KR101446061B1 - Apparatus for measuring a defect of surface pattern of transparent substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 투명 기판의 표면 패턴 불량 측정 장치에 관한 것으로, 반사도가 작은 물질이 투명 기판에 패터닝 되어, 투명 기판과 패터닝된 물질 사이의 반사도에 차이가 크게 없어도, 투명 기판의 반사도를 0에 가깝게 하여 상대적으로 패턴 물질의 반사도 증가 효과를 가져와 패턴 물질과 투명 기판 사이의 반사 대비도를 높여, 검출 정확도를 높인 표면 패턴을 측정하거나 패턴의 불량 여부를 측정하는 장치이다.The present invention relates to an apparatus for measuring a surface pattern defect of a transparent substrate, in which a material having a small reflectivity is patterned on a transparent substrate so that the reflectance of the transparent substrate is made close to zero even if there is little difference in reflectivity between the transparent substrate and the patterned material It enhances the reflectivity of the pattern material relatively and raises the reflection contrast between the pattern material and the transparent substrate, thereby measuring the surface pattern with enhanced detection accuracy or measuring the defectiveness of the pattern.
도 1은 일반적인 스캔 장치의 개념도를 나타낸다.1 is a conceptual diagram of a general scanning device.
도 1에 도시된 스캔 장치는 레이저를 발진하는 레이저 발진부(10), 빔을 분할하는 빔분할부(90), 일 정점을 중심으로 회전 가능하게 설치되는 스캐너(20) 및 타겟 평면(TP) 상에 초점을 형성하기 위하여 스캐너(10)에 의하여 진행 방향이 조절된 평행한 레이저 빔을 투과시켜 집광시키는 집광 렌즈(7)를 포함한다.1 includes a
이러한 스캔 장치의 스캔 방법은 레이저 발진부(1)에서 주사된 레이저는 경로 R1 (이하 "레이저 빔 R1"과 혼용)는 빔 분할부(90)에 의해 일부는 y축 방향으로 투과하고 나머지는 양의 z축 방향으로 반사된다. 빔 분할부(30)를 투과한 레이저 R2는 스캐너(10)에 의해 다경로 빔(R3, R4, F5)으로 반사된다. 다경로 빔(R3, R4, F5)은 집광 렌즈(20)에 의해 평행형 빔(R6, R7, R8)이 되어 타겟 평면(TP)에 초점이 형성된다. 타겟 평면에 의해 반사된 빔은 역으로(경로(R6, R7, R8), 경로(R3, R4, F5), 경로(R2)) 빔 분할부(30)까지 경로를 형성하고, 빔 분할부(30)에 의해 일부 빔(R9)는 음의 z축 방향으로 반사되어 검출부(6)에 도달하게 된다.In this scanning method of the scanning device, a portion of the laser beam scanned by the
검출부(6)는 반사되어 되돌아온 레이저 빔의 세기 등을 측정하여 이미지를 측정한다. 일반적으로 유리나 투명 필름은 그 반사도는 0%가 되지 않고, 낮은 값이지만 작은 값의 반사도를 가진다. 유리나 투명 필름과 같은 투명 기판에 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 은 나노와이이어(Ag nano wire) 등의 반사도가 낮은 물질(이하, '패턴 물질')이 패터닝될 수 있다. 이러한 패턴 물질은 투명 기판의 반사도가 차이가 작아, 측정시 명암 대비가 크게 떨어져 검출 정확도가 떨어진다. 이에 투명 기판과 패턴 물질과 같이, 반사도의 차이가 크지 않은 경우 상대적으로 명암 대비를 크게할 필요가 있다.The
본 발명은 유리와 같은 투명 기판과 투명 기판의 표면에 형성된 투명 기판과의 굴절율이 크게 차이 나지 않은 투명 전극 등과 같은 물질을 구별하기 위해, 투명 기판의 반사도를 최대한 없앰으로써 대비되는 양 물질 사이의 명암(반사율) 대비를 크게 하는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to distinguish materials such as transparent electrodes and the like having a large difference in refractive index between the transparent substrate such as glass and the transparent substrate formed on the surface of the transparent substrate, (Reflectance) compared to the conventional device.
본 발명에 따른 표면 패턴 불량 측정 장치는 다른 물질의 패턴이 있는 투명 기판을 상면에 배치하는 스테이지, 상기 투명 기판을 향해 상기 투명 기판에 대해 전기장이 평행(p-편광)한 광이 상기 투명 기판의 굴절률과 상기 투명 기판과 경계하는 매질의 굴절률에 따른 브루스터 각으로 입사되도록 상기 p-편광 광을 조사하는 조사부, 및 상기 p-편광 광이 상기 투명 기판에 의해 반사되는지 판단하는 검출부를 포함할 수 있다.The apparatus for measuring a surface pattern defect according to the present invention comprises a stage for arranging a transparent substrate having a pattern of another material on an upper surface thereof, a stage for irradiating the transparent substrate with light having an electric field parallel to the transparent substrate (p- An irradiating unit for irradiating the p-polarized light such that the p-polarized light is incident at a Brewster's angle according to a refractive index and a refractive index of a medium bounded by the transparent substrate, and a detector for determining whether the p- polarized light is reflected by the transparent substrate .
본 발명에 따른 투명 기판의 패턴 불량 측정 장치는 반사도의 차이가 크지 않은 물질 중 어느 한 물질에서 반사되는 광을 제거하여, 두 물질 사이의 명암 대비를 크게 할 수 있다. 이에 의해 투명 기판의 패턴을 이미지화 하거나, 패턴의 불량을 용이하게 측정할 수 있다.The apparatus for measuring a pattern defect of a transparent substrate according to the present invention can remove light reflected from any one of materials having little difference in reflectivity, thereby increasing the contrast between the two materials. Thereby, the pattern of the transparent substrate can be imaged or the defect of the pattern can be easily measured.
