KR101472829B1 - Curable composition, cured product, photo-semiconductor device, and polysiloxane - Google Patents

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Abstract

(해결 수단) 알케닐기 및 밀착성기를 갖는 폴리실록산(A)과, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산(B)(단, 폴리실록산(A)을 제외함)과, 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)를 함유하는 경화성 조성물로서, 당해 경화성 조성물 중에 포함되는 전체 성분의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때, 폴리실록산(A)의 함유 비율이 40∼90질량%인 것을 특징으로 하는 경화성 조성물.
(효과) 본 발명의 경화성 조성물은, 기판이나 금속 배선 등에 대한 높은 접착성과 LED 등의 높은 초기 휘도가 양립된 경화물을 형성할 수 있는 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이다. 따라서, 이 경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물로 반도체 발광 소자를 피복하여 얻어진 광반도체 장치에 있어서는, 초기 휘도가 높고, 또한 히트 사이클을 받은 경우라도 경화물이 패키지로부터 벗겨지지 않는 등, 경화물의 접착성이 높다.
(A) a polysiloxane (A) having an alkenyl group and an adhesive group, a polysiloxane (B) having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms per molecule (excluding the polysiloxane (A)) and a hydrosilylation reaction Wherein the content of the polysiloxane (A) is 40 to 90% by mass, when the total content of the components in the curable composition is 100% by mass Curable composition.
(Effect) The curable composition of the present invention is a hydrosilyl-based polysiloxane composition capable of forming a cured product having high adhesiveness to a substrate or metal wiring and high initial luminance such as LED. Therefore, in the optical semiconductor device obtained by covering the semiconductor light emitting element with the cured product obtained from the curable composition, the initial luminance is high, and even when the heat cycle is applied, the cured product is not peeled from the package, high.

Description

경화성 조성물, 경화물, 광반도체 장치 및 폴리실록산 {CURABLE COMPOSITION, CURED PRODUCT, PHOTO-SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POLYSILOXANE}CURABLE COMPOSITION, CURED PRODUCT, PHOTO-SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POLYSILOXANE BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a curable composition,

본 발명은, 경화성 조성물, 경화물, 광반도체 장치 및 폴리실록산에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition, a cured product, an optical semiconductor device, and a polysiloxane.

반도체 발광 장치(LED)의 봉지재 등에 사용되고 있는 하이드로실릴화 반응 경화형의 폴리실록산 조성물(이하, 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이라고도 함)은, LED 패키지 등에 대한 접착성을 높이는 기술이 요구되고 있다.A hydrosilylation reaction curing type polysiloxane composition (hereinafter also referred to as a hydrosilyl polysiloxane composition) used for an encapsulating material of a semiconductor light emitting device (LED) is required to have a technique for enhancing adhesiveness to an LED package or the like.

하이드로실릴계 폴리실록산 조성물의 접착성의 향상을 도모하는 기술로서, 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 에폭시기 함유 폴리실록산 등의 접착 촉진제를 첨가하는 기술이 알려져 있다.As a technique for improving the adhesiveness of the hydrosilyl-based polysiloxane composition, there is known a technique of adding an adhesion promoter such as an epoxy group-containing polysiloxane to the hydrosilyl-based polysiloxane composition.

특허문헌 1에는, 접착 촉진제인 알케닐기를 갖는 에폭시기 함유 폴리실록산을, 주 제제인 오르가노폴리실록산 100중량부에 대하여 0.01∼50중량부 함유하는 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이 기재되어 있다.Patent Document 1 describes a hydrosilyl-based polysiloxane composition containing an epoxy group-containing polysiloxane having an alkenyl group as an adhesion promoter in an amount of 0.01 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of an organopolysiloxane as a main agent.

특허문헌 2에는, 접착 촉진제인 에폭시기 함유 폴리실록산을, 주 제제인 알케닐기와 페닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산 수지 100중량부에 대하여 0.01∼20중량부 함유하는 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이 기재되어 있다.Patent Document 2 describes a hydrosilyl-based polysiloxane composition containing an epoxy group-containing polysiloxane as an adhesion promoter in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of an organopolysiloxane resin containing an alkenyl group as a main agent and a phenyl group.

특허문헌 3에는, 접착 촉진제인 알케닐기를 갖는 에폭시기 함유 폴리실록산을, 주 제제인 알케닐기를 포함하는 오르가노폴리실록산 성분 100질량부에 대하여 0.01∼10질량부 함유하는 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이 기재되어 있다.Patent Document 3 discloses a hydrosilyl-based polysiloxane composition containing an epoxy group-containing polysiloxane having an alkenyl group as an adhesion promoter in an amount of 0.01 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of an organopolysiloxane component containing an alkenyl group as a main component .

일본공개특허공보 2007-327019호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-327019 일본공개특허공보 2007-008996호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-008996 일본공개특허공보 2010-229402호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-229402

기판이나 금속 배선과 봉지재와의 접착성을 높이기 위해서는, 접착 촉진제인 에폭시기 함유 폴리실록산의 에폭시기 함유량을 많게 할 필요가 있다. 그러나, 이러한 접착 촉진제를 많이 이용한 경우, 휘도가 저하될 우려가 있다.It is necessary to increase the epoxy group content of the epoxy group-containing polysiloxane, which is an adhesion promoter, in order to improve the adhesiveness between the substrate and the metal wiring and the sealing material. However, when a large amount of such an adhesion promoter is used, the luminance may be lowered.

본 발명의 과제는, 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 있어서, 기판이나 금속 배선 등에 대한 접착성과 휘도를 양립시킬 수 있는 경화물을 형성할 수 있는 경화성 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a curable composition capable of forming a cured product capable of achieving both adhesion and luminance for a substrate or a metal wiring in a hydrosilyl-based polysiloxane composition.

본 발명은, 알케닐기 및 밀착성기를 갖는 폴리실록산(A)과, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산(B)(단, 폴리실록산(A)을 제외함)과, 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)를 함유하는 경화성 조성물로서, 당해 경화성 조성물 중에 포함되는 전체 성분의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때, 폴리실록산(A)의 함유 비율이 40∼90질량%인 것을 특징으로 하는 경화성 조성물이다.The present invention relates to a polysiloxane (A) having an alkenyl group and an adhesive group, a polysiloxane (B) having at least two silicon atom-binding hydrogen atoms per molecule (excluding polysiloxane (A) Wherein the content of the polysiloxane (A) is 40 to 90% by mass, when the total content of the components in the curable composition is 100% by mass Curable composition.

상기 경화성 조성물에 있어서 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 폴리실록산(A)은, 알케닐기의 함유량이 3∼50몰%이며, 밀착성기의 함유량이 0.01∼10몰%인 것이 바람직하다.The content of the alkenyl group in the polysiloxane (A) is 3 to 50 mol%, and the content of the adhesive group in the polysiloxane (A) is 0.01 to 10 mol%, based on 100 mol% of the total Si atoms contained in the polysiloxane (A) And more preferably 10 mol%.

상기 경화성 조성물에 있어서는, 상기 밀착성기가, 에폭시기를 갖는 기인 것이 바람직하다.In the curable composition, it is preferable that the adhesive group is a group having an epoxy group.

상기 경화성 조성물에 있어서는, 상기 폴리실록산(A)이, 하기 화학식 (2): In the curable composition, the polysiloxane (A) is a compound represented by the following formula (2):

[화학식 (2)](2)

Figure 112012026593619-pat00001
Figure 112012026593619-pat00001

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; REp는, 에폭시기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 1 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수임)( Wherein R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ep represents a group having an epoxy group; R 1 represents, independently of each other, a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 1 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, h represents an integer of 0 or more; i represents an integer of 0 or more, provided that a + c is an integer of 1 or more;

으로 나타나는 것이 바람직하다.Lt; / RTI >

상기 경화성 조성물에 있어서는, 폴리실록산(A)이 아릴기를 갖고, 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 폴리실록산(A)에 포함되는 아릴기의 함유량이 30∼120몰%인 것이 바람직하다.In the curable composition, it is preferable that the polysiloxane (A) has an aryl group and the content of the aryl group contained in the polysiloxane (A) is from 30 to 120, when the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A) Mol%.

다른 발명은, 상기의 경화성 조성물로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 경화물이다.Another invention is a cured product obtained from the above-mentioned curable composition.

또한, 다른 발명은, 반도체 발광 소자와, 당해 반도체 발광 소자를 피복하는, 상기의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치이다.In another aspect of the present invention, there is provided an optical semiconductor device characterized by comprising a semiconductor light emitting element and the above cured product which covers the semiconductor light emitting element.

또한, 다른 발명은, 하기 화학식 (2): Another invention is a compound represented by the following formula (2):

[화학식 (2)](2)

Figure 112012026593619-pat00002
Figure 112012026593619-pat00002

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; REp는, 에폭시기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 1 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수임)( Wherein R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ep represents a group having an epoxy group; R 1 represents, independently of each other, a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 1 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, h represents an integer of 0 or more; i represents an integer of 0 or more, provided that a + c is an integer of 1 or more;

으로 나타나는 폴리실록산이다.Lt; / RTI >

본 발명의 경화성 조성물은, 기판이나 금속 배선 등에 대한 접착성과 휘도를 양립시킬 수 있는 경화물을 형성할 수 있는 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물이다.The curable composition of the present invention is a hydrosilyl-based polysiloxane composition capable of forming a cured product capable of achieving both adhesion and luminance for a substrate or metal wiring.

