KR101719074B1 - Method and apparatus for thermal management of semiconductor processor device using dynamic thermal margin - Google Patents

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우영주
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Abstract

According to the embodiments of the present invention, a semiconductor processor device comprises: a thermal margin determination unit to determine thermal margin based on any one among a priority of threads driven in one or more processor cores and a load amount of the processor cores; a thermal margin state determination unit to determine a thermal margin state based on a current temperature and thermal margin of the semiconductor processor device; a policy determination unit to determine a thermal management policy with respect to the processor cores based on the thermal margin state; and a processor core setting unit to set activation, voltage, and frequency of the processor cores in accordance with the thermal management policy. The thermal margin defines a difference between a marginal temperature which is for protecting the semiconductor processor device, and a limit temperature which is for inducing a change of the thermal management policy; and the thermal margin state is able to be determined among a state which the current temperature is lower than the limit temperature or state which the current temperature is greater than or equal to the limit temperature.

Description

동적 열적 마진을 이용하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR THERMAL MANAGEMENT OF SEMICONDUCTOR PROCESSOR DEVICE USING DYNAMIC THERMAL MARGIN}METHOD AND APPARATUS FOR THERMAL MANAGEMENT OF SEMICONDUCTOR PROCESSOR DEVICE USING DYNAMIC THERMAL MARGIN FIELD OF THE INVENTION [0001]

본 발명은 반도체 프로세서 장치의 열 관리 기술에 관한 것이다.The present invention relates to thermal management techniques for semiconductor processor devices.

반도체 프로세서 또는 반도체 전력 소자와 같은 반도체 장치들은, 반도체 소재의 일반적인 열적 특성에 따라, 온도가 올라가면 더 많은 누설 전력을 야기하고, 더 많은 누설 전력에 따른 발열로 온도가 더 올라가는 특성을 가진다. 장시간 열적 한계를 초과한 고온에서 동작하는 반도체 장치들은 설계된 동작 특성을 보장하지 못하고 오류를 일으키거나 영구적인 손상을 입을 수 있다. Semiconductor devices such as a semiconductor processor or a semiconductor power device have characteristics such that they cause more leakage power when the temperature rises and a temperature rises due to heat generation due to more leakage power depending on the general thermal characteristics of the semiconductor material. Semiconductor devices operating at high temperatures exceeding the long term thermal limit do not guarantee the designed operating characteristics and may cause errors or permanent damage.

통상적으로, 반도체 장치의 온도를 통제하는 기법은 동작에 따른 발열을 외부로 발산시키기 위한 냉각 용량을 충분히 확보하는 방식 또는 발열을 제어하는 방식 중 하나로 분류될 수 있다. 설계 단계에서 냉각 효율이나 냉각 용량을 개선하는 방식이 적용될 수 있다면, 실제 사용 단계에서는 발열을 제어하는 방식이 적용될 수 있다.Conventionally, a technique of controlling the temperature of a semiconductor device can be classified into a method of sufficiently securing a cooling capacity for dissipating the heat generated by the operation to the outside, or a method of controlling heat generation. If a method of improving the cooling efficiency or the cooling capacity at the design stage can be applied, a method of controlling the heat at the actual use stage may be applied.

이에 따라, 반도체 장치를 위한 종래의 실시간적인 온도 관리 기법은 설계된 냉각 용량을 고려하여 반도체 장치의 온도가 상승하면 주파수를 낮추거나 동작 전압을 낮추는 식으로 소비 전력을 줄이고 온도가 하강하면 주파수를 높이거나 동작 전압을 높이는 식으로 동작한다.Accordingly, in a conventional real-time temperature management technique for a semiconductor device, when the temperature of the semiconductor device rises, the power consumption is reduced by lowering the frequency or decreasing the operating voltage in consideration of the designed cooling capacity. And the operation voltage is increased.

예를 들어 선행기술(한국공개특허 10-2013-0020624호)은 미리 반도체 장치 내의 세부 부품들의 동작 모드에 따른 프로세스 코너(process corner), 전압 및 주파수 값들을 저장하고, 부품들의 동작 파라미터들을 실시간으로 감시하면서 어떤 값을 계산하다가, 저장된 값들과 계산된 값을 비교하여 동작 모드의 변화를 예측하고 동작 모드를 조절하는 구성이다.For example, the prior art (Korean Patent Laid-open Publication No. 10-2013-0020624) stores process corners, voltage and frequency values according to the operation mode of the detailed components in the semiconductor device in advance, And the calculated value is compared with the stored values and the calculated value to predict the change of the operation mode and to adjust the operation mode.

이러한 선행기술에서는, 특정 반도체 장치의 부품들의 제조와 동작에 관한 여러 가지 값들을 미리 저장하고 있어야 하고, 각 반도체 장치의 각 동작 모드에서 열 관리기에 의해 프로세서 사용 효율, 스위칭 속도 내지 데이터 처리량과 같은 동작 파라미터들을 계산하여야 한다. 따라서 선행기술을 서로 다른 반도체 장치들에 적용하려면 각 반도체 장치의 제조와 동작에 관하여 데이터들을 따로 축적하여야 하고, 열 관리 하드웨어의 구성을 고려하여야 하는 단점이 있다.In this prior art, various values related to the manufacture and operation of the components of a specific semiconductor device must be stored in advance, and in each operation mode of each semiconductor device, the operation of processor, such as processor usage efficiency, switching speed, Parameters should be calculated. Therefore, in order to apply the prior art to different semiconductor devices, there is a disadvantage that data regarding the manufacture and operation of each semiconductor device must be accumulated separately, and the configuration of the thermal management hardware must be considered.

이러한 통상적인 동적 전압 주파수 스케일링(DVFS, Dynamic Voltage Frequency Scaling) 기법은 온도 관리 측면에서는 반도체 장치의 열적 안전성을 보장할 수 있겠지만, 온도에 따라 전압과 주파수를 낮추는 기법에서 하드웨어 성능 저하는 불가피하다.This conventional Dynamic Voltage Frequency Scaling (DVFS) technique can guarantee the thermal stability of a semiconductor device in terms of temperature control, but degradation of hardware performance is inevitable in a technique of lowering voltage and frequency according to temperature.

특히 스마트폰과 같이 제한된 배터리 용량과 제한된 방열 수단을 가지며 하드웨어의 성능 변화가 사용자 경험(User Experience)에 큰 영향을 미치는 모바일 장치들에서는 동적 전압 주파수 스케일링 기법은 장치에 대한 만족도를 크게 저하시킬 수 있다.In mobile devices, such as smartphones, which have limited battery capacity and limited heat dissipation, and hardware performance changes significantly affect the user experience, the dynamic voltage frequency scaling technique can significantly reduce the satisfaction of the device .

한편, 프로세서가 처리하는 쓰레드들은 서로 다른 우선순위를 가지고 동작하는데, 예를 들어 사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들은 상대적으로 높은 우선순위를 가질 수 있고, 그렇지 않은 쓰레드들은 상대적으로 낮은 우선순위를 가질 수 있다.On the other hand, the threads that the processor processes operate with different priorities, for example, threads that interact directly with the user can have a relatively high priority, and those that do not have a relatively low priority have.

만약 프로세서가 낮은 우선순위의 쓰레드들을 높은 전압 및 주파수로 구동하면서 이미 상당히 높은 온도에 도달한 경우에, 그 이후에 높은 우선순위의 쓰레드들이 구동되면 프로세서는 곧장 열적 한계에 도달하게 될 수 있다. 이에 따라, 전압 및 주파수가 강제적으로 낮아지면서 프로세서의 성능이 낮아지면 높은 우선순위의 쓰레드들은 높은 우선순위에도 불구하고 실질적으로 원하는 사용자 경험을 제공할 수 없게 된다.If the processor has already reached a fairly high temperature while driving low priority threads at high voltages and frequencies, then the processor may soon reach the thermal limit if high priority threads are running. As a result, when the processor and the processor are lowered in voltage and frequency, the high priority threads can not provide the desired user experience despite the high priority.

한국공개특허 10-2013-0020624(2013.02.27)Korean Patent Publication No. 10-2013-0020624 (Feb.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 동적 열적 마진을 이용하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thermal management method and apparatus for a semiconductor processor device using a dynamic thermal margin.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전압 내지 주파수의 변경을 통한 반도체 프로세서 장치의 하드웨어적 온도 관리 기법과 쉽게 연동될 수 있는 열 관리 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thermal management method and apparatus that can be easily interlocked with a hardware temperature management technique of a semiconductor processor apparatus through voltage or frequency change.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 높은 우선순위의 쓰레드들에게 프로세서의 성능을 최대한 보장할 수 있는 열 관리 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thermal management method and apparatus capable of maximizing the performance of a processor for high priority threads.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The solution to the problem of the present invention is not limited to those mentioned above, and other solutions not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 프로세서 장치는, 반도체 프로세서 장치를 구성하는 하나 이상의 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 열적 마진 결정부; 상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태(thermal margin state)를 결정하는 열적 마진 상태 결정부; 상기 결정된 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 정책 결정부; 및 상기 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 설정하는 프로세서 코어 설정부를 포함하고, 상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이를 정의하고, 상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정될 수 있다.A semiconductor processor apparatus according to an aspect of the present invention includes a thermal margin determination unit that determines a thermal margin based on any one of a priority of threads driven in one or more processor cores constituting a semiconductor processor apparatus and a load of the processor cores part; A thermal margin state determiner for determining a thermal margin state based on the current temperature of the semiconductor processor and the thermal margin; A policy determination unit for determining a thermal management policy for the processor cores based on the determined thermal margin state; And a processor core setting unit for setting the activation, the voltage and the frequency of the processor cores according to the thermal management policy, wherein the thermal margin is determined based on a limit temperature that is a temperature for protecting the semiconductor processor apparatus, And the thermal margin state may be determined from a state in which the current temperature is lower than the limit temperature or a state in which the current temperature is lower than the limit temperature.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 결정부는 상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin determiner may be operative to determine the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태 결정부는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하도록 동작하고, 상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 수행하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin state determining unit determines the thermal margin state to be the first state when the current temperature is lower than the limit temperature, and determines the thermal margin state to the second state when the present temperature becomes higher than the limit temperature The policy determining unit maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the first state, and while the thermal margin state is in the second state, changes the thermal management policy until the current temperature becomes lower than the limit temperature And to observe the change of the present temperature according to the changed thermal management policy.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태 결정부는 현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하며, 현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하고, 현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하도록 동작하고, 상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin state determiner may maintain the thermal margin state in the first state when the present temperature is lower than the limit temperature when the current thermal margin state is the first state, Changes the thermal margin state from the first state to the second state, changes the thermal margin state to the third state when the thermal management policy changes when the current thermal margin state is the second state, If the current temperature is higher than the second limit temperature, the thermal margin state is changed to the second state, and if the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, the thermal margin state is maintained in the third state, And when the current temperature is lower than the return temperature, operates to change the thermal margin state to the first state, and the policy decision unit is operable to change the thermal margin state to the first state while the thermal margin state is the first state, Maintaining a thermal management policy, and a thermal margin condition is operable to determine a second state of the current temperature to be lower than the second limit temperature or the return temperature during the thermal management policy.

