생유닛(110)은 하나의 소스로 파장이 다른 레이저 빔을 동시에 발진할 수 있다. 레이저 발생유닛(110)은 레이저빔을 발생시키는 레이저 발생기(미도시), 발생된 레이저 빔을 분기하여 파장이 다른 레이저빔들을 발진하는 레이저 발진기(미도시), 및 분기된 각 레이저빔들의 이동경로 개폐하는 복수의 감쇠기(미도시)를 포함할 수 있다. The laser generating unit 110 can oscillate laser beams having different wavelengths simultaneously as one source. The laser generating unit 110 includes a laser generator (not shown) for generating a laser beam, a laser oscillator (not shown) for generating laser beams having different wavelengths by branching the generated laser beam, And may include a plurality of attenuators (not shown) that open and close.

예를 들어, 본 실시 예에서는 적외선(IR:Infrared Ray) 레이저빔(파장범위 780nm이상)을 가시광선(Visible) 레이저빔(파장범위 380~780nm)과 자외선(UV:Ultraviolet) 레이저빔(파장범위 380nm이하)으로 분기하여 세 종류의 레이저가 발진할 수 있다. 또한, 분기된 레이저빔의 이동경로 중 적어도 어느 하나를 개방하거나 폐쇄하여 레이저빔의 파장을 선택할 수 있다. 따라서, 파장이 다른 레이저 빔들을 선택적으로 사용하여 컬러필터를 절단할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 레이저 발생유닛(110)는 다양한 레이저 소스를 구비할 수도 있다. 또한, 분기되는 레이저빔의 종류나 발진되는 레이저빔의 개수도 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.For example, in this embodiment, an infrared (IR) laser beam (wavelength range of 780 nm or more) is irradiated with a visible laser beam (wavelength range of 380 to 780 nm) and an ultraviolet (UV) laser beam 380 nm or less), and three kinds of laser can oscillate. Further, the wavelength of the laser beam can be selected by opening or closing at least one of the movement paths of the branched laser beam. Therefore, it is possible to cut the color filter by selectively using laser beams having different wavelengths. However, the present invention is not limited to this, and the laser generating unit 110 may have various laser sources. The kind of the branched laser beam and the number of oscillated laser beams are not limited to this, and may vary.

슬릿(120)은 레이저빔의 이동경로 중에 레치되어 대물렌즈(140)를 향하여 이동하는 레이저빔의 크기 및 형태를 조절한다. 예를 들어, 슬릿(120)은 레이저 발생유닛(110)과 대물렌즈(140) 사이에 배치되어 레이저 발생유닛(110)에서 발생된 레이저빔의 크기 및 형태를 조절할 수 있다. 그러나, 슬릿(120)의 위치는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The slit 120 adjusts the size and shape of the laser beam that is latched in the movement path of the laser beam and moves toward the objective lens 140. For example, the slit 120 may be disposed between the laser generation unit 110 and the objective lens 140 to adjust the size and shape of the laser beam generated by the laser generation unit 110. However, the position of the slit 120 is not limited to this and may vary.

카메라(130)로 CCD 카메라(Charge-Coupled Device Camera)가 사용될 수 있고, 컬러필터의 표면 또는 컬러필터가 절단되는 과정을 촬영한다. 카메라(130)는 대물렌즈(140)와 슬릿(120) 사이에 배치되는 레이저 미러를 통해 컬러필터를 촬영할 수 있다. 이때, 레이저 미러는 일면에서 슬릿을 통과하는 레이저빔을 투과시키고, 컬러필터에서 반사된 빛은 타면에서 반사시켜 카메라(130)로 안내할 수 있다. 이에, 레이저빔이 컬러필터로 조사되는 것을 카메라(130)로 모니터링할 수 있다.A CCD camera (Charge-Coupled Device Camera) may be used as the camera 130, and photographs the process of cutting the surface of the color filter or the color filter. The camera 130 can photograph the color filter through the laser mirror disposed between the objective lens 140 and the slit 120. [ At this time, the laser mirror transmits the laser beam passing through the slit from one side, and the light reflected from the color filter can be reflected from the other side and guided to the camera 130. Thus, the camera 130 can monitor that the laser beam is irradiated with the color filter.

대물렌즈(140)는 레이저빔을 압축하여 조사하는 역할을 한다. 즉, 대물렌즈(140)는 레이저빔이 컬러필터에 집속되도록 한다. 대물렌즈(140)는 서로 다른 배율을 가지는 복수의 렌즈를 선택적으로 사용할 수 있도록 리볼버 타입 또는 리니어 타입으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 대물렌즈(140)는, ×5 렌즈,×10 렌즈, ×20 렌즈, ×50 렌즈를 포함할 수 있다. 이에, 작업에 따라 대물렌즈(140)의 배율을 선택하여 레이저빔의 사이즈를 조절할 수 있다. 그러나 대물렌즈(140)의 배율 및 변경될 수 있는 배율의 개수는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The objective lens 140 serves to compress and irradiate the laser beam. That is, the objective lens 140 causes the laser beam to be focused on the color filter. The objective lens 140 may be a revolver type or a linear type so as to selectively use a plurality of lenses having different magnifications. For example, the objective lens 140 may include a x5 lens, a x10 lens, a x20 lens, and a x50 lens. Accordingly, the size of the laser beam can be adjusted by selecting the magnification of the objective lens 140 according to the operation. However, the magnification of the objective lens 140 and the number of magnifications that can be changed are not limited to these, and may vary.

한편, 레이저 발생유닛(미도시)과 슬릿(120) 사이 또는 슬릿(120)과 대물렌즈(140) 사이에 진행방향 조절유닛(미도시)이 구비될 수 있다. 진행방향 조절유닛은 리페어 장치 전체를 이동시키지 않고 컬러필터 상에 레이저빔이 조사되는 영역을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 레이저 발생유닛은 레이저빔을 반사시키는 제1 스캐너 미러와 제2 스캐너 미러를 포함할 수 있고, 제1 스캐너 미러의 기울기를 조절하여 좌우방향의 레이저빔 진행방향을 조절하고, 제2 스캐너 미러의 기울기를 조절하여 전후방향의 레이저빔 진행방향을 조절할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 레이저빔의 진행방향을 조절할 수 있다.A direction adjusting unit (not shown) may be provided between the laser generating unit (not shown) and the slit 120 or between the slit 120 and the objective lens 140. The moving direction adjusting unit can move the area irradiated with the laser beam on the color filter without moving the entire repairing device. For example, the laser generating unit may include a first scanner mirror and a second scanner mirror that reflect the laser beam, adjust the tilt of the first scanner mirror to adjust the laser beam travel direction in the left and right direction, By controlling the tilt of the scanner mirror, it is possible to adjust the traveling direction of the laser beam in the forward and backward directions. However, the present invention is not limited to this, and the direction of the laser beam can be controlled by various methods.

수정물질 공급부(200)는 레이저부(100)의 일측에 연결되어, 컬러필터의 레이저빔에 의해 절단되어 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 역할을 한다. 수정물질 공급부(200)는, 수정물질을 토출하는 노즐유닛(210), 컬러필터와 노즐유닛 사이에 전기장을 형성하도록 노즐유닛(210)에 전원을 공급하는 전원공급유닛(220), 및 수정물질이 저장되는 저장유닛(230)을 포함할 수 있다. 이때, 수정물질은 액체 상태의 수정잉크일 수 있고, 컬러필터의 색과 대응되는 적색 수정물질, 녹색 수정물질, 청색 수정물질, 및 흑색 수정물질을 구비할 수 있다.The quartz material supply unit 200 is connected to one side of the laser unit 100 and serves to supply the quartz material to a portion cut by the laser beam of the color filter and removed. The correction material supply unit 200 includes a nozzle unit 210 for discharging a correction material, a power supply unit 220 for supplying power to the nozzle unit 210 to form an electric field between the color filter and the nozzle unit, And a storage unit 230 for storing the data. At this time, the quartz material may be a liquid quartz crystal ink and may include a red color material, a green color material, a blue color material, and a black color material corresponding to the color of the color filter.

