KR101389235B1 - 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 산화세륨 입자, 유기산 A, 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 고분자 화합물 B 및 물을 포함하고 있으며, 유기산 A는 -COOM기, -Ph-OM기, -SO3M기 및 -PO3M2기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있고, 유기산 A의 pKa가 9 미만이고, 유기산 A의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.001 내지 1 질량％이고, 고분자 화합물 B의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.01 내지 0.50 질량％이고, pH가 4.0 이상 7.0 이하인 연마액을 제공한다.

Description

연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법{POLISHING LIQUID AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE USING THE POLISHING LIQUID}
본 발명은, 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체 소자 제조 기술인 기판 표면의 평탄화 공정, 특히 층간 절연막, BPSG막(보론, 인을 도핑한 이산화규소막)의 평탄화 공정, 섈로우 트렌치 분리(STI)의 형성 공정 등에서 사용되는 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법에 관한 것이다.
현재의 ULSI 반도체 소자 제조 공정에서는, 반도체 소자의 고밀도ㆍ미세화를 위한 가공 기술이 연구 개발되고 있다. 이 가공 기술 중 하나인 CMP(케미컬 메카니컬 폴리싱: 화학 기계 연마) 기술은, 반도체 소자 제조 공정에서 층간 절연막의 평탄화, STI 형성, 플러그 및 매립 금속 배선 형성 등을 행할 때에 필수적인 기술이 되었다.
종래, 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 산화규소막 등의 무기 절연막은 플라즈마-CVD(화학 기상 성장), 저압-CVD(화학 기상 성장) 등의 방법으로 형성되어 있다. 이 무기 절연막을 평탄화하기 위한 화학 기계 연마액으로서, 퓸드 실리카계의 연마액을 이용하는 것이 일반적으로 검토되고 있다. 퓸드 실리카계의 연마액은, 사염화규산을 열 분해하는 등의 방법으로 입자 성장시켜 얻어진 입자가 배합된 슬러리의 pH를 조정함으로써 제조된다. 단, 이와 같은 퓸드 실리카계의 연마액은 연마 속도가 낮다는 기술 과제가 있다.
또한, 디자인룰 0.25 ㎛ 이후의 세대에서는 집적 회로 내의 소자 분리에 STI가 이용되고 있다. STI에서는, 기판 상에 성막한 여분의 산화규소막을 제거하기 위해 CMP 기술이 사용된다. 이 경우, 임의의 깊이에서 연마를 정지시키기 위해, 산화규소막의 아래에 연마 속도가 낮은 스토퍼막이 형성된다. 스토퍼막에는, 질화규소막 등이 사용된다. 여분의 산화규소막을 효율적으로 제거함과 함께, 그 후의 연마의 진행을 충분히 억제하기 위해서는, 산화규소막과 스토퍼막의 연마 속도비가 큰 것이 바람직하다. 그러나, 종래의 콜로이달 실리카계의 연마액은, 산화규소막과 스토퍼막의 연마 속도비가 3 정도로 작아, STI용으로서는 실용에 견딜 수 있는 특성을 갖고 있지 않다.
한편, 포토마스크나 렌즈 등의 유리 표면에 대한 연마액으로서, 산화세륨 입자를 포함하는 산화세륨 연마액이 이용되고 있다. 산화세륨 입자는, 실리카 입자나 알루미나 입자에 비해 경도가 낮고, 연마시에 연마 표면에 손상이 발생하기 어렵기 때문에, 마무리 경면 연마에 유용하다. 또한, 산화세륨 연마액은, 퓸드 실리카계나 콜로이달 실리카계 등의 실리카 연마액에 비해 연마 속도가 빠르다는 이점이 있다.
산화세륨 연마액으로서, 하기 특허문헌 1에는 고순도 산화세륨 지립을 이용한 반도체용 CMP 연마액이 기재되어 있다. 또한, 하기 특허문헌 2에는, 산화세륨 연마액의 연마 속도를 제어하고, 글로벌한 평탄성을 향상시키기 위해 첨가제를 가하는 기술이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 (평)10-106994호 공보 일본 특허 제3278532호 공보
그러나, 배선이나 STI의 디자인룰의 미세화의 진전에 따라, 상기한 바와 같은 산화세륨 연마액에 대하여 한층 더 평탄성의 향상(예를 들면, 절연막의 디싱량의 감소)이 요구되고 있다. 또한, 반도체 디바이스의 생산의 정밀도 향상도 한층 더 요구되고 있으며, 예를 들면 트렌치 밀도가 상이한 부분에서의 절연막의 잔막 두께차가 작은 것이나, 스토퍼막의 과잉 연마의 양이 적은 것이 요구되고 있다. 또한, 동시에 연마 공정의 우도(尤度, likelihood)가 클수록, 정밀도가 높은 반도체 디바이스 생산에는 중요한 것이다.
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판의 표면에 형성된 피연마막을 연마하는 CMP 기술에 있어서 피연마막의 연마 속도를 향상시키고, 나아가 연마 후의 평탄성을 향상시키는 것이 가능한 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 산화세륨 입자, 유기산 A, 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 고분자 화합물 B 및 물을 포함하는 CMP용의 연마액이며, 유기산 A는 -COOM기, -Ph-OM기, -SO3M기 및 -PO3M2기(식 중, M은 H, NH4, Na 및 K로부터 선택되는 어느 1종이고, Ph는 치환기를 갖고 있을 수도 있는 페닐기를 나타냄)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있고, 유기산 A의 pKa가 9 미만이고, 유기산 A의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.001 내지 1 질량％이고, 고분자 화합물 B의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.01 내지 0.50 질량％이고, pH는 4.0 이상 7.0 이하인 연마액을 제공한다.
본 발명의 연마액에서는, 기판의 표면에 형성된 피연마막(예를 들면, 층간 절연막, BPSG막, STI막)을 연마하는 CMP 기술에 있어서, 피연마막의 연마 속도를 향상시키고, 연마 후의 평탄성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 연마액은, 산화세륨 입자 및 물을 포함하는 제1액과, 유기산 A, 고분자 화합물 B 및 물을 포함하는 제2액으로부터 구성되는 2액식 연마액으로서 보존해둘 수도 있다. 이에 따라, 연마액을 사용하기 직전까지 산화세륨 입자의 분산 안정성을 보다 양호하게 유지할 수 있기 때문에, 보다 효과적인 연마 속도 및 평탄성을 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 연마액은, 상기 제1액이 분산제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 산화세륨 입자의 분산 안정성을 더욱 양호하게 유지할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판 표면에 형성된 피연마막을 본 발명의 연마액을 이용하여 연마하는 기판의 연마 방법을 제공한다. 본 발명의 연마액을 사용하는 이러한 연마 방법에 따르면, 피연마막의 연마 속도를 향상시키고, 연마 후의 평탄성을 향상시키는 것이 가능하다.
본 발명에 따르면, 기판의 표면에 형성된 피연마막(예를 들면, STI막)을 연마하는 CMP 기술에 있어서, 피연마막의 연마 속도를 향상시키고, 나아가 연마 후의 표면 평탄성을 향상시키는 것이 가능한 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법을 제공할 수 있다.
