KR101433674B1 - Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same - Google Patents

Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101433674B1
KR101433674B1 KR1020120155668A KR20120155668A KR101433674B1 KR 101433674 B1 KR101433674 B1 KR 101433674B1 KR 1020120155668 A KR1020120155668 A KR 1020120155668A KR 20120155668 A KR20120155668 A KR 20120155668A KR 101433674 B1 KR101433674 B1 KR 101433674B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric layer
antenna
antenna pattern
base
loop
Prior art date
Application number
KR1020120155668A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140085865A (en
Inventor
김종태
손영진
Original Assignee
주식회사 이그잭스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이그잭스 filed Critical 주식회사 이그잭스
Priority to KR1020120155668A priority Critical patent/KR101433674B1/en
Publication of KR20140085865A publication Critical patent/KR20140085865A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101433674B1 publication Critical patent/KR101433674B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773Antenna details
    • G06K19/07777Antenna details the antenna being of the inductive type
    • G06K19/07779Antenna details the antenna being of the inductive type the inductive antenna being a coil
    • G06K19/07783Antenna details the antenna being of the inductive type the inductive antenna being a coil the coil being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2208Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

루프 안테나 구조물은 베이스, 상기 베이스 상에 배치되며 제1 도전 영역을 구비하는 제1 안테나 패턴, 상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 배치되며, 유전 물질로 이루어진 유전층 및 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제1 도전 영역과 평면적으로 중첩되어 용량성 결합하는 제2 도전 영역을 포함하여 루프를 형성하는 제2 안테나 패턴을 포함한다.A loop antenna structure includes a base, a first antenna pattern disposed on the base and having a first conductive region, a dielectric layer disposed on the base to cover the first antenna pattern, the dielectric layer being comprised of a dielectric material and disposed on the dielectric layer And a second conductive region overlapping the first conductive region in a planar manner and capacitively coupled to form a loop.

Description

루프 안테나 구조물 및 이의 제조 방법{STRUCTURE OF A LOOP ANTENNA AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a loop antenna structure and a method of manufacturing the same,

본 발명은 루프 안테나 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 아이씨(Integrated circuit; IC) 칩과 전파를 이용하여 정보를 송수신할 수 있는 근거리 통신(near field communication; NFC) 기술에 적용될 수 있는 루프 안테나 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a loop antenna structure and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a loop antenna structure that can be applied to an integrated circuit (IC) chip and a near field communication (NFC) technology capable of transmitting and receiving information using radio waves and a method of manufacturing the same .

일반적으로 근거리 통신 기술에 적용되는 안테나 구조물은 안테나 구조물은 인식 거리를 증대시키기 위하여 루프 형태를 갖는다. 상기 루프 형태를 갖는 루프 안테나 구조물은 접점 단자와 전기적으로 연결시키기 위하여 일면에 형성된 제1 안테나 패턴, 상기 제1 안테나 패턴 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 상에 루프 형상을 갖는 제2 안테나 패턴 및 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키기 위한 비아 콘택을 포함한다. Generally, the antenna structure applied to the short distance communication technology has a loop shape in order to increase the recognition distance. The loop antenna structure having a loop shape includes a first antenna pattern formed on one surface, an insulating layer formed on the first antenna pattern, a second antenna pattern having a loop shape on the insulating layer, And a via contact for electrically connecting the first and second antenna patterns to each other.

상기 비아 콘택을 형성하기 위하여 제1 및 제2 안테나 패턴들이 평면적으로 중첩되는 영역에 상기 절연층을 관통하는 비아 홀을 형성하고 상기 비아 홀을 도전 물질로 채움으로써 비아 콘택이 형성된다.A via contact is formed by forming a via hole passing through the insulating layer in a region where the first and second antenna patterns overlap each other to form the via contact and filling the via hole with a conductive material.