노즐유닛(210)은 컬러필터의 레이저빔에 의해 제거된 부분으로 수정물질을 토출하는 역할을 한다. 노즐유닛(210)의 수정물질이 토출되는 부분은 하측을 향하거나 하향경사지게 배치된다. 노즐유닛(210)은 수정물질이 토출되는 부분의 면적을 원하는 만큼 작게 형성할 수 있도록 유리나 플라스틱 등 금속에 비해 가공처리가 용이한 재질로 제작할 수 있다. The nozzle unit 210 serves to eject the correction material to the portion removed by the laser beam of the color filter. The portion of the nozzle unit 210 through which the quartz material is discharged is disposed downward or downwardly inclined. The nozzle unit 210 can be made of a material that is easier to process than a metal such as glass or plastic so that the area of the portion to which the quartz material is discharged can be formed as small as desired.

또한, 노즐유닛(210)의 표면에 금속재질로 코팅하여 노즐유닛(210)이 전극의 기능을 수행할 수 있다. 이에, 노즐유닛(210)의 수정물질이 토출되는 부분을 극미량의 수정물질이 토출되도록 미세하게 형성할 수 있고, 노즐유닛(210)의 표면을 금속재질로 균일하게 코팅하므로 균일한 전기장이 형성될 수 있다. 따라서, 노즐유닛(210) 내부의 수정물질이 균일한 힘을 가할 수 있기 때문에, 수정물질의 토출량을 정밀하게 조절할 수 있다. 그러나 노즐유닛(210)의 구조 및 재질은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.In addition, the nozzle unit 210 may be coated with a metal material on the surface of the nozzle unit 210 to perform the function of the electrode. Therefore, the portion of the nozzle unit 210 through which the quartz material is discharged can be finely formed so as to discharge a minute amount of the quartz material, and the surface of the nozzle unit 210 is uniformly coated with the metal material, . Therefore, since the quenching material in the nozzle unit 210 can apply a uniform force, the amount of quenching material discharged can be precisely controlled. However, the structure and material of the nozzle unit 210 are not limited to these, and may vary.

저장유닛(230)은 내부에 수정물질을 저장하고, 노즐유닛(210)과 연결되어 노즐유닛(210)으로 수정물질을 공급하는 역할을 한다. 저장유닛(230)은 전기가 노즐유닛(210)에서 기판으로만 흐르도록 절연 재질 또는 절연 처리될 수 있다. 그러나 저장유닛(230)의 연결구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The storage unit 230 stores a quartz material therein and is connected to the nozzle unit 210 to supply the quartz material to the nozzle unit 210. The storage unit 230 may be insulated or insulated so that electricity flows only from the nozzle unit 210 to the substrate. However, the connection structure of the storage unit 230 is not limited to this and may vary.

전원공급유닛(220)은, 노즐유닛(210)과 기판 사이에 전기장이 형성되도록 노즐유닛(210)에 전원을 공급하는 역할을 한다. 전원공급유닛(220)은 노즐유닛(210) 표면에 코팅된 금속과 연결된다. 이에, 노즐유닛(210) 전체가 기판을 기준으로 일정한 전위를 갖게 되며 노즐유닛(210)과 기판 사이의 전위차에 의해 전기장이 형성된다. 노즐유닛(210)으로 직류를 공급하는 경우 기판이 전극에 연결되어야 하지만, 교류의 경우 기판을 별도로 접지할 필요가 없어 장치의 구성이 단순해질 수 있다.The power supply unit 220 serves to supply power to the nozzle unit 210 so that an electric field is formed between the nozzle unit 210 and the substrate. The power supply unit 220 is connected to the metal coated on the surface of the nozzle unit 210. Thus, the entire nozzle unit 210 has a constant potential with respect to the substrate, and an electric field is formed by a potential difference between the nozzle unit 210 and the substrate. In the case of supplying direct current to the nozzle unit 210, the substrate must be connected to the electrode, but in the case of AC, it is not necessary to separately ground the substrate, so that the structure of the device can be simplified.

잉크형태의 수정물질의 토출량 및 방울형태(droplet)로 토출할 것인지 또는 연속적으로 토출할 것인지는 전원공급유닛(220)에서 공급하는 전원의 세기, 주파수, 전류의 양 등에 의해 결정된다. 따라서, 전원공급유닛(220)의 작동을 제어하여 전원의 세기가 높아질수록 노즐유닛(210)에서 토출되는 수정물질의 형태가 방울 형태에서 스프레이 분사형태로 변한다. 또한, 주파수에 따라서 초당 토출되는 방울의 수량이 변하므로 주파수를 조절하여 토출량을 제어할 수 있다. Whether the ink is ejected in a droplet or continuously ejected is determined by the intensity, frequency, amount of electric current supplied from the power supply unit 220, and the like. Therefore, as the power of the power supply unit 220 is controlled, the shape of the correction material discharged from the nozzle unit 210 changes from drop shape to spray shape. In addition, since the number of droplets discharged per second changes according to the frequency, the discharge amount can be controlled by adjusting the frequency.

한편, 전원뿐만 아니라 공압을 보조하여 잉크의 토출량을 조절하는 경우 공압의 세기를 달리하면 공압에 의해 형성되는 메니스커스(Meniscus: 모세관 현상으로 잉크가 노즐 끝에서 볼록한 형상을 갖는 것) 형상이 달라지므로 그에 따라 토출량이 제어된다. 예를 들어, 공압이 높아지면 메니스커스가 크게 형성되어 토출되는 부피가 커지며, 이런 경우 전원을 낮게 공급해도 노즐유닛(210)을 통해 잉크가 토출될 수 있다.On the other hand, when controlling the discharge amount of the ink by assisting not only the power source but also the pneumatic pressure, the shape of the meniscus formed by the pneumatic pressure differs depending on the strength of the pneumatic pressure, and the shape of the ink is convex at the tip of the nozzle due to capillary phenomenon So that the discharge amount is controlled accordingly. For example, when the pneumatic pressure is increased, the meniscus is formed to be large and the volume to be discharged is increased. In this case, the ink can be discharged through the nozzle unit 210 even if the power supply is low.

이때, 수정물질 공급부(200)는 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응하는 색의 수정물질을 공급하도록 서로 다른 색의 수정물질을 공급하는 하나 이상의 노즐유닛을 구비할 수 있다. 예를 들어, 색에 따라 개별적으로 수정물질을 공급하도록 색의 수만큼 복수의 노즐유닛을 구비하고 각 노즐유닛들에 연결되는 저장유닛과 전원공급유닛도 개별적으로 구비할 수 있다. At this time, the correction material supply unit 200 may include one or more nozzle units for supplying correction materials of different colors to supply correction materials of colors corresponding to the colors of the defective color filters. For example, a storage unit and a power supply unit, each having a plurality of nozzle units as many as the number of colors and connected to the respective nozzle units, may be separately provided so as to individually supply the correction material according to the color.

본 발명의 실시 예에서는 적색 수정물질을 공급하는 노즐유닛, 녹색 수정물질을 공급하는 노즐유닛, 청색 수정물질을 공급하는 노즐유닛, 및 흑색 수정물질을 공급하는 노즐유닛이 구비될 수 있다. 이에, 각 색에 대응하는 컬러필터에 결함이 발생하는 경우, 컬러필터의 색에 맞추어 수정물질을 공급할 수 있다. 그러나 수정물질의 색 종류는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.In the embodiment of the present invention, a nozzle unit for supplying a red color correction material, a nozzle unit for supplying a green color correction material, a nozzle unit for supplying a blue color correction material, and a nozzle unit for supplying a black color correction material may be provided. Therefore, when a defect occurs in the color filter corresponding to each color, the correction material can be supplied in accordance with the color of the color filter. However, the color of the quartz material is not limited thereto and may vary.

