KR101665450B1 - A light emitting element having quantum dot of indium-gallium metal nitride and a manufacturing method of the same, and a light emitting device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 독성이 없으면서도 발광 특성이 우수하고, 콜로이드 분산액 형태로 사용이 가능한 양자점을 발광층에 포함시켜 제조된, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것이다. The present invention relates to the formula light-emitting device including the quantum dots of an indium gallium metal nitride represented by 1 and a preparation method thereof, and relates to a light emitting device using the same, and more particularly, excellent do luminescence properties eopeumyeonseo toxic, and colloidal is manufactured by including the available quantum dots used as a dispersion in the form of a light emitting layer, an indium gallium metal light-emitting device comprising a nitride of quantum dots and a method, and to a light emitting device using the same. 본 발명에 따른 양자점 발광소자에 포함되는 인듐갈륨계 질화물의 양자점은 독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광효율을 갖는바, 상기 양자점을 포함하는 본 발명의 양자점 발광소자는 각종 환경 규제를 통과할 수 있고, 우수한 발광효율로 다양한 색상의 구현이 가능하며, 또한, 분산성이 매우 우수해 콜로이드 분산액 형태로 이용이 가능하여, 종래의 고온 증착 공정 없이도 잉크 공정에 의해 기판 상에 형성될 수 있고, 이에 따라 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 적용될 수 있는바, 비교적 간단한 공정으로 유연성을 갖는 발광장치를 제조할 수 있다. A quantum dot light emitting device of the present invention to the quantum dots of an indium gallium nitride included in the quantum dot light emitting device includes a bar, the quantum dot toxicity eopeumyeonseo also has high reliability and excellent light-emitting efficiency according to the invention can pass through a variety of environmental regulations and, and can be of various colors with good light emitting efficiency, in addition, a minute can be acidic to very excellent are available in colloidal dispersion form, formed on a substrate by ink process without conventional high-temperature deposition process, whereby It can be prepared according to a light emitting device having a flexibility as a bar, a relatively simple process that can be applied to a flexible substrate with low heat resistance.
[화학식 1] Formula 1
In x Ga 1 - x N In x Ga 1 - x N
(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.) (In Formula 1, x is in the range of 0≤x≤1.)

Description

인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치{A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING QUANTUM DOT OF INDIUM-GALLIUM METAL NITRIDE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND A LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME} A light emitting device including the quantum dots of an indium gallium metal nitride and a method, and a light emitting device using the same {A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING QUANTUM DOT OF INDIUM-GALLIUM METAL NITRIDE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND A LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 독성이 없으면서도 발광 특성이 우수하고, 콜로이드 분산액 형태로 사용이 가능한 양자점을 발광층에 포함시켜 제조된, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것이다. The present invention is an indium gallium metal light-emitting device and a method comprising a nitride quantum dots, and relates to a light emitting device using the same, and more particularly, excellent do luminescence properties eopeumyeonseo toxic and can be used as a colloidal dispersion form a light emitting device and a method comprising the, quantum dots of an indium gallium nitride-based metal produced by including the quantum dot in the light-emitting layer, and to a light emitting device using the same.

양자점(Quantum dot)은 수 내지 수십 나노미터 이하의 지름을 갖는 반도체 결정물질로서, 양자점의 크기에 따라 방출되는 빛의 다양한 색상 조절이 가능하고, 흡수 파장은 단파장부터 장파장에 걸쳐 매우 넓은 범위인 반면에, 발광 파장은 좁은 범위를 나타내고, 유기물에 비하여 높은 색지수를 가지고 있어, 특히 디스플레이 분야에서 많은 연구자들이 활발히 연구를 진행하고 있는 소재이다. A quantum dot (Quantum dot) is a semiconductor crystal material to having several diameters of a nanometer or less, in a variety of colors adjustment is possible, and the absorption wavelength is very large over the long-wavelength from the short wavelength range of the light emitted by the size of the quantum dots, while , the emission wavelength indicates a narrow range, it has a high color index than the organic material, in particular material and proceed with the number of researchers have actively studied in the display field.

이러한 양자점을 디스플레이 또는 조명에 적용하는 방법은 크게 LED로 여기시켜 빛을 내는 형광(PL) 방식과 전기적으로 여기시켜 빛을 내게 하는 전기발광(EL) 방식으로 나눌 수 있는데, 이 중에서 전기발광(EL) 방식을 채용하는 것을 양자점 발광소자(QD-LED)라 한다. By applying such a quantum dot on a display or lighting greatly excited by LED there to excite the fluorescent emit light (PL) system with electrically divided into an electroluminescent (EL) method of the light Me, of which an electroluminescent (EL ) it is called a quantum dot light emitting device (QD-LED) to adopt a scheme. 상기 양자점 발광소자(QD-LED)는 기본적으로 유기 발광소자(OLED)와 작동원리가 동일하기 때문에, 발광층의 소재만 유기발광소재 대신에 양자점으로 대체하면 되므로, 이미 상용화되고 있는 OLED 생산 인프라를 거의 그대로 활용할 수 있다는 장점의 측면에서, 차세대 기술로 주목을 받고 있다. Since the quantum dot light emitting device (QD-LED) are basically identical to the organic light emitting device (OLED) and working principle, only the material of the light-emitting layer, so when replaced with quantum dots in place of the organic light emitting material, the OLED production infrastructure nearly that are already commercially available in terms of the benefits that you can leverage, it has received attention as a next-generation technology.

그러나, 현재 사용되고 있는 카드뮴계 양자점을 이용한 카드뮴계 양자점 발광소자(한국공개특허 제2006-0101184호)는, 카드뮴에 의한 독성으로 인하여 각종 환경규제가 강화되고 있는 세계적인 추세에 따라 그 활용도가 매우 떨어져, 사실상 종래의 OLED를 대체하는 차세대 기술로서는 의미를 갖지 못하고 있다. However, currently it used cadmium-based cadmium-based quantum dot light emitting device using a quantum dot (Korea Patent Publication No. 2006-0101184 arc) that is, due to the toxicity caused by the utilization of cadmium is very off in accordance with the global trend in various environmental regulations have been reinforced, in fact it does not have the means as the next-generation technology to replace a conventional OLED. 또한, InP 양자점을 이용한 InP 양자점 발광소자는, InP 양자점 자체의 안정성이 현저히 낮기 때문에, 양자점 표면에 껍질(Shell)을 코팅하거나 도핑하는 처리가 필수적으로 추가되어야 하므로, 공정이 복잡하고 그에 따른 비용이 많이 든다는 단점이 있다. In addition, InP quantum dot light-emitting device using InP quantum dots, since the stability of the InP quantum dots themselves significantly lower, since a process for coating or doping the shell (Shell) in the quantum dot surface to be essential to add, in the process is complicated and the cost of it there are many Stepping disadvantages.

한편, 최근 플렉서블 디스플레이에 대한 수요가 급증하고 있는데, 플렉서블 디스플레이를 제조하기 위해서는 유연 기판 상에 발광소자를 형성시키는 과정이 필수적으로 수반되어야 한다. On the other hand, recently there is a demand for flexible display surge, in order to manufacture the flexible display process of forming a light-emitting element on a flexible substrate is necessary to be accompanied by. 그러나 유연 기판은 주로 내열성이 약한 플라스틱 소재라서, 종래의 고온 증착 공정을 적용하기가 어려워, 플렉서블 디스플레이를 제조하는 것에 큰 장애물이 되어 왔다. However, flexible substrates has mainly been a great obstacle to the manufacturing of plastic material because the weak, making it difficult to apply the conventional high-temperature deposition process, the heat-resistant flexible display.

따라서 독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광 효율을 갖고, 제조 공정이 간단하며, 고온의 증착 공정 없이 유연 기판 상에 형성될 수 있는 양자점을 적용한 발광소자의 개발이 시급하다. Thus toxic eopeumyeonseo also has high reliability and excellent light-emitting efficiency, simplifies the manufacturing process, and the development of the light-emitting element is applied to the quantum dot can be formed on a flexible substrate without the deposition process of a high temperature is urgent.

한국공개특허 제2006-0101184호 Korea Patent Publication No. 2006-0101184

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, The present invention for solving the problems of the prior art,

독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광 효율을 갖고, 제조 공정이 간단하며, 우수한 분산성으로 인해 콜로이드 분산액 형태로 적용이 가능하여, 고온의 증착 공정 없이 유연 기판 상에 형성할 수 있는 인듐갈륨계 질화물의 양자점을 개발하고, 상기 양자점을 적용한 발광소자, 이의 제조방법 및 상기 발광소자를 이용한 발광장치를 제공하는데 그 목적이 있다. Toxic eopeumyeonseo also have high stability and good light emitting efficiency, the manufacturing process is simple and excellent minutes due to the acid can be applied to the colloidal dispersion form, which may be formed on the flexible substrate without the deposition process of the high temperature the indium gallium nitride development of the quantum dots and the light emitting element is applied to the quantum dot, there is provided a light emitting device using a preparation method thereof, and the light emitting element.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 양극과 음극 사이에, 하기 화학식 1로 표현되는 금속 질화물의 양자점을 함유하는 발광층을 포함하는 양자점 발광소자를 제공한다. In order to achieve the object of the present invention, there is provided a quantum dot light emitting device including a light emitting layer containing quantum dots of a metal nitride which is represented by the following general formula (1), between an anode and a cathode.

[화학식 1] Formula 1

In x Ga 1-x N In x Ga 1-x N

(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.) (In Formula 1, x is in the range of 0≤x≤1.)

상기 발광층은 상기 양자점을 콜로이드 분산액 형태로 함유할 수 있다. The light emitting layer may contain a quantum dot to the colloidal dispersion form.

상기 콜로이드 분산액의 용매는 이에 한정되지 않으나 유기용매일 수 있고, 상기 유기용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF). The solvent of the colloidal dispersion may be every organic but are not limited to, the organic solvents hexane, toluene, benzene, octane, chloroform, chlorobenzene, tetrahydrofuran (THF). 펜테인, 헵테인, 데케인, 염화메틸렌, 1,4-디옥세인(1, 4-dioxane), 디에틸에테르(diethyl ether), 사이클로헥세인 및 다이클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 국한되는 것은 아니다. Pentane, heptane, decane, methylene chloride, 1,4-dioxide hexanes (1, 4-dioxane), diethyl ether (diethyl ether), cyclohexane, and any one or more selected from the group consisting of dichlorobenzene but it can include but is not limited to this.

상기 화학식 1의 x는 0.01≤x≤0.5의 범위를 가질 수 있다. x in the general formula (1) may have a range of 0.01≤x≤0.5.

상기 음극 또는 양극은 유연(flexible) 기판 상에 적층될 수 있고, 상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate), 폴리이소프렌(PI,polyisoprene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르설폰(PES, polyether sulfone) 및 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. The cathode or positive electrode is flexible (flexible) may be laminated on the substrate, the flexible substrate is a polyethylene terephthalate (PET, Polyethylene terephthalate), polyisoprene (PI, polyisoprene), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate), poly polyethersulfone may be at least one selected from the group consisting of (PES, polyether sulfone), and polycarbonate (PC, polyCarbonate).

상기 음극과 상기 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다. The negative electrode and the electron injecting layer between the light emitting layer, may further comprise at least one selected from the group consisting of an electron transport layer and a hole blocking layer.

상기 양극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다. Between the anode and the emission layer may include a hole injection layer, an additional one or more selected from the group consisting of a hole transport layer and electron blocking layer.

상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 상기 양자점 발광소자를 포함하는 발광장치를 제공한다. In order to achieve the above object of the present invention, there is provided a light emitting device including the quantum dot light emitting device.

상기 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상부에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상부에 상기 화학식 1로 표현되는 금속 질화물의 양자점을 함유하는 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법을 제공한다. To achieve still another object of the present invention, the present invention includes the steps of forming a light emitting layer containing quantum dots of a metal nitride represented by the formula (1) in steps, wherein the first electrode upper portion forming a first electrode on an upper substrate , and it provides a method for producing a quantum dot light emitting device comprising a step of forming a second electrode on the emission layer.

상기 발광층은 드롭-코팅법, 스핀-코팅법, 다이코팅법, 블레이드 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 인쇄법, 스프레이 코팅법, 나이프 코팅법, The light-emitting layer drop-coating, spin-coating method, die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an inkjet printing method, a printing method, a spray coating method, knife coating method, 전사 프린팅 및 커튼 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 상기 제1전극 상부에 형성될 수 있다. By one or more selected from the group consisting of transfer printing and curtain coating it may be formed over the first electrode.

상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate), 폴리이소프렌(PI,polyisoprene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르설폰(PES, polyether sulfone) 및 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유연 기판일 수 있다. Wherein the substrate is made of a polyethylene terephthalate (PET, Polyethylene terephthalate), polyisoprene (PI, polyisoprene), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), and polycarbonate (PC, PolyCarbonate) It may be one or more flexible substrate is selected from the group.

본 발명에 따른 양자점 발광소자에 포함되는 인듐갈륨계 질화물의 양자점은 독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광효율을 갖는바, 상기 양자점을 포함하는 본 발명의 양자점 발광소자는 각종 환경 규제를 통과할 수 있고, 우수한 발광효율로 다양한 색상의 구현이 가능하며, 또한, 분산성이 매우 우수해 콜로이드 분산액 형태로 이용이 가능하여, 종래의 고온 증착 공정 없이도 잉크 공정에 의해 기판 상에 형성될 수 있고, 이에 따라 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 적용될 수 있는바, 비교적 간단한 공정으로 유연성을 갖는 발광장치를 제조할 수 있다. A quantum dot light emitting device of the present invention to the quantum dots of an indium gallium nitride included in the quantum dot light emitting device includes a bar, the quantum dot toxicity eopeumyeonseo also has high reliability and excellent light-emitting efficiency according to the invention can pass through a variety of environmental regulations and, and can be of various colors with good light emitting efficiency, in addition, a minute can be acidic to very excellent are available in colloidal dispersion form, formed on a substrate by ink process without conventional high-temperature deposition process, whereby It can be prepared according to a light emitting device having a flexibility as a bar, a relatively simple process that can be applied to a flexible substrate with low heat resistance.