따라서, 이 경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물로 반도체 발광 소자를 피복하여 얻어진 광반도체 장치는, 신뢰성이 우수한 광반도체 장치가 된다.Therefore, the optical semiconductor device obtained by covering the semiconductor light emitting element with the cured product obtained from the curable composition is an optical semiconductor device having excellent reliability.

도 1은, 광반도체 장치의 일 구체예를 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing one specific example of an optical semiconductor device.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

<경화성 조성물>≪ Curable composition >

본 발명의 경화성 조성물은, 알케닐기 및 밀착성기를 갖는 폴리실록산(A)과, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산(B)(단, 폴리실록산(A)을 제외함)과, 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)를 함유하는 경화성 조성물로서, 당해 경화성 조성물 중에 포함되는 전체 성분의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때, 폴리실록산(A)의 함유 비율이 40∼90질량%인 것을 특징으로 한다.The curable composition of the present invention comprises a polysiloxane (A) having an alkenyl group and an adhesive group, a polysiloxane (B) (excluding polysiloxane (A)) having at least two silicon atom-binding hydrogen atoms per molecule, A curable composition containing a silylation catalyst (C), wherein the content of the polysiloxane (A) is 40 to 90 mass%, when the total content of the components in the curable composition is 100 mass% .

또한, 본 발명에 있어서 「폴리실록산」이란, 실록산 단위 (Si-O)가 2개 이상 결합한 분자 골격을 갖는 실록산을 의미한다.In the present invention, "polysiloxane" means a siloxane having a molecular skeleton in which two or more siloxane units (Si-O) are bonded.

폴리실록산Polysiloxane (A)(A)

폴리실록산(A)은, 알케닐기 및 밀착성기를 갖는 폴리실록산이다. 폴리실록산(A)은 본 조성물의 주성분이며, 폴리실록산(B)과의 하이드로실릴화 반응에 의해 경화하여, 경화물의 주체가 된다. 또한, 폴리실록산(A)은, 밀착성기를 갖는 점에서, 경화물과 LED 패키지 등과의 접착성을 높이는 기능도 갖는다.The polysiloxane (A) is a polysiloxane having an alkenyl group and an adhesive group. The polysiloxane (A) is the main component of the composition and is cured by the hydrosilylation reaction with the polysiloxane (B) to become the main component of the cured product. The polysiloxane (A) also has a function of enhancing the adhesiveness between the cured product and an LED package in view of having an adhesive group.

폴리실록산(A)이 갖는 알케닐기로서는, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 펜테닐기, 헵테닐기, 헥세닐기 및 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비닐기, 알릴기 및 헥세닐기가 바람직하다.Examples of the alkenyl group of the polysiloxane (A) include vinyl, allyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, isobutenyl, pentenyl, heptenyl, . Of these, a vinyl group, an allyl group and a hexenyl group are preferable.

폴리실록산(A)에 있어서의 알케닐기의 함유량은, 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 3∼50몰%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼40몰%이며, 더욱 바람직하게는 10∼30몰%이다. 알케닐기의 함유량이 상기 범위 내이면, 폴리실록산(A)과 폴리실록산(B)과의 하이드로실릴화 반응이 적합한 범위에서 일어나, 강도가 높은 경화물을 얻을 수 있다.The content of the alkenyl group in the polysiloxane (A) is preferably from 3 to 50 mol%, more preferably from 5 to 40 mol%, based on 100 mol% of all the Si atoms contained in the polysiloxane (A) Mol%, and more preferably 10 to 30 mol%. When the content of the alkenyl group is within the above range, the hydrosilylation reaction of the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) takes place within a suitable range, and a cured product having high strength can be obtained.

상기 밀착성기란, 반도체 장치 등의 기재 등의 재료가 되는 금속 또는 유기 수지 등 대하여 밀착성을 갖는 기를 의미한다.The term "adhesiveness" as used herein means a group having adhesion to a metal or an organic resin which is a material such as a substrate of a semiconductor device or the like.

폴리실록산(A)이 갖는 밀착성기로서는, 예를 들면, 에폭시기, 티오닐기, 이소시아네이트기, 트리알릴이소시아네이트기 등을 갖는 기를 들 수 있다. Examples of the adhesive group possessed by the polysiloxane (A) include groups having an epoxy group, thionyl group, isocyanate group, triallyl isocyanate group and the like.

이들 중에서도, 경화성 조성물을 경화할 때에 일어나는 하이드로실릴화 반응을 저해하기 어렵고, 기판이나 금속 배선 등에 대한 접착성과 휘도를 고도로 양립시킬 수 있는 경화물을 형성하는 점에서, 에폭시기를 갖는 기가 바람직하다.Among them, a group having an epoxy group is preferable in that it is difficult to inhibit the hydrosilylation reaction that occurs when the curable composition is cured, and a cured product capable of highly bonding both the adhesion and the brightness to a substrate or metal wiring is formed.

상기 에폭시기를 갖는 기로서는, 예를 들면, 글리시독시기, 3-글리시독시프로필기 등의 글리시독시알킬기, 그리고 3,4-에폭시사이클로펜틸기, 3,4-에폭시사이클로헥실기, 2-(3,4-에폭시사이클로펜틸)에틸기 및 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기 등의 에폭시사이클로알킬기 등을 들 수 있다. 상기 에폭시기를 갖는 기로서는, 구체적으로는, 하기 구조식 (1)∼(4)로 나타나는 기를 들 수 있다. 상기 에폭시기를 갖는 기가 이러한 기이면, 경화물의 mm오더에서의 성형이 가능해진다.Examples of the group having an epoxy group include a glycidoxy group, a glycidoxyalkyl group such as a 3-glycidoxypropyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 2- (3,4-epoxycyclopentyl) ethyl group and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, and the like. Specific examples of the group having an epoxy group include groups represented by the following structural formulas (1) to (4). If the group having an epoxy group is such a group, it is possible to form the cured product at a millimeter order.

Figure 112012026593619-pat00003
Figure 112012026593619-pat00003

[구조식 (1) 중 R2는 메틸렌기 또는 2가의 탄소수 2∼10의 직쇄상 알킬렌기 또는 탄소수 3∼10의 분기쇄상 알킬렌기를 나타냄];[In the structural formula (1), R 2 represents a methylene group or a divalent straight chain alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or a branched chain alkylene group having 3 to 10 carbon atoms];

Figure 112012026593619-pat00004
Figure 112012026593619-pat00004

[구조식 (2) 중 R3은 메틸렌기 또는 2가의 탄소수 2∼10의 직쇄상 알킬렌기 또는 탄소수 3∼10의 분기쇄상 알킬렌기를 나타냄];[In the structural formula (2), R 3 represents a methylene group or a divalent straight chain alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or a branched chain alkylene group having 3 to 10 carbon atoms];

Figure 112012026593619-pat00005
Figure 112012026593619-pat00005

[구조식 (3) 중 R4는 메틸렌기 또는 2가의 탄소수 2∼10의 직쇄상 알킬렌기 또는 탄소수 3∼10의 분기쇄상 알킬렌기를 나타냄];[In the structural formula (3), R 4 represents a methylene group or a divalent straight chain alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or a branched chain alkylene group having 3 to 10 carbon atoms];

Figure 112012026593619-pat00006
Figure 112012026593619-pat00006

[구조식 (4) 중 R5는 메틸렌기 또는 2가의 탄소수 2∼10의 직쇄상 알킬렌기 또는 탄소수 3∼10의 분기쇄상 알킬렌기를 나타냄].[In the structural formula (4), R 5 represents a methylene group or a divalent straight chain alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or a branched chain alkylene group having 3 to 10 carbon atoms].

구조식 (1)로 나타나는 기로서는, 구체적으로는, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the group represented by the structural formula (1) include a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group and the like.

구조식 (2)로 나타나는 기로서는, 구체적으로는, 글리시딜기 등을 들 수 있다.Specific examples of the group represented by the structural formula (2) include a glycidyl group and the like.

구조식 (3)으로 나타나는 기로서는, 구체적으로는, 3-글리시독시프로필기 등을 들 수 있다.Specific examples of the group represented by the structural formula (3) include a 3-glycidoxypropyl group and the like.

구조식 (4)로 나타나는 기로서는, 구체적으로는, 2-(4-메틸-3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the group represented by the structural formula (4) include a 2- (4-methyl-3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group and the like.

폴리실록산(A)에 있어서의 밀착성기의 함유량은, 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 0.01∼10몰%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05∼5몰%이며, 더욱 바람직하게는 0.05∼3몰%이다. 밀착성기의 함유량이 상기 범위 내이면, 본 조성물로부터 얻어지는 경화물과 LED 패키지 등과의 사이의 높은 접착성과 휘도가 높은 경화막을 얻을 수 있다.The content of the adhesive group in the polysiloxane (A) is preferably 0.01 to 10 mol%, more preferably 0.05 to 5 mol%, based on 100 mol% of the total Si atoms contained in the polysiloxane (A) Mol%, and more preferably 0.05 to 3 mol%. When the content of the adhesive agent is within the above range, a cured film having high adhesion and high brightness between the cured product obtained from the present composition and the LED package or the like can be obtained.