건조경화부(300)는 수정물질 공급부(200)의 일측에 연결되오, 컬러필터의 제거된 부분으로 공급된 수정물질을 건조 또는 경화시키는 역할을 한다. 예를 들어, 건조경화부(300)로 UV램프가 사용될 수 있는데, 수정물질로 UV를 조사하여 건조 또는 경화시킬 수 있다. 그러나 수정물질을 건조 또는 경화시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The dry hardening part 300 is connected to one side of the quartz material supply part 200 and serves to dry or cure the quartz material supplied to the removed part of the color filter. For example, a UV lamp may be used as the dry hardening part 300, which can be dried or cured by UV irradiation as a quartz material. However, the method of drying or curing the quartz material is not limited thereto and may vary.

제어부(400)는 레이저부(100) 및 수정물질 공급부(200)와 연결된다. 제어부(400)는 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하고, 제거된 부분으로 미리 설정된 공급 설정값에 따라 수정물질을 공급하여 제거된 부분으로 수정물질을 채우도록 레이저부(100) 및 수정물질 공급부(200)의 작동을 제어한다. The control unit 400 is connected to the laser unit 100 and the crystal material supply unit 200. The control unit 400 removes the defect occurrence area according to a preset removal setting value and supplies the correction material according to a preset supply setting value to the removed part to fill the removed part with the correction material. And the operation of the correction material supply unit 200 are controlled.

제거 설정값은 레이저빔에 의해 제거될 부분의 면적과 깊이에 대한 값이다. 따라서, 제거 설정값을 따라 결함이 발생한 부분을 제거하는 경우 제거된 부분의 부피를 알 수 있다. The removal setting values are values for the area and depth of the portion to be removed by the laser beam. Therefore, when the defective portion is removed according to the removal setting value, the volume of the removed portion can be known.

공급 설정값은 수정물질의 공급량에 대한 값이다. 제거 설정값으로 제거된 부분의 부피를 알면, 제거될 부분을 채우기 위해 제거될 부분으로 공급되어야 할 수정물질의 정확한 양을 산출할 수 있다. 따라서, 산출된 값 즉 공급 설정값으로 수정물질을 공급하면 수정물질이 제거될 부분에 과대 또는 과소 공급되는 것을 방지할 수 있다. The supply set value is a value for the supply amount of the quartz material. By knowing the volume of the removed portion as the removal set-point, it is possible to calculate the correct amount of the correction material to be supplied to the portion to be removed in order to fill the portion to be removed. Therefore, by supplying the correction material to the calculated value, that is, the supply setting value, it is possible to prevent excessive or inadequate supply of the correction material to the portion to be removed.

또한, 다양한 크기로 발생되는 핀홀결함에 대응하여 핀홀결함의 부피를 측정하고 측정된 부피값에 따른 토출될 수정물질의 양을 산출할 필요가 없기 때문에, 리페어 공정이 단순해지고 리페어 시간이 단축될 수 있다. 또한, 토출되는 수정물질의 양을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 미세하게 제거된 부분에 원하는 양의 수정물질을 정밀하게 토출할 수 있고, 과다토출로 인한 수정물질의 낭비를 방지할 수 있다.In addition, since it is not necessary to measure the volume of the pinhole defect corresponding to the pinhole defects generated in various sizes and to calculate the amount of the correction material to be discharged according to the measured volume value, the repairing process becomes simple and the repairing time can be shortened have. In addition, since the amount of the discharged quartz material can be precisely controlled, a desired amount of quartz material can be precisely discharged to the finely removed portion, and waste of the quartz material due to excessive discharge can be prevented.

이때, 다양한 크기로 형성되는 핀홀결함에 대응하기 위해 복수의 제거 설정값을 미리 설정할 수 있고, 각 제거 설정값에 대응하는 수정물질 공급량을 산출하여 복수의 공급 설정량도 미리 설정할 수 있다. 따라서, 핀홀결함의 크기 이상이면서 핀홀결함의 크기와 가장 유사한 제거 설정값을 선택하여 결함이 발생한 영역을 제거하고, 선택된 제거 설정값에 대응하는 공급 설정량에 따라 수정물질을 제거된 부분으로 공급할 수 있다. 이에, 결함의 크기에 대응하여 최적의 리페어 작업을 수행할 수 있기 때문에, 작업의 효율이 향상되고 수정물질이 낭비되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 리페어 공정의 효율이 향상될 수 있다.At this time, a plurality of removal setting values may be set in advance to correspond to pinhole defects formed in various sizes, and a plurality of supply setting amounts may be set in advance by calculating the correction material supply amount corresponding to each removal setting value. Therefore, it is possible to remove the defective area by selecting a removal setting value which is equal to or larger than the size of the pinhole defect and most similar to the size of the pinhole defect, and to supply the correction material to the removed area according to the supply setting amount corresponding to the selected removal setting value have. Therefore, since the optimum repair work can be performed corresponding to the size of the defect, the efficiency of the work can be improved and the correction material can be prevented from being wasted. Thus, the efficiency of the repair process can be improved.

한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 리페어 장치는, 박막을 절단하는 레이저빔을 발생시키고, 상기 박막 상의 결함이 발생한 영역으로 상기 레이저빔을 조사하는 레이저부(100), 상기 레이저빔에 의해 제거된 상기 결함이 발생한 영역으로 수정물질을 공급하는 수정물질 공급부(200), 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 건조경화부(300), 및 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하도록 상기 레이저부(100)의 작동을 제어하는 제어부(400)를 포함한다. 이때, 상기 박막은 비전도성 막 또는 절연막일 수 있다. 더욱 상세하게는 박막은 일측에 형성된 액정층을 커버하는 보호막일 수 있고, 결함은 이물에 의한 보호막이 찢어지는 것일 수 있다. 또한, 보호막은 기판의 결함을 검사하는 모듈레이터에 구비될 수 있다.The repair apparatus according to another embodiment of the present invention includes a laser unit 100 for generating a laser beam for cutting a thin film and irradiating the laser beam to a region where a defect on the thin film is generated, A drying and hardening unit 300 for drying or hardening the quartz material, and a removing unit 300 for removing the defective area in accordance with preset removal setting values And a control unit 400 for controlling the operation of the laser unit 100. At this time, the thin film may be a nonconductive film or an insulating film. More specifically, the thin film may be a protective film covering the liquid crystal layer formed on one side, and the defect may be a tearing of the protective film by the foreign substance. Further, the protective film may be provided in a modulator for inspecting defects of the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 리페어 장치는 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 장치와 동일한 구성을 가지나 수정물질 공급부(200)의 구조 및 제어부(400)의 작동방법에서 차이가 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 수정물질 공급부(200)의 구조 및 제어부(400)의 작동방법에 대해서만 설명하기로 한다.The repair apparatus according to another embodiment of the present invention has the same structure as the repair apparatus according to the embodiment of the present invention, but differs in the structure of the fertilizer supply unit 200 and the operation method of the control unit 400. Therefore, only the structure of the quartz material supply unit 200 and the operation method of the control unit 400 according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 수정물질 공급부(200)는, 한 종류의 수정물질을 공급한다. 즉, 액정의 유출을 방지하기 위해 액정층을 커버할 수 있고 투명한 수정물질을 사용할 수 있다. 따라서, 복수의 노즐유닛(210)이 구비되지 않을 수 있고, 하나의 노즐유닛(210)을 통해 결함에 대한 리페어 공정을 수행할 수 있다. 그러나 수정물질 공급부(200)의 구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The quartz material supply unit 200 according to another embodiment of the present invention supplies one kind of quartz material. That is, a transparent quartz material that can cover the liquid crystal layer can be used to prevent leakage of the liquid crystal. Accordingly, a plurality of nozzle units 210 may not be provided, and a repair process for the defects may be performed through the single nozzle unit 210. However, the structure of the quartz material supply unit 200 is not limited to this and may vary.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 제어부(400)는, 결함이 발생한 영역의 보호막(21) 및 액정층을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하고, 보호막(21) 및 액정층의 제거된 부분의 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하도록 레이저부(100) 및 수정물질 공급부(200)의 작동을 제어한다. The control unit 400 according to another embodiment of the present invention removes the protective film 21 and the liquid crystal layer of the defective area in accordance with a preset removal set value and removes the protective film 21 and the edge of the removed portion of the liquid crystal layer And controls the operation of the laser part 100 and the quartz material supply part 200 so as to supply the quartz material to the area.

