KR101471548B1 - Substrate processing apparatus and substrate position detecting method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate position detecting method Download PDF

Info

Publication number
KR101471548B1
KR101471548B1 KR1020110026014A KR20110026014A KR101471548B1 KR 101471548 B1 KR101471548 B1 KR 101471548B1 KR 1020110026014 A KR1020110026014 A KR 1020110026014A KR 20110026014 A KR20110026014 A KR 20110026014A KR 101471548 B1 KR101471548 B1 KR 101471548B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
value
difference
susceptor
distance
Prior art date
Application number
KR1020110026014A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120108313A (en
Inventor
이종현
이상곤
함형원
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110026014A priority Critical patent/KR101471548B1/en
Publication of KR20120108313A publication Critical patent/KR20120108313A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101471548B1 publication Critical patent/KR101471548B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판이 안착상태를 판단할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 수납부가 상부에 제공된 기판지지부재; 및 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 검출부재를 포함하되, 상기 검출부재는 상기 기판이 상기 수납부에 수납되기 전 상기 수납부의 바닥까지 거리를 기준값으로 저장하고, 상기 기판이 상기 수납부에 수납된 후 상기 기판의 상면까지 거리를 측정값으로 저장한 후, 상기 기준값과 상기 측정값을 비교함으로써 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of determining a state of a substrate.
A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber; A substrate support member installed in the process chamber and provided with a storage portion on which a substrate is placed; And a detecting member for determining a seating state of the accommodating portion of the substrate, wherein the detecting member stores a distance to a bottom of the accommodating portion before the substrate is accommodated in the accommodating portion as a reference value, After storing the distance to the upper surface of the substrate after being stored in the lead portion, and comparing the measured value with the measured value, the seating state of the accommodating portion of the substrate is determined.

Figure R1020110026014
Figure R1020110026014

Description

기판 처리 장치 및 기판 위치 검출 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE POSITION DETECTING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 센서를 이용하여 기판이 포켓에서 이탈했는지 여부를 판단하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for determining whether or not a substrate is detached from a pocket using a sensor.

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판에 박막을 형성할 수 있는 확산(deposition) 공정, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)의 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 박막 표면에 패턴을 형성하는 사진(photo lithography) 공정, 박막 표면의 패턴을 따라 반응 가스 또는 화학 용액을 이용하여 박막을 선택적으로 제거하는 식각(etch) 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.In general, a semiconductor device is a photo lithography process that forms a pattern on a thin film surface on a semiconductor substrate by using a deposition process capable of forming a thin film on a semiconductor substrate, a mask or a pattern of a reticle , An etch process for selectively removing the thin film using a reactive gas or a chemical solution along the pattern of the thin film surface, and the like.

예를 들어, 반도체 공정에는 소정의 기판 표면에 절연막, 금속막, 유기막 등의 박막을 형성시키는 방법으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이라는 방법이 있다. 이러한 화학 기상 증착은 반응성 가스를 진공 챔버 내에 주입하여 적당한 활성 및 열 에너지를 가하여 화학 반응을 유도함으로써 기판 표면에 원하는 박막을 증착시키는 기법이다.For example, in a semiconductor process, there is a method called chemical vapor deposition (CVD) in which a thin film of an insulating film, a metal film, an organic film or the like is formed on a predetermined substrate surface. Such chemical vapor deposition is a technique of depositing a desired thin film on the surface of a substrate by injecting a reactive gas into a vacuum chamber and applying appropriate activity and heat energy to induce a chemical reaction.

화학 기상 증착은 증착 환경 및 추가 주입 소스에 따라 다양한 종류의 응용 증착 기술이 개발되고 있으며, 대표적으로 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure CVD), APCVD(Atmospheric Pressure CVD), MOCVD(Metal-Organic CVD) 등이 있다.In chemical vapor deposition, various types of applied deposition techniques are developed depending on the deposition environment and the additional injection source. Typical examples include PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD (Low Pressure CVD), APCVD (Atmospheric Pressure CVD) Metal-Organic CVD).

이 중 금속 유기물 화학 기상 증착(이하, 'MOCVD'라 한다)는 액체 상태의 금속 유기 화합물을 기화시킨 후에, 생성된 금속 유기 화합물 증기 및 이와 반응하는 수소 화합물의 가스를 증착하고자 하는 기판에 공급하고 고온에 접촉시킴으로써 가스 열분해 반응에 의해 기판상에 금속 박막을 증착하는 방법이다.The metal organic chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "MOCVD") vaporizes the metal organic compound in the liquid state, and then supplies the produced metal organic compound vapor and the hydrogen compound gas reacting therewith to the substrate to be deposited And a metal thin film is deposited on the substrate by a gas pyrolysis reaction by bringing it into contact with a high temperature.

그런데, 상술한 바와 같은 다양한 처리 공정을 수행하기 위해 공정챔버 내에 기판을 이송/안착시킬 때, 기판이 기설정된 위치(기판이 안착되는 포켓)에 정확히 놓여야 하며, 이를 판단하는 것은 매우 중요하다.However, when transferring / mounting the substrate in the process chamber to perform various processing processes as described above, it is very important that the substrate is accurately placed in a predetermined position (the pocket where the substrate is placed) and it is judged.

