KR101488148B1 - Mask for electrostatic chuck and production method for electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a mask to manufacture an electrostatic chuck, and a method of manufacturing an electrostatic chuck using the same which includes: (s1) a step of arranging a mask on a substrate; (s2) a step of injecting a first deposition substance on the substrate through a deposition hole of the mask to form a first thin film on the substrate; and (s3) a step of injecting a second deposition substance through the deposition hole of the mask to form a second thin film on a substrate on which the first thin film is not formed or on the upper surface of the thin film in order to form a plurality of dimples.

Description

정전척 제조를 위한 마스크 및 이를 이용한 정전척의 제조방법{MASK FOR ELECTROSTATIC CHUCK AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTROSTATIC CHUCK}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a mask for manufacturing an electrostatic chuck,

본 발명은 정전척 제조를 위한 마스크 및 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전척 제조 시 딤플을 형성하기 위한 박막 증착 시, 분자운동이 서로 상이한 물질로 복수의 박막을 기판상에 돌기를 형성시키고, 기판상에 반도체 웨이퍼를 안정되게 지지 및 고정할 수 있도록 하는 정전척 제조를 위한 마스크 및 이 마스크를 이용한 정전척의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask and an electrostatic chuck for manufacturing an electrostatic chuck. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing an electrostatic chuck by forming a plurality of thin films on a substrate, A mask for manufacturing an electrostatic chuck capable of stably supporting and fixing a semiconductor wafer on a substrate, and a method of manufacturing an electrostatic chuck using the mask.

일반적으로 반도체 제조공정 중 박막형성공정, 식각공정 등에서 반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라 함)을 지지 및 고정하기 위해 클램핑(clamping) 방식을 이용해 기계적으로 웨이퍼를 지지 및 고정했다. 클램핑 방식을 이용한 웨이퍼 지지 및 고정은 웨이퍼를 물리적으로 지지 및 고정하는 것이다. 웨이퍼 지지 및 고정 시 클램핑 방식을 이용할 경우 웨이퍼 온도 불균일성, 파티클 생성, 웨이퍼 휨 발생 등의 문제점이 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 전정기를 이용하는 정전척(Electrostatic Chuck)이 개발되고 있다. Generally, in order to support and fix a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer ") according to a highly integrated semiconductor device in a thin film forming process, an etching process, etc. during a semiconductor manufacturing process, a wafer is mechanically supported and fixed did. Supporting and securing the wafer using the clamping system is to physically support and fix the wafer. When the clamping method is used for supporting and fixing the wafer, there are problems such as wafer temperature non-uniformity, particle generation, and wafer warpage. To solve these problems, an electrostatic chuck using a vestibule has been developed.

정전척은 반도체 제조공정이 이루어지는 챔버의 내부에 마련되어 전원을 공급받으면 유전분극을 일으켜, 지지 및 고정(이하, ‘처킹(chucking)’이라 함)하려는 웨이퍼에 발생되는 정전기를 이용하여 웨이퍼를 처킹한다. 정전척는 스퍼터(sputter), CVD(Chemical Vapor Deposition), 식각장치 등의 반도체 장치에서 채용되고 있다. The electrostatic chuck is provided inside a chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and generates a dielectric polarization when power is supplied to chuck the wafer using static electricity generated on a wafer to be supported and fixed (hereinafter referred to as "chucking") . The electrostatic chuck is employed in a semiconductor device such as a sputter, a CVD (Chemical Vapor Deposition), or an etching device.

기계적으로 웨이퍼를 처킹하는 방식에 따른 문제점을 개선하기 위한 종래에 제시된 정전척은 정전기를 균일하고 효과적으로 발생시키지 못하고, 정전기 발생 시 정전척의 저항값이 높아 웨이퍼를 효과적으로 처킹하기 어려웠다. 이로 인해, 웨이퍼와 정전척 사이에 불균일한 접촉을 발생시켜 정전척의 파손 및 웨이퍼 수급면에서 수율을 떨어드리는 문제점이 있다. The conventional electrostatic chuck for mechanically solving the problem of chucking the wafer has not been able to uniformly and effectively generate the static electricity and has a high resistance value of the electrostatic chuck when static electricity is generated so that it is difficult to effectively chuck the wafer. As a result, uneven contact occurs between the wafer and the electrostatic chuck, resulting in breakage of the electrostatic chuck and a decrease in the yield in terms of wafer supply and demand.

본 발명의 기술분야에서 종래기술로는 한국공개특허 제10-2000-0048751호의 “고밀도 플라즈마 화학증착용 가변 고온 척”이 있다.In the technical field of the present invention, there is a " variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition " in Korean Patent Publication No. 10-2000-0048751.

본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크 및 이 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 다음과 같은 과제의 해결을 목적으로 한다.A mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention and a method for manufacturing an electrostatic chuck using the mask are intended to solve the following problems.

첫째, 웨이퍼와 정전척 간에 균일한 정전기를 발생시킬 수 있는 딤플을 제조할 수 있는 마스크를 제공하고, 정전기 발생 시 저항값을 낮춰 웨이퍼를 효과적으로 처킹할 수 있도록 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. First, a mask for manufacturing dimples that can generate uniform static electricity between a wafer and an electrostatic chuck is provided, and an electrostatic chuck for manufacturing an electrostatic chuck capable of effectively chucking a wafer by lowering a resistance value when static electricity is generated. And a method for manufacturing the chuck.

둘째, 웨이퍼를 효과적으로 처킹하여 정전척 및 웨이퍼의 파손을 방지하여 웨이퍼 수급면에서 수율을 높일 수 있도록 하는 정전척 제조를 위한 마스크 및 이 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Secondly, it is an object of the present invention to provide a mask for manufacturing an electrostatic chuck capable of effectively chucking a wafer and preventing damage to the electrostatic chuck and the wafer, thereby increasing the yield on the wafer receiving surface, and a method of manufacturing the electrostatic chuck using the mask.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해되어 질 수 있을 것이다.The solution of the present invention is not limited to those mentioned above, and other solutions not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 과제의 해결을 위한 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크는 몸체부를 포함한다. 또한, 몸체부에 복수로 구비되며, 박막 형성 시 증착을 물질이 통과되도록 하는 복수의 증착홀을 포함한다. A mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention for solving the above-mentioned problems includes a body portion. In addition, a plurality of evaporation holes are provided in the body portion, and the evaporation holes allow the material to pass through when the thin film is formed.