제거 설정값은 레이저빔에 의해 제거될 부분의 면적과 깊이에 대한 값이다. 따라서, 제거 설정값을 따라 결함이 발생한 부분을 제거하는 경우 제거된 부분의 둘레 길이를 알 수 있다. 따라서, 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 수정물질을 공급하는 경우, 수정물질의 낙하지점을 제거된 부분의 둘레를 따라 변경할 수 있다. 이에, 수정물질이 정확하게 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 낙하되어 액정층을 커버하고 액정의 유출을 방지할 수 있다. The removal setting values are values for the area and depth of the portion to be removed by the laser beam. Therefore, when the defective portion is removed according to the removal setting value, the circumferential length of the removed portion can be known. Therefore, when the correction material is supplied only to the edge region of the removed portion, the drop point of the correction material can be changed along the circumference of the removed portion. Thus, it is possible to drop only the edge region of the portion from which the quartz material is precisely removed, to cover the liquid crystal layer and to prevent leakage of the liquid crystal.

이처럼 가장자리 영역으로만 수정물질을 공급하므로 공정이 단순해지고 수정물질의 사용량을 절감할 수 있다. 이때, 수정물질이 흘러내리지 않도록 수정물질을 공급하면서 동시에 수정물질에 대한 건조 또는 경화 작업을 수행할 수 있다. 그러나 수정물질의 공급량 및 공급방법은 이에 한정되지 않고 제거된 부분을 채우도록 공급될 수도 있다.Thus, since the correction material is supplied only to the edge region, the process can be simplified and the amount of the correction material can be reduced. At this time, it is possible to perform the drying or hardening operation for the quartz material while supplying the quartz material so that the quartz material does not flow down. However, the supply amount and supply method of the quartz material are not limited to this, and may be supplied to fill the removed portion.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 리페어 방법을 나타내는 플로우 차트이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 컬러필터를 리페어하는 과정을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제거 설정값을 나타내는 표이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 공급 설정값을 나타내는 표이고, 이다. 하기에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 리페어 방법에 대해 설명하기로 한다.FIG. 2 is a flowchart illustrating a repair method according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view illustrating a process of repairing a color filter according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 5 is a table showing supply setting values according to an embodiment of the present invention. FIG. Hereinafter, a repair method according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시 예에 따른 리페어 방법은, 박막 상의 결함을 확인하는 과정(S100), 상기 박막의 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 입력된 크기로 제거하는 과정(S200), 상기 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 과정(S300) 및 상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 과정(S400)을 포함한다. 이때, 박막은 컬러필터일 수 있고, 서로 색이 다른 복수의 수정물질을 구비할 수 있으며, 상기 결함은 핀홀 및 돌기 중 적어도 어느 하나를 포함한다.A repair method according to an embodiment of the present invention includes the steps of confirming a defect on a thin film (S100), removing a defect occurrence area of the thin film to a preset size (S200) (S300), and drying or curing the quartz material (S400). At this time, the thin film may be a color filter, and may have a plurality of quartz materials having different colors from each other, and the defect includes at least one of a pinhole and a protrusion.

우선, 컬러 필터 기판의 구조에 대해 간단히 설명하면, 기판(11) 상에 일정 패턴으로 다수개의 블랙 매트릭스(12)를 형성되고, 기판 상의 블랙 매트릭스들 사이에는 적색(R)(13a), 녹색(G)(13b), 및 청색(B)(13c)의 컬러필터(13)가 형성된다. 이때, 이물 또는 공정 불량(예를 들면, 장비 동작 불량, 재료불량 등)에 의해 컬러필터(13)에 돌기가 형성되거나 핀홀이 형성되는 결함이 발생할 수 있다. First, a structure of a color filter substrate will be briefly described. A plurality of black matrices 12 are formed on a substrate 11 in a predetermined pattern. Red (R) 13a, green G) 13b, and a blue (B) 13c color filter 13 are formed. At this time, defects such as protrusions or pinholes may be formed in the color filter 13 due to foreign matters or process defects (for example, machine operation failure, material failure, etc.).

이러한 결함을 찾기 위해 검사장치를 이용하여 컬러필터(13) 상의 결함을 검사할 수 있다. 컬러필터(13) 상의 결함이 발견되면, 결함의 위치를 확인하여 결함의 위치와 관련된 X축 좌표 및 Y축 좌표를 확인할 수 있다. 결함이 핀홀 결함인 경우, 핀홀결함의 면적 및 두께를 측정할 수 있다.In order to find such defects, defects on the color filter 13 can be inspected using the inspection apparatus. If a defect on the color filter 13 is found, the position of the defect can be checked to confirm the X-axis coordinate and the Y-axis coordinate associated with the position of the defect. When the defect is a pinhole defect, the area and thickness of the pinhole defect can be measured.

그 다음, 확인된 결함의 위치로 리페어 장치를 이동시킨다. 확인된 결함이 돌기결함인 경우, 돌기 연마부를 이용하여 돌기의 높이를 측정하고, 측정된 높이에 맞추어 돌기가 형성된 부분을 연마할 수 있다. 한편, 확인된 결함이 도 3의 (a)와 같이 핀홀결함이거나 돌기결함을 연마하면서 컬러필터(13)의 표면이 파이는 결함인 경우 다음과 같이 리페어 작업을 수행할 수 있다.Next, the repair device is moved to the position of the identified defect. When the identified defect is a protruding defect, the height of the protrusion can be measured by using the protruding polishing portion, and the protruded portion can be polished according to the measured height. On the other hand, if the identified defect is a pinhole defect as shown in (a) of FIG. 3, or when the surface of the color filter 13 is defective while polishing the protruding defect, the repair work can be performed as follows.

먼저, 결함이 발생한 영역을 제거 설정값에 입력된 크기로 제거할 수 있다. 제거 설정값은 레이저빔에 의해 제거될 부분의 면적과 깊이에 대한 값이다. 제거 설정값은 복수개일 수 있는데, 서로 다른 서로 다른 면적값이 입력된 복수의 값 및 서로 다른 깊이값이 입력된 복수의 값을 가질 수 있다.First, the area where the defect occurs can be removed to the size entered in the removal setting value. The removal setting values are values for the area and depth of the portion to be removed by the laser beam. The removal setting value may be a plurality of values, and may have a plurality of values into which different area values are input and a plurality of values into which different depth values are input.

복수의 제거 설정값 중 하나를 선택하기 위해서는 핀홀결함의 면적과 제거 설정값에 입력된 면적을 비교할 수 있다. 즉, 복수의 제거 설정값 중 핀홀결함의 면적보다 큰 제거 설정값들을 선별할 수 있다. 그 다음, 선별된 제거 설정값들 중 핀홀 결함의 면적과 제일 근접한 면적값을 가지는 제거 설정값을 선택할 수 있다. 이에, 레이저빔으로 제거될 부분의 면적을 알 수 있다.In order to select one of the plurality of removal setting values, the area of the pinhole defect and the area input to the removal setting value can be compared. That is, the removal setting values larger than the area of the pinhole defect among the plurality of removal setting values can be selected. Then, an elimination set value having the area value closest to the area of the pinhole defect among the selected elimination set values can be selected. Thus, the area of the portion to be removed by the laser beam can be known.

그 다음, 제거 설정값에 입력된 깊이와 핀홀결함의 두께를 비교할 수 있다. 즉, 제거 설정값 중 결함의 두께 이상의 깊이값을 가지는 제거 설정값들을 선별할 수 있다. 그 다음, 선별된 설정값들 중 상기 결함의 두께와 제일 근접한 깊이값을 가지는 제거 설정값을 선택할 수 있다. 이에, 레이저빔으로 제거될 부분의 깊이를 알 수 있다.Then, the thickness of the pinhole defect can be compared with the depth entered in the removal setting value. That is, the elimination set values having a depth value equal to or greater than the thickness of the defect among the elimination set values can be selected. Then, a removal setting value having a depth value closest to the thickness of the defect among the selected setting values can be selected. Thus, the depth of the portion to be removed by the laser beam can be known.

