KR101681753B1 - Manufacturing method of metal oxide complex structure using meta-thermal imprinting and photolithography - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속 산화물 복합 구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체의 제공이 용이하며, 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감시키는 이점이 있다.A method of fabricating a metal oxide composite structure, comprising: forming a photosensitive metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; pressing the photosensitive metal-organic precursor layer with an imprinting stamp having a first pattern formed thereon; Thermosetting imprinting step of thermally curing the photosensitive metal-organic precursor layer at a temperature higher than the temperature at which the photosensitive metal-organic precursor layer is completely cured and being cured at a temperature higher than the temperature at which the photosensitive metal- And a photomask having a second pattern formed on the patterned photosensitive metal-organic precursor layer is irradiated with ultraviolet rays or heat at a temperature higher than the full curing dose to form a metal oxide thin film pattern layer, A photolithography step, and a step of developing the metal oxide thin film pattern layer, Forming a metal oxide complex structure in which the first pattern and the second pattern are integrated; and forming a metal oxide complex structure by a meta-thermal curing imprinting and photolithography process, It is technically essential. As a result, it is easy to provide a metal oxide structure in which a heterogeneous pattern is integrated, an imprinting process is performed at a temperature at which the metal oxide structure is not completely cured, and then the metal oxide structure is completely cured by a photolithography process And a middle hardening step in which the etching process is omitted, thereby reducing the number of etching processes, thereby simplifying the process and reducing the cost.

Description

메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법{Manufacturing method of metal oxide complex structure using meta-thermal imprinting and photolithography}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a metal oxide complex structure by a meta-

본 발명은 금속 산화물 복합 구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 제1패턴에 의한 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 제2패턴에 의한 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 제공하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide composite structure, in which an imprinting process using a first pattern is performed at a temperature at which a complete curing is not performed, and then a complete pattern is formed by a photolithography process using a second pattern To provide a metal oxide complex structure in which a heterogeneous pattern is complexly formed, and a method for manufacturing a metal oxide complex structure by a photolithography process.

나노기술(NT; Nano Technology)은 물리학, 화학, 생물학, 전자공학 및 재료공학 등 여러 과학기술 분야가 융합되어, 기존 기술의 한계를 극복하고, 다양한 산업 분야에 기술혁신을 야기함으로써, 인류 삶의 질을 획기적으로 향상시킬 것으로 기대되고 있으며, 정보기술(IT; Information Technology) 및 생명공학기술(BT; BioTechnology)과 더불어 21세기 산업 발전을 주도할 새로운 패러다임의 기술로서 주목받고 있다.Nano Technology (NT) is a fusion of various science and technology fields such as physics, chemistry, biology, electronics and material engineering, overcoming the limitations of existing technologies and causing technological innovation in various industries, It is expected to dramatically improve quality, and it is attracting attention as a new paradigm technology that will lead the 21st century industry development along with information technology (IT) and biotechnology (BT).

나노기술의 대표적인 분야 중 하나는 박막에 물리적인 형상의 구조체 또는 전기적으로 연결된 구조체를 형성하는 것이다. 이때, 박막에 금속 또는 금속 산화막을 기반으로 구조체를 형성하면, 나노 수준의 전류 전도 회로를 생성할 수 있다.One of the representative fields of nanotechnology is the formation of a physically shaped structure or an electrically connected structure in a thin film. At this time, if a structure is formed on a thin film based on a metal or a metal oxide film, a nano-level current conduction circuit can be produced.

기판 또는 박막 위에 금속 산화물 구조체를 제조하는 방법은 흔히 포토리소그래피를 이용하거나 임프린팅 방법을 이용한다. 포토리소그래피는 빛이 조사된 부분만 내식성이 변하는 감광성 물질을 이용하여 패턴을 새기는 방법이다. 빛이 조사되는 방향에 마스크를 씌우면 빛이 기판에 닿지 않는다. 따라서 마스크를 일부분에만 씌우면 기판에 빛이 닿거나 닿지 않는 것을 조절할 수 있다. 빛이 조사되었는지 여부에 따라 감광성 물질의 화학적 형질이 변하므로 감광성 물질의 일부만 변성시켜서 특정한 패턴을 새길 수 있다.Methods for producing metal oxide structures on a substrate or a thin film often employ photolithography or imprinting. Photolithography is a method of engraving a pattern using a photosensitive material whose corrosion resistance changes only in a portion irradiated with light. When a mask is placed in the direction of light irradiation, the light does not touch the substrate. Therefore, it is possible to control that the substrate does not reach or touch the light when only a part of the mask is covered. Depending on whether the light has been irradiated or not, the chemical nature of the photosensitive material changes, so that only a portion of the photosensitive material can be denatured to engrave a particular pattern.

임프린팅 방법은 패턴이 새겨진 임프린팅 스탬프를 사용하여 물리적인 압력을 가하여서 연질막에 패턴을 새기고 빛을 조사하여 경화시키는 방법이다.The imprinting method is a method of applying a physical pressure using an imprinting stamp having a pattern engraved, patterning the soft film, and irradiating light to cure the soft film.

이러한 구조는 2가지 종류 이상의 패턴을 중첩하여 새기는 방법으로 복잡한 패턴을 만들 수 있다. Such a structure can create a complex pattern by overlapping two or more types of patterns and engraving them.