도 1은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점(CQDs)의 XRD 특성을 나타낸 그래프이다. 1 is In x Ga 1 manufactured by the present invention - a graph showing the XRD properties of the quantum dot x N (CQDs).
도 2는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점(CQDs)의 밴드 갭 특성을 나타낸 그래프이다. 2 is In x Ga 1 manufactured by the present invention - a graph showing the bandgap properties of the quantum dot x N (CQDs).
도 3은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 조성 및 온도에 따른 PL(Photoluminescence)의 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 3 is an In x Ga 1 produced in the present invention - is a graph showing the characteristics of a PL (Photoluminescence) according to the composition and temperature of the N x.
도 4는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점(CQDs)의 X-선 흡수분광학 (XAFS) 측정 결과를 나타낸 그래프이다. 4 is In x Ga 1 manufactured by the present invention - is a graph showing the X- ray absorption spectroscopy (XAFS) measurement result of x N quantum dots (CQDs).
도 5는 본 발명의 금속 양(quantity) 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 5 is a graph showing the amount of metal (quantity) characteristics of the present invention.
도 6은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 XPS In3d binding Spectra 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 6 is an In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the x N of XPS Spectra In3d binding properties.
도 7은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점(CQDs)의 TEM 이미지를 나타낸 사진 이다. 7 is In x Ga 1 manufactured in the present invention is a photograph showing a TEM image of the quantum dot x N (CQDs).
도 8은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 PL-QY(Photoluminescence Quantum yield) 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 8 is an In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the x-N of the PL QY (Photoluminescence Quantum yield) characteristics.
도 9는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 올레인산의 양에 따른 PL(Photoluminescence)의 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 9 is an In x Ga 1 produced in the present invention - is a graph showing the characteristics of a PL (Photoluminescence) according to the amount of oleic acid in the N x.
도 10은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 출력에 따른 PL(Photoluminescence)의 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 10 is an In x Ga 1 produced in the present invention - is a graph showing the characteristics of a PL (Photoluminescence) according to the output of N x.
도 11은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 감쇠 시간(decay time)에 따른 PL(Photoluminescence)의 감소 특성을 나타낸 그래프이다. 11 is an In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the reduction characteristic of the PL (Photoluminescence) according to x N decay time (decay time) of the.
도 12는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 X-선 흡수분광학(XAS) 특성을 나타낸 그래프이다. 12 is an In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the x N X- ray absorption spectroscopy (XAS) characteristics.
도 13은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N의 자외선 전자 분광법(UPS) 분석에 따른 에너지 레벨 특성을 나타낸 그래프이다. 13 is an In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the energy levels characteristic of the ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) Analysis of N x.
도 14는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점(CQDs)의 PL-QY(Photoluminescence Quantum yield) 특성을 비교한 그래프이다. Figure 14 is an In x Ga 1 produced in the present invention - is a comparison of the PL-QY (Photoluminescence Quantum yield) characteristics of the quantum dot x N (CQDs) graph.
도 15는 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점과 시판되는 비교예의 용해도 차이를 비교한 사진이다. 15 is an In x Ga 1 prepared in the present invention is a picture for comparing the comparative example and the difference in solubility of commercially available x N quantum dots.
도 16은 본 발명에서 제조한 In x Ga 1 - x N 양자점과 시판되는 비교예의 발광특성 차이를 비교한 사진이다. 16 is the present invention prepared in the In x Ga 1-a photograph comparing the comparative example and the light emission characteristic differences of commercially available x N quantum dots.
도 17은 본 발명에서 제조한 또 다른 In x Ga 1 - x N 양자점의 밴드 갭 특성을 나타낸 그래프이다. Figure 17 is a still another In x Ga 1 produced in the present invention - a graph showing the characteristics of the band gap x N quantum dots.
도 18은 본 발명의 일구현예에 따른 양자점 발광 소자의 적층 구조의 개략 단면도이다. 18 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure of the quantum dot light-emitting device according to an embodiment of the invention.
도 19는 본 발명의 다른 구현예에 따른 양자점 발광 소자의 적층 구조의 개략 단면도이다. 19 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure of the quantum dot light emitting device according to another embodiment of the invention.
도 20은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 양자점 발광 소자의 적층 구조의 개략 단면도이다. 20 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure of the quantum dot light emitting device according to another embodiment of the present invention.
도 21은 본 발명의 제조예 1 내지 3의 전자 주입층(ZnO), 발광층(InGaN CQD) 및 정공 주입층(HIL) 물질들의 에너지 다이어그램을 나타낸다(Device A : 제조예 1, Device B : 제조예 2, Device C : 제조예 3). Figure 21 shows the energy diagram of the Production Example 1 of to 3 electron injection layer (ZnO), a light emitting layer (InGaN CQD) and a hole injection layer (HIL) material of the invention (Device A: Preparation Example 1, Device B: Preparation 2, Device C: Preparation example 3).
도 22의 (a)는 본 발명의 제조예 1 내지 3의 전압에 따른 전류의 세기를 나타낸다(Device A : 제조예 1, Device B : 제조예 2, Device C : 제조예 3). Figure (a), 22 indicates the intensity of the current corresponding to the voltage of the Preparation Examples 1 to 3 of the invention (Device A: Preparation Example 1, Device B: Preparation Example 2, Device C: Preparation Example 3).
도 22의 (b)는 본 발명의 제조예 1 내지 3의 전압에 따른 휘도를 나타낸다(Device A : 제조예 1, Device B : 제조예 2, Device C : 제조예 3). Figure 22 (b) represents a brightness corresponding to the voltage of the Preparation Examples 1 to 3 of the invention (Device A: Preparation Example 1, Device B: Preparation Example 2, Device C: Preparation Example 3).
도 23은 본 발명에서 제조한 발광소자의 파장에 따른 EL(electroluminescence) 및 PL(Photoluminescence)의 스펙트럼을 나타낸다. Figure 23 shows the spectrum of the EL (electroluminescence) and PL (Photoluminescence) according to the wavelength of the light-emitting device produced in the present invention.
도 24는 본 발명에서 제조한 발광소자를 발광장치에 장착했을 때, 실제로 빛을 내는지 여부를 관찰한 사진이다. Figure 24 is a picture of observing whether, when mounting a light-emitting device produced in the present invention to a light emitting device, the light actually naeneunji.

본 발명은 양극과 음극 사이에, 하기 화학식 1로 표현되는 금속 질화물의 양자점을 함유하는 발광층을 포함하는 양자점 발광소자를 제공한다. The present invention provides a quantum dot light emitting device of the following, between the anode and the cathode comprises a light-emitting layer containing a metal nitride quantum dots is expressed by the following general formula (1).

[화학식 1] Formula 1

In x Ga 1-x N In x Ga 1-x N

(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.) (In Formula 1, x is in the range of 0≤x≤1.)

상기 발광층은 상기 양자점을 콜로이드 분산액 형태로 함유할 수 있다. The light emitting layer may contain a quantum dot to the colloidal dispersion form. 이는 상기 화학식 1로 표현되는 양자점의 분산성이 우수하기 때문인데, 상기 양자점을 유기용매에 분산시켰을 경우 적어도 3개월 이상 동안 분산 상태를 유지할 수 있다. It is because it is excellent in dispersibility of the quantum dots is expressed by the formula (1), when the quantum dot sikyeoteul dispersed in an organic solvent can maintain the dispersion state for at least three months.

상기 화학식 1로 표현되는 양자점의 콜로이드 분산액의 유기용매는, 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF). The organic solvent of the colloidal dispersion of quantum dots, represented by the formula (1), hexane, toluene, benzene, octane, chloroform, chlorobenzene, tetrahydrofuran (THF). 펜테인, 헵테인, 데케인, 염화메틸렌, 1,4-디옥세인(1, 4-dioxane), 디에틸에테르(diethyl ether), 사이클로헥세인 및 다이클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다. Pentane, heptane, decane, methylene chloride, 1,4-dioxide hexanes (1, 4-dioxane), diethyl ether (diethyl ether), cyclohexane, and any one or more selected from the group consisting of dichlorobenzene but it can include, but is not limited to this.

본 발명에 따른 양자점은, 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 계면활성제를 용매에 첨가하여 혼합물을 제조한 후, 여기에 질소원을 투입하면서 열분해 반응을 일으킴으로써 제조될 수 있다. A quantum dot according to the present invention, and then preparing a mixture by adding a precursor of indium, gallium precursor and a surfactant in a solvent, can be produced by input and a nitrogen source here causes the thermal decomposition reaction. 상기 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 계면활성제 및 용매의 반응 몰 수를 조절함으로써 In x Ga 1 - x N금속 질화물의 양자점의 조성을 제어할 수 있다. It is possible to control the composition of the metal nitride of the quantum dot x N-the indium precursor, a gallium precursor, by adjusting the reaction molar number of the surface active agent and a solvent In x Ga 1.

상기 인듐 전구체는 유기 인듐 화합물이 바람직할 수 있고, 이에 한정되지는 않지만, 인듐 아세틸아세토네이트(Indium(III) acetylacetonate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 아세테이트(Indium(III) acetate), 트리메틸 인듐(Trimethyl indium), 알킬 인듐(Alkyl Indium), 아릴 인듐(Aryl Indium), 인듐 미리스테이트(Indium(III) Myristate), 인듐 미리스테이트 아세테이트(Indium(III) Myristate Acetate) 및 인듐 미리스테이트 2 아세테이트(Indium(III) Myristate 2 Acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. The indium precursor and an organic indium compound may be preferred, but are not limited to, indium acetylacetonate (Indium (III) acetylacetonate), indium chloride (Indium (III) chloride), indium acetate (Indium (III) acetate) , trimethyl indium (trimethyl indium), alkyl indium (alkyl indium), aryl indium (aryl indium), indium myristate (indium (III) myristate), indium State acetate (indium (III) myristate acetate) in advance, and indium myristate 2 It may be at least one selected from the group consisting of acetate (Indium (III) 2 Myristate acetate).

상기 갈륨 전구체는 유기 갈륨 화합물이 바람직할 수 있고, 이에 한정되지는 않지만, 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium(III) acetylacetonate), 갈륨 아세테이트(Gallium(III) acetate), 갈륨 클로라이드(Gallium(III) chloride), 트리에틸 갈륨(Triethyl gallium), 트리메틸 갈륨(Trimethyl gallium), 알킬 갈륨(Alkyl Gallium, 아릴 갈륨(Aryl Gallium), 갈륨 미리스테이트(Gallium(III) Myristate), 갈륨 미리스테이트 아세테이트(Gallium(III) Myristate Acetate) 및 갈륨 미리스테이트 2 아세테이트(Gallium(III) Myristate 2 Acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. The gallium precursor and an organic gallium compounds may be preferred, but are not limited to, gallium acetylacetonate (Gallium (III) acetylacetonate), gallium acetate (Gallium (III) acetate), gallium chloride (Gallium (III) chloride) , triethyl gallium (triethyl gallium), trimethyl gallium (trimethyl gallium), an alkyl gallium (alkyl gallium, aryl gallium (aryl gallium), gallium state (gallium (III advance) myristate), gallium myristate acetate (gallium (III) myristate acetate) and gallium may be one or more pre-acetate is state 2 (gallium (III) selected from the group consisting of 2 Myristate acetate).

상기 계면활성제는 이에 한정되지는 않지만, 카복실산(carboxylic acid) 계열 화합물, 포스폰산(phosphonic acid) 계열 화합물, 또는 상기 두 화합물의 혼합물일 수 있고, 상기 카복실산 계열 화합물은 올레산(Oleic acid), 팔마틱산(Palmatic acid), 스테아릭산(Stearic aicd), 리놀렌산(Linoleic acid), 미리스틱산(Myristic aicd) 및 라우르산(Lauric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 상기 포스폰산 계열 화합물은 헥실포스폰산(Hexylphosphonic acid), 옥타데실포스폰산(Octadecylphosphonic acid), 테트라데실포스폰산(Tetradecylphosphonic acid), 헥사데실포스폰산(hexadecylphosphonic acid), 데실포스폰산(Decylphosphonic acid), 옥틸포스폰산(Octylphosphonic acid) 및 부틸포스폰산(Butylphosphonic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. The surfactants include, but are not limited to, carboxylic acid (carboxylic acid) series compound, an acid (phosphonic acid) based compound, or the two may be a mixture of compounds, wherein the carboxylic acid-based compound is oleic acid (Oleic acid), Palma lactic acid (Palmatic acid), stearic acid (stearic aicd), linolenic acid (Linoleic acid), may be one or more selected from the group consisting of pre-stick acid (Myristic aicd) and lauric acid (lauric acid), the acid-based compounds hexyl phosphonic acid (Hexylphosphonic acid), octadecyl phosphonic acid (Octadecylphosphonic acid), tetradecyl phosphonic acid (Tetradecylphosphonic acid), hexadecyl phosphonic acid (hexadecylphosphonic acid), octadecyl phosphonic acid (Decylphosphonic acid), octyl phosphonic acid (Octylphosphonic acid) and butyl acid may be at least one selected from the group consisting of (Butylphosphonic acid).

상기 용매는 이에 한정되지는 않으나, 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Hexane, Octane, Trioctylphosphine (TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 용매 또는 두 개 이상의 혼합용매일 수 있다. The solvents include, but are not limited to, 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane (Squalane), 1-octadecene (ODE), Trioctylamine (TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Hexane, Octane, Trioctylphosphine (TOP) and Trioctylphosphine oxide may be daily for one solvent or a mixture of two or more selected from the group consisting of (TOPO).

상기 용매는 상기 인듐 전구체의 몰수와 갈륨 전구체의 몰수의 합 1mol 당 2~10mL일 수 있다. The solvent may be 2 ~ 10mL per 1mol sum of the number of moles and the number of moles of gallium precursor of the indium precursor. 상기 용매의 포함량이 상기 범위보다 적으면 전구체 용액의 안정도에 문제가 있고, 상기 범위보다 많으면 반응이 제대로 진행되지 않는 문제가 있다. If the amount contained in the solvent is less than the above range, a problem with the stability of the precursor solution, and a large reaction than the above range, there is a problem that is not proceeding properly.