본 발명의 목적은 기판이 기판지지부 상부의 수납부에 수납되기 전,후의 수납부 높이차와 기판의 높이값을 비교하여 기판이 수납부에 정확히 놓였는지 여부를 판단하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which compares a height difference of a storage section before and after a substrate is stored in a storage section above a substrate support section and a height value of the substrate to determine whether the substrate is correctly placed in the storage section .

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 수납부가 상부에 제공된 기판지지부재; 및 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 검출부재를 포함하되, 상기 검출부재는 상기 기판이 상기 수납부에 수납되기 전 상기 수납부의 바닥까지 거리를 기준값으로 저장하고, 상기 기판이 상기 수납부에 수납된 후 상기 기판의 상면까지 거리를 측정값으로 저장한 후, 상기 기준값과 상기 측정값을 비교함으로써 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 기판 처리 장치. 기판 처리 장치를 제공한다.To achieve the above objects, an embodiment of the present invention provides a process chamber comprising: a process chamber; A substrate support member installed in the process chamber and provided with a storage portion on which a substrate is placed; And a detecting member for determining a seating state of the accommodating portion of the substrate, wherein the detecting member stores a distance to a bottom of the accommodating portion before the substrate is accommodated in the accommodating portion as a reference value, Wherein the controller determines the seating state of the accommodating portion of the substrate by comparing the reference value and the measured value after storing the distance to the top surface of the substrate after being housed in the lead portion. A substrate processing apparatus is provided.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 검출부재는 센서와 제어부를 포함하되, 상기 센서는 상기 기판지지부재의 상부에 제공되어 상기 기준값과, 상기 측정값을 측정하고, 상기 제어부는 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 기입력된 상기 기판의 두께값과 비교함으로써 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단한다.According to an embodiment of the present invention, the detecting member includes a sensor and a control unit, and the sensor is provided on the substrate supporting member to measure the reference value and the measurement value, and the control unit controls the measurement value and the reference value And determines the seating state of the accommodating portion of the substrate by comparing the difference between the thickness of the substrate and the thickness of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 제어부는, 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 상기 두께값과 비교하여 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 상기 공정을 계속 진행하고, 상기 오차범위 내에서 다르면 상기 공정을 정지시킨다.According to an embodiment of the present invention, the control unit compares a difference between the measured value and the reference value with the thickness value, and proceeds the process if the difference is within a predetermined error range. If the difference is within the error range, .

한편, 상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예는 기판 처리 공정이 수행되는 공정챔버 내에 구비된, 그리고 기판이 안착되는 기판지지부재의 상부에 제공된 수납부에 기판의 안착상태를 검출하는 방법에 있어서, 상기 기판이 상기 수납부에 수납되기 전 상기 수납부의 바닥까지 거리(a)를 센서로 측정하는 단계(S1); 제어부가 상기 단계(S1)에서 측정된 상기 거리(a)를 기준값으로 저장하는 단계(S2); 상기 기판이 상기 수납부에 수납된 후 상기 기판의 상면까지 거리(b)를 센서로 측정하는 단계(S3); 상기 제어부가 상기 단계(S3)에서 측정된 상기 거리(b)를 측정값으로 저장하는 단계(S4); 및 상기 제어부가 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 기입력된 상기 기판의 두께값과 비교하여 상기 기판의 안착상태를 판단하는 단계(S5)를 포함하는 기판 위치 검출 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention is a method for detecting a seating state of a substrate in a receiving portion provided in a processing chamber in which a substrate processing process is performed, (S1) measuring the distance (a) to the bottom of the receiving portion before the substrate is housed in the receiving portion with a sensor; (S2) the control unit stores the distance (a) measured in the step (S1) as a reference value; (S3) measuring the distance (b) to the upper surface of the substrate after the substrate is accommodated in the accommodating portion with a sensor; (S4) storing the distance (b) measured in the step (S3) as a measurement value; And comparing the difference between the measured value and the reference value with the thickness value of the substrate to determine a seating state of the substrate (S5).

본 발명의 실시예에 따르면 상기 제어부가 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 상기 두께값과 비교하여 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 상기 공정을 계속 진행하고, 상기 오차범위 내에서 다르면 상기 공정을 정지시키는 단계(S6)를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the control unit compares a difference between the measured value and the reference value with the thickness value, and proceeds to continue the process if the difference is within a predetermined error range. If the difference is within the error range, (S6).

본 발명에 의하면, 기판이 서셉터에 정확히 안착되지 않는 등으로 정해진 위치에 있지 않은 상태에서 처리 공정이 진행될 경우 발생할 수 있는 문제(증착균일도 등 막특성 변동, 서셉터가 회전시 기판의 물리적 손상 등)를 미연에 방지할 수 있다.According to the present invention, there is a problem (for example, variation in film characteristics such as deposition uniformity, physical damage of the substrate when the susceptor rotates, etc.) caused when the processing process is proceeded in a state where the substrate is not accurately positioned on the susceptor ) Can be prevented in advance.