임프린팅 방법을 두 번째 패턴으로 새길 경우 보통 이미 패턴이 형성된 미세구조 표면 위에 나노구조를 임프린트하는데 이 경우 패턴이 형성되어 요철이 있는 구조에 나노 구조를 물리적으로 임프린트하기 때문에 공정이 어려워진다. 어려운 이유는 미세구조의 상단 부분에 임프린팅에 사용되는 스탬프가 압착할 경우 미세구조의 상단에 힘이 집중되어 미세구조의 상단이 깨지거나 금이 가기 쉽기 때문이다. When the imprinting method is used as the second pattern, the nanostructure is usually imprinted on the surface of the microstructure on which the pattern is already formed. In this case, the pattern is formed and the process becomes difficult because the nanostructure is physically imprinted on the structure having the concavity and convexity. The difficult reason is that when the stamp used for imprinting is pressed on the upper part of the microstructure, the upper part of the microstructure breaks or cracks due to the concentration of force on the top of the microstructure.

따라서 미세구조 표면 위에 나노구조를 임프린트한 것과 동일한 구조를 생성하면서 임프린팅시 미세구조의 상단부에 힘이 집중되는 것을 방지하는 방법이 필요하다.Therefore, there is a need for a method of preventing the concentration of force on the top of the microstructure during imprinting, while creating the same structure as imprinting the nanostructure on the microstructure surface.

또한, 두 가지 패턴이 함께 새겨지는 경우 하나의 패턴을 새길 때마다 식각 (Etching) 공정이 필요하기 때문에 두 번의 식각 공정을 통해 복잡한 패턴이 새겨진 금속 산화물 구조체를 제조한다. 식각 공정은 복잡하고 비용이 많이 들기 때문에 식각 공정을 줄이는 발명이 필요하다.In addition, if the two patterns are etched together, since the etching process is required every time one pattern is formed, a metal oxide structure having a complex pattern is formed through two etching processes. Because the etching process is complex and costly, an invention that reduces the etching process is needed.

대한민국특허청 등록특허공보 10-0845565호.Korean Patent Registration No. 10-0845565.

상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 제1패턴에 의한 열경화 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 제2패턴에 의한 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 제공하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법의 제공을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is characterized in that a thermal curing imprinting process is performed by a first pattern at a temperature at which a complete curing is not performed, and then a complete curing is performed by a photolithography process using a second pattern And a method of manufacturing a metal oxide composite structure by a meta-thermosetting imprinting process and a photolithography process, which provide a metal oxide complex structure in which patterns of different types are complexly formed.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a semiconductor device, comprising: forming a photosensitive metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; pressing the photosensitive metal-organic precursor layer with a stamp for imprinting, A meta-thermosetting imprinting step of performing thermosetting at a temperature lower than the temperature at which the metal-organic precursor layer is completely cured and at a temperature higher than the critical-curing temperature; and removing the imprinting stamp from the photosensitive metal- A complete curing photolithography step of forming a metal oxide thin film pattern layer by placing a photomask having a second pattern formed on top of the patterned photosensitive metal-organic precursor layer and irradiating ultraviolet rays or heat with a complete curing dose or more; , Developing the cured metal oxide thin film pattern layer to form the first pattern and the second pattern Including the step of forming the metal oxide composite structures embodied in the combination of metadata which comprises - and the process for producing the metal oxide composite structures according to the thermal curing imprinting and the photolithography process of a technical base.

또한, 상기 기판은 무기물 기판 또는 폴리머 기판인 것이 바람직하며, 상기 무기물 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나를 사용하거나, 상기 폴리머 기판은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에테르셀폰 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.Preferably, the substrate is an inorganic substrate or a polymer substrate, and the inorganic substrate is at least one of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO , Sapphire, quartz, and glass, or the polymer substrate may be formed of any one of polycarbonate, polyethylene naphthalate, polynorbornene, polyacrylate, polyvinyl alcohol, polyimide, polyethylene terephthalate and polyether cellphone Is preferably used.

또한, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 또는 우라늄(U)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive metal-organic precursor layer may include at least one of lithium (Li), beryllium (Be), boron (B), sodium (Na), magnesium (Mg), aluminum (Al), silicon (Si) (S), potassium (K), calcium (Ca), scandium (Sc), titanium (Ti), vanadium (V), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Ni), Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sb, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, In, Sn, Tell, Sb, Ba, La, Ce, Pr, Ne, Prommium, Gd, Hafnium, Ta, It is preferable to include at least one metal element selected from the group consisting of Ir, Pb, Bi, Po or U.

또한, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde) 또는 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the photosensitive metal-organic precursor layer may include at least one of ethylhexanoate, acetylacetonate, dialkyldithiocarbamates, carboxylic acids, carboxylates, But are not limited to, pyridine, diamines, arsines, diarsines, phosphines, diphosphines, butoxide, isopropoxide, ethoxide, Such as ethoxide, chloride, acetate, carbonyl, carbonate, hydroxide, Arenas, beta-diketonate, , 2-Nitrobenzaldehyde, or Acetate Dihydrate. The organic ligand may be at least one selected from the group consisting of 2-hydroxybenzaldehyde, 2-nitrobenzaldehyde, and acetate dihydrate.

또한, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 또는 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 이용해 생성하는 것이 바람직하다.In addition, the photosensitive metal-organic precursor layer may be formed of a mixture of hexane, 4-methyl-2-pentanone, ketone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol , Dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), N-methylpyrrolidone, acetone, acetonitrile, tetrahydrofuran (THF), and tertiary amines such as butanol, pentanol, hexanol, , Nonane, octane, heptane, pentane or 2-methoxyethanol (E-Methoxyethanol).