본 발명의 경화성 조성물 중에 포함되는 폴리실록산(A)의 함유량은, 본 조성물 중에 포함되는 전체 성분의 함유량의 합계를 100질량%로 했을 때, 40∼90질량%이며, 바람직하게는 50∼85질량%이며, 보다 바람직하게는 65∼85질량%이다.The content of the polysiloxane (A) contained in the curable composition of the present invention is preferably from 40 to 90 mass%, more preferably from 50 to 85 mass%, based on 100 mass% of the total content of the components contained in the composition. By mass, and more preferably 65 to 85% by mass.

종래의 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 있어서는, 접착성을 높이기 위해, 주 제제인 폴리실록산과는 별도로, 접착 촉진제인 에폭시기 함유 폴리실록산이 조성물 전체에 대하여 0.01∼20질량% 정도 첨가되어 있었다. 이에 대하여, 본 발명의 경화성 조성물에 있어서는, 에폭시기 함유 폴리실록산인 폴리실록산(A)을 주 제제로서 이용하고, 그 함유량이 상기와 같이 40∼90질량%이다. 폴리실록산(A)의 함유량이 상기 범위이면, 본 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 기판이나 금속 배선 등에 대한 높은 접착성을 갖고, 그리고 LED 등 봉지재로서 사용한 경우에 LED 등이 높은 초기 휘도를 유지한다.In the conventional hydrosilyl-based polysiloxane composition, an epoxy group-containing polysiloxane as an adhesion promoter was added in an amount of about 0.01 to 20 mass% with respect to the whole composition in addition to the polysiloxane as the main agent, in order to improve the adhesiveness. On the contrary, in the curable composition of the present invention, polysiloxane (A) which is an epoxy group-containing polysiloxane is used as a main preparation and its content is 40 to 90 mass% as described above. When the content of the polysiloxane (A) is within the above range, the cured product obtained from the present composition has a high adhesiveness to a substrate or a metal wiring and maintains a high initial luminance of the LED or the like when used as an encapsulant such as an LED.

또한, 폴리실록산(A)은 아릴기를 갖는 것이 바람직하다. 폴리실록산(A)은 아릴기를 가지면, LED 봉지재로서 이용했을 때에 높은 휘도를 얻을 수 있다는 특성이 발현된다. 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 폴리실록산(A)에 포함되는 아릴기의 함유량은 30∼120몰%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50∼110몰%, 더욱 바람직하게는 70∼100몰%이다. 아릴기의 함유량이 30∼120몰%의 범위 내에 있을 때, 본 조성물로부터 휘도가 높고, 굴절률이 높은 경화막을 얻을 수 있다. 상기 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.It is also preferable that the polysiloxane (A) has an aryl group. When the polysiloxane (A) has an aryl group, a characteristic that a high luminance can be obtained when used as an LED encapsulant is exhibited. When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A) is 100 mol%, the content of the aryl group in the polysiloxane (A) is preferably 30 to 120 mol%, more preferably 50 to 110 mol% %, More preferably 70 to 100 mol%. When the content of the aryl group is within the range of 30 to 120 mol%, a cured film having a high luminance and a high refractive index can be obtained from the composition. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group.

폴리실록산(A)은, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 100∼50000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 500∼5000의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 폴리실록산(A)의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내에 있으면, 본 조성물을 이용하여 봉지재를 제조할 때에 취급하기 쉽고, 또한 본 조성물로부터 얻어지는 경화물은 광반도체 봉지재로서 충분한 재료 강도 및 특성을 갖는다.The polysiloxane (A) preferably has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography of 100 to 50,000, more preferably 500 to 5,000. When the weight average molecular weight of the polysiloxane (A) is within the above range, the sealant is easily handled when the sealant is produced using the composition, and the cured product obtained from the composition has sufficient material strength and characteristics as the optical semiconductor encapsulant.

폴리실록산(A)으로서는, 하기 화학식 (1): As the polysiloxane (A), the following structural formula (1):

[화학식 (1)][Chemical Formula (1)

Figure 112012026593619-pat00007
Figure 112012026593619-pat00007

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; RAd는, 밀착성기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 0 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, g는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수이고; d+g는 1 이상의 정수임)( Wherein , R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ad represents a group having a bonding group; R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 0 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, g is an integer of 0 or more, h is an integer of 0 or more, i represents an integer of 0 or more, provided that a + c is an integer of 1 or more, and d +

으로 나타나는 폴리실록산을 들 수 있다.And the like.

a, b, c, d, e, f, g, h 및 i의 합계에 대한 a의 비율은, 상기 합계를 100%로 한 경우, 바람직하게는 0% 이상 60% 이하이며, 보다 바람직하게는 5% 이상 40% 이하이다. b의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 50% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 20% 이하이다. c의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 30% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 20% 이하이다. d의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 5% 이하이다. e의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 50% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 30% 이하이다. f의 비율은, 0% 이상 90% 이하이고, 바람직하게는 20% 이상 90% 이하이며, 보다 바람직하게는 40% 이상 80% 이하이다. g의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 5% 이하이다. h의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 50% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 30% 이하이다. i의 비율은, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하이며, 보다 바람직하게는 0% 이상 5% 이하이다. 단, a+c의 비율은 0%보다 크고, d+g의 비율은 0%보다 크다.The ratio of a to the total of a, b, c, d, e, f, g, h and i is preferably 0% or more and 60% or less, 5% or more and 40% or less. b is preferably 0% or more and 50% or less, and more preferably 0% or more and 20% or less. c is preferably 0% or more and 30% or less, and more preferably 0% or more and 20% or less. d is preferably 0% or more and 10% or less, and more preferably 0% or more and 5% or less. The ratio of e is preferably 0% or more and 50% or less, and more preferably 0% or more and 30% or less. The ratio of f is 0% or more and 90% or less, preferably 20% or more and 90% or less, and more preferably 40% or more and 80% or less. g is preferably 0% or more and 10% or less, and more preferably 0% or more and 5% or less. h is preferably 0% or more and 50% or less, and more preferably 0% or more and 30% or less. i is preferably 0% or more and 10% or less, and more preferably 0% or more and 5% or less. However, the ratio of a + c is larger than 0%, and the ratio of d + g is larger than 0%.

상기 화학식 (1)로 나타나는 폴리실록산 중에서도, 하기 화학식 (2)로 나타나는 폴리실록산이, 기판이나 금속 배선 등에 대한 접착성과 휘도를 고도로 양립시킬 수 있는 경화물을 형성하는 점에서 바람직하다.Of the polysiloxanes represented by the above formula (1), polysiloxanes represented by the following formula (2) are preferable in that they form a cured product capable of highly bonding both the adhesion and the brightness to a substrate or a metal wiring.

[화학식 (2)](2)

Figure 112012026593619-pat00008
Figure 112012026593619-pat00008

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; REp는, 에폭시기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 1 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수임).( Wherein R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ep represents a group having an epoxy group; R 1 represents, independently of each other, a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 1 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, h represents an integer of 0 or more; i represents an integer of 0 or more, provided that a + c is an integer of 1 or more.

알케닐기를 갖는 기로서는, 전술의 알케닐기를 갖는 기와 동일한 기가 예시된다. 밀착성기를 갖는 기로서는, 전술의 밀착성기와 동일한 기를 갖는 기가 예시된다. 에폭시기를 갖는 기로서는, 전술의 에폭시기를 갖는 기와 동일한 기가 예시된다. 1가의 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등의 알킬기;페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기;벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기;클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 노나플루오로부틸에틸기 등의 치환 알킬기가 예시된다.As the group having an alkenyl group, the same groups as the above-mentioned groups having an alkenyl group are exemplified. As the group having a bonding group, there is exemplified a group having the same group as the above-mentioned bonding group. As the group having an epoxy group, the same group as the group having the above-mentioned epoxy group is exemplified. Examples of the monovalent hydrocarbon group include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl and heptyl groups; aryl groups such as phenyl, Substituted alkyl groups such as a chloromethyl group, a 3-chloropropyl group, a 3,3,3-trifluoropropyl group, and a nonafluorobutyl ethyl group are exemplified.

폴리실록산(A)의 제조 방법으로서는, 일본공개특허공보 평6-9659호, 일본공개특허공보 2003-183582호, 일본공개특허공보 2007-008996호, 일본공개특허공보 2007-106798호, 일본공개특허공보 2007-169427호 및 일본공개특허공보 2010-059359호 등에 기재된 공지의 방법, 예를 들면, 각 단위원이 되는 클로로실란이나 알콕시실란을 공가수분해하는 방법이나, 공가수분해물을 알칼리 금속 촉매 등에 의해 평형화 반응하는 방법 등을 들 수 있다.As a method for producing the polysiloxane (A), there are known methods for producing the polysiloxane (A) in JP-A 6-9659, JP-A 2003-183582, JP-A 2007-008996, JP-A 2007-106798, 2007-169427 and JP-A-2010-059359, for example, a method of co-hydrolyzing chlorosilane or alkoxysilane as each unit source, a method of hydrolyzing a cohydrolyzate by an alkali metal catalyst or the like And a method of performing equilibration reaction.

이러한 폴리실록산을 이용함으로써, 본원의 경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 필요로 하는 강도를 얻을 수 있으며, 금속이나 유기 수지막과의 밀착성이 발현되고, 게다가 LED 봉지재로서 이용했을 때에 높은 휘도를 얻을 수 있다는 특성이 발현된다.By using such a polysiloxane, the cured product obtained from the curable composition of the present invention can obtain a required strength, exhibits adhesion with a metal or an organic resin film, and can obtain a high luminance when used as an LED encapsulant .