상기 절연층을 관통하는 상기 비아 홀을 형성하기 위하여 드릴 공정, 레이저 공정이 요구된다. 또한 상기 비아 홀을 도전 물질로 채우기 위하여 전기 도금 공정이 요구된다. 결과적으로, 상기 비아 콘택을 형성하기 위한 복잡한 공정이 요구된다.A drilling process and a laser process are required to form the via hole passing through the insulating layer. Further, an electroplating process is required to fill the via hole with a conductive material. As a result, a complicated process for forming the via contact is required.

본 발명의 일 목적은 비아 콘택을 생략할 수 있는 루프 안테나 구조물을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a loop antenna structure that can eliminate via contacts.

본 발명의 다른 목적은 상대적으로 단순한 공정을 통하여 루프 안테나 구조물을 제조할 수 있는 루프 안테나 구조물의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a loop antenna structure capable of manufacturing a loop antenna structure through a relatively simple process.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 루프 안테나 구조물은 베이스, 상기 베이스 상에 배치되며 제1 도전 영역을 구비하는 제1 안테나 패턴, 상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 배치되며, 유전 물질로 이루어진 유전층 및 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제1 도전 영역과 평면적으로 중첩되어 용량성 결합하는 제2 도전 영역을 포함하여 루프를 형성하는 제2 안테나 패턴을 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 상기 유전층이 개재된 상태에서 상호 전기적으로 연결되어 정전 용량을 갖도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 정전 용량은 100 내지 250 pF을 가질 수 있다.In order to accomplish one object of the present invention, a loop antenna structure according to embodiments of the present invention includes a base, a first antenna pattern disposed on the base and having a first conductive region, And a second conductive region disposed on the base, the dielectric layer being made of a dielectric material and disposed on the dielectric layer, the second conductive region overlapping the first conductive region in a planar manner and capacitively coupling to form a loop, . Here, the first and second antenna patterns may be electrically connected to each other with the dielectric layer interposed therebetween so as to have an electrostatic capacitance. In addition, the capacitance may have 100 to 250 pF.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 구리, 은이 코팅된 구리, 알루미늄 및 전도성 탄소과 같은 도전성 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first and second antenna patterns may include at least one of a conductive material such as copper, silver-coated copper, aluminum, and conductive carbon.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 루프 안테나 구조물의 제조 방법에 있어서, 베이스 상에 배치되며 제1 도전 영역을 구비하는 제1 안테나 패턴을 형성한 후, 상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 유전 물질로 이루어진 유전층을 형성한다. 이후, 상기 유전층 상에, 상기 제1 도전 영역과 평면적으로 중첩되어 용량성 결합하는 제2 도전 영역을 포함하여 루프를 형성하는 제2 안테나 패턴을 형성한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 상기 유전층이 개재된 상태에서 상호 전기적으로 연결되어 정전 용량을 갖도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 정전 용량은 100 내지 250 pF을 가질 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a loop antenna structure, comprising: forming a first antenna pattern on a base and having a first conductive region, 1 dielectric layer on the base to cover the antenna pattern. Thereafter, a second antenna pattern is formed on the dielectric layer to form a loop including a second conductive region overlapping the first conductive region in a planar manner and capacitively coupling. Here, the first and second antenna patterns may be electrically connected to each other with the dielectric layer interposed therebetween so as to have an electrostatic capacitance. In addition, the capacitance may have 100 to 250 pF.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 에칭 공정, 전주 도금 공정, 스퍼터링 공정, 도전성 잉크 프린팅 공정 또는 스탬핑 공정을 통하여 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first and second antenna patterns may be formed through an etching process, a electroplating process, a sputtering process, a conductive ink printing process, or a stamping process.