여기에서, 상기 메타-열경화 임프린팅 단계는, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 포함된 용매를 제거하는 건조과정을 메타-열경화 임프린팅 공정으로 수행하는 것이 바람직하며, 상기 메타-열경화 임프린팅 공정은, 50℃~200℃의 범위의 온도에서 30초에서 1시간의 범위에서 이루어지는 것이 바람직하다.In the meta-thermal curing imprinting step, the drying process for removing the solvent contained in the photosensitive metal-organic precursor layer is preferably performed by a meta-thermosetting imprinting process, and the meta- The printing process is preferably performed at a temperature in the range of 50 ° C to 200 ° C for 30 seconds to 1 hour.

한편, 상기 임프린트용 스탬프는, 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 폴리머 중 어느 하나인 것이 바람직하며, 상기 폴리머 스탬프는 PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.Preferably, the imprinting stamp is one of silicon (Si), silicon oxide (SiO 2 ), quartz, nickel (Ni), copper (Cu), and a polymer, It is preferable to use any one of polydimethylsiloxane, PUA (polyurethane acrylate), ETFE (Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA (Perfluoroalkyl acrylate), PFPE (Perfluoropolyether) and PTFE (Polytetrafluoroethylene).

또한, 상기 메타-열경화 임프린팅 단계는, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 금속 산화 박막으로 결정화(crystallization)되는 온도보다 낮은 온도에서 이루어지는 것이 바람직하다.The meta-thermal curing imprinting may be performed at a temperature lower than a temperature at which the photosensitive metal-organic precursor layer is crystallized into a metal oxide thin film.

또한, 상기 포토리소그래피는 마스크 얼라이너(Mask Aligner), 오토 얼라이너(Auto Aligner), 플루오르화 크롬 스테퍼(KrF Stepper) 및 플루오르화 아르곤 스테퍼(ArF stepper) 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.It is preferable that the photolithography is performed by any one of a mask aligner, an auto aligner, a chromium fluoride stepper (KrF stepper), and a fluorine argon stepper (ArF stepper).

본 발명은 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 제1패턴에 의한 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 제2패턴에 의한 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 제공하는 효과가 있다.In the present invention, the imprinting process by the first pattern proceeds at a temperature at which the film is not completely cured, and then the film is completely cured by the photolithography process by the second pattern, The present invention provides a metal oxide composite structure which is fabricated by a method comprising:

특히, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정(메타-열경화 임프린팅 공정)을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In particular, the addition of the intermediate hardening process (meta-thermal hardening imprinting process) in which the etching process is omitted can reduce the number of etching processes, thereby simplifying the process and reducing the cost.

도 1 - 본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 대한 순서도.
도 2 - 본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 대한 모식도.
도 3 - 인가해주는 빛의 세기에 따라 감광성 금속-유기물 전구체층의 경화된 높이를 나타낸 민감도(Sensitivity) 곡선 그래프.
도 4 - 본 발명의 일실시예에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체의 전자현미경 사진을 나타낸 도.FIG. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a metal oxide composite structure by meta-thermal curing imprinting and photolithography according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of a method for manufacturing a metal oxide composite structure by meta-thermal curing imprinting and photolithography according to the present invention.
Figure 3 - Sensitivity curve graph showing the cured height of the photosensitive metal-organic precursor layer according to the intensity of the applied light.
4 is an electron micrograph of a metal oxide composite structure formed by a meta-thermal curing imprinting and photolithography process according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체에 관한 것으로서, 특히 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 것이다.
The present invention relates to a metal oxide structure in which a heterogeneous pattern is complexly formed. In particular, the imprinting process proceeds at a temperature at which the complete curing is not performed, and then the complete curing is performed by a photolithography process And a middle hardening step in which the etching process is omitted, so that the number of etching processes can be reduced, thereby simplifying the process and reducing the cost.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 도 1은 본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 대한 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 대한 모식도이고, 도 3은 인가해주는 빛의 세기에 따라 감광성 금속-유기물 전구체층의 경화된 높이를 나타낸 민감도(Sensitivity) 곡선 그래프이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체의 전자현미경 사진을 나타낸 도이다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a metal oxide composite structure by a meta-thermal curing imprinting process and a photolithography process according to the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is a sensitivity curve graph showing the cured height of the photosensitive metal-organic precursor layer according to the intensity of the applied light. FIG. 4 is a graph showing the sensitivity curve of the photosensitive metal- FIG. 3 is an electron micrograph of a metal oxide composite structure formed by a meta-thermosetting imprinting process and a photolithography process.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법은, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
As shown in the drawings, the method for fabricating a metal oxide composite structure by meta-thermal curing imprinting and photolithography according to the present invention includes the steps of: forming a photosensitive metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; A meta-thermosetting imprinting step of pressing the organic precursor layer with an imprinting stamp having the first pattern formed thereon, wherein the photosensitive metal-organic precursor layer is thermally cured at a temperature lower than the temperature at which the photosensitive metal- A step of removing the stamp for imprinting from the photosensitive metal-organic precursor layer; and a step of placing a photomask having a second pattern formed on the patterned photosensitive metal-organic precursor layer on top of the patterned photosensitive metal-organic precursor layer, A full-curing photolithography step of forming a metal oxide thin film pattern layer by irradiating heat, And developing the cured metal oxide thin film pattern layer to form a metal oxide complex structure in which the first pattern and the second pattern are complexly formed.

본 발명에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법은, 먼저, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하여 이루어진다.The method of fabricating a metal oxide composite structure by meta-thermal curing imprinting and photolithography according to the present invention comprises: forming a photosensitive metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film.