일 실시예에 따라, 상기 2차 제한 온도 및 상기 복귀 온도는 상기 열적 마진에 기초하여 결정될 수 있다.According to one embodiment, the secondary limiting temperature and the return temperature may be determined based on the thermal margin.

일 실시예에 따라, 상기 현재 부하량은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량일 수 있다.According to one embodiment, the current load may be a load associated with processing priority threads among threads running in the processor cores.

본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치는 반도체 프로세서 장치를 구성하는 하나 이상의 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 열적 마진 결정부; 상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태를 결정하는 열적 마진 상태 결정부; 및 상기 결정된 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 정책 결정부를 포함하고, 상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이를 정의하고, 상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정될 수 있다.A thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to another aspect of the present invention determines a thermal margin based on any one of a priority of threads driven in one or more processor cores constituting a semiconductor processor apparatus and a load of the processor cores A thermal margin determining unit; A thermal margin state determiner for determining a thermal margin state based on a current temperature of the semiconductor processor device and the thermal margin; And a policy determination unit for determining a thermal management policy for the processor cores based on the determined thermal margin state, wherein the thermal margin is determined based on a difference between a limit temperature, which is a temperature for protecting the semiconductor processor apparatus, , And the thermal margin state may be determined from a state where the current temperature is lower than the limit temperature or a state where the current temperature is lower than the limit temperature.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 결정부는 상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin determiner may be operative to determine the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태 결정부는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하도록 동작하고, 상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 반복적으로 수행하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin state determining unit determines the thermal margin state to be the first state when the current temperature is lower than the limit temperature, and determines the thermal margin state to the second state when the present temperature becomes higher than the limit temperature The policy determining unit maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the first state, and while the thermal margin state is in the second state, changes the thermal management policy until the current temperature becomes lower than the limit temperature And to observe the change of the present temperature according to the changed thermal management policy repeatedly.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태 결정부는 현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하며, 현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하고, 현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하도록 동작하고, 상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태 및 제3 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal margin state determiner may maintain the thermal margin state in the first state when the present temperature is lower than the limit temperature when the current thermal margin state is the first state, Changes the thermal margin state from the first state to the second state, changes the thermal margin state to the third state when the thermal management policy changes when the current thermal margin state is the second state, If the current temperature is higher than the second limit temperature, the thermal margin state is changed to the second state, and if the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, the thermal margin state is maintained in the third state, Wherein when the current temperature is lower than the return temperature, the thermal decision unit operates to change the thermal margin state to the first state, and the policy determination unit operates to change the thermal margin state to the first state, It is operable to maintain the current thermal management policy, and to be lower than the current temperature of the second temperature or return temperature limit determining the thermal management policy during the thermal margin state of the second state.

일 실시예에 따라, 상기 2차 제한 온도 및 상기 복귀 온도는 상기 열적 마진에 기초하여 결정될 수 있다.According to one embodiment, the secondary limiting temperature and the return temperature may be determined based on the thermal margin.

일 실시예에 따라, 상기 현재 부하량은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량일 수 있다.According to one embodiment, the current load may be a load associated with processing priority threads among threads running in the processor cores.

일 실시예에 따라, 상기 열 관리 장치는 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들을 우선 쓰레드들과 비우선 쓰레드들로 구분하고, 열 관리 정책에 따라 비우선 쓰레드들에 할당되는 시간 슬라이스들을 조절하도록 동작하는 스케줄러를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the thermal management apparatus divides threads, which are driven in the processor cores, into threads and non-priority threads, and adjusts time slices allocated to non-priority threads according to a thermal management policy The scheduler may further include a scheduler.

일 실시예에 따라, 상기 열 관리 장치는 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 성능 가속 상황의 발생을 감시하고, 성능 가속 상황이 검출되면 성능 가속 요청을 생성하는 성능 가속 상황 감시부를 더 포함하고, 상기 정책 결정부는, 상기 성능 가속 상황 감시부로부터 성능 가속 요청이 수신되면, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 성능보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정하도록 동작할 수 있다.According to one embodiment, the thermal management apparatus monitors occurrence of a performance acceleration situation in which a load related to a priority thread among threads driven in the processor cores exceeds a threshold load amount, and when a performance acceleration situation is detected, Wherein the policy determining unit is configured to determine whether a performance acceleration request is received from the processor based on the performance information of the processor core that provides higher performance than the current performance among the plurality of processor core settings, Settings, and to determine a thermal management policy in accordance with the selected processor core settings.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 하나 이상의 프로세서 코어들을 포함하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 단계; 상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태를 결정하는 단계; 및 상기 결정된 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함하고, 상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이를 정의하고, 상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정될 수 있다.A thermal management method for a semiconductor processor apparatus comprising one or more processor cores according to yet another aspect of the present invention includes the steps of determining a thermal margin based on either the priority of threads running in the processor cores and the load of the processor cores Determining; Determining a thermal margin condition based on the current temperature and the thermal margin of the semiconductor processor device; And determining a thermal management policy for the processor cores based on the determined thermal margin condition, wherein the thermal margin is determined based on a threshold temperature that is a temperature for protecting the semiconductor processor apparatus and a variation in the thermal management policy And the thermal margin state may be determined from a state in which the current temperature is lower than the limit temperature or a state in which the current temperature is lower than the limit temperature.

일 실시예에 따라, 상기 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 상기 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, a thermal management method for the semiconductor processor apparatus may further comprise controlling activation, voltage and frequency of the processor cores according to the thermal management policy.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진을 결정하는 단계는, 상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, determining the thermal margin may include determining the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하는 단계를 포함하고, 상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하는 단계; 및 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 반복적으로 수행하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the step of determining the thermal margin state may include determining a thermal margin state to be a first state when the current temperature is lower than the limit temperature, and determining a thermal margin state when the present temperature is higher than the limit temperature, Wherein the determining the thermal management policy comprises: maintaining a current thermal management policy while the thermal margin state is in a first state; And repeating the observation of the change of the thermal management policy and the change of the current temperature according to the changed thermal management policy until the current temperature becomes lower than the limit temperature while the thermal margin state is the second state.

일 실시예에 따라, 상기 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하는 단계; 현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에, 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하는 단계; 및 현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하는 단계를 포함하고, 상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는 열적 마진 상태가 제1 상태 및 제3 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하는 단계; 및 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the determining of the thermal margin state may include maintaining the thermal margin state at the first state when the current thermal margin state is the first state, Changing the thermal margin state from the first state to the second state when the temperature is higher than the limiting temperature; Changing the thermal margin state to a third state when the thermal management policy is changed when the current thermal margin state is the second state; And when the present temperature is higher than the second limit temperature, the thermal margin state is changed to the second state. When the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, the thermal margin state And changing the thermal margin state to a first state when the current temperature is lower than the return temperature, wherein the step of determining the thermal management policy comprises: maintaining the thermal margin state in the first state and the third state; Maintaining a current thermal management policy during the state; And determining the thermal management policy such that the current temperature is lower than the second limit temperature or the return temperature while the thermal margin state is the second state.

일 실시예에 따라, 상기 2차 제한 온도 및 상기 복귀 온도는 상기 열적 마진에 기초하여 결정될 수 있다.According to one embodiment, the secondary limiting temperature and the return temperature may be determined based on the thermal margin.

일 실시예에 따라, 상기 현재 부하량은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량일 수 있다.According to one embodiment, the current load may be a load associated with processing priority threads among threads running in the processor cores.

일 실시예에 따라, 상기 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들을 우선 쓰레드들과 비우선 쓰레드들로 구분하고, 열 관리 정책에 따라 비우선 쓰레드들에 할당되는 시간 슬라이스들을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, a thermal management method for the semiconductor processor apparatus divides threads, which are driven by the processor cores, into threads and non-priority threads, and, according to a thermal management policy, And adjusting the slices.

일 실시예에 따라, 상기 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 성능 가속 상황의 발생을 감시하고, 성능 가속 상황이 검출되면 성능 가속 요청을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는, 상기 성능 가속 요청에 따라, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 성능보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, a thermal management method for the semiconductor processor apparatus monitors the occurrence of a performance acceleration situation in which a load related to a priority thread among threads driven in the processor cores exceeds a threshold load, Wherein the step of determining a thermal management policy comprises: determining, based on the performance acceleration request, a processor core configuration that provides higher performance than current performance among a plurality of processor core configurations, Setting, and determining a thermal management policy according to the selected processor core setting.

본 발명의 동적 열적 마진을 이용한 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법 및 장치에 따르면, 전압 내지 주파수의 변경을 통한 반도체 프로세서 장치의 하드웨어적 온도 관리 기법과 쉽게 연동될 수 있다.According to the thermal management method and apparatus for a semiconductor processor apparatus using the dynamic thermal margin of the present invention, it can be easily interlocked with a hardware temperature management technique of a semiconductor processor apparatus through voltage or frequency change.

본 발명의 동적 열적 마진을 이용한 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법 및 장치에 따르면, 쓰레드들의 우선순위에 따라 열적 마진을 스케일링함으로써 프로세서의 성능을 최대한 보장할 수 있다.According to the thermal management method and apparatus for a semiconductor device using the dynamic thermal margin of the present invention, the performance of the processor can be maximized by scaling the thermal margin according to the priorities of the threads.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치를 예시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치에서 열적 마진의 개념을 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치에서 성능 가속이 필요한 경우를 예시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치에서 열적 마진 상태와 성능 상태가 서로 동등하게 열 관리 정책에 영향을 주면서 반도체 프로세서 장치의 온도가 관리되는 양상을 예시한 그래프들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법을 예시한 순서도이다.
1 is a block diagram illustrating a thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a concept of a thermal margin in a thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph illustrating a case where performance acceleration is required in a thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph illustrating the manner in which the temperature of the semiconductor processor apparatus is managed while the thermal margin and the performance state are equally affected by the thermal management policy in the thermal management apparatus for the semiconductor processor apparatus according to the embodiment of the present invention. admit.
5 is a flowchart illustrating a method for managing a thermal process for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.For the embodiments of the invention disclosed herein, specific structural and functional descriptions are set forth for the purpose of describing an embodiment of the invention only, and it is to be understood that the embodiments of the invention may be practiced in various forms, The present invention should not be construed as limited to the embodiments described in Figs.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치를 예시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 프로세서 장치(10)는 하나 이상의 프로세서 코어들(11), 프로세서 코어 설정부(12), 전원 전압 생성부(13), 클럭 주파수 생성부(14), 온도 센서(15) 및 열 관리 장치(100)를 포함할 수 있다.1, the semiconductor processor apparatus 10 includes one or more processor cores 11, a processor core setting unit 12, a power supply voltage generating unit 13, a clock frequency generating unit 14, a temperature sensor 15 And a thermal management device 100. [0031]

프로세서 코어들(11)은 개별적으로 활성화되거나 비활성화될 수 있고, 필요에 따라 서로 다른 전압 또는 서로 다른 클럭 주파수로 구동될 수 있다.The processor cores 11 may be individually activated or deactivated, and may be driven at different voltages or different clock frequencies as required.

