KR101651352B1 - Deposition Apparatus - Google Patents

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KR101651352B1
KR101651352B1 KR1020150034430A KR20150034430A KR101651352B1 KR 101651352 B1 KR101651352 B1 KR 101651352B1 KR 1020150034430 A KR1020150034430 A KR 1020150034430A KR 20150034430 A KR20150034430 A KR 20150034430A KR 101651352 B1 KR101651352 B1 KR 101651352B1
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bias voltage
fixing screw
conductive bar
stage
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KR1020150034430A
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진현수
박태주
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한양대학교 에리카산학협력단
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Abstract

Provided is a deposition apparatus. The deposition apparatus includes: a stage receiving a substrate; and a bias voltage applying unit. The bias voltage applying unit can be prepared to be in press-contact with the upside surface of the substrate to apply a bias voltage. The deposition apparatus can overcome a steric hindrance effect.

Description

증착장비{Deposition Apparatus }Deposition Apparatus

본 발명은 증착장비에 관한 것으로 보다 구체적으로는 바이어스 전압을 이용하여 박막의 품위를 향상시키는 원자층 증착장비에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to an atomic layer deposition apparatus for improving the quality of a thin film by using a bias voltage.

최근 들어 전자기기의 성능이 고도화되어 감에 따라 특히 반도체 분야에서 초 박막을 증착 기술에 대한 요구가 높아지고 있다. 박막 증착이라 함은 증착하고자 하는 물질을 수nm에서 수백nm 두께로 특정 기판 위에 올리는 일련의 과장을 말할 수 있다.Recently, as the performance of electronic devices has become higher, there has been a growing demand for ultra thin film deposition technology especially in the semiconductor field. Thin film deposition refers to a series of exaggerations in which a material to be deposited is deposited on a specific substrate at a thickness of several nanometers to several hundred nanometers.

현재까지는 반도체 소자에 사용되는 막을 증착하기 위하여 물리기상증착법 (Physical Vapor Deposition, PVD) 또는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 기술을 이용하였다. 그러나 이들 기술은 보다 얇은 막을 형성하는데 제한이 있었다.Up until now, Physical Vapor Deposition (PVD) or Chemical Vapor Deposition (CVD) techniques have been used to deposit films used in semiconductor devices. However, these techniques have been limited in forming thinner films.

이에 대한 대안으로 고품위의 박막을 형성하기 위하여 원자층 증착 (Atomic Layer Deposition, ALD) 기술이 발전하고 있다. 통상적으로 원자층 증착 기술은 막 형성에 필요한 원소를 한번에 한 층씩(layer-by-layer) 형성하는 기술을 말하는 것으로 초 박막 형성이 가능하며 특히 막 두께를 정밀하게 제어할 수 있다는 장점을 제공한다.As an alternative, Atomic Layer Deposition (ALD) technology has been developed to form high quality thin films. In general, atomic layer deposition technology is a technique for layer-by-layer formation of elements necessary for film formation at one time, which can form a super thin film, and particularly provides an advantage that the film thickness can be precisely controlled.

한국 공개특허 번호 : 10-2009-0059452 (발명의 명칭: 박막 형성방법)Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2009-0059452 (Title: Thin Film Forming Method)

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 기판 표면 전구체 및/또는 반응 가스의 밀도를 증가시키는 증착장비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus for increasing the density of a substrate surface precursor and / or a reaction gas.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 전구체 가스 및/또는 반응 가스를 기판 쪽으로 향하게 하는 증착장비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus in which a precursor gas and / or a reactive gas are directed toward a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 기판 표면에 반응자리가 부족한 경우에도 박막 형성이 가능한 증착장비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of forming a thin film even when the substrate has insufficient reaction sites.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 성막 중인 기판에 바이어스 전압을 안정적으로 제공하는 증착장비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus that stably supplies a bias voltage to a substrate under deposition.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상기 열거한 효과에 제한되지 않으며 이하의 설명에 의하여 더욱 명확하게 이해될 수 있다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned effects, but can be understood more clearly by the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비는 기판을 수용하는 스테이지; 및 바이어스 전압인가부;를 포함하되, 상기 바이어스 전압인가부는, 상기 기판의 상측면에 눌림접촉하여 바이어스 전압을 인가하도록 마련될 수 있다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a stage for receiving a substrate; And a bias voltage applying unit, wherein the bias voltage applying unit is configured to apply a bias voltage in a pressed contact with an upper surface of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 증착장비는, 원자층 증착장비일 수 있다. The deposition equipment according to an embodiment of the present invention may be an atomic layer deposition equipment.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비의 상기 바이어스 전압인가부는, 상기 기판의 상측면에 눌림접촉하여 바이어스 전압이 인가되도록 전도성 바(bar)를 더 포함할 수 있다.The bias voltage applying unit of the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a conductive bar to be pressed against the upper surface of the substrate to apply a bias voltage thereto.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비의 전도성 바는 제1 고정나사를 통하여 상기 스테이지에 고정될 수 있다.The conductive bar of the deposition equipment according to an embodiment of the present invention may be fixed to the stage through a first set screw.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비의 상기 전도성 바는 중공을 포함하며, 상기 제1 고정나사는 상기 전도성 바의 중공을 통과하여 상기 전도성 바를 상기 스테이지에 고정할 수 있다.The conductive bar of the deposition equipment according to one embodiment of the present invention includes a hollow, which can pass through the hollow of the conductive bar to secure the conductive bar to the stage.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비는 상기 스테이지를 관통하여 고정되는 제2 고정나사를 더 포함하며, 상기 제2 고정나사 해드의 내측은 상기 제1 고정나사가 체결되는 제1 고정나사홈을 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a second fixing screw fixed through the stage, the inside of the second fixing screw head may include a first fixing screw groove to which the first fixing screw is fastened .