예를 들어, 도 3을 참조하면, 핀홀결함의 면적이 A1과 A2 사이이고, 핀홀결함의 두께가 B1 이하인 경우, 제거 설정값들 중 A1 보다 큰 면적값을 가지는 A2, A3, A4가 선별될 수 있고, 선별된 제거 설정값들 중 핀홀결함의 면적과 가장 가까운 값을 가지는 A2가 선택될 수 있다. 그 다음, 깊이값과 관련하여 제거 설정값들 중 B1 이상의 깊이값을 가지는 B1과 B2가 선별될 수 있고, 선별된 제거 설정값들 중 핀홀결함의 두께와 가장 근접한 B1이 선택될 수 있다. 이에, 도 3의 (b)와 같이 발생된 핀홀결함에 대하여 A2 면적을 B1의 깊이로 제거(A2B1의 크기로 제거)하는 것으로 결정될 수 있다.For example, referring to Figure 3, is between the area of the pinhole defect A 1 and A 2, the thickness of the pinhole defect has a larger area than the A 1 of not more than B 1, removal setting A 2, A 3 , and A 4 can be selected and A 2 having the closest value to the area of the pinhole defect among the selected elimination set values can be selected. B 1 and B 2 having a depth value of B 1 or more of the removal setting values can be selected with respect to the depth value, and B 1 closest to the thickness of the pinhole defect among the selected removal setting values is selected . Therefore, it can be determined that the area of A 2 is removed to the depth of B 1 (removed to the size of A 2 B 1 ) with respect to the pinhole defect generated as shown in FIG. 3 (b).

이처럼 제거 설정값의 면적과 깊이가 정해지면, 도 3의 (c)와 같이 결함이 발생한 영역에 레이저빔을 조사하여 선택된 제거 설정값에 따라 결함이 발생한 영역을 도려내어 제거한다. 예를 들어, 제거되는 부분의 모양은 직육면체의 형태일 수 있다. 즉, 핀홀결함은 다양한 형태로 발생할 수 있는데, 사각형의 형태가 결함을 덮기에 용이하다. 따라서, 사각형 형태의 면적으로 깊이를 주어 결함이 발생한 부분을 제거하면 직육면체의 형태로 결함이 발생한 부분이 제거될 수 있다. 그러나 제거되는 부분의 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.When the area and the depth of the removal setting value are determined as described above, a laser beam is irradiated to a region where the defect occurs, as shown in FIG. 3C, and the region where the defect occurs is extracted according to the selected removal setting value. For example, the shape of the removed portion may be in the form of a rectangular parallelepiped. That is, pinhole defects can occur in various forms, with the shape of the rectangle being easy to cover the defect. Therefore, by removing the defective portion by giving a depth to the area of the rectangular shape, the defective portion in the shape of a rectangular parallelepiped can be removed. However, the shape of the portion to be removed is not limited to this and may vary.

그 다음, 도 3의 (d)와 같이 수정물질(E)의 높이가 컬러필터(13) 표면의 높이와 오차범위 내에서 동일선상에 위치하도록 미리 설정된 공급 설정값에 입력된 양으로 제거된 부분에 수정물질(E)을 공급할 수 있다. 오차범위 내에서 수정물질(E)을 공급하는 것은 수정물질(E)의 높이를 정확하게 컬러필터(13)의 표면 높이와 동일하게 위치시키거나 수정물질(E)의 높이를 컬러필터(13)의 표면 높이보다 약간 높거나 낮게 위치될 수 있음을 의미한다. 그러나 제거된 부분의 부피에 맞추어 수정물질(E)의 채워질 양을 선택하기 때문에, 수정물질(E)의 높이는 컬러필터(13) 표면의 높이와 거의 유사하게 위치한다.Then, as shown in FIG. 3 (d), the amount of the removed substance (E) is inputted to the preset supply set value such that the height of the quartz material E is located on the same line within the error range from the height of the surface of the color filter 13 (E). ≪ / RTI > The supply of the correction material E within the error range can be performed by accurately positioning the height of the correction material E equal to the height of the surface of the color filter 13, It can be positioned slightly above or below the surface height. However, since the amount of the correction material E to be filled is selected in accordance with the volume of the removed portion, the height of the correction material E is approximately similar to the height of the surface of the color filter 13.

수정물질(E)은 결함이 발생된 컬러필터(13)의 색과 대응하는 색의 수정물질(E)을 공급하도록 서로 색이 다른 복수의 물질을 각각 구비할 수 있다. 예를 들어, 적색 컬러필터(13a), 녹색 컬러필터(13b), 청색 컬러필터(13c), 및 블랙 매트릭스(12)에 대응할 수 있도록 적색 수정물질, 녹색 수정물질, 청색 수정물질, 및 흑색 수정물질을 구비할 수 있다. 수정물질(E)은 액체상태의 수정잉크일 수 있고, 컬러필터와 동일한 재질의 잉크일 수 있다. The quartz material E may include a plurality of materials each having a different color so as to supply a quartz material E having a color corresponding to the color of the color filter 13 in which the defect is generated. For example, a red correction material, a green correction material, a blue correction material, and a black correction material, which correspond to the red color filter 13a, the green color filter 13b, the blue color filter 13c, and the black matrix 12, Material. The quartz material E may be a quartz ink in the liquid state, and may be ink of the same material as the color filter.

공급 설정값은 수정물질(E)의 공급량에 대한 값이다. 레이저빔으로 제거된 부분의 부피를 알면, 제거될 부분을 채우기 위해 제거될 부분으로 공급되어야할 수정물질(E)의 정확한 양을 산출할 수 있다. 제거 설정값으로 제거된 부분의 면적과 깊이를 알기 때문에, 제거 설정값을 통해 제거된 부분의 부피를 산출할 수 있고, 산출된 부피를 통해 제거될 부분에 공급되어야 할 수정물질(E)의 양을 산출할 수 있다.The supply set value is a value with respect to the supply amount of the correction material (E). Knowing the volume of the portion removed by the laser beam, it is possible to calculate the correct amount of the correction material (E) to be supplied to the portion to be removed in order to fill the portion to be removed. The volume of the removed portion can be calculated through the removal setting value, and the amount of the correction material (E) to be supplied to the portion to be removed through the calculated volume can be calculated Can be calculated.

공급 설정값은 수정물질의 서로 다른 공급량 값이 입력된 복수의 값을 가진다. 즉, 복수의 제거 설정값이 설정되는 경우, 각 제거 설정값에 대응되는 공급 설정값 즉, 제거 설정값으로 제거된 부분에 공급되어야 할 수정물질(E)의 공급량이 정확하게 산출된 공급 설정값이 복수개가 미리 설정될 수 있다. 예를 들어, A2B1의 크기로 제거 설정값이 선택되어 결함이 발생한 영역을 제거하면, 도 5와 같이 A2B1 즉, A2라는 면적값과 B1이라는 깊이값에 대응되는 X21의 공급 설정값을 선택할 수 있다.The supply set value has a plurality of values into which different supply amounts of the quartz material are input. That is, when a plurality of elimination setting values are set, a supply setting value corresponding to each elimination setting value, that is, a supply setting value in which the supply amount of the correction material E to be supplied to the portion removed by the elimination setting value is accurately calculated A plurality can be preset. For example, the removal setting to a size of A 2 B 1 is selected X is defective Removing the region occurred, corresponding to the depth value of A 2 B 1 that is, A 2 of surface area values and B 1 as shown in Figure 5 21 can be selected.

또한, 복수의 수정물질(E) 중 상기 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응되는 색의 수정물질을 선택할 수 있다. 예를 들어, 결함이 발생한 컬러필터의 색이 녹색인 경우, 녹색 수정물질을 선택할 수 있다.In addition, a color correction material having a color corresponding to the color of the color filter in which the defects are generated may be selected from a plurality of correction materials (E). For example, if the color of the defective color filter is green, a green correction material can be selected.