폴리실록산Polysiloxane (B)(B)

폴리실록산(B)은, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산이다(단, 폴리실록산(A)을 제외함). 즉 폴리실록산(B)은, 1분자당 적어도 2개의 Si-H기(하이드로실릴기)를 갖는다. 폴리실록산(B)은 폴리실록산(A)에 대한 가교제이며, 폴리실록산(A)과의 하이드로실릴화 반응에 의해 경화물을 형성한다.The polysiloxane (B) is a polysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms per molecule (except for the polysiloxane (A)). That is, the polysiloxane (B) has at least two Si-H groups (hydrosilyl groups) per molecule. The polysiloxane (B) is a crosslinking agent for the polysiloxane (A) and forms a cured product by hydrosilylation reaction with the polysiloxane (A).

폴리실록산(B)으로서는, 종래의 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 있어서 가교제로서 사용되고 있는, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산이면 특별히 제한되는 일 없이 사용할 수 있다.As the polysiloxane (B), a polysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms per molecule, which is used as a crosslinking agent in a conventional hydrosilyl-based polysiloxane composition, can be used without particular limitation.

폴리실록산(B)의 구체예로서는, 특허문헌 1∼3에 기재된 오르가노하이드로겐폴리실록산 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysiloxane (B) include organohydrogenpolysiloxanes described in Patent Documents 1 to 3 and the like.

폴리실록산(B)은, 예를 들면, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디메톡시실란 등의 알콕시실란과, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 등의 하이드로겐실록산을 공지의 방법에 의해 반응시킴으로써 얻을 수 있다.As the polysiloxane (B), for example, alkoxysilanes such as phenyltrimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane and the like and hydrogen siloxanes such as 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane can be obtained by a known method .

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 폴리실록산(B)의 함유량으로서는, 폴리실록산(A) 중의 알케닐기량에 대한 폴리실록산(B) 중의 규소 원자 결합 수소 원자량의 몰비가 0.1∼5가 되는 양인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5∼2, 더욱 바람직하게는 0.7∼1.4가 되는 양이다. 폴리실록산(B)의 함유량이 상기 범위 내이면, 조성물의 경화가 충분히 진행되고, 또한, 얻어지는 경화물에서 충분한 내열성을 얻을 수 있다.The content of the polysiloxane (B) in the curable composition of the present invention is preferably such that the molar ratio of the amount of silicon atom-bonded hydrogen atoms in the polysiloxane (B) to the amount of alkenyl groups in the polysiloxane (A) is 0.1 to 5, Preferably 0.5 to 2, and more preferably 0.7 to 1.4. When the content of the polysiloxane (B) is within the above range, the composition is sufficiently cured and sufficient heat resistance can be obtained in the resulting cured product.

하이드로실릴화Hydrosilylation 반응용 촉매(C) The reaction catalyst (C)

하이드로실릴화 반응용 촉매(C)는, 폴리실록산(A)과 폴리실록산(B)과의 하이드로실릴화 반응의 촉매이다.The hydrosilylation reaction catalyst (C) is a catalyst for the hydrosilylation reaction of the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B).

하이드로실릴화 반응용 촉매(C)로서는, 종래의 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 있어서 하이드로실릴화 반응용 촉매로서 사용되고 있는 촉매이면 특별히 제한되는 일 없이 사용할 수 있다.The hydrosilylation reaction catalyst (C) can be used without particular limitation, as long as it is a catalyst that is used as a hydrosilylation reaction catalyst in a conventional hydrosilyl-based polysiloxane composition.

하이드로실릴화 반응용 촉매(C)의 구체예로서는, 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매를 들 수 있다. 이들 중에서, 본 조성물의 경화 촉진의 관점에서 백금계 촉매가 바람직하다. 백금계 촉매로서는, 예를 들면, 백금-알케닐실록산 착체 등을 들 수 있다. 알케닐실록산으로서는, 예를 들면, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 등을 들 수 있다. 특히, 착체의 안정성의 관점에서, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이 바람직하다.Specific examples of the hydrosilylation reaction catalyst (C) include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. Among these, platinum-based catalysts are preferable from the viewpoint of promoting curing of the composition. Examples of the platinum-based catalyst include platinum-alkenylsiloxane complexes and the like. Examples of the alkenylsiloxane include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinyl Cyclotetrasiloxane, and the like. Particularly, from the viewpoint of stability of the complex, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane is preferable.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)는, 폴리실록산(A)과 폴리실록산(B)과의 하이드로실릴화 반응이 현실적으로 진행되는 양을 이용한다.The catalyst (C) for hydrosilylation reaction in the curable composition of the present invention utilizes an amount in which the hydrosilylation reaction between the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) proceeds practically.

본 발명의 경화성 조성물은, 본 발명의 목적이 달성되는 한, 상기 성분 이외에도, 필요에 따라서, 예를 들면, 건식 실리카(fumed silica), 석영 분말 등의 미립자 형상 실리카, 산화 티탄, 산화 아연 등의 무기 충전제, 사이클로-테트라메틸테트라비닐테트라실록산 등의 지연제, 디페닐비스(디메틸비닐실록시)실란, 페닐트리스(디메틸비닐실록시)실란 등의 희석제, 안료, 난연제, 내열제, 산화 방지제 등을 함유할 수 있다.As long as the object of the present invention is achieved, the curable composition of the present invention may contain, in addition to the above components, fine particles of silica such as fumed silica and quartz powder, titanium oxide, zinc oxide and the like An inorganic filler, a retarder such as cyclo-tetramethyltetravinyltetrasiloxane, a diluent such as diphenylbis (dimethylvinylsiloxy) silane or phenyltris (dimethylvinylsiloxy) silane, a pigment, a flame retardant, a heat resistance agent, ≪ / RTI >

본 발명의 경화성 조성물은, 상기 각 성분을 믹서 등 공지의 방법에 의해 균일하게 혼합함으로써 조제할 수 있다.The curable composition of the present invention can be prepared by uniformly mixing the above components by a known method such as a mixer.

본 발명의 경화성 조성물의 25℃에서의 점도로서는, 바람직하게는 1∼1000000mPa·s이며, 보다 바람직하게는 10∼10000mPa·s이다. 점도가 이 범위 내이면, 본 조성물의 조작성이 향상된다.The viscosity of the curable composition of the present invention at 25 占 폚 is preferably 1 to 1000000 mPa 占 퐏, and more preferably 10 to 10000 mPa 占 퐏. When the viscosity is within this range, the operability of the composition is improved.

본 발명의 경화성 조성물은, 1액으로서 조제할 수도 있고, 2액으로 나누어 조제해, 사용시에 2액을 혼합하여 사용할 수도 있다. 필요에 따라서, 아세틸렌알코올 등의 경화 억제제를 소량 첨가해도 좋다.The curable composition of the present invention may be prepared as a single solution, or may be prepared by dividing into two solutions, and two solutions may be mixed at the time of use. If necessary, a small amount of a curing inhibitor such as acetylene alcohol may be added.

<경화물><Hard goods>

본 발명의 경화성 조성물을 경화시킴으로써 경화물을 얻을 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물에 의해 반도체 소자를 봉지하고, 이것을 경화시키면, 봉지재인 경화물을 얻을 수 있다.A cured product can be obtained by curing the curable composition of the present invention. When a semiconductor element is encapsulated with the curable composition of the present invention and cured, a cured product that is an encapsulating material can be obtained.

본 발명의 경화성 조성물을 경화시키는 방법으로서는, 예를 들면, 경화성 조성물을 기판 상에 도포한 후, 100∼180℃에서 1∼13시간 가열하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method for curing the curable composition of the present invention include a method in which the curable composition is coated on a substrate and then heated at 100 to 180 캜 for 1 to 13 hours.

전술한 바와 같이, 본 발명의 경화성 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물은, 기판이나 금속 배선 등에 대한 접착성이 높고, 그리고 LED 등의 높은 초기 휘도를 실현한다.As described above, the cured product obtained by curing the curable composition of the present invention has high adhesiveness to a substrate or metal wiring, and realizes a high initial luminance of an LED or the like.

<광반도체 장치><Optical Semiconductor Device>

본 발명의 광반도체 장치는, 반도체 발광 소자와, 당해 반도체 발광 소자를 피복하는 상기 경화물을 갖는다. 본 발명의 광반도체 장치는, 반도체 발광 소자에 상기 경화성 조성물을 피복하고, 그 조성물을 경화시킴으로써 얻을 수 있다. 경화성 조성물을 경화시키는 방법은 전술한 바와 같다.The optical semiconductor device of the present invention has a semiconductor light emitting element and the cured product covering the semiconductor light emitting element. The optical semiconductor device of the present invention can be obtained by covering the curable composition with a semiconductor light emitting element and curing the composition. The method of curing the curable composition is as described above.

광반도체 장치로서는, LED(Light Emitting Diode, 발광 다이오드) 및 LD(Laser Diode) 등을 들 수 있다.Examples of the optical semiconductor device include an LED (Light Emitting Diode) and an LD (Laser Diode).

