KR101426849B1 - Light Emitting Diode with metal nanowire transparent electrode and method of manufacturing the same - Google Patents

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권민기
김자연
최판주
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조선대학교산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a nitride-based light emitting diode with a metal nanowire transparent electrode and a method of manufacturing the same. The present invention includes a substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer formed on the n-type nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer formed on the active layer, an n-type electrode formed on one side of the n-type nitride semiconductor layer, a p-type electrode formed on one side of the p-type nitride semiconductor layer, and a transparent electrode layer which is formed with a metal nanowire in the exposed part of the p-type nitride semiconductor layer. According to such the nitride-based light emitting diode, a transparent electrode layer is formed on the p-type nitride semiconductor layer by using a metal nanowire, thereby preventing the deterioration of optical transmission characteristic in an ultraviolet ray band and facilitating manufacture.

Description

금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법{Light Emitting Diode with metal nanowire transparent electrode and method of manufacturing the same}Technical Field [0001] The present invention relates to a nitride-based light emitting diode using a metal nanowire transparent electrode layer and a method of manufacturing the same.

본 발명은 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nitride-based light emitting diode and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a nitride-based light emitting diode using a metal nanowire transparent electrode layer and a method of manufacturing the same.

질화물계 발광다이오드에서 p형 질화물 박막이 가지는 낮은 정공농도와 높은 저항 때문에 발광다이오드 내로의 전류의 효과적인 주입을 위해 p형 질화물 박막 위에 얇은 투명전극층을 증착시키고 난 후에, 투명전극층 위에 금속으로 이루어진 p형 전극을 형성한다.In order to effectively inject current into the light emitting diode due to the low hole concentration and high resistance of the p-type nitride thin film in the nitride-based light emitting diode, a thin transparent electrode layer is deposited on the p-type nitride thin film, Thereby forming an electrode.

이러한 질화물계 발광다이오드는 국내 공개특허 제10-2002-0029464호 등 다양하게 개시되어 있다.Such nitride-based light emitting diodes are variously disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2002-0029464.

이 때, 투명전극층은 빛에 대한 투과도가 우수하지 못하면, 발광다이오드의 활성층에서 발광되어 나오는 빛의 많은 부분이 여기에서 흡수되어 버리기 때문에 전체적인 발광다이오드의 발광효율을 떨어지는 문제가 발생한다.If the transmittance of the transparent electrode layer is not excellent, a large amount of light emitted from the active layer of the light emitting diode is absorbed therein, resulting in a problem that the overall light emitting efficiency of the light emitting diode is lowered.

이러한 투명전극층으로서 이용되는 투명전도성 산화물인 인듐-주석 산화물(ITO)는 낮은 시트 저항과 높은 투명도를 갖고 있다. 그런데, 최근 인듐의 고갈로 인한 ITO 원재료 가격이 급등하면서 ITO 투명전극을 대체할 수 있는 새로운 투명 전극이 요구되고 있는 실정이다. 또한, ITO 전극의 균열을 동반하여 쉽게 부서지는 특성은 차세대 발전 방향인 유연성 응용에 한계를 보이고 있다.Indium tin oxide (ITO), which is a transparent conductive oxide used as the transparent electrode layer, has low sheet resistance and high transparency. However, recently, as the price of raw materials for ITO has skyrocketed due to depletion of indium, a new transparent electrode capable of replacing ITO transparent electrode is required. In addition, the easily breaking property accompanying cracking of the ITO electrode has a limitation in the application of flexibility, which is the next generation development direction.

