KR101589762B1 - Touch position detection apparatus and method of detecting touch position - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 물체가 접촉되는 접촉감지부; 상기 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리와, 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제어부; 를 포함한다.A contact position detecting apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a contact detecting unit for contacting an object; A first process of estimating a contact position of the object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit, a second process of detecting a contact position of the object in a limited area including the contact position estimated by the first process, 2 processing; .

Description

접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법 {Touch position detection apparatus and method of detecting touch position}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a contact position detecting apparatus and a contact position detecting method,

본 발명은 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법에 관한 것이다.The present invention relates to a contact position detecting device and a contact position detecting method.

디스플레이 장치 및 휴대용 기기 등에 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법이 다양하게 적용되고 있다. 예로서 이러한 접촉위치 검출장치 또는 접촉위치 검출방법은 터치 스크린 또는 터치 패드 등의 접촉을 통한 입력장치에 유용하게 적용될 수 있다.A contact position detecting device and a contact position detecting method are applied variously to a display device, a portable device, and the like. For example, such a contact position detecting device or a contact position detecting method can be advantageously applied to a contact input device such as a touch screen or a touch pad.

본 발명은 접촉위치를 빠르고 정확하게 검출할 수 있는 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법을 제공한다.The present invention provides a contact position detecting device and a contact position detecting method capable of detecting a contact position quickly and accurately.

실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 물체가 접촉되는 접촉감지부; 상기 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리와, 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제어부; 를 포함한다.A contact position detecting apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a contact detecting unit for contacting an object; A first process of estimating a contact position of the object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit, a second process of detecting a contact position of the object in a limited area including the contact position estimated by the first process, 2 processing; .

실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극과, 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극을 포함하며, 물체가 접촉되는 접촉감지부; 상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제1 처리를 수행하는 제1 처리부와, 상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제2 처리부를 포함하며, 상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 선택적으로 수행하는 제어부; 를 포함한다.The contact position detecting device according to the embodiment includes a contact detecting unit including at least one first array electrode arranged in a first direction and at least one second array electrode arranged in a second direction, the object being in contact with the object; A first processing unit for performing a first process for detecting a contact position of the object from signals received from the first array electrode and the second array electrode; and a second processing unit for inputting a signal to the first array electrode, And a second processing unit for performing a second process of receiving a signal output from the second array electrode corresponding to a signal input to the first array electrode and detecting a contact position of the object, A control unit that selectively performs the control; .

실시 예에 따른 접촉위치 검출방법은, 물체가 접촉되는 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리를 수행하는 단계; 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 단계; 를 포함한다.A contact position detecting method according to an embodiment of the present invention includes: performing a first process of estimating a contact position of an object with respect to an entire contact position detectable region of a contact detecting unit to which an object contacts; Performing a second process of detecting a contact position of the object in a limited area including a contact position estimated by the first process; .

실시 예에 따른 접촉위치 검출방법은, 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극과, 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극을 포함하며, 물체가 접촉되는 접촉감지부에 대하여, 상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제1 처리와, 상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 포함하며, 상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 선택적으로 수행한다.The contact position detecting method according to the embodiment includes at least one first array electrode arranged in a first direction and at least one second array electrode arranged in a second direction, A first process of detecting a contact position of the object from a signal received from the first array electrode and the second array electrode, a second process of inputting a signal to the first array electrode, And a second process for detecting a contact position of the object by receiving a signal output from the second array electrode in response to the first process and selectively performing the first process and the second process.

실시 예에 따른 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법에 의하면 접촉위치를 빠르고 정확하게 검출할 수 있는 장점이 있다.According to the contact position detecting device and the contact position detecting method according to the embodiment, there is an advantage that the contact position can be detected quickly and accurately.

또한 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법에 의하면 전류 소모를 줄일 수 있는 장점이 있다.Further, according to the contact position detecting device and the contact position detecting method according to the embodiment, current consumption can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 접촉위치 검출장치의 제1 처리부를 나타낸 블록도이다.
도 3은 도 1에 도시된 접촉위치 검출장치의 제2 처리부를 나타낸 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치의 다른 예를 나타낸 블록도이다.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 접촉위치 검출장치에서의 접촉위치 검출을 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치에서 복수의 접촉위치 검출을 설명하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치의 다른 예를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram showing a contact position detecting apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a first processing section of the contact position detecting apparatus shown in Fig.
3 is a block diagram showing a second processing unit of the contact position detecting device shown in Fig.
4 is a block diagram showing another example of the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.
Figs. 5 and 6 are views for explaining the contact position detection in the contact position detecting device shown in Fig. 4. Fig.
7 is a view for explaining a plurality of contact position detection in the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.
8 is a block diagram showing another example of the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치를 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 접촉위치 검출장치의 제1 처리부를 나타낸 블록도이고, 도 3은 도 1에 도시된 접촉위치 검출장치의 제2 처리부를 나타낸 블록도이다.FIG. 1 is a block diagram showing a contact position detecting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a first processing section of the contact position detecting device shown in FIG. 1, Fig. 7 is a block diagram showing a second processing unit of the contact position detecting device. Fig.

본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는 접촉감지부(100)와 제어부(200)를 포함할 수 있다. 상기 접촉감지부(100)에는 물체가 접촉될 수 있다. 상기 접촉감지부(100)는 제1 배열 전극(110)과 제2 배열 전극(120)을 포함할 수 있다. 상기 제어부(200)는 제1 처리부(210)와 제2 처리부(220)를 포함할 수 있다.The contact position detecting apparatus according to an embodiment of the present invention may include a contact detecting unit 100 and a controller 200. [ An object may contact the contact sensing unit 100. The touch sensing unit 100 may include a first array electrode 110 and a second array electrode 120. The control unit 200 may include a first processing unit 210 and a second processing unit 220.