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비의 상기 전도성 바는 굴곡부를 가질 수 있다.The conductive bar of the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may have a bent portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비의 상기 스테이지는 상기 기판이 수용되는 수용단차를 포함할 수 있다.The stage of the deposition equipment according to an embodiment of the present invention may include an acceptance step in which the substrate is received.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비는, 바이어스 전압을 성막 중인 기판에 인가함으로써, 박막의 밀도를 증가시켜 전구체의 리간드가 반응자리를 가림으로써 박막 형성을 방해하는 현상(Steric hindrance effect)를 극복하는 효과를 제공 할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention overcomes the phenomenon that the thin film is formed by increasing the density of the thin film by interposing the reaction site of the ligand of the precursor by applying the bias voltage to the substrate during the film formation Can be provided.

본 발명의 일 실시에에 따른 증착장비는, 바이어스 전압을 성막 중인 기판에 인가하여 전구체 분자의 방향성을 조절함으로써, 초기박막 핵생성의 빈도수를 임의대로 조절할 수 있는 효과를 제공 할 수 있다. The deposition apparatus according to one embodiment of the present invention can provide the effect of arbitrarily adjusting the frequency of the initial thin film nucleation by adjusting the directionality of the precursor molecules by applying a bias voltage to the substrate during the deposition.

본 발명의 일 실시에에 따른 증착장비는, 바이어스 전압을 성막 중인 기판에 인가함으로써, 기판의 표면에 반응자리가 부족한 소수성 기판의 경우에도 박막 형성을 가능하게 하는 효과를 제공할 수 있다.The deposition equipment according to one embodiment of the present invention can provide the effect of enabling the formation of a thin film even in the case of a hydrophobic substrate having a shortage of reaction sites on the surface of the substrate by applying a bias voltage to the substrate during film formation.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착장비는, 성막 중인 기판에 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 전압 인가부를 제공함으로써, 안정적인 박막 형성을 가능하게 하는 효과를 제공할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention can provide a stable thin film formation effect by providing a bias voltage applying unit for applying a bias voltage to a substrate under deposition.

발명의 일 실시예에 따른 효과는 상기 열거한 효과에 제한되지 않으며 이하의 설명에 의하여 더욱 명확하게 이해될 수 있다.Effects according to one embodiment of the invention are not limited to the effects listed above and can be understood more clearly by the following description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 블록도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 바이어스 전압 인가부를 설명하기 위한 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 제1 적용효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 제2 적용효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 제3 적용효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 shows a block diagram of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a bias voltage applying unit of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining a first application effect of the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a second application effect of the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view for explaining a third application effect of the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 illustrates a method of driving an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term "connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

이하, 도면을 참조하여 바이어스 전압을 인가할 수 있는 증착장비에 대하여 설명하기로 한다. 이 때, 설명의 편의를 위하여 원자층 증착장비를 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 원자층 증착장비에 제한되는 것은 아니며 다른 방식의 증착장비에 적용될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a deposition apparatus capable of applying a bias voltage will be described with reference to the drawings. At this time, for convenience of explanation, the description will be made based on the atomic layer deposition equipment. However, the technical idea of the present invention is not limited to the atomic layer deposition apparatus, but may be applied to other types of deposition apparatuses.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 블록도를 도시한다.1 shows a block diagram of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비(100)는 챔버(110), 전구체 가스 공급부(120), 반응 가스 공급부(130), 바이어스 전압 인가부(140), 바이어스 전압 발생기(150) 및 제어부(160) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 구성에 대하여 설명하기로 한다.1, an atomic layer deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110, a precursor gas supply unit 120, a reaction gas supply unit 130, a bias voltage application unit 140, A voltage generator 150, and a controller 160. [0027] Hereinafter, each configuration will be described.

상기 챔버(110)는 기판에 박막을 형성하기 위한 물리적 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 챔버(110)는 기판을 수용하기 위한 스테이지를 포함하여 이루어질 수 있다. 이 때, 스테이지는 원자층 증착 공정 중에 기판이 지지될 수 있도록 지지대 역할을 수행할 수 있다.The chamber 110 may provide a physical space for forming a thin film on the substrate. For example, the chamber 110 may comprise a stage for receiving a substrate. At this time, the stage may serve as a support so that the substrate can be supported during the atomic layer deposition process.