프로세서 코어 설정부(12)는 프로세서 코어의 활성화 여부와, 전압 및 주파수에 관하여, 조합이 가능한 복수의 프로세서 코어 설정들을 저장하고 있어서, 내부적인 판단 또는 외부적인 지시에 따라, 예를 들어 열 관리 장치(100)에서 결정되는 열 관리 정책에 따라, 복수의 프로세서 코어 설정들 중 하나의 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 활성화되는 프로세서 코어들, 공급될 전원 전압 또는 클럭 주파수를 각각 결정할 수 있다.The processor core setting unit 12 stores a plurality of combinations of the processor core settings with respect to the activation and the voltage and the frequency of the processor core, Selects one of the plurality of processor core settings in accordance with the thermal management policy determined in the processor core 100, determines the processor cores to be activated according to the selected processor core setting, the power supply voltage to be supplied, or the clock frequency .

전원 전압 생성부(13)는 프로세서 코어 설정부(12)에서 결정된 프로세서 코어 설정 중의 전압 설정에 따라 전원 전압(VDD)을 생성하여 활성화된 프로세서 코어(11)에 공급한다.The power supply voltage generating unit 13 generates the power supply voltage VDD according to the voltage setting during the processor core setting determined by the processor core setting unit 12 and supplies the power supply voltage VDD to the activated processor core 11.

클럭 주파수 생성부(14)는 프로세서 코어 설정부(12)에서 결정된 프로세서 코어 설정 중의 주파수 설정에 따라 클럭 주파수(CLK)를 생성하여 활성화된 프로세서 코어(11)에 공급한다.The clock frequency generating unit 14 generates a clock frequency CLK according to the frequency setting in the processor core setting determined by the processor core setting unit 12 and supplies the clock frequency CLK to the activated processor core 11.

온도 센서(15)는 각 프로세서 코어들(11)의 개별적인 온도 값들을 산출하거나 또는 반도체 프로세서 장치(10)의 열적 상태를 대표할 수 있는 하나의 온도 값을 산출할 수 있다.The temperature sensor 15 may calculate the individual temperature values of each processor core 11 or may calculate one temperature value that may represent the thermal state of the semiconductor processor device 10. [

최근에 출시되는 반도체 프로세서 장치들은 온도를 제어하면서 체감 성능을 보장하기 위해 현재 온도와 한계 온도를 비교하여 전압과 주파수를 동적으로 스케일링하는 DVFS 기법을 채택하고 있다. 한계 온도는 반도체 프로세서 장치들의 열 설계 전력(TDP, Thermal Design Power)에 의해 결정되는 온도로서, 한계 온도에 도달하면 성능이 저하되거나 정상적인 동작을 보장하지 못하거나 제품의 수명이 영향을 받을 수 있다. Recent semiconductor processor devices employ the DVFS technique to dynamically scale the voltage and frequency by comparing the current temperature with the threshold temperature to ensure a sensible performance while controlling the temperature. The critical temperature is a temperature determined by the thermal design power (TDP) of the semiconductor processor devices. If the critical temperature is reached, the performance may be degraded, the normal operation may not be guaranteed, or the life of the product may be affected.

이러한 기존의 온도 제어 기법은 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 한계 온도의 비교를 기초로 즉각적으로 반응하고 매우 적극적으로 스케일링하기 때문에, 성능이 순간적으로 변동할 수 있다. 높은 성능을 요구하는 어플리케이션은 많은 전력을 소비하기 때문에 순식간에 프로세서 장치의 온도를 상승시킨다. 그에 따라, 성능을 크게 요구하지 않는 어플리케이션을 구동할 동안에는 프로세서 장치가 냉각된 상태이므로 높은 잠재적 성능을 가지지만, 정작 높은 성능이 요구될 때에는 프로세서 장치가 과열되고 전압과 주파수가 낮아지면서 제 성능을 낼 수 없는 상태가 될 수 있다.This conventional temperature control technique can instantaneously react and very aggressively scale based on a comparison of the current temperature and the threshold temperature of the semiconductor processor device, so that the performance may fluctuate instantaneously. Applications that require high performance can consume a lot of power and thus quickly increase the temperature of the processor unit. Therefore, while running an application that does not require much performance, the processor device has a high potential because it is in a cooled state, but when high performance is required, the processor device overheats, the voltage and frequency become low, It can be in a state that can not be done.

이에 반해, 본 발명의 실시예들에 따른 열 관리 장치(100)는 프로세서 코어들(11)의 동적인 온도 변화에도 불구하고 성능을 확보하기 위해, 열적 마진 결정부(110), 열적 마진 상태 결정부(120) 및 정책 결정부(130)를 포함할 수 있다. In contrast, the thermal management apparatus 100 according to the embodiments of the present invention includes a thermal margin determination unit 110, a thermal margin state determination unit 110, Unit 120 and a policy determination unit 130. [

실시예에 따라, 열 관리 장치(100)는 스케줄러(140) 및 성능 상태 결정부(150)를 각각 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the thermal management apparatus 100 may further include a scheduler 140 and a performance state determiner 150, respectively.

열적 마진 결정부(110)는 실행 중이거나 실행될 쓰레드들의 우선순위 정보들 및 프로세서 코어들(11)의 부하량 중 적어도 하나에 기초하여 열적 마진(thermal margin)의 크기를 결정할 수 있다. 열적 마진은 아래에서 정의되듯, 반도체 프로세서 장치(10)를 보호해야 하는 온도인 한계 온도로부터 열 관리 정책의 변경을 트리거링(triggering)하는 온도인 제한 온도까지의 차이를 의미한다.The thermal margin determining unit 110 can determine the size of the thermal margin based on at least one of the priority information of the threads being executed or executed and the load of the processor cores 11. [ The thermal margin refers to the difference from the limit temperature, which is the temperature at which the semiconductor processor device 10 should be protected, to the limit temperature, which is the temperature at which the change of the thermal management policy is triggered, as defined below.

구체적으로, 열적 마진 결정부(110)는 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 열적 마진의 크기를 작게 결정할 수 있고, 그에 따라 제한 온도를 높게 설정할 수 있다.Specifically, the thermal margin determining unit 110 can determine the size of the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher, thereby setting the limit temperature higher.

구체적으로, 열적 마진 결정부(110)는 프로세서 코어들(11)의 부하량이 높을수록 열적 마진의 크기를 작게 결정할 수 있고, 그에 따라 제한 온도를 높게 설정할 수 있다.Specifically, the thermal margin determining unit 110 can determine the size of the thermal margin to be small as the load of the processor cores 11 is high, thereby setting the limit temperature high.

구체적으로, 열적 마진 결정부(110)는 쓰레드들의 우선순위와 프로세서 코어들(11)의 부하량의 가중 합산치가 높을수록 열적 마진의 크기를 작게 결정할 수 있고, 그에 따라 제한 온도를 높게 설정할 수 있다.Specifically, the thermal margin determining unit 110 can determine the size of the thermal margin to be smaller as the weighted summation value of the priority of the threads and the load of the processor cores 11 is higher, thereby setting the limit temperature higher.

열적 마진 상태 결정부(120)는 열적 마진의 크기와 현재 온도에 기초하여 열적 마진 상태(thermal margin state)를 결정할 수 있다.The thermal margin state determination unit 120 can determine a thermal margin state based on the magnitude of the thermal margin and the current temperature.

열적 마진의 크기와 상태의 결정을 예시하기 위해 도 2 및 도 3을 참조하면, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치에서 이용되는 열적 마진의 개념을 예시한 도면이고, 도 3은 열적 마진 상태의 상태 다이어그램을 예시한 도면이다.Referring to Figures 2 and 3 to illustrate the determination of the size and state of the thermal margin, Figure 2 illustrates the concept of the thermal margin used in the thermal management device for a semiconductor processor device according to one embodiment of the present invention And FIG. 3 is a diagram illustrating a state diagram of a thermal margin state.

도 2는 동작 조건에 따라 온도가 상승하고 하강하는 시나리오에서 온도 변화를 대략적으로 예시한다.Figure 2 roughly illustrates the temperature change in a scenario where the temperature rises and falls in accordance with operating conditions.

한계 온도는 그 온도에서 반도체 프로세서 장치(10)가 즉각 고장나는 것은 아니지만 반도체 프로세서 장치(10)를 보호하기 위해서 또는 사용자에게 부상을 입히지 않도록 적극적으로 프로세서 코어 설정부(12)의 DVFS 기능을 적용하여야 하는 온도이다.The limit temperature does not immediately cause the semiconductor processor apparatus 10 to fail at that temperature but the DVFS function of the processor core setting section 12 should be actively applied so as to protect the semiconductor processor apparatus 10 or cause injury to the user Lt; / RTI >

제한 온도는, 만약 현재 온도가 제한 온도를 돌파하지 않는 한 강제로 동작 조건을 변동하지 않지만, 현재 온도가 제한 온도에 도달하면 동작 조건의 변동을 반드시 고려하여야 하는 온도이다. 즉, 제한 온도는 성능과 발열이 제한되기 시작하는 온도이다.The limiting temperature is the temperature at which the operating condition should not be changed unless the current temperature exceeds the limiting temperature, but the variation of the operating condition must be considered when the current temperature reaches the limiting temperature. That is, the limiting temperature is the temperature at which performance and heat generation start to be limited.

본 발명의 열 관리 장치 및 방법에서 의미하는 열적 마진은 한계 온도부터 제한 온도의 거리이다. 열적 마진이 크면 제한 온도가 낮으므로, 현재 온도가 낮더라도 동작 조건이 강화되어 성능과 발열이 제한될 수 있다. 반면에 열적 마진이 작으면, 제한 온도가 한계 온도에 가까워지며, 현재 온도가 상당히 높더라도 동작 조건이 유지되어 반도체 프로세서 장치(10)는 높은 발열에도 여전히 성능을 보장하고 발열을 감내하여야 한다.The thermal margin in the thermal management apparatus and method of the present invention is the limit temperature to the limit temperature. If the thermal margin is large, the limited temperature is low. Therefore, even if the current temperature is low, the operating condition may be strengthened and performance and heat generation may be limited. On the other hand, if the thermal margin is small, the limiting temperature is close to the limit temperature, and even if the current temperature is considerably high, the operating condition is maintained so that the semiconductor processor device 10 still has to guarantee the performance and endure the heat even at high heat.