상기 열분해 반응은 이에 한정되지는 않으나, 고온 주입(Hot injection) 또는 가열 승온(Heating up) 방법일 수 있다. The thermal decomposition reaction, but are not limited to, high temperatures can be injection (Hot injection) or the heating temperature was raised (Heating up) method. 고온 주입 및 가열 승온 방법은 고온에서 짧은 시간 안에 양자점을 제조할 수 있다는 장점이 있다. Injection temperature and the heating temperature increase method has the advantage of being able to prepare a quantum dot within a short period of time at a high temperature.

고온 주입(Hot injection) 방법은 구체적으로, 상기 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 계면활성제 및 용매의 혼합물을 아르곤, 질소, 암모니아 또는 진공 분위기에서 150 내지 400℃의 온도로 가열한 후, 상기 질소원을 100 내지 400℃의 온도로 고온 주입(Hot Injection) 함으로써 열분해 반응시키는 것이다. High temperature injection (Hot injection) method Specifically, the indium precursor, a gallium precursor, a surfactant, and then heating the mixture of the solvent in an argon, nitrogen, ammonia, or a vacuum atmosphere at a temperature of 150 to 400 ℃, the nitrogen source 100 to by high temperature injection (hot injection) at a temperature of 400 ℃ it is to pyrolysis.

상기 질소원을 고온 주입할 때, 용매와 혼합하여 주입할 수 있는데, 상기 용매는 이에 한정되지는 않지만, 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine, Tributylphosphine oxide, Trioctylphosphine(TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 용매 또는 두 개 이상의 혼합용매일 수 있다. When hot injecting the nitrogen source, there are mixed with the solvent can be injected, the solvent is limited thereto, but, 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane (Squalane), octadecene (ODE) is not, Trioctylamine ( TOA), Tributylphosphine, Tributylphosphine oxide, Trioctylphosphine (TOP) and Trioctylphosphine oxide (may be daily for one solvent or a mixture of two or more selected from the group consisting of TOPO).

가열 승온(Heating up) 방법은 구체적으로, 상기 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 계면활성제 및 용매의 혼합물에 질소원을 첨가한 후, 아르곤, 질소, 암모니아 또는 진공 분위기에서 150 내지 400℃의 온도로 열분해 반응을 진행하는 것이다. Heating temperature elevation (Heating up) method to be specific, the indium precursor, a gallium precursor, followed by the addition of nitrogen to the mixture of surfactant and solvent, argon, nitrogen, ammonia, or the thermal decomposition reaction at a temperature of 150 to 400 ℃ in a vacuum atmosphere, to proceed.

상기 서술된 방법으로 양자점을 제조한 후, 반용매(anti-solvent)를 첨가하여 양자점을 침전시킬 수 있다. After manufacturing the quantum dot by the above-described method, it is possible to precipitate the quantum dots by the addition of anti-solvent (anti-solvent). 상기 반용매(anti-solvent)로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 및 아세톤 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. Roneun the anti-solvent (anti-solvent) may be any one or more selected from the group consisting of methanol, ethanol, propanol, butanol and acetone.

또한, 침전된 양자점을 유기용매에 분산시킴으로써, 콜로이드 상의 양자점을 제조할 수 있다. Also, by dispersing the precipitated quantum dots in an organic solvent, it is possible to manufacture the colloidal quantum dots.

본 발명의 양자점은 콜로이드 분산액의 형태로 사용될 수 있으므로, 발광소자를 제조할 때, 재료의 사용효율이 낮은 진공 증착방법 대신에 재료의 사용효율이 높은 잉크젯 프린팅(Inkjet printing) 또는 전사 프린팅(Transfer Printing) 방법으로 발광소자를 제조할 수 있고, 상기 전사 프린팅의 경우 1 이하의 화소 패턴을 형성할 수 있으므로 기존의 디스플레이로는 달성하기 어려운 초고해상도의 디스플레이를 구현하는 것이 가능하다. Because the quantum dots of the present invention may be used in the form of a colloidal dispersion, the light emitting device when manufacturing, using a high efficiency jet printing (Inkjet printing) or transfer printing of materials, instead of the use efficiency of the material is low vacuum vapor deposition method (Transfer Printing ) method it is possible to manufacture a light emitting device, in the case of the transfer printing, it is possible to form a pixel pattern of 1 or less in an existing display, it is possible to implement a high resolution display of the second hard to achieve. 아울러, 콜로이드 분산액 형태의 양자점은 고온 증착 공정 없이도 기판 상에 형성될 수 있기 때문에, 내열성이 낮은 유연 기판 상에 적용이 용이하다. In addition, the colloidal dispersion in the form of quantum dots is because it can be formed on a substrate without the need for high-temperature deposition process, is easy to apply on the flexible substrate with low heat resistance. 뿐만 아니라, 콜로이드 양산법은 저가로 양자점의 생산이 가능하므로, 본 발명에 따른 양자점을 이용하면 비용을 절감할 수 있다. In addition, the colloidal mass production method because it can be produced at a low cost of the quantum dots, it is possible to reduce the cost when using a quantum dot according to the present invention. 즉, 콜로이드 분산액 형태로 이용이 가능한 본 발명의 양자점은 발광소자 또는 발광장치의 유연화, 박막화, 경량화, 고해상도 및 저가격화를 모두 달성할 수 있다. That is, the quantum dots of the present invention is available as a colloidal dispersion type can achieve all of the flexible, thin, light weight, high resolution and cost of the light emitting device or light emitting device.

상기 금속 질화물의 양자점은, 제조 과정에서 사용되는 금속전구체의 투입 비율을 조절함으로써, 비교적 간편하게 그 조성을 변화시킬 수 있으며(In x Ga 1 - x N, x는 0≤x≤1), 후술할 바와 같이, 조성에 따라 다양한 발광 특성을 가지므로, 이러한 성질을 이용하여 다양한 색상 및 밝기를 갖는 발광 소자를 제조할 수 있다. Quantum dots of the metal nitride, by adjusting the charge ratio of the metal precursor used during the manufacturing process, the relatively easily that composition can be varied, and (In x Ga 1 - x N, x is 0≤x≤1), as will be described later , it is possible because of the different light-emitting characteristics depending on the composition, using these properties to manufacture a device having a variety of color and brightness. 또한, 상기 금속 질화물의 양자점은 중금속이 사용되지 않아 독성이 없으므로, 각종 환경 규제를 통과할 수 있다. Further, the quantum dots of the metal nitride is not a do not use heavy metal toxicity, it can pass through the various environmental regulations.

한편, 상기 화학식 1에 있어서, 상기 x는 이에 한정되지는 않으나, 0.01≤x≤0.5의 범위를 가지는 것이 바람직할 수 있다. On the other hand, in the above-mentioned formula (I), wherein x, but are not limited to this, and it may be desired to have a range of 0.01≤x≤0.5. 인듐과 갈륨의 조성비에서 인듐의 비율이 작을수록, 양자점의 결함 준위(defect level)가 감소하여 발광 효율이 상승하기 때문이다. The smaller the proportion of indium in the composition ratio of indium and gallium, because by reducing the defect level (defect level) to the quantum dot light-emitting efficiency is raised.

또한, 상기 음극(20) 또는 양극(30)은 유리 기판, 투명 기판 또는 유연(flexible) 기판 상에 적층될 수 있다. In addition, the anode 20 or cathode 30 may be laminated on the glass substrate, a transparent substrate or flexible (flexible) substrate. 발광층(10)에 포함되는 상기 화학식 1로 표현되는 양자점은 상기 서술된 바와 같이, 콜로이드 분산액 형태로 적용이 가능하여 고온 증착 공정이 필요 없으므로, 유연 기판에의 적용이 가능하다. As the quantum dot is represented by the formula (1) contained in the light emitting layer 10 is as above described, to be applied to the colloidal dispersion form not require a high temperature deposition process, it can be applied to a flexible substrate. 상기 유연 기판의 소재는 이에 한정되지는 않지만, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate), 폴리이소프렌(PI,polyisoprene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르설폰(PES, polyether sulfone) 및 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 이루어진 것일 수 있고, 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate)로 이루어진 것일 수 있다. The material of the flexible substrate include, but are not limited to, polyethylene terephthalate (PET, Polyethylene terephthalate), polyisoprene (PI, polyisoprene), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), and the polycarbonate may be made of one or more selected from the group consisting of (PC, polyCarbonate), preferably may be made of a polyethylene terephthalate (PET, polyethylene terephthalate).

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 발광소자의 구조에 대해 상세히 설명한다. With reference to the accompanying drawings, a detailed description about the structure of the device of the present invention.

도 18은 본 발명의 일구현예에 따른 양자점 발광소자의 적층 구조의 개략 단면도를, 도 19는 본 발명의 다른 구현예에 따른 양자점 발광소자의 적층 구조의 개략 단면도를, 도 20은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 양자점 발광소자의 적층 구조의 개략 단면도를 도시한다. Figure 18 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure of the quantum dot light emitting device according to another embodiment of the schematic sectional view of a stacked structure of the quantum dot light-emitting device according to an embodiment of the invention, Figure 19 is the present invention, the 20 of the present invention and another embodiment the quantum dot shown schematic cross-sectional view of a laminated structure of a light emitting device according to the example.

도 18과 같이, 본 발명의 양자점 발광소자는 기판(40) 상부에 형성된 음극(20), 음극(20) 상에 형성된 양자점 발광층(10) 및 양자점 발광층(10) 상에 형성된 양극(30)을 포함하여 이루어진다. As shown in Figure 18, the quantum dot light emitting device of the present invention, a positive electrode 30 formed on the quantum dot light-emitting layer 10 and the QD light emitting layer 10 formed on the cathode 20, a cathode 20 formed on the upper substrate 40, It comprise.

본 발명의 양자점 발광층(10)은 전자 및 정공이 재결합하여 발광하는 층이며, 발광하는 부분은 발광층의 층내이거나, 인접층과의 계면일 수 있다. A layer of the quantum dot light emitting layer 10 of the present invention are electron and hole recombination light-emitting part which emits light or can be a layer of the light-emitting layer, the interface between the adjacent layers.

상기 양자점 발광층(10)의 두께는 막의 균질성, 발광시에 불필요한 고전압을 인가하는 것을 방지, 또는 구동 전류에 대한 발광색의 안정성 향상 등을 고려하여 조절될 수 있고, 이에 한정되지는 않지만, 2nm 내지 5㎛, 바람직하게는 2nm 내지 200nm의 범위, 더 바람직하게는 5nm 내지 100nm의 두께로 조절될 수 있다. The thickness of the quantum dot light-emitting layer 10 may be adjusted in consideration of the enhanced stability of the emission color, etc. for prevention, or a driving current that is unnecessary high voltage at the time of film uniformity, light-emitting, but are not limited to, 2nm to 5 ㎛, preferably in the range of 2nm to 200nm, more preferably it may be adjusted to a thickness of 5nm to 100nm.

또한, 양자점 발광층(10)은 인접한 층에 상기 화학식 1로 표현되는 양자점을 코팅함으로써 형성될 수 있는데, 형성 방법으로는 성막시킬 수 있는 모든 방법을 사용할 수 있고, 이에 한정되지는 않지만, 진공 증착법, 드롭-코팅법, 스핀-코팅법, 캐스트법, 다이 코팅법, 블레이드 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 인쇄법, 스프레이 코팅법, 커튼 코팅법, 나이프 코팅, 전사 프린팅 또는 랭뮤어블로젯(Langmuir Blodgett)법 등의 방법을 사용할 수 있고, 바람직하게는 드롭-코팅법, 스핀-코팅법, 다이코팅법, 블레이드 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 인쇄법, 스프레이 코팅법, 나이프 코팅법, 전사 프린팅 또는 커튼 코팅법을 사용할 수 있다. In addition, the quantum dot light emitting layer 10 may be formed by coating the quantum dots is expressed by the formula (1) in an adjacent layer, forming method used may be any method capable of film formation, but are not limited to, vacuum vapor deposition, drop-coating, spin-coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an inkjet printing method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, knife coating, transfer printing, or Langmuir Blodgett can be used a method such as (Langmuir Blodgett) method, preferably, drop-coating, spin-coating method, die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an inkjet printing method, a printing method, a spray coating method, a knife You can use the coating, transfer printing, or curtain coating.

음극(20)은 이에 한정되지는 않지만, ITO, Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF 2 /Al, BaF 2 / Ca/Al, Al, Mg, CsF/Al, CsCO 3 /Al, Au/Mg 또는 Ag/Mg일 수 있다. A negative electrode 20 include, but are not limited to, ITO, Ca, Ba, Ca / Al, LiF / Ca, LiF / Al, BaF 2 / Al, BaF 2 / Ca / Al, Al, Mg, CsF / Al, CsCO 3 / Al, Au / Mg or Ag / Mg may be.

양극(30)은 인듐-주석-산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 구리 산화물(ICO), Cd/ZnO, SnO 2 , In 2 O 3 , F/SnO 2 , In/SnO 2 , Ga/ZnO, MoO 3 , Ag/MoO 3 A positive electrode 30 is indium-tin-oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium copper oxide (ICO), Cd / ZnO, SnO 2, In 2 O 3, F / SnO 2, In / SnO 2, Ga / ZnO, MoO 3, Ag / MoO 3 또는 Al/ZnO 등이 도핑되거나 도핑되지 않은 산화물일 수 있지만, 이에 제한되지 않고 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 이리듐(Ir) 또는 탄소 나노튜브를 포함하는 금속층일 수 있다. Or but Al / ZnO, etc. may be doped or undoped oxides, without limitation, nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), iridium (Ir) or comprising carbon nanotubes It may be a metal layer. 아울러, 양극(30)은 연속막일 수 있고, 또는 패턴화되거나 임의의 방식으로 분포될 수 있는 마이크로 와이어 또는 나노 와이어로 구성될 수 있다. In addition, anode 30 may be may makil continuous, or patterned, or consist of micro-wires or nano-wire, which may be distributed in any manner.