본 발명에 의하면, 간단한 구성으로 기판의 안착상태를 판단할 수 있다.According to the present invention, the seating state of the substrate can be determined with a simple structure.

본 발명에 의하면, 기판의 안착 직전과 안착 후를 비교검사하면서 사용함으로써 센서의 위치가 미세히 변동되더라도 유지보수나 재정비를 할 필요성이 줄어든다.According to the present invention, the use of the sensor just before and after the mounting of the substrate for comparative inspection reduces the necessity of maintenance or rearrangement even if the position of the sensor is minutely changed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도;
도 2는 도 1에 개시된 서셉터홀더의 평면도;
도 3은 도 1에 개시된 서셉터홀더에 서셉터가 삽입된 상태를 보여주는 평면도;
도 4는 도 1에 개시된 가스분사유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도;
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예로 서셉터에 수납된 기판의 위치를 검출하는 과정을 도시한 도면; 및
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판의 안착상태를 판단하는 과정을 나타낸 순서도이다.1 is a sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a plan view of the susceptor holder shown in Fig. 1;
FIG. 3 is a plan view showing a state where the susceptor is inserted into the susceptor holder shown in FIG. 1; FIG.
Fig. 4 is a plan view schematically showing the structure of the gas injection unit shown in Fig. 1; Fig.
FIGS. 5 to 7 illustrate a process of detecting the position of a substrate stored in a susceptor according to an embodiment of the present invention; And
FIGS. 8 and 9 are flowcharts illustrating a process of determining a seating state of a substrate according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

( 실시 예 )(Example)

이하에서는 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 다양한 기판 처리 장치 중 MOCVD 장치를 예로 들어 설명한다.In order to more fully describe the present invention, an MOCVD apparatus among various substrate processing apparatuses will be described below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 기판 처리 장치(1)는 공정챔버(100), 기판지지부재(110), 히터(140), 배기유닛(160), 가스분사유닛(200), 그리고 검출부재(300)를 포함한다.1, a substrate processing apparatus 1 includes a process chamber 100, a substrate support member 110, a heater 140, an exhaust unit 160, a gas injection unit 200, and a detection member 300 .

공정챔버(100)는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간(10)을 제공한다. 공정챔버(100)는 상부벽(103), 상부벽(103)의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장된 측벽(105), 그리고 측벽(105)의 하단에 결합된 하부벽(108)을 가진다. 상부벽(103)과 하부벽(108)은 상부에서 바라볼 때 원 형상으로 제공된다. 공정챔버(100)의 하부벽(108) 중앙에는 홀이 형성된다. 홀에는 후술할 회전축(120)이 삽입될 수 있다. 상부벽(103) 또는 측벽(105)에는 기판(W)이 반입/반출되는 개구(미도시)가 형성되고, 상기 개구(미도시)는 도어(115)에 의해 개폐된다.The process chamber 100 provides a space 10 in which a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process is performed. The process chamber 100 has a top wall 103, a side wall 105 extending downwardly from the edge of the top wall 103 and a bottom wall 108 coupled to the bottom of the side wall 105. The top wall 103 and the bottom wall 108 are provided in a circular shape when viewed from above. A hole is formed in the center of the lower wall 108 of the process chamber 100. The rotation shaft 120, which will be described later, may be inserted into the hole. An opening (not shown) through which the substrate W is carried in / out is formed in the upper wall 103 or the side wall 105, and the opening (not shown) is opened and closed by the door 115.

도 2는 도 1에 개시된 서셉터홀더(118)의 평면도이고, 도 3은 도 1에 개시된 서셉터홀더(118)에 서셉터(114)가 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판지지부재(110)는 서셉터(114), 서셉터홀더(118), 그리고 회전축(120)을 가진다. 서셉터(114)는 원판 형상을 가질 수 있다. 서셉터(114)는 전기적 전도성이 우수한 흑연 재질로 제공될 수 있다. 서셉터(114)는 상부가 개방된 원 형상의 홈을 가지며, 홈은 복수개일 수 있다. 기판(W)은 홈에 놓여진다. 서셉터(114)는 청구항에 따라서는 수납부로 표현될 수 있다.Fig. 2 is a plan view of the susceptor holder 118 shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a plan view showing a state in which the susceptor 114 is inserted into the susceptor holder 118 shown in Fig. Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate support member 110 has a susceptor 114, a susceptor holder 118, and a rotating shaft 120. The susceptor 114 may have a disc shape. The susceptor 114 may be provided with a graphite material having excellent electrical conductivity. The susceptor 114 has a circular groove with an open top and a plurality of grooves. The substrate W is placed in the groove. The susceptor 114 may be represented as a storage portion according to the claims.