수정물질(E)의 공급되어야 할 양과 색이 선택되면, 선택된 색의 수정물질(E)을 선택된 공급 설정값에 따라 레이저빔으로 제거된 부분으로 공급한다. 그 다음, 건조경화부를 이용하여 공급된 수정물질(E)을 건조 또는 경화시키므로, 결함에 대한 리페어 공정을 완료할 수 있다.When the amount and color to be supplied of the correction material E are selected, the correction material E of the selected color is supplied to the portion removed by the laser beam according to the selected supply setting value. Then, the dried quenched portion is used to dry or cure the supplied quartz material (E), so that the repair process for the defect can be completed.

이처럼 결함을 미리 설정된 크기로 제거하고, 제거된 크기에 맞추어 정해진 양의 수정물질(E)을 공급하기 때문에, 수정물질(E)의 과다토출 또는 과소토출을 방지하여 리페어 작업의 성공률이 향상된다.Since the defects are removed to a predetermined size and the predetermined amount of the correction material E is supplied in accordance with the removed size, excessive discharge or underdischarge of the correction material E is prevented to improve the success rate of the repair work.

또한, 다양한 크기로 발생되는 결함에 대응하여 토출될 수정물질(E)의 양을 산출할 필요가 없기 때문에, 리페어 공정이 단순해지고 리페어 시간이 단축될 수 있다. 또한, 토출되는 수정물질(E)의 양을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 미세하게 제거된 부분에 원하는 양의 수정물질(E)을 정밀하게 토출할 수 있고, 과다토출로 인한 수정물질(E)의 낭비를 방지할 수 있다. 이에, 리페어 공정의 효율이 향상될 수 있다.In addition, since it is not necessary to calculate the amount of the correction material E to be discharged corresponding to defects generated in various sizes, the repairing process can be simplified and the repairing time can be shortened. Further, since the amount of the discharged correction material E can be precisely controlled, it is possible to accurately discharge the desired amount of the correction material E to the finely removed portion, and the amount of the correction material E Can be prevented from being wasted. Thus, the efficiency of the repair process can be improved.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 모듈레이터를 리페어하는 과정을 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 리페어 방법에 대해 설명기로 한다.6 is a diagram illustrating a process of repairing a modulator according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a repair method according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 리페어 방법은 박막 상의 결함을 확인하는 과정, 상기 박막의 상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 입력된 크기로 제거하는 과정, 상기 제거된 부분으로 수정물질(E)을 공급하는 과정, 및 상기 수정물질(E)을 건조 또는 경화시키는 과정을 포함한다. 이때, 박막은 일측에 형성된 액정층(22)을 커버하는 보호막(21)을 포함하고, 보호막(21)은 기판의 결함을 검사하는 모듈레이터에 구비될 수 있으며, 결함은 보호막(21)이 찢어지는 것일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a repair method comprising the steps of: confirming a defect on a thin film; removing an area where the defect has occurred in the thin film to a predetermined size; E), and drying or curing the modified substance (E). At this time, the thin film includes a protective film 21 covering the liquid crystal layer 22 formed on one side, and the protective film 21 may be provided in a modulator for inspecting defects of the substrate, and the defect is caused when the protective film 21 is torn Lt; / RTI >

어레이 기판에 대한 검사는, 모듈레이터를 어레이 기판 상에 소정 거리만큼 이격시킨 다음 모듈레이터를 이동시키면서 어레이 기판 상에 형성된 신호배선의 단락과 단선을 확인하는 방식으로 수행된다. 이때, 어레이 기판 상에 존재하는 이물이 모듈레이터와 접촉하면서 모듈레이터 표면의 보호막(21)이 손상되어 보호막(21)이 찢어지는 결함이 발생할 수 있다. 이에, 도 6의 (a)와 보호막(21)의 결함을 통해 보호막(21)에 의해 커버되는 액정이 외부로 누출되는 문제가 발생할 수 있다. 이때, 보호막(21)은 폴리이미드 필름일 수 있다. 그러나 보호막(21)의 재잴은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.Inspection of the array substrate is performed in such a manner that the modulator is spaced a predetermined distance from the array substrate, and then the modulator is moved while confirming short-circuiting and disconnection of the signal wiring formed on the array substrate. At this time, foreign matter existing on the array substrate contacts with the modulator, and the protective film 21 on the surface of the modulator may be damaged, resulting in a defect that the protective film 21 is torn. Thus, the liquid crystal covered by the protective film 21 may leak to the outside through the defect of FIG. 6A and the protective film 21. At this time, the protective film 21 may be a polyimide film. However, the measurement of the protective film 21 is not limited to this and may vary.

우선, 결함이 발생한 영역을 제거 설정값에 입력된 크기로 제거할 수 있다. 제거 설정값은 레이저빔에 의해 제거될 부분의 면적과 깊이에 대한 값이다. 보호막(21)의 결함을 리페어하는 경우, 보호막(21)과 액정층(22)을 제거해야 한다. 따라서, 제거 설정값의 깊이값은 보호막(21)의 두께와 액정측의 두께를 합친 값으로 미리 정해질 수 있다. 이에, 제거 설정값의 면적값만 선택하여 결함이 발생한 영역을 제거할 수 있다. 제거 설정값은 복수개일 수 있는데, 서로 다른 면적값이 입력된 복수의 제거 설정값이 미리 설정될 수 있다. First, the area where the defect occurs can be removed to the size entered in the removal setting value. The removal setting values are values for the area and depth of the portion to be removed by the laser beam. In the case of repairing defects in the protective film 21, the protective film 21 and the liquid crystal layer 22 must be removed. Therefore, the depth value of the removal setting value can be predetermined to be a sum of the thickness of the protective film 21 and the thickness of the liquid crystal side. Therefore, only the area value of the removal setting value can be selected to remove the defective area. A plurality of removal setting values may be set, and a plurality of removal setting values into which different area values are input may be set in advance.

복수의 제거 설정값 중 하나를 선택하기 위해서는 결함의 면적과 제거 설정값에 입력된 면적을 비교할 수 있다. 즉, 복수의 제거 설정값 중 결함의 면적보다 큰 제거 설정값들을 선별할 수 있다. 그 다음, 도 6의 (b)와 같이 선별된 제거 설정값들 중 결함의 면적과 제일 근접한 면적값을 가지는 제거 설정값을 선택할 수 있다. In order to select one of the plurality of removal setting values, the area of the defect and the area input to the removal setting value can be compared. That is, the elimination setting values larger than the area of the defect among the plurality of elimination setting values can be selected. Then, the elimination set value having the area value closest to the area of the defect among the eliminated set values selected as shown in FIG. 6 (b) can be selected.

그 다음, 도 6의 (c)와 같이 결함이 발생한 영역으로 레이저빔을 조사하여 제거 설정값에 따라 결함이 발생한 영역의 보호막(21) 및 액정층(22)을 제거한다.Then, as shown in FIG. 6C, the protective film 21 and the liquid crystal layer 22 in the defective area are removed in accordance with the removal setting value by irradiating the defective area with a laser beam.

그 다음, 도 6의 (d)와 같이 보호막(21) 및 액정층(22)의 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 수정물질(E)을 공급할 수 있다. 수정물질(E)은 액정의 유출을 방지하기 위해 액정층(22)을 커버할 수 있는 액체상태의 투명한 수정물질(E)을 사용할 수 있다. 예를 들어, 수정물질(E)은 보호막(21)과 동일한 재질일 수 있다. 그러나 수정물질(E)의 재질은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.6 (d), the correction material E can be supplied only to the edge regions of the removed portions of the protective film 21 and the liquid crystal layer 22. The quartz material (E) may use a liquid crystal transparent material (E) capable of covering the liquid crystal layer (22) to prevent outflow of the liquid crystal. For example, the quartz material E may be the same material as the protective film 21. However, the material of the quartz material (E) is not limited thereto and may vary.