그리고, 본 발명의 양자점 발광소자(10)는 도 18에 도시된 바와 같이, 음극(20)과 양자점 발광층(10) 사이에 전자 주입층(50)(EIL : Electron Injection Layer)을 포함할 수 있고, 양극(30)과 양자점 발광층(10) 사이에 정공 주입층(60)을 포함할 수 있다. Then, the quantum dot light emitting device 10 of the present invention, the cathode 20 and the electron injection layer 50 between the quantum dot light emitting layer 10 as shown in Figure 18: can include (EIL Electron Injection Layer), and and it may include a hole injection layer 60 between the anode 30 and the QD light emitting layer 10.

도 19에 도시된 본 발명의 다른 구현예에 따르면, 본 발명의 양자점 발광소자는 음극(20)과 양자점 발광층(10) 사이에 전자 주입층(50), 전자 수송층(51)(ETL : Electron Transport Layer) 및 정공 차단층(52)(HBL : Hole Blocking Layer)을 포함할 수 있고, 이럴 경우 음극(20) 상부에 전자 주입층(50), 전자 수송층(51) 및 정공 차단층(52) 순으로 적층되는 것이 바람직하다. According to another embodiment of the invention shown in Figure 19, the quantum dot light emitting device of the present invention, the negative electrode 20 and the quantum dot light-emitting layer 10, the electron injection layer 50, an electron transport layer (51) between (ETL: Electron Transport layer) and a hole barrier layer (52) (HBL: hole blocking layer) may include the negative electrode 20, the electron injection layer 50, an electron transport layer 51 and the hole-blocking layer (52 in the upper this case) in order to be stacked is preferable.

그러나, 도 19는 하나의 구현예에 불과할 뿐, 본 발명의 발광소자는 음극(20) 상부에, 전자 주입층(50), 전자 수송층(51) 및 정공 차단층(52) 중에서 하나의 층만 적층되거나, 두 개의 층이 적층되는 구조를 가질 수 있다. However, Figure 19 is as nothing but to one embodiment, the device of the present invention, the negative electrode 20 on the top, the electron injection layer 50, an electron transport layer 51 and the hole blocking layer 52 in a single layer only laminate or it may have a structure in which two layers are laminated. 전자 주입층(50) 및 전자 수송층(51)이 적층되는 구조일 경우, 음극(20) 상부에 전자 주입층(50), 전자 수송층(51) 순으로 적층되는 것이 바람직할 수 있다. When the electron injection layer 50 and the electron transport layer 51, the structure is laminated, the negative electrode 20, it may be desirable that the upper stacked in the electron injection layer 50, an electron transport layer 51 in order. 또한, 정공 차단층(52)이 전자 주입층(50) 또는 전자 수송층(51)과 함께 적층될 경우, 정공 차단층(52)이 전자 주입층(50) 또는 전자 수송층(51)의 상부에 적층되는 것이 바람직하다. The hole blocking layer 52, the electron injection layer 50, or when laminated with an electron transport layer 51, a hole blocking layer 52 is laminated on top of the electron injection layer 50 or the electron transport layer 51 to be preferred.

또한, 도 19에 도시된 본 발명의 다른 구현예에 따르면, 본 발명의 양자점 발광소자는 양극(30)과 양자점 발광층(10) 사이에 정공 주입층(60)(HIL : Hole Injection Layer), 정공 수송층(61)(HTL : Hole Transport Layer) 및 전자 차단층(62)(EBL : Electro Blocking Layer)을 포함할 수 있고, 이럴 경우 양자점 발광층(10) 상부에 전자 차단층(62), 정공 수송층(61) 및 정공 주입층(60)의 순서로 적층될 수 있다. Further, according to another embodiment of the invention shown in Figure 19, the quantum dot light emitting device, the anode 30 and the QD light emitting layer 10 on the hole injection layer 60 between the present invention (HIL: Hole Injection Layer), the hole transport layer (61) (HTL: hole transport layer) and the electron blocking layer 62 (EBL: Electro blocking layer) may include, in this case the quantum dot light emitting layer 10 electron blocking layer 62, a hole transport layer on the top ( 61) and it can be stacked in order of the hole injection layer 60.

그러나, 도 19는 하나의 구현예에 불과할 뿐, 본 발명의 발광소자는 양자점 발광층(10) 상부에, 전자 차단층(62), 정공 수송층(61) 및 정공 주입층(60) 중에서 하나의 층만 적층되거나, 두 개의 층이 적층되는 구조를 가질 수 있다. However, Figure 19 is as nothing but to one embodiment, the device of the present invention, the quantum dot light-emitting layer 10 is a layer only from the top, the electron blocking layer 62, a hole transport layer 61 and the hole injection layer 60 lamination, or it may have a structure in which a laminated two layers. 정공 주입층(60) 및 정공 수송층(61)이 적층되는 구조일 경우, 양자점 발광층(10) 상부에 정공 수송층(61), 정공 주입층(60) 순으로 적층되는 것이 바람직할 수 있다. When the hole injection layer 60 and the hole transport layer 61, a laminate structure, a quantum dot light-emitting layer 10, it may be desirable to be laminated to the hole transport layer 61, the hole injection layer 60 in order on the top. 또한, 전자 차단층(62)이 정공 주입층(60) 또는 정공 수송층(61)과 함께 적층될 경우, 전자 차단층(62)이 정공 주입층(60) 또는 정공 수송층(61)의 하부에 적층되는 것이 바람직할 수 있다. In addition, the electron blocking layer 62 is laminated on the lower portion of the hole injection layer 60 or the hole transport layer when laminated with a 61, the electron blocking layer 62, the hole injection layer 60 or the hole transport layer 61 it may be desirable that.

한편, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 기판(40) 상부에 음극(20)을 형성하여 발광소자를 제조할 수 있지만, 도 20에 도시된 바와 같이, 기판(40) 상부에 양극(30)을 형성하여 본 발명의 발광소자를 제조할 수도 있다. On the other hand, the substrate 40, as shown in Figure 18 and Figure 20, can be produced a light-emitting device by the upper substrate 40 form the cathode 20, as shown in Figure 19, the positive electrode at the top ( 30) can also be produced a light-emitting device of the present invention was formed. 이럴 경우, 기판(40) 상부에 음극(20)을 형성하는 발광소자와는 역(reverse)구조의 발광소자를 형성하게 된다. In this case, the light-emitting element for forming a negative electrode 20 on the upper substrate 40 is formed the light emitting element of the inverse (reverse) structure.

전자 주입층(50)은 음극(20)으로부터 양자점 발광층(10) 방향으로 전자 주입을 용이하게 해주는 역할을 하고, 전자 수송층(50)은 음극(20)으로부터 양자점 발광층(10)으로 전자를 전송하는 역할을 한다. The electron injection layer 50 is to transport electrons into the quantum dot light emitting layer 10 from the cathode 20 serves to facilitate the electron injection into the quantum dot light-emitting layer 10, the direction from the cathode 20 and the electron transport layer 50, the roles. 또한, 정공 차단층(50)은 전자의 흐름을 방해하지 않으면서 정공이 전자 수송층(51) 또는 전자 주입층(50)으로 확산되는 현상을 막는 역할을 한다. The hole blocking layer 50 serves to prevent the phenomenon without interfering with the flow of the electronic document is a hole from diffusing into the electron transport layer 51 or the electron injection layer 50.

전자 수송층(51) 또는 전자 주입층(50) 물질은, TiO 2 , ZnO, SiO 2 , SnO 2 , WO 3 , Ta 2 O 3 , BaTiO 3 , BaZrO 3 , ZrO 2 , HfO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , ZrSiO 4 , SnO 2 , TPBI 또는 TAZ일 수 있고, 바람직하게는 ZnO 일 수 있다. An electron transport layer 51 or the electron injection layer 50, material, TiO 2, ZnO, SiO 2 , SnO 2, WO 3, Ta 2 O 3, BaTiO 3, BaZrO 3, ZrO 2, HfO 2, Al 2 O 3 , Y may be a 2 O 3, ZrSiO 4, SnO 2 may be, or TPBI TAZ, preferably ZnO.

정공 차단층(52)의 물질은 전자의 흐름을 방해하지 않으면서 정공을 차단할 수 있는 물질이면 모두 가능하며, 이에 한정되지는 않지만, (8-하이드록시퀴놀리놀라토)리튬(Liq), 비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄비페녹사이드(BAlq), 바쏘쿠프로인(bathocuproine, BCP), LiF 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. Material of the hole-blocking layer 52 be either a substance that can block the hole without interrupting the flow of electrons, and, but not limited to, (8-hydroxy-quinolinolato) lithium (Liq), bis It may be a non-aluminum phenoxide (BAlq), a (bathocuproine, BCP), LiF, or any combination thereof to the Basso COOP - (8-hydroxy-2-methyl-quinolinol NATO). 또한, 정공 차단층(52)은 통상적인 성막 형성 방법으로 형성될 수 있고, 이에 한정되지는 않으나, 스핀-코팅방법 등으로 형성될 수 있다. The hole blocking layer 52 may be formed by a conventional film formation method for forming, but are not limited to, spin-coating method, etc. it can be formed in.

정공 주입층(50)은 양극(30)으로부터 양자점 발광층(10) 방향으로 정공의 주입을 용이하게 해주는 역할을 하고, 정공 수송층(61)은 양극(30)으로부터 양자점 발광층(10)으로 정공을 전송하는 역할을 한다. A hole injection layer 50 serves to facilitate the hole injection into the quantum dot light-emitting layer 10, the direction from the anode 30, the hole transport layer 61 is transferred to the hole in the quantum dot light emitting layer 10 from the anode 30 It serves to. 또한, 전자 차단층(62)은 정공의 흐름을 방해하지 않으면서 전자가 정공 수송층(61) 또는 정공 주입층(60)으로 확산되는 현상을 막는 역할을 한다. In addition, the electron blocking layer 62 serves to prevent the phenomenon without interfering with the flow of the hole, standing the electrons are diffused into the hole transport layer 61 or the hole injection layer 60.

정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)을 구성하는 물질은 이에 한정되지는 않지만, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (PEDOT:PSS), 폴리-N-비닐카바졸, 폴리페닐렌-비닐렌, 폴리파라페닐렌, 폴리메타크릴레이트 유도체, 폴리(9,9-옥틸플루오렌), 폴리(스피로-플루오렌), TPD, NPB, CBP, HAT-CN, 트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)디페닐아민(TFB), 폴리[2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](MEH-PPV), 폴리[2-메톡시-5-(3',7'-디메틸옥틸옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](MDMO-PPV), 테트라플루오로-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), 아릴아민(arylamine), NiO, MoO 3 , Cr 2 O 3 , Bi 2 O 3 , ZnO, MoS 2 , GaN 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. A material constituting the hole injection layer (HIL) or hole transport layer (HTL) include, but are not limited to, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT: PSS), poly -N- vinylcarbazole, polyphenylene alkylene-vinylene, polyparaphenylene, polymethacrylate derivatives, poly (9,9-dioctyl fluorene), poly (spiro-fluorene), TPD, NPB, CBP, HAT-CN, tris (3-methylphenyl phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), poly (9,9'-dioctyl-fluorene-co -N- (4- butylphenyl) diphenylamine (TFB), poly [2-methoxy-5- (2'-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV), poly [2-methoxy-5- (3 ', 7'-dimethyl-octyloxy) -1,4- phenylenevinylene] (MDMO-PPV), tetrafluoroethylene-tetrahydro-dicyano-quinolyl nodi methane (F4-TCNQ), arylamine (arylamine), NiO, MoO 3 , Cr 2 O 3, Bi 2 O 3, ZnO, MoS 2, may be a GaN or any combination thereof.

본 발명은 상기 양자점 발광소자를 포함하는 발광장치를 제공한다. The present invention provides a light emitting device including the quantum dot light emitting device. 상기 발광장치는 본 발명에 따른 발광소자를 포함하는 제반 장치로서, 예컨대 화상 표시 장치(디스플레이 장치)와 같이 발광소자를 이용하는 각종 전자 기기나 또는 조명 장치일 수 있다. The light emitting device may be a variety of electronic devices and or lighting apparatus using a light emitting element such as an overall apparatus including a light emitting device according to the present invention, for example, an image display device (display device).

또한, 본 발명은 기판 상부(40)에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상부에 하기 화학식 1로 표현되는 금속 질화물의 양자점을 함유하는 발광층(10)을 형성하는 단계, 및 상기 발광층(10) 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention includes the steps of forming a light emitting layer 10 containing the following quantum of a metal nitride represented by the general formula (1) in steps, wherein the first electrode upper portion forming a first electrode over the substrate 40, and the light-emitting layer 10 provides the method of manufacturing, the quantum dot light emitting device and forming a second electrode on the top.

[화학식 1] Formula 1

In x Ga 1 - x N In x Ga 1 - x N

(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.) (In Formula 1, x is in the range of 0≤x≤1.)

본 발명의 상기 화학식 1로 표현되는 양자점을 콜로이드 분산액 형태로 발광층(10)을 제조할 경우, 상기 발광층은 이에 한정되지는 않지만, 스핀-코팅법, 다이코팅법, 블레이드 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 인쇄법, 스프레이 코팅법, 나이프 코팅법, 전사 프린팅 및 커튼 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 상기 제1전극 상부에 형성될 수 있다. When the quantum dot is represented by Formula 1 of the present invention to manufacture a light-emitting layer 10 to the colloidal dispersion form, the light-emitting layer include, but are not limited to, spin-coating method, die coating method, a blade coating method, a roll coating method, the ink jet printing method, a printing method, a spray coating method, knife coating, transfer printing, curtain coating method, one or more methods selected from the group consisting of may be formed above the first electrode.

상기에 나열된 방법들은 가열 공정 없이 액상 기재로 막을 형성하는 방법들로서, 내열성이 낮은 유연 기판 상에 발광층을 제조할 때 적합하다. The methods listed above are as the method of forming a film with a liquid base material without the heating step, it is suitable when manufacturing a light-emitting layer on a flexible substrate with low heat resistance. 따라서, 분산성이 우수한 본 발명에 따른 인듐갈륨계 양자점은 액상의 콜로이드 분산액 형태로 제조될 수 있는바, 상기 방법들을 용이하게 이용할 수 있지만, 분산성이 낮은 양자점의 경우에는 콜로이드 분산액 형태가 아닌 분말 상태로 사용되므로, 상기 방법들로 코팅되는 것이 매우 어렵고, 고온의 증착 공정이 필수적이다. Thus, the minute indium gallium quantum dot according to the high acidity present invention can be a bar, which may be prepared as a colloidal dispersion in the form of a liquid, easily utilize the method, in the case of low dispersibility quantum dots is not a colloidal dispersion form of powder are used in the state, it is very difficult to be coated with said method, it is essential for the high temperature deposition process.