서셉터홀더(118)는 상부에서 바라볼 때 원형의 형상을 가진다. 서셉터홀더(118)에는 상부가 개방된 복수개의 안착홈(119)이 제공되고, 안착홈(119)에는 서셉터(114)가 삽입된다. 안착홈(119)은 서셉터홀더(118)의 중심축을 기준으로 그 둘레에 균등한 간격으로 배치된다. 안착홈(119)의 지름은 서셉터(114)의 지름보다 길게 제공되어, 서셉터(114)의 외측면과 안착홈(119)의 내측면 사이에는 틈이 제공된다. 안착홈(119)의 바닥 면에는 안착홈(119)의 중심에서 안착홈(119)의 가장자리를 향하는 방향으로 나선 형상의 홈(117)들이 제공된다. 나선형상의 홈(117)은 기체공급라인(170)과 연결된다. 기체공급라인(170)은 비활성가스를 공급한다. 비활성가스는 나선 형상의 홈(117)들을 따라 흐르며 서셉터(114)에 회전력을 제공한다. 서셉터(114)는 안착홈(119) 내에서 부유하며, 가스 베어링의 원리에 의해 그 중심축을 중심으로 회전된다. 비활성가스는 서셉터(114)와 안착홈(119) 사이의 틈을 통해 배기된다. The susceptor holder 118 has a circular shape when viewed from above. The susceptor holder 118 is provided with a plurality of seating grooves 119 open at the top and the susceptor 114 is inserted into the seating grooves 119. The seating grooves 119 are arranged at equal intervals around the center axis of the susceptor holder 118. The diameter of the seating groove 119 is longer than the diameter of the susceptor 114 so that a gap is provided between the outer surface of the susceptor 114 and the inside surface of the seating groove 119. The bottom surface of the seating groove 119 is provided with spiral grooves 117 in the direction toward the edge of the seating groove 119 from the center of the seating groove 119. The spiral groove 117 is connected to the gas supply line 170. The gas supply line 170 supplies an inert gas. The inert gas flows along the helical grooves 117 and provides rotational force to the susceptor 114. The susceptor 114 floats in the seating groove 119 and is rotated about its central axis by the principle of the gas bearing. The inert gas is exhausted through a gap between the susceptor 114 and the seating groove 119.

다시 도 1을 참조하면, 회전축(120)의 일단은 서셉터홀더(118)의 저면 중앙에 고정 결합되어 서셉터홀더(118)를 지지한다. 회전축(120)의 타단에는 구동기(125)가 연결되어 서셉터홀더(118)에 회전력을 제공한다. 상술한 서셉터홀더(118)에 제공된 기체공급라인(170)은 회전축(120)의 내부로 연장된다. 기체공급라인(170) 상에는 밸브(미도시)가 설치되어 비활성 가스의 압력을 조절할 수 있다.1, one end of the rotating shaft 120 is fixedly coupled to the bottom center of the susceptor holder 118 to support the susceptor holder 118. A driver 125 is connected to the other end of the rotating shaft 120 to provide a rotating force to the susceptor holder 118. The gas supply line 170 provided in the above-described susceptor holder 118 extends into the interior of the rotation shaft 120. A valve (not shown) is provided on the gas supply line 170 to adjust the pressure of the inert gas.

히터(140)는 서셉터홀더(118)의 아래에 배치된다. 히터(140)는 서셉터(114)에 의해 지지된 기판(W)을 가열한다. 예컨대, 히터(140)로는 고주파(RF : Radio Frequency) 코일과 같은 가열 수단이 사용될 수 있다. 고주파(RF) 코일은 동일 수평면상에서 회전축(120)을 나선 형상으로 감싸도록 배치될 수 있다. 히터(140)와 서셉터홀더(118)의 사이에는 플레이트(150)가 제공된다. 플레이트(150)는 히터(140)가 제공된 영역으로 공정가스가 유입되는 것을 방지한다. 그러나 상술한 바와 달리, 히터(140)는 서셉터홀더(118)의 내부에 배치되어 기판(W)을 가열할 수 있다.The heater 140 is disposed under the susceptor holder 118. The heater 140 heats the substrate W supported by the susceptor 114. For example, as the heater 140, a heating means such as a radio frequency (RF) coil may be used. The high frequency (RF) coil may be arranged to spirally enclose the rotating shaft 120 on the same horizontal plane. A plate 150 is provided between the heater 140 and the susceptor holder 118. The plate 150 prevents process gases from entering the area where the heater 140 is provided. However, unlike the above, the heater 140 can be disposed inside the susceptor holder 118 to heat the substrate W.

배기유닛(160)은 배기라인(163), 밸브(165), 그리고 펌프(168)를 가진다. 배기라인(163)은 서셉터홀더(118)의 상면 중앙부에서 회전축(120)의 내부 중앙으로 연장된다. 배기라인(163)은 공정 중 또는 공정 후에 반응이 완료된 가스를 배기하고, 공정챔버(100) 내 압력을 조절한다. 배기라인(163) 상에는 밸브(165)가 설치된다. 배기라인(163)의 타단에는 펌프(168)가 연결된다. 예컨대, 공정챔버(100)의 내부는 수 토르(Torr)의 저 진공으로부터 760토르(Torr)의 대기압에 이르는 다양한 범위의 압력으로 조절될 수 있다. 그러나 상술한 바와 달리, 배기라인(163)은 공정챔버(100)의 측벽(105) 하부에 제공될 수 있다.The exhaust unit 160 has an exhaust line 163, a valve 165, and a pump 168. The exhaust line 163 extends from the center of the upper surface of the susceptor holder 118 to the inner center of the rotating shaft 120. The exhaust line 163 evacuates the reacted gas during or after the process and regulates the pressure in the process chamber 100. A valve 165 is provided on the exhaust line 163. A pump 168 is connected to the other end of the exhaust line 163. For example, the interior of the process chamber 100 can be regulated to a wide range of pressures ranging from a low vacuum of a few torrs to an atmospheric pressure of 760 torr. However, unlike the above, the exhaust line 163 may be provided below the side wall 105 of the process chamber 100.