상기 기판은 무기물 기판 또는 폴리머 기판을 사용하며, 상기 기판이 무기물 기판일 경우 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나를 사용할 수 있으며, 입자 구조가 명확하여 상부에 형성될 감광성 금속-유기물 전구체층에 기판의 입자가 투입되지 않으면 어떠한 무기물 기판도 무방하다.The substrate may be an inorganic substrate or a polymer substrate. When the substrate is an inorganic substrate, the substrate may be a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, a gallium arsenide substrate, a gallium arsenide substrate, a gallium arsenide substrate, , MgO, sapphire, quartz, and glass. Any inorganic substrate may be used as long as particles of the substrate are not added to the photosensitive metal-organic precursor layer to be formed on the upper part, because the particle structure is clear.

또한, 기판이 폴리머 기판일 경우 기판은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에테르셀폰 중 어느 것을 사용할 수 있다.When the substrate is a polymer substrate, any of polycarbonate, polyethylene naphthalate, polynorbornene, polyacrylate, polyvinyl alcohol, polyimide, polyethylene terephthalate and polyether cell phone may be used.

그리고, 감광성 금속-유기물 전구체는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 또는 우라늄(U)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함할 수 있으며, 이때 유기물은 에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde) 또는 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드를 포함할 수 있다.The photosensitive metal-organic precursor may be at least one selected from the group consisting of Li, Ber, B, Na, Mg, Al, Si, S, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Rb, Sr, Y, (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), indium (In), tin (Sn), tellurium (Te), antimony (Sb) (Ir), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), gadolinium (Gd), hafnium (Hf), tantalum , Lead (Pb), bismuth (Bi), polonium (Po) or uranium (U), wherein the organic substance is selected from the group consisting of ethylhexanoate, Ace dialkyldithiocarbamates, Carboxylic acids, Carboxylates, Pyridine, Diamines, Arsines, Diarsines, Pyridine, and the like. But are not limited to, phosphines, diphosphines, butoxide, isopropoxide, ethoxide, chloride, acetate, carbonyl, (2-Nitrobenzaldehyde) or Acetate Dihydrate (hereinafter referred to as " Acetate Dihydrate ") such as Carbonate, Hydroxide, Arenas, Beta-Diketonate, One or more organic ligands.

상기 감광성 금속-유기물 전구체는 다양한 용매를 이용하여 금속을 용해시켜서 유기물과 결합하는 방법으로 제조하는데, 이때 사용되는 용매는 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 또는 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매일 수 있다.The photosensitive metal-organic precursor may be prepared by dissolving a metal using various solvents and combining the organic metal precursor with an organic material. Examples of the solvent include hexane, 4-methyl-2-pentanone, Ketone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, pentanol, hexanol, dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylformamide At least one solvent selected from the group consisting of methylpyrrolidone, acetone, acetonitrile, tetrahydrofuran (THF), tecane, nonane, octane, heptane, pentane or 2-methoxyethanol .

상기 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 이용하여 상기 기판 상에 스핀코팅하여 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성한다.
The photosensitive metal-organic precursor solution is used to spin-coat the substrate to form the photosensitive metal-organic precursor layer.

그리고, 상기 기판 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성한 후, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 공정이 이루어지게 된다.After the photosensitive metal-organic precursor layer is formed on the substrate, the photosensitive metal-organic precursor layer is pressed with the imprinting stamp having the first pattern formed thereon, and the photosensitive metal- A meta-thermosetting imprinting process is performed in which the thermosetting is performed at a temperature higher than a low and critical curing temperature.

상기 임프린트용 스탬프는 경도가 높고 화학적 물리적 방법으로 세밀한 패턴을 새기기 쉬운 재질인 편이 유리하다. 이러한 재질로는 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)가 있다. 본 실시예에서도 이들 중 어느 것을 사용하여도 무방하다. 또한 임프린트용 스탬프는 폴리머일 수도 있다. 이 경우 PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene)로 만들 수 있다.The imprint stamp is advantageous in that it has a high hardness and is easy to engrave a fine pattern by a chemical and physical method. Such materials include silicon (Si), silicon oxide (SiO 2 ), quartz, nickel (Ni), and copper (Cu). Any of them may be used in this embodiment as well. The stamp for imprint may also be a polymer. In this case, it can be made of PDMS (Polydimethylsiloxane), PUA (Polyurethane acrylate), ETFE (Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA (Perfluoroalkyl acrylate), PFPE (Perfluoropolyether) and PTFE (Polytetrafluoroethylene).

상기 임프린트용 스탬프는 제1패턴이 형성되어 있으며, 이는 일반적으로 나노 싸이즈의 패턴으로 구현되어, 후술할 포토리소그래피 공정에 의해 마이크로 또는 나노 싸이즈의 패턴과 복합적으로 구현되어 복합 패턴이 형성된 금속 산화물 구조체를 형성하고자 하는 것이다. 여기에서, 상기 금속 산화물 구조체는 서로 다른 형태의 나노 싸이즈 패턴 또는 마이크로 싸이즈 패턴이 복합적으로 형성될 수도 있다.The stamp for imprinting is formed with a first pattern, which is generally implemented in a pattern of nano-size, and is realized by a photolithography process, which will be described later, in combination with a micro or nano-sized pattern to form a metal oxide structure To form. Here, the metal oxide structure may be formed by a combination of nano-sized patterns or micro-sized patterns having different shapes.

상기 임프린트용 스탬프로 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 가압하는데, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되지는 않으면서, 불완전경화는 이루어지도록 하는 온도에서 임프린팅이 이루어지게 된다.The imprinting stamp presses the photosensitive metal-organic precursor layer, and imprinting is performed at a temperature such that incomplete curing occurs without the photosensitive metal-organic precursor layer being completely cured.