본 발명에 의하여, 제1 및 제2 안테나 패턴들 사이에 유전층을 개재하여 용량성 결합하여 제1 및 제2 안테나 패턴들이 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 안테나 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키기 위한 비아 콘택이 생략될 수 있다. 또한, 상기 비아 콘택을 형성하기 위한 드릴 공정, 도금 공정이 생략됨으로써 루프 안테나 구조물의 제조 방법이 단순화 될 수 있다.According to the present invention, the first and second antenna patterns may be electrically connected by capacitively coupling the first and second antenna patterns via a dielectric layer. Therefore, the via contact for electrically connecting the first and second antenna patterns to each other can be omitted. In addition, the manufacturing method of the loop antenna structure can be simplified by omitting the drilling process and the plating process for forming the via contact.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 루프 안테나 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 루프 안테나 구조물을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도1의 제1 안테나 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도2의 제2 안테나 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a loop antenna structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating the loop antenna structure of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view for explaining the first antenna pattern of FIG.
4 is a plan view for explaining the second antenna pattern of FIG. 2. FIG.

이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
Embodiments of the present invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not to be construed as being limited to the specific shapes of the areas described by way of illustration, but rather to include deviations in the shapes, the areas described in the drawings being entirely schematic and their shapes Are not intended to illustrate the exact shape of the regions and are not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 루프 안테나 구조물을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1의 루프 안테나 구조물을 설명하기 위한 평면도이다. 도 3은 도1의 제1 안테나 패턴을 설명하기 위한 평면도이다. 도 4는 도2의 제2 안테나 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a loop antenna structure according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view illustrating the loop antenna structure of FIG. 1. FIG. 3 is a plan view for explaining the first antenna pattern of FIG. 4 is a plan view for explaining the second antenna pattern of FIG. 2. FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 루프 안테나 구조물은 베이스, 제1 안테나 패턴, 유전층 및 제2 안테나 패턴을 포함한다.1 to 4, a loop antenna structure according to an exemplary embodiment of the present invention includes a base, a first antenna pattern, a dielectric layer, and a second antenna pattern.

상기 베이스(110)는 내열성 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스(110)는 폴리이미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리카보네이트계 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스(110)는 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 또는 폴리카보네이트로 이루어질 수 있다. The base 110 may include a heat-resistant polymer resin. For example, the base 110 may include a polyimide-based resin, a polyethylene-based resin, or a polycarbonate-based resin. For example, the base 110 may be formed of polyimide, polyethylene terephthalate (PET), or polycarbonate.

상기 제1 안테나 패턴은 상기 베이스 상면에 배치된다. 상기 제1 안테나 패턴은 안테나 접점으로부터 연장되도록 형성된다. 도시된 바와 같이 상기 제1 안테나 패턴은 두 개의 안테나 접점으로부터 연장된 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제1 안테나 패턴은 구리, 은이 코팅된 구리, 알루미늄 및 전도성 탄소이 속하는 전도성 물질 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The first antenna pattern is disposed on the upper surface of the base. The first antenna pattern is formed to extend from the antenna contact. As shown, the first antenna pattern may include patterns extending from two antenna contacts. The first antenna pattern may include at least one of copper, silver-coated copper, aluminum, and a conductive material to which conductive carbon is attached.

상기 제1 안테나 패턴은 제1 도전 영역을 구비한다. 상기 제1 도전 영역은 후속하는 제2 안테나 패턴과 평면적으로 중첩된다.The first antenna pattern has a first conductive region. The first conductive region overlaps the subsequent second antenna pattern in a planar manner.

상기 유전층은 상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 배치된다. 상기 유전층은 유전 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유전층은 폴리폴리이미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리카보네이트계 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 유전층(120)은 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 또는 폴리카보네이트로 이루어질 수 있다.The dielectric layer is disposed on the base to cover the first antenna pattern. The dielectric layer may be made of a dielectric material. The dielectric layer may include a polypolyimide resin, a polyethylene resin or a polycarbonate resin. For example, the dielectric layer 120 may be formed of polyimide, polyethylene terephthalate (PET), or polycarbonate.