또한, 증착홀은 상부에 입구를 형성하며, 하부에 기판과 대향하는 출구로 이루어지며, 입구와 출구 사이에 통로를 형성하여 서로 연통되며, 출구의 직경 길이는 입구의 직경 길이보다 길다. 또한, 출구는 상협하광(上狹廣下狹)의 구조로 이루어진다.The deposition hole is formed with an inlet at an upper portion and an outlet at a lower portion opposed to the substrate, and forms a passage between the inlet and the outlet to communicate with each other. The outlet diameter is longer than the inlet diameter. In addition, the exit is made up of the structure of Sanghyuphanggwang (上 狹 廣 下 狹 狹).

아울러, 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 몸체부; 및 몸체부에 복수로 구비되며, 박막 형성 시 증착을 물질이 통과되도록 하는 복수의 증착홀을 포함하고, 상기 증착홀은 상부에 입구를 형성하며, 하부에 기판과 대향하는 출구로 이루어지며, 입구와 출구 사이에 통로를 형성하여 서로 연통되며, 출구의 직경 길이는 입구의 직경 길이보다 긴 마스크가 기판에 배치되는 단계(s1단계); 마스크의 증착홀을 통해 기판에 제1 증착물질이 분사되어 기판 상에 제1 박막이 형성되는 단계(s2단계); 마스크의 증착홀을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1 박막이 형성되지 않은 기판 또는 제1 박막의 상면에 제2 박막이 형성되어 복수의 딤플이 구성되는 단계(s3단계)를 포함한다.In addition, a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for electrostatic chuck manufacturing includes a body portion; And a plurality of deposition holes provided in the body portion for allowing the material to pass through the deposition when forming the thin film, wherein the deposition holes are formed with an inlet at an upper portion and an outlet at a lower portion opposite to the substrate, (Step s1) in which a mask having a diameter longer than the diameter of the inlet is disposed on the substrate, the diameter of the outlet being arranged to communicate with the outlet; The first deposition material is sprayed onto the substrate through the deposition hole of the mask to form a first thin film on the substrate (step s2); And the second deposition material is injected through the deposition hole of the mask to form a second thin film on the substrate or the first thin film on which the first thin film is not formed, thereby forming a plurality of dimples (step s3).

또한, S2단계에서 딤플의 제1 박막은 루프형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.Further, in step S2, the first thin film of the dimples is formed in a loop shape.

또한, 마스크의 증착홀을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1 박막이 형성되지 않은 기판 또는 제1 박막의 상면에 제2 박막이 형성되어 복수의 딤플이 구성되는 단계(s3단계)를 포함한다. The second deposition material is injected through the deposition holes of the mask to form a second thin film on the substrate or the first thin film on which the first thin film is not formed to form a plurality of dimples (step s3) do.

또한, 마스크의 증착홀을 통해 기판에 제1 증착물질이 분사되어 기판 상의 중앙 부분에 제1-1 박막이 형성되는 단계(s2-1단계)를 더 포함한다. 또한, 마스크의 증착홀을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1-1 박막이 형성되지 않은 기판 또는 제1-1 박막의 상면에 제2-2 박막이 형성되어, 적어도 하나의 중앙 딤플이 구성되는 단계(s3-1단계)를 더 포함한다. Further, the first deposition material is sprayed onto the substrate through the deposition hole of the mask to form a 1-1 thin film at the central portion on the substrate (Step s2-1). Further, the second evaporation material is injected through the deposition hole of the mask to form the second -2 thin film on the substrate or the 1-1 thin film on which the 1-1 thin film is not formed, and at least one central dimple (Step s3-1).

본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크 및 이 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 다음과 같은 효과를 가진다.The mask for fabricating the electrostatic chuck according to the present invention and the method for fabricating the electrostatic chuck using the mask have the following effects.

첫째, 딤플의 형성시 이용되는 마스크에 구비된 증착홀을 이루는 출구의 직경 길이가 입구의 직경 길이보다 길게 형성되고, 분자운동이 서로 상이한 증착물질이 마스크의 증착홀을 통해 분사되어 기판 상에 복수의 박막인 딤플을 형성하므로, 마스크의 구조적 특징에 의해 웨이퍼와 정전척 간에 균일한 정전기를 발생시킬 수 있는 딤플을 제조할 수 있고, 정전기 발생 시 저항값을 낮춰 웨이퍼를 효과적으로 처킹할 수 있다.First, the length of the diameter of the outlet of the mask used for forming the dimple is longer than the diameter of the inlet, and the deposition material having a different molecular motion is injected through the deposition hole of the mask to form a plurality The dimple that is capable of generating uniform static electricity between the wafer and the electrostatic chuck can be manufactured by the structural feature of the mask and the wafer can be effectively chucked by lowering the resistance value when static electricity is generated.

둘째, 입구와 출구의 구조가 서로 상이한 증착홀을 구비한 마스크를 이용해 웨이퍼에 복수의 박막으로 이루어진 딤플을 형성하고, 전기 저항값 및 물리적 마찰에 대한 강도가 서로 상이한 증착물질로 딤플이 구성되므로, 기판과 웨이퍼 간의 효과적인 처킹이 이루어져 정전척 및 웨이퍼의 파손을 방지하여 웨이퍼 수급면에서 수율을 높일 수 있다.Secondly, a dimple is formed of a plurality of thin films on a wafer by using a mask having an evaporation hole in which structures of an inlet and an outlet are different from each other, and a dimple is formed of an evaporation material having a different electric resistance value and physical strength from each other, The chucking between the substrate and the wafer is effectively performed, thereby preventing damage to the electrostatic chuck and the wafer, thereby increasing the yield on the wafer supply and demand side.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해되어 질 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 설명하는 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법에 의해 제조된 딤플 및 중앙 딤플을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 설명하는 다른 도면이다. 1 is a view for explaining a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention.
2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention.
FIG. 4 is a view for explaining dimples and central dimples produced by the method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention.
5 is another view for explaining a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention.

이하 본 발명의 실시 예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 그 구성 및 작용을 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 설명하는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크는 기판(110) 상에 배치되는 몸체부(150)를 포함한다. 또한, 몸체부에 복수로 구비되며, 박막 형성 시 증착을 물질이 통과되도록 하는 복수의 증착홀(151)을 포함한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a view for explaining a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention. As shown in FIG. 1, a mask for fabricating an electrostatic chuck according to the present invention includes a body portion 150 disposed on a substrate 110. In addition, a plurality of deposition holes 151 are provided in the body portion to allow the material to pass through when depositing the thin film.

증착홀(151)은 상부에 입구(152)를 형성하며, 하부에 기판(110)과 대향하는 출구(154)로 이루어지며, 입구(152)와 출구(154) 사이에 통로(153)를 형성하여 서로 연통된다. The deposition hole 151 is formed with an inlet 152 at an upper portion and an outlet 154 opposed to the substrate 110 at a lower portion and forms a passage 153 between the inlet 152 and the outlet 154 And are communicated with each other.