도 1은 일반적인 스캔 장치의 개념도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 블럭도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 사시도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 사시도, 및
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 사시도이다.1 is a conceptual diagram of a general scanning device,
2 is a block diagram of an apparatus for measuring a surface pattern according to an embodiment of the present invention,
3 is a perspective view of a surface pattern measuring apparatus according to another embodiment of the present invention,
4 and 5 are perspective views of a surface pattern measuring apparatus according to another embodiment of the present invention, and Fig.
6 is a perspective view of a surface pattern measuring apparatus according to another embodiment of the present invention.
제 1, 제 2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 또한 네트워크 상의 제1 구성요소와 제2 구성요소가 연결되어 있거나 접속되어 있다는 것은, 유선 또는 무선으로 제1 구성요소와 제2 구성요소 사이에 데이터를 주고 받을 수 있음을 의미한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Also, the fact that the first component and the second component on the network are connected or connected means that data can be exchanged between the first component and the second component by wire or wirelessly.
또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "계", "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "계", "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다. 이와 같은 구성요소들은 실제 응용에서 구현될 때 필요에 따라 2 이상의 구성요소가 하나의 구성요소로 합쳐지거나, 혹은 하나의 구성요소가 2 이상의 구성요소로 세분되어 구성될 수 있다.Also, suffixes """ module "and" part "for components used in the following description are given only for convenience of description, It is not. Accordingly, the terms "module," "module," and " part " When such components are implemented in practical applications, two or more components may be combined into one component, or one component may be divided into two or more components as necessary.
본 설명에서, 광학계는 하나의 광학 기구이거나 복수의 광학 기구 조합으로 구성될 수 있다. 또한 어느 광학 기구가 어느 광학계에 속한다고 하더라도 이는 설명의 편의일 뿐, 위 어느 광학 기구는 별도로 독립된 계를 구성할 수 있다. 이에 각 광학 기구가 어느 광학계에 속하는 지 특별히 언급하지 않으면서 서술하기로 한다.In this description, the optical system may be an optical system or a combination of a plurality of optical systems. Also, whichever optical mechanism belongs to which optical system, this is merely an explanatory convenience, and any of the above optical mechanisms can constitute a separate system separately. Thus, it is not described specifically what optical system belongs to which optical system.
횡모드는 광이 진행하는 축 즉, 광축에 수직인 광의 단면을 의미한다. 횡모드 성분은 광의 단면 중 어느 한 축의 광 성분을 의미한다. 제1 및 제2 횡모드 방향은 서로 수직인 것이 바람직하다. 이하, "제1 횡모드 방향"는 광축에 수직인 임의의 축으로서, 제1 축, 제1 방향, (x, y, z) 축 중 어느 한 축 또는 그 방향, 수평 및 수직 중 어느 한 축 또는 그 방향, 종방향 및 횡방향 등으로 혼용하여 서술하기로 한다. 특히 종방향(수직방향) 및 횡방향(수평방향)과 관련하여, 종방향은 레이저 빔의 경로에 의한 평면의 법선 방향을, 횡방향은 종방향 및 레이저 빔의 경로 방향에 각각 수직인 방향을 의미하거나, 지면과의 관계에서 방향이 정해질 수 있다. 아울러 "제1 횡모드"는 제1 축(방향) 성분이 제일 큰 성분을 가지는 것을 의미하기로 한다. 제1 횡모드 성분은 제1 성분으로 지칭할 수도 있다.The transverse mode means the cross section of light that is perpendicular to the optical axis, i.e., the axis along which light travels. The transverse mode component means a light component of any one of the axes of the light. The first and second transverse mode directions are preferably perpendicular to each other. Hereinafter, the "first transverse mode direction" is an arbitrary axis perpendicular to the optical axis, and includes any one of the first axis, the first direction, the (x, y, z) Or in the direction, the longitudinal direction, the lateral direction, and the like. In particular, with respect to the longitudinal direction (vertical direction) and the lateral direction (horizontal direction), the longitudinal direction is a direction normal to the plane by the path of the laser beam, the lateral direction is the direction perpendicular to the longitudinal direction and the path direction of the laser beam Meaning or direction can be determined in relation to the ground. The "first transverse mode" means that the first axis (direction) component has the largest component. The first transverse mode component may also be referred to as the first component.
실린더형 광학계는 실린더형 광학기를 구비할 수 있다. 실린더형 광학기는 일방향으로만 곡률을 가져, 입사 빔을 1차원 방향으로만 집광 또는 확산되도록 투과 또는 반사시키는 광학기를 의미한다. 실린더형 렌즈는 투과형을 의미하며, 실린더형 거울은 반사형을 의미한다. 실린더형 렌즈는 여러 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 일 측면만 곡률을 가지거나(입사면 또는 출사면), 양 측면(입사면 및 출사면) 모두 곡률을 가질 수도 있다. The cylindrical optical system may comprise a cylindrical optic. The cylindrical optic means a optic that has a curvature only in one direction and transmits or reflects the incident beam so as to condense or diffuse only in one-dimensional direction. The cylindrical lens means a transmissive type, and the cylindrical mirror means a reflective type. The cylindrical lens may have various shapes. For example, it may have a curvature only on one side (incidence surface or exit surface), or both sides (incidence surface and exit surface) may have a curvature.