도 1은, 본 발명의 광반도체 장치의 일 구체예의 모식도이다. 광반도체 장치(1)는, 전극(6)과, 전극(6) 상에 설치되고, 와이어(7)에 의해 전극(6)과 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자(2)와, 반도체 발광 소자(2)를 수용하도록 배치된 리플렉터(3)와, 리플렉터(3) 내에 충전되어 반도체 발광 소자(2)를 봉지하는 봉지재(4)를 갖는다. 봉지재(4)는, 본 발명의 경화성 조성물을 경화시켜 얻을 수 있다. 봉지재(4) 중에는, 실리카나 형광체 등의 입자(5)가 분산되어 있다.1 is a schematic diagram of one embodiment of the optical semiconductor device of the present invention. The optical semiconductor device 1 includes an electrode 6, a semiconductor light emitting element 2 provided on the electrode 6 and electrically connected to the electrode 6 by a wire 7, And a sealing material 4 filled in the reflector 3 to seal the semiconductor light emitting element 2. The sealing material 4 can be obtained by curing the curable composition of the present invention. Particles 5 such as silica and fluorescent material are dispersed in the sealing material 4.

전술한 바와 같이, 본 발명의 경화성 조성물을 경화하여 얻어지는 봉지재는, 리플렉터의 재료인 유기 수지막이나 전극의 재료인 금속 등에 대한 접착력이 강하기 때문에, 히트 사이클을 받은 경우라도 봉지재가 LED 패키지로부터 벗겨지는 일이 없다. 또한, 상기 봉지재는, LED 등이 높은 초기 휘도를 유지한다. 즉, 높은 접착성과 높은 초기 휘도의 양립이 실현된다.As described above, the sealing material obtained by curing the curable composition of the present invention has a strong adhesive force to the organic resin film, which is the material of the reflector, and the metal, which is the material of the electrode, so that even when a heat cycle is applied, There is no work. Further, the sealing material maintains a high initial luminance of the LED or the like. That is, high adhesion and high initial brightness can be achieved at the same time.

(실시예)(Example)

(1) 폴리실록산의 합성(1) Synthesis of polysiloxane

(1-1) 폴리실록산의 합성(1-1) Synthesis of polysiloxane

[합성예 1] 폴리실록산(AR1)의 합성[Synthesis Example 1] Synthesis of polysiloxane (AR1)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82g, 페닐트리메톡시실란 525g, 물 143g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 수산화 칼륨 0.4g을 더하고, 수분리관으로부터 물을 제거하면서 환류했다. 물의 제거 완료 후, 고형분 농도가 75질량%가 될 때까지 농축하여, 추가로 5시간 환류했다. 냉각 후, 아세트산 0.6g을 투입하여 중화한 후, 여과하여 얻어진 톨루엔 용액을 물세정했다. 그 후, 감압 농축하여 폴리실록산(AR1)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(AR1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 2000이었다. 폴리실록산(AR1)의 화학식은 (ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)75 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다.Necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet and thermometer was charged with 82 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 525 g of phenyltrimethoxysilane, 143 g of water, And 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. To the water-washed toluene solution layer was added 0.4 g of potassium hydroxide, and the mixture was refluxed while removing water from the water separation tube. After completion of the removal of water, the solution was concentrated to a solid content concentration of 75% by mass and further refluxed for 5 hours. After cooling, 0.6 g of acetic acid was added to neutralize the solution, and the resulting toluene solution was filtered. Thereafter, the resultant was concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (AR1). The polystyrene-reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (AR1) in the gel permeation chromatography was measured and found to be 2000. The formula of the polysiloxane (AR1) is (ViMe 2 SiO 1/2 ) 25 (PhSiO 3/2 ) 75 (Vi represents vinyl group, Me represents methyl group, Ph represents phenyl group, and the suffix represents mol%).

[합성예 2] 폴리실록산(A1)의 합성[Synthesis Example 2] Synthesis of polysiloxane (A1)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82g, 물 143g, 페닐트리메톡시실란 521g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 4g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하여, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여 알케닐기 25몰% 및 에폭시기 0.5몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A1)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 2000이었다. 폴리실록산(A1)의 화학식은 (ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)74.5(EpMeSiO2/2)0.5 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A1) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 25mol%, 에폭시기의 함유 비율은 0.5mol%, 아릴기의 함유 비율은 74.5mol%였다.Necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inlet and a thermometer was charged with 82 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 143 g of water, 521 g of phenyltrimethoxysilane, And 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. To the water-washed toluene solution layer, 4 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 0.5 g of potassium hydroxide were added and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, the toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A1) having 25 mol% of an alkenyl group and 0.5 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A1) in the gel permeation chromatography was measured and found to be 2000. The formula of the polysiloxane (A1) is (ViMe 2 SiO 1/2 ) 25 (PhSiO 3/2 ) 74.5 (EpMeSiO 2/2 ) 0.5 (Vi is vinyl group, Me is methyl group, Ph is phenyl group, Ep is glycidoxypropyl And the subscript indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A1) was 100 mol%, the content of the alkenyl group was 25 mol%, the content of the epoxy group was 0.5 mol%, and the content of the aryl group was 74.5 mol%.

[합성예 3] 폴리실록산(A2)의 합성[Synthesis Example 3] Synthesis of polysiloxane (A2)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82g, 페닐트리메톡시실란 518g, 물 143g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 8g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하고, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여 알케닐기 25몰% 및 에폭시기 1몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A2)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 2000이었다. 폴리실록산(A2)의 화학식은 (ViMe2SiO1 /2)25(PhSiO3 /2)74(EpMeSiO2 /2)1 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A2) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 25mol%, 에폭시기의 함유 비율은 1mol%, 아릴기의 함유 비율은 74mol%였다.A four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet and thermometer was charged with 82 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 518 g of phenyltrimethoxysilane, 143 g of water, And 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. 8 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 0.5 g of potassium hydroxide were added to the water-washed toluene solution layer, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A2) having 25 mol% of an alkenyl group and 1 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene-reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A2) in the gel permeation chromatography was measured and found to be 2000. The formula of the polysiloxane (A2) is (ViMe 2 SiO 1/2) 25 (PhSiO 3/2) 74 (EpMeSiO 2/2) 1 (Vi is a vinyl group, Me is a methyl group, Ph is a phenyl group, Ep is glycidoxypropyl And the subscript indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A2) was 100 mol%, the content of the alkenyl group was 25 mol%, the content of the epoxy group was 1 mol%, and the content of the aryl group was 74 mol%.

[합성예 4] 폴리실록산(A3)의 합성[Synthesis Example 4] Synthesis of polysiloxane (A3)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82g, 페닐트리메톡시실란 511g, 물 143g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 16g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하고, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여, 알케닐기 25몰% 및 에폭시기 2몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A3)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 2000이었다. 폴리실록산(A3)의 화학식은 (ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)73(EpMeSiO2/2)2 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A3) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 25mol%, 에폭시기의 함유 비율은 2mol%, 아릴기의 함유 비율은 73mol%였다.Necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inlet and a thermometer was charged with 82 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 511 g of phenyltrimethoxysilane, 143 g of water, And 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. 16 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 0.5 g of potassium hydroxide were added to the water-washed toluene solution layer, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A3) having 25 mol% of an alkenyl group and 2 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A3) in the gel permeation chromatography was measured and found to be 2000. The formula of the polysiloxane (A3) is (ViMe 2 SiO 1/2 ) 25 (PhSiO 3/2 ) 73 (EpMeSiO 2/2 ) 2 (Vi is vinyl group, Me is methyl group, Ph is phenyl group, Ep is glycidoxypropyl And the subscript indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A3) was 100 mol%, the alkenyl group content was 25 mol%, the epoxy group content was 2 mol%, and the aryl group content ratio was 73 mol%.

[합성예 5] 폴리실록산(A4)의 합성[Synthesis Example 5] Synthesis of polysiloxane (A4)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 49g, 페닐트리메톡시실란 442g, 디메틸디메톡시실란 85g, 물 143g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 8g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하고, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여, 알케닐기 15몰% 및 에폭시기 1몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A4)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A4)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 1800이었다. 폴리실록산(A4)의 화학식은 (ViMe2SiO1/2)15(PhSiO3/2)64(Me2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A4) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 15mol%, 에폭시기의 함유 비율은 1mol%, 아릴기의 함유 비율은 64mol%였다.In a four-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inlet and a thermometer, 49 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 442 g of phenyltrimethoxysilane, 85 g of dimethyldimethoxysilane, , 0.4 g of trifluoromethanesulfonic acid and 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was refluxed for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. 8 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 0.5 g of potassium hydroxide were added to the water-washed toluene solution layer, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A4) having 15 mol% of an alkenyl group and 1 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A4) in the gel permeation chromatography was 1800. The formula of the polysiloxane (A4) is (ViMe 2 SiO 1/2 ) 15 (PhSiO 3/2 ) 64 (Me 2 SiO 2/2 ) 20 (EpMeSiO 2/2 ) 1 Is a phenyl group, Ep is a glycidoxypropyl group, and the suffix indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A4) was 100 mol%, the content of the alkenyl group was 15 mol%, the content of the epoxy group was 1 mol%, and the content of the aryl group was 64 mol%.