본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크는 기판(110)에 형성되는 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)의 형상을 제조하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크(이하, ‘마스크’라 함)는 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)의 제조를 위해 기판(110)의 상부면에 배치된다. 마스크는 기판(110)의 상부에 배치되어 위치를 정렬한 후, 영구자석판(미도시) 등의 자력에 의해 기판(110)과 밀착될 수 있다. 마스크와 기판(110)의 밀착 및 정렬을 위한 방법은 어느 하나에 국한되지 않을 것이며, 다양한 방법을 선택적으로 이용할 수 있다.The mask for manufacturing the electrostatic chuck according to the present invention is for manufacturing the shape of the dimples 120 and the central dimple 140 formed on the substrate 110. A mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention is disposed on the upper surface of the substrate 110 for manufacturing the dimples 120 and the central dimples 140. [ The mask may be disposed on the top of the substrate 110 and aligned with the substrate 110, and then may be brought into close contact with the substrate 110 by a magnetic force such as a permanent magnet plate (not shown). The method for adhering and aligning the mask and the substrate 110 will not be limited to any one, and various methods can be selectively used.

영구자석판은 기판(110)의 하부에 설치될 수 있다. 영구자석판은 복수로 구비될 수 있고, 이 영구자석판으로부터 제공되는 자기력을 통하여 기판(110)과 마스크가 상호 흡착되도록 할 수 있다.The permanent magnet plate may be installed below the substrate 110. A plurality of permanent magnet plates may be provided, and the substrate 110 and the mask may be attracted to each other through magnetic force provided from the permanent magnet plate.

마스크는 기판(110)의 크기 및 형상과 대응되는 크기 및 형상으로 이루어진다. 또한, 복수의 증착홀(151)을 구비하고, 이 증착홀(151)을 통해 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)이 형성되도록 기판(110)의 상면에 증착물질이 분사되도록 한다. 기판(110)은 원판형상으로 이루어지며, 기판(110) 상에 패턴이 형성되어 있다. The mask has a size and shape corresponding to the size and shape of the substrate 110. The deposition material is sprayed on the upper surface of the substrate 110 so that the dimples 120 and the central dimples 140 are formed through the deposition holes 151. The substrate 110 has a disk shape, and a pattern is formed on the substrate 110.

기판(110)의 크기는 어느 하나에 국한되지 않으며, 웨이퍼(130)의 크기 및 형상에 따라 달라질 수도 있다. 기판(110)에 형성된 패턴으로 인해 기판(110)에는 단위 셀로 구분이 된다. 이 단위 셀에 딤플(120)이 형성되며, 딤플(120)의 크기는 단위 셀의 범위 내에 형성되는 것이 바람직하다. 딤플(120)은 상부에서 바라봤을 때 원형으로 이루어지며, 원형 이외에 다양한 형상으로도 이루어질 수 있다. The size of the substrate 110 is not limited to any one, and may vary depending on the size and shape of the wafer 130. The substrate 110 is divided into unit cells due to the pattern formed on the substrate 110. The dimple 120 is formed in the unit cell, and the size of the dimple 120 is preferably formed within a range of the unit cell. The dimples 120 are formed in a circular shape when viewed from the top, and may have various shapes other than a circular shape.

마스크는 금속 소재를 포함하는 다양한 소재로 이루어질 수 있다. 마스크는 몸체부(150)의 외부에 유전막(미도시)을 구비할 수도 있다. 마스크는 증착물질의 증착에 의하여 기판(110)에 선별적인 증착을 가능하도록 증착홀(151)을 구비한다. 증착홀(151)은 기판(110)에 형성될 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)의 구조 및 개수에 대응되게 이루어진다. The mask can be made of various materials including metal materials. The mask may have a dielectric layer (not shown) on the outside of the body portion 150. The mask has a deposition hole 151 to enable selective deposition on the substrate 110 by deposition of the deposition material. The deposition hole 151 corresponds to the structure and the number of the dimples 120 and the central dimple 140 to be formed on the substrate 110.

마스크의 본체부(150)에 구비되는 증착홀(151)의 개수와 본체부(150)의 크기 등은 어느 하나에 국한되지 않는다. 또한, 마스크의 소재는 어느 하나에 국한되지 않으며, 다양하게 공개된 마스크의 소재를 이용해 구현 가능하다. The number of the deposition holes 151 and the size of the body portion 150 provided in the main body portion 150 of the mask are not limited to any one. In addition, the material of the mask is not limited to any one, and it can be realized by using variously disclosed mask materials.

마스크의 증착홀(151)은 상부에 입구(152)를 형성한다. 또한, 증착홀(151)은 하부에 출구(154)를 형성한다. 또한, 증착홀(151)은 입구(152)와 출구(154)를 서로 연통시키는 통로(153)를 형성한다. 도 1의 (a), (b), (c), (d)에 도시된 바와 같이 출구(154)의 직경 길이는 입구(152)의 직경 길이보다 긴 것을 특징으로 한다. The deposition hole 151 of the mask forms an inlet 152 at the top. Further, the deposition hole 151 forms an outlet 154 at the bottom. The deposition hole 151 also forms a passage 153 that communicates the inlet 152 and the outlet 154 with each other. The length of the outlet 154 is longer than the diameter of the inlet 152 as shown in Figs. 1 (a), (b), (c) and (d).

또한, 출구(154)는 상협하광(上狹下廣)의 구조로 이루어진다. 마스크의 증착홀(151)에서 출구(154)의 직경 길이가 입구(152)의 직경 길이보다 길고, 출구(154)가 상협하광의 구조로 이루짐으로써, 분자 운동이 서로 상이한 증착 물질이 증착홀(151)을 통해 기판(110)에 증착 시 증착된 막의 구조를 서로 상이하게 구현할 수 있다. In addition, the outlet 154 is made of a structure of a vertically lowered light. Since the length of the diameter of the outlet 154 in the deposition hole 151 of the mask is longer than the diameter of the inlet 152 and the outlet 154 of the deposition hole 151 is made to have a constricted light structure, The structures of the films deposited on the substrate 110 through the through holes 151 may be different from each other.

마스크의 증착홀(151)에서 출구(154)는 (a)에 도시된 바와 같이, 하측 부분이 외측을 향하도록 경사져서 연장형성되어 빗면으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 또한, 마스크의 증착홀(151)에서 출구(154)는 (b)에 도시된 바와 같이, 하측 부분이 외측을 향하는 곡면으로 이루어져 연장형성된다. 또한, 마스크의 증착홀(151)에서 출구(154)는 (c)에 도시된 바와 같이, 통로(153)와 접하는 일 구간이 외측을 향하도록 절곡되어 연장형성된다. 또한, 스크의 증착홀(151)에서 출구(154)는 (d)에 도시된 바와 같이, 통로(153)와 접하는 일 구간이 외측을 향하도록 절곡되어 연장형성되고, 연장형성된 부분의 타 구간이 하측을 향하도록 절곡된다.The outlet 154 in the deposition hole 151 of the mask is characterized in that the lower portion is inclined and extended as shown in (a) and is formed as an oblique surface. Further, in the deposition hole 151 of the mask, the outlet 154 is formed as a curved surface whose lower portion faces outwards as shown in (b). In the deposition hole 151 of the mask, the outlet 154 is bent and extended so that a section in contact with the passage 153 faces outward as shown in (c). As shown in (d), the outlet 154 in the vapor deposition hole 151 of the scraper is bent and extended so that a section in contact with the passage 153 faces outward, and the other section of the extended section And is bent toward the lower side.