이하 도면을 참조하며 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 블럭도이다.2 is a block diagram of an apparatus for measuring a surface pattern according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치는 다른 물질로 형성된 패턴이 있는 기판을 상면에 배치하며 기판을 이동시키는 스테이지(50), 스테이지(50)로 광을 조사하는 조사부(1), 및 조사부(1)에서 조사된 광이 스테이지(50)에 의해 반사되어 나오는 광을 검출하는 검출부(2)를 포함할 수 있다.2, a surface pattern measuring apparatus according to the present embodiment includes a
기판은 유리나 투명 필름과 같은 재질의 투명 기판일 수 있다. 기판에 패터닝된 물질은 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 은 나노와이이어(Ag nano wire) 등 또는 이들의 조합으로 된 물질과 같이 투명도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 즉, 기판과 패터닝된 물질(패턴 물질)은 반사도나 투명도(굴절율)의 차이가 작을 수 있다. 기판의 반사도는 5~15% 일 수 있으며, 패턴 물질의 반사도는 8~25% 일 수 있다. 기판과 패턴 물질의 반사도 차이가 10% 이내이어도 본 발명에 따른 표면 패턴 측정 장치는 패턴 물질과 기판을 구별할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 표면 패턴 측정 장치는 패턴 물질과 기판의 반사도가 실질적으로 동일하지 않을 정도의 차이가 있어도 측정 가능하다. 특히 양 물질의 반사도 차이가 1% 내외 이어도 본 발명에 따른 장치는 패턴 물질과 기판을 구별할 수 있다. 본 문에서 언급하는 반사도는 수직 입사에 따른 반사도를 의미한다.The substrate may be a transparent substrate made of a material such as glass or a transparent film. The material patterned on the substrate may be formed of a material having high transparency such as ITO, graphene, carbon nanotube (CNT), silver nano wire, or a combination thereof. That is, the difference between the reflectance and the transparency (refractive index) of the substrate and the patterned material (pattern material) may be small. The reflectivity of the substrate can be from 5 to 15%, and the reflectivity of the pattern material can be from 8 to 25%. The surface pattern measuring apparatus according to the present invention can distinguish the pattern material from the substrate even if the difference in reflectance between the substrate and the pattern material is within 10%. Further, the surface pattern measuring apparatus according to the present invention can measure even if the reflectance of the pattern material and the substrate is not substantially the same. In particular, the device according to the present invention can distinguish the pattern material from the substrate even if the difference in reflectivity of both materials is about 1% or more. The reflectivity referred to herein means the reflectivity according to vertical incidence.
조사부(1)는 광을 방출하기 위해 레이저 광원 또는 LED 광원을 구비할 수 있다. 조사부(1)는 점광원 형태의 레이저 광원을 라인 빔 형태로 성형하는 라인 빔 발생부를 더 구비할 수 있다. 라인 빔 발생부는 스캐너를 포함할 수 있다. 조사부(1)의 LED 광원은 라인 빔 형태로 방출하거나, LED 광원을 라인 빔으로 성형하는 성형부가 조사부(1)에 포함될 수 있다. 성형부는 실린더형 광학계를 구비할 수 있다.The irradiating
조사부(1)는 기판 또는 스테이지(50)에 대해 p-편광(p-polarized)된 상태의 광을 스테이지(50)로 조사할 수 있다. p-편광 광은 전기장이 입사되는 스테이지(50) 평면과 평행한 광을 의미한다. 조사부(1)는 p-편광 광을 조사하기 위해, 광원에서 방출된 조사 광 중 p-편광된 광만 통과시키거나 조사 광이 p-편광되도록 하는 편광기를 구비할 수 있다. 편광기는 p-편광된 광만 통과시키는 편광 필름(필터)(polarizer film(filter)) 또는 통과하는 빛의 편광 상태를 바꿔주는 파장판(wave plate)을 구비할 수 있다. 레이저 광원이 아닌 일반 광원인 경우, 편광기는 편광 필름을 구비하는 것이 바람직하다. 파장판은 위상지연자라고도 한다. 전자기파가 파장판을 통과하면 편광 방향이 광축에 평행한 성분과 수직한 성분의 합이 되고, 파장판의 복굴절과 두께에 따라 두 성분의 벡터합이 변하게 되므로 통과한 후의 편광 방향이 달라지게 된다. 조사 광은 일정 방향으로 편광되어 있거나(레이저 광원), 편광 필름에 의해 일정 방향으로 편광(일반 광원)된 후, 파장판에 의해 기판에 대한 p-편광 광으로 변형될 수 있다. 파장판을 통과하는 광의 위상 변화율은 파장판에 입사하는 광의 편광 방향 및 기판과의 관계에 따라 달라질 수 있다. The irradiating
조사부(1)는 기판에 전기장이 평행(이하, p-편광)한 광이 기판의 굴절률과 기판과 경계하는 매질(일반적으로 공기)의 굴절률에 따른 편광각(브루스터 각; Brewster angle)으로 입사되도록 할 수 있다. 기판에 조사되는 광은 기판에서의 반사도는 0 또는 0에 가깝게 되어, 반사가 실질적으로 없게 된다.The irradiating
검출부(2)는 반사 광에 커플링되도록 스테이지(50)로 조사된 광의 반사 경로에 배치되어, 반사 광을 검출할 수 있다. 검출부(2)는 빛을 측정 하기 위해 PMT(photo multiplier tube), 포토 다이오드(phot diode), 또는 CCD 어레이 등을 구비할 수 있다.The
본 실시예에서 기판으로 조사된 광은 반사가 일어나지 않으며, 패턴 물질에 조사된 광은 반사가 일어난다. 따라서 검출부(2)는 반사 광의 유무를 판단하여 패턴 물질의 유무 또는 패턴의 불량 여부 등을 판단할 수 있다.In this embodiment, the light irradiated to the substrate is not reflected, and the light irradiated to the pattern material is reflected. Therefore, the
패턴 물질의 투명도가 높은 편이라, 패턴 물질에 의해 반사되는 광의 세기는 작을 수 있다. 그러나 검출부(2)는 반사되는 광의 유무를 검출하면 되므로, 즉 명암 대비율이 높으므로, 반사 광의 세기가 약해도 대비되는 두 물질을 용이하게 검출할 수 있다. 검출부(2)는 검출되는 신호의 세기를 증복시키는 증폭부를 구비할 수 있다.The transparency of the pattern material is high, and the intensity of light reflected by the pattern material may be small. However, since the
검출부(2)는 p-편광 광만 투과시키는 필터를 더 포함할 수 있다. 노이즈를 걸러 내어, 향상된 검출 성능을 도출할 수 있다.The
본 실시예에서, 조사부(1)에 의해 스테이지(50)로 입사되는 입사각은, 기판의 굴절률과 그 접하는 매질의 굴절률에 의해 결정된다고 기술하였지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 입사각은 패터닝된 물질의 굴절률과 그 접하는 매질의 굴절률에 따른 브루스터 각이 될 수 있다. 이 경우 패터닝된 물질에 조사되는 광은 반사되지 않게 된다.In the present embodiment, the incident angle incident on the
본 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치는 패턴 물질이 형성된 기판의 표면 측정에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판의 표면에 형성된 오염 물질이나 흠집 등의 결함 여부를 측정할 수 있다.The surface pattern measuring apparatus according to the present embodiment is not limited to the surface measurement of the substrate on which the pattern material is formed. For example, it is possible to measure the presence or absence of defects such as contaminants or flaws formed on the surface of the substrate.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 패턴 불량 측정 장치의 사시도이다. 도 2를 참조한다.3 is a perspective view of a surface pattern failure measuring apparatus according to another embodiment of the present invention. See FIG.