만약 한계 온도가 110℃인데 열적 마진이 15℃로 결정된 경우에, 제한 온도는 95℃이다. If the limiting temperature is 110 ° C and the thermal margin is determined to be 15 ° C, the limiting temperature is 95 ° C.

부하가 증가하여 프로세서 코어들(11)의 발열량이 방열량보다 많으면 열적 평형이 깨지고 온도가 상승하기 시작한다.If the load is increased and the amount of heat generated by the processor cores 11 is larger than the amount of heat released, the thermal equilibrium is broken and the temperature starts to rise.

상승하는 온도가 제한 온도(A 지점)를 돌파하기 전까지는, 부하량이 언제라도 완화될 수 있고 온도가 낮아질 수 있으므로, 동작 조건을 변동할 필요는 없다.Until the rising temperature exceeds the limiting temperature (point A), the load condition may be mitigated at any time and the temperature may be lowered, so that it is not necessary to change the operating condition.

만약 온도가 제한 온도(A 지점)를 돌파한 이후에 아무런 조치가 취해지지 않으면, 온도는 계속 상승하여 B 지점을 통과하고 C 지점에서 한계 온도에 도달할 것이다.If no action is taken after the temperature has exceeded the limiting temperature (point A), the temperature will continue to rise and pass through point B and reach the limit temperature at point C.

반면에, 온도가 A 지점을 돌파하고 B 지점을 통과하기 전에 동작 조건을 낮추는 어떤 조치가 취해지면, 온도는 상승 추세가 완화되면서 C 지점보다 늦은 C' 지점에서 한계 온도에 도달할 것이다.On the other hand, if any action is taken to lower the operating condition before the temperature has crossed point A and passed through point B, the temperature will reach the limit temperature at point C 'later than point C as the upward trend is relaxed.

만약 온도가 완화된 상승 추세를 따라 B' 지점을 통과한 후에 동작 조건을 좀더 낮추는 조치가 추가로 취해지면, 온도는 잠시 후 하강 추세로 변하여 D 지점에서 제한 온도보다 낮아질 수 있다.If additional measures are taken to lower the operating conditions after the temperature has passed the B 'point along a relaxed upward trend, the temperature may change to a downward trend after a short time and may be lower than the limiting temperature at point D.

본 발명의 실시예들에 따른 반도체 프로세서 장치는, 현재 온도 그 자체가 아닌, 제한 온도에서 한계 온도까지 열적 마진과 현재 온도에 기초하여 동작 조건의 완화 조치를 결정한다. 따라서, 만약 열적 마진이 크게 결정되면, 상대적으로 낮은 온도인 예를 들어 90℃의 제한 온도에서 발열을 줄이도록 동작 조건이 결정될 수 있지만, 열적 마진이 작게 결정되면 상대적으로 높은 온도인 예를 들어 98℃에도달했을 때에 비로소 발열을 줄이도록 동작 조건이 결정될 수 있다.The semiconductor processor apparatus according to embodiments of the present invention determines the relaxation measure of the operating condition based on the thermal margin and the current temperature from the limit temperature to the limit temperature rather than the current temperature itself. Thus, if the thermal margin is largely determined, the operating conditions can be determined to reduce the heat generation at a relatively low temperature, for example, a limited temperature of 90 DEG C. However, if the thermal margin is determined to be small, The operating conditions can be determined so as to reduce the heat generation.

이렇듯, 본 발명은 동적으로 조절되는 열적 마진과 현재 온도에 기초하여 동적으로 열적 관리를 수행할 수 있다.As such, the present invention can dynamically perform thermal management based on the dynamically controlled thermal margin and the current temperature.

이에 따라, 열적 마진 상태는 현재의 동작 조건 하에서 현재 온도가 제한 온도에 도달하지 않아서 발열을 줄일 조치가 아직 필요하지 않은 제1 상태, 만약 현재 온도가 제한 온도에 도달하였다면 발열을 줄일 조치를 결정해야 하는 제2 상태, 또는 현재 온도가 제한 온도에 도달함에 따라 어떤 조치가 취해지고, 그에 따라 변동된 동작 조건 하에서 현재 온도를 관찰하는 제3 상태 중 하나이다. 본 발명에서 이들 상태는 각각 안전 상태, 경고 상태 및 위험 상태라고 할 수 있다.Accordingly, the thermal margin state is a first state under which the current temperature does not reach the limit temperature so that measures to reduce the heat are not yet required. If the current temperature has reached the limit temperature, Or a third state in which a measure is taken as the current temperature reaches the limit temperature and thus observes the current temperature under the varied operating conditions. In the present invention, these states may be referred to as a safety state, a warning state, and a dangerous state, respectively.

다시 도 1로 돌아가서, 열적 마진 상태 결정부(120)는 현재 온도, 열적 마진 및 열 관리 정책의 변경 여부에 따라 프로세서 코어들(11)의 열적 마진 상태를 안전 상태, 경고 상태 및 위험 상태 중 하나로 결정할 수 있다.Referring back to FIG. 1, the thermal margin state determination unit 120 determines whether the thermal margin state of the processor cores 11 is one of a safety state, a warning state, and a dangerous state according to the present temperature, thermal margin, You can decide.

구체적으로 열적 마진 상태 결정부(120)는 현재 온도가 열적 마진에 따른 제한 온도보다 낮으면, 열 관리 정책의 변경이 아직 불필요하며, 열적 마진 상태를 안전 상태라고 결정할 수 있다.Specifically, if the current temperature is lower than the limit temperature according to the thermal margin, the thermal margin state determination unit 120 can determine that the thermal management policy is not yet changed and that the thermal margin state is the safe state.

반면에, 열적 마진 상태 결정부(120)는 현재 온도가 열적 마진에 따른 제한 온도보다 높아지면, 열 관리 정책의 변경이 즉시 필요하며, 열적 마진 상태를 경고 상태라고 결정할 수 있다.On the other hand, if the present temperature becomes higher than the limit temperature according to the thermal margin, the thermal margin state determination unit 120 may immediately change the thermal management policy and determine the thermal margin state as the warning state.

현재 온도가 같은 두 사례들을 가정하면, 열적 마진이 작게 설정된 사례는 열적 마진이 높게 설정된 사례에 비해 더 높은 현재 온도에서도 열적 마진 상태가 안전 상태로 유지된다. 이에 따라, 우선순위가 매우 높은 쓰레드가 실행되어 열적 마진이 0에 가깝게 결정되면, 현재 온도가 한계 온도에 가까워지더라도 열적 마진 상태는 안전 상태를 유지할 수 있고, 프로세서들은 현재 온도가 매우 높음에도 불구하고 계속 최대의 성능을 내는 동작 조건으로 설정될 수 있다.Assuming two cases where the current temperature is the same, in the case where the thermal margin is set to be small, the thermal margin is maintained in a safe state even at a higher current temperature than in the case where the thermal margin is set high. Accordingly, if a thread with a high priority is executed and the thermal margin is determined to be close to zero, the thermal margin state can remain in a safe state even if the current temperature is close to the limit temperature, And can be set as an operation condition that provides the maximum performance continuously.

반면에, 우선순위가 낮은 쓰레드들이 실행되면, 열적 마진의 크기는 상대적으로 커질 수 있다. 열적 마진이 커지면, 제한 온도가 낮아지고, 더 낮은 온도에서도 열적 마진 상태가 경고 상태로 전환되고, 발열을 줄이는 조치가 수행된다. 이에 따라, 우선순위가 낮은 쓰레드들만 실행되는 중이라면, 현재 온도가 한계 온도보다 훨씬 낮더라도 열적 마진 상태는 경고 상태로 진입할 수 있고, 프로세서들은 현재 온도가 낮음에도 불구하고 발열을 줄이는 동작 조건으로 설정될 수 있다.On the other hand, if low priority threads are executed, the size of the thermal margin can be relatively large. When the thermal margin is increased, the limiting temperature is lowered, and even at lower temperatures, the thermal margin state is switched to the warning state, and measures are taken to reduce heat generation. Thus, if only low priority threads are being executed, the thermal margin state can enter the warning state even if the current temperature is much lower than the threshold temperature, and the processors can be operated under conditions that reduce the heat even though the current temperature is low Can be set.

한편, 발열을 줄일 조치가 있은 후에 당분간 반도체 프로세서 장치(10)는 온도의 변화를 관찰할 수 있다. 이러한 경우에 열적 마진 상태 결정부(120)는 열적 마진 상태를 위험 상태라고 결정할 수 있다. 위험 상태의 관찰 결과에 따라 열적 마진 상태 결정부(120)는 더 적극적인 열 관리 정책을 결정하기 위해 경고 상태로 천이하거나, 현재의 열 관리 정책을 유지하면서 추가적인 관찰이 필요한 위험 상태를 유지할 수도 있으며, 또는 현재의 조치가 더이상 불필요하고 이전의 동작 조건으로 돌아가도 무방하여 안전 상태로 천이할 수도 있다.On the other hand, after a measure to reduce the heat generation, the semiconductor processor apparatus 10 can observe a change in temperature for a while. In this case, the thermal margin state determination unit 120 can determine that the thermal margin state is a dangerous state. The thermal margin state determination unit 120 may transition to a warning state to determine a more aggressive thermal management policy or may maintain a risk state requiring additional observation while maintaining the current thermal management policy, Or it may transition to a safe state even if the current action is no longer necessary and returns to the previous operating condition.

도 3을 참조하면, 열적 마진 상태의 천이가 예시된다. 최초에 열적 마진 상태는 안전 상태(Safe_Zone)이다.Referring to FIG. 3, a transition of the thermal margin state is illustrated. Initially, the thermal margin state is Safe_Zone.

열적 마진 상태가 안전 상태인 동안에는, 열적 마진이 결정되고, 결정된 열적 마진에 따른 제한 온도를 현재 온도와 비교한다.While the thermal margin is in a safe state, the thermal margin is determined and the limiting temperature according to the determined thermal margin is compared to the current temperature.

만약 현재 온도가 제한 온도보다 낮으면, 열적 마진 상태는 안전 상태로 유지될 수 있다.If the current temperature is lower than the limiting temperature, the thermal margin state can be maintained in a safe state.

반면에 열적 마진 상태가 안전 상태인 때에 현재 온도가 제한 온도를 초과하면, 열적 마진 상태는 안전 상태에서 경고 상태(Alarm_State)로 변경될 수 있다.On the other hand, if the current temperature exceeds the limit temperature when the thermal margin state is the safety state, the thermal margin state can be changed from the safety state to the alarm state (Alarm_State).

열적 마진 상태가 경고 상태인 때에는 열 관리 정책이 적절하게 결정된다.When the thermal margin condition is in the warning state, the thermal management policy is appropriately determined.