또한, 인듐-주석 산화물, 산화아연계 산화물의 경우 발광다이오드를 제작하는 과정에서 박막을 증착하기 위해 스퍼터링 및 전자빔 증착기(e-beam evaporator) 등의 고가의 진공장비가 필수적으로 이용된다. 이러한 제작공정은 발광다이오드의 제작비용을 상승시키며, ITO의 경우 자외선 영역에서 투과도가 급격히 떨어지는 문제가 있다.In addition, in the case of indium-tin oxide or zinc oxide-based oxide, expensive vacuum equipment such as sputtering and e-beam evaporator is essentially used to deposit a thin film in the process of fabricating a light emitting diode. Such a manufacturing process raises the production cost of the light emitting diode, and in the case of ITO, there is a problem that the transmittance in the ultraviolet region is drastically reduced.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 가시광선 및 자외선 영역에서의 광투과 특성저하가 없으면서 제조비용 감소와 제작성을 향상시킬 수 있는 금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to overcome the above problems, and it is an object of the present invention to provide a nitride-based light emitting diode using a metal nanowire transparent electrode layer capable of improving manufacturing cost reduction and manufacturing cost without deterioration of light transmission characteristics in the visible light and ultraviolet And a manufacturing method thereof.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드는 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과; 상기 n형 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층과; 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체층과; 상기 n형 질화물 반도체층의 일측에 형성된 n형 전극과; 상기 p형 질화물 반도체층 위의 일측에 형성된 p형 전극과; 상기 p형 질화물 반도체 상의 노출된 부분에 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a nitride-based light emitting diode using a metal nanowire transparent electrode layer, comprising: a substrate; An n-type nitride semiconductor layer formed on the substrate; An active layer formed on the n-type nitride semiconductor layer; A p-type nitride semiconductor layer formed on the active layer; An n-type electrode formed on one side of the n-type nitride semiconductor layer; A p-type electrode formed on one side of the p-type nitride semiconductor layer; And a transparent electrode layer formed of metal nanowires on the exposed portion of the p-type nitride semiconductor.

바람직하게는 상기 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층은 은, 알루미늄, 구리, 금 중 적어도 하나의 소재를 포함하여 형성된다.Preferably, the transparent electrode layer formed of the metal nanowire includes at least one of silver, aluminum, copper, and gold.

또한, 상기 투명전극층의 표면에 표면누설전류를 억제하기 위해 ZnO, SiO2, SixNy, Si 중 어느 하나를 포함하는 무기물 또는 포토레지스터로 형성된 외벽층;을 더 포함할 수 있다.The transparent electrode layer may further include an outer wall layer formed of an inorganic material or a photoresistor including any one of ZnO, SiO 2 , SixNy, and Si to suppress surface leakage current on the surface of the transparent electrode layer.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 질화물계 발광소자의 제조방법은 가. 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와; 나. 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와; 다. 노출된 상기 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계와; 라. 상기 p형 질화물 반도체층 상의 일측에 p형 전극을 형성하는 단계와; 마. 상기 p형 질화물 반도체층 상의 노출된 영역에 금속 나노와이어로 투명전극층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a nitride-based light emitting device, Sequentially forming an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer on a substrate; I. Sequentially etching the p-type nitride semiconductor layer and the active layer to expose the n-type nitride semiconductor layer; All. Forming an n-type electrode on the exposed n-type nitride semiconductor layer; la. Forming a p-type electrode on one side of the p-type nitride semiconductor layer; hemp. And forming a transparent electrode layer with metal nanowires on the exposed region of the p-type nitride semiconductor layer.