상기 유전층은 제1 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 두께는 상기 유전층 및 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들 간의 정전 용량을 획득하기 위하여 조절될 수 있다. 또한, 상기 정전 용량은 상기 유전층을 이루는 유전 물질에 따라 변경된다. 예를 들면, 상기 유전층이 폴리이미드로 이루어 질 경우, 상기 제1 두께는 10 내지 15㎛의 두께를 가질 수 있다.The dielectric layer may have a first thickness. The first thickness may be adjusted to obtain capacitance between the dielectric layer and the first and second antenna patterns. Further, the electrostatic capacitance is changed according to the dielectric material forming the dielectric layer. For example, when the dielectric layer is made of polyimide, the first thickness may have a thickness of 10 to 15 mu m.

상기 제2 안테나 패턴은 상기 유전층의 상면에 배치된다. 상기 제2 안테나 패턴은 루프 형상을 갖는다. 도시된 바와 같이 상기 제2 안테나 패턴은 복수의 루프들이 상호 연결된 나선 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 안테나 패턴은 구리, 은이 코팅된 구리, 알루미늄 및 전도성 탄소이 속하는 전도성 물질 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The second antenna pattern is disposed on the upper surface of the dielectric layer. The second antenna pattern has a loop shape. As shown in the figure, the second antenna pattern may have a spiral shape in which a plurality of loops are interconnected. The second antenna pattern may include at least one of copper, silver coated copper, aluminum, and a conductive material to which conductive carbon is attached.

상기 제2 안테나 패턴은 제2 도전 영역을 구비한다. 상기 제2 도전 영역은 제1 안테나 패턴과 평면적으로 중첩된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전 영역들 사이에 개재된 유전층이 개재되어 상기 제1 및 제2 도전 영역들이 상호 용량성 결합한다. 이 때 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 상기 유전층이 개재된 상태에서 상호 전기적으로 연결되어 정전 용량을 갖는다. 상기 정전 용량은 100 내지 250 pF을 가질 수 있다. 상기 정전 용량은 유전층의 두께, 유전층의 유전상수 및 상기 제1 및 제2 도전 영역의 중첩 면적에 따라 조절될 수 있다.The second antenna pattern has a second conductive region. The second conductive region overlaps the first antenna pattern in a planar manner. Accordingly, a dielectric layer interposed between the first and second conductive regions is interposed, so that the first and second conductive regions are capacitively coupled to each other. In this case, the first and second antenna patterns are electrically connected to each other in a state where the dielectric layer is interposed therebetween and have a capacitance. The capacitance may have a capacitance between 100 and 250 pF. The electrostatic capacity can be adjusted according to the thickness of the dielectric layer, the dielectric constant of the dielectric layer, and the overlapping area of the first and second conductive regions.

따라서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키기 위한 비아 콘택이 생략될 수 있다. 나아가, 상기 정전 용량은 유전층의 두께, 유전층의 유전상수 및 상기 제1 및 제2 도전 영역의 중첩 면적에 따라 조절될 수 있음으로써 상기 루프 안테나 구조물의 송수신 능력이 용이하게 변경될 수 있다.
Therefore, a via contact for electrically connecting the first and second antenna patterns to each other may be omitted. Furthermore, the electrostatic capacity can be adjusted according to the thickness of the dielectric layer, the dielectric constant of the dielectric layer, and the overlapping area of the first and second conductive regions, so that the transmission / reception capability of the loop antenna structure can be easily changed.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 루프 안테나 구조물을 제조하기 위한 공정을 설명하기로 한다.Hereinafter, a process for fabricating a loop antenna structure according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저 베이스(110)를 준비한다. 상기 베이스(110)는 내열성 고분자 수지로 형성될 수 있다. 상기 베이스(110)는 폴리이미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리카보네이트계 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스(110)는 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 또는 폴리카보네이트로 이루어질 수 있다. First, the base 110 is prepared. The base 110 may be formed of a heat-resistant polymer resin. The base 110 may include a polyimide-based resin, a polyethylene-based resin, or a polycarbonate-based resin. For example, the base 110 may be formed of polyimide, polyethylene terephthalate (PET), or polycarbonate.