정책 결정부(130)에서 열 관리 정책이 새로 결정되면, 열적 마진 상태는 위험 상태(Danger_Zone)로 변경된다.When the thermal management policy is newly determined in the policy decision unit 130, the thermal margin state is changed to a danger state (Danger_Zone).

열적 마진 상태가 위험 상태인 때에는 현재 온도의 추이가 관찰된다.When the thermal margin condition is in a dangerous state, a trend of the current temperature is observed.

만약, 위험 상태에서 현재 온도의 관찰 결과, 현재 온도가 2차 제한 온도를 초과하면, 열적 마진 상태는 열 관리 정책의 변경을 위해 경고 상태로 다시 변경된다. If, as a result of observing the current temperature in the critical state, the current temperature exceeds the secondary limiting temperature, the thermal margin state is changed back to the warning state for the change of the thermal management policy.

반면에 만약 현재 온도가 열적 마진에 따른 복귀 온도보다 낮아지면, 열적 마진 상태는 안전 상태로 변경될 수 있다.On the other hand, if the current temperature is lower than the return temperature due to the thermal margin, the thermal margin state can be changed to the safe state.

만약 현재 온도가 제한 온도보다는 높지만 2차 제한 온도보다는 낮으면, 열적 마진 상태는 위험 상태로 유지되고 현재 온도의 추이가 관찰될 수 있다. If the current temperature is higher than the limiting temperature but lower than the second limiting temperature, the thermal margin state remains at risk and the trend of the current temperature can be observed.

안전 상태에서 경고 상태로 천이를 결정하는 제한 온도, 위험 상태에서 경고 상태로 천이를 결정하는 2차 제한 온도 및 위험 상태에서 안전 상태로 천이를 결정하는 복귀 온도는 설계자의 의도에 따라 모두 다르게 설정될 수도 있고, 동일하게 설정될 수도 있다. 실시예에 따라, 적어도 제한 온도는 열적 마진에 기초하여 설정될 수 있다. 2차 제한 온도 또는 복귀 온도는 열적 마진 또는 제한 온도에 기초하여 설정될 수 있다.The limiting temperature determining the transition from the safe state to the warning state, the secondary limiting temperature determining the transition from the dangerous state to the warning state, and the returning temperature determining the transition from the dangerous state to the safe state are all set differently according to the designer's intention Or may be set to be the same. Depending on the embodiment, at least the limiting temperature can be set based on the thermal margin. The secondary limiting temperature or return temperature may be set based on the thermal margin or the limiting temperature.

실시예에 따라, 열적 마진은 쓰레드들의 우선순위와 프로세서 코어들(11)의 부하량에 따라 결정될 수 있다.Depending on the embodiment, the thermal margin may be determined according to the priority of the threads and the load of the processor cores 11.

예를 들어, 쓰레드들 중 우선순위가 가장 높은 쓰레드의 우선순위에 따라, 열적 마진이 각각 상대적으로 높아지거나 낮아질 수 있다.For example, depending on the priority of the thread with the highest priority among the threads, the thermal margin may be relatively high or low respectively.

좀더 구체적으로, 쓰레드들 중 우선순위가 가장 높은 쓰레드의 우선순위가 높을수록, 열적 마진이 작아지고 제한 온도는 상대적으로 높아질 수 있다. 반대로 쓰레드들 중 우선순위가 가장 높은 쓰레드의 우선순위가 낮을수록, 열적 마진은 커지고 제한 온도는 상대적으로 낮아질 수 있다.More specifically, the higher the priority of the thread having the highest priority among the threads, the smaller the thermal margin and the relatively higher the temperature limit. Conversely, the lower the priority of the thread with the highest priority among the threads, the larger the thermal margin and the lower the limiting temperature.

예를 들어, 우선순위는 "실시간", "매우 높음", "높음", "보통", "낮음", "매우 낮음"과 같이 분류될 수 있고, 실행되는 쓰레드들 중 우선순위가 가장 높은 쓰레드의 우선순위가 "매우 높음"이라면, 열적 마진은 아주 작아지고 제한 온도는 한계 온도에 가까워질 수 있다. 현재 온도가 같은 두 사례들을 가정하면, 작은 열적 마진에 따라 제한 온도가 높게 설정된 사례는, 큰 열적 마진에 따라 제한 온도가 낮게 설정된 사례에 비해, 더 높은 현재 온도에서도 열적 마진 상태가 안전 상태로 유지되고, 경고 상태로 전환되지 않는다. 이에 따라, 우선순위가 매우 높은 쓰레드가 실행되면, 현재 온도가 한계 온도에 가까워지더라도 높아진 제한 온도 때문에 열적 마진 상태는 안전 상태를 유지할 수 있고, 프로세서들은 현재 온도가 높음에도 불구하고 계속 최대의 성능을 내는 동작 조건으로 설정될 수 있다. 또한, 현재 온도가 극단적으로 높아져 결국 경고 상태 또는 위험 상태로 전환되고 발열을 줄이는 조치가 취해지더라도, 높은 복귀 온도 때문에 곧장 안전 상태로 다시 전환되어 성능을 최대한으로 낼 수 있다. 이로써, 우선순위가 높은 우선 쓰레드의 구동 시에 프로세서의 성능을 최대한 보장할 수 있다.For example, the priority may be classified as "real time", "very high", "high", "normal", "low", "very low", and the highest priority thread , The thermal margin may be very small and the limiting temperature may be close to the critical temperature. Assuming two cases where the current temperature is the same, in the case where the limiting temperature is set to be high according to the small thermal margin, the thermal margin state is maintained in a safe state even at the higher current temperature as compared with the case where the limiting temperature is set lower according to the large thermal margin And is not switched to the warning state. Thus, if a highly prioritized thread is executed, the thermal margin state can remain in a safe state due to the increased limiting temperature even if the current temperature approaches the limit temperature, and the processors continue to exhibit maximum performance As shown in FIG. In addition, even if the current temperature becomes extremely high and eventually switches to a warning or dangerous state and measures are taken to reduce the heat, the high return temperature allows the system to switch back to a safe state for maximum performance. Thus, the performance of the processor can be maximized when the priority thread having a high priority is driven.

반면에, 실행되는 쓰레드들 중 우선순위가 가장 높은 쓰레드의 우선순위가 예를 들어 "낮음"이라면, 열적 마진은 크게 설정되고, 제한 온도는 실온에 가깝게 낮아질 수 있다. 현재 온도가 같은 두 사례들에서, 열적 마진이 커지면, 더 낮은 현재 온도에서도 제한 온도를 초과하게 되어 열적 마진 상태가 경고 상태로 전환되고, 발열을 줄이는 조치가 수행된다. 이에 따라, 우선순위가 낮은 쓰레드들만 실행되는 중이라면, 현재 온도가 한계 온도보다 충분히 낮더라도 열적 마진 상태는 경고 상태로 진입할 수 있고, 프로세서들은 현재 온도가 낮음에도 불구하고 발열을 줄이는 동작 조건으로 설정될 수 있다. 나아가, 복귀 온도도 낮게 설정되면, 현재 온도가 더 낮아지더라도 쉽게 열적 마진 상태가 안전 상태로 전환되지 않고, 발열을 줄이는 동작 조건이 계속 유지될 수 있다. 이로써, 추후에 우선순위가 높은 쓰레드의 구동을 대비하여 프로세서의 온도를 가능한 한 낮출 수 있고, 그에 따라 이후에 우선순위가 높은 쓰레드가 구동될 때에 성능을 최대한 보장할 수 있다.On the other hand, if the priority of the highest priority thread among the executed threads is, for example, "low ", the thermal margin is set to a large value, and the limiting temperature may be lowered to near room temperature. In the two cases where the current temperature is the same, if the thermal margin is increased, the limit temperature is exceeded even at the lower current temperature, the thermal margin state is switched to the warning state, and measures are taken to reduce the heat. Accordingly, if only low priority threads are being executed, the thermal margin state can enter the warning state even if the current temperature is sufficiently lower than the threshold temperature, and the processors can be operated under the condition that the heat is reduced even though the current temperature is low Can be set. Furthermore, when the return temperature is set to a lower value, even if the current temperature is lower, the thermal margin state can not be easily switched to the safety state, and the operating condition for reducing the heat can be maintained. This makes it possible to lower the temperature of the processor as low as possible in preparation for the operation of a thread having a higher priority in the future, thereby ensuring maximum performance when a higher priority thread is driven later.

다시 도 1로 돌아와서, 정책 결정부(130)는 열적 마진 상태에 기초하여 프로세서 코어들(11)에 관한 열 관리 정책을 결정할 수 있다.Referring again to FIG. 1, the policy determination unit 130 may determine a thermal management policy for the processor cores 11 based on the thermal margin state.

실시예에 따라, 정책 결정부(130)는 열적 마진 상태 결정부(120)에서 결정된 열적 마진 상태가 경고 상태인 동안에 새로운 열 관리 정책을 결정할 수 있고, 특히 현재 온도가 2차 제한 온도를 초과하지 않도록 또는 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지도록 새로운 열 관리 정책을 결정할 수 있다.According to the embodiment, the policy determination unit 130 may determine a new thermal management policy while the thermal margin state determined by the thermal margin state determination unit 120 is in the warning state, and in particular, if the current temperature does not exceed the second- Or a new thermal management policy may be determined such that the current temperature is lower than the return temperature.

이에 따라, 프로세서 코어 설정부(12)는 정책 결정부(130)에서 결정된 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 제어할 수 있다.Accordingly, the processor core setting unit 12 can control activation, voltage, and frequency of the processor cores according to the thermal management policy determined by the policy determination unit 130. [

한편, 상술한 열 관리 정책은 주로 프로세서 코어의 활성화/비활성화, 전압 및 주파수 설정과 같은 하드웨어적인 접근방식을 취하였지만, 실시예에 따라, 본 발명의 열 관리 기법에서는 부하를 구성하는 쓰레드들(threads)의 우선순위에 기초하여 제어하는 소프트웨어적 접근방식도 가능하다.Meanwhile, the above-described thermal management policy mainly adopts a hardware approach such as activation / deactivation of a processor core, voltage and frequency setting. However, according to the embodiment, in the thermal management technique of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > priority. ≪ / RTI >

이에 따라, 스케줄러(140)는 프로세서 코어들(11)에서 구동되는 쓰레드들을 예를 들어, 포어그라운드 쓰레드들(foreground threads)과 같은 우선 쓰레드들과, 예를 들어, 백그라운드 쓰레드들(background threads)과 같은 비우선 쓰레드들로 구분할 수 있다. Accordingly, the scheduler 140 may include threads running on the processor cores 11, for example, priority threads, such as foreground threads, for example, background threads, The same non-priority threads can be distinguished.