[도 1] 연마 특성의 평가 기판을 나타내는 모식 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다.
[연마액]
본 실시 형태에 관한 연마액은, 산화세륨 입자와, 분산제와, 유기산 A와, 고분자 화합물 B와, 물을 함유하는 CMP용의 연마액이다. 이하, 본 실시 형태에 관한 연마액에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.
(산화세륨 입자)
산화세륨 입자로서는 특별히 제한은 없으며, 공지된 것을 사용할 수 있다. 일반적으로 산화세륨은, 탄산염, 질산염, 황산염, 옥살산염 등의 세륨 화합물을 산화함으로써 얻어진다. 산화세륨 입자를 제작하는 방법으로서는, 소성, 과산화수소 등에 의한 산화법 등을 들 수 있다.
TEOS-CVD법 등으로 형성되는 산화규소막의 연마에 산화세륨 입자를 사용하는 경우, 산화세륨 입자의 결정자 직경(결정자의 직경)이 크고, 결정 왜곡이 적을수록, 즉 결정성이 양호할수록 고속 연마가 가능하지만, 피연마막에 연마 손상이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 이러한 관점에서, 산화세륨 입자는 2개 이상의 결정자로부터 구성되며, 결정립계를 갖는 입자가 바람직하고, 결정자 직경이 1 내지 300 nm의 범위 내인 입자가 보다 바람직하다.
상기 결정자 직경은 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 관찰로 측정할 수 있다. 구체적으로는, 주사형 전자 현미경(SEM) 관찰로 얻어진 화상으로부터 입자의 장경과 단경을 측정하고, 장경과 단경의 곱의 평방근을 입경으로 한다.
산화세륨 입자 중의 알칼리 금속 및 할로겐류의 함유율은, 반도체 소자의 제조에 관한 연마에 바람직하게 이용되기 때문에 10 ppm 이하인 것이 바람직하다.
산화세륨 입자의 평균 입경은 10 내지 500 nm인 것이 바람직하고, 20 내지 400 nm인 것이 보다 바람직하고, 50 내지 300 nm인 것이 더욱 바람직하다. 산화세륨 입자의 평균 입경이 10 nm 이상이면 양호한 연마 속도가 얻어지는 경향이 있으며, 500 nm 이하이면 피연마막에 손상이 발생하기 어려워지는 경향이 있다.
여기서, 산화세륨 입자의 평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포계(예를 들면, 말번(Malvern)사 제조 상품명: 마스터 사이저 마이크로플러스(Master Sizer Microplus), 굴절률: 1.93, 광원: He-Ne 레이저, 흡수 0)로 측정한 D50의 값(부피 분포의 메디안 직경, 누적 중앙값)을 의미한다. 평균 입경의 측정에는, 적절한 농도(예를 들면, He-Ne 레이저에 대한 측정시 투과율(H)이 60 내지 70％가 되는 농도)로 연마액을 희석한 샘플을 이용한다. 또한, 산화세륨 연마액이 후술하는 바와 같이 산화세륨 입자를 물에 분산시킨 산화세륨 슬러리와, 첨가제를 물에 용해시킨 첨가액으로 나누어 보존되어 있는 경우에는, 산화세륨 슬러리를 적절한 농도로 희석하여 측정할 수 있다.
산화세륨 입자의 함유량은, 양호한 연마 속도가 얻어지는 경향이 있는 관점에서 연마액 전체 질량 기준으로 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 산화세륨 입자의 함유량은, 입자의 응집이 억제되어 피연마막에 손상이 발생하기 어려워지는 경향이 있는 관점에서 20 질량％ 이하가 바람직하고, 5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 1.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
(유기산 A)
본 실시 형태에 관한 연마액은, 유기산 A로서 유기산 및/또는 그의 염을 함유한다. 이에 따라, 연마 속도를 향상시키고, 연마 종료 후의 피연마막(예를 들면, 산화규소막)의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 보다 상세하게는, 요철을 갖는 피연마면을 연마한 경우, 연마 시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 일부가 과잉으로 연마되어 접시와 같이 움푹 패는 현상, 소위 디싱(Dishing)이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 효과는, 유기산 및/또는 그의 염과 산화세륨 입자를 병용함으로써, 보다 효율적으로 얻어진다.
유기산 및/또는 그의 염은, -COOM기, -Ph-OM기(페놀성 -OM기), -SO3M기 및 -PO3M2기(식 중, M은 H, NH4, Na 및 K로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종이고, Ph는 치환기를 가질 수도 있는 페닐기를 나타냄)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 갖는 것이고, 수용성의 유기 화합물인 것이 바람직하다.
유기산 A로서는, 예를 들면
포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 시클로헥산카르복실산, 페닐아세트산, 벤조산, o-톨루일산, m-톨루일산, p-톨루일산, o-메톡시벤조산, m-메톡시벤조산, p-메톡시벤조산, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 펜텐산, 헥센산, 헵텐산, 옥텐산, 노넨산, 데센산, 운데센산, 도데센산, 트리데센산, 테트라데센산, 펜타데센산, 헥사데센산, 헵타데센산, 이소부티르산, 이소발레르산, 신남산, 퀴날드산, 니코틴산, 1-나프토산, 2-나프토산, 피콜린산, 비닐아세트산, 페닐아세트산, 페녹시아세트산, 2-푸란카르복실산, 머캅토아세트산, 레불린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세박산, 1,9-노난디카르복실산, 1,10-데칸디카르복실산, 1,11-운데칸디카르복실산, 1,12-도데칸디카르복실산, 1,13-트리데칸디카르복실산, 1,14-테트라데칸디카르복실산, 1,15-펜타데칸디카르복실산, 1,16-헥사데칸디카르복실산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 퀴놀린산, 퀸산, 나프탈산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 글리콜산, 락트산, 3-히드록시프로피온산, 2-히드록시부티르산, 3-히드록시부티르산, 4-히드록시부티르산, 3-히드록시발레르산, 5-히드록시발레르산, 퀸산, 키누렌산, 살리실산, 타르타르산, 아코니트산, 아스코르브산, 아세틸살리실산, 아세틸말산, 아세틸렌디카르복실산, 아세톡시숙신산, 아세토아세트산, 3-옥소글루타르산, 아트로프산, 아트로락트산, 안트라퀴논카르복실산, 안트라센카르복실산, 