도 4는 도 1에 개시된 가스분사유닛(200)의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 4를 참조하면, 가스분사유닛(200)은 공급라인(210), 메인라인(220), 그리고 분사홀(230)을 가진다. 공급라인(210)은 메인라인(220)에 연결되어 공정가스를 메인라인(220)으로 공급한다. 메인라인(220)은 공정챔버(100)의 측벽(105) 내부에 환형으로 제공된다. 분사홀(230)은 메인라인(220)과 연결되어 공정챔버(100) 내부로 공정가스를 공급한다. 분사홀(230)은 공정가스가 공정챔버(100)의 내부로 균일하게 공급될 수 있도록 복수 개로 구비된다. 분사홀(230)들은 공정챔버(100)의 내측벽(102)의 원주를 따라 배열되며, 서로간에 동일 높이에 위치될 수 있다. 분사홀(230)은 기판지지부재(110)보다 높게 위치된다. 분사홀(230)은 슬릿형상으로 제공될 수 있다.Fig. 4 is a plan view schematically showing the structure of the gas injection unit 200 shown in Fig. 1. Fig. Referring to FIG. 4, the gas injection unit 200 has a supply line 210, a main line 220, and an injection hole 230. The supply line 210 is connected to the main line 220 to supply process gas to the main line 220. The main line 220 is provided annularly within the side wall 105 of the process chamber 100. The injection hole 230 is connected to the main line 220 to supply the process gas into the process chamber 100. A plurality of injection holes 230 are provided so that process gases can be uniformly supplied into the process chamber 100. The injection holes 230 are arranged along the circumference of the inner wall 102 of the process chamber 100 and may be located at the same height with respect to each other. The injection hole 230 is positioned higher than the substrate support member 110. [ The injection hole 230 may be provided in a slit shape.

다시 도 1을 참조하면, 검출부재(300)는 센서(310)와 제어부(320)를 포함한다. 센서(310)는 변위측정센서일 수 있다. 센서(310)는 도어(115)에 형성된 센싱창(330)을 통해 서셉터(114)의 바닥(115)까지 거리(이하, 기준값으로 표현될 수 있다) 또는 기판(W)이 서셉터(114)에 삽입된 후 기판(W)의 상면까지 거리(이하, 측정값으로 표현될 수 있다)를 측정할 수 있다. 센싱창(330)은 투명한 강화유리 또는 강화플라스틱으로 제공될 수 있다. 센싱창(330)은 기판(W)의 갯수에 상응하게 제공될 수 있다. 센서(310) 역시 복수개로 제공될 수 있다. 센서(310)는 공정챔버(100) 내부 중 서셉터(114) 상측에 제공될 수 있다. 센서(310)가 공정챔버(100) 내부 중 서셉터(114) 상측에 제공되는 경우 센싱창(330)은 제공되지 않을 수 있다.Referring again to FIG. 1, the detection member 300 includes a sensor 310 and a control unit 320. The sensor 310 may be a displacement measurement sensor. The sensor 310 can detect a distance from the bottom 115 of the susceptor 114 to the susceptor 114 through a sensing window 330 formed on the door 115 (Hereinafter, referred to as a measurement value) to the upper surface of the substrate W. The sensing window 330 may be provided with transparent tempered glass or reinforced plastic. The sensing window 330 may be provided corresponding to the number of the substrates W. A plurality of sensors 310 may also be provided. The sensor 310 may be provided above the susceptor 114 in the process chamber 100. The sensing window 330 may not be provided if the sensor 310 is provided on the upper side of the susceptor 114 in the process chamber 100.

제어부(320)는 측정값과 기준값의 차를 기입력된 기판(W)의 두께값과 비교하여 기판(W)이 서셉터(114)에 정확히 안착되었는지 여부를 판단한다. 센서(310)는 제어부(320)에 무선통신으로 기준값과 측정값에 대한 데이터를 전송할 수 있다.The controller 320 compares the difference between the measured value and the reference value with the thickness value of the substrate W to determine whether the substrate W is correctly seated on the susceptor 114. [ The sensor 310 may transmit data on the reference value and the measured value to the controller 320 by wireless communication.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예로 서셉터(114)에 수납된 기판의 위치를 검출하는 과정을 도시한 도면이다.5 to 7 illustrate a process of detecting the position of a substrate stored in the susceptor 114 according to an embodiment of the present invention.

센서(310)는 서셉터(114)의 바닥(115)가지 거리(a)를 측정하여 이를 제어부(미도시)로 전송하고, 제어부는 이를 기준값으로 저장한다(도 5 참조).The sensor 310 measures a distance a of the bottom 115 of the susceptor 114 and transmits it to a controller (not shown), and the controller stores it as a reference value (see FIG. 5).