예를 들어, 우선 쓰레드들은 사용자 경험(user experience)에 직접 관련된 쓰레드들로서, 모바일 장치의 화면을 생성하고 모바일 장치에 대한 사용자의 지시를 처리하거나 사용자에게 처리 결과를 표시하는 쓰레드들로서 예시될 수 있다. 반면에 예를 들어, 비우선 쓰레드들은 사용자 경험에 직접적인 연관이 없거나, 우선 쓰레드들을 위해 구동되는 쓰레드들이다.For example, the threads may first be illustrated as threads directly related to the user experience, as threads that create a screen of the mobile device, process the user's instructions to the mobile device, or display processing results to the user. On the other hand, for example, non-priority threads are either not directly related to the user experience, or are threads that are run for the threads first.

프로세서 코어 설정이 조절되어 성능이 낮아지는 경우에, 우선 쓰레드들은, 제대로 처리되지 못하면, 체감 성능을 눈에 띄게 악화시킬 수 있지만, 비우선 쓰레드들은 제때 처리되지 못하더라도 체감 성능에 큰 영향을 주지 않는다.If the processor core settings are adjusted to lower performance, then first, threads may noticeably deteriorate the perceived performance if not handled properly, but non-primed threads do not have a significant impact on perceived performance .

이에 따라, 스케줄러(140)는 열 관리 정책에 따라 비우선 쓰레드들에 할당되는 시간 슬라이스들(time slices)을 조절할 수 있다.Accordingly, the scheduler 140 may adjust the time slices allocated to the non-priority threads according to the thermal management policy.

열 관리 정책이 엄격해지면 속도와 전압을 낮춰 발열을 줄이므로, 프로세서 코어들(11)의 처리 능력이 줄어드는데, 스케줄러(140)는 줄어드는 처리 능력에도 사용자 체감 성능이 영향을 받지 않도록 우선 쓰레드들의 CPU 점유율을 늘리고, 그 대신에 비우선 쓰레드들의 CPU 점유율은 줄인다.When the thermal management policy becomes strict, the processing power of the processor cores 11 is reduced because the speed and voltage are lowered to reduce the heat generation. Thus, the scheduler 140 firstly controls the CPUs of the threads so that the user- Increase the share, and instead reduce the CPU share of non-priority threads.

이에 따라 스케줄러(140)는 비우선 쓰레드들에 더 적은 시간 슬라이스들을 할당하고, 우선 쓰레드들에 더 많은 시간 슬라이스들을 할당하도록 동작할 수 있다.Accordingly, the scheduler 140 may operate to allocate less time slices to non-preferred threads, and to allocate more time slices to the threads first.

또한, 쓰레드들을 우선 쓰레드들과 비우선 쓰레드들로 구분하는 경우에, 열적 모델을 구성하는 변수들 중 하나인 현재 부하량은 프로세서 코어들(11)에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량이다.In addition, when dividing the threads into priority threads and non-priority threads, the current load, which is one of the variables constituting the thermal model, is used to process the priority threads among the threads driven in the processor cores 11 Related load.

한편, 프로세서 코어 설정이 조절되어 전체적인 성능이 낮아지는 경우에도, 종종 쓰레드들이 프로세서 코어들에 높은 성능을 요구하는 경우가 발생할 수 있다. 예를 들어 어떤 짧은 제한 시간 내에 사용자에게 처리 결과를 표시하여야 하는 쓰레드들이 제한 시간이 만료하기 전까지만 일시적으로 구동되는 경우에, 본 발명의 열 관리 기법은 그러한 쓰레드들을 위해서 일시적으로 성능을 가속시킬 수 있다.On the other hand, even when the processor core settings are adjusted to lower overall performance, it is often the case that threads require high performance on the processor cores. For example, if the threads that need to display processing results to the user within a short time limit are temporarily run until the time limit expires, the thermal management technique of the present invention can temporarily accelerate performance for those threads have.

이러한 성능 가속(high performance burst) 상태를 설명하기 위해 도 4를 참조하면, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치에서 일시적으로 성능 가속(high performance burst)이 필요한 경우를 예시한 그래프이다.Referring to FIG. 4 for explaining this high performance burst state, FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for temporarily storing a high performance burst in a thermal management apparatus for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig.

도 4에서, 중간 정도의 성능을 내는 어떤 동작 조건 하에서 프로세서 코어들(11)의 부하량 그래프를 관찰하면, 일시적으로 부하량이 몇 번의 피크를 가지는 모습을 볼 수 있다. 열 관리를 위해 성능을 낮춘 상황에서 부하량이 소정의 문턱 부하량을 일시적으로 초과하는 경우는 일시적으로 성능 가속이 필요한 상황이라고 할 수 있다.In FIG. 4, when a graph of the load of the processor cores 11 is observed under certain operating conditions with intermediate performance, it can be seen that the load momentarily has several peaks. If the load temporarily exceeds a predetermined threshold load in the case where the performance is lowered for the purpose of thermal management, the performance may need to be temporarily accelerated.

통상적으로 종래의 실시간 전력 관리자(on-demand power management governor)는 처리 능력보다 더 높은 성능이 요구되면 프로세서의 성능을 최대로 늘린다. Conventionally, conventional on-demand power management governors maximize the performance of the processor when higher performance is required than processing power.

반면에 본 발명의 열 관리 기법은, 성능 가속이 필요한 상황이 발생하면, 쓰레드들의 부하량에 기초하여 프로세서의 성능 상태를 결정하는 식으로 대응한다.On the other hand, the thermal management technique of the present invention corresponds to a method of determining a performance state of a processor based on a load of threads when a situation requiring performance acceleration occurs.

이러한 맥락에서, 도 1에서 성능 상태 결정부(150)는 쓰레드들의 부하량에 기초하여 성능 상태를 결정하고, 결정된 성능 상태가 고성능 필요 상태이면 성능 가속 요청을 생성할 수 있다.In this context, the performance state determiner 150 in FIG. 1 may determine the performance state based on the load of the threads and may generate the performance acceleration request if the determined performance state is a high performance requirement state.

실시예에 따라, 성능 상태 결정부(150)는 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들에 관련된 부하량을 문턱 부하량에 비교하여 성능 상태를 결정하고, 결정된 성능 상태가 우선 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 고성능 필요 상태이면, 성능 가속 요청을 생성할 수 있다.According to an embodiment, the performance state determiner 150 determines a performance state by comparing a load amount related to priority threads among threads driven in processor cores to a threshold load amount, and determines a performance state based on a load related to priority threads If this is a high performance required state that exceeds the threshold load, a performance acceleration request can be generated.

또한 정책 결정부(130)는, 성능 상태 결정부(150)로부터 성능 가속 요청이 수신되면, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 프로세서 코어 설정보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정할 수 있다.When a performance acceleration request is received from the performance state determination unit 150, the policy determination unit 130 selects a processor core configuration that provides higher performance than the current processor core configuration among the plurality of processor core configurations, You can determine the thermal management policy based on processor core configuration.

이러한 성능 상태 결정부(150)와 정책 결정부(130)의 동작은 도 3의 상태 다이어그램에서도 예시된다.The operation of the performance state determination unit 150 and the policy determination unit 130 is also illustrated in the state diagram of FIG.

도 3에서, 성능 상태 결정부(150)에 의해 결정되는 성능 상태는 정책 결정부(130)의 열 관리 정책에 대해, 열적 마진 상태 결정부(120)에 의해 결정되는 열적 마진 상태와 동등하게, 영향을 줄 수 있다.3, the performance state determined by the performance state determination unit 150 is equivalent to the thermal margin state determined by the thermal margin state determination unit 120, for the thermal management policy of the policy decision unit 130, It can affect.

이를 위해 성능 상태는 성능 감시 상태와 고성능 필요 상태 사이를 천이할 수 있다.For this, the performance state can transition between the performance monitoring state and the high performance required state.

최초에 부하량이 통상적인 수준이면, 성능 상태는 성능 감시 상태(QoS_Watchdog)이다. If the load is initially at a normal level, the performance status is a performance monitoring status (QoS_Watchdog).

성능 상태가 성능 감시 상태인 동안에, 프로세서 코어들(11)의 부하량을 지속적으로 감시하면서 성능 가속이 필요한지를 검출하는 detect_perf_burst() 함수가 실행된다.While the performance state is in the performance monitoring state, the detect_perf_burst () function is executed to continuously monitor the load of the processor cores 11 and to detect whether performance acceleration is required.

만약 부하량이, 특히 우선 쓰레드들의 부하량이 소정의 문턱 부하량을 초과하여 성능 가속이 필요한 상황이 검출되면(on_High_Perf_Detection), 성능 상태는 고성능 필요 상태(Upscale)로 천이한다.If a load is detected (on_High_Perf_Detection), especially a situation where the load of the threads exceeds a predetermined threshold load and a performance acceleration is required (on_High_Perf_Detection), then the performance state transitions to a high performance required state (Upscale).

성능 상태가 고성능 필요 상태로 천이하면, 정책 결정부(130)에 대해 성능 가속 요청을 생성하는 increase_cpu_perf() 함수가 실행되고, 성능 상태는 곧바로(on_Upscale) 성능 감시 상태로 천이한다.When the performance state transits to the high performance required state, the increase_cpu_perf () function that generates a performance acceleration request to the policy decision unit 130 is executed, and the performance state immediately transitions to the performance monitoring state (on_Upscale).

만약 성능이 가속된 후에도 부하량이 여전히 문턱 부하량을 초과하면, 성능 상태는 다시 고성능 필요 상태로 천이하고 재차 성능 가속 요청이 생성되는 동작들이 반복될 수 있다.If the load still exceeds the threshold load after the performance has been accelerated, the performance state may be shifted back to the high performance required state and the performance acceleration request generated again may be repeated.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법을 예시한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a method for managing a thermal process for a semiconductor processor apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5에서, 본 발명의 실시예에 따른 하나 이상의 프로세서 코어들을 포함하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 단계(S51)에서 반도체 프로세서 장치(10)가 프로세서 코어들(11)에서 실행되는 쓰레드들의 우선순위 및 프로세서 코어들(11)의 부하량 중 적어도 하나에 기초하여, 열적 마진을 결정할 수 있다. 실시예에 따라, 열적 마진은 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 작게 결정될 수 있고, 그에 따라 제한 온도가 높게 결정될 수 있다.5, a thermal management method for a semiconductor processor apparatus including one or more processor cores according to an embodiment of the present invention includes a step S51 in which the semiconductor processor apparatus 10 processes the threads The thermal margin can be determined based on at least one of the priority and the load of the processor cores 11. [ Depending on the embodiment, the thermal margin may be determined to be smaller as the priority of the threads is higher, and thus the limiting temperature may be determined to be higher.

실시예에 따라, 열적 마진은 프로세서 코어들(11)의 부하량이 높을수록 작게 결정될 수 있고, 그에 따라 제한 온도가 높게 결정될 수 있다.According to the embodiment, the thermal margin can be determined to be smaller as the load of the processor cores 11 is higher, and thus the limiting temperature can be determined to be higher.