본 발명에 따른 금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 의하면, p형 질화물 반도체층 위에 금속 나노와이어로 투명전극층을 형성함으로써, 자외선 대역에서의 광투과 특성 저하가 거의 없고, 제작이 용이한 장점을 제공한다.According to the nitride-based light emitting diode using the metal nanowire transparent electrode layer and the method of manufacturing the same according to the present invention, the transparent electrode layer is formed of the metal nanowire on the p-type nitride semiconductor layer, And provides an advantage of being easy to manufacture.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 나타내 보인 단면도이고,
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 나타내 보인 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 잘화물계 발광다이오드의 투명전극층으로서 형성된 나노와이어를 촬상한 사진이며,
도 4는 도 3의 은 나노와이어로 형성된 투명전극층의 광투과 특성을 나타내 보인 그래프이고,
도 5는 본 발명에 따라 제작된 청색 발광다이오드에 대해 기존 ITO투명전극을 적용한 경우와 광출력특성을 비교하여 나타내 보인 그래프이다.1 is a cross-sectional view illustrating a nitride-based LED according to an embodiment of the present invention,
2 is a cross-sectional view illustrating a nitride-based LED according to another embodiment of the present invention,
3 is a photograph of a nanowire formed as a transparent electrode layer of a light emitting diode of a light emitting device according to the present invention,
FIG. 4 is a graph showing light transmission characteristics of a transparent electrode layer formed of the silver nanowires of FIG. 3,
FIG. 5 is a graph showing a comparison of the light output characteristics and the conventional ITO transparent electrode applied to the blue light emitting diode fabricated according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, a nitride-based LED according to a preferred embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a nitride-based LED according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 질화물계 발광다이오드는 기판(10), 버퍼층(15), 핵성장 질화갈륨층(20), n형 질화물 반도체층(25), n형 클래드층(30), 하부 장벽층(35), 발광 활성층(40), 상부 장벽층(45), p형 클래드층(50), p형 질화물 반도체층(55), n형 전극(65), p형 전극(60), 투명전극층(70)을 갖는다.1, the nitride-based light emitting diode includes a substrate 10, a buffer layer 15, a nucleated growth gallium nitride layer 20, an n-type nitride semiconductor layer 25, an n-type cladding layer 30, The p-type cladding layer 35, the luminescent active layer 40, the upper barrier layer 45, the p-type cladding layer 50, the p-type nitride semiconductor layer 55, the n-type electrode 65, (70).

기판(10)은 질화갈륨, SiC, GaAs, Si, SnO 또는 사파이어(Al2SO3) 소재로 형성될 수 있다.The substrate 10 may be formed of gallium nitride, SiC, GaAs, Si, SnO or sapphire (Al 2 SO 3 ).

버퍼층(15)은 기판(10) 위에 형성되어 있고, GaN 또는 Ga을 함유한 질화물 예를 들어, SiC/InGaN으로 형성되며, 제조하고자 하는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략할 수 있다.The buffer layer 15 is formed on the substrate 10 and is formed of a nitride containing GaN or Ga, for example, SiC / InGaN, and may be omitted depending on the characteristics of the device to be manufactured and the process conditions.

핵성장 질화갈륨층(20)은 도핑되지 않은 질화갈륨(GaN)으로 형성되며 에피텍셜 성장에 도움을 주기위해 적용된 것이다.Nucleating Growth The gallium nitride layer 20 is formed of undoped gallium nitride (GaN) and is applied to assist in epitaxial growth.

n형 및 p형 질화물 반도체층(25)(55)과 활성층은 InXAlYGa1-X-YN 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.n-type and p-type nitride semiconductor layer 25, 55 and the active layer may be formed of a semiconductor material having the In X Al Y Ga 1-XY N composition formula.

여기서, x, y의 조성비는 0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1의 값을 갖는다.Here, the composition ratios of x and y have values of 0? X? 1, 0? Y? 1, and x + y?

n형 질화물 반도체층(25)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. The n-type nitride semiconductor layer 25 may be a GaN layer doped with an n-type conductivity type impurity or a GaN / AlGaN layer. For example, Si, Ge, or Sn may be used as the n-type conductivity impurity, Preferably, Si is mainly used.

또한, p형 질화물 반도체층(55)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. The p-type nitride semiconductor layer 55 may be made of a GaN layer doped with a p-type conductivity type impurity or a GaN / AlGaN layer. For example, Mg, Zn, Be or the like may be used as the p- And Mg is preferably mainly used.