전술한 바와 같이, 출구(154)가 입구(152) 보다 직경 길이가 상대적으로 더 길게 형성됨에 따라, 복수의 박막으로 이루어지는 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)의 형성 시 각 박막의 구조를 상이하게 구현할 수 있다. 증착홀(151)의 구조로 인해, 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 이루는 복수의 박막 중 제1 박막(121)은 루프 형상으로 구현할 수 있다. 또한, 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 이루는 복수의 박막 중 제2 박막(121)은 루프 형상의 중앙부분에 원판 형상으로 구현할 수 있다. As described above, since the diameter of the outlet 154 is formed to be longer than the diameter of the inlet 152, the structure of each thin film is different when the dimples 120 and the central dimples 140 are formed. . Due to the structure of the deposition hole 151, the first thin film 121 among the plurality of thin films constituting the dimple 120 and the central dimple 140 can be realized in a loop shape. In addition, the second thin film 121 among the plurality of thin films constituting the dimple 120 and the central dimple 140 may be embodied as a circular plate at the central portion of the loop shape.

루프 형상은 끊어짐이 없이 하나로 연결된 링 형상을 의미하나, 본 명세서에서 일 구간이 연결되지 않은 루프 형상은 서로 연결되지 않은 고리와 같은 형상을 포함한다. 본 발명에서 중앙 딤플(140)의 형상은 어느 하나에 국한되지 않으나, 일 구간이 연결되지 않은 루프 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.The loop shape means a ring shape connected without being broken, but a loop shape in which a section is not connected in this specification includes a ring-like shape which is not connected to each other. In the present invention, the shape of the central dimple 140 is not limited to any one, but it is preferable that the central dimple 140 is formed in a loop shape in which one section is not connected.

딤플(120) 및 중앙 딤플(140)에서 구조가 서로 상이한 복수의 박막은 분자운동이 서로 상이한 증착물질을 이용하게 된다. 분자 운동이 서로 상이한 증착물질은 증착홀(151)에서 출구(154)의 구조로 인해, 기판(110) 상에 증착되는 면적과 구조가 서로 상이해 진다. A plurality of thin films having different structures in the dimples 120 and the central dimples 140 use deposition materials having different molecular motions. The deposition materials having different molecular motions differ from each other in the area and structure deposited on the substrate 110 due to the structure of the outlet 154 in the deposition hole 151. [

도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 설명하는 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 기판(110)에 증착홀(151)을 구비한 마스크(150)가 배치되는 단계(이하,‘s1단계’라 함)를 포함한다. 또한, 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 기판(110)에 제1 증착물질이 분사되어 기판(110) 상에 제1 박막(121)이 형성되는 단계(이하, ‘s2단계’라 함)를 포함한다. 2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention. As shown in FIG. 2, a method for fabricating an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck includes a step of placing a mask 150 having a deposition hole 151 on a substrate 110 ). The first deposition material is sprayed onto the substrate 110 through the deposition hole 151 of the mask 150 to form the first thin film 121 on the substrate 110 ).

또한, 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1 박막(121)이 형성되지 않은 기판 또는 제1 박막(121)의 상면에 제2 박막(122)이 형성되어 딤플(120)이 구성되는 단계(이하, ‘s3단계’라 함)를 포함한다. 본 명세서에서 중앙 부분은 기판에서 정확히 한 가운데를 의미하는 것이 아니라, 기판에서 가운데와 인접한 부분을 포함하는 것을 의미한다. In the method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for electrostatic chuck manufacturing, a second deposition material is sprayed through a deposition hole 151 of a mask 150, so that a substrate on which the first thin film 121 is not formed, (Hereinafter referred to as 's3 step') in which the second thin film 122 is formed on the upper surface of the substrate 121 to form the dimple 120. In the present specification, the center portion does not mean exactly the center in the substrate, but means that the substrate includes a portion adjacent to the center in the substrate.

또한, 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 기판(110)에 제1 증착물질이 분사되어 기판(110) 상의 중앙 부분에 제1-1 박막(121)이 형성되는 단계(이하, ‘s2-1단계’라 함)를 더 포함한다. 아울러, 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 기판(110)에 제2 증착물질이 분사되어, 제1-1 박막(141)이 형성되지 않은 기판 또는 제1-1 박막(141)의 상면에 제2-2 박막(142)이 형성되어, 중앙 딤플(140)이 구성되는 단계(이하, ‘s3-1단계’라 함)를 더 포함한다. The first deposition material is sprayed onto the substrate 110 through the deposition hole 151 of the mask 150 to form the first deposition material on the center of the substrate 110, 1 thin film 121 (hereinafter referred to as " s2-1 step "). The second deposition material is sprayed onto the substrate 110 through the deposition hole 151 of the mask 150 to form the 1-1 thin film 141. In this case, (Hereinafter referred to as the 's3-1 step') in which the second-2 thin film 142 is formed on the upper surface of the substrate or the first thin film 141, .

s1단계는 딤플(120)을 제조하기 위해 기판(110) 상에 마스크를 배치시키는 단계이다. s1단계에서 기판(110)은 실리콘 기판과 같이 반도체 제조공정에서 웨이퍼(130)를 지지하기 위해 사용되는 기판(110)의 소재로 이루어진다. 기판(110)상에 티타늄(Titanium: Ti) 등의 금속성 물질이 다양한 증착 방법에 의해 코팅된다. 기판(110)은 전극(미도시)을 포함할 수 있다. Step s1 is the step of disposing the mask on the substrate 110 to manufacture the dimples 120. [ In step s1, the substrate 110 is made of a material of the substrate 110, such as a silicon substrate, used for supporting the wafer 130 in a semiconductor manufacturing process. A metallic material such as titanium (Ti) is coated on the substrate 110 by various deposition methods. The substrate 110 may include an electrode (not shown).