상기 전구체 가스 공급부(120)는 상기 챔버(110)에 전구체 가스를 제공할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 전구체 가스 공급부(120)와 상기 챔버(110) 간의 통로 사이에는 밸브가 마련될 수 있다. 따라서, 상기 전구체 가스 공급부(120)는 원자층 증착 공정에 따라 선택적으로 전구체 가스를 상기 챔버(110)로 공급할 수 있다.The precursor gas supply unit 120 may provide a precursor gas to the chamber 110. Although not shown, a valve may be provided between the precursor gas supply unit 120 and the chamber 110. Accordingly, the precursor gas supply unit 120 can selectively supply the precursor gas to the chamber 110 according to the atomic layer deposition process.

상기 반응 가스 공급부(130)는 상기 챔버(110)에 반응 가스를 제공할 수 있다. 도시하는지는 않았으나, 상기 반응 가스 공급부(130)와 상기 챔버(110)간의 통로 사이에도 밸브가 마련될 수 있다. 따라서 상기 반응 가스 공급부(130)는 원자층 증착 공정에 따라 선택적으로 반응 가스를 상기 챔버(110)에 공급함으로써, 전구체 가스와 반응 가스가 막을 형성하도록 할 수 있다.The reaction gas supply unit 130 may provide the reaction gas to the chamber 110. Although not shown, a valve may be provided between the reaction gas supply part 130 and the chamber 110. Accordingly, the reaction gas supply unit 130 may selectively supply the reaction gas to the chamber 110 according to the atomic layer deposition process, so that the precursor gas and the reactive gas form a film.

이 때, 상기 전구체 가스 공급부(120) 및 상기 반응 가스 공급부(130)에 마련된 밸브는 가스의 유출입 및 유출입 양을 제어할 수 있는 다른 임의의 구성을 포함할 수 있다.At this time, the precursor gas supply unit 120 and the reaction gas supply unit 130 may include any other configuration capable of controlling the flow-in and flow-out amounts of the gas.

상기 바이어스 전압 인가부(140)는 박막이 형성 중인 기판에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 상기 바이어스 전압 인가부(140)는 상기 전구체 가스 공급부(120)를 통하여 전구체 가스가 상기 챔버(110) 내로 공급되는 경우에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 다른 예를 들어, 상기 바이어스 전압 인가부(140)는 상기 반응 가스 공급부(130)를 통하여 반응 가스가 상기 챔버(110) 내로 공급되는 경우에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 상기 바이어스 전압 인가부(140)는 원자층 증착 공정 중 퍼지 구간에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. The bias voltage applying unit 140 may apply a bias voltage to the substrate on which the thin film is formed. For example, the bias voltage applying unit 140 may apply a bias voltage when the precursor gas is supplied into the chamber 110 through the precursor gas supply unit 120. For example, the bias voltage applying unit 140 may apply a bias voltage to the chamber 110 when the reaction gas is supplied into the chamber 110 through the reaction gas supply unit 130. As another example, the bias voltage applying unit 140 may apply a bias voltage to the purging period during the atomic layer deposition process.

다른 관점에서 상기 바이어스 전압 인가부(140)는 원자층 증착 공정을 구성하는 전구체 가스 공급 단계, 퍼지 단계, 반응 가스 공급 단계, 퍼지 단계 중 적어도 하나의 단계에 바이어스 전압을 공급할 수 있다.In another aspect, the bias voltage applying unit 140 may supply a bias voltage to at least one of a precursor gas supplying step, a purge step, a reactive gas supplying step, and a purge step constituting the atomic layer deposition step.

일 실시예에 따르면, 상기 바이어스 전압 인가부(140)는 챔버(110) 내에 마련될 수 있다.According to one embodiment, the bias voltage applying unit 140 may be provided in the chamber 110. [

상기 바이어스 전압 인가부(140)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.The bias voltage applying unit 140 will be described in detail later.

상기 바이어스 전압 발생기(150)는 바이어스 전압을 생성하여 상기 바이어스 전압 인가부(140)로 제공할 수 있다.The bias voltage generator 150 may generate a bias voltage and provide the generated bias voltage to the bias voltage applying unit 140.

상기 제어부(160)는 원자층 증착 장비(100)를 이루는 각 구성을 제어할 수 있다. 예를 들어 상기 제어부(160)는 상기 전구체 가스 공급부(120) 및 반응 가스 공급부(130)의 가스가 상기 챔버(110)로 적시에 적량이 공급되도록 제어할 수 있다. 또한 예를 들어, 상기 제어부(160)는 상기 바이어스 전압 인가부(140)를 제어하여 상기 바이어스 전압 인가부(140)가 기판에 바이어스 전압을 공급하도록 제어할 수 있다. 또한 예를 들어, 상기 제어부(160)는 상기 바이어스 전압 발생기(150)를 통하여 전압을 생성하고 생성된 전압을 상기 바이어스 전압 인가부(140)에 제공할 수 있다.The control unit 160 may control the constituent elements of the atomic layer deposition apparatus 100. For example, the control unit 160 may control the precursor gas supply unit 120 and the reaction gas supply unit 130 to supply the appropriate amount of gas to the chamber 110 in a timely manner. For example, the control unit 160 may control the bias voltage applying unit 140 to supply the bias voltage to the substrate by the bias voltage applying unit 140. Also, for example, the controller 160 may generate a voltage through the bias voltage generator 150 and provide the generated voltage to the bias voltage applying unit 140.