상기 제1 배열 전극(110)은 상기 접촉감지부(100)의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 배열 전극(120)은 상기 접촉감지부(100)의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 전극을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 다른 방향을 나타낸다. 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 하나의 예로서 서로 수직으로 구현될 수 있으며, 또한 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수직이 아닌 임의의 각으로 구현될 수 있다The first array electrode 110 may include at least one electrode arranged in a first direction with respect to the entire contact-detectable region of the contact detection unit 100. The second array electrode 120 may include at least one electrode arranged in a second direction with respect to the entire contact-detectable region of the contact detection unit 100. Here, the second direction indicates a direction different from the first direction. The first direction and the second direction may be embodied as an example perpendicular to each other, and the first direction and the second direction may be arbitrary angles not perpendicular to each other

상기 제어부(200)는 상기 접촉감지부(100)의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리와, 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하도록 구현될 수 있다.The control unit 200 performs a first process of estimating a contact position of an object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit 100, a first process of estimating a contacted position of the object, And a second process of detecting the contact position of the object in the second process.

예로서, 상기 제어부(200)는 상기 제1 배열 전극(110)과 상기 제2 배열 전극(120)으로부터 수신되는 신호로부터 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 추정하는 제1 처리를 수행하는 제1 처리부(210)를 포함할 수 있다. 또한 상기 제어부(200)는 상기 제1 배열 전극(110)에 신호를 입력하고, 상기 제1 배열 전극(110)에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극(120)으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제2 처리부(220)를 포함할 수 있다.For example, the controller 200 may determine a contact position of an object in contact with the touch sensing unit 100 from a signal received from the first array electrode 110 and the second array electrode 120, And a first processing unit 210 that performs processing. The controller 200 receives a signal from the first array electrode 110 and a signal from the second array electrode 120 in response to a signal input to the first array electrode 110, And a second processing unit 220 for performing a second process of detecting a contact position of an object contacted to the contact sensing unit 100.

상기 제1 처리부(210)는, 상기 제1 배열 전극(110)으로부터 신호를 수신하는 제1 배열 처리부(211)와, 상기 제2 배열 전극(120)으로부터 신호를 수신하는 제2 배열 처리부(212)와, 상기 제1 배열 처리부(211)와 상기 제2 배열 처리부(212)에서 수신된 신호로부터 상기 접촉감지부(100)의 정전용량 변화를 스캔하고 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 추정하는 제1 접촉위치 검출부(213)를 포함할 수 있다.The first processing unit 210 includes a first arraying unit 211 for receiving a signal from the first arraying electrode 110 and a second arraying unit 212 for receiving a signal from the second arraying electrode 120 And a second array processor 212 for scanning the capacitance change of the touch sensor 100 and detecting an object touching the touch sensor 100. [ And a first contact position detection unit 213 for estimating a contact position of the first contact position.

상기 제2 처리부(220)는, 상기 제1 배열 전극(110)에 신호를 입력하는 제1 배열 처리부(221)와, 상기 제1 배열 전극(110)에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극(120)으로부터 출력되는 신호를 수신하는 제2 배열 처리부(222)와, 설정된 주파수를 갖는 신호를 생성하여 상기 제1 배열 처리부(221)에 입력신호를 제공하고, 상기 제2 배열 처리부(222)에서 수신된 신호로부터 상기 제2 배열 전극(120)의 출력신호 변화를 검출하여 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 접촉위치 검출부(223)를 포함할 수 있다.The second processing unit 220 includes a first arraying unit 221 for inputting a signal to the first arraying electrode 110 and a second arraying unit 221 for receiving signals inputted to the first arraying electrode 110, A second array processor 222 for receiving a signal output from the electrode 120 and a second array processor 222 for generating a signal having a predetermined frequency to provide an input signal to the first array processor 221, And a second contact position detection unit 223 for detecting a change in the output signal of the second array electrode 120 from the signal received at the contact detection unit 100 and detecting the contact position of the object contacted to the contact detection unit 100 have.

여기서, 상기 제1 처리부(210)에 포함된 상기 제1 배열 처리부(211)와 상기 제2 처리부(220)에 포함된 상기 제2 배열 처리부(221)는 하나의 구성요소로 구현될 수도 있다. 또한 상기 제1 처리부(210)에 포함된 상기 제2 배열 처리부(212)와 상기 제2 처리부(220)에 포함된 상기 제2 배열 처리부(222)는 하나의 구성요소로 구현될 수도 있다.Here, the first arrangement processing unit 211 included in the first processing unit 210 and the second arrangement processing unit 221 included in the second processing unit 220 may be implemented as one component. The second arrangement processor 212 included in the first processor 210 and the second arrangement processor 222 included in the second processor 220 may be implemented as one component.

본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 상기 제1 처리부(210)를 통하여 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출하는 제1 처리를 수행하고, 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하도록 구현될 수 있다.The contact position detecting device according to the embodiment of the present invention performs a first process of detecting a contact position of an object contacted to the contact sensing unit 100 through the first process unit 210, And to perform a second process of detecting the contact position of the object in the limited area including the estimated contact position.