도 3을 참조하면, 표면 패턴 불량 측정 장치는 반사도가 낮은 물질이 형성되며 상기 형성된 물질과 반사도가 상이한 기판을 상면에 배치하는 스테이지(50), 레이저 빔을 출사하는 레이저 광원(10), 레이저 빔이 스테이지(50)에 대해 p-편광되도록 하는 편광기(30), 입사되는 레이저 빔을 스캐너 제어 신호에 따라 일정 방사각으로 경로가 연속적으로 변경되도록 반사하는 스캐너(20), 스캐너(20)에 의해 반사된 레이저 빔을 평행 경로 빔으로 변경하는 제1 대상 렌즈(110), 스테이지(50)에 의해 반사된 레이저 빔을 수광하는 제1 수광 렌즈(210), 반사 빔의 유무를 검출하는 빔 검출부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the surface pattern failure measuring apparatus includes a
기판은 유리나 투명 필름과 같은 재질의 투명 기판일 수 있다. 기판에 패터닝된 물질은 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 은 나노와이이어(Ag nano wire) 등과 같이 투명도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 즉, 기판과 패터닝된 물질(패턴 물질)은 반사도나 투명도(굴절율)의 차이가 작을 수 있다.The substrate may be a transparent substrate made of a material such as glass or a transparent film. The material patterned on the substrate may be formed of a material having high transparency such as ITO, graphene, carbon nanotube (CNT), silver nano wire, or the like. That is, the difference between the reflectance and the transparency (refractive index) of the substrate and the patterned material (pattern material) may be small.
레이저 광원(10)은 실질적으로 평행하거나 수렴하는 레이저 빔을 발진할 수 있다. 레이저 광원(10)에서 출사된 빔은 어느 일방향으로 선편광되어 있는 것이 바람직하다.The
편광기(30)는 투과된 레이저 빔이 스테이지(50)에 대해 p-편광되도록 할 수 있다. 일반적으로 레이저 광원(10)에서 출사되는 레이저 빔은 일방향으로 선편광되어 있으므로, 편광기(30)는 입사빔의 편광 상태를 변경하는 파장판(waveplate)을 구비하는 것이 바람직하다. 편광기(30)는 입사되는 레이저 빔 중 스테이지(50)에 대해 p-편광된 빔만 투과도록 하는 p-편광 필터(p-polarizer)를 구비할 수 있다.
본 실시예에서, 편광기(30)는 레이저 광원(10)에서 출사된 빔이 스캐너(20)로 입사되는 경로 상에 배치되었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스캐너(20)로 입사된 빔이 반사되는 경로에 배치될 수 있다.In the present embodiment, the
스캐너(20)는 제어 장치(미도시)에서 제공되는 스캐너 제어 신호에 따라 입사되는 레이저 빔을 일정 방사각 내에서 경로가 연속적으로 변경되도록 편향시킬 수 있다. 도 3에서 반사 경로가 3개인 것으로 도시하였지만, 도시되지 않은 수많은 반사 경로들이 존재한다. 스캐너(20)에 의해 반사되어 일정 방사각으로 경로가 연속적으로 변경되는 반사 빔을 방사형 다경로 (레이저) 빔 또는 편향 (레이저) 빔이라 지칭하기로 한다. The
스캐너(20)는 갈바노미터, 폴리곤 미러, 공진형 스캐너(resonant scanner), 음향 편향 장치(acousto-optic deflector) 등을 포함할 수 있다. 스캐너(20)는 스캐너 제어 신호에 따라 작동이 온/오프되거나, 편향 주기가 변경될 수 있다.The
제1 대상 렌즈(110)는 스캐너(20)에 의한 다경로 빔들이 진행하는 경로 상에 배치된다. 제1 대상 렌즈(110)는 스캐너(20)에 의한 다경로 빔들을 서로 평행한 경로로 진행하는 평행형 다경로 빔(라인 빔)으로 변경할 수 있다. 이를 위해, 제1 대상 렌즈(110)의 초점이 f인 경우, 제1 대상 렌즈(110)와 스캐너(20) 사이의 거리는 f인 것이 바람직하다. 평행형 다경로 빔은 스테이지(50) 상의 타겟(투명 기판 및 투명 패턴)의 일부 영역에 스캔 라인(SL)을 형성할 수 있다.The
제1 대상 렌즈(110)와 투명 기판의 패턴 사이의 빔 경로 길이는 제1 대상 렌즈(110)의 초점 거리 f인 것이 바람직하다. 패턴으로 입사되는 빔의 초점이 패턴에서 형성되어야 반사광의 세기가 커지기 때문이다. 패턴의 높이는 매우 작으므로, 제1 대상 렌즈(110)와 투명 기판 사이의 빔 경로 길이를 f로 하여도 바람직하다. 제1 대상 렌즈(110)는 구형 볼록 렌즈 또는 실린더형 볼록 렌즈일 수 있다.The beam path length between the
제1 수광 렌즈(210)는 입사되는 평행형 다경로 빔들을 특정 위치로 굴절되도록 할 수 있다. 제1 수광 렌즈(210)는 구형 볼록 렌즈 또는 실린더형 볼록 렌즈일 수 있으며, 그 타입은 제1 대상 렌즈(110)와 동일한 것이 바람직하다. 예를 들어 제1 대상 렌즈(110)가 구형 볼록 렌즈이면 제1 수광 렌즈(210)도 구형 볼록 렌즈로 구성될 수 있다.The first
검출부는 제1 수광 렌즈의 투과면 방향의 초점 위치에 배치될 수 있다. 검출부는 스테이지(50) 상의 스캔 라인(SL)에서 반사되는 빔의 유무를 검출하는 빔 검출기(220)를 구비할 수 있다. 검출부는 빔 검출기(220)로 입사되는 빔 중 스테이지(50)에 대해 p-편광된 빔만 투과시키는 노이즈 제거용 p-편광 필터(p-polarizer)(230)를 더 구비할 수 있다.And the detection unit may be disposed at a focal position in the direction of the transmission surface of the first light receiving lens. The detection unit may include a