또한, 상기 제1전극은 음극(20) 또는 양극(30)일 수 있고, 상기 제1전극이 음극(20)일 경우, 상기 제2전극은 양극(30)이 바람직하며, 상기 제1전극이 양극(30)일 경우, 상기 제2전극은 음극(20)이 바람직하다. In addition, the first electrode may be a cathode 20 or anode 30, if the first electrode is the cathode 20, the second electrode and the positive electrode 30 is preferred, the first electrode when the positive electrode 30, the second electrode is preferably a negative electrode (20).

상기 제1전극과 발광층(10)의 사이, 및 발광층(10)과 제2전극 사이에는 전자 또는 정공의 주입, 수송 및 차단과 관련된 층들이 추가로 형성될 수 있는데, 상기 추가로 형성될 수 있는 층들의 순서 및 구성 물질은 상기 발광소자에 대해 서술한 내용과 동일하다. Between the first electrode and the light emitting layer 10, and the light emitting layer 10 and the second between the electrodes it may be layer associated with the electron or hole injecting, transporting and blocking are formed in addition, which can be formed by the add procedure and materials of construction of the layers is the same as the contents described in relation to the light-emitting element.

또한, 상기 제조방법에서 기판(40)은 통상적으로 사용되는 유리 기판, 투명 기판 또는 유연 기판일 수 있고, 유연 기판에 대한 설명은 상기 발광소자에 대해 서술한 내용과 동일하다. In addition, the substrate 40 in the above-mentioned production method may be a glass substrate, a transparent substrate or a flexible substrate that is normally used, a description of the flexible substrate is the same as the contents described in relation to the light-emitting element.

이하 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하지만, 하기에 개시되는 본 발명의 실시 형태는 어디까지 예시로써, 본 발명의 범위는 이들의 실시 형태에 한정되지 않는다. As illustrated below to embodiments of the invention disclosed it will be described in more detail based on Examples, but the present invention to, where is, the scope of the invention is not limited to the embodiments thereof. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 표시되었고, 더욱이 특허 청구범위기록과 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 함유하고 있다. The scope of the present invention may contain all the modifications within been shown in the claims, and further claims the recording and equivalent meaning and scope. 또한, 이하의 실시예, 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다. In addition, the following Examples and Comparative Examples, "%" and "parts" representing the content is in a mass basis unless otherwise noted.

< 실시예 - 양자점의 합성 > <Examples-synthesis of the quantum dot>

1. 사용된 시약들 1. The use of reagents

본 발명의 실시예에서는, 1-octadecene(ODE, 90%), oleic acid(OA, 90%), Indium(III) acetylacetonate(In(acac) 3 , 99.99%), Gallium(III) acetylacetonate(Ga(acac) 3 , 99.99%), hexamethyldisilazane(HMDS, 99.9%), Tris(trimethylsilyl)amine(TMSA, 99.9%), N,N-Bis(trimethylsilyl)methylamine (TMSMA, 99.9%) 및 Ammonia(99.9%)이 사용 되었으며, 모든 시약은 Sigma-aldrich에서 구입을 진행하였다 According to an embodiment of the present invention, 1-octadecene (ODE, 90 %), oleic acid (OA, 90%), Indium (III) acetylacetonate (In (acac) 3, 99.99%), Gallium (III) acetylacetonate (Ga ( acac) 3, 99.99%), hexamethyldisilazane (HMDS, 99.9%), Tris (trimethylsilyl) amine (TMSA, 99.9%), N, N-Bis (trimethylsilyl) methylamine (TMSMA, 99.9%) , and Ammonia (99.9%) a was used, all reagents were purchased from Sigma-aldrich forward

2. Hot 2. Hot Injection 방법을 이용한 양자점 합성( 실시예 1~15) Injection quantum dot synthesis using the method (Examples 1-15)

Hot injection 방법을 이용한 열분해 합성 방법을 기초로 합성을 진행하였으며, 수분과 산소를 차단 및 제거하기 위하여 Schlenk line 을 이용하였다. Was conducted for synthesis on the basis of pyrolytic synthesis method using a Hot injection method, a Schlenk line was used to cut off and remove moisture and oxygen.

갈륨 전구체로 Ga(acac) 3 를, 인듐 전구체로 In(acac) 3 를 이용하였으며, In x Ga 1-x N의 x를 조절하기 위하여 In(acac) 3 를 x mol, Ga(acac) 3 을 (1-x) mol, ODE 4.52mL, 및 OA 0.6 ~ 2.2 mmol로 조절하여 금속 올레인산염(metal oleate) 용액을 합성하였다. In order to gallium precursors Ga (acac) 3, was used for In (acac) 3 as indium precursor, to adjust the x of the In x Ga 1-x N In (acac) 3 to the x mol, Ga (acac) 3 (1-x) mol, adjusted to ODE 4.52mL, 0.6 ~ 2.2 mmol, and OA was synthesized oleic metal phosphate (metal oleate) solution. 상기 반응 온도는 300℃ 조건을 이용하였으며, 온도를 올리는 속도는 1 분당 10 ℃씩 올리면서 반응을 진행하였다. The reaction temperature was 300 ℃ use conditions, the temperature raising rate was conducted by raising the reaction 10 ℃ 1 minute.

상기 금속 올레인산염 용액의 온도가 300℃가 되었을 때, TOP 0.9mL와 질소원이 섞인 용액을 주사기를 이용하여 금속 올레인산염 용액에 빠르게 고온 주입(hot injection) 해 준 후, 30 분 동안 반응을 진행시키면 양자점의 합성이 끝난다. When the temperature of the metal phosphate solution is an oleic 300 ℃, TOP 0.9mL and nitrogen source is mixed with a solution injected into a high temperature quickly oleic metal phosphate solution by using a syringe after it gave (hot injection), when the reaction proceeds for 30 minutes the ends of the quantum dot synthesis.

이 후, 용액의 온도가 다 내려간 후, 반용매(antisolvent)로 메탄올(methanol)을 이용하여 양자점을 침전시킨 후 헥산에 양자점을 분산시켰다. Thereafter, after the temperature of the solution down, the quantum dots dispersed in hexane was precipitated quantum dots with methanol (methanol) to the anti-solvent (antisolvent).

상기 제조방법에 따른 다양한 인듐갈륨 금속 질화물의 양자점의 실시예를 아래 표 1과 같이 인듐과 갈륨의 조성비(In x Ga 1 - x N), 질소원의 종류와 이의 투입량, 및 OA 투입량을 조절하여 제조하였다. The embodiments of the various indium gallium metal nitride quantum dots according to the method for example as in the below Table 1 the composition ratio of indium and gallium (In x Ga 1 - x N), a nitrogen source, the type and amount thereof, and prepared by adjusting the OA input It was. 실시예 14 및 15는 기체상으로 버블링(bubbling) 시킨 암모니아를 질소원으로 사용하였다. Examples 14 and 15 was used as the bubble (bubbling) in which the ammonia into the gas phase with nitrogen.

양자점 조성 Quantum dot composition (x) 값 (X) value (1-x) 값 (1-x) values 질소원 종류 및 투입량(mmol) Nitrogen type and amount (mmol) OA 투입량 OA dose
(mmol) (Mmol)
실시예 1 Example 1 GaN GaN 0 0 1 One HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 2 Example 2 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 3 Example 3 In 0 .5 Ga 0 .5 N In 0 .5 Ga 0 .5 N 0.5 0.5 0.5 0.5 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 4 Example 4 In 0 .75 Ga 0 .25 N In 0 .75 Ga 0 .25 N 0.75 0.75 0.25 0.25 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 5 Example 5 InN InN 1 One 0 0 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 6 Example 6 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 0.6 0.6
실시예 7 Example 7 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 2.2 2.2
실시예 8 Example 8 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSA, 0.5 TMSA, 0.5 0.6 0.6
실시예 9 Example 9 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSA, 0.5 TMSA, 0.5 1.2 1.2
실시예 10 Example 10 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSA, 0.5 TMSA, 0.5 2.2 2.2
실시예 11 Example 11 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSMA, 0.25 TMSMA, 0.25 1.2 1.2
실시예 12 Example 12 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSMA, 0.5 TMSMA, 0.5 1.2 1.2
실시예 13 Example 13 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 TMSMA, 1.0 TMSMA, 1.0 1.2 1.2
실시예 14 Example 14 In 0 .35 Ga 0 .75 N In 0 .35 Ga 0 .75 N 0.35 0.35 0.75 0.75 암모니아, 1 Ammonia, 1.2 1.2
실시예 15 Example 15 In 0 .35 Ga 0 .75 N In 0 .35 Ga 0 .75 N 0.35 0.35 0.75 0.75 암모니아, 1 Ammonia, 1.2 1.2

3. Heating 3. Heating up 방법을 이용한 양자점 합성( 실시예 16~22) up method using a quantum dot synthesis (Examples 16-22)

가열 승온(Heating up) 방법을 이용한 열분해 합성 방법을 기초로 합성을 진행하였으며, 수분과 산소를 차단 및 제거하기 위하여 Schlenk line을 이용하였다. Was conducted for synthesis on the basis of pyrolytic synthesis method using a heating temperature raising method (Heating up), a Schlenk line was used to cut off and remove moisture and oxygen.

갈륨 전구체로 Ga(acac) 3 를, 인듐 전구체로 In(acac) 3 를 이용하였으며, In x Ga 1-x N의 x를 조절하기 위하여 In(acac) 3 를 x mol, Ga(acac) 3 을 (1-x) mol, ODE 4.52 mL, 및 OA 0.6 ~ 2.2 mmol로 조절하였으며, 이 용액에 TOP 0.9 mL과 질소원인 HMDS 0.5 mmol을 함께 섞어준 후 용액의 온도를 300 ℃ 로 올려서 30 분 동안 반응을 진행시키면 양자점의 합성이 끝난다. In order to gallium precursors Ga (acac) 3, was used for In (acac) 3 as indium precursor, to adjust the x of the In x Ga 1-x N In (acac) 3 to the x mol, Ga (acac) 3 (1-x) mol, ODE 4.52 mL, and OA was adjusted to 0.6 ~ 2.2 mmol, TOP 0.9 mL to the solution and the nitrogen source HMDS by raising the temperature after the semi-mixed with a 0.5 mmol solution in 300 ℃ reaction for 30 minutes when you proceed to end the synthesis of quantum dots.

이 후, 용액의 온도가 다 내려간 후, 반용매로 메탄올을 이용하여 양자점을 침전시킨 후 헥산에 양자점을 분산시켰다. Thereafter, after the temperature of the solution is down, then with methanol as anti-solvent to precipitate the quantum dots were dispersed quantum dots in hexane.

상기 제조방법에 따른 다양한 인듐갈륨 금속 질화물의 양자점의 실시예를 아래 표 2와 같이 인듐과 갈륨의 조성비(In x Ga 1 - x N)를 조절하여 제조하였다. It was produced by controlling the - embodiment of various indium gallium metal nitride according to the production method for the quantum dot indium and gallium composition ratio (N x In x Ga 1) as shown below in Table 2.

양자점 조성 Quantum dot composition (x) 값 (X) value (1-x) 값 (1-x) values 질소원 종류 및 투입량(mmol) Nitrogen type and amount (mmol) OA 투입량 OA dose
(mmol) (Mmol)
실시예 16 Example 16 GaN GaN 0 0 1 One HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 17 Example 17 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 18 Example 18 In 0 .5 Ga 0 .5 N In 0 .5 Ga 0 .5 N 0.5 0.5 0.5 0.5 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 19 Example 19 In 0 .75 Ga 0 .25 N In 0 .75 Ga 0 .25 N 0.75 0.75 0.25 0.25 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 20 Example 20 InN InN 1 One 0 0 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 1.2 1.2
실시예 21 Example 21 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 0.6 0.6
실시예 22 Example 22 In 0 .25 Ga 0 .75 N In 0 .25 Ga 0 .75 N 0.25 0.25 0.75 0.75 HMDS, 0.5 HMDS, 0.5 2.2 2.2

< 제조예 - 발광소자의 제조 > <Production Example - Preparation of light emitting device>

상기 In 0.25 Ga 0.75 N 양자점을 포함하는 발광소자를 아래 제조예 1 내지 3과 같이 제조하였고, 본 제조예의 양자점 발광소자를 타나내는 개략적인 단면도를 도 18에 도시하였으며, 전자 주입층, 발광층 및 정공 주입층의 에너지 다이어그램을 도 20에 도시하였다. The In 0.25 Ga 0.75 the N light-emitting device including the quantum dots were prepared in the following Preparation Example 1-3, was a schematic cross-sectional views that appear to present manufacturing example quantum dot light-emitting element shown in Figure 18, an electron injection layer, emission layer and hole an energy diagram of an injection layer is shown in Figure 20.

제조예 1. CBP를 정공 주입 물질로 사용(DEVICE A) Preparation Example 1 using CBP as a hole injection material (A DEVICE)

본 발명의 양자점 발광 소자(QD-LED) 제조예 1은 ITO/ZnO(40nm)/In 0.25 Ga 0.75 N CQDs(10nm)/HTL(60-80 nm)/MoO 3 (10nm)/Ag(100nm)의 구조로 제작되었다. A quantum dot light emitting device of the present invention (QD-LED) Preparation Example 1 was ITO / ZnO (40nm) / In 0.25 Ga 0.75 N CQDs (10nm) / HTL (60-80 nm) / MoO 3 (10nm) / Ag (100nm) as the structure was built. 유연한 PET 필름 위에 코팅된 ITO 박막을 유기 용매로 세척한 후, 10분 동안 산소(O 2 ) 플라즈마 처리를 하였다. After the ITO thin film coated on a flexible PET film was washed with an organic solvent, and oxygen (O 2) plasma treatment for 10 minutes. 그 후, 45mg/mL 농도의 ZnO 나노입자 용액(용매 : 부탄올)을 두께가 40nm로 될 때까지 스핀-코팅법으로 ITO 기판에 코팅시킨 후, 30분 동안 150℃에서 건조시킴으로써, 전자 주입층을 제작하였다. Then, ZnO nanoparticle solution of 45mg / mL concentration (solvent: butanol), the thickness of spin until the 40nm - drying in was coated on the ITO substrate in the coating method, 150 ℃ for 30 minutes, an electron injection layer It was produced.