활성층은 Inx(AlyGa1-x-y)N의 하부 장벽층(35) 및 상부 장벽층(45)과 Inx(AlyGa1-x-y)N로 조성된 발광활성층(40)으로 이루어진 단일 양자 우물 구조 또는 다중양자 우물구조가 될 수 있으며 In, Ga, Al의 성분을 조절함으로써 1.8eV의 밴드갭을 갖는 장 파장에서 부터 6.2eV 밴드 갭을 갖는 단 파장의 발광 다이오드를 다양하게 제작 할수 있다.The active layer is composed of a single quantum well structure or a multiple quantum well structure composed of a lower barrier layer 35 of Inx (AlGa1-xy) N and an upper barrier layer 45 and a luminescent active layer 40 of Inx (AlyGa1-xy) And by adjusting the composition of In, Ga, and Al, it is possible to fabricate a variety of short-wavelength light emitting diodes having a band gap of 1.8eV and a band gap of 6.2eV from a long wavelength.

예를 들어, 적색 LED의 경우 AlGaInP 물질을 사용하고, 청색 LED의 경우 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계반도체, 특히 갈륨나이트라이드(GaN)를 사용한다. 또한, 청색 발광다이오드로 사용되는 질화물계 반도체로는 (AlxIn1-x)yGa1-yN 조성식을 갖는 GaN계 물질이 널리 사용되고 있다. For example, AlGaInP materials are used for red LEDs, and silicon carbide (SiC) and Group III nitride-based semiconductors, especially gallium nitride (GaN), are used for blue LEDs. In addition, a GaN-based material having a composition formula of (AlxIn1-x) yGa1-yN is widely used as a nitride semiconductor used as a blue light emitting diode.

n형 클래드층(30)은 n형 InxAlyGa1-x-yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)으로 이루어질 수 있으며, p형 클래드층(50)은 p형 InxAlyGa1-x-yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)으로 형성될 수 있다. The n-type cladding layer 30 may be made of n-type InxAlyGa1-x-yN (0? x, 0? y, x + y? 1) (0? X, 0? Y, x + y? 1).

여기서, 버퍼층(15), 핵성장 질화갈륨층(20), n형 클래드층(30), p형 클래드층(50)은 생략될 수 있다.Here, the buffer layer 15, the nucleated growth gallium nitride layer 20, the n-type cladding layer 30, and the p-type cladding layer 50 may be omitted.

투명전극층(70)은 p형 질화물 반도체층(55) 위에 금속 나노와이어로 형성되어 있다.The transparent electrode layer 70 is formed of a metal nanowire on the p-type nitride semiconductor layer 55.

금속 나노와이어는 은, 알루미늄, 구리, 금 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The metal nanowire may be formed of any one of silver, aluminum, copper, and gold, or an alloy thereof.

금속 나노와이어는 봉형상으로 형성된 구조로 형성될 수 있으며, 표면이 요철형태로 형성된 것이 적용될 수 있다.The metal nanowires may be formed in a bar-shaped structure, and the surface of the metal nanowires may be formed in a concavo-convex shape.

금속 나노와이어는 직경이 10 내지 1000nm이며 길이는 0.2 내지 5㎛가 되는 것을 적용한다.The metal nanowires have a diameter of 10 to 1000 nm and a length of 0.2 to 5 탆.

금속 나노와이어는 에틸렌글루콜(AgNO3)과 같은 수용액에 하이드로써멀(Hydrothemal) 방식이나 졸-겔(Sol-Gel) 프로세스를 이용하여 성장시켜 제작된다.Metal nanowires are grown by hydrothemal or sol-gel processes in an aqueous solution such as ethylene glycol (AgNO3).

이러한 금속 나노와이어는 p형 질화물 반도체층(70)위에 스핀코팅, 딥(Dip)코팅, 스프레이(Spray) 코팅 등의 방법으로 증착하면 된다.The metal nanowires may be deposited on the p-type nitride semiconductor layer 70 by a method such as spin coating, dip coating, or spray coating.