본 실시예에서, 레이저 광원(10)에서 발진된 선편광된 레이저 빔은 편광기(30)를 거치면서 스테이지(50)에 대해 p-편광된다. p-편광된 빔은 스캐너(20)에 의해 방사형 다경로 빔으로 반사되며, 방사형 다경로 빔은 제1 대상 렌즈(110)를 투과하며 평행형 다경로 빔으로 되어, 스테이지(50) 상의 타겟에 스캔 라인(SL)을 형성할 수 있다. 스캔 라인(SL) 중 투명 기판 영역으로 입사되는 빔은 반사되지 않으며, 스캔 라인(SL) 중 패턴 물질 영역으로 입사되는 빔은 반사되어 제1 수광 렌즈(210)로 진행하게 된다. 제1 수광 렌즈(210)는 스캔 라인(SL)으로부터 입사되는 빔을 검출부에 커플링되도록 한다. 빔 검출기(220)는 p-편광 필터(230)를 통과한 빔이 있는지 여부를 검출하여, 패턴 이미지를 추출하거나 패턴 불량 여부를 측정할 수 있다.In this embodiment, the linearly polarized laser beam emitted from the
도 4 및 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 사시도이다. 도 2 및 도 3을 참조한다. 대응하는 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략한다.4 and 5 are perspective views of a surface pattern measuring apparatus according to another embodiment of the present invention. See FIGS. 2 and 3. FIG. A detailed description of the corresponding components will be omitted.
도 4 및 도 5를 참조하면, 표면 패턴 측정 장치는 반사도가 상이한 물질이 형성된 패턴이 있는 기판을 상면에 배치하는 스테이지(50), 레이저 빔을 출사하는 레이저 광원(10), 레이저 빔이 스테이지(50)에 대해 p-편광되도록 하는 편광기(30), 입사되는 레이저 빔을 스캐너 제어 신호에 따라 일정 방사각으로 경로가 연속적으로 변경되도록 반사하는 스캐너(20), 스캐너(20)에 의해 반사된 레이저 빔을 평행 경로 빔으로 변경하는 실린더형 광학계, 스테이지(50)에 의해 반사된 레이저 빔을 수광하는 제1 수광 렌즈(210), 반사 빔의 유무를 검출하는 빔 검출부(220, 230)를 포함할 수 있다.4 and 5, the surface pattern measuring apparatus includes a
기판은 유리나 투명 필름과 같은 재질의 투명 기판일 수 있다. 기판에 패터닝된 물질은 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 은 나노와이이어(Ag nano wire) 등과 같이 투명도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 즉, 기판과 패터닝된 물질(패턴 물질)은 반사도나 투명도(굴절율)의 차이가 작을 수 있다.The substrate may be a transparent substrate made of a material such as glass or a transparent film. The material patterned on the substrate may be formed of a material having high transparency such as ITO, graphene, carbon nanotube (CNT), silver nano wire, or the like. That is, the difference between the reflectance and the transparency (refractive index) of the substrate and the patterned material (pattern material) may be small.
도 4에 도시된 표면 패턴 측정 장치의 실린더형 광학계는 실리더형 오목 거울(120)을 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable that the cylindrical optical system of the surface pattern measurement apparatus shown in FIG. 4 includes a cylindrical
도 5에 도시된 표면 패턴 측정 장치의 실린더형 광학계는 실린더형 오목 거울(120) 및 평면 거울(130)을 구비하는 것이 바람직하다. 실린더형 오목 거울과 평면 거울의 배치 순서는 바뀌어도 무방하다.The cylindrical optical system of the surface pattern measurement apparatus shown in Fig. 5 preferably includes a cylindrical
구형 렌즈는 그 두께가 중앙과 외곽이 다르다. 이에 구형 렌즈를 투과하는 레이저 빔은 그 편광 정도(polarization)가 균일하지 않게 된다. 즉 스캔 라인(SL)에서의 반사도를 0으로 만들기 힘들 수 있다. 그러나 실린더형 거울을 사용하는 경우, 매질의 두께 차이에 따른 편광 비균일성이 발생하지 않게 된다. Spherical lenses have different thicknesses in the center and outline. The polarization of the laser beam passing through the spherical lens is not uniform. That is, it may be difficult to make the reflectance in the scan line SL zero. However, when the cylindrical mirror is used, the polarization nonuniformity due to the difference in the thickness of the medium does not occur.