기판(W)이 서셉터(114)에 수납된 후, 센서(310)는 기판(W)의 상면까지 거리(b)를 측정하여 이를 제어부로 전송하고, 제어부는 이를 측정값으로 저장한다.After the substrate W is housed in the susceptor 114, the sensor 310 measures the distance b to the top surface of the substrate W and transmits the measured distance b to the control unit.

제어부는 측정값과 기준값의 차를 계산한 후, 이를 기입력된 기판(W)의 두께값(c)과 비교한다. 이 때, 측정값(b)과 기준값(a)의 차를 두께값(c)과 비교하여 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 기판(W)이 서셉터(114)에 정확히 수납된 것으로 판단하여 공정을 계속 진행한다(도 6의 경우).The controller calculates the difference between the measured value and the reference value and then compares the difference with the thickness value (c) of the substrate W inputted thereto. At this time, if the difference between the measured value b and the reference value a is compared with the thickness value c, if the difference is within the predetermined error range, it is determined that the substrate W is correctly stored in the susceptor 114 The process is continued (in the case of FIG. 6).

만약 기판(W)이 서셉터(114)에 수납된 후, 센서(310)가 기판(W)의 상면까지 측정한 거리(b')가 도 7의 경우이면, 제어부에 저장된 측정값(b')과 기준값(a)의 차를 두께값(c)과 비교했을 때 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 달라진다(도 7 참조). 따라서, 이와 같은 경우 제어부는 기판(W)이 서셉터(114)에 정확히 수납되지 않은 것으로 판단하여 공정을 정지시킨다.If the distance b 'measured by the sensor 310 to the upper surface of the substrate W after the substrate W is housed in the susceptor 114 is in the case of FIG. 7, the measured value b' ) And the reference value (a) is compared with the thickness value (c), the difference is within a predetermined error range (see FIG. 7). Accordingly, in this case, the controller determines that the substrate W is not correctly stored in the susceptor 114, and stops the process.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판의 안착상태를 판단하는 과정을 나타낸 순서도이다. 이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 각 단계별로 설명한다.FIG. 8 is a flowchart illustrating a process of determining a seating state of a substrate according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 5 to 8. FIG.

먼저 기판(W)이 서셉터(114)에 수납되기 전 서셉터(114)의 바닥(115)까지 거리(a)를 센서(310)로 측정한다(S1).The distance a is measured by the sensor 310 to the bottom 115 of the susceptor 114 before the substrate W is housed in the susceptor 114 (S1).

제어부는 단계 1(S1)에서 측정된 거리(a)를 기준값으로 저장한다(S2).The controller stores the distance a measured in step 1 (S1) as a reference value (S2).

기판(W)이 서셉터(114)에 수납된 후 기판(W)의 상면까지 거리(b)를 센서(310)로 측정한다(S3).After the substrate W is housed in the susceptor 114, the distance b to the top surface of the substrate W is measured by the sensor 310 (S3).

제어부는 단계 3(S3)에서 측정된 거리(b)를 측정값으로 저장한다(S4).The controller stores the distance b measured in step S3 (S3) as a measured value (S4).

제어부는 측정값과 기준값의 차를 기입력된 기판(W)의 두께값(c)과 비교하여 서셉터(114)에 수납된 기판(W)의 안착상태를 판단한다(S5).The controller compares the difference between the measured value and the reference value with the thickness value c of the substrate W to determine the seating state of the substrate W stored in the susceptor 114 at step S5.

여기서 단계 5(S5)는 좀 더 구체적으로 다음과 같이 진행될 수 있다.Here, step 5 (S5) may be carried out more specifically as follows.

즉, 도 9를 참조할 때 제어부는 측정값과 기준값의 차를 기입력된 기판(W)의 두께값(c)과 비교하여, 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 공정을 계속 진행하고, 오차범위 내에서 다르면 공정을 정지시킨다.9, the control unit compares the difference between the measured value and the reference value with the thickness value c of the input substrate W. If the difference is within the predetermined error range, the control unit continues the process, If different within the range, stop the process.

상술한 기판 처리 장치 및 기판 위치 검출 방법에 의하면, 기판이 서셉터에 정확히 안착되지 않는 등으로 정해진 위치에 있지 않은 상태에서 처리 공정이 진행될 경우 발생할 수 있는 문제(Uniformity 등 막특성 변동, 서셉터가 회전시 기판의 물리적 손상 등)를 미연에 방지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate position detecting method described above, there is a problem (for example, a change in film characteristics such as uniformity, etc.) that may occur when the processing process is performed in a state in which the substrate is not properly positioned, Physical damage of the substrate during rotation, etc.) can be prevented in advance.

또한, 간단한 구성으로 기판의 안착상태를 판단할 수 있다.Further, the seating state of the substrate can be determined with a simple structure.

