KR101484951B1 - 유기전계 발광 디스플레이 장치 - Google Patents

유기전계 발광 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 박막트랜지스터의 전기적 특성 편차로 인한 유기전계 발광소자(OLED) 구동 전류의 균일성 저하 현상을 개선하기 위해 유기전계 발광소자(OLED)에 제공되는 구동전류(IOLED)의 변화에 큰 영향을 주는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth) 성분을 제거하여, 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 전기적 특성 편차를 최소화시킴으로써 균일한 휘도를 나타내는 고품위의 유기전계 발광 디스플레이 장치를 제공하는 장점이 있다.

Description

유기전계 발광 디스플레이 장치{Organic electro-luminescent display device}
본 발명은 유기전계 발광 디스플레이 장치와 그 구동방법에 관한 것으로서, 특히 박막트랜지스터의 전기적 특성 편차로 인한 유기전계 발광소자(OLED) 구동전류의 균일성 저하 현상을 개선하며 특히 문턱전압(Vth)의 변화에 따른 유기전계 발광소자(OLED) 구동전류 변화를 보상한 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
자체의 발광 특성이 없는 액티브 매트릭스 액정표시장치(AMLCD)의 단점을 해소하기 위해 제안된 디스플레이 장치가 액티브 매트릭스 유기전계 발광 디스플레이 장치(AMOLED)인데, 유기전계 발광 디스플레이 장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광성 디스플레이 장치로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 제조가 가능한 장점을 갖는다.
도 1은 종래기술에 따른 액티브 매트릭스 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조를 나타내는 것으로, 2-트랜지스터 1-커패시터(2T-1C)의 화소 구조를 도시하고 있다.
기판 상에 스캔라인(SL)과 데이터라인(DL) 및 스위칭 박막트랜지스터(SW), 커패시터(C), 구동 박막트랜지스터(DR) 및 유기전계 발광소자(OLED)를 구비하여 구성된다. 여기서 상기 각 박막트랜지스터(SW, DR)는 PMOS 채널타입의 박막트랜지스터(TFT)이다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(SW)의 게이트는 스캔라인(SL)에 연결되고, 소스는 데이터라인(DL)에 연결되어 있다. 커패시터(C)의 일 측은 상기 스위칭 박막트랜지스터(SW)의 드레인에 연결되고 타 측은 기저전압(VSS)이 인가된다.
구동 박막트랜지스터(DR)의 소스는 구동전압(VDD)이 인가되는 유기전계발광소자(OLED)의 캐소드와 연결되고, 게이트는 상기 스위칭 박막트랜지스터(SW)의 드레인에 연결되며, 드레인은 접지(Ground) 전위 등의 기저전압(VSS)이 인가된다.
도 1에 나타낸 화소의 구동방법을 도 2의 신호 타이밍도와 같이 설명하면 다음과 같다.
게이트구동IC(미도시함)로부터 스캔라인(SL)으로 인가되는 네거티브 선택전압(Vgl)인 스캔신호(scan signal)에 의해서 스위칭 박막트랜지스터(SW)가 온(on)되면 데이터라인(DL)으로 인가된 데이터전압(Vdata)에 의해서 커패시터(C)에 전하가 축적된다. 이때 상기 데이터전압(Vdata)은 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 채널타입이 PMOS-타입이므로 음극성 전압이다. 이후 상기 커패시터(C)에 충전된 전압과 상기 구동전압(VDD)과의 전위차에 따라 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 채널에 흐 르는 전류의 양이 결정되며, 결정된 전류의 양에 의해서 발광량이 결정되어 상기 유기전계 발광소자(OLED)가 발광된다.
그런데 상기한 화소 구조의 유기전계 발광 디스플레이 장치는 일 패널을 구성하고 있는 각각의 화소에 구성된 구동 박막트랜지스터(DR)간의 전기적 특성 편차 또는 공급되는 구동전압(VDD)의 강하로 인해 동일 조건에서 각각의 화소들이 서로 다른 휘도를 나타내는 현상이 발생한다.