구체적으로, 열적 마진은 쓰레드들의 우선순위와 프로세서 코어들(11)의 부하량의 가중 합산치가 높을수록 작게 결정될 수 있고, 그에 따라 제한 온도가 높게 결정될 수 있다.Specifically, the thermal margin can be determined to be smaller as the weighted summation value of the priority of the threads and the load of the processor cores 11 is higher, and thus the limiting temperature can be determined to be higher.

이어서, 단계(S52)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 열적 마진과 현재 온도에 기초하여 열적 마진 상태를 결정할 수 있다.Subsequently, in step S52, the semiconductor processor apparatus 10 can determine the thermal margin state based on the thermal margin and the current temperature.

실시예에 따라, 단계(S52)의 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 현재 온도를 열적 마진에 따른 제한 온도에 비교한 결과 및 열 관리 정책의 변경 여부에 따라 프로세서 코어들(11)의 열적 마진 상태를 안전 상태, 경고 상태 및 위험 상태 중 하나로 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 제한 온도는 한계 온도를 기준으로 열적 마진만큼 낮은 온도이다.According to the embodiment, the step of determining the thermal margin state of step S52 may include determining the thermal margin state of the processor cores 11 according to the result of comparing the present temperature to the limiting temperature according to the thermal margin, As one of a safety state, a warning state, and a dangerous state. Here, the limiting temperature is a temperature as low as the thermal margin based on the limiting temperature.

좀더 구체적으로, 단계(S52)의 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 열적 마진 상태가 안전 상태인 때에 현재 온도가 열적 마진에 따른 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 안전 상태로 유지하고 현재 온도가 열적 마진에 따른 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 안전 상태에서 경고 상태로 변경하는 단계를 포함할 수 있다.More specifically, the step of determining the thermal margin state of step S52 is to maintain the thermal margin state in a safe state when the current temperature is lower than the limit temperature according to the thermal margin when the thermal margin state is in a safe state, And changing the thermal margin state from the safety state to the warning state if the temperature is higher than the limit temperature according to the margin.

또한 단계(S52)의 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 열적 마진 상태가 경고 상태인 때에 열 관리 정책이 결정되면 열적 마진 상태를 위험 상태로 변경하는 단계를 포함할 수 있다.The step of determining the thermal margin state of step S52 may include changing the thermal margin state to the critical state when the thermal management policy is determined when the thermal margin state is the warning state.

나아가, 단계(S52)의 열적 마진 상태를 결정하는 단계는 열적 마진 상태가 위험 상태인 때에 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 경고 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 위험 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 안전 상태로 변경하는 단계를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 2차 제한 온도는 제한 온도와 같거나 크게 설정될 수 있다. 실시예에 따라, 복귀 온도는 제한 온도와 같거나 작게 설정될 수 있다.Further, the step of determining the thermal margin state of step S52 may include changing the thermal margin state to the warning state if the current temperature is higher than the second limit temperature when the thermal margin state is in a dangerous state, And if the current temperature is lower than the return temperature, changing the thermal margin state to the safety state. Depending on the embodiment, the secondary limiting temperature may be set to be equal to or greater than the limiting temperature. Depending on the embodiment, the return temperature may be set to be equal to or less than the limiting temperature.

이어서, 단계(S53)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정할 수 있다.Subsequently, at step S53, the semiconductor processor device 10 may determine a thermal management policy for the processor cores based on the thermal margin state.

구체적으로 단계(S53)의 열 관리 정책을 결정하는 단계는, 반도체 프로세서 장치(10)가, 열적 마진 상태가 경고 상태인 동안에, 발열량이 줄어들도록, 구체적으로 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록, 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.Specifically, the step of determining the thermal management policy in step S53 is a step in which the semiconductor processor device 10 determines whether or not the thermal current is lower than the second limit temperature or the return temperature And determining the thermal management policy so that the thermal management policy is lower.

이어서, 단계(S54)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 결정된 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 제어할 수 있다.Subsequently, in step S54, the semiconductor processor device 10 can control activation, voltage and frequency of the processor cores according to the determined thermal management policy.

한편, 소프트웨어적으로 사용자 체감 성능을 유지할 수 있도록, 실시예에 따라, 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 단계(S55)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, according to the embodiment, the thermal management method for the semiconductor processor apparatus may further include the step S55 so as to maintain the user perception performance by software.

단계(S55)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들을 우선 쓰레드들과 비우선 쓰레드들로 구분하고, 결정된 열 관리 정책에 따라 비우선 쓰레드들에 할당되는 시간 슬라이스들을 조절하도록 동작할 수 있다.In step S55, the semiconductor processor apparatus 10 divides the threads, which are driven in the processor cores, into the priority threads and the non-priority threads, and adjusts the time slices allocated to the non-priority threads according to the determined thermal management policy Lt; / RTI >

이 경우에, 현재 부하량은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량일 수 있다.In this case, the current load may be a load related to processing priority threads among the threads running in the processor cores.

한편, 사용자를 위한 체감 성능을 유지하기 위해 필요에 따라 성능을 높일 수 있도록, 실시예에 따라, 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법은 단계(S56) 및 단계(S57)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, according to the embodiment, the thermal management method for the semiconductor processor apparatus may further include steps S56 and S57 so that the performance can be increased as necessary in order to maintain the bodily sensation performance for the user.

단계(S56)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 프로세서 코어들(11)에서 구동되는 쓰레드들 중 우선 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 성능 가속 상황의 발생을 감시하고, 성능 가속 상황이 검출되면 성능 가속 요청을 생성할 수 있다.In step S56, the semiconductor processor apparatus 10 monitors the occurrence of a performance acceleration situation in which the load related to the priority threads among the threads driven in the processor cores 11 exceeds the threshold load, If detected, a performance acceleration request can be generated.

또한 단계(S57)에서, 반도체 프로세서 장치(10)는 성능 가속 요청에 따라, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 성능보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정할 수 있다.In addition, in step S57, the semiconductor processor device 10, in accordance with the performance acceleration request, selects a processor core setting that provides higher performance than the current performance among the plurality of processor core settings, Management policies can be determined.

본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It will be understood that variations and specific embodiments which may occur to those skilled in the art are included within the scope of the present invention.

또한, 본 발명에 따른 장치는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽힐 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 기록매체의 예로는 ROM, RAM, 광학 디스크, 자기 테이프, 플로피 디스크, 하드 디스크, 비휘발성 메모리 등을 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Further, the apparatus according to the present invention can be implemented as a computer-readable code on a computer-readable recording medium. A computer-readable recording medium includes all kinds of recording apparatuses in which data that can be read by a computer system is stored. Examples of the recording medium include ROM, RAM, optical disk, magnetic tape, floppy disk, hard disk, nonvolatile memory and the like. The computer-readable recording medium may also be distributed over a networked computer system so that computer readable code can be stored and executed in a distributed manner.

10 반도체 프로세서 장치
11 프로세서 코어
12 프로세서 코어 설정부
13 전원 전압 생성부
14 클럭 주파수 생성부
15 온도 센서
100 열 관리 장치
110 열적 마진 결정부
120 열적 마진 상태 결정부
130 정책 결정부
140 스케줄러
150 성능 상태 결정부
10 semiconductor processor device
11 processor cores
12 processor core setting section
13 Supply Voltage Generator
14 clock frequency generator
15 Temperature sensor
100 thermal management device
110 thermal margin determination unit
120 thermal margin state determination unit
130 Policy decision section
140 Scheduler
150 performance state determination unit

Claims (20)