또한 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 순차적으로 수행하는 것이 아니라, 상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 선택적으로 수행하도록 구현될 수도 있다. 즉, 상기 제1 처리 없이 상기 제2 처리만을 통하여 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수도 있다. 또한 상기 제2 처리 없이 상기 제1 처리만을 통하여 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수도 있다.Further, the contact position detecting device according to the embodiment may be configured to selectively perform the first process and the second process, instead of sequentially performing the first process and the second process. That is, it is possible to detect the contact position of the object contacted to the contact sensing unit 100 only through the second process without the first process. Further, it is also possible to detect the contact position of the object contacted to the contact sensing unit 100 through only the first process without the second process.

본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치가 하나인 경우에는 상기 제1 처리만을 통해서도 상기 접촉감지부(100)에 접촉된 물체의 접촉위치를 정확하게 검출할 수 있다. 따라서, 상기 제1 처리를 통하여 검출된 접촉위치가 두 개 이상인 경우에만 상기 제2 처리를 수행함으로써 복수의 접촉위치를 정확하고 빠르게 검출하도록 구현될 수도 있다. 복수의 접촉위치 검출방법에 대해서는 뒤에서 더욱 상세히 설명하기로 한다.The contact position detecting device according to the embodiment of the present invention can detect the contact position of the object contacted to the contact detecting part 100 through only the first process when the contact position of the object contacting the contact detecting part 100 is one. The contact position can be accurately detected. Therefore, the second processing may be performed only when the contact position detected through the first processing is two or more, so that the plurality of contact positions can be accurately and quickly detected. A plurality of contact position detection methods will be described later in more detail.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치의 다른 예를 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram showing another example of the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 열 감지 전극(401)과 복수의 행 감지 전극(402)을 구비하는 접촉감지부(400)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 열 감지 전극(401)에는 열 처리부(403)가 연결될 수 있으며, 상기 복수의 행 감지 전극(402)에는 행 처리부(404)가 연결될 수 있다. 또한 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는 제1 정전용량 측정부(420), 제2 정전용량 측정부(430), 제어회로부(408), 중앙처리부(409)를 포함할 수 있다. 상기 제2 정전용량 측정부(430)는 신호발생부(406)와 신호수신부(407)를 포함할 수 있다. 도면부호 411은 통신버스를 나타낸다.4, the contact position detecting apparatus according to the embodiment of the present invention includes a contact detecting unit 400 having a plurality of thermal sensing electrodes 401 and a plurality of row sensing electrodes 402 . A heat processing unit 403 may be connected to the plurality of thermal sensing electrodes 401 and a row processing unit 404 may be connected to the plurality of row sensing electrodes 402. The contact position detecting apparatus according to the embodiment may include a first capacitance measurement unit 420, a second capacitance measurement unit 430, a control circuit unit 408, and a central processing unit 409. The second capacitance measuring unit 430 may include a signal generating unit 406 and a signal receiving unit 407. Reference numeral 411 denotes a communication bus.

도 5 및 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치에서의 접촉위치 검출을 설명한다.The contact position detection in the contact position detecting device according to the embodiment will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

먼저, 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는 도 5에 나타낸 바와 같이 상기 제1 정전용량 측정부(420)를 이용하여 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수 있다.First, as shown in FIG. 5, the contact position detecting apparatus according to the embodiment can detect the contact position of an object contacting the contact detecting unit 400 using the first capacitance measuring unit 420.

상기 제1 정전용량 측정부(420)는 스위치부(505), 전하량 감지부(506), 신호발생부(507)를 포함할 수 있다. 상기 중앙처리부(409) 및 상기 제어회로부(408)의 제어에 따라 상기 제1 정전용량 측정부(420)는 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치 검출을 수행할 수 있다. 상기 스위치부(505)는 상기 열 처리부(403)와 상기 행 처리부(404)와의 연결을 선택할 수 있다. 상기 열 처리부(403)는 상기 복수의 열 감지 전극(401)으로부터 신호를 수신하고, 상기 행 처리부(404)는 상기 복수의 행 감지 전극(402)으로부터 신호를 수신할 수 있다. 도면부호 501은 물체의 접촉에 의하여 정전용량이 변화되는 열 감지 전극을 나타낸 것이고, 도면부호 502는 상기 열 감지 전극에 형성되는 기생 정전용량을 나타낸 것이다. 또한, 도면부호 503은 물체의 접촉에 의하여 정전용량이 변화되는 행 감지 전극을 나타낸 것이고, 도면부호 504는 상기 행 감지 전극에 형성되는 기생 정전용량을 나타낸 것이다.The first capacitance measurement unit 420 may include a switch unit 505, a charge amount sensing unit 506, and a signal generation unit 507. The first capacitance measurement unit 420 may detect the contact position of an object contacted to the contact sensing unit 400 under the control of the central processing unit 409 and the control circuit unit 408. [ The switch unit 505 can select the connection between the heat processing unit 403 and the row processing unit 404. The thermal processing unit 403 receives a signal from the plurality of thermal sensing electrodes 401 and the row processing unit 404 can receive signals from the plurality of row sensing electrodes 402. Reference numeral 501 denotes a thermo-sensing electrode whose capacitance is changed by contact of an object, and reference numeral 502 denotes parasitic capacitance formed on the thermo-sensing electrode. In addition, reference numeral 503 denotes a row sensing electrode whose capacitance is changed by the contact of an object, and 504 denotes a parasitic capacitance formed on the row sensing electrode.