제거 설정값을 따라 결함이 발생한 부분을 제거하는 경우 제거된 부분의 둘레 길이를 알 수 있다. 따라서, 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 수정물질(E)을 공급하는 경우, 수정물질(E)의 낙하지점을 제거된 부분의 둘레를 따라 변경할 수 있다. 예를 들어, 제거된 부분의 둘레에 대응하여 수정물질(E)을 토출하는 노즐유닛(210)을 제거된 둘레를 따라 연속적으로 이동시키면서 수정물질(E)을 가장자리 영역에만 공급할 수 있다.If the defective part is removed according to the removal setting value, the circumferential length of the removed part can be known. Accordingly, when the correction material E is supplied only to the edge region of the removed portion, the drop point of the correction material E can be changed along the circumference of the removed portion. For example, the nozzle unit 210 for discharging the correction material E corresponding to the periphery of the removed portion may be continuously moved along the removed periphery, and the correction material E may be supplied only to the edge region.

또는, 낙하된 수정물질(E)이 확산되는 것을 고려하여 제거된 부분의 둘레에 대응하여 복수의 위치에서 수정물질(E)을 공급할 수 있다. 예를 들어, 제거된 부분의 둘레 형태가 사각형이고, 제거된 부분의 한 면의 중심부로 공급된 수정물질(E)이 확산되어 한 면의 액정층(22)을 커버할 수 있는 경우, 네 면의 중심부에서 각각 수정물질(E)을 낙하시켜 네 면의 액정층(22)을 모두 커버할 수 있다. Alternatively, the correction material E may be supplied at a plurality of positions corresponding to the circumference of the removed portion in consideration of the fact that the dropped crystal material E is diffused. For example, if the circumferential shape of the removed portion is rectangular and the supplied quartz material E to the center of one side of the removed portion can be diffused to cover the liquid crystal layer 22 on one side, It is possible to cover the four liquid crystal layers 22 by dropping the quartz material E at the center of the liquid crystal layer.

가장자리 영역으로 공급된 수정물질(E)은, 액정층(22) 내 액정이 유출되지 않도록 상기 액정층(22)을 커버하는 측벽을 형성한다. 즉, 수정물질(E)이 보호막(21)과 액정층(22)의 제거된 부분의 둘레를 감싸 액정층(22) 내 액정이 유출될 수 있는 공간을 막을 수 있다. 이에, 적은 양의 수정물질(E)을 공급하여 모듈레이터를 리페어할 수 있다.The quartz material E supplied to the edge region forms side walls covering the liquid crystal layer 22 so that the liquid crystal in the liquid crystal layer 22 does not flow out. That is, the space in which the liquid crystal in the liquid crystal layer 22 can flow out can be blocked by covering the periphery of the removed portion of the protective film 21 and the liquid crystal layer 22. Thus, the modulator can be repaired by supplying a small amount of the correction material (E).

이처럼 가장자리 영역으로만 수정물질(E)을 공급하므로 공정이 단순해지고 수정물질(E)의 사용량을 절감할 수 있다. 이때, 수정물질(E)이 흘러내리지 않도록 수정물질(E)을 공급하면서 동시에 수정물질(E)에 대한 건조 또는 경화 작업을 수행할 수 있다. 그러나 수정물질(E)의 공급량 및 공급방법은 이에 한정되지 않고 제거된 부분을 채우도록 공급될 수도 있다.Since the quartz material (E) is supplied only to the edge region, the process is simplified and the amount of the quartz material (E) can be reduced. At this time, the drying or curing operation for the quartz material E can be performed while supplying the quartz material E so that the quartz material E does not flow down. However, the supply amount and supply method of the quartz material E are not limited to this, and may be supplied to fill the removed portion.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

100: 레이저부 110: 레이저 발생유닛
140: 대물렌즈 200: 수정물질 공급부
210: 노즐유닛 220: 전원공급유닛
300: 건조경화부 400: 제어부
100: laser unit 110: laser generating unit
140: Objective lens 200: Crystal material supplier
210: nozzle unit 220: power supply unit
300: dry hardening part 400:

Claims (17)