이중 상기 첫 번째에 따른 원인은 상기 패널의 백플레인(backplane)에 따라 그 원인이 좀더 상이하게 구분되는데, 저온폴리실리콘(LTPS) 백플레인을 사용하는 패널에서는 엑시머 레이저 어닐링(ELA) 공정에 의한 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 특성변화로 인해 각 화소의 구동 박막트랜지스터(DR)에 동일한 전압을 인가하더라도 그 채널마다 서로 다른 전류가 흐르게 되어 휘도 균일성이 떨어지게 된다.
또한 비정질 실리콘(a-Si) 백플레인을 사용하는 패널에서는 제조공정에 의한 영향은 거의 없으나 구동에 의한 열화에 의해 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 특성변화가 발생되며 이에 각각의 구동 박막트랜지스터(TFT)간 상이한 열화 정도에 의해 휘도 균일성이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다.
이에 도 3과 같이, 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 전기적 특성 편차는 각 화소마다 상기 유기전계 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 상이하게 하며, 이에 동일 조건의 화소라 하더라도 서로 다른 휘도를 나타내기 때문에 패널 전체의 휘도 균일성이 떨어지는 것은 당연하며, 이는 결국 패널 상에 잔상 또는 무라(mura) 등의 영상 왜곡으로 인식된다.
이에 본 발명은 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소에 공급되는 구동전압(VDD) 강하 또는 각 화소마다 구성되는 구동 박막트랜지스터(도 1의 DR)의 전기적 특성 편차에 따른 패널 휘도 균일성 저하 현상을 개선하기 위해, 아래 수식(1)을 참조하면, 자승(square) 관계를 통해 상기 유기전계 발광소자(OLED)에 제공되는 구동전류(IOLED)의 변화에 가장 큰 영향을 주는 박막트랜지스터의 문턱전압(Vth) 변동에 의한 특성 편차를 개선함으로써 제조공정 또는 구동중 열화에 의해 발생될 수 있는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 전기적 특성 편차를 최소화하여 균일한 휘도를 나타내는 고품위의 유기전계 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
식(1) IOLED = 1/2*μ*COX*(W/L)*(Vgs-Vth)2
상기 식(1)에서, μ: 이동도(mobility), COX: 커패시턴스, W/L: 채널비(폭/길이), Vgs: 게이트-소스간 전압, Vth: 문턱전압
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 구동전압 또는 기저전압이 인가되는 유기전계 발광소자와; 상기 유기전계 발광소자에 구동전류를 공급하기 위한 구동 박막트랜지스터와; 데이터전압이 입력되며, a 번째(a:임의의 자연수) 스캔신 호에 의해 스위칭 제어되어 상기 데이터전압을 출력하는 제1스위칭 박막트랜지스터와; 상기 유기전계 발광소자와 상기 구동 박막트랜지스터 사이에 연결되며, 상기 a 번째 스캔신호에 의해 스위칭 제어되어 초기화전압을 출력하는 제2스위칭 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 전류공급신호에 의해 스위칭 제어되어 상기 구동전압을 출력하는 제3스위칭 박막트랜지스터와; 상기 제3스위칭 박막트랜지스터의 소스단과 드레인단 사이에 구성되는 제1커패시터와; 상기 제1스위칭 박막트랜지스터의 출력단과 상기 제3스위칭 박막트랜지스터의 출력단 사이에 구성되는 제2커패시터를 포함하는 유기전계 발광 디스플레이 장치를 제안한다.
상기 유기전계 발광 디스플레이 장치에서, 상기 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제3스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터는 모두 PMOS-타입인 것을 특징으로 한다.
상기 유기전계 발광 디스플레이 장치에서, 상기 기저전압은 접지 전압레벨인 것을 특징으로 한다.
상기 유기전계 발광 디스플레이 장치에서, 상기 유기전계 발광소자는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 유기전계 발광 디스플레이 장치에서, 상기 초기화전압은 상기 유기전계 발광소자의 문턱전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 한다.
상기 유기전계 발광 디스플레이 장치에서, 상기 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제2스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터는 모두 PMOS-채널타입이고 상기 제3스위칭 박막트랜지스터는 NMOS-채널타입인 것을 특징으로 한다.
상기한 특징을 가지는 본 발명에 따르면, 유기전계 발광소자(OLED)에 제공되는 구동전류(IOLED)의 변화에 큰 영향을 주는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth) 성분을 제거하여, 제조공정 또는 구동중 열화에 의해 발생될 수 있는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 전기적 특성 편차를 최소화시킴으로써 균일한 휘도를 나타내는 고품위의 유기전계 발광 디스플레이 장치를 제공하는 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조도이다.