그리고 기판의 안착 직전과 안착 후를 비교검사하면서 사용함으로써 센서의 위치가 미세히 변동되더라도 유지보수나 재정비를 할 필요성이 줄어든다.Also, by using the sensor just before and after mounting, the need for maintenance and rearrangement is reduced even if the position of the sensor is slightly changed.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **
1 : 기판 처리 장치 10 : 공간
100 : 공정챔버 103 : 상부벽
105 : 측벽 108 : 하부벽
110 ; 기판지지부재 114 : 서셉터
115 : 도어 117 : 홈
118 : 서셉터홀더 119 : 안착홈
120 : 회전축 125 : 구동기
140 : 히터 150 : 플레이트
160 : 배기유닛 163 : 배기라인
165 : 밸브 168 : 펌프
170 : 기체공급라인 200 : 가수 분사 유닛
210 : 공급라인 220 : 메인라인
230 : 분사홀 300 : 검출부재
310 : 센서 320 : 제어부
330 : 센싱창 a : 기준값
b : 측정값[0001] Description of the Prior Art [0002]
1: substrate processing apparatus 10: space
100: process chamber 103: upper wall
105: side wall 108: bottom wall
110; Substrate support member 114: susceptor
115: Door 117: Home
118: susceptor holder 119: seat groove
120: rotational shaft 125: actuator
140: heater 150: plate
160: exhaust unit 163: exhaust line
165: valve 168: pump
170: gas supply line 200: water jet unit
210: supply line 220: main line
230: injection hole 300: detecting member
310: sensor 320:
330: Sensing window a: Reference value
b: measured value

Claims (6)

공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에 위치되며, 상면에 복수의 안착홈들이 형성된 서셉터 홀더와;
상기 안착홈들 각각에 삽입되며, 기판이 놓여지는 수납부들과;
상기 서셉터 홀더를 회전시키는 구동기와;
상기 수납부의 회전 경로에 대향된 위치에서 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 검출부재를 포함하되,
상기 검출부재는 상기 기판이 상기 수납부에 수납되기 전 상기 수납부의 바닥까지 거리를 기준값으로 저장하고, 상기 기판이 상기 수납부에 수납된 후 상기 기판의 상면까지 거리를 측정값으로 저장한 후, 상기 기준값과 상기 측정값을 비교함으로써 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A susceptor holder positioned in the process chamber and having a plurality of seating grooves formed on an upper surface thereof;
Accommodating portions inserted into each of the seating grooves and on which the substrate is placed;
A driver for rotating the suscepter holder;
And a detecting member for determining a seating state of the accommodating portion of the substrate at a position opposite to the rotation path of the accommodating portion,
Wherein the detecting member stores a distance to a bottom of the storage unit before the substrate is housed in the storage unit and stores the distance to the top surface of the substrate after the substrate is housed in the storage unit as a measured value And compares the reference value with the measured value to determine the seating state of the accommodating portion of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 검출부재는 센서와 제어부를 포함하되,
상기 센서는 상기 서셉터 홀더의 상부에 제공되어 상기 기준값과, 상기 측정값을 측정하고,
상기 제어부는 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 기입력된 상기 기판의 두께값과 비교함으로써 상기 기판의 상기 수납부 안착상태를 판단하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the detecting member includes a sensor and a control unit,
Wherein the sensor is provided on top of the susceptor holder to measure the reference value and the measured value,
Wherein the controller determines a seating state of the accommodating portion of the substrate by comparing a difference between the measured value and the reference value with a thickness value of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 측정값과 상기 기준값의 차를 상기 두께값과 비교하여 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 상기 공정을 계속 진행하고, 상기 오차범위 내에서 다르면 상기 공정을 정지시키는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein,
Comparing the difference between the measured value and the reference value with the thickness value and continuing the process if the difference is within a predetermined error range and stopping the process if the difference is within the error range. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안착홈들은 상기 서셉터 홀더의 중심축을 감싸도록 배열되는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the seating grooves are arranged to surround the central axis of the susceptor holder. 제2항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 기판의 안착 상태를 검출하는 방법에 있어서,
상기 기판이 상기 수납부에 수납되기 전 상기 수납부의 바닥까지 거리(a)를 센서로 측정하는 단계(S1);
제어부가 상기 단계(S1)에서 측정된 상기 거리(a)를 기준값으로 저장하는 단계(S2);
상기 기판이 상기 수납부에 수납된 후 상기 기판의 상면까지 거리(b)를 센서로 측정하는 단계(S3);
상기 제어부가 상기 단계(S3)에서 측정된 상기 거리(b)를 측정값으로 저장하는 단계(S4); 및
상기 제어부가 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 기입력된 상기 기판의 두께값과 비교하여 상기 기판의 안착상태를 판단하는 단계(S5)를 포함하는 기판 위치 검출 방법.A method of detecting a seating state of a substrate using the substrate processing apparatus of claim 2,
(S1) measuring the distance (a) to the bottom of the receiving portion before the substrate is housed in the receiving portion with a sensor;
(S2) the control unit stores the distance (a) measured in the step (S1) as a reference value;
(S3) measuring the distance (b) to the upper surface of the substrate after the substrate is accommodated in the accommodating portion with a sensor;
(S4) storing the distance (b) measured in the step (S3) as a measurement value; And
(S5) comparing the difference between the measured value and the reference value with the input thickness value of the substrate to determine the seating state of the substrate. 제5항에 있어서,
상기 제어부가 상기 측정값과 상기 기준값의 차를 상기 두께값과 비교하여 그 차가 기설정된 오차범위 내에서 같으면 상기 공정을 계속 진행하고, 상기 오차범위 내에서 다르면 상기 공정을 정지시키는 단계(S6)를 더 포함하는 기판 위치 검출 방법.6. The method of claim 5,
The control unit compares the difference between the measured value and the reference value with the thickness value, and proceeds to step S6 if the difference is within a predetermined error range. If the difference is within the error range, step S6 is performed Further comprising the steps of:
KR1020110026014A 2011-03-23 2011-03-23 Substrate processing apparatus and substrate position detecting method KR101471548B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110026014A KR101471548B1 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Substrate processing apparatus and substrate position detecting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110026014A KR101471548B1 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Substrate processing apparatus and substrate position detecting method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120108313A KR20120108313A (en) 2012-10-05
KR101471548B1 true KR101471548B1 (en) 2014-12-12