상기 열 처리부(403)와 상기 행 처리부(404)에서 수신된 신호는 상기 스위치부(505)를 통하여 상기 전하량 감지부(506)에 전달된다. 상기 신호발생부(507)로부터 제공되는 신호를 이용하여 상기 전하량 감지부(506)는 상기 접촉감지부(400)의 각 열 감지 전극(401)과 각 행 감지 전극(402)에서의 전하량 변화를 검출할 수 있다. 즉, 상기 전하량 감지부(506)는 상기 각 열 감지 전극(401) 및 상기 각 행 감지 전극(402)에서의 정전용량 변화를 검출할 수 있다. 이를 통하여 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수 있게 된다.The signals received in the heat processing unit 403 and the row processing unit 404 are transmitted to the charge amount sensing unit 506 through the switch unit 505. [ The charge amount sensing unit 506 uses the signal provided from the signal generating unit 507 to calculate the amount of charge change in each of the column sensing electrodes 401 and the row sensing electrodes 402 of the contact sensing unit 400 Can be detected. That is, the charge amount sensing unit 506 can detect a capacitance change in each of the thermal sensing electrodes 401 and the row sensing electrodes 402. The contact position of the object contacting the contact sensing unit 400 can be detected.

또한 실시 예에 의하면, 상기 스위치부(505)가 적용되지 않은 경우도 구현이 가능하며, 이러한 경우에는 이종 측정 회로의 간섭에 의한 오류가 발생 되지 않도록 동작하지 않는 정전용량 측정회로의 공유 경로는 하이 임피던스를 유지하도록 설정할 수 있다.According to the embodiment, it is also possible to implement the case where the switch unit 505 is not applied. In this case, the shared path of the capacitance measurement circuit which does not operate so as to prevent the error caused by the interference of the hetero- Impedance can be maintained.

다음으로, 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는 도 6에 나타낸 바와 같이 상기 제2 정전용량 측정부(430)를 이용히여 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수 있다.6, the contact position detecting apparatus according to the embodiment can detect the contact position of an object contacting the contact detecting unit 400 by using the second capacitance measuring unit 430 .

상기 중앙처리부(409) 및 상기 제어회로부(408)의 제어에 따라 상기 제2 정전용량 측정부(430)는 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치 검출을 수행할 수 있다. 상기 제2 정전용량 측정부(430)는 신호발생부(406)와 신호수신부(407)를 포함할 수 있다. 상기 신호발생부(406)는 필터(603)와 제1 신호발생부(604)를 포함할 수 있다. 또한 상기 신호수신부(407)는 증폭부(605), 제1 필터(606), 혼합기(607), 제2 필터(608), ADC(609)를 포함할 수 있다.The second capacitance measurement unit 430 may detect the contact position of an object contacting the contact sensing unit 400 under the control of the central processing unit 409 and the control circuit unit 408. [ The second capacitance measuring unit 430 may include a signal generating unit 406 and a signal receiving unit 407. The signal generator 406 may include a filter 603 and a first signal generator 604. The signal receiving unit 407 may include an amplifier 605, a first filter 606, a mixer 607, a second filter 608, and an ADC 609.

상기 제1 신호발생부(604)에서 발생된 임의신호는 상기 행 처리부(404)에 전달될 수 있다. 상기 제1 신호발생부(604)에서 발생된 임의신호는 설정된 주파수 대역의 신호일 수 있다. 이때, 상기 필터(603)에 의하여 발생신호의 외부 대역이 제거된 신호가 상기 행 처리부(404)에 입력될 수 있으며, 이에 따라 노이즈가 제거될 수 있다. 상기 행 처리부(404)에 입력된 신호는 상기 복수의 행 감지 전극(402)에 입력될 수 있다. 도면부호 601은 물체의 접촉에 의해 정전용량이 변화되는 상호 정전용량을 나타낸 것이고, 도면부호 602는 상호 정전용량(601) 양 단자에 형성되는 기생 정전용량을 나타낸다.The arbitrary signal generated in the first signal generator 604 may be transmitted to the row processor 404. The arbitrary signal generated by the first signal generator 604 may be a signal of a predetermined frequency band. At this time, a signal from which the outer band of the generated signal is removed by the filter 603 can be input to the row processor 404, thereby removing noise. The signals input to the row processing unit 404 may be input to the plurality of row sensing electrodes 402. Reference numeral 601 denotes a mutual capacitance in which the capacitance is changed by contact of an object, and 602 denotes a parasitic capacitance formed in both terminals of the mutual capacitance 601.

상기 신호발생부(406)에서 발생된 임의신호는 상기 행 처리부(404)를 통하여 상기 복수의 행 감지 전극(402)에 입력된다. 그리고, 상기 복수의 행 감지 전극(402)에 입력된 신호에 대응되어 상기 복수의 열 감지 전극(401)에서 신호가 수신된다. 상기 복수의 열 감지 전극(401)에서 수신된 신호는 상기 열 처리부(403)를 통하여 상기 신호수신부(407)에 전달될 수 있다. 상기 증폭부(605)는 상기 열 처리부(403)로부터 수신된 신호를 증폭한다. 상기 열 처리부(403)로부터 전달된 신호는 상기 상호 정전용량(601)의 변화에 따라 전달되는 신호이며, 상기 상호 정전용량(601)은 물체의 접촉 여부에 따라 그 값이 변화될 수 있다.An arbitrary signal generated in the signal generator 406 is input to the plurality of row sensing electrodes 402 through the row processor 404. In addition, signals are received from the plurality of thermal sensing electrodes 401 corresponding to the signals input to the plurality of row sensing electrodes 402. The signals received from the plurality of thermal sensing electrodes 401 may be transmitted to the signal receiving unit 407 through the thermal processing unit 403. [ The amplification unit 605 amplifies the signal received from the thermal processing unit 403. The signal transmitted from the heat processing unit 403 is a signal transmitted according to the change of the mutual capacitance 601. The value of the mutual capacitance 601 may be changed depending on whether the object is in contact with the mutual capacitance 601 or not.