도시된 화소의 구성을 보면, 유기전계 발광소자(OLED)와 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제3스위칭 박막트랜지스터(S1 내지 S3)와 구동 박막트랜지스터(DR) 및 제1커패시터(Cst1)와 제2커패시터(Cst2)로 구성된다.
상기 구동 박막트랜지스터(DR)는 소스단으로 구동전압(VDD)이 인가되어 드레인단에 제1노드(nd)를 형성하며 연결된 상기 유기전계 발광소자(OLED)로 구동전류(IOLED)를 공급하는 역할이며, 게이트단으로 입력되는 신호에 의해 스위칭 제어된다.
상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)는 데이터라인과 스캔라인을 통해 각각 영상표시를 위한 데이터전압(Vdata)과 임의의 a 번째(a:자연수)의 스캔신호{scan(a)}를 인가받으며, 상기 스캔신호{scan(a)}에 의해 스위칭 제어되어 영상의 표시를 위한 상기 데이터전압(Vdata)을 출력한다.
상기 제2스위칭 박막트랜지스터(S2)는 초기화전압(Vinit)이 입력되며, 상기 a 번째의 스캔신호{scan(a)}에 의해 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)와 동시에 스위칭 제어되어 상기 초기화전압(Vinit)을 상기 제1노드(nd1)로 출력한다.
상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)와 제2노드(nd2)를 형성하며 연결되고, 전류공급신호(CS)에 의해 스위칭 제어되어 상기 구동전압(VDD)을 상기 구동 박막트랜지스터(DR)로 공급한다.
아울러 상기 제3스위칭 박막트랜지스터의 소스단 및 드레인단 사이에는 제1커패시터(Cst1)가 구성되고, 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)와 상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)의 출력단(즉, 제2노드) 사이에는 제2커패시터(Cst2)가 구성된다.
이때 상기 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제3스위칭 박막트랜지스터(S1 내지 S3)와 상기 구동 박막트랜지스터(DR)는 모두 그 채널 타입이 PMOS 타입으로 구성하였으나 필요에 따라 모두 NMOS 타입의 박막트랜지스터로 구성하거나, 또는 도 5와 같이 일부 구성(제3스위칭 박막트랜지스터(S3))을 NMOS 타입을 채용하여 구성한 CMOS 타입도 구성이 가능하다.
이하 신호타이밍도를 참조하여 그 구동방법을 설명하기로 한다.
도 6은 전술한 도 4에 따른 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치 의 구동방법을 설명하기 위한 신호타이밍도로서, 상기 스캔신호{scan(a)}, 상기 전류공급신호(CS), 상기 데이터전압(Vdata)을 도시하였다.
먼저, 이전 프레임에서의 발광구동이 제1구간(①)에서 끝난 뒤 제2구간(②)으로부터 시작되는 이번 프레임의 동작은, 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)와 제2스위칭 박막트랜지스터(S2)로 로우레벨의 스캔신호{scan(a)}가 인가되고, 상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)로 하이레벨의 전류공급신호(CS)가 인가된다.
이에 상기 제1,제2스위칭 박막트랜지스터(S1,S2)는 온-스위칭 상태로 전환되고, 상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)는 오프-스위칭 상태로 전환된다.
이때 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)를 통해 영상 표시를 위한 데이터전압과는 상이한 전압레벨을 가진 "Vo" 전압을 인가하여 상기 제3노드(nd3)는 상기 "Vo" 전압이 인가된 상태이고, 상기 제2스위칭 박막트랜지스터(S2)를 통해 상기 초기화전압(Vinit)을 인가한다. 물론 상기 초기화전압(Vinit)은 상기 유기전계 발광소자(OLED)가 발광되지 않도록 상기 유기전계 발광소자(OLED)의 발광 문턱전압(Vth_OLED)보다 낮은 전압이어야 한다.