[합성예 6] 폴리실록산(A5)의 합성[Synthesis Example 6] Synthesis of polysiloxane (A5)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82g, 페닐트리메톡시실란 525g, 물 143g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 314g과 물 130g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하고, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여, 알케닐기 25몰% 및 에폭시기 40몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A5)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A5)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 1600이었다. 폴리실록산(A5)의 화학식은 (ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)35(EpMeSiO2/2)40 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A5) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 25mol%, 에폭시기의 함유 비율은 40mol%, 아릴기의 함유 비율은 35mol%였다.Necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet and thermometer was charged with 82 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 525 g of phenyltrimethoxysilane, 143 g of water, And 500 g of toluene were charged and mixed, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. To the water-washed toluene solution layer, 314 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 130 g of water and 0.5 g of potassium hydroxide were added, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A5) having 25 mol% of an alkenyl group and 40 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A5) in the gel permeation chromatography was 1600. The formula of the polysiloxane (A5) is (ViMe 2 SiO 1/2 ) 25 (PhSiO 3/2 ) 35 (EpMeSiO 2/2 ) 40 (Vi is vinyl group, Me is methyl group, Ph is phenyl group, Ep is glycidoxypropyl And the subscript indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A5) was 100 mol%, the content of the alkenyl group was 25 mol%, the content of the epoxy group was 40 mol%, and the content of the aryl group was 35 mol%.

[합성예 7] 폴리실록산(A6)의 합성 [Synthesis Example 7] Synthesis of polysiloxane (A6)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 33g, 페닐트리메톡시실란 442g, 디메틸디메톡시실란 85g, 디페닐디메톡시실란 43g, 물 155g, 트리플루오로메탄술폰산 0.4g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 1시간 가열 환류했다. 냉각 후, 하층을 분리 제거하고, 상층인 톨루엔 용액층을 물세정했다. 물세정한 톨루엔 용액층에 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 8g과 수산화 칼륨 0.5g을 더하여 1시간 가열 환류했다. 이어서, 메탄올을 증류 제거하고, 과잉의 물을 공비탈수로 제거했다. 이어서 4시간 가열 환류했다. 반응 후의 톨루엔 용액은 냉각 후, 아세트산 0.6g으로 중화하고 물세정했다. 물 제거 후, 톨루엔을 감압하에 증류 제거 농축하여, 알케닐기 10몰% 및 에폭시기 1몰%를 갖는(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함) 폴리실록산(A6)을 얻었다. 겔 투과 크로마토그래피에서 폴리실록산(A6)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 1800이었다. 폴리실록산(A6)의 화학식은 (ViMe2SiO1 /2)10(PhSiO3 /2)64(Ph2SiO2 /2)5(Me2SiO2 /2)20(EpMeSiO2 /2)1 (Vi는 비닐기, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Ep는 글리시독시프로필기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다. 폴리실록산(A6) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 알케닐기의 함유 비율은 10mol%, 에폭시기의 함유 비율은 1mol%, 아릴기의 함유 비율은 74mol%였다. Necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inlet, and a thermometer was charged with 33 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 442 g of phenyltrimethoxysilane, 85 g of dimethyldimethoxysilane, 43 g of dimethoxysilane, 155 g of water, 0.4 g of trifluoromethanesulfonic acid and 500 g of toluene were added and mixed, and the mixture was refluxed for 1 hour. After cooling, the lower layer was separated and removed, and the upper toluene solution layer was water-filtered. 8 g of 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 0.5 g of potassium hydroxide were added to the water-washed toluene solution layer, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. Then, the methanol was distilled off, and excess water was removed by azeotropic dehydration. The mixture was heated under reflux for 4 hours. After the reaction, the toluene solution was cooled, neutralized with 0.6 g of acetic acid and water-filtered. After the water was removed, the toluene was distilled off and concentrated under reduced pressure to obtain a polysiloxane (A6) having 10 mol% of an alkenyl group and 1 mol% of an epoxy group (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polysiloxane (A6) in the gel permeation chromatography was 1800. The formula of the polysiloxane (A6) is (ViMe 2 SiO 1/2) 10 (PhSiO 3/2) 64 (Ph 2 SiO 2/2) 5 (Me 2 SiO 2/2) 20 (EpMeSiO 2/2) 1 (Vi Represents a vinyl group, Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Ep represents a glycidoxypropyl group, and the suffix indicates mol%). When the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A6) was 100 mol%, the alkenyl group content was 10 mol%, the epoxy group content was 1 mol%, and the aryl group content was 74 mol%.

[합성예 8] 폴리실록산(B1)의 합성[Synthesis Example 8] Synthesis of polysiloxane (B1)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 195g과 트리플루오로메탄술폰산 0.2g을 투입하여 혼합하고, 교반하면서 물 13g을 15분간에 적하하고, 적하 종료 후, 1시간 가열 환류했다. 실온까지 냉각한 후, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 119g을 더하고, 교반하면서 아세트산 88g을 적하했다. 적하 종료 후, 혼합액을 교반하면서 50℃로 승온하고, 3시간 반응시켰다. 실온까지 냉각한 후, 톨루엔과 물을 더하고, 잘 혼합하여 정치하고, 수층을 분리 제거했다. 상층인 톨루엔 용액층을 물세정한 후, 감압 농축하여, 메틸페닐하이드로겐폴리실록산(B1)을 얻었다. 폴리실록산(B1)의 화학식은 (HMe2SiO1/2)60(PhSiO3/2)40 (Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다.195 g of phenyltrimethoxysilane and 0.2 g of trifluoromethanesulfonic acid were added to a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet and thermometer, and 13 g of water was added dropwise over 15 minutes while stirring. The time was refluxed. After cooling to room temperature, 119 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, and 88 g of acetic acid was added dropwise with stirring. After completion of dropwise addition, the mixture was heated to 50 캜 while stirring, and reacted for 3 hours. After cooling to room temperature, toluene and water were added, mixed well and allowed to stand, and the aqueous layer was separated and removed. The upper toluene solution layer was washed with water and concentrated under reduced pressure to obtain methylphenylhydrogenpolysiloxane (B1). The chemical formula of the polysiloxane (B1) was (HMe 2 SiO 1/2 ) 60 (PhSiO 3/2 ) 40 (Me represents methyl group, Ph represents phenyl group, and the suffix represents mol%).

[합성예 9] 폴리실록산(B2)의 합성[Synthesis Example 9] Synthesis of polysiloxane (B2)

교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에 디페닐디메톡시실란 220g과 트리플루오로메탄술폰산 0.6g을 투입하여 혼합하고, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 147g을 더하고, 교반하면서 아세트산 108g을 30분간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 혼합액을 교반하면서 50℃로 승온하고, 3시간 반응시켰다. 실온까지 냉각한 후, 톨루엔과 물을 더하고, 잘 혼합하여 정치하고, 수층을 분리 제거했다. 상층인 톨루엔 용액층을 3회 물세정한 후, 감압 농축하여, 디페닐하이드로겐폴리실록산(B2)을 얻었다. 폴리실록산(B2)의 화학식은 (HMe2SiO1 /2)50(Ph2SiO2 /2)50 (Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타냄, 첨자는 mol%를 나타냄)이었다.220 g of diphenyldimethoxysilane and 0.6 g of trifluoromethanesulfonic acid were added to a four-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inlet and a thermometer, and 147 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added thereto, While stirring, 108 g of acetic acid was added dropwise over 30 minutes. After completion of dropwise addition, the mixture was heated to 50 캜 while stirring, and reacted for 3 hours. After cooling to room temperature, toluene and water were added, mixed well and allowed to stand, and the aqueous layer was separated and removed. The toluene solution layer as the upper layer was washed with water three times, and then concentrated under reduced pressure to obtain diphenylhydrogenpolysiloxane (B2). Polysiloxane of formula (B2) is (HMe 2 SiO 1/2) 50 (Ph 2 SiO 2/2) 50 was (Me is a methyl group, Ph represents a phenyl group, a subscript represents a mol%).

(1-2) 중량 평균 분자량(1-2) Weight average molecular weight

얻어진 폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 하기 조건으로 측정하여, 폴리스티렌 환산치로서 구했다.The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polysiloxane was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions and found to be a value in terms of polystyrene.

장치: HLC-8120C(토소 가부시키가이샤 제조)Apparatus: HLC-8120C (manufactured by TOSO CORPORATION)

칼럼: TSK-gel MultiporeHXL-M(토소 가부시키가이샤 제조)Column: TSK-gel Multipore HXL-M (manufactured by Toso K.K.)

용리액: THF, 유량 0.5mL/분, 부하량 5.0%, 100μLEluent: THF, flow rate 0.5 mL / min, loading 5.0%, 100 μL

(1-3) 알케닐기, 에폭시기 및 아릴기의 함유 비율, 그리고 폴리실록산의 화학식.(1-3) a content ratio of an alkenyl group, an epoxy group and an aryl group, and a chemical formula of the polysiloxane.

얻어진 폴리실록산 중에 포함되는 알케닐기, 에폭시기 및 아릴기의 함유 비율(폴리실록산 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 함), 그리고 폴리실록산의 화학식은, 29Si NMR 및 13C NMR로 산출했다.The content of the alkenyl group, epoxy group and aryl group contained in the obtained polysiloxane (the total number of Si atoms contained in the polysiloxane was 100 mol%) and the chemical formula of the polysiloxane were calculated by 29 Si NMR and 13 C NMR.

(2) 경화성 조성물의 조제(2) Preparation of a curable composition

[실시예 1∼5 그리고 비교예 1 및 2][Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2]

상압하 95℃에서, 하기 표 1에 나타내는 성분을, 표 1에 나타내는 배합량으로 혼합하여, 실시예 1∼4 및 비교예 1 및 2의 경화성 조성물을 얻었다. 표 1 중의 수치는 질량부를 나타낸다. 또한, 표 1 중의 각 성분의 상세는 이하와 같다.The curable compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 were obtained by mixing the components shown in the following Table 1 at the compounding amounts shown in Table 1 at 95 캜 under atmospheric pressure. The numerical values in Table 1 represent mass parts. Details of each component in Table 1 are as follows.