상기 제1 필터(606)는 상기 증폭부(605)에 의하여 증폭된 신호의 대역 외 주파수 신호를 제거할 수 있으며, 이에 따라 노이즈가 제거될 수 있다. 상기 혼합기(607)는 입력신호의 주파수 변조를 위한 것이며, 상기 제2 필터(608)는 아날로그 대 디지털 변환을 하기 위한 앤티앨리아징(anti-aliasing) 필터로 구현될 수 있다. 상기 제2 신호발생부(610)는 의도된 주파수 변환을 위한 임의 신호발생장치로서, 이를 통하여 상기 복수의 열 감지 전극(401)에서 수신된 신호로부터 상기 상호 정전용량(601)의 변화를 검출할 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치를 검출할 수 있게 된다.The first filter 606 can remove an out-of-band frequency signal of the signal amplified by the amplifier 605, thereby removing noise. The mixer 607 is for frequency modulation of the input signal and the second filter 608 may be implemented as an anti-aliasing filter for analog-to-digital conversion. The second signal generator 610 is an arbitrary signal generator for performing an intended frequency conversion and detects a change in the mutual capacitance 601 from a signal received from the plurality of thermal sensing electrodes 401 . Accordingly, it is possible to detect the contact position of the object in contact with the contact sensing unit 400.

본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치가 하나인 경우에는 상기 제1 정전용량 측정부(420)에서의 검출만을 통해서도 상기 접촉감지부(400)에 접촉된 물체의 접촉위치를 정확하게 검출할 수 있다. 따라서, 상기 제1 정전용량 측정부(420)에서의 처리를 통하여 검출된 접촉위치가 두 개 이상인 경우에만 상기 제2 정전용량 측정부(430)에서 접촉위치 검출을 수행함으로써 복수의 접촉위치를 정확하고 빠르게 검출하도록 구현될 수 있다. 복수의 접촉위치 검출방법에 대해서는 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치에서 복수의 접촉위치 검출을 설명하는 도면이다.The contact position detecting device according to the embodiment of the present invention may be configured such that when the contact position of the object touching the contact detecting part 400 is one, It is possible to accurately detect the contact position of the object contacting the portion 400. Therefore, only when the contact position detected by the first capacitance measurement unit 420 is two or more, the second capacitance measurement unit 430 performs the contact position detection, And can be quickly detected. A plurality of contact position detection methods will be described with reference to Fig. 7 is a view for explaining a plurality of contact position detection in the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.

예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 접촉감지부(400)에 T1(R2, C2)과 T2(R3, C3), 두 개의 지점에서 물체의 접촉이 있다고 하자. 실시 예에 따른 접촉위치 검출방법에 의하면, 먼저 상기 제1 정전용량 측정부(420)를 통하여 접촉 위치를 검출할 수 있다. 이때, 상기 복수의 행 감지 전극(R1, R2, R3, R4, R5)에서 검출되는 정전용량의 변화로부터 R2와 R3에 물체의 접촉이 검출될 수 있다. 또한, 상기 복수의 열 감지 전극(C1, C2, C3, C4, C5)에서 검출되는 정전용량의 변화로부터 C2와 C3에 물체의 접촉이 검출될 수 있다. 이로부터 T1(R2, C2)과 T2(R3, C3)의 두 접촉위치가 검출될 수 있다. 그러나, 상기 정전용량의 변화 검출로부터 (R2, C3) 또는 (R3, C2)가 접촉위치로 검출되는 오류가 발생될 수도 있다.For example, as shown in FIG. 7, assume that the touch sensing unit 400 has an object touch at two points T1 (R2, C2) and T2 (R3, C3). According to the contact position detecting method according to the embodiment, first, the contact position can be detected through the first capacitance measurement unit 420. At this time, contact of the object to R2 and R3 can be detected from a change in capacitance detected at the plurality of row sensing electrodes R1, R2, R3, R4, and R5. In addition, contact of an object with C2 and C3 can be detected from a change in capacitance detected by the plurality of thermal sensing electrodes C1, C2, C3, C4, and C5. From this, two contact positions of T1 (R2, C2) and T2 (R3, C3) can be detected. However, an error may occur in which (R2, C3) or (R3, C2) is detected as a contact position from the change detection of the capacitance.

따라서, 실시 예에 의하면 이러한 오류가 발생 되는 것을 방지하기 위하여 상기 제2 정전용량 측정부(430)를 이용하여 접촉위치 검출을 추가로 수행할 수 있다. 다만, 상기 제2 정전용량 측정부(430)를 이용하여 접촉위치 검출을 수행하는 경우에는 상기 접촉감지부(400)의 전체 영역에 대하여 검출을 수행하지 않고 한정된 영역에 대하여 접촉위치 검출을 수행한다. 즉, 상기 제1 정전용량 측정부(430)를 통하여 이미 R2, R3, C2, C3에서 정전용량의 변화가 검출되었으므로, C2, C3에 대해서만 신호를 입력하고, R2, R3에 대해서만 출력신호의 변화를 측정함으로써, 실제 접촉위치를 정확하고 빠르게 검출할 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, it is possible to additionally perform contact position detection using the second capacitance measurement unit 430 in order to prevent such an error from occurring. However, when performing the contact position detection using the second capacitance measurement unit 430, contact position detection is performed on a limited area without performing detection on the entire area of the contact detection unit 400 . That is, since a change in electrostatic capacitance has already been detected in R2, R3, C2, and C3 via the first capacitance measurement unit 430, a signal is input only to C2 and C3, The actual contact position can be accurately and quickly detected.