이소카프로산, 이소캄포론산, 이소크로톤산, 2-에틸-2-히드록시부티르산, 에틸말론산, 에톡시아세트산, 옥살로아세트산, 옥시디아세트산, 2-옥소부티르산, 캄포론산, 시트르산, 글리옥실산, 글리시드산, 글리세린산, 글루카르산, 글루콘산, 크로코닉산, 시클로부탄카르복실산, 시클로헥산디카르복실산, 디페닐아세트산, 디-O-벤조일타르타르산, 디메틸숙신산, 디메톡시프탈산, 타르트론산, 탄닌산, 티오펜카르복실산, 티글산, 데속살산, 테트라히드록시숙신산, 테트라메틸숙신산, 테트론산, 데히드로아세토산, 테트로닉산, 트로픽산, 바닐린산, 파라코닉산, 히드록시이소프탈산, 히드록시신남산, 히드록시나프토산, o-히드록시페닐아세트산, m-히드록시페닐아세트산, p-히드록시페닐아세트산, 3-히드록시-3-페닐프로피온산, 피발산, 피리딘디카르복실산, 피리딘트리카르복실산, 피루브산, α-페닐신남산, 페닐글리시드산, 페닐숙신산, 페닐아세트산, 페닐락트산, 프로피올산, 소르브산, 2,4-헥사디엔이산, 2-벤질리덴프로피온산, 3-벤질리덴프로피온산, 벤질리덴말론산, 벤질산, 벤젠트리카르복실산, 1,2-벤젠디아세트산, 벤조일옥시아세트산, 벤조일옥시프로피온산, 벤조일포름산, 벤조일아세트산, O-벤조일락트산, 3-벤조일프로피온산, 갈산, 메소옥살산, 5-메틸이소프탈산, 2-메틸크로톤산, α-메틸신남산, 메틸숙신산, 메틸말론산, 2-메틸부티르산, o-메톡시신남산, p-메톡시신남산, 머캅토숙신산, 머캅토아세트산, O-락토일락트산, 말산, 류콘산, 류신산, 로디조닉산, 로졸산, α-케토글루타르산, L-아스코르브산, 이드우론산, 갈락투론산, 글루쿠론산, 피로글루타민산, 에틸렌디아민사아세트산, 시안화삼아세트산, 아스파라긴산, 글루탐산, N'-히드록시에틸-N,N,N'-트리아세트산 및 니트릴로트리아세트산 등의 카르복실산;
메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산, 펜탄술폰산, 헥산술폰산, 헵탄술폰산, 옥탄술폰산, 노난술폰산, 데칸술폰산, 운데칸술폰산, 도데칸술폰산, 트리데칸술폰산, 테트라데칸술폰산, 펜타데칸술폰산, 헥사데칸술폰산, 헵타데칸술폰산, 옥타데칸술폰산, 벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산, 톨루엔술폰산, 히드록시에탄술폰산, 히드록시페놀술폰산 및 안트라센술폰산 등의 술폰산;
데실포스폰산 및 페닐포스폰산 등의 포스폰산 등을 들 수 있다. 또한, 상기 카르복실산, 술폰산 및 포스폰산에 대해서는, 이들 주쇄의 양성자를 1개 또는 2개 이상, F, Cl, Br, I, OH, CN 및 NO2 등의 원자 또는 원자단으로 치환한 유도체일 수도 있다. 이들은 1종류를 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
유기산 A(유기산 및 또는 그의 염)의 함유량은, 연마액 전체 질량 기준으로 0.001 내지 1 질량％이다. 유기산 및/또는 그의 염의 함유량이 0.001 질량％ 이상이면, 연마 종료 후의 피연마막(예를 들면, 산화규소막)의 평탄성을 향상시킬 수 있는 경향이 있으며, 이 관점에서 유기산 및/또는 그의 염의 함유량은 0.005 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 함유량이 1 질량％ 이하이면, 피연마막의 연마 속도가 충분히 향상되는 경향이 있으며, 산화세륨 입자의 응집이 억제되는 경향이 있고, 이 관점에서 유기산 및/또는 그의 염의 함유량은 0.1 질량％ 이하가 바람직하고, 0.05 질량％ 이하가 보다 바람직하다.
유기산 A는, 실온(25℃)에서의 산해리 상수 pKa(pKa가 2개 이상 있는 경우에는 가장 낮은 제1 단계의 pKa1)가 9 미만이지만, pKa로서는 8 미만인 것이 바람직하고, 7 미만인 것이 보다 바람직하고, 6 미만인 것이 더욱 바람직하고, 5 미만인 것이 가장 바람직하다. 유기산 A의 pKa가 9 미만이면, 연마액 중에서 적어도 그의 일부 이상이 유기산 이온이 되어 수소 이온을 방출하고, 원하는 pH 영역에 pH를 유지할 수 있다.
(고분자 화합물 B)
본 실시 형태에 관한 연마액은, 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 고분자 화합물 B를 포함한다. 여기서, 카르복실산기란, -COOH로 표시되는 관능기이고, 카르복실산염기란, -COOX로 표시되는 관능기이다(X는 염기 유래의 양이온이고, 예를 들면 암모늄 이온, 나트륨 이온 및 칼륨 이온을 들 수 있음). 특히, 고분자 화합물 B로서 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 수용성 유기 고분자 및/또는 그의 염을 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 연마 종료 후의 피연마막(예를 들면, 산화규소막)의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 보다 상세하게는, 요철을 갖는 피연마면을 연마한 경우, 일부가 지나치게 연마되어 접시와 같이 움푹 패는 현상, 소위 디싱이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 효과는, 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 수용성 유기 고분자 및/또는 그의 염과, 유기산 및/또는 그의 염과, 산화세륨 입자를 병용함으로써 보다 효율적으로 얻어진다.
고분자 화합물 B(카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 수용성 유기 고분자)의 구체예로서는,
폴리아스파라긴산, 폴리글루탐산, 폴리리신, 폴리말산, 폴리아미드산, 폴리아미드산암모늄염, 폴리아미드산나트륨염 및 폴리글리옥실산 등의 폴리카르복실산 및 그의 염;
아크릴산, 메타크릴산, 말레산 등의 카르복실산기를 갖는 단량체의 단독 중합체 및 당해 중합체의 카르복실산기의 부분이 암모늄염 등인 단독 중합체 등을 들 수 있다.
또한, 카르복실산염기를 갖는 단량체와, 카르복실산의 알킬에스테르 등의 유도체의 공중합체를 들 수 있다. 그의 구체예로서는, 폴리(메트)아크릴산, 또는 폴리(메트)아크릴산의 카르복실산기의 일부가 카르복실산암모늄염기에 치환된 중합체(이하, 폴리(메트)아크릴산암모늄이라 칭함) 등을 들 수 있다. 여기서 폴리(메트)아크릴산이란, 폴리아크릴산과 폴리메타크릴산 중 적어도 하나인 것을 나타낸다.
고분자 화합물 B로서는, 상기 중에서도 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 등의 카르복실산기를 갖는 단량체의 단독 중합체 및 당해 중합체의 카르복실산기의 부분이 암모늄염 등인 단독 중합체가 바람직하고, (메트)아크릴산의 단독 중합체(폴리(메트)아크릴산) 및 그의 암모늄염이 보다 바람직하고, 폴리아크릴산 및 그의 암모늄염이 더욱 바람직하다.