이어서, 상기 베이스(110)의 상부에 상기 제1 도전 물질로 이루어진 제1 안테나 패턴(120)을 형성한다. 상기 제1 안테나 패턴은 제1 도전 영역을 포함한다. Next, a first antenna pattern 120 made of the first conductive material is formed on the base 110. The first antenna pattern includes a first conductive region.

상기 제1 안테나 패턴(120)은 은(Ag), 구리(Cu), 은 코팅된 구리, 알루미늄 또는 도전성 탄소로 형성될 수 있다. 상기 제1 안테나 패턴(120)이 구리로 이루어질 경우, 구리가 상대적으로 그 표면에 산화막이 형성되는 경향으로 인하여 추가적으로 산화막을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 상기 산화막을 제거하는 공정에는 황산, 질산, 염산과 같은 강산을 순수에 희석한 희석된 강산 용액을 이용될 수 있다. The first antenna pattern 120 may be formed of silver (Ag), copper (Cu), silver coated copper, aluminum, or conductive carbon. When the first antenna pattern 120 is made of copper, a process of removing the oxide film may be performed due to the tendency of the copper to relatively form an oxide film on the surface thereof. In the step of removing the oxide film, a dilute strong acid solution in which a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid or hydrochloric acid is diluted with pure water may be used.

한편, 상기 제1 안테나 패턴(120)을 형성하기 위한 공정은 에칭 공정, 전주 도금 공정, 스퍼터링 공정, 도전성 잉크 프린팅 공정 또는 스탬핑 공정을 포함할 수 있다.Meanwhile, the process for forming the first antenna pattern 120 may include an etching process, a electroplating process, a sputtering process, a conductive ink printing process, or a stamping process.

특히, 도전성 잉크 프린팅 공정의 예로는, 스크린 인쇄, 프렉소 인쇄, 로터리 인쇄, 그라비어 인쇄, 옵셋 인쇄 등을 들 수 있다. 상기 도전성 잉크 프린팅 공정에 이용되는 도전성 페이스트는 유기물을 포함하므로 상기 유기물을 제거하기 위한 열처리 공정이 후속하여 수행될 수 있다. In particular, examples of the conductive ink printing process include screen printing, flexo printing, rotary printing, gravure printing, and offset printing. Since the conductive paste used in the conductive ink printing process includes an organic substance, a heat treatment process for removing the organic substance may be performed subsequently.

이어서, 상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 유전 물질로 이루어진 유전층을 형성한다. 상기 유전층은 유전 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유전층은 폴리폴리이미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리카보네이트계 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 유전층(120)은 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 또는 폴리카보네이트로 이루어질 수 있다. 상기 유전층은 라이네이팅 필름을 이용하는 라미네이팅 공정을 통하여 형성될 수 있다.Next, a dielectric layer made of a dielectric material is formed on the base so as to cover the first antenna pattern. The dielectric layer may be made of a dielectric material. The dielectric layer may include a polypolyimide resin, a polyethylene resin or a polycarbonate resin. For example, the dielectric layer 120 may be formed of polyimide, polyethylene terephthalate (PET), or polycarbonate. The dielectric layer may be formed through a laminating process using a lyning film.

이후, 상기 유전층(130)의 상부에 도전 물질로 이루어진 제2 안테나 패턴(140)을 형성한다. 상기 제2 안테나 패턴은 제2 도전 영역을 포함한다. 상기 제1 및 제2 도전 영역들은 평면적으로 상호 중첩되도록 위치한다.Then, a second antenna pattern 140 made of a conductive material is formed on the dielectric layer 130. The second antenna pattern includes a second conductive region. The first and second conductive regions are positioned to overlap each other in a plan view.