일 실시예에 따르면, 원자층 증착 공정을 통하여 실리콘 질화막을 형성하고자 하는 경우, 전구체 가스는 디클로로실란(DCS), 테트라에톡시실란(TEOS), 데트라메틸실란(TMS), 헥사클로로디실란(HCD), 모노실란(SiH4), 디실란(Si2H6), 헥사메틸디실란(HMDS), 트리클로로실란(TCS), 디실릴아민(DSA), 트리실릴아민(TSA), 비스터셔리부틸아미노실란(BTBAS), 트리스디메틸아미노실란(3DMAS), 테트라키스디메틸아미노실란(4DMAS) 중 하나일 수 있고, 이에 대한 반응 가스는 오존, 산소, 물, 질소 중 하나일 수 있다.According to one embodiment, when a silicon nitride film is to be formed through an atomic layer deposition process, the precursor gas may be at least one selected from the group consisting of dichlorosilane (DCS), tetraethoxysilane (TEOS), tetramethylsilane (TMS), hexachlorodisilane HCD), monosilane (SiH4), disilane (Si2H6), hexamethyldisilane (HMDS), trichlorosilane (TCS), disilylamine (DSA), trisilylamine (BTBAS), trisdimethylaminosilane (3DMAS), tetrakisdimethylaminosilane (4DMAS), and the reaction gas for the reaction may be one of ozone, oxygen, water, and nitrogen.

일 실시예에 따르면, 원자층 증착 공정을 통하여 탄화실리콘막을 형성하고자 하는 경우 전구체 가스는 모노실란(SiH4), 디실란(Si2H6), 테트라클로로실란(SiCl4), 트리클로로실란(SiHCl3), 디클로로실란(SiH2Cl2) 중 적어도 하나를 사용할 수 있고, 이에 대한 반응 가스는 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 아세틸렌(C2H2), 에탄(C2H6)일 수 있다.According to one embodiment, when a silicon carbide layer is to be formed through an atomic layer deposition process, the precursor gas may include monosilane (SiH4), disilane (Si2H6), tetrachlorosilane (SiCl4), trichlorosilane (SiHCl3), dichlorosilane (SiH2Cl2), and the reaction gas for the reaction may be propane (C3H8), ethylene (C2H4), acetylene (C2H2), or ethane (C2H6).

상기 열거한 막 외에 다른 막을 형성하고자 하는 경우, 당업자의 선택에 따라 전구체 가스와 반응 가스를 조합할 수 있음은 물론이다.
It is needless to say that precursor gas and reaction gas can be combined according to the choice of a person skilled in the art in order to form a film other than the above-mentioned films.

도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 바이어스 전압 인가부를 설명하기 위한 단면도를 도시한다. 보다 구체적으로 도 2는 원자층 증착장비(100)의 챔버(110) 내의 스테이지(200) 및 상기 스테이지(200)에 탈착 가능하게 결합한 바이어스 전압 공급부(140)의 단면도를 도시한다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a bias voltage applying unit of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 illustrates a cross-sectional view of a stage 200 in a chamber 110 of an atomic layer deposition apparatus 100 and a bias voltage supply 140 detachably coupled to the stage 200. As shown in FIG.

도 2를 참조하여 상기 스테이지(200) 및 상기 바이어스 전압 인가부(140)에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.Referring to FIG. 2, the stage 200 and the bias voltage applying unit 140 will be described in detail.

상기 스테이지(200)는 박막이 형성될 기판을 수용 및 지지할 수 있도록 마련될 수 있다. 상기 스테이지(200)에는 기판을 수용하기 위하여 상기 스테이지(200) 중앙 부분에 기판 수용부가 정의될 수 있다. 예를 들어, 기판 수용부는 기판이 안착될 수 있도록 도 2에 도시한 바와 같이 아래 쪽으로 수용단차를 가질 수 있다. 또한 예를 들어, 기판 수용부는 기판을 수용 및 지지하기 위하여 기판의 형상 및 크기에 상응하는 형상 및 공간을 제공할 수 있다. 따라서 기판은 박막이 형성되는 동안 안정적으로 스테이지에 안착된 상태로 유지될 수 있다.The stage 200 may be provided to receive and support a substrate on which a thin film is to be formed. In the stage 200, a substrate receiving portion may be defined in the center portion of the stage 200 to receive the substrate. For example, the substrate receiving portion may have an acceptance step downward as shown in FIG. 2 so that the substrate can be seated. Also for example, the substrate receiving portion may provide a shape and space corresponding to the shape and size of the substrate to receive and support the substrate. Thus, the substrate can be stably held on the stage while the thin film is formed.