전극은 직류전원공급장치(미도시)와 전선들에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다. 기판(110)에 포함된 전극은 딤플(120)에 전기를 인가하여 반도체 웨이퍼(130)와 기판(110) 사이에 정전기를 발생시킨다. The electrodes are electrically connected to each other by a DC power supply (not shown) and wires. The electrode included in the substrate 110 applies electricity to the dimple 120 to generate static electricity between the semiconductor wafer 130 and the substrate 110.

s2단계는 기판(110) 상에 복수의 제1 박막(121)을 형성하는 단계다. 제1 박막(121)은 마스크의 증착홀(151)을 통해 분사되는 제1 증착물질에 의해 이루어진다. 제1 증착물질은 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명은 제1 증착물질로 주석(TiN)을 중심으로 설명한다. 제1 증착물질은 제1 박막(121)을 형성하기 위한 것으로 제1 증착물질이 주석일 경우, 제1 박막(121)은 주석으로 이루어지게 된다. Step s2 is a step of forming a plurality of first thin films 121 on the substrate 110. The first thin film 121 is formed by the first deposition material injected through the deposition hole 151 of the mask. The first deposition material may be made of various materials. The present invention mainly focuses on tin (TiN) as the first deposition material. The first deposition material is for forming the first thin film 121, and when the first deposition material is tin, the first thin film 121 is made of tin.

s2단계에서 제1 증착물질의 분사는 증착물질 분사부(미도시)에 의해 이루어지며, s1단계에서 마스크의 배치 및 증착물질의 분사 등은 다양하게 공개된 반도체 제조 장치에 의해 이루어진다. s2단계에서 형성되는 제1 박막(121)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같다. In step s2, the deposition of the first deposition material is performed by a deposition material injection unit (not shown). In step s1, the arrangement of the mask and the deposition of the deposition material are performed by variously disclosed semiconductor manufacturing apparatuses. The first thin film 121 formed in step s2 is as shown in FIGS.

도 3은 전술한 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 통해 제조된 정전척을 도시한 도면이다. 도 4는 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법에 의해 제조된 딤플 및 중앙 딤플을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view showing an electrostatic chuck manufactured through a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing the electrostatic chuck described above. FIG. 4 is a view for explaining dimples and central dimples produced by the method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention.

제1 박막(121)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 증착물질의 분자운동으로 인해 마스크의 증착홀(151)에서 출구(154)의 외측 방향을 따라 이동되어 기판(110)상에 증착되어 제조된다. 제1 박막(121)은 제1 증착물질의 분자 운동에 의해 증착홀(151)에서 출구(154)의 외측(테두리)의 반경을 크기 또는 면적의 범위로 하는 루프(고리 또는 링)형상으로 이루어질 수 있다. 3 and 4, the first thin film 121 is moved along the outward direction of the outlet 154 in the deposition hole 151 of the mask due to the molecular movement of the first deposition material, As shown in FIG. The first thin film 121 is formed in a loop (ring or ring) shape in which the radius of the outer side (the rim) of the outlet 154 in the deposition hole 151 is set to a range of a size or an area by the molecular movement of the first deposition material .

여기서, 제1 증착물질은 기판 상에서 외측인 횡방향으로 이동하려는 분자 운동의 성질을 가지고 있다. 제1 증착물질은 기판 상에서 외측으로 이동하려는 분자 운동의 성질을 가진 증착물질을 모두 포함할 수 있다. Here, the first deposition material has the property of molecular motion to move laterally outward on the substrate. The first deposition material may include all of the deposition materials having the property of molecular motion to move outward on the substrate.

또한, 제1 박막(121)은 원판 형상으로 이루어질 수 있다. 제1 박막(121)이 원판 형상으로 이루어질 경우, 테두리 부분의 두께가 중앙부분의 두께보다 두껍게 형성될 것이다. In addition, the first thin film 121 may have a disk shape. When the first thin film 121 is formed in a disc shape, the thickness of the rim portion will be thicker than the thickness of the central portion.

본 명세서에서 테두리 부분은 제1 박막(121)이나 제2 박막(122)의 테두리뿐만 아니라, 테두리에 근접한 부분을 모두 포함한다. 또한, 본 명세서에서 제1 박막(121)이나 제2 박막(122)의 중앙부분은 제1 박막(121)이나 제2 박막(122)의 중앙뿐만 아니라, 중앙에 근접한 부분을 모두 포함한다. In this specification, the rim portion includes not only the rim of the first thin film 121 or the second thin film 122, but also the portion close to the rim. In this specification, the central portion of the first thin film 121 or the second thin film 122 includes both the center of the first thin film 121 and the center of the second thin film 122, as well as the center thereof.

s3단계는 제1 박막(121)의 중앙부분 또는 상면에 제2 박막(122)을 형성시켜 복수의 딤플(120)을 구성하는 단계이다. s3단계에서 제2 증착물질은 탄질화티타늄(TiCN)이 이용된다. 제2 증착물질은 제1 증착물질과 분자운동의 성질이 서로 상이하다. 제1 증착물질이 증착홀(151)을 통과해 기판 상에서 횡 방향으로 이동하는 성질을 가지고 있는 반면, 제2 증착물질은 증착홀(151)을 통과한 종방향으로 분자 운동이 이루어져 기판 상에 증착된다. In step s3, the second thin film 122 is formed on the central portion or the upper surface of the first thin film 121 to form a plurality of dimples 120. In step s3, titanium carbonitride (TiCN) is used as the second deposition material. The second deposition material has different properties from that of the first deposition material. The first deposition material moves in the lateral direction on the substrate through the deposition hole 151 while the second deposition material moves in the longitudinal direction through the deposition hole 151, do.

본 발명에서 제2 증착물질은 탄질화티타늄에 국한되지 않으며, 종방향으로 이동하는 분자 운동의 성질을 가진 증착물질이 모두 포함된다. 제2 증착물질의 분사로 인해 형성된 제2 박막(122)은 도 4의 (a)와 같이 제1 박막(121)이 루프 형상일 경우, 제1 박막(121)의 중앙부분에 형성된다. 또한, 제2 박막(122)은 도 4의 (b)와 같이 테두리 부분의 두께가 중앙 부분의 두께보다 두꺼운 원판 형상의 제1 박막(121) 상면에 형성된다. In the present invention, the second deposition material is not limited to titanium carbonitride, and includes all the deposition materials having the property of molecular motion moving in the longitudinal direction. The second thin film 122 formed by the injection of the second deposition material is formed in the central portion of the first thin film 121 when the first thin film 121 is in a loop shape as shown in FIG. The second thin film 122 is formed on the upper surface of the disk-shaped first thin film 121 whose rim portion thickness is thicker than the central portion thickness as shown in FIG. 4 (b).