여기에서, 완전경화라 함은 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전 결정화(crystallization)되어 금속 산화 박막으로 변하는 것을 말하며, 임계경화는 최소한 임프린팅 공정에 의해 임프린팅 패턴(제1패턴)의 형태는 유지하면서, 임프린트용 스탬프의 디몰딩(demolding)이 용이한 정도의 경화이다. 따라서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 완전경화와 임계경화 사이의 불완전경화에 의해 메타-스테이블(meta-stable)한 상태의 금속 산화 박막의 형태로 남아 있게 된다.Herein, the term " full curing " means that the photosensitive metal-organic precursor layer is completely crystallized and converted into a metal oxide thin film. Critical curing is performed at least by the imprinting process in the form of an imprinting pattern (first pattern) And the demolding of the stamp for imprinting is easy. Thus, the photosensitive metal-organic precursor layer remains in the form of a metal oxide thin film in a meta-stable state due to imperfect curing between complete curing and critical curing.

즉, 상기 메타-열경화 임프린팅 공정은, 완전경화에 의한 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 금속 산화 박막으로 결정화(crystallization)되는 온도보다 낮은 온도에서 이루어지되, 최소한의 임프린팅 패턴은 유지가 되면서 임프린트용 스탬프의 디몰딩이 용이하게 되는 임계경화되는 온도 이상에서 이루어지는 것이다.That is, the meta-thermal curing imprinting process is performed at a temperature lower than the temperature at which the photosensitive metal-organic precursor layer is completely crystallized by the metal oxide thin film due to full curing, while the minimum imprinting pattern is maintained Or more than the critical hardening temperature at which demolding of the imprint stamp is facilitated.

특히, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 포함된 용매를 제거하는 건조과정을 상기 메타-열경화 임프린팅 공정으로 수행함으로써, 공정의 단순화를 도모하게 된다.In particular, the drying process for removing the solvent contained in the photosensitive metal-organic precursor layer is performed by the meta-thermosetting imprinting process, thereby simplifying the process.

일반적으로, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 포함된 용매를 제거하기 위하여, 핫플레이트(hot plate) 또는 오븐(oven)에서의 베이킹(baking) 공정을 수행하는데, 본 발명에서는 베이킹 공정을 상기 메타-열경화 임프린팅 공정으로 진행하여 메타-스테이블 상태의 금속 산화 박막을 형성하게 되는 것이다. 그 이후, 후술할 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화가 이루어지면서, 제2패턴의 구현 과정이 진행되는 것이다.In general, a baking process in a hot plate or an oven is performed in order to remove the solvent contained in the photosensitive metal-organic precursor layer. In the present invention, And then proceeds to a thermal curing imprinting process to form a metal oxide thin film in a meta-table state. Thereafter, complete curing is performed by a photolithography process to be described later, and the process of implementing the second pattern proceeds.

이러한 메타-열경화 임프린팅 공정은 상기 메타-열경화 임프린팅 공정은, 50℃~200℃의 범위의 온도에서 30초에서 1시간의 범위에서 이루어지게 되며, 메타-열경화 임프린팅 공정이 완료되면, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 상기 임프린트용 스탬프를 제거한다.
In the meta-thermosetting imprinting process, the meta-thermosetting imprinting process is performed at a temperature ranging from 50 to 200 ° C for 30 seconds to 1 hour, and the meta- , The imprinting stamp is removed from the photosensitive metal-organic precursor layer.

그리고, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 공정이 이루어진다.A complete curing photolithography process for forming a metal oxide thin film pattern layer by placing a photomask having a second pattern formed thereon on top of the patterned photosensitive metal-organic precursor layer and then irradiating ultraviolet rays or heat with a complete curing dose or more .

즉, 메타-열경화 임프린팅 공정에 의해 불완전경화된 감광성 금속-유기물 전구체층을 포토리소그래피 공정에서 완전히 경화시킨다. That is, the photosensitive metal-organic precursor layer that is incompletely cured by the meta-thermal curing imprinting process is completely cured in the photolithography process.

이때, 메타-열경화 임프린팅 공정에서 열경화 온도는 완전경화가 이루어지지 않는 온도에서 이루어졌으며, 상기 포토리소그래피 공정은 이러한 불완전경화 영역이 완전경화가 되도록 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층이 형성되도록 한다.In this case, in the meta-thermosetting imprinting process, the thermosetting temperature is set at a temperature at which no complete curing is performed. In the photolithography process, ultraviolet light or heat is irradiated at a temperature higher than the full curing dose so that the incompletely- Thereby forming a metal oxide thin film pattern layer.

즉, 제2패턴이 형성된 포토마스크에 의해 가려진 부분(노광되지 않은 부분)은 완전경화되지 않아 여전히 불완전경화된 상태이며, 노출된 부분은 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열에 노출되었으므로, 노광되었던 부분은 완전경화가 이루어지게 된다.That is, the portion (unexposed portion) covered by the photomask in which the second pattern is formed is still in an incompletely cured state because it is not completely cured and the exposed portion is exposed to ultraviolet rays or heat at a temperature higher than the full curing dose, Full curing is performed.

여기에서, 상기 포토리소그래피는 마스크 얼라이너(Mask Aligner), 오토 얼라이너(Auto Aligner), 플루오르화 크롬 스테퍼(KrF Stepper) 및 플루오르화 아르곤 스테퍼(ArF stepper) 중 어느 하나를 사용한다.
Here, the photolithography uses either a mask aligner, an auto aligner, a chromium fluoride stepper (KrF Stepper), or an ArF stepper.