본 발명의 실시 예에 의하면, 정전용량 측정방식이 갖고 있는 장점이 외부 충격에 대한 높은 내성을 유지하면서, 접촉점에 대한 좌표 스캔이 아닌 라인 스캔을 수행함으로써 접촉 여부를 고속으로 판단할 수 있게 된다. 또한 접촉 예상 위치에 대한 국소 영역에만 입력신호와 출력신호를 적용하여 좌표 스캔을 수행함으로써, 민첩한 반응속도를 갖는 접촉위치 검출장치 및 접촉위치 검출방법을 구현할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, an advantage of the capacitance measurement method is that it is possible to determine whether or not the contact is at a high speed by performing line scanning instead of coordinate scanning with respect to the contact point while maintaining high resistance to external impact. Also, by performing coordinate scanning by applying an input signal and an output signal only to a local region with respect to a predicted contact position, it is possible to realize a contact position detecting apparatus and a contact position detecting method having agile reaction speeds.

또한 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 정전용량 측정부(420)에서의 접촉위치 측정과정과 상기 제2 정전용량 측정부(430)에서의 접촉위치 측정과정을 반복하면서 접촉 좌표의 이동을 추적할 수 있다. 또한 이러한 측정과정을 통하여 접촉점의 동작(gesture)을 빠르고 정확하게 분석할 수 있다. 이때, 위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 의하면, 복수의 접촉 좌표를 정화하고 빠르게 검출할 수 있게 된다.According to the embodiment of the present invention, the movement of the contact coordinates is repeated by repeating the contact position measurement process in the first capacitance measurement unit 420 and the contact position measurement process in the second capacitance measurement unit 430 You can trace. Through this measurement process, the gesture of the contact point can be analyzed quickly and accurately. At this time, as described above, according to the embodiment of the present invention, a plurality of contact coordinates can be purified and quickly detected.

본 발명의 실시 예에 의하면, 접촉 입력이 일정 시간 동안 발생하지 않을 경우 접촉 감지 방법 중에서 상기 제1 정전용량 측정부(420)를 이용한 접촉위치 검출만을 수행하도록 할 수 있다. 이와 같이 제어함으로써, 전력소모를 줄일 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 정전용량 측정부(420)만을 이용하여 접촉위치 검출을 수행하는 과정에서, 다시 설정된 일정 시간 동안 접촉 입력이 발생하지 않는 경우에는 열 처리부 또는 행 처리부 중 하나에 대해서만 접촉위치 검출을 수행하도록 제어할 수 있다. 실시 예에 의하면, 이로써 전력소모를 더 줄일 수 있게 된다.According to the embodiment of the present invention, when the contact input does not occur for a predetermined time, only contact position detection using the first capacitance measurement unit 420 among the contact detection methods can be performed. By controlling in this way, power consumption can be reduced. If contact input does not occur for a predetermined period of time during the contact position detection using only the first capacitance measurement unit 420, contact position detection is performed only for one of the heat processing unit and the row processing unit Can be controlled. According to the embodiment, the power consumption can be further reduced.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 접촉위치 검출장치의 다른 예를 나타낸 블록도이다.8 is a block diagram showing another example of the contact position detecting device according to the embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 접촉위치 검출장치는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 스위칭부(801)를 더 포함할 수 있다. 상기 스위칭부(801)는 상기 제1 정전용량 측정부(420) 또는 상기 제2 정전용량 측정부(430)가 상기 열 처리부(403) 및 상기 행 처리부(404)와 연결될 수 있도록 선택할 수 있다.The contact position detecting apparatus according to the embodiment may further include a switching unit 801 as shown in Fig. The switching unit 801 may select the first capacitance measurement unit 420 or the second capacitance measurement unit 430 to be connected to the thermal processing unit 403 and the row processing unit 404.

한편, 이상의 실시 예에서는 상기 접촉감지부(400)에 열 감지 전극(401)과 행 감지 전극(402)이 포함된 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 변형된 실시 예에 의하면 상기 열 처리부(403) 및 상기 행 처리부(404)가 상기 접촉감지부(400)에 포함되도록 구현될 수도 있다.In the above embodiment, the touch sensing unit 400 includes the thermal sensing electrode 401 and the row sensing electrode 402. However, according to the modified embodiment, the thermal processing unit 403 and the row processing unit 404 may be implemented to be included in the contact sensing unit 400.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100... 접촉감지부 110... 제1 배열 전극
120... 제2 배열 전극 200... 제어부
210... 제1 처리부 211... 제1 배열 처리부
212... 제2 배열 처리부 213... 제1 접촉위치 검출부
220... 제2 처리부 221... 제1 배열 처리부
222... 제2 배열 처리부 223... 제2 접촉위치 검출부
400... 접촉감지부 401... 열 감지 전극
402... 행 감지 전극 403... 열 처리부
404... 행 처리부 406... 신호발생부
407... 신호수신부 408... 제어회로부
409... 중앙처리부 411... 통신버스
420... 제1 정전용량 측정부 430... 제2 정전용량 측정부100 ... Contact sensing unit 110 ... First array electrode
120 ... second array electrode 200 ... control unit
210 ... First processing unit 211 ... First arrangement processing unit
212 ... second arrangement processing section 213 ... first contact position detection section
220 ... second processing section 221 ... first arrangement processing section
222 ... second arrangement processing section 223 ... second contact position detection section
400 ... Contact sensing part 401 ... Thermal sensing electrode
402 ... row sensing electrode 403 ... heat processing unit
404 ... a row processor 406 ... a signal generator
407 ... signal receiving section 408 ... control circuit section
409 ... Central processing unit 411 ... Communication bus
420 ... first capacitance measuring unit 430 ... second capacitance measuring unit