도 4에서, 레이저 광원(10)에서 발진된 선편광된 레이저 빔은 편광기(30)를 거치면서 스테이지(50)에 대해 p-편광된다. p-편광된 빔은 스캐너(20)에 의해 방사형 다경로 빔으로 반사된다. 방사형 다경로 빔은 실린더형 오목 거울(120)에 의해 반사되어 평행형 다경로 빔으로 진행하게 된다. 이를 위해 스캐너(20)와 실린더형 오목 거울(120)의 빔 경로 길이는 실린더형 오목 거울(120)의 초점 거리와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 평행형 다경로 빔은 스테이지(50) 상의 타겟에 스캔 라인(SL)을 형성한다. 스캔 라인(SL) 중 투명 기판 영역으로 입사되는 빔은 반사되지 않으며, 스캔 라인(SL) 중 패턴 물질 영역으로 입사되는 빔은 반사되어 제1 수광 렌즈(210)로 진행하게 된다. 제1 수광 렌즈(210)는 스캔 라인(SL)으로부터 입사되는 빔을 검출부에 커플링되도록 한다. 빔 검출기(220)는 p-편광 필터(230)를 통과한 빔이 있는지 여부를 검출하여, 패턴 이미지를 추출할 수 있다.4, the linearly polarized laser beam emitted from the
도 5에서, 레이저 광원(10)에서 발진된 선편광된 레이저 빔은 편광기(30)를 거치면서 스테이지(50)에 대해 p-편광된다. p-편광된 빔은 스캐너(20)에 의해 방사형 다경로 빔으로 반사된다. 방사형 다경로 빔은 실린더형 오목 거울(120)에 의해 반사되어 평행형 다경로 빔으로 진행하게 된다. 이를 위해 스캐너(20)와 실린더형 오목 거울(120)의 빔 경로 길이는 실린더형 오목 거울(120)의 초점 거리와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 평면 거울(130)은 실린더형 오목 거울(120)에 의해 반사된 빔이 스테이지(50)로 향하도록 반사한다. 실린더형 오목 거울(120)은 입사각이 작을 수록 빔이 더 잘 성형된다. 다만 입사각을 작게 하면 구성요소들의 배치에 곤란을 겪게 된다. 이에 평면 거울(130)을 이용하여 구성요소의 배치를 더 자유롭게 할 수 있다. 평면 거울(130)에 의해 반사된 평행형 다경로 빔은 스테이지(50) 상의 타겟에 스캔 라인(SL)을 형성한다. 스캔 라인(SL) 중 투명 기판 영역으로 입사되는 빔은 반사되지 않으며, 스캔 라인(SL) 중 패턴 물질 영역으로 입사되는 빔은 반사되어 제1 수광 렌즈(210)로 진행하게 된다. 제1 수광 렌즈(210)는 스캔 라인(SL)으로부터 입사되는 빔을 검출부에 커플링되도록 한다. 빔 검출기(220)는 p-편광 필터(230)를 통과한 빔이 있는지 여부를 검출하여, 패턴 이미지를 검출하거나 패턴 불량 여부를 측정할 수 있다.5, the linearly polarized laser beam emitted from the
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면 패턴 측정 장치의 사시도이다. 도 2를 참조한다.6 is a perspective view of a surface pattern measuring apparatus according to another embodiment of the present invention. See FIG.
도 6을 참조하면, 표면 패턴 측정 장치는 반사도가 상이한 물질이 형성된 패턴이 있는 기판을 상면에 배치하는 스테이지(50), 광을 방출하는 광원(15), 광원(15)에서 방출된 광 중 스테이지(50)에 대해 p-편광된 광만 투과시키는 편광기(35), 편광기(35)를 투과한 광을 평행하게 하는 제2 대상 렌즈(115), 스테이지(50)에 의해 광을 수광하는 제2 수광 렌즈(215), 반사 광의 유무를 검출하는 빔 검출부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the surface pattern measuring apparatus includes a
기판은 유리나 투명 필름과 같은 재질의 투명 기판일 수 있다. 기판에 패터닝된 물질은 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 은 나노와이이어(Ag nano wire) 등과 같이 투명도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 즉, 기판과 패터닝된 물질(패턴 물질)은 반사도나 투명도(굴절율)의 차이가 작을 수 있다.The substrate may be a transparent substrate made of a material such as glass or a transparent film. The material patterned on the substrate may be formed of a material having high transparency such as ITO, graphene, carbon nanotube (CNT), silver nano wire, or the like. That is, the difference between the reflectance and the transparency (refractive index) of the substrate and the patterned material (pattern material) may be small.