Figure 112012026593619-pat00009
Figure 112012026593619-pat00009

C1: 백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착체(백금 금속량 4질량%)C1: Complex of platinum with 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (amount of platinum metal: 4% by mass)

D1: 사이클로-테트라메틸테트라비닐테트라실록산D1: cyclo-tetramethyl tetravinyl tetrasiloxane

D2: 디페닐비스(디메틸비닐실록시)실란D2: diphenylbis (dimethylvinylsiloxy) silane

D3: 페닐트리스(디메틸비닐실록시)실란D3: phenyl tris (dimethylvinylsiloxy) silane

(3) 경화성 조성물의 평가(3) Evaluation of curable composition

실시예 1∼4 및 비교예 1 및 2의 경화성 조성물에 대해서, 하기, (3-1)∼(3-6)의 수법으로 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. The curable compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated by the following methods (3-1) to (3-6). The evaluation results are shown in Table 2.

(3-1) 점도(3-1) Viscosity

경화성 조성물의 점도는, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정했다.The viscosity of the curable composition was measured at 25 캜 using an E-type viscometer.

(3-2) 경도(3-2) Hardness

경화성 조성물을 테플론(등록상표)의 평판에 2mm 두께의 틀을 끼움틀의 높이가 되도록 도포하고, 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 5시간 가열함으로써 50mm×50mm×1mm의 경화물을 제작했다. 이 경화물의 단단함을 JIS K6253에 규정된 타입 D 듀로미터에 의해 측정했다.The curable composition was coated on a flat plate of Teflon (registered trademark) so that the frame having a thickness of 2 mm was the height of the frame, and heated in a hot air circulating oven at 150 캜 for 5 hours to produce a cured product of 50 mm x 50 mm x 1 mm. The hardness of the cured product was measured by a Type D durometer specified in JIS K6253.

(3-3) 굴절률(3-3) Refractive index

경화성 조성물을 경도 측정용으로 제작한 경화물을 사용하여, 25℃에서의 굴절률을 Metricon사 제조 Model 2010 전반사식 굴절률계로 측정했다. 또한, 측정 파장은 408nm이다.Using a cured product prepared for hardness measurement of the curable composition, the refractive index at 25 캜 was measured by a refractive index meter of Model 2010 total refractive index meter manufactured by Metricon. The measurement wavelength is 408 nm.

(3-4) 광투과율 변화(3-4) Change in light transmittance

1mm의 석영판 상에 원형(직경 2cm, 두께 1mm)의 틀을 두고, 이 틀 내에 경화성 조성물을 충전하고, 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 5시간 가열에 의해 경화하여 제작한 경화물(광로 길이 1.0mm)의 25℃에서의 파장 460nm의 광투과율을 측정했다. 다음으로, 가속 열화 시험 후의 착색의 정도를 조사하기 위해, 상기 경화물을 150℃의 열순환식 오븐에서 1000시간 가열 에이징한 후의 25℃에서의 파장 460nm의 광투과율을 동일하게 측정했다. 가열 에이징 전의 광투과율에 대한 가열 에이징 후의 광투과율의 비로부터, 하기의 기준으로 광투과율 변화를 평가했다.(2 cm in diameter, 1 mm in thickness) on a 1 mm quartz plate, filled with the curable composition, and cured by heating in a hot-air circulating oven at 150 ° C for 5 hours 1.0 mm) at 25 DEG C was measured at a wavelength of 460 nm. Next, in order to investigate the degree of coloring after the accelerated deterioration test, the cured product was heat-aged in a thermocycling oven at 150 ° C for 1000 hours, and the light transmittance at a wavelength of 460 nm at 25 ° C was measured in the same manner. From the ratio of light transmittance after heat aging to light transmittance before heat aging, the change in light transmittance was evaluated on the basis of the following criteria.

A: 상기 비가 98% 이상A: above 98%

B: 상기 비가 90% 이상 98% 미만B: above 90% to less than 98%

C: 상기 비가 90% 미만C: The above ratio is less than 90%

(3-5) 접착 강도(3-5) Adhesive strength

직경 5mm 높이 5mm의 알루미늄 원의 저면에 경화성 조성물을 발라 각종 테스트 패널에 붙이고, 150℃의 열풍 순환식 오븐 중에서 1시간 방치함으로써, 직경 5mm 높이 5mm의 알루미늄 원기둥을 경화성 조성물로 테스트 패널에 밀착시킨 시험편을 얻었다. 각종 테스트 패널 상에 밀착한 알루미늄 원기둥을, 측정 장치로 Dage사 제조 series-4000PXY를 이용하여 50μm/초의 속도로 박리시켜, 그때의 하중을 측정하여 접착 강도로 하고, 하기의 기준으로 평가했다.A curable composition was applied to the bottom surface of a 5 mm diameter and 5 mm high aluminum circle and adhered to various test panels and allowed to stand in a hot air circulating oven at 150 캜 for 1 hour to prepare a test piece with a 5 mm diameter, &Lt; / RTI &gt; The aluminum cylinder closely adhered to various test panels was peeled off at a rate of 50 占 퐉 / sec using a measuring apparatus, series-4000PXY manufactured by Dage, and the load at that time was measured to determine the adhesive strength.

A: 접착 강도가 10kg중 이상A: Adhesive strength of 10kg or more

B: 접착 강도가 5kg중 이상 10kg중 미만B: Adhesive strength of 5kg or more and less than 10kg

C: 접착 강도가 5kg중 미만C: Adhesive strength less than 5kg

(3-6) 내열성(3-6) Heat resistance

경화성 조성물을 건조 막두께가 1mm가 되도록 석영 유리 상에 도포한 후, 100℃에서 1시간 건조 경화시키고, 이어서 150℃에서 5시간 건조 경화시켜 경화물을 제작했다. 이 경화물을 150℃에서 500시간 보관하고, 보관 후의 경화물의 외관을 육안으로 관찰하여, 하기의 기준으로 내열성을 평가했다.The curable composition was coated on quartz glass to a dry film thickness of 1 mm, dried and cured at 100 占 폚 for 1 hour, and then dried and cured at 150 占 폚 for 5 hours to prepare a cured product. The cured product was stored at 150 DEG C for 500 hours, and the appearance of the cured product after storage was visually observed to evaluate the heat resistance based on the following criteria.

(색 변화)(Color change)

A: 색 변화 없음A: No color change

B: 조금 황색화됨B: A little yellowed

C: 분명하게 황색화됨C: Obviously yellowed

(3-7) 전방사속(全放射束) 측정(휘도 평가) (3-7) Measurement of forward flux (total radiant flux) (luminance evaluation)

경화성 조성물을 광학용 반도체의 표면 실장형(톱뷰(Top-View) 타입, 도 1의 광반도체(2), 전극(6), 와이어(7) 및 리플렉터(3)로 구성되는 부분으로 이루어짐) 패키지에 도포를 행하고, 150℃에서 1시간 가열함으로써 평가용 샘플의 작성을 행했다.The curable composition is composed of a surface mount type (Top-View type, optical semiconductor 2 in Fig. 1, electrode 6, wire 7, and reflector 3) , And heated at 150 캜 for 1 hour to prepare a sample for evaluation.

전방사속 측정 장치(순간 멀티 측광 검출기 MCPD-3700, Φ300mm 적분구(반구 적분구))를 사용하여, 상기 평가용 샘플의 방사속 측정을 실시했다. 봉지재를 도포하기 전의 패키지에 통전하여 발광시켜 측정된 초기 방사속에 대한 상기 평가용 샘플의 방사속의 비율을 %로 산출하여, 하기의 기준으로 평가했다.The radial velocity measurement of the sample for evaluation was carried out using a forward flux measuring device (instantaneous multi-photometer MCPD-3700, Φ300 mm integral sphere (hemispherical integral sphere)). The package before the sealing material was applied was energized to emit light. The ratio of the above-mentioned initial sample to the radiated sample in the radiation was calculated as%, and the result was evaluated according to the following criteria.

A: 상기 비율이 110% 이상A: The above ratio is 110% or more

B: 상기 비율이 110% 미만 100% 이상B: the above ratio is less than 110%, 100% or more

C: 상기 비율이 100% 미만C: The above ratio is less than 100%

Figure 112012026593619-pat00010
Figure 112012026593619-pat00010

표 2에 나타낸 결과로부터, 에폭시기 함유 폴리실록산인 폴리실록산(A)을 접착 촉진제적으로 사용한 비교예 1 및 2에 있어서는, 에폭시기가 많은 폴리실록산(A5)을 사용한 비교예 1에서는 전방사속 즉 휘도가 낮고, 에폭시기가 적은 폴리실록산(A3)을 사용한 비교예 2에서는 접착 강도가 낮아져, 고휘도와 고접착성의 양립은 실현되지 않고 있었다. 이에 대하여, 에폭시기 함유 폴리실록산인 폴리실록산(A)을 주성분으로 하는 실시예 1∼5에 있어서는, 전방사속 및 접착 강도가 모두 높고, 고휘도와 고접착성의 양립이 실현되어 있는 것을 알 수 있었다.From the results shown in Table 2, in Comparative Examples 1 and 2 using the polysiloxane (A) which is an epoxy group-containing polysiloxane as an adhesion promoter, in Comparative Example 1 using the polysiloxane (A5) having a large number of epoxy groups, In Comparative Example 2 using the polysiloxane (A3) having a small number of hydroxyl groups, the bonding strength was lowered and the compatibility between high luminance and high adhesiveness was not realized. On the contrary, in Examples 1 to 5 containing a polysiloxane (A) which is an epoxy group-containing polysiloxane as a main component, it was found that both front shear rate and adhesive strength were both high, and both high luminance and high adhesiveness were realized.