한편, 바이어스 전압 제공부(140)는 제1 고정나사(210), 전도성 바(Bar)(220), 제2 고정나사(230), 너트(240) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이해의 편의를 위하여 도 2 좌측은 바이어스 전압 제공부(140)가 체결된 후의 모습을 도시하며, 도 2 우측은 바이어스 전압 제공부(140)가 체결되기 전의 모습을 도시한다. 이하 각 구성에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.The bias voltage providing unit 140 may include at least one of a first fixing screw 210, a conductive bar 220, a second fixing screw 230, and a nut 240. For convenience of understanding, FIG. 2 shows a state after the bias voltage supply unit 140 is fastened, and FIG. 2 shows a state before the bias voltage supply unit 140 is fastened. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

상기 전도성 바(220)는 기판의 상측면에 눌림접촉하여 바이어스 전압인가를 할 수 있다. 상기 전도성 바(220)는 상기 기판의 눌림 고정하는 동시에 바이어스 전압을 인가하기 위하여 적어도 2 번 이상의 굴곡부(C1, C2)를 가질 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전도성 바(220)는 굴곡부(C2)를 통하여 상기 기판의 상측면을 눌림 접촉할 수 있다. 이에 따라 상기 전도성 바(220)는 원자층 증착 공정 중에 상기 기판을 고정하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 상기 전도성 바(220)는 굴곡부(C2)을 통하여 기판에 바이어스 전압 입력을 제공할 수 있다. 상기 전도성 바(200)의 굴곡부(C2)가 상기 기판을 눌림 접촉하고 있으므로 전기적으로 단락없이 바이어스 전압을 인가할 수 있다.The conductive bar 220 may be pressed against the upper surface of the substrate to apply a bias voltage. The conductive bar 220 may have at least two bent portions C1 and C2 for pressing and fixing the substrate while simultaneously applying a bias voltage. As shown in FIG. 2, the conductive bar 220 can press the upper side of the substrate through the bent portion C2. Accordingly, the conductive bar 220 may serve to fix the substrate during the atomic layer deposition process. In addition, the conductive bar 220 may provide a bias voltage input to the substrate via the flexure C2. Since the bent portion C2 of the conductive bar 200 touches the substrate, the bias voltage can be applied without an electrical short circuit.

계속하여 상기 전도성 바(220)는 바이어스 전압 공급을 위하여 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 전도성 바(200)는 상기 기판과의 효율적인 접촉을 위하여 탄성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. Subsequently, the conductive bar 220 may be made of a conductive material for supplying a bias voltage. In addition, the conductive bar 200 may be made of a material having elasticity for efficient contact with the substrate.

또한, 상기 전도성 바(220)는 상기 전도성 바(200)의 고정을 위하여 일단에 중공을 포함할 수 있다.In addition, the conductive bar 220 may include a hollow at one end for fixing the conductive bar 200.

제1 고정나사(210)는 상기 전도성 바(220)를 상기 스테이지(200)에 고정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 고정나사(210)는 상기 전도성 바(220)의 일단에 마련된 중공을 관통할 수 있도록 마련될 수 있다. 또한, 상기 제1 고정나사(210)의 해드는 상기 전도성 바(220)의 중공을 통과할 수 없도록 마련될 수 있다.The first fixing screw 210 may fix the conductive bar 220 to the stage 200. For example, the first fixing screw 210 may be provided to penetrate a hollow provided at one end of the conductive bar 220. Also, the head of the first fixing screw 210 may not be able to pass through the hollow of the conductive bar 220.

제2 고정나사(230)는 상기 제1 고정나사(210)를 상기 스테이지(200)에 고정시키기 위한 구성일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 고정나사(230)는 상기 스테이지(200)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이 때, 너트(240)와 상기 스테이지(200)를 관통한 상기 제2 고정나사(230)의 일단을 체결함으로써, 상기 제2 고정나사(230)를 상기 스테이지(200)에 고정할 수 있다. The second fixing screw 230 may be configured to fix the first fixing screw 210 to the stage 200. For example, the second fixing screw 230 may be formed to pass through the stage 200. At this time, the second fixing screw 230 can be fixed to the stage 200 by fastening the nut 240 and one end of the second fixing screw 230 passing through the stage 200.

이 때, 상기 제2 고정나사(230)는 상기 제1 고정나사(210)를 고정시킬 수 있는 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 고정나사(230)는 상기 제2 고정나사(230)의 해드 내측에 상기 제1 고정나사(210)가 체결되는 제1 고정나사홈(232)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제1 고정나사(210)는 상기 제2 고정나사(230)의 해드에 마련된 제1 고정나사홈(232)에 고정될 수 있는 것이다.At this time, the second fixing screw 230 may be configured to fix the first fixing screw 210. For example, the second fastening screw 230 may include a first fastening screw groove 232 to fasten the first fastening screw 210 to the inside of the head of the second fastening screw 230. Therefore, the first fixing screw 210 can be fixed to the first fixing screw groove 232 provided at the head of the second fixing screw 230.

따라서, 상기 제2 고정나사(230)는 상기 스테이지(200)에 결합될 수 있으며, 상기 제1 고정나사(210)는 상기 전도성 바(220)가 고정되도록 상기 제2 고정나사(230)의 일단에 고정될 수 있다.The second fixing screw 230 may be coupled to the stage 200 and the first fixing screw 210 may be coupled to the first fixing screw 230 so that the conductive bar 220 is fixed, As shown in FIG.

이 때, 상기 제1 고정나사(210), 상기 제2 고정나사(230), 상기 너트(240) 중 적어도 하나는 상기 전도성 바(220)를 통하여 바이어스 전압을 인가하기 위하여 전도성 물질로 이루어질 수 있다.At this time, at least one of the first set screw 210, the second set screw 230, and the nut 240 may be made of a conductive material for applying a bias voltage through the conductive bar 220 .