광원(15)은 1차원 형태의 라인빔 또는 방사형 광을 방출하는 것이 바람직하다. 라인빔 형태의 광을 방출하기 위해, 광원(15)은 다수의 LED를 구비할 수 있으며, 다수의 LED를 직선 상에 배열하거나, 일측은 다수의 LED 각각에 커플링되고 타측은 직선 상에 배열되도록 하는 광섬유를 구비할 수 있다. 광원(15)은 폭이 좁은 라인빔을 성형하기 위해 실린더형 광학계, 특히 실린더형 볼록 렌즈를 구비할 수 있다.The
편광기(35)는 입사된 광 중 일정 방향으로 편광된 광만 투과되록 하는 편광 필터를 구비할 수 있다. 편광기(35)는 스테이지(50)에 대해 p-편광되도록 편광 방향을 바꿔주는 파장판을 더 구비할 수 있다.The
제2 대상 렌즈(115)는 광원(15)에서 방출된 방사형 광을 평행형 광으로 변경한다. 이를 위해, 제2 대상 렌즈(115)의 초점이 f2인 경우, 제2 대상 렌즈(115)와 광원(15) 사이의 광 경로 길이는 f인 것이 바람직하다. 평행형 광은 스테이지(50) 상의 타겟(투명 기판 및 투명 패턴)의 일부 영역에 스캔 라인(SL)을 형성할 수 있다. 제2 대상 렌즈(115)는 구형 볼록 렌즈 또는 실린더형 볼록 렌즈일 수 있다.The
제2 수광 렌즈(215)는 입사되는 평행형 다경로 빔들을 특정 위치로 굴절되도록 할 수 있다. 제2 수광 렌즈(215)는 구형 볼록 렌즈 또는 실린더형 볼록 렌즈일 수 있다. 제2 수광 렌즈(215)는 제2 대상 렌즈(115)와 대응하는 광학기인 것이 바람직하다.And the second
검출부는 제1 수광 렌즈의 투과면 방향의 초점 위치에 배치될 수 있다. 검출부는 스테이지(50) 상의 스캔 라인(SL)에서 반사되는 빔의 유무를 검출하는 빔 검출기(225)를 구비할 수 있다. 검출부는 빔 검출기(225)로 입사되는 빔 중 스테이지(50)에 대해 p-편광된 빔만 투과시키는 노이즈 제거용 p-편광 필터(p-polarizer)(235)를 더 구비할 수 있다.And the detection unit may be disposed at a focal position in the direction of the transmission surface of the first light receiving lens. The detection unit may include a
본 실시예에서, 광원(15)에서 방출된 방사형 광은 편광기(35)를 통해 스테이지(50)에 대해 p-편광된 광만 통과한다. p-편광된 광은 제2 대상 렌즈(115)를 투과하며 평행형 광으로 되어, 스테이지(50) 상의 타겟에 스캔 라인(SL)을 형성할 수 있다. 스캔 라인(SL) 중 투명 기판 영역으로 입사되는 광은 반사되지 않으며, 스캔 라인(SL) 중 패턴 물질 영역으로 입사되는 광은 반사되어 제2 수광 렌즈(215)로 진행하게 된다. 제2 수광 렌즈(215)는 스캔 라인(SL)으로부터 입사되는 광을 검출부에 커플링되도록 한다. 빔 검출기(225)는 p-편광 필터(235)를 통과한 광이 있는지 여부를 검출하여, 패턴 이미지를 추출할 수 있다.In this embodiment, the radial light emitted from the
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
1: 조사부 2: 검출부
10: 레이저 광원 15: 광원
20: 스캐너 30, 35: 편광기
50: 스테이지1: irradiation part 2: detection part
10: laser light source 15: light source
20:
50: stage
Claims (16)
상기 기판을 향해 상기 기판에 대해 전기장이 평행(p-편광)한 광이 상기 기판의 굴절률과 상기 기판과 경계하는 매질의 굴절률에 따른 브루스터 각으로 입사되도록 상기 p-편광 광을 조사하는 조사부; 및
상기 기판에 의해 반사되는 광을 검출하는 검출부를 포함하고,
상기 조사부는,
레이저 빔을 출사하는 레이저 광원;
입사되는 상기 레이저 빔을 스캐너 제어 신호에 따라 일정 방사각으로 경로가 연속적으로 변경되도록 반사하는 스캐너;
상기 스캐너에 상기 레이저 빔이 입사되는 경로 및 상기 스캐너에 의해 상기 레이저 빔이 반사되는 경로 중 어느 한 경로에 배치되어, 상기 레이저 빔이 상기 기판에 대해 p-편광되도록 하는 편광기; 및
상기 p-편광된 레이저 빔을 제1 방향으로 굴절시키는 실린더형 오목 거울을 구비하고,
상기 제1 방향과 상기 기판의 법선 사이의 각은 상기 기판의 굴절률과 상기 기판과 경계하는 매질에 따른 브르스터 각이고,
상기 실린더형 오목 거울은 입사되는 상기 p-편광된 레이저 빔의 편광 정도가 균일하도록 반사하는 것을 특징으로 하는, 표면 패턴 측정 장치.A substrate on which a pattern of another material is formed, the substrate being different in reflectivity from the pattern material;
Polarized light such that light having an electric field parallel to the substrate (p-polarized) toward the substrate is incident at a Brewster's angle according to a refractive index of the substrate and a refractive index of a medium bounded by the substrate; And
And a detector for detecting light reflected by the substrate,
The irradiation unit
A laser light source for emitting a laser beam;
A scanner for reflecting the incident laser beam so that the path is continuously changed in accordance with a scanner control signal at a predetermined radiation angle;
A polarizer disposed in any one of a path through which the laser beam is incident to the scanner and a path through which the laser beam is reflected by the scanner, so that the laser beam is p-polarized with respect to the substrate; And
And a cylindrical concave mirror for refracting the p-polarized laser beam in a first direction,
Wherein an angle between the first direction and a normal of the substrate is a Brewster's angle according to a refractive index of the substrate and a medium bounded by the substrate,
Characterized in that the cylindrical concave mirror is so reflected that the degree of polarization of the p-polarized laser beam incident is uniform.