그리고, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 불완전경화된 부분은 제거되고, 완전경화된 부분만 남게 되며, 이에 의해 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하게 된다.Then, the hardened metal oxide thin film pattern layer is developed so that the incompletely hardened portion is removed and only the completely hardened portion is left. Thus, the metal oxide thin film pattern layer having the first pattern and the second pattern Oxide complex structure.

구체적으로는, 2-메톡시에탄올과 같은 현상용매에 침지시킨 후 질소 가스와 같은 불활성 가스로 수증기를 포함한 잔여물을 날리는 방법으로 금속 산화물 복합 구조체를 형성할 수 있다.
Specifically, the metal oxide composite structure can be formed by dipping in a developing solvent such as 2-methoxyethanol, and then discharging a residue containing water vapor with an inert gas such as nitrogen gas.

도 3은 인가해주는 빛의 세기에 따라 감광성 금속-유기물 전구체층의 경화된 높이를 나타낸 민감도(Sensitivity) 곡선 그래프이다. 여기서는 금속-유기물 전구체 중 Zn-유기물 전구체를 예로 든다. Zn-유기물 전구체는 완전경화된 후 현상(Developing)되면 ZnO층이 남는다.FIG. 3 is a sensitivity curve graph showing the cured height of the photosensitive metal-organic precursor layer according to the intensity of the applied light. Here, Zn-organic precursors among the metal-organic precursors are exemplified. The Zn-organic precursors are fully cured and remain ZnO layers when developed.

금속-유기물 전구체의 자외선 민감도 곡선(sensitivity(D1.0) curve) 분석을 위하여, 실리콘 기판 상단에 합성된 Zn-유기물 전구체 레진을 1000rpm, 60초 동안 스핀 코팅한 후 80℃에서 120초가량 베이킹(Baking)하여 고정한다. 구멍의 직경이 1㎛이고 깊이가 1.3㎛인 홀-타입(hole-type) PFPE 나노스탬프를 사용하여 고정한 Zn-유기물 전구체를 압착시킨 후, 자외선을 2분, 2.5분, 3분, 3.5분, 4분, 4.25분, 5분, 5.5분, 6분, 7분, 9분 및 11분 동안 각각 조사한 후 PFPE 스탬프를 분리하여 1㎛ 폭의 기둥과 1.3㎛의 높이를 가진 금속 산화물 패턴을 형성하였다.For the analysis of the sensitivity (D 1.0 ) curve of the metal-organic precursor, a Zn-organic precursor resin synthesized on the silicon substrate was spin-coated at 1000 rpm for 60 seconds and baked at 80 ° C. for 120 seconds. And fixed. The Zn-organic precursor was fixed by using a hole-type PFPE nano-stamp having a hole diameter of 1 탆 and a depth of 1.3 탆. Ultraviolet rays were irradiated for 2 minutes, 2.5 minutes, 3 minutes, 3.5 minutes, 4 minutes, 4.25 minutes, 5 minutes, 5.5 minutes, 6 minutes, 7 minutes, 9 minutes and 11 minutes, respectively, and the PFPE stamp was separated to form a metal oxide pattern having a column of 1 μm width and a height of 1.3 μm .

합성된 Zn-유기물 전구체 레진을 자외선 완전경화도즈 분석을 위하여 다양한 자외선 조사시간에 따라 형성된 패턴들을 2-메톡시에탄올을 솔벤트로 사용한 용액에 5분간 침지시켜서 완전한 자외선 경화 여부를 확인하였다.The synthesized Zn-organic precursor resin was immersed in a solution of 2-methoxyethanol as a solvent for 5 minutes in order to analyze the ultraviolet full curing dose, thereby confirming complete ultraviolet curing.

즉 2-메톡시에탄올에 담근 후 AFM(Atomic Force Microscope)을 사용하여 용매 세정 전후의 금속 산화 패턴의 높이 변화를 분석하였다. 홀-타입 PFPE 스탬프의 패턴 깊이인 1.3㎛를 기준(100%)으로 하여 정규화(Normalized)한 높이를 그래프로 표현한 것이 빛의 도즈에 따른 민감도 그래프 도 3이다.Namely, AFM (Atomic Force Microscope) after immersing in 2-methoxyethanol was used to analyze the height change of the metal oxidation pattern before and after the solvent cleaning. FIG. 3 is a graph of sensitivity according to the dose of light, in which a height normalized to 1.3 .mu.m (100%) of the pattern depth of the hole-type PFPE stamp is expressed by a graph.

정규화된 높이의 값이 최초로 1(100%)이되는 값을 완전경화도즈라고 할 때, 본 Zn-유기물 전구체 레진의 경우 완전경화도즈는 8.25J/㎠이다. 그러나 이 값은 Zn-유기물 전구체의 경우이므로 금속의 종류에 따라 달라질 수 있다. 그래프 상에서는 특정한 도즈 값(약 6J/㎠)에서부터 정규화된 높이가 변하는 것을 볼 수 있다.
Assuming that the value at which the value of the normalized height first becomes 1 (100%) is the complete curing dose, the complete curing dose for the present Zn-organic precursor resin is 8.25 J / cm2. However, since this value is the case of the Zn-organic precursor, it may vary depending on the kind of the metal. On the graph, we can see that the normalized height changes from a specific dose value (about 6 J / cm 2).