한편 도시하지는 않았으나, 스테이지(200)는 상기 제2 고정나사(230)가 결합할 수 있도록 상기 제2 고정나사(230)의 나사산에 대응하는 나사홈을 포함할 수 있음은 당연하다.
Although not shown, the stage 200 may include a thread groove corresponding to the thread of the second fixing screw 230 so that the second fixing screw 230 may be engaged.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 제1 내지 제3 적용효과를 설명하기 위한 도면이다. 이하 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 전압 인가에 의한 적용효과를 설명하기로 한다. 설명의 편의를 위하여 전구체 가스 공급 단계에서의 적용효과를 위주로 설명하기로 한다. 전구체 가스 공급 단계 외의 반응 가스 공급 단계, 퍼지 단계에도 적용될 수 있음은 물론이다.FIGS. 3 to 5 are views for explaining the first to third application effects of the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, effects of application of a bias voltage according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 to FIG. For the sake of convenience of explanation, the application effect in the precursor gas supply step will be mainly described. The precursor gas supply step, the reaction gas supply step, and the purge step other than the precursor gas supply step.

도 3을 참조하면, 전구체 가스가 기판(300)으로 공급될 수 있다. 상기 전구체 가스는 예를 들어 금속 원자(410) 및 리간드(400)로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 바이어스 전압 인가부(140)를 통하여 바이어스 전압이 상기 기판(300)으로 공급될 수 있다. 이에 따라 전구체 가스와 상기 기판(300) 사이에는 전기력이 생성된다. 생성된 전기력에 의해 상기 전구체 가스는 상기 기판(300)의 반응자리(310)에 밀착 결합하게 된다. Referring to FIG. 3, a precursor gas may be supplied to the substrate 300. The precursor gas may comprise, for example, metal atoms 410 and ligands 400. At this time, a bias voltage may be supplied to the substrate 300 through the bias voltage applying unit 140. Thereby generating an electrical force between the precursor gas and the substrate 300. The precursor gas is tightly coupled to the reaction site 310 of the substrate 300 by the generated electric force.

따라서, 바이어스 전압을 공급함으로써, 기판 표면 전구체의 밀도가 증가하게 된다. 또한, 전구체의 리간드가 반응자리를 가림으로써 박막 형성을 방해하는 현상인 steric hindrance effect를 최소화할 수 있다.Thus, by supplying the bias voltage, the density of the substrate surface precursor increases. In addition, it is possible to minimize the steric hindrance effect, which is the phenomenon that the ligand of the precursor blocks the formation of the thin film by blocking the reaction site.

계속하여 도 4를 참조하면, 전구체가 가스가 기판(300)으로 공급되는 중에 바이어스 전압을 인가함으로써, 전구체 가스를 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 바이어스 전압의 극성 및 전압의 크기를 제어함으로써, 전구체 가스를 회전시킬 수 있다. 이때, 전구체 가스의 반응기가 기판(300)을 향하도록 전구체 가스를 회전시킴으로써, 초기 박막 핵생성의 빈도수를 극대화할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.Continuing with reference to FIG. 4, the precursor can rotate the precursor gas by applying a bias voltage while gas is being supplied to the substrate 300. For example, by controlling the polarity of the bias voltage and the magnitude of the voltage, the precursor gas can be rotated. At this time, by rotating the precursor gas so that the reactor of the precursor gas faces the substrate 300, it is possible to maximize the frequency of initial thin film nucleation.

한편 도 5를 참조한 실시예의 기판은 도 3 및 도 4를 참조한 실시예의 기판과 달리 기판의 표면에 반응자리가 부족한 경우에 해당한다. 기판의 표면에 반응자리가 부족하다고 함은, 예를 들어 기판 표면 OH-와 같이 반응자리가 없거나 적은 소수성 기판을 의미할 수 있다.On the other hand, the substrate of the embodiment of FIG. 5 differs from the substrate of FIG. 3 and FIG. The lack of a reaction site on the surface of the substrate may mean, for example, a hydrophobic substrate having little or no reaction sites, such as the substrate surface OH-.

도 5를 참조하면, 기판(320)은 반응기 예를 들어, OH-가 기판 표면에 없거나 매우 적은 소수성 기판일 수 있다. 이 경우, 전구체 가스는 기판의 반응 자리가 결합하지 않으므로 핵생성이 용이하지 않으나, 바이어스 전압을 인가함으로써, 전기력으로 전구체 가스가 기판 표면에 강제적으로 위치하도록 할 수 있다. Referring to FIG. 5, the substrate 320 may be a substrate where the reactor, for example, OH- is not on the substrate surface or is a very small hydrophobic substrate. In this case, the precursor gas is not easily nucleated because the reaction sites of the substrate are not bonded. However, by applying a bias voltage, the precursor gas can be forcedly positioned on the substrate surface by the electric force.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면 바이어스 전압을 인가함으로써, 소수성 기판에도 박막을 형성하는 효과를 제공할 수 있다.Therefore, according to one embodiment of the present invention, by applying a bias voltage, it is possible to provide an effect of forming a thin film on a hydrophobic substrate.