서로 다른 크기값이 입력된 복수의 제거 설정값을 미리 마련하는 과정;
박막 상의 결함을 확인하는 과정;
상기 박막의 상기 결함이 발생한 영역을 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 크기 이상의 크기값을 가지는 제거 설정값에 따라 제거하는 과정;
전원공급유닛으로 수정물질을 토출하는 노즐유닛에 전원을 공급하여, 상기 노즐유닛과 상기 박막이 증착된 기판 사이에 전위차를 발생시켜, 상기 노즐유닛으로 상기 제거된 부분에 수정물질을 토출하는 과정; 및
상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
Preparing a plurality of removal setting values to which different size values are input;
A process of confirming defects on a thin film;
Removing the defective area of the thin film according to a removal setting value having a size value equal to or larger than a size of the defect among a plurality of removal setting values;
Supplying power to a nozzle unit for discharging a correction material to a power supply unit to generate a potential difference between the nozzle unit and the substrate on which the thin film is deposited and discharging a correction material to the removed portion with the nozzle unit; And
Drying or curing the quartz material; Included repair method.
청구항 1에 있어서,
상기 박막 상의 결함을 확인하는 과정은,
상기 결함의 위치를 확인하는 과정; 및
상기 결함의 면적 및 두께를 측정하는 과정을 포함하는 리페어 방법.
The method according to claim 1,
The process of confirming defects on the thin film includes:
Identifying a position of the defect; And
And measuring the area and thickness of the defect.
청구항 2에 있어서,
상기 크기값은 면적값을 포함하고,
상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 과정은,
상기 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 면적 이상의 면적값을 가지는 제거 설정값들을 선별하는 과정;
선별된 제거 설정값들 중 상기 결함의 면적과 제일 근접한 면적값을 가지는 제거 설정값을 선택하는 과정; 및
선택된 제거 설정값에 따라 상기 결함이 발생한 영역을 도려내는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
The method of claim 2,
Wherein the magnitude value includes an area value,
Wherein the step of removing the defect-
Selecting elimination set values having an area value equal to or larger than the area of the defect among the plurality of elimination set values;
Selecting an elimination set value having an area value closest to the area of the defect among the selected elimination set values; And
Extracting the defective area according to the selected removal setting value; Included repair method.
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 크기값은 깊이값을 포함하고,
상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 과정은,
상기 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 두께 이상의 깊이값을 가지는 제거 설정값들을 선별하는 과정;
선별된 설정값들 중 상기 결함의 두께와 제일 근접한 깊이값을 가지는 제거 설정값을 선택하는 과정; 및
선택된 제거 설정값에 따라 상기 결함이 발생한 영역을 도려내는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the magnitude value includes a depth value,
Wherein the step of removing the defect-
Selecting removal setting values having depth values equal to or greater than the thickness of the defect among the plurality of removal setting values;
Selecting a removal setting value having a depth value closest to the thickness of the defect among the selected setting values; And
Extracting the defective area according to the selected removal setting value; Included repair method.
청구항 1에 있어서,
상기 제거된 부분으로 수정물질을 공급하는 과정은,
상기 수정물질의 높이가 상기 박막 표면의 높이와 오차범위 내에서 동일선상에 위치하도록 미리 설정된 공급 설정값에 입력된 양으로 수정물질을 공급하는 과정을 포함하는 리페어 방법.
The method according to claim 1,
The process of supplying the correction material to the removed portion may include:
Supplying a correction material in an amount input to a preset supply set value such that the height of the correction material is located on the same line within a tolerance range of the height of the thin film surface.
청구항 5에 있어서,
상기 공급 설정값은 상기 수정물질의 서로 다른 공급량 값이 입력된 복수의 값을 가지고,
상기 수정물질을 채워넣는 과정은,
상기 제거 설정값에 입력된 면적값 및 깊이값에 대응하여 상기 복수의 공급 설정값 중 하나를 선택하는 과정; 및
상기 박막의 제거된 부분으로 선택된 공급 설정값에 따라 수정물질을 공급하는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
The method of claim 5,
Wherein the supply set value has a plurality of values to which different supply amounts of the correction material are inputted,
In the process of filling the crystal material,
Selecting one of the plurality of supply setting values corresponding to an area value and a depth value input to the removal setting value; And
Supplying a correction material according to a selected supply setting value as the removed portion of the thin film; Included repair method.
청구항 5에 있어서,
상기 박막은 컬러필터를 포함하고, 상기 수정물질은 서로 색이 다른 복수의 물질을 포함하며,
상기 수정물질을 채워넣는 과정은,
복수의 수정물질 중 상기 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응되는 색의 수정물질을 선택하는 과정; 및
상기 컬러필터의 제거된 부분으로 선택된 수정물질을 공급하는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
The method of claim 5,
Wherein the thin film comprises a color filter, the correction material comprises a plurality of materials of different colors,
In the process of filling the crystal material,
Selecting a color correction material having a color corresponding to the color of the color filter from which the defect is generated; And
Supplying a selected correction material to the removed portion of the color filter; Included repair method.
청구항 1에 있어서,
상기 결함은 핀홀결함 및 돌기결함 중 적어도 어느 하나를 포함하는 리페어 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the defect comprises at least one of a pinhole defect and a protrusion defect.
청구항 8에 있어서,
상기 박막 상의 결함을 확인한 후,
상기 결함이 돌기결함인 경우 상기 돌기결함이 발생한 부분을 연마하는 과정을 포함하는 리페어 방법.
The method of claim 8,
After confirming defects on the thin film,
And polishing the portion where the protruding defect occurs when the defect is a protruding defect.
액정층을 커버하는 보호막인 박막 상의 결함을 확인하는 과정;
상기 결함이 발생한 영역의 보호막 및 액정층을 미리 설정된 제거 설정값에 입력된 크기로 제거하는 과정;
상기 보호막 및 상기 액정층의 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 수정물질을 공급하여, 상기 액정층이 제거된 부분을 감싸고 상기 액정층 내 액정의 유출을 방지하는 측벽을 형성하는 과정; 및
상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 과정을; 포함하는 리페어 방법.
A process of confirming defects on a thin film which is a protective film covering the liquid crystal layer;
Removing a protective layer and a liquid crystal layer of the defective area to a size set in a preset removal set value;
Forming a sidewall that covers the portion where the liquid crystal layer is removed and prevents leakage of the liquid crystal in the liquid crystal layer by supplying a correction material only to an edge region of the protective film and the removed portion of the liquid crystal layer; And
Drying or curing the quartz material; Included repair method.
청구항 10에 있어서,
상기 가장자리 영역으로 수정물질을 공급하는 과정은,
상기 제거된 부분의 둘레에 대응하여 복수의 위치에서 수정물질을 공급하거나, 상기 둘레를 따라 이동하면서 수정물질을 공급하는 리페어 방법.
The method of claim 10,
The process of supplying the correction material to the edge region comprises:
And supplying the correction material at a plurality of positions corresponding to the circumference of the removed portion or supplying the correction material while moving along the circumference.
삭제delete 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 박막은 폴리이미드 필름을 포함하고,
상기 결함은 상기 폴리이미드 필름의 찢어짐을 포함하는 리페어 방법.
The method according to claim 10 or 11,
Wherein the thin film comprises a polyimide film,
Wherein the defect comprises a tearing of the polyimide film.
박막을 절단하는 레이저빔을 발생시키고, 상기 박막 상의 결함이 발생한 영역으로 상기 레이저빔을 조사하는 레이저부;
상기 레이저빔에 의해 제거된 상기 결함이 발생한 영역으로 수정물질을 공급하는 수정물질 공급부;
상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 건조경화부; 및
상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하도록 상기 레이저부의 작동을 제어하는 제어부를; 포함하며,
상기 제거 설정값은 복수개가 미리 설정되어 서로 다른 크기값을 가지고,
상기 수정물질 공급부는, 수정물질을 토출하는 노즐유닛, 및 상기 노즐유닛이 수정물질을 토출하도록 상기 노즐유닛과 상기 박막이 증착된 기판 사이에 전위차를 발생시키는 전원공급유닛을 포함하며,
상기 제어부는, 상기 복수의 제거 설정값 중 상기 결함의 크기 이상의 크기값을 가지는 제거 설정값에 따라 상기 레이저부의 작동을 제어하여 상기 결함이 발생한 영역을 제거하는 리페어 장치.
A laser unit for generating a laser beam for cutting the thin film and irradiating the laser beam to a region where the thin film is defective;
A correction material supplier for supplying the correction material to a region where the defect is removed by the laser beam;
A dry hardening part for drying or hardening the quartz material; And
A control unit for controlling the operation of the laser unit to remove the defective area according to a preset removal setting value; ≪ / RTI &
Wherein the plurality of removal setting values are preset and have different size values,
Wherein the correction material supply unit includes a nozzle unit for discharging a correction material and a power supply unit for generating a potential difference between the nozzle unit and the substrate on which the thin film is deposited so as to discharge the correction material,
Wherein the control unit controls the operation of the laser unit according to a removal setting value having a magnitude value equal to or larger than the size of the defect among the plurality of removal setting values to remove the defective area.
청구항 14에 있어서,
상기 박막은 컬러필터를 포함하고,
상기 수정물질 공급부는, 상기 결함이 발생된 컬러필터의 색과 대응하는 색의 수정물질을 공급하도록 서로 다른 색의 수정물질을 공급하는 하나 이상의 노즐유닛을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제거된 부분으로 미리 설정된 공급 설정값에 따라 수정물질을 공급하고, 상기 제거된 부분에 상기 수정물질을 채우도록 상기 수정물질 공급부의 작동을 제어하는 리페어 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the thin film comprises a color filter,
Wherein the correction material supply unit includes at least one nozzle unit for supplying a quartz material of a different color to supply a quartz material of a color corresponding to the color of the defective color filter,
Wherein the control unit supplies the correction material according to a preset supply set value to the removed portion and controls the operation of the correction material supply unit to fill the removed portion with the correction material.
청구항 15에 있어서,
상기 컬러 필터에 발생한 돌기결함을 제거하도록 상기 레이저부의 일측에 배치되고, 상기 돌기결함이 발생한 부분과 접촉하여 돌기결함이 발생한 부분을 연마하는 돌기 연마부를 포함하는 리페어 장치.
16. The method of claim 15,
And a protrusion polishing unit disposed on one side of the laser unit to remove protrusion defects occurring in the color filter, the protrusion polishing unit contacting the protrusion defect occurrence portion and polishing the portion where the protrusion defect has occurred.
액정층을 커버하는 보호막인 박막을 절단하는 레이저빔을 발생시키고, 상기 박막 상의 결함이 발생한 영역으로 상기 레이저빔을 조사하는 레이저부;
상기 레이저빔에 의해 제거된 상기 결함이 발생한 영역으로 수정물질을 공급하는 수정물질 공급부;
상기 수정물질을 건조 또는 경화시키는 건조경화부; 및
상기 결함이 발생한 영역을 미리 설정된 제거 설정값에 따라 제거하도록 상기 레이저부의 작동을 제어하는 제어부를; 포함하고,
상기 제어부는, 상기 결함이 발생한 영역의 보호막 및 액정층을 제거하고, 상기 보호막 및 상기 액정층의 제거된 부분의 가장자리 영역으로만 수정물질을 공급하도록 상기 레이저부 및 상기 수정물질 공급부의 작동을 제어하여, 상기 액정층이 제거된 부분을 감싸고 상기 액정층 내 액정의 유출을 방지하는 측벽을 형성하는 리페어 장치.
A laser part for generating a laser beam for cutting a thin film which is a protective film covering the liquid crystal layer and for irradiating the laser beam to a region where defects on the thin film are generated;
A correction material supplier for supplying the correction material to a region where the defect is removed by the laser beam;
A dry hardening part for drying or hardening the quartz material; And
A control unit for controlling the operation of the laser unit to remove the defective area according to a preset removal setting value; Including,
Wherein the controller controls the operation of the laser part and the correction material supply part to remove the protective film and the liquid crystal layer of the defective area and to supply the correction material only to the edge area of the protective film and the removed part of the liquid crystal layer Thereby forming a side wall that surrounds the portion where the liquid crystal layer is removed and prevents the liquid crystal from flowing out in the liquid crystal layer.
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