Family

ID=47279934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110026014A KR101471548B1 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Substrate processing apparatus and substrate position detecting method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101471548B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020242830A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. Wafer out of pocket detection
KR102268974B1 (en) * 2019-12-27 2021-06-24 주식회사 세정로봇 wafer alignment method of wafer transfer

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102136295B1 (en) * 2015-02-16 2020-08-27 주식회사 원익아이피에스 Apparatus of Processing Wafer Including wafer warpage sensor and Method of processing wafer
KR102058057B1 (en) * 2015-02-17 2020-01-23 주식회사 원익아이피에스 Apparatus and Method for Processing Wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323555A (en) * 1999-05-10 2000-11-24 Nissin High Voltage Co Ltd Method and apparatus for detecting abnormality in wafer loaded in adaptor for holding of semiconductor wafer
KR20010022016A (en) * 1997-07-23 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool
JP2004321932A (en) * 2003-04-24 2004-11-18 Shibaura Mechatronics Corp Coater for adhesive and coating method for adhesive
KR20060085507A (en) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 Levelling sensing unit for susceptor of single wafer type thermal process apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010022016A (en) * 1997-07-23 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool
JP2000323555A (en) * 1999-05-10 2000-11-24 Nissin High Voltage Co Ltd Method and apparatus for detecting abnormality in wafer loaded in adaptor for holding of semiconductor wafer
JP2004321932A (en) * 2003-04-24 2004-11-18 Shibaura Mechatronics Corp Coater for adhesive and coating method for adhesive
KR20060085507A (en) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 Levelling sensing unit for susceptor of single wafer type thermal process apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020242830A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. Wafer out of pocket detection
US11133205B2 (en) 2019-05-24 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Wafer out of pocket detection
KR20220000911A (en) * 2019-05-24 2022-01-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Wafer Pocket Departure Detection
KR102604028B1 (en) * 2019-05-24 2023-11-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Wafer pocket deviation detection
KR102268974B1 (en) * 2019-12-27 2021-06-24 주식회사 세정로봇 wafer alignment method of wafer transfer
KR20210084355A (en) * 2019-12-27 2021-07-07 주식회사 세정로봇 wafer alignment method of wafer transfer
KR102361988B1 (en) * 2019-12-27 2022-02-14 주식회사 세정로봇 wafer alignment method of wafer transfer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120108313A (en) 2012-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9245786B2 (en) Apparatus and methods for positioning a substrate using capacitive sensors
JP7237934B2 (en) Quartz crystal microbalance sensor and associated methods for monitoring manufacturing processes
TWI477647B (en) Apparatus and method for treating substrate
JP6114708B2 (en) Substrate desorption detection apparatus and substrate desorption detection method, and substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
KR101471548B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate position detecting method
US10364494B2 (en) Substrate processing apparatus
US20100013626A1 (en) Substrate lift pin sensor
KR20210000731A (en) Virtual sensor for temperature control of spatially resolved wafers
JP6557992B2 (en) Film forming apparatus, film forming method, and storage medium
KR102626685B1 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method, and film forming method
CN108293292B (en) Plasma electrode and plasma processing apparatus
US9761473B2 (en) Substrate supporting unit and substrate processing apparatus manufacturing method of the substrate supporting unit
US20120160419A1 (en) Substrate-supporting unit and substrate-processing apparatus comprising same
KR101502856B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate support member postion detecting method
KR101139692B1 (en) Chemical vapor deposition device
US20130108792A1 (en) Loading and unloading system for thin film formation and method thereof
US10094022B2 (en) Substrate processing apparatus and method of fabricating substrate loading unit
TWI731226B (en) Substrate processing device
KR20130007281A (en) Tilt detecting method of substrate support plate
KR101978367B1 (en) Apparatus providing gas to chamber for manufacturing semiconductor and chamber for manufacturing semiconductor including the same
US10763154B2 (en) Measurement of flatness of a susceptor of a display CVD chamber
KR101464202B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR20100030081A (en) Susceptor
KR200489220Y1 (en) Interval mesuring device using for substrate disposition apparatus
KR101803513B1 (en) Wafer processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181204

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191128

Year of fee payment: 6