이하에서는 본 발명의 일실시예에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 감광성 Zn-유기물 전구체를 합성하기 위하여, Zinc acetate dihydrate(Sigma-Aldrich Co., 미국), Monoethanolamine(Sigma-Aldrich Co., 미국), 2-nitrobenzenaldehyde(Sigma-Aldrich Co., 미국) 및 2-methoxyethanol(Sigma-Aldrich Co., 미국)을 일정양 혼합하여 감광성 Zn-유기물 전구체를 합성하였다.First, Zinc acetate dihydrate (Sigma-Aldrich Co., USA), Monoethanolamine (Sigma-Aldrich Co., USA), 2-nitrobenzenaldehyde (Sigma-Aldrich Co., USA) and 2 -methoxyethanol (Sigma-Aldrich Co., USA) were mixed to prepare a photosensitive Zn-organic precursor.

그리고, 나노패턴 형성을 위한 임프린트 공정을 위해서 실리콘 마스터 스탬프(100nm hole 직경 및 50nm hole depth-제1패턴)를 가진 Hole-type 실리콘 스탬프 상단에 PFPE(Perfluoropolyether) 레진을 적하시키며 PET(polyethylene-terephthalate) 기판을 압착시킨 후, 자외선을 3분 조사하여 Pillar-type PFPE 나노스탬프를 제작하였다.Then, PFPE (Perfluoropolyether) resin was dropped on top of a Hole-type silicon stamp having a silicon master stamp (100 nm hole diameter and 50 nm hole depth - first pattern) for imprinting process for forming a nano pattern, and PET (polyethylene terephthalate) After pressing the substrate, the pillar-type PFPE nano-stamp was prepared by irradiating ultraviolet rays for 3 minutes.

한편, 제2패턴 형성을 위한 포토리소그래피는 마스크 얼라이너(mask aligner [EVG620, EVG, 오스트리아])를 사용하였으며, 수 마이크로미터 선폭이 있는 Cr 포토마스크를 사용하였다.On the other hand, a mask aligner (EVG620, EVG, Austria) was used for the photolithography for the second pattern formation, and a Cr photomask having a line width of several micrometers was used.

그리고, 실리콘 기판 상단에 상기 합성된 감광성 Zn-유기물 전구체를 1000rpm, 60초 동안 스핀코팅한 후 상기 제작된 100nm pillar 선폭 및 50nm pillar 높이(제1패턴)를 가진 Pillar-type 나노스탬프를 압착 시킨 후, 20bar로 가압하면서 80℃에서 120초 동안 열을 가한 후 나노스탬프를 제거(Demolding)하여, 메타 스테이블한 상태의 제1패턴이 형성된 Zn구조체를 형성하였다.Then, the synthesized photosensitive Zn-organic precursor was spin-coated on the silicon substrate at 1000 rpm for 60 seconds, and then the pillar-type nano-stamp having the prepared 100 nm pillar line width and 50 nm pillar height (first pattern) was squeezed , Heat was applied at 80 ° C for 120 seconds while being pressurized to 20 bar, and then the nanostamp was demolded to form a Zn structure having a first pattern in a meta stable state.

여기서 80℃, 120초간 열처리는 일반적으로 감광성 Zn-유기물 전구체층 내 용매를 제거하기 위한 베이킹 공정이며, 본 발명에서는 별도의 베이킹 과정을 수행하지 않고, 나노스탬프로 가압하면서 나노패턴 형성을 위한 메타-열경화 임프린팅을 수행하였다.Here, the heat treatment at 80 ° C for 120 seconds is generally a baking process for removing the solvent in the photosensitive Zn-organic precursor layer. In the present invention, the baking process is not performed, and a meta- Thermal curing imprinting was performed.

이후 제1패턴이 형성된 감광성 Zn-유기물 전구체층 상단에 수 마이크로미터 선폭(제2패턴)이 있는 Cr 포토마스크를 얹은 후, 마스크 얼라이너(mask aligner [EVG620, EVG, 오스트리아])를 사용하여 완전경화도즈 이상인 10 J/cm2 의 자외선 도즈를 조사하였으며, developer(현상액)로써 용매로 사용한 2-methoxyethanol에 5분간 담근 후 질소가스로 blowing 하여서 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 ZnO 복합 구조체를 형성하였다.Then, a Cr photomask having a line width of several micrometers (second pattern) was placed on top of the photosensitive Zn-organic precursor layer having the first pattern formed thereon, and then a mask aligner (EVG620, EVG, Austria) UV irradiation of 10 J / cm 2 above the hardening dose was performed. After immersing in 2-methoxyethanol used as a developer as a developer for 5 minutes and blowing with nitrogen gas, a ZnO composite compounded with the first pattern and the second pattern Structure.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체의 전자현미경 사진을 나타낸 것으로서, 마이크로(제2패턴) 및 나노(제1패턴) 패턴이 복합적으로 구현된 ZnO 복합 구조체의 형성이 가능함을 확인할 수 있었다.FIG. 4 is an electron micrograph of a metal oxide composite structure formed by a meta-thermal curing imprinting and photolithography process according to an embodiment of the present invention, wherein a micro (second pattern) and a nano (first pattern) It is possible to form a complex ZnO composite structure.