발광층을 제작하기 위하여, 상기 실시예에서 제조된 In 0.25 Ga 0.75 N 콜로이드 양자점을 7.5mg/mL의 농도로 옥테인에 용해시킨 후, 10nm의 두께가 될 때까지 스핀-코팅법으로 상기 제작된 전자 주입층 위에 코팅시켰고, 이렇게 제작된 발광층 위에 정공 주입 물질인 CBP를 열 증착법을 이용하여 1~1.5[Å/s]의 속도로 CBP 층의 두께가 60nm로 될 때까지 증착함으로써 정공 주입층을 제작하였다. In order to produce a light emitting layer, said implement the In 0.25 Ga 0.75 N colloidal quantum dots prepared in Example at a concentration of 7.5mg / mL was dissolved in octane, spin until the thickness of 10nm - of the coatings produced by method E sikyeotgo coated on the injection layer, by depositing up to this time by thermal evaporation of CBP of the hole injection material over the fabricated light-emitting layer is 1 ~ 1.5 [Å / s] of the CBP layer thickness at a rate which will be a 60nm making a hole injection layer It was. 양극은 상기 정공 주입층 위에 MoO 3 및 은(Ag)을 두께가 각각 10nm 및 100nm로 될 때까지 열 증착법으로 증착하였다. Anode was deposited by thermal evaporation until the MoO 3 and silver (Ag) on the hole injection layer thickness is 10nm and 100nm, respectively.

제조예 2. CBP 및 TPBi를 정공 주입 물질로 사용(DEVICE B) Preparation Example 2 using CBP as a hole injection material and TPBi (DEVICE B)

상기 제조예 1에서, 발광층과 CBP(60nm) 사이에 5nm 두께의 TPBi가 삽입된 구조로 제작하였고, TPBi는 열 증착법으로 증착되었다. In the Production Example 1, it was fabricated with the light emitting layer with CBP (60nm) The inserted structure TPBi of 5nm thickness between, TPBi was deposited by thermal evaporation.

제조예 3. CBP 및 HAT-CN을 정공 주입 물질로 사용(DEVICE C) Preparation Example 3 using CBP and HAT-CN as a hole injection material (DEVICE C)

상기 제조예 1에서, 양극과 CBP(60nm) 사이에 20nm 두께의 HAT-CN이 삽입된 구조로 제작하였고, HAT-CN은 열 증착법으로 증착되었다. In the Production Example 1, a positive electrode was manufactured and CBP (60nm) HAT-CN, the inserted structure of 20nm thickness between, HAT-CN was deposited by thermal evaporation.

제조예 4. 유연 기판 상에 제조 Production Example 4 fabricated on a flexible substrate

상기 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하되, 기판만 유연 기판(ITO coated PET, Sigma-Aldrich, 60Ω)으로 대체하여 발광소자를 제조하였다. It was prepared in the same way as Preparation Example 1, the substrate only replaced by the flexible substrate (ITO coated PET, Sigma-Aldrich, 60Ω) A light emitting device was produced.

< 실험예 > <Experiment>

실험예 1. 양자점(CQDs)의 In Experimental Example 1. The quantum dot (CQDs) XRD 특성 XRD characteristics

본 발명의 양자점의 XRD 특성을 Rigaku, D.MAZX 2500V/PC를 이용하여 측정하였다. The XRD properties of the quantum dots of the present invention was measured using a Rigaku, D.MAZX 2500V / PC.

실시예 1(x=0), 실시예 2(x=0.25) 및 실시예 3(x=0.5)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 XRD 결과를 도 1 (a)에, 실시예 3(x=0.5) 및 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1-x N의 XRD 결과를 도 1 (b)에 나타내었다. Example 1 (x = 0), Example 2 (x = 0.25) and Example 3 (x = 0.5) of In x Ga 1 prepared in-the XRD results of x N in Figure 1 (a), Example 3 (x = 0.5) and carried out are shown in examples 4 (x = 0.75) 1 ( b) is also a result of XRD of the produced x Ga 1-x N in in. 또한, 실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5) 및 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 Ga3d binding position을 도 1(c)에, N1s binding position을 도 1(d)에 나타내었다. In Examples 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5) and Example 4 (x = 0.75) of In x Ga 1 prepared in-the x N of Ga3d binding position 1 (c) is also a, N1s the binding position is shown in FIG. 1 (d).

상기 결과로부터 InN은 큐빅 구조(Cubic structure)이고, GaN는 6방정계 구조(Hexagonal structure)라는 것을 확인하였다. And InN is cubic structure (Cubic structure) From the above results, it was confirmed that the GaN is a hexagonal structure (Hexagonal structure). 이를 통하여 각 양자점의 결정구조를 알 수 있었으며, 각 금속의 비율 변화에 따른 결정 구조의 변화 양상을 알 수 있었다. Through this was unknown crystal structure of each of the quantum dots, it can be seen the change of the crystal structure in accordance with the change ratio of the respective metal.

실험예 2. 양자점(CQDs)의 밴드 갭 특성 Experimental Example 2. The band gap characteristics of the quantum dots (CQDs)

본 발명의 양자점의 밴드 갭 특성을 Varian사의 Cary Eclipse 장비 이용하여 측정하였으며, 양자점을 유기용매 헥산에 분산시킨 후 밴드갭을 측정하였다. The bandgap properties of the quantum dots of the present invention was measured using Varian Cary Eclipse's equipment, the band gap was measured after dispersion of quantum dots in an organic solvent: hexane.

실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5) 및 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 UV-vis absorption spectra를 도 2 (a)에, PL spectra를 도 2 (b)에 나타내었다. To x N of the UV-vis absorption spectra 2 (a ) is also a - Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5) and Example 4 (x = 0.75) of In x Ga 1 produced in the PL spectra are shown in Fig 2 (b). 또한, 올레인 산(OA)의 사용량에 따른 In x Ga 1 - x N의 PL spectra를 도 2 (c)에, UV-vis absorption spectra를 도 2 (d)에 나타내었다. In addition, oleic acid (OA) In x Ga 1 according to the amount of the-x N of the PL spectra are shown in the Fig. 2 (c) 2 is also a, UV-vis absorption spectra in (d).

또한, 실시예 8(OA=0.6mmol), 실시예 9(OA=1.2mmol) 및 실시예 10(OA=2.2mmol)에서 제조된 InxGa1-xN의 올레인 산(OA)의 사용량에 따른 UV-vis absorption spectra를 도 2 (e)에, PL spectra를 도 2 (f)에 나타내었다. In Examples 8 (OA = 0.6mmol), Example 9 (OA = 1.2mmol) and Example 10 (OA = 2.2mmol) UV- according to the amount of the InxGa1-xN of oleic acid (OA) manufactured by a vis absorption spectra to 2 (e), and Fig. the PL spectra are shown in 2 (f).

또한, 실시예 11(TMSMA=0.25mmol), 실시예 12(TMSMA=0.5mmol) 및 실시예 13(TMSMA=1mmol)에서 제조된 InxGa1-xN의 TMSMA의 사용량에 따른 UV-vis absorption spectra를 도 2 (g)에, PL spectra를 도 2 (h)에 나타내었다. In Examples 11 (TMSMA = 0.25mmol), Example 12 (TMSMA = 0.5mmol) and Example 13 (TMSMA = 1mmol) of InxGa1-xN the UV-vis absorption spectra of the amount of the TMSMA 2 prepared in to (g), the PL spectra are shown in Figure 2 (h).

실시예 14(x=0), 실시예 15(x=0.5)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 UV-vis absorption spectra를 도 17 (a)에, PL spectra를 도 17 (b) 및 도 17 (c)에 나타내었다. Example 14 (x = 0), Example 15 (x = 0.5) of In x Ga 1 manufactured by - x N of the UV-vis absorption 17 to the spectra of 17 (a) also, PL spectra of (b) and is shown in FIG. 17 (c).

상기 결과로부터, HMDS, TMSA, TMSMA 및 암모니아를 N-source로 이용하여 양자점을 제조할 수 있다는 것을 알 수 있었다. From the above results, by using HMDS, TMSA, TMSMA and ammonia as N-source was found that it is possible to produce a quantum dot.

또한, 상기 결과로부터, HMDS를 N-source로 이용할 때 반응성 가장 좋고, 그 다음으로TMSA, TMSMA 순으로 반응성이 좋다는 것을 알 수 있었다. Further, from the above results, the best and reactivity when using HMDS as N-source, it was found that the following with good reactivity with TMSA, TMSMA order.

또한, 상기 결과로부터, HMDS 를 N-source로 이용한 실시예 2 내지 실시예 4가 양자점 입자의 크기(particle size)를 키우는 데에 효과적이었으며, 그 다음으로 TMSA, TMSMA 순으로 밴드 갭 컨트롤이 용이하다는 것을 알 수 있었다. Further, from the results, was effective in raising Examples 2 to Example 4, the size of the quantum dot particles (particle size) using HMDS as N-source, followed by TMSA, TMSMA that the net easily band gap control I could see that.

또한 PL-QY 의 차이를 도 14에 나타내었다. Also it is shown in Figure 14 the difference between the PL-QY. 이를 통해 HMDS를 이용할 경우가 가장 높은 것으로 나타나고 있으며, TMSMA를 사용할 경우 다른 N-source를 이용할 경우보다 약 8 % 가량 PL-QY 가 감소하는 경향을 확인할 수 있다. This has appeared to be the highest when using HMDS, when using the TMSMA can see the tendency to about 8% PL QY-reduction than when using other N-source.

실험예 3. 조성 및 온도에 따른 PL ( Photoluminescence )의 특성 Experimental Example 3. Characteristics of PL (Photoluminescence) according to the composition and temperature

본 발명의 In x Ga 1 - x N 양자점의 PL 특성을 MIRA laser (λ= 375 nm, Exc power: 1.1 mW)를 이용하여 측정하였다. In x Ga 1 of the present invention - the PL properties of the x N quantum dot laser MIRA: was measured using a (λ = 375 nm, Exc power 1.1 mW).

실시예 1(x=0)(도 3 (a)), 실시예 2(x=0.25)(도 3 (b)), 실시예 3(x=0.5)(도 3 (c)) 및 실시예 4(x=0.75)(도 3 (d))에서 제조된 In x Ga 1 - x N 양자점이 코팅된 Si 기판을 이용하여, 각 조성에 있어서 온도에 따른 피크 강도의 변화를 살펴보고, 이를 도 3에 나타내었다. Example 1 (x = 0) (Fig. 3 (a)), Example 2 (x = 0.25) (Fig. 3 (b)), Example 3 (x = 0.5) (Fig. 3 (c)) and Example 4 (x = 0.75) (Fig. 3 (d)) of in x Ga 1 manufactured by - using a x N Si substrate a quantum dot coating, looking at the change in peak intensity with temperature according to each composition, also it 3 shows a. 금속 조성에 따라서 발광 파장 및 피크의 세기가 변화하는 것을 알 수 있으며, 온도가 높아질수록 피크의 세기가 약해지는 것을 알 수 있었다. It is seen that the intensity of the emission wavelength and a peak varies with the composition and the metal, the higher the temperature it was found that the intensity of the peak becomes about.

실험예 4. 양자점(CQDs)의 X-선 흡수분광학 ( XAFS ) 특성 Experimental Example 4. X- ray absorption spectroscopy (XAFS) characteristics of the quantum dots (CQDs)

본 발명의 양자점의 X-선 흡수분광학적 특성을 포항 방사광 가속기(포항공대 소속)를 이용하여 측정하였다. An X- ray absorption spectroscopic characteristics of the quantum dots of the present invention was measured using a radiation Pohang Accelerator (Pohang University of Science and Technology Dept.). 이 때, 보정(calibrate)를 위하여 Indium acetylacetonate를 기준으로 하였다. At this time, was the basis of Indium acetylacetonate for correction (calibrate).

실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5), 실시예 4(x=0.75) 및 실시예 5(x=1)에서 제조된 In x Ga 1 - x N 양자점의 측정 값의 비교를 위하여 푸리에 함수 값으로 변환하여 도 4 (a)에 나타내었다. The measurement of the x N quantum value - Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5), Examples 4 (x = 0.75) and Example 5, the In x Ga 1 prepared in (x = 1) for comparison are shown in 4 (a) be the Fourier transform function value. 변환된 값은 2.2~3.4Å의 범위였다. The converted value was in the range of 2.2 ~ 3.4Å. 도 4 (a)의 A, B, C phase에서의 푸리에 함수 값으로 변환된 결과를 비교하여 도 4 (b)에 나타내었다. Figure 4 (a) was also shown in 4 (b) and A, B, and compares the result of the conversion by Fourier function value at the C phase.

상기 결과로부터 본 방법으로 합성된 양자점이 single phase가 아닌 multi phase 형태를 가지고 있다는 것을 증명할 수 있으며, 이와 같은 결과를 통하여 PL spectra에서 single peak가 나오지 않는 이유에 대하여 알 수 있었다. The quantum dot synthesis by this method from the above results and to demonstrate that it has a multi phase form a non-single phase, through such a result was found with respect to the reason that the single peak come out of the PL spectra.

실험예 5. 금속 양( quantity )에 따른 특성. Experimental Example 5: Properties of the metal amount (quantity).

본 발명의 In x Ga 1 - x N의 제조시, 금속 간의 투입량에 따른 특성을 살펴보기 위하여, 실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5), 실시예 4(x=0.75)의 양자점의 제조시에 투입된 금속의 비율과 생성된 양자점의 금속 비율을 ICP-MS를 이용하여 측정한 후, 이를 도 5에 나타내었다. In x Ga 1 of the present invention to investigate the x N characteristic of the input between the manufacture of the metal in Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5), Examples 4 (x = 0.75 ) and then the ratio of the metal ratio of the resultant quantum dots of metal injected, in the manufacture of the quantum dots measured using an ICP-MS, it is shown in Fig.