고분자 화합물 B의 함유량은, 연마 종료 후의 피연마막(예를 들면, 산화규소막)의 평탄성을 향상시킬 수 있는 경향이 있는 관점에서 연마액 전체 질량 기준으로 0.01 질량％ 이상이지만, 동일한 관점에서 0.02 질량％ 이상이 바람직하고, 0.05 질량％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 함유량이 0.50 질량％ 이하이면, 피연마막의 연마 속도가 충분히 향상되는 경향이 있으며, 산화세륨 입자의 응집이 억제되는 경향이 있는 관점에서, 고분자 화합물 B의 함유량은 연마액 전체 질량 기준으로 0.50 질량％ 이하이지만, 0.40 질량％ 이하가 바람직하고, 0.30 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.20 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
고분자 화합물 B의 중량 평균 분자량은 특별히 제한은 없지만, 피연마막의 연마 속도가 충분히 얻어지는 경향이 있으며, 산화세륨 입자의 응집을 억제하기 쉬운 경향이 있는 관점에서 100000 이하가 바람직하고, 10000 이하가 보다 바람직하다. 또한, 평탄성 향상 효과를 얻기 쉬워지는 경향이 있는 관점에서, 고분자 화합물 B의 중량 평균 분자량은 1000 이상이 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC(Gel Permeation Chromatography: 겔 침투 크로마토그래피)로 측정하여 표준 폴리옥시에틸렌 환산한 값이다.
(물)
물로서는 특별히 제한되지 않지만, 탈이온수, 이온 교환수 및 초순수 등이 바람직하다. 물의 함유량은 상기 각 함유 성분의 함유량의 잔부일 수도 있고, 연마액 중에 함유되어 있으면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 연마액은, 필요에 따라 물 이외의 용매, 예를 들면 에탄올, 아세톤 등의 극성 용매 등을 더 함유할 수도 있다.
(분산제)
본 실시 형태에 관한 연마액에는, 산화세륨 입자를 분산시키기 위한 분산제를 함유시킬 수 있다. 분산제로서는, 수용성 음이온성 분산제, 수용성 비이온성 분산제, 수용성 양이온성 분산제 및 수용성 양성 분산제 등을 들 수 있으며, 이 중에서도 수용성 음이온성 분산제가 바람직하다. 이들은 1종류를 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 고분자 화합물 B로서 예시된 상기 화합물(예를 들면, 폴리아크릴산암모늄)을 분산제로서 사용할 수도 있다.
수용성 음이온성 분산제로서는, 공중합 성분으로서 아크릴산을 포함하는 고분자 및 그의 염이 바람직하고, 당해 고분자의 염이 보다 바람직하다. 공중합 성분으로서 아크릴산을 포함하는 고분자 및 그의 염으로서는, 예를 들면 폴리아크릴산 및 그의 암모늄염, 아크릴산과 메타크릴산의 공중합체 및 그의 암모늄염, 및 아크릴산아미드와 아크릴산의 공중합체 및 그의 암모늄염을 들 수 있다.
기타 수용성 음이온성 분산제로서는, 예를 들면 라우릴황산트리에탄올아민, 라우릴황산암모늄, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산트리에탄올아민 및 특수 폴리카르복실산형 고분자 분산제를 들 수 있다.
또한, 수용성 비이온성 분산제로서는, 예를 들면 폴리에틸렌글리콜모노라우레이트, 폴리에틸렌글리콜모노스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜모노올레에이트, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 및 알킬알칸올아미드를 들 수 있다.
수용성 양이온성 분산제로서는, 예를 들면 폴리비닐피롤리돈, 코코넛 아민아세테이트 및 스테아릴아민아세테이트를 들 수 있다.
수용성 양성 분산제로서는, 예를 들면 라우릴베타인, 스테아릴베타인, 라우릴디메틸아민옥시드 및 2-알킬-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸이미다졸리늄베타인을 들 수 있다.
분산제의 함유량은, 산화세륨 입자의 분산성을 향상시켜 침강을 억제하고, 피연마막의 연마 손상을 더욱 감소시키는 관점에서 연마액 전체 질량 기준으로 0.001 내지 10 질량％의 범위가 바람직하다.
분산제의 중량 평균 분자량은 특별히 제한은 없지만, 100 내지 150000이 바람직하고, 1000 내지 20000이 보다 바람직하다. 분산제의 분자량이 100 이상이면, 산화규소막 또는 질화규소막 등의 피연마막을 연마할 때에 양호한 연마 속도가 얻어지기 쉬운 경향이 있다. 분산제의 분자량이 150000 이하이면, 연마액의 보존 안정성이 저하되기 어려운 경향이 있다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC로 측정하여 표준 폴리옥시에틸렌 환산한 값이다.
[기타 첨가제]
본 실시 형태에 관한 연마액은, 유기산 및/또는 그의 염, 및 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 수용성 유기 고분자 및/또는 그의 염과는 별도의 첨가제로서 수용성 고분자를 사용할 수 있다. 이러한 수용성 고분자로서는, 예를 들면 알긴산, 펙틴산, 카르복시메틸셀룰로오스, 한천, 커들란 및 풀루란 등의 다당류; 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리아크롤레인 등의 비닐계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 수용성 고분자의 중량 평균 분자량은, 500 이상이 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC로 측정하여 표준 폴리옥시에틸렌 환산한 값이다. 또한,이들 수용성 고분자의 함유량은, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01 내지 5 질량％가 바람직하다.
[연마액의 제조ㆍ보존 방법]
본 실시 형태에 관한 연마액은, 예를 들면 산화세륨 입자, 물 및 분산제를 배합하여 산화세륨 입자를 분산시킨 후, 나아가 유기산 A 및 고분자 화합물 B를 첨가함으로써 얻어진다. 또한, 본 실시 형태에 관한 연마액은, 산화세륨 입자, 분산제, 유기산 A, 고분자 화합물 B, 물 및 임의로 수용성 고분자를 포함하는 1액식 연마액으로서 보존할 수도 있고, 산화세륨 입자, 분산제 및 물을 포함하는 산화세륨 슬러리(제1액)와, 유기산 A, 고분자 화합물 B, 물 및 임의로 수용성 고분자를 포함하는 첨가액(제2액)으로 구성되는 2액식 연마액으로서 보존할 수도 있다.
또한, 2액식 연마액의 경우에는, 유기산 A 및 고분자 화합물 B 이외의 첨가제는 산화세륨 슬러리와 첨가액 중 어느 것에 포함될 수도 있지만, 산화세륨 입자의 분산 안정성에 영향이 없다는 점에서, 첨가액에 포함되는 것이 바람직하다.
산화세륨 슬러리와 첨가액을 나눈 2액식 연마액으로서 보존하는 경우, 이들 이액의 배합을 임의로 변경함으로써 평탄화 특성과 연마 속도의 조정이 가능해진다. 2액식 연마액을 이용하여 연마하는 경우, 산화세륨 슬러리 및 첨가액을 각각 별도의 배관으로 송액하고, 이들 배관을 공급 배관 출구의 직전에 합류시켜 양액을 혼합하여 연마 패드 상에 공급하는 방법이나, 연마 직전에 산화세륨 슬러리와 첨가액을 혼합하는 방법을 이용할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 연마액 및 슬러리는 저장ㆍ운반ㆍ보관 등에 관한 비용을 억제할 수 있다는 관점에서, 사용시에 물 등의 액상 매체로 예를 들면 2배 이상으로 희석되어 사용되는 연마액용 저장액 또는 슬러리용 저장액으로서 보관할 수 있다. 상기 각 저장액은 연마의 직전에 액상 매체로 희석될 수도 있고, 연마 패드 상에 저장액과 액상 매체를 공급하여, 연마 패드 상에서 희석될 수도 있다.