상기 제2 안테나 패턴(120)은 은(Ag), 구리(Cu), 은 코팅된 구리, 알루미늄 또는 도전성 탄소로 형성될 수 있다. 상기 제2 안테나 패턴(120)이 구리로 이루어질 경우, 구리가 상대적으로 그 표면에 산화막이 형성되는 경향으로 인하여 추가적으로 산화막을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 상기 산화막을 제거하는 공정에는 황산, 질산, 염산과 같은 강산을 순수에 희석한 희석된 강산 용액을 이용될 수 있다. The second antenna pattern 120 may be formed of silver (Ag), copper (Cu), silver coated copper, aluminum, or conductive carbon. If the second antenna pattern 120 is made of copper, a process of removing the oxide film may be performed due to the tendency that an oxide film is formed relatively on the surface of the copper. In the step of removing the oxide film, a dilute strong acid solution in which a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid or hydrochloric acid is diluted with pure water may be used.

한편, 상기 제2 안테나 패턴(120)을 형성하기 위한 공정은 에칭 공정, 전주 도금 공정, 스퍼터링 공정, 도전성 잉크 프린팅 공정 또는 스탬핑 공정을 포함할 수 있다.Meanwhile, the process for forming the second antenna pattern 120 may include an etching process, an electroplating process, a sputtering process, a conductive ink printing process, or a stamping process.

특히, 도전성 잉크 프린팅 공정의 예로는, 스크린 인쇄, 프렉소 인쇄, 로터리 인쇄, 그라비어 인쇄, 옵셋 인쇄 등을 들 수 있다. 상기 도전성 잉크 프린팅 공정에 이용되는 도전성 페이스트는 유기물을 포함하므로 상기 유기물을 제거하기 위한 열처리 공정이 후속하여 수행될 수 있다.
In particular, examples of the conductive ink printing process include screen printing, flexo printing, rotary printing, gravure printing, and offset printing. Since the conductive paste used in the conductive ink printing process includes an organic substance, a heat treatment process for removing the organic substance may be performed subsequently.

평가-인식거리 측정-Evaluation - Recognition distance measurement -

폴리이미드계 베이스 및 유전층 상에 제1 및 제2 안테나 패턴들을 도전성 잉크 프린팅 공정을 통하여 각각 형성하였다. 상기 유전층은 폴리이미드계 물질을 이용하였다. 상기 루프 안테나 구조물의 정전 용량(Cant)은 각각 180pF, 270pF 및 390pF으로 설정되었으며, 상기 정전 용량(Cant)에 따라 정합 회로의 커패시턴스를 조절하였으며, 아이씨 칩을 전기적으로 연결함으로써 근거리 회로 장치를 제조하였다. The first and second antenna patterns were formed on the polyimide base and the dielectric layer through the conductive ink printing process, respectively. The dielectric layer was made of a polyimide-based material. Capacitance (C ant) of the loop antenna structure was respectively set to 180pF, 270pF, and 390pF, was controlling the capacitance of the matching circuit in accordance with the capacitance (C ant), by electrically connecting the Damn, chip a local area circuit device .

루프 안테나 구조물을 포함하는 근거리통신 장치에 대하여 리더 모드 및 태그 모드에서 루프 안테나 구조물의 인식 거리를 측정하였다. 한편, 비교예로서 동일한 조건에서 동도금한 비아 콘택을 형성한 루프 안테나 구조물을 포함하는 근거리통신 장치(비교예)의 루프 안테나 구조물의 인식 거리를 측정하였다. 본 발명에 따른 루프 안테나 구조물을 포함하는 근거리통신 장치의 경우, 근거리통신 장치(비교예)의 루프 안테나 구조물의 인식 거리와도 실질적으로 동일하거나 개선된 특성을 가짐을 확인할 수 있다. 측정 결과는 아래 표1과 같다.We measured the recognition distance of a loop antenna structure in a reader mode and a tag mode for a short range communication device including a loop antenna structure. On the other hand, as a comparative example, the recognition distance of the loop antenna structure of the short-range communication device (comparative example) including the loop antenna structure formed with the copper contact copper-plated under the same conditions was measured. It can be confirmed that the local communication apparatus including the loop antenna structure according to the present invention has substantially the same or improved characteristics as the recognition distance of the loop antenna structure of the local communication apparatus (comparative example). The measurement results are shown in Table 1 below.