상기 기판을 향해 상기 기판에 대해 전기장이 평행(p-편광)한 광이 상기 기판의 굴절률과 상기 기판과 경계하는 매질의 굴절률에 따른 브루스터 각으로 입사되도록 상기 p-편광 광을 조사하는 조사부; 및
상기 기판에 의해 반사되는 광을 검출하는 검출부를 포함하고,
상기 조사부는,
레이저 빔을 출사하는 레이저 광원;
입사되는 상기 레이저 빔을 스캐너 제어 신호에 따라 일정 방사각으로 경로가 연속적으로 변경되도록 반사하는 스캐너;
상기 스캐너에 상기 레이저 빔이 입사되는 경로 및 상기 스캐너에 의해 상기 레이저 빔이 반사되는 경로 중 어느 한 경로에 배치되어, 상기 레이저 빔이 상기 기판에 대해 p-편광되도록 하는 편광기; 및
상기 p-편광된 레이저 빔을 제1 방향으로 굴절시키는 제2 광학계를 구비하고,
상기 제1 방향과 상기 기판의 법선 사이의 각은 상기 기판의 굴절률과 상기 기판과 경계하는 매질에 따른 브르스터 각이고,
상기 제2 광학계는
상기 스캐너에서 반사된 빔을 제1 예각으로 반사되도록 하는 제1 반사부; 및
상기 제1 반사부에서 반사된 빔을 제2 예각으로 반사되도록 하며, 상기 제2 예각으로 반사된 빔의 방향은 상기 제1 방향이 되도록 하는 제2 반사부를 구비하고,
상기 제1 및 제2 반사부 중 어느 하나는 평면 거울 및 실린더형 오목 거울 중 어느 하나이고, 상기 제1 및 제2 반사부 중 나머지 하나는 상기 평면 거울 및 실린더형 오목 거울 중 나머지 하나이고,
상기 실린더형 오목 거울은 입사되는 상기 p-편광된 레이저 빔의 편광 정도가 균일하도록 반사하는 것을 특징으로 하는, 표면 패턴 측정 장치.A substrate on which a pattern of another material is formed, the substrate being different in reflectivity from the pattern material;
Polarized light such that light having an electric field parallel to the substrate (p-polarized) toward the substrate is incident at a Brewster's angle according to a refractive index of the substrate and a refractive index of a medium bounded by the substrate; And
And a detector for detecting light reflected by the substrate,
The irradiation unit
A laser light source for emitting a laser beam;
A scanner for reflecting the incident laser beam so that the path is continuously changed in accordance with a scanner control signal at a predetermined radiation angle;
A polarizer disposed in any one of a path through which the laser beam is incident to the scanner and a path through which the laser beam is reflected by the scanner, so that the laser beam is p-polarized with respect to the substrate; And
And a second optical system for refracting the p-polarized laser beam in a first direction,
Wherein an angle between the first direction and a normal of the substrate is a Brewster's angle according to a refractive index of the substrate and a medium bounded by the substrate,
The second optical system
A first reflector for reflecting a beam reflected from the scanner at a first acute angle; And
And a second reflector for reflecting the beam reflected by the first reflector at a second acute angle and for reflecting the beam at the second acute angle to the first direction,
Wherein one of the first and second reflecting portions is one of a planar mirror and a cylindrical concave mirror and the other one of the first and second reflecting portions is the other one of the planar mirror and the cylindrical concave mirror,
Characterized in that the cylindrical concave mirror is so reflected that the degree of polarization of the p-polarized laser beam incident is uniform.
상기 검출부는, 상기 검출한 광을 분석하여 상기 기판의 패턴을 추출하거나 상기 패턴의 불량 여부를 판단하는, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the detection unit analyzes the detected light to extract a pattern of the substrate or to judge whether or not the pattern is defective.
상기 조사부는,
1차원 형태의 광을 방출하는 광원; 및
상기 1차원 형태의 광이 상기 기판에 대해 p-편광되도록 하는 편광기를 구비하고,
상기 검출부는,
상기 편광기에 의한 p-편광 광과 경로가 동일한 일반 광이 상기 기판에 반사되어 진행하는 반사 경로에 배치되어 상기 일반 광이 특정 위치에 수렴되도록 하는 대상 렌즈; 및
상기 대상 렌즈를 통과한 p-편광 광을 검출하는 촬영부를 구비하는, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The irradiation unit
A light source that emits one-dimensional light; And
And a polarizer for causing the one-dimensional light to be p-polarized with respect to the substrate,
Wherein:
A target lens disposed in a reflection path where the general light having the same path as that of the p-polarized light generated by the polarizer is reflected by the substrate to converge the general light to a specific position; And
And a photographing unit that detects p-polarized light having passed through the object lens.
상기 광원은 부채꼴 형태의 광을 방출하고,
상기 조사부는, 상기 편광기에 의해 p-편광된 부채꼴 형태의 광을 일정 방향으로 진행하는 p-편광 평행광으로 변환하여 상기 기판에 조사하는 제1 광학계를 더 포함하는, 표면 패턴 측정 장치.5. The method of claim 4,
The light source emits a fan-shaped light,
Wherein the irradiating unit further comprises a first optical system for converting p-polarized sector-shaped light by the polarizer into p-polarized parallel light that proceeds in a predetermined direction and irradiating the p-polarized parallel light to the substrate.
상기 검출부는, 상기 대상 렌즈와 상기 촬영부 사이에 배치되어 상기 촬영부에 상기 기판에 대해 p-편광된 광만 통과시키는 p-편광 필터를 더 구비하는, 표면 패턴 측정 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the detecting section further comprises a p-polarizing filter disposed between the object lens and the photographing section and allowing only the light p-polarized with respect to the substrate to pass through the photographing section.
상기 검출부는, 상기 기판에 입사되는 p-편광 레이저 빔이 상기 기판에 의해 반사되는지 검출하는 빔 검출기를 구비하는, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the detection unit includes a beam detector for detecting whether a p-polarized laser beam incident on the substrate is reflected by the substrate.
상기 실린더형 오목 거울은 초점의 위치에서 방사되는 방사형의 빔을 평행빔으로 변경하고,
상기 실린더형 오목 거울에 반사되는 빔의 상기 기판까지의 경로 길이는 상기 초점의 거리와 동일한, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the cylindrical concave mirror changes a radial beam that is emitted at a focus position into a parallel beam,
Wherein the path length of the beam reflected by the cylindrical concave mirror to the substrate is equal to the distance of the focal point.
상기 기판은 유리 및 투명 필름 중 어느 하나이고,
상기 패턴 물질은 ITO, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 및 은 나노와이이어(Ag nano wire) 중 적어도 하나를 포함하는, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate is one of a glass and a transparent film,
Wherein the pattern material comprises at least one of ITO, graphene, carbon nanotube (CNT), and silver nano wire.
상기 기판의 반사율과 상기 패턴 물질의 반사율의 차이는 1 내지 10 %인 것을 특징으로 하는, 표면 패턴 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the difference between the reflectance of the substrate and the reflectance of the pattern material is 1 to 10%.
Priority Applications (4)
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---|---|---|---|
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