상기 결과로부터, 제조시에 투입되는 금속(In, Ga)의 비율을 조절함으로써, 생성되는 In x Ga 1 - x N 양자점의 금속 비율이 제어된다는 것을 알 수 있었다. From the above results, by controlling the ratio of metal (In, Ga) to be turned in the production, generation In x Ga 1 is - it was found that the metal ratio in the x N quantum dot control.

실험예 6. XPS Experimental Example 6. XPS In3d In3d binding binding Spectra 특성 Spectra Characteristics

실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5) 및 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1 -x N의 다양한 조성으로부터, XPS In3d binding spectra 결과를 얻어서, 도 6에 나타내었다. Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5) and Example 4 from the variable composition of the In x Ga 1 -x N manufactured by (x = 0.75), by obtaining the XPS spectra In3d binding result, the It is given in 6.

상기 결과로부터 In과 Ga의 금속 조성을 변화시킬 경우, 양자점의 화학적 결합 상태(chemical binding state) 가 일정 비율로 변화하는 것을 알 수 있고 이를 통하여 본 방법을 이용하여 금속 질화물을 합성할 경우, 금속 혼입 비율을 자유롭게 조절 가능함을 알 수 있었다. If to change the metal compositions of In and Ga from the result, found that the chemical bonding state (chemical binding state) of the quantum dot to change at a constant rate, and by using the method of the present through which to synthesize a metal nitride, metal incorporation ratio freely it showed that regulation is possible.

실험예 7. 양자점(CQDs)의 Of Experimental Example 7. quantum dots (CQDs) TEM 이미지 TEM images

실시예 2(OA=1.2mmol) 양자점의 Green condition의 TEM 이미지를 도 7(a)에, 실시예 7(OA=2.2mmol) 양자점의 Blue condition의 TEM 이미지를 도 7(b)에 나타내었다. Example 2 (OA = 1.2mmol) shows a TEM image of a Blue condition of the embodiment 7 (a) is also a TEM image of a Green condition of the quantum dots, for example, 7 (OA = 2.2mmol) quantum dots. 7 (b) Fig. 상기 결과에서와 같이, OA의 사용량에 따라서 Green 또는 Blue로 색상이 변화하는 것을 알 수 있으며, 사진에서 보이는 바와 같이 대략 2.5~4nm의 크기를 갖는 것을 알 수 있었다. As in the above results, it can be seen that the color to Green or Blue changed according to the usage of the OA, it was found to have a size of about 2.5 ~ 4nm, as shown in Photo.

또한, 실시예 5(x=1)와 실시예 1(x=0)의 single component image를 각각 도 7(c) 및 도 7(d)에 나타내었다. Further, the embodiment is shown in Example 5 (x = 1) as in Example 1 (x = 0) 7 is also a single image component, each of the (c) and 7 (d). 상기 결과로부터 상기 결과로부터 단일 조성(single component)의 경우도 구형의 입자 형태로 합성이 되는 것을 알 수 있었다. For a single composition (single component) from the result from the above results also been found that the synthesis in the form of particles of a spherical shape.

실험예 8. PL - QY ( Photoluminescence Experimental Example 8. PL - QY (Photoluminescence Quantum Quantum yield ) 특성 yield) properties

실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5), 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 PL-QY(Photoluminescence Quantum yield)을 측정하여, 도 8에 나타내었다. Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5), Examples 4 (x = 0.75) of In x Ga 1 manufactured - by measuring the PL-QY (Photoluminescence Quantum yield) of the x N, Fig. 8 are shown in.

상기 결과로부터 In의 비율이 적을수록 Green Pl-QY의 비율이 높아지는 것을 알 수 있었다. The less the proportion of In from the above results, it was found that the ratio of Green Pl-QY high.

실험예 9. 올레인산의 양에 따른 PL ( Photoluminescence )의 특성 Experimental Example 9. Properties of the PL (Photoluminescence) according to the amount of oleic acid

실시예 6(OA=0.6mmol), 실시예 2(OA=1.2mmol) 및 실시예 7(OA=2.2mmol)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 PL spectra를 측정하여 도 9 (a)에 나타내었다. Example 6 (OA = 0.6mmol), Example 2 (OA = 1.2mmol) and Example 7, the In x Ga 1 prepared in (OA = 2.2mmol) - 9 by measuring the PL spectra of the N x (a) It is shown in.

또한, 실시예 8(OA=0.6mmol), 실시예 9(OA=1.2mmol) 및 실시예 10(OA=2.2mmol)에서 제조된 In x Ga 1 - x N의 PL spectra를 측정하여 도 9 (b)에 나타내었다. In Examples 8 (OA = 0.6mmol), Example 9 (OA = 1.2mmol) and Example 10, the In x Ga 1 prepared in (OA = 2.2mmol) - 9 by measuring the PL spectra of the x N ( b) it is given in.

도 9 (a) 및 도 9 (b)에서 나타난 바와 같이, OA의 투입량이 적으면 Yellowish Green의 색을 갖으며, OA의 투입량이 증가함에 따라서 Green으로 바뀌었다가, OA의 투입량이 많아지면 Blue로 변화되는 것을 알 수 있다. Figure 9 (a) and as also shown in 9 (b), was has the color of Yellowish Green The amount of OA Yabe, is thus turned into Green as the amount of OA increases, the amount of OA increases, Blue it can be seen that changes to.

실험예 10. 출력에 따른 PL ( Photoluminescence )의 특성 Experimental Example 10. Properties of the PL (Photoluminescence) according to the output

실시예 1(x=0)(도 10 (a)), 실시예 2(x=0.25)(도 10 (b)), 실시예 3(x=0.5)(도 10 (c)) 및 실시예 4(x=0.75)(도 10 (d))에서 제조된 In x Ga 1 - x N로부터 출력에 따른 PL 결과를 측정하여 도 10에 나타내었다. Example 1 (x = 0) (Fig. 10 (a)), Example 2 (x = 0.25) (Fig. 10 (b)), Example 3 (x = 0.5) (Fig. 10 (c)) and Example 4 (x = 0.75) (Fig. 10 (d)) prepared in the in x Ga 1 - shows the result of the PL is output from x N in Figure 10 is measured.

상기 PL 측정에는 MIRA laser(λ= 375 nm, T = 20 K)를 사용하였다. The PL measurement was used for MIRA laser (λ = 375 nm, T = 20 K).

상기 결과로부터, 출력이 높아질수록 피크의 세기가 강해지는 것을 알 수 있었으며, 이로부터 양자점의 발광 특성이 표면상 결함(defect) 혹은 결정 내부의 결함(defect)의 영향도 받지만 양자점 내부의 bend edge에서의 전자 및 정공의 recombination을 통한 발광이 양자점 발광 특성의 주를 이루고 있음을 알 수 있었다. From the above results, there were found that the higher the output, the intensity of the peak strong, light-emitting characteristics of the from which the quantum dot surface defects (defect), or determining the influence of the internal defects (defect) of FIG batjiman quantum dot inside the bend edge of the light emitting through the recombination of electrons and holes it could be seen that forms a state of the quantum dot light-emitting property.

실험예 11. 감쇠 시간( decay Experimental Example 11. The decay time (decay time )에 따른 PL ( Photoluminescence )의 감소 특성 reduction of the PL (Photoluminescence) according to time) properties

실시예 1(x=0), 실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5) 및 실시예 4(x=0.75)에서 제조된 In x Ga 1 - x N로부터 측정된 감쇠 시간에 따른 PL 감소 특성을 도 11에 나타내었다. The decay time measured by the x N - Example 1 (x = 0), Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5) and Example 4, the In x Ga 1 prepared in (x = 0.75) the PL reducing properties according to the shown in Fig. 먼저, 520nm에서의 TCSPC(time correlated single photon counting) 계산에 따른 결과를 도 11(a)에 나타내었다. First, it is shown in 11 (a) The results are in accordance with the TCSPC (time correlated single photon counting) calculated at 520nm. 또한, 550nm에서의 TCSPC 계산에 따른 결과를 도 11(b)에 나타내었다. Also, The results of the calculations in TCSPC 550nm in Figure 11 (b). 또한, 520nm 및 550nm에서의 평균 감쇠 시간을 도 11(c)에 나타내었다. Also, 520nm and are shown in 11 (c) also the average decay time at 550nm.

상기 결과로부터 In과 Ga 금속의 혼입 비율에 따른 감쇠 시간의 변화를 정량화할 수 있고, 이 결과를 통해 상기 용액 상태의 PL 세기가 In 금속의 비율 증가에 따라 감소하는 이유에 대하여 알 수 있었다. It is possible to quantify the change in the decay time of the incorporation ratio of In and Ga metal from the above results, this result was the PL intensity of the solution to know the reason to decrease with increasing ratio of In metal via.

실험예 12. X-선 흡수분광학( XAS ) 특성 Experimental Example 12. X- ray absorption spectroscopy (XAS) properties

실시예 2(x=0.25), 실시예 3(x=0.5), 실시예 4(x=0.75) 및 실시예 5(x=1)에서 제조된 In x Ga 1 - x N로부터 측정된 XANES 및 XAFS 결과를 도 12(a) 및 도 12(b)에 각각 나타내었다. Example 2 (x = 0.25), Example 3 (x = 0.5), Examples 4 (x = 0.75) and Example 5 (x = 1) The In x Ga 1 prepared in-measured from x N XANES and 12, the result is the XAFS (a) and each was shown in Figure 12 (b). 상기 결과로부터 본 방법을 통하여 합성된 InGaN 양자점의 경우 single phase 상태가 아닌 multi phase 상태임을 알 수 있으며, 이러한 결과를 통하여 PL peak가 single peak 형태가 아닌 이유에 대하여 알 수 있었다. In the case of the InGaN quantum dots synthesized by the present method from the above results it can be seen that the single phase state is not multi phase state, the PL peak was found with respect to the reason why non-single peak form through these results.

실험예 13. 자외선 전자 분광법( UPS ) 분석에 따른 에너지 레벨 특성 Experimental Example 13. ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) according to the characteristic energy level analysis

실시예 2(x=0.25)에서 제조된 In x Ga 1 - x N로부터 자외선 전자 분광법에 따른 에너지 레벨 특성을 측정하였으며, High binding energy cut-off region을 도 13(a)에 나타내었고, valence band region을 도 13(b)에 나타내었다. Example 2 (x = 0.25) of In x Ga 1 prepared in-was from x N measured energy levels characteristic of the ultraviolet ray electron spectroscopy, was also shown in 13 (a) to High binding energy cut-off region, valence band the region is shown in FIG. 13 (b). 상기 valence band level은 7.24eV로 결정되었다. The valence band level was determined to be 7.24eV.

상기 결과로부터 본 방법을 통해 합성된 InGaN 양자점의 band state를 알 수 있었으며, 이를 통하여 다양한 전기-전자 소자에 적용할 때 필요한 에너지 레벨(energy level)에 대하여 알 수 있었다. It was able to know the band state of the InGaN quantum dots synthesized by the method from the above results, through which various electric-was found with respect to the energy level (energy level) needed to be applied to the electronic device.

실험예 14. 양자점(CQDs)의 In Experimental Example 14. The quantum dot (CQDs) colloidal colloidal stability 비교 stability compared to

실시예 1에 의하여 제조된 GaN 입자와, 종래에 사용되는 제품으로 구입한 GaN 분말(Sigma-Aldrich 사, Aldrich 481769)을 비교예 1로 하여 입자의 용해도를 비교해 보았다. Example 1 The GaN particles made by a, a GaN powder (Sigma-Aldrich Co., Aldrich 481769) purchased products used in the prior art as a comparative example 1 were compared to the solubility of the particles.

헥산 50ml에 GaN 0.05g을 투입하여 충분히 흔든 후, 시간에 따른 변화(0시간, 0.5시간, 2시간, 3.5시간 및 5시간)를 각각 사진으로 촬영하여 도 15에 나타내었다. After sufficient shaking by putting the GaN 0.05g in 50ml of hexane, the change over time (0 hour, 0.5 hours, 2 hours, 3.5 hours and 5 hours) are shown in Figure 15 respectively taken as pictures.

실시예 1의 GaN의 경우 시간이 지나도 안정적으로 용해가 되어 있는 경향이 있으나, 비교예 1의 GaN의 경우 처음부터 용해가 되지 않는 경향(뿌연 용액은 용해 자체가 되지 않았음을 의미)을 보일 뿐만 아니라, 시간이 지남에 따라 침전되는 모습을 보였다. Example is a stable, dissolved for GaN over time tend to tend to, but not the comparative example GaN first dissolve from the case of 1 in 1 only show a (cloudy solution is meant that no melt itself) but, it showed a look that settled over time.

실험예 15. 양자점(CQDs)의 발광 특성 Light-emitting characteristics of the quantum dots in Experimental Example 15. (CQDs)

실시예 1에 의하여 제조된 GaN 입자와, 종래에 사용되는 제품으로 구입한 GaN 분말(Sigma-Aldrich 사, Aldrich 481769)을 비교예 1로 설정하여 발광 특성을 비교해 보았다. Example 1 The GaN particles produced by and set to compare the GaN powder (Sigma-Aldrich Co., Aldrich 481769) were purchased products used in the conventional example 1 was compared to the emission characteristics.

헥산 50ml에 GaN 0.05g을 투입한 후, 충분히 흔들어 UV lamp를 이용하여 발광 특성을 확인하였으며, 이를 각각 사진으로 촬영하여 도 16에 나타내었다. After In the GaN 0.05g in 50ml of hexane, was sufficiently shaken by using a UV lamp make the light emission characteristics, it is shown in Figure 16, each taken with the picture.

실시예 1에 의하여 제조된 GaN의 경우 UV lamp 조건에서 발광하는 것을 확인할 수 있으나, 비교예 1의 경우 발광 특성이 전혀 없는 경향을 확인할 수 있다. Example 1 For the production of GaN by the case of Comparative Example 1 can, but confirmed that the light emission from the UV lamp condition can identify trends with no light-emitting property.