투명전극층(70)의 두께는 전도도와 투과도를 고려하여 적절하게 적용하면 된다.The thickness of the transparent electrode layer 70 may be suitably applied in consideration of the conductivity and the transmittance.

n형 전극(65)은 n형 질화물 반도체층(25)의 일측에 형성되어 있고, p형 전극(60)은 p형 질화물 반도체층(55) 상의 일측 또는 투명전극층(70) 위에 형성된다.The n-type electrode 65 is formed on one side of the n-type nitride semiconductor layer 25 and the p-type electrode 60 is formed on one side of the p-type nitride semiconductor layer 55 or on the transparent electrode layer 70.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이 투명전극층(70)의 표면에 표면누설전류를 억제하기 위해 ZnO, SixOy, SixNy, Si, AlOx, AlOxNy, SiOxNy, MgxOy 중 어느 하나를 포함하는 무기물 또는 포토레지스터, PMMA(Poly methyl methacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane) 중 어느 하나를 포함하는 유기물로 외벽층(80)이 형성될 수 있다. 여기서 x, y는 조성이 가능한 조성비를 이루는 숫자를 나타낸다.2, an inorganic material or photoresist including any one of ZnO, SixOy, SixNy, Si, AlOx, AlOxNy, SiOxNy, and MgxOy to suppress surface leakage current on the surface of the transparent electrode layer 70, The outer wall layer 80 may be formed of an organic material including any one of PMMA (poly methyl methacrylate) and PDMS (polydimethylsiloxane). Here, x and y represent the numbers constituting the composition ratios.

여기서 외벽층(80)은 투명전극층(70)의 표면으로부터 n형 클래드층(30)의 측면까지 형성되어 있다.The outer wall layer 80 is formed from the surface of the transparent electrode layer 70 to the side surface of the n-type cladding layer 30.

이러한 발광다이오드는 기판(10) 상에 버퍼층(15)으로부터 n형 질화물 반도체층(25), 활성층 및 p형 질화물 반도체층(55)까지 순차적으로 형성한 후, n형 질화물 반도체층(25)이 노출되도록 p형 질화물 반도체층으로부터 활성층까지 식각한다. 이후 노출된 n형 질화물 반도체층(25) 상에 n형 전극(65)을 형성하고, p형 질화물 반도체층(55) 상의 일측에 p형 전극(60)을 형성한 후, p형 질화물 반도체층(55) 상의 노출된 영역에 금속 나노와이어로 투명전극층(70)을 형성하면 된다.These light emitting diodes are sequentially formed on the substrate 10 from the buffer layer 15 to the n-type nitride semiconductor layer 25, the active layer and the p-type nitride semiconductor layer 55, and then the n-type nitride semiconductor layer 25 And is etched from the p-type nitride semiconductor layer to the active layer so as to be exposed. Thereafter, an n-type electrode 65 is formed on the exposed n-type nitride semiconductor layer 25, a p-type electrode 60 is formed on one side of the p-type nitride semiconductor layer 55, The transparent electrode layer 70 may be formed of metal nanowires in the exposed region on the transparent electrode layer 55.

도 3은 하이드로써멀 방식에 의해 합성되어 p형 질화물 반도체층(55) 은소재의 나노와이어로 형성된 투명전극층(70)을 보여준다. 도 3을 통해 알 수 있는 바와 같이 봉형상의 나노와이어에 의해 형성되는 공극들에 의해 빛투과도가 향상된다.FIG. 3 shows a transparent electrode layer 70 which is synthesized by a hydrothermal method so that the p-type nitride semiconductor layer 55 is formed of nanowires of a material. As can be seen from Fig. 3, the light transmittance is improved by the pores formed by the bar-shaped nanowires.