이상 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비의 적용효과를 설명함에 있어서, 전구체 가스가 금속 원소(410)를 포함하는 경우를 상정하였으나 전구체 가스가 이와 반대의 극성을 가지는 산소 원소를 포함할 수 있음은 물론이다.
3 to 5, when the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is applied, it is assumed that the precursor gas includes the metal element 410. However, It is of course possible to include an oxygen element having polarity.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view illustrating an atomic layer deposition process according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 공정은 전구체 가스 제공 단계[S100], 퍼지 단계[S110], 반응 가스 제공 단계[S120] 및 퍼지 단계[S130] 중 적어도 하나의 단계를 포함하여 이루어진다. 이 때, S100 내지 S130 단계 중 적어도 하나의 단계에 바이어스 전압이 제공될 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 설명하기로 한다.6, an atomic layer deposition process according to an embodiment of the present invention may include at least one of a precursor gas providing step S100, a purge step S110, a reactive gas providing step S120, and a purge step S130 / RTI > At this time, the bias voltage may be provided in at least one of steps S100 to S130. Hereinafter, each step will be described.

상기 전구체 가스 제공 단계[S100]에 있어서, 제어부(160)는 상기 전구체 가스 공급부(120)를 통하여 전구체 가스를 상기 챔버(110)로 공급하게 할 수 있다. 이 때, 상기 제어부(160)는 상기 바이어스 전압 인가부(140)를 통하여 바이어스 전압을 기판에 제공할 수 있다. 따라서, 기판 표면에는 전구체 가스가 높은 밀도로 생성될 수 있다. In the precursor gas providing step S100, the controller 160 may supply the precursor gas to the chamber 110 through the precursor gas supplying unit 120. [ At this time, the controller 160 may supply a bias voltage to the substrate through the bias voltage applying unit 140. [ Therefore, a precursor gas can be produced at a high density on the substrate surface.

일 실시예에 따르면, 상기 제어부(160)는 기판의 표면이 소수성인지 친수성인지 판단하여 소수성인 경우 선택적으로 기판에 바이어스 전압을 공급하도록 구성될 수도 있다. 또한 상기 제어부(160)는 기판의 반응 자리 수에 관한 정보에 기초하여 인가할 바이어스 전압의 크기를 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller 160 may be configured to determine whether the surface of the substrate is hydrophobic or hydrophilic, and selectively supply a bias voltage to the substrate when the substrate is hydrophobic. Also, the controller 160 may control the magnitude of the bias voltage to be applied based on the information about the number of reaction spots on the substrate.

상기 퍼지 단계[S110]에 있어서, 상기 제어부(160)는 상기 전구체 가스 공급부(120)를 통한 상기 챔버(110)로의 전구체 가스 공급을 중단할 수 있다. 상기 제어부(160)는 예를 들어 불활성 기체를 상기 챔버(110)로 공급함으로써, 기판 표면의 불순물을 제거할 수 있다. 이 때 불활성 기체는 예를 들어 Ar 또는 N2일 수 있다. 상기 제어부(160)는 상기 바이어스 전압 인가부(140)를 통하여 바이어스 전압을 기판에 제공할 수 있다. 이 경우, 바이어스 전압은 기판 표면에 흡착된 전구체 가스가 불활성 가스에 의하여 제거되지 않도록 고정력을 제공할 수 있다,In the purging step S110, the controller 160 may stop supplying the precursor gas to the chamber 110 through the precursor gas supply unit 120. The controller 160 can remove impurities on the substrate surface by supplying an inert gas to the chamber 110, for example. The inert gas may be, for example, Ar or N2. The controller 160 may supply a bias voltage to the substrate through the bias voltage applying unit 140. [ In this case, the bias voltage may provide a clamping force so that the precursor gas adsorbed on the substrate surface is not removed by the inert gas.

계속하여 상기 반응 가스 제공 단계[S120]에 있어서, 상기 제어부(160)는 상기 반응 가스 공급부(130)를 통하여 반응 가스를 상기 챔버(110)로 제공할 수 있다. 이 경우에도 상기 제어부(160)는 상기 바이어스 전압 인가부(140)를 통하여 바이어스 전압을 기판에 인가할 수 있다. 이에 따른 효과는 상기 전구체 가스 제공 단계[S100]에 대응되므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The control unit 160 may provide the reaction gas to the chamber 110 through the reaction gas supply unit 130 in the reaction gas providing step S120. In this case, the controller 160 may apply a bias voltage to the substrate through the bias voltage applying unit 140. [ The effect corresponding to the precursor gas providing step S100 corresponds to the precursor gas providing step S100, and a detailed description thereof will be omitted.

또한 상기 퍼지 단계[S120]에 있어서, 상기 제어부(160)는 비활성 기체를 통하여 불순물을 제거함으로써, 기판 표면의 한 층(layer)을 형성하게 된다. 이 경우에도 상기 퍼지 단계[S110]에서와 같이, 바이어스 전압을 인가할 수 있음은 물론이다.Also, in the purging step S120, the controller 160 removes impurities through the inert gas to form a layer on the surface of the substrate. In this case, it is needless to say that the bias voltage can be applied as in the purging step S110.