s3단계에서 제1 박막(121)의 중앙 부분 또는 상면에 제2 박막(122)을 형성시켜 딤플(120)을 구성한다. s3단계에서 제1 박막(121)의 중앙 부분에 제2 박막(122)이 형성되어 딤플(120)이 구성될 경우, 딤플(120)은 도 4의 (a)와 같이 제1 박막(121)이 루프 형상으로 이루어지고, 제1 박막(121)의 중앙 부분에 제2 박막(122)이 형성되어, 제1 박막(121)과 제2 박막(122)이 동일한 평면상에 형성될 수 있다. In step s3, a second thin film 122 is formed on a central portion or an upper surface of the first thin film 121 to form a dimple 120. If the second thin film 122 is formed in the central part of the first thin film 121 in step s3 to form the dimple 120, the dimple 120 is formed as the first thin film 121 as shown in FIG. And the second thin film 122 is formed at the center of the first thin film 121 so that the first thin film 121 and the second thin film 122 can be formed on the same plane.

s3단계에서 제1 박막(121)의 상면에 제2 박막(122)이 형성되어 딤플(120)이 구성될 경우, 딤플(120)은 도 4의 (b)와 같이 테두리 부분이 중앙부분보다 두께가 두꺼운 제1 박막(121)으로 이루어지고, 제1 박막(121)의 상면에 제2 박막(122)이 볼록하게 형성된다. 이 경우, 딤플(120)의 중앙부분 두께는 딤플(120)의 테두리 부분의 두께보다 두껍게 이루어진다.  If the second thin film 122 is formed on the upper surface of the first thin film 121 in step s3 so that the dimple 120 is formed, And a second thin film 122 is formed on the upper surface of the first thin film 121 in a convex shape. In this case, the thickness of the central portion of the dimple 120 is thicker than the thickness of the rim of the dimple 120.

본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 기판(110)에 제1 증착물질이 분사되어 기판(110) 상의 타 구간에 제1-1 박막(121)이 형성되는 단계(이하, “s2-1단계”라 함)를 더 포함한다. 또한, 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1-1 박막(141)의 중앙 부분 또는 상면에 제2-2 박막(142)이 형성되어, 적어도 하나의 중앙 딤플(140)이 구성되는 단계(이하, “s3-1단계”라 함)를 더 포함한다. The method for manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention is a method for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention in which a first deposition material is sprayed onto a substrate 110 through a deposition hole 151 of a mask 150, (Hereinafter referred to as " s2-1 step ") in which the thin film 121 is formed. The second evaporation material is injected through the deposition hole 151 of the mask 150 to form the second -2 thin film 142 on the central or upper surface of the 1-1 thin film 141 so that at least one (Hereinafter, referred to as " s3-1 step ") in which the central dimple 140 is formed.

중앙 딤플(140)은 기판(110)상의 중앙부분 즉, 딤플(120)이 형성된 기판(110)상의 일 구간을 제외한 구간에 형성된다. 본 발명은 중앙 딤플(140)이 기판(110)상의 중앙부분에 형성된 것을 중심으로 설명한다. The center dimple 140 is formed in a section except a section on the central portion of the substrate 110, that is, the substrate 110 on which the dimple 120 is formed. The present invention mainly focuses on a center dimple 140 formed on a central portion of a substrate 110. [

s2-1단계에서 분사되는 제1 증착물질은 s2단계의 제1 증착물질과 동일한 증착물질이다. 또한, s2-1단계에서 형성되는 제1-1 박막(141)은 제1 박막(121)과 같이 루프 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1-1 박막(141)은 테두리 부분의 두께가 중앙 부분의 두께보다 두꺼운 판 형상으로 이루어질 수 있다. 제1-1 박막(141)의 형상 및 크기는 어느 하나에 국한되지 않을 것이며, 제1-1 박막(141)을 형성하는 적어도 하나의 증착홀(151)의 형상 및 크기도 국한되지 않을 것이다.The first deposition material injected in step s2-1 is the same deposition material as the first deposition material of s2. In addition, the 1-1 thin film 141 formed in the step s2-1 may be formed in a loop shape like the first thin film 121. [ Also, the 1-1 thin film 141 may have a plate-like shape in which the thickness of the rim portion is thicker than the thickness of the center portion. The shape and size of the 1-1 thin film 141 are not limited to any one, and the shape and size of the at least one evaporation hole 151 forming the 1-1 thin film 141 are not limited.

s3-1단계에서 분사되는 제2 증착물질은 s3단계의 제2 증착물질과 동일한 증착물질이다. s3-1단계에서 형성되는 제2-2 박막(142)은 제2-1 박막(141)이 루프 형상으로 이루어질 경우, 제2-1 박막(141)의 중앙부분에 형성되어 기판 상에서 동일한 평면 상에 형성된다. 또한, s3-1단계에서 형성되는 제2-2 박막(142)은 제2-1 박막(141)이 테두리 부분의 두께가 중앙 부분의 두께보다 두꺼운 판 형상으로 이루어질 경우, 제2-1 박막(141)의 상면에 형성되어 정단면 형상이 볼록하게 이루어질 것이다. The second deposition material injected in step s3-1 is the same deposition material as the second deposition material in step s3. The second -2 thin film 142 formed in step s3-1 is formed on the central part of the second thin film 141 when the second 1-l thin film 141 is formed in a loop shape, As shown in FIG. In the case where the second-1 thin film 141 formed in step s3-1 is formed in a plate shape whose edge portion is thicker than the center part thickness, the second-1 th thin film 141 141) so that the positive cross-sectional shape is convex.

본 발명은 딤플(120)의 형성시 이용되는 마스크에 구비된 증착홀(151)을 이루는 출구(154)의 직경 길이가 입구(152)의 직경 길이보다 길게 형성되고, 분자운동이 서로 상이한 증착물질이 마스크의 증착홀(151)을 통해 분사되어 기판(110) 상에 복수의 박막인 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 형성하므로, 마스크의 구조적 특징에 의해 웨이퍼와 정전척 간에 균일한 정전기를 발생시킬 수 있는 딤플을 제조할 수 있고, 정전기 발생 시 저항값을 낮춰 웨이퍼를 효과적으로 처킹할 수 있다.The present invention is characterized in that the diameter of the outlet 154 constituting the deposition hole 151 provided in the mask used for forming the dimples 120 is longer than the diameter of the inlet 152, The dimples 120 and the central dimples 140 which are thin films are formed on the substrate 110 through the deposition holes 151 of the mask so that uniform static electricity is generated between the wafer and the electrostatic chuck The wafer can be chucked effectively by lowering the resistance value when static electricity is generated.