반도체 프로세서 장치를 구성하는 하나 이상의 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 열적 마진 결정부;
상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태(thermal margin state)를 결정하는 열적 마진 상태 결정부;
상기 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 정책 결정부; 및
상기 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 설정하는 프로세서 코어 설정부를 포함하고,
상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이값이고,
상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정되고,
상기 열적 마진 상태 결정부는
현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하며,
현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하고,
현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하도록 동작하고,
상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치.
A thermal margin determining unit for determining a thermal margin based on any one of a priority of threads driven in one or more processor cores constituting a semiconductor processor apparatus and a load of the processor cores;
A thermal margin state determiner for determining a thermal margin state based on the current temperature of the semiconductor processor and the thermal margin;
A policy determination unit for determining a thermal management policy for the processor cores based on the thermal margin state; And
And a processor core setting unit for setting activation, voltage and frequency of the processor cores according to the thermal management policy,
Wherein the thermal margin is a difference value between a limiting temperature, which is a temperature for protecting the semiconductor processor device, and a limiting temperature, which is a temperature causing a variation of the thermal management policy,
Wherein the thermal margin state is determined from a state in which the current temperature is lower than the limit temperature or not,
The thermal margin state determination unit
If the present thermal margin is in the first state and the current temperature is lower than the limit temperature, the thermal margin state is kept in the first state. If the current temperature is higher than the limit temperature, the thermal margin state is changed from the first state to the second state ≪ / RTI >
Changes the thermal margin state to the third state when the thermal management policy is changed when the current thermal margin state is the second state,
If the current thermal margin state is the third state and the current temperature is higher than the second limit temperature, the thermal margin state is changed to the second state. If the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, 3 state and operates to change the thermal margin state to the first state when the present temperature becomes lower than the return temperature,
Wherein the policy decision unit determines the thermal management policy so that the current temperature is lower than the second limit temperature or the return temperature while the thermal margin state is the second state while maintaining the current thermal management policy while the thermal margin state is the first state, Wherein the semiconductor memory device is operable to store the semiconductor memory device.
청구항 1에 있어서, 상기 열적 마진 결정부는
상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치.
2. The apparatus of claim 1, wherein the thermal margin determining unit
Wherein the processor is operative to determine the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.
청구항 1에 있어서, 상기 열적 마진 상태 결정부는
현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하도록 동작하고,
상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 반복적으로 수행하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치.
2. The apparatus of claim 1, wherein the thermal margin state determiner
Determining a thermal margin state as a first state when the current temperature is lower than the limit temperature, and determining a thermal margin state as a second state when the present temperature is higher than the limit temperature,
Wherein the policy decision unit maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the first state and maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the second state, And to repeatedly perform the observation of the change of the current temperature according to the management policy.
삭제delete 반도체 프로세서 장치를 구성하는 하나 이상의 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 열적 마진 결정부;
상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태를 결정하는 열적 마진 상태 결정부; 및
상기 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 정책 결정부를 포함하고,
상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이값이고,
상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정되고,
상기 열적 마진 상태 결정부는
현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하며,
현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하고,
현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하도록 동작하고,
상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태 및 제3 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.
A thermal margin determining unit for determining a thermal margin based on any one of a priority of threads driven in one or more processor cores constituting a semiconductor processor apparatus and a load of the processor cores;
A thermal margin state determiner for determining a thermal margin state based on a current temperature of the semiconductor processor device and the thermal margin; And
And a policy determination unit that determines a thermal management policy for the processor cores based on the thermal margin state,
Wherein the thermal margin is a difference value between a limiting temperature, which is a temperature for protecting the semiconductor processor device, and a limiting temperature, which is a temperature causing a variation of the thermal management policy,
Wherein the thermal margin state is determined from a state in which the current temperature is lower than the limit temperature or not,
The thermal margin state determination unit
If the present thermal margin is in the first state and the current temperature is lower than the limit temperature, the thermal margin state is kept in the first state. If the current temperature is higher than the limit temperature, the thermal margin state is changed from the first state to the second state ≪ / RTI >
Changes the thermal margin state to the third state when the thermal management policy is changed when the current thermal margin state is the second state,
If the current thermal margin state is the third state and the current temperature is higher than the second limit temperature, the thermal margin state is changed to the second state. If the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, 3 state and operates to change the thermal margin state to the first state when the present temperature becomes lower than the return temperature,
Wherein the policy determining unit maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the first state and the third state and maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the second state, And to determine a management policy. ≪ Desc / Clms Page number 21 >
청구항 5에 있어서, 상기 열적 마진 결정부는
상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.
6. The apparatus of claim 5, wherein the thermal margin determining unit
Wherein the processor is operative to determine the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.
청구항 5에 있어서, 상기 열적 마진 상태 결정부는
현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하도록 동작하고,
상기 정책 결정부는 열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하고, 열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 반복적으로 수행하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.
6. The apparatus of claim 5, wherein the thermal margin state determiner comprises:
Determining a thermal margin state as a first state when the current temperature is lower than the limit temperature, and determining a thermal margin state as a second state when the present temperature is higher than the limit temperature,
Wherein the policy decision unit maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the first state and maintains the current thermal management policy while the thermal margin state is in the second state, And to repeatedly perform the observation of the change of the current temperature according to the management policy.
삭제delete 청구항 5에 있어서, 상기 2차 제한 온도 및 상기 복귀 온도는 상기 열적 마진에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.6. The thermal management apparatus of claim 5, wherein the secondary limiting temperature and the return temperature are determined based on the thermal margin. 청구항 5에 있어서, 상기 프로세서 코어들의 부하량은 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들을 처리하는 데에 관련된 부하량인 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.6. The thermal management apparatus of claim 5, wherein the load of the processor cores is a load associated with processing threads directly interacting with a user among threads driven in the processor cores. 청구항 5에 있어서, 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들을 사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들과 그렇지 않은 쓰레드들로 구분하고, 열 관리 정책에 따라 사용자와 직접적으로 인터랙션하지 않는 쓰레드들에 할당되는 시간 슬라이스들을 조절하도록 동작하는 스케줄러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.The method of claim 5, further comprising: dividing threads running in the processor cores into threads that directly interact with the user and non-threads that are not interacting with the user, Further comprising a scheduler operative to adjust the temperature of the semiconductor device. 청구항 5에 있어서, 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 성능 가속 상황의 발생을 감시하고, 성능 가속 상황이 검출되면 성능 가속 요청을 생성하는 성능 가속 상황 감시부를 더 포함하고,
상기 정책 결정부는, 상기 성능 가속 상황 감시부로부터 성능 가속 요청이 수신되면, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 성능보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 장치.
6. The method of claim 5, further comprising: monitoring occurrence of a performance acceleration situation in which a load related to threads directly interacting with a user among threads driven in the processor cores exceeds a threshold load, Further comprising a performance acceleration status monitoring unit for generating a performance acceleration status,
Wherein the policy determining unit selects a processor core setting that provides higher performance than a current performance among a plurality of processor core settings when a performance acceleration request is received from the performance acceleration status monitoring unit, Wherein the processor is operative to determine a policy.
하나 이상의 프로세서 코어들을 포함하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법으로서,
상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들의 우선순위 및 상기 프로세서 코어들의 부하량 중 어느 하나에 기초하여 열적 마진을 결정하는 단계;
상기 반도체 프로세서 장치의 현재 온도와 상기 열적 마진에 기초하여 열적 마진 상태를 결정하는 단계; 및
상기 열적 마진 상태에 기초하여 상기 프로세서 코어들에 관한 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함하고,
상기 열적 마진은 상기 반도체 프로세서 장치를 보호하기 위한 온도인 한계 온도와 상기 열 관리 정책의 변동을 유발하는 온도인 제한 온도 사이의 차이값이고,
상기 열적 마진 상태는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮은 상태 또는 그렇지 않은 상태 중에서 결정되고,
상기 열적 마진 상태를 결정하는 단계는
현재의 열적 마진 상태가 제1 상태인 때에, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 유지하고 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하는 단계;
현재의 열적 마진 상태가 제2 상태인 때에, 열 관리 정책이 변동되면 열적 마진 상태를 제3 상태로 변경하는 단계; 및
현재의 열적 마진 상태가 제3 상태인 때에, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제2 상태로 변경하고, 현재 온도가 2차 제한 온도보다 낮지만 복귀 온도보다 높으면 열적 마진 상태를 제3 상태로 유지하며, 현재 온도가 복귀 온도보다 낮아지면 열적 마진 상태를 제1 상태로 변경하는 단계를 포함하고,
상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는
열적 마진 상태가 제1 상태 및 제3 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하는 단계; 및
열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에 현재 온도가 2차 제한 온도 또는 복귀 온도보다 낮아지도록 상기 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.
A thermal management method for a semiconductor processor device comprising one or more processor cores,
Determining a thermal margin based on any one of a priority of threads driven in the processor cores and a load on the processor cores;
Determining a thermal margin condition based on the current temperature and the thermal margin of the semiconductor processor device; And
Determining a thermal management policy for the processor cores based on the thermal margin state,
Wherein the thermal margin is a difference value between a limiting temperature, which is a temperature for protecting the semiconductor processor device, and a limiting temperature, which is a temperature causing a variation of the thermal management policy,
Wherein the thermal margin state is determined from a state in which the current temperature is lower than the limit temperature or not,
The step of determining the thermal margin condition
When the current thermal margin state is the first state, if the current temperature is lower than the limit temperature, the thermal margin state is maintained in the first state, and if the present temperature becomes higher than the limit temperature, the thermal margin state is changed from the first state to the second state State;
Changing the thermal margin state to a third state when the thermal management policy is changed when the current thermal margin state is the second state; And
When the current thermal margin state is the third state, the thermal margin state is changed to the second state when the present temperature is higher than the second limit temperature, and when the present temperature is lower than the second limit temperature but higher than the return temperature, Maintaining the third state, and changing the thermal margin state to the first state when the current temperature is lower than the return temperature,
The step of determining the thermal management policy
Maintaining a current thermal management policy while the thermal margin state is in a first state and a third state; And
And determining the thermal management policy such that the current temperature is lower than the second limit temperature or the return temperature while the thermal margin state is the second state.
청구항 13에 있어서,
상기 열 관리 정책에 따라 상기 프로세서 코어들의 활성화, 전압 및 주파수를 제어하는 단계를 더 포함하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.
14. The method of claim 13,
And controlling the activation, voltage and frequency of the processor cores according to the thermal management policy.
청구항 13에 있어서, 상기 열적 마진을 결정하는 단계는,
상기 쓰레드들의 우선순위가 높을수록 또는 상기 프로세서 코어들의 부하량이 높을수록 상기 열적 마진을 작게 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.
14. The method of claim 13, wherein determining the thermal margin comprises:
And determining the thermal margin to be smaller as the priority of the threads is higher or the load of the processor cores is higher.
청구항 13에 있어서, 상기 열적 마진 상태를 결정하는 단계는
현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮으면 열적 마진 상태를 제1 상태로 결정하고, 현재 온도가 상기 제한 온도보다 높아지면 열적 마진 상태를 제2 상태로 결정하는 단계를 포함하고,
상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는
열적 마진 상태가 제1 상태인 동안에는 현재의 열 관리 정책을 유지하는 단계; 및
열적 마진 상태가 제2 상태인 동안에는 현재 온도가 상기 제한 온도보다 낮아질 때까지 열 관리 정책의 변동과 변동된 열 관리 정책에 따른 현재 온도의 변화 관찰을 반복적으로 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.
14. The method of claim 13, wherein determining the thermal margin condition comprises:
Determining a thermal margin state as a first state if the current temperature is lower than the limit temperature and determining a thermal margin state as a second state when the current temperature is higher than the limit temperature,
The step of determining the thermal management policy
Maintaining a current thermal management policy while the thermal margin state is in a first state; And
Repeatedly performing the observation of the change of the thermal management policy and the change of the present temperature according to the changed thermal management policy until the current temperature becomes lower than the limit temperature while the thermal margin state is the second state A method of thermal management for a semiconductor processor device.
삭제delete 청구항 13에 있어서, 상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들을 우선 쓰레드들과 비우선 쓰사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들과 그렇지 않은 쓰레들로 구분하고, 열 관리 정책에 따라 사용자와 직접적으로 인터랙션하지 않는 쓰레들에 할당되는 시간 슬라이스들을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.14. The method of claim 13, wherein threads running on the processor cores are first divided into threads that directly interact with threads and non-priority users and non-threads, Further comprising the step of adjusting time slices assigned to the threads. ≪ Desc / Clms Page number 17 > 청구항 13에 있어서,
상기 프로세서 코어들에서 구동되는 쓰레드들 중 사용자와 직접적으로 인터랙션하는 쓰레드들에 관련된 부하량이 문턱 부하량을 초과하는 성능 가속 상황의 발생을 감시하고, 성능 가속 상황이 검출되면 성능 가속 요청을 생성하는 단계를 더 포함하고,
상기 열 관리 정책을 결정하는 단계는, 상기 성능 가속 요청에 따라, 복수의 프로세서 코어 설정들 중에서 현재의 성능보다 높은 성능을 제공하는 프로세서 코어 설정을 선택하고, 선택된 프로세서 코어 설정에 따라 열 관리 정책을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법.
14. The method of claim 13,
Monitoring a generation of a performance acceleration situation where a load related to threads directly interacting with a user among threads driven in the processor cores exceeds a threshold load and generating a performance acceleration request when a performance acceleration situation is detected, Further included,
Wherein the determining the thermal management policy comprises: selecting a processor core configuration that provides higher performance than the current performance among a plurality of processor core configurations in response to the performance acceleration request; And determining a temperature of the semiconductor device.
컴퓨터에서 청구항 13 내지 청구항 16, 청구항 18 내지 청구항 19 중 어느 한 청구항에 따른 반도체 프로세서 장치를 위한 열 관리 방법의 각 단계들을 수행하도록 작성되어 컴퓨터로 독출 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.A program recorded on a computer-readable recording medium which is created by a computer to perform the steps of a thermal management method for a semiconductor processor apparatus according to any one of claims 13 to 16 and claims 18 to 19.
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