한편, 상기 원자층 증착 공정은 전구체 가스 제공 단계S100], 퍼지 단계[S110], 반응 가스 제공 단계[S120], 퍼지 단계[S130]로 이루어지는 단위 공정을 반복적으로 수행할 수 있으며, 이 때에도 바이어스 전압을 인가할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the atomic layer deposition process can repeatedly perform a unit process including a precursor gas providing step S100, a purge step S110, a reactive gas providing step S120, and a purge step S130. At this time, Of course.

한편, 상기 제어부(160)는 각 단위 공정에 있어서 바이어스 전압의 크기를 가변적으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 전구체 가스 제공 단계에는 전기력에 의하여 가속된 전구체 가스가 기판 표면에 손상을 줄 우려가 있으므로 전기력을 상대적으로 약하게 제공할 수 있다. 다시 말해 전구체 가스 제공 단계에서의 바이어스 전압 크기는 전구체 가스 제공 단계 이후 바로 이어지는 퍼지 단계에서의 바이어스 전압 크기 보다 작을 수 있다.
Meanwhile, the controller 160 may variably control the magnitude of the bias voltage in each unit process. For example, in the precursor gas providing step, since the precursor gas accelerated by the electric force may damage the surface of the substrate, the electric force can be relatively weakly provided. In other words, the magnitude of the bias voltage in the precursor gas providing step may be smaller than the magnitude of the bias voltage in the subsequent purge step immediately after the precursor gas providing step.

이상 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비는 바이어스 전압을 인가하기 위한 전도성 바가 기판의 상측면을 눌림 접촉함으로써, 원자층 증착공정 중에 기판을 고정시킬 수 있으며 바이어스 전압 인가를 가능케 할 수 있다.As described above, in the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, the conductive bar for applying the bias voltage contacts the upper surface of the substrate, thereby fixing the substrate during the atomic layer deposition process and enabling the bias voltage to be applied .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장비는 바이어스 전압을 인가함으로써, 기판 표면에 초기 증착률 향상 및 양질의 박막 즉, 커버리지 및 박막 밀도가 높은 박막 형성을 가능케 할 수 있다.In addition, the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention can improve the initial deposition rate on the substrate surface by applying a bias voltage, and enable formation of a thin film having a high quality, that is, coverage and thin film density.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100 : 원자층 증착장비 140: 바이어스 전압 인가부
210: 제1 고정나사 220: 전도성 바
230: 제2 고정나사 232: 제1 고정나사홈100: atomic layer deposition apparatus 140: bias voltage applying unit
210: first fixing screw 220: conductive bar
230: second fixing screw 232: first fixing screw groove

Claims (8)

기판을 수용하는 스테이지; 및
상기 기판의 상측면에 놀림접촉하여 상기 기판을 고정하는 동시에 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하도록 제1 고정나사, 전도성 바 및 제2 고정나사를 포함하는 바이어스 전압인가부;를 포함하되,
상기 제2 고정나사는 상기 스테이지를 상기 스테이지의 두께 방향으로 관통하여 상기 스테이지와 체결되며, 상기 제2 고정나사는 상기 제2 고정나사의 헤드 내측에 상기 제1 고정나사가 체결되는 제1 고정나사홈을 포함하며,
상기 제1 고정나사는 상기 전도성 바의 중공을 통하여 상기 제1 고정나사홈에 체결됨으로써, 상기 전도성 바를 고정하며,
상기 전도성 바는 상기 기판의 상측면 방향으로 연장하여 상기 기판을 고정하는 동시에 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 증착장비.A stage for receiving a substrate; And
And a bias voltage applying unit including a first set screw, a conductive bar, and a second set screw to fix the substrate and to apply a bias voltage to the substrate while making an open contact with an upper surface of the substrate,
And the second fixing screw is coupled to the stage through the stage in the thickness direction of the stage, and the second fixing screw is fixed to the inside of the head of the second fixing screw by a first fixing screw Grooves,
Wherein the first fixing screw is fastened to the first fixing screw groove through the hollow of the conductive bar to fix the conductive bar,
Wherein the conductive bars extend in an upper side direction of the substrate to fix the substrate and apply a bias voltage to the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 증착장비는, 원자층 증착장비인
증착장비.The method according to claim 1,
The deposition equipment may be an atomic layer deposition equipment
Deposition equipment. 제1 항에 있어서
상기 전도성 바는 굴곡부를 가지는 증착장비The method of claim 1, wherein
The conductive bar may be a deposition apparatus having a bent portion 제3 항에 있어서,
상기 전도성 바는 적어도 2번의 굴곡부를 가지는 증착장비.The method of claim 3,
Wherein the conductive bar has at least two bent portions. 제1 항에 있어서,
제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는 전구체 가스 제공 시의 바이어스 전압이 퍼지 시의 바이어스 전압보다 작도록 상기 전도성 바를 통하여 전압을 제공하는 증착장비.The method according to claim 1,
And a control unit,
Wherein the controller provides a voltage across the conductive bar such that the bias voltage at the time of providing the precursor gas is less than the bias voltage at the time of purging. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 스테이지는 상기 기판이 수용되는 수용단차를 포함하는
증착장비.
The method according to claim 1,
Wherein the stage comprises an acceptance step in which the substrate is received
Deposition equipment.
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