또한, 입구(152)와 출구(154)의 구조가 서로 상이한 증착홀(151)을 구비한 마스크를 이용해 웨이퍼에 복수의 박막으로 이루어진 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 형성하고, 전기 저항값 및 물리적 마찰에 대한 강도가 서로 상이한 증착물질로 딤플(120)이 구성되므로, 기판과 웨이퍼 간의 효과적인 처킹이 이루어져 정전척 및 웨이퍼의 파손을 방지하여 웨이퍼 수급면에서 수율을 높일 수 있다.A dimple 120 and a central dimple 140 made of a plurality of thin films are formed on a wafer using a mask having an evaporation hole 151 having an inlet 152 and an outlet 154 that are different from each other, Since the dimples 120 are formed of the evaporation material having different values from each other and the strength against physical friction, effective chucking between the substrate and the wafer is performed, thereby preventing breakage of the electrostatic chuck and the wafer, thereby increasing the yield on the wafer receiving surface.

도 5는 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법을 설명하는 다른 도면이다. 도 5는 제2 박막(122)과 제2-2 박막(142)에 적어도 하나의 박막이 형성되어 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)이 제조될 수 있다는 것을 설명한다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 제n 증착물질이 분사되어 제2 박막(122)의 상면에 제n 박막이 형성되는 단계(이하, “s4단계”라 함)를 더 포함할 수 있다. 여기서, n은 3 이상의 서수이다. 5 is another view for explaining a method of manufacturing an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention. 5 illustrates that at least one thin film is formed on the second thin film 122 and the second thin film 142 so that the dimples 120 and the central dimples 140 can be manufactured. As shown in the figure, in the method of fabricating the electrostatic chuck using the mask for fabricating the electrostatic chuck according to the present invention, the n-th deposition material is injected through the deposition hole 151 of the mask 150, (Hereinafter referred to as " s4 step ") in which an n-th thin film is formed. Here, n is an ordinal number of 3 or more.

또한, 본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 마스크(150)의 증착홀(151)을 통해 제n 증착물질이 분사되어 제2-2 박막(142)의 상면에 제n-n 박막이 형성되는 단계(이하, “s5단계”라 함)를 더 포함할 수 있다. 여기서, n은 3 이상의 서수이다. The method for fabricating an electrostatic chuck using a mask for fabricating an electrostatic chuck according to the present invention is characterized in that the n-th deposition material is injected through the deposition hole 151 of the mask 150, nn thin film is formed (hereinafter referred to as " s5 step "). Here, n is an ordinal number of 3 or more.

본 발명에서 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)은 복수의 박막이 구비되어 1층으로 이루어질 수 있으며, 복수의 박막이 구비되어 2층으로 이루어질 수 있다. 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)은 이에 한정되지 않고, 3층 내지 제n 층으로 이루어질 수 있다. 제n 층으로 이루어진 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 제조하기 위한 제n 증착물질은 제1 증착물질 또는 제2 증착물질과 동일할 수 있으며, 상이한 증착물질일 수 있다. In the present invention, the dimples 120 and the central dimples 140 may be formed of a single layer having a plurality of thin films, and may have a plurality of thin films to form two layers. The dimples 120 and the central dimples 140 are not limited to these, and may be composed of three to n-th layers. The n-th deposition material for manufacturing the dimple 120 and the central dimple 140 made of the n-th layer may be the same as the first deposition material or the second deposition material, and may be a different deposition material.

전술한 제2 증착물질은 제1 증착물질 보다 전기에 대한 저항값이 더 큰 물질로 이루어진다. 또한, 제2 증착물질은 제1 증착물질 보다 웨이퍼의 물리적 마찰에 대한 강도가 더 강한 물질로 이루어진다. The second deposition material described above is made of a material having a higher resistance value against electricity than the first deposition material. In addition, the second deposition material is made of a substance having a stronger strength against physical friction of the wafer than the first deposition material.

따라서, 제1 박막(121)은 제2 박막(122)에 비해, 웨이퍼(130)와의 물리적 마찰에 대한 강도가 약하다. 또한, 제1 박막(121)은 제2 박막(122)에 비해 전기적 저항값이 낮다. 제2 박막(122)이 제1 박막(121)과 함께 구비되어 웨이퍼(130)를 처킹할 때, 기판(110)과 웨이퍼(130)간의 전기적인 저항값을 떨어뜨리게 된다. 따라서, 안정적으로 웨이퍼(130)를 처킹할 수 있다. Therefore, the first thin film 121 has a weaker strength against physical friction with the wafer 130 than the second thin film 122. In addition, the first thin film 121 has a lower electrical resistance than the second thin film 122. When the second thin film 122 is provided together with the first thin film 121 to chuck the wafer 130, the electric resistance value between the substrate 110 and the wafer 130 is lowered. Therefore, the wafer 130 can be chucked stably.

제1 및 제2 박막 이외에 제n 박막이 최상부에 구비될 경우, 웨이퍼(130)의 물리적 마찰에 대한 강도는 최하층의 박막보다 최상층의 박막이 더 크다. 여기서, 본 명세서에 기재된 최하층의 박막과 최상층의 박막은 상대적인 개념으로, 박막이 제1 내지 제4 박막으로 이루어진 경우, 최하층의 박막은 제1 박막(121)을 의미한다. 이때, 최상층의 박막은 제4 박막이다. When the n-th thin film is provided at the top other than the first and second thin films, the strength against physical friction of the wafer 130 is larger than that of the lowermost thin film. Here, the lowermost thin film and the uppermost thin film described in this specification are relative concepts, and when the thin film is formed of the first to fourth thin films, the lowermost thin film means the first thin film 121. At this time, the thin film on the uppermost layer is the fourth thin film.

본 발명에 따른 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법은 기판상에 서로 상이한 물질로 이루어진 박막층의 구조로 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 제조하고, 웨이퍼의 물리적 마찰에 대한 강도가 상대적으로 강하고 저항값이 상대적으로 큰 물질을 최상층에 증착시켜 저항값을 낮춤으로써, 웨이퍼(130)와 정전척 간에 균일한 정전기를 발생시키고 웨이퍼를 효과적으로 처킹할 수 있도록 한다. The method for fabricating an electrostatic chuck using a mask for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention includes the steps of manufacturing a dimple 120 and a central dimple 140 with a thin film layer structure made of materials different from each other on a substrate, And a relatively large resistance value is deposited on the uppermost layer to lower the resistance value, so that uniform static electricity is generated between the wafer 130 and the electrostatic chuck, and the wafer can be effectively chucked.

또한, 제1 박막(121)과 제2 박막(122) 등으로 이루어진 딤플(120)에서 제1 박막(121)이 판형상 또는 루프(loop) 형상으로 이루어지도록 하고, 제2 박막(122)이 루프 형상으로 이루어진 제1 박막(121)의 중앙부분에 구비될 수 있도록 하여, 제1 박막(121)은 테두리 부분의 상면이 외부로 노출되어 전기에 대한 저항값을 낮출 수 있도록 하므로, 웨이퍼(130)를 효과적으로 처킹하여 정전척 및 웨이퍼(130)의 파손을 방지하여 웨이퍼 수급면에서 수율을 높일 수 있도록 한다.The first thin film 121 may be formed in a plate shape or a loop shape in the dimples 120 formed of the first thin film 121 and the second thin film 122, The upper surface of the first thin film 121 can be exposed to the outside and the resistance value against electricity can be lowered so that the wafer 130 So that breakage of the electrostatic chuck and the wafer 130 can be prevented and the yield on the wafer supply and demand surface can be increased.