본 발명의 경화성 조성물은, 그 경화물이 투명하면서, 고온 분위기하에 놓여도 광투과율의 저하가 작고, 높은 접착성을 갖기 때문에, 광학용 반도체 소자 및 광반도체 부재의 봉지재, 접착제, 포팅제(potting agent), 보호 코팅제, 언더필제(underfill agent) 등으로서 유용하다. 본 발명의 경화물은, 고온에 노출되어도 광투과율의 저하가 작기 때문에, 고온 조건하의 제조 공정에 있어서도 광투과율의 저하가 작고, 장기 신뢰성이 우수하다는 특징이 있다. 본 발명의 경화물은, 특히 고휘도의 발광 소자 등의 광학용 반도체 장치에 이용되었을 때, 전방사속이 높아지기 때문에, 고휘도의 광원의 근방에 이용되는 광학 부재로서 유용하다.The curable composition of the present invention is excellent in adhesiveness to optical semiconductor elements and optical semiconductor members, adhesives, and potting agents (for example, glass, ceramics, etc.) because the cured product of the present invention is transparent and low in light transmittance even when placed in a high- potting agents, protective coatings, underfill agents, and the like. The cured product of the present invention is characterized by being low in light transmittance and excellent in long-term reliability even in a manufacturing process under a high temperature condition since a decrease in light transmittance is small even when exposed to high temperatures. The cured product of the present invention is useful as an optical member used in the vicinity of a high-luminance light source, because the cured product of the present invention is used in an optical semiconductor device such as a high-luminance light emitting device.

1 : 광반도체 장치
2 : 반도체 발광 소자
3 : 리플렉터
4 : 봉지재
5 : 입자
6 : 전극
7 : 와이어
1: optical semiconductor device
2: Semiconductor light emitting element
3: Reflector
4: Encapsulation material
5: Particle
6: Electrode
7: Wire

Claims (8)

알케닐기 및 밀착성기를 갖는 폴리실록산(A)과, 1분자당 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 폴리실록산(B)(단, 폴리실록산(A)을 제외함)과, 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)를 함유하는 경화성 조성물로서, 당해 경화성 조성물 중에 포함되는 전체 성분의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때, 폴리실록산(A)의 함유 비율이 40∼90질량%인 것을 특징으로 하는 경화성 조성물.(B) (except polysiloxane (A)) having at least two silicon atom-binding hydrogen atoms per molecule, and a hydrosilylation reaction catalyst (C) having an alkenyl group and a bonding group, and a polysiloxane ), Wherein the content of the polysiloxane (A) is 40 to 90% by mass when the total content of the components in the curable composition is 100% by mass. 제1항에 있어서,
폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 폴리실록산(A)은, 알케닐기의 함유량이 3∼50몰%이며, 밀착성기의 함유량이 0.01∼10몰%인 경화성 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the polysiloxane (A) has a content of an alkenyl group of 3 to 50 mol% and a content of an adhesive group of 0.01 to 10 mol%, wherein the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A) is 100 mol% Composition.
제2항에 있어서,
상기 밀착성기가, 에폭시기를 갖는 기인 경화성 조성물.
3. The method of claim 2,
Wherein the adhesive group is a group having an epoxy group.
제3항에 있어서,
상기 폴리실록산(A)이, 하기 화학식 (2):
[화학식 (2)]
Figure 112012026593619-pat00011

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; REp는, 에폭시기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 1 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수임)
으로 나타나는 경화성 조성물.
The method of claim 3,
Wherein the polysiloxane (A) is represented by the following formula (2):
(2)
Figure 112012026593619-pat00011

( Wherein R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ep represents a group having an epoxy group; R 1 represents, independently of each other, a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 1 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, h represents an integer of 0 or more; i represents an integer of 0 or more, provided that a + c is an integer of 1 or more;
&Lt; / RTI &gt;
제4항에 있어서,
폴리실록산(A)이 아릴기를 갖고, 폴리실록산(A) 중에 포함되는 전체 Si 원자의 수를 100몰%로 할 때, 폴리실록산(A)에 포함되는 아릴기의 함유량이 30∼120몰%인 경화성 조성물.
5. The method of claim 4,
Wherein the polysiloxane (A) has an aryl group and the content of the aryl group in the polysiloxane (A) is 30 to 120 mol%, when the total number of Si atoms contained in the polysiloxane (A) is 100 mol%.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 경화물.A cured product obtained from the curable composition according to any one of claims 1 to 5. 반도체 발광 소자와, 당해 반도체 발광 소자를 피복하는, 제6항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.A semiconductor device comprising: a semiconductor light emitting element; and a cured product according to claim 6, which covers the semiconductor light emitting element. 하기 화학식 (2):
[화학식 (2)]
Figure 112012026593619-pat00012

(식 중, RVi는, 알케닐기를 갖는 기를 나타내고; REp는, 에폭시기를 갖는 기를 나타내고; R1은 각각 독립적으로, 1가의 탄화수소기(단, 알케닐기를 갖는 기를 제외함)를 나타내고; X는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; a는 0 이상의 정수, b는 0 이상의 정수, c는 0 이상의 정수, d는 1 이상의 정수, e는 0 이상의 정수, f는 0 이상의 정수, h는 0 이상의 정수를 나타내고; i는 0 이상의 정수를 나타내고; 단, a+c는 1 이상의 정수임)으로 나타나는 폴리실록산.
(2): &lt; EMI ID =
(2)
Figure 112012026593619-pat00012

( Wherein R Vi represents a group having an alkenyl group; R Ep represents a group having an epoxy group; R 1 represents, independently of each other, a monovalent hydrocarbon group (excluding groups having an alkenyl group); B is an integer of 0 or more, c is an integer of 0 or more, d is an integer of 1 or more, e is an integer of 0 or more, f is an integer of 0 or more, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, h represents an integer of 0 or more; i represents an integer of 0 or more, with the proviso that a + c is an integer of 1 or more.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140064638A (en) * 2012-11-20 2014-05-28 제이에스알 가부시끼가이샤 Forming method of protective film, protective film, curable composition and laminate
CN104981517B (en) * 2012-12-07 2017-09-15 第一毛织株式会社 Curable polysiloxane composition, encapsulating material and optics for optical instrument
KR102091994B1 (en) 2012-12-21 2020-03-23 다우 실리콘즈 코포레이션 Layered polymer structures and methods
KR101486569B1 (en) * 2012-12-26 2015-01-26 제일모직 주식회사 Composition for encapsulant and encapsulant and electronic device
KR101486566B1 (en) * 2012-12-28 2015-01-26 제일모직 주식회사 Composition for encapsulant and encapsulant and electronic device
KR101591168B1 (en) 2013-04-04 2016-02-02 주식회사 엘지화학 Curable composition
KR101591167B1 (en) * 2013-04-04 2016-02-02 주식회사 엘지화학 Curable composition
CN103342816B (en) * 2013-06-19 2016-08-17 广州慧谷化学有限公司 A kind of organic siliconresin and curable organopolysiloxane composition and application

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020081640A (en) * 2001-04-20 2002-10-30 다우 코닝 코포레이션 Silicone composition and electrically conductive silicone adhesive formed therefrom
KR20070086458A (en) * 2004-12-09 2007-08-27 와커 헤미 아게 Platinum catalysts that are supported on nanoscale titanium dioxide, use thereof in hydrosilylation, hydrosilylation method using said catalysts and compositions comprising said catalysts

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2642763B1 (en) * 1989-01-19 1991-04-26 Rhone Poulenc Chimie ORGANOPOLYSILOXANE COMPOSITION CROSSLINKABLE BY POLYADDITION REACTION IN A SELF-ADHERING AND / OR HYDROPHILIC AND / OR ORGANOPHILIC ELASTOMER
JPH062821B2 (en) * 1989-11-28 1994-01-12 信越化学工業株式会社 Method for producing epoxy group-containing silicone elastomer fine powder and fine powder produced by the method
JP2508891B2 (en) * 1990-05-29 1996-06-19 信越化学工業株式会社 Silicone rubber composition and cured product thereof
US5279860A (en) * 1992-07-30 1994-01-18 General Electric Company Method of using epoxysilicone controlled release composition
US6114446A (en) * 1996-12-25 2000-09-05 Kansai Paint Co., Ltd. Polymer composition capable of forming surface slidable on water
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
EP1749861B1 (en) * 2005-08-03 2014-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition curable silicone resin composition for light emitting diode
EP2196503B1 (en) * 2008-12-12 2015-02-18 Nitto Denko Corporation Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020081640A (en) * 2001-04-20 2002-10-30 다우 코닝 코포레이션 Silicone composition and electrically conductive silicone adhesive formed therefrom
KR20070086458A (en) * 2004-12-09 2007-08-27 와커 헤미 아게 Platinum catalysts that are supported on nanoscale titanium dioxide, use thereof in hydrosilylation, hydrosilylation method using said catalysts and compositions comprising said catalysts

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