Claims (14)

기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계;
상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계;
상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계;
상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계;
상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.Forming a photosensitive metal-organic precursor layer on top of the substrate or thin film;
Wherein the photosensitive metal-organic precursor layer is pressed with an imprinting stamp having the first pattern formed thereon, the metering heat is applied to the photosensitive metal-organic precursor layer to perform thermal curing at a temperature lower than the temperature at which the photosensitive metal- Curing imprinting step;
Removing the stamp for imprinting from the photosensitive metal-organic precursor layer;
A complete curing photolithography step of forming a metal oxide thin film pattern layer by locating a photomask having a second pattern formed on top of the patterned photosensitive metal-organic precursor layer and irradiating ultraviolet rays or heat with a complete curing dose or more;
And developing the cured metal oxide thin film pattern layer to form a metal oxide complex structure in which the first pattern and the second pattern are complexly formed. Method for fabricating metal oxide composite structure by imprinting and photolithography process. 제 1항에 있어서,
상기 기판은 무기물 기판 또는 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is an inorganic substrate or a polymer substrate. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI > A method of fabricating a metal oxide composite structure by meta-thermal curing imprinting and photolithography. 제 2항에 있어서,
상기 무기물 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.3. The method of claim 2,
Wherein the inorganic substrate is any one of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, sapphire, quartz, Method of manufacturing a metal oxide composite structure by thermal curing imprinting and photolithography process. 제 2항에 있어서,
상기 폴리머 기판은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에테르셀폰 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.3. The method of claim 2,
Wherein the polymer substrate is one of a polycarbonate, a polyethylene naphthalate, a polynorbornene, a polyacrylate, a polyvinyl alcohol, a polyimide, a polyethylene terephthalate, and a polyether cellphone. (METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXY COMPLEX STRUCTURE) 제 1항에 있어서,
상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 또는 우라늄(U)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The method according to claim 1,
The photosensitive metal-organic precursor layer may include at least one selected from the group consisting of lithium, beryllium, boron, sodium, magnesium, aluminum, silicon, indium, S, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Rb, Sr, Y, (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), indium (In), tin (Sn), tellurium (Te), antimony (Sb) (Ir), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), gadolinium (Gd), hafnium (Hf), tantalum Thermosetting imprinting and photolithography processes, characterized by comprising at least one metal element selected from the group consisting of lead (Pb), bismuth (Bi), polonium (Po) or uranium (U) metal Oxide composite structure. 제 1항에 있어서,
상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde) 또는 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The method according to claim 1,
The photosensitive metal-organic precursor layer may be selected from the group consisting of ethylhexanoate, acetylacetonate, dialkyldithiocarbamates, carboxylic acids, carboxylates, pyridines, Pyridine, diamines, arsines, diarsines, phosphines, diphosphines, butoxide, isopropoxide, ethoxide, ), Chloride, Acetate, Carbonyl, Carbonate, Hydroxide, Arenas, Beta-Diketonate, 2 The present invention relates to a meta-thermosetting imprinting method, which comprises at least one organic ligand selected from the group consisting of 2-Nitrobenzaldehyde and Acetate Dihydrate. Method for producing water complex structure. 제 1항에 있어서,
상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 또는 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 이용해 생성하는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The method according to claim 1,
The photosensitive metal-organic precursor layer may be selected from the group consisting of hexane, 4-methyl-2-pentanone, ketone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, , Dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethyl formamide (DMF), N-methyl pyrrolidone, acetone, acetonitrile, tetrahydrofuran (THF) And at least one solvent selected from the group consisting of hexane, heptane, pentane, and 2-methoxyethanol. The metal oxide composite by the meta- ≪ / RTI > 제 1항에 있어서, 상기 메타-열경화 임프린팅 단계는,
상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 포함된 용매를 제거하는 건조과정을 메타-열경화 임프린팅 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the meta-
Wherein the drying step of removing the solvent contained in the photosensitive metal-organic precursor layer is performed by a meta-thermosetting imprinting process. The method of manufacturing a metal oxide composite structure by the meta-thermosetting imprinting and photolithography process. 제 8항에 있어서, 상기 메타-열경화 임프린팅 공정은,
50℃~200℃의 범위의 온도에서 30초에서 1시간의 범위에서 이루어지는 것을 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.9. The method of claim 8, wherein the meta-
At a temperature in the range of 50 占 폚 to 200 占 폚 for 30 seconds to 1 hour, by a meta-thermosetting imprinting process and a photolithography process. 제 1항에 있어서, 상기 임프린트용 스탬프는,
실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 폴리머 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The printing apparatus according to claim 1, wherein the imprinting stamp comprises:
Wherein the metal oxide is one of silicon (Si), silicon oxide (SiO 2 ), quartz, nickel (Ni), copper (Cu) and a polymer. Method for manufacturing composite structure. 제10항에 있어서, 상기 폴리머 스탬프는,
PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.11. The method of claim 10,
Thermosetting imprinting and photolithography processes characterized by being one of PDMS (Polydimethylsiloxane), PUA (Polyurethane acrylate), ETFE (Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA (Perfluoroalkyl acrylate), PFPE (Perfluoropolyether) and PTFE Wherein the metal oxide composite structure is produced by a method comprising the steps of: 제 1항에 있어서, 상기 메타-열경화 임프린팅 단계는,
상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 금속 산화 박막으로 결정화(crystallization)되는 온도보다 낮은 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the meta-
Wherein the photosensitive metal-organic precursor layer is formed at a temperature lower than a temperature at which the photosensitive metal-organic precursor layer is crystallized into a metal oxide thin film. 제 1항에 있어서, 상기 포토리소그래피는 마스크 얼라이너(Mask Aligner), 오토 얼라이너(Auto Aligner), 플루오르화 크롬 스테퍼(KrF Stepper) 및 플루오르화 아르곤 스테퍼(ArF stepper) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법.The method according to claim 1, wherein the photolithography is any one of a mask aligner, an auto aligner, a chromium fluoride stepper (KrF stepper), and a fluorine argon stepper (ArF stepper) METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXYGEN COMPLEX STRUCTURE BY META-THERMAL IMPLANTING IMPRESSION AND PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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