모드mode 카드규격/리더규격Card Standard / Reader Standard 요구 인식 거리(mm)Request recognition distance (mm) 인식거리(mm)Recognition distance (mm) 전문specialty 국내domestic 비교예Comparative Example 390pF390 pF 270pF270 pF 180pF180 pF 리더leader TOPAZTOPAZ 2020 52.552.5 64.064.0 65.865.8 61.061.0 Standard 1KStandard 1K 3030 2525 56.556.5 49.849.8 62.062.0 60.060.0 Standard 4KStandard 4K 51.751.7 65.865.8 56.056.0 58.058.0 Ultra LightUltra Light 2525 51.351.3 51.551.5 54.454.4 50.050.0 ISO 15693ISO 15693 4040 80.380.3 98.098.0 85.685.6 87.087.0 Type4 DesfireType4 Desfire 1515 1313 28.828.8 34.534.5 34.034.0 31.831.8 태그tag ACR 122ACR 122 2525 53.153.1 54.554.5 46.546.5 50.050.0 Type BType B 51.851.8 51.051.0 50.750.7 50.050.0

본 발명의 실시예들에 따른 루프 안테나 구조물 및 이의 제조 방법은 근거리 통신 장치에 적용될 수 있다. 예를 들면, 모바일 기기, 컴퓨터 기기의 안테나 장치에 적용될 수 있다.The loop antenna structure according to embodiments of the present invention and its manufacturing method can be applied to a short range communication device. For example, it can be applied to an antenna device of a mobile device or a computer device.

Claims (8)

베이스;
상기 베이스 상에 배치되며 두 개의 안테나 접점들로부터 각각 연장된 제1 도전 영역들을 구비하는 제1 안테나 패턴;
상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 배치되며, 유전 물질로 이루어진 유전층; 및
상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제1 도전 영역들 각각과 평면적으로 중첩되어 용량성 결합하는 제2 도전 영역들을 포함하여 루프를 형성하는 제2 안테나 패턴을 포함하고,
상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 상기 유전층이 개재된 상태에서 상호 전기적으로 연결되어 정전 용량을 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물
Base;
A first antenna pattern disposed on the base and having first conductive regions each extending from two antenna contacts;
A dielectric layer disposed on the base to cover the first antenna pattern, the dielectric layer being made of a dielectric material; And
And a second antenna pattern disposed on the dielectric layer and including second conductive regions overlapping and capacitively coupled to each of the first conductive regions in a planar manner to form a loop,
Wherein the first and second antenna patterns are electrically connected to each other with the dielectric layer interposed therebetween so as to have a capacitance.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 정전 용량은 100 내지 250 pF을 갖는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물.The loop antenna structure of claim 1, wherein the capacitance has a capacitance between 100 and 250 pF. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 구리, 은이 코팅된 구리, 알루미늄 및 전도성 탄소가 이루는 도전성 물질이 이루는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물.The loop antenna structure according to claim 1, wherein the first and second antenna patterns include at least one selected from the group consisting of copper, silver-coated copper, aluminum, and conductive carbon. 베이스 상에 배치되며 두 개의 안테나 접점들로부터 각각 연장된 제1 도전 영역들을 구비하는 제1 안테나 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 안테나 패턴을 덮도록 상기 베이스 상에 유전 물질로 이루어진 유전층을 형성하는 단계; 및
상기 유전층 상에, 상기 제1 도전 영역들 각각과 평면적으로 중첩되어 용량성 결합하는 제2 도전 영역들을 포함하여 루프를 형성하는 제2 안테나 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 상기 유전층이 개재된 상태에서 상호 전기적으로 연결되어 정전 용량을 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물의 제조 방법.
Forming a first antenna pattern disposed on the base and having first conductive regions each extending from the two antenna contacts;
Forming a dielectric layer of a dielectric material on the base to cover the first antenna pattern; And
Forming a second antenna pattern on the dielectric layer to form a loop including second conductive regions overlapping and capacitively coupled to each of the first conductive regions in a planar manner,
Wherein the first and second antenna patterns are electrically connected to each other with the dielectric layer interposed therebetween so as to have a capacitance.
삭제delete 제5항에 있어서, 상기 정전 용량은 100 내지 250 pF을 갖는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the capacitance is between 100 and 250 pF. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 안테나 패턴들은 에칭 공정, 전주 도금 공정, 스퍼터링 공정, 도전성 잉크 프린팅 공정 또는 스탬핑 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 루프 안테나 구조물의 제조 방법.[6] The method of claim 5, wherein the first and second antenna patterns are formed through an etching process, an electroplating process, a sputtering process, a conductive ink printing process, or a stamping process.
KR1020120155668A 2012-12-28 2012-12-28 Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same KR101433674B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120155668A KR101433674B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120155668A KR101433674B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140085865A KR20140085865A (en) 2014-07-08
KR101433674B1 true KR101433674B1 (en) 2014-08-25