또한, 기판(110)상에 딤플(120) 및 중앙 딤플(140)을 구비할 수 있도록 하여, 웨이퍼(130)를 균일하게 처킹할 수 있고 웨이퍼 처킹 시 미세한 파티클의 발생을 방지할 수 있도록 한다.
The dimple 120 and the central dimple 140 can be provided on the substrate 110 to uniformly chuck the wafer 130 and to prevent the generation of fine particles during wafer chucking.

본 실시 예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It will be understood that variations and specific embodiments which may occur to those skilled in the art are included within the scope of the present invention.

110: 기판 120: 딤플
121: 제1 박막 122: 제2 박막
130: 웨이퍼 140: 중앙 딤플
141: 제1-1 박막 142: 제2-2 박막
151: 증착홀 152: 입구
153: 통로 154: 출구110: substrate 120: dimple
121: first thin film 122: second thin film
130: wafer 140: center dimple
141: 1-1 thin film 142: 2-2 thin film
151: deposition hole 152: inlet
153: passage 154:

Claims (14)

몸체부; 및 몸체부에 복수로 구비되며, 박막 형성 시 증착을 물질이 통과되도록 하는 복수의 증착홀을 포함하고, 상기 증착홀은 상부에 입구를 형성하며, 하부에 기판과 대향하는 출구로 이루어지며, 입구와 출구 사이에 통로를 형성하여 서로 연통되며, 출구의 직경 길이는 입구의 직경 길이보다 긴 마스크가 기판에 배치되는 단계(s1단계);
마스크의 증착홀을 통해 기판에 제1 증착물질이 분사되어 기판 상에 제1 박막이 형성되는 단계(s2단계);
마스크의 증착홀을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1 박막이 형성되지 않은 기판 또는 제1 박막의 상면에 제2 박막이 형성되어 복수의 딤플이 구성되는 단계(s3단계)를 포함하며,
S2단계에서 딤플의 제1 박막은 루프형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.A body portion; And a plurality of deposition holes provided in the body portion for allowing the material to pass through the deposition when forming the thin film, wherein the deposition holes are formed with an inlet at an upper portion and an outlet at a lower portion opposite to the substrate, (Step s1) in which a mask having a diameter longer than the diameter of the inlet is disposed on the substrate, the diameter of the outlet being arranged to communicate with the outlet;
The first deposition material is sprayed onto the substrate through the deposition hole of the mask to form a first thin film on the substrate (step s2);
And a second deposition material is injected through the deposition hole of the mask to form a second thin film on the substrate or the first thin film on which the first thin film is not formed, thereby forming a plurality of dimples (step s3)
Wherein the first thin film of the dimple is formed in a loop shape in step S2. 청구항 1에 있어서,
상기 증착홀의 출구는 상협하광(上狹下廣)의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method according to claim 1,
And the outlet of the deposition hole has a structure of a vertically lowered beam. 청구항 1에 있어서,
상기 증착홀의 출구는 하측 부분이 외측을 향하도록 경사져서 연장형성된 빗면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the outlet of the deposition hole is inclined and inclined so that a lower portion of the deposition hole extends outward. 청구항 1에 있어서,
상기 증착홀의 출구는 하측 부분이 외측을 향하는 곡면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method according to claim 1,
And the outlet of the deposition hole is a curved surface whose lower portion faces outward. 청구항 1에 있어서,
상기 증착홀의 출구는 통로와 접하는 일 구간이 외측을 향하도록 절곡되어 연장형성되고, 연장형성된 타 구간이 하측을 향하도록 절곡된 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the outlet of the deposition hole is bent and extended so that a section in contact with the passage is outwardly bent and another section of the extension hole is bent downward. 청구항 1에 있어서,
마스크의 증착홀을 통해 기판에 제1 증착물질이 분사되어 기판 상의 중앙 부분에 제1-1 박막이 형성되는 단계(s2-1단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method according to claim 1,
Further comprising a step (s2-1) of forming a first thin film on a central portion of the substrate by spraying a first deposition material onto the substrate through a deposition hole of the mask, A method of manufacturing an electrostatic chuck. 청구항 6에 있어서,
마스크의 증착홀을 통해 제2 증착물질이 분사되어, 제1-1 박막이 형성되지 않은 기판 또는 제1-1 박막의 상면에 제2-2 박막이 형성되어, 적어도 하나의 중앙 딤플이 구성되는 단계(s3-1단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method of claim 6,
The second evaporation material is sprayed through the deposition hole of the mask to form the second -2 thin film on the upper surface of the substrate or the 1-1 thin film on which the 1-1 thin film is not formed and at least one central dimple is formed The method of manufacturing an electrostatic chuck according to claim 1, further comprising the step (s3-1). 청구항 1, 청구항 6 및 청구항 7 중 어느 한 청구항에 있어서,
제2 증착물질은 제1 증착물질 보다 웨이퍼의 물리적 마찰에 대한 강도가 더 강한 물질인 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method of any of claims 1, 6, and 7,
Wherein the second deposition material is a material having a higher strength against physical friction of the wafer than the first deposition material. 청구항 1, 청구항 6 및 청구항 7 중 어느 한 청구항에 있어서,
제2 증착물질은 제1 증착물질 보다 전기저항값이 더 큰 물질인 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.The method of any of claims 1, 6, and 7,
Wherein the second deposition material is a material having a higher electrical resistance value than the first deposition material. 청구항 1에 있어서,
마스크의 증착홀을 통해 제n 증착물질이 분사되어 제2 박막의 상면에 제n 박막이 형성되는 단계(s4단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.
(여기서, n은 3 이상의 자연수)The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming an n-th thin film on the upper surface of the second thin film by injecting the n-th deposition material through the deposition hole of the mask (step s4) .
(Where n is a natural number of 3 or more) 청구항 7에 있어서,
마스크의 증착홀을 통해 제n 증착물질이 분사되어 제2-2 박막의 상면에 제n-n 박막이 형성되는 단계(s5단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조를 위한 마스크를 이용한 정전척의 제조방법.
(여기서, n은 3 이상의 자연수)The method of claim 7,
Further comprising the step of forming an nn thin film on the upper surface of the second -2 thin film by injecting the n-th deposition material through the deposition hole of the mask (step s5) Gt;
(Where n is a natural number of 3 or more) 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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