이에 상기 제2노드(nd2)가 상기 초기화전압(Vinit)보다 높은 전위를 가지기 때문에 상기 구동 발광트랜지스터(DR)는 온-스위칭 상태로 전환되어 전류가 소통되고, 따라서 상기 구동 발광트랜지스터(DR)의 소스-게이트간 전압인 Vgs(즉, Vs - Vg) 전압은 상기 구동 발광트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 강하되어 결국 상기 "Vs" 전압을 나타내는 상기 제2노드(ns2)의 전압은 (Vo + Vth) 상태가 된다.
정리하면, 상기 제2구간(②)에서 상기 "Vg" 전압을 나타내는 제3노드(nd3)는 상기 "Vo" 상태이고 상기 "Vs" 전압을 나타내는 제2노드(ns2)는 "Vo + Vth" 상태이며 상기 구동 발광트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth)의 센싱을 위한 동작 구간이다.
다음으로, 상기 제3구간(③)에서는 제1,제2,제3스위칭 박막트랜지스터(S1,S2,S3)의 스위칭 상태는 상기 제2구간(②)과 동일하며, 대신 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)로 상기 "Vo" 전압 대신 영상표시를 위한 데이터전압(Vdata)을 인가한다.
이때 상기 제1스위칭 박막트랜지스터(S1)를 통해 상기 데이터전압 (Vdata)이 출력되어 상기 제3노드(nd3)는 "Vo" 전압에서 "Vdata" 전압으로 변동되는데, 이때의 상기 제3노드(nd3)에서의 전압 변동 크기는 "Vo - Vdata"이다.
따라서 상기 제2커패시터(Cst2)와의 커플링에 의해 상기 제3노드(nd3)와 연결된 상기 제2노드(nd2) 역시 상기 제3노드(nd3)의 전압 변동분 만큼 변화되어야 하지만 상기 제2노드(nd2)와 상기 제3노드(nd3) 사이에 구성된 상기 제1,제2커패시터(Cst1, Cst2)에 의해 발생된 전압 분배에 의해 상기 제2노드(nd2)에서의 전압 변동은 아래와 같이 발생된다.
제2노드(nd2)에서의 전압변동 : (Vo - Vdata)*{Cst2/(Cst1+Cst2)}
이에 앞선 제2구간(②)에서 상기 제2노드(nd2)는 "Vo + Vth"상태였으므로, 최종적으로 "Vs" 값을 나타내는 상기 제2노드(nd2)는 아래 식(2)와 같이 나타낼 수 있다.
식(2) Vs = Vo + Vth - (Vo - Vdata)*{Cst2/(Cst1+Cst2)} - ΔV
여기서, 상기 ΔV 는 상기 구동 박막트랜지스터(DR)의 이동도(mobility) 변화에 따른 전압감쇄분이다.
이후 발광 구간인 제4구간(④)에서는, 상기 스캔신호{scan(a)}가 하이레벨로 전환되어 상기 제1,제2스위칭 박막트랜지스터(S1,S2)가 오프-스위칭 상태로 전환되고 더불어 로우레벨로 인가되는 상기 전류공급신호(CS)에 의해 상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)가 온-스위칭 상태로 전환되어 상기 구동 박막트랜지스터(DR)에 전류가 흐르면서 발광 구동이 수행되는데, 상기 제3스위칭 박막트랜지스터(S3)를 통해 상기 구동전압(VDD)이 상기 제2노드(nd2)로 공급되어 상기 제2노드(nd2)에서의 전압변화는 아래 식 (3)과 같은 상태가 된다.
식 (3) VDD - Vo - Vth + (Vo - Vdata)*{Cst2/(Cst1+Cst2)} + ΔV
이때 상기 제3노드(nd3)는 "Vdata" 상태에서 제1커패시터(Cst1)에 의한 제4노드(nd4)와의 커플링에 의해 상기 제3노드(nd3)는 아래 식(4)와 같은 상태가 된다.
식 (4) Vdata + [VDD - Vo - Vth + (Vo - Vdata)*{Cst2/(Cst1+Cst2)} + ΔV]
이에 "Vgs - Vth"는,
식 (5) Vgs - Vth = (Vo - Vdata)*{Cst1/(Cst1+Cst2)} - ΔV
와 같이 표현되고, 상기 식 (5)에 따른 "Vgs - Vth"를 상기 식 (1)에 대입하면,
IOLED = 1/2*μ*COX*(W/L)*(Vgs-Vth)2 에서,
식 (6) IOLED = 1/2*μ*COX*(W/L)*[(Vo - Vdata)*{Cst1/(Cst1+Cst2)} - ΔV]2
과 같이 최종적으로 변환된 식 (6)을 도출할 수 있다.