Claims (17)

물체가 접촉되는 접촉감지부;
상기 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리와, 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제어부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.A contact detecting unit for contacting an object;
A first process of estimating a contact position of the object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit, a second process of detecting a contact position of the object in a limited area including the contact position estimated by the first process, 2 processing;
And the contact position detecting device. 제1항에 있어서, 상기 접촉감지부는,
상기 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극;
상기 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극;
을 포함하는 접촉위치 검출장치.2. The apparatus according to claim 1,
At least one first array electrode arranged in a first direction with respect to the entire contact-position detectable region;
At least one second array electrode arranged in a second direction with respect to the entire contact-position detectable region;
And the contact position detecting device. 제2항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 추정하는 제1 처리를 수행하는 제1 처리부;
상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고, 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제2 처리부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.3. The apparatus of claim 2,
A first processing unit for performing a first process of estimating a contact position of the object from signals received from the first array electrode and the second array electrode;
A second process for inputting a signal to the first array electrode and receiving a signal outputted from the second array electrode in correspondence with the signal inputted to the first array electrode to detect a contact position of the object; 2 processor;
And the contact position detecting device. 제3항에 있어서, 상기 제1 처리부는,
상기 제1 배열 전극으로부터 신호를 수신하는 제1 배열 처리부;
상기 제2 배열 전극으로부터 신호를 수신하는 제2 배열 처리부;
상기 제1 배열 처리부와 상기 제2 배열 처리부에서 수신된 신호로부터 상기 접촉감지부의 정전용량 변화를 스캔하고 상기 물체의 접촉위치를 추정하는 제1 접촉위치 검출부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.The image processing apparatus according to claim 3,
A first arrangement processor for receiving signals from the first array electrodes;
A second arrangement processor for receiving signals from the second array electrodes;
A first contact position detecting unit that scans a capacitance change of the touch sensing unit from the signals received by the first arrangement processing unit and the second arrangement processing unit and estimates a contact position of the object;
And the contact position detecting device. 제3항에 있어서, 상기 제2 처리부는,
상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하는 제1 배열 처리부;
상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하는 제2 배열 처리부;
설정된 주파수를 갖는 신호를 생성하여 상기 제1 배열 처리부에 입력신호를 제공하고, 상기 제2 배열 처리부에서 수신된 신호로부터 상기 제2 배열 전극의 출력신호 변화를 검출하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 접촉위치 검출부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.The image processing apparatus according to claim 3,
A first arrangement processor for inputting a signal to the first array electrode;
A second arrangement processor for receiving signals output from the second array electrodes corresponding to signals input to the first array electrodes;
Wherein the first array processing unit generates a signal having a predetermined frequency to provide an input signal to the first array processing unit and detects a change in the output signal of the second array electrode from the signal received by the second array processing unit, A second contact position detecting unit;
And the contact position detecting device. 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극과, 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극을 포함하며, 물체가 접촉되는 접촉감지부;
상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제1 처리를 수행하는 제1 처리부와, 상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 제2 처리부를 포함하며, 상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 선택적으로 수행하는 제어부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.A touch sensing unit including at least one first array electrode arranged in a first direction and at least one second array electrode arranged in a second direction, the object being in contact with the object;
A first processing unit for performing a first process for detecting a contact position of the object from signals received from the first array electrode and the second array electrode; and a second processing unit for inputting a signal to the first array electrode, And a second processing unit for performing a second process of receiving a signal output from the second array electrode corresponding to a signal input to the first array electrode and detecting a contact position of the object, A control unit that selectively performs the control;
And the contact position detecting device. 제6항에 있어서, 상기 제1 처리부는 상기 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하고, 상기 제2 처리부는 상기 제1 처리부에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 접촉위치 검출장치.The apparatus according to claim 6, wherein the first processing unit estimates a contact position of the object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit, and the second processing unit includes a contact position estimated by the first processing unit And detects the contact position of the object in a limited area. 제6항에 있어서, 상기 제1 처리부는,
상기 제1 배열 전극으로부터 신호를 수신하는 제1 배열 처리부;
상기 제2 배열 전극으로부터 신호를 수신하는 제2 배열 처리부;
상기 제1 배열 처리부와 상기 제2 배열 처리부에서 수신된 신호로부터 상기 접촉감지부의 정전용량 변화를 스캔하고 상기 물체의 접촉위치를 추정하는 제1 접촉위치 검출부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.The image processing apparatus according to claim 6,
A first arrangement processor for receiving signals from the first array electrodes;
A second arrangement processor for receiving signals from the second array electrodes;
A first contact position detecting unit that scans a capacitance change of the touch sensing unit from the signals received by the first arrangement processing unit and the second arrangement processing unit and estimates a contact position of the object;
And the contact position detecting device. 제6항에 있어서, 상기 제2 처리부는,