비교예 1에서 사용한 GaN 분말과 같이, 종래의 방법으로 GaN을 합성할 경우, 기판상에 화학기상증착법을 이용하여 박막을 만든 후 박막을 긁어내거나, 또는 bulk 형태로 합성을 진행하기 위하여 solvothermal 등의 방법을 이용하여 합성을 진행해야 한다. Comparison as GaN powder used in Example 1, when synthesizing GaN by the conventional method, solvothermal, etc. In order to proceed with the synthesis by naegeona scraping a thin film or bulk form after creating a thin film using a chemical vapor deposition method on a substrate of using the method should proceed the synthesis. 그러나, 이러한 방법들은 GaN의 성장이 일어날 때 defect가 너무 많이 형성되어 발광 특성이 일어나지 않거나(기판이 없을 경우), 또 기판상에 성장시킨 GaN을 긁어내는 경우는 긁어내는 과정에서 기판과 GaN의 결합이 깨지면서 깨진 자리가 defect site로 작용(기판이 있는 경우)하게 되어 발광특성을 잃게 되는 것이다. However, these methods, when the growth of the GaN occur defect is formed too much or not become a light-emitting property (when there is no substrate), and the combination of the substrate and the GaN in the process of scraping when scraping the GaN grown on the substrate the kkaejimyeonseo will be broken place to act as a defect site it is (if the substrate) to lose its luminescent characteristics.

이러한 차이에 의하여, 상기 도 16과 같이 발광특성에 차이가 나타나게 된다. By this difference, a difference in light emission characteristics, such as the FIG. 16 is displayed.

실험예 16. 발광소자의 전압-전류-휘도 비교 Experimental Example 16 of the light emitting element voltage-current-luminance comparison

상기 제조예 1 내지 3의 전압-전류-휘도(The current-voltage-luminance) 특성은 SMU(source measurement unit, Keithley Instruments, Inc.) 및 휘도계(Minolta, CS-100A)를 이용하여 측정하였고, 도 22에 기재하였다. Preparation Example 1-3 of the voltage-current-luminance (The current-voltage-luminance) characteristics were measured with the SMU (source measurement unit, Keithley Instruments, Inc.) and a luminance meter (Minolta, CS-100A), It is also shown in 22.

상기 도 22에서, 제조예 1(Device A) 및 2(Device B)에 비해서, 제조예 3(Device)은 더 큰 전압을 가할 필요가 있다는 것을 알 수 있다. In FIG 22, it can be seen that there is no need to apply a greater voltage, Preparation 3 (Device) as compared to Production Example 1 (Device A) and 2 (Device B). 이는, 제조예 3의 정공 주입 물질로 사용된 HAT-CN의 에너지 수준이 다른 물질들과 큰 차이가 나서 정공의 흐름을 방해했기 때문으로 예측된다. This is because the energy level of HAT-CN used as hole injection material in Preparation Example 3 is expected to interfere with the hole because of the flow after a large difference with the other materials.

실험예 17. 발광 스펙트럼 측정 및 발광 여부 관찰 Observing whether Experimental Example 17. luminescence spectrum measurement and the emission

제조예 1(Device A)의 발광 스펙트럼을 광섬유 분광기(K-Mac, SV 2100)로 측정하였고, 그 결과를 도 23에 기재하였다. The emission spectrum of Preparation 1 (Device A) was measured by a fiber optic spectrometer (K-Mac, SV 2100), as noted below and the results in Fig.

상기 도 23에서 다양한 영역의 파장에서 전압 발광(electroluminescence) 및 광 발광(photoluminescence)이 일어나는 것을 확인할 수 있고, 이는 다양한 색상을 내는데 본 발명의 실시예에서 제조된 양자점이 적합하다는 것을 알 수 있다. And confirmed that the various voltage luminescence (electroluminescence) light-emitting and the light (photoluminescence) in a wavelength region in the Fig. 23 occurs, it can be seen that the ideal quantum dots prepared in Examples of the present invention naeneunde a variety of colors.

또한, 유연 기판 상에 제조시킨 제조예 4에 18V의 전압을 가하자, 도 24에 나타난 바와 같이 실제로 발광하는 것을 확인할 수 있었다. Further, in Example 4 was prepared fabricated on a flexible substrate gahaja a voltage of 18V, it was confirmed that the actual light emission, as shown in Fig.

10 : 발광층 20 : 음극 10: light-emitting layer 20: cathode
30 : 양극 40 : 기판 30: positive electrode 40: substrate
50 : 전자 주입층 51 : 전자 수송층 50: the electron injection layer 51: electron transport layer
52 : 정공 차단층 60 : 정공 주입층 52: a hole blocking layer 60: hole injection layer
61 : 정공 수송층 62 : 전자 차단층 61: hole transport layer 62: electron blocking layer

Claims (16)

  1. a) 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 계면 활성제를 용매에 첨가하여 혼합하는 단계; a) mixing the precursor by the addition of indium, gallium precursor and a surfactant in a solvent;
    b) 상기 a) 단계에서 제조된 혼합물과 질소원을 열분해 반응시키는 단계; b) thermal decomposition step of reacting the mixture with a nitrogen source was prepared in a);
    c) 상기 b) 단계의 열분해 반응물에 반용매(anti-solvent)를 첨가하여 양자점을 침전시킨 후, 상기 양자점을 유기용매에 분산시켜, 하기 화학식 1로 표현되는 금속 질화물의 콜로이드 상의 양자점을 제조하는 단계; c) step b) by the addition of anti-solvent (anti-solvent) for the thermal decomposition reaction of the step after precipitation of the quantum dot, followed by dispersing the quantum dots in an organic solvent, to the manufacture of colloidal quantum dots on a metal nitride represented by the general formula (1) step;
    [화학식 1] Formula 1
    In x Ga 1-x N In x Ga 1-x N
    (상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.) (In Formula 1, x is in the range of 0≤x≤1.)
    d) 기판 상부에 제1전극을 형성한 후, 상기 제1전극 상부에 하기 콜로이드 상의 양자점을 도포하여 발광층을 형성하는 단계; d) after forming the first electrode over the substrate, forming a light emitting layer was applied to the quantum dot on the colloid to the first upper electrode; And
    e) 상기 발광층 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법. e) method for producing a quantum dot light emitting device comprising a step of forming a second electrode above the light emitting layer.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 b) 단계의 열분해 반응은, Wherein b) the pyrolysis of step,
    상기 혼합물을 아르곤, 질소, 암모니아 또는 진공 분위기에서 150 내지 400℃의 온도로 가열한 후, 상기 질소원을 100 내지 400℃의 온도로 고온 주입(Hot Injection)하는 방법, 또는 After heating the mixture in an argon, nitrogen, ammonia, or a vacuum atmosphere at a temperature of 150 to 400 ℃, how the nitrogen injection temperature to a temperature of 100 to 400 ℃ (Hot Injection), or
    상기 혼합물에 질소원을 첨가한 후 아르곤, 질소, 암모니아 또는 진공 분위기에서 150 내지 400℃의 온도로 가열하는 가열 승온(Heating up) 방법으로 실시되는, 양자점 발광소자의 제조방법. Method of manufacturing a quantum dot light emitting device, which is performed in a manner heating temperature increase (Heating up) for heating followed by the addition of nitrogen to the mixture in an argon, nitrogen, ammonia, or a vacuum atmosphere at a temperature of 150 to 400 ℃.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 c) 단계의 유기용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF). Wherein c) the organic solvent of step is hexane, toluene, benzene, octane, chloroform, chlorobenzene, tetrahydrofuran (THF). 펜테인, 헵테인, 데케인, 염화메틸렌, 1,4-디옥세인(1, 4-dioxane), 디에틸에테르(diethyl ether), 사이클로헥세인 및 다이클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법. Pentane, heptane, decane, methylene chloride, 1,4-dioxide hexanes (1, 4-dioxane), diethyl ether (diethyl ether), cyclohexane, and any one or more selected from the group consisting of dichlorobenzene method for producing a quantum dot light emitting device comprising a.
  4. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 화학식 1의 x가 0.01≤x≤0.5의 범위를 갖는, 양자점 발광소자의 제조방법. Method for producing a quantum dot light emitting device x has a range of 0.01≤x≤0.5 of formula (I).
  5. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1전극 또는 제2전극은 유연(flexible) 기판 상에 적층되는, 양자점 발광소자의 제조방법. The first electrode or the second electrode is a flexible method for manufacturing a quantum dot light emitting element, which is laminated on the (flexible) substrate.
  6. 제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate), 폴리이소프렌(PI,polyisoprene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르설폰(PES, polyether sulfone) 및 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 양자점 발광소자의 제조방법. The flexible substrate is polyethylene terephthalate (PET, Polyethylene terephthalate), polyisoprene (PI, polyisoprene), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), and polycarbonate (PC, PolyCarbonate) the method of one or more, a quantum dot light emitting device is selected from the group consisting.
  7. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1전극 또는 제2전극 중 음극인 전극과 상기 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법. Method for producing a quantum dot light emitting device comprising the first electrode or the second electrode is added to the cathode electrode and the electron injecting layer between the light emitting layer, at least one selected from the group consisting of an electron transport layer and a hole blocking layer of the.
  8. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1전극 또는 제2전극 중 양극인 전극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는, 양자점 발광소자의 제조방법. Method for producing a quantum dot light emitting device comprising the first electrode or the second hole injection layer between the anode electrode and the emission layer of the electrode, more the one or more selected from the group consisting of a hole transport layer and electron blocking layer.
  9. 삭제 delete
  10. 삭제 delete
  11. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 d) 단계의 발광층은 스핀-코팅법, 다이코팅법, 블레이드 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 인쇄법, 스프레이 코팅법, 나이프 코팅법, 전사 프린팅 및 커튼 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 상기 제1전극 상부에 형성되는, 양자점 발광소자의 제조방법. Wherein d) the light emitting layer in the step is a spin-selected from the group consisting of coating method, die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an inkjet printing method, a printing method, a spray coating method, knife coating method, a transfer printing and curtain coating method by one or more of which method of producing a quantum dot light emitting device, which is formed above the first electrode.
  12. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 d) 단계의 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene terephthalate), 폴리이소프렌(PI,polyisoprene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르설폰(PES, polyether sulfone) 및 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유연 기판인, 양자점 발광 소자의 제조방법. Wherein d) the substrate of step is polyethylene terephthalate (PET, Polyethylene terephthalate), polyisoprene (PI, polyisoprene), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), and polycarbonate (PC, a method for producing a, a quantum dot light emitting element at least one flexible substrate is selected from the group consisting of PolyCarbonate).
  13. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 a) 단계의 용매는 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Hexane, Octane, Trioctylphosphine (TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 용매 또는 두 개 이상의 혼합용액인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광소자의 제조방법. The a) step of the solvent is 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane (Squalane), 1-octadecene (ODE), Trioctylamine (TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Hexane, Octane, Trioctylphosphine (TOP ) and Trioctylphosphine oxide (method of producing a quantum dot light emitting device of one solvent or a mixture of said two or more selected from the group consisting of TOPO).
  14. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 a) 단계의 인듐 전구체는, 인듐 아세틸아세토네이트(Indium(III) acetylacetonate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 아세테이트(Indium(III) acetate), 트리메틸 인듐(Trimethyl indium), 알킬 인듐(Alkyl Indium), 아릴 인듐(Aryl Indium), 인듐 미리스테이트(Indium(III) Myristate), 인듐 미리스테이트 아세테이트(Indium(III) Myristate Acetate) 및 인듐 미리스테이트 2 아세테이트(Indium(III) Myristate 2 Acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광소자의 제조방법. Wherein a) indium precursor in step, indium acetylacetonate (Indium (III) acetylacetonate), indium chloride (Indium (III) chloride), indium acetate (Indium (III) acetate), trimethyl indium (Trimethyl indium), alkyl, indium (Alkyl indium), aryl indium (aryl indium), indium state (indium (III) myristate), indium myristate acetate (indium (III) myristate acetate), and indium-state 2 acetate (indium (III) myristate 2 acetate) in advance method for producing a quantum dot light emitting element, characterized in that any one of selected from the group consisting of.
  15. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 a) 단계의 갈륨 전구체는, 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium(III) acetylacetonate), 갈륨 아세테이트(Gallium(III) acetate), 갈륨 클로라이드(Gallium(III) chloride), 트리에틸 갈륨(Triethyl gallium), 트리메틸 갈륨(Trimethyl gallium), 알킬 갈륨(Alkyl Gallium, 아릴 갈륨(Aryl Gallium), 갈륨 미리스테이트(Gallium(III) Myristate), 갈륨 미리스테이트 아세테이트(Gallium(III) Myristate Acetate) 및 갈륨 미리스테이트 2 아세테이트(Gallium(III) Myristate 2 Acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광소자의 제조방법. Wherein a) the step gallium precursor, gallium acetylacetonate (Gallium (III) acetylacetonate), gallium acetate (Gallium (III) acetate), gallium chloride (Gallium (III) chloride), triethyl gallium (Triethyl gallium), trimethyl gallium (Trimethyl gallium), an alkyl gallium (alkyl gallium, aryl gallium (aryl gallium), gallium myristate (gallium (III) myristate), gallium myristate acetate (gallium (III) myristate acetate) and gallium myristate 2 acetate (gallium (III) method for producing a quantum dot light emitting element, characterized in that any one of selected from the group consisting of 2 Myristate Acetate).
  16. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 b) 단계의 질소원은 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane,), 트리스(트리메틸실릴)아민(Tris(trimethylsilyl)amine), N,N-비스(트리메틸실릴)메틸아민(N,N-Bis(trimethylsilyl)methylamine) 및 암모니아(Ammonia)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광소자의 제조방법. The b) step of the nitrogen source is hexamethyldisilazane (Hexamethyldisilazane,), tris (trimethylsilyl) amine (Tris (trimethylsilyl) amine), N, N- bis (trimethylsilyl) methylamine (N, N-Bis (trimethylsilyl ) method of producing a quantum dot light emitting element, characterized in that at least one selected from the group consisting of methylamine) and ammonia (ammonia).




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