Family

ID=51735241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120155668A KR101433674B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101433674B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070102369A (en) * 2006-04-13 2007-10-18 한국전자통신연구원 Windmill-shaped loop antenna with parasitic loop antenna
KR100954379B1 (en) 2006-10-26 2010-04-26 한국전자통신연구원 Loop Antenna
JP2011193245A (en) 2010-03-15 2011-09-29 Murata Mfg Co Ltd Antenna device, radio communication device and radio communication terminal
JP2011217203A (en) 2010-03-31 2011-10-27 Tokyo Keiki Inc Planar loop antenna

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070102369A (en) * 2006-04-13 2007-10-18 한국전자통신연구원 Windmill-shaped loop antenna with parasitic loop antenna
KR100954379B1 (en) 2006-10-26 2010-04-26 한국전자통신연구원 Loop Antenna
JP2011193245A (en) 2010-03-15 2011-09-29 Murata Mfg Co Ltd Antenna device, radio communication device and radio communication terminal
JP2011217203A (en) 2010-03-31 2011-10-27 Tokyo Keiki Inc Planar loop antenna

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140085865A (en) 2014-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8400307B2 (en) Radio frequency IC device and electronic apparatus
EP2928015B1 (en) Radio frequency ic device and electronic apparatus
US8797148B2 (en) Radio frequency IC device and radio communication system
US8941015B2 (en) Embedded capacitor substrate module
EP3145027B1 (en) Antenna device
US8035991B2 (en) Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board
US10467516B2 (en) Component built-in device
US8981906B2 (en) Printed wiring board and wireless communication system
US20150318597A1 (en) Multi-layer substrate and method of manufacturing multi-layer substrate
WO2001095679A1 (en) Module for radio communication
US9013893B2 (en) Embedded capacitor module
KR100887140B1 (en) Capacitor embeded multi-layer ceramic substrate
KR101433674B1 (en) Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same
JP5822010B2 (en) Wireless communication terminal
US11937371B2 (en) Radio frequency system and communication device
US8725095B2 (en) Planar inverted-F antennas, and modules and systems in which they are incorporated
JP6807946B2 (en) Antenna, module board and module
KR101436721B1 (en) Structure of a loop antenna and method of manufacturing the same
JP5376041B2 (en) Composite printed wiring board and wireless communication system
CN210468109U (en) Chip antenna structure of poor mode short circuit type
KR102577769B1 (en) Printed circuit board and antenna module
JPWO2017110571A1 (en) Component built-in device, RFID tag, and method of manufacturing component built-in device
KR20130103000A (en) Radio frequency identification tag
JP2017116997A (en) Component built-in device, rfid tag, and method for manufacturing component built-in device
KR20130102999A (en) Radio frequency identification tag

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170807

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190405

Year of fee payment: 5

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190806

Year of fee payment: 6