상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하는 제1 배열 처리부;
상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하는 제2 배열 처리부;
설정된 주파수를 갖는 신호를 생성하여 상기 제1 배열 처리부에 입력신호를 제공하고, 상기 제2 배열 처리부에서 수신된 신호로부터 상기 제2 배열 전극의 출력신호 변화를 검출하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 접촉위치 검출부;
를 포함하는 접촉위치 검출장치.7. The image processing apparatus according to claim 6,
A first arrangement processor for inputting a signal to the first array electrode;
A second arrangement processor for receiving signals output from the second array electrodes corresponding to signals input to the first array electrodes;
Wherein the first array processing unit generates a signal having a predetermined frequency to provide an input signal to the first array processing unit and detects a change in the output signal of the second array electrode from the signal received by the second array processing unit, A second contact position detecting unit;
And the contact position detecting device. 물체가 접촉되는 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하는 제1 처리를 수행하는 단계;
상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 수행하는 단계;
를 포함하는 접촉위치 검출방법.Performing a first process of estimating a contact position of an object with respect to an entire contact-position-detectable region of a contact-sensing unit that is in contact with an object;
Performing a second process of detecting a contact position of the object in a limited area including a contact position estimated by the first process;
And detecting the contact position. 제10항에 있어서,
상기 접촉감지부는, 상기 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극; 상기 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극;을 포함하며,
상기 제1 처리를 수행하는 단계는, 상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 추정하고,
상기 제2 처리를 수행하는 단계는, 상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고, 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 접촉위치 검출방법.11. The method of claim 10,
The contact detection unit may include at least one first array electrode arranged in a first direction with respect to the entire contact-position detectable region; And at least one second array electrode arranged in a second direction with respect to the entire contact-position detectable region,
The step of performing the first processing may include estimating a contact position of the object from signals received from the first array electrode and the second array electrode,
Wherein the step of performing the second processing includes the steps of inputting a signal to the first array electrode, receiving a signal output from the second array electrode in correspondence with a signal input to the first array electrode, Is detected. 제11항에 있어서, 상기 제1 처리를 수행하는 단계에서, 상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신된 신호로부터 상기 접촉감지부의 정전용량 변화를 스캔하고 상기 물체의 접촉위치를 추정하는 접촉위치 검출방법.12. The method according to claim 11, wherein in the performing the first process, a capacitance change of the touch sensing unit is scanned from a signal received from the first array electrode and the second array electrode, and a contact position of the object is estimated Contact position detection method. 제11항에 있어서, 상기 제2 처리를 수행하는 단계에서, 설정된 주파수를 갖는 신호를 생성하여 상기 제1 배열 전극에 입력신호를 제공하고, 상기 제2 배열 전극에서 출력되는 신호로부터 출력신호의 변화를 검출하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 접촉위치 검출방법.The method according to claim 11, wherein in the performing the second process, a signal having a predetermined frequency is generated to provide an input signal to the first array electrode, and a change in an output signal And detects a contact position of the object. 제1 방향으로 배열된 적어도 하나의 제1 배열 전극과, 제2 방향으로 배열된 적어도 하나의 제2 배열 전극을 포함하며, 물체가 접촉되는 접촉감지부에 대하여,
상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신되는 신호로부터 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제1 처리와,
상기 제1 배열 전극에 신호를 입력하고 상기 제1 배열 전극에 입력된 신호에 대응되어 상기 제2 배열 전극으로부터 출력되는 신호를 수신하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 제2 처리를 포함하며,
상기 제1 처리와 상기 제2 처리를 선택적으로 수행하는 접촉위치 검출방법.A touch sensing device comprising at least one first array electrode arranged in a first direction and at least one second array electrode arranged in a second direction,
A first process of detecting a contact position of the object from signals received from the first array electrode and the second array electrode,
And a second process of inputting a signal to the first array electrode and receiving a signal output from the second array electrode corresponding to a signal input to the first array electrode to detect a contact position of the object,
And selectively performs the first process and the second process. 제14항에 있어서, 상기 제1 처리는 상기 접촉감지부의 접촉위치 검출 가능 지역 전체에 대하여 물체의 접촉된 위치를 추정하고, 상기 제2 처리는 상기 제1 처리에 의하여 추정된 접촉위치를 포함하는 한정된 영역에서 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 접촉위치 검출방법.15. The method according to claim 14, wherein the first process estimates the contact position of the object with respect to the entire contact-position detectable region of the contact detection unit, and the second process includes the contact position estimated by the first process And detecting a contact position of the object in a limited area. 제14항에 있어서, 상기 제1 처리를 수행하는 단계에서, 상기 제1 배열 전극과 상기 제2 배열 전극으로부터 수신된 신호로부터 상기 접촉감지부의 정전용량 변화를 스캔하고 상기 물체의 접촉위치를 추정하는 접촉위치 검출방법.15. The method of claim 14, wherein, in performing the first process, a capacitance change of the touch sensing unit is scanned from a signal received from the first array electrode and the second array electrode, and a contact position of the object is estimated Contact position detection method. 제14항에 있어서, 상기 제2 처리를 수행하는 단계에서, 설정된 주파수를 갖는 신호를 생성하여 상기 제1 배열 전극에 입력신호를 제공하고, 상기 제2 배열 전극에서 출력되는 신호로부터 출력신호의 변화를 검출하여 상기 물체의 접촉위치를 검출하는 접촉위치 검출방법.15. The method of claim 14, wherein in the performing the second process, a signal having a predetermined frequency is generated to provide an input signal to the first array electrode, and a change in an output signal from a signal output from the second array electrode And detects a contact position of the object.
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