도 4는 증착된 은 나노와이어의 광투과 특성을 보여준다. 이러한 금속 나노와이어를 적용한 투명전극층(70)은 기존 ITO에 비해 가시광 파장대역에 대해 투과도가 향상됨을 알 수 있다. 은 나노와이어를 스핀 코팅 방법으로 100rpm으로 제작하였을 때 면저항이 20~30Ω으로 기존 ITO전극과 비슷하였다.Figure 4 shows the light transmission characteristics of deposited silver nanowires. It can be seen that the transmittance of the transparent electrode layer 70 using the metal nanowires is improved as compared with the conventional ITO. When the nanowire was fabricated by spin coating at 100 rpm, the sheet resistance was 20 ~ 30 Ω, which was similar to the conventional ITO electrode.

도 5는 본 발명에 따라 제작된 청색 발광다이오드에 대해 기존 ITO투명전극을 적용한 경우와 광출력특성을 비교하여 나타내 보인 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing a comparison of the light output characteristics and the conventional ITO transparent electrode applied to the blue light emitting diode manufactured according to the present invention.

도 5를 통해 알 수 있는 바와 같이 금속 나노와이어를 적용한 경우가 ITO를 적용한 경우보다 약간 향상된 결과를 보여주고 있다.As can be seen from FIG. 5, the application of the metal nanowire shows a slightly improved result compared to the case of using ITO.

10: 기판 15: 버퍼층
20: 핵성장 질화갈륨층 25: n형 질화물 반도체층
30: n형 클래드층 35: 하부 장벽층
40: 발광 활성층 45: 상부 장벽층
50: p형 클래드층 55: p형 질화물 반도체층
60: p형 전극 65: n형 전극
70: 투명전극층10: substrate 15: buffer layer
20: Nucleated growth gallium nitride layer 25: n-type nitride semiconductor layer
30: n-type cladding layer 35: lower barrier layer
40: luminescent active layer 45: upper barrier layer
50: p-type cladding layer 55: p-type nitride semiconductor layer
60: p-type electrode 65: n-type electrode
70: transparent electrode layer

Claims (4)

기판과;
상기 기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과;
상기 n형 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층과;
상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체층과;
상기 n형 질화물 반도체층의 일측에 형성된 n형 전극과;
상기 p형 질화물 반도체층 위의 일측에 형성된 p형 전극과;
상기 p형 질화물 반도체 상의 노출된 부분에 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층;을 포함하고,
상기 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층은 은, 알루미늄, 구리, 금 중 적어도 하나의 소재만으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.Claims [1]
An n-type nitride semiconductor layer formed on the substrate;
An active layer formed on the n-type nitride semiconductor layer;
A p-type nitride semiconductor layer formed on the active layer;
An n-type electrode formed on one side of the n-type nitride semiconductor layer;
A p-type electrode formed on one side of the p-type nitride semiconductor layer;
And a transparent electrode layer formed of metal nanowires on the exposed portion of the p-type nitride semiconductor,
Wherein the transparent electrode layer formed of the metal nanowires is formed of at least one material selected from the group consisting of silver, aluminum, copper, and gold. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 투명전극층의 표면에 표면누설전류를 억제하기 위해 ZnO, SixOy, SixNy, Si, AlOx, AlOxNy, SiOxNy, MgxOy 중 어느 하나를 포함하는 무기물 또는 포토레지스터, PMMA(Poly methyl methacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane) 중 어느 하나를 포함하는 유기물로 상기 투명전극층 표면을 덮도록 형성된 외벽층;을 더 포함하고,
상기 투명전극층은 상기 p형전극과 접촉되게 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.
The method according to claim 1, wherein an inorganic material or a photoresistor including any one of ZnO, SixOy, SixNy, Si, AlOx, AlOxNy, SiOxNy, and MgxOy, a poly methyl methacrylate ), PDMS (polydimethylsiloxane), and an outer wall layer formed to cover the surface of the transparent electrode layer,
And the transparent electrode layer is formed to be in contact with the p-type electrode.
삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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