상기 저장액의 희석 배율로서는, 배율이 높을수록 저장ㆍ운반ㆍ보관 등에 관한 비용의 억제 효과가 높기 때문에 2배 이상이 바람직하고, 3배 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한으로서는 특별히 제한은 없지만, 배율이 높을수록 저장액에 포함되는 성분의 양이 많아(농도가 높아)지고, 보관 중의 안정성이 저하되는 경향이 있기 때문에 일반적으로는 10배 이하가 바람직하고, 7배 이하가 보다 바람직하고, 5배 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 삼액 이상으로 구성 성분을 나눌 수도 있고, 이 경우에도 동일하다.
본 실시 형태에 관한 연마액은, 원하는 pH로 조정하여 연마에 이용한다. pH 조정제로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 질산, 황산, 염산, 인산, 붕산 및 아세트산 등의 산, 및 수산화나트륨, 암모니아수, 수산화칼륨 및 수산화칼슘 등의 염기를 들 수 있다. 연마액이 반도체 연마에 사용되는 경우에는, 암모니아수, 산 성분이 바람직하게 사용된다. pH 조정제로서는, 미리 암모니아로 부분적으로 중화된 수용성 고분자의 암모늄염을 사용할 수 있다.
또한, 실온(25℃)에서의 연마액의 pH는 4.0 이상 7.0 이하이다. pH가 4.0 이상임으로써 연마액의 보존 안정성이 향상되는 경향이 있으며, 피연마막의 손상의 발생수가 감소하는 경향이 있고, 동일한 관점에서 상기 pH는 4.5 이상이 바람직하고, 4.8 이상이 보다 바람직하다. 또한, pH가 7.0 이하임으로써, 평탄성의 향상 효과를 충분히 발휘할 수 있으며, 동일한 관점에서 상기 pH는 6.5 이하가 바람직하고, 6.0 이하가 보다 바람직하고, 5.5 이하가 더욱 바람직하다. 연마액의 pH는, pH 미터(예를 들면, 요꼬가와 덴끼 가부시끼가이샤 제조의 모델 PH81(상품명))로 측정할 수 있다. 예를 들면, 표준 완충액(프탈산염 pH 완충액 pH: 4.21(25℃), 중성 인산염 pH 완충액 pH 6.86(25℃))을 이용하여 2점 교정한 후, 전극을 연마액에 넣어, 25℃에서 2분 이상 경과하여 안정된 후의 값을 측정함으로써 연마액의 pH를 측정할 수 있다.
이어서, 본 실시 형태에 관한 연마액의 기판 표면에 형성된 피연마막의 연마로의 응용(Use)에 대하여 설명한다.
[연마 방법]
본 실시 형태에 관한 기판의 연마 방법은, 기판 표면에 형성된 피연마막을 상기 연마액을 이용하여 연마한다. 보다 상세하게는, 예를 들면 기판 표면에 형성된 피연마막을 연마 정반의 연마 패드로 가압한 상태에서, 상기 연마액을 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 상대적으로 움직여 피연마막을 연마한다.
기판으로서는, 회로 소자 및 배선 패턴이 형성된 단계의 반도체 기판이나, 회로 소자가 형성된 단계의 반도체 기판 등의 반도체 기판 상에 무기 절연막이 형성된 기판 등의 반도체 소자 제조에 관한 기판 등을 들 수 있다.
상기 피연마막으로서는, 예를 들면 산화규소막, 질화규소막, 산화규소막의 복합막 등의 무기 절연막 등을 들 수 있다. 이러한 기판 상에 형성된 무기 절연막을 본 실시 형태에 관한 연마액으로 연마함으로써, 무기 절연막 표면의 요철을 해소하여, 기판 전체면에 걸쳐서 평활한 면으로 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 연마액은, 섈로우 트렌치 분리에도 사용할 수 있다.
이하, 무기 절연막이 형성된 반도체 기판의 경우를 예로 들어, 기판의 연마 방법을 더욱 상세히 설명한다.
연마 장치로서는, 피연마막을 갖는 반도체 기판 등의 기판을 유지하는 홀더와, 회전수 변경 가능 모터 등이 부착되어 있으며 연마 패드(연마천)를 첩부할 수 있는 연마 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다. 연마 장치로서는, 예를 들면 가부시끼가이샤 에바라 제작소 제조의 연마 장치: 형번 EPO-111, AMAT 제조 MIRRA, 리플렉션(Reflexion) 등을 사용할 수 있다.
연마 패드로서는, 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄 및 다공질 불소 수지 등을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 또한, 연마 패드에는, 연마액이 저장되는 홈 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
연마 조건에 제한은 없지만, 정반의 회전 속도는 반도체 기판이 돌출되지 않도록 200 회전/분 이하의 저회전이 바람직하고, 반도체 기판에 가하는 압력(가공 하중)은, 연마 후에 손상이 발생하지 않도록 100 kPa 이하가 바람직하다. 연마하고 있는 사이에는, 연마 패드에 연마액을 펌프 등으로 연속적으로 공급한다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 연마액으로 덮여 있는 것이 바람직하다.
연마 종료 후의 반도체 기판은, 유수 중에서 세정 후, 스핀 드라이어 등을 이용하여 반도체 기판 상에 부착된 물방울을 떨어뜨려 건조시키는 것이 바람직하다.
이와 같이 피연마막인 무기 절연막을 연마액으로 연마함으로써, 표면의 요철을 해소하여, 반도체 기판 전체면에 걸쳐서 평활한 면이 얻어진다. 평탄화된 섈로우 트렌치를 형성한 후에는, 무기 절연막 상에 알루미늄 배선을 형성하고, 이 배선간 및 배선 상에 재차 무기 절연막을 형성한 후, 연마액을 이용하여 당해 무기 절연막을 연마하여 평활한 면을 얻는다. 이 공정을 소정수 반복함으로써, 원하는 층수를 갖는 반도체 기판을 제조할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 연마액에 의해 연마되는 무기 절연막으로서는, 예를 들면 산화규소막 및 질화규소막을 들 수 있다. 산화규소막은, 인 및 붕소 등의 원소가 도핑되어 있을 수도 있다. 무기 절연막의 제작 방법으로서는, 저압 CVD법, 플라즈마 CVD법 등을 들 수 있다.
저압 CVD법에 의한 산화규소막 형성은, Si원으로서 모노실란: SiH4, 산소원으로서 산소: O2를 이용한다. 이 SiH4-O2계 산화 반응을 400℃ 이하의 저온에서 행함으로써 산화규소막이 얻어진다. 경우에 따라서는, CVD에 의해 얻어진 산화규소막은 1000℃ 또는 그 이하의 온도에서 열 처리된다. 고온 리플로우에 의한 표면 평탄화를 도모하기 위해, 산화규소막에 인: P를 도핑할 때에는 SiH4-O2-PH3계 반응 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
플라즈마 CVD법은, 통상의 열 평형하에서는 고온을 필요로 하는 화학 반응을 저온에서 행할 수 있다는 이점을 갖는다. 플라즈마 발생법에는, 용량 결합형과 유도 결합형의 2개를 들 수 있다. 반응 가스로서는, Si원으로서 SiH4, 산소원으로서 N2O를 이용한 SiH4-N2O계 가스와 테트라에톡시실란(TEOS)을 Si원에 이용한 TEOS-O계 가스(TEOS-플라즈마 CVD법)를 들 수 있다. 기판 온도는 250 내지 400℃, 반응 압력은 67 내지 400 Pa가 바람직하다.
저압 CVD법에 의한 질화규소막 형성은, Si원으로서 디클로로실란: SiH2Cl2, 질소원으로서 암모니아: NH3을 이용한다. 이 SiH2Cl2-NH3계 산화 반응을 900℃의 고온에서 행함으로써 질화규소막이 얻어진다. 플라즈마 CVD법에 의한 질화규소막 형성은, 반응 가스로서는 Si원으로서 SiH4, 질소원으로서 NH3을 이용한 SiH4-NH3계 가스를 들 수 있다. 기판 온도는 300 내지 400℃가 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 연마액 및 기판의 연마 방법은, 반도체 기판에 형성된 무기 절연막 뿐만 아니라 각종 반도체 장치의 제조 공정 등에도 적용할 수 있다. 본 실시 형태에 관한 연마액 및 기판의 연마 방법은, 예를 들면 소정의 배선을 갖는 배선판에 형성된 산화규소막, 유리 및 질화규소 등의 무기 절연막, 폴리실리콘, Al, Cu, Ti, TiN, W, Ta 및 TaN 등을 주로 함유하는 막, 포토마스크ㆍ렌즈ㆍ프리즘 등의 광학 유리, ITO 등의 무기 도전막, 유리 및 결정질 재료로 구성되는 광 집적 회로ㆍ광스위칭 소자ㆍ광도파로, 광 섬유의 단부면, 신틸레이터 등의 광학용 단결정, 고체 레이저 단결정, 청색 레이저 LED용 사파이어 기판, SiC, GaP 및 GaAs 등의 반도체 단결정, 자기 디스크용 유리 기판, 및 자기 헤드 등을 연마하는 것에도 적용할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 제한되는 것은 아니다.
(산화세륨 입자의 제작)
시판된 탄산세륨 수화물 40 kg을 알루미나제 용기에 넣고, 830℃, 공기 중에서 2시간 소성함으로써 황백색의 분말을 20 kg 얻었다. 이 분말의 상동정을 X선 회절법으로 행한 바, 산화세륨인 것을 확인하였다. 얻어진 산화세륨 분말 20 kg을 제트밀을 이용하여 건식 분쇄하여, 분말상(입자상)의 산화세륨을 얻었다. 얻어진 분말상의 산화세륨을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 결정자 크기의 입자와, 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정립계를 갖는 입자가 포함되어 있었다. 얻어진 SEM 화상으로부터 임의로 50개의 결정자를 선택하고, 각각에 대하여 장경과 단경의 곱의 평방근으로부터 입경을 구한 바, 결정자 직경은 모두 1 내지 300 nm의 범위에 포함되어 있었다.
(실시예 1-1)
상기에서 제작한 산화세륨 입자 200.0 g과, 탈이온수 795.0 g을 혼합하고, 분산제로서 폴리아크릴산암모늄 수용액(중량 평균 분자량: 8000, 40 질량％) 5 g을 첨가하여, 교반하면서 초음파 분산을 행하여 산화세륨 분산액을 얻었다. 초음파 분산은 초음파 주파수 400 kHz, 분산 시간 20분으로 행하였다.
그 후, 1 리터 용기(높이: 170 mm)에 1 kg의 산화세륨 분산액을 넣어 정치하고, 침강 분급을 행하였다. 분급 시간 15시간 후, 수면으로부터의 깊이 13 cm보다 위의 상청을 펌프로 퍼올렸다. 얻어진 상청의 산화세륨 분산액을, 이어서 산화세륨 입자의 함유량이 5 질량％가 되도록 탈이온수로 희석하여 산화세륨 슬러리를 얻었다.
산화세륨 슬러리 중에서의 산화세륨 입자의 평균 입경(D50)을 측정하기 위해, He-Ne 레이저에 대한 측정시 투과율(H)이 60 내지 70％가 되도록 상기 슬러리를 희석하여, 측정 샘플로 하였다. 이 측정 샘플을 레이저 회절식 입도 분포계 마스터 사이저 마이크로플러스(말번사 제조, 상품명)를 이용하여, 굴절률: 1.93, 흡수: 0으로 하여 측정한 바, D50의 값은 150 nm였다.
유기산 A로서 파라톨루엔술폰산 일수화물(pKa(25℃)=-2.8) 0.1 g과, 탈이온수 800 g을 혼합하고, 고분자 화합물 B로서 폴리아크릴산 수용액(중량 평균 분자량: 4000, 40 질량％)을 2.5 g 가한 후, 암모니아수(25 질량％)를 가하여 pH 4.5(25℃)로 조정하였다. 탈이온수를 더 가하여, 전체량 850 g으로 하여 유기산 첨가액으로 하였다.
여기에 상기 산화세륨 슬러리 134 g을 첨가하고, 암모니아수(25 질량％)를 가하여, pH 5.0(25℃)으로 조정하고, 탈이온수를 더 가하여, 전량을 1000 g으로 하여, 산화세륨 연마액(산화세륨 입자 함유량: 0.67 질량％)을 제작하였다.
또한, 상기와 마찬가지로 측정 샘플을 제조하여, 연마액 중의 입자의 평균 입경을 레이저 회절식 입도 분포계로 측정한 결과, D50의 값은 150 nm였다.
(절연막의 연마)
연마 시험 웨이퍼로서, 세마테크(SEMATECH)사 제조의 상품명 「패턴 웨이퍼764」(직경: 300 mm)를 이용하였다. 이 연마 시험 웨이퍼와 이것을 이용한 연마 특성의 평가 방법을 도 1을 이용하여 설명한다.
도 1(a)는, 연마 시험 웨이퍼의 일부분을 확대한 모식 단면도이다. 웨이퍼 (1)의 표면에는 복수의 홈이 형성되어 있고, 웨이퍼 (1)의 볼록부 표면에는 두께 150 nm(1500Å)의 질화 규소막 (2)가 형성되어 있다. 홈의 깊이(볼록부의 표면으로부터 오목부의 저면까지의 단차)는 500 nm(5000Å)이다. 이하, 볼록부를 액티브부, 오목부를 트렌치부라고 한다. 또한, 도 1에는 명시되어 있지 않지만, 웨이퍼 (1)에는 트렌치부/액티브부의 단면폭이 100 ㎛/100 ㎛, 20 ㎛/80 ㎛ 및 80 ㎛/20 ㎛ 인 3개의 영역이 형성되어 있다.
도 1(b)는, 연마 시험 웨이퍼의 일부분을 확대한 모식 단면도이다. 연마 시험 웨이퍼는, 액티브부의 표면으로부터의 산화규소막 (3)의 두께가 600 nm(6000Å)가 되도록 플라즈마 TEOS법에 의해 액티브부 및 트렌치부에 산화규소막 (3)이 형성되어 있다. 연마 시험에서는, 연마 시험 웨이퍼의 산화규소막 (3)을 연마하여 평탄화를 행한다.
도 1(c)는, 산화규소막 (3)을 연마한 후의 연마 시험 웨이퍼의 일부분을 확대한 모식 단면도이다. 액티브부의 질화 규소막 (2) 표면에서 연마를 종료하고, 이 때의 연마에 필요한 시간을 연마 시간으로 하여, 트렌치부의 깊이 (4)로부터 트렌치부 내의 산화규소막 (3)의 두께 (5)를 뺀 값을 디싱량 (6)으로 한다. 또한, 연마 시간은 짧은 편이 바람직하고, 디싱량 (6)은 작은 편이 바람직하다.
이러한 연마 시험 웨이퍼의 연마에는 연마 장치(AMAT 제조의 리플렉션)를 이용하였다. 기판 부착용의 흡착 패드를 첩부한 홀더에 연마 시험 웨이퍼를 세팅하였다. 연마 장치의 직경 600 mm의 연마 정반에 다공질 우레탄 수지제의 연마 패드(홈 형상=퍼포레이트 타입: 롬 앤드 하스(Rohm and Haas)사 제조, 형번 IC1010)를 첩부하였다. 또한, 피연마막인 절연막(산화규소피막)면을 아래로 하여 상기 홀더를 연마 정반 상에 올려놓고, 가공 하중을 210 gf/cm2(20.6 kPa)로 설정하였다.
상기 연마 패드 상에 상기 산화세륨 연마액을 250 밀리리터/분의 속도로 적하하면서, 연마 정반과 연마 시험 웨이퍼를 각각 130 회전/분으로 작동시켜, 연마시험 웨이퍼를 연마하였다. 100 ㎛/100 ㎛ 영역의 액티브부의 질화규소막이 표면에 노출되었을 때의 연마 시간을 연마 종료 시간으로 하였다. 단, 평탄성의 평가는, 그 시간부터 20％의 오버 연마(예를 들면, 연마 종료 시간을 100초로 하면, 그 시점부터 추가로 20초간 많은 시간 연마하는 것)한 웨이퍼에 대하여 행하였다. 과잉으로 연마함으로써, 평가하는 항목의 값에 차이가 발생하기 쉬워져 평가하기 쉽다는 점과, 과잉으로 연마하여도 숫자가 양호하다(특성이 양호하다)는 점은, 연마 공정의 면에서 봐도 공정의 우도가 있다는 것으로 연결되어 유리하므로, 그 증명도 할 수 있기 때문이다. 연마 후의 연마 시험 웨이퍼는, 순수로 세정 후, 건조하였다.
평탄성의 평가 항목으로서, 이하의 3 항목에 대하여 평가하였다.
항목 1: 100 ㎛/100 ㎛ 영역의 트렌치부의 디싱(Dishing)량: 촉침식 단차계(모델 번호 P16 KLA-텐코르(tencor) 제조)를 이용하여 측정하였다.
항목 2: 100 ㎛/100 ㎛ 영역의 액티브부의 SiN 손실: 나노메트릭스사 제조의 간섭식 막 두께 측정 장치 나노스펙/AFT5100(상품명)을 이용하여, 연마에 의해 제거된 질화규소막(SiN막)의 두께를 측정하였다.
항목 3: 20 ㎛/80 ㎛ 영역 및 80 ㎛/20 ㎛ 영역의 트렌치부의 SiO2 잔막 두께차(SiO2 밀도차): 나노메트릭스사 제조의 간섭식 막 두께 측정 장치 나노스펙/AFT5100(상품명)을 이용하여, 각각의 영역에서의 산화규소막(SiO2막)의 잔막 두께를 측정하고, 그 차를 구하였다.
(실시예 1-2 내지 6-9 및 비교예 1-1 내지 6-9)
연마액의 pH, 유기산 A의 종류 및 사용량, 또는 고분자 화합물 B의 사용량을 표 1 내지 19에 나타내는 것으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1-1과 동일하게 하여 산화세륨 연마액을 제작하여, 절연막의 연마를 행하였다. 결과를 동 표에 나타낸다. 표 1 내지 19로부터, 본 발명에 의해 제공되는 연마액에 의해 연마 속도 및 평탄성이 향상되고, 디싱의 감소가 달성된다는 것이 분명해졌다.
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1…웨이퍼, 2…질화규소막, 3…플라즈마 TEOS법에 의해 형성된 산화규소막, 4…트렌치부의 깊이, 5…연마 후의 트렌치부의 산화규소막 두께, 6…디싱량.

Claims (9)

  1. 산화세륨 입자, 파라톨루엔술폰산, 카르복실산기 또는 카르복실산염기를 갖는 수용성 유기 고분자 및 물을 포함하는 CMP용의 연마액이며,
    상기 파라톨루엔술폰산의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.001 내지 1 질량％이고,
    상기 수용성 유기 고분자의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.01 내지 0.50 질량％이고,
    pH가 4.0 이상 7.0 이하인 연마액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화세륨 입자 및 상기 물을 포함하는 제1액과, 상기 파라톨루엔술폰산, 상기 수용성 유기 고분자 및 상기 물을 포함하는 제2액으로 구성되는 2액식 연마액으로서 보존되는 연마액.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1액이 분산제를 더 포함하는 연마액.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파라톨루엔술폰산의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.005 내지 0.1 질량％인 연마액.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 유기 고분자가, 폴리아스파라긴산, 폴리글루탐산, 폴리리신, 폴리말산, 폴리아미드산, 폴리아미드산암모늄염, 폴리아미드산나트륨염 및 폴리글리옥실산; 아크릴산, 메타크릴산 및 말레산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 카르복실산기를 갖는 단량체의 단독 중합체; 상기 단독 중합체의 상기 카르복실산기의 부분이 암모늄염인 단독 중합체; 카르복실산염기를 갖는 단량체와 카르복실산의 알킬에스테르와의 공중합체; 및 폴리(메트)아크릴산의 카르복실산기의 일부가 카르복실산암모늄염기에 치환된 중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 연마액.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 유기 고분자의 함유량이 연마액 전체 질량에 대하여 0.02 내지 0.40 질량％인 연마액.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, pH가 4.0 이상 6.0 이하인 연마액.
  8. 제7항에 있어서, pH가 4.0 이상 5.5 이하인 연마액.
  9. 기판 표면에 형성된 피연마막을 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 연마액을 이용하여 연마하는, 기판의 연마 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140011362A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group
JP6015259B2 (ja) * 2012-09-06 2016-10-26 旭硝子株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法
RU2015153457A (ru) * 2013-05-15 2017-06-20 Басф Се Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры
JP2016524326A (ja) * 2013-05-15 2016-08-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ Ｎ，ｎ，ｎ’，ｎ’−テトラキス−（２−ヒドロキシプロピル）−エチレンジアミンまたはメタンスルホン酸を含む化学機械研磨組成物
JP2017508833A (ja) * 2014-01-31 2017-03-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ポリ（アミノ酸）を含む化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物
JP6656829B2 (ja) 2014-11-07 2020-03-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9758697B2 (en) * 2015-03-05 2017-09-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing cationic polymer additive
CN107406752B (zh) * 2015-03-10 2020-05-08 日立化成株式会社 研磨剂、研磨剂用储存液和研磨方法
JP6393231B2 (ja) * 2015-05-08 2018-09-19 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法
JP2017011162A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 日立化成株式会社 研磨液の製造方法、研磨液及び研磨方法
JP6551136B2 (ja) * 2015-10-14 2019-07-31 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
KR20170044522A (ko) * 2015-10-15 2017-04-25 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물, 그의 제조 방법, 그를 이용한 연마 방법
JP6708951B2 (ja) * 2016-03-28 2020-06-10 日立化成株式会社 研磨液及び研磨方法
KR102475282B1 (ko) 2017-03-29 2022-12-07 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
US11649377B2 (en) 2017-08-14 2023-05-16 Resonac Corporation Polishing liquid, polishing liquid set and polishing method
JP7249725B2 (ja) * 2017-08-31 2023-03-31 アドバンスト ナノ プロダクツ カンパニー リミテッド 表面処理された酸化セリウム粉末及び研磨組成物
JP7220522B2 (ja) * 2018-05-24 2023-02-10 株式会社バイコウスキージャパン 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法
US12013502B2 (en) * 2022-06-22 2024-06-18 Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) High-resolution scintillation detector for two-dimensional reconstruction
US20230418154A1 (en) * 2022-06-22 2023-12-28 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Method for Manufacturing an Active Structure for A Radiation Detector and Polymeric Mold for the Method
KR20240062235A (ko) * 2022-10-28 2024-05-09 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법
CN118185477A (zh) * 2022-12-13 2024-06-14 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其用途

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026604A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2009278061A (ja) 2008-04-16 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
JP2010199595A (ja) 2004-09-28 2010-09-09 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3278532B2 (ja) 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH10106994A (ja) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
US6740589B2 (en) * 2000-11-30 2004-05-25 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composition for polishing semiconductor wafer, semiconductor circuit wafer, and method for producing the same
US20020068454A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Applied Materials, Inc. Method and composition for the removal of residual materials during substrate planarization
WO2003038883A1 (fr) 2001-10-31 2003-05-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Fluide et procede de polissage
JP2003313542A (ja) 2002-04-22 2003-11-06 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
US7005382B2 (en) * 2002-10-31 2006-02-28 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
US6953532B2 (en) * 2003-03-06 2005-10-11 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a lanthanide substrate
JP2004349426A (ja) 2003-05-21 2004-12-09 Jsr Corp Ｓｔｉ用化学機械研磨方法
US20050022456A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Babu S. V. Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper
DE10360464A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Wacker-Chemie Gmbh Dispersion die mindestens 2 Arten von Partikeln enthält
TWI334882B (en) * 2004-03-12 2010-12-21 K C Tech Co Ltd Polishing slurry and method of producing same
TWI283008B (en) * 2004-05-11 2007-06-21 K C Tech Co Ltd Slurry for CMP and method of producing the same
US7303993B2 (en) * 2004-07-01 2007-12-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
US7086935B2 (en) * 2004-11-24 2006-08-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cellulose-containing polishing compositions and methods relating thereto
US8592314B2 (en) * 2005-01-24 2013-11-26 Showa Denko K.K. Polishing composition and polishing method
DE602006004624D1 (de) * 2005-02-23 2009-02-26 Jsr Corp Chemisch-mechanisches Polierverfahren
WO2006115393A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Techno Semichem Co., Ltd. Auto-stopping abrasive composition for polishing high step height oxide layer
JP2006339594A (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
EP1838620B1 (en) * 2005-10-14 2016-12-14 Lg Chem, Ltd. Method for preparing a cerium oxide powder for a chemical mechanical polishing slurry
EP1994112B1 (en) * 2006-01-25 2018-09-19 LG Chem, Ltd. Cmp slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same
JP2007214155A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujifilm Corp バリア用研磨液及び化学的機械的研磨方法
JP5080012B2 (ja) * 2006-02-24 2012-11-21 富士フイルム株式会社 金属用研磨液
CN101432854B (zh) 2006-04-24 2011-04-06 日立化成工业株式会社 Cmp用研磨液及研磨方法
SG136886A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-29 Asahi Glass Co Ltd Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk
US7297633B1 (en) * 2006-06-05 2007-11-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Compositions for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride having improved endpoint detection
JP2008181955A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Fujifilm Corp 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
US20100087065A1 (en) * 2007-01-31 2010-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
EP2437285A2 (en) * 2007-03-26 2012-04-04 JSR Corporation Chemical mechanical polishing method for semiconductor device using an aqueous dispersion
JP5121273B2 (ja) * 2007-03-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 金属用研磨液及び研磨方法
TWI525680B (zh) * 2007-07-05 2016-03-11 日立化成股份有限公司 金屬膜用硏磨液以及硏磨方法
KR101396853B1 (ko) * 2007-07-06 2014-05-20 삼성전자주식회사 실리콘 질화물 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 실리콘질화막의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5178121B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-10 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
KR101562416B1 (ko) * 2008-02-06 2015-10-21 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법
JP5375025B2 (ja) * 2008-02-27 2013-12-25 日立化成株式会社 研磨液
KR101256551B1 (ko) * 2008-03-06 2013-04-19 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법
JP5319968B2 (ja) * 2008-06-18 2013-10-16 株式会社Ａｄｅｋａ Ｃｍｐ用研磨組成物
KR101377902B1 (ko) * 2008-12-11 2014-03-24 히타치가세이가부시끼가이샤 Ｃｍｐ용 연마액 및 이것을 이용한 연마 방법
JP2010161201A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の製造方法
WO2010143579A1 (ja) * 2009-06-09 2010-12-16 日立化成工業株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法
WO2011049318A2 (ko) * 2009-10-13 2011-04-28 주식회사 엘지화학 Cmp용 슬러리 조성물 및 연마방법
CN102666771A (zh) * 2009-12-31 2012-09-12 第一毛织株式会社 化学机械抛光淤浆组合物以及使用它们的抛光方法
US8435896B2 (en) * 2011-03-03 2013-05-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Stable, concentratable chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto
JPWO2014069457A1 (ja) * 2012-11-02 2016-09-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026604A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2010199595A (ja) 2004-09-28 2010-09-09 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2009278061A (ja) 2008-04-16 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法

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