상기 식 (6)에서 알 수 있듯이, 상기 유기전계 발광소자(OLED)의 발광을 위한 구동전류(IOLED)를 결정하는 요소 중 상기 구동 박막트랜지스터(DR)에서의 문턱전압(Vth) 성분이 사라진 것을 알 수 있으며, 이는 곧 상기 구동 박막트랜지스터(DR)에서의 문턱전압(Vth) 변동이 상기 유기전계 발광소자(OLED)의 발광에 영향을 미치지 않게 되었음을 의미한다.
따라서 종래의 2T-1C 화소구조와 본 발명에 따른 4T-2C 구조의 구동 효율을 비교한 아래 <표 1>을 참조하면, 유기전계 발광소자(OLED)에 제공되는 구동전류(IOLED)의 변화에 큰 영향을 주는 구동 박막트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth) 변동과 더불어, 구동전압(VDD) 및 구동 박막트랜지스터(DR)의 채널 길이 편차(CD) 등에 의한 구동 편차가 현저하게 낮아지는 것을 확인할 수 있다.

화소구조
 IOLED 변동분
VDD
(9V~10V)		 Vth
(-2.7V~3.3V)		 이동도
(20~25cm2/Vs)		 구동TFT채널
길이 편차(1㎛)
4T2C 1.1% 1.0% 2.4% 1.4%
2T1C 25% 15% 25% 5%
<표 1>
도 1은 종래기술에 따른 액티브 매트릭스 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조를 도시한 화소구조도
도 2는 도 1의 화소 구동을 위한 신호타이밍도
도 3은 도 1에 도시된 구동 박막트랜지스터(DR)의 전기적 특성 편차에 따라 유기전계 발광소자(OLED)에 흐르는 구동전류(IOLED)의 차이를 설명하기 위한 전압-전류 그래프
도 4는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조도
도 5는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치의 응용 화소구조도
도 6은 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치의 구동방법을 설명하기 위한 신호타이밍도
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
DR : 구동 박막트랜지스터 Cst1, Cst2 : 제1,제2커패시터
OLED : 유기전계 발광소자
S1 내지 S3 : 제1 내지 제3스위칭 박막트랜지스터

Claims (6)

  1. 구동전압 또는 기저전압이 인가되는 유기전계 발광소자와;
    상기 유기전계 발광소자에 구동전류를 공급하기 위한 구동 박막트랜지스터와;
    데이터전압이 입력되며, a 번째(a:임의의 자연수) 스캔신호에 의해 스위칭 제어되어 상기 데이터전압을 출력하는 제1스위칭 박막트랜지스터와;
    상기 유기전계 발광소자와 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인단 사이에 연결되며, 상기 a 번째 스캔신호에 의해 스위칭 제어되어 초기화전압을 출력하는 제2스위칭 박막트랜지스터와;
    상기 구동 박막트랜지스터의 소스단과 연결되며, 전류공급신호에 의해 스위칭 제어되어 상기 구동전압을 출력하는 제3스위칭 박막트랜지스터와;
    상기 제3스위칭 박막트랜지스터의 소스단과 드레인단 사이에 구성되는 제1커패시터와;
    상기 제1스위칭 박막트랜지스터의 출력단과 상기 제3스위칭 박막트랜지스터의 출력단 사이에 구성되는 제2커패시터
    를 포함하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
  2. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제3스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터는 모두 PMOS-채널타입인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
  3. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 기저전압은 접지 전압레벨인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
  4. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 유기전계 발광소자는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
  5. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 유기전계 발광소자의 문턱전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
  6. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 제1스위칭 박막트랜지스터 내지 제2스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터는 모두 PMOS-채널타입이고 상기 제3스위칭 박막트랜지스터는 NMOS-채널타입인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 디스플레이 장치
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019757A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR20060022799A (ko) * 2004-09-08 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR100833760B1 (ko) 2007-01-16 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019757A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR20060022799A (ko) * 2004-09-08 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR100833760B1 (ko) 2007-01-16 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2008281612A (ja) 2007-05